TW201821582A - 研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 206
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 32
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 27
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 21
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 19
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 18
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 10
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 9
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 6
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 alkali metal bicarbonate Chemical class 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical class S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 4
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 3
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical group O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 3
- QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N (2-aminoethyl)phosphonic acid Chemical compound [NH3+]CCP(O)([O-])=O QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 2-furoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CO1 SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IHCCAYCGZOLTEU-UHFFFAOYSA-N 3-furoic acid Chemical compound OC(=O)C=1C=COC=1 IHCCAYCGZOLTEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- CHTHALBTIRVDBM-UHFFFAOYSA-N furan-2,5-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)O1 CHTHALBTIRVDBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N isocaproic acid Chemical compound CC(C)CCC(O)=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- LCPDWSOZIOUXRV-UHFFFAOYSA-N phenoxyacetic acid Chemical compound OC(=O)COC1=CC=CC=C1 LCPDWSOZIOUXRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluorocyclohexane Chemical compound FC1(F)CCCCC1 ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARAFEULRMHFMDE-UHFFFAOYSA-N 1,3-oxazolidine-2,5-dione Chemical compound O=C1CNC(=O)O1 ARAFEULRMHFMDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-non-5-ene Chemical compound C1CCN=C2CCCN21 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,4-dioxo-1,3-diazinane-5-carboximidamide Chemical compound CN1CC(C(N)=N)C(=O)NC1=O IXPNQXFRVYWDDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutanoic