TW201832312A - 傳輸模組、具有傳輸腔室的基板處理系統及使用基板傳輸系統的基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

依據本揭示案，可提供一種基板處理系統，該基板處理系統包括：傳輸腔室，傳輸一對載體，該對載體包括與地面垂直的基板載體及遮罩載體中的至少一者；及至少一對製程腔室，形成用於進行基板處理的處理空間，且耦接到傳輸腔室。提供在基板處理系統中的傳輸腔室包括：軌道部分，一對軌道沿著載體的傳輸方向平行地形成在軌道部分中，使得被承載到傳輸腔室中的該對載體移動；軌道旋轉部分，旋轉軌道部分以將該對載體承載到製程腔室中或將該對載體承載出製程腔室；及軌道間距調整部分，調整該對軌道之間的間距。其結果是，可能改良基板處理上的生產力，且減少配置系統所需的空間及成本。

Description

傳輸模組、具有傳輸腔室的基板處理系統及使用基板傳輸系統的基板處理方法
本揭示案關於用於執行例如為在基板上進行沉積的基板處理的傳輸腔室、包括傳輸腔室的基板處理系統及使用基板處理系統的基板處理方法。
基板處理裝置用於執行沉積製程、蝕刻製程等等以製造用於半導體製造的晶圓、LCD基板、OLED基板等等的裝置。
作為基板處理裝置的實例，存在著氣相沉積裝置。氣相沉積裝置是用於例如透過化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）或蒸發沉積來在基板的表面上形成薄膜的裝置。
在OLED基板的情況下，常常使用用於藉由在沉積沉積材料時蒸發有機物質、無機物質、金屬等等來在基板的表面上形成薄膜的製程。
用於藉由蒸發沉積材料來形成薄膜的沉積裝置包括沉積腔室及用於加熱蒸發材料以便將蒸發材料蒸發到沉積目標基板的蒸發源，在該沉積腔室中裝載了沉積目標基板。沉積裝置執行基板處理，在該基板處理中，沉積材料被蒸發以便在基板表面上形成薄膜。
此外，OLED沉積裝置中所使用的蒸發源是被安裝在沉積腔室裡面的元件且藉由加熱沉積材料來蒸發沉積材料以便將蒸發材料蒸發到基板。取決於蒸發方法，可採取例如第10-2009-0015324、10-2004-0110718號等等的韓國專利公開案中所揭露的各種結構。
另一方面，在OLED沉積裝置中，藉由將遮罩耦接到基板來形成具有預定圖案的陽極、陰極、有機膜等等。
除了上述的優點以外，OLED具有以下問題：原始材料是昂貴的，且產率與LCD相較是低的，且因此OLED的生產力較LCD的生產力為低。從而，OLED未被積極商品化。
據此，存在著一種基板處理系統的需求，該基板處理系統能夠反應上述的優點及小型顯示器（例如智慧型手機顯示器及MP3P顯示器）的市場需求，而強化OLED的生產力及減少OLED的製造成本。
已作成本揭示案以解決上述的問題，且本揭示案的一態樣是為了提供了一種傳輸腔室、包括該傳輸腔室的基板處理系統及使用該基板處理系統的基板處理方法，其中藉由一次針對複數個基板執行製程、最小化用於傳輸基板或遮罩的空間及改良基板處理的精確度，可改良基板處理的生產力且可減少配置系統所需的空間及成本。
此外，本揭示案的另一態樣是為了提供一種傳輸腔室、包括該傳輸腔室的基板處理系統及使用該基板處理系統的基板處理方法，其中可藉由使用製程腔室內的基板夾持結構、遮罩夾持結構及對準器結構在製程腔室內傾斜在垂直狀態下傳輸的基板或遮罩，來改良在將基板或遮罩傳輸到製程腔室中的期間及在製程腔室內的基板及遮罩的位置精確度，而不是將基板或遮罩相對於垂直方向在傾斜狀態下承載到製程腔室中。
為了解決上述問題，在一種包括傳輸腔室10及至少一個處理腔室20的基板處理系統中，傳輸腔室10包括以下項目，其中該傳輸腔室傳輸一對載體100，該對載體包括與地面垂直的基板載體120及遮罩載體110中的至少一者，該處理腔室形成用於進行基板處理的處理空間且耦接到傳輸腔室：軌道部分410，其中一對軌道411及412沿著載體100的傳輸方向彼此平行地形成，使得被承載到傳輸腔室10中的該對載體100移動；軌道旋轉部分，旋轉軌道部分410以將該對載體100承載到製程腔室20中或將該對載體100承載出製程腔室20；及軌道間距調整部分420，調整該對軌道411、412之間的間距。
可沿著載體100的傳輸方向複數地安裝軌道部分410。
軌道間距調整部分420可包括：軌道移動部分，沿著該對軌道411及412之間的寬度方向移動該對軌道411及412中的至少一者。
軌道移動部分可包括：軌道移動引導部分422及424，在形成於該對軌道411及412之間的寬度方向上，且耦接到各個軌道，以引導該對軌道411及412中的至少一者的移動；及驅動部分，移動該對軌道411及412中的至少一者。
軌道間距調整部分420相對於形成於縱向方向上且穿過該對軌道411及412之間的中心的虛擬中心線將該對軌道411及412移動為彼此遠離或靠近。
依據本揭示案的一種基板處理系統包括：如請求項1到5中的任一者所述的傳輸腔室10，該傳輸腔室傳輸一對載體100，該對載體與地面垂直且支撐基板S或遮罩M；及至少一對製程腔室20，形成用於進行基板處理的處理空間，且耦接到傳輸腔室10。
