TW201824329A - 帶電粒子束裝置和控制方法 - Google Patents
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Abstract
提供帶電粒子束裝置和控制方法。本發明的帶電粒子束裝置能夠提高通過向試樣照射帶電粒子束進行的、與試樣對應的作業的效率。該帶電粒子束裝置具有:照射部,其向試樣照射帶電粒子束;像形成部,其檢測通過帶電粒子束的照射而從試樣產生的帶電粒子,並形成基於該帶電粒子的檢測信號的圖像;輸入接受部,其接受觀察條件;導出部,其根據所接受的觀察條件和儲存在儲存部中的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數;以及控制部,其根據第二觀察參數控制照射部。
Description
[0001] 本發明涉及帶電粒子束裝置和控制方法。
[0002] 向物體的截面/表面照射帶電粒子束(帶電粒子的射束)從而獲取該截面的截面像/表面像的技術的研究和開發正在進行。 [0003] 與此相關,在由產生離子束的離子源、使離子束會聚的透鏡系統、限制離子束的電流的電動可變多孔、載置想要利用離子束進行加工的試樣的載台、對在將離子束照射到試樣上時產生的二次粒子進行檢測的檢測器、對電動可變多孔進行控制的離子光學系統控制部、根據二次粒子對試樣的加工進行控制的電腦系統構成的會聚離子束加工裝置中,公知有如下的加工裝置:與離子束的電流量對應地將透鏡的設定、像散校正值、孔徑和像的偏差量等離子束光學條件、以及多個加工內容事先儲存在電腦中,根據加工內容而選擇、設定光學條件並進行多個加工(參照專利文獻1)。 [0004] 專利文獻1:日本特開平10-106474號公報
[發明所欲解決之課題] [0005] 然而,在現有的加工裝置中,每當變更加工的試樣時必須調整光學條件等與試樣的加工/觀察相關的各種條件。其結果是,在加工裝置中,有時很難提高對多個試樣進行加工的作業的效率。 [0006] 因此,本發明就是鑒於上述現有技術的問題而完成的,提供能夠提高通過向試樣照射帶電粒子束來進行的、與試樣對應的作業的效率的帶電粒子束裝置和控制方法。 [用以解決課題的手段] [0007] 本發明的一個方式是一種帶電粒子束裝置,該帶電粒子束裝置具有:照射部,其向試樣照射帶電粒子束;像形成部,其檢測通過所述帶電粒子束的照射而從所述試樣產生的帶電粒子,並形成基於該帶電粒子的檢測信號的圖像;輸入接受部,其接受觀察條件;導出部,其根據所接受的所述觀察條件和儲存在儲存部中的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數;以及控制部,其根據所述第二觀察參數控制所述照射部。 [0008] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:所述輸入接受部接受使所述帶電粒子束加速的加速電壓、所述帶電粒子束的射束電流、使所述帶電粒子束會聚的物鏡的動作模式即鏡頭模式、保持所述試樣的支架的種類、所述試樣的材質、載置所述試樣的載台的位置即載台位置中的一部分或全部的組合作為所述觀察條件,在所述儲存部中儲存有該組合作為所述第一觀察參數。 [0009] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:在所述儲存部中儲存有與所述照射部的所述帶電粒子束的照射相關的表示射束照射條件的1個以上的射束照射參數和與所述帶電粒子的檢測相關的表示檢測條件的1個以上的檢測參數中的一部分或全部的組合作為所述第二觀察參數。 [0010] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:所述射束照射參數是使所述照射部照射所述帶電粒子束時對所述照射部設定的對準(aligner)、射束移位、OL值、標記值(stigma value)中的一部分或全部的組合,所述檢測條件是對比度值、亮度值中的任意一方或兩者的組合。 [0011] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:在所述儲存部中儲存有將所述第一觀察參數和所述第二觀察參數建立關聯性的資料庫,所述導出部根據所接受的所述觀察條件和所述第一觀察參數導出包含於所述資料庫中的所述第二觀察參數之中與該觀察條件關聯性最高的所述第二觀察參數作為適於該觀察條件的所述第二觀察參數。 [0012] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:所述導出部確定包含於所述資料庫中的所述第一觀察參數之中最接近所接受的所述觀察條件的所述第一觀察參數,並將與確定的該第一觀察參數建立有關聯性的所述第二觀察參數作為與該觀察條件關聯性最高的所述第二觀察參數導出。 [0013] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:在包含於所述資料庫中的所述第一觀察參數所包含的參數中分別對應有優先順位,所述導出部根據所述優先順位和所接受的所述觀察條件來確定包含於所述資料庫中的所述第一觀察參數之中最接近該觀察條件的所述第一觀察參數。 [0014] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:所述導出部根據學習了所述資料庫的機器學習的演算法和所接受的所述觀察條件,從所述資料庫導出與該觀察條件關聯性最高的所述第二觀察參數。 [0015] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:該帶電粒子束裝置還具有儲存所述資料庫的儲存部,所述導出部從所述儲存部讀出所述資料庫。 [0016] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:所述導出部經由網路從所述儲存部獲取所述資料庫。 [0017] 另外,在本發明的另一方式中,在帶電粒子束裝置中也可以使用如下結構:所述資料庫是將所述照射部過去對試樣照射所述帶電粒子束時的所述第一觀察參數和所述第二觀察參數建立關聯性的資料庫。 [0018] 另外,本發明的另一方式是一種控制方法,其是如下帶電粒子束裝置的控制方法,該帶電粒子束裝置具有:照射部,其向試樣照射帶電粒子束;以及像形成部,其檢測通過所述帶電粒子束的照射而從所述試樣產生的帶電粒子,並形成基於該帶電粒子的檢測信號的圖像,其中,該控制方法具有如下步驟:接受觀察條件的步驟;由導出部根據所接受的所述觀察條件和儲存在儲存部中的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數的步驟;以及由控制部根據導出的所述第二觀察參數控制所述照射部的步驟。 [0019] 根據本發明,能夠提供可提高通過向試樣照射帶電粒子束來進行的、與試樣對應的作業的效率的帶電粒子束裝置和控制方法。
[0021] 以下,參照附圖對本發明的實施方式進行說明。 [0022] <帶電粒子束裝置所進行的處理的概要> 首先,對實施方式的帶電粒子束裝置1所進行的處理的概要進行說明。 [0023] 帶電粒子束裝置1例如是通過向試樣照射帶電粒子束來觀察試樣表面的結構的帶電粒子顯微鏡。該結構是該表面的化學組成、該表面的晶體結構等。另外,帶電粒子束裝置1也可以是通過帶電粒子束的蝕刻對試樣進行加工的帶電粒子加工裝置等向試樣照射帶電粒子束的其他裝置。另外,帶電粒子束裝置1也可以是能夠通過作為帶電粒子束的會聚離子束和電子離子束中的任意一方或兩者對試樣進行加工的複合機。帶電粒子束裝置1從使用者接受可以對帶電粒子束裝置1設定的多個參數中的1個以上的參數的組合(小組、參數組)作為觀察條件。以下,為了便於說明,將包含於觀察條件的1個以上的參數分別稱作輸入參數並進行說明。輸入參數是由使用者根據作為由帶電粒子束裝置1觀察表面的結構的物件的試樣而確定的參數。帶電粒子束裝置1根據所接受的觀察條件將帶電粒子束裝置1的狀態變更為與該觀察條件對應的狀態。 [0024] 具體而言,在帶電粒子束裝置1中預先儲存有資料庫D。所謂資料庫D是將1個以上的觀察條件分別作為第一觀察參數而保存的資料庫。即,第一觀察參數分別是上述1個以上的輸入參數的組合。該1個以上的觀察條件例如是帶電粒子束裝置1過去接受的觀察條件、其他帶電粒子束裝置1過去接受的觀察條件、由用戶註冊的觀察條件等。另外,保存在資料庫D中的1個以上的第一觀察參數分別與第二觀察參數建立有關聯性。第二觀察參數是可以對帶電粒子束裝置1設定的多個參數中的輸入參數以外的參數的組合。以下,為了便於說明,將包含於第二觀察參數的1個以上的參數分別稱作導出參數並進行說明。另外,第二觀察參數也可以是可以對帶電粒子束裝置1設定的多個參數中的輸入參數以外的參數的一部分的組合。導出參數例如是與帶電粒子束裝置1的帶電粒子束的照射相關的表示射束照射條件的1個以上的射束照射參數和與從照射了帶電粒子束的試樣產生的帶電粒子的、表示基於帶電粒子束裝置1的檢測相關的檢測條件的1個以上的檢測參數中的一部分或全部的組合。 [0025] 帶電粒子束裝置1確定保存在預先儲存的資料庫D中的1個以上的第一觀察參數中的最接近所接受的觀察條件的第一觀察參數。而且,帶電粒子束裝置1從資料庫D導出(確定)與確定的該第一觀察參數建立有關聯性的第二觀察參數作為適於該觀察條件的第二觀察參數。帶電粒子束裝置1將所接受的觀察條件和確定的第二觀察參數對帶電粒子束裝置1設定。由此,帶電粒子束裝置1將帶電粒子束裝置1的狀態變更為與該觀察條件對應的狀態。即,帶電粒子束裝置1通過接受可以對帶電粒子束裝置1設定的參數中的一部分(上述輸入參數的組合)作為觀察條件,導出該參數中的觀察條件以外的參數的至少一部分(上述導出參數的組合)。由此,帶電粒子束裝置1能夠減少每當變更試樣時用戶所進行的參數的設定所需的人工和時間。該參數是可以對帶電粒子束裝置1設定的參數。即,帶電粒子束裝置1能夠提高通過向試樣照射帶電粒子束來進行的、與該試樣對應的作業的效率。 [0026] 帶電粒子束裝置1在將帶電粒子束裝置1的狀態變更為與該觀察條件對應的狀態之後,向試樣照射帶電粒子束,並檢測通過帶電粒子束的照射而從試樣產生的帶電粒子。帶電粒子束裝置1形成基於該帶電粒子的檢測信號的圖像。在該一例中,該圖像是表示該試樣的表面的二維圖像。 [0027] 這裡,試樣例如是導電性的試樣。另外,可以取代其的是,試樣為絕緣性的試樣,也可以為半導電性的試樣(半導體試樣)。另外,物體也可以代替試樣而是其他物體,例如也可以是構成生物的細胞、骨等活體。以下,對帶電粒子束裝置1根據所接受的觀察條件和預先儲存在帶電粒子束裝置1中的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數的參數導出處理進行詳細地說明。 [0028] <帶電粒子束裝置的結構> 以下,對帶電粒子束裝置1的結構進行說明。圖1是示出實施方式的帶電粒子束裝置1的結構的一例的圖。 [0029] 帶電粒子束裝置1具有照射部10、控制裝置30、顯示裝置35。另外,在該一例的帶電粒子束裝置1中,照射部10、控制裝置30、顯示裝置35各自分體構成,但可以取代其的是,照射部10、控制裝置30、顯示裝置35的一部分或全部構成為一體。 [0030] 照射部10例如具有會聚離子束(FIB(Focused Ion Beam))鏡筒11、電子束(EB(Electron Beam))鏡筒12、試樣室13。 [0031] 會聚離子束鏡筒11照射使預先確定的種類的離子會聚而成的會聚離子束B1。會聚離子束B1是帶電粒子束的一例。會聚離子束鏡筒11例如具有離子源、離子加速部、離子照射部。離子源產生離子。離子加速部對離子源所產生的離子向離子加速方向施加電場,使該離子加速。離子加速方向是沿會聚離子束鏡筒11的中心軸的方向且是從會聚離子束鏡筒11的離子源朝向會聚離子束鏡筒11的射出會聚離子束B1的射出口的方向。離子照射部具有靜電透鏡,由該靜電透鏡對被離子加速部加速後的離子施加電場,使該離子會聚。而且,離子照射部將會聚的離子作為會聚離子束B1從該射出口照射到規定的照射範圍內。關於照射範圍在後面說明。另外,該靜電透鏡可以是加速型,也可以是減速型。另外,離子照射部也可以採用如下結構:具有磁場透鏡,由該磁場透鏡對被離子加速部加速後的離子施加磁場,使該離子會聚。 [0032] 會聚離子束鏡筒11插入到試樣室13內。在試樣室13中具有載置試樣的試樣台即載台14、以及根據來自控制裝置30的請求而使載台14的位置和姿勢變化的載台驅動部。會聚離子束鏡筒11在載台14的位置和姿勢與預先確定的作為基準的位置和姿勢即基準位置和基準姿勢一致的情況下,將會聚離子束鏡筒11的中心軸設置在與載台14的上表面垂直的位置。另外,會聚離子束鏡筒11設置在能夠將會聚離子束B1照射到規定的照射區域中的位置。該照射區域是載台14的位置和姿勢與基準位置和基準姿勢一致的情況下的、設定在沿載台14的上表面的平面上的區域。以下,作為一例,對照射區域是設定在該情況下的載台14的上表面的內側的區域的情況進行說明。另外,可以取代其的是,照射區域為設定在包含該情況下的載台14的上表面的一部分或全部在內的範圍內的區域。另外,照射區域始終固定,即使在載台驅動部使載台14的位置和姿勢變化的情況下,也不會與載台14的上表面一起移動。即載台驅動部通過使載台14的位置和姿勢變化,能夠使載置於載台14的上表面的試樣相對於照射區域相對地平移或傾斜。圖1所示的試樣S是該試樣的一例。 [0033] 電子束鏡筒12照射使電子會聚而成的電子束B2。電子束B2是帶電粒子束的一例。電子束鏡筒12例如具有電子源(例如電子槍)、電子加速部和電子照射部。電子源產生電子。電子加速部對電子源所產生的電子向電子加速方向施加電場,使該電子加速。電子加速方向是沿電子束鏡筒12的中心軸的方向且是從電子束鏡筒12的電子源朝向電子束鏡筒12的射出電子束B2的射出口的方向。電子照射部具有靜電透鏡,由該靜電透鏡對被電子加速部加速後的電子施加電場,使該電子會聚。而且,電子照射部將會聚的電子作為電子束B2從該射出口照射。另外,該靜電透鏡可以是加速型,也可以是減速型。另外,電子照射部也可以採用如下結構:具有磁場透鏡,由該磁場透鏡對被電子加速部加速後的電子施加磁場,使該電子會聚。在這種情況下,該磁場透鏡可以是以使試樣配置在磁場中的方式使透鏡磁場從電子束鏡筒12洩漏的半內透鏡模式(semi-in-lens lens mode),也可以是不使透鏡磁場從電子束鏡筒12洩漏的外透鏡模式(out-lens mode)。 [0034] 電子束鏡筒12與會聚離子束鏡筒11一起收納在試樣室13內。電子束鏡筒12在載台14的位置和姿勢與作為基準的基準位置和基準姿勢一致的情況下,將電子束鏡筒12的中心軸設置在相對於載台14的上表面傾斜了規定角度的位置。另外,電子束鏡筒12設置在能夠將電子束B2照射到上述照射區域中的位置。 [0035] 另外,照射部10還具有二次電子檢測器16、EDS檢測器17和EBSD檢測器18。另外,照射部10也可以採用具有反射電子檢測器、透射電子檢測器等其他檢測器代替二次電子檢測器16、EDS檢測器17、EBSD檢測器18的一部分或全部的結構,也可以採用除了該一部分或該全部之外還具有反射電子檢測器、透射電子檢測器等其他檢測器的結構。反射電子檢測器是對電子束B2的至少一部分的電子即被試樣反射後的電子進行檢測的檢測器。透射電子檢測器是對電子束B2的至少一部分的電子即透射過試樣的電子進行檢測的檢測器。 [0036] 二次電子檢測器16對在會聚離子束B1被照射到試樣的情況下從試樣產生的電子的能量進行檢測。在該電子中包含有試樣所包含的電子中的被會聚離子束B1散射後的反沖電子等。另外,二次電子檢測器16對在電子束B2被照射到試樣的情況下從試樣產生的電子的能量進行檢測。在該電子中包含有試樣所包含的電子中的被電子束B2散射後的反沖電子、電子束B2所包含的電子中的被試樣反射後的反射電子等。二次電子檢測器16將包含表示檢測到的電子的能量的資訊在內的信號輸出給控制裝置30。 [0037] EDS檢測器17對在電子束B2被照射到試樣的情況下從試樣產生的X射線的能量進行檢測。從試樣產生的X射線對構成試樣的每個物質含有特有的特性X射線。帶電粒子束裝置1能夠根據該特性X射線來確定構成試樣的物質。EDS檢測器17將包含表示檢測到的X射線的能量的資訊在內的信號輸出給控制裝置30。 [0038] EBSD檢測器18對在試樣為結晶性材料的情況且電子束B2被照射到試樣的截面的情況下在該截面上產生的、因電子射線後方散射衍射而產生的電子的強度分佈(衍射圖形)即EBSD圖案進行檢測。在該截面上產生的EBSD圖案表示該截面的晶體結構(即晶體系統、晶體取向等)。帶電粒子束裝置1能夠根據該EBSD圖案來確定該截面的化學組成。