CN107919314B - 晶片层合体、其制备方法和用于晶片层合体的粘合剂组合物 - Google Patents

晶片层合体、其制备方法和用于晶片层合体的粘合剂组合物 Download PDF

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Abstract

本文公开了适合于制备薄晶片的晶片层合体和用于制备晶片层合体的方法。可以容易地通过载体和晶片之间的结合形成晶片层合体并且其可以容易地彼此分离。其促进了薄晶片的生产率。晶片层合体包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以使得具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片，其中粘合剂层为由树脂A和树脂B组成的粘合剂组合物的固化产物，树脂A具有光阻隔效果和树脂B具有硅氧烷骨架。

Description

晶片层合体、其制备方法和用于晶片层合体的粘合剂组合物
相关申请的交叉引用
本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求2016年10月11日于日本提交的第2016-199829号专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及将用于半导体领域的晶片层合体、用于制备晶片层合体的方法和用于制备晶片层合体的粘合剂组合物。
背景技术
三维半导体安装对于实现进一步提高密度和容量变得不可或缺。三维安装技术是其中将半导体晶片各自减薄并且将它们堆叠以形成多层结构同时通过硅通路电极(硅通孔(TSV))使它们互相连接的半导体生产技术。为了实现这一点，有必要通过研磨其非电路形成的表面(也称为“背面”)使形成有半导体电路的衬底减薄，并且形成在背面上包括TSV的电极。常规地，在进行硅衬底的背面研磨中，将保护性胶带粘合至与待研磨表面相对的表面，由此防止晶片在研磨期间破碎。然而，保护性胶带使用有机树脂膜作为载体基础材料，并且尽管其为柔性的，但是强度和耐热性方面不足，从而所述胶带不合适于背面上的布线层的形成或TSV形成。
在此，已提出承受背面研磨和在背面上形成电极步骤的新的体系，所述体系包括借助粘合剂将半导体衬底结合至(硅、玻璃等的)载体。在该新体系中最重要的是将衬底和载体结合在一起的粘合剂。该粘合剂应当能够将衬底完全结合至载体而没有在其中留下的间隙并且还能够承受该结合步骤。此外，粘合剂应当能够允许从载体易于剥落薄晶片。顺便提及，在下文将所产生的粘合层称为“临时粘合层(或临时粘合剂层)”，因为如上文所述最终将其剥落。
根据临时粘合层及其剥离的方法的已知的现有技术，粘合剂由热熔性烃化合物制成并且在用加热使其呈熔融状态时进行结合和剥离(参见专利文献1，JP-A 2003-177528)。尽管该技术因其仅以加热控制而是简单和容易的，但是其在高于200℃的高温变得不稳定。该缺点限制了其应用。
还提出了将有机硅压敏粘合剂用于临时粘合剂层的技术(参见专利文献2，WO2015/072418)。该技术想要使用加成固化型有机硅压敏粘合剂将衬底结合至载体，并且通过将它们浸入能够溶解或分解有机硅树脂的化学品中而将它们剥离。因为以该方式剥离耗费非常长的时间，所以不能容易地将其应用至实际生产的过程。
已提出另一种通过借助于辐照至含有吸光性物质的粘合剂的高强度光来分解粘合剂层从载体剥离粘合剂层的技术(参见专利文献3，JP-A 2013-534721)。该技术的优点在于能够减少将衬底从载体分离时处理每个衬底所需要的时间；然而其还具有载体必须由有效地将辐照的光转变成热的金属化合物制成的缺点。所述金属载体易于引起对衬底的金属污染。
引用列表
专利文献1:JP-A 2003-177528
专利文献2:WO 2015/072418
专利文献3:JP-A 2013-534721
发明内容
本发明的目的在于提供适合于制备薄晶片的晶片层合体、用于制备所述晶片层合体的方法和用于制备晶片层合体的晶片层合体的粘合剂组合物。本发明提供以下优点。能容易地将晶片结合至载体。能采用显著的步骤在衬底上形成均匀厚度的膜。适合于在晶片背面上形成TSV和布线的步骤。对晶片经历的热过程如CVD(化学气相沉积)的高的耐受性。易于将晶片从载体剥落。提高薄晶片的生产率。
作为实现上述目的的广泛调查的结果，本发明人已发现，所述目的采用通过采用在晶片与载体之间插入的特定粘合剂层将它们结合而获得的晶片层合体得以实现，
因此，本发明提供了如下文定义的晶片层合体、用于制备所述晶片层合体的方法和用于晶片层合体的粘合剂化合物。
1.晶片层合体，其包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以使具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片，其中粘合剂层为含有树脂A和树脂B的粘合剂组合物的固化产物，树脂A含有由下式(1)表示的重复单元并且具有500至500,000的重均分子量，树脂B含有硅氧烷骨架，
其中R1至R3独立地为氢原子、羟基和具有1至20个碳原子的一价有机基团，其中R1至R3的至少一个为羟基，R4为氢原子或可以具有取代基的具有1至30个碳原子的一价有机基团。
2.如上述段落1中所定义的晶片层合体，其中粘合剂层对于具有355nm的波长的光具有至多20％的透射率。
3.如上述段落1或2中所定义的晶片层合体，其中树脂B为酚改性的有机硅树脂，其包括由以下式(2)表示的重复单元和任选的由以下式(3)表示的重复单元并且具有3,000至500,000的重均分子量：
其中R5至R8独立地为具有1至8个碳原子的一价烃基；m为1至100的整数；A和B为满足0＜A≤1，0≤B＜1和A+B＝1的正数；Y为由以下式(4)表示的二价有机基团；
其中Z为单键或选自下式的二价有机基团，
R9和R10独立地为具有1至4个碳原子的直链、支链或环状的烷基或为直链、支链或环状的烷氧基；和k为0、1或2。
4.如上述段落1至3中任一段中所定义的晶片层合体，其中粘合剂组合物进一步含有交联剂。
5.如上述段落1至4中任一段中所定义的晶片层合体，其中粘合剂组合物进一步含有有机溶剂。
6.用于制备如上述段落1至5中任一段中所定义的晶片层合体的方法，所述方法包括：
(a)直接在载体上形成粘合剂层的步骤；
(b)在减压下将粘合剂层结合至晶片的形成电路的表面的步骤，和
(c)使粘合剂组合物的层经历热固化，由此形成粘合剂层的步骤。
7.用于制备薄晶片的方法，其包括研磨或抛光通过上述段落6中所定义的方法获得的晶片层合体的步骤，在晶片的未形成电路的一面进行研磨或抛光。
8.粘合剂组合物，其包含含有由以下式(1)表示的重复单元并且具有500至500,000的重均分子量的树脂和含有硅氧烷骨架的树脂：
其中R1至R3独立地为氢原子、羟基和具有1至20个碳原子的一价有机基团，其中R1至R3的至少一个为羟基，和R4为氢原子或可以具有取代基的具有1至30个碳原子的一价有机基团。
发明的有益效果
本发明提供了晶片层合体，其包括紧密地结合在一起的载体和晶片，具有良好的耐热性并且容易剥离开。
附图说明
图1是描述根据本发明的晶片层合体的一个实例的示意图。
优选实施方案的描述
晶片层合体
根据本发明的晶片层合体包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以具有电路表面的晶片表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片。如在下文更详细地提及，根据本发明的晶片层合体包括载体1、粘合剂层2和晶片3，其如图1中所示布置。
载体
上述载体可以为透明衬底、硅晶片、陶瓷衬底等。因为其能传送发射的激光束以剥落载体，故而期望透明衬底。透明衬底的实例包括玻璃衬底或石英衬底。载体可以具有300至1,000μm，优选500至800μm的厚度。
晶片
