TW201833394A - 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種表面處理銅箔，其即便用於高頻電路基板，也可良好地減少傳輸損耗，且與樹脂等絕緣基板接著時的剝離強度變得良好。一種表面處理銅箔，具有銅箔、以及在銅箔的至少一個面具有包含粗糙化處理層的表面處理層，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.030μm以上0.8μm以下，粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數為20個/100μm以上1700個/100μm以下，將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度為120次/100μm以下。

Description

表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法
本發明涉及一種表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法。
歷經這半個世紀，印刷配線板得到了很大的進展，如今已達到在幾乎所有的電子機器中使用的程度。隨著近年來的電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化進步，對印刷配線板要求優異的高頻對應。
高頻用基板中，為了確保輸出信號的品質，要求傳輸損耗降低。傳輸損耗主要包括由樹脂(基板側)引起的介電損耗、與由導體(銅箔側)引起的導體損耗。樹脂的介電常數及介電損耗角正切變得越小，介電損耗越減少。高頻信號中，導體損耗的主要原因為：由於頻率變得越高，電流越是僅在導體的表面流通的表皮效果，電流流通的截面積減少，電阻升高。
作為以降低高頻用銅箔的傳輸損耗為目的的技術，例如，在專利文獻1中揭示了如下的高頻電路用金屬箔，其在金屬箔表面的單面或兩面被覆銀或銀合金，在該銀或銀合金被覆層上，以比上述銀或銀合金被覆層的厚度薄的厚度施加有銀或銀合金以外的被覆層。而且記載有，藉此可提供在衛星通信中所使用的超高頻區域中也減小由表皮效果引起的損耗的金屬箔。
另外，專利文獻2中揭示了如下的高頻電路用粗糙化處理壓延銅 箔，其特徵在於：壓延銅箔的再結晶退火後的壓延面上的藉由X射線繞射來求出的(200)面的積分強度(I(200))相對於微粉末銅的藉由X射線繞射來求出的(200)面的積分強度(I0(200))，為I(200)/I0(200)>40，對該壓延面進行藉由電鍍的粗糙化處理後的粗糙化處理面的算術平均粗糙度(以下設為Ra)為0.02μm~0.2μm，十點平均粗糙度(以下設為Rz)為0.1μm~1.5μm，且上述高頻電路用粗糙化處理壓延銅箔為印刷電路基板用原材料。而且記載有，藉此能夠提供可在超過1GHz的高頻率下使用的印刷電路板。
進而，專利文獻3中揭示了如下的電解銅箔，其特徵在於：銅箔的表面的一部分為由瘤狀突起構成的表面粗糙度為2μm~4μm的凹凸面。而且記載有，藉此可提供高頻傳輸特性優異的電解銅箔。
進而，專利文獻4中揭示了如下的表面處理銅箔，其是在至少一個表面形成有表面處理層的表面處理銅箔，並且表面處理層包含粗糙化處理層，表面處理層中的Co、Ni、Fe的合計附著量為300μg/dm2以下，表面處理層具有Zn金屬層或者包含Zn的合金處理層，表面處理層表面的以雷射顯微鏡來測定的三維表面積相對於二維表面積的比為1.0~1.9，至少一個表面的表面粗糙度Rz JIS為2.2μm以下，在兩表面形成有上述表面處理層，且上述兩表面的表面粗糙度Rz JIS為2.2μm以下。而且記載有，藉此可提供即便用於高頻電路基板也良好地抑制傳輸損耗的表面處理銅箔。
[專利文獻1]日本專利第4161304號公報
[專利文獻2]日本專利第4704025號公報
[專利文獻3]日本特開2004-244656號公報
[專利文獻4]日本專利第5710737號公報
關於在高頻電路基板中使用時的銅箔的傳輸損耗的控制，雖如上所述進行了多種研究，但仍然留有很大的開發餘地。另外，為了製造印刷配線基板等，期望與樹脂等絕緣基板良好地接著的銅箔。
本發明人發現，在具有銅箔以及在銅箔的至少一個面(即一個或兩個面)具有包含粗糙化處理層的表面處理層的表面處理銅箔中，藉由控制粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度、鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數、以及粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度或者接觸頻度，則即便用於高頻電路基板也可良好地減少傳輸損耗，且與樹脂等絕緣基板接著時的剝離強度變得良好。
本發明是以上述見解為基礎而完成，一方面是一種表面處理銅箔，其具有銅箔、以及在上述銅箔的至少一個面具有包含粗糙化處理層的表面處理層，從上述銅箔的具有上述粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的上述粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.030μm以上0.8μm以下，上述粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數為20個/100μm以上1700個/100μm以下，將上述粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度為120次/100μm以下。
本發明的表面處理銅箔在一實施形態中，上述粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度為0.01μm以上1.5μm以下。
本發明的表面處理銅箔在另一實施形態中，上述粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數為50個/100μm以上。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，在與上述銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的上述粗糙化處理層的粗糙化粒子的平 均長度為0.01μm以上0.9μm以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層包含Co，且上述表面處理層中的Co的含有比率為15質量%以下(0質量%除外)。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層的合計附著量為1.0~5.0g/m2。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層包含Ni，上述表面處理層中的Ni的含有比率為8質量%以下(0質量%除外)。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Co的附著量為30~2000μg/dm2。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層包含Ni，且上述表面處理層中的Ni的附著量為10~1000μg/dm2。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層更具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的組群中的1種以上的層。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，用於高頻電路基板用的覆銅積層板或者印刷配線板。
本發明在另一方面，是一種帶樹脂層的表面處理銅箔，其具有本發明的表面處理銅箔、及樹脂層。
本發明在進而另一方面，是一種附載體銅箔，其在載體的至少一個面具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為本發明的表面處理銅箔或本發明的帶樹脂層的表面處理銅箔。
本發明在進而另一方面，是一種積層體，其具有本發明的表面 處理銅箔或者本發明的帶樹脂層的表面處理銅箔或者本發明的附載體銅箔。
本發明在進而另一方面，是一種積層體，其包含本發明的附載體銅箔及樹脂，上述附載體銅箔的端面的一部分或全部被上述樹脂所覆蓋。
本發明在進而另一方面，是一種積層體，其具有兩個本發明的附載體銅箔。
本發明在進而另一方面，是一種印刷配線板的製造方法，其使用有本發明的表面處理銅箔或者本發明的帶樹脂層的表面處理銅箔或者本發明的附載體銅箔。
本發明在進而另一方面，是一種印刷配線板的製造方法，其包括：將本發明的表面處理銅箔或者本發明的帶樹脂層的表面處理銅箔與絕緣基板進行積層而形成覆銅積層板的步驟，或者將本發明的附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體而形成覆銅積層板的步驟；以及利用半加成(semi-additive)法、減成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或者改良型半加成(modified semi-additive)法中的任一方法來形成電路的步驟。
本發明在進而另一方面，是一種印刷配線板的製造方法，其包括：在本發明的表面處理銅箔的上述表面處理層側表面形成電路的步驟，或者在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路的步驟；以埋入上述電路的方式，在上述表面處理銅箔的上述表面處理層側表面、或者上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層的步驟；以及 在形成上述樹脂層後，去除上述表面處理銅箔，或者在剝離上述載體或上述極薄銅層後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使埋沒於上述樹脂層的電路露出的步驟。
本發明在進而另一方面，是一種印刷配線板的製造方法，其包括：將本發明的附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面，與樹脂基板進行積層的步驟；在上述附載體銅箔的與樹脂基板積層側的相反側表面，設置至少1次樹脂層及電路的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層的步驟。
本發明在進而另一方面，是一種印刷配線板的製造方法，其包括：在具有本發明的附載體銅箔的積層體或者本發明的積層體的至少一個面，設置至少1次樹脂層及電路的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路後，從構成上述積層體的附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層的步驟。
本發明在進而另一方面，是一種電子機器的製造方法，其使用有利用本發明的方法製成的印刷配線板。
依據本發明，可提供一種即便用於高頻電路基板也可良好地減少傳輸損耗，且與樹脂等絕緣基板接著時的剝離強度變得良好的表面處理銅箔。
圖1A~C是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例所涉及的至電路鍍敷‧抗蝕劑(resist)去除為止的步驟中的配線板截面的示意圖。
圖2D~F是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例所涉及的從樹脂及第二層附載體銅箔積層至雷射打孔為止的步驟中的配線板截面的示意圖。
圖3G~I是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例所涉及的從通孔填充(via fill)形成至第1層的載體剝離為止的步驟中的配線板截面的示意圖。
圖4J~K是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例所涉及的從閃蝕(flash etching)至凸塊‧銅柱形成為止的步驟中的配線板截面的示意圖。
圖5是從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察時的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面的SEM觀察照片。
圖6是對於“粗糙化粒子部分”與“鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分”的確認方法的說明圖。
圖7是對於“粗糙化粒子部分”與“鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分”的確認方法的說明圖。
圖8是實施例1的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面(從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察時的表面處理銅箔的表面)的SEM觀察照片。
圖9是實施例2的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面(從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察時的表面處理銅箔的表面)的SEM觀察照片。
圖10是實施例3的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面(從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察時的表面處理銅箔的表面)的SEM觀察照片。
圖11是比較例1的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面(從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察時的表面處理銅箔的表面)的SEM觀察照片。
圖12是在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察實施例2的表面處理銅箔時的FIB觀察照片。
圖13是在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察實施例3的表面處理銅箔時的FIB觀察照片。
圖14是在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察比較例1的表面處理銅箔時的FIB觀察照片。
圖15是電路圖案的寬度方向的橫截面以及蝕刻因素(etching factor)的計算方法的概略示意圖。
圖16是實施例的耐酸性評價試驗中的聚醯亞胺樹脂基板與銅電路的截面示意圖。
圖17是實施例的耐酸性評價試驗中的聚醯亞胺樹脂基板與銅電路的表面示意圖。
圖18是對於表面處理銅箔的在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察時的表面，藉由用以測定粗糙化處理層的粗糙化粒子的自銅箔表面起的長度的FIB(聚焦離子束)而得的截面觀察照片的例子。
圖19是對於表面處理銅箔的在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察時的表面，藉由用以測定粗糙化處理層的粗糙化粒子的自銅箔表面起的長度的FIB(聚焦離子束)而得的截面觀察照片的例子。
<表面處理銅箔>
本發明的表面處理銅箔具有銅箔、以及在銅箔的至少一個面(即一個或兩個面)具有表面處理層。將本發明的表面處理銅箔貼合於絕緣基板上後，可將表面處理銅箔蝕刻為作為目標的導體圖案，最終可製造印刷配線板。本發明的表面處理銅箔也可作為高頻電路基板用的表面處理銅箔來使用。此處，所謂高頻電路基板，是指使用該電路基板的電路來傳輸的信號的頻率為1GHz以上的電路基板。另外，優選為上述信號的頻率為3GHz以上，更優選為5GHz以上，更優選為8GHz以上，更優選為10GHz以上，更優選為15GHz以上，更優選為18GHz以上，更優選為20GHz以上，更優選為30GHz以上，更優選為38GHz以上，更優選為40GHz以上，更優選為45GHz以上，更優選為48GHz以上，更優選為50GHz以上，更優選為55GHz以上，更優選為58GHz以上。
<銅箔>
對於本發明中可使用的銅箔的形態並無特別限制，可使用所有的銅箔。另外，典型而言，本發明中使用的銅箔可為利用乾式鍍敷法製成的銅箔、電解銅箔或壓延銅箔中的任一者。通常，電解銅箔是從硫酸銅鍍敷浴中，向鈦或不銹鋼的桶上電解析出銅來製造，壓延銅箔是反復進行利用軋輥的塑性加工及熱處理來製造。在要求彎曲性的用途中應用壓延銅箔的情況多。
作為銅箔材料，除了通常作為印刷配線板的導體圖案來使用的精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或者JIS H3510合金編號C1011)或磷去氧銅(JIS H3100合金編號C1201、C1220或者C1221)或電解銅等高純度的銅以外，例如也可使用：加入Sn的銅、加入Ag的銅，添加有Sn、Ag、In、Au、Cr、Fe、P、Ti、Sn、Zn、Mn、Mo、Co、Ni、Si、Zr、P、 及/或Mg等的銅合金，添加有Ni及Si等的卡遜(Corson)系銅合金之類的銅合金。另外，也可使用具有公知組成的銅箔及銅合金箔。此外，本說明書中單獨使用用語“銅箔”時，也包括銅合金箔。
此外，銅箔的板厚無需特別限定，例如為1~1000μm、或1~500μm、或1~300μm、或3~100μm、或5~70μm、或6~35μm、或9~18μm。
另外，本發明在另一方面，是一種在載體的至少一個面(即一個或兩個面)依次具有中間層、極薄銅層的附載體銅箔，並且極薄銅層為本發明的表面處理銅箔。本發明中在使用附載體銅箔的情況下，在極薄銅層表面設置以下的粗糙化處理層等表面處理層。此外，後文對附載體銅箔的另一實施形態進行說明。
<表面處理層>
本發明的表面處理銅箔的表面處理層包含粗糙化處理層，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度控制為0.030μm以上0.8μm以下。若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.030μm以上，則當將銅箔與樹脂基板等絕緣基板進行積層時，藉由粗糙化粒子的增粘(anchor)效果，而獲得銅箔與絕緣基板的密接力提高的效果。另外，若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.8μm以下，則銅箔表面的長度縮短，因此獲得可降低信號的傳輸損耗的效果。就銅箔與絕緣基板的密接力提高的觀點而言，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度優選為0.031μm以上，優選為0.032μm以上，優選為0.040μm以上，優選為0.045μm以上，優選為0.050μm以上，優選為0.055μm以上，優選為0.060μm以上，優選為0.065μm以 上，優選為0.069μm以上，優選為0.075μm以上，優選為0.078μm以上，優選為0.079μm以上，優選為0.080μm以上，優選為0.083μm以上，優選為0.085μm以上，優選為0.089μm以上，優選為0.090μm以上，優選為0.095μm以上，優選為0.100μm以上，優選為0.105μm以上，優選為0.109μm以上，優選為0.110μm以上，優選為0.111μm以上。另外，就信號的傳輸損耗降低的觀點而言，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度優選為0.800μm以下，優選為0.75μm以下，優選為0.70μm以下，優選為0.65μm以下，優選為0.60μm以下，優選為0.600μm以下，優選為0.595μm以下，優選為0.590μm以下，優選為0.585μm以下，優選為0.581μm以下，優選為0.570μm以下，優選為0.550μm以下，優選為0.530μm以下，優選為0.510μm以下，優選為0.500μm以下，優選為0.490μm以下，優選為0.480μm以下，優選為0.460μm以下，優選為0.440μm以下，優選為0.420μm以下，優選為0.400μm以下，優選為0.380μm以下，優選為0.360μm以下，優選為0.340μm以下，優選為0.320μm以下，優選為0.300μm以下，優選為0.280μm以下，優選為0.260μm以下，優選為0.250μm以下，優選為0.240μm以下，優選為0.230μm以下，優選為0.220μm以下，優選為0.215μm以下，優選為0.210μm以下，優選為0.205μm以下。