EBSD檢測器18將包含表示檢測到的該EBSD圖案的資訊在內的信號輸出給控制裝置30。 [0039] 另外,照射部10連接成能夠通過線纜與控制裝置30進行通信。由此,照射部10所具有的會聚離子束鏡筒11、電子束鏡筒12、載台14、二次電子檢測器16、EDS檢測器17和EBSD檢測器18分別進行基於從控制裝置30獲取的控制信號的動作。另外,經由線纜的有線通信例如是根據乙太網(註冊商標)、USB(Universal Serial Bus:通用序列匯流排)等標準進行的。另外,照射部10也可以採用通過根據Wi-Fi(註冊商標)等通信標準進行的無線通訊而與控制裝置30連接的結構。 [0040] 另外,照射部10也可以採用不具有二次電子檢測器16、EDS檢測器17和EBSD檢測器18中的任意一個的結構。另外,照射部10也可以採用具有其他檢測器代替二次電子檢測器16、EDS檢測器17和EBSD檢測器18中的任意一個的結構。另外,照射部10也可以採用具有2個以上的其他檢測器代替二次電子檢測器16、EDS檢測器17和EBSD檢測器18的全部的結構。 [0041] 控制裝置30例如是桌上型PC(Personal Computer:個人電腦)、筆記本PC、工作站等資訊處理裝置。另外,也可以代替這些,控制裝置30是平板PC、多功能手機(智能手機)、PDA(Personal Data Assistant:個人資料助理)等其他資訊處理裝置。 [0042] 控制裝置30控制照射部10。例如,控制裝置30使照射部10向試樣的表面照射帶電粒子束。另外,控制裝置30使照射部10檢測通過照射部10的帶電粒子束的照射而從試樣的表面產生的帶電粒子。控制裝置30從照射部10獲取該帶電粒子的檢測信號,根據獲取到的該信號而形成(生成)表示該表面的圖像。控制裝置30使形成的該圖像顯示在顯示裝置35上。 [0043] 另外,控制裝置30控制照射部10,使照射部10進行通過向試樣照射帶電粒子束進行的、與該試樣對應的作業。與該試樣對應的作業例如是對該試樣的表面進行蝕刻的作業。像上述那樣生成表示該試樣的表面的圖像,並使生成的該圖像顯示在顯示裝置35上的作業等。另外,可以取代其的是,與該試樣對應的作業為通過向該試樣照射帶電粒子束進行的其他作業。 [0044] 另外,控制裝置30接受上述觀察條件。控制裝置30根據所接受的觀察條件和保存在預先儲存的資料庫D中的1個以上的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數。即,控制裝置30進行上述參數導出處理。另外,該資料庫D也可以代替預先儲存在控制裝置30中的結構而採用控制裝置30從經由網路與控制裝置30連接的伺服器獲取的結構。在該情況下,控制裝置30從該伺服器預先獲取資料庫D並進行儲存。控制裝置30根據所接受的觀察條件和導出的第二觀察參數控制照射部10。 [0045] 另外,控制裝置30也能夠進行通過照射部10而使保護試樣的表面的沉積膜形成在該表面上的處理等其他處理,但是,以下省略為了對參數導出處理進行說明而所需的處理以外的控制裝置30所進行處理的說明。 [0046] 顯示裝置35例如是具有液晶顯示面板或者有機EL(Electro Luminescence:電致發光)顯示面板作為上述顯示部的顯示器。顯示裝置35將從控制裝置30獲取的各種圖像顯示在該顯示部上。另外,顯示裝置35也可以採用具有觸摸面板的結構。在這種情況下,顯示裝置35可以是平板型的帶觸摸面板的顯示器,也可以是固定型的帶觸摸面板的顯示器。另外,在該情況下,顯示裝置35能夠根據從使用者接受的操作對控制裝置30進行操作。 [0047] <控制裝置的硬體結構> 以下,參照圖2對控制裝置30的硬體結構進行說明。圖2是示出控制裝置30的硬體結構的一例的圖。 [0048] 控制裝置30例如具有CPU(Central Processing Unit:中央處理單元)31、儲存部32、輸入接受部33和通信部34。這些構成要素連接成能夠經由匯流排Bus而相互進行通信。另外,控制裝置30經由通信部34與照射部10、顯示裝置35分別進行通信。 [0049] CPU31執行保存在儲存部32中的各種程式。 儲存部32例如包含HDD(Hard Disk Drive:硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive:固態硬碟)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory:電可擦除可程式設計唯讀記憶體)、ROM(Read-Only Memory:唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory:隨機存取記憶體)等。另外,儲存部32也可以代替內置於控制裝置30中的儲存部而是通過USB等數位輸入輸出埠等來連接的外置型的儲存裝置。儲存部32儲存控制裝置30所處理的各種資訊和圖像、各種程式、資料庫D等。 [0050] 輸入接受部33例如是鍵盤、滑鼠、觸控板等輸入裝置。另外,在控制裝置30與顯示裝置35一體構成的情況下,輸入接受部33也可以是與顯示裝置35所具有的顯示部一體構成的觸摸面板等其他輸入裝置。 通信部34例如構成為包含USB等數位輸入輸出埠、乙太網(註冊商標)埠等。 [0051] <控制裝置的功能結構> 以下,參照圖3對控制裝置30的功能結構進行說明。圖3是示出控制裝置30的功能結構的一例的圖。 [0052] 控制裝置30具有儲存部32、輸入接受部33和控制部36。 [0053] 控制部36控制整個控制裝置30。控制部36具有照射部控制部361、像形成部362、導出部363和顯示控制部367。