上文提及的晶片可以通常为半导体晶片，其例如包括硅晶片、锗晶片、镓-砷晶片、镓-磷晶片和镓-砷-铝晶片。这些晶片在厚度方面没有特别限制；它们的普通厚度为600至800μm，优选625至775μm。
粘合剂层
通过使由树脂A和树脂B组成的粘合剂组合物固化获得粘合剂层(临时粘合剂层)。树脂A含有由式(1)表示的重复单元和树脂B含有硅氧烷骨架。由式(1)表示的重复单元可以包括仅一种类别或至少两种类别。
在式(1)中，R1至R3独立地为氢原子、羟基或具有1至20个，优选1至10个碳原子的一价有机基团，其中R1至R3的至少一个为羟基。
上述一价有机基团包括例如具有1至20个碳原子的直链、支链或环状烷基如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十二烷基、正十五烷基、正二十烷基、环戊基、环己基、环戊基甲基、环己基甲基、环戊基乙基、环己基乙基、环戊基丁基、环己基丁基和金刚烷基；具有1至15个碳原子的直链、支链或环状烷氧基如甲氧基；含有环氧基的基团如缩水甘油氧基；和芳基如苯基和萘基。R1至R3优选包括例如氢原子、羟基和甲基。
在式(1)中，R4为氢原子或具有任选的取代基的具有1至30个、优选1至10个碳原子的一价有机基团。由R4表示的一价有机基团包括例如烷基、苯基、萘基、蒽基和降冰片基，其中一部分氢原子任选地被烷基、芳基、醛基团、卤素原子、硝基、腈基团或羟基取代。
树脂A通常通过借助于酸或碱催化剂，在溶剂中或无溶剂，在室温或根据需要采用冷却或加热使萘酚(或其衍生物)和醛化合物经历缩聚反应而获得。
上述萘酚或其衍生物包括例如1-萘酚、2-萘酚、2-甲基-1-萘酚、4-甲氧基-1-萘酚、7-甲氧基-2-萘酚、1,2-二羟基萘、1,3-二羟基萘、2,3-二羟基萘、1,4-二羟基萘、1,5-二羟基萘、1,6-二羟基萘、2,6-二羟基萘、1,7-二羟基萘、2,7-二羟基萘、1,8-二羟基萘、5-氨基-1-萘酚、2-甲氧基羰基-1-萘酚、1-(4-羟基苯基)萘、6-(4-羟基苯基)-2-萘酚、6-(环己基)-2-萘酚、1,1’-联-2-萘酚、6,6’-联-2-萘酚、9,9-双(6-羟基-2-萘基)芴、6-羟基-2-乙烯基萘、1-羟基甲基萘和2-羟基甲基萘。萘酚或其衍生物可以单独地或相互组合使用。
上述醛化合物包括例如如下由式(5)表示的那些。
R4-CHO (5)
其中R4如上文所定义。
由式(5)表示的醛化合物包括例如甲醛、三聚甲醛、多聚甲醛、乙醛、丙醛、金刚烷甲醛(adamantine carboaldehyde)、苯甲醛、苯乙醛、α-苯基丙醛、β-苯基丙醛、邻氯苯甲醛、间氯苯甲醛、对氯苯甲醛、邻硝基苯甲醛、间硝基苯甲醛、对硝基苯甲醛、邻甲基苯甲醛、间甲基苯甲醛、对甲基苯甲醛、对乙基苯甲醛、对正丁基苯甲醛、1-萘甲醛、2-萘甲醛、蒽甲醛、芘甲醛、糠醛、甲缩醛、邻苯二甲醛、间苯二甲醛、对苯二甲醛、萘二甲醛、蒽二甲醛和芘二甲醛。醛化合物可以单独地或相互组合使用。
待用于上述缩聚反应的溶剂包括例如，醇如甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、甘油、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚和丙二醇单甲醚；醚如乙醚、二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚、四氢呋喃(THF)和1,4-二氧六环(dioxane)；含氯溶剂如二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷和三氯乙烯；烃如己烷、庚烷、苯、甲苯、二甲苯和异丙苯；腈如乙腈；酮如丙酮、甲基乙基酮和甲基异丁基酮；酯如乙酸乙酯、乙酸正丁酯和丙二醇甲醚乙酸酯；内酯如γ-丁内酯；和非质子极性溶剂如二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺和六甲基磷酰三胺。这些溶剂可以单独地或相互组合使用。此外，所述溶剂应当以按每100重量份的萘酚(或其衍生物)和醛化合物的总量计0至2,000重量份(优选10至2,000重量份)的量使用。
用于上述缩聚反应的酸催化剂包括例如无机酸如盐酸、氢溴酸、硫酸、硝酸、磷酸和杂多酸；有机酸如草酸、三氟乙酸、甲磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸和三氟甲磺酸；和路易斯酸如三氯化铝、乙氧基铝、异丙氧基铝、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、四氯化锡、四溴化锡、二丁基二氯化锡、二丁基二甲氧基锡、二丁基氧化锡、四氯化钛、四溴化钛、甲氧基钛(IV)、乙氧基钛(IV)、异丙氧基钛(IV)和氧化钛(IV)。
用于上述缩聚反应中的碱催化剂包括例如无机碱如氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、氢化锂、氢化钠、氢化钾和氢化钙；烷基金属如甲基锂、正丁基锂、甲基氯化镁和乙基溴化镁；烷氧化物如甲醇钠、乙醇钠和叔丁醇钾；和有机碱如三乙胺、二异丙基乙基胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶和4-二甲基氨基吡啶。
催化剂应当以按每100重量份的萘酚(或其衍生物)和醛化合物的总量计0.001至100重量份(优选0.005至50重量份)的量使用。反应温度在-50℃至溶剂的沸点(优选室温至100℃)的范围内。
缩聚反应可以通过向反应器一次全部装入萘酚(或其衍生物)、醛和催化剂，或通过将萘酚(或其衍生物)和醛在催化剂存在下滴加至反应器而完成。
萘酚(或其衍生物)和醛化合物应当以这样的量使用，使得后者比前者的摩尔比为0.01至5，优选0.05至2，更优选0.05至1，且最期望的是0.1至0.9。
在完成缩聚反应之后，清洁反应器的残留未反应的催化剂和原料。该清洁通过在减压(例如1至50mmHg)下在直至130℃至230℃充分加热以除去挥发性组分。前述步骤可以被所产生的聚合物的分级(这通过添加水或足够溶剂实现)，或被所产生的聚合物的再沉淀(这通过将聚合物溶于良溶剂实现)替换。应当根据反应产物的性质选择适当的工序。
树脂A应当具有500至500,000，优选1,000至100,000的重均分子量(Mw)。上述聚合物应当优选具有在1.2至20范围内的分散度。应当从聚合物清除单体组分、低聚物组分和低分子量组分(具有低于500的Mw)，从而其具有有限量的在烘焙期间挥发的挥发性组分。这保护烘焙杯周围和表面免受挥发性物质的缩合物的污染和缺陷。顺便提及，本发明中的Mw以通过使用THF作为溶剂的凝胶渗透色谱法(GPC)测量的相对于聚苯乙烯的转换值来表示。
树脂B出于其用途的观点应当优选为有机硅树脂；即将其用于将特性彼此不同的透明衬底(如玻璃)和硅晶片结合在一起。树脂B的最期望的实例为酚改性的有机硅树脂，其含有由以下式(2)表示的重复单元和任选的由以下式(3)表示的重复单元。
在式(2)和(3)中，R5至R8独立地为具有1至8个碳原子的一价烃基；m为1至100的整数；A和B为满足0＜A≤1，0≤B＜1和A+B＝1的正数；Y为由以下式(4)表示的二价有机基团。
在式(4)中，Z为单键或选自以下式的二价有机基团，
R9和R10独立地为具有1至4个碳原子的直链、支链或环状的烷基或为直链、支链或环状的烷氧基；和k为0、1或2。
酚改性的有机硅树脂应当为具有在3,000至500,000，优选10,000至100,000范围的Mw的那些。
酚改性的有机硅树脂可以根据JP-A 2013-110391中所公开的方法合成。
粘合剂组合物应当含有按每100重量份的树脂A计100至500重量份(优选120至400重量份、更优选150至300重量份)量的树脂B。上文列出的树脂B的量对于合理的涂层膜而言是足够的而没有开裂并且容易从载体剥落。