此外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度可藉由以下方式而增大：在進行粗糙化處理時，提高電流密度，及/或延長粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或降低粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。另外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度可藉由以下方式而減小：在進行粗糙化處理時，降低電流密度，及/或縮短粗糙化處理 時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或提高粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。
從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數控制為20個/100μm以上1700個/100μm以下。若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數為20個/100μm以上，則當將銅箔與樹脂基板等絕緣基板進行積層時，粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分多，故而粗糙化粒子容易進入絕緣基板中。因此，藉由粗糙化粒子的增粘效果，而獲得銅箔與絕緣基板的密接力提高的效果。另外，若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數為1700個/100μm以下，則當將銅箔與樹脂基板等絕緣基板進行積層時，粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分不會變得過多，故而進入絕緣基板中的粗糙化粒子的長度變長。因此，藉由粗糙化粒子的增粘效果，而獲得銅箔與絕緣基板的密接力提高的效果。另外，在從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數多的情況下，在銅箔的表面，平坦的部分多，故而銅箔表面的長度縮短。因此，在將該銅箔用於電路的情況下，獲得信號的傳輸損耗減小的效果。就信號的傳輸損耗降低的觀點而言，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數優選為30個/100μm以上，優選為40個/100μm以上，優選為50個/100μm以上，優選為55個/100μm以上，優選為60個/100μm以上，優選為65個/100μm以上，優選為69個/100μm以上，優選為70個/100μm以上，優選為80個/100μm以上，優選為85個/100μm以上，優選為90個/100μm以上，優選為95個/100 μm以上，優選為100個/100μm以上，優選為105個/100μm以上，優選為108個/100μm以上，優選為110個/100μm以上，優選為115個/100μm以上，優選為120個/100μm以上，優選為150個/100μm以上，優選為180個/100μm以上，優選為200個/100μm以上，優選為220個/100μm以上，優選為250個/100μm以上，優選為260個/100μm以上，優選為270個/100μm以上，優選為280個/100μm以上，優選為290個/100μm以上，優選為300個/100μm以上，優選為310個/100μm以上，優選為320個/100μm以上，優選為330個/100μm以上，優選為340個/100μm以上，優選為350個/100μm以上，優選為360個/100μm以上，優選為365個/100μm以上，優選為370個/100μm以上，優選為375個/100μm以上，優選為390個/100μm以上，優選為410個/100μm以上，優選為430個/100μm以上，優選為445個/100μm以上，優選為450個/100μm以上，優選為455個/100μm以上，優選為460個/100μm以上，優選為465個/100μm以上，優選為470個/100μm以上，優選為473個/100μm以上，優選為475個/100μm以上，優選為480個/100μm以上，優選為485個/100μm以上，優選為490個/100μm以上，優選為500個/100μm以上，優選為550個/100μm以上，優選為600個/100μm以上，優選為630個/100μm以上，優選為650個/100μm以上，優選為660個/100μm以上，優選為700個/100μm以上，優選為750個/100μm以上，優選為800個/100μm以上，優選為850個/100μm以上，優選為900個/100μm以上，優選為950個/100μm以上，優選為1000個/100μm以上，優選為1100個/100μm以上，優選為1200個/100μm以上，優選為1300個/100μm以上，優選為1400個/100μm以上，優選為1500個/100μm以上，優選為1600個/100μm以上。另外，就銅箔與絕緣基板的密接力提高的觀點而言，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數優選為1650個/100μm以下，優選為1630個/100μm以下，優選為1620個/100 μm以下，優選為1610個/100μm以下，優選為1610個/100μm以下，優選為1600個/100μm以下，優選為1500個/100μm以下，優選為1400個/100μm以下，優選為1300個/100μm以下，優選為1200個/100μm以下，優選為1100個/100μm以下，優選為1400個/100μm以下，優選為1000個/100μm以下，優選為900個/100μm以下，優選為850個/100μm以下，優選為800個/100μm以下，優選為780個/100μm以下，優選為775個/100μm以下，優選為770個/100μm以下，優選為740個/100μm以下，優選為710個/100μm以下，優選為680個/100μm以下，優選為670個/100μm以下，優選為660個/100μm以下，優選為650個/100μm以下，優選為640個/100μm以下，優選為630個/100μm以下，優選為620個/100μm以下，優選為610個/100μm以下，優選為600個/100μm以下，優選為580個/100μm以下，優選為560個/100μm以下，優選為540個/100μm以下，優選為520個/100μm以下。
此外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數可藉由以下方式而減少：當進行粗糙化處理時，提高電流密度，及/或延長粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或降低粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。另外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數可藉由以下方式而增多：當進行粗糙化處理時，降低電流密度，及/或縮短粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或提高粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。
從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度控制為120次/100μm以 下。若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度為120次/100μm以下，則粗糙化粒子的堆積少，故而銅箔表面的長度縮短，另外，金屬組織的晶格的朝向等不連續的粗糙化粒子與粗糙化粒子的接觸部分減少。因此，在將該銅箔用於電路的情況下，獲得信號的傳輸損耗變小的效果。從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度或者接觸頻度優選為115次/100μm以下，優選為110次/100μm以下，優選為105次/100μm以下，優選為100次/100μm以下，優選為95次/100μm以下，優選為90次/100μm以下，優選為85次/100μm以下，優選為80次/100μm以下，優選為75次/100μm以下，優選為70次/100μm以下，優選為65次/100μm以下，優選為60次/100μm以下，優選為55次/100μm以下，優選為50次/100μm以下，優選為45次/100μm以下，優選為43次/100μm以下，優選為41次/100μm以下，優選為40次/100μm以下。此外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度的合計頻度的下限無需特別限定，典型而言，例如0次/100μm以上，例如1次/100μm以上，例如2次/100μm以上，例如3次/100μm以上，例如5次/100μm以上，例如10次/100μm以上，例如15次/100μm以上。
此外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度的合計頻度可藉由以下方式而提高：當進行粗糙化處理時，提高電流密度，及/或延長粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或提高粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。另外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度的合計頻度可藉由以下方式而降低：當進行粗糙化處 理時，降低電流密度，及/或縮短粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或降低粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。
從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度優選為0.01μm以上1.5μm以下。若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度為0.01μm以上，則存在於銅箔的表面的平坦部分長，因此存在銅箔表面的長度縮短的情況。因此，在將該銅箔用於電路的情況下，存在獲得信號的傳輸損耗變得更小的效果的情況。另外，若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度為0.01μm以上，則存在粗糙化粒子容易進入絕緣基板中的情況。其結果為，存在獲得銅箔與絕緣基板的密接力進一步提高的效果的情況。另外，若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度為1.5μm以下，則存在粗糙化粒子與粗糙化粒子的間隔縮短、粗糙化粒子的存在頻度升高的情況。因此，當將銅箔與樹脂基板等絕緣基板進行積層時，存在進入絕緣基板中的粗糙化粒子的頻度升高的情況。其結果為，存在藉由粗糙化粒子的增粘效果，而獲得銅箔與絕緣基板的密接力進一步提高的效果的情況。另外，若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度為1.5μm以下，則存在獲得信號的傳輸損耗變得更小的效果的情況。從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度更優選為0.020μm以上，更優選為0.025μm以上，更優選為0.030μm以上，更優選為0.035μm以上，更優選為0.040μm以上，更優選為0.045μm以上，更優選為0.050μm以上，更優選為 0.055μm以上，更優選為0.060μm以上，更優選為0.065μm以上，更優選為0.068μm以上。從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度更優選為1.500μm以下，更優選為1.400μm以下，更優選為1.300μm以下，更優選為1.200μm以下，更優選為1.100μm以下，更優選為1.000μm以下，更優選為0.900μm以下，更優選為0.800μm以下，更優選為0.700μm以下，更優選為0.600μm以下，更優選為0.500μm以下，更優選為0.400μm以下，更優選為0.300μm以下，更優選為0.250μm以下，更優選為0.230μm以下，更優選為0.220μm以下，更優選為0.210μm以下，更優選為0.200μm以下，更優選為0.190μm以下，更優選為0.180μm以下，更優選為0.170μm以下，更優選為0.160μm以下，更優選為0.150μm以下，更優選為0.140μm以下，更優選為0.135μm以下。
此外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度可藉由以下方式而減小：當進行粗糙化處理時，提高電流密度，及/或延長粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或提高粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。另外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度可藉由以下方式而增大：當進行粗糙化處理時，降低電流密度，及/或縮短粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或降低粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。
從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數優選為50個/100μm以上。若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數為50個 /100μm以上，則當將銅箔與樹脂基板等絕緣基板進行積層時，存在進入絕緣基板中的粗糙化粒子的頻度升高的情況。其結果為，存在藉由粗糙化粒子的增粘效果，而獲得銅箔與絕緣基板的密接力提高的效果的情況。另外，若從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數為50個/100μm以上，則存在獲得信號的傳輸損耗變得更小的效果的情況。從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數更優選為75個/100μm以上，更優選為100個/100μm以上，更優選為125個/100μm以上，更優選為150個/100μm以上，更優選為175個/100μm以上，更優選為190個/100μm以上，更優選為200個/100μm以上，更優選為225個/100μm以上，更優選為250個/100μm以上，更優選為275個/100μm以上，更優選為75個/100μm以上，更優選為300個/100μm以上，更優選為325個/100μm以上，更優選為350個/100μm以上，更優選為375個/100μm以上，更優選為400個/100μm以上，更優選為425個/100μm以上，更優選為450個/100μm以上，更優選為475個/100μm以上，更優選為500個/100μm以上，更優選為505個/100μm以上，更優選為510個/100μm以上，更優選為515個/100μm以上，更優選為520個/100μm以上，更優選為540個/100μm以上，更優選為590個/100μm以上，更優選為640個/100μm以上。從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數的上限無需特別限定，典型而言，例如為1800個/100μm以下、1750個/100μm以下、1710個/100μm以下、1700個/100μm以下、1650個/100μm以下、1625個/100μm以下、1600個/100μm以下、1500個/100μm以下、1400個/100μm以下、1300個/100μm以下、1200個/100μm以下、1100個/100μm以下、1000個/100μm以下、900個/100μm以下、800個/100μm以下。
此外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗 糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數可藉由以下方式而增多：當進行粗糙化處理時，提高電流密度，及/或延長粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或提高粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。另外，從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數可藉由以下方式而減少：當進行粗糙化處理時，降低電流密度，及/或縮短粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或降低粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。
在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度優選為0.01μm以上0.9μm以下。若在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.01μm以上，則當將銅箔與樹脂基板等絕緣基板進行積層時，存在進入絕緣基板中的粗糙化粒子的長度變長的情況。其結果為，存在藉由粗糙化粒子的增粘效果，而獲得銅箔與絕緣基板的密接力提高的效果的情況。另外，若在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.9μm以下，則粗糙化粒子的長度短，故而存在銅箔表面的長度縮短的情況。因此，在將該銅箔用於電路的情況下，存在獲得信號的傳輸損耗減小的效果的情況。就進一步提高銅箔與絕緣基板的密接力的觀點而言，在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度優選為0.015μm以上，優選為0.020μm以上，優選為0.025μm以上，優選為0.030μm以上，優選為0.035μm以上，優選為0.040μm以上，優選為0.045μm以上，優選為0.050μm以上，優選為0.055μm以上，優選為0.060μm以上，優選為0.065μm以上，優選為0.070μm以上，優選為0.075μm以上，優選為0.080μm以 上，優選為0.085μm以上，優選為0.090μm以上，優選為0.095μm以上，優選為0.100μm以上，優選為0.105μm以上，優選為0.110μm以上，優選為0.115μm以上，優選為0.120μm以上，優選為0.125μm以上，優選為0.130μm以上，優選為0.135μm以上，優選為0.140μm以上，優選為0.145μm以上，優選為0.150μm以上，優選為0.155μm以上，優選為0.160μm以上，優選為0.165μm以上，優選為0.170μm以上，優選為0.175μm以上，優選為0.180μm以上，優選為0.185μm以上，優選為0.190μm以上，優選為0.195μm以上，優選為0.200μm以上，優選為0.205μm以上，優選為0.210μm以上。就進一步降低信號的傳輸損耗的觀點而言，在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度更優選為0.85μm以下，更優選為0.80μm以下，更優選為0.75μm以下，更優選為0.70μm以下，更優選為0.65μm以下，更優選為0.60μm以下，更優選為0.55μm以下，更優選為0.50μm以下，更優選為0.45μm以下，更優選為0.40μm以下，更優選為0.35μm以下，更優選為0.33μm以下，更優選為0.31μm以下，更優選為0.30μm以下，更優選為0.28μm以下。
此外，在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度可藉由以下方式而增大：當進行粗糙化處理時，提高電流密度，及/或延長粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或提高粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。另外，在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度可藉由以下方式而減小：當進行粗糙化處理時，降低電流密度，及/或縮短粗糙化處理時間(進行鍍敷時的通電時間)，及/或降低粗糙化處理中所使用的處理液中的Cu以外的元素(例如Ni、Co、W、As、Zn、P、Mo、V或Fe等元素)的濃度等。
