TW201830151A - 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201830151A
TW201830151A TW106134336A TW106134336A TW201830151A TW 201830151 A TW201830151 A TW 201830151A TW 106134336 A TW106134336 A TW 106134336A TW 106134336 A TW106134336 A TW 106134336A TW 201830151 A TW201830151 A TW 201830151A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
charged particle
aperture
particle beam
coil
value
Prior art date
Application number
TW106134336A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI675262B (zh
Inventor
飯修
清水幸毅
Original Assignee
日商紐富來科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商紐富來科技股份有限公司 filed Critical 日商紐富來科技股份有限公司
Publication of TW201830151A publication Critical patent/TW201830151A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI675262B publication Critical patent/TWI675262B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
    • H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
    • H01J2237/1532—Astigmatism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/21—Focus adjustment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
    • H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及平台，供描繪對象的基板載置，可於XY方向移動；及對物透鏡，調整前述多射束的焦點位置；及線圈，修正前述多射束的像散像差；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而檢測通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制部，基於檢測出的射束電流來作成射束圖像，算出前述射束圖像的特徴量，基於前述特徴量來控制前述對物透鏡或前述線圈。

Description

多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
本發明有關多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。
隨著LSI的高度積體化，半導體元件之電路線寬更加持續地微細化。作為形成用來將電路圖樣形成至該些半導體元件之曝光用光罩(用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)的方法，會使用具有優良分析性之電子束描繪技術。 　　作為電子束描繪裝置，使用了多射束之描繪裝置的開發正在進行，以取代過往將1道射束偏向而將射束照射至基板上的必要處之單射束描繪裝置。藉由使用多射束，相較於以1道電子束描繪的情形，能夠照射較多的射束，故能使產出大幅提升。多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之孔徑構件而形成多射束，然後藉由遮沒孔徑陣列進行各射束的遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，並照射至被載置於可移動的平台上之基板。 　　多射束描繪中，焦點對合等之光學系統調整乃為重要。習知，是藉由對物透鏡一面改變焦點位置，一面掃描平台上的線狀的反射標記來檢測反射電子，並基於在各焦點位置得到的分佈(profile)來進行焦點對合。反射標記的掃描，必須以對於線狀的反射標記的延伸方向而言正交之方式來進行。若藉由對物透鏡挪移焦點位置，則照射至基板上的多射束全體像的形狀會旋轉。因此，習知是基於連動係數來令2個對物透鏡的輸出連動，以消弭多射束全體像的旋轉。但，要耗費工夫事前算出2個對物透鏡的連動係數。 　　此外，多射束由多數道(例如約26萬道)的射束所構成，想要完全無包含缺陷地製造出形成多射束之孔徑構件或進行各射束的遮沒控制之遮沒孔徑陣列是極為困難的。肇因於孔徑構件或遮沒孔徑陣列的缺陷，會有非意圖的射束到達基板、或必要的射束被遮蔽而未到達之情況。當發生了這樣的缺陷的情形下，若依習知的掃描反射標記之手法，會有SN比變低的情況。