acid Chemical compound CCC(CC)C(O)=O OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLAMNBDJUVNPJU-BYPYZUCNSA-N 2-Methylbutanoic acid Natural products CC[C@H](C)C(O)=O WLAMNBDJUVNPJU-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 2-Oxazoline Chemical compound C1CN=CO1 IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)C(O)=O WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(C)C(O)=O CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutyric acid Chemical compound CC(C)(C)CC(O)=O MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- DIWVBIXQCNRCFE-UHFFFAOYSA-N DL-alpha-Methoxyphenylacetic acid Chemical compound COC(C(O)=O)C1=CC=CC=C1 DIWVBIXQCNRCFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004349 Polyvinylpyrrolidone-vinyl acetate copolymer Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000002648 azanetriyl group Chemical group *N(*)* 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N dichloroisocyanuric acid Chemical compound ClN1C(=O)NC(=O)N(Cl)C1=O CEJLBZWIKQJOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N hydroxymethylphosphonic acid Chemical compound OCP(O)(O)=O GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-N methoxyacetic acid Chemical compound COCC(O)=O RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920006316 polyvinylpyrrolidine Polymers 0.000 description 1
- 235000019448 polyvinylpyrrolidone-vinyl acetate copolymer Nutrition 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012465 retentate Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000661 sodium alginate Substances 0.000 description 1
- 235000010413 sodium alginate Nutrition 0.000 description 1
- 229940005550 sodium alginate Drugs 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001593 sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 235000011069 sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035049 sorbitan monooleate Drugs 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005621 tetraalkylammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000005497 tetraalkylphosphonium group Chemical group 0.000 description 1
- BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SZWHXXNVLACKBV-UHFFFAOYSA-N tetraethylphosphanium Chemical compound CC[P+](CC)(CC)CC SZWHXXNVLACKBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJJLJRQIPMGXEZ-UHFFFAOYSA-N tetrahydro-2-furoic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCO1 UJJLJRQIPMGXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXYHVFRRNNWPMB-UHFFFAOYSA-N tetramethylphosphanium Chemical compound C[P+](C)(C)C BXYHVFRRNNWPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XOGCTUKDUDAZKA-UHFFFAOYSA-N tetrapropylphosphanium Chemical compound CCC[P+](CCC)(CCC)CCC XOGCTUKDUDAZKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 description 1
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
本發明係提供一種可實現高平坦性之研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法。研磨用組成物係含有研磨粒與鹼性化合物。而且此研磨粒,係以17質量%的濃度含有研磨粒,同時含有四甲基氫氧化銨,且pH為11.3之剪斷黏度測定用液在剪斷速度1000/s之剪斷黏度成為1.3mPa・s以上者。
Description
[0001] 本發明係關於研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法。
[0002] 為了矽晶圓之平坦化,已有各種提案關於研磨用組成物或研磨方法之技術。作為如此之技術,例如可列舉專利文獻1所揭示之技術。然而,在近年來,由於關於矽晶圓之品質的要求水準日益提高,正尋求對此等之技術進一步的改良。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0003] [專利文獻1] 日本國特許公開公報 2001年第011433號
[發明欲解決之課題] [0004] 本發明係解決如上述之以往技術所具有之問題點,提供一種可實現高平坦性之研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法作為課題。 [用以解決課題之手段] [0005] 為了解決前述課題,有關本發明之一態樣之研磨用組成物,其係含有研磨粒與鹼性化合物之研磨用組成物,將研磨粒為以17質量%的濃度含有研磨粒,同時含有四甲基氫氧化銨,且pH為11.3之剪斷黏度測定用液在剪斷速度1000/s之剪斷黏度成為1.3mPa・s以上者作為要旨。 又,有關本發明之另一態樣之矽晶圓之研磨方法,係將包含使用有關上述一態樣之研磨用組成物,來研磨矽晶圓作為要旨。 [發明的效果] [0006] 根據本發明,可實現高平坦性。
[0007] 針對本發明之一實施形態進行詳細說明。本實施形態之研磨用組成物係含有研磨粒與鹼性化合物。而且此研磨粒係滿足以下之條件者。亦即,以17質量%的濃度含有此研磨粒,同時含有四甲基氫氧化銨,且調製pH為11.3之剪斷黏度測定用液,測定此剪斷黏度測定用液在剪斷速度1000/s之剪斷黏度時,剪斷黏度成為如1.3mPa・s以上的研磨粒。 [0008] 如此之本實施形態之研磨用組成物可適合對單晶矽、多晶矽、矽化合物、金屬、陶瓷等之各種研磨對象物的研磨使用,可實現高平坦性。尤其是若將本實施形態之研磨用組成物使用在矽晶圓之研磨,可製得具有高平坦性之矽單結晶晶圓等之矽晶圓。 [0009] 例如,於矽晶圓之製造時對形成硬質雷射標示(Hard laser mark)之矽晶圓實施預備研磨時,有於硬質雷射標示之周緣部生成突起的情況。藉此,降低矽晶圓之平坦性。該硬質雷射標示之周緣部所生成之突起由於無法以拋光研磨去除,故有經完成之矽晶圓的平坦性變不夠充分之虞。 使用本實施形態之研磨用組成物,進行硬質雷射標示所形成之矽晶圓的預備研磨時,可減低於硬質雷射標示之周緣部所生成之突起。因此,若於使用本實施形態之研磨用組成物之預備研磨後,進行拋光研磨,可製得具有高平坦性之矽晶圓。 [0010] 本實施形態之研磨用組成物如上述,雖適合在硬質雷射標示所形成之矽晶圓的預備研磨,但本實施形態之研磨用組成物的用途或研磨之研磨對象物的種類並非被特別限定者。 例如,本實施形態之研磨用組成物亦可使用在未形成硬質雷射標示之研磨對象物。又,不限於預備研磨,亦可在鏡面拋光預備研磨後之研磨對象物的表面上之拋光研磨使用。進而,在硬質雷射標示所形成之矽晶圓的預備研磨,通常雖進行兩面研磨,但本實施形態之研磨用組成物亦可使用在單面研磨。 [0011] 於以下,針對本實施形態之研磨用組成物進行詳細說明。尚,於以下說明之各種操作或物性之測定除非另有說明,係以20℃以上25℃以下之室溫、相對濕度40%以上50%以下的條件下進行者。 1. 