該對製程腔室20可耦接到相對於傳輸腔室10彼此相反的側表面。
基板處理系統可包括複數個傳輸腔室10，且可更在該複數個傳輸腔室10之間安置連接腔室30以連接相鄰的傳輸腔室10。
在該對載體被承載到該對製程腔室20中之前，連接腔室30中的該對載體100之間的間距可能小於傳輸腔室10中的該對載體100之間的間距。
製程腔室20可包括：腔室主體，提供與外界隔離的處理環境；蒸發源300，安裝在製程腔室20中，以蒸發沉積材料；遮罩夾持部分210，安裝在製程腔室20中，以夾持支撐遮罩M的遮罩載體110；及基板夾持部分220，安裝在製程腔室20中，以夾持支撐靜電夾具122的基板載體120，該靜電夾具吸引及固定基板S。
可將遮罩載體110及基板載體120在要固定的垂直狀態下承載到製程腔室20中。
遮罩載體110及基板載體120可具有矩形形狀。
遮罩夾持部分210及基板夾持部分220可各包括複數個夾持構件211及212以及221及222，該複數個夾持構件從遮罩載體110及基板載體120的各個頂點在與基板載體及遮罩載體的表面垂直的方向上移動，該等頂點要與該複數個夾持構件彼此耦接。
處理腔室20可相對於垂直方向朝向蒸發源300傾斜固定在垂直狀態下的遮罩載體110及基板載體120預設的角度。
該複數個夾持構件211及212以及221及222之中耦接在遮罩載體110及基板載體120上頂點處的上夾持構件211及221朝向蒸發源300移動遮罩載體110及基板載體120以傾斜遮罩載體110及基板載體120，及該複數個夾持構件211及212以及221及222之中耦接在遮罩載體110及基板載體120的下頂點處的下夾持構件212及222可被固定而沒有位置移動。
製程腔室20可更包括：至少一個距離量測部分，量測安裝在製程腔室20中的基板S及遮罩M之間的間距；及黏著驅動部分，藉由基板S及遮罩M之間的相對移動使得基板S及遮罩M彼此黏著。
基板處理系統可更包括：對準部分230，相對於由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M相對地移動基板載體120，以對準由基板夾持部分220所夾持的基板S及由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M。
本揭示案提供了一種基板處理系統中的基板處理方法，該基板處理系統包括如請求項1到5中的任一者所述的傳輸腔室10，以及至少一對製程腔室20，該傳輸腔室傳輸一對載體100，該對載體包括與地面垂直的基板載體120及遮罩載體110中的至少一者，該對製程腔室形成用於進行基板處理的處理空間且耦接到傳輸腔室10。基板處理方法可包括以下步驟：旋轉軌道部分410，使得該對載體100可被承載到傳輸腔室10中且被承載到傳輸腔室10中的該對載體100被承載到該對製程腔室20的各別閘門中，該對載體100在該軌道部分中移動；及調整形成於軌道部分410中的一對軌道411及412之間的間距，使得在載體100被承載到製程腔室20中之前，載體100被定位在製程腔室20的閘門處。
本揭示案提供了一種基板處理系統中的基板處理方法，該基板處理系統包括如請求項1到5中的任一者所述的傳輸腔室10，以及至少一對製程腔室20，該傳輸腔室傳輸一對載體100，該對載體包括與地面垂直的基板載體120及遮罩載體110中的至少一者，該對製程腔室形成用於進行基板處理的處理空間且耦接到傳輸腔室10。基板處理方法可包括以下步驟：在遮罩載體110與地面垂直的狀態下從傳輸腔室10將支撐遮罩M的遮罩載體110承載到製程腔室20中，及夾持遮罩載體110；在基板載體120與地面垂直的狀態下從傳輸腔室10將支撐基板S的基板載體120承載到製程腔室20中，及夾持基板載體120；朝向前表面相對於垂直方向傾斜遮罩載體110及基板載體120預設的角度；及在傾斜之後，藉由相對於由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M相對移動基板載體120來對準由基板夾持部分220所夾持的基板S及由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M。
基板處理方法可更包括以下步驟：量測安裝在製程腔室20中的基板S及遮罩M之間的間距；及藉由遮罩載體110及基板載體120之間的相對移動來將基板S及遮罩M彼此黏著。
藉由一次針對複數個基板執行製程、最小化用於傳輸基板或遮罩的空間及改良基板處理的精確度，本揭示案可改良基板處理的生產力且可減少系統配置所需的空間及成本。
本揭示案可發展有利的製程環境，因為可能藉由使用製程腔室內的基板夾持結構、遮罩夾持結構及對準器結構在製程腔室內傾斜在垂直狀態下傳輸的基板或遮罩，來促進將基板或遮罩傳輸到製程腔室中及改良基板或遮罩的位置精確度，而不是將基板或遮罩相較於垂直方向在傾斜狀態下承載到製程腔室中。
在下文中，將參照附圖來描述本揭示案的實施例。圖1是依據本揭示案的實施例的基板處理系統的平面圖；圖2是圖1的基板處理系統中的製程腔室的垂直橫截面圖；及圖3是部分橫截面圖，繪示圖2的製程腔室中的對準器結構，包括了繪示傾斜基板及遮罩的製程的某些橫截面圖。圖4是平面圖，繪示圖1的基板處理系統中的傳輸腔室的配置的一部分；及圖5是依據本揭示案的另一實施例的基板處理系統的平面圖。