本發明的表面處理銅箔的表面處理層優選為包含Co。藉由表面 處理銅箔的表面處理層包含Co，存在微細電路形成性提高的情況。另外，表面處理層中的Co的含有比率優選為15質量%以下(0質量%除外)。藉由該Co的含有比率設為15質量%以下，存在可進一步提高高頻傳輸特性的情況。該Co的含有比率更優選為14質量%以下，更優選為13質量%以下，更優選為12質量%以下，更優選為11質量%以下，更優選為10質量%以下，更優選為9質量%以下，更優選為8質量%以下，更優選為7.5質量%以下，更優選為7質量%以下，進而更優選為6.5質量%以下，進而更優選為6.0質量%以下，進而更優選為5.5質量%以下。另外，藉由表面處理銅箔的表面處理層包含Co，存在微細電路形成性提高的情況。表面處理層中的Co的含有比率優選為0質量%以上，優選為大於0質量%，優選為0.01質量%以上，優選為0.02質量%以上，優選為0.03質量%以上，優選為0.05質量%以上，優選為0.09質量%以上，優選為0.1質量%以上，優選為0.11質量%以上，優選為0.15質量%以上，優選為0.18質量%以上，優選為0.2質量%以上，優選為0.3質量%以上，優選為0.5質量%以上，優選為0.8質量%以上，優選為0.9質量%以上，優選為1.0質量%以上，優選為1.5質量%以上，優選為2.0質量%以上，優選為2.5質量%以上，優選為3.0質量%以上，優選為3.5質量%以上，優選為4.0質量%以上，優選為4.5質量%以上。
表面處理層中的Co的附著量優選為30μg/dm2以上。若該Co的附著量為30μg/dm2以上，則存在對於電路製作時的蝕刻液的溶解性變得良好，微細配線形成性提高的情況。另外，表面處理層中的Co的附著量優選為2000μg/dm2以下。另外，若該Co的附著量為2000μg/dm2以下，則存在高頻傳輸特性進一步提高的情況。就表面處理銅箔的微細配線形成性的觀點而言，該表面處理層中的Co的附著量優選為35μg/dm2以上，優選為40μg/dm2以上，優選為45μg/dm2以上，優選為50μg/dm2以上，優選為55μg/dm2以上，優選為60μg/dm2以上，優選為70μg/dm2以上，優選為80μg/dm2以上，優選為90μg/dm2以上，優 選為100μg/dm2以上，優選為150μg/dm2以上，優選為200μg/dm2以上，優選為250μg/dm2以上，優選為300μg/dm2以上，優選為350μg/dm2以上，優選為400μg/dm2以上，優選為450μg/dm2以上，優選為500μg/dm2以上，優選為550μg/dm2以上，優選為600μg/dm2以上，優選為650μg/dm2以上，優選為700μg/dm2以上，優選為940μg/dm2以上。另外，就表面處理銅箔的高頻傳輸特性的觀點而言，該表面處理層中的Co的附著量優選為1950μg/dm2以下，優選為1900μg/dm2以下，優選為1850μg/dm2以下，優選為1800μg/dm2以下，優選為1750μg/dm2以下，優選為1700μg/dm2以下，優選為1650μg/dm2以下，優選為1600μg/dm2以下，優選為1550μg/dm2以下，優選為1500μg/dm2以下，優選為1450μg/dm2以下，優選為1400μg/dm2以下，優選為1350μg/dm2以下，優選為1300μg/dm2以下，優選為1250μg/dm2以下，優選為1200μg/dm2以下，優選為1150μg/dm2以下，優選為1100μg/dm2以下，優選為1050μg/dm2以下，優選為1000μg/dm2以下，優選為950μg/dm2以下，優選為900μg/dm2以下，優選為730μg/dm2以下，優選為700μg/dm2以下，優選為600μg/dm2以下，優選為570μg/dm2以下，優選為550μg/dm2以下，優選為500μg/dm2以下，優選為475μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔優選為表面處理層的合計附著量為1.0g/m2以上。該表面處理層的合計附著量為構成表面處理層的元素的附著量的合計量。構成該表面處理層的元素例如可列舉：Cu、Ni、Co、Cr、Zn、W、As、Mo、P、Fe等。若表面處理層的合計附著量為1.0g/m2以上，則存在表面處理銅箔與樹脂的密接性提高的情況。所述的表面處理層的合計附著量優選為5.0g/m2以下。若表面處理層的合計附著量為5.0g/m2以下，則存在高頻傳輸特性進一步提高的情況。就表面處理銅箔與樹脂的密接性的觀點而言，該表面處理層的合計附著量優選為1.05g/m2以上，優選為1.1g/m2以上，優選為1.15g/m2 以上，優選為1.2g/m2以上，優選為1.25g/m2以上，優選為1.3g/m2以上，優選為1.35g/m2以上，優選為1.4g/m2以上，優選為1.5g/m2以上。另外，就表面處理銅箔的高頻傳輸特性的觀點而言，該表面處理層的合計附著量優選為4.8g/m2以下，優選為4.6g/m2以下，優選為4.5g/m2以下，優選為4.4g/m2以下，優選為4.3g/m2以下，優選為4.0g/m2以下，優選為3.5g/m2以下，優選為3.0g/m2以下，優選為2.5g/m2以下，優選為2.0g/m2以下，優選為1.9g/m2以下，優選為1.8g/m2以下，優選為1.7g/m2以下，優選為1.65g/m2以下，優選為1.60g/m2以下，優選為1.55g/m2以下，優選為1.50g/m2以下，優選為1.45g/m2以下，進而更優選為1.43μg/dm2以下，進而更優選為1.4g/m2以下。
表面處理銅箔的表面處理層優選為包含Ni。在表面處理銅箔的表面處理層包含Ni的情況下，存在具有耐酸性提高的效果的情況。另外，表面處理層優選為包含Ni，且表面處理層中的Ni的含有比率為8質量%以下(0質量%除外)。若該Ni的含有比率為8質量%以下，則存在表面處理銅箔的高頻傳輸特性進一步提高的情況。該表面處理層中的Ni的含有比率更優選為7.5質量%以下，更優選為7質量%以下，更優選為6.5質量%以下，更優選為6質量%以下，更優選為5.5質量%以下，更優選為5質量%以下，更優選為4.8質量%以下，更優選為4.5質量%以下，更優選為4.2質量%以下，更優選為4.0質量%以下，更優選為3.8質量%以下，更優選為3.5質量%以下，更優選為3.0質量%以下，更優選為2.5質量%以下，更優選為2.0質量%以下，更優選為1.9質量%以下，進而更優選為1.8質量%以下。另外，就耐酸性的觀點而言，該表面處理層中的Ni的含有比率優選為0質量%以上，優選為大於0質量%，優選為0.01質量%以上，優選為0.02質量%以上，優選為0.03質量%以上，優選為0.04質量%以上，優選為0.05質量%以上，優選為0.06質量%以上，優選為0.07質量%以上，優選為0.08質量%以上，優選為0.09質量%以上，優選為0.1質量%以上，優選為0.11質量%以 上，優選為0.15質量%以上，優選為0.18質量%以上，優選為0.2質量%以上，優選為0.25質量%以上，優選為0.5質量%以上，優選為0.8質量%以上，優選為0.9質量%以上，優選為1.0質量%以上，優選為1.1質量%以上，優選為1.2質量%以上，優選為1.3質量%以上，優選為1.4質量%以上，優選為1.5質量%以上。
表面處理層優選為包含Ni，且表面處理層中的Ni的附著量為10μg/dm2以上。若該Ni的附著量為10μg/dm2以上，則存在表面處理銅箔的耐酸性變得良好的情況。另外，表面處理層中的Ni的附著量優選為1000μg/dm2以下。若該Ni的附著量為1000μg/dm2以下，則存在高頻傳輸特性進一步提高的情況。就表面處理銅箔的耐酸性的觀點而言，該Ni的附著量優選為20μg/dm2以上，優選為30μg/dm2以上，優選為40μg/dm2以上，優選為50μg/dm2以上，優選為55μg/dm2以上，優選為60μg/dm2以上，優選為70μg/dm2以上，優選為75μg/dm2以上，優選為100μg/dm2以上，優選為110μg/dm2以上，優選為120μg/dm2以上，優選為130μg/dm2以上，優選為140μg/dm2以上，優選為160μg/dm2以上，優選為180μg/dm2以上，優選為200μg/dm2以上，優選為220μg/dm2以上，優選為240μg/dm2以上，優選為260μg/dm2以上，優選為280μg/dm2以上，優選為530.μg/dm2以上。另外，就表面處理銅箔的高頻傳輸特性的觀點而言，該Ni的附著量優選為950μg/dm2以下，優選為900μg/dm2以下，優選為850μg/dm2以下，優選為800μg/dm2以下，優選為750μg/dm2以下，優選為700μg/dm2以下，優選為650μg/dm2以下，優選為600μg/dm2以下，優選為550μg/dm2以下，優選為500μg/dm2以下，優選為450μg/dm2以下，優選為400μg/dm2以下，優選為350μg/dm2以下，優選為300μg/dm2以下，優選為250μg/dm2以下，優選為200μg/dm2以下，優選為180μg/dm2以下，優選為160μg/dm2以下，優選為150μg/dm2以下，優選為140μg/dm2以下，優選為130μg/dm2以下，優選為125μg/dm2以下，優選為120μg/dm2以下，優選為115μg/dm2以下，優選為110 μg/dm2以下，優選為105μg/dm2以下，優選為100μg/dm2以下，優選為95μg/dm2以下，優選為90μg/dm2以下，優選為85μg/dm2以下，優選為80μg/dm2以下。
此外，本發明中，在表面處理層存在於銅箔的兩個面的情況下，表面處理層的合計附著量、表面處理層中的Co的含有率、Ni的含有率、以及Co、Ni等元素的附著量為一個面的表面處理層中的當量，並不是形成於兩個面的表面處理層中所含有的元素(例如Co等)的合計值。
此外，表面處理層的合計附著量、表面處理層所含有的元素的附著量(例如，在表面處理層含有Co及/或Ni的情況下，為Co及/或Ni的附著量)、表面處理層中的Co的含有率、以及表面處理層中的Ni的含有率可藉由以下方式而增多及/或增大：提高形成表面處理層時所使用的表面處理液中的該元素(例如Co及/或Ni)的濃度，及/或在表面處理為鍍敷的情況下，提高電流密度，及/或延長表面處理時間(進行鍍敷時的通電時間)等。另外，表面處理層的合計附著量、表面處理層所含有的元素的附著量、表面處理層中的Co的含有率、以及表面處理層中的Ni的含有率可藉由以下方式而減少及/或減小：降低形成表面處理層時所使用的表面處理液中的該元素的濃度，及/或在表面處理為鍍敷的情況下，降低電流密度，及/或縮短表面處理時間(進行鍍敷時的通電時間)等。
本發明的表面處理銅箔的表面處理層具有粗糙化處理層。粗糙化處理層通常是在銅箔的與樹脂基材接著的面即粗糙化面，以提高積層後的銅箔的剝落強度為目的，藉由在脫脂後的銅箔的表面進行“節瘤”狀的電沉積而形成。有時進行通常的鍍銅等來作為粗糙化前的預處理，有時為了防止電沉積物的脫落，也進行通常的鍍銅等來作為粗糙化後的修整處理。本發明中，也包括所述的預處理及修整處理在內，稱為“粗糙化處理”。
本發明的表面處理銅箔中的粗糙化處理層例如可藉由利用以下 的條件，形成一次粒子後，形成二次粒子來製作。
(一次粒子的鍍敷條件)
若列舉一次粒子的鍍敷條件的一例，則如下所述。
液組成：銅10~20g/L、硫酸50~100g/L
液溫：25~50℃
電流密度：1~58A/dm2
庫倫量：1.5~70As/dm2
(二次粒子的鍍敷條件)
若列舉二次粒子的鍍敷條件的一例，則如下所述。
液組成：銅10~20g/L、鎳5~15g/L、鈷5~15g/L
pH：2~3
液溫：30~50℃
電流密度：20~50A/dm2
庫倫量：12~50As/dm2
另外，表面處理層也可更具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的組群中的1種以上的層。此外，該耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層也可分別由複數層所形成(例如2層以上、3層以上等)。另外，表面處理層也可具有：由Ni與選自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所組成的組群中的一種以上元素構成的合金層，及/或鉻酸鹽處理層，及/或矽烷偶合處理層，及/或Ni-Zn合金層。
耐熱層、防銹層可使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層 及/或防銹層可為包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的組群中的1種以上元素的層，也可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的組群中的1種以上元素構成的金屬層或者合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可含有包含所述元素的氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可為包含鎳-鋅合金的層。此外，耐熱層及/或防銹層也可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層除了含有不可避免的雜質以外，還可含有50wt%~99wt%的鎳、50wt%~1wt%的鋅。上述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計附著量可為5~1000mg/m2，優選為10~500mg/m2，優選為20~100mg/m2。另外，包含上述鎳-鋅合金的層或者上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量與鋅的附著量的比(=鎳的附著量/鋅的附著量)優選為1.5~10。另外，上述包含鎳-鋅合金的層或者上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量優選為0.5mg/m2~500mg/m2，更優選為1mg/m2~50mg/m2。在耐熱層及/或防銹層為包含鎳-鋅合金的層的情況下，當導通孔(through hole)或通孔(via hole)等的內壁部與去汙(desmear)液接觸時，銅箔與樹脂基板的介面難以被去汙液所侵蝕，銅箔與樹脂基板的密接性提高。
例如耐熱層及/或防銹層可為將附著量為1mg/m2~100mg/m2、優選為5mg/m2~50mg/m2的鎳或鎳合金層，與附著量為1mg/m2~80mg/m2、優選為5mg/m2~40mg/m2的錫層依次積層而成者，上述鎳合金層也可由鎳-鉬合金、鎳-鋅合金、鎳-鉬-鈷合金、鎳-錫合金中的任一種所構成。
本說明書中，所謂鉻酸鹽處理層，是指經包含無水鉻酸、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的溶液進行處理的層。鉻酸鹽處理層也可包含Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形態)。鉻酸鹽處理層的具體例可列舉：經無水鉻酸或二鉻酸鉀水溶液進行處理的鉻酸鹽處理層、或經包含無水鉻 酸或二鉻酸鉀以及鋅的處理液進行處理的鉻酸鹽處理層等。
矽烷偶合處理層可使用公知的矽烷偶合劑來形成，也可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯基系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等來形成。此外，如上所述的矽烷偶合劑也可混合2種以上來使用。其中，優選為使用胺基系矽烷偶合劑或者環氧系矽烷偶合劑來形成的層。
另外，可對銅箔、極薄銅層、粗糙化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或者鉻酸鹽處理層的表面進行公知的表面處理。
此外，可對銅箔、極薄銅層、粗糙化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或者鉻酸鹽處理層的表面，進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號中記載的表面處理。
<傳輸損耗>
在傳輸損耗小的情況下，以高頻來進行信號傳輸時的信號的衰減受到抑制，因此在以高頻來進行信號傳輸的電路中，可進行穩定的信號傳輸。因此，傳輸損耗的值小者適合用於以高頻進行信號傳輸的電路用途，故而優選。在將表面處理銅箔與市售的液晶聚合物樹脂(可樂麗(Kuraray)股份有限公司製造的Vecstar CTZ-厚度50μm，作為羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)的共聚物的樹脂)貼合後，藉由蝕刻，以特性阻抗達到50Ω的方式形成微帶線，在使用HP公司製造的網路分析儀HP8720C測定穿透係數，來求出頻率40GHz下的傳輸損耗的情況下，頻率40GHz下的傳輸損耗優選為小於7.5dB/10cm，更優選 為小於7.3dB/10cm，更優選為小於7.1dB/10cm，更優選為小於7.0dB/10cm，更優選為小於6.9dB/10cm，更優選為小於6.8dB/10cm，更優選為小於6.7dB/10cm，更優選為小於6.6dB/10cm，進而更優選為小於6.5dB/10cm。
<附載體銅箔>
本發明的另一實施的形態的附載體銅箔在載體的至少一個面(即一個或兩個面)依次具有中間層、極薄銅層。而且，上述極薄銅層為所述本發明的一實施形態的表面處理銅箔。
<載體>
本發明中可使用的載體典型而言為金屬箔或者樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂膜、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜、PP(聚丙烯)膜、聚醯胺膜、聚醯胺醯亞胺膜的形態來提供。
本發明中可使用的載體典型而言是以壓延銅箔或電解銅箔的形態來提供。通常，電解銅箔是從硫酸銅鍍敷浴中向鈦或不銹鋼的桶上電解析出銅來製造，壓延銅箔是將利用軋輥的塑性加工與熱處理反復進行來製造。作為銅箔的材料，除了精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)或磷去氧銅或電解銅等高純度的銅以外，例如也可使用：加入Sn的銅、加入Ag的銅，添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金，添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。另外，也可使用公知的銅合金。此外，當本說明書中單獨使用用語“銅箔”時，也包括銅合金箔。
本發明中可使用的載體的厚度也並無特別限制，只要適當調節為適合於發揮作為載體的作用的厚度即可，例如可設為5μm以上。但，若過 厚，則生產成本升高，故而通常優選為設為35μm以下。因此，載體的厚度典型而言為8~70μm，更典型而言為12~70μm，更典型而言為18~35μm。另外，就降低原料成本的觀點而言，載體的厚度優選為小。因此，載體的厚度典型而言為5μm以上35μm以下，優選為5μm以上18μm以下，優選為5μm以上12μm以下，優選為5μm以上11μm以下，優選為5μm以上10μm以下。此外，在載體的厚度小的情況下，在載體的通箔時容易產生折褶。為了防止折褶的產生，例如有效的是使附載體銅箔製造裝置的搬送輥平滑、或縮短搬送輥與下一個搬送輥的距離。此外，在作為印刷配線板的製造方法之一的埋入工法(Enbedded Process)中使用附載體銅箔的情況下，載體的剛性必須高。因此，在用於埋入工法中的情況下，載體的厚度優選為18μm以上300μm以下，優選為25μm以上150μm以下，優選為35μm以上100μm以下，進而更優選為35μm以上70μm以下。
此外，也可在載體的與設置極薄銅層的一側的表面相反側的表面設置一次粒子層及二次粒子層。在載體的與設置極薄銅層的一側的表面相反側的表面設置一次粒子層及二次粒子層，這具有如下優點：當將載體從具有該一次粒子層及二次粒子層的表面側來積層於樹脂基板等支持體上時，載體與樹脂基板難以剝離。
以下，示出使用電解銅箔作為載體的情況下的製造條件的一例。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下化學式的胺化合物。
