TW201825713A - 框架一體型遮罩的製造方法 - Google Patents

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張澤龍
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南韓商Tgo科技股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種框架一體型遮罩的製造方法。 本發明之解決手段為：本發明之框架一體型遮罩的製造方法包含有以下步驟：(a)提供在一面上形成有圖案化之絕緣部之母板的步驟；(b) 在母板之至少其中一側連結框架的步驟；(c)將母板及框架當作陰極體來使用，藉由電鑄鍍敷而在母板及框架上形成鍍敷膜的步驟；(d)令母板與鍍敷膜、框架分離的步驟。

Description

框架一體型遮罩的製造方法
本發明是涉及框架一體型遮罩的製造方法，更詳細而言，是涉及令框架與遮罩成為一體而防止遮罩之變形、使校準(alignment)明確之框架一體型遮罩的製造方法。
最近，關於薄板製造，電鑄鍍敷(Electroforming)方法之研究有在進展。由於電鑄鍍敷方法是將陽極體、陰極體浸漬在電解液、施加電源、而令金屬薄板電沉積在陰極體之表面上，故是可期待將極薄板製造、量產之方法。
另一方面，關於在OLED製造程序形成像素之技術，主要是使用FMM(精密金屬遮罩，Fine Metal Mask)法，令薄膜之金屬遮罩(Shadow Mask)密接於基板而將有機物蒸鍍在想要之位置。
既存之OLED製造程序是將遮罩以棒狀、板狀等製造，之後，將遮罩熔接固定在OLED像素蒸鍍框架而使用。雖然可為了大面積OLED製造而將複數個遮罩固定在OLED像素蒸鍍框架，但會有遮罩相互之排列不佳這樣的問題。另外，在熔接固定至框架之過程，由於遮罩膜之厚度過薄且大面積，會有因為負載而造成遮罩下垂、翻捲這樣的問題。
在超高畫質之OLED製造程序，幾μm之微細之排列之誤差亦可能引起像素蒸鍍之失敗，故實際上是需要開發防止遮罩發生下垂或翻捲等之變形、令排列明確之技術、將遮罩固定在框架之技術等。
發明欲解決之課題 本發明是為了解決如前述般之習知技術之各問題點而提出之發明，目的在於提供令遮罩與框架成為一體型構造之框架一體型遮罩的製造方法。
另外，本發明之目的是提供如下之框架一體型遮罩的製造方法：沒有將遮罩與框架分開來構成之過程，以一次來形成，而省略將遮罩固定/排列在框架之過程，可令遮罩之排列明確而提升像素蒸鍍之安定性。
另外，本發明之目的是提供如下之框架一體型遮罩的製造方法：可只以鍍敷程序而製造具有圖案之遮罩。 用以解決課題之手段
本發明之前述之目的是藉由令遮罩與支持遮罩之框架一體地形成之框架一體型遮罩的製造方法而達成，該框架一體型遮罩的製造方法包含以下步驟：(a)提供在一面上形成有圖案化之絕緣部之母板的步驟；(b)在母板之至少其中一側連結框架的步驟；(c)將母板及框架當作陰極體(Cathode Body)來使用，藉由電鑄鍍敷而在母板及框架上形成鍍敷膜的步驟；(d)令母板與鍍敷膜、框架分離的步驟。
母板及框架可以是導電性材質。
母板可以是單晶矽材質。
絕緣部可以是光阻、矽氧化物、矽氮化物之材質中之任一者。
絕緣部可以是具有錐狀。
框架可以是具有將母板之框包圍之形狀。
框架可以是具有互相對向、平行之一對之直線狀。
在(c)步驟，可以是防止在絕緣部上形成鍍敷膜，鍍敷膜具有圖案。
可以是在(c)步驟與(d)步驟之間更具有將鍍敷膜熱處理之步驟。
熱處理可以是以300℃~800℃進行。
母板與框架相接之面可以是與母板之下表面構成直角或銳角。
在(d)步驟，母板可以是於鍍敷膜及框架之下部方向分離。 發明效果
根據如前述般地構成之本發明，可令遮罩與框架成為一體型構造。