本發明，提供一種能夠簡便且高精度地進行多射束的焦點對合等之光學系統調整之多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。 　　依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及平台，供描繪對象的基板載置，可於XY方向移動；及對物透鏡，調整前述多射束的焦點位置；及線圈，修正前述多射束的像散像差；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而檢測通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制部，基於檢測出的射束電流來作成射束圖像，算出前述射束圖像的特徴量，基於前述特徴量來控制前述對物透鏡或前述線圈。
以下，依據圖面說明本發明之實施形態。 　　圖1為本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。本實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係以使用了電子束之構成來做說明。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等其他帶電粒子束。 　　此描繪裝置，具備對描繪對象的基板24照射電子束而描繪期望的圖樣之描繪部W、及控制描繪部W的動作之控制部C。 　　描繪部W，具備電子束鏡筒2與描繪室20。在電子束鏡筒2內，配置有電子槍4、照明透鏡6、孔徑構件8、遮沒孔徑陣列10、縮小透鏡12、限制孔徑構件14、對物透鏡16、偏向器17、及像散修正線圈18。 　　在描繪室20內配置XY平台22。在XY平台22上，載置有描繪對象的基板24。作為描繪對象的基板24，例如包含晶圓、或包含利用以準分子雷射為光源之步進機或掃描機等縮小投影型曝光裝置或極紫外線曝光裝置(EUV)來將圖樣轉印至晶圓之曝光用光罩。 　　此外，在XY平台22，在和供基板24載置的位置相異之位置，配置有具有多射束檢查用孔徑40(以下記載為「檢查孔徑40」)及電流檢測器50之多射束用射束檢查裝置。檢查孔徑40，藉由調整機構(圖示略)而高度可調整。檢查孔徑40較佳是設置於和基板24同一高度位置。 　　控制部C，具有控制計算機32、偏向控制電路34、透鏡控制電路36、及線圈控制電路38。偏向控制電路34連接至偏向器17。透鏡控制電路36連接至對物透鏡16。線圈控制電路38連接至像散修正線圈18。 　　控制計算機32，具有描繪資料處理部60、描繪控制部61、射束陣列辨識部62、特徴量算出部63、最佳透鏡值檢測部66、及最佳線圈值檢測部67。特徴量算出部63，包含亮度散佈算出部64及橢圓擬合(fitting)部65。控制計算機32的各部，可以由電子電路等硬體來構成，亦可由執行該些功能的程式等軟體來構成。當由軟體構成的情形下，亦可將實現該些功能之程式存放於記錄媒體，並令其讀入至含有電子電路等的電腦以執行。 　　描繪資料處理部60，從記憶裝置(圖示略)讀出描繪資料，實施複數段的資料變換處理，生成擊發資料。擊發資料，係對每一像素生成，演算出描繪時間(照射時間)。例如當不對對象像素形成圖樣的情形下，沒有射束照射，故定義為描繪時間零或無射束照射之識別碼。在此，事先設定好多射束一次的擊發當中的最大描繪時間T(最大曝光時間)。實際照射之各射束的照射時間，較佳是和算出的圖樣的面積密度成比例來求出。此外，最終算出之各射束的照射時間，較佳是訂為和藉由照射量來對未圖示之鄰近效應(proximity effect)、霧化效應(fogging effect)、負載效應(loading effect)等引發尺寸變動之現象的尺寸變動量予以修正後之修正後照射量相當之時間。故，實際照射之各射束的照射時間，可能依每一射束有所不同。各射束的描繪時間(照射時間)，會演算成為最大描繪時間T內的值。此外，描繪資料處理部60，將演算出之各像素的照射時間資料，對多射束的每一擊發，生成依多射束的各射束的排列順序並排之照射時間排列資料，以作為欲描繪該像素之射束用資料。 　　偏向控制電路34，使用照射時間排列資料(擊發資料)，生成將多射束予以偏向之偏向量資料。描繪控制部61，對驅動偏向控制電路34、及描繪部W之控制電路(圖示略)，輸出用來實施描繪處理之控制訊號。描繪部W，基於控制訊號，使用多射束，在基板24描繪期望的圖樣。具體而言係如下述般動作。 　　從電子槍4放出之電子束30，會藉由照明透鏡6而近乎垂直地對孔徑構件8全體做照明。圖2為孔徑構件8的構成示意概念圖。在孔徑構件8，有縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔(開口部)80以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。例如，形成512列×512列的孔80。各孔80均形成為相同尺寸形狀的矩形。各孔80亦可是相同直徑的圓形。 　　電子束30，對包含孔徑構件8的所有孔80之區域做照明。電子束30的一部分分別通過該些複數個孔80，藉此會形成如圖1所示般的多射束30a～30e。 　　