針對研磨粒 本實施形態之研磨用組成物中,有必要使用剪斷黏度測定用液之剪斷黏度成為1.3mPa・s以上之研磨粒,優選使用剪斷黏度測定用液之剪斷黏度成為1.5mPa・s以上之研磨粒。剪斷黏度測定用液之剪斷黏度高時,由於研磨粒與研磨面的摩擦增大,提高物理加工力,故提高研磨速度。因此,例如進行硬質雷射標示所形成之矽晶圓的研磨時,可減低硬質雷射標示之周緣部所生成之突起,可實現高平坦性。 [0012] 剪斷黏度測定用液之剪斷黏度係如以下般進行來測定。亦即,於研磨粒添加水,調製剪斷黏度測定用液。而且,將經調製之剪斷黏度測定用液裝填在黏彈性測定裝置,測定在剪斷速度1000/s之剪斷黏度。作為黏彈性測定裝置,例如可使用Anton Paar公司製之黏彈性測定裝置MCR302。測定溫度為25℃。 此時,剪斷黏度測定用液中之研磨粒的濃度成為17質量%。又,剪斷黏度測定用液之pH成為11.3。剪斷黏度測定用液之pH藉由四甲基氫氧化銨的添加來調整。 [0013] 研磨粒的種類並非被特別限定者,可將無機粒子、有機粒子、有機無機複合粒子等作為研磨粒使用。作為無機粒子之具體例,可列舉由二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鈦等之氧化物所構成之粒子或由氮化矽、碳化矽、氮化硼等之陶瓷所構成之粒子。又,作為有機粒子之具體例,可列舉聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子。作為有機無機複合粒子之具體例,可列舉於二氧化矽鍵結聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)之粒子。此等之粒子當中,較佳為二氧化矽,更佳為膠態二氧化矽。尚,研磨粒可1種單獨使用,亦可混合2種以上使用。 [0014] 本實施形態之研磨用組成物所含有之研磨粒的平均粒徑雖並非被特別限定者,但平均粒徑較大者,有提高研磨速度的傾向。以藉由使用掃描型電子顯微鏡(SEM)之圖像觀察所測定之平均一次粒徑而言,研磨粒之平均一次粒徑較佳為20nm以上,更佳為30nm以上,再更佳為40nm以上,又再更佳為45nm以上。又,以藉由動態光散射法所測定之平均二次粒徑而言,研磨粒之平均二次粒徑較佳為30nm以上,更佳為50nm以上,再更佳為70nm以上,又再更佳為90nm以上。 [0015] 又,從研磨用組成物之分散安定性的觀點來看,研磨粒之平均一次粒徑較佳為500nm以下,更佳為200nm以下,再更佳為100nm以下。研磨粒之平均二次粒徑亦相同,較佳為500nm以下,更佳為250nm以下,再更佳為200nm以下。 [0016] 本實施形態之研磨用組成物中之研磨粒的含量可成為0.01質量%以上,較佳為0.1質量%以上,更佳為0.3質量%以上。若研磨粒的含量為上述的範圍內,容易得到具有高平坦性的表面。另外,研磨用組成物中之研磨粒的含量可成為5質量%以下,較佳為2質量%以下,更佳為1質量%以下。若研磨粒的含量為上述的範圍內,可兼具表面之高平坦性與研磨用組成物之製造成本的減低。 [0017] 2. 針對鹼性化合物 本實施形態之研磨用組成物係含有鹼性化合物。此鹼性化合物對矽晶圓等之研磨對象物的表面給予化學性作用。而且,研磨對象物的表面進行化學性研磨。藉由此化學蝕刻,使得提昇研磨研磨對象物時之研磨速度變容易。 [0018] 鹼性化合物的種類並非被特別限定者,可為有機鹼性化合物,亦可為鹼金屬氫氧化物、鹼金屬碳酸氫鹽、鹼金屬碳酸鹽、氨等之無機鹼性化合物。此等之鹼性化合物可1種單獨使用,亦可組合2種以上使用。 [0019] 鹼金屬氫氧化物的種類雖並非被特別限定者,但例如可列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀。又,鹼金屬碳酸氫鹽的種類雖並非被特別限定者,但例如可列舉碳酸氫鈉、碳酸氫鉀。進而,鹼金屬碳酸鹽的種類雖並非被特別限定者,但例如可列舉碳酸鈉、碳酸鉀。 [0020] 作為有機鹼性化合物之例,可列舉四烷基銨鹽等之第四級銨鹽。作為在上述銨鹽之陰離子,可列舉OH-
。併用鹼金屬氫氧化物等之其他鹼性化合物時,作為陰離子亦可使用F-
、Cl-
、Br-
、I-
、ClO4 -
、BH4 -
等。例如可優選使用膽鹼、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨等之第四級銨鹽。此等當中,更佳為四甲基氫氧化銨。 [0021] 作為有機鹼性化合物之其他例,可列舉四烷基鏻鹽等之第四級鏻鹽。作為在上述鏻鹽之陰離子,可列舉OH-
。併用鹼金屬氫氧化物等之其他鹼性化合物時,作為陰離子,亦可使用F-
、Cl-
、Br-
、I-
、ClO4 -
、BH4 -