另外，根據本發明，可省略將遮罩固定/排列在框架之過程，令遮罩之排列明確，而提升像素蒸鍍之安定性。
另外，根據本發明，可只以鍍敷程序而製造具有圖案之遮罩。
較佳實施例之詳細說明 後述之本發明之詳細說明是參考圖示之附加圖面，以實施本發明之特定實施形態來舉例顯示。該等實施形態是以業者可充分實施本發明的方式而詳細說明。雖然本發明之多種類之實施形態是相互不同，但應理解的是，這些不需要是互相排他。舉例來說，在此記載之特定之形狀、構造、特性是與一實施形態相關，且可以在不超脫本發明之精神及範圍之情況下具現在其他之實施形態。另外，應理解的是，分別揭示之實施形態內之個別構成要素之位置或配置可以在不超脫本發明之精神及範圍之情況下進行變更。所以，後述之詳細說明不應被視為限制，本發明之範圍是只要有適切地說明，則與均等於該請求項所主張之內容之各種範圍一起，只受附件之請求項限制。圖面上類似之參考符號是對遍及多種類之觀點相同或類似之機能進行稱呼，長度、面積、厚度等、及其形態有時是為了方便而以誇張的方式來表現。
以下，為了讓業者可容易地實施本發明，參考附加圖面而詳細說明本發明之較佳實施形態。
圖1是顯示用到FMM100之OLED像素蒸鍍裝置200的概略圖。圖2是顯示遮罩的概略圖。
參考圖1，一般而言，OLED像素蒸鍍裝置200包含有：磁石板300，收納磁石310，且裝設有冷卻水線路350；蒸鍍源供給部500，從磁石板300之下部供給有機物源600。
可以在磁石板300與蒸鍍源供給部500之間夾有讓有機物源600蒸鍍之玻璃等之對象基板900。在對象基板900，讓有機物源600依像素而蒸鍍之FMM100是密接、或是以非常近接的方式而配置。磁石310是發生磁場，藉由磁場之引力而令FMM100可密接對象基板900。
棒型(Stick-Type)遮罩(參考圖2(a))、板型(Plate-Type)遮罩(參考圖2(b))在與對象基板900密接之前會需要校準。可以令1個遮罩或複數個遮罩與框架800結合。框架800是固定而設在OLED像素蒸鍍裝置200內，遮罩是經由額外之附著、熔接程序而與框架800結合。
蒸鍍源供給部500是在左右路徑往復而供給有機物源600，從蒸鍍源供給部500供給之有機物源600是通過在FMM遮罩100形成之圖案(PP)而蒸鍍在對象基板900之一側。通過FMM遮罩100之圖案且蒸鍍後之有機物源600是作為OLED之像素700而發揮。
為了防止由陰影效應(Shadow Effect)造成之像素700之不均一蒸鍍，FMM遮罩100之圖案(PP)是傾斜而形成(S)(或是錐狀(S)地形成)。由於沿著傾斜之面而於對角線方向通過圖案(PP)之有機物源600亦有助於像素700之形成，故像素700是整體厚度均一地蒸鍍。
圖2(a)所示之遮罩100a是棒型遮罩，可將棒之兩側熔接固定在OLED像素蒸鍍框架800而使用。圖2(b)所示之遮罩100b是板型遮罩，使用在廣面積之像素形成程序，可將板之框熔接固定在OLED像素蒸鍍框架800而使用。圖2(c)是圖2(a)及圖2(b)之A-A’擴大側截面圖。
遮罩100:100a、100:100b之體部(Body)可形成複數之顯示器圖案(DP)。顯示器圖案(DP)是與智慧型手機等之1個顯示器對應之圖案。若將顯示器圖案(DP)擴大，可確認到與R、G、B對應之複數之像素圖案(PP)。像素圖案(PP)具有側部傾斜之形狀、錐(Taper)狀(參考圖2(c))。多種類之像素圖案(PP)成為群集而構成1個顯示器圖案(DP)，複數之顯示器圖案(DP)形成在遮罩100:100a、100:100b。
亦即，在本說明書，顯示器圖案(DP)並不是表示1個圖案之概念，應理解成是令與1個顯示器對應之複數之像素圖案(PP)成為群集之概念。以下，像素圖案(PP)是與遮罩圖案(PP)混用。