在遮沒孔徑陣列10，係配合孔徑構件8的各孔80的配置位置而形成貫通孔，在各貫通孔，各自配置有由成對的2個電極所構成之遮沒器。通過各貫通孔的電子束30a～30e，會各自獨立地藉由遮沒器施加之電壓而被偏向。藉由此偏向，各射束受到遮沒控制。藉由遮沒孔徑陣列10，對通過了孔徑構件8的複數個孔80之多射束的各射束進行遮沒偏向。 　　通過了遮沒孔徑陣列10的多射束30a～30e，藉由縮小透鏡12，各者的射束尺寸及排列間距會被縮小，朝向形成於限制孔徑構件14的中心的孔行進。藉由遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向的電子束，其位置會位移而偏離限制孔徑構件14的中心的孔，而被限制孔徑構件14遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列10的遮沒器偏向的電子束，會通過限制孔徑構件14的中心的孔。 　　限制孔徑構件14，是將藉由遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向成為射束OFF狀態之各電子束加以遮蔽。然後，從成為射束ON開始至成為射束OFF為止通過了限制孔徑構件14的射束，便成為1次份的擊發的電子束。 　　通過了限制孔徑構件14的多射束30a～30e，藉由對物透鏡16而被合焦，在基板24上成為期望的縮小率的圖樣像。通過了限制孔徑構件14的各電子束(多射束全體)，會藉由偏向器17朝同方向被一齊偏向，照射至基板24。 　　一次所照射之多射束，理想上會成為以孔徑構件8的複數個孔80的排列間距乘上上述期望的縮小率而得之間距而並排。此描繪裝置，係以連續依序逐漸照射擊發射束之逐線掃瞄(raster scan)方式來進行描繪動作，當描繪期望的圖樣時，因應圖樣不同，必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。當XY平台22在連續移動時，射束的照射位置會受到偏向器17控制，以便追隨XY平台22的移動。 　　這樣的描繪裝置中，為了使描繪精度提升，必須調整光學系統，設定最佳的焦點位置，並且修正像散像差。本實施形態中，是使用具有檢查孔徑40及電流檢測器50之多射束用射束檢查裝置來檢查射束，調整光學系統。 　　利用圖3～圖5說明多射束用射束檢查裝置的構成。圖3為多射束用射束檢查裝置的概略構成圖。圖4為從下面側觀看檢查孔徑40時之立體圖。圖5為從上面側觀看檢查孔徑40時之立體圖。另，圖3所示之檢查孔徑40，為圖5的III-III線下之剖斷端面圖。 　　檢查孔徑40，為限制使得電子束僅通過一道之物，例如能夠使用具備散射層41與吸收層43之物。散射層41設於吸收層43上。檢查孔徑40例如呈圓形的平面形狀，沿著中心軸形成有貫通孔。此貫通孔，是由形成於吸收層43的中心部之開口部44、及形成於散射層41的中心部而和開口部44相連之貫通孔42所構成。 　　當製作檢查孔徑40的情形下，例如準備Pt或W等阻止能力(stopping power)高的重金屬的薄膜，藉由運用了FIB(聚焦離子束)之蝕刻，在下面側形成開口部44。接著，藉由運用了FIB之蝕刻，在開口部44的底部，形成直徑比開口部44還小的貫通孔42。重金屬薄膜當中，形成有開口部44之部分相當於吸收層43，形成有貫通孔42之部分相當於散射層41。另，加工的順序不限於此。 　　當將基板24上的多射束的射束間距訂為P、(1道的)射束的尺寸訂為S的情形下，貫通孔42的直徑φ1較佳是訂為S＜φ1＜P-S。若徑φ1比射束尺寸S還大，則1道的電子束能夠通過(無散射穿透)所有貫通孔42，能夠提高S/N比。為使徑φ1容易找到射束，此外，為免孔被異物堵塞，較佳是儘可能做成較大。 　　另一方面，若徑φ1比P-S還小，則當掃描多射束時，相鄰2道的射束(的一部分)不會同時通過貫通孔42。是故，貫通孔42，能使多射束當中僅1道的電子束通過。例如，如圖6所示，當電子束B1通過貫通孔42時，電子束B1的相鄰的電子束B2不會重疊於貫通孔42。 　　例如，如圖6所示，當電子束B1通過貫通孔42時，電子束B1的第1相鄰的電子束B2(電子束B1的周邊的8道電子束B2)，會照射至散射層41，一部分在散射層41的表面反射，但其近乎全部會如虛線所示侵入至散射層41而被散射。散射的電子，會貫通散射層41，其一部分直接在真空中直進，一部分在吸收層43的表面被反射而一部分入射至吸收層43，(幾乎)不會到達電流檢測器50。電子束B1的第2以上相鄰的電子束B3，在散射層41被散射。散射的電子侵入至吸收層43，被吸收。 　　另，檢查孔徑40的構造不限定於上述之物，能夠運用能限制使得電子束僅通過一道之物。 　　通過了貫通孔42及開口部44的電子束(圖3的電子束B、圖6的電子束B1)，會入射至電流檢測器50，射束電流受到檢測。在電流檢測器50，例如能夠使用SSD(半導體檢測器(solid-state detector))。電流檢測器50所做的檢測結果會通知至控制計算機32。 　　接著，利用圖7所示流程圖，說明求出最佳的焦點位置而進行焦點對合之方法。 　　本實施形態中，將遮沒孔徑陣列10的一部份區域設為測定區域而進行檢查(檢查孔徑40之掃描)。這是因為射束掃描所使用的偏向器17的最大偏向量並未大到能夠覆蓋遮沒孔徑陣列10的全域之緣故。因此，首先，決定遮沒孔徑陣列10中的測定區域(設為射束ON之區域)(步驟S11)。 　　