等。例如可優選使用四甲基鏻、四乙基鏻、四丙基鏻、四丁基鏻等之鹵素化物、氫氧化物。 [0022] 作為有機鹼性化合物之其他例,可列舉胺類、哌嗪類、唑類、二氮雜雙環烷烴類、其他環狀胺類、胍等。作為胺類,例如可列舉甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、乙烯二胺、單乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、六亞甲基二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺。作為哌嗪類,例如可列舉哌嗪、1-(2-胺基乙基)哌嗪、N-甲基哌嗪。作為唑類,例如可列舉咪唑、三唑。作為二氮雜雙環烷烴類,例如可列舉1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯。作為其他環狀胺類,例如可列舉哌啶、胺基吡啶。 [0023] 本實施形態之研磨用組成物中之鹼性化合物的含量可成為0.001質量%以上,較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上。若鹼性化合物的含量為上述的範圍內,則提昇藉由研磨用組成物之研磨對象物的研磨速度。另外,研磨用組成物中之鹼性化合物的含量可成為5質量%以下,較佳為3質量%以下,更佳為1.5質量%以下。若鹼性化合物的含量為上述的範圍內,則增加研磨用組成物之安定性,減低製造成本。 [0024] 3. 針對研磨用組成物之pH 本實施形態之研磨用組成物之pH雖並非被特別限定者,但可成為9.0以上,更佳為10.0以上,再更佳為10.2以上。又,pH可成為12.0以下,更佳為11.4以下,再更佳為11.0以下。若pH為上述範圍內,更加提高研磨速度。研磨用組成物之pH例如可藉由添加後述之pH調整劑來調整。 [0025] 4. 針對添加劑 本實施形態之研磨用組成物中,為了提昇其性能,如有必要可添加pH調整劑、水溶性高分子、界面活性劑、螯合劑、防黴劑等之各種添加劑。於此,水溶性高分子可為水溶性共聚物,可為水溶性高分子或水溶性共聚物之鹽或衍生物。惟,較佳為實質上未含有氧化劑。 [0026] 4-1 針對pH調整劑 本實施形態之研磨用組成物之pH之值可藉由pH調整劑的添加調整。藉由研磨用組成物之pH的調整,可調控研磨對象物之研磨速度或研磨粒之分散性等。pH調整劑的添加量並非被特別限定者,研磨用組成物成為所期望之pH方式適當調整即可。 [0027] 作為pH調整劑之具體例,可列舉無機酸或羧酸、有機硫酸等之有機酸。作為無機酸之具體例,可列舉鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亞磷酸、磷酸等。又,作為羧酸之具體例,可列舉甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、n-己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、n-庚酸、2-甲基己酸、n-辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸、二乙醇酸、2-呋喃羧酸、2,5-呋喃二羧酸、3-呋喃羧酸、2-四氫呋喃羧酸、甲氧基乙酸、甲氧基苯基乙酸、苯氧基乙酸等。進而,作為有機硫酸之具體例,可列舉甲烷磺酸、乙烷磺酸、依沙酸等。此等之酸可1種單獨使用,亦可組合2種以上使用。 [0028] 4-2 針對水溶性高分子 本實施形態之研磨用組成物中,可添加對研磨對象物的表面或研磨粒的表面進行作用之水溶性高分子。於此,水溶性高分子可為水溶性共聚物,亦可為水溶性高分子或水溶性共聚物之鹽或衍生物。作為水溶性高分子、水溶性共聚物、此等之鹽或衍生物之具體例,可列舉聚丙烯酸鹽等之聚羧酸或聚膦酸、聚苯乙烯磺酸等之聚磺酸。又,作為其他具體例,可列舉黃原膠、
海藻酸鈉等之多糖類或羥基乙基纖維素、羧基甲基纖維素等之纖維素衍生物。 [0029] 進而,作為其他具體例,可列舉具有吡咯烷酮單位之水溶性高分子或聚乙二醇、聚乙烯醇、脫水山梨醇單油酸酯、具有單一種或複數種之氧伸烷單位的氧伸烷系聚合物等。作為具有吡咯烷酮單位之水溶性高分子,例如可列舉聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮聚丙烯酸共聚物、聚乙烯吡咯烷酮乙酸乙烯酯共聚物。此等之水溶性高分子當中,較佳為具有吡咯烷酮單位之水溶性高分子,更佳為聚乙烯吡咯烷酮。此等之水溶性高分子可1種單獨使用,亦可組合2種以上使用。 [0030] 4-3 針對界面活性劑 本實施形態之研磨用組成物中可添加界面活性劑。作為界面活性劑,可列舉陰離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑。此等之界面活性劑當中,適合使用非離子性界面活性劑。 作為非離子性界面活性劑之具體例,可列舉氧伸烷之均聚物、複數種類之氧伸烷的共聚物、聚氧伸烷加成物。此等之非離子性界面活性劑當中,優選使用複數種類之氧伸烷的共聚物或聚氧伸烷加成物。 [0031] 4-4 針對螯合劑 本實施形態之研磨用組成物中可添加螯合劑。螯合劑藉由捕捉研磨系中之金屬雜質成分,形成錯合物,抑制矽晶圓之金屬污染,尤其是抑制因鎳或銅導致之污染。 作為螯合劑之具體例,可列舉葡萄糖酸等之羧酸系螯合劑、乙烯二胺、二乙烯三胺、三甲基四胺等之胺系螯合劑、乙烯二胺四乙酸、氮基(Nitrilo)三乙酸、羥基乙基乙烯二胺三乙酸、三乙烯四胺六乙酸、二乙烯三胺五乙酸等之聚胺基聚羧酸系螯合劑、2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、乙烯二胺肆(亞甲基膦酸)、二乙烯三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、甲烷羥基膦酸、1-膦醯基丁烷-2,3,4-三羧酸等之有機膦酸系螯合劑、酚衍生物、1,3-二酮等。此等之螯合劑當中,優選使用有機膦酸系螯合劑,尤其是乙烯二胺肆(亞甲基膦酸)。此等之螯合劑可1種單獨使用,亦可組合2種以上使用。 [0032] 4-5 針對防黴劑 本實施形態之研磨用組成物中可添加防黴劑。作為防黴劑之具體例,可列舉唑啶(Oxazolidine)-2,5-二酮等之噁唑啉等。 4-6 針對氧化劑 本實施形態之研磨用組成物,較佳為實質上未包含氧化劑。係因為研磨用組成物中包含氧化劑時,藉由研磨用組成物供給給研磨對象物,研磨對象物的表面氧化而產生氧化膜,藉此增長所需要研磨時間。作為氧化劑之具體例,可列舉過氧化氫(H2