關於圖1及圖2所示之遮罩100，若在將複數個遮罩分別熔接固定於框架800之過程中發生遮罩間之排列誤差，發生特定之遮罩下垂或翻捲等之變形，可引起整體遮罩之排列誤差。另外，要將1個大面積之遮罩固定在框架800的情況下，會發生框未正確地受到支持、遮罩因為負載而下垂或翻捲之問題。
所以，本發明採取如下特徵：令遮罩是隨著形成而以一體型的方式在框架構成，藉此，省略將遮罩直接熔接固定在框架800之過程，防止遮罩之變形而令排列明確。
圖3是顯示本發明之一實施形態之框架一體型遮罩10的概略圖。圖3(a)是框架一體型遮罩10的立體圖，圖3(b)是圖3(a)之B-B’擴大側截面圖。
參考圖3，框架一體型遮罩10包含有遮罩20a及框架30，在框架30之一部分表面附著之支持膜20b是與遮罩20a具有相同材質，與遮罩20a一體地連結。雖然遮罩20a與支持膜20b是隨著形成之位置而以不同之名稱、符號來記載，但實際上是以電鑄鍍敷程序而電沉積鍍敷之鍍敷膜20:20a、20:20b之各部分，是以電鑄鍍敷程序同時形成之構成。在以下之說明，遮罩20a、支持膜20b是與鍍敷膜20:20a、20:20b混著使用。
於遮罩10形成遮罩圖案(PP)。遮罩圖案(PP)宜為具有令寬從上部往下部越來越廣、或越來越窄之形狀之大致錐狀，由於遮罩10之上表面是與對象基板900(參考圖5)密接，故遮罩圖案(PP)宜為令寬從上部往下部越來越廣之形狀。
圖案寬是幾μm~幾十μm之尺寸，宜形成比30μm還小之尺寸。遮罩圖案(PP)是藉由以絕緣部25防止鍍敷膜20之生成而形成。具體之形成過程是透過圖4而後述。遮罩圖案(PP)是與以圖2前述之像素圖案(PP)/顯示器圖案(DP)之構成相同。
框架30是讓鍍敷膜20之至少一部分(例如上表面)接合。更詳細而言，是讓支持膜20b(遮罩20a(在鍍敷膜20形成有遮罩圖案(PP)之領域)之領域以外之領域)接合。
為了可將遮罩20a拉緊張開而不使其下垂或翻捲，框架30宜具有將遮罩20a之框圍住之形狀。雖然圖3顯示的是四角形之框架30，但亦可以是身為閉鎖形態之圓形、多角形等形態。此外，亦可以是互相平行地對向且與遮罩20a之兩側相接之一對之直線狀之框架30。
另一方面，框架30並非設計成朝與遮罩20a之形成面垂直之方向延伸，是設計成傾斜延伸。框架30並非設計成從上部往下部越來越往內側之傾斜延伸，而是設計成從上部往下部越來越往外側之傾斜延伸。亦即，框架30具有令寬從上部往下部越來越廣之形狀。若框架30具有如此之形狀，則具有如下優點：在形成鍍敷膜20之程序後，母板40(參考圖4)易於朝下部方向分離。另外，具有如下優點：當複數之母板40與框架30結合的情況下，只令不良之母板40從框架30分離會變得容易，而可更換、修理。另外，具有如下優點：當鍍敷膜20不只在框架30之上表面、還在傾斜之側面電沉積形成的情況下，鍍敷膜20(或支持膜20b)之與框架30接合之面積變廣，可減少在支持膜20b與遮罩20a之一體連結之界面作用之應力而更有效率地支持遮罩20a膜。
如前述，本發明之框架一體型遮罩10是令遮罩20a與框架30之支持膜20b一體連結，故只藉由僅僅將框架30朝OLED像素蒸鍍裝置200移動、設置之過程，就完成遮罩20a之排列。
圖4是顯示本發明之一實施形態之製造圖3之框架一體型遮罩100之過程的概略圖。圖5是顯示本發明之一實施形態之令框架30及母板40連結之狀態的概略圖。
參考圖4(a)及圖5，可提供母板(mother plate)40。母板40可以是使用1個大面積母板，亦可以是接上複數個母板(40a、40b、…)而配置。使用複數個母板的情況下，不良之母板可以事先更換、修理而配置。
為了進行電鑄鍍敷，母板40之基材41之材質是導電性材質。在電鑄鍍敷，母板40是當作陰極體之電極來使用。
