TW201820496A - 訊號量測介質軟板的製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 190
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 180
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 113
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 101
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 94
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 382
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 74
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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Abstract
一種訊號量測介質軟板製造方法，包括：形成一基礎層。形成複數個金屬層及複數個聚合物層於基礎層之上。於第三聚合物層及第四聚合物層間形成分離介面。於第六聚合物層及第七聚合物層間形成量測介質分離介面。於複數個金屬層上分別設置圖案層，並使用電鍍製程及電鑄製程於圖案中鍍上導電物質以形成不同用途的導電線路層。使用蝕刻震盪程序將第一聚合物層和第二聚合物層之間的金屬層分離，並將第六聚合物層和第七聚合物層由介質分離介面分開露出量測介質，藉以完成訊號量測介質軟板的製程。
Description
本發明是關於一種量測介質製造方法；且特別是關於一種量測介質軟板製造方法。
一般而言，製作完成的晶圓(wafer)會經過量測測試，以判斷半導體元件是否可正常運作。這樣的量測測試通常在晶圓被切分為各個分開的晶片和封裝之前進行。此量測測試程序可同時測試多個半導體晶片，相較於晶片封裝過後分別量測測試各個晶片，切割及封裝前的量測測試可有效降低製作成本。
現有使用於晶圓的量測測試單元或載具，大部分使用傳統機械加工製作的介質，經過特殊的處理，再將介質佈值於所需求的位置點，並從介質另一端將訊號接引至機台，達到訊號量測測試的目的。但在高頻的量測測試作業中，訊號的傳遞可能因過長的路徑、或周遭訊號的干擾，會影響整體高頻訊號作動的響應條件，因此傳統的量測測試架構無法達到高頻的量測測試需求。所以我們利用特殊的材料保護線路，整體的訊號完整避免干擾，並且大幅縮短訊號傳遞路徑，因而開發此類測試載具的應用。
在晶圓量測測試中，主要是以介質卡(probe card)、針測機
(prober)與測試機(tester)對晶圓上的晶粒進行電性量測測試。介質卡是一片具有許多微細介質的平台，作為測試機與待測半導體元件的量測測試介面。針測機負責把一片片的晶圓準確地移動到介質卡的對應位置，使得介質卡上的介質接觸到晶粒所對應的接墊(pad)，再由測試機透過介質卡送出量測測試訊號，以量測半導體元件的功能、參數與特性。
由於近年來晶圓級封裝(wafer-level package)、高頻電路及三維堆積電路(3D IC)的應用迅速成長，使得高頻的晶圓量測測試(wafer probing/chip probing)需求增加。現有之使用於晶圓節省製程時間的量測測試單元或載具，大部分是使用傳統機械加工製作的介質。其經過特殊的處理，再將介質佈值於所需求的位置點，並從介質另一端將訊號接引至機台，達到訊號量測測試的目的。但在高頻的量測測試作業中，訊號的傳遞可能因過長的路徑、或周遭訊號的干擾，會影響整體高頻訊號作動的響應條件，因此傳統的測試架構在高頻量測測試需求下，仍有很大的改進空間，如保護線路，使得整體的訊號完整避免干擾，以及大幅縮短訊號傳遞路徑。
因此，本發明的主要目的是在於提供一種量測介質的製作方法，其可同時製作出一整片具有量測介質的軟板，並且該些量測介質的軟板可用於進行高頻的晶圓量測測試。
為達此一目的，本發明提供之量測介質的軟板製造方法包括形成基底層、金屬分離層及第一聚合物層，金屬分離層覆蓋於基底層之上，第一聚合物層覆蓋於金屬分離層之上，基底層、金屬分離層及第一聚合物層形成基礎層；形成第一金屬層，覆蓋於基礎層之上，並形成第二聚合物
層，覆蓋於第一金屬層之上；形成第二金屬層於第二聚合物層之上，並執行第一圖案化程序以形成導電層；形成第三聚合物層於導電層之上；形成第四聚合物層於第三聚合物層之上並形成分離介面；執行第二圖案化程序，將載板電信介面(Interface)相對位置圖形，以離子蝕刻穿透第三聚合物層及第四聚合物層顯示於部分裸露的該導電層之上，並執行電鑄製程，將已蝕刻位置進行電鑄程序於部分裸露的導電層上以形成導電凸塊部份；形成第三金屬層於第四聚合物層之上及導電凸塊部分之上，執行第三圖案化程序於第三金屬層之上以形成接地圖案，並執行電鍍製程，將接地圖案鍍上金屬以形成接地層；形成第五聚合物層於接地層、導電凸塊部分及第四聚合物層之上，以形成橋階層厚度；執行第四圖案化程序於第五聚合物之上以形成橋接圖案，並以離子蝕刻成形後並執行電鑄製程，將橋接圖案鍍上橋階層；執行第四圖案化程序於第五聚合物之上以形成橋接圖案，並執行電鑄製程，將橋接層鍍在橋接圖案內；形成第四金屬層於橋接層及第五聚合物層之上，執行第五圖案化程序於第四金屬層之上以形成線路圖，並執行電鍍製程，將線路圖案鍍上導電物質以形成線路層；形成第六聚合物層於線路層及第五聚合物層之上，以形成介質厚度；形成第七聚合物層於第六聚合物層之上以形成介質分離介面；形成第五金屬層於第七聚合物層之上，執行第六圖案化程序於第五金屬層之上以形成晶圓測試墊介質圖案，並執行電鑄製程，將金屬沉積至第七聚合物層執行第七圖案畫程序，並以離子蝕刻成行完成訊號量測介質軟板外型之圖像，最後執行蝕刻震盪程序，使得第一聚合物層及第二聚合物層彼此分開，並使得第三、四聚合物層及第六、七聚合物層彼此分開，以完成訊號量測介質軟板。