树脂B还应当含有30至70重量％的量的硅氧烷单元。此外，粘合剂层应当含有优选20至50重量％的量的衍生自树脂B的硅氧烷。该量对于粘合剂层充分地遮光和提供载体与晶片之间的良好结合而言是令人满意的。
粘合剂组合物应当优选含有交联剂，其通过热反应产生交联。交联剂包括例如环氧化合物、环氧树脂和氨基树脂(如羟甲基三聚氰胺)，其在分子中具有至少两个官能团。添加催化剂剂对于交联剂快速地使聚合物交联(如上文所述)是可取的。
上述环氧化合物或环氧树脂包括二官能、三官能、四官能和多官能的那些。它们的一些实例列于下文。EOCN-1020(由下式表示)、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000(可得自Nippon Kayaku Co.,Ltd.)以及由下式表示的那些。
待用作交联剂的前述环氧化合物或环氧树脂应当按每100重量份的组合在一起的树脂A和树脂B计以0.1至50重量份(优选0.1至30重量份，且更优选1至30重量份)的量添加。可以使用一种或多于一种交联剂。以上文列出的量添加的交联剂将会提供足够的交联密度并且产生的固化产物令人满意地起作用。
在将上述环氧树脂用作交联剂的情况下，期望添加起催化剂作用的固化促进剂。环氧树脂固化促进剂允许固化反应充分和均匀地进行。
环氧树脂固化促进剂包括例如咪唑化合物如2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑，其氰酸乙酯化合物、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑和2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑；DBU化合物如1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一烯-7(DBU)、1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬烯-5(DBN)、DBU的有机酸盐、DBU的酚树脂盐和DBU的四苯基硼酸盐衍生物；三有机基膦如三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(对甲氧基苯基)膦、三(对乙氧基苯基)膦、三苯基膦三苯基硼酸盐和四苯基膦四苯基硼酸盐；季鏻盐；叔胺(如三乙基铵三苯基硼酸盐)；及其四苯基硼酸盐。环氧树脂固化促进剂可以单独地或以两种或更多种的组合使用。
环氧树脂固化促进剂应当按每100重量份的树脂A和树脂B的总量计以0.1至10重量份(优选0.2至5重量份)的量添加。
待用于本发明中的氨基树脂(如羟甲基三聚氰胺)包括选自包括以下物质的组中的至少一种类型的化合物：用福尔马林或福尔马林-醇改性的氨基缩合物和其分子中具有(平均)至少两个羟甲基或烷氧基羟甲基的酚化合物。
氨基树脂应当为具有150至10,000(优选200至3,000)范围内的Mw的那些。具有上文列出的Mw的氨基树脂引起粘合剂组合物令人满意地固化和产生具有良好耐热性的固化产物。
用福尔马林或福尔马林-醇改性的氨基化合物包括例如用福尔马林或福尔马林-醇改性的三聚氰胺缩合物，和用福尔马林或福尔马林-醇改性的脲缩合物。
上述福尔马林或福尔马林-醇改性的三聚氰胺缩合物可以通过任意已知的方法制备，如包括将三聚氰胺单体用福尔马林转变成羟甲基(或任选地进一步用醇转变成烷氧基)的方法。所产生的改性的三聚氰胺由下式表示。顺便提及，上文刚提及的所述醇应当优选为低级醇，如具有1至4个碳原子的醇。
在上述式中，R11至R16独立地为羟甲基，包含具有1至4个碳原子的直链、支链或环状烷氧基的烷氧基甲基或氢原子，条件是它们的至少一个为羟甲基或烷氧基甲基。
前述改性的三聚氰胺的实例包括例如三甲氧基甲基单羟甲基三聚氰胺、二甲氧基甲基单羟甲基三聚氰胺、三羟甲基三聚氰胺、六羟甲基三聚氰胺和六甲氧基羟甲基三聚氰胺。使由此获得的经改性的三聚氰胺或低聚物(例如二聚体或三聚体)与甲醛以对于缩聚常规的方式反应，从而所产生的反应产物具有期望的分子量。因此获得用福尔马林或福尔马林-醇改性的三聚氰胺缩合物。顺便提及，可以将改性的三聚氰胺或其缩合物的至少一种用作交联剂。
用福尔马林或福尔马林-醇改性的脲缩合物可以已知的方式通过如下制备：通过用福尔马林改性将(期望的分子量的)脲缩合物转变成羟甲基和通过用醇改性使产生的羟甲基进一步烷氧基化。
改性的脲缩合物的实例包括甲氧基甲基化的脲缩合物、乙氧基甲基化的脲缩合物和丙氧基甲基化的脲缩合物。可以使用它们的至少一种。
在一个分子中平均具有至少两个羟甲基或烷氧基羟甲基的酚化合物的实例包括(2-羟基-5-甲基)-1,3-苯二甲醇和2,2’,6,6’-四甲氧基甲基双酚A。
上述氨基缩合物或酚化合物可以单独地或以彼此的组合使用。
交联剂可以按每100重量份树脂A和树脂B的总量计以0.1至50重量份，优选1至30重量份的量使用。这些量对于粘合剂化合物完全固化成完美地起作用的硬化的产物而言是足够的。
氨基树脂如羟甲基三聚氰胺应当优选作为交联剂与作为催化剂的热致产酸剂组合使用。该热致产酸剂的实例没有特别限制；典型的实例为由下式表示的铵盐。
在上述式中，R17至R20独立地为氢原子；具有1至12个碳原子的直链、支链或环状烷基或氧代烷基；具有2至12个碳原子的直链、支链或环状烯基或氧代烯基；具有6至20个碳原子的芳基；或具有7至12个碳原子的芳烷基或芳基氧代烷基；其可以具有其中部分或完全用烷氧基取代的氢原子。R17至R20中选择的两个可以与其所连接的氮原子形成环；所述环可以为具有3至10个碳原子的在环中具有氮原子的脂族环或具有5至10个碳原子的在环中具有氮原子的复杂芳族环。X-为其中至少一个α-位被氟化的磺酸的任一种，或全氟代烷基亚胺酸或全氟代甲烷化酸(methide acid)。
X-的实例包括全氟烷烃磺酸阴离子(如三氟甲磺酸根阴离子和九氟丁磺酸根阴离子)；其中至少一个α-位被氟取代的磺酸根阴离子；酰亚胺阴离子(如双(三氟甲基磺酰)亚胺阴离子、双(全氟乙基磺酰)亚胺阴离子和双(全氟丁基磺酰)亚胺阴离子)；甲基化物(methanide)阴离子(如三(三氟甲基磺酰基)甲烷阴离子(tris(trifluoromethylsulfonyl)methanide anion)和三(全氟乙基磺酰基)甲烷阴离子)(tris(perfluoroethylsulfonyl)methanide anion)。
热致产酸剂应当按每100重量份的组合在一起的树脂A和树脂B计以0.1至15重量份，优选0.2至10重量份的量添加。这些量对于粘合剂化合物完全固化和具有良好的储存稳定性而言是足够的。
上述粘合剂组合物可以任选地含有任意溶剂，其实例包括酮如环己酮、环戊酮和甲基-2-正戊基酮；醇如3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇和1-乙氧基-2-丙醇；醚如丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚、丙二醇二甲醚和二乙二醇二甲醚；和酯如丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸叔丁酯、丙酸叔丁酯、丙二醇单叔丁基醚乙酸酯和γ-丁内酯。这些溶剂可以单独地或以两种或更多种的组合使用。溶剂可以按每100重量份的组合在一起的树脂A和树脂B计100至5,000重量份，优选150至2,500重量份的量使用。
顺便提及，粘合剂组合物可以以不含溶剂的膜的形式使用。
上述粘合剂组合物可以任选地含有表面活性剂和抗氧化剂用于改进耐热性。