關於導電性材質，當是金屬的情況下，可能在表面生成有金屬氧化物，於金屬製造過程流入不純物，當是多晶矽基材的情況下，會存在有夾雜物或晶界(Grain Boundary)，當是導電性高分子基材的情況下，含有不純物之可能性高，強度、耐酸性等脆弱。將如金屬氧化物、不純物、夾雜物、晶界般之妨礙往母板40(或基材41)之表面形成均一電場之要素稱作「缺陷」(Defect)。可能因為缺陷而造成未在前述之材質之陰極體施加均一之電場、令鍍敷膜20之一部分是以不均一的方式而形成。
在要具現UHD級以上之超高畫質像素的情況下，鍍敷膜20及鍍敷膜圖案(PP)之不均一會對像素之形成產生不良影響。由於FMM、陰影遮罩之圖案寬是幾μm~幾十μm之尺寸、宜形成比30μm還小之尺寸，故對遮罩之圖案尺寸而言，即便幾μm尺寸之缺陷亦是佔據高比例之程度之尺寸。
另外，即便為了去除在前述之材質之陰極體之缺陷而進行用於去除金屬氧化物、不純物等之追加程序，亦可能因為此過程而引起陰極體材料被蝕刻等之其他缺陷。
所以，本發明可使用單晶矽材質之基材41。為了具有導電性，基材41是進行1019 以上之高濃度摻雜。摻雜可以是對基材41整體進行，亦可以是只對基材41之表面部分進行。
採用經過摻雜之單晶矽的情況下，由於沒有缺陷，故具有如下優點：電鑄鍍敷時，在表面全部藉由形成均一電場而生成均一之鍍敷膜20(或遮罩20a)。透過均一之鍍敷膜20而製造之FMM100可令OLED像素之畫質等級進一步改善。而且，由於不需要進行將缺陷去除、解除之追加程序，故具有如下優點：可削減製程成本、提升生產性。
另外，具有如下優點：藉由使用矽材質之基材41，可僅藉由因應需要而將基材41之表面氧化(Oxidation)、氮化(Nitridation)之過程，將絕緣部45予以形成。絕緣部45發揮防止鍍敷膜20之電沉積之作用，而形成鍍敷膜20之圖案(PP)。
基材41之側面42具有易於與框架30連結之與框架30之內側對應之形狀。圖4(a)是顯示具有傾斜之側面42之基材41。
在基材41之一面上形成圖案化46之絕緣部45。絕緣部45是以在基材41之一面上突出(陽刻)的方式而形成之部分，具有絕緣特性以防止鍍敷膜20之生成。由此，絕緣部45是以光阻、矽氧化物、矽氮化物中之任一材質而形成。絕緣部45可以是在基材41上以蒸鍍等方法而形成矽氧化物、矽氮化物，以基材41為基部而使用熱氧化(Thermal Oxidation)、熱氮化(Thermal Nitiridation)方法。亦可以使用印刷法等而形成光阻。絕緣部45是比後述之鍍敷膜20還厚、具有約5μm~20μm之厚度。
絕緣部45宜具有錐狀。關於使用光阻來形成錐狀圖案，可以使用多重曝光方法、依各領域而改變曝光強度之方法等。
在後述之電鑄鍍敷過程，從基材41之露出之表面形成鍍敷膜20，配置絕緣部45之領域是防止鍍敷膜20之生成而形成圖案(PP)。由於母板40在鍍敷膜20之生成過程是直到形成圖案，故與模具、陰極體寫在一起而使用。
接著，參考圖4(b)及圖5，可將框架30連結在母板40之至少其中一側。在此，連結明指的是包含在框架30與母板40之間夾有接著劑而接著、透過螺栓等之緊固手段而結合、以緊密相接的方式而配置之一連串行為之概念。
為了可在電鑄鍍敷過程讓鍍敷膜20(或支持膜20b)生成在表面、且確保當作框架30來用之剛性，框架30也宜採用具有導電性之SUS、Ti等之金屬材質。另外，為了防止在OLED像素蒸鍍程序因為熱而造成框架30變形，宜採用熱變形率少之材質。
框架30是以至少包圍將母板40之1個或複數個母板予以排列配置之框之一部分的方式而配置。雖然圖4(b)顯示的是令四角形框架30以包圍母板40側之框的方式而配置之例，但亦可以使用互相平行地對向、與母板40之兩側相接之一對之直線狀之框架30。
框架30是令寬具有一定之垂直狀，另外，如前述，具有令寬從上部往下部越來越廣之形狀。若以四角形框架30來舉例，則母板40是以剛剛好插進框架30之內周面的形態而連結。因此，母板40之側面42亦是具有a角度而垂直或傾斜形成。換句話說，由母板40與框架30相接之面42、母板40之下表面所構成之角度(a)是成為直角或銳角。藉此，母板40易於朝下部方向分離，可對複數之母板40中之特定之母板40進行分離、更換。
