TW201824463A - 扇出(fan out)型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材 - Google Patents

扇出(fan out)型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材 Download PDF

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Abstract

提供一種即使是在扇出型之晶圓等級封裝(FO-WLP)之安裝時之溫度下、或是在晶圓搬送等之室溫下,亦可調整翹曲量來使晶圓乃至於封裝之翹曲減低之FO-WLP用翹曲矯正材。本發明之扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其係藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮。

Description

扇出(fan out)型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材
[0001] 本發明為關於扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,更詳細而言為關於一種被設置於與扇出(Fan-out)型之晶圓等級封裝的再配線層為相反側的面上的翹曲矯正層形成用材料,該扇出型之晶圓等級封裝係外部連接用電極之配置區域較半導體之平面尺寸為大者。
[0002] 近年,在半導體電路等之領域中對小型化之要求提高,為了因應該要求,而有將半導體電路以接近於該晶片尺寸之封裝(Chip Size Package)之方式來進行安裝。作為實現晶片尺寸封裝之手段之一,已有提案以晶圓等級來進行接合並斷片化的被稱為晶圓等級封裝(Wafer Level Package,以下有簡稱為WLP的情況)之封裝方法。由於WLP可有助於低成本化、小型化而受到矚目。WLP係於形成電極之電路基板上以倒裝(face down)來進行安裝。   [0003] 然而,伴隨半導體晶片之小型化、高積體化,半導體晶片之外部連接用的電極(端子、凸塊)的數量有增多的傾向,因此,半導體晶片之外部連接用之電極的間距有縮小的傾向。然而,將形成凸塊之半導體晶片以微細的間距來直接安裝在電路基板上則未必容易。   [0004] 對於如上述之課題,提案有於半導體晶片之外周形成半導體用密封材之區域,亦將電極所連接之再配線層設置在半導體用密封材之區域中,以增大凸塊的間距。如此般之WLP,由於相對於半導體晶片的尺寸增大了凸塊之配置區域的尺寸,故被稱為扇出型之晶圓等級封裝(以下有簡稱為FO-WLP的情況)。   [0005] 於FO-WLP,半導體晶片係藉由半導體用密封材而嵌入。半導體晶片之電路面裸露於外側,形成了半導體晶片與半導體用密封材的邊界。即使是於嵌入半導體晶片之半導體用密封材的區域中,亦設置有半導體晶片之電極所連接之再配線層,凸塊透過再配線層而被電氣性連接在半導體晶片的電極。可將該凸塊的間距設定較半導體晶片之電極的間距為大。   [0006] 又,亦認為不僅是半導體晶片,亦可將複數個電子零件收容在1個封裝內,或將複數個半導體晶片嵌入半導體用密封材而成為1個半導體零件。於如此般之封裝,複數個電子零件藉由半導體用密封材而嵌入。於嵌入複數個電子零件之半導體用密封材中,設置了電子零件之電極所連接之再配線層,凸塊透過再配線層而使電子零件之電極電氣性連接。即使是於此情況下,由於凸塊之配置區域的尺寸較半導體晶片的尺寸為大,故可稱為FO-WLP。   [0007] 於如此般之封裝,一般而言於支撐體上設置一定間隔來配置半導體晶片或電子零件,使用半導體用密封材將其嵌入,使密封材加熱硬化後,從支撐體剝離來製作擬似晶圓(pseudo wafer)。接下來,使再配線層形成於自擬似晶圓之半導體晶片電路面起擴張的半導體用密封材料區域。如此般進行,可使凸塊的間距設定較半導體晶片之電極的間距為大   [0008] 在再配線層之形成中,一般而言,將正型之感應性樹脂塗佈在擬似晶圓之半導體晶片電路面並進行預焙,透過光罩等於欲開口之區域照射UV光線等之活性光線,接下來,使用TMAH(四甲基氫氧化銨)等之顯影液進行顯影,進行加熱硬化、氧電漿處理等,進行金屬電極之濺鍍,進而形成光阻層將配線進行圖型化而形成再配線層(例如日本國特開2013-38270號公報等)。   [0009] 在WLP或FO-WLP中,將再配線層形成於半導體晶片電路面時,主要由於配線間的感光性聚醯亞胺等之絕緣膜之硬化時之收縮,而使電路面(即,形成絕緣膜的面)產生成為凹狀之翹曲變形。為了減低此翹曲量,已提案了將樹脂層形成於由晶圓狀之半導體所成之基板之一面上,使該樹脂層之全區域呈球面狀膨脹之方式彎曲並保持後,使樹脂層硬化(例如日本國特開2012-178422號公報)。
[0010] 然而,如上述般,即使是將僅單面設置再配線層的WLP進行加熱來抑制翹曲量,當被加熱至WLP之安裝溫度(例如260℃)時,再配線層亦會膨脹而使封裝產生翹曲。其結果具有下述之問題:於封裝內部之層間會產生剝離、或於安裝時一部分的端子不易連接。另一方面,為了抑制WLP之安裝時之封裝之翹曲,若以在WLP之安裝溫度下為可抑制翹曲量之方式來進行調整時,當封裝被冷卻至室溫之際,包含絕緣膜之再配線層會收縮,而使得晶圓產生翹曲。其結果具有下述之問題:晶圓搬送變得困難、或因對晶圓施加應力而微小的衝撃會使得破裂之危險性提高。   [0011] 因此,本發明之目的為提供一種即使是在半導體晶圓或半導體封裝,尤其是扇出型之晶圓等級封裝(FO-WLP)之安裝時之溫度下、或是在晶圓搬送等之室溫下,亦可調整翹曲量來使晶圓乃至於封裝之翹曲減低之FO-WLP用翹曲矯正材。   [0012] 為了解決如上述般之問題,可稱為是期望在半導體封裝安裝時之溫度下或是在晶圓搬送等之室溫下皆可抑制翹曲量。本發明人藉由使用一種翹曲矯正材,其係藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮,得知可解決上述課題。又得知,藉由將具有收縮力(其係對抗於因再配線層之絕緣膜硬化等之收縮而產生之應力)之翹曲矯正層形成於與晶圓之再配線層所形成的面為相反的面上,可更矯正翹曲。進一步本發明人等得到下述見解:半導體晶圓或FO-WLP之擬似晶圓具有各種的厚度,包含絕緣膜之再配線層之厚度或圖型亦存在著各種,因此,將可對於分別的翹曲量進行調整的泛用性高的翹曲矯正層設置於與形成包含絕緣膜之再配線層的面為相反的面上,可有效對應。然後得到下述見解:藉由使用具有如下述般體積收縮特性的翹曲矯正材來形成翹曲矯正層,可一邊調整晶圓乃至於封裝之翹曲量一邊減低晶圓乃至於封裝之翹曲。   [0013] [1].藉由本發明之第1實施形態而得之翹曲矯正材為一種扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其係藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮。   [0014] [2].藉由本發明之第2實施形態而得之翹曲矯正材為上述[1]記載之翹曲矯正材,其中,包含藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分與藉由加熱使體積收縮的硬化性成分。   [0015] [3].藉由本發明之第3實施形態而得之翹曲矯正材為上述[1]或[2]記載之翹曲矯正材,其中,令藉由加熱所致的體積收縮率為αH (%)時,係滿足下述式(1):   0<αH ≦5   (1)。   [0016] [4].藉由本發明之第4實施形態而得之翹曲矯正材為上述[1]或[2]記載之翹曲矯正材,其中,令藉由活性能量線照射所致的體積收縮率為αI (%)時,係滿足下述式(2):   2≦αI ≦20   (2)。   [0017] [5].藉由本發明之第5實施形態而得之翹曲矯正材為上述[4]記載之翹曲矯正材,其中,前述藉由加熱所致的體積收縮率及藉由活性能量線照射所致的體積收縮率係滿足下述式(3):   αH <αI (3)。   [0018] [6].藉由本發明之第6實施形態而得之翹曲矯正材為上述[1]~[5]中任一項記載之翹曲矯正材,其係被設置於與扇出型之晶圓等級封裝的再配線層所設置的面為相反的面上,且藉由收縮來矯正翹曲。   [0019] 依據本發明,將藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮的翹曲矯正材,尤其是,包含藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分與藉由加熱使體積收縮的硬化性成分的翹曲矯正材,適用於與FO-WLP的再配線層所設置的面為相反的面上,來形成翹曲矯正層,即使是在半導體封裝安裝時之溫度下、或是在晶圓搬送等之室溫下亦可抑制翹曲量之同時,可一邊調整晶圓乃至於封裝之翹曲量一邊減低晶圓乃至於封裝之翹曲。其結果可得到品質信賴性高的半導體封裝。
[實施發明之最佳形態]   [0020] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,其係藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮。藉由使用如此般之翹曲矯正材,將翹曲矯正層形成於與FO-WLP的再配線層所設置的面為相反的面上,並調整翹曲矯正層的體積收縮率,使作用產生與再配線層的收縮應力為相同程度的收縮應力,即使是在半導體封裝安裝時之溫度下、或是在晶圓搬送等之室溫下亦可抑制翹曲量。即,於FO-WLP之製造時,絕緣層係與再配線層一起被設置於擬似晶圓的電路形成面,但擬似晶圓之翹曲量亦會依據該絕緣膜之材料、厚度、圖型而產生變化,如本發明般地,藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮的翹曲矯正材,藉由調整活性能量線照射及加熱之順序或其程度,可控制翹曲矯正材的體積收縮率,因此,可藉由翹曲矯正層來產生與作用於FO-WLP之應力為相同程度的收縮應力。因而,即使是在半導體封裝安裝時之溫度下、或是在晶圓搬送等之室溫下亦可抑制翹曲量之同時,可一邊調整晶圓乃至於封裝之翹曲量一邊減低晶圓乃至於封裝之翹曲,其結果認為可得到品質信賴性高的半導體封裝。此終究是本發明人等之推測,本發明並不侷限於該理論。以下對於構成依據本發明而得之翹曲矯正材之各成分進行說明。   [0021] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,較佳為包含藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分與藉由加熱使體積收縮的硬化性成分。藉由包含如此般之2成分,如上述般地,藉由調整活性能量線照射及加熱之順序或其程度,可控制翹曲矯正材的體積收縮率。   [0022] <藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)>   作為藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1),只要是具有藉由加熱所致的硬化反應而可使體積收縮的硬化性即可,未特別限制可使用以往周知的材料,但較佳以離子性的開環聚合反應或聚加成的聚合反應性的硬化成分為宜。本說明書中,所謂的離子性的開環聚合,指在使用開環並聚合的單體來進行聚合反應之際,成長鏈為離子的聚合之意思。又,所謂的聚加成反應,指具有2個以上具環狀構造的官能基的單體、與兩末端具有可與官能基所具有的該環狀構造反應的官能基的單體,一邊重複加成反應一邊進行聚合之反應之意思。作為如此般之離子性的開環聚合反應或聚加成的聚合反應性硬化成分,較佳為環氧或氧雜環丁烷等之環狀醚類,其中較佳為使用環氧樹脂。依據反應前的形狀,環氧樹脂為具有固形、半固形、液狀的環氧樹脂。該等可單獨使用1種、或組合2種以上來使用。藉由含有如此般之環狀醚類來作為藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1),如後述般地,藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)在硬化之際與擬似晶圓之密著性會提升,可更進一層地抑制FO-WLP之翹曲。   [0023] 作為固形環氧樹脂,可舉出DIC股份有限公司製HP-4700(萘型環氧樹脂)、DIC股份有限公司製EXA4700(4官能萘型環氧樹脂)、日本化藥股份有限公司製NC-7000(含有萘骨架之多官能固形環氧樹脂)等之萘型環氧樹脂;日本化藥股份有限公司製EPPN-502H(三酚環氧樹脂)等之酚類與具有酚性羥基之芳香族醛之縮合物的環氧化物(三酚型環氧樹脂);DIC股份有限公司製Epiclon HP-7200H(含有雙環戊二烯骨架之多官能固形環氧樹脂)等之雙環戊二烯芳烷型環氧樹脂;日本化藥股份有限公司製NC-3000H(含有聯苯骨架之多官能固形環氧樹脂)等之聯苯芳烷型環氧樹脂;日本化藥股份有限公司製NC-3000L等之聯苯/苯酚酚醛清漆型環氧樹脂;DIC股份有限公司製Epiclon N660、Epiclon N690、日本化藥股份有限公司製EOCN-104S等之酚醛清漆型環氧樹脂;Mitsubishi Chemical股份有限公司製YX-4000等之聯苯型環氧樹脂;新日鐵住金化學股份有限公司製TX0712等之含有磷之環氧樹脂;日產化學工業股份有限公司製TEPIC等之參(2,3-環氧基丙基)異氰脲酸酯等。   [0024] 作為半固形環氧樹脂,可舉出DIC股份有限公司製Epiclon 860、Epiclon 900-IM、Epiclon EXA-4816、Epiclon EXA-4822、新日鐵住金股份有限公司製EpotohtoYD-134、Mitsubishi Chemical股份有限公司製jER834、jER872、住友化學工業股份有限公司製ELA-134等之雙酚A型環氧樹脂;DIC股份有限公司製Epiclon HP-4032等之萘型環氧樹脂;DIC股份有限公司製Epiclon N-740等之苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。   [0025] 作為液狀環氧樹脂,可舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、胺酚型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等。   [0026] 進一步,作為使體積收縮的硬化性成分,亦可使用光硬化性熱硬化性成分(AB)。所謂的該光硬化性熱硬化性成分(AB),指在其分子中同時具有環狀醚類與後述的分子中為1個以上的乙烯性不飽和基者。亦可使用在其分子中同時具有環狀醚類與後述的分子中為1個以上的乙烯性不飽和基而成的化合物。作為如此般之化合物,可舉出(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、4-羥基丁基丙烯酸酯縮水甘油醚、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯單縮水甘油醚、3,4-環氧環己基甲基甲基丙烯酸酯等。該等化合物,如後述般地,由於藉由活性能量線的照射會體積收縮,進一步藉由加熱亦會體積收縮,故可有效地將FO-WLP之翹曲藉由收縮來進行矯正,故為較佳。   [0027] 上述的藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1),可單獨使用1種或組合2種以上來使用。   [0028] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,較佳為包含硬化劑成分(A2),其係可使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)硬化者。作為硬化劑成分(A2),以可使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)產生離子性的開環聚合或聚加成的聚合反應的硬化劑成分為適宜使用。   [0029] 作為可使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)產生離子性的開環聚合的硬化劑成分(A2-1),可使用咪唑類、苄基鋶鹽、路易斯酸-胺錯合體等。其中,就與擬似晶圓之密著力或保存安定性、耐濕信賴性等之觀點而言,以使用咪唑類為期望。   [0030] 作為咪唑類,可舉例如2MZ、C11Z、2PZ、2E4MZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PZ-CN、C11Z-CN、2PZ-CNS、C11Z-CNS、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2P4MHZ、2PHZ、2MA-OK、2PZ-OK(四國化成工業股份有限公司製、製品名)等、或使該等咪唑類與環氧樹脂加成而成的化合物。又,將該等硬化劑以聚胺基甲酸酯系、聚酯系的高分子物質等被覆並予以微膠囊化,可延長可使時間,故為較佳。該等可單獨使用1種、或混合2種以上來使用。   [0031] 作為咪唑類之調配量,相對於藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)以調配0.1~10質量%為較佳,又較佳為0.5~10質量%,更佳為1~10質量%。藉由將可使產生離子性的開環聚合的硬化劑成分(A2-1)的咪唑類調配如上述範圍,可兼具硬化性與保存安定性。   [0032] 作為苄基鋶鹽,可使用三新化學工業股份有限公司SAN-AID系列的SI-45、SI-60、SI-80、SI-100、SI-150、SI-110、SI-360、SI-360、SI-B2A、SI-B3A、SI-B3、SI-B4、SI-B5。該等可單獨使用1種、或混合2種以上來使用。   [0033] 作為苄基鋶鹽之調配量,相對於藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)以調配0.1~10質量%為較佳,又較佳為0.5~10質量%,更佳為1~10質量%。藉由將可使產生離子性的開環聚合的硬化劑成分(A2-1)的苄基鋶鹽調配如上述範圍,可兼具硬化性與保存安定性。   [0034] 又,作為路易斯酸-胺錯合體,可使用BF3 -三乙基胺錯合體或BF3 -吡啶錯合體等之周知者。   [0035] 作為路易斯酸-胺錯合體等之硬化劑成分(A2-1)之調配量,相對於藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)以調配0.1~10質量%為較佳,又較佳為0.5~10質量%,更佳為1~10質量%。藉由將可使產生離子性的開環聚合的硬化劑成分(A2-1)的路易斯酸-胺錯合體等調配如上述範圍,可兼具硬化性與保存安定性。   [0036] 藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)亦可藉由聚加成的聚合反應來硬化。作為可使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)產生聚加成的聚合反應的硬化劑成分(A2-2),可使用酸酐類、羧酸類、胺類、酚類、醯肼類、聚硫醇類等。其中,就與擬似晶圓之密著力或保存安定性、耐濕信賴性等之觀點而言,以使用羧酸類、胺類、酚類為期望。   [0037] 作為酸酐類,可使用例如甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基腐質酸酐、均苯四甲酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、3,4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1,2,3,6-四氫鄰苯二甲酸酐、1-異丙基-4-甲基-雙環[2.2.2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酐等。該等可單獨使用1種、或混合2種以上來使用。   [0038] 作為酸酐之調配量,例如,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧化合物之情形時,以硬化官能基(環氧基)的數量與產生自酸酐基的羧酸的數量之比(藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)的硬化官能基的數量/羧酸的數量)成為0.2~20之方式來進行調配為較佳,又較佳為0.4~16。藉由將酸酐之調配量調配如上述範圍,可使硬化反應有效地進行。另一方面,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧基以外之情形時,可從參與該硬化反應的硬化官能基的數量與產生自酸酐基的羧酸的數量之比(藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)的硬化官能基的數量/羧酸的數量)相同地算出。   [0039] 作為羧酸類,可使用己二酸、馬來酸、甲基四氫鄰苯二甲酸、甲基六氫鄰苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸、甲基腐質酸、均苯四甲酸、二苯甲酮四羧酸、3,4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1,2,3,6-四氫鄰苯二甲酸、1-異丙基-4-甲基-雙環[2.2.2]辛-5-烯-2,3-二羧酸、側鏈具有羧基之樹脂等。   [0040] 作為羧酸之調配量,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧化合物之情形時,以硬化官能基(環氧基)的數量與羧基的數量之比(藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)的硬化官能基的數量/羧基的數量)成為0.2~20之方式來進行調配為較佳,又較佳為0.4~16。藉由將羧酸之調配量調配如上述範圍,可使硬化反應有效地進行。另一方面,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧基以外之情形時,可從參與該硬化反應的硬化官能基的數量與羧基的數量之比(藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)的硬化官能基的數量/羧基的數量)相同地算出。   [0041] 作為胺類,只要是分子內具有至少1個以上的1級或2級胺基之化合物即可未特別限定,就保存安定性及硬化物之耐熱性之觀點而言,以芳香族胺類為期望。作為芳香族胺類,可使用例如二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸、二胺基二苯基硫醚、間二甲苯二胺、3,3’-二乙基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’,5,5’-四乙基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基硫醚、2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)-六氟丙烷、2,4-二胺基甲苯、1,4-二胺基苯、1,3-二胺基苯、二乙基甲苯二胺、二甲基甲苯二胺、苯胺類、烷基化苯胺類、N-烷基化苯胺類等。該等可單獨使用1種、或混合2種以上來使用。   [0042] 作為胺類之調配量,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧化合物之情形時,以硬化官能基(環氧基)的數量與活性氫的數量之比(環氧基的數量/活性氫的數量)成為0.2~20之方式來進行調配為期望,又較佳為0.4~16。藉由將胺類之調配量調配如上述範圍,可使硬化反應有效地進行。另一方面,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧基以外之情形時,可從參與該硬化反應的硬化官能基的數量與活性氫的數量之比(硬化性成分(A1)的硬化官能基的數量/活性氫的數量)相同地算出。   [0043] 作為酚類,可使用苯酚酚醛清漆樹脂、烷基苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、雙環戊二烯型苯酚樹脂、Xylok型苯酚樹脂、萜烯改性苯酚樹脂、甲酚/萘酚樹脂、聚乙烯基酚類、苯酚/萘酚樹脂、含有α-萘酚骨架之苯酚樹脂、含有三嗪之甲酚酚醛清漆樹脂、各種多官能苯酚樹脂等。該等可單獨使用1種、或以2種以上的混合體來使用。   [0044] 作為酚類之調配量,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧化合物之情形時,以硬化官能基(環氧基)的數量與酚性羥基的數量之比(環氧基的數量/酚性羥基的數量)成為0.2~20之方式來進行調配為期望,又較佳為0.4~16。藉由將酚類之調配量調配如上述範圍,可使硬化反應有效地進行。另一方面,若藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為環氧基以外之情形時,可從參與該硬化反應的硬化官能基的數量與酚性羥基的數量之比(藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)的硬化官能基的數量/酚性羥基的數量)相同地算出。   [0045] 作為可藉由聚加成的聚合反應來使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)產生聚合的硬化劑成分(A2-2),除了上述以外,亦可使用氰酸酯樹脂或活性酯樹脂。氰酸酯樹脂為一分子中具有2個以上的氰酸酯基(-OCN)之化合物。氰酸酯樹脂可任意使用以往周知者。作為氰酸酯樹脂,可舉例如苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、烷基苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙環戊二烯型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚F型氰酸酯樹脂、雙酚S型氰酸酯樹脂。又,亦可為一部分經三嗪化的預聚物。   [0046] 活性酯樹脂為一分子中具有2個以上的活性酯基之樹脂。一般而言,活性酯樹脂可藉由羧酸化合物與羥基化合物之縮合反應而得到。其中,較佳為使用苯酚化合物或萘酚化合物來作為羥基化合物而得到的活性酯化合物。作為苯酚化合物或萘酚化合物,可舉出對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、還原酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、鄰苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、1,3,5-苯三酚、苯三醇、二環戊二烯二酚、苯酚酚醛清漆等。   [0047] 作為可藉由聚加成的聚合反應來使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)產生聚合的硬化劑成分(A2-2),若使用羧酸、酸酐類、胺類、酚類、氰酸酯樹脂、活性酯樹脂之情形時,亦可併用硬化促進劑。作為硬化促進劑,可使用前述咪唑類。進一步可舉出乙醯胍胺、苯并胍胺等之胍胺類;二胺基二苯基甲烷、m-苯二胺、m-二甲苯二胺、二胺基二苯基碸、二氰二胺、尿素、尿素衍生物、三聚氰胺、多元酸醯肼等之聚胺類之有機酸鹽及/或環氧加成物;三氟化硼之胺錯合體;乙基二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-6-二甲苯基-S-三嗪等之三嗪衍生物類;三丁基膦、三苯基膦、參-2-氰基乙基膦等之有機膦類;溴化三-n-丁基(2,5-二羥基苯基)鏻、氯化十六烷基三丁基鏻等之鏻鹽類;苄基三甲基氯化銨(benzyl trimethyl ammonium chloride)、苯基三丁基氯化銨等之4級銨鹽類;前述多元酸酐。該等可單獨使用1種、或混合2種以上使用。   [0048] 雖然硬化促進劑成分非為必須,但在特別想促進硬化反應時,相對於可藉由聚加成的聚合反應來使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)產生聚合的硬化劑成分(A2-2)100質量份,較佳可以0.01~20質量份的範圍來使用。作為硬化促進劑成分若使用金屬觸媒之情形時,其含有量相對於硬化性成分100質量份以金屬換算較佳為10~550ppm,又較佳為25~200ppm。   [0049] <藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)>   依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,較佳為包含與上述藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)為相異的硬化反應,亦即,藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)。本說明書中,所謂的活性能量線係意味著一電磁波,其具有使硬化劑成分自基態激發至過渡狀態所需之能量,意味著例如電子線、紫外線、可視光線等。作為藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1),只要是具有藉由活性能量線的照射所致的硬化反應而可使體積收縮的硬化性即可,未特別限制可使用以往周知的材料,但較佳可使用例如可藉由自由基性的加成聚合反應而硬化的硬化性成分(B1-1)。本說明書中,所謂的自由基性的加成聚合,指藉由自由基來開始聚合,再加成具有雙鍵或三鍵的不飽和化合物而成為聚合物之反應之意思。作為如此般之可藉由自由基性加成聚合反應而硬化的硬化性成分,較佳為分子中具有1個以上的乙烯性不飽和基之化合物。   [0050] 藉由於FO-WLP用翹曲矯正材中包含藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分與藉由加熱使體積收縮的硬化性成分,在使翹曲矯正材硬化之際,可分別使藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)與藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)各別地硬化。因此,使用該翹曲矯正材來形成FO-WLP之翹曲矯正層時,因應於擬似晶圓之翹曲量(即,因絕緣層之體積收縮而作用於FO-WLP之應力),可控制各自的硬化性成分的硬化反應,可使翹曲矯正層產生與擬似晶圓內在的翹曲應力為相同程度的收縮應力。其結果,即使是製造絕緣膜之材料、厚度、圖型為相異般的FO-WLP之情形,亦可得到翹曲為被減低的FO-WLP。   [0051] 作為分子中具有1個以上的乙烯性不飽和基之自由基性的加成聚合反應性成分之具體例,可舉例如慣用周知的聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、碳酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。具體而言可舉例:丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯等之丙烯酸羥基烷基酯類;乙二醇、甲氧基四乙二醇、聚乙二醇、丙二醇等之二醇之二丙烯酸酯類;N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基胺基丙基丙烯醯胺等之丙烯醯胺類;N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯酸酯等之胺基烷基丙烯酸酯類;己二醇、三羥甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、參-羥基乙基異氰脲酸酯等之多元醇或該等之環氧乙烷加成物、環氧丙烷加成物、或ε-己內酯加成物等之多元丙烯酸酯類;丙烯酸苯氧酯、雙酚A二丙烯酸酯、及該等之酚類之環氧乙烷加成物或環氧丙烷加成物等之多元丙烯酸酯類;甘油二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、三縮水甘油基異氰脲酸酯等之縮水甘油醚之多元丙烯酸酯類;另外不限於前述,還可舉例將聚醚多元醇、聚碳酸酯二元醇、羥基末端聚丁二烯、聚酯多元醇等之多元醇直接進行丙烯酸酯化、或透過二異氰酸酯進行胺基甲酸酯丙烯酸酯化的丙烯酸酯類及三聚氰胺丙烯酸酯、及對應於前述丙烯酸酯的各甲基丙烯酸酯類中之至少任一種等。又,亦可使用雙馬來醯亞胺。   [0052] 除了上述以外,作為可藉由自由基性的加成聚合反應來產生硬化的硬化性成分,亦可使用如下述(1)~(11)般的化合物,可單獨使用1種、或組合2種以上使用,或是與上述分子中具有1個以上的乙烯性不飽和基之單體併用。   (1)使一分子中具有複數個酚性羥基之化合物與環氧烷烴(alkyleneoxide)反應得到反應生成物,使含有不飽和基之單羧酸與該反應生成物反應,再使多元酸酐與所得到的反應生成物反應而得到的含有不飽和基之聚合物;   (2)使二官能或二官能以上的多官能環氧樹脂與(甲基)丙烯酸反應,對存在於側鏈的羥基加成二元酸酐而成的含有丙烯醯基之聚合物;   (3)使二官能環氧樹脂之羥基進一步以環氧氯丙烷予以環氧化成為多官能環氧樹脂,使(甲基)丙烯酸與該多官能環氧樹脂反應,再對於生成的羥基加成二元酸酐而成的含有丙烯醯基之聚合物;   (4)使一分子中具有複數個酚性羥基之化合物與環狀碳酸酯化合物反應得到反應生成物,使含有不飽和基之單羧酸與該反應生成物反應,再使多元酸酐與所得到的反應生成物反應而得到的含有不飽和基之聚合物;   (5)藉由二異氰酸酯、與二官能環氧樹脂的(甲基)丙烯酸酯或其部分酸酐改性物、含有羧基之二醇化合物及二醇化合物之聚加成反應而成的含有丙烯醯基之胺基甲酸酯樹脂;   (6)藉由不飽和羧酸、與含有不飽和基之化合物之共聚合而得到的含有不飽和基之聚合物;   (7)在藉由二異氰酸酯、與含有羧基之二醇化合物及二醇化合物之聚加成反應而得到樹脂之合成中,添加分子內具有1個羥基與1個以上的(甲基)丙烯醯基而成的化合物,而得到的末端(甲基)丙烯醯基化的含有丙烯醯基之胺基甲酸酯樹脂;   (8)在藉由二異氰酸酯、與含有羧基之二醇化合物及二醇化合物之聚加成反應而得到樹脂之合成中,添加分子內具有1個異氰酸酯基與1個以上的(甲基)丙烯醯基而成的化合物,而得到的末端(甲基)丙烯醯基化的含有丙烯醯基之胺基甲酸酯樹脂;   (9)在前述(5)的樹脂之合成中,添加分子內具有1個羥基與1個以上的(甲基)丙烯醯基而成的化合物,而得到的末端(甲基)丙烯醯基化的含有丙烯醯基之胺基甲酸酯樹脂;   (10)在前述(5)的樹脂之合成中,添加分子內具有1個異氰酸酯基與1個以上的(甲基)丙烯醯基而成的化合物,而得到的末端(甲基)丙烯醯基化的含有丙烯醯基之胺基甲酸酯樹脂;及   (11)對於上述(1)~(10)的樹脂,進一步加成一分子內具有1個環氧基與1個以上的(甲基)丙烯醯基而成的化合物,而得到的含有丙烯醯基之聚合物等。   [0053] 進一步,作為藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1),亦可使用光硬化性熱硬化性成分(AB)。所謂的光硬化性熱硬化性成分(AB),指該分子中同時具有1個以上的乙烯性不飽和基與前述的環狀醚類而成的化合物。作為如此般之化合物,可舉出(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、4-羥基丁基丙烯酸酯縮水甘油醚、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯單縮水甘油醚、3,4-環氧環己基甲基甲基丙烯酸酯等。該等化合物,如後述般地,由於藉由活性能量線的照射會體積收縮,進一步藉由加熱亦會體積收縮,故可有效地將FO-WLP之翹曲藉由收縮來進行矯正,故為較佳。   [0054] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,較佳為包含硬化劑成分(B2),其係可使藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)硬化者。作為硬化劑成分(B2),可舉出:可藉由熱使硬化性成分(B1)產生自由基聚合的硬化劑成分(B2-1)、及可藉由活性能量線使硬化性成分(B1)產生藉由自由基性的加成聚合反應而聚合的硬化性成分(B2-2),較佳為藉由活性能量線而可使硬化性成分(B1)產生藉由自由基性的加成聚合反應而聚合的硬化性成分(B2-2)。   [0055] 作為可使藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)產生藉由自由基性的加成聚合反應而聚合的硬化劑成分(B2-2),可舉例如雙-(2,6-二氯苯甲醯基)苯基氧化膦、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基氧化膦、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-4-丙基苯基氧化膦、雙-(2,6-二氯苯甲醯基)-1-萘基氧化膦、雙-(2,6-二甲氧基苯甲醯基)苯基氧化膦、雙-(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、雙-(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,5-二甲基苯基氧化膦、雙-(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦(IGM Resins公司製Omnirad 819)、2,6-二甲氧基苯甲醯基二苯基氧化膦、2,6-二氯苯甲醯基二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基膦酸甲基酯、2-甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、三甲基乙醯基苯基膦酸異丙基酯、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦(BASF Japan股份有限公司製IRGACURE TPO)等之醯基氧化膦(acylphosphine oxide)類;1-羥基-環己基苯基酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等之羥基苯乙酮類;苯偶姻、苄基、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻n-丙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻n-丁基醚等之苯偶姻類;苯偶姻烷基醚類;二苯甲酮、p-甲基二苯甲酮、米其勒酮、甲基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮、4,4’-雙二乙基胺基二苯甲酮等之二苯甲酮類;苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基)-1-[4-(4-嗎咻基)苯基]-1-丁酮、N,N-二甲基胺基苯乙酮等之苯乙酮類;噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-異丙基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮等之噻吨酮類;蒽醌、氯蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-tert-丁基蒽醌、1-氯蒽醌、2-戊基蒽醌、2-胺基蒽醌等之蒽醌類;苯乙酮二甲基縮酮、苄基二甲基縮酮等之縮酮類;乙基-4-二甲基胺基苯甲酸酯、2-(二甲基胺基)乙基苯甲酸酯、p-二甲基安息香酸乙基酯等之安息香酸酯類;1,2-辛二酮,1-[4-(苯基硫代)-,2-(O-苯甲醯基肟)]、乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)等之肟酯類;雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基)鈦、雙(環戊二烯)-雙[2,6-二氟-3-(2-(1-吡咯-1-基)乙基)苯基]鈦等之鈦莘類;苯基二硫醚2-硝茀、丁二烯、茴香偶姻乙醚、偶氮二異丁腈、二硫化四甲基秋蘭姆。   [0056] 上述的可使藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)產生藉由自由基性的加成聚合反應而聚合的硬化劑成分(B2-2),可單獨使用1種、或組合2種以上來使用。該等中較佳為使用選自由肟酯類(以下稱為「肟酯系光聚合起始劑」)、苯乙酮類之一的α-胺基苯乙酮類(以下稱為「α-胺基苯乙酮系光聚合起始劑」)、及醯基氧化膦類(以下稱為「醯基氧化膦系光聚合起始劑」)所成之群之1種以上的光聚合起始劑。   [0057] 作為肟酯系光聚合起始劑,市售品方面可舉出BASF Japan股份有限公司製的CGI-325、IRGACURE OXE01、IRGACURE OXE02、股份有限公司ADEKA製N-1919等。又,分子內具有2個肟酯基的光聚合起始劑亦可適宜使用,具體而言可舉出具有下述一般式所表示之咔唑構造之肟酯化合物。[0058] 上述式中,X係表示氫原子、碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、苯基、苯基(經碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基的烷基胺基或二烷基胺基所取代)、萘基(經碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基的烷基胺基或二烷基胺基所取代),Y、Z係分別表示氫原子、碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、鹵素、苯基、苯基(經碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基的烷基胺基或二烷基胺基所取代)、萘基(經碳數1~17之烷基、碳數1~8之烷氧基、胺基、具有碳數1~8之烷基的烷基胺基或二烷基胺基所取代)、蒽基、吡啶基、苯並呋喃基、苯並噻吩基,Ar係表示碳數1~10之伸烷基、伸乙烯基、伸苯基、伸聯苯基、伸吡啶基、伸萘基、噻吩基、伸蒽基、伸噻吩基、伸呋喃基、2,5-吡咯二基、4,4’-芪基-二基、4,2’-苯乙烯基-二基,n為0或1之整數。   [0059] 作為具有上述一般式所表示之咔唑構造之肟酯化合物,特佳為式中的X、Y分別為甲基或乙基,Z為甲基或苯基,n為0,Ar為伸苯基、伸萘基、噻吩基或伸噻吩基的肟酯化合物。   [0060] 肟酯系光聚合起始劑之調配量,相對於藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)100質量份,較佳設為0.01~5質量份。   [0061] 作為α-胺基苯乙酮系光聚合起始劑,具體而言可舉出2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-嗎啉基丙酮-1、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-嗎咻基)苯基]-1-丁酮、N,N-二甲基胺基苯乙酮等。市售品方面,可舉出IGM Resins公司製Omnirad 907、BASF Japan股份有限公司製的IRGACURE 369、IRGACURE 379等。   [0062] 作為醯基氧化膦系光聚合起始劑,可舉出上述的化合物。市售品方面,可舉出BASF Japan股份有限公司製的IRGACURE TPO、IGM Resins公司製的Omnirad 819等。   [0063] 肟酯系光聚合起始劑除外的光聚合起始劑之調配量,相對於藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)100質量份,較佳為0.1~30質量份。若為0.1質量份以上之情形時,翹曲矯正材之光硬化性為良好,塗佈膜不易產生,耐藥品性等之塗佈膜之特性亦為良好。又,若為30質量份以下之情形時,可得到降低釋氣(out gas)之效果,進一步在塗佈膜表面之光吸收變得良好,深部硬化性不易降低。又較佳為0.5~15質量份。   [0064] 作為可使藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)產生藉由自由基性的加成聚合反應而聚合的硬化劑成分(B2-2),若使用肟酯系光聚合起始劑之情形時,即使是以少量亦可得到充分的感度,不僅如此,若調配熱硬化性成分之情形時,在熱硬化時、及安裝之際之後段熱步驟中,光聚合起始劑之揮發為少,故可降低乾燥爐等之裝置之污染。   [0065] 又,若使用醯基氧化膦系光聚合起始劑之情形時,可提升光反應時之深部硬化性,故在解像性中可得到良好的開口形狀。   [0066] 不論是使用肟酯系光聚合起始劑、或醯基氧化膦系光聚合起始劑之何者皆為有效,就如上述般的阻劑之線形狀及開口之均衡、光硬化性之點而言,以併用肟酯系光聚合起始劑與醯基氧化膦系光聚合起始劑為更適宜。   [0067] 又,作為可使藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)產生藉由自由基性的加成聚合反應而聚合的硬化劑成分(B2-2),可使用市售品,可適宜地使用例如BASF Japan股份有限公司製的IRGACURE 389、IRGACURE 784。   [0068] 可使藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)產生藉由自由基性的加成聚合反應而聚合的硬化劑成分(B2-2)之調配量,相對於藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)100質量份,較佳為1~25質量份,又較佳為5~20質量份,更佳為10~20質量份。   [0069] 本發明中,若作為硬化劑成分為包含光硬化劑成分之情形時,FO-WLP用翹曲矯正材中可包含光起始助劑或增感劑。作為光起始助劑及增感劑,可舉例苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、蒽醌化合物、噻吨酮化合物、縮酮化合物、二苯甲酮化合物、三級胺化合物、及呫噸酮(xanthone)化合物等。光起始助劑及增感劑可單獨使用1種、或以2種以上的混合體來使用。上述之中,較佳為噻吨酮化合物及三級胺化合物。特別是,包含噻吨酮化合物時,就樹脂組成物之深部硬化性之方面而言,故為較佳。其中,較佳為包含2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮等之噻吨酮化合物。   [0070] 若要示例上述的硬化性成分與硬化劑成分之組合時,可舉例如藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)及作為可使硬化性成分(A1)硬化的硬化劑成分(A2)的熱硬化劑成分(A2-1)、與藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)及作為可使硬化性成分(B1)硬化的硬化劑成分(B2)的光硬化劑成分(B2-2)之組合。   [0071] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,令藉由加熱所致的體積收縮率為αH (%)時,較佳為滿足下述式(1)。   0<αH ≦5   (1)   αH 係可藉由測定FO-WLP用翹曲矯正材的加熱前後的密度並依下述式而算出。   體積收縮率αH (%)=(1-(加熱前的硬化性成分的密度/加熱後的硬化性成分的密度))×100   [0072] 例如,若硬化前的FO-WLP用翹曲矯正材的密度為1.0g/cm3 、藉由加熱的硬化後的FO-WLP用翹曲矯正材的密度為1.2g/cm3 時,則體積收縮率(%)約為17%。若FO-WLP用翹曲矯正材為液狀之情形時的密度,例如,可在25℃的環境下量測一定的體積,再由該質量來測定密度。若FO-WLP用翹曲矯正材為固形物之情形或硬化後的硬化性成分之情形時,可藉由水中取代法(阿基米得法)來測定密度。更具體而言,例如使用Mettler公司製XS205分析天秤與密度測定套組「固體及液體的密度測定套組」,使用蒸餾水作為取代液,依下述式可求得密度(ρS )。   ρS =(α×ρ0 )/(α-β)   (上述式中,ρS 係表示固形物的密度,α係表示在大氣中的固形物之質量,β係表示在取代液中的固形物之質量,ρ0 係表示在測定溫度下的蒸餾水的密度)。   [0073] 又,FO-WLP用翹曲矯正材,令藉由活性能量線照射所致的體積收縮率為αI (%)時,較佳為滿足下述式(2)。   2≦αI ≦20   (2)   又較佳為2≦αI ≦15。αI 係可藉由測定FO-WLP用翹曲矯正材的活性能量線照射前後的密度並與上述相同地算出。   [0074] 進一步,本發明中,FO-WLP用翹曲矯正材的藉由加熱所致的體積收縮率(αH )及藉由活性能量線照射所致的體積收縮率(αI ),較佳為滿足下述式(3)。   αH <αI (3)   藉由使成為滿足如上述式(1)至(3)般之翹曲矯正材,可更進一層有效地抑制因FO-WLP之製造時及安裝時所產生之翹曲。   [0075] 本發明中,FO-WLP用翹曲矯正材中所包含的硬化性成分(A1)及(B1)之調配比例,作為質量基準,較佳為0.05≦(A1)/(B1)≦20之範圍,又較佳為0.07≦(A1)/(B1)≦15之範圍。藉由使硬化性成分(A1)及(B1)以上述之比率來進行調配,雙方的硬化性成分大致上會進行硬化反應,其結果,可得到更優異的翹曲矯正效果。   [0076] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,若加工成為薄膜(乃至於薄片)狀之情形時,可包含薄膜性賦予聚合物成分(C1),其係使薄膜(乃至於薄片)形狀之維持變得容易。作為如此般之薄膜性賦予聚合物成分(C1),可舉出熱塑性聚羥基聚醚樹脂、或環氧氯丙烷與各種二官能苯酚化合物之縮合物的苯氧基樹脂或使用各種酸酐或酸氯化物將存在該骨架的羥基醚部之羥基予以酯化而成的苯氧基樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、嵌段共聚物等。