表面活性剂的实例包括，但不限于聚氧亚乙基烷基醚如聚氧亚乙基月桂基醚、聚氧亚乙基硬脂基醚、聚氧亚乙基鲸蜡基醚和聚氧亚乙基油烯基醚；聚氧亚乙基烷基芳基醚如聚氧亚乙基辛基酚醚和聚氧亚乙基壬基酚醚；聚氧亚乙基-聚氧亚丙基嵌段共聚物；失水山梨醇脂肪酸酯如失水山梨醇单月桂酸酯、失水山梨醇单棕榈酸酯和失水山梨醇单硬脂酸酯；聚氧亚乙基失水山梨醇三油酸酯脂肪酸酯如聚氧亚乙基失水山梨醇单月桂酸酯、聚氧亚乙基失水山梨醇单棕榈酸酯、聚氧亚乙基失水山梨醇单硬脂酸酯、聚氧亚乙基失水山梨醇三油酸酯和聚氧亚乙基失水山梨醇三硬脂酸酯，其为聚氧亚乙基失水山梨醇脂肪酸酯的非离子型表面活性剂；氟系表面活性剂如(EF301、EF303和EF352，来自ＴohkemProducts Corporation)，/>(F171、F172和F173，来自DIC Corporation)，(FC430和FC431，来自3M Japan Limited)，Asahi Guard AG710，/>S-381、S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105和SC106)，/>E1004、KH-10、KH-20、KH-30和KH-40，来自Asahi Glass Co.,Ltd；有机硅氧烷聚合物KP341、X-70-092、X-70-093和X-70-1102，来自Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd；和丙烯酸系或甲基丙烯酸系Polyflow第75号和第95号(来自Kyoei Kagaku Kogyo)。这些表面活性剂可以单独地或互相组合使用。
抗氧化剂应当优选为至少一种类别：受阻酚化合物、受阻胺化合物、有机磷化合物和有机硫化合物。
受阻酚化合物的优选的实例包括，但不限于1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)苯(TM：IRGANOX 1330)、2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚(TM：Sumilizer GHT)、2,5-二叔丁基-氢醌(TM：Nocrac NS-7)、2,6-二叔丁基-4-乙基苯酚(TM：Nocrac M-17)、2,5-二叔戊基氢醌(TM：Nocrac DAH)、2,2’-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)(TM：NocracNS-6)、3,5-二叔丁基-4-羟基-苄基膦酸二乙酯(TM：IRGANOX 1222)、4,4-硫双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)(TM：Nocrac 300)、2,2’-亚甲基双(4-乙基-6-叔丁基苯酚)(TM：Nocrac NS-5)、4,4-亚丁基双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)(TM：Adkstab A0-40)、2-叔丁基-6-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯(TM：Sumilizer 6M)、2-[1-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)乙基]-4,6-二叔戊基苯基丙烯酸酯(TM：Sumilizer GS)、2,2’-亚甲基双[4-甲基-6-(α-甲基-环己基)苯酚]、4,4’-亚甲基双(2,6-二叔丁基苯酚)(TM：Seenox 226M)、4,6-双(辛基硫甲基)-邻甲酚(TM：IRGANOX 1520L)、2,2’-亚乙基双(4,6-二叔丁基苯酚)、十八烷基-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯(TM：IRGANOX 1076)、1,1,3-三(2-甲基-4-羟基-5-叔丁基苯基)丁烷(TM：Adkstab A0-30)、四[亚甲基-(3,5-二叔丁基-4-羟基氢化肉桂酸酯)]甲烷(TM：Adkstab A0-60)、三亚乙基二醇双[3-(3-叔丁基-5-甲基-4-羟基苯基)丙酸酯](TM：IRGANOX 245)、2,4-双(正辛基硫)-6-(4-羟基-3,5-二叔丁基苯胺基)-1,3,5-三嗪(TM：IRGANOX 565)、N,N’-六亚甲基双(3,5-二叔丁基-4-羟基-羟基肉桂酰胺)(TM：IRGANOX 1098)、1,6-己二醇-双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯](TM：IRGANOX259)、2,2-硫-二亚乙基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯](TM：IRGANOX 1035)、3,9-双[2-[3-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酰氧基]1,1-二甲基乙基]2,4,8,10-四氧杂螺[5.5]十一烷(TM：Sumilizer GA-80)、三(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)异氰脲酸酯(TM：IRGANOX 3114)、双(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基磺酸乙基)钙/聚乙烯蜡混合物(50:50)(TM：IRGANOX 1425WL)、异辛基-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯(TM：IRGANOX 1135)、4,4’-硫双(6-叔丁基-3-甲基苯酚)(TM：Sumilizer WX-R)和6-[3-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四叔丁基苯并[d,f][1,3,2]二氧杂磷杂(TM：Sumilizer GP)。
受阻胺化合物的优选的实例包括，但不限于p,p’-二辛基二苯基胺(TM：IRGANOX5057)、苯基-α-萘基胺(TM：Nocrac PA)、聚(2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉)(TM：Nocrac224、224-S)、6-乙氧基-2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉(TM：Nocrac AW)、N,N’-二苯基-对亚苯基二胺(TM：Mocrac DP)、N,N’-二-β-萘基-对亚苯基二胺(TM：Nocrac white)、N-苯基-N’-异丙基-对亚苯基二胺(TM：Nocrac 810NA)、N,N’-二烯丙基-对亚苯基二胺(TM：NonflexTP)、4,4’-(α,α’-二甲基苄基)二苯基胺(TM：Nocrac CD)、p,p-甲苯磺酰氨基二苯基胺(TM：Nocrac TD)、N-苯基-N’-(3-甲基丙烯酰氧基-2-羟丙基)-对亚苯基二胺(TM：Nocrac G1)、N-(1-甲基庚基)-N’-苯基-对亚苯基二胺(TM：Ozonon 35)、N,N’-二仲丁基-对亚苯基二胺(TM：Sumilizer BPA)、N-苯基-N’-1,3-二甲基丁基-对亚苯基二胺(TM：Antigene 6C)、烷基化的二苯基胺(TM：Sumilizer 9A)、琥珀酸二甲酯-1-(2-羟基乙基)-4-羟基-2,2,6,6-四甲基哌啶缩聚物(TM：Tinuvin 622LD)、聚[[6-(1,1,3,3-四甲基丁基)氨基-1,3,5-三嗪-2,4-二基][(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基]六亚甲基[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基]](TM：CHIMASSORB 944)、N,N’-双(3-氨基丙基)乙二胺-2,4-双[N-丁基-N-(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)氨基]-6-氯-1,3-5-三嗪缩合物(TM：CHIMASSORB 