控制部36所具有的這些功能部例如通過CPU31執行儲存在儲存部32中的各種程式來實現。另外,該功能部中的一部或全部也可以是LSI(Large Scale Integration:大規模集成)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit:專用積體電路)等硬體功能部。 [0054] 照射部控制部361控制整個照射部10。照射部控制部361將由輸入接受部33從用戶接受的觀察條件和導出部363所導出的第二觀察參數對照射部10設定。照射部控制部361根據所設定的該觀察條件和該第二觀察參數使會聚離子束鏡筒11和電子束鏡筒12中的任意一方或兩者照射帶電粒子束。另外,照射部控制部361從二次電子檢測器16獲取二次電子檢測器16檢測到電子的能量的信號。另外,照射部控制部361從二次電子檢測器16獲取EDS檢測器17檢測到X射線的能量的信號。另外,照射部控制部361從EBSD檢測器18獲取EBSD檢測器18檢測到EBSD圖案的信號。 [0055] 像形成部362形成基於照射部控制部361從二次電子檢測器16獲取的信號的SIM像、SEM像等。另外,像形成部362形成基於照射部控制部361從EDS檢測器17獲取的信號的EDS圖(EDS map)。另外,像形成部362形成基於照射部控制部361從EBSD檢測器18獲取的信號的EBSD圖(EBSD map)。 [0056] 導出部363根據由輸入接受部33從用戶接受的觀察條件和預先儲存在儲存部32中的資料庫D導出適於該觀察條件的第二觀察參數。 顯示控制部367生成顯示在顯示裝置35所具有的顯示部上的各種畫面。顯示控制部367將生成的畫面輸出給顯示裝置35,使其顯示在該顯示部上。另外,顯示控制部367例如使像形成部362所形成的SIM像、SEM像、EDS圖、EBSD圖等圖像顯示在該顯示部上。 [0057] <控制裝置所進行的參數導出處理> 以下,參照圖4對控制裝置30所進行的參數導出處理進行說明。圖4是示出控制裝置30所進行的參數導出處理的流程的一例的流程圖。 [0058] 控制裝置30對預先確定的1個以上的每個試樣重複進行步驟S120~步驟S170的處理(步驟S110)。 [0059] 控制裝置30待機到在步驟S110中使用者所選擇的試樣被用戶載置於載台14的上表面上為止(步驟S120)。具體而言,控制裝置30待機到接受經由顯示控制部367使顯示裝置35所具有的顯示部預先顯示的操作畫面從使用者接受的操作即使參數導出處理開始的操作為止。該操作畫面是供使用者對控制裝置30進行操作的畫面。而且,控制裝置30在接受該操作的情況下,判定為該試樣被用戶載置於該上表面上,並開始步驟S130的處理。 [0060] 在進行了步驟S120的處理之後,導出部363通過輸入接受部33而經由操作畫面從使用者接受觀察條件(步驟S130)。具體而言,在該一例中,導出部363接受可以對帶電粒子束裝置1設定的多個參數中的加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質、載台14的位置各自的組合作為觀察條件。另外,觀察條件也可以是其他參數的組合代替這些參數的組合。 [0061] 在該一例中,所謂加速電壓是使會聚離子束鏡筒11所預先確定的種類的離子加速的電壓或使電子束鏡筒12加速電子的電壓。 [0062] 在該一例中,所謂射束電流是照射到會聚離子束鏡筒11的會聚離子束B1的射束電流或照射到電子束鏡筒12的電子束B2的射束電流。 [0063] 在該一例中,所謂鏡頭模式是表示會聚離子束鏡筒11所具有的靜電透鏡中的物鏡的動作模式的值或表示電子束鏡筒12所具有的靜電透鏡(或磁場透鏡)中的物鏡的動作模式的值。這裡,會聚離子束鏡筒11和電子束鏡筒12所具有的物鏡分別具有多個動作模式。另外,在多個動作模式中的由使用者判斷為相似的動作模式彼此對應有相近的值(差分較小的值),該相近的值作為表示動作模式的值。 [0064] 在該一例中,所謂支架的種類是表示在使試樣載置於載台14的上表面上時對試樣進行保持的支架的種類的值。用戶在想要將試樣載置於該上表面上時,使試樣保持在用戶所選擇的種類的支架上,並將該支架安裝到該上表面上,由此將試樣載置於該上表面上。這裡,在多個該種類中的由用戶判斷為相似的該種類彼此對應有相近的值(差分較小的值),該相近的值作為表示該種類的值。 [0065] 在該一例中,載台14的位置是與帶電粒子束裝置1的預先確定的位置對應的通過三維坐標系1C表示的載台14的位置。 [0066] 另外,加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質、載台14的位置各自對應有在對觀察條件和保存在資料庫D中的第一觀察參數進行比較時表示比較的順序順位的優先順位。該優先順位按加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質、載台14的位置的順序變低。即,加速電壓對應最高的優先順位,載台14的位置對應最低的優先順位。 [0067] 圖5是示出導出部363通過輸入接受部33而經由操作畫面從使用者接受的觀察條件的一例的圖。如圖5所示,導出部363從用戶接受可以對照射部10設定的參數中的加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質、載台14的位置的組合作為觀察條件。 [0068] 在進行了步驟S130的處理之後,導出部363從儲存部32讀出預先儲存在儲存部32中的資料庫D(步驟S140)。