該等的聚合物可單獨使用1種、或組合2種以上來使用。為了可維持薄膜(乃至於薄片)形狀,該等聚合物之重量平均分子量(Mw)通常為2×104 以上,較佳為2×104 ~3×106 。   [0077] 尚,本說明書中,重量平均分子量(Mw)之值係可藉由凝膠滲透層析法(GPC法)(聚苯乙烯標準),並以下述測定裝置、測定條件來進行測定。   測定裝置:Waters製「Waters 2695」   檢測器:Waters製「Waters 2414」、RI(示差折射率儀)   管柱:Waters製「HSPgel Column, HR MB-L, 3μm, 6mm×150mm」×2+Waters製「HSPgel Column, HR1, 3μm, 6mm×150mm」×2 測定條件:   管柱溫度:40℃   RI檢測器設定溫度:35℃   展開溶劑:四氫呋喃   流速:0.5ml/分   樣品量:10μl   樣品濃度:0.7wt%   [0078] 聚乙烯基縮醛樹脂,例如,可將聚乙烯醇樹脂以醛進行縮醛化而得到。作為上述醛,未特別限定,可舉例如甲醛、乙醛、丙醛、丁醛等。   [0079] 作為苯氧基樹脂之具體例,可舉出新日鐵住金股份有限公司製FX280、FX293、Mitsubishi Chemical股份有限公司製YX8100、YL6954、YL6974等。   [0080] 作為聚乙烯基縮醛樹脂之具體例,可舉出積水化學工業股份有限公司製S-LEC KS系列,作為聚醯胺樹脂,可舉出日立化成股份有限公司製KS5000系列、日本化藥股份有限公司製BP系列等。   [0081] 作為聚醯胺醯亞胺樹脂,可舉出日立化成股份有限公司製KS9000系列等。   [0082] 若熱塑性聚羥基聚醚樹脂為具有茀骨架之情形時,由於具有高的玻璃轉移點且耐熱性為優異,故可維持藉由半固形或固形環氧樹脂所致的低熱膨脹率之同時維持該玻璃轉移點,而得到的硬化皮膜為均衡性良好地兼具低熱膨脹率與高玻璃轉移點。又,由於熱塑性聚羥基聚醚樹脂具有羥基,故對於擬似晶圓展現出良好的密著性。   [0083] 薄膜性賦予聚合物成分(C1),亦可為將構成上述成分之單體經嵌段共聚合而成者。所謂的嵌段共聚物,指性質相異的二種類以上的聚合物以共價鍵連結,而成為長連結鏈的分子構造的共聚物。作為嵌段共聚物,較佳為X-Y-X型或X-Y-X’型嵌段共聚物。X-Y-X型及X-Y-X’型嵌段共聚物之中,以中央的Y為軟嵌段且玻璃轉移溫度(Tg)為低、該兩外側的X或X’為硬嵌段且玻璃轉移溫度(Tg)較中央的Y嵌段為高的聚合物單位所構成者為較佳。玻璃轉移溫度(Tg)可藉由示差掃描熱量測定(DSC)來進行測定。   [0084] 又,X-Y-X型及X-Y-X’型嵌段共聚物之中,更佳為下述嵌段共聚物:X或X’係由Tg為50℃以上的聚合物單位所成,Y係由玻璃轉移溫度(Tg)為X或X’之Tg以下的聚合物單位所成。又,X-Y-X型及X-Y-X’型嵌段共聚物之中,以X或X’之與硬化性成分(A1)或硬化性成分(B1)之相溶性為高者為較佳,以Y之與硬化性成分(A1)或硬化性成分(B1)之相溶性為低者為較佳。如此般地,使成為嵌段共聚物之兩端的嵌段與基質(硬化性成分)為相溶,中央的嵌段與基質(硬化性成分)為不相溶,因而認為可容易在基質中展現出特異的構造。   [0085] 上述的各種薄膜性賦予聚合物成分(C1)之中,以苯氧基樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、具有茀骨架之熱塑性聚羥基聚醚樹脂、嵌段共聚物為較佳。   [0086] 對於本發明之FO-WLP用翹曲矯正材添加薄膜性賦予聚合物成分(C1)之情形時,在構成FO-WLP用翹曲矯正材之全成分中薄膜性賦予聚合物成分(C1)所佔之比例未特別限定,令全成分之合計為100質量份時,較佳為2~40質量份,又較佳為5~35質量份。   [0087] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材中可包含無機填充料成分(D)。藉由含有無機填充料成分(D),例如,在FO-WLP的分片化(切割)時,容易切斷。又,藉由對保護膜施予雷射標記,因雷射光而被削除的部分會使無機填充料成分(D)裸露出來,由於反射光擴散而呈現接近於白色之顏色。因此,若FO-WLP用翹曲矯正材含有後述的著色劑成分(E)之情形時,在雷射標記部分與其他部分之間可得到對比差,具有所謂的標記(印字)清楚之效果。   [0088] 作為無機填充料成分(D),未有限制而可使用以往周知者,可舉例如二氧化矽、氧化鋁、滑石、氫氧化鋁、碳酸鈣、諾伊博格矽藻土、玻璃粉末、黏土、碳酸鎂、天然雲母、合成雲母、硫酸鋇、鈦酸鋇、水滑石、礦物棉、矽酸鋁、矽酸鈣、鋅白、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽、氮化硼之粉末、將該等球形化而成的珠粒、單晶纖維及玻璃纖維等,該等可單獨使用1種、或混合2種以上來使用。該等之中,由於可控制薄膜中之比介電率,故較佳為二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦。   [0089] 無機填充料成分(D),平均粒徑較佳為使用0.01~15μm,又較佳為0.02~12μm,特佳為0.03~10μm。尚,本說明書中,平均粒徑是利用電子顯微鏡測定隨機選出的20個無機填充料(C)的長軸直徑,並採用作為該算術平均值算出的個數平均粒徑。   [0090] 若添加無機填充料成分(D)之情形時,令FO-WLP用翹曲矯正材的硬化性成分(A1)及(B1)、與硬化劑成分(A2)及(B2)、與反應性的薄膜賦予性聚合物成分(C1)及反應性的薄膜賦予性聚合物成分(C2)之合計設為100質量份,對此該無機填充料成分(D)之含有量較佳為5~400質量份,又較佳為10~350質量份,特佳為30~300質量份。   [0091] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材中可包含著色劑成分(E)。藉由包含著色劑成分(E),將配置有FO-WLP用翹曲矯正材的半導體晶片組裝至機器之際,可防止因來自於周圍裝置所產生的紅外線等所致的半導體裝置的錯誤操作。又,藉由雷射標記等之手段對硬化劑組成物進行印字之情形時,可容易辨識文字、符號等之記號。即,形成有翹曲矯正層的半導體晶片,保護膜的表面上通常為藉由雷射標記法(藉由雷射光來將保護膜表面削除並進行印字之方法)來印上型號等,藉由使FO-WLP用翹曲矯正材含有著色劑,保護膜之藉由雷射光而被削除的部分與未削除的部分之間可得到充分的對比差,而提升了視認性。   [0092] 作為著色劑成分(E),可單獨使用有機或無機的顏料及染料之1種,或組合2種以上來使用,但該等中就電磁波或紅外線遮蔽性之點而言,較佳為黑色顏料。作為黑色顏料,可使用碳黑、苝黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑、活性碳等,但不限定於該等。就防止半導體裝置之錯誤操作之觀點而言,特佳為碳黑。又,為了取代碳黑,亦可將紅、藍、綠、黃色等之顏料或染料混合,使成為黑色或接近於黑色的黑色系之顏色。   [0093] 作為紅色著色劑,有單偶氮系、雙偶氮系、偶氮色澱系、苯并咪唑酮系、苝系、二酮基吡咯并吡咯系、縮合偶氮系、蒽醌系、喹吖酮系等,具體而言可舉例如下述者。可舉出:Pigment Red 1、2、3、4、5、6、8、9、12、14、15、16、17、21、22、23、31、32、112、114、146、147、151、170、184、187、188、193、210、245、253、258、266、267、268、269等之單偶氮系紅色著色劑;Pigment Red 37、38、41等之雙偶氮系紅色著色劑;Pigment Red 48:1、48:2、48:3、48:4、49:1、49:2、50:1、52:1、52:2、53:1、53:2、57:1、58:4、63:1、63:2、64:1、68等之單偶氮色澱系紅色著色劑;Pigment Red 171、Pigment Red 175、Pigment Red 176、Pigment Red 185、Pigment Red 208等之苯并咪唑酮系紅色著色劑;Solvent Red 135、Solvent Red 179、Pigment Red 123、Pigment Red 149、Pigment Red 166、Pigment Red 178、Pigment Red 179、Pigment Red 190、Pigment Red 194、Pigment Red 224等之苝系紅色著色劑;Pigment Red 254、Pigment Red 255、Pigment Red 264、Pigment Red 270、Pigment Red 272等之二酮基吡咯并吡咯系紅色著色劑;Pigment Red 220、Pigment Red 144、Pigment Red 166、Pigment Red 214、Pigment Red 220、Pigment Red 221、Pigment Red 242等之縮合偶氮系紅色著色劑;Pigment Red 168、Pigment Red 177、Pigment Red 216、Solvent Red 149、Solvent Red 150、Solvent Red 52、Solvent Red 207等之蒽醌系紅色著色劑;Pigment Red 122、Pigment Red 202、Pigment Red 206、Pigment Red 207、Pigment Red 209等之喹吖酮系紅色著色劑。   [0094] 作為藍色著色劑,有酞菁系、蒽醌系等,顏料系為被分類為顏料(Pigment)之化合物,具體而言可舉出:Pigment Blue 15、Pigment Blue 15:1、Pigment Blue 15:2、Pigment Blue 15:3、Pigment Blue 15:4、Pigment Blue 15:6、Pigment Blue 16、Pigment Blue 60等。作為染料系,可使用Solvent Blue 35、Solvent Blue 63、Solvent Blue 68、Solvent Blue 70、Solvent Blue 83、Solvent Blue 87、Solvent Blue 94、Solvent Blue 97、Solvent Blue 122、Solvent Blue 136、Solvent Blue 67、Solvent Blue 70等。又,除了該等以外,亦可使用金屬取代或未取代的酞菁化合物。   [0095] 作為綠色著色劑,相同地有酞菁系、蒽醌系、苝系等,具體而言可使用Pigment Green 7、Pigment Green 36、Solvent Green 3、Solvent Green 5、Solvent Green 20、Solvent Green 28等。除了上述以外,亦可使用金屬取代或未取代的酞菁化合物。   [0096] 作為黃色著色劑,有單偶氮系、雙偶氮系、縮合偶氮系、苯并咪唑酮系、異吲哚啉酮系、蒽醌系等,具體而言可舉例如下述者。可使用:Solvent Yellow 163、Pigment Yellow 24、Pigment Yellow 108、Pigment Yellow 193、Pigment Yellow 147、Pigment Yellow 199、Pigment Yellow 202等之蒽醌系黃色著色劑;Pigment Yellow 110、Pigment Yellow 109、Pigment Yellow 139、Pigment Yellow 179、Pigment Yellow 185等之異吲哚啉酮系黃色著色劑;Pigment Yellow 93、Pigment Yellow 94、Pigment Yellow 95、Pigment Yellow 128、Pigment Yellow 155、Pigment Yellow 166、Pigment Yellow 180等之縮合偶氮系黃色著色劑;Pigment Yellow 120、Pigment Yellow 151、Pigment Yellow 154、Pigment Yellow 156、Pigment Yellow 175、Pigment Yellow 181等之苯并咪唑酮系黃色著色劑;Pigment Yellow 1、2、3、4、5、6、9、10、12、61、62、62:1、65、73、74、75、97、100、104、105、111、116、167、168、169、182、183等之單偶氮系黃色著色劑;Pigment Yellow 12、13、14、16、17、55、63、81、83、87、126、127、152、170、172、174、176、188、198等之雙偶氮系黃色著色劑等。   [0097] 又,以調整色調之目的下,可添加紫、橘色、茶色、黑等之著色劑。若具體示例時,可舉出:Pigment Violet 19、23、29、32、36、38、42;Solvent Violet 13、36;C.I.Pigment Orange 1、C.I.Pigment Orange 5、C.I.Pigment Orange 13、C.I.Pigment Orange 14、C.I.Pigment Orange 16、C.I.Pigment Orange 17、C.I.Pigment Orange 24、C.I.Pigment Orange 34、C.I.Pigment Orange 36、C.I.Pigment Orange 38、C.I.Pigment Orange 40、C.I.Pigment Orange 43、C.I.Pigment Orange 46、C.I.Pigment Orange 49、C.I.Pigment Orange 51、C.I.Pigment Orange 61、C.I.Pigment Orange 63、C.I.Pigment Orange 64、C.I.Pigment Orange 71、C.I.Pigment Orange 73、C.I.Pigment Brown 23、C.I.Pigment Brown 25、C.I.Pigment Black 1、C.I.Pigment Black 7等。   [0098] 尚,若於FO-WLP的扇出區域形成貫穿電極之情形時,由於必須將扇出區域與FO-WLP用翹曲矯正層同時進行雷射加工,故為了對準用,翹曲矯正層亦以具有光穿透性為較佳。適宜地考量如此般之情形時,亦可選擇著色劑成分(E)。   [0099] 著色劑成分(E)之調配量,就至深部之光穿透性為優異,其結果,可得到更佳的翹曲矯正層之觀點而言,令FO-WLP用翹曲矯正材的硬化性成分(A1)及(B1)、與硬化劑成分(A2)及(B2)、與反應性的薄膜賦予性聚合物成分(C1)及反應性的薄膜賦予性聚合物成分(C2)之合計設為100質量份,對此該著色劑成分(E)係較佳為0.1~35質量份,又較佳為0.5~25質量份,特佳為1~15質量份之範圍。   [0100] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材中,為了提升將翹曲矯正層設置於FO-WLP時之翹曲矯正層對被著體(擬似晶圓)之黏著性、密著性及翹曲矯正層之凝聚性之至少任1種特性,可包含偶合劑成分(F1),其具有與無機物反應之官能基及與有機官能基反應之官能基。又,藉由包含偶合劑成分(F1),將FO-WLP用翹曲矯正材之塗佈膜形成至FO-WLP,並將該FO-WLP用翹曲矯正材硬化使形成翹曲矯正層之情形時,可不損及翹曲矯正層之耐熱性來使該耐水性提升。作為如此般之偶合劑,可舉出鈦酸鹽系偶合劑、鋁酸鹽系偶合劑、矽烷偶合劑等。該等之中,較佳為矽烷偶合劑。   [0101] 作為矽烷偶合劑中所含有的有機基,可舉例如乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、脲基、氯丙基、巰基、聚硫醚基、異氰酸酯基等。作為矽烷偶合劑可使用市售者,可舉例如KA-1003、KBM-1003、KBE-1003、KBM-303、KBM-403、KBE-402、KBE-403、KBM-1403、KBM-502、KBM-503、KBE-502、KBE-503、KBM-5103、KBM-602、KBM-603、KBE-603、KBM-903、KBE-903、KBE-9103、KBM-9103、KBM-573、KBM-575、KBM-6123、KBE-585、KBM-703、KBM-802、KBM-803、KBE-846、KBE-9007(皆為商品名、信越化學工業股份有限公司製)等。該等可單獨使用1種、或組合2種以上來使用。   [0102] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材中,除了上述成分以外,因應所需亦可調配各種添加劑。作為各種添加劑,可含有流平劑、可塑劑、抗氧化劑、離子捕集劑、吸雜劑、鏈轉移劑、剝離劑、防鏽劑、密著促進劑、紫外線吸收劑、熱聚合禁止劑、增黏劑、消泡劑等之在電子材料領域中所周知、慣用的添加劑。   [0103] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材中可含有有機溶劑。有機溶劑係在藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)之合成、各成分之混合、及將所得之FO-WLP用翹曲矯正材塗佈至基板或支撐體薄膜之際,可用來調整黏度。   [0104] 作為有機溶劑,可舉例酮類、芳香族烴類、乙二醇醚類、乙二醇醚乙酸酯類、酯類、醇類、脂肪族烴、石油系溶劑等。   [0105] 更具體而言可舉例如甲基乙基酮、環己酮等之酮類、甲苯、二甲苯、四甲基苯等之芳香族烴類、賽珞蘇、甲基賽珞蘇、丁基賽珞蘇、卡必醇、甲基卡必醇、丁基卡必醇、丙二醇單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇二乙基醚、三乙二醇單乙基醚等之乙二醇醚類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丁基醚乙酸酯等之酯類、乙醇、丙醇、乙二醇、丙二醇等之醇類、辛烷、癸烷等之脂肪族烴、石油醚、石腦油、氫化石腦油、溶劑石腦油等之石油系溶劑等。有機溶劑可單獨使用1種、或組合2種以上來使用。   [0106] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,顯示可視光線及紫外線之至少任1種之穿透性之尺度(即,波長300~800nm下的最大穿透率),較佳為20%以下,又較佳為0~15%,更佳為0%~10%,特佳為0.001~8%。   [0107] 另一方面,從擬似晶圓來製造FO-WLP之際必須有進行對準(alignment)之情形,FO-WLP用翹曲矯正材之顯示紅外線之穿透性之尺度(即,波長800~1200nm下的穿透率),較佳為50%以上,又較佳為55%以上,更佳為60%以上,特佳為65%以上。   [0108] 藉由將FO-WLP用翹曲矯正材之波長300~800nm及波長800~1200nm下的穿透率設為上述範圍,可得到所謂的半導體裝置之對準性提升或印字之視認性提升之效果。   [0109] FO-WLP用翹曲矯正材之波長300~800nm及波長800~1200nm下的最大穿透率,可藉由上述著色劑成分(E)之種類及含有量來進行調整。尚,本說明書中,FO-WLP用翹曲矯正材的最大穿透率為使用UV-vis光譜檢査裝置(股份有限公司島津製作所製),將FO-WLP用翹曲矯正材硬化後的硬化物(翹曲矯正層(厚度25μm)),測定在300~1200nm下的全光線穿透率,並以穿透率的最高值(最大穿透率)稱之。   [0110] 使本發明之FO-WLP用翹曲矯正材成為薄膜(乃至於薄片狀)形狀之情形時,該厚度未特別限定,但較佳為3~300μm,又較佳為5~250μm,特佳為7~200μm。   [0111] 依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,例如,作為藉由加熱使體積收縮的硬化性成分(A1)若包含環狀醚類化合物、做為藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分(B1)若包含分子中具有1個以上的乙烯性不飽和基之化合物之情形時,由於具有初期密著性,故藉由在未硬化狀態下對於擬似晶圓或晶片等按壓,而可容易進行黏著。又,按壓之際可對於FO-WLP用翹曲矯正材實施加熱及加壓之任意手段。然後,經由相異的硬化反應,最終可形成密著性與翹曲矯正力為高的硬化膜(翹曲矯正層)。使用依據本發明而得之FO-WLP用翹曲矯正材,所形成的硬化膜(翹曲矯正層)之黏著強度亦為優異,即使是在嚴苛的高溫高濕之條件下,亦能保持充分的保護機能。尚,將FO-WLP用翹曲矯正材硬化而得之翹曲矯正層,可為單層構造,又亦可為多層構造。   [0112] 本發明之FO-WLP用翹曲矯正材,可予以乾膜化後來使用,亦可以液狀之狀態下來使用。作為液狀使用之情形時,可為1液性、或2液性以上。   [0113] 進行乾膜化之際,以有機溶劑將FO-WLP用翹曲矯正材稀釋並調整成適當黏度,利用刮刀式塗佈機、刮板塗佈機、模唇塗佈機、棒式塗佈機、擠壓式塗佈機、反向塗佈機、傳送輥塗佈機、凹板印刷塗佈機、噴霧塗佈機等以厚度均勻之方式塗佈至支撐體薄膜上,通常以50~130℃之溫度下乾燥1~30分鐘,而可得到膜。   [0114] 關於塗佈膜厚未特別限制,就得到更佳的翹曲矯正層之點而言,一般以乾燥後的乾膜膜厚為5~150μm,較佳為10~60μm之範圍內來予以適宜選擇。   [0115] 作為支撐體薄膜,可適宜使用隔離紙、隔離薄膜、分隔紙、剝離薄膜、剝離紙等之以往周知者。又,亦可使用在由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之聚酯薄膜、延伸聚丙烯薄膜(OPP)等之聚烯烴薄膜、聚醯亞胺薄膜等之塑膠薄膜所成之脫模紙用基材之單面或雙面上形成有脫模層者。作為脫模層,只要是具有脫模性之材料即可未特別限定,但可舉例如聚矽氧樹脂、有機樹脂改性聚矽氧樹脂、氟樹脂等。   [0116] 關於支撐體薄膜之厚度未特別限制,一般以在10~150μm之範圍內予以適宜地選擇。   [0117] 將FO-WLP用翹曲矯正材予以成膜至支撐體薄膜上後,進一步就防止塵埃附著至膜表面等之目的下,可於膜表面層合能剝離的覆蓋薄膜(cover film)。作為能剝離的覆蓋薄膜,可使用例如聚乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、經表面處理的紙等。考量覆蓋薄膜之剝離,以相較於膜與支撐體薄膜之黏著力,使膜與覆蓋薄膜之黏著力為小之方式來進行設定。   [0118] 本發明之FO-WLP用翹曲矯正材,例如,以有機溶劑調整成適合於塗佈方法之黏度,於基材上以浸塗法、流塗法、輥塗法、棒塗法、網板印刷法、簾塗法、噴墨印刷法等之方法進行塗佈,在約60~100℃之溫度下使組成物中所包含的有機溶劑揮發乾燥(預乾燥),藉此可形成薄膜形狀。   [0119] 在塗佈本發明之FO-WLP用翹曲矯正材之後所進行的揮發乾燥,可使用熱風循環式乾燥爐、IR爐、加熱板、對流烘箱等(使用具備藉由蒸氣的空氣加熱方式之熱源,使乾燥機內的熱風逆流式接觸之方法及藉由噴嘴噴吹支撐體之方式)。   [0120] 將本發明之FO-WLP用翹曲矯正材以液狀來使用之情形時,可藉由噴墨印刷,於FO-WLP擬似晶圓之所期望之區域形成塗佈膜。該情形時,例如,以避開形成於擬似晶圓上的電極墊、電極通孔或對準記號之部分之方式來進行塗佈,藉此可一邊展現出翹曲矯正力之同時,亦可省略之後的使電極部分開口之步驟、或可容易辨識對準記號等。   [0121] 又,進行噴墨印刷之情形時,僅對於FO-WLP擬似晶圓之特別欲矯正翹曲之區域實施塗佈,並進行硬化反應,藉此可強力地矯正特別欲矯正翹曲之區域,亦可更有效地抑制FO-WLP擬似晶圓面內之翹曲或扭曲。   [0122] 又,藉由噴墨印刷來形成翹曲矯正層之情形時,可藉由複數回印刷來進行。亦可例如,藉由第1回之噴墨印刷,將塗佈膜形成於FO-WLP擬似晶圓之整面上,藉由之後的第2回之噴墨印刷,僅將塗佈膜形成重疊於欲實施翹曲矯正之區域,在擬似晶圓面內使形成塗佈膜之厚度之不均勻,以在面內產生翹曲矯正力之強弱。   [0123] 若將本發明中的FO-WLP用翹曲矯正材以噴墨用的液狀來使用之情形時,該較佳的黏度為25℃下10~1000Pa・s,較佳的表面張力為10~50mN/m。如上述般地進行調整,藉此可效率良好地將FO-WLP用翹曲矯正材形成至擬似晶圓上,故為較佳。黏度或表面張力之調整,可藉由上述所調配的材料之種類或含有量而予以適宜地進行。   [0124] <FO-WLP用翹曲矯正材之用途>   對於使用上述翹曲矯正材來形成FO-WLP之翹曲矯正層之情形進行說明。   [0125] 首先,準備半導體晶圓,於一方之面上進行電路形成。半導體晶圓可為矽晶圓,又可為砷化鎵(GaAs)等之化合物半導體晶圓。對於晶圓表面形成電路,可藉由包含蝕刻法、掀離法等的泛用方法之各式各樣之方法來進形。半導體晶圓在經由切割步驟,亦可切分成各自的半導體晶片。   [0126] 將如上述般操作而得之半導體晶片,透過黏著層而載置於表面平滑的板狀載體(carrier)上。作為載體未特別限定,可使用圓形或四角形的矽晶圓或金屬板。又,作為黏著層,可使用能暫時固定半導體晶片、並於擬似晶圓製作後能剝離者。