接著，參考圖4(c)，在母板40與框架30上形成鍍敷膜20:20a、20:20b。將母板40與框架30之結合體當作陰極體來使用，準備與其對向之陽極體(未圖示)。陽極體(未圖示)是浸漬於鍍敷液(未圖示)，母板40及框架30是全部或一部分浸漬於鍍敷液(未圖示)。
鍍敷液是電解液，可成為構成遮罩20a及支持膜20b之鍍敷膜20之材料。在一實施形態，當要製造鐵鎳合金之不變鋼(Invar)薄板來作為鍍敷膜20的情況下，可以使用包含Ni離子之溶液及包含Fe離子之溶液的混合液來當作鍍敷液。在其他實施形態，當要製造鐵鎳鈷合金之超不變鋼(Super Invar)薄板來作為鍍敷膜20的情況下，可以使用包含Ni離子之溶液、包含Fe離子之溶液、包含Co離子之溶液的混合液來當作鍍敷液。在OLED之製造，不變鋼薄板、超不變鋼薄板是當作FMM、陰影遮罩(Shadow Mask)來使用。而且，不變鋼薄板是熱膨脹係數約1.0x 10-6 /℃、超不變鋼薄板是熱膨脹係數約1.0x10-7 /℃程度，非常地低，所以，因為熱能量而造成遮罩之圖案形狀變形之可能性低，主要是用在高解析度OLED製造。此外，針對想要之鍍敷膜20而使用之鍍敷液並無限制，本說明書是設想製造不變鋼薄板之情況來作為主要例而進行說明。
藉由在陰極體30、40及對向之陽極體間形成之電場，於母板40及框架30之表面電沉積、生成鍍敷膜20。從不包含被絕緣部45遮蔽之領域之母板40(或基材41)之露出之表面電沉積之鍍敷膜20是成為遮罩20a，從框架30之露出之表面電沉積之鍍敷膜20是成為支持膜20b。
由於絕緣部45具有絕緣特性，故在絕緣部45與陽極體之間不會形成電場、或是僅形成難以進行鍍敷之程度之微弱電場。所以，在母板40，未形成鍍敷膜20之與絕緣部45對應之部分會構成鍍敷膜20之圖案、孔(Hole)等。換句話說，圖案化46之絕緣部45分別形成遮罩20a之與R、G、B對應之遮罩圖案(PP)。遮罩圖案(PP)之側截面之形狀是大致錐狀地傾斜而形成，傾斜角度是約45°~65°。
接著，參考圖4(d)，可令母板40從被遮罩20a及支持膜20b覆蓋之框架30分離。若框架30與母板40是透過接著劑而連結，可加上將接著劑溶解而去除之過程，若是透過緊固手段而連結，可加上將緊固手段解體之過程。由於在母板40之上部形成有遮罩20a，故可令母板40朝下部方向移動而從框架30分離。
另一方面，可在令母板40從被遮罩20a及支持膜20b覆蓋之框架30分離之前，進行熱處理。熱處理能以300℃~800℃之溫度進行(參考圖6)。
一般而言，與藉由軋製而生成之不變鋼薄板相比，藉由電鑄鍍敷而生成之不變鋼薄板是熱膨脹係數高。由此，雖然可藉由對不變鋼薄板進行熱處理而使熱膨脹係數降低，但不變鋼薄板會因為熱處理過程而產生若干之變形。如果在令母板40和遮罩20a、支持膜20b分離之後，對具有遮罩圖案(PP)之遮罩20a進行熱處理，則遮罩圖案(PP)可能一部分產生變形。所以，若在母板40與遮罩20a接著之狀態下進行熱處理，則具有如下優點：可令在母板40之絕緣部45佔據之空間部分形成之遮罩圖案(PP)之形態保持一定，防止由熱處理造成之細微變形。
圖6是顯示本發明之一實施形態之熱處理後之遮罩之熱膨脹係數(CTE)的圖表。測量以300℃、350℃、400℃、450℃、500℃、550℃、800℃之7種溫度區間對80 x 200mm之樣本進行熱處理而得之不變鋼薄板之熱膨脹係數。圖6(a)顯示的是一面令溫度從常溫(25℃)提升至約240℃、一面對各樣本之熱膨脹係數進行測量之結果，圖6(b)顯示的是一面令溫度從約240℃下降至常溫(25℃)、一面對各樣本之熱膨脹係數進行測量之結果。參考圖6 (a)及圖6(b)，可確認到熱膨脹係數因為熱處理溫度而變化之情形，尤其，在800℃之熱處理表現出最低的熱膨脹係數。
