TW201829688A - 晶圓層合體、其製造方法及晶圓層合用接著劑組成物 - Google Patents

晶圓層合體、其製造方法及晶圓層合用接著劑組成物 Download PDF

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安田浩之
菅生道博
加藤英人
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日商信越化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明的課題為提供一種支持體與晶圓的接合容易，從晶圓之支持體的剝離亦容易，且可提高薄型晶圓之生產性之適合於薄型晶圓製造的晶圓層合體及其製造方法。 　　作為解決手段為提供一種晶圓層合體，其係具備支持體、與形成於該支持體上之接著劑層、與於該接著劑層具有電路面的表面以對向的方式層合之晶圓的晶圓層合體，其特徵為前述接著劑層為包含具有遮光性之樹脂A與包含矽氧烷骨架之樹脂B之接著劑組成物的硬化物。

Description

晶圓層合體、其製造方法及晶圓層合用接著劑組成物
[0001] 本發明係關於在半導體領域之晶圓層合體、其製造方法及該晶圓層合體之製造所使用之接著劑組成物。
[0002] 3次元之半導體實裝為了實現更一層之高密度、大容量化逐漸成為必須。所謂3次元實裝技術，係薄型化1個半導體晶片，進而邊藉由將此矽貫通電極(TSV：through silicon via)結線邊進行多層層合之半導體製作技術。為了實現此技術，將形成半導體電路之基板藉由非電路形成面(亦稱為「內面」)研削進行薄型化，進而於內面進行包含TSV之電極形成之步驟為必要。以往，於矽基板之內面研削步驟，於研削面的相反側貼上內面保護膠帶，防止研削時之晶圓破損。惟，此膠帶已將有機樹脂薄膜用在支持基材，有柔軟性之外，強度或耐熱性不夠充分，不適合進行TSV形成步驟或於內面之配線層形成步驟。 　　[0003] 因此，提案有藉由透過接著層將半導體基板接合在矽、玻璃等之支持體，可充分耐得住內面研削、TSV或內面電極形成之步驟的系統。此時重要的是將基板接合在支持體時之接著層。此點是可將基板無間隙接合在支持體，僅需要耐得住之後的步驟之充分的耐久性，進而於最後可將薄型晶圓從支持體簡便剝離為必要。如此，最後剝離後，於本說明書，將此接著層稱為臨時接著層(或臨時接著劑層)。 　　[0004] 目前為止，提案有作為周知之臨時接著層與其剝離方法，係將熱熔融性之烴系化合物用在接著劑，以加熱熔融狀態進行接合･剝離之技術(專利文獻1)。惟，除了由於僅以加熱控制為簡便之外，於超過200℃的高溫之熱安定性不夠充分，故適用範圍狹小。 　　[0005] 又，提案有將矽氧黏著劑使用在臨時接著劑層之技術(專利文獻2)。此係使用加成硬化型之矽氧黏著劑將基板接合在支持體，於剝離時將矽氧樹脂浸漬在如溶解或分解之藥劑，而將基板從支持體分離者。因此，剝離需要非常長時間，對實際之製造製程的適用有困難。 　　[0006] 另一方面，亦提案有藉由於包含光吸收性物質之接著劑照射高強度之光，分解接著劑層，從支持體剝離接著劑層之技術(專利文獻3)。於此方法，雖有縮短將基板從支持體之分離時之每一基板的處理時間之優勢，但為了將照射之光變換成熱，必須使用金屬化合物，恐有對基板之金屬污染之虞。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0007] 　　[專利文獻1]日本特開2003-177528號公報 　　[專利文獻2]國際公開第2015/072418號 　　[專利文獻3]日本特開2013-534721號公報
[發明欲解決之課題] 　　[0008] 本發明係鑑於前述問題點而完成者，係以提供一種支持體與晶圓的接合容易，且以高段差基板之均勻膜厚的形成亦可能，對於TSV形成、晶圓內面配線步驟之步驟適合性高，進而所謂CVD(化學的氣相成長)之晶圓熱製程耐性優異，從支持體之晶圓的剝離亦容易，且可提高薄型晶圓之生產性之適合於薄型晶圓製造的晶圓層合體及其製造方法，以及前述製造方法所使用之晶圓層合用接著劑組成物作為目的。 [用以解決課題之手段] 　　[0009] 本發明者們為了達成前述目的進行努力研究的結果，發現可藉由將支持體與晶圓使用預定之接著劑層進行接合，藉由所得之晶圓層合體，達成前述目的，而完成本發明。 　　[0010] 據此，本發明係提供下述晶圓層合體、其製造方法及晶圓層合用接著劑組成物。 　　1.一種晶圓層合體，其係具備支持體、與形成於該支持體上之接著劑層、與於該接著劑層具有電路面的表面以對向的方式層合之晶圓的晶圓層合體，其特徵為包含樹脂A與樹脂B之接著劑組成物的硬化物，該樹脂A係前述接著劑層包含下述式(1)表示之重複單位，且重量平均分子量為500～500,000，該樹脂B為包含矽氧烷骨架，(式中，R1 ～R3 雖分別獨立為氫原子、羥基或碳數1～20之1價有機基，但R1 ～R3 之至少一個為羥基；R4 為氫原子或可具有取代基之碳數1～30之1價有機基)。 　　2.如1之晶圓層合體，其中，前述接著劑層之波長355nm的光之透過率為20%以下。 　　3.如1或2之晶圓層合體，其中，樹脂B係由下述式(2)表示之重複單位及如有必要之下述式(3)表示之重複單位所構成，重量平均分子量為3,000～500,000之酚改質矽氧樹脂，[式中，R5 ～R8 分別獨立表示碳數1～8之1價烴基；m表示1～100之整數；A及B為滿足0＜A≦1、0≦B＜1，且A+B=1之正數；Y為下述式(4)表示之2價有機基；(式中，Z為單鍵或選自下述式之2價有機基；R9 及R10 分別獨立為直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1～4之烷基或直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基；k為0、1或2)]。 　　4.如1～3中任一項之晶圓層合體，其中，前述接著劑組成物係進一步包含交聯劑。 　　5.如1～4中任一項之晶圓層合體，其中，前述接著劑組成物係進一步包含有機溶劑。 　　6.一種晶圓層合體之製造方法，其係如1～5中任一項之晶圓層合體之製造方法，其特徵為包含下述(a)～(c)之步驟： 　　(a)於支持體形成直接接著劑組成物層之步驟、 　　(b)減壓下接合前述接著劑組成物層面、與晶圓之電路形成面之步驟、及 　　(c)進行前述接著劑組成物層的熱硬化而形成接著劑層之步驟。 　　7.一種薄型晶圓之製造方法，其係包含研削或研磨以如6之方法所得之晶圓層合體的晶圓之電路非形成面。 　　8.一種接著劑組成物，其係包含：包含下述式(1)表示之重複單位，且重量平均分子量為500～500,000之樹脂、與包含矽氧烷骨架之樹脂；(式中，R1 ～R3 雖分別獨立為氫原子、羥基或碳數1～20之1價有機基，但R1 ～R3 之至少一個為羥基；R4 為氫原子或可具有取代基之碳數1～30之1價有機基)。 [發明的效果] 　　[0011] 根據本發明，可提供一種強固接合支持體-晶圓且支持，並有熱耐性，從支持體可輕易分離晶圓之晶圓層合體。