O2
)、過硫酸鈉、過硫酸銨、過錳酸鉀、二氯異氰脲酸鈉等。 [0033] 尚,所謂「研磨用組成物實質上未包含氧化劑」,係意指至少意圖上未含有氧化劑。據此,源自原料或製法等不可避免包含微量之氧化劑的不可避的研磨用組成物,可包含在於此所謂「實質上未包含氧化劑之研磨用組成物」的概念。在研磨用組成物中之氧化劑的莫耳濃度,例如為0.0005莫耳/L以下,較佳為0.0001莫耳以下,更佳為0.00001莫耳/L以下,特佳為0.000001莫耳/L以下。 [0034] 5. 針對水 本實施形態之研磨用組成物可含有水。水係作為用以分散或溶解研磨用組成物之各成分,亦即研磨粒、鹼性化合物、添加劑等之分散媒或溶劑進行機能。為了極力回避阻礙研磨用組成物所含有之其他成分的作用,例如優選使用過渡金屬離子之合計的含量為100ppb以下之水。例如,可藉由使用離子交換樹脂之雜質離子的去除、藉由過濾器之粒子的去除、藉由蒸餾等之操作提高水之純度。具體而言,優選使用離子交換水、純水、超純水、蒸餾水等。 [0035] 6. 針對研磨用組成物之製造方法 本實施形態之研磨用組成物的製造方法並非被特別限定者,可藉由將研磨粒、與鹼性化合物、與視期望之pH調整劑、水溶性高分子等之各種添加劑於水中進行攪拌、混合而製得。混合時之溫度雖並非被特別限定者,但較佳為10℃以上40℃以下,為了提昇溶解速度可進行加熱。又,混合時間亦並未特別限定。 [0036] 7. 針對矽晶圓等之研磨對象物之研磨方法 使用本實施形態之研磨用組成物之研磨對象物的研磨,可藉由使用在通常之研磨的研磨裝置或研磨條件進行。例如可使用單面研磨裝置或兩面研磨裝置。 例如,將研磨對象物定為矽晶圓等之晶圓,使用單面研磨裝置進行研磨時,藉由使用被稱為載體之保持具來保持晶圓,於貼附研磨布之定盤擠壓晶圓之單面,邊供給研磨用組成物邊使定盤回轉,來研磨晶圓的單面。 [0037] 又,使用兩面研磨裝置研磨晶圓時,藉由使用被稱為載體之保持具,來保持晶圓,將貼附研磨布之定盤從晶圓的兩側分別擠壓在晶圓的兩面,邊供給研磨用組成物,邊使兩側的定盤回轉,來研磨晶圓的兩面。 即使使用任一種研磨裝置的情況下,皆為藉由研磨布及研磨用組成物與晶圓的摩擦之物理性作用、與研磨用組成物帶給晶圓之化學性作用,來研磨晶圓。 [0038] 作為研磨布,可使用聚胺基甲酸酯、不織布、絨面等之各種素材者。又,除了使用素材不同之外,亦可使用硬度或厚度等之物性各種不同者。進而,雖包含研磨粒者、未包含研磨粒者皆可使用,但較佳為使用未包含研磨粒者。進而,可使用實施如滯留液狀之研磨用組成物般之溝加工者。 [0039] 進而,研磨條件當中,針對對研磨對象物負荷之壓力即研磨荷重,雖並未特別限定,但可成為5kPa以上50kPa以下,較佳為8kPa以上40kPa以下,更佳為10kPa以上30kPa以下。若研磨荷重為此範圍內,發揮充分之研磨速度,可抑制藉由荷重破損研磨對象物,或於研磨對象物的表面產生傷等之缺陷。 [0040] 又,研磨條件當中,研磨所使用之研磨布與矽晶圓等之研磨對象物的相對速度(線速度)雖並未特別限定,但可成為10m/分鐘以上300m/分鐘以下,較佳為30m/分鐘以上200m/分鐘以下。若研磨布與研磨對象物的相對速度為此範圍內,得到充分之研磨速度。又,可抑制因研磨對象物的摩擦導致之研磨布的破損,進而對研磨對象物充分傳達摩擦,亦即可抑制研磨對象物滑動的狀態,可充分進行研磨。 [0041] 進而,研磨條件當中,針對研磨用組成物的供給量,雖因研磨對象物的種類、研磨裝置的種類、研磨條件而有所不同,但於研磨對象物與研磨布之間,為了無不均全面供給研磨用組成物,有足夠的量即可。研磨用組成物的供給量較少時,有研磨用組成物無法供給於研磨對象物全體,或乾燥凝固研磨用組成物而於研磨對象物的表面產生缺陷的情況。反之,研磨用組成物的供給量較多時,除了不經濟之外,恐有因過剩之研磨用組成物導致妨礙摩擦,而阻礙研磨之虞。尤其是有因水導致妨礙摩擦,而阻礙研磨之虞。 [0042] 進而,本實施形態之研磨用組成物可於使用在研磨對象物之研磨後進行回收,再使用在研磨對象物之研磨。作為再使用研磨用組成物之方法之一例,可列舉將從研磨裝置排出之研磨用組成物回收至桶,對再度研磨裝置內使其循環而使用在研磨之方法。若循環使用研磨用組成物,由於減低被作為廢液排出之研磨用組成物的量,故可減低環境負荷。又,由於可減低所使用之研磨用組成物的量,故可抑制研磨對象物之研磨所需要之製造成本。 [0043] 再使用本實施形態之研磨用組成物時,可將藉由使用在研磨所導致經消費、損失之研磨粒、鹼性化合物、添加劑等之一部分或全部,作為組成調整劑添加並且進行再使用。作為組成調整劑,可使用以任意之混合比率混合研磨粒、鹼性化合物、添加劑等者。