此外，只要未特別載明，則本發明中使用的電解、表面處理或鍍敷等中使用的處理液的剩餘部分為水。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥基烷基、醚基、芳基、經芳香族取代的烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一組群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
<中間層>
在載體上設置中間層。也可在載體與中間層之間設置其他層。本發明中使用的中間層若為如下構成，則無特別限定：於附載體銅箔在絕緣基板上的積層步驟前，難以從載體剝離極薄銅層，另一方面，在絕緣基板上的積層步驟後可 從載體剝離極薄銅層。例如，本發明的附載體銅箔的中間層可包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、它們的合金、它們的水合物、它們的氧化物、有機物所組成的組群中的一種或兩種以上。另外，中間層也可為複數層。
另外，例如，中間層可藉由如下方式來構成：從載體側起形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種元素構成的單一金屬層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種或兩種以上元素構成的合金層，且在其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種或兩種以上元素的水合物或氧化物、或者有機物構成的層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種元素構成的單一金屬層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種或兩種以上元素構成的合金層。
在將中間層僅僅設置於單面的情況下，優選為在載體的相反面設置鍍Ni層等防銹層。此外，在藉由鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理來設置中間層的情況下，認為存在鉻或鋅等所附著的金屬的一部分成為水合物或氧化物的情況。
另外，例如，中間層可在載體上依次積層鎳、鎳-磷合金或者鎳-鈷合金與鉻而構成。由於鎳與銅的接著力高於鉻與銅的接著力，故而當剝離極薄銅層時，在極薄銅層與鉻的介面剝離。另外，對於中間層的鎳期待阻隔效果，即，防止銅成分從載體向極薄銅層擴散。中間層中的鎳的附著量優選為100μg/dm2以上40000μg/dm2以下，更優選為100μg/dm2以上4000μg/dm2以下，更優選為100μg/dm2以上2500μg/dm2以下，更優選為100μg/dm2以上且小於1000μg/dm2，中間層中的鉻的附著量優選為5μg/dm2以上100μg/dm2以下。
<極薄銅層>
在中間層上設置極薄銅層。也可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺磺酸銅、氰化銅等電解浴的電鍍而形成，從可用於一般的電解銅箔，且可以高電流密度來形成銅箔的方面而言，優選為硫酸銅浴。極薄銅層的厚度並無特別限制，通常比載體更薄，例如為12μm以下。典型而言為0.5~12μm，更典型而言為1~5μm，進而典型而言為1.5~4μm，進而典型而言為2~3.5μm。此外，也可在載體的兩面設置極薄銅層。
本發明的表面處理銅箔、及/或本發明的附載體銅箔自身的使用方法為本領域技術人員所熟知，例如將表面處理銅箔、及/或極薄銅層的表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂以及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物、氟樹脂、聚醯胺樹脂、低介電聚醯亞胺膜等絕緣基板，(在附載體銅箔的情況下，熱壓接後剝下載體)形成覆銅積層板，將接著於絕緣基板的表面處理銅箔、及/或極薄銅層蝕刻為作為目標的導體圖案，最終可製造印刷配線板。
<樹脂層>
本發明的表面處理銅箔可在表面處理層的表面具備樹脂層。另外，也可在由Ni與選自由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti所組成的組群中的一種以上元素構成的合金層，或者鉻酸鹽層、或者矽烷偶合層、或者Ni-Zn合金層的表面具備樹脂層。樹脂層更優選為形成於表面處理銅箔的最表面。
本發明的附載體銅箔也可在一次粒子層或二次粒子層上，耐熱層、防銹 層、鉻酸鹽處理層、或者矽烷偶合處理層上具備樹脂層。
上述樹脂層可為接著劑，也可為接著用的半固化狀態(B階段)的絕緣樹脂層。所謂半固化狀態(B階段)，包括如下狀態：以手指觸摸其表面，並無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊保管，若進而受到加熱處理，則產生固化反應。
另外，上述樹脂層可包含熱固化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，上述樹脂層也可包含熱塑性樹脂。其種類並無特別限定，例如可列舉包含選自以下組群中的一種以上的樹脂來作為優選者：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、胺酯(urethane)樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、多胺、芳香族多胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱固化性聚苯醚樹脂、氰酸酯酯系樹脂、羧酸的酐、多元羧酸的酐、具有可交聯的官能基的線狀聚合物、聚伸苯醚(polyphenylene ether)樹脂、2,2-雙(4-氰酸基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚伸苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改性聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、磷腈(phosphazene)系樹脂、橡膠改性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯基丁醛、苯氧基、高分子環氧、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂以及氰基酯樹脂。
另外，上述環氧樹脂可為分子內具有2個以上環氧基的樹脂，若為可用於電氣‧電子材料用途的樹脂，則無特別問題，可使用。另外，上述環氧樹脂優選為使用分子內具有2個以上環氧丙基的化合物來進行環氧化的環氧樹脂。另外，可將選自以下組群中的1種或2種以上混合使用：雙酚A型環氧樹 脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改性雙酚A型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、三聚異氰酸三環氧丙基酯、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷的環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂；或者可使用上述環氧樹脂的氫化體或鹵化體。
上述含磷的環氧樹脂可使用公知的含有磷的環氧樹脂。另外，上述含磷的環氧樹脂優選為：例如作為由分子內具有2個以上環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲(phosphaphenanthrene)-10-氧化物而來的衍生物而獲得的環氧樹脂。
上述樹脂層可包含：公知的樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化促進劑、介電體(也可使用包含無機化合物及/或有機化合物的介電體、包含金屬氧化物的介電體等任一種介電體)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等。另外，上述樹脂層可使用公知的樹脂層的形成方法、形成裝置來形成。此外，上述樹脂層也可使用以下專利文獻中記載的物質(樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置來形成，例如：國際公開編號WO2008/004399、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第 4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號。
將上述這些樹脂溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中而製成樹脂液，利用例如輥塗布機法等，將上述樹脂液塗布於上述表面處理銅箔上及/或上述極薄銅層上，或者包含上述耐熱層、防銹層、或者上述鉻酸鹽皮膜層、或者上述矽烷偶合劑層等的表面處理層上，接著視需要進行加熱乾燥而去除溶劑，成為B階段狀態。乾燥時使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度若為100~250℃、優選為130~200℃即可。
具備上述樹脂層的表面處理銅箔、及/或附載體銅箔(附有樹脂的附載體銅箔)是以如下的實施方式來使用：將該樹脂層重疊於基材上後，對整體進行熱壓接而使該樹脂層進行熱固化，接著在附載體銅箔的情況下，剝離載體而使極薄銅層露出(當然露出的是該極薄銅層的中間層側的表面)，在表面處理銅箔或極薄銅層形成既定的配線圖案。
若使用該附有樹脂的表面處理銅箔、及/或附載體銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時的預浸料材的使用片數。而且，將樹脂層的厚度設為可確保層間絕緣的厚度，即便完全不使用預浸料材，也可製造覆銅積層板。 另外，此時也可在基材的表面底塗絕緣樹脂來進一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預浸料材的情況下，節約預浸料材的材料成本，另外積層步驟也變得簡略，因此在經濟性方面變得有利，而且存在如下優點：僅與預浸料材的厚度相應地製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，可製造1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板。
該樹脂層的厚度優選為0.1~80μm。若樹脂層的厚度薄於0.1μm，則接著力下降，當在不介隔預浸料材的情況下將該附有樹脂的附載體銅箔積層於具備內層材的基材上時，存在難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。
另一方面，若使樹脂層的厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗布步驟來形成目標厚度的樹脂層，會花費多餘的材料費與工時，因此在經濟性方面變得不利。進而，所形成的樹脂層由於其可撓性劣化，故而存在如下情況：操作時容易產生龜裂等，另外，與內層材熱壓接時會產生過剩的樹脂流動，從而難以進行順利的積層。
進而，作為附有樹脂的附載體銅箔的另一製品形態，也可在上述極薄銅層所具有的表面處理層上，或者上述耐熱層、防銹層、或者上述鉻酸鹽處理層、或者上述矽烷偶合處理層上由樹脂層被覆，形成半固化狀態後，接著剝離載體，以不存在載體的附有樹脂的銅箔的形式來製造。
藉由在印刷配線板上搭載電子零件類，來完成印刷電路板。本發明中，“印刷配線板”中也包含如上所述搭載有電子零件類的印刷配線板、及印刷電路板以及印刷基板。
另外，可使用該印刷配線板來製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷電路板來製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷基板來製作電子機器。以下，示出使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造步驟 的若干例子。此外，使用本發明的表面處理銅箔作為附載體銅箔的極薄銅層，也同樣可製造印刷配線板。
本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔(以下，也可將“附載體銅箔”及“極薄銅層”換稱為表面處理銅箔，另外將“極薄銅層側”換稱為“表面處理層側”，來製造印刷配線板；在如上所述換稱的情況下，作為未記載載體者，也可製造印刷配線板)及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；以極薄銅層側與絕緣基板對向的方式，將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，經過將上述附載體銅箔的載體剝下的步驟來形成覆銅積層板，然後，利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中的任一方法來形成電路的步驟。絕緣基板也可設為加入有內層電路的基板。
本發明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或者銅箔籽(seed)層上進行薄的非電解鍍敷，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻來形成導體圖案的方法。
因此，使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將剝下上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻來去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟； 對上述樹脂以及包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層上設置抗鍍敷層(plating resist)的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層去除的步驟。
使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層、以及上述絕緣樹脂基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將剝下上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；對藉由利用蝕刻等來去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂以及包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層上設置抗鍍敷層的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟； 在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層去除的步驟。
使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層、以及上述絕緣樹脂基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將剝下上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對藉由利用蝕刻等來去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂以及包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層上設置抗鍍敷層的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層去除的步驟。
使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形 態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將剝下上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；對藉由利用蝕刻來去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂的表面設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層上設置抗鍍敷層的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層以及極薄銅層去除的步驟。
本發明中，所謂改良型半加成法，是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，利用抗鍍敷層來保護非電路形成部，藉由電解鍍敷來進行電路形成部的鍍厚銅後，去除抗蝕劑，藉由(閃光(flash))蝕刻來去除上述電路形成部以外的金屬箔，藉此在絕緣層上形成電路。
因此，使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟； 在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層表面設置抗鍍敷層的步驟；設置上述抗鍍敷層後，藉由電解鍍敷來形成電路的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕，將藉由去除上述抗鍍敷層而露出的極薄銅層去除的步驟。
使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層上設置抗鍍敷層的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層以及極薄銅層去除的步驟。
本發明中，所謂部分加成法，是指如下方法：在設置導體層而成的基板、視需要打出導通孔或通孔用的孔而成的基板上賦予催化劑核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊層(solder resist)或者抗鍍敷層後，在上述導體電路上，藉由非電解鍍敷處理來對導通孔或通孔等進行厚鍍，藉此製 造印刷配線板。
因此，使用部分加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域賦予催化劑核的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層表面設置抗蝕刻層(etching resist)的步驟；對上述抗蝕刻層進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層及上述催化劑核而形成電路的步驟；去除上述抗蝕刻層的步驟；在藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法來去除上述極薄銅層及上述催化劑核而露出的上述絕緣基板表面，設置阻焊層或抗鍍敷層的步驟；以及在未設置上述阻焊層或抗鍍敷層的區域設置非電解鍍敷層的步驟。
本發明中，所謂減成法，是指藉由蝕刻等，選擇性地去除覆銅積層板上的銅箔的不需要部分而形成導體圖案的方法。
因此，使用減成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟； 將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層的表面設置抗蝕刻層的步驟；對上述抗蝕刻層進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層、上述非電解鍍敷層以及上述電解鍍敷層而形成電路的步驟；以及去除上述抗蝕刻層的步驟。
使用減成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層的表面形成掩模的步驟；在未形成掩模的上述非電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層的表面設置抗蝕刻層的步驟； 對上述抗蝕刻層進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層及上述非電解鍍敷層而形成電路的步驟；以及去除上述抗蝕刻層的步驟。
設置導通孔或/及盲孔的步驟、以及其後的去汙步驟也可不進行。
此處，使用圖式，對使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例進行詳細說明。
首先，圖1-A所示，準備在表面具有形成有粗糙化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