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例並配合所附圖式做詳細說明。
100‧‧‧基礎層
110‧‧‧基底層
120‧‧‧金屬介層
130‧‧‧第一聚合物層
140‧‧‧金屬分離層
150‧‧‧第二聚合物層
160‧‧‧第二金屬層
160’‧‧‧導電層
1602’‧‧‧部分裸露載板電信介面的導電層
1606’‧‧‧橋接圖案
170‧‧‧第三聚合物層
180‧‧‧第四聚合物層
190‧‧‧導電凸塊
200‧‧‧第三金屬層
210‧‧‧接地層
220‧‧‧第五聚合物層
230‧‧‧橋接層
240‧‧‧第四金屬層
250‧‧‧線路層
260‧‧‧第六聚合物層
280‧‧‧第七聚合物層
310‧‧‧量測介質
330‧‧‧量測介質-
400‧‧‧介質軟板裝置
410‧‧‧載板電信介面
420‧‧‧金屬線
500‧‧‧介質軟板裝置
I2‧‧‧分離介面
I3‧‧‧介質分離介面
S1~S14‧‧‧主要步驟
A‧‧‧步驟分頁連接處記號
S’11、S21、S31、S311、S312、S313、S41、S51、S61、S611、S612、S613、S62、S71、S711、S712、S713、S72、S81、S91、S911、S912、S92、S101、S102、S111、S121、S131、S1311、S1312、S1313、S132、S141、S142、S143‧‧‧子集步驟
圖1A是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1B是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1C是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1D是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1E是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1F是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1G是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1H是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1I是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1J是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1K是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1L是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1M是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1N是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1O是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1P是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1Q是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1R是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1S是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖1T是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。
圖2A是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法所製造出的量測介質軟板量測介質軟板裝置之上視圖。
圖2B是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法所製造出的量測介質軟板的量測介質軟板裝置之上視圖。