依據本揭示案的一個實施例的基板處理系統是如圖1中所繪示地在基板S及遮罩M被傳輸到製程腔室20且彼此黏著之後執行基板處理的系統，且可包括藉由蒸發沉積材料來執行沉積的沉積裝置及執行原子層沉積製程的沉積裝置等等。
如圖1中所繪示，依據本揭示案的基板處理系統可包括：傳輸腔室10，傳輸包括基板載體120及遮罩載體110中的至少一者的一對載體100，該對載體與地面垂直；及至少一對製程腔室20，形成用於進行基板處理的處理空間且耦接到傳輸腔室10。
基板載體120是一種元件，該元件在基板S被固定到該元件的狀態下移動，且可取決於基板S的固定結構而具有各種結構。
基板載體120可形成成相對應於基板S的矩形形狀，該基板在平面圖中具有矩形形狀，以供方便固定及運輸基板S。
此外，基板載體120可在與地面垂直的狀態下被運輸。
依據一個實施例，基板載體120可包括：靜電夾具122，藉由靜電力來吸引及固定基板S；靜電夾具122框，靜電夾具122耦接到該靜電夾具框，使得靜電夾具122的上表面暴露於上側；及DC電力供應單元（未繪示），被安裝在靜電夾具框部分124中且針對靜電夾具122執行DC電力的供應及DC電力的供應控制。
靜電夾具122是在基板載體120傳輸基板S時藉由電磁力吸引及固定基板S的元件。靜電夾具122藉由從安裝在基板載體120中的DC電力供應單元或從外部DC電力供應源接收電力產生電磁力。
DC電力供應單元是被安裝在靜電夾具框部分124中且針對靜電夾具122執行DC電力的供應及DC電力的供應控制的元件。DC電力供應單元可取決於電力供應方法及安裝結構而具有各種配置。
因為基板載體120被安裝成在基板S被吸引及固定在包括傳輸腔室10及製程腔室20的基板處理系統中的狀態下移動，DC電力供應單元應向靜電夾具122供應電力一段足以執行製程的時間，且應能夠以無線的方式而不是有線的方式控制。
DC電力供應單元可包括用於向靜電夾具122供應電力的充電式電池（未繪示）及用於進行無線通訊及控制外部控制單元的無線通訊單元。
充電式電池是充有DC電力以便向靜電夾具122供應DC電力的元件。
無線通訊單元是一種元件，該元件藉由與外部控制設備進行無線通訊來控制向靜電夾具122供應DC電力的行為、執行基板載體120的其他控制等等。
另一方面，DC電力供應單元在基板載體120上被安裝成可至少部分地拆開。
進一步地，充電式電池在其操作環境中的大氣壓力下運作，該大氣壓力相較於是非常低壓的製程壓力而言是高壓。為此目的，需要將充電式電池的周圍環境與外界隔離。
據此，DC電力供應單元可包括外殼結構，該外殼結構提供密封的內空間，充電式電池被安裝在該內空間中，以將充電式電池與外部的製程環境隔離。
靜電夾具框部分124可被各種不同地配置為一種元件，該元件在靜電夾具122的邊緣處與靜電夾具122耦接以暴露靜電夾具122的上表面。
基板載體120可執行任何傳輸方法（例如使用輥的傳輸方法或使用磁浮的傳輸方法），只要基板載體120可被移進/出傳輸腔室10或製程腔室20。
亦可使用各種方式來將遮罩M傳輸到製程腔室20中。
依據一個實施例，可藉由任何傳輸方法（例如使用輥的傳輸方法或使用磁浮的傳輸方法）來傳輸遮罩M，只要遮罩M可被移進/出製程腔室20。
為此，製程腔室20被提供為具有用於依據遮罩M的傳輸方法來傳輸遮罩M的元件。
遮罩M是黏著到基板S以便執行基板處理製程（例如圖案化的沉積）的元件。
依據一個實施例，遮罩M可包括遮罩片111及遮罩框112，經圖案化的開口形成在該遮罩片中，遮罩片111被固定到該遮罩框。
遮罩M可與遮罩載體110耦接，該遮罩載體傳輸固定狀態下的遮罩片111及遮罩框112。
遮罩載體110是在遮罩片111及遮罩框112被固定的狀態下移動的元件，且可取決於遮罩M的固定結構而具有各種結構。
同時，可透過安裝在製程腔室20中的遮罩引導構件沿著移動路徑引導遮罩載體110進/出製程腔室20。
遮罩載體110可形成成相對應於遮罩M的矩形形狀，該遮罩在平面圖中具有矩形形狀，以供方便固定及運輸遮罩M。
此外，遮罩載體110可在與地面垂直的狀態下被運輸。
同時，傳輸腔室10是承載一對載體100的元件，且可被各種不同地配置，該對載體包括與地面垂直的基板載體120及遮罩載體110中的至少一者。
傳輸腔室10可在裝載閘室40的一側與裝載閘室40耦接，該裝載閘室被配置為將基板載體120或遮罩載體110在基板載體120或遮罩載體110垂直豎立而與地面垂直的狀態下裝載到傳輸腔室10中。
裝載閘室40可被各種不同地配置以將與地面平行的水平的基板載體120或遮罩載體110豎立成垂直狀態。
可在完成基板處理之後，將透過裝載閘室40而承載到傳輸腔室10中的基板載體120或遮罩載體110回傳到裝載閘室40以承載到外界，或可透過傳輸腔室10的另一側將該基板載體或遮罩載體卸載到外界。
參考標號50標誌裝載閘室，在該裝載閘室中，垂直狀態下的載體100被切換到水平狀態，且透過該裝載閘室，載體100被卸載到外界。
在裝載閘室50中，垂直狀態下的載體100可被切換成與地面平行的水平狀態。