119FL)、双(1-辛氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(TM：TINUVIN 123)、双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(TINUVIN 770)、2-(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)-2-正丁基丙二酸双(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)(TM：TINUVIN 144)、双(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)1,2,3,4-丁烷四甲酸酯(TM：LA-57)、四(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)1,2,3,4-丁烷四甲酸酯(TM：LA-52)、由1,2,3,4-丁烷四甲酸和1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶醇和1-十三醇组成的酯化合物的混合物(TM：LA-62)、由1,2,3,4-丁烷四甲酸和2,2,6,6-四甲基-4-哌啶醇和1-十三醇组成的酯化合物的混合物(TM：LA-67)、由1,2,3,4-丁烷四甲酸和1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶醇和3,9-双(2-羟基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧杂螺[5.5]十一烷组成的酯化合物的混合物(TM：LA-63P)、由1,2,3,4-丁烷四甲酸和2,2,6,6-四甲基-4-哌啶醇和3,9-双(2-羟基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧杂螺[5.5]十一烷组成的酯化合物的混合物(TM：LA-68LD)、(2,2,6,6-四亚甲基-4-哌啶基)-2-亚丙基甲酸酯(TM：Adkstab LA-82)和(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-2-亚丙基甲酸酯(TM：Adkstab LA-87)。
有机磷化合物的实例包括，但不限于双(2,4-二叔丁基苯基)[1,1-联苯]-4,4’-二基双亚磷酸酯、9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(TM：SANKO-HCA)、亚磷酸三甲酯(TM：JP302)、亚磷酸三正丁酯(TM：JP304)、亚磷酸三苯酯(TM：Adkstab TPP)、亚磷酸二苯基单辛酯(TM：Adkstab C)、亚磷酸三(对甲苯基)酯(TM：Chelex-PC)、亚磷酸二苯基单癸酯(TM：Adkstab 135A)、亚磷酸二苯基单(十三烷基)酯(TM：JPM313)、亚磷酸三(2-乙基己基)酯(TM：JP308)、亚磷酸苯基癸基酯(TM：Adkstab517)、亚磷酸三癸酯(TM：Adkstab 3010)、四苯基二丙二醇二亚磷酸酯(TM：JPP100)、双(2,4-二叔丁基苯基)季戊四醇二亚磷酸酯(TM：AdkstabPEP-24G)、亚磷酸三(十三烷基)酯(TM：JP338E)、双(壬基苯基)季戊四醇二亚磷酸酯(TM：Adkstab PEP-4C)、双(2,6-二叔丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二亚磷酸酯(TM：Adkstab PEP-36)、双[2,4-二(1-苯基异丙基)苯基]季戊四醇二亚磷酸酯(TM：AdkstabPEP-45)、亚磷酸三月桂基三硫代酯(TM：JPS312)、亚磷酸三(2,4-二叔丁基苯基)酯(TM：IRGAFOS 168)、亚磷酸三(壬基苯基)酯(TM：Adkstab 1178)、二硬脂基季戊四醇二亚磷酸酯(TM：Adkstab PEP-8)、亚磷酸三(单，二壬基苯基)酯(TM：Adkstab 239K)、亚磷酸三油烯基酯(TM：Chelex-0L)、亚磷酸三硬脂基酯(TM：JP318E)、4,4’-亚丁基双(3-甲基-6-叔丁基苯基十三烷基)亚磷酸酯(TM：JPH1200)、四(具有12至15个碳原子的混合烷基)-4,4’-亚异丙基二苯基二亚磷酸酯(TM：Adkstab 1500)、四(十三烷基)-4,4’-亚丁基双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)二亚磷酸酯(TM：Adkstab 260)、六(十三烷基)-1,1,3-三(2-甲基-5-叔丁基-4-羟基苯基)丁烷三亚磷酸酯(TM：Adkstab 522A)、氢化双酚A亚磷酸酯聚合物(HBP)、四(2,4-二叔丁基苯氧基)-4,4-亚联苯基二膦(TM：P-EPQ)、四(2,4-二叔丁基-5-甲基苯氧基)-4,4-亚联苯基二膦(TM：GSY-101P)、2-[[2,4,8,10-四(1,1-二甲基乙基)苯并[d,f][1,3,2]二氧杂磷杂-6-基]氧基]-N,N-双[2-[[2,4,8,10-四(1,1-二甲基乙基)苯并[d,f][1,3,2]二氧杂磷杂/>-6-基]氧基]乙基]乙胺(TM：IRGAFOS 12)和2,2’-亚甲基双(4,6-二叔丁基苯基)辛基亚磷酸酯(TM：Adkstab HP-10)。
前述有机硫化合物的实例包括，但不限于二月桂基-3,3-硫代二丙酸酯(TM：Sumilizer TPL-R)、二肉豆蔻基-3,3-硫代二丙酸酯(TM：Sumilizer TPM)、二硬脂基-3,3’-硫代二丙酸酯(TM：Sumilizer TPS)、季戊四醇-四(3-月桂基硫代丙酸酯)(TM：SumilizerTP-D)、二(十三烷基)-3,3’-硫代二丙酸酯(TM：Sumilizer TL)、2-巯基苯并咪唑(TM：Sumilizer MB)、二(十三烷基)-3,3’-硫代二丙酸酯(TM：Adkstab A0-503A)、1,3,5-三-β-硬脂基硫代丙酰氧基乙基异氰脲酸酯、3,3’-硫代双丙酸二(十二烷基)酯(TM：IRGANOX PS800FL)和3,3’-硫代双丙酸二(十八烷基)酯(TM：IRGANOX PS 802FL)。
优选的前述抗氧化剂为四[亚甲基-(3,5-二叔丁基-4-羟基氢化肉桂酸酯)]甲烷。前述抗氧化剂应当按每100重量份的组合在一起的树脂A和树脂B计以0.5至5重量份，优选1至3重量份的量使用。任意上文列出的量的抗氧化剂将会产生令人满意的耐热性的效果并且显示出良好的混溶性。它们可以单独地或相互组合使用。
可以向前述粘合剂组合物引入任意已知填料如二氧化硅，以改进其耐热性。填料的量按每100重量份的组合在一起的树脂A和树脂B计将为至多50重量份。
在前述粘合剂组合物为溶液形式的情况下，可以通过旋涂、辊涂、模涂、印刷或浸涂的任一种方法将其施涂至载体。取决于溶剂的挥发性，该涂布步骤之后为在80℃至200℃，优选100℃至180℃预烘焙。在溶剂蒸发之后，获得粘合剂组合物层。
在粘合剂组合物为膜形式的情况下，可以通过层合将其施涂至载体，从而在载体上形成粘合剂组合物层。
随后使上述在载体上形成的粘合剂组合物的层经历加热以固化。产生的固化的层起粘合剂层的作用。该固化反应可以在已形成晶片层合体之后实现。在该情况下，允许粘合剂组合物的层保持未固化，直至之后完全加热晶片层合体。
在载体或晶片上形成的粘合剂层应当具有1至150μm，优选5至100μm的厚度。上文列出的厚度对于遮光和粘合强度是足够的并且其适合于结合的晶片保持平坦表面。