可藉由以追加添加組成調整劑,為了再使用研磨用組成物調整成適當之組成,進行適當之研磨。組成調整劑所含有之研磨粒、鹼性化合物及其他添加劑的濃度為任意,並未特別限定,因應桶的大小或研磨條件適當調整即可。 [0044] 尚,本實施形態係表示本發明之一例者,本發明並非被限定於本實施形態者。又,本實施形態可加上各種變更或改良,加上如此之變更或改良的形態亦可包含在本發明。例如,本實施形態之研磨用組成物可為一液型,亦可為以任意之比率混合研磨用組成物之成分的一部分或全部的二液型等之多液型。又,在研磨對象物之研磨,雖可直接使用本實施形態之研磨用組成物的原液進行研磨,但亦可使用將原液以水等之稀釋液,例如稀釋成10倍以上之研磨用組成物的稀釋物進行研磨。 [0045] [實施例] 於以下表示實施例,邊參照表1邊進一步具體說明本發明。 混合膠態二氧化矽所構成之研磨粒、與3種之鹼性化合物、與2種之添加劑、與超純水,製造實施例1之研磨用組成物。3種之鹼性化合物為氫氧化鉀、碳酸鉀、四甲基氫氧化銨,2種之添加劑為螯合劑、水溶性高分子。 [0046] 混合膠態二氧化矽所構成之研磨粒、與3種之鹼性化合物、與2種之添加劑、與超純水,製造實施例2之研磨用組成物。3種之鹼性化合物為氫氧化鉀、碳酸鉀、四甲基氫氧化銨,2種之添加劑為螯合劑、水溶性高分子。 混合膠態二氧化矽所構成之研磨粒、與3種之鹼性化合物、與2種之添加劑、與超純水,製造實施例3之研磨用組成物。3種之鹼性化合物為氫氧化鉀、碳酸鉀、四甲基氫氧化銨,2種之添加劑為螯合劑、水溶性高分子。 [0047] 混合膠態二氧化矽所構成之研磨粒、與3種之鹼性化合物、與添加劑、與超純水,製造實施例4之研磨用組成物。3種之鹼性化合物為氫氧化鉀、碳酸鉀、四甲基氫氧化銨,添加劑為螯合劑。 混合膠態二氧化矽所構成之研磨粒、與3種之鹼性化合物、與2種之添加劑、與超純水,製造實施例5之研磨用組成物。3種之鹼性化合物為氫氧化鉀、碳酸鉀、四甲基氫氧化銨,2種之添加劑為螯合劑、水溶性高分子。 [0048] 混合膠態二氧化矽所構成之研磨粒、與3種之鹼性化合物、與2種之添加劑、與超純水,製造比較例1之研磨用組成物。3種之鹼性化合物為氫氧化鉀、碳酸鉀、四甲基氫氧化銨,2種之添加劑為螯合劑、水溶性高分子。 混合膠態二氧化矽所構成之研磨粒、與3種之鹼性化合物、與2種之添加劑、與超純水,製造比較例2之研磨用組成物。3種之鹼性化合物為氫氧化鉀、碳酸鉀、四甲基氫氧化銨,2種之添加劑為螯合劑、水溶性高分子。 [0049] 任何研磨用組成物的情況皆藉由將原液以超純水稀釋成30倍,來製造研磨用組成物。在原液之膠態二氧化矽的濃度為11.7質量%,氫氧化鉀的濃度為0.13質量%,碳酸鉀的濃度為1.12質量%,四甲基氫氧化銨的濃度為1.72質量%,螯合劑之乙烯二胺肆(亞甲基膦酸)的濃度為0.08質量%,水溶性高分子之聚乙烯吡咯烷酮K-30的濃度為0.0073質量%。 [0050] 在實施例1、2、3、4、5及比較例1、2之研磨用組成物的差異主要為膠態二氧化矽的種類。在實施例1、2、3、4、5及比較例1、2之研磨用組成物,含有經使用之各膠態二氧化矽之剪斷黏度測定用液的剪斷黏度、藉由使用掃描型電子顯微鏡(SEM)之圖像觀察所測定之各膠態二氧化矽的平均一次粒徑及藉由動態光散射法所測定之各膠態二氧化矽的平均二次粒徑係如表1所示。 [0051] 含有各膠態二氧化矽之剪斷黏度測定用液的剪斷黏度係如以下般進行而測定者。將膠態二氧化矽添加於水使其分散,調製以17質量%的濃度含有膠態二氧化矽的分散液。於此分散液添加四甲基氫氧化銨,將pH調整至11.3,而得到剪斷黏度測定用液。而且,將剪斷黏度測定用液裝填在Anton Paar公司製之黏彈性測定裝置MCR302,以測定溫度25℃、剪斷速度1000/s的條件測定剪斷黏度。在黏彈性測定裝置所使用之錐板的種類為CP50。 [0052][0053] 使用實施例1、2、3、4、5及比較例1、2之研磨用組成物,以下述之研磨條件進行直徑4英寸之裸矽晶圓的研磨。於此矽晶圓的表面,形成硬質雷射標示。又,此矽晶圓的傳導型為P型,結晶方位為<100>,電阻率為0.1Ω・cm以上未滿100Ω・cm。 [0054] (研磨條件) 研磨裝置:日本恩吉斯股份有限公司製之單面研磨裝置、型式「EJ-380IN」 研磨墊(研磨布):Nitta Haas股份有限公司製「MH-S15A」 研磨荷重:16.7kPa 定盤之回轉速度:50min-1
頭(載體)之回轉速度:40min-1
研磨時間:藉由研磨之去除餘量成為5μm為止的時間(惟,去除餘量未到達5μm的情況下以60min結束研磨) 研磨用組成物之供給速度:100mL/min(流出使用) 研磨用組成物之溫度:23~26℃ [0055] 而且,測定研磨前之矽晶圓的質量、與研磨後之矽晶圓的質量,由其質量差、研磨時間、研磨面的面積、矽之密度等算出研磨速度。將結果示於表1。 又,分析研磨結束後之矽晶圓的表面,測定硬質雷射標示之周緣部所生成之突起的高度。將結果示於表1。突起的高度係使用東京精密股份有限公司製之形狀測定裝置SURFCOM DX-12測定。 [0056] 由表1可清楚明白,實施例1、2、3、4、5之研磨用組成物,由於含有膠態二氧化矽之剪斷黏度測定用液的剪斷黏度高,且膠態二氧化矽的平均粒徑有適當之大小,故研磨速度高且硬質雷射標示之周緣部所生成之突起的高度較低。由此結果,瞭解到若將硬質雷射標示所形成之矽晶圓的表面使用實施例1、2、3、4、5之研磨用組成物進行研磨,可減低硬質雷射標示之周緣部所生成之突起。 [0057] 對此,比較例2之研磨用組成物由於含有膠態二氧化矽之剪斷黏度測定用液的剪斷黏度較低,故硬質雷射標示之周緣部所生成之突起的高度較高。由此結果,瞭解到即使將硬質雷射標示所形成之矽晶圓的表面使用比較例2之研磨用組成物進行研磨,亦無法充分減低硬質雷射標示之周緣部所生成之突起。 又,比較例1之研磨用組成物由於含有膠態二氧化矽之剪斷黏度測定用液的剪斷黏度低,且膠態二氧化矽之平均二次粒徑較小,故無法研磨矽晶圓的表面。