圖2C是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法所製造出的量測介質軟板的量測介質軟板裝置之上視圖。
圖3A是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的主要流程圖。
圖3B是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的主要流程圖。
圖4是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖5是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖6是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖7是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖8是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖9是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖10是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖11是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖12是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖13是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖14是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖15是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖16是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
圖17是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。
茲配合圖式說明本發明之較佳實施例。
本發明的一實施例揭露了一種量測介質軟板的製造方法。
請參考圖1A、圖3A及圖4。圖1A是根據本發明之一量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖3A是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的主要流程圖。圖4是根據本發明的一實施例之量測介
質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成基底層110、金屬介層120及第一聚合物層130。金屬介層120覆蓋於基底層110之上；第一聚合物層130覆蓋於金屬介層120之上，但並不以此為限。基底層110、金屬介層120及第一聚合物層130共同形成基礎層100(S1)。
在本實施例中，基底層110可以是玻璃基板，金屬介層120可以是金屬材質，例如是鉻(Cr)。其中金屬介層120置於基板110上的方式可以是用沈積的方式，例如是金屬熱蒸鍍(thermal evaporation)、物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)或是電子槍蒸鍍(electron gun evaporation)，但不以此為限。此外，金屬介層120(在本實施例中以鉻(Cr)金屬為例)是用以讓基底層110及第一聚合物層130更易於結合之一黏著層(adhesive layer)，以避免聚合物層與玻璃基板接著不佳的情況，導致聚合物自玻璃基板上產生剝離。
在本實施例中，第一聚合物層130可以是化學性質穩定的非導體聚合物，例如是聚醯亞胺(Polyimide,PI)，但不以此為限。第一聚合物層130可以是塗佈(spin coating)於金屬介層120之上，使得第一聚合物層130可以盡量的貼近且平鋪於金屬介層120/基底層110。
其中，形成該基礎層100更包括一加熱步驟(S’11)。加熱步驟(S’11)可以是將基礎層100放置於烤箱進行升溫。此升溫(烘烤)步驟可使得第一聚合物層130(在本實施例中已聚醯亞胺polymide,PI為例)進行鏈結。第一聚合物層130的鏈結是指第一聚合物層130經過高溫之後，材料分子的重新組合變化，一般為相態的變化。本實施例中為液態轉固態的相態變化。
請參考圖1B、圖3A及圖5。圖1B是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖5是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在一些實施例中，請參照圖1B，金屬分離層140形成並覆蓋於基礎層100之上，再來，第二聚合物層150形成並覆蓋於金屬分離層140之上(S2)。金屬分離層140可以是鎢金屬(tungsten,W)，且可以是用濺鍍的方式形成於基礎層100之上，但不以此為限。第二聚合物層150可以是聚醯亞胺，且可以是以塗佈的方式形成於金屬分離層140之上，但不以此為限。