作為如此般之黏著層材料,可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、苯乙烯・共軛二烯嵌段共聚物等。又,作為黏著層材料,亦可使含有:具有乙烯性不飽和基之含有羧基之樹脂、與上述般的自由基聚合起始劑,藉由含有如此般之樹脂,藉由加熱或活性能量線的照射亦可使黏著層之黏著性產生變化。   [0127] 將半導體晶片載置於黏著層上之際,可使複數個半導體晶以間隔之方式載置。被載置的半導體晶片,在平面視圖中,縱橫方向中的配置數可為相同或相異,又,就密度之提升或確保每單位半導體晶片之端子面積等之各種觀點而言,可被配置成為點對稱或格子狀等。鄰接的半導體晶片間之間隔部之距離未特別限定,但以可得到用來形成最終所得之FO-WLP之連接端子所需的扇出(FO)區域之方式進行配置為期望。   [0128] 接下來,將透過黏著層而載置於板狀載體上的半導體晶片,藉由密封材來進行密封。以半導體晶片之側壁面及頂面為被密封材所密封之方式,將密封材予以塗佈乃至於貼合至載置有半導體晶片的載體上。此時,使半導體晶片間之間隔部亦被嵌入之方式來成形密封材。使用如此般之密封材的密封步驟,可利用液狀、顆粒、薄片狀的周知半導體用密封材,藉由進行壓縮成形來予以形成。周知的半導體用密封材係主要是使用環氧樹脂、環氧樹脂的硬化劑、硬化促進劑、球狀填充料等。   [0129] 使密封材硬化後,將板狀載體予以剝離。剝離係在密封材及半導體晶片與黏著層之間來進行。作為剝離方法,可舉出:進行加熱處理來使黏著層之黏著力變化(降低)而剝離之方法;事先在板狀載體與黏著層之間進行剝離,之後對於黏著層施予加熱處理或電子線、紫外線等之照射處理後而剝離之方法等。   [0130] 如此般操作而得之擬似晶圓,可實施後烘焙。作為後烘焙,例如,在150~200℃之溫度範圍內、以10分~8小時之範圍來進行。接下來,將所得之擬似晶圓之與半導體所嵌入之面為相反側之面進行研磨,亦可使擬似晶圓薄化。研削之方法未特別限定,可使用研磨機等以周知手段來進行研削。擬似晶圓之研削後之厚度未特別限定,但通常為50~500μm左右。   [0131] 接下來,對於擬似晶圓之半導體晶片之電路裸露之面側形成再配線層。首先,利用旋轉塗佈法等,將再配線用絕緣樹脂塗佈至擬似晶圓之半導體晶片之電路裸露面之整面上,以100℃左右進行預焙來形成再配線用絕緣樹脂層。其次,為了使半導體晶片之連接墊開口,使用光微影法等對再配線用絕緣樹脂層形成圖型並進行加熱處理(硬化)。作為加熱處理之條件,例如,在150~250℃之溫度範圍內、以10分~5小時之範圍來進行。作為再配線用絕緣樹脂未特別限定,就耐熱性及信賴性之觀點而言,可使用聚醯亞胺樹脂、聚苯并氧化物(polybenzo-oxide)樹脂、苯并環丁烯樹脂等。如上述般地,將再配線用絕緣樹脂進行加熱處理之際,因絕緣樹脂之加熱收縮而擬似晶圓會有產生翹曲之情形。   [0132] 以濺鍍等之方法將供電層形成至擬似晶圓之再配線層面之整面上,其次,於供電層上形成阻劑層,經曝光、顯影成為指定的圖型後,以電解鍍銅來形成通孔及再配線電路。形成再配線電路後,剝離阻劑層並蝕刻供電層。   [0133] 接下來,對於設置在再配線電路上的連接盤(land)塗佈助焊劑,在搭載焊料球後,藉由進行加熱熔融使得焊料球固定於連接盤。又,可以覆蓋再配線電路及焊料球之一部分之方式來形成阻焊劑層。所塗佈的助焊劑,可使用樹脂系或水溶系者。作為加熱熔融方法,可使用迴焊、加熱板等。如此般操作可得到FO-WLP之擬似晶圓。   [0134] 之後,藉由切割等之方法,使FO-WLP之擬似晶圓進行分片化,藉此而得到FO-WLP。   [0135] 於如此般操作所得之擬似晶圓之與形成再配線層之面為相反側的面上塗佈FO-WLP用翹曲矯正材,來形成塗佈膜。藉由液狀之翹曲矯正材來形成塗佈膜之情形時,作為塗佈方法可舉出網板印刷法或噴墨印刷法等。又,若使用如上述般乾膜化者來作為FO-WLP用翹曲矯正材之情形時,係使乾膜貼合。作為貼附方法,可使用手墨輥、貼合機、真空貼合機、壓縮成形等之周知方法。   [0136] 亦可在貼附步驟中進行加熱,但在一邊進行加熱一邊貼附乾膜之情形時,以FO-WLP用翹曲矯正材未進行熱硬化反應之範圍內來進行加熱為期望。作為開始進行熱硬化反應之溫度,例如,以DSC測定來觀察反應熱而確認為ONSET溫度,並可設定為該溫度以下。DSC測定可使用例如TA Instruments公司DSC Q100,在氮環境下將FO-WLP用翹曲矯正材以昇溫速度5℃/min昇溫至30~300℃,來求得ONSET溫度、Peak top溫度、OFFSET溫度。   [0137] 之後,將支撐體薄膜從乾膜剝離,而得到擬似晶圓與乾膜之層合體。   [0138] 其次,使乾膜硬化來形成翹曲矯正層。若FO-WLP用翹曲矯正材中包含藉由活性能量線來使硬化反應進行的硬化性成分之情形時,藉由進行活性能量線的照射,可使曝光部(藉由活性能量線所照射之部分)硬化。可對於反應前的乾膜之整面照射活性能量線來使其曝光,亦可通過形成有圖型之光罩,以接觸式或非接觸方式來進行藉由活性能量線之曝光。此外,以藉由雷射直接式曝光機來進行直接圖型曝光,亦可使曝光部分光硬化。   [0139] 以形成有圖型之光罩之曝光或藉由雷射直接式曝光機進行直接圖型曝光時,在以局部性進行曝光之情形時,可將未曝光部藉由稀鹼性水溶液(例如0.3~3wt%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液或0.3~3wt%碳酸鈉水溶液)進行顯影,來形成翹曲矯正層之感光圖型,亦可以未顯影地來形成光硬化部分與未硬化部分。   [0140] 以光罩之曝光或藉由雷射直接式曝光機進行直接圖型曝光之情形時,作為圖型形狀,亦可選自例如格子圖樣、棋盤圖樣、水珠圖樣等的重複圖樣。以開口部・遮光部之圖樣之重複單位較最終所得之半導體封裝之尺寸為小為佳。又,在FO-WLP之擬似晶圓之半導體晶片存在之區域、與形成擬似晶圓之樹脂之區域,可使用相異之圖型。   [0141] 進行曝光之際,使來自光罩之開口部/遮光部計算而得之開口率或圖樣,以自晶圓中央部分起朝向周邊部分產生連續性/非連續性之變化之方式照射活性能量線,藉此亦可使翹曲矯正層之反應狀態在面內產生變化。藉由雷射直接式曝光機來進行直接圖型曝光時,可使整面曝光均勻圖型,亦可不均勻地曝光。進一步,亦可使曝光之圖樣產生連續性/非連續性之變化。   [0142] 作為使用於活性能量線照射之曝光機,可使用搭載高壓水銀燈燈、超高壓水銀燈燈、金屬鹵素燈、水銀短弧燈等,並照射350~450nm之範圍的紫外線的裝置。   [0143] 亦可使用直接繪圖裝置(例如,將來自電腦的CAD資料以直接雷射描繪成圖像的雷射直接式圖像化裝置)。作為直接繪圖機之雷射光源,只要是使用最大波長為350~410nm之範圍的雷射光即可,可為任意為氣體雷射或固體雷射。   [0144] 曝光量會因膜厚等而有所差異,一般而言為10~10000mJ/cm2 ,較佳可設為20~8000mJ/cm2 之範圍內。   [0145] 作為顯影方法,可藉由浸漬法、淋浴法、噴霧法、刷塗法等,作為顯影液,可使用氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鈉、碳酸鉀、磷酸鈉、矽酸鈉、氨、胺類等之鹼性水溶液。   [0146] 本發明中,藉由活性能量線的照射量、或整面照射與部分照射的選擇、或部分照射時的顯影處理,來適宜地調整擬似晶圓之翹曲矯正層之硬化度,且依FO-WLP之翹曲情形可簡便地調整矯正量。   [0147] 若FO-WLP用翹曲矯正材中包含藉由熱來使硬化反應進行的硬化性成分之情形時,進行加熱而可使硬化反應進行。作為加熱之方法,可使用烘箱加熱、加熱板加熱高溫空氣加熱、紅外線加熱、對流烘箱等(使用具備藉由蒸氣的空氣加熱方式之熱源,使乾燥機內的熱風逆流式接觸之方法及藉由噴嘴噴吹支撐體之方式)來進行。   [0148] 使FO-WLP用翹曲矯正材藉由熱而硬化來製成翹曲矯正層時之溫度,例如,以DSC測定來觀察反應熱而確認為ONSET溫度,並可設定為該溫度以上。進一步,以設定為Peak Top溫度以上且OFFSET溫度以下為期望。DSC測定可使用例如TA Instruments公司DSC Q100,在氮環境下將FO-WLP用翹曲矯正材以昇溫速度5℃/min昇溫至30~300℃,來求得ONSET溫度、Peak top溫度、OFFSET溫度。   [0149] 本發明中,以調整藉由熱使硬化之際之溫度或時間、或是、以一階段將溫度提高至目標溫度之方法或進行經由中間溫度來加熱至最終溫度之階段性加熱,藉此可適宜地調整擬似晶圓之翹曲矯正層之硬化度,依據FO-WLP之翹曲之情況,可簡便地調整矯正量。將FO-WLP用翹曲矯正材藉由加熱使其硬化時,時間以30秒~3小時為期望。   [0150] 作為FO-WLP用翹曲矯正材之硬化方法,可同時地進行活性能量線的照射與加熱,亦可分別進行。又,活性能量線的照射可進行1回或2回以上。又,用於熱硬化的加熱,亦可進行1回或2回以上。本發明中,同時地進行活性能量線的照射與加熱之方法、於活性能量線的照射後進行加熱之方法、於加熱後照射活性能量線之方法、於活性能量線的照射後進行加熱並進一步照射活性能量線之方法,就硬化反應之反應性之觀點而言為較佳。   [0151] 又,即使是藉由活性能量線的照射或加熱來使FO-WLP用翹曲矯正材硬化並形成翹曲矯正層後,若翹曲矯正量有不足之情形時,亦可進行追加的活性能量線的照射或加熱,進一步來促進反應,以提高翹曲矯正力。 [實施例]   [0152] 以下為藉由實施例來說明本發明,但本發明並不被限定於該等實施例。尚,若未特別告知,「份」、「%」係意味著質量份。   [0153] <硬化性成分(B1)1的調製>   在具備有溫度計、氮導入裝置兼環氧烷烴導入裝置、及攪拌裝置的高壓釜中,置入酚醛清漆型甲酚樹脂(昭和電工股份有限公司製、Shonol CRG951、OH當量:119.4) 119.4份、氫氧化鉀1.19份及甲苯119.4份,一邊攪拌一邊將系內進行氮取代,並加熱昇溫。之後,徐徐滴下環氧丙烷63.8份,以125~132℃、0~4.8kg/cm2 下使反應16小時。之後,冷卻至室溫,對該反應溶液添加混合89%磷酸1.56份來中和氫氧化鉀,得到不揮發分62.1%、羥基值182.2g/eq.的酚醛清漆型甲酚樹脂之環氧丙烷反應溶液。此係每酚性羥基1當量加成平均1.08莫耳的環氧烷烴而成者。   [0154] 將所得之酚醛清漆型甲酚樹脂之環氧烷烴反應溶液293.0份、丙烯酸43.2份、甲烷磺酸11.53份、甲基對苯二酚0.18份及甲苯252.9份置入於具備有攪拌機、溫度計及空氣吹入管的反應器中,以10ml/分之速度吹入空氣,一邊攪拌一邊以110℃使其反應12小時。因反應所生成之水,以作為與甲苯之共沸混合物而餾出12.6份的水。之後,冷卻至室溫,將所得之反應溶液以15%氫氧化鈉水溶液35.35份進行中和,接下來進行水洗。之後,利用蒸發器將甲苯以二乙二醇單乙基醚乙酸酯(卡必醇乙酸酯)118.1份進行取代之同時予以餾除,得到酚醛清漆型丙烯酸酯樹脂溶液。   [0155] 其次,將所得之酚醛清漆型丙烯酸酯樹脂溶液332.5份及三苯基膦1.22份置入於具備有攪拌器、溫度計及空氣吹入管的反應器中,以10ml/分之速度吹入空氣,一邊攪拌一邊徐徐加入四氫鄰苯二甲酸酐60.8份,以95~101℃下使其反應6小時,冷卻後,得到固形物之酸值88mgKOH/g、固形分70.9%的硬化性成分(B1)1的含有丙烯醯基之聚醚化合物溶液。   [0156] <薄膜性賦予聚合物(C1)的調製>   對於二乙二醇單乙基醚乙酸酯(CA)75g添加Y-X-Y型嵌段共聚物(Arkema股份有限公司製M52N)25g,藉由攪拌、並以80℃進行加熱來使其溶解。將此設為薄膜性賦予聚合物C1。   [0157] <翹曲矯正材1~7的調製>   依據下述表1中所示之調配來調配各成分,並以攪拌機進行預混後,使用3軸輥磨機使其分散、混練後來調製分別的翹曲矯正材。尚,表中之調配量係以質量份來表示。尚,表中之硬化性成分(B1)、硬化劑成分(A2-1)及薄膜性賦予聚合物(C1)係作為固形分之值。   [0158][0159] 尚,表1中的各成分之詳細,如同下述。   