移動XY平台22，將檢查孔徑40配置於可照射測定區域的射束之位置(步驟S12)。 　　透鏡控制電路36，變更/設定對物透鏡16的激磁電流值(透鏡值)(步驟S13)。如後述般，激磁值，係可變地設定為事先設定好的範圍內之複數個值。若改變透鏡值，則焦點位置會變化。 　　令藉由測定區域的遮沒器而被設為射束ON之複數個射束藉由偏向器17朝XY方向偏向，掃描檢查孔徑40，依序切換通過貫通孔42的電子束(步驟S14)。電流檢測器50檢測射束電流。 　　控制計算機32，將藉由電流檢測器50檢測出的射束電流變換成亮度，基於偏向器17的偏向量來作成射束圖像，進行圖像分析(步驟S15)。例如，作成如圖8(a)所示般的射束圖像。此為當將檢查區域設為左下(1，1)、4×4陣列的情形下之圖像的一例。 　　圖8(b)揭示在測定區域的鄰近存在有常時ON缺陷的射束的情形之圖像。射束陣列辨識部62辨識和測定區域相對應之射束陣列區域，區域外的缺陷則被忽視。例如，事先決定好檢查區域為4×4陣列，因此射束陣列辨識部62，是以4×4陣列的尺寸的區域內包含的射束數會成為最多之方式來辨識射束陣列。 　　然後，特徴量算出部63，算出射束圖像的特徴量。具體而言，亮度散佈算出部64，算出亮度散佈來作為射束圖像的特徴量。 　　將這樣的檢查，針對事先設定好的範圍內的複數個透鏡值的全部來進行(步驟S13～S16)。藉由改變透鏡值來掃描，會得到圖9所示般每一透鏡值的射束圖像。圖10揭示透鏡值與亮度散佈之關係的一例。 　　焦點位置愈趨近最佳值，射束圖像的對比度愈變高，亮度的散佈會變大。因此，最佳透鏡值檢測部66，將亮度散佈會成為最大之透鏡值予以檢測作為最佳透鏡值(步驟S17)。透鏡控制電路36，於描繪處理時將最佳透鏡值設定至對物透鏡16。 　　最佳透鏡值檢測部66，亦可將藉由檢查而得到的亮度散佈做函數擬合，而將求出的成為函數極大值之透鏡值予以檢測作為最佳透鏡值。 　　像這樣，按照本實施形態，藉由掃描測定區域內的複數個射束，依序切換通過貫通孔42的電子束，便能在短時間內作成射束圖像。指派對物透鏡16的透鏡值來作成複數個焦點位置下的射束圖像，由各射束圖像的亮度散佈，能夠短時間且高精度地求出最佳的透鏡值。 　　本實施形態中，不需要消弭多射束全體像的旋轉之處理，因此能夠無需透鏡的連動而以簡便的操作進行焦點對合。 　　由多數道射束所構成之多射束中，存在著最佳的焦點位置會因射束區域而相異之像場彎曲(field curvature)這一現象。當僅針對1個測定區域檢測最佳透鏡值，而設定了此透鏡值的情形下，其他區域的射束暈散的影響可能會變大。因此，較佳是對複數個測定區域檢測最佳透鏡值，而設定複數個最佳透鏡值的中央值。如此一來，能夠減低像場彎曲所伴隨之射束暈散的影響。 　　例如，如圖11所示，將多射束當中四隅與中央這5處設為測定區域70，以各測定區域70的射束群72來掃描檢查孔徑40。算出和各測定區域70相對應之射束圖像的最佳透鏡值，求出算出的5個最佳透鏡值的中央值(或平均值)。換言之，算出和各測定區域70相對應之第1最佳焦點位置，將算出的5個第1最佳焦點位置的中央值(或平均值)訂為第2最佳焦點位置，基於此第2最佳焦點位置來調整對物透鏡16。 　　接著，利用圖12所示流程圖說明調整像散像差之方法。 　　首先，決定遮沒孔徑陣列10中的測定區域(設為射束ON之區域)(步驟S21)。移動XY平台22，將檢查孔徑40配置於可照射測定區域的射束之位置(步驟S22)。 　　線圈控制電路38，變更/設定修正像散像差之像散修正線圈18的激磁電流值(像散修正線圈值)(步驟S23)。如後述般，像散修正線圈值，係可變地設定為事先設定好的範圍內之複數個值。 　　透鏡控制電路36，變更/設定對物透鏡16的激磁電流值(透鏡值)(步驟S24)。如後述般，激磁值，係可變地設定為事先設定好的範圍內之複數個值。 　　令藉由測定區域的遮沒器而被設為射束ON之複數個射束藉由偏向器17朝XY方向偏向，掃描檢查孔徑40，依序切換通過貫通孔42的電子束(步驟S25)。電流檢測器50檢測射束電流。 　　控制計算機32，將藉由電流檢測器50檢測出的射束電流變換成亮度，基於偏向器17的偏向量來作成射束圖像，進行圖像分析(步驟S26)。橢圓擬合部65，檢測射束圖像內的各射束的輪廓，進行橢圓擬合，抽出橢圓形(略圓形)的射束形狀。然後，橢圓擬合部65，算出橢圓的長徑與短徑之比率，以作為特徴量。 　　將這樣的檢查，針對事先設定好的範圍內的複數個透鏡值的全部，一面改變像散修正線圈值一面進行(步驟S23～S28)。 　　像散修正線圈值愈趨近最佳值，則射束形狀變得愈趨近真圓，即使改變透鏡值(焦點位置)，橢圓的長徑與短徑之比率仍變小。也就是說，每一像散修正線圈值的橢圓的長徑與短徑之比率的散佈，隨著像散修正線圈值愈趨近最佳值而愈變小。因此，最佳線圈值檢測部67，將橢圓的長徑與短徑之比率的散佈會成為最小之像散修正線圈值予以檢測作為最佳像散修正線圈值(步驟S29)。線圈控制電路38，於描繪處理時將最佳像散修正線圈值(最佳激磁電流值)設定至像散修正線圈18。 　　像這樣，按照本實施形態，藉由掃描測定區域的複數個射束，依序切換通過貫通孔42的電子束，便能在短時間內作成射束圖像。指派像散修正線圈18的像散修正線圈值及對物透鏡16的透鏡值，作成像散修正線圈值及焦點位置相異之複數個射束圖像。