其中，在形成金屬分離層140於基礎層100之上，且形成第二聚合物層150於金屬分離層140之上後，更包括一加熱步驟(S21)。加熱步驟S21可以是將第二聚合物層150/金屬分離層140/基礎層100放置於烤箱進行升溫。此升溫(烘烤)步驟可使得第二聚合物層150進行鏈結。藉此，金屬分離層140可作為後續步驟中金屬分離層140與第二聚合物層150分離時之分隔層，因此稱作金屬分離層。
請參考圖1C、圖1D、圖3A及圖6。圖1C是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖1D是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖6是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第二金屬層160於第二聚合物層150之上，並執行第一圖案化程序(S31)以形成導電層160'(S3)。其中，第二金屬層160可以是多層金屬層。在本實施例中，例如是鎢(W)/銅(Cu)/鎢(W)，如此之三層金屬結構。三層金屬的厚度範圍分別是100nm至500nm不等，但不以此為限。除此之外，
第二金屬層160可以是用濺鍍的方式形成於第二聚合物層150之上。
承上，第一圖案化程序(S31)包括形成感光層(圖未示)於第二金屬層160之上(S311)。接著進行照光程序(S312)以形成反應圖案(圖未示)。然後進行去除程序(S313)以形成導電層160'。
其中，感光層可以是一種光阻材料，像是正光阻(例如是酚醛樹脂)或負光阻(例如是聚異戊二烯，polyisoprene)。正光阻是指曝光的部分會溶解於顯影劑；負光阻是指未曝光的部分會溶解於顯影劑。
照光程序(S312)例如是使用短波長的紫外光以一指定的秒數曝照在感光層上(俗稱“曝光”)，使得感光層162產生一分子鍵結的化學變化。例如，在使用正光阻時，曝光會使得正光阻產生極性的變化(例如是斷鍵)；而在使用負光阻時，曝光會使得負光阻中的分子產生交連的變化。此外，反應圖案可以是預先設計在光罩(Photo Mask)上的電路圖案。
請參考圖1E、圖3A及圖7。圖1E是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖7是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。接著，於本實施例中，形成第三聚合物層170於導電層160'之上(S4)。第三聚合物層170可以是聚醯亞胺且可以是以塗佈的方式形成於導電層160'之上。其中形成第三聚合物層170於導電層160'之上更包括一加熱步驟(S41)。加熱步驟(S41)可以是在第三聚合物層170形成於導電層160'之後進行烤箱升溫。加熱步驟(S41)是可產生後續步驟中用以連接外部的導電凸塊之高度的步驟。此升溫(烘烤)步驟可使得第三聚合物層170進行鏈結。
請參考圖1F、圖3A及圖8。圖1F是根據本發明的一實施例之
量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖8是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第四聚合物層180於第三聚合物層170之上並形成分離介面I1(S5)。第四聚合物層180可以是聚醯亞胺，但不以此為限。第四聚合物層180可以是以塗佈的方式形成於第三聚合物層170之上。其中，形成第四聚合物層180於第三聚合物層170之上(S5)更包括低溫加熱步驟(S51)。低溫加熱步驟(S51)可以是在第四聚合物層180形成於第三聚合物層170之上後進行烤箱升溫。此相較於一般加熱步驟較為低溫的升溫(烘烤)步驟可使得第四聚合物層180進行程度較弱的鏈結，並形成後續步驟中上述的凸塊分開用之分離介面I1。
請參考圖1G、圖1H、圖3A及圖9。圖1G是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖1H是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖9是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可執行第二圖案化程序(S61)，將印刷電路圖案(圖未示)離子蝕刻於第三聚合物層170及第四聚合物層180，顯示於一部分裸露的導電層1602‘之上，並執行電鑄製程(S62)，將印刷電路圖案電鑄於部分裸露的導電層上1602'以形成導電凸塊部份190(S6)。
其中第二圖案化程序(S61)包括形成感光層(圖未示)於第四聚合物層180之上(S611)；使用離子蝕刻方式形成載板電信介面圖案(S612)；進行一去除程序(S613)，將第四聚合物層180及第三聚合物層170部分去除至去除部分下方之導電層160‘裸露以形成該印刷電路圖案的圖樣。進行去除程序(S613)，將第四聚合物層180及第三聚合物層170部分去除至
去除部分下方之導電層160‘裸露以形成印刷電路圖案的圖樣。其中，去除程序(S613)可以是使用乾式蝕刻來完成。部分去除第四聚合物層180及第三聚合物層170可以是去除掉上述的反應圖案至去除部分下方之導電層160'裸露，但不以此為限。反應圖案可以是預先用電腦繪圖軟體繪製並製作成軟式或硬式的光遮罩(photomask)而成。