[0013] [晶圓層合體] 　　本發明之晶圓層合體，係具備支持體、與形成於該支持體上之接著劑層、與於該接著劑層具有電路面的表面以對向的方式層合之晶圓的晶圓層合體。具體說明本發明之晶圓層合體的構造時，例如如圖1所示，係支持體1與晶圓3以接著劑層2接合而成者。 　　[0014] [支持體] 　　作為前述支持體，雖可列舉透明基板、矽晶圓、陶瓷基板等，但從剝離支持體時所照射之雷射之透過性的點來看，較佳為透明基板。作為前述透明基板，通常使用玻璃基板或石英基板，其厚度通常較佳為300～1,000μm，更佳為500～800μm。 　　[0015] [晶圓] 　　前述晶圓通常為半導體晶圓。作為該半導體晶圓之例，可列舉矽晶圓、鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓等。前述晶圓的厚度雖並未特別限定，但通常較佳為600～800μm，更佳為625～775μm。 　　[0016] [接著劑層] 　　接著劑層(臨時接著劑層)係硬化包含樹脂A與樹脂B之接著劑組成物而成者，該樹脂A係包含式(1)表示之重複單位，該樹脂B係包含矽氧烷骨架。式(1)表示之重複單位可僅包含1種，亦可包含2種以上。[0017] 式(1)中，R1 ～R3 分別獨立為氫原子、羥基或碳數1～20，較佳為碳數1～10之1價有機基。惟，R1 ～R3 之至少一個為羥基。 　　[0018] 作為前述1價有機基，可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、新戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十二烷基、n-十五烷基、n-二十烷基、環戊基、環己基、環戊基甲基、環己基甲基、環戊基乙基、環己基乙基、環戊基丁基、環己基丁基、金剛烷基等之直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1～20之烷基；甲氧基等之直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1～5之烷氧基；環氧丙氧基等之含環氧基之基；苯基、萘基等之芳基等。作為R1 ～R3 ，較佳為氫原子、羥基、甲基等。 　　[0019] 式(1)中，R4 為氫原子或可具有取代基之碳數1～30，較佳為碳數1～10之1價有機基。作為R4 表示之1價有機基，可列舉烷基、苯基、萘基、蒽基、降冰片基等，此等之氫原子的一部分可被烷基、芳基、醛基、鹵素原子、硝基、腈基、羥基等取代。 　　[0020] 樹脂A通常於無溶劑或溶劑中將酸或鹼作為觸媒使用，在室溫或如有必要之冷卻或加熱下，可藉由使萘酚或其衍生物與醛化合物進行縮聚反應而獲得。 　　[0021] 作為前述萘酚或其衍生物，可列舉1-萘酚、2-萘酚、2-甲基-1-萘酚、4-甲氧基-1-萘酚、7-甲氧基-2-萘酚、1,2-二羥基萘、1,3-二羥基萘、2,3-二羥基萘、1,4-二羥基萘、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、1,7-二羥基萘、2,7-二羥基萘、1,8-二羥基萘、5-胺基-1-萘酚、2-甲氧基羰基-1-萘酚、1-(4-羥基苯基)萘、6-(4-羥基苯基)-2-萘酚、6-(環己基)-2-萘酚、1,1’-聯-2-萘酚、6,6’-聯-2-萘酚、9,9-雙(6-羥基-2-萘基)茀、6-羥基-2-乙烯基萘、1-羥基甲基萘、2-羥基甲基萘等。前述萘酚或其衍生物可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0022] 作為前述醛化合物，可列舉下述式(4)表示者。 　　R4 -CHO (4) 　　(式中，R4 係與前述相同)。 　　[0023] 作為式(4)表示之醛化合物，例如可列舉甲醛、三噁烷、三聚甲醛、乙醛、丙醛、金剛烷羧甲醛(Carbaldehyde)、苯甲醛、苯基乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、o-氯苯甲醛、m-氯苯甲醛、p-氯苯甲醛、o-硝基苯甲醛、m-硝基苯甲醛、p-硝基苯甲醛、o-甲基苯甲醛、m-甲基苯甲醛、p-甲基苯甲醛、p-乙基苯甲醛、p-n-丁基苯甲醛、1-萘基醛、2-萘基醛、蔥羧甲醛(Carbaldehyde)、芘羧甲醛(Carbaldehyde)、糠醛、甲縮醛(methylal)、苯二甲醛、間苯二甲醛、對苯二甲醛、萘二羧甲醛(Carbaldehyde)、蔥二羧甲醛(Carbaldehyde)、芘二羧甲醛(Carbaldehyde)等。前述醛化合物可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0024] 作為前述縮聚反應所使用之溶劑，例如可列舉甲醇、乙醇、異丙基醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、丙二醇單甲基醚等之醇類；二乙基醚、二丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、四氫呋喃(THF)、1,4-二噁烷等之醚類；二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、三氯乙烯等之氯系溶劑；己烷、庚烷、苯、甲苯、二甲苯、茴香素等之烴類；乙腈等之腈類；丙酮、乙基甲基酮、異丁基甲基酮等之酮類；乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、丙二醇甲基醚乙酸酯等之酯類；γ-丁內酯等之內酯類；二甲基亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、六甲基磷三醯胺等之非質子性極性溶劑。此等之溶劑可1種單獨或混合2種以上使用。此等之溶劑相對於萘酚或其衍生物與醛化合物的合計100質量份，可於較佳為0～2,000質量份，更佳為10～2,000質量份的範圍使用。 　　[0025] 作為前述縮聚反應所使用之酸觸媒，例如可列舉鹽酸、溴氫酸、硫酸、硝酸、磷酸、雜聚酸等之無機酸類、草酸、三氟乙酸、甲烷磺酸、苯磺酸、p-甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸等之有機酸類、三氯化鋁、乙醇鋁(Aluminum ethoxide)、異丙醇鋁、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、四氯化錫、四溴化錫、二氯化二丁基錫、二甲氧化二丁基錫、氧化二丁基錫、四氯化鈦、四溴化鈦、甲醇鈦(IV)、乙醇鈦(IV)、異丙醇鈦(IV)、氧化鈦(IV)等之路易斯酸類。 　　[0026] 又，作為前述縮聚反應所使用之鹼觸媒，例如可列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、氫化鋰、氫化鈉、氫化鉀、氫化鈣等之無機鹼類、甲基鋰、n-丁基鋰、氯化甲基鎂、溴化乙基鎂等之烷基金屬類、甲醇鈉(Sodium methoxide)、乙醇鈉、tert-丁醇鉀等之醇鹽類、三乙基胺、二異丙基乙基胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、4-二甲基胺基吡啶等之有機鹼類。 　　[0027] 觸媒的使用量相對於萘酚或其衍生物與醛化合物的合計100質量份，較佳為0.001～100質量份，更佳為0.005～50質量份的範圍。反應溫度較佳為從-50℃至溶劑的沸點程度，更佳為從室溫至100℃。 　　[0028] 作為縮聚反應方法，可列舉一次全部投入萘酚或其衍生物、醛類、觸媒的方法，或於觸媒存在下持續滴下萘酚或其衍生物、醛類的方法。 　　[0029] 萘酚或其衍生物與醛化合物的使用比率相對於萘酚或其衍生物的合計，醛化合物以莫耳比較佳為0.01～5，更佳為0.05～2，再更佳為0.05～1，最佳為0.1～0.9。 　　[0030] 縮聚反應結束後，為了去除存在於系統內之未反應原料、觸媒等，可將反應釜之溫度上昇至130～230℃，於1～50mmHg程度之減壓下去除揮發分，或加入適當之溶劑或水餾分聚合物，或將聚合物溶解於良溶劑後於貧溶劑中再沉澱。此等可藉由所得之反應生成物的性質區分使用。 　　[0031] 樹脂A之重量平均分子量(Mw)雖為500～500,000，但更佳為1,000～100,000。前述聚合物之分散度雖以1.2～20的範圍較佳，但切成單體成分、寡聚物成分或Mw未滿500之低分子量體時，可抑制烘烤中之揮發成分，可防止因烘烤杯周邊之污染或揮發成分的落下導致之表面缺陷的發生。尚，在本發明，Mw係藉由將THF作為溶劑使用之凝膠滲透層析(GPC)之聚苯乙烯換算測定值。 　　[0032] 樹脂B為了貼合玻璃等之透明基板與所謂矽晶圓之異種基板的目的，從其接合性的觀點來看，較佳為使用矽氧樹脂，特佳為酚改質矽氧樹脂。作為前述酚改質矽氧樹脂，較佳為由下述式(2)表示之重複單位及如有必要之下述式(3)表示之重複單位所構成之酚改質矽氧樹脂。[0033] 式中，R5 ～R8 分別獨立表示碳數1～8之1價烴基；m表示1～100之整數；A及B係滿足0＜A≦1、0≦B＜1，且A+B=1之正數；Y為下述式(4)表示之2價有機基；(式中，Z為單鍵，或選自下述式之2價有機基；R9 及R10 分別獨立為直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1～4之烷基或直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基；k為0、1或2)]。 　　