算出各射束圖像內的橢圓形狀的個別射束的長徑與短徑之比率，由每一像散修正線圈值的比率的散佈，能夠短時間且高精度地求出最佳的像散修正線圈值。 　　亦可求出射束圖像內的複數個橢圓(橢圓陣列)的排列間距來作為特徴量，以取代橢圓的長徑與短徑之比率。在射束圖像內，複數個橢圓係配置於正交的二軸上。像散修正線圈值愈趨近最佳值，則於第1軸上之第1間距、及於第2軸上之第2間距會成為相近的值，即使改變透鏡值(焦點位置)，第1間距與第2間距之比率仍變小。也就是說，像散修正線圈值愈趨近最佳值，則每一像散修正線圈值的第1間距與第2間距之比率(排列間距)的散佈愈變小。因此，最佳線圈值檢測部67，將第1間距與第2間距之比率的散佈會成為最小之像散修正線圈值予以檢測作為最佳值。 　　由多數道射束所構成之多射束中，最佳的像散修正線圈值會有因區域而相異之情形。當僅針對1個測定區域檢測最佳像散修正線圈值，而設定了此像散修正線圈值的情形下，會有著近乎真圓的射束區域，另一方面會存在扁平率大的橢圓的射束區域，在多射束內射束形狀的差異可能會變大。 　　因此，較佳是對複數個測定區域檢測最佳像散修正線圈值，而設定複數個最佳像散修正線圈值的中央值(或平均值)。如此一來，於多射束全體，能夠修正像散像差。 　　另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
2‧‧‧電子束鏡筒
4‧‧‧電子槍
6‧‧‧照明透鏡
8‧‧‧孔徑構件
10‧‧‧遮沒孔徑陣列
12‧‧‧縮小透鏡
14‧‧‧限制孔徑構件
16‧‧‧對物透鏡
17‧‧‧偏向器
18‧‧‧像散修正線圈
20‧‧‧描繪室
22‧‧‧XY平台
24‧‧‧基板
30‧‧‧電子束
30a～30e‧‧‧多射束
32‧‧‧控制計算機
34‧‧‧偏向控制電路
36‧‧‧透鏡控制電路
38‧‧‧線圈控制電路
40‧‧‧檢查孔徑
41‧‧‧散射層
42‧‧‧貫通孔
43‧‧‧吸收層
44‧‧‧開口部
50‧‧‧電流檢測器
60‧‧‧描繪資料處理部
61‧‧‧描繪控制部
62‧‧‧射束陣列辨識部
63‧‧‧特徴量算出部
64‧‧‧亮度散佈算出部
65‧‧‧橢圓擬合部
66‧‧‧最佳透鏡值檢測部
67‧‧‧最佳線圈值檢測部
80‧‧‧孔(開口部)
C‧‧‧控制部
W‧‧‧描繪部
圖1為本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。 　　圖2為孔徑構件的概略圖。 　　圖3為同實施形態之射束檢查部的概略圖。 　　圖4為同實施形態之多射束檢查用孔徑的立體圖。 　　圖5為同實施形態之多射束檢查用孔徑的平面圖。 　　圖6為照射至檢查用孔徑之多射束示意圖。 　　圖7為同實施形態之焦點對合方法說明流程圖。 　　圖8(a)為射束圖像的例子示意圖，圖8(b)為射束陣列辨識處理的例子示意圖。 　　圖9為透鏡值相異之射束圖像的例子示意圖。 　　圖10為透鏡值與亮度散佈之關係的一例示意曲線圖。 　　圖11為測定最佳透鏡值之射束群的例子示意圖。 　　圖12為同實施形態之像散像差調整方法說明流程圖。

Claims (10)

  1. 一種多帶電粒子束描繪裝置，具備： 　　孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及 　　遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及 　　平台，供描繪對象的基板載置，可於XY方向移動；及 　　對物透鏡，調整前述多射束的焦點位置；及 　　線圈，修正前述多射束的像散像差；及 　　檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及 　　偏向器，將前述多射束偏向；及 　　電流檢測器，將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而檢測通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及 　　控制部，基於檢測出的射束電流來作成射束圖像，算出前述射束圖像的特徴量，基於前述特徴量來控制前述對物透鏡或前述線圈。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，以複數個焦點位置掃描前述檢查孔徑， 　　前述控制部，作成和前述複數個焦點位置相對應之複數個射束圖像，算出各射束圖像的亮度散佈以作為前述特徴量，由算出的亮度散佈求出第1最佳焦點位置，來控制前述對物透鏡。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制部，將和前述亮度散佈會成為最大之射束圖像相對應之焦點位置，予以檢測作為前述第1最佳焦點位置。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，依序使用前述多射束的複數個區域的射束來掃描前述檢查孔徑， 　　前述控制部，求出和前述複數個區域相對應之複數個第1最佳焦點位置，由前述複數個第1最佳焦點位置求出第2最佳焦點位置，基於前述第2最佳焦點位置來控制前述對物透鏡。