更詳細地，其中電鑄製程(S62)更包括在部分裸露的導電層(1602')之上將導電凸塊部分190電鑄至一預設高度。在本實施例中，預設高度與形成於導電層160'之上的第三聚合物層170的高度h1及第四聚合物層180的高度h2的總和相同，但在其他實施例中並不以此為限。
請參考圖1I、圖1J、圖3A及圖10。圖1I是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖1J是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖10是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第三金屬層200於第四聚合物層180之上及導電凸塊190部分之上。執行第三圖案化程序(S71)於第三金屬層200之上以形成接地圖案(圖未示)，並執行電鍍製程(S72)，將接地圖案鍍上導電物質以形成接地層210(S7)。其中，第三金屬層200可以是一多層金屬，例如是鎢(tungsten,W)和銅(copper,Cu)組合而成的多層金屬。
承上，第三圖案化程序(S71)包括形成一感光層(圖未示)於第三金屬層200之上(S711)；進行照光程序(S712)以形成接地反應圖案(圖未示)；以及使用離子蝕刻及蝕刻液搭配進行蝕刻金屬(S713)，將第三金屬層200部分去除。
更詳細地，電鍍製程(S72)更包括在接地圖案之上電鍍接地層210至一設定高度，如圖1I所示，其為本發明的一實施例電鍍製程後的側視剖面圖，但不以此為限。
請參考圖1K、圖3A及圖11。圖1K是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖11是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第五聚合物層220於接地層210、導電凸塊190部分及第四聚合物層180之上，用以形成橋階層厚度(S8)。其中，形成第五聚合物層220於接地層210、導電凸塊190部分及第四聚合物層180之上更包括加熱步驟(S81)。更詳細地，加熱步驟(S81)可以是在五聚合物層220形成於接地層210及第三金屬層200之後進行烤箱升溫。加熱步驟(S81)是可產生及確認後續步驟中用以橋接的橋接層厚度的步驟。此升溫(烘烤)步驟可使得第五聚合物層220進行鏈結。
請參考圖1L、圖1M、圖3A及圖12。圖1L是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖1L是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖1M是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖12是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可執行第四圖案化程序(S91)於第五聚合物220之上以形成橋接圖案(1606’)，並執行電鑄製程(S92)，將橋接層230鍍在橋接圖案1606’內(S9)。其中，第四圖案化程序(S91)包括形成感光層(圖未示)於橋接層230及第五聚合物層220之上(S911)；使用離子蝕刻方式形成橋接圖案(S912)。更詳細地，電鑄製程(S92)更包括將橋接層230電鑄在橋接圖案1606‘內。在本
實施例中，橋接層230的高度與第五聚合物層220的高度相同，但不以此為限。在其他實施例中，橋接層230的高度亦可依據使用者的需求進行調整或客製化。
接著，請參考圖1N、圖1O、圖3B及圖13。圖1N是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖1O是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖3B是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的主要流程圖。圖13是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第四金屬層240於橋接層230及第五聚合物層220之上，執行第五圖案化程序(S101)於第四金屬層240之上以形成線路圖案(圖未示)，並執行電鍍製程(S102)，將線路圖案(圖未示)鍍上導電物質以形成線路層250(S10)。
其中，第四金屬層240類似於第三金屬層200；第五圖案畫程序(S101)類似於第三圖案化程序(S71)；電鍍製程102類似於電鍍製程72，故在此不再贅述。
請參考圖1P、圖3B及圖14。圖1P是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖14是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第六聚合物層260於線路層250及第五聚合物220之上以預先形成並決定後續步驟中製作介質的厚度(S11)。其中，形成第六聚合物層260於線路層250及第五聚合物220之上更包括加熱步驟(S111)。更詳細地，加熱步驟(S111)可以是在形成第六聚合物層260於線路層250及第四金屬層240之上之後進行烤