這裡,對步驟S140的處理進行說明。 [0069] 如圖6所示,在預先儲存在儲存部32中的資料庫D中保存有多個第一觀察參數和與第一觀察參數分別建立有關聯性的第二觀察參數。圖6是例示保存在預先儲存在儲存部32中的資料庫D中的1個以上的第一觀察參數和與各第一觀察參數建立有關聯性的第二觀察參數的圖。 [0070] 第一觀察參數是預先儲存在儲存部32中的資料庫D所保存的多個參數之中與像形成部362從用戶接受的輸入參數的種類相同的種類的參數的組合。即,在該一例中,在第一觀察參數中分別包含有加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質和載台14的位置。另外,第一觀察參數所包含的加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質、載台14的位置分別對應上述的優先順位。該優先順位按加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質、載台14的位置的順序變低。即,加速電壓對應最高的優先順位,載台14的位置對應最低的優先順位。 [0071] 在該一例中,第二觀察參數是對會聚離子束鏡筒11或電子束鏡筒12設定的對準、射束移位、OL值、標記值各自分別與對二次電子檢測器16、EDS檢測器17、和EBSD檢測器18的一部分或全部設定的對比度值、亮度值的組合。這裡,對會聚離子束鏡筒11或電子束鏡筒12設定的對準、射束移位、OL值、和標記值分別是上述射束照射參數的一例。另外,對二次電子檢測器16、EDS檢測器17和EBSD檢測器18的一部分或全部設定的對比度值、亮度值分別是上述檢測條件的一例。 [0072] 在進行了步驟S140的處理之後,導出部363根據在步驟S130中從使用者接受的觀察條件和在步驟S140中從儲存部32讀出的資料庫D中所保存的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數(步驟S150)。這裡,對步驟S150的處理進行說明。 [0073] 導出部363對在步驟S130中從使用者接受的觀察條件和保存於在步驟S140中從儲存部32讀出的資料庫D中的1個以上的第一觀察參數進行比較。更具體而言,導出部363按與各輸入參數對應的優先順位的,對包含於觀察條件的輸入參數和包含於第一觀察參數的輸入參數進行比較。 [0074] 例如,導出部363分別計算包含於所接受的觀察條件的輸入參數中的優先順位最高的輸入參數與包含於各第一觀察參數中的輸入參數之中優先順位最高的輸入參數之間的差分。而且,導出部363確定包含計算出的差分最小的該輸入參數在內的第一觀察參數。接下來,導出部363分別計算包含於所接受的觀察條件的輸入參數之中優先順位第二高的輸入參數與包含於確定的1個以上的該第一觀察參數中的輸入參數之中優先順位第二高的輸入參數之間的差分。而且,導出部363確定包含計算出的差分最小的該輸入參數在內的該第一觀察參數。導出部363重複進行這樣的處理,直到進行了使用表示觀察條件的參數中的優先順位最低的參數的該處理為止。導出部363將最後剩下的第一觀察參數確定為最接近該觀察條件的第一觀察參數。而且,導出部363將與確定的該第一觀察參數建立有關聯性的第二觀察參數作為與該觀察條件關聯性最高的第二觀察參數即適合於該觀察條件的第二觀察參數導出。這裡,導出部363可以採用如下結構:在該最後剩下多個第一觀察參數的情況下,例如將從該多個第一觀察參數中隨機選擇的第一觀察參數選擇為最接近該觀察條件的第一觀察參數,也可以採用如下結構:從該多個第一觀察參數中選擇滿足規定的條件的第一觀察參數作為最接近該觀察條件的第一觀察參數,也可以採用如下結構:從該多個第一觀察參數中選擇通過其他方法而選擇的第一觀察參數作為最接近該觀察條件的第一觀察參數。 [0075] 另外,導出部363也可以採用以下結構:根據使資料庫D學習的機器學習的演算法和所接受的觀察條件,從資料庫D導出與該觀察條件關聯性最高的第二觀察參數的結構等通過其他方法從資料庫D導出該第二觀察參數的結構。 [0076] 在進行了步驟S150的處理之後,照射部控制部361將在步驟S150中導出的第二觀察參數和在步驟S130中接受的觀察條件設定於照射部10(步驟S160)。具體而言,照射部控制部361對用戶所選擇的會聚離子束鏡筒11和電子束鏡筒12之中的任意一方或兩者分別設定包含於該觀察條件的加速電壓、射束電流。另外,照射部控制部361對用戶所選擇的會聚離子束鏡筒11和電子束鏡筒12之中的任意一方或兩者所具有的物鏡設定包含於該觀察條件的鏡頭模式。另外,照射部控制部361將包含於該觀察條件的試樣的材質儲存在儲存部32中。另外,照射部控制部361根據包含於該觀察條件的載台14的位置,控制載台14所具有的載台驅動部,使載台14的位置與該位置一致。另外,照射部控制部361對會聚離子束鏡筒11和電子束鏡筒12之中由用戶所選擇的任意一方或兩者分別設定包含於該第二觀察參數的對準、射束移位、OL值、標記值。另外,照射部控制部361對用戶所選擇的二次電子檢測器16、EDS檢測器17、EBSD檢測器18之中的一部分或全部分別設定包含於該第二觀察參數的對比度值、亮度值。 [0077] 接下來,照射部控制部361通過輸入接受部33而經由操作畫面從使用者接受進行在步驟S160中對照射部10設定的各輸入參數和各導出參數的微調的操作(步驟S165)。具體而言,照射部控制部361待機到接受該操作為止。而且,照射部控制部361在通過輸入接受部33而經由操作畫面從使用者接受使該微調結束的操作的情況下,進行步驟S170的處理。 [0078] 在進行了步驟S165的處理之後,照射部控制部361控制照射部10向載置於載台14的上表面上的試樣照射帶電粒子束,由此進行與試樣對應的規定的作業(步驟S170)。然後,使用者轉移到步驟S130,選擇下一個試樣。 [0079] 如上所述,上述實施方式的帶電粒子束裝置1通過照射部(在該一例中是照射部10)向試樣照射帶電粒子束(在該一例中是會聚離子束B1、電子束B2等),檢測通過帶電粒子束的照射而從試樣產生的帶電粒子,形成基於該帶電粒子的檢測信號的圖像。另外,帶電粒子束裝置1接受觀察條件,根據所接受的觀察條件和儲存在儲存部(在該一例中是儲存部32或網路上的伺服器)中的第一觀察參數導出適合於該觀察條件的第二觀察參數,根據第二觀察參數控制照射部。由此,帶電粒子束裝置1能夠提高通過向試樣照射帶電粒子束而進行的與試樣對應的作業的效率。 [0080] 另外,帶電粒子束裝置1接受使帶電粒子束加速的加速電壓、所述帶電粒子束的射束電流、使帶電粒子束會聚的物鏡的動作模式即鏡頭模式、保持試樣的支架的種類、試樣的材質、載置試樣的載台的位置即載台位置中的一部分或全部的組合作為觀察條件。另外,在帶電粒子束裝置1中,在儲存部中儲存有該組合作為第一觀察參數。由此,帶電粒子束裝置1能夠提高根據加速電壓、射束電流、鏡頭模式、支架的種類、試樣的材質、載台的位置的組合而通過向試樣照射帶電粒子束進行的與試樣對應的作業的效率。 [0081] 另外,在帶電粒子束裝置1中,在儲存部中儲存有與照射部的帶電粒子束的照射相關的表示射束照射條件的1個以上的射束照射參數和與通過帶電粒子束的照射而從試樣產生的帶電粒子的檢測相關的表示檢測條件的1個以上的檢測參數中的一部分或全部的組合作為第二觀察參數。由此,帶電粒子束裝置1能夠提高根據射束照射參數和檢測參數中的一部分或全部的組合,通過向試樣照射帶電粒子束進行的與試樣對應的作業的效率。 [0082] 另外,在帶電粒子束裝置1中,射束照射參數是在使照射部照射帶電粒子束時對照射部設定的對準、射束移位、OL值、標記值中的一部分或全部的組合,檢測條件是對比度值、亮度值中的任意一方或兩者的組合。由此,帶電粒子束裝置1根據所接受的觀察條件,能夠導出對準、射束移位、OL值、標記值、對比度值、亮度值中的一部分或全部。 [0083] 另外,在帶電粒子束裝置1中,在儲存部中儲存有將第一觀察參數和第二觀察參數建立關聯性的資料庫(在該一例中是資料庫D)。另外,帶電粒子束裝置1根據所接受的觀察條件和第一觀察參數,導出包含於資料庫中的第二觀察參數之中與該觀察條件關聯性最高的第二觀察參數作為適合於該觀察條件的第二觀察參數。由此,帶電粒子束裝置1能夠使使用者省略用戶確定適於所接受的觀察條件的第二觀察參數的作業。 [0084] 另外,帶電粒子束裝置1確定包含於資料庫中的第一觀察參數之中最接近所接受的觀察條件的第一觀察參數,並將與確定的該第一觀察參數建立有關聯性的第二觀察參數作為與該觀察條件關聯性最高的第二觀察參數導出。由此,帶電粒子束裝置1能夠使使用者省略由使用者根據包含於資料庫中的第一觀察參數之中最接近所接受的觀察條件的第一觀察參數來確定適合於所接受的觀察條件的第二觀察參數的作業。 [0085] 另外,在帶電粒子束裝置1中,在包含於資料庫中的第一觀察參數所包含的參數中分別對應有優先順位。另外,帶電粒子束裝置1根據該優先順位和所接受的觀察條件來確定包含於資料庫的第一觀察參數之中最接近該觀察條件的第一觀察參數。由此,帶電粒子束裝置1能夠使使用者省略由使用者根據該優先順位來確定適於所接受的觀察條件的第二觀察參數的作業。 [0086] 另外,帶電粒子束裝置1根據使資料庫學習的機器學習的演算法和所接受的觀察條件,從資料庫導出與該觀察條件關聯性最高的第二觀察參數。由此,帶電粒子束裝置1能夠使使用者省略由使用者根據機器學習的演算法確定適於所接受的觀察條件的第二觀察參數的作業。 [0087] 另外,帶電粒子束裝置1從帶電粒子束裝置1所具有的儲存部(在該一例中是儲存部32)讀出資料庫。由此,帶電粒子束裝置1能夠根據預先儲存在該儲存部中的資料庫,提高通過向試樣照射帶電粒子束進行的與試樣對應的作業的效率。 [0088] 另外,帶電粒子束裝置1經由網路從儲存部(在該一例中是網路上的伺服器)獲取資料庫。由此,帶電粒子束裝置1能夠提高根據從該儲存部獲取的資料庫,通過向試樣照射帶電粒子束進行的與試樣對應的作業的效率。 [0089] 另外,在帶電粒子束裝置1中,所謂儲存在儲存部中的資料庫是將照射部過去對試樣照射帶電粒子束時的第一觀察參數和第二觀察參數建立關聯的資料庫。由此,帶電粒子束裝置1能夠根據將照射部過去對試樣照射帶電粒子束時的第一觀察參數和第二觀察參數建立關聯的資料庫,提高通過向試樣照射帶電粒子束進行的與試樣對應的作業的效率。 [0090] 以上,參照附圖對本發明的實施方式進行了詳細說明,但具體的結構並不限於該實施方式,只要不脫離本發明的主旨也可以進行變更、置換、刪除等。 [0091] 另外,也可以將用於實現以上說明的裝置(例如控制裝置30)中的任意結構部的功能的程式記錄於電腦能夠讀取的記錄媒體中,使電腦系統讀出該程式並進行執行。另外,這裡所說的“電腦系統”包含OS(Operating System:作業系統)和周邊設備等硬體。另外,所謂“電腦能夠讀取的記錄媒體”是指軟碟、磁光碟、ROM、CD(Compact Disk:光碟)-ROM等可移動媒體、內置於電腦系統中的硬碟等儲存裝置。並且,所謂“電腦能夠讀取的記錄媒體”也可以包含像作為經由互聯網等網路或電話線路等通信線路傳送程式的情況下的伺服器或用戶端的電腦系統內部的揮發性記憶體(RAM)那樣將程式保持一定時間的記錄媒體。 [0092] 另外,上述程式也可以從將該程式保存在儲存裝置等中的電腦系統經由傳送媒體或者通過傳送媒體中的傳送波而傳送到其他電腦系統。這裡,傳送程式的“傳送媒體”是指具有像互聯網等網路(通信網)或電話線路等通信線路(通信線)那樣傳送資訊的功能的媒體。 另外,上述程式也可以是用於實現上述功能的一部分的程式。並且,上述程式也可以是能夠通過與已經記錄在電腦系統中的程式的組合來實現上述功能的所謂的差分檔(差分程式)。