同時，可沿著基板載體120或遮罩載體110的傳輸方向提供複數個傳輸腔室10，以便配置生產線式（in-line）基板處理系統。
可在沿著傳輸方向提供的該複數個傳輸腔室10之間提供各被配置為連接相鄰的傳輸腔室10的連接腔室30。
可使用相對應於要運輸的載體100的數量的數量來提供連接腔室30，或該等連接腔室可被配置為使得可在一個連接腔室30中運輸複數個載體100。
連接腔室30可被提供為具有用於傳輸載體100的軌道或輥。
傳輸腔室10可包括傳送單元（例如傳輸軌或傳輸自動機），以便傳輸從裝載閘室40或連接腔室30傳輸到另一傳輸腔室10或製程腔室20的一對載體100。
作為傳送單元的實例，傳輸腔室10可包括：軌道部分410，在該軌道部分中，一對軌道411及412沿著載體100的傳輸方向被形成為彼此平行，使得被承載到承載腔室10中的該對載體100被移動；及軌道旋轉部分（未繪示），旋轉軌道部分410以便將該對載體100承載進/出製程腔室20。
軌道部分410可包括：一對軌道411及412，被形成為彼此平行，以便輸送該對載體100；及軌道主體部分，在該軌道主體部分中提供了該對軌道411及412。
該對軌道411及412被配置為在所要的傳輸方向上傳輸該對載體100，但可使用各種方式來配置。
雖然圖1為了便於解釋而在平面圖中將軌道主體部分繪示為圓形，然而軌道主體部分可被形成為各種形狀，例如橢圓形及多邊形以及圓形。
此時，軌道部分410可在相同時間或在不同時間接收該對載體100。
軌道旋轉部分被配置為旋轉軌道部分410以切換該對軌道411及412上的載體100的傳輸方向，但可使用各種方式來配置。
雖然軌道旋轉部分可包括旋轉馬達及旋轉軸桿，本揭示案不限於此。可使用各種方式來配置軌道旋轉部分，只要可藉此圍繞該對軌道411及412的中心而旋轉軌道主體部分。
當然，作為另一實例，軌道旋轉部分可包括複數個驅動部分，該複數個驅動部分與軌道部分410的該對軌道411及412中的各者耦接，使得該等驅動部分可彼此同步，藉此旋轉該對軌道411及412。
如圖1中所繪示，藉由上述的軌道部分410及軌道旋轉部分，該對載體100可使用X方向引入，且接著可旋轉90度以使用Y方向定向，以便承載到耦接到傳輸腔室10的製程腔室20中。
同時，傳輸腔室10可沿著載體100的傳輸方向包括複數個軌道部分410。此時，可進一步在相鄰的軌道部分410之間提供單獨的軌道以供在軌道部分410之間移動載體100。
同時，製程腔室20被配置為形成處理空間，該處理空間用於進行基板處理且要耦接到傳輸腔室10的一側，使得從傳輸腔室10將基板S承載到製程腔室20中或從製程腔室向傳輸腔室10承載出該基板，但可使用各種方式來配置該製程腔室。
可提供至少一對製程腔室20，且該製程腔室可耦接到傳輸腔室10以同時處理複數個基板，藉此在傳輸腔室10承載一對載體100時改良基板處理的效率。
該對製程腔室20可相對於傳輸腔室10耦接到相反側或相同側。
作為一實例，可提供兩對製程腔室20，且該等製程腔室可耦接到相互相反的側，如圖1中所繪示。
製程腔室20可被提供為具有用於取決於基板載體120及遮罩載體110的傳輸方法而傳輸基板載體120及遮罩載體110的元件。
可透過提供在製程腔室20中的基板引導構件24來引導基板載體120進及出製程腔室20的移動路徑。
類似地，可透過提供在製程腔室20中的遮罩引導構件22來引導遮罩載體110進及出製程腔室20的移動路徑。
除了蒸發源300以外，製程腔室20可取決於基板處理製程而被提供為具有相對應的元件。例如，在基板處理製程是原子層沉積製程時，製程腔室20可被提供為具有例如蒸發源300氣體及反應氣體的氣體射入結構。
製程腔室20是提供用於執行蒸發沉積製程的處理環境的元件，且可具有任何其他的配置。
製程腔室20可由一種容器所形成，該容器在其中界定了預定的內部空間且被形成為具有閘門，基板S可穿過該閘門。
此外，該容器可被提供為具有用於在其內部空間中維持預定壓力的排氣手段。
至少一個蒸發源300可被安裝在製程腔室20中以加熱蒸發材料以便將蒸發材料蒸發到基板S，且可使用任何方式來配置。
蒸發源300是用於蒸發沉積材料的元件，該沉積材料包括有機材料、無機材料及金屬材料中的至少一者。蒸發源300可包括坩堝，該坩堝包含沉積材料及用於加熱坩堝的加熱器，但可針對蒸發源作出各種實施例。
蒸發源300可藉由沿著在垂直狀態下固定到製程腔室20的基板S的表面方向移動來在基板S上形成薄膜。
當然，雖然未繪示，亦可藉由在蒸發源300固定的狀態下沿著基板S的表面方向移動基板S來在基板S上形成薄膜。
為了執行基板處理，製程腔室20包括對準器結構200，該對準器結構用於執行固定基板載體120及遮罩載體110、對準基板載體120及遮罩載體110及使得基板載體120及遮罩載體110彼此黏著的過程。
此時，藉由對準器結構200來使得基板S及遮罩M彼此黏著及對準基板S及遮罩M的過程可藉由各種移動方法來執行，該等方法包括在基板S固定的狀態下移動遮罩M、在遮罩M固定的狀態下移動基板S或移動基板S及遮罩M兩者等等。