箱升溫。加熱步驟(S111)亦是可產生及確認後續步驟中介質厚度的步驟。此升溫(烘烤)步驟可使得第六聚合物層260進行鏈結。
請參考圖1Q、圖3B及圖15。圖1Q是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖15是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第七聚合物層280於第六聚合物層260之上以形成介質分離介面I2(S12)。其中，形成第七聚合物層280於第六聚合物層260之上更包括執行低溫加熱步驟(S121)。低溫加熱步驟(S121)與前述之加熱步驟(S51)雷同，在此不再贅述。
請參考圖1R、圖3B及圖16。圖1R是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的一步驟之側剖面圖。圖16是根據本發明的一實施例之量測介質軟板製造方法的子集流程圖。在本實施例中，可形成第五金屬層(圖未示)於第七聚合物層280之上。執行第六圖案化程序(S131)於第五金屬層之上以形成晶圓測試墊介質圖案(圖未示)，並執行電鑄製程(S132)，將晶圓測試墊介質圖案鍍上導電物質以形成第一線路層310(S13)。
其中，第六圖案化程序(S131)包括形成感光層(未顯示)於第五金屬層之上(S1311)，進行照光程序(S1312)以形成接地反應圖案(圖未示)，以及進行去除程序(S1313)，將第五金屬層部分去除。更詳細地，在本實施例中，電鑄製程(S132)更包括在一部分裸露的第五金屬層(圖未示)上將第一線路層310電鑄至與第七聚合物層280的高度一致。但在其他實施例中，第一線路層310之電鑄高度並不以此為限，並可依據實際需求進行
調整及客製化。
最後，執行分離程序(S143)，包括以蝕刻溶液(例如是金屬蝕刻容易)滲透蝕刻，並配以超音波震盪(ultrasonic vibration)以分離第一聚合物層130及金屬分離層140。此外，分離程序(S143)還包含將第三聚合物層170及第四聚合物層180之間撕開，也將第六聚合物層260及第七聚合物層280之間撕開，以完成訊號量測介質軟板340(S14)。
請參照圖2A，在一些實施例中，線路層250具有一些繞線結構，是直接用來輸入以及輸出量測測試訊號的路徑。請參照圖2B，在一些實施例中，接地層210把接地的路徑由外圍連接到內部，可以提供量測測試訊號更好的環境。請參照圖2C，在一些實施例中，金屬分離層140可以有圖案的結構。金屬分離層140是作為製作量測介質軟板的一個基礎，但是當量測介質軟板完成之後，金屬分離層140會被去除。
以下簡要敘述上述實施例的主要步驟：形成一第一金屬層(140W分離層)覆蓋於該基礎層100之上並形成一第二聚合物層150覆蓋於該第一金屬層140之上(S2)(圖1B)。形成一第二金屬層160於該第二聚合物層150之上，並執行一第一圖案化程序(S31)以形成一導電層160'(S3)(圖1C 圖1D)。形成一第三聚合物層170於該導電層160'之上(S4)(圖1E)。形成一第四聚合物層180於該第三聚合物層170之上並形成一分離介面I1(S5)(圖1F)。執行一第二圖案化程序(S61)，將一印刷電路圖案(未顯示)穿透該第三聚合物層170及該第四聚合物層180顯示於一部分裸露的該導電層1602'之上，並執行一電鑄製程(S62)，將該印刷電路圖案電鑄於該部分裸露的該導電層上1602'以形成一導電凸塊部份190(S6)(圖1G、圖1H)。形成一第三金屬層200於該
第四聚合物層180之上及該導電凸塊部分190之上，執行一第三圖案化程序(S71)於該第三金屬層200之上以形成一接地圖案，並執行一電鍍製程(S72)，將該接地圖案鍍上導電物質以形成一接地層210(S7)(圖1I、圖1J)。形成一第五聚合物層220於該接地層210、該導電凸塊190部分及該第四聚合物層180之上，以形成一橋階層厚度h3(S8)(圖1K)。執行一第四圖案化程序(S91)於該第五聚合物220之上以形成一橋接圖案，並執行一電鑄製程(S92)，將該橋接圖案鍍上一橋階層230(S9)(圖1L、圖1M)。執行一第四圖案化程序(S91)於該第五聚合物220之上以形成一橋接圖案1606‘，並執行一電鑄製程(S92)，將一橋接層230鍍在該橋接圖案1606’內(S9)(圖1L、圖1M)。形成一第四金屬層240於該橋接層230及該第五聚合物層220之上，執行一第五圖案化程序(S101)於該第四金屬層240之上以形成一線路圖案，並執行一電鍍製程(S102)，將該線路圖案鍍上導電物質以形成一線路層250(S10)(圖1N、圖1O)。形成一第六聚合物層260於該線路層250及該第五聚合物220之上，以形成一介質厚度h4(S11)(圖1P)。形成一第七聚合物層280於該第六聚合物層260之上以形成一介質分離介面I2(S12)(圖1Q)。形成一第五金屬層於該第七聚合物層280之上，執行一第六圖案化程序(S131)於該第五金屬層之上以形成一晶圓測試墊介質圖案，並執行一電鑄製程(S132)，將該晶圓測試墊介質圖案鍍上導電物質以形成一第一線路層310(S13)(圖1R)。形成一第六金屬層於該第七聚合物層280及該線路層310之上，執行一第七圖案化程序(S141)，用以在該第六金屬層上形成一訊號量測介質軟板外型圖案穿透並顯示於該部分裸露的導電層(1610‘)之上，使用離子蝕刻製程將訊號量測介質軟板外型成形行(S142)。