接著，參考圖4(e)，在母板40分離之後，遮罩20a與支持遮罩20a之框架30是一體形成之框架一體型遮罩10完成。
圖7是顯示套用了圖3之框架一體型遮罩10之OLED像素蒸鍍裝置200的概略圖。
參考圖7，可使框架一體型遮罩10密接至對象基板900。在OLED像素蒸鍍裝置200之內部配置有機械手臂等之將框架30固定支持之手段，可將框架30支持而固定。如此，只藉由僅僅將框架30部分配置在OLED像素蒸鍍裝置200之內部，就完成遮罩10之排列。遮罩20a是與支持膜20b一體連結，其框被拉緊張開而受到支持，支持膜20b是與框架30結合，故可防止遮罩20a因為負載而下垂、翻捲等變形。由此，像素蒸鍍所必要之遮罩10之排列會明確。
圖8是顯示將本發明之其他實施形態之框架一體型遮罩10’套用到OLED像素蒸鍍裝置之狀態的概略圖。
參考圖8(a)，框架一體型遮罩10’包含有遮罩20a及框架30，附著在框架30之一部分表面之支持膜20b是具有與遮罩20a相同之材質，與遮罩20a一體地連結。這方面是與圖3之框架一體型遮罩10相同。不同的地方在於，框架一體型遮罩10’之框架35並非如框架30(參考圖3及圖7)般地立即配置在OLED像素蒸鍍裝置200之內部，而是插進另1個框架38。框架35是與遮罩20一體地連結，故亦稱作「棒框架」(stick frame)。另外，框架38是讓至少1個框架一體型遮罩10’(棒框架)插入，故亦稱作「遮罩框架」(mask frame)。遮罩框架38具有凹陷部39，框架一體型遮罩10’之棒框架35部分是插進凹陷部39。
因此，框架35能夠以比框架30還要小之尺寸而構成。舉例來說，可以使用在棒型尺寸(參考圖2(a))具有小面積之遮罩20a之複數之框架一體型遮罩10’。框架一體型遮罩10’是以比圖7之框架一體型遮罩10還要小之面積而製造，在要分別以單元形態插入遮罩框架38時較有利。尤其，事先配置在OLED像素蒸鍍裝置200內部之遮罩框架38之凹陷部39可發揮導軌(guide rail)之效果，只藉由將製造出來之個別之單元形態之框架一體型遮罩10’(棒框架35)插進凹陷部39，就完成排列。
參考圖8(b)，框架35更形成有朝凹陷部39插入之突出部37。
在OLED像素蒸鍍裝置200之內部配置有機械手臂等之將遮罩框架38固定支持之手段，將遮罩框架38支持而固定，製造出來之框架一體型遮罩10’ 可插進在OLED像素蒸鍍裝置200內部固定設置之遮罩框架38之凹陷部39。凹陷部39是以與在複數個框架一體型遮罩10’形成之棒框架35或突出部37對應之形態而形成。四角形狀之棒框架35是插進凹陷部39就不會流動而堅固地固定。直線狀之棒框架35可以是以滑動形態而插進凹陷部39，可以是將複數個框架一體型遮罩10’以滑動形態而推擠配置。
如前述，本發明之框架一體型遮罩10、10’是令遮罩20a形成、且於框架30、35以一體型而構成，藉此，具有防止遮罩20a之變形、令排列明確之效果。另外，在本發明之框架一體型遮罩10、10’，遮罩20a是與框架30之支持膜20b一體地連結，故具有如下效果：只藉由僅僅將框架30、35朝OLED像素蒸鍍裝置200移動、設置之過程，就完成遮罩20a之排列。另外，在母板40形成有絕緣部45而防止鍍敷膜20之生成，故具有如下效果：只藉由以電鑄鍍敷程序形成鍍敷膜20之程序，就可製造具有圖案(PP)之遮罩20a。
雖然如前述般地以較佳實施形態而進行了圖示說明，但本發明並非限定於前述實施形態，對業者而言，可在不超脫本發明之精神之範圍內進行多種類之變形與變更。如此之變形例及變更例必須被認作是在本發明與附件之申請專利範圍之範圍內。 產業利用性
本發明可套用在與框架一體型遮罩的製造方法相關之領域。