粘合剂层还起遮光层的作用，其中光(具有355nm的波长)的透射率为至多20％，优选至多18％，且更优选至多15％。此外，粘合剂层应当具有吸光度，从而最大吸收波长为300至500nm，优选300至400nm。此外，粘合剂层应当优选对在300至500nm范围内的波长具有至多20％的透射率。
用于制备晶片层合体的方法
根据本发明，用于制备晶片层合体的方法包括以下步骤(a)至(c)。
步骤(a)
步骤(a)意在形成在载体上或晶片的形成电路的一面上形成粘合剂组合物的层。在粘合剂组合物为溶液形式的情况下，应当通过旋涂、辊涂等将其施涂至载体，取决于溶剂的挥发性，之后是在80℃至200℃，优选100℃至180℃预烘焙。预烘焙使溶剂蒸发，由此形成粘合剂组合物的层。在粘合剂组合物为膜形式的情况下，应当通过层合将其施涂至载体，从而形成粘合剂组合物的层。
步骤(b)
步骤(b)意在在减压下将粘合剂组合物的层结合至载体或晶片的在其上形成电路的一侧。减压应当为1至100Pa，优选3至80Pa。此外，该步骤应当在40℃至200℃，优选60℃至180℃的温度进行。结合应当在上文列出的条件下进行，其中均匀地压制载体或晶片。
步骤(c)
步骤(c)意在在步骤(b)中制备的结合的晶片层合体上已形成的粘合剂组合物的层上进行热固化。热固化形成粘合剂层。出于该目的，应当将上述制备的晶片层合体在120℃至220℃，优选150℃至200℃加热十分钟至四小时，优选30分钟至两小时。
将上文已提及的载体、粘合剂层和晶片(在其表面上具有电路)结合在一起以形成晶片层合体。
用于制备薄晶片的方法
对通过上述方法获得的晶片层合体应当将其表面(在其上没有形成电路)研磨以制备薄晶片。
对于通过背面研磨而已被减薄的晶片层合体使其侧面(在其上没有形成电路)经过各种加工，从而将其变成期望的薄晶片层合体。该目的通过使用通常用于晶片制造的各种方法实现。这样的方法包括形成电极、金属布线和保护性膜。这样的目的通过金属溅射(以形成电极)、湿法蚀刻(通过金属溅射在形成的层上)、抗蚀剂施涂(以形成用于金属布线的掩模)、图案化(通过曝光和显影)、抗蚀剂剥离、干法蚀刻、金属镀、硅蚀刻(以形成TSV)和形成氧化物膜(在硅表面上)来实现。
可以通过用355nm的激光束辐照从晶片层合体剥落薄晶片。
实施例
本发明将在下文更详细地参考描述合成例、制备例、实施例和比较例进行描述，但并不意在限制其范围。顺便提及，本发明中的重均分子量(Mw)以通过使用THF作为溶剂的GPC测量的相对于聚苯乙烯的转换值来表示。用于以下实施例中的化合物命名为M-1至M-4，其通过以下式表示。
[1]树脂的合成
合成例1
以如下方式制备树脂A1的样品。向1,000-mL烧瓶装入1,5-二羟基萘(80g或0.50mol)、2-羟基-6-萘甲醛(51.6g或0.30mol)和乙二醇单甲醚(145g)。在70℃搅拌下向烧瓶提供20g含有20重量％的对甲苯磺酸甲酯的乙二醇单乙醚溶液。在85℃继续搅拌六小时。在冷却至室温之后，将内容物用800mL乙酸乙酯稀释。将经稀释的溶液转移至分液漏斗并用200mL去离子水重复洗涤以除去反应催化剂和金属杂质。在减压下浓缩所产生的溶液并且向残余物提供600mL乙酸乙酯。向所产生的溶液提供2,400mL己烷，从而使所产生的聚合物沉淀。通过过滤回收聚合物沉淀并且随后在减压下干燥。因此获得树脂A1的样品，其包括由以下式表示的重复单元。发现树脂A1具有3,200的Mw和2.44的分散度(Mw/Mn)。
合成例2
以如下方式制备树脂A2的样品。向1,000-mL烧瓶装入1,5-二羟基萘(80g或0.50mol)、多聚甲醛(9.0g或0.30mol)和乙二醇单甲醚(145g)。在70℃搅拌下向烧瓶提供20g含有20重量％的对甲苯磺酸甲酯的乙二醇单乙醚溶液。在85℃继续搅拌六小时。在冷却至室温之后，将内容物用800mL乙酸乙酯稀释。将经稀释的溶液转移至分液漏斗并用200mL去离子水重复洗涤以除去反应催化剂和金属杂质。在减压下浓缩所产生的溶液并且向残余物提供600mL乙酸乙酯。向所产生的溶液提供2,400mL己烷，从而使所产生的聚合物沉淀。通过过滤回收聚合物沉淀并且随后在减压下干燥。因此获得树脂A2的样品，其包括由以下式表示的重复单元。发现树脂A2具有1,500的Mw和2.20的分散度(Mw/Mn)。
比较合成例1
以如下方式制备树脂A3的样品。向1,000-mL烧瓶装入2-甲基羟基苯(32.4g或0.30mol)、2-羟基-6-萘甲醛(51.6g或0.30mol)和乙二醇单甲醚(145g)。在70℃搅拌下向烧瓶提供20g含有20重量％的对甲苯磺酸甲酯的乙二醇单乙醚溶液。在85℃继续搅拌六小时。在冷却至室温之后，将内容物用800mL乙酸乙酯稀释。将经稀释的溶液转移至分液漏斗并用200mL去离子水重复洗涤以除去反应催化剂和金属杂质。在减压下浓缩所产生的溶液并且向残余物提供600mL乙酸乙酯。向所产生的溶液提供2,400mL己烷，从而使所产生的聚合物沉淀。通过过滤回收聚合物沉淀并且随后在减压下干燥。因此获得树脂A3的样品，其包括由以下式表示的重复单元。发现树脂A3具有2,100的Mw和1.58的分散度(Mw/Mn)。
合成例3
以如下方式制备树脂B1的样品。向配备有搅拌器、温度计、氮气置换单元和回流冷凝器的烧瓶装入酚化合物(M-1)(43.1g)、化合物(M-2)(29.5g)、甲苯(126g)和氯铂酸(0.04g)。在至多80℃加热之后，在一小时内向烧瓶滴入化合物(M-3)(11.4g)。在该步骤期间，烧瓶内的温度升至85℃。该步骤之后是在80℃熟化两小时。通过蒸馏使反应产物释放甲苯。向所产生的残余物提供200mL甲基异丁基酮(MIBK)。向所产生的溶液提供2,000mL甲醇，从而使产生的聚合物沉淀。通过过滤回收聚合物沉淀，然后在减压下干燥。因此获得树脂B1的样品，发现其具有45,000的Mw。
合成例4
以如下方式制备树脂B2的样品。向配备有搅拌器、温度计、氮气置换单元和回流冷凝器的烧瓶装入酚化合物(M-1)(43.1g)、化合物(M-2)(29.5g)、甲苯(134g)和氯铂酸(0.04g)。在至多80℃加热之后，在一小时内向烧瓶滴入化合物(M-4)(14.6g)。在该步骤期间，烧瓶内的温度升至83℃。该步骤之后是在80℃熟化两小时。通过蒸馏使反应产物释放甲苯。向所产生的残余物提供200mL的MIBK。向所产生的溶液提供2,000mL甲醇，从而使产生的聚合物沉淀。通过过滤回收聚合物沉淀，然后在减压下干燥。因此获得树脂B2的样品，发现其具有34,000的Mw。
比较合成例2
以如下方式制备树脂B3的样品。向配备有搅拌器、温度计、氮气置换单元和回流冷凝器的烧瓶装入酚化合物(M-1)(43.1g)、甲苯(92g)和氯铂酸(0.04g)。在至多80℃加热之后，在一小时内向烧瓶滴入化合物(M-4)(18.5g)。在该步骤期间，烧瓶内的温度升至82℃。该步骤之后是在80℃熟化两小时。通过蒸馏使反应产物释放甲苯。向所产生的残余物提供200mL的MIBK。向所产生的溶液提供2,000mL甲醇，从而使产生的聚合物沉淀。通过过滤回收聚合物沉淀，然后在减压下干燥。因此获得树脂B3的样品，发现其具有20,000的Mw。
比较合成例3
以如下方式制备树脂B4的样品。向配备有搅拌器、温度计、氮气置换单元和回流冷凝器的烧瓶装入酚化合物(M-1)(10.8g)、甲苯(123g)和氯铂酸(0.04g)。在至多80℃加热之后，在一小时内向烧瓶滴入化合物(M-2)(71.4g)。在该步骤期间，烧瓶内的温度升至81℃。该步骤之后是在80℃熟化两小时。通过蒸馏使反应产物释放甲苯。向所产生的残余物提供200mL的MIBK。向所产生的溶液提供2,000mL甲醇，从而使产生的聚合物沉淀。通过过滤回收聚合物沉淀，然后在减压下干燥。因此获得树脂B4的样品，发现其具有25,000的Mw。
[2]粘合剂组合物的制备
制备例1至5和比较制备例1至3
将树脂A1至A3的任一个与树脂B1至B4的任一个以表1中示出的比例混合，从而使得总量为100g。向所产生的混合物的每一个引入以下成分，其量示于表1中。
交联剂：环氧交联剂(TM：EOCN-1020，来自Nippon Kayaku Co.,Ltd.)