[0034] 前述酚改質矽氧樹脂較佳為Mw為3,000～500,000，更佳為10,000～100,000。 　　[0035] 前述酚改質矽氧樹脂例如可依照日本特開2013-110391號公報記載之方法合成。 　　[0036] 接著劑組成物中之樹脂B的含量相對於樹脂A100質量份，較佳為100～500質量份，更佳為150～400質量份，再更佳為150～300質量份。若樹脂B的含量為前述範圍，於塗佈膜不會陷入裂縫，從支持體之剝離性亦佳。 　　[0037] 又，樹脂B中之矽氧烷單位的含量較佳為30～70質量%，又，源自在接著劑層中之樹脂B的矽氧烷量，較佳為調控在20～50質量%。若為如此之比例，充分得到遮光性，且支持體與晶圓的接合變容易。 　　[0038] 前述接著劑組成物較佳為包含藉由熱反應進行交聯之交聯劑。作為前述交聯劑，適合使用於分子內具有2個以上官能基之環氧化合物、環氧樹脂、羥甲基三聚氰胺等之胺基樹脂等，為了促進此等之交聯劑與前述聚合物的交聯反應，較佳為進一步添加觸媒。 　　[0039] 作為前述環氧化合物或環氧樹脂，有2官能、3官能、4官能以上之多官能環氧樹脂，例如可列舉日本化藥(股)製之EOCN-1020(參照下述式)、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000或下述式表示者。[0040] 將前述環氧化合物或環氧樹脂作為交聯劑使用時，其摻合量相對於樹脂A及樹脂B的合計100質量份，較佳為0.1～50質量份，更佳為0.1～30質量份，再更佳為1～30質量份。交聯劑可1種單獨或組合2種以上使用。若摻合量為前述範圍，得到充分之交聯密度，所得之硬化物功能良好。 　　[0041] 尚，將前述環氧樹脂作為交聯劑使用時，較佳為添加硬化促進劑作為觸媒。藉由含有環氧樹脂硬化促進劑，可適當且均勻進行硬化反應。 　　[0042] 環氧樹脂硬化促進劑，例如可列舉2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、及此等之化合物之乙基異氰酸酯化合物、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑等之咪唑化合物、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7(DBU)、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烷-5(DBN)、DBU之有機酸鹽、DBU之酚樹脂鹽、DBU衍生物之四苯基硼酸鹽鹽等之DBU系化合物、三苯基膦、三丁基膦、參(p-甲基苯基)膦、參(p-甲氧基苯基)膦、參(p-乙氧基苯基)膦、三苯基膦･三苯基硼酸鹽、四苯基膦･四苯基硼酸鹽等之三有機膦類、4級鏻鹽、三乙烯銨･三苯基硼酸鹽等之第3級胺及其四苯基硼酸鹽等。前述環氧樹脂硬化促進劑可1種單獨使用，亦可併用2種以上。 　　[0043] 環氧樹脂硬化促進劑的摻合量相對於樹脂A及樹脂B的合計100質量份，較佳為0.1～10質量份，更佳為0.2～5質量份。 　　[0044] 又，作為於本發明使用之羥甲基三聚氰胺等之胺基樹脂，可列舉選自由藉由福馬林或福馬林-醇改質之胺基縮合物及平均於1分子中具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物所構成之群組中之1種以上的化合物。 　　[0045] 前述胺基樹脂較佳為Mw為150～10,000者，更佳為200～3,000者。若Mw為前述範圍，得到充分之硬化性，接著劑組成物之硬化後的耐熱性亦佳。 　　[0046] 作為藉由前述福馬林或福馬林-醇改質之胺基縮合物，例如可列舉藉由福馬林或福馬林-醇改質之三聚氰胺縮合物，或藉由福馬林或福馬林-醇改質之尿素縮合物。 　　[0047] 前述藉由福馬林或福馬林-醇改質之三聚氰胺縮合物，例如可依照周知之方法將三聚氰胺單體以福馬林進行羥甲基化而改質，或將此進一步以醇進行烷氧基化而改質，成為下述式表示之改質三聚氰胺來調製。尚，作為前述醇，較佳為低級醇例如碳數1～4之醇。(式中，R11 ～R16 雖分別獨立為羥甲基、包含直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1～4之烷氧基之烷氧基甲基，或氫原子，但至少一個為羥甲基或烷氧基甲基)。 　　[0048] 作為前述改質三聚氰胺，可列舉三甲氧基甲基單羥甲基三聚氰胺、二甲氧基甲基單羥甲基三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺、六甲氧基羥甲基三聚氰胺等。其次，藉由將前述改質三聚氰胺或由此所得之多聚物(例如二聚物、三聚物等之寡聚物)依照常法，與甲醛加成縮聚至成為所期望之分子量為止，而得到藉由福馬林或福馬林-醇改質之三聚氰胺縮合物。尚，可將前述改質三聚氰胺及其縮合物之1種以上的改質三聚氰胺縮合物作為交聯劑使用。 　　[0049] 又，藉由福馬林或福馬林-醇改質之尿素縮合物，例如可藉由依照周知之方法，將所期望分子量之尿素縮合物以福馬林進行羥甲基化而改質，或將此進一步以醇進行烷氧基化而改質來調製。 　　[0050] 作為前述改質尿素縮合物之具體例，例如可列舉甲氧基甲基化尿素縮合物、乙氧基甲基化尿素縮合物、丙氧基甲基化尿素縮合物等。尚，可使用此等1種以上之改質尿素縮合物。 　　[0051] 此等當中，作為平均1分子中具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物，例如可列舉(2-羥基-5-甲基)-1,3-苯二甲醇、2,2’,6,6’-四甲氧基甲基雙酚A等。 　　[0052] 此等胺基縮合物或酚化合物可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0053] 交聯劑的摻合量相對於樹脂A及樹脂B的合計100質量份，較佳為0.1～50質量份，更佳為1～30質量份。若為前述範圍，接著劑組成物充分硬化，所得之硬化物功能良好。 　　[0054] 尚，將前述羥甲基三聚氰胺等之胺基樹脂作為交聯劑使用時，較佳為添加熱酸產生劑作為觸媒。此熱酸產生劑雖並未特別限定，但例如可列舉下述式表示之銨鹽。(式中，R17 ～R20 分別獨立表示氫原子、直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1～12之烷基或氧代烷基、直鏈狀、分支狀或環狀之碳數2～12之烯基或氧代烯基、碳數6～20之芳基或碳數7～12之芳烷基或芳基氧代烷基，此等之基的氫原子之一部分或全部可被烷氧基取代；選自R17 ～R20 之2個可與鍵結此等之氮原子一起形成環，該環係於環當中具有式中之氮原子之碳數3～10之脂肪族環，或於環當中具有式中之氮原子之碳數5～10之雜芳香族環；X- 為α位之至少一個被氟化之磺酸、全氟烷基亞胺酸或全氟烷基甲基化酸(Methide acid))。 　　[0055] 作為X- ，具體而言，可列舉三氟甲磺酸酯(Triflate)陰離子、全氟丁磺酸根(Nonaflate)陰離子等之全氟烷烴磺酸陰離子、α位之至少一個被氟取代之磺酸鹽陰離子、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺陰離子、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺陰離子、雙(全氟丁基磺醯基)醯亞胺陰離子等之醯亞胺陰離子、參(三氟甲基磺醯基)甲烷化物(Methanide)陰離子、參(全氟乙基磺醯基)甲烷化物陰離子等之甲烷化物陰離子。 　　[0056] 熱酸產生劑的摻合量相對於樹脂A及樹脂B的合計100質量份，較佳為0.1～15質量份，更佳為0.2～10質量份。若為前述範圍，接著劑組成物充分硬化，接著劑組成物的保存安定性亦佳。 　　[0057] 前述接著劑組成物可包含溶劑。