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制部，求出前述複數個第1最佳焦點位置的中央值或平均值以作為前述第2最佳焦點位置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，以複數個焦點位置及前述線圈的複數個激磁電流值掃描前述檢查孔徑， 　　前述控制部，作成和前述複數個焦點位置及前述複數個激磁電流值相對應之複數個射束圖像，將前述射束圖像內的射束形狀擬合至橢圓，算出橢圓的長徑與短徑之比率以作為前述特徴量，由每一激磁電流值的前述比率的散佈，求出最佳激磁電流值，來控制前述線圈。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，依序使用前述多射束的複數個區域的射束來掃描前述檢查孔徑， 　　前述控制部，求出和前述複數個區域相對應之複數個最佳激磁電流值，基於該複數個最佳激磁電流值的中央值或平均值來控制前述線圈。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，以複數個焦點位置及前述線圈的複數個激磁電流值掃描前述檢查孔徑， 　　前述控制部，作成和前述複數個焦點位置及前述複數個激磁電流值相對應之複數個射束圖像，將前述射束圖像內的複數個射束形狀擬合至橢圓，算出於正交的二軸上之複數個橢圓的排列間距以作為前述特徴量，由每一激磁電流值的前述排列間距的散佈，求出最佳激磁電流值，來控制前述線圈。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，依序使用前述多射束的複數個區域的射束來掃描前述檢查孔徑， 　　前述控制部，求出和前述複數個區域相對應之複數個最佳激磁電流值，基於該複數個最佳激磁電流值的中央值或平均值來控制前述線圈。
  10. 一種多帶電粒子束描繪方法，具備： 　　放出帶電粒子束之工程；及 　　前述帶電粒子束通過孔徑構件的複數個孔，藉此形成多射束之工程；及 　　使用設於遮沒孔徑陣列之複數個遮沒器，切換各自相對應之射束的ON/OFF之工程；及 　　在設於供描繪對象的基板之平台，而令前述多射束當中1道的射束通過之檢查孔徑上，將前述多射束於XY方向掃描之工程；及 　　檢測通過了前述檢查孔徑的前述多射束的各射束的射束電流之工程；及 　　基於檢測出的射束電流來作成射束圖像之工程；及 　　算出前述射束圖像的特徴量，基於該特徴量，對調整前述多射束的焦點位置之對物透鏡、或修正前述多射束的像散像差之線圈予以控制之工程。
TW106134336A 2016-11-18 2017-10-05 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法 TWI675262B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016225166A JP2018082120A (ja) 2016-11-18 2016-11-18 マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2016-225166 2016-11-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201830151A true TW201830151A (zh) 2018-08-16
TWI675262B TWI675262B (zh) 2019-10-21

Family

ID=62147804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106134336A TWI675262B (zh) 2016-11-18 2017-10-05 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10497539B2 (zh)
JP (1) JP2018082120A (zh)
KR (1) KR102026648B1 (zh)
TW (1) TWI675262B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111933505A (zh) * 2019-05-13 2020-11-13 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
CN112309809A (zh) * 2019-07-29 2021-02-02 日本电子株式会社 带电粒子束装置的焦点调整方法和带电粒子束装置
TWI737117B (zh) * 2019-03-05 2021-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束照射裝置
TWI772803B (zh) * 2019-06-14 2022-08-01 日商紐富來科技股份有限公司 像差修正器以及多電子束照射裝置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10157723B2 (en) * 2016-08-03 2018-12-18 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and method of adjusting the same