接著，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗糙化處理層上塗布抗蝕劑，進行曝光‧顯影，將抗蝕劑蝕刻為既定的形狀。
接著，如圖1-C所示，形成電路用的鍍敷層後，去除抗蝕劑，藉此形成既定形狀的電路鍍敷層。
接著，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍敷層的方式(以電路鍍敷層埋沒的方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂來積層樹脂層，繼而從極薄銅層側接著另一附載體銅箔(第二層)。
接著，如圖2-E所示，從第二層的附載體銅箔上剝下載體。
接著，如圖2-F所示，在樹脂層的既定位置進行雷射打孔，使電路鍍敷層露出而形成盲孔。
接著，如圖3-G所示，在盲孔中埋入銅，形成通孔填充。
接著，如圖3-H所示，在通孔填充上，如上述圖1-B及圖1-C所述般形成電路鍍敷層。
接著，如圖3-I所示，從第1層的附載體銅箔上剝下載體。
接著，如圖4-J所示，藉由閃蝕來去除兩表面的極薄銅層，使樹脂層內的電路鍍敷層的表面露出。
接著，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍敷層上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱。如此來製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。
此外，在上述印刷配線板的製造方法中，也可將“極薄銅層”換稱為載體，且將“載體”換稱為極薄銅層，在附載體銅箔的載體側的表面形成電路，以樹脂埋入電路，來製造印刷配線板。另外，在上述印刷配線板的製造方法中，也可藉由將“在表面具有形成有粗糙化處理層的極薄銅層的附載體銅箔”換稱為表面處理銅箔，在表面處理銅箔的表面處理層側表面、或者表面處理銅箔的與表面處理層相反側的表面形成電路，以樹脂埋入電路，然後，去除表面處理銅箔，來製造印刷配線板。此外，本說明書中所謂“表面處理銅箔的表面處理層側表面”，是指表面處理銅箔的具有表面處理層的一側的表面，或者在表面處理層的一部分或全部被去除的情況下，是指表面處理層的一部分或全部被去除後的表面處理銅箔的具有表面處理層的一側的表面。即，所謂“表面處理銅箔的表面處理層側表面”，是包含表面處理層的最表面以及表面處理層的一部分或全部被去除後的表面處理銅箔的表面的概念。
上述另一附載體銅箔(第二層)可使用本發明的附載體銅箔，也可使用以前的附載體銅箔，進而也可使用通常的銅箔。另外，在圖3-H所示的第二層的電路上，也可進而形成1層或複數層的電路，也可利用半加成法、減成法、部分加成法或者改良型半加成法中的任一方法來進行這些電路形成。
若利用如上所述的印刷配線板的製造方法，則形成電路鍍敷層埋入樹脂層的構成，因此，在如例如圖4-J所示，藉由閃蝕來去除極薄銅層時，電路鍍敷層由樹脂層所保護，保持其形狀，藉此容易形成微細電路。另外，由於電路鍍敷層由樹脂層所保護，故而耐遷移性提高，電路的配線的導通被良好 地抑制。因此，容易形成微細電路。另外，當如圖4-J及圖4-K所示，藉由閃蝕來去除極薄銅層時，電路鍍敷層的露出面成為從樹脂層凹陷的形狀，因此容易在該電路鍍敷層上形成凸塊，進而在其上形成銅柱，製造效率提高。
此外，埋入樹脂可使用公知的樹脂、預浸料。例如可使用：BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或作為含浸有BT樹脂的玻璃布的預浸料、味之素精細化學股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，上述埋入樹脂可使用本說明書中記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸料。
另外，上述第一層中使用的附載體銅箔也可在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層中使用的附載體銅箔得到支持，難以產生褶皺，因此具有生產性提高的優點。此外，上述基板或樹脂層中，只要具有支援上述第一層中使用的附載體銅箔的效果者，則可使用所有的基板或樹脂層。例如可使用本申請案說明書中記載的載體、預浸料、樹脂層或公知的載體、預浸料、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔來作為上述基板或者樹脂層。
另外，本發明的印刷配線板的製造方法可為包括以下步驟的印刷配線板的製造方法(無芯(coreless)工法)：將本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在和與上述樹脂基板積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面相反側的附載體銅箔的表面，設置至少1次樹脂層及電路的步驟；以及在形成上述樹脂層及電路後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層的步驟。關於該無芯工法，具體例為：首先，將本發明的附載體銅箔的極薄銅層側表面或者載體側表面與樹脂基板進行積層來製造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。然後，在和與樹脂基板積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面相反側的附載體銅箔的表面 形成樹脂層。在形成於載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層上，也可進而從載體側或極薄銅層側積層另一附載體銅箔。另外，也可將以下的積層體用於上述的印刷配線板的製造方法(無芯工法)中：具有以樹脂基板或樹脂或預浸料為中心，在該樹脂基板或樹脂或預浸料的兩個表面側，以載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序來積層有附載體銅箔的構成的積層體；或者具有以“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板或樹脂或預浸料/載體/中間層/極薄銅層”的順序來積層的構成的積層體；或者具有以“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序來積層的構成的的積層體；或具有以“極薄銅層/中間層/載體/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序來積層的構成的積層體。而且，在該積層體的兩端的極薄銅層或者載體的露出的表面，也可藉由在設置另一樹脂層，進而設置銅層或者金屬層後，對該銅層或者金屬層進行加工而形成電路。進而，也可以埋入該電路的方式，將另一樹脂層設置於該電路上。另外，可將如上所述的電路及樹脂層的形成進行1次以上(增層(build-up)工法)。而且，關於以上述方式形成的積層體(以下，也稱為積層體B)，可使各個附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離來製作無芯基板。此外，在所述的無芯基板的製作中，也可使用2個附載體銅箔，製作後述的具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，將該積層體用於中心。可在這些積層體(以下，也稱為積層體A)的兩側的極薄銅層或者載體的表面，設置1次以上的樹脂層及電路，設置1次以上的樹脂層及電路後，使各個附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離來製作無芯基板。所述的積層體也可在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層可為樹脂基板或者樹脂 層。此外，本說明書中，於極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，“極薄銅層的表面”、“極薄銅層側表面”、“極薄銅層表面”、“載體的表面”、“載體側表面”、“載體表面”、“積層體的表面”、“積層體表面”設為包含該該其他層的表面(最表面)的概念。另外，積層體優選為具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。其原因在於，當使用該積層體來製作無芯基板時，由於在無芯基板側配置極薄銅層，故而使用改良型半加成法，容易在無芯基板上形成電路。另外原因在於，由於極薄銅層的厚度薄，故而該極薄銅層容易去除，在去除極薄銅層後使用半加成法，容易在無芯基板上形成電路。
此外，本說明書中，未特別記載“積層體A”或“積層體B”的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在上述無芯基板的製造方法中，藉由將附載體銅箔或者上述積層體(包含積層體A)的端面的一部分或全部以樹脂覆蓋，可在利用增層工法來製造印刷配線板時，防止藥液滲入中間層或者構成積層體的1個附載體銅箔與另1個附載體銅箔之間，可防止由藥液的滲入所引起的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，可提高產率。此處使用的“將附載體銅箔的端面的一部分或全部覆蓋的樹脂”或者“將積層體的端面的一部分或全部覆蓋的樹脂”可使用可用於樹脂層的樹脂或者公知的樹脂。另外，上述無芯基板的製造方法中，在附載體銅箔或者積層體中俯視時，附載體銅箔或者積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或者1個附載體銅箔與另1個附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分可由樹脂或者預浸料所覆蓋。另外，利用上述無芯基板的製造方法來形成的積層體(積層體A)可使一對附載體銅箔以可相互分離的方式接觸而構成。另外，在該附載體銅箔中俯視時，也可遍及附載體銅箔或者積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或者1個附載體銅 箔與另1個附載體銅箔的積層部分)的外周的全體或者積層部分的整個面，由樹脂或者預浸料所覆蓋。另外，在俯視的情況下，樹脂或者預浸料優選為大於附載體銅箔或者積層體或者積層體的積層部分，優選為將該樹脂或者預浸料積層於附載體銅箔或者積層體的兩面，形成具有附載體銅箔或者積層體由樹脂或者預浸料所袋裝(包裹)的構成的積層體。藉由設為如上所述的構成，當俯視附載體銅箔或者積層體時，附載體銅箔或者積層體的積層部分由樹脂或者預浸料所覆蓋，可防止其他構件從該部分的側方向、即相對於積層方向而言為橫向的方向碰撞，結果可減少操作中的載體與極薄銅層或者附載體銅箔彼此的剝落。另外，藉由以不露出附載體銅箔或者積層體的積層部分的外周的方式由樹脂或者預浸料所覆蓋，可防止如上所述的藥液處理步驟中的藥液向該積層部分的介面的浸入，可防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，當從積層體的一對附載體銅箔上分離出一個附載體銅箔時、或者將附載體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時，在由樹脂或者預浸料所覆蓋的附載體銅箔或者積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或者1個附載體銅箔與另1個附載體銅箔的積層部分)利用樹脂或者預浸料等而牢固密接的情況下，存在必須藉由切斷等來去除該積層部分等的情況。
也可從載體側或者極薄銅層側，將本發明的附載體銅箔積層於另一個本發明的附載體銅箔的載體側或極薄銅層側，來構成積層體。另外，也可為上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面、與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面，視需要經由接著劑，直接積層而獲得的積層體。另外，上述一個附載體銅箔的載體或極薄銅層、與上述另一個附載體銅箔的載體或極薄銅層也可接合。此處，在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，該“接合”也包含經由該表面處理層而相互接合的實施方式。另外，該積層體的端面的一部分或全部也可由樹脂所覆蓋。
載體彼此、極薄銅層彼此、載體與極薄銅層、附載體銅箔彼此的積層除了單純地重疊以外，例如可利用以下的方法來進行。
(a)冶金的接合方法：熔接(電弧焊、TIG(tungsten inert gas，鎢‧惰性‧氣體)焊接、MIG(metal inert gas，金屬‧惰性‧氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超聲波焊接、摩擦攪拌焊接)、釺焊；(b)機械性接合方法：斂縫、利用鉚釘的接合(藉由自沖鉚接(self-piercing rivet)的接合、藉由鉚接的接合)、術縫機(stitcher)；(c)物理性接合方法：接著劑、(兩面)膠帶。
藉由使用上述接合方法，將一個載體的一部分或全部與另一個載體的一部分或全部或者極薄銅層的一部分或全部進行接合，而將一個載體與另一個載體或極薄銅層進行積層，可製造使載體彼此或者載體與極薄銅層以可分離的方式接觸而構成的積層體。在一個載體與另一個載體或極薄銅層輕輕地接合，一個載體與另一個載體或極薄銅層進行積層的情況下，即便不去除一個載體與另一個載體或極薄銅層的接合部，一個載體與另一個載體或極薄銅層也可分離。另外，在一個載體與另一個載體或極薄銅層強力地接合的情況下，藉由切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等，將一個載體與另一個載體或極薄銅層接合的部位去除，可將一個載體與另一個載體或極薄銅層分離。
另外，可藉由實施以下步驟來製作不具有芯的印刷配線板：在以上述方式構成的積層體上設置至少1次樹脂層及電路的步驟；以及在至少1次形成上述樹脂層及電路後，從上述積層體的附載體銅箔剝離上述極薄銅層或載體的步驟。此外，也可在該積層體的一個或兩個表面，設置樹脂層及電路。
所述積層體中使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸料可為本說明書中記載的樹脂層，也可包含本說明書中記載的樹脂層中所使用的樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、 骨架材料等。此外，所述附載體銅箔或者積層體可在俯視時小於樹脂或者預浸料或者樹脂基板或者樹脂層。
另外，樹脂基板只要具有可適用於印刷配線板等的特性，則不受特別限制，例如，剛性PWB用途中可使用：紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂以及玻璃布基材環氧樹脂等，FPC用途中可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂等。此外，在使用LCP膜或氟樹脂膜的情況下，存在較使用聚醯亞胺膜的情況而言，該膜與表面處理銅箔的剝離強度變小的傾向。因此，在使用LCP膜或氟樹脂膜的情況下，藉由在形成銅電路後，以覆蓋層來覆蓋銅電路，則該膜與銅電路難以剝落，可防止由剝離強度下降所引起的該膜與銅電路的剝離。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例來進行說明。此外，本實施例始終為一例，並非僅僅限定於該例子。即，包含本發明中所含的其他實施方式或者變形。
實施例6及比較例2的原箔是使用厚度12μm的壓延銅箔TPC(JIS H3100 C1100所規定的精銅，JX金屬製造)。實施例7及比較例3的原箔是使用厚度12μm的電解銅箔(JX金屬製造的HLP箔)，在析出面(M面)設置表面處理層。
另外，實施例1~5、8~18以及比較例1、4、5的原箔是使用利用以下方法製成的附載體銅箔。
實施例1~5、8、10~18、比較例1、4、5是準備厚度18μm的電解銅箔(JX金屬製造的JTC箔)來作為載體，實施例9是準備上述厚度18μm的標準壓延銅箔TPC來作為載體。而且利用下述條件，在載體的表面形成中間層，且在 中間層的表面形成表1所記載的厚度(1μm或3μm)的極薄銅層。此外，在載體為電解銅箔的情況下，在光澤面(S面)形成中間層。
‧實施例1~5、8~18以及比較例1、4、5
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
藉由利用以下的條件，在卷對卷(roll-to-roll)型的連續鍍敷線上，對載體進行電鍍，形成3000μg/dm2的附著量的Ni層。以下記載具體的鍍敷條件。
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
亮光劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
pH：4~6
液溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
(2)Cr層(電解鉻酸鹽處理)
接著，將(1)中形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼而，在卷對卷型的連續鍍敷線上，藉由利用以下的條件進行電解鉻酸鹽處理，在Ni層上附著11μg/dm2的附著量的Cr層。
重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0g/L
pH：7~10
液溫：40~60℃
電流密度：2A/dm2
<極薄銅層>
接著，將(2)中形成的Cr層表面進行水洗及酸洗後，繼而，在卷對卷型的連續鍍敷線上，藉由利用以下的條件進行電鍍，在Cr層上形成表1所記載的厚度(1μm、3μm或12μm)的極薄銅層，製作附載體銅箔。
銅濃度：90~110g/L
硫酸濃度：90~110g/L
氯化物離子濃度：50~90ppm
調平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
此外，使用下述胺化合物作為調平劑2。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥基烷基、醚基、芳基、經芳香族取代的烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一組群中者)
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
電解液線速：1.5~5m/sec
<粗糙化處理1、粗糙化處理2>
繼而，使用表3所記載的鍍敷浴，如表1所記載來進行粗糙化處理1。關於實施例3、12~14、比較例1~3，繼粗糙化處理1之後，使用表3所記載的鍍敷浴，如表1所記載來進行粗糙化處理2。
<耐熱處理、防銹處理>
繼而，關於實施例2、3、10~14、18，使用表4所記載的鍍敷浴，如表1所記載來進行耐熱處理。進而，關於實施例10、11、18，使用表6所記載的鍍敷浴，如表1所記載來進行防銹處理。
<鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理>
繼而，對實施例1~5、8~18、比較例1~5進行以下的電解鉻酸鹽處理。
‧電解鉻酸鹽處理
液組成：重鉻酸鉀1g/L
液溫：40~60℃
pH：0.5~10
電流密度：0.01~2.6A/dm2
通電時間：0.05~30秒
然後，對於實施例1~5、7~18、比較例1~5進行以下的使用二胺基矽烷的矽烷偶合處理。
‧矽烷偶合處理
矽烷偶合劑：N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷
矽烷偶合劑濃度：0.5~1.5vol%
處理溫度：20~70℃
處理時間：0.5~5秒
(從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度)
對於各實施例、比較例的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面(從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察時的表面處理銅箔的表面)，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，將加速電壓設為2.0kV來拍攝照片。關於掃描型電子顯微鏡的觀察倍率，實施例1~15、17、比較例1~4中設為10000倍，實施例16、比較例5中設為30000倍。將此處獲得的SEM觀察照片的例子示於圖8~11中。由於從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度小(例如為0.400μm以下等的情況)，故而在掃描型電子顯微鏡中難以觀察粗糙化粒子的情況下，觀察倍率並非10000倍，而是以30000倍等高於10000倍的倍率來觀察粗糙化粒子。此外，在難以觀察粗糙化粒子等的情況下，上述加速電壓可根據觀察倍率等來適當變更。