10、10’‧‧‧框架一體型遮罩
20‧‧‧鍍敷膜
20a、100a、100b‧‧‧遮罩
20b‧‧‧支持膜
30、35、38、800‧‧‧框架
37‧‧‧突出部
39‧‧‧凹陷部
40、40a、40b‧‧‧母板
41‧‧‧基材
42‧‧‧側面
45‧‧‧絕緣部
46‧‧‧絕緣部圖案、圖案化
100‧‧‧遮罩、陰影遮罩、FMM
200‧‧‧OLED像素蒸鍍裝置
300‧‧‧磁石板
310‧‧‧磁石
350‧‧‧冷卻水線路
500‧‧‧蒸鍍源供給部
600‧‧‧有機物源
700‧‧‧像素
900‧‧‧對象基板
DP‧‧‧顯示器圖案
PP‧‧‧像素圖案、遮罩圖案
圖1...顯示用到FMM之OLED像素蒸鍍裝置的概略圖。 圖2...顯示遮罩的概略圖。 圖3...顯示本發明之一實施形態之框架一體型遮罩的概略圖。 圖4...顯示本發明之一實施形態之製造圖3之框架一體型遮罩之過程的概略圖。 圖5...顯示本發明之一實施形態之令框架及母板連結之狀態的概略圖。 圖6...顯示本發明之一實施形態之熱處理後之遮罩之熱膨脹係數(coefficient of expansion, CTE)的圖表。 圖7...顯示套用了圖3之框架一體型遮罩之OLED像素蒸鍍裝置的概略圖。 圖8...顯示將本發明之其他實施形態之框架一體型遮罩套用到OLED像素蒸鍍裝置之狀態的概略圖。

Claims (12)

  1. 一種框架一體型遮罩的製造方法，其係令遮罩與支持遮罩之框架一體地形成之框架一體型遮罩的製造方法，包含以下步驟： (a)提供在一面上形成有圖案化之絕緣部之母板的步驟； (b)在母板之至少其中一側連結框架的步驟； (c)將母板及框架當作陰極體來使用，藉由電鑄鍍敷而在母板及框架上形成鍍敷膜的步驟； (d)令母板與鍍敷膜、框架分離的步驟。
  2. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中母板及框架是導電性材質。
  3. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中母板是單晶矽材質。
  4. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中絕緣部是光阻、矽氧化物、矽氮化物之材質中之任一者。
  5. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中絕緣部具有錐狀。
  6. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中框架具有將母板之框包圍之形狀。
  7. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中框架具有互相對向、平行之一對之直線狀。
  8. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中在(c)步驟中，防止在絕緣部上形成鍍敷膜，鍍敷膜具有圖案。
  9. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中在(c)步驟與(d)步驟之間更具有將鍍敷膜熱處理之步驟。
  10. 如請求項9之框架一體型遮罩的製造方法，其中熱處理是以300℃~800℃進行。
  11. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中母板與框架相接之面是與母板之下表面構成直角或銳角。
  12. 如請求項11之框架一體型遮罩的製造方法，其中在(d)步驟中，母板是於鍍敷膜及框架之下部方向分離。
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