硬化催化剂：双(叔丁基磺酰基)重氮甲烷(TM：BSDM，来自Wako Pure ChemicalIndustries Ltd.)
抗氧化剂：四[亚甲基-(3,5-二叔丁基-4-羟基氢化肉桂酸酯)]甲烷(TM：AdkstabA0-60)
溶剂：环己酮
在通过膜过滤器(1μm)过滤之后，获得粘合剂组合物A至H。
表1
[3]晶片层合体的制备和评价
实施例1至5和比较例1至3
通过旋涂将粘合剂组合物A至H的每一个施涂至200mm直径和500μm厚度的玻璃板上。将经涂布的玻璃板在热板上在150℃加热五分钟。因此获得涂布有粘合剂组合物的层的玻璃板，所述层具有如表2中所示的厚度。
以这样的方式将经涂布的玻璃板置于200mm直径和725μm厚的硅晶片上，使得粘合剂组合物的层朝向在其整个表面上支持有各自测量为10μm高度和40μm直径的铜柱的晶片的一面。该步骤通过使用真空层合机(EVG520IS，由EVG Group制造)在以下条件下完成。
气氛的压力：至多0.1Pa
温度：如表2中所示。
负载：5kN
因此获得晶片层合体。
如下检验晶片层合体(包括结合在一起的硅晶片和玻璃板)的性能。结果示于表2中。评价的项目如下所示。
(1)结合强度
玻璃板与硅晶片之间的结合通过使用晶片层合机(EVG520IS，来自EVG Group)在以下条件下完成。
结合温度：如表2中所示
结合腔室中的压力：至多0.1Pa
负载：5kN
持续时间：一分钟
在结合之后，将层合体在烘箱中在180℃加热一小时，从而使粘合剂组合物的层固化。在冷却至室温之后，通过目视观察或通过光学显微镜检查界面的结合。如果未发现异常(如起泡)，则将结合评级为好(O)，并且如果发现任何异常，则将结合评级为差(X)。
(2)耐背面研磨性
使用金刚石磨石(DAG810，来自DISCO Corporation)研磨硅晶片的背面。进行研磨，从而使晶片的厚度降低至50μm。通过光学显微镜(×100)检查晶片的异常(如开裂或剥离)。如果未发现异常，则将研磨评级为好(O)，并且如果发现任何异常，则将研磨评级为差(X)。
(3)CVD耐受性
将已经历背面研磨硅晶片之后的层合体置于CVD设备中以沉积SiO2膜(2μm厚)。检查硅晶片外观上的异常。如果在外观上未发现异常(如晶片破裂)，则将硅晶片在CVD耐受性方面评级为好(O)，并且如果在外观上发现任何异常(如空隙、隆起或破裂)，将硅晶片评级为差(X)。CVD耐受性测试在以下条件下进行。
设备：等离子体CVD，PD270STL(由Samco Inc.制造)
RF：500W
内部压力：40Pa
TEOS(原硅酸四乙酯):O2＝20sccm∶680sccm
(4)载体的可分离性
以如下方式测试载体的可分离性。使用切割框用切割胶带部分粘贴已经历CVD耐受性测试的减薄的晶片层合体的研磨面。然后将晶片层合体固定至抽吸垫，使得抽吸切割胶带所粘贴的那一侧。然后通过载体将晶片层合体用激光束(355nm)在整个表面上辐照。如果将晶片层合体分离而没有载体和晶片(研磨至50μm)破裂，则将晶片层合体在可分离性方面评级为好(O)，并且如果在分离期间出现任何异常(如开裂)，则将晶片层合体在可分离性方面评级为差(X)。
(5)粘合剂层的可剥离性
以如下方式测试粘合剂层的可剥离性。首先，将已经历载体的剥离测试的晶片层合体的粘合剂层用剥离胶带粘贴。接着拉起剥离胶带，从而使得从晶片剥落粘合剂层。如果剥落而没有破坏减薄的晶片(50nm厚)并且没有留下任何残余物，则在可剥离性方面将粘合剂层评级为好(O)；并且如果在剥离期间导致任何异常如开裂和残余物，则在可剥离性方面将粘合剂层评级为差(X)。
(6)剥离力
以如下方式测试粘合剂层的剥离所需的力。通过旋涂将粘合剂组合物的溶液施涂至硅晶片。将经涂布的晶片在热板上在150℃加热五分钟并且进一步在烘箱中在180℃加热一小时，从而使得晶片被具有如表2中所示的膜厚度的固化的粘合剂层覆盖。
将晶片的粘合剂层用五片聚酰亚胺胶带(150mm长和24mm宽)粘贴。除去未被聚酰亚胺胶带粘贴的粘合剂层的部分。通过翻转180°将粘合剂胶带以300mm/分钟的速率在120mm长度上剥离。使用由Shimadzu Corporation制造的AUTOGRAPH(AG-I)测量剥离所需的力。将五次测量的平均视为待剥离的粘合剂层所需的力。
(7)透光率
以如下方式测试粘合剂层的透光率。通过旋涂将粘合剂组合物的溶液施涂至玻璃板(500μm厚)上。将经涂布的玻璃板在热板上在150℃加热五分钟并且进一步在烘箱中在180℃加热一小时，从而使得玻璃板被具有0.3μm的膜厚度的固化的粘合剂层覆盖。通过使用分光光度计(U-4100，由Hitachi High-Tech Science Corporation制造)检验经固化的粘合剂层的光的透射(采用355nm的波长)。如果任何样品具有至多20％的透光率，则将其评级为好(O)，并且如果任何样品具有高于20％的透光率，则将其评级为差(X)。
表2
表2表明，实施例1至5产生了在临时粘合性和可剥离性方面的良好结果。相比之下，比较例1表明因为树脂B不含有硅氧烷，粘合剂膜在施加之后遭受开裂的结果。比较例2表明因为树脂B含有过量的硅氧烷，树脂A和树脂B的混合物彼此分离的结果。比较例3表明在激光辐照之后载体并不分离而是破裂的结果。顺便提及，在洗涤之后通过SEM-EDX检查实施例1至5中的晶片的表面，并且已发现它们被金属(如Ca、K、Na、Mg、Mn和Pb)的污染实际上可忽略不计。
同时，前述实施例意在仅阐释本发明，但并不限制本发明的范围。本发明在其范围内包括与其权利要求中描述的那些和将会产生如本发明将会产生的相同效果的那些基本上相同的任何技术理念。
尽管已对一些优选的实施方案进行了描述，但根据上述教导可对其进行许多变形和改变。因此可理解，在不脱离所附权利要求的范围的情况下可在具体描述以外实施本发明。
通过引用将日本专利申请第2016-199829号并入本文中。
尽管已对一些优选的实施方案进行了描述，但根据上述教导可对其进行许多变形和改变。因此可理解，在不脱离所附权利要求的范围的情况下可在具体描述以外实施本发明。

Claims (8)

1.晶片层合体，其包括载体、在载体上形成的粘合剂层和以使具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合在粘合剂层上的晶片，
其中粘合剂层为混合物的粘合剂组合物的固化产物，该混合物包含树脂A和树脂B，树脂A含有由下式(1)表示的重复单元并且具有500至500,000的重均分子量，树脂B含有硅氧烷骨架：
其中R1至R3独立地为氢原子、羟基或选自具有1至20个碳原子的直链、支链或环状烷基、具有1至15个碳原子的直链、支链或环状烷氧基和芳基的具有1至20个碳原子的一价有机基团，其中R1至R3的至少一个为羟基，R4为氢原子或选自其中一部分氢原子任选地被烷基、芳基、醛基团、卤素原子、硝基、腈基团或羟基取代的烷基、苯基、萘基、蒽基和降冰片基的具有1至30个碳原子的一价有机基团。
2.根据权利要求1所述的晶片层合体，其中所述粘合剂层对于具有355nm的波长的光具有至多20％的透射率。
3.根据权利要求1所述的晶片层合体，其中所述树脂B为酚改性的有机硅树脂，其包括由以下式(2)表示的重复单元和任选的由以下式(3)表示的重复单元并且具有3,000至500,000的重均分子量：
其中R5至R8独立地为具有1至8个碳原子的一价烃基；m为1至100的整数；A和B为满足0<A≤1，0≤B<1和A+B＝1的正数；Y为由以下式(4)表示的二价有机基团；
其中Z为单键或选自下式的二价有机基团，
R9和R10独立地为具有1至4个碳原子的直链、支链或环状烷基或为直链、支链或环状烷氧基；k为0、1或2。
4.根据权利要求1所述的晶片层合体，其中所述粘合剂组合物进一步包含交联剂。
5.根据权利要求1所述的晶片层合体，其中所述粘合剂组合物进一步包含有机溶剂。
6.用于制备根据权利要求1所述的晶片层合体的方法，所述方法包括：
(a)直接在载体上形成粘合剂层的步骤；
(b)在减压下将粘合剂层结合至晶片的形成电路的表面的步骤，和
(c)使粘合剂组合物的层经历热固化由此形成粘合剂层的步骤。
7.用于制备薄晶片的方法，其包括研磨或抛光通过权利要求6所述的方法获得的晶片层合体的步骤，在晶片的未形成电路的一面进行研磨或抛光。
8.粘合剂组合物，其是混合物，该混合物包含含有由以下式(1)表示的重复单元并且具有500至500,000的重均分子量的树脂和含有硅氧烷骨架的树脂：