作為前述溶劑，例如可列舉環己酮、環戊酮、甲基-2-n-戊基酮等之酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇類；丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等之醚類；丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸tert-丁酯、丙酸tert-丁酯、丙二醇單-tert-丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯等之酯類等。此等可1種單獨或混合2種以上使用。前述溶劑的摻合量相對於樹脂A及樹脂B的合計100質量份，較佳為100～5,000質量份，更佳為150～2,500質量份。 　　[0058] 又，前述接著劑組成物亦可作為不包含溶劑之薄膜狀組成物使用。 　　[0059] 前述接著劑組成物，如有必要可包含界面活性劑或耐熱性之進一步提昇作為目的之抗氧化劑等。 　　[0060] 作為界面活性劑，雖並未特別限定，但例如可列舉聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油酸醚等之聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯辛基酚醚、聚氧乙烯壬基酚醚等之聚氧乙烯烷基芳基醚類、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物類、山梨糖醇單月桂酸酯、山梨糖醇單棕櫚酸酯、山梨糖醇單硬脂酸酯等之山梨糖醇脂肪酸酯類、聚氧乙烯山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇三硬脂酸酯等之聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯之非離子系界面活性劑、F-top(註冊商標)EF301、EF303、EF352((股)Tochem Products製)、Megafac(註冊商標)F171、F172、F173(DIC(股)製)、Frorad(註冊商標)FC430、FC431(3M公司製)、Asahi Guard AG710、Surflon(註冊商標)S-381、S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106、Surfynol(註冊商標)E1004、KH-10、KH-20、KH-30、KH-40(旭硝子(股))等之氟系界面活性劑、有機矽氧烷聚合物KP341、X-70-092、X-70-093、X-70-1102(信越化學工業(股)製)、丙烯酸系或甲基丙烯酸系PolyflowNo.75、No.95(共榮社化學(股)製)。此等可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0061] 作為抗氧化劑，較佳為選自由受阻酚系化合物、受阻胺系化合物、有機磷化合物及有機硫化合物中之至少1種。 　　[0062] 作為前述受阻酚系化合物，雖並未特別限定，但較佳為以下所列舉者。例如可列舉1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苄基)苯(商品名：IRGANOX 1330)、2,6-二-tert-丁基-4-甲基酚(商品名：Sumilizer BHT)、2,5-二-tert-丁基-對苯二酚(商品名：Nocrac NS-7)、2,6-二-tert-丁基-4-乙基酚(商品名：Nocrac M-17)、2,5-二-tert-戊基對苯二酚(商品名：Nocrac DAH)、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-tert-丁基酚)(商品名：Nocrac NS-6)、3,5-二-tert-丁基-4-羥基-苄基磷酸酯-二乙酯(商品名：IRGANOX 1222)、4,4’-硫代雙(3-甲基-6-tert-丁基酚)(商品名：Nocrac 300)、2,2’-亞甲基雙(4-乙基-6-tert-丁基酚)(商品名：Nocrac NS-5)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-tert-丁基酚)(商品名：Adekastab AO-40)、2-tert-丁基-6-(3-tert-丁基-2-羥基-5-甲基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯(商品名：Sumilizer GM)、2-[1-(2-羥基-3,5-二-tert-戊基苯基)乙基]-4,6-二-tert-戊基苯基丙烯酸酯(商品名：Sumilizer GS)、2,2’-亞甲基雙[4-甲基-6-(α-甲基-環己基)酚]、4,4’-亞甲基雙(2,6-二-tert-丁基酚)(商品名：SEENOX226M)、4,6-雙(辛硫基甲基)-o-甲酚(商品名：IRGANOX 1520L)、2,2’-乙烯雙(4,6-二-tert-丁基酚)、十八烷基-3-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯(商品名：IRGANOX 1076)、1,1,3-參-(2-甲基-4-羥基-5-tert-丁基苯基)丁烷(商品名：Adekastab AO-30)、肆[亞甲基-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基氫肉桂酸酯(Hydrocinnamate))]甲烷(商品名：Adekastab AO-60)、三乙二醇雙[3-(3-tert-丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯](商品名：IRGANOX 245)、2,4-雙(n-辛硫基)-6-(4-羥基-3,5-二-tert-丁基苯胺基)-1,3,5-三嗪(商品名：IRGANOX 565)、N,N’-六亞甲基雙(3,5-二-tert-丁基-4-羥基-氫桂皮醯胺(hydrocinnamamide))(商品名：IRGANOX 1098)、1,6-己烷二醇-雙[3-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](商品名：IRGANOX 259)、2,2-硫代-二乙烯雙[3-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](商品名：IRGANOX 1035)、3,9-雙[2-[3-(3-tert-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]1,1-二甲基乙基]2,4,8,10-四氧雜螺環[5.5]十一烷(商品名：Sumilizer GA-80)、參-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苄基)異氰脲酸酯(商品名：IRGANOX 3114)、雙(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苄基膦酸乙酯)鈣/聚乙烯蠟混合物(50：50)(商品名：IRGANOX 1425WL)、異辛基-3-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯(商品名：IRGANOX 1135)、4,4’-硫代雙(6-tert-丁基-3-甲基酚)(商品名：Sumilizer WX-R)、6-[3-(3-tert-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-tert-丁基二苯并[d,f][1,3,2]二氧磷雜(dioxaphosphepin)(商品名：Sumilizer GP)等。 　　[0063] 作為前述受阻胺系化合物，雖並未特別限定，但較佳為以下所列舉者。