接著，對於所獲得的SEM觀察照片，引出將如圖5所示的縱橫分別3等分的4條線(A~D線)，測定各條線通過粗糙化粒子部分的長度的合計，計算這些A~D線通過粗糙化粒子部分的長度的合計的合計，來求出測定視野中的粗糙化粒子部分的合計長度。此處，所謂“粗糙化粒子部分”，是指SEM觀察照片中，A~D線通過粗糙化粒子上的部分。例如，“粗糙化粒子部分”為後述圖7(a)中相當於P1~P5的部分、以及圖7(b)中相當於P6~P8的部分。“測定視野中的粗糙化粒子部分的合計長度”(μm)是由以下的式子來算出。
測定視野中的粗糙化粒子部分的合計長度(μm)=測定視野中的A線通過粗糙化粒子部分的長度的合計(μm)+測定視野中的B線通過粗糙化粒子部分的長度的合計(μm)+測定視野中的C線通過粗糙化粒子部分的長度的合計 (μm)+測定視野中的D線通過粗糙化粒子部分的長度的合計(μm)
而且，將使測定視野中的粗糙化粒子部分的合計長度除以測定視野中的粗糙化粒子部分的個數而獲得的值(即，每一個粗糙化粒子部分的粗糙化粒子部分的長度的平均值)，作為測定視野中的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度。
此外，所述的“測定視野中的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度”(μm)是利用以下的式子來算出。
測定視野中的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度(μm)=測定視野中的粗糙化粒子部分的合計長度(μm)/測定視野中的粗糙化粒子部分的個數
此處，“測定視野中的粗糙化粒子部分的個數”是利用以下的式子來算出。
測定視野中的粗糙化粒子部分的個數=測定視野中的A線所通過的粗糙化粒子部分的個數+測定視野中的B線所通過的粗糙化粒子部分的個數+測定視野中的C線所通過的粗糙化粒子部分的個數+測定視野中的D線所通過的粗糙化粒子部分的個數
對測定物件的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面的3個測定視野(1個測定視野的大小：橫12.5μm×縱9.5μm(實施例1~15、17、比較例1~4))進行所述的測定，將3個測定視野中的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度的平均值作為“從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度”(μm)。此外，關於實施例16、比較例5，將測定面積設為與實施例1~15、17、比較例1~4相同，因此對27個測定視野(1個測定視野的大小：橫4.2μm×縱3.2μm)進行，將27個測定視野中的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度的平均值作為“從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度”(μm)。
(在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度)
另外，對於各實施例、比較例的表面處理銅箔的在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察時的表面，根據使用FIB(聚焦離子束)來拍攝的截面觀察照片，測定粗糙化處理層的粗糙化粒子的自銅箔表面起的長度。具體而言，如圖18中作為例子所表示，利用FIB(聚焦離子束)來拍攝包含銅箔表面及粗糙化處理層的銅箔的與板厚方向平行的截面，獲得截面觀察照片。繼而，如圖18的粗糙化粒子的放大照片即圖18所示，對於截面觀察照片中的粗糙化粒子，以從粗糙化粒子尖端部至銅箔表面的長度成為最大的方式引出直線1，該直線1是將該粗糙化粒子橫切，且和該粗糙化粒子與銅箔的邊界部分的銅箔表面交叉的直線。此外，關於堆積的粗糙化粒子，將堆積的粗糙化粒子統一視為一個粗糙化粒子，對堆積的(積層的)粗糙化粒子引出直線1。接著，將從粗糙化粒子尖端部至銅箔表面的直線1的長度作為粗糙化粒子的長度。當在截面觀察照片中觀察到銅箔與粗糙化粒子的邊界的情況下，將該銅箔與粗糙化粒子的邊界作為該粗糙化粒子與銅箔的邊界部分的銅箔表面。
另外，當在截面觀察照片中未觀察到銅箔與粗糙化粒子的邊界的情況下，如圖19所示，將使作為凸部的粗糙化粒子開始的一個點(即粗糙化粒子的一個根部分)、與作為凸部的粗糙化粒子開始的另一個點(即粗糙化粒子的另一個根部分)連結的直線作為直線2，將該直線2作為粗糙化粒子與銅箔的邊界部分的銅箔表面。粗糙化粒子的長度(高度)成為圖19所示的部分的長度。
此外，將FIB的截面的觀察角度設定為自垂直面(和與銅箔的厚度方向平行的截面平行的面)起45度來觀察。另外，在與板厚方向垂直的方向上，在長度8μm×3個部位，測定與銅箔的厚度方向平行的截面中的粗糙化粒子的長度的 平均值，將3個部位的粗糙化粒子的長度的平均值的平均值作為“在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度”(μm)。
(粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數)
另外，對於各實施例、比較例的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面，測定上述SEM觀察照片的A~D線的各線所通過的粗糙化粒子部分的個數，計算這些A~D線的各線所通過的粗糙化粒子部分的個數的合計，來求出測定視野中的粗糙化粒子部分的個數。“測定視野中的粗糙化粒子部分的個數”是利用所述的式子來算出。
對測定物件的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面的3個測定視野(1個測定視野的大小：橫12.5μm×縱9.5μm(實施例1~15、17、比較例1~4))進行所述測定，在3個測定視野中，算出測定視野中的每單位長度100μm的粗糙化粒子部分的個數，將3個測定視野中的每單位長度100μm的粗糙化粒子部分的個數的平均值作為“粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數”(個/100μm)。此外，關於實施例16、比較例5，對27個測定視野(1個測定視野的大小：橫4.2μm×縱3.2μm)進行上述測定，將27個測定視野中的每單位長度100μm的粗糙化粒子部分的個數的平均值作為“粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數”(個/100μm)。
此外，所述的“測定視野中的每單位長度100μm的粗糙化粒子部分的個數”是利用以下的式子來算出。
測定視野中的每單位長度100μm的粗糙化粒子部分的個數(個/100μm)=測定視野中的粗糙化粒子部分的個數(個)/{測定視野中的A線的長度(μm)+測定視野中的B線的長度(μm)+測定視野中的C線的長度(μm)+ 測定視野中的D線的長度(μm)}×100
(粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度)
另外，對於各實施例、比較例的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面，測定上述SEM觀察照片的A~D線的各線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計，計算這些A~D線的各線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計的合計，求出測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的合計長度。
“測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的合計長度”(μm)是利用以下的式子來算出。
測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的合計長度(μm)=測定視野中的A線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計(μm)+測定視野中的B線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計(μm)+測定視野中的C線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計(μm)+測定視野中的D線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計(μm)
而且，將使測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的合計長度除以測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數而獲得的值(即，相對於鄰接的粗糙化粒子間的每一個間隙部分而言的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度)，作為測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度。所述的“測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度”(μm)是利用以下的式子來算出。
測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度(μm)=測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的合計長度(μm)/測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數
此處，“測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數”是利用以下的式子來算出。
測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數=測定視野中的A線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數+測定視野中的B線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數+測定視野中的C線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數+測定視野中的D線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數
對測定物件的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面的3個測定視野(1個測定視野的大小：橫12.5μm×縱9.5μm(實施例1~15、17、比較例1~4))進行所述測定，將3個測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度的平均值作為“粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度”(μm)。此外，關於實施例16、比較例5，對27個測定視野(1個測定視野的大小：橫4.2μm×縱3.2μm)進行上述測定，將27個測定視野的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度的平均值作為“粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度”(μm)。
(粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數)
另外，對於各實施例、比較例的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面，測定上述SEM觀察照片的A~D線的各線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數，計算這些A~D線的各線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數的合計，求出測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數。“測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數”是利用所述式子來算出。
對測定物件的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面的3個測定視野(1個測 定視野的大小：橫12.5μm×縱9.5μm(實施例1~15、17、比較例1~4))進行所述測定，在3個測定視野中，算出測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數。而且，將3個測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數的平均值，作為“粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數”(個/100μm)。此外，關於實施例16、比較例5，對27個測定視野(1個測定視野的大小：橫4.2μm×縱3.2μm)進行上述測定，將27個測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數的平均值作為“粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數”(個/100μm)。
此外，“測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數”(個/100μm)是利用以下的式子來算出。
測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數(個/100μm)=測定視野中的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數(個)/{測定視野中的A線的長度(μm)+測定視野中的B線的長度(μm)+測定視野中的C線的長度(μm)+測定視野中的D線的長度(μm)}×100
(將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度)
另外，對於各實施例、比較例的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面，在上述SEM觀察照片的A~D線的各線所通過的部分，測定鄰接的粗糙化粒子重疊的次數以及粗糙化粒子所接觸的次數。而且，在A~D線的各線所通過的部分，算出鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計。而且，在這些A~D線的各線所通過的部分，計算鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計的合計，求出測定視野中的鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計。“測定視野中的鄰接的粗糙 化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計”(次)是利用以下的式子來算出。
測定視野中的鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計(次)=在A線所通過的部分，鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計(次)+在B線所通過的部分，鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計(次)+在C線所通過的部分，鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計(次)+在D線所通過的部分，鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計(次)
對測定物件的表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面的3個測定視野(1個測定視野的大小：橫12.5μm×縱9.5μm(實施例1~15、17、比較例1~4))進行所述測定，對於3個測定視野，算出測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計。而且，算出3個測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計的平均值，作為“將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度”(次/100μm)。此外，關於實施例16、比較例5，對27個測定視野(1個測定視野的大小：橫4.2μm×縱3.2μm)進行上述測定，算出27個測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計的平均值，作為“將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度”(次/100μm)。
此外，“測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計”(次/100μm)是利用以下的式子來算出。
測定視野中的每單位長度100μm的鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計(次/100μm)=測定視野中的鄰接的粗糙化粒子重疊 的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計(次)/{測定視野中的A線的長度(μm)+測定視野中的B線的長度(μm)+測定視野中的C線的長度(μm)+測定視野中的D線的長度(μm)}×100
此外，在上述的從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度、粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數、粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度、粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數、將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度的測定中，對“粗糙化粒子部分”與“鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分”的確認方法進行說明。另外，對“測定視野中的測定線所通過的粗糙化粒子部分的個數”、“測定視野中的測定線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數”、“在測定線所通過的部分，鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計”、“測定視野中的測定線通過粗糙化粒子部分的長度的合計”、“測定視野中的測定線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計”以及“測定視野中的測定線的長度”的測定方法進行說明。此處，所謂“測定線”是指所述的A線、B線、C線或D線中的任一個。如圖6所示，在SEM觀察照片中，測定所引出的直線(A線、B線、C線、D線)上的粗糙化粒子部分的個數、以及位於粗糙化粒子部分上的線的長度。在SEM觀察照片中，所引出的直線(A線、B線、C線、D線)上的粗糙化粒子部分是指所述的“粗糙化粒子部分”。而且，測定該直線上的粗糙化粒子與粗糙化粒子的間隙部分的個數、位於粗糙化粒子與粗糙化粒子的間隙部分的線的長度。該直線上的粗糙化粒子與粗糙化粒子的間隙部分是指所述的“鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分”。接著，數出以粗糙化粒子重疊或粘合的方式呈現的部分的個數。具體而言，當在粗糙化粒子部分之後，粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分不存在，粗糙化粒子部分再次出現 的情況下，粗糙化粒子的重疊或者粗糙化粒子的接觸計數為1次。