在下文中，將參照一個實施例來描述用於執行固定基板S及遮罩M、對準基板S及遮罩M以及使得基板S及遮罩M彼此黏著的過程的對準器結構200。
作為一實例，對準器結構200可包括：遮罩夾持部分210，夾持安裝在製程腔室20中的遮罩載體110以支撐遮罩M；基板夾持部分220，夾持安裝在製程腔室20中的基板載體120以支撐靜電夾具122，該靜電夾具吸引及固定基板S；至少一個距離量測部分，量測安裝在製程腔室20中的基板S及遮罩M之間的間距；黏著驅動部分，藉由相對移動使得基板S及遮罩M彼此黏著；及對準部分230，藉由相對於由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M相對移動基板載體120來對準由基板夾持部分220所夾持的基板S及由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M。
上述的對準器結構200可被配置成像是第10-2016-0118161號的韓國專利公開案中所揭露的對準器結構。
遮罩夾持部分210被配置為夾持及固定遮罩載體110，特別是遮罩載體110的邊緣，但可使用各種方式來配置。
遮罩夾持部分210可包括複數個夾持構件211及212，該等夾持構件從要耦接的遮罩載體110的各別頂點在與遮罩載體110的表面垂直的方向上移動。
該複數個夾持構件211及212可被彼此獨立地驅動，或可一起同步地驅動。
該複數個夾持構件211及212可通過可軸向切換的接頭（例如球形接頭或或通用接頭）耦接到遮罩載體110的底面，但不限於此。
即使在該複數個夾持構件211及212在該複數個夾持構件211及212是透過可軸向切換的接頭來耦接的情況下彼此獨立移動時，亦可防止可能發生在與遮罩載體110進行耦接的各個部分處的斷裂等等。
圖3繪示了耦接部分，其中該複數個夾持構件211及212以及遮罩載體110為了便於解釋而以簡化的方式彼此耦接。
遮罩夾持部分210可包括耦接到在垂直狀態下被承載到製程腔室20中的遮罩載體110的上部的上夾持構件211，及耦接到遮罩載體110的下部的下夾持構件212。
類似地，基板夾持部分220被配置為夾持及固定基板載體120，特別是基板載體120的邊緣，但可使用各種方式來配置。
基板夾持部分220可包括複數個夾持構件221及222，該等夾持構件從要耦接的基板載體120的各別頂點在與基板載體120的表面垂直的方向上移動。
該複數個夾持構件221及222可被彼此獨立地驅動，或可一起同步地驅動。
該複數個夾持構件221及222可透過可軸向切換的接頭（例如球形接頭或或通用接頭）耦接到基板載體120的底面，但不限於此。
圖3繪示了耦接部分，其中該複數個夾持構件221及222以及基板載體120為了便於解釋而以簡化的方式彼此耦接。
即使在該複數個夾持構件221及222在該複數個夾持構件221及222是透過可軸向切換的接頭來耦接的情況下彼此獨立移動時，亦可防止可能發生在與基板載體120進行耦接的各個部分處的斷裂等等。
基板夾持部分220可包括耦接到在垂直狀態下被承載到製程腔室20中的基板載體120的上部的上夾持構件221，及耦接到基板載體120的下部的下夾持構件222。
在由基板夾持部分220及遮罩夾持部分210所進行的夾持過程完成時，對準部分230可在基板S及遮罩M彼此黏著之前透過基板S及遮罩M之間的相對移動來執行對準過程。
黏著驅動部分是使得被對準部分230對準的基板S及遮罩M彼此黏著的元件，且可包括直線驅動部分，該直線驅動部分被提供在基板夾持部分220及遮罩夾持部分210中的至少一者上且使得遮罩M及基板S彼此黏著。
在基板S及遮罩M不完全彼此黏著時，例如沉積材料或製程副產物的粒子被引入到由於基板S及遮罩M之間的分離而形成的空間中，且因此並未在基板S上執行了良好的基板處理。
具體而言，在基板S及遮罩M在垂直狀態下被引入到製程腔室20中且執行基板處理時，並不存在由遮罩M的自重所造成的黏著效果。因此，檢查基板S及遮罩M是否彼此完全黏著是重要的。
因此，本揭示案可包括一種距離量測部分，該距離量測部分量測基板S及遮罩M之間的間距以在基板S及遮罩M藉由黏著驅動部分而彼此黏著時決定基板S及遮罩M是否處於黏著狀態下。
距離量測部分是量測基板S及遮罩M之間的間距的元件，但可被各種不同地配置。
在一個實施例中，可將各種距離感測器用於距離量測部分。
例如，距離量測部分可包括雷射位移感測器，該雷射位移感測器使用雷射射束、共焦感測器等等來量測距量測目標的距離。
可將距離量測部分提供在基板載體120側。
在此情況下，可在相對應於距離量測部分的位置處在基板載體120的靜電夾具122中形成穿通孔123。
距離量測部分可在遮罩載體110被承載到製程腔室20中時量測距遮罩M的距離，且可接著在基板載體120被承載到製程腔室20中時透過穿通孔123量測距基板S的距離，藉此量測遮罩M及基板S之間的相對距離。
距離量測部分包括形成於靜電夾具122中的穿通孔123，使得基板S的一部分可透過穿通孔123而暴露，且光可透過穿通孔123傳送到基板S。因此，在基板S是半透明的時候，可透過共焦感測器一次量測遮罩M及基板S之間的距離。
距離量測部分量測基板S及遮罩M之間的間距以感測基板S及遮罩M之間的黏著狀態，且可利用距離資訊以供控制靜電夾具122、黏著驅動部分等等。