例如可列舉p,p’-二辛基二苯基胺(商品名：IRGANOX 5057)、苯基-α-萘基胺(商品名：Nocrac PA)、聚(2,2,4-三甲基-1,2-二氫喹啉)(商品名：Nocrac 224、224-S)、6-乙氧基-2,2,4-三甲基-1,2-二氫喹啉(商品名：Nocrac AW)、N,N’-二苯基-p-苯二胺(商品名：Nocrac DP)、N,N’-二-β-萘基-p-苯二胺(商品名：Nocrac White)、N-苯基-N’-異丙基-p-苯二胺(商品名：Nocrac 810NA)、N,N’-二烯丙基-p-苯二胺(商品名：Nonflex TP)、4,4’-(α,α-二甲基苄基)二苯基胺(商品名：Nocrac CD)、p,p-甲苯磺醯基胺基二苯基胺(商品名：Nocrac TD)、N-苯基-N’-(3-甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-p-苯二胺(商品名：Nocrac G1)、N-(1-甲基庚基)-N’-苯基-p-苯二胺(商品名：Ozonon 35)、N,N’-二-sec-丁基-p-苯二胺(商品名：Sumilizer BPA)、N-苯基-N’-1,3-二甲基丁基-p-苯二胺(商品名：Antigene 6C)、烷基化二苯基胺(商品名：Sumilizer 9A)、琥珀酸二甲酯-1-(2-羥基乙基)-4-羥基-2,2,6,6-四甲基派啶縮聚物(商品名：Tinuvin 622LD)、聚[[6-(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基][(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]六亞甲基[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]](商品名：CHIMASSORB 944)、N,N’-雙(3-胺基丙基)乙烯二胺-2,4-雙[N-丁基-N-(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)胺基]-6-氯-1,3,5-三嗪縮合物(商品名：CHIMASSORB 119FL)、雙(1-辛氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(商品名：TINUVIN 123)、雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(商品名：TINUVIN 770)、2-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基苄基)-2-n-丁基丙二酸雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)(商品名：TINUVIN 144)、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(商品名：TINUVIN 765)、肆(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)1,2,3,4-丁烷四羧酸酯(商品名：LA-57)、肆(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)1,2,3,4-丁烷四羧酸酯(商品名：LA-52)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶醇及1-十三醇的混合酯化物(商品名：LA-62)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與2,2,6,6-四甲基-4-哌啶醇及1-十三醇的混合酯化物(商品名：LA-67)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶醇及3,9-雙(2-羥基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺環[5.5]十一烷的混合酯化物(商品名：LA-63P)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與2,2,6,6-四甲基-4-哌啶醇及3,9-雙(2-羥基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺環[5.5]十一烷的混合酯化物(商品名：LA-68LD)、(2,2,6,6-四亞甲基-4-哌啶基)-2-丙烯羧酸酯(商品名：Adekastab LA-82)、(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-2-丙烯羧酸酯(商品名：Adekastab LA-87)等。 　　[0064] 作為前述有機磷化合物，雖並未特別限定，但較佳為以下所列舉者。例如可列舉雙(2,4-二-tert-丁基苯基)[1,1-聯苯基]-4,4’-二基雙亞磷酸酯、9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲(Phosphaphenanthrene)-10-氧化物(商品名：SANKO-HCA)、三乙基亞磷酸酯(商品名：JP302)、三-n-丁基亞磷酸酯(商品名：JP304)、三苯基亞磷酸酯(商品名：Adekastab TPP)、二苯基單辛基亞磷酸酯(商品名：Adekastab C)、三(p-甲酚基)亞磷酸酯(商品名：Chelex-PC)、二苯基單癸基亞磷酸酯(商品名：Adekastab 135A)、二苯基單(十三烷基)亞磷酸酯(商品名：JPM313)、參(2-乙基己基)亞磷酸酯(商品名：JP308)、苯基二癸基亞磷酸酯(商品名：Adekastab 517)、十三烷基亞磷酸酯(商品名：Adekastab 3010)、四苯基二丙二醇二亞磷酸酯(商品名：JPP100)、雙(2,4-二-tert-丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯(商品名：Adekastab PEP-24G)、參(十三烷基)亞磷酸酯(商品名：JP333E)、雙(壬基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯(商品名：Adekastab PEP-4C)、雙(2,6-二-tert-丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯(商品名：Adekastab PEP-36)、雙[2,4-二(1-苯基異丙基)苯基]季戊四醇二亞磷酸酯(商品名：Adekastab PEP-45)、三月桂基三硫代亞磷酸酯(商品名：JPS312)、參(2,4-二-tert-丁基苯基)亞磷酸酯(商品名：IRGAFOS 168)、參(壬基苯基)亞磷酸酯(商品名：Adekastab 1178)、二硬脂基季戊四醇二亞磷酸酯(商品名：Adekastab PEP-8)、參(單,二壬基苯基)亞磷酸酯(商品名：Adekastab 329K)、三油烯基亞磷酸酯(商品名：Chelex-OL)、三硬脂基亞磷酸酯(商品名：JP318E)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-tert-丁基苯基雙十三烷基)亞磷酸酯(商品名：JPH1200)、四(C12 -C15 混合烷基)-4,4’-異亞丙基二苯基二亞磷酸酯(商品名：Adekastab 1500)、四(十三烷基)-4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-tert-丁基酚)二亞磷酸酯(商品名：Adekastab 260)、六(十三烷基)-1,1,3-參(2-甲基-5-tert-丁基-4-羥基苯基)丁烷-三亞磷酸酯(商品名：Adekastab 522A)、氫化雙酚A亞磷酸酯聚合物(HBP)、肆(2,4-二-tert-丁基苯基氧基)4,4’-伸聯苯基-二-膦(商品名：P-EPQ)、肆(2,4-二-tert-丁基-5-甲基苯基氧基)4,4’-伸聯苯基-二-膦(商品名：GSY-101P)、2-[[2,4,8,10-肆(1,1-二甲基乙基)二苯并(Dibenzo)[d,f][1,3,2]二氧磷雜(dioxaphosphepin)-6-基]氧基]-N,N-雙[2-[[2,4,8,10-肆(1,1-二甲基乙基)二苯并(Dibenzo)[d,f][1,3,2]二氧磷雜(dioxaphosphepin)-6-基]氧基]-乙基]乙胺(Ethanamine)(商品名：IRGAFOS 12)、2,2’-亞甲基雙(4,6-二-tert-丁基苯基)辛基亞磷酸酯(商品名：Adekastab HP-10)等。 　　