CN111508535B (zh) * 2020-03-13 2021-08-13 华为技术有限公司 一种数据写入读取方法、装置及系统
JP2022146501A (ja) 2021-03-22 2022-10-05 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
JP2024075811A (ja) * 2021-03-31 2024-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビームの測定方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2941732B2 (ja) 1997-03-18 1999-08-30 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置におけるビーム調整方法
JP2944559B2 (ja) * 1997-03-18 1999-09-06 株式会社東芝 ビーム電流測定用貫通孔の製造方法
JP3051099B2 (ja) * 1997-05-14 2000-06-12 株式会社東芝 マーク基板，マーク基板の製造方法，電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の光学系の調整方法
JP3110363B2 (ja) * 1997-05-14 2000-11-20 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置の調整方法
JPH11271458A (ja) * 1998-03-26 1999-10-08 Jeol Ltd ビームの測定方法
JP2002299218A (ja) * 2001-04-02 2002-10-11 Nikon Corp 電子線結像性能の評価装置及び電子線露光装置
JP2004055933A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Advantest Corp 電子ビーム露光装置、及び電子ビーム計測モジュール
JP3544657B2 (ja) * 2002-09-13 2004-07-21 株式会社日立製作所 電子ビーム描画装置
CN1497656A (zh) * 2002-10-11 2004-05-19 日本先锋公司 射束调节样品、射束调节方法及射束调节装置
JP4167050B2 (ja) * 2002-12-13 2008-10-15 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及びその制御方法、並びにデバイス製造方法
JP2004355884A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム検出器及びその製造方法、並びにそれを用いた電子ビーム描画装置
JP2005147671A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Hitachi Ltd 荷電粒子線調整方法および装置
JP2006080201A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Jeol Ltd 電子ビーム描画装置におけるフォーカス・非点収差補正調整方法
JP3983238B2 (ja) * 2004-09-09 2007-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画装置
JP2006079911A (ja) 2004-09-09 2006-03-23 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム検出器
JP3800343B2 (ja) 2004-09-09 2006-07-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム露光装置
JP3983772B2 (ja) * 2005-04-01 2007-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム応用装置
EP2190003B1 (en) * 2008-11-20 2014-10-01 IMS Nanofabrication AG Constant current multi-beam patterning
JP2013118060A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Canon Inc 荷電粒子ビーム装置
JP2013140845A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Canon Inc 荷電粒子線装置、描画装置、及び物品の製造方法
JP5977550B2 (ja) * 2012-03-22 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
EP3358599B1 (en) * 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