[0093]
1‧‧‧帶電粒子束裝置
10‧‧‧照射部
11‧‧‧會聚離子束鏡筒
12‧‧‧電子束鏡筒
13‧‧‧試樣室
16‧‧‧二次電子檢測器
17‧‧‧EDS檢測器
18‧‧‧EBSD檢測器
30‧‧‧控制裝置
31‧‧‧CPU
32‧‧‧儲存部
33‧‧‧輸入接受部
34‧‧‧通信部
35‧‧‧顯示裝置
36‧‧‧控制部
361‧‧‧照射部控制部
362‧‧‧像形成部
363‧‧‧導出部
367‧‧‧顯示控制部
[0020] 圖1是示出實施方式的帶電粒子束裝置1的結構的一例的圖。 圖2是示出控制裝置30的硬體結構的一例的圖。 圖3是示出控制裝置30的功能結構的一例的圖。 圖4是示出控制裝置30所進行的參數導出處理的流程的一例的流程圖。 圖5是示出導出部363通過輸入接受部33而經由操作畫面從使用者接受的觀察條件的一例的圖。 圖6是例示預先儲存在儲存部32中的保存在資料庫D中的1個以上的第一觀察參數和與各第一觀察參數建立有關聯性的第二觀察參數的圖。
Claims (12)
- 一種帶電粒子束裝置,其具有: 照射部,其向試樣照射帶電粒子束; 像形成部,其檢測通過所述帶電粒子束的照射而從所述試樣產生的帶電粒子,並形成基於該帶電粒子的檢測信號的圖像; 輸入接受部,其接受觀察條件; 導出部,其根據所接受的所述觀察條件和儲存在儲存部中的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數;以及 控制部,其根據所述第二觀察參數控制所述照射部。
- 如申請專利範圍第1項所述的帶電粒子束裝置,其中, 所述輸入接受部接受使所述帶電粒子束加速的加速電壓、所述帶電粒子束的射束電流、使所述帶電粒子束會聚的物鏡的動作模式即鏡頭模式、保持所述試樣的支架的種類、所述試樣的材質、載置所述試樣的載台的位置即載台位置中的一部分或全部的組合作為所述觀察條件, 在所述儲存部中儲存有該組合作為所述第一觀察參數。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的帶電粒子束裝置,其中, 在所述儲存部中儲存有與所述照射部進行的所述帶電粒子束的照射相關的表示射束照射條件的1個以上的射束照射參數和與所述帶電粒子的檢測相關的表示檢測條件的1個以上的檢測參數中的一部分或全部的組合作為所述第二觀察參數。
- 如申請專利範圍第3項所述的帶電粒子束裝置,其中, 所述射束照射參數是使所述照射部照射所述帶電粒子束時對所述照射部設定的對準、射束移位、OL值、標記值中的一部分或全部的組合, 所述檢測條件是對比度值、亮度值中的任意一方或兩者的組合。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的帶電粒子束裝置,其中, 在所述儲存部中儲存有將所述第一觀察參數和所述第二觀察參數建立關聯性的資料庫, 所述導出部根據所接受的所述觀察條件和所述第一觀察參數導出包含於所述資料庫中的所述第二觀察參數之中與該觀察條件關聯性最高的所述第二觀察參數作為適於該觀察條件的所述第二觀察參數。
- 如申請專利範圍第5項所述的帶電粒子束裝置,其中, 所述導出部確定包含於所述資料庫中的所述第一觀察參數之中最接近所接受的所述觀察條件的所述第一觀察參數,並將與確定的該第一觀察參數建立有關聯對應的所述第二觀察參數作為與該觀察條件關聯對應性最高的所述第二觀察參數導出。
- 如申請專利範圍第6項所述的帶電粒子束裝置,其中, 包含於所述資料庫中的所述第一觀察參數所包含的參數分別對應有優先順位, 所述導出部根據所述優先順位和所接受的所述觀察條件來確定包含於所述資料庫中的所述第一觀察參數之中最接近該觀察條件的所述第一觀察參數。
- 如申請專利範圍第5項所述的帶電粒子束裝置,其中, 所述導出部根據學習了所述資料庫的機器學習的演算法和所接受的所述觀察條件,從所述資料庫導出與該觀察條件關聯性最高的所述第二觀察參數。
- 如申請專利範圍第5至8項中任一項所述的帶電粒子束裝置,其中, 該帶電粒子束裝置還具有儲存所述資料庫的儲存部, 所述導出部從所述儲存部讀出所述資料庫。
- 如申請專利範圍第5至9項中任一項所述的帶電粒子束裝置,其中, 所述導出部經由網路從所述儲存部獲取所述資料庫。
- 如申請專利範圍第5至10項中任一項所述的帶電粒子束裝置,其中, 所述資料庫是將所述照射部過去對試樣照射所述帶電粒子束時的所述第一觀察參數和所述第二觀察參數建立關聯性的資料庫。
- 一種控制方法,其是如下帶電粒子束裝置的控制方法,該帶電粒子束裝置具有:照射部,其向試樣照射帶電粒子束;以及像形成部,其檢測通過所述帶電粒子束的照射而從所述試樣產生的帶電粒子,並形成基於該帶電粒子的檢測信號的圖像,其中,該控制方法具有如下步驟: 接受觀察條件的步驟; 由導出部根據所接受的所述觀察條件和儲存在儲存部中的第一觀察參數導出適於該觀察條件的第二觀察參數的步驟;以及 由控制部根據導出的所述第二觀察參數控制所述照射部的步驟。
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