[0065] 作為前述有機硫化合物，雖並未特別限定，但較佳為以下所列舉者。例如可列舉二月桂基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名：Sumilizer TPL-R)、二肉荳蔻基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名：Sumilizer TPM)、二硬脂基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名：Sumilizer TPS)、季戊四醇肆(3-月桂基硫代丙酸酯)(商品名：Sumilizer TP-D)、雙十三烷基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名：Sumilizer TL)、2-巰基苯并咪唑(商品名：Sumilizer MB)、雙十三烷基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名：Adekastab AO-503A)、1,3,5-參-β-硬脂基硫代丙醯氧基乙基異氰脲酸酯、3,3’-硫代雙丙酸二十二烷基酯(商品名：IRGANOX PS 800FL)、3,3’-硫代雙丙酸二十八烷酯(商品名：IRGANOX PS 802FL)等。 　　[0066] 前述抗氧化劑當中，特佳為肆[亞甲基-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基氫肉桂酸酯(Hydrocinnamate))]甲烷。前述抗氧化劑的添加量相對於樹脂A及樹脂B的合計100質量份，較佳為0.5～5質量份，更佳為1～3質量份。若為前述範圍，得到充分之耐熱效果，亦得到相溶性。尚，抗氧化劑可1種單獨或組合2種以上使用。 　　[0067] 又，前述接著劑組成物中為了進一步提高耐熱性，可相對於樹脂A及樹脂B的合計100質量份，添加50質量份以下之周知之二氧化矽等之填料。 　　[0068] 前述接著劑組成物為溶液時，藉由以旋塗、滾塗、模塗、印刷、浸漬等之方法塗佈在支持體上，因應其溶劑之揮發條件以較佳為80～200℃，更佳為100～180℃的溫度進行預烘烤，使溶劑揮發，來形成接著劑組成物層。 　　[0069] 另一方面，前述接著劑組成物為薄膜狀組成物時，可藉由層壓法於支持體上形成接著劑組成物層。 　　[0070] 支持體上所形成之接著劑組成物層藉由進一步加熱硬化，用作接著劑層。此硬化反應未使接著劑組成物層硬化，形成未硬化狀態之晶圓層合體後，藉由加熱層合體全體而達成。 　　[0071] 支持體上或晶圓上所形成之接著劑層的膜厚較佳為1～150μm，更佳為5～100μm。若膜厚為前述範圍，遮光性充分，接合時得到充分之接著性，接合後之貼合的晶圓的平坦性亦佳。 　　[0072] 接著劑層亦用作遮光層，較佳為波長355nm之光的透過率為20%以下，更佳為18%以下，再更佳為15%以下。又，接著劑層較佳為吸收極大波長為300～500nm，更佳為300～400nm。進而，接著劑層較佳為波長300～500nm之光的透過率為20%以下。 　　[0073] [晶圓層合體之製造方法] 　　本發明之晶圓層合體之製造方法係包含下述步驟(a)～(c)。 [步驟(a)] 　　步驟(a)係於支持體上或晶圓的電路形成面形成接著劑組成物層之步驟。用以形成接著劑層之接著劑組成物為溶液時，藉由將此藉由旋塗、滾塗等之方法塗佈在支持體上，因應其溶劑的揮發條件以較佳為80～200℃，更佳為100～180℃的溫度進行預烘烤，使溶劑揮發，來形成接著劑組成物層。又，接著劑組成物為薄膜狀組成物時，可藉由層壓法於支持體上形成接著劑組成物層。 　　[0074] [步驟(b)] 　　步驟(b)係減壓下接合接著劑組成物層與支持體或晶圓之電路形成面之步驟。作為減壓條件，較佳為1～100Pa，更佳為3～80Pa。又，此時以較佳為40～200℃，更佳為60～180℃的溫度區域，減壓下均勻壓著支持體或晶圓，使其接合即可。 　　[0075] [步驟(c)] 　　步驟(c)係進行於步驟(b)接合之晶圓層合體的接著劑組成物層的熱硬化而形成接著劑層之步驟。形成前述晶圓層合體後，藉由以120～220℃，較佳為以150～200℃加熱10分鐘～4小時，較佳為加熱30分鐘～2小時，來進行熱硬化。 　　[0076] 如以上，可藉由組合支持體、接著劑層及於表面具有電路之晶圓，得到晶圓層合體。 　　[0077] [薄型晶圓之製造方法] 　　可藉由研削以前述方法所得之晶圓層合體的晶圓之電路非形成面，來製造薄型晶圓。 　　[0078] 其次，可藉由於因內面研削而薄型化之晶圓層合體的電路非形成面實施加工，來製造薄型晶圓層合體。於此步驟，包含晶圓水準所使用之各式各樣製程。作為例，可列舉電極形成、金屬配線形成、保護膜形成等。更具體而言，可列舉用以形成電極等之金屬濺鍍、蝕刻金屬濺鍍層之濕式蝕刻、藉由用以成為金屬配線形成之遮罩之抗蝕的塗佈、曝光及顯像之圖型的形成、抗蝕之剝離、乾式蝕刻、金屬鍍敷的形成、用以TSV形成之矽蝕刻、矽表面之氧化膜形成等以往周知之製程。 　　[0079] 薄型晶圓層合體例如可藉由照射355nm之雷射，從晶圓層合體剝離。 [實施例] 　　[0080] 以下，雖顯示合成例、調製例、實施例及比較例更具體說明本發明，但本發明並非被限定於此等之實施例。尚，重量平均分子量(Mw)係藉由將THF作為溶劑使用之GPC之聚苯乙烯換算測定值。又，於下述例使用之化合物(M-1)～(M-4)係如以下。[0081] [1]樹脂之合成 [合成例1] 　　於1,000mL之燒瓶加入1,5-二羥基萘80g(0.50莫耳)、2-羥基-6-萘醛51.6g(0.30莫耳)及甲基溶纖劑145g，邊於70℃攪拌邊添加20質量%對甲苯磺酸甲酯溶纖劑溶液20g。將溫度上昇至85℃攪拌6小時後，再冷卻至室溫，以乙酸乙酯800mL稀釋。轉移至分離漏斗，以脫離子水200mL重複洗淨，去除反應觸媒與金屬雜質。減壓濃縮所得之溶液後，於殘渣加入乙酸乙酯600mL，以己烷2,400mL使聚合物沉澱。濾別、回收經沉澱之聚合物後進行減壓乾燥，而得到包含下述式表示之重複單位之樹脂A1。樹脂A1之Mw為3,200，分散度(Mw/Mn)為2.44。[0082] [合成例2] 　　於1,000mL之燒瓶加入1,5-二羥基萘80g(0.50莫耳)、三聚甲醛9.0g(0.30莫耳)及甲基溶纖劑145g，邊於70℃攪拌邊添加20質量%對甲苯磺酸甲酯溶纖劑溶液20g。將溫度上昇至85℃攪拌6小時後，再冷卻至室溫，以乙酸乙酯800mL稀釋。轉移至分離漏斗，以脫離子水200mL重複洗淨，去除反應觸媒與金屬雜質。減壓濃縮所得之溶液後，於殘渣加入乙酸乙酯600mL，以己烷2,400mL使聚合物沉澱。濾別、回收經沉澱之聚合物後進行減壓乾燥，而得到包含下述式表示之重複單位之樹脂A2。樹脂A2之Mw為1,500，Mw/Mn為2.20。[0083] [比較合成例1] 　　於1,000mL之燒瓶加入2-甲基羥基苯32.4g(0.30莫耳)、2-羥基-6-萘醛51.6g(0.30莫耳)及甲基溶纖劑145g，邊於70℃攪拌邊添加20質量%對甲苯磺酸甲酯溶纖劑溶液20g。將溫度上昇至85℃攪拌6小時後，再冷卻至室溫，以乙酸乙酯800mL稀釋。轉移至分離漏斗，以脫離子水200mL重複洗淨，去除反應觸媒與金屬雜質。減壓濃縮所得之溶液後，於殘渣加入乙酸乙酯600mL，以己烷2,400mL使聚合物沉澱。濾別、回收經沉澱之聚合物後進行減壓乾燥，而得到包含下述式表示之重複單位之樹脂A3。樹脂A3之Mw為2,100，Mw/Mn為1.58。[0084] [合成例3] 　　於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之燒瓶，放入酚化合物(M-1)43.1g、化合物(M-2)29.5g、甲苯126g及氯化鉑酸0.04g，並昇溫至80℃。然後，花費1小時於燒瓶內滴下化合物(M-3)11.4g。此時，燒瓶內溫度上昇至85℃。滴下結束後，進而於80℃熟成2小時，其次餾除甲苯。於所得之殘渣添加甲基異丁基酮(MIBK)200mL後，以甲醇2,000mL使聚合物沉澱。