N-770:DIC股份有限公司製 苯酚酚醛清漆型環氧樹脂 Epiclon N-770   EP-828:Mitsubishi Chemical股份有限公司製 基本液狀型環氧樹脂“828”   EP-1007:Mitsubishi Chemical股份有限公司製 基本固狀型環氧樹脂“1007”   1B2PZ:四國化成股份有限公司製 1B2PZ 1-苄基-2-苯基咪唑   GMA:共榮社化學股份有限公司製 Light ester G 甲基丙烯酸縮水甘油酯   DPGDA:Daicel-Allnex股份有限公司製 DPGDA 二丙二醇二丙烯酸酯   HDDA:Daicel-Allnex股份有限公司製 HDDA 1,6-己二醇二丙烯酸酯   TPGDA:Daicel-Allnex股份有限公司製 TPGDA 三丙二醇二丙烯酸酯   TMPEOTA:Daicel-Allnex股份有限公司製 TMPEOTA 三羥甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯   DPHA:Daicel-Allnex股份有限公司製 DPHA 二季戊四醇六丙烯酸酯   DCPA:共榮社化學股份有限公司製 Light acrylate DCPA   Omnirad 819:IGM Resins公司製 Omnirad 819   IrgTPO:BASF Japan股份有限公司製 IRGACURE TPO   M52N:Arkema股份有限公司製 Nanostrength M52N Y-X-Y型嵌段共聚物   二氧化矽:股份有限公司Admatechs製 Admafine SO-E2   藍色著色劑:C.I.Pigment Blue 15:3   黃色著色劑:C.I.Pigment Yellow 147   紅色發色劑:BASF Japan股份有限公司製 Paliogen Red K3580   [0160] <乾膜的製作>   如上述般操作所得之翹曲矯正材之中,翹曲矯正材1、2及5為直接使用於噴墨印刷用。另一方面,使用翹曲矯正材3、4、6及7來製作乾膜。首先,將翹曲矯正材以甲基乙基酮適宜地進行稀釋後,使用塗抹器以乾燥後的膜厚成為40μm之方式塗佈至PET薄膜(Toray股份有限公司製、FB-50:16μm)上,以80℃乾燥30分而得到乾膜3、4、6及7。   [0161] <翹曲矯正材的藉由加熱所致的體積收縮率的測定>   如上述般操作所調製的翹曲矯正材,若在25℃下為液狀之情形時,將該翹曲矯正材添加於10mL量筒中並放置在25℃的房間中6小時,之後測定質量,由實測體積與質量來求得加熱硬化前的密度(ρ0-H )。另一方面,如乾膜般若在25℃下為固體之情形時,將該固形物的密度使用Mettler-Toledo股份有限公司製XS-205分析天秤與密度測定套組「固體及液體的密度測定套組」,使用蒸餾水作為取代液,依下述式來算出加熱硬化前的密度(ρ0-H )。   ρ0-H =(α×ρH2O )/(α-β)   (上述式中,ρ0-H 係表示加熱硬化前的固形物的密度,α係表示在大氣中的固形物之質量,β係表示在取代液中的固形物之質量,ρH2O 係表示在測定溫度下的蒸餾水的密度)。   [0162] 接下來,若翹曲矯正材為液狀之情形時,將2g左右填充至內徑49mmφ的PTFE容器中,投入至加熱到100℃的烘箱中60分鐘,之後再投入至加熱到150℃的烘箱中60分鐘,來使其熱硬化。另一方面,如乾膜般若在25℃下為固體之情形時,以厚度成為200μm左右之方式將乾膜重疊並進行層合,投入至加熱到100℃的烘箱中60分鐘,之後再投入至加熱到150℃的烘箱中60分鐘,來使其熱硬化。所得之硬化物(以下稱為加熱硬化物)的密度,與上述為相同地使用分析天秤來進行測定。   [0163] 經由如上述般操作所求得的翹曲矯正材的熱硬化前的密度(ρ0-H )與熱硬化後的密度ρH ,依據下述式來算出翹曲矯正材的藉由加熱所致的體積收縮率(αH )。   αH =(1-ρ0-HH )×100(%)   翹曲矯正材的藉由加熱所致的體積收縮率(αH )係如同表3中所示般。   [0164] <翹曲矯正材的藉由活性能量線照射所致的體積收縮率的測定>   如上述般操作所調製的翹曲矯正材,若在25℃下為液狀之情形時,將該翹曲矯正材添加於10mL量筒中並放置在25℃的房間中6小時,之後測定質量,由實測體積與質量來求得活性能量線照射前的密度(ρ0-I )。另一方面,如乾膜般若在25℃下為固體之情形時,將該固形物的密度使用Mettler-Toledo股份有限公司製XS-205分析天秤與密度測定套組「固體及液體的密度測定套組」,使用蒸餾水作為取代液,依下述式來算出活性能量線照射前的密度(ρ0-I )。   ρ0-I =(α×ρH2O )/(α-β)   (上述式中,ρ0-I 係表示活性能量線照射前的固形物的密度,α係表示在大氣中的固形物之質量,β係表示在取代液中的固形物之質量,ρH2O 係表示在測定溫度下的蒸餾水的密度)。   [0165] 接下來,若翹曲矯正材為液狀之情形時,將2g左右填充至內徑49mmφ的PTFE容器中,以金屬鹵素燈照射活性能量線(曝光量:5000mJ/cm2 ),來使其硬化。另一方面,如乾膜般若在25℃下為固體之情形時,以厚度成為200μm左右之方式將乾膜重疊並進行層合,以金屬鹵素燈照射活性能量線(曝光量:5000mJ/cm2 ),來使其硬化。經照射活性能量線而得之硬化物的密度(ρI ),與上述為相同地使用分析天秤來進行測定。   [0166] 經由如上述般操作所測定的活性能量線照射前的翹曲矯正材的密度(ρ0-I )與活性能量線照射後的硬化物的密度(ρI ),依據下述式來算出翹曲矯正材的藉由活性能量線照射所致的體積收縮率(αI )。   αI =(1-ρ0-II )×100(%)   翹曲矯正材的藉由活性能量線照射所致的體積收縮率(αI )係如同下述表3中所示般。   [0167] <擬似晶圓的準備>   使用切割裝置,將Canosis股份有限公司製的單面形成有SiO2 膜(100nm)的P型矽晶圓(4inch、厚度150um)進行切割,得到10mm×10mm方形的半導體晶片。將暫時固定薄膜配置於SUS製平面基板上,使上述半導體晶片以SiO2 面與暫時固定薄膜接觸,半導體晶片之間係以上下左右成為10mm間隔之方式來配置縱橫5×5個。使100mm×100mm方形薄片狀的半導體用密封材以中心位置大致呈一致之方式層合於其上方,使用加熱式按壓著機,以150℃、1小時來進行壓縮成形。作為半導體用密封材,係將具有下述組成的混練物以2片50um的覆蓋薄膜(Teijin Purex film)挾持之方式來進行配置,藉由平板按壓法使混練物形成為薄片狀,使用形成為厚度200um的薄片狀者。   [0168] <半導體用密封材組成物的調製>   調配下述成分,以輥混練機加熱70℃、4分鐘,接下來加熱120℃、6分鐘之合計10分鐘,一邊進行減壓(0.01kg/cm2 )之同時一邊進行熔融混練,來製作混練物。 [0169] 其次,從所得之層合體剝離暫時固定薄膜並研磨背側,得到100mm×100mm方形、厚度200um的擬似晶圓。   [0170] 於所得之擬似晶圓的半導體電路面側,利用旋轉塗佈來塗佈具有下述組成的正型再配線形成用樹脂組成物,以100℃加熱20分鐘來進行預焙。預焙後形成於擬似晶圓上的感光性再配線形成用樹脂層之厚度為10um。   [0171] <再配線形成用樹脂組成物的調製>   首先,使2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)-丙烷溶解於N-甲基吡咯啶酮中,一邊滴下4,4’-二苯基醚二羧酸氯化物的N-甲基吡咯啶酮,一邊以0~5℃使其反應,來合成重量平均分子量1.3×104 的聚羥基醯胺(聚苯并噁唑前驅物)樹脂。   其次,調配包含聚羥基醯胺樹脂的下述成分,將該混合溶液使用3μm孔的鐵氟龍(註冊商標)濾器進行加壓過濾,來調製再配線用樹脂組成物。 [0172] 接下來,透過光罩(其係100um的圓形開口圖型以400um間距縱橫連續地形成者),使用ORC公司製的HMW680GW(金屬鹵素燈),以曝光量500mJ/cm2 來進行形成正型圖型狀之光照射,使用TMAH2.38wt%水溶液,於25℃下進行2分鐘的顯影,所形成的再配線樹脂層為形成有圓型開口圖型。之後,以200℃進行烘焙處理1小時後,冷卻至室溫。如此操作所得之擬似晶圓,產生了使再配線樹脂層側成為凹狀之翹曲。翹曲量係以100mm×100mm方形的周邊部作為基準,中央部呈現6mm凹入之狀態。   [0173] 在與擬似晶圓的電路形成面(形成再配線樹脂層的面)為相反側的面的整面上,使用上述所得之各翹曲矯正材1、2及5,藉由壓電型噴墨印刷機以塗佈後之厚度為20μm之方式來形成塗佈膜。此時,印刷後立即以噴墨頭所附帶的高壓水銀燈進行活性能量線硬化(步驟1),進一步進行步驟2的加熱來使塗佈膜硬化。表2的步驟3所記載條件的翹曲矯正材2,係進一步進行活性能量線的照射。硬化反應如同表2中所示。   [0174] 又,使用真空貼合機,將各乾膜3、4、6及7貼合至與擬似晶圓的電路形成面為相反側的面上,接下來,以表2所示的曝光條件與加熱條件之組合,來使乾膜硬化。曝光步驟為較加熱步驟先行實施者,於曝光步驟後將支撐體薄膜予以剝離,再實施加熱步驟。尚,硬化反應係如表2的步驟1、2、3之順序來進行。   [0175][0176] 尚,表2中,橫線(-)係表示未實施該步驟。又,UV1、UV2、UV3、UV4及K1之分別的硬化條件,如下所述。   UV1:在25℃下,使用附屬於噴墨印刷裝置的高壓水銀燈,以300mJ/cm2 來照射著點的液滴。   UV2:在25℃下,使用附屬於噴墨印刷裝置的高壓水銀燈,以300mJ/cm2 僅照射半導體晶片嵌入之位置。   UV3:在25℃下,使用金屬鹵素燈,以3000mJ/cm2 來照射整面。   UV4:在25℃下,使用金屬鹵素燈,以2000mJ/cm2 來照射整面。   K1:以170℃加熱1小時。   [0177] <擬似晶圓的翹曲測定>   測定形成有如上述般操作而得之翹曲矯正層的擬似晶圓之翹曲量。翹曲量為在25℃下,使用長條狀游標尺來進行測定。以擬似晶圓的周邊部2點作為基準,當中心部之翹曲為±2mm以下時,則判定為良好(〇)。±2~3mm,則判定為△,超過±3mm時,則判定為不良(×)。若判定為×者,則不進行後續之評估。評估結果如同下述表3中所示。   [0178] <擬似晶圓的信賴性試驗>   將上述的翹曲評估中得到良好結果的晶圓進行切割,裁切成晶片形狀,就每1個條件為對於10個樣品進行焊料耐熱性(以260℃、10秒鐘進行3回)、冷熱循環500回(將以 -40℃放置15分鐘後,再以125℃放置15分鐘設為1循環)的信賴性試驗。之後,進行擬似晶圓的斷面顯微鏡觀察,觀察翹曲矯正材所密著的邊界部分,來確認有無產生剝離之不良品。10個中,若剝離為0個時,則判定為合格(〇),若產生1個以上的剝離時,則判定為不合格(×)。評估結果如同下述表3中所示。   [0179][0180] 從表3可明確得知般,FO-WLP擬似晶圓所具備的翹曲矯正層為使用翹曲矯正材1、2、3、4所形成者(該等係藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮的翹曲矯正材),翹曲矯正力為高,且即使是之後的半導體安裝時的熱歷程或信賴性評估中,亦未產生剝離不良,而為良好之結果。   [0181] 另一方面,FO-WLP擬似晶圓所具備的翹曲矯正層為使用翹曲矯正材5及7所形成者(該等係藉由活性能量線的照射使體積收縮,但藉由進一步的加熱而體積未收縮的翹曲矯正材),翹曲矯正力為不足,於翹曲矯正力時產生剝離、或在半導體安裝時的熱歷程或信賴性評估中產生剝離。又,FO-WLP擬似晶圓所具備的翹曲矯正層為使用翹曲矯正材6所形成者(其係藉由加熱使體積收縮,但藉由活性能量線的照射而體積未收縮的翹曲矯正材),翹曲矯正力為不足。

Claims (6)

  1. 一種扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其係藉由活性能量線的照射使體積收縮,藉由前述活性能量線照射後的加熱,進一步使體積收縮。
  2. 如請求項1中記載之扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其中,包含藉由活性能量線的照射使體積收縮的硬化性成分與藉由加熱使體積收縮的硬化性成分。
  3. 如請求項1或2中記載之扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其中,令藉由加熱所致的體積收縮率為αH (%)時,係滿足下述式(1):   0<αH ≦5   (1)。
  4. 如請求項1或2中記載之扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其中,令藉由活性能量線照射所致的體積收縮率為αI (%)時,係滿足下述式(2):   2≦αI ≦20   (2)。
  5. 如請求項4中記載之扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其中,前述藉由加熱所致的體積收縮率及藉由活性能量線照射所致的體積收縮率係滿足下述式(3):   αH <αI (3)。
  6. 如請求項1~5中任一項記載之扇出型之晶圓等級封裝用翹曲矯正材,其係被設置於與扇出型之晶圓等級封裝的再配線層所設置的面為相反的面上,且藉由收縮來矯正翹曲。
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