據此，依據本揭示案的基板處理裝置可包括：控制單元，用於基於基板S及遮罩M之間的間距來控制黏著驅動部分，該間距是由距離量測部分所量測的。
同時，在被承載到製程腔室20中且固定在垂直狀態下的基板載體120及遮罩載體110在垂直狀態下彼此黏著的狀態下執行基板處理時，存在著以下問題：在基板處理期間發生的粒子容易附著到基板S或遮罩M。
據此，為了防止粒子附著到基板載體120及遮罩載體110，朝向蒸發源傾斜受夾持的基板載體120及遮罩載體110預定的角度Θ（例如3°到5°）可能是必要的。
在基板載體120及遮罩載體110在傾斜狀態下被承載到製程腔室20中時，存在著以下問題：基板S及遮罩M在將基板S或遮罩M承載到製程腔室20中的期間及在製程腔室20內的位置精確度是差的。
因此，依據本揭示案，可在基板載體120及遮罩載體110被承載到製程腔室20中且接著在與地面垂直的狀態下被夾持在該製程腔室中的狀態下執行用於基板載體120及遮罩載體110的傾斜過程。
傾斜遮罩載體110的過程中的遮罩載體110的複數個夾持構件211及212之中耦接到遮罩載體110的上頂點的上夾持構件211將遮罩載體110朝向蒸發源300移動預設的距離，以傾斜遮罩載體110。在此情況下，該複數個夾持構件211及212之中耦接到遮罩載體110的下頂點的下夾持構件212可在上夾持構件211及221移動時固定。
類似地，傾斜基板載體120的過程中的基板載體120的該複數個夾持構件221及222之中耦接到基板載體120的上頂點的上夾持構件221將基板載體120朝向蒸發源300移動預設的距離，以傾斜基板載體120。在此情況下，該複數個夾持構件221及222之中耦接到基板載體120的下頂點的下夾持構件222可在上夾持構件211及221移動時固定。
經由上述的過程，可將基板載體120及遮罩載體110朝向蒸發源所在的前表面傾斜預定的角度Θ，如圖3中所繪示。
可在基板載體120及遮罩載體110的夾持過程及對準過程之間執行上述的傾斜過程。
具體而言，上述的基板處理系統中的基板處理方法可包括以下步驟：從傳輸腔室10將支撐遮罩M的遮罩載體110在與地面垂直的狀態下承載到製程腔室20中及夾持遮罩載體110；從傳輸腔室10將支撐基板S的基板載體120在與地面垂直的狀態下承載到製程腔室20中及夾持基板載體120；朝向前表面相對於垂直方向傾斜遮罩載體110及基板載體120預設的角度Θ；及在傾斜之後，藉由相對於由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M相對移動基板載體120來對準由基板夾持部分220所夾持的基板S及由遮罩夾持部分210所夾持的遮罩M。
此時，亦可將蒸發源300安裝為相對應於基板S及遮罩M而傾斜，如圖3中所繪示。
基板S及遮罩M被基板夾持部分220及遮罩夾持部分210傾斜為使得蒸發源300、基板S及遮罩M可被安置為在相對於垂直方向傾斜的狀態下彼此平行。
此外，基板處理方法可更包括以下步驟：量測安裝在製程腔室20中的基板S及遮罩M之間的間距；及經由遮罩載體110及基板載體120之間的相對移動來將基板S及遮罩M彼此黏著。
可在傾斜步驟及對準步驟之間、在對準步驟之後或與對準步驟同步地執行黏著步驟。
同時，在用於處理大面積基板的製程腔室20的情況下，製程腔室20的尺寸被增加到基板S的尺寸所增加的程度。因此，在傳輸腔室10的一側上提供了複數個製程腔室20的情況下，存在著相鄰的製程腔室20之間的距離亦增加的問題。
在此情況下，在用於傳輸載體100的傳輸軌之間的間距固定時，傳輸軌之間的間距亦隨著製程腔室20之間的間距增加而增加。
其結果是，因為傳輸腔室10及連接腔室30（其中提供了傳輸軌）的尺寸一起增加，存在著整個基板處理系統的覆蓋範圍及製造成本增加的問題。在該對軌道411及412透過軌道旋轉部分而旋轉時，旋轉半徑增加且因此旋轉動量增加。
據此，所需要的是一種技術，該技術用於藉由即使在處理大面積基板時亦傳輸一對載體100來最大化基板處理效率，同時最小化運輸腔室10及連接腔室30的尺寸上的增加，及最小化由於旋轉軌道而施加於傳輸腔室10中的軌道旋轉部分的旋轉動量。
依據本揭示案的輸送腔室10可更包括：軌道間隙調整部分420，調整該對軌道411及412之間的間距。
如圖1中所繪示，軌道間距調整部分420被配置為調整形成於軌道部分410上的該對軌道411及412之間的間距，但可使用許多方式來配置。
作為一實例，軌道間距調整部分420可包括：軌道移動部分，沿著該對軌道411及412之間的寬度方向移動該對軌道411及412中的至少一者。
如圖4中所繪示，軌道移動部分可包括：軌道移動引導部分422及424，在形成於該對軌道411及412之間的寬度方向上，且耦接到各個軌道，以便引導該對軌道411及412中的至少一者的移動；及驅動部分426，移動該對軌道411及412中的至少一者。
未描述的參考標號423標誌耦接構件，該耦接構件用於將該對軌道411及412耦接到軌道移動引導部分422及424。