濾別、回收經沉澱之聚合物後進行減壓乾燥，而得到樹脂B1。樹脂B1之Mw為45,000。 　　[0085] [合成例4] 　　於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之燒瓶，放入酚化合物(M-1)43.1g、化合物(M-2)59g、甲苯134g及氯化鉑酸0.04g並昇溫至80℃。然後，花費1小時於燒瓶內滴下化合物(M-4)14.6g。此時，燒瓶內溫度上昇至83℃。滴下結束後，進而於80℃熟成2小時，其次餾除甲苯。於所得之殘渣添加MIBK200mL後，以甲醇2,000mL使聚合物沉澱。濾別、回收經沉澱之聚合物後進行減壓乾燥，而得到樹脂B2。樹脂B2之Mw為34,000。 　　[0086] [比較合成例2] 　　於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之燒瓶，放入酚化合物(M-1)43.1g、甲苯92g及氯化鉑酸0.04g並昇溫至80℃。然後，花費1小時於燒瓶內滴下化合物(M-4)18.5g。此時，燒瓶內溫度上昇至82℃。滴下結束後，進而於80℃熟成2小時，其次餾除甲苯。於所得之殘渣添加MIBK200mL後，以甲醇2,000mL使聚合物沉澱。濾別、回收經沉澱之聚合物後進行減壓乾燥，而得到樹脂B3。樹脂B3之Mw為20,000。 　　[0087] [比較合成例3] 　　具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之燒瓶，放入酚化合物(M-1)10.8g、甲苯123g及氯化鉑酸0.04g並昇溫至80℃。然後，花費1小時於燒瓶內滴下化合物(M-2)71.4g。此時，燒瓶內溫度上昇至81℃。滴下結束後，進而於80℃熟成2小時，其次餾除甲苯。於所得之殘渣添加MIBK200mL後，以甲醇2,000mL使聚合物沉澱。濾別、回收經沉澱之聚合物後進行減壓乾燥，而得到樹脂B4。樹脂B4之Mw為25,000。 　　[0088] [2]接著劑組成物之調製 [調製例1～5、比較調製例1～3] 　　將樹脂A1～A3、樹脂B1～B4以表1所示之比例成為合計100g的方式進行混合，將作為交聯劑之環氧交聯劑即EOCN-1020(日本化藥(股)製)、作為硬化觸媒之雙(tert-丁基磺醯基)重氮甲烷(BSDM、和光純藥工業(股)製)、作為抗氧化劑之肆[亞甲基-(3,5-二-tert-丁基-4-羥基氫肉桂酸酯(Hydrocinnamate))]甲烷(商品名：Adekastab AO-60)及作為溶劑之環己酮以成為下述表1之組成的方式添加，以1μm之膜過濾器進行過濾，而得到接著劑組成物A～H。 　　[0089][0090] [2]晶圓層合體之製作及其評估 [實施例1～5、比較例1～3] 　　藉由於直徑200mm(厚度：500μm)之玻璃板旋塗接著劑組成物A～H後，在熱板以150℃加熱5分鐘，以表2所示之膜厚成膜成接著劑組成物層。 　　以配合於表面全面形成高度10μm、直徑40μm之銅柱的直徑200mm矽晶圓(厚度：725μm)之銅柱面、與玻璃板上之接著劑組成物面的方式，於真空貼合之裝置(EVG公司製、EVG520IS)內以0.1Pa以下之減壓條件下，在表2所示之接合溫度條件以荷重5kN貼合，製作晶圓層合體。 　　然後，對於此經接合之基板進行下述試驗。將結果示於表2。尚，用以下之順序實施評估。 　　[0091] (1)接著性試驗 　　200mm之晶圓接合係使用EVG公司之晶圓接合裝置EVG520IS進行。係以接合溫度為表2所記載之值，接合時之腔室內壓力為0.1Pa以下，荷重為5kN，時間為1分鐘實施。 　　接合後，一旦使用於180℃1小時烤箱來加熱基板，實施接著劑組成物層之硬化後，冷卻至室溫，將之後的界面之接合狀況分別以目視及光學顯微鏡確認，將未發生於界面之氣泡等之異常的情況評估為良好以「○」表示，發生異常的情況評估為不佳以「×」表示。 　　[0092] (2)內面研削耐性試驗 　　於磨床((股)DISCO製、DAG810)使用鑽石研磨石進行矽晶圓之內面研削。磨碎至最終基板厚50μm為止後，在光學顯微鏡(100倍)調查裂縫、剝離等之異常的有無。將未發生異常的情況評估為良好以「○」表示，發生異常的情況評估為不佳以「×」表示。 　　[0093] (3)CVD耐性試驗 　　將內面研削矽晶圓後之層合體導入CVD裝置，進行2μm之SiO2 膜的生成實驗，調查此時之外觀異常的有無。將未發生外觀異常的情況評估為良好以「○」表示，發生孔洞、晶圓膨脹、晶圓破損等之外觀異常的情況評估為不佳以「×」表示。CVD耐性試驗的條件係如以下。 　　裝置名：電漿CVD PD270STL(SAMCO(股)製) 　　RF500W、內壓40Pa 　　TEOS(四乙基正矽酸鹽)：O2 =20sccm：680sccm 　　[0094] (4)支持體剝離性試驗 　　支持體之剝離性係用以下之方法評估。首先，於結束CVD耐性試驗之晶圓層合體薄型化至50μm為止之晶圓側使用切割框架，貼上切割膠帶，將此切割膠帶面藉由真空吸附，設定在吸附板。然後，從支持體側於全面照射355nm之雷射。將沒有打破支持體及50μm之晶圓可剝離的情況以「○」表示，將發生破裂等之異常的情況評估為不佳以「×」表示。 　　[0095] (5)剝離(Peel)剝離性試驗 　　接著劑層之剝離(Peel)剝離性係用以下之方法評估。首先，於結束支持體之剝離試驗之晶圓層合體的接著劑層之面貼附剝離用膠帶。然後，提高剝離用膠帶，於接著劑層與晶圓的界面使其剝離。此時，將沒有打破50μm之晶圓可剝離，且未觀察到殘渣的情況以「○」表示，將發生破裂或殘留殘渣等之異常的情況評估為不佳以「×」表示。 　　[0096] (6)剝離(Peel)剝離力試驗 　　藉由於矽晶圓上旋塗各接著劑組成物溶液後，在熱板以150℃加熱5分鐘，以180℃在烤箱加熱1小時，將對應之接著劑層以表2所示之膜厚使其硬化。 　　然後，於前述晶圓之接著劑層上貼附5條150mm長×25mm寬之聚醯亞胺膠帶，去除未張貼膠帶部分之臨時接著劑層。使用(股)島津製作所製之AUTOGRAPH(AG-1)以300mm/分鐘之速度從膠帶的一端以180°剝離，剝離120mm，將此時所施加之力的平均(120mm行程×5次)定為該接著劑層之剝離力。 　　[0097] (7)透過性試驗 　　將各接著劑組成物溶液於厚度500μm之玻璃基板，以膜厚0.3μm旋塗後，在熱板以150℃加熱5分鐘，以180℃在烤箱加熱1小時使其硬化，將其透過率(波長355nm)以分光光度計(U-4100形、(股)日立高科技製測定。將透過率為20%以下情況定為良好以「○」表示，高於20%的情況定為不佳以「×」表示。 　　[0098][0099] 如表2所示，瞭解到於實施例1～5，臨時接著及剝離為容易。另一方面，於比較例1，於樹脂B由於未包含矽氧烷，故於塗佈後之膜發生裂縫。於比較例2，由於樹脂B所包含之矽氧烷量多，故與樹脂A混合時則分離。於比較例3，雷射照射後，支持體未剝離發生破裂。尚，在實施例1～5，將洗淨後之晶圓表面藉由SEM-EDX試驗測定時，確認金屬污染(金屬：Ca、K、Na、Mg、Mn、Pb)皆為成為問題之水準以下。 　　[0100] 尚，本發明並非被限定於前述實施形態。前述實施形態為例示，與本發明之申請專利範圍所記載之技術的思想具有實質上相同之構成，且發揮同樣作用效果者，不管怎樣皆包含在本發明之技術的範圍。
[0101]
1‧‧‧支持體
2‧‧‧接著劑層
3‧‧‧晶圓
[0012] 　　[圖1]表示本發明之晶圓層合體的一例之示意圖。

Claims (8)

  1. 一種晶圓層合體，其係具備支持體、與形成於該支持體上之接著劑層、與於該接著劑層具有電路面的表面以對向的方式層合之晶圓的晶圓層合體，其特徵為包含樹脂A與樹脂B之接著劑組成物的硬化物，該樹脂A係前述接著劑層包含下述式(1)表示之重複單位，且重量平均分子量為500～500,000，該樹脂B為包含矽氧烷骨架，(式中，R1 ～R3 雖分別獨立為氫原子、羥基或碳數1～20之1價有機基，但R1 ～R3 之至少一個為羥基；R4 為氫原子或可具有取代基之碳數1～30之1價有機基)。
  2. 如請求項1之晶圓層合體，其中，前述接著劑層之波長355nm的光之透過率為20%以下。