綜上所述，本發明之量測介質軟板製造方法既可以使用於高頻的晶圓測試，亦可一次性的產生具有多個介質的軟板結構，達到省時又降低成本的功效。
雖然本發明已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明知保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (18)
- 一種訊號量測介質軟板製造方法，該方法包含：形成一基底層、一金屬介層及一第一聚合物層，該金屬介層覆蓋於該基底層之上，該第一聚合物層覆蓋於該金屬介層之上，該基底層、該金屬介層及該第一聚合物層形成一基礎層；形成一第一金屬層覆蓋於該基礎層之上並形成一第二聚合物層覆蓋於該第一金屬層之上；形成一第二金屬層於該第二聚合物層之上，並執行一第一圖案化程序以形成一導電層；形成一第三聚合物層於該導電層之上；形成一第四聚合物層於該第三聚合物層之上並形成一分離介面；執行一第二圖案化程序，將一印刷電路圖案穿透該第三聚合物層及該第四聚合物層顯示於一部分裸露的該導電層之上，並執行一電鑄製程，將該印刷電路圖案電鑄於該部分裸露的該導電層上以形成一導電凸塊部份；形成一第三金屬層於該第四聚合物層之上及該導電凸塊部分之上，執行一第三圖案化程序於該第三金屬層之上以形成一接地圖案，並執行一電鍍製程，將該接地圖案鍍上導電物質以形成一接地層； 形成一第五聚合物層於該接地層、該導電凸塊部分及該第四聚合物層之上，以形成一橋階層厚度；執行一第四圖案化程序於該第五聚合物之上以形成一橋接圖案，並執行一電鑄製程，將該橋接圖案鍍上一橋階層；執行一第四圖案化程序於該第五聚合物之上以形成一橋接圖案，並執行一電鑄製程，將一橋接層鍍在該橋接圖案內；形成一第四金屬層於該橋接層及該第五聚合物層之上，執行一第五圖案化程序於該第四金屬層之上以形成一線路圖案，並執行一電鍍製程，將該線路圖案鍍上導電物質以形成一線路層；形成一第六聚合物層於該線路層及該第五聚合物之上，以形成一介質厚度；形成一第七聚合物層於該第六聚合物層之上以形成一介質分離介面；形成一第五金屬層於該第七聚合物層之上，執行一第六圖案化程序於該第五金屬層之上以形成一晶圓測試墊介質圖案，並執行一電鑄製程，將該晶圓測試墊介質圖案鍍上導電物質以形成一第一線路層；形成一第六金屬層於該第七聚合物層及該線路層之上，執行一第七圖案化程序，用以在該第六金屬層上形成一訊號量測介質軟板外型圖案穿透並顯示於該部分裸露的導電層之 上，執行一離子蝕刻製程，將該訊號量測介質軟板外型圖案完成；以及執行一分離程序，將該金屬分離層以蝕刻液滲入蝕刻分離，以及將該第三聚合物層及該第四聚合物層彼此分開，將該第六聚合物層及該第七聚合物層彼此分開。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中形成該基礎層更包括一加熱步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中在形成該第一金屬層於該基礎層之上，且形成一第二聚合物層於該第一金屬層之上後，更包括一加熱步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該第一圖案化程序包括：形成一感光層於該第二金屬層之上；進行一照光程序以形成一反應圖案；以及進行一去除程序以形成該導電層。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中形成該第三聚合物層於該導電層之上更包括一加熱步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中形成該第四聚合物層於該第三聚合物層之上更包括一低溫加熱步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該第二圖案化程序包括：形成一感光層於該第四聚合物層之上；進行一照光程序以形成一第一反應圖案；以及進行一去除程序，將第四聚合物層及第三聚合物層部分去除至去除部分下方之導電層裸露以形成該印刷電路圖案的圖樣。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該電鑄製程更包括在該部分裸露的導電層之上將該導電凸塊部分電鑄至一高度，該高度與形成於該導電層之上的該第三聚合物層的高度及該第四聚合物層的高度的總和相同。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該第三圖案化程序包括：形成一感光層於該第三金屬層之上；進行一照光程序以形成一接地反應圖案；以及進行一去除程序，將該第三金屬層部分去除。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該電鍍製程更包括在該接地圖案之上電鍍該接地層至一設定高度。