Claims (4)
- 一種研磨用組成物,其係含有研磨粒與鹼性化合物之研磨用組成物,其特徵為前述研磨粒以17質量%的濃度含有前述研磨粒,同時含有四甲基氫氧化銨,且pH為11.3之剪斷黏度測定用液在剪斷速度1000/s之剪斷黏度成為1.3mPa・s以上者。
- 如請求項1之研磨用組成物,其中,前述研磨粒為包含二氧化矽。
- 如請求項1或請求項2之研磨用組成物,其係矽晶圓之研磨用。
- 一種矽晶圓之研磨方法,其係包含使用如請求項1~3中任一項之研磨用組成物,來研磨矽晶圓。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-219003 | 2016-11-09 | ||
JP2016219003 | 2016-11-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201821582A true TW201821582A (zh) | 2018-06-16 |
TWI739945B TWI739945B (zh) | 2021-09-21 |
Family
ID=62110446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106138560A TWI739945B (zh) | 2016-11-09 | 2017-11-08 | 研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2018088370A1 (zh) |
TW (1) | TWI739945B (zh) |
WO (1) | WO2018088370A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020100563A1 (ja) | 2018-11-12 | 2020-05-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5533664B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2014-06-25 | 旭硝子株式会社 | 研磨用組成物および半導体集積回路装置の製造方法 |
TW201321489A (zh) * | 2011-11-18 | 2013-06-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | 半導體晶圓用研磨液組成物 |
US9685343B2 (en) * | 2013-08-09 | 2017-06-20 | Fujimi Incorporated | Method for producing polished object and polishing composition kit |
JP6228032B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-11-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体基板を連続的に製造する方法 |
JP2015227446A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-17 | 花王株式会社 | サファイア板用研磨液組成物 |
WO2016111165A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 御国色素株式会社 | 増粘剤含有砥粒スラリー及びその製造法 |
-
2017
- 2017-11-06 JP JP2018550195A patent/JPWO2018088370A1/ja active Pending
- 2017-11-06 WO PCT/JP2017/039982 patent/WO2018088370A1/ja active Application Filing
- 2017-11-08 TW TW106138560A patent/TWI739945B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2018088370A1 (ja) | 2019-10-03 |
WO2018088370A1 (ja) | 2018-05-17 |
TWI739945B (zh) | 2021-09-21 |
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