  3. 如請求項1或2之晶圓層合體，其中，樹脂B係由下述式(2)表示之重複單位及如有必要之下述式(3)表示之重複單位所構成，重量平均分子量為3,000～500,000之酚改質矽氧樹脂，[式中，R5 ～R8 分別獨立表示碳數1～8之1價烴基；m表示1～100之整數；A及B為滿足0＜A≦1、0≦B＜1，且A+B=1之正數；Y為下述式(4)表示之2價有機基；(式中，Z為單鍵或選自下述式之2價有機基；R9 及R10 分別獨立為直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1～4之烷基或直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基；k為0、1或2)]。
  4. 如請求項1～3中任一項之晶圓層合體，其中，前述接著劑組成物係進一步包含交聯劑。
  5. 如請求項1～4中任一項之晶圓層合體，其中，前述接著劑組成物係進一步包含有機溶劑。
  6. 一種晶圓層合體之製造方法，其係如請求項1～5中任一項之晶圓層合體之製造方法，其特徵為包含下述(a)～(c)之步驟： 　　(a)於支持體形成直接接著劑組成物層之步驟、 　　(b)減壓下接合前述接著劑組成物層面、與晶圓之電路形成面之步驟、及 　　(c)進行前述接著劑組成物層的熱硬化而形成接著劑層之步驟。
  7. 一種薄型晶圓之製造方法，其係包含研削或研磨以如請求項6之方法所得之晶圓層合體的晶圓之電路非形成面。
  8. 一種接著劑組成物，其係包含：包含下述式(1)表示之重複單位，且重量平均分子量為500～500,000之樹脂、與包含矽氧烷骨架之樹脂；(式中，R1 ～R3 雖分別獨立為氫原子、羥基或碳數1～20之1價有機基，但R1 ～R3 之至少一個為羥基；R4 為氫原子或可具有取代基之碳數1～30之1價有機基)。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
TWI776026B (zh) * 2018-06-04 2022-09-01 美商帕斯馬舍門有限責任公司 切割晶粒附接膜的方法
JP7035915B2 (ja) * 2018-09-03 2022-03-15 信越化学工業株式会社 薄型ウエハの製造方法
FR3086201B1 (fr) * 2018-09-24 2020-12-25 Commissariat Energie Atomique Procede de decapage d’un substrat par transfert d’un film superficiel de polymere thermoplastique
TWI724765B (zh) 2020-01-21 2021-04-11 達興材料股份有限公司 可雷射離型的組成物、其積層體和雷射離型方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2768088B2 (ja) * 1991-10-03 1998-06-25 信越化学工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
US5358980A (en) * 1991-10-03 1994-10-25 Shin-Etsu Chemical Company, Limited Naphthol novolac epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith
US6512031B1 (en) * 1999-04-15 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
JP2000336248A (ja) * 1999-05-27 2000-12-05 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂組成物および電気積層板
EP1296188A3 (en) 2001-09-21 2003-04-23 Tamura Kaken Corporation Photosensitive resin composition and printed wiring board
JP2003177528A (ja) 2001-09-21 2003-06-27 Tamura Kaken Co Ltd 感光性樹脂組成物及びプリント配線板
JP5183076B2 (ja) * 2006-02-16 2013-04-17 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
TWI460249B (zh) * 2006-02-16 2014-11-11 Shinetsu Chemical Co 黏合組成物、黏合膜及製造半導體元件的方法
US20130087959A1 (en) 2010-06-16 2013-04-11 3M Innovative Properties Company Opitcally tuned metalized light to heat conversion layer for wafer support system
CN103891168B (zh) 2011-10-19 2018-04-27 马维尔国际贸易有限公司 用于抑制由具有两个或更多个天线的设备接收的信号中的干扰的系统和方法
WO2013059566A1 (en) 2011-10-20 2013-04-25 Marvell World Trade Ltd. Systems and methods for suppressing interference in a wireless communication system
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2013172033A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 分離方法及び積層構造体
CN102911502A (zh) * 2012-10-19 2013-02-06 广东生益科技股份有限公司 氰酸酯树脂组合物及使用其制作的预浸料、层压材料与覆金属箔层压材料
JP6059631B2 (ja) * 2012-11-30 2017-01-11 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6224509B2 (ja) * 2013-05-14 2017-11-01 信越化学工業株式会社 ウエハ用仮接着材料、それらを用いた仮接着用フィルム、及びウエハ加工体並びにそれらを使用した薄型ウエハの製造方法
WO2015072418A1 (ja) 2013-11-12 2015-05-21 信越化学工業株式会社 シリコーン接着剤組成物及び固体撮像デバイス
EP3101681B1 (en) * 2014-01-29 2020-03-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer workpiece, provisional adhesive material for wafer working, and thin wafer manufacturing method
JP6428082B2 (ja) * 2014-09-16 2018-11-28 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板
JP6404787B2 (ja) * 2014-09-26 2018-10-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6425266B2 (ja) 2015-04-13 2018-11-21 アルプス電気株式会社 衛生マスク
JP6463664B2 (ja) * 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
US10074626B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method

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