其中R1至R3独立地为氢原子、羟基或选自具有1至20个碳原子的直链、支链或环状烷基、具有1至15个碳原子的直链、支链或环状烷氧基和芳基的具有1至20个碳原子的一价有机基团，其中R1至R3的至少一个为羟基，R4为氢原子或选自其中一部分氢原子任选地被烷基、芳基、醛基团、卤素原子、硝基、腈基团或羟基取代的烷基、苯基、萘基、蒽基和降冰片基的具有1至30个碳原子的一价有机基团。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
TWI776026B (zh) * 2018-06-04 2022-09-01 美商帕斯馬舍門有限責任公司 切割晶粒附接膜的方法
JP7035915B2 (ja) * 2018-09-03 2022-03-15 信越化学工業株式会社 薄型ウエハの製造方法
FR3086201B1 (fr) * 2018-09-24 2020-12-25 Commissariat Energie Atomique Procede de decapage d’un substrat par transfert d’un film superficiel de polymere thermoplastique
TWI724765B (zh) 2020-01-21 2021-04-11 達興材料股份有限公司 可雷射離型的組成物、其積層體和雷射離型方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5358980A (en) * 1991-10-03 1994-10-25 Shin-Etsu Chemical Company, Limited Naphthol novolac epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith
US6512031B1 (en) * 1999-04-15 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
CN101245231A (zh) * 2006-02-16 2008-08-20 信越化学工业株式会社 胶粘剂组合物、粘膜和生产半导体器件的方法
CN105470188A (zh) * 2014-09-26 2016-04-06 信越化学工业株式会社 晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法
CN107458042A (zh) * 2016-06-06 2017-12-12 信越化学工业株式会社 晶片层合体和制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2768088B2 (ja) * 1991-10-03 1998-06-25 信越化学工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
JP2000336248A (ja) * 1999-05-27 2000-12-05 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂組成物および電気積層板
EP1494073A3 (en) 2001-09-21 2005-04-06 Tamura Kaken Corporation Photosensitive resin composition and printed wiring board
JP2003177528A (ja) 2001-09-21 2003-06-27 Tamura Kaken Co Ltd 感光性樹脂組成物及びプリント配線板
JP5183076B2 (ja) * 2006-02-16 2013-04-17 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2013534721A (ja) 2010-06-16 2013-09-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ウェーハ支持システム用の変換層を加熱するために光学的調整を施した金属化光
US8965295B2 (en) 2011-10-19 2015-02-24 Marvell World Trade Ltd. Systems and methods for suppressing interference in a signal received by a device having two or more antennas
WO2013059566A1 (en) 2011-10-20 2013-04-25 Marvell World Trade Ltd. Systems and methods for suppressing interference in a wireless communication system
JP5958262B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP2013172033A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 分離方法及び積層構造体
CN102911502A (zh) * 2012-10-19 2013-02-06 广东生益科技股份有限公司 氰酸酯树脂组合物及使用其制作的预浸料、层压材料与覆金属箔层压材料
JP6059631B2 (ja) * 2012-11-30 2017-01-11 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6224509B2 (ja) * 2013-05-14 2017-11-01 信越化学工業株式会社 ウエハ用仮接着材料、それらを用いた仮接着用フィルム、及びウエハ加工体並びにそれらを使用した薄型ウエハの製造方法
CN105722939B (zh) 2013-11-12 2019-12-17 信越化学工业株式会社 有机硅粘接剂组合物和固体摄像器件
US10106713B2 (en) * 2014-01-29 2018-10-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, temporary adhesive material for wafer processing, and method for manufacturing thin wafer
JP6428082B2 (ja) * 2014-09-16 2018-11-28 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、積層板及びプリント配線板
JP6425266B2 (ja) 2015-04-13 2018-11-21 アルプス電気株式会社 衛生マスク
JP6463664B2 (ja) 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5358980A (en) * 1991-10-03 1994-10-25 Shin-Etsu Chemical Company, Limited Naphthol novolac epoxy resin compositions and semiconductor devices encapsulated therewith
US6512031B1 (en) * 1999-04-15 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition, laminate film using the same, and semiconductor device
CN101245231A (zh) * 2006-02-16 2008-08-20 信越化学工业株式会社 胶粘剂组合物、粘膜和生产半导体器件的方法
CN105470188A (zh) * 2014-09-26 2016-04-06 信越化学工业株式会社 晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法
CN107458042A (zh) * 2016-06-06 2017-12-12 信越化学工业株式会社 晶片层合体和制备方法

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