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中形成該第五聚合物層於該接地層、該導電凸塊部分及該第四聚合物層之上更包括一加熱步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該第四圖案化程序包括：形成一感光層於該橋接層及該第五聚合物層之上；以及進行一照光程序以形成該橋接圖案。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該電鑄製程更包括將該橋接層電鑄在該橋接圖案內，且該橋接層的高度與該第五聚合物層的高度相同。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中形成該第六聚合物層於該線路層及該第五聚合物之上更包括一加熱步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中形成該第七聚合物層於該第六聚合物層之上更包括執行一低溫加熱步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該第六圖案化程序包括：形成一感光層於該第五金屬層之上；進行一照光程序以形成一接地反應圖案；以及進行一去除程序，將該第五金屬層部分去除。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該電鑄製程更包括在一部分裸露的第五金屬層上將該線路層電鑄至與該第七聚合物層的高度一致。
- 根據申請專利範圍第1項之訊號量測介質軟板製造方法，其中該分離程序包括以金屬蝕刻溶液滲透蝕刻配以超音波震盪以分離該第一聚合物層及該金屬分離層。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105138565A TWI629737B (zh) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | 訊號量測介質軟板的製造方法 |
| CN201710084840.4A CN108112176A (zh) | 2016-11-24 | 2017-02-17 | 讯号量测介质软板制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105138565A TWI629737B (zh) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | 訊號量測介質軟板的製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201820496A true TW201820496A (zh) | 2018-06-01 |
| TWI629737B TWI629737B (zh) | 2018-07-11 |
Family
ID=62207086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105138565A TWI629737B (zh) | 2016-11-24 | 2016-11-24 | 訊號量測介質軟板的製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108112176A (zh) |
| TW (1) | TWI629737B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110035625B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-07-06 | 武汉迈斯卡德微电子科技有限公司 | 一种讯号量测介质软板的制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6552555B1 (en) * | 1998-11-19 | 2003-04-22 | Custom One Design, Inc. | Integrated circuit testing apparatus |
| JP4119205B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2008-07-16 | 富士通株式会社 | 多層配線基板 |
| US7279911B2 (en) * | 2005-05-03 | 2007-10-09 | Sv Probe Pte Ltd. | Probe card assembly with dielectric structure |
| TWI275803B (en) * | 2005-10-17 | 2007-03-11 | Mjc Probe Inc | Probe device of probe card |
| CN101022695B (zh) * | 2007-03-27 | 2011-05-25 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 线路嵌合于介电层的无芯板薄型基板及其制造方法 |
| CN101373752B (zh) * | 2007-08-20 | 2011-01-26 | 神盾股份有限公司 | 具软性电路板