此外，在如圖7(a)所示的情況(呈現為在大的粗糙化粒子(P2~P4的部分)上載有(重疊有)小的粗糙化粒子(P3的部分)的方式的情況)下，將由粗糙化粒子的輪廓所劃分的測定線的長度分別作為粗糙化粒子部分、鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度。而且，粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度的合計的頻度計數為2次。即，P1~P5分別是指粗糙化粒子部分。另外，S1及S2分別是指鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分。即，在如圖7(a)所示的情況下，測定視野中的測定線所通過的粗糙化粒子部分的個數計數為P1~P5的5個。另外，測定視野中的測定線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數計數為S1及S2的2個。另外，在測定線所通過的部分，鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計計數為在P2與P3之間以及P3與P4之間的2次(2個部位)。另外，測定視野中的測定線通過粗糙化粒子部分的長度的合計是利用以下的式子來算出。
測定視野中的測定線通過粗糙化粒子部分的長度的合計=粗糙化粒子部分P1上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P2上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P3上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P4上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P5上的測定線的長度
另外，測定視野中的測定線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計是利用以下的式子來算出。
測定視野中的測定線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計=鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S1上的測定線的長度+鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S2上的測定線的長度
另外，測定視野中的測定線的長度設為從測定線的一個觀察視野的端部至另一個觀察視野的端部為止的長度。即，以下的關係成立。
測定視野中的測定線的長度=粗糙化粒子部分P1上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P2上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P3上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P4上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P5上的測定線的長度+鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S1上的測定線的長度+鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S2上的測定線的長度
另外，如圖7(b)所示，在粗糙化粒子與粗糙化粒子無間隙地接觸的情況(P6與P7的部分)下，接觸計數為1次。此外，P6~P8分別是指粗糙化粒子部分。另外，S1及S2分別是指鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分。即，在如圖7(b)所示的情況下，測定視野中的測定線所通過的粗糙化粒子部分的個數計數為P6~P8的3個。另外，測定視野中的測定線所通過的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的個數計數為S1及S2的2個。另外，在測定線所通過的部分，鄰接的粗糙化粒子重疊的次數與粗糙化粒子所接觸的次數的合計計數為P6與P7之間的1次(1個部位)。另外，測定視野中的測定線通過粗糙化粒子部分的長度的合計是利用以下的式子來算出。
測定視野中的測定線通過粗糙化粒子部分的長度的合計=粗糙化粒子部分P6上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P7上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P8上的測定線的長度
另外，測定視野中的測定線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計是利用以下的式子來算出。
測定視野中的測定線通過鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的長度的合計=鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S1上的測定線的長度+鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S2上的測定線的長度
另外，測定視野中的測定線的長度設為從測定線的一個觀察視野的端部至另一個觀察視野的端部為止的長度。即，以下的關係成立。
測定視野中的測定線的長度=粗糙化粒子部分P6上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P7上的測定線的長度+粗糙化粒子部分P8上的測定線的長度+鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S1上的測定線的長度+鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分S2上的測定線的長度
(表面處理層的合計附著量)
‧蝕刻前的粗糙化粒子個數的確定
利用掃描型電子顯微鏡(SEM)，以10000倍對實施例、比較例的具有表面處理層的面側拍攝照片。在所獲得的照片的大小5μm×5μm的任意的3個視野中數出粗糙化粒子的個數。並且，將3個視野中的粗糙化粒子的算術平均值作為每1視野的粗糙化粒子的個數。此外，關於視野中包含粗糙化粒子的一部分的粗糙化粒子，也作為粗糙化粒子來計數。
‧蝕刻的實施
利用以下的條件，進行0.5秒的蝕刻。
(蝕刻條件)
‧蝕刻形式：噴霧蝕刻
‧噴霧噴嘴：實心錐(full cone)型
‧噴霧壓：0.10MPa
‧蝕刻液溫：30℃
‧蝕刻液組成：
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加劑JCU股份有限公司製造的FE-830IIW3C適量
剩餘部分水
此外，為了防止由蝕刻液引起的侵蝕，未進行蝕刻的一側的面是以耐酸帶或者預浸料等來掩蓋。
‧蝕刻後的樣品表面的粗糙化粒子個數的測定以及蝕刻結束時間的決定
以與所述相同的方式測定蝕刻後的樣品表面的粗糙化粒子個數。
而且，在粗糙化粒子個數成為蝕刻前的粗糙化粒子個數的5%以上20%以下的個數的情況下，結束蝕刻。
此外，所述的粗糙化粒子個數是否為蝕刻前的粗糙化粒子個數的5%以上20%以下的個數的判定，是根據以下式子的值A是否為5%以上20%以下來進行。
A(%)=蝕刻後的粗糙化粒子個數(個/25μm2)/蝕刻前的粗糙化粒子個數(個/25μm2)×100%
設定所述蝕刻結束的基準的原因在於，在樣品表面的粗糙化粒子不存在的部位，存在表面處理層下的銅箔或者極薄銅層被蝕刻的情況。在粗糙化粒子個數超過蝕刻前的粗糙化粒子個數的20%的情況下，再次進行0.5秒的蝕刻。而且，將所述粗糙化粒子個數的測定、與所述0.5秒的蝕刻反復進行，直至粗糙化粒子個數成為蝕刻前的粗糙化粒子個數的20%以下的個數為止。此外，進行最初的0.5秒的蝕刻時，在粗糙化粒子個數成為小於蝕刻前的粗糙化粒子個數的5%的情況下，將蝕刻的時間設為0.05秒以上0.4秒以下的範圍的任一時間(例如0.05秒、0.1秒、0.15秒、0.2秒、0.25秒、0.3秒、0.35秒或0.4秒)，來進行所述蝕刻後的樣品表面的粗糙化粒子個數的測定。而且，將粗糙化粒子個數成為蝕刻前的粗糙化粒子個數的5%以上20%以下的個數的合計蝕刻時間作為蝕刻結束 時間。
‧蝕刻前的樣品的重量測定
試樣的大小：10cm見方的片材(以壓機來衝壓的10cm見方的片材)
試樣的採集：任意的3個部位
此外，試樣的重量測定中使用可測定至小數點後第四位的精密天平。而且，將所獲的重量的測定值直接用於上述計算。
精密天平是使用亞速旺(AS ONE)股份有限公司的IBA-200。壓機是使用野口壓機(Noguchi Press)股份有限公司製造的HAP-12。
此外，也可包含下述蝕刻實施時所使用的耐酸帶或者預浸料等掩蓋構件來進行上述的重量測定。在該情況下，後述的蝕刻後的樣品重量的測定中也包括掩蓋構件來進行重量測定。另外，在樣品為附載體銅箔的情況下，也可包括載體來進行上述的重量測定。在該情況下，後述的蝕刻後的樣品重量的測定中也包括載體來進行重量測定。
‧蝕刻後的樣品的重量的測定
將樣品的與具有表面處理層的一側相反側的面掩蓋後，在蝕刻結束時間之間對樣品的表面處理面側進行蝕刻。然後測定樣品的重量。此外，當利用掃描型電子顯微鏡來觀察時，利用掃描型電子顯微鏡來觀察的樣品由於蒸鍍鉑等貴金屬，故而樣品重量也大於實際的樣品的重量。因此，蝕刻後的樣品的重量測定是使用未利用掃描型電子顯微鏡來觀察的樣品。粗糙化處理層大致均勻地形成於銅箔或者極薄銅層上。因此，判斷為宜使用未利用掃描型電子顯微鏡進行觀察的樣品。
‧表面處理層的合計附著量的算出
表面處理層的合計附著量(g/m2)={(蝕刻前的10cm見方的片材的樣品的重量(g/100cm2))-(蝕刻後的10cm見方的片材的樣品的重量(g/100cm2))}×100(m2/100cm2)
將3個部位的表面處理層的合計附著量的算術平均值作為表面處理層的合計附著量的值。
(表面處理層中的Co含有率、Ni含有率、Co、Ni附著量的測定)
Co、Ni的附著量是將實施例、比較例的大小10cm×10cm的樣品，以濃度20質量%的硝酸水溶液溶解自表面起1μm的厚度，使用SII公司製造的ICP發光分光分析裝置(型號：SPS3100)，藉由ICP發光分析來進行測定。將3個部位的樣品的Co、Ni的附著量的算術平均值作為Co、Ni的附著量的值。
此外，在銅箔的兩面設置有表面處理層的實施例、比較例中，藉由在單面貼附耐酸帶或熱壓接FR4等預浸料等來掩蓋，將單面的表面處理層溶解來測定Co、Ni及其他元素的附著量。然後，將所述的掩蓋去除，對另一單面測定Co、Ni及其他元素的附著量，或者使用另一樣品來測定另一單面的Co、Ni及其他元素的附著量。此外，表2中記載的值設為單面的值。對於在兩面設置有表面處理層的銅箔，兩面的Co、Ni及其他元素的附著量均成為相同的值。此外，在Co、Ni及其他元素不溶解於濃度20質量%的硝酸水溶液中的情況下，也可利用可使Co、Ni及其他元素溶解的液體(例如，硝酸濃度：20質量%、鹽酸濃度：12質量%的硝酸與鹽酸的混合水溶液等)而溶解後，藉由上述的ICP發光分析來進行測定。此外，可使Co、Ni溶解的液體可使用公知的液體、或公知的酸性液、或公知的鹼性液。
此外，在銅箔或者極薄銅層的凹凸大時，銅箔或者極薄銅層的厚度為1.5 μm以下的情況等，當僅僅溶解從表面處理層側的表面起1μm的厚度時，與上述表面處理層相反側的面的表面處理成分、或附載體銅箔的中間層的成分也會溶解。因此，在這種情況下，從銅箔或者極薄銅層的表面處理層側的表面起溶解銅箔或者極薄銅層的厚度的30%。
此外，所謂元素的“附著量”，是指每樣品單位面積(1dm2或1m2)的該元素的附著量(質量)。
另外，表面處理層中的Co含有率、Ni含有率是利用以下的式子來算出。
表面處理層中的Co含有率(%)=Co附著量(μg/dm2)/表面處理層的合計附著量(g/m2)×10-4(g/m2)/(μg/dm2)×100
表面處理層中的Ni含有率(%)=Ni附著量(μg/dm2)/表面處理層的合計附著量(g/m2)×10-4(g/m2)/(μg/dm2)×100
(傳輸損耗的測定)
對於各樣品，與液晶聚合物樹脂基板(可樂麗股份有限公司製造的Vecstar CTZ-厚度50μm，作為羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)的共聚物的樹脂)貼合後，藉由蝕刻，以特性阻抗成為50Ω的方式形成微帶線，使用HP公司製造的網路分析儀N5247A來測定穿透係數，求出頻率40GHz下的傳輸損耗。此外，將所述樣品與液晶聚合物樹脂基板積層後，對於銅箔的厚度薄於3μm的樣品，藉由進行鍍銅而將銅箔與鍍銅層的合計厚度設為3μm。另外，將所述樣品與液晶聚合物樹脂基板積層後，在銅箔的厚度厚於3μm的情況下，對銅箔進行蝕刻而將厚度設為3μm。
(剝離強度的測定)
對於各樣品，從表面處理層側起與液晶聚合物樹脂基板(可樂麗股份有限 公司製造的Vecstar CTZ-厚度50μm，作為羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)的共聚物的樹脂)貼合。然後，在樣品為附載體銅箔的情況下剝下載體。而且，在樣品的銅箔或者極薄銅層的厚度薄於18μm的情況下，對銅箔或者極薄銅層表面進行鍍銅，將銅箔或者極薄銅層與鍍銅層的合計厚度設為18μm。另外，在樣品的銅箔或者極薄銅層的厚度厚於18μm的情況下，進行蝕刻而將銅箔或者極薄銅層的厚度設為18μm。而且，剝離強度是利用負荷感測器(load cell)，將液晶聚合物樹脂基板側拉伸，依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)來測定。此外，剝離強度是對各實施例、各比較例測定3個樣品。而且，將各實施例、各比較例的3個樣品的剝離強度的算術平均值作為各實施例、各比較例的剝離強度的值。此外，剝離強度理想的是0.5kN/m以上。
(微細配線形成性)
將實施例及比較例的各樣品與液晶聚合物樹脂基板(可樂麗股份有限公司製造的Vecstar CTZ-厚度50μm，作為羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)的共聚物的樹脂)貼合。然後，在樣品為附載體銅箔的情況下，從載體剝下極薄銅層。然後，對於樣品的銅箔或者極薄銅層的厚度薄於3μm的樣品，藉由進行鍍銅而將銅箔或者極薄銅層與鍍銅層的合計厚度設為3μm。另外，在銅箔或者極薄銅層的厚度厚於3μm的情況下，對銅箔進行蝕刻而將厚度設為3μm。繼而，在液晶聚合物樹脂基板上的銅箔或者極薄銅層或者鍍銅層表面塗布感光性抗蝕劑後，藉由曝光步驟來印刷50根的L/S=5μm/5μm寬的電路，利用以下的噴霧蝕刻條件來進行將銅箔或者極薄銅層或者鍍銅層表面的不需要部分去除的蝕刻處理。
(噴霧蝕刻條件)
蝕刻液：氯化鐵水溶液(波美度(Baumé degree)：40度)
液溫：60℃
噴霧壓：2.0MPa
繼續進行蝕刻，對電路頂部寬度成為4μm時的電路底部寬度(底邊X的長度)以及蝕刻因素進行評價。蝕刻因素是當將在被蝕刻成逐漸擴展狀(widen toward the end)的情況(產生凹陷(sag)的情況)、假定電路被垂直蝕刻的情況下的從來自銅箔上表面的垂線與樹脂基板的交點起的凹陷長度的距離設為a的情況下，表示該a與銅箔的厚度b的比：b/a，該數值越大，是指傾斜角變得越大，蝕刻殘渣不殘留，凹陷變小。圖15中示出電路圖案的寬度方向的橫截面的示意圖、以及使用該示意圖的蝕刻因素的計算方法的概略。該X是藉由從電路上方的SEM觀察來測定，算出蝕刻因素(EF=b/a)。此外，以a=(X(μm)-4(μm))/2來計算。藉由使用該蝕刻因素，可簡單地判定蝕刻性的好壞。本發明中，將蝕刻因素為6以上評價為蝕刻性：◎◎，將5以上且小於6評價為蝕刻性：◎，將4以上且小於5評價為蝕刻性：○○，將3以上且小於4評價為蝕刻性：○，將小於3或無法算出評價為蝕刻性：×。此外，表中“底邊X的長度”中的“連結”表示至少在底邊部分與鄰接的電路連結，無法形成電路。
(耐酸性)
在實施例及比較例的各樣品上塗布聚醯胺酸(宇部興產製造的U-清漆-A，BPDA(聯苯基四羧酸二酐)系)，在100℃乾燥，在315℃使其固化而形成具有聚醯亞胺樹脂基板(BPDA(聯苯基四羧酸二酐)系聚醯亞胺)及銅箔的覆銅積層板。然後，在樣品為附載體銅箔的情況下，從載體剝下極薄銅層。然後，對於樣品的銅箔或者極薄銅層的厚度薄於3μm的樣品，藉由進行鍍銅而將銅箔或者極薄銅層與鍍銅層的合計厚度設為3μm。另外，在銅箔或者極薄銅層的厚度厚於3μm的情況下，對銅箔進行蝕刻而將厚度設為3μm。繼而，在聚醯 亞胺樹脂基板上的銅箔或者極薄銅層或者鍍銅層表面塗布感光性抗蝕劑後，藉由曝光步驟來印刷50根的L/S=5μm/5μm寬的電路(配線)，利用以下的噴霧蝕刻條件來進行將銅箔或者極薄銅層或者鍍銅層表面的不需要部分去除的蝕刻處理。
(噴霧蝕刻條件)
蝕刻液：氯化鐵水溶液(波美度：40度)
液溫：60℃
噴霧壓：2.0MPa
繼續蝕刻至電路頂部寬度成為4μm為止。然後，使具有銅電路的聚醯亞胺樹脂基板在由硫酸10wt%、過氧化氫2wt%構成的水溶液中浸漬1分鐘後，利用光學顯微鏡來觀察聚醯亞胺樹脂基板與銅電路的介面。(參照圖16、圖17)而且，對經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度進行觀察，以如下方式來評價耐酸性。此外，經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度作為電路的被侵蝕的部分的電路的寬度方向的長度。而且，將所觀察的樣品的電路內經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度的最大值，作為該樣品的經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度。
耐酸性的評價如下所述。“◎◎”：經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度小於0.6μm，“◎”：經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度為0.6μm以上且小於0.8μm；“○○”：經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度為0.8μm以上且小於1.0μm；“○”：經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度為1.0μm以上且小於1.2μm；“×”：經硫酸與過氧化氫的水溶液所侵蝕的電路的寬度為1.2μm以上。
將上述製造條件以及評價結果示於表1~4中。
(評價結果)
實施例1~18均良好地抑制傳輸損耗，且剝離強度良好。
比較例1~3均由於將粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度超過120次/100μm，故而傳輸損耗變大而不良。
比較例4由於從銅箔的具有上述粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度超過0.8μm，另外，粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數小於20個/100μm，故而傳輸損耗變大而不良。
比較例5由於從銅箔的具有上述粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度小於0.030μm，另外，粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數超過1700個/100μm，故而剝離強度變小而不良。
對於表面處理銅箔的粗糙化處理層側表面(從銅箔的具有粗糙化處理層的面側來觀察時的表面處理銅箔的表面)，將掃描型電子顯微鏡(SEM)的觀察照片示於圖8(實施例1)、圖9(實施例2)、圖10(實施例3)、圖11(比較例1)中。
將在與銅箔的厚度方向平行的截面中觀察表面處理銅箔時的FIB觀察照片示於圖12(實施例2)、圖13(實施例3)、圖14(比較例1)中。
此外，本申請案主張基於2017年3月3日提出申請的日本專利申請第2017-040303號的優先權，將該日本專利申請案的全部內容引用於本申請案中。

Claims (28)