JP6383228B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6438280B2 (ja) * 2014-11-28 2018-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2016115850A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置および方法ならびに物品の製造方法
JP6442295B2 (ja) 2015-01-19 2018-12-19 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム像の回転角測定方法、マルチ荷電粒子ビーム像の回転角調整方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI737117B (zh) * 2019-03-05 2021-08-21 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束照射裝置
CN111933505A (zh) * 2019-05-13 2020-11-13 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
CN111933505B (zh) * 2019-05-13 2023-09-22 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
TWI772803B (zh) * 2019-06-14 2022-08-01 日商紐富來科技股份有限公司 像差修正器以及多電子束照射裝置
CN112309809A (zh) * 2019-07-29 2021-02-02 日本电子株式会社 带电粒子束装置的焦点调整方法和带电粒子束装置
CN112309809B (zh) * 2019-07-29 2023-09-26 日本电子株式会社 带电粒子束装置的焦点调整方法和带电粒子束装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI675262B (zh) 2019-10-21
JP2018082120A (ja) 2018-05-24
US20180144905A1 (en) 2018-05-24
KR102026648B1 (ko) 2019-10-04
KR20180056409A (ko) 2018-05-28
US10497539B2 (en) 2019-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI675262B (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
TWI649611B (zh) Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method
TWI675261B (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
TWI695406B (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及其調整方法
JP2017151155A (ja) 検査装置及び検査方法
TW201923815A (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
TWI791173B (zh) 多帶電粒子束調整方法，多帶電粒子束照射方法及多帶電粒子束照射裝置
TWI844826B (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及其調整方法
TW202102946A (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
US10283316B2 (en) Aperture for inspecting multi beam, beam inspection apparatus for multi beam, and multi charged particle beam writing apparatus
TWI709994B (zh) 孔徑的校準方法及多帶電粒子束描繪裝置
US20190385812A1 (en) Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same
KR102714508B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 그 조정 방법
US20170270656A1 (en) Method for inspecting blanking plate
TW201807736A (zh) 多重帶電粒子束描繪裝置及其調整方法
JP2020205314A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置