軌道移動引導部分422及424被配置為引導該對軌道411及412中的至少一者的路徑，但可使用各種方式來配置，只要允許直線運動。
作為一實例，軌道移動引導部分422及424可包括：第一引導部分，耦接到該對軌道411及412中的至少一者的一端；及第二引導部分，耦接到該對軌道411及412中的至少一者的另一端。
驅動部分426被配置為驅動該對軌道411及412中的至少一者，但可使用各種方式來配置。
作為一實例，驅動部分426可包括：電力傳送軸桿，用於向耦接到軌道移動引導部分422及424的軌道傳送電力；及馬達，耦接到電力傳送軸桿。
此時，該對軌道411及412可被移動為彼此遠離或靠近，使得該對軌道411及412相對於形成於縱向方向上且穿過該對軌道411及412之間的中心的虛擬中心線C彼此對稱，但不限於此。
不用說，可僅將該對軌道411及412中的一者配置為可在寬度方向上移動，或該對軌道411及412可被移動為彼此遠離或靠近，以便相對於虛擬中心線C彼此不對稱。
如圖1中所繪示，沿著X方向被引入到製程腔室20中的一對載體100被軌道旋轉部分旋轉成佈置在Y方向上，以便面向製程腔室20。
在該對軌道411及412在被軌道旋轉部分旋轉了的狀態下與相對應的製程腔室20的閘門相符合時，本揭示案的軌道間距調整部分420可調整該對軌道411及412之間的間距（可增加該對軌道411及412之間的間距），使得該對軌道411及412與製程腔室20的相對應閘門相符合。
亦即，依據本揭示案，藉由包括軌道間距調整部分420，在該對軌道411及412被安裝在傳輸腔室10及連接腔室30中時，可能最小化傳輸腔室10及連接腔室30中的該對軌道411及412之間的寬度，使得可最小化設施的覆蓋範圍及減少製造成本。
具體而言，在基板處理系統具有依據上述配置的複數個傳輸腔室10的情況下，在將該對載體100承載到該對製程腔室20中之前，連接腔室30中的該對載體100之間的間距（連接腔室30中的該對軌道411及412之間的間距）可能小於傳輸腔室10中的該對載體100之間的間距（該對製程腔室20的閘門之間的間距）。
同時，本揭示案提供了一種基板處理系統中的基板處理方法，該基板處理系統包括：如請求項1到5中的任一者所述的傳輸腔室10，該傳輸腔室傳輸一對載體100，該對載體與地面垂直且支撐基板S或遮罩M；及至少一對製程腔室20，形成用於進行基板處理的處理空間且耦接到傳輸腔室10。基板處理方法可包括以下步驟：旋轉軌道部分410，使得該對載體100可被承載到傳輸腔室10中且被承載到傳輸腔室10中的該對載體100被承載到該對製程腔室20的各別閘門中，該對載體100在該軌道部分中移動；及調整形成於軌道部分410中的一對軌道411及412之間的間距，使得在載體100被承載到製程腔室20中之前，載體100被定位在製程腔室20的閘門處。
雖然圖1繪示了對準器結構200被安裝在基板處理系統的相鄰製程腔室20之間的相鄰側表面上的情況，然而可在與基板處理系統的製程腔室20之間的相鄰側表面相反的相反面上提供對準器結構200，如圖5中所繪示。
如圖5中所繪示，在與相鄰的製程腔室20之間的相鄰側表面相反的相反面上提供對準器結構200時，存在著以下優點：可藉由減少相鄰的製程腔室20之間的間距來減少基板處理系統的尺寸。
10‧‧‧傳輸腔室
20‧‧‧製程腔室
22‧‧‧遮罩引導構件
24‧‧‧基板引導構件
30‧‧‧連接腔室
40‧‧‧裝載閘室
50‧‧‧裝載閘室
100‧‧‧載體
110‧‧‧遮罩載體
111‧‧‧遮罩片
112‧‧‧遮罩框
120‧‧‧基板載體
122‧‧‧靜電夾具
123‧‧‧穿通孔
124‧‧‧靜電夾具框部分
200‧‧‧對準器結構
210‧‧‧遮罩夾持部分
211‧‧‧夾持構件
212‧‧‧夾持構件
220‧‧‧基板夾持部分
221‧‧‧夾持構件
222‧‧‧夾持構件
300‧‧‧蒸發源
410‧‧‧軌道部分
411‧‧‧軌道
412‧‧‧軌道
420‧‧‧軌道間隙調整部分
422‧‧‧軌道移動引導部分
423‧‧‧耦接構件
424‧‧‧軌道移動引導部分
426‧‧‧驅動部分
C‧‧‧虛擬中心線
M‧‧‧遮罩
S‧‧‧基板
將藉由與附圖結合採用以下詳細說明來理解本揭示案的以上的及其他的態樣、特徵及優點，在該等附圖中：
圖1是依據本揭示案的實施例的基板處理系統的平面圖；
圖2是圖1的基板處理系統中的製程腔室的垂直橫截面圖；
圖3是部分橫截面圖，繪示圖2的製程腔室中的對準器結構，包括了繪示傾斜基板及遮罩的製程的某些橫截面圖；
圖4是平面圖，繪示圖1的基板處理系統中的傳輸腔室的配置的一部分；及
圖5是依據本揭示案的另一實施例的基板處理系統的平面圖。
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Claims (19)

  1. 一種傳輸一對載體的傳輸腔室，該對載體包括與一地面垂直的一基板載體及一遮罩載體中的至少一者，該傳輸腔室包括： 一軌道部分，一對軌道沿著該載體的一傳輸方向平行地形成在該軌道部分中，使得被承載到該傳輸腔室中的該對載體移動； 一軌道旋轉部分，旋轉該軌道部分以將該對載體承載到該製程腔室中或將該對載體承載出該製程腔室；及 一軌道間距調整部分，調整該對軌道之間的一間距。