  1. 一種表面處理銅箔，具有銅箔、以及在該銅箔的一個或兩個面具有包含粗糙化處理層的表面處理層，從該銅箔的具有該粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.030μm以上0.8μm以下，該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數為20個/100μm以上1700個/100μm以下，將該粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度為120次/100μm以下。
  2. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度為0.01μm以上1.5μm以下。
  3. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數為50個/100μm以上。
  4. 如請求項2所述之表面處理銅箔，其中，該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數為50個/100μm以上。
  5. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，在與該銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.01μm以上0.9μm以下。
  6. 如請求項2所述之表面處理銅箔，其中，在與該銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.01μm以上0.9μm以下。
  7. 如請求項3所述之表面處理銅箔，其中，在與該銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.01μm以上0.9μm以下。
  8. 如請求項4所述之表面處理銅箔，其中，在與該銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度為0.01μm以上0.9μm以下。
  9. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其滿足以下的(9-1)~(9-6)中的任一個或兩個或三個或四個或五個或六個，(9-1)從該銅箔的具有該粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度滿足以下的(9-1-1)及(9-1-2)中的任一個或兩個，(9-1-1)從該銅箔的具有該粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度滿足以下的任一個：‧0.040μm以上、‧0.055μm以上、‧0.065μm以上、‧0.075μm以上、‧0.079μm以上、‧0.085μm以上、‧0.090μm以上、‧0.100μm以上、‧0.110μm以上，(9-1-2)從該銅箔的具有該粗糙化處理層的面側來觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度滿足以下的任一個：‧0.75μm以下、‧0.70μm以下、‧0.65μm以下、 ‧0.60μm以下、‧0.585μm以下、‧0.570μm以下、‧0.490μm以下、‧0.420μm以下、‧0.400μm以下、‧0.360μm以下、‧0.300μm以下、‧0.205μm以下；(9-2)該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數滿足以下的(9-2-1)及(9-2-2)中的任一個或兩個，(9-2-1)該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數滿足以下的任一個：‧50個/100μm以上、‧69個/100μm以上、‧70個/100μm以上、‧95個/100μm以上、‧115個/100μm以上、‧120個/100μm以上、‧200個/100μm以上、‧290個/100μm以上、‧300個/100μm以上、‧330個/100μm以上、‧365個/100μm以上、 ‧375個/100μm以上、‧410個/100μm以上、‧450個/100μm以上、‧455個/100μm以上、‧470個/100μm以上，(9-2-2)該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均個數滿足以下的任一個：‧1620個/100μm以下、‧1600個/100μm以下、‧1200個/100μm以下、‧770個/100μm以下、‧740個/100μm以下；(9-3)將該粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度滿足以下的(9-3-1)及(9-3-2)中的任一個或兩個，(9-3-1)將該粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度滿足以下的任一個：‧105次/100μm以下、‧85次/100μm以下、‧80次/100μm以下、‧75次/100μm以下、‧65次/100μm以下、‧45次/100μm以下，(9-3-2)將該粗糙化處理層的粗糙化粒子的重疊頻度與接觸頻度合計的頻度滿足以下的任一個： ‧0次/100μm以上、‧1次/100μm以上、‧2次/100μm以上、‧3次/100μm以上、‧5次/100μm以上、‧10次/100μm以上、‧15次/100μm以上；(9-4)該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度滿足以下的(9-4-1)及(9-4-2)中的任一個或兩個，(9-4-1)該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度滿足以下的任一個：‧0.025μm以上、‧0.030μm以上、‧0.055μm以上、‧0.065μm以上、‧0.068μm以上，(9-4-2)該粗糙化處理層的鄰接的粗糙化粒子間的間隙部分的平均長度滿足以下的任一個：‧0.200 μm以下、‧0.170 μm以下、‧0.150 μm以下、‧0.135 μm以下；(9-5)該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數滿足以下的(9-5-1)及(9-5-2)中的任一個或兩個， (9-5-1)該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數滿足以下的任一個：‧125個/100 μm以上、‧150個/100 μm以上、‧175個/100 μm以上、‧190個/100 μm以上、‧200個/100 μm以上、‧325個/100 μm以上、‧350個/100 μm以上、‧400個/100 μm以上、‧425個/100 μm以上、‧450個/100 μm以上、‧475個/100 μm以上、‧500個/100 μm以上、‧505個/100 μm以上、‧510個/100 μm以上、‧515個/100 μm以上，(9-5-2)該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均個數滿足以下的任一個：‧1800個/100 μm以下、‧1750個/100 μm以下、‧1710個/100 μm以下、‧1700個/100 μm以下、‧1650個/100 μm以下、‧1625個/100 μm以下、‧1600個/100 μm以下、 ‧1500個/100 μm以下、‧1400個/100 μm以下、‧1300個/100 μm以下、‧1200個/100 μm以下、‧1100個/100 μm以下、‧1000個/100 μm以下、‧900個/100 μm以下、‧800個/100 μm以下；(9-6)在與該銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度滿足以下的(9-6-1)及(9-6-2)中的任一個或兩個，(9-6-1)在與該銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度滿足以下的任一個：‧0.035μm以上、‧0.080μm以上、‧0.130μm以上、‧0.135μm以上、‧0.140μm以上、‧0.145μm以上、‧0.150μm以上、‧0.155μm以上、‧0.160μm以上、‧0.165μm以上、‧0.170μm以上、 ‧0.175μm以上、‧0.180μm以上、‧0.190μm以上、‧0.200μm以上、‧0.210μm以上，(9-6-2)在與該銅箔的厚度方向平行的截面中觀察的情況下的該粗糙化處理層的粗糙化粒子的平均長度滿足以下的任一個：‧0.85μm以下、‧0.80μm以下、‧0.75μm以下、‧0.65μm以下、‧0.55μm以下、‧0.45μm以下、‧0.40μm以下、‧0.35μm以下、‧0.33μm以下、‧0.31μm以下、‧0.30μm以下、‧0.28μm以下。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理層包含Co，且該表面處理層中的Co的含有比率為15質量%以下(0質量%除外)。
  11. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理層的合計附著量為1.0~5.0g/m 2。
  12. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理層包含Ni，該表面處理層中的Ni的含有比率為8質量%以下(0質量%除外)。
  13. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Co的附著量為30~2000μg/dm 2。
  14. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理層包含Ni，該表面處理層中的Ni的附著量為10~1000μg/dm 2。
  15. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其滿足以下的(15-1)~(15-5)中的任一個或兩個或三個或四個或五個，(15-1)該表面處理層中的Ni的含有比率滿足以下的(15-1-1)及(15-1-2)中的任一個或兩個，(15-1-1)該表面處理層中的Ni的含有比率滿足以下的任一個：‧大於0質量%、‧0.01質量%以上、‧0.02質量%以上、‧0.03質量%以上、‧0.04質量%以上、‧0.05質量%以上、‧0.06質量%以上、‧0.07質量%以上、‧0.08質量%以上、‧0.09質量%以上、‧0.10質量%以上、‧0.11質量%以上、 ‧0.15質量%以上、‧0.20質量%以上、‧0.25質量%以上，(15-1-2)該表面處理層中的Ni的含有比率滿足以下的任一個：‧8質量%以下、‧7.5質量%以下、‧7.0質量%以下、‧6.5質量%以下、‧6.0質量%以下、‧5.5質量%以下、‧5.0質量%以下、‧4.8質量%以下、‧4.5質量%以下、‧4.0質量%以下、‧3.5質量%以下、‧3.0質量%以下、‧2.5質量%以下、‧2.0質量%以下、‧1.9質量%以下、‧1.8質量%以下；(15-2)該表面處理層的合計附著量滿足以下的(15-2-1)及(15-2-2)中的任一個或兩個，(15-2-1)該表面處理層的合計附著量滿足以下的任一個：‧1.0g/m 2以上、 ‧1.05g/m 2以上、‧1.1g/m 2以上、‧1.2g/m 2以上、‧1.3g/m 2以上、‧1.4g/m 2以上、‧1.5g/m 2以上，(15-2-2)該表面處理層的合計附著量滿足以下的任一個：‧5.0g/m 2以下、‧4.5g/m 2以下、‧4.0g/m 2以下、‧3.5g/m 2以下、‧3.0g/m 2以下；(15-3)該表面處理層中的Co的含有比率滿足以下的(15-3-1)及(15-3-2)中的任一個或兩個，(15-3-1)該表面處理層中的Co的含有比率滿足以下的任一個：‧大於0質量%、‧0.01質量%以上、‧0.02質量%以上、‧0.03質量%以上、‧0.05質量%以上、‧0.1質量%以上、‧0.11質量%以上、‧0.15質量%以上、‧0.2質量%以上、 ‧0.3質量%以上、‧0.5質量%以上、‧1質量%以上、‧1.5質量%以上、‧2質量%以上、‧2.5質量%以上、‧3質量%以上、‧3.5質量%以上、‧4質量%以上、‧4.5質量%以上，(15-3-2)該表面處理層中的Co的含有比率滿足以下的任一個：‧15質量%以下、‧14質量%以下、‧13質量%以下、‧12質量%以下、‧11質量%以下、‧10質量%以下、‧9質量%以下、‧8質量%以下、‧7.5質量%以下、‧7質量%以下、‧6.5質量%以下、‧6.0質量%以下、‧5.5質量%以下； (15-4)該表面處理層中的Co的附著量滿足以下的(15-4-1)及(15-4-2)中的任一個，(15-4-1)該表面處理層中的Co的附著量滿足以下的(15-4-1-1)及(15-4-1-2)中的任一個或兩個，(15-4-1-1)該表面處理層中的Co的附著量滿足以下的任一個：‧30μg/dm 2以上、‧40μg/dm 2以上、‧50μg/dm 2以上、‧60μg/dm 2以上、‧70μg/dm 2以上、‧80μg/dm 2以上、‧90μg/dm 2以上、‧100μg/dm 2以上、‧200μg/dm 2以上、‧300μg/dm 2以上、‧400μg/dm 2以上、‧500μg/dm 2以上、‧600μg/dm 2以上、‧650μg/dm 2以上、‧700μg/dm 2以上、‧940μg/dm 2以上，(15-4-1-2)該表面處理層中的Co的附著量滿足以下的任一個：‧2000μg/dm 2以下、‧1500μg/dm 2以下、 ‧1400μg/dm 2以下、‧1300μg/dm 2以下、‧1200μg/dm 2以下、‧1100μg/dm 2以下、‧1000μg/dm 2以下、‧950μg/dm 2以下，(15-4-2)該表面處理層中的Co的附著量滿足以下的(15-4-2-1)及(15-4-2-2)中的任一個或兩個，(15-4-2-1)該表面處理層中的Co的附著量滿足以下的任一個：‧30μg/dm 2以上、‧40μg/dm 2以上、‧50μg/dm 2以上、‧60μg/dm 2以上、‧70μg/dm 2以上、‧80μg/dm 2以上、‧90μg/dm 2以上、‧100μg/dm 2以上、‧200μg/dm 2以上、‧300μg/dm 2以上、‧400μg/dm 2以上，(15-4-2-2)該表面處理層中的Co的附著量滿足以下的任一個：‧2000μg/dm 2以下、‧1500μg/dm 2以下、‧1400μg/dm 2以下、 ‧1300μg/dm 2以下、‧1200μg/dm 2以下、‧1100μg/dm 2以下、‧1000μg/dm 2以下、‧950μg/dm 2以下、‧900μg/dm 2以下、‧730μg/dm 2以下、‧700μg/dm 2以下、‧600μg/dm 2以下、‧570μg/dm 2以下、‧550μg/dm 2以下、‧500μg/dm 2以下、‧475μg/dm 2以下；(15-5)該表面處理層中的Ni的附著量滿足以下的(15-5-1)及(15-5-2)中的任一個，(15-5-1)該表面處理層中的Ni的附著量滿足以下的(15-5-1-1)及(15-5-1-2)中的任一個或兩個，(15-5-1-1)該表面處理層中的Ni的附著量滿足以下的任一個：‧10μg/dm 2以上、‧20μg/dm 2以上、‧55μg/dm 2以上、‧60μg/dm 2以上、‧70μg/dm 2以上、‧75μg/dm 2以上、 ‧110μg/dm 2以上、‧120μg/dm 2以上、‧130μg/dm 2以上、‧530μg/dm 2以上，(15-5-1-2)該表面處理層中的Ni的附著量滿足以下的任一個：‧1000μg/dm 2以下、‧800μg/dm 2以下、‧700μg/dm 2以下、‧650μg/dm 2以下、‧600μg/dm 2以下、‧550μg/dm 2以下，(15-5-2)該表面處理層中的Ni的附著量滿足以下的(15-5-2-1)及(15-5-2-2)中的任一個或兩個，(15-5-2-1)該表面處理層中的Ni的附著量滿足以下的任一個：‧10μg/dm 2以上、‧20μg/dm 2以上、‧55μg/dm 2以上、‧60μg/dm 2以上、‧70μg/dm 2以上、‧75μg/dm 2以上，(15-5-2-2)該表面處理層中的Ni的附著量滿足以下的任一個：‧1000μg/dm 2以下、‧800μg/dm 2以下、‧700μg/dm 2以下、 ‧650μg/dm 2以下、‧600μg/dm 2以下、‧550μg/dm 2以下、‧500μg/dm 2以下、‧450μg/dm 2以下、‧400μg/dm 2以下、‧350μg/dm 2以下、‧300μg/dm 2以下、‧250μg/dm 2以下、‧200μg/dm 2以下、‧160μg/dm 2以下、‧150μg/dm 2以下、‧140μg/dm 2以下、‧130μg/dm 2以下、‧125μg/dm 2以下、‧120μg/dm 2以下、‧115μg/dm 2以下、‧110μg/dm 2以下、‧105μg/dm 2以下、‧100μg/dm 2以下、‧95μg/dm 2以下、‧90μg/dm 2以下、‧85μg/dm 2以下、‧80μg/dm 2以下。
  16. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理層更具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的組群中的1種以上的層。
  17. 如請求項1至9中任一項所述之表面處理銅箔，其用於高頻電路基板用的覆銅積層板或者印刷配線板。
  18. 一種帶樹脂層的表面處理銅箔，具有：請求項1至17中任一項所述之表面處理銅箔、以及樹脂層。
  19. 一種附載體銅箔，在載體的一個面或兩個面具有中間層及極薄銅層，該極薄銅層為請求項1至17中任一項所述之表面處理銅箔或者請求項18所述之帶樹脂層的表面處理銅箔。
  20. 一種積層體，具有請求項1至17中任一項所述之表面處理銅箔或者請求項18所述之帶樹脂層的表面處理銅箔或者請求項19所述之附載體銅箔。
  21. 一種積層體，包含請求項19所述之附載體銅箔以及樹脂，該附載體銅箔的端面的一部分或全部被該樹脂所覆蓋。
  22. 一種積層體，具有兩個請求項19所述之附載體銅箔。
  23. 一種印刷配線板的製造方法，使用有請求項1至17中任一項所述之表面處理銅箔或者請求項18所述之帶樹脂層的表面處理銅箔或者請求項19所述之附載體銅箔。
  24. 一種印刷配線板的製造方法，包括：將請求項1至17中任一項所述之表面處理銅箔或者請求項18所述之帶樹脂層的表面處理銅箔與絕緣基板進行積層而形成覆銅積層板的步驟，或者將請求項19所述之附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，將該附載體銅箔的載體剝下而 形成覆銅積層板的步驟；以及利用半加成(semi-additive)法、減成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或者改良型半加成(modified semi-additive)法中的任一方法來形成電路的步驟。
  25. 一種印刷配線板的製造方法，包括：在請求項1至17中任一項所述之表面處理銅箔的該表面處理層側表面形成電路的步驟，或者在請求項19所述之附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成電路的步驟；以埋沒該電路的方式，在該表面處理銅箔的該表面處理層側表面、或者該附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成樹脂層的步驟；以及在形成該樹脂層後，去除該表面處理銅箔，或者在剝離該載體或該極薄銅層後，去除該極薄銅層或該載體，藉此使埋沒於該樹脂層的電路露出的步驟。
  26. 一種印刷配線板的製造方法，包括：將請求項19所述之附載體銅箔的該載體側表面或該極薄銅層側表面，與樹脂基板進行積層的步驟；在該附載體銅箔的與樹脂基板積層側的相反側表面，設置至少1次樹脂層及電路的步驟；以及在形成該樹脂層及電路後，從該附載體銅箔剝離該載體或該極薄銅層的步驟。
  27. 一種印刷配線板的製造方法，包括：在具有請求項19所述之附載體銅箔的積層體、或者請求項21或22所述之積層體的任一面或兩面，設置至少1次樹脂層及電路的步驟；以及在形成該樹脂層及電路後，從構成該積層體的附載體銅箔剝離該載體或該極薄銅層的步驟。
  28. 一種電子機器的製造方法，使用有以請求項23至27中任一項所述之方法製成的印刷配線板。
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