  2. 如請求項1所述的傳輸腔室，其中沿著該載體的該傳輸方向複數地安裝該軌道部分。
  3. 如請求項1所述的傳輸腔室，其中該軌道間距調整部分包括一軌道移動部分，該軌道移動部分沿著該對軌道之間的一寬度方向移動該對軌道中的至少一者。
  4. 如請求項3所述的傳輸腔室，其中該軌道移動部分包括： 軌道移動引導部分，形成於該對軌道之間的一寬度方向上，且耦接到各個軌道，以引導該對軌道中的至少一者的一移動；及 一驅動部分，移動該對軌道中的至少一者。
  5. 如請求項4所述的傳輸腔室，其中該軌道間距調整部分將該對軌道移動成彼此遠離或靠近，使得該對軌道相對於形成於一縱向方向上且穿過該對軌道之間的一中心的一虛擬中心線彼此對稱。
  6. 一種基板處理系統，包括： 如請求項1到5中的任一者所述的傳輸腔室；及 至少一對製程腔室，形成用於進行基板處理的一處理空間，且耦接到該傳輸腔室。
  7. 如請求項6所述的基板處理系統，其中該對製程腔室耦接到相對於該傳輸腔室彼此相反的側表面。
  8. 如請求項6所述的基板處理系統，其中該基板處理系統包括該複數個傳輸腔室，及 一連接腔室更被安置在該複數個傳輸腔室之間以在相鄰的傳輸腔室之間進行連接。
  9. 如請求項8所述的基板處理系統，其中在該對載體被承載到該對製程腔室中之前，該連接腔室中的該對載體之間的一間距小於該傳輸腔室中的該對載體之間的間距。
  10. 如請求項6所述的基板處理系統，其中該製程腔室包括： 一腔室主體； 一蒸發源，安裝在該製程腔室中，以蒸發一沉積材料； 一遮罩夾持部分，安裝在該製程腔室中，以夾持支撐該遮罩的一遮罩載體；及 一基板夾持部分，安裝在該製程腔室中，以夾持支撐一靜電夾具的一基板載體，該靜電夾具吸附及固定該基板。
  11. 如請求項10所述的基板處理系統，其中該遮罩載體及該基板載體在要固定的一垂直狀態下被承載到該製程腔室中。
  12. 如請求項11所述的基板處理系統，其中該遮罩載體及該基板載體是一矩形，及 該遮罩夾持部分及該基板夾持部分包括複數個夾持構件，該複數個夾持構件從該遮罩載體及該基板載體的各個頂點在與該基板載體及該遮罩載體的表面垂直的一方向上移動，該等頂點要與該複數個夾持構件彼此耦接。
  13. 如請求項12所述的基板處理系統，其中該垂直腔室相對於一垂直方向朝向該蒸發源傾斜被固定在一垂直狀態下的該遮罩載體及該基板載體一預設角度。
  14. 如請求項13所述的基板處理系統，其中該複數個夾持構件之中耦接在該遮罩載體及該基板載體的上頂點處的上夾持構件朝向該蒸發源移動該遮罩載體及該基板載體以傾斜該遮罩載體及該基板載體，及 該複數個夾持構件之中耦接在該遮罩載體及該基板載體的下頂點處的下夾持構件在該等上夾持構件移動時是固定的。
  15. 如請求項10所述的基板處理系統，其中該製程腔室更包括： 至少一個距離量測部分，量測安裝在該製程腔室中的該基板及該遮罩之間的一間距；及 一黏著驅動部分，藉由一相對移動使得該基板及該遮罩彼此黏著。
  16. 如請求項10所述的基板處理系統，更包括： 一對準部分，相對於由該遮罩夾持部分所夾持的該遮罩相對地移動該基板載體，以對準由該基板夾持部分所夾持的該基板及由該遮罩夾持部分所夾持的該遮罩。
  17. 一種基板處理系統的基板處理方法，該基板處理系統包括如請求項1到5中的任一者所述的傳輸腔室，以及至少一對製程腔室，該傳輸腔室傳輸一對載體，該對載體包括與一地面垂直的一基板載體及一遮罩載體中的至少一者，該對製程腔室形成用於進行基板處理的一處理空間且耦接到該傳輸腔室，該基板處理方法包括以下步驟： 旋轉一軌道部分，使得該對載體被承載到該傳輸腔室中，且被承載到該傳輸腔室中的該對載體被承載到該對製程腔室的各個閘門中，該對載體在該軌道部分中移動；及 調整形成於該軌道部分中的一對軌道之間的一間距，使得在將該載體承載到該製程腔室中之前，該載體被定位在該製程腔室的該閘門處。
  18. 一種基板處理系統的基板處理方法，該基板處理系統包括如請求項1到5中的任一者所述的傳輸腔室，以及至少一對製程腔室，該傳輸腔室傳輸一對載體，該對載體包括與一地面垂直的一基板載體及一遮罩載體中的至少一者，該對製程腔室形成用於進行基板處理的一處理空間且耦接到該傳輸腔室，該基板處理方法包括以下步驟： 在該遮罩載體與一地面垂直的狀態下從該傳輸腔室將支撐該遮罩的該遮罩載體承載到該製程腔室中，及夾持該遮罩載體； 在該基板載體與該地面垂直的狀態下從該傳輸腔室將支撐該基板的該基板載體承載到該製程腔室中，及夾持該基板載體； 相對於一垂直方向朝向一前表面傾斜該遮罩載體及該基板載體一預設角度；及 在該傾斜步驟之後，藉由相對於由該遮罩夾持部分所夾持的該遮罩相對移動該基板載體來對準由該基板夾持部分所夾持的該基板及由該遮罩夾持部分所夾持的該遮罩。
  19. 如請求項18所述的基板處理方法，更包括以下步驟： 量測安裝在該製程腔室中的該基板及該遮罩之間的一間距；及 經由該遮罩載體及該基板載體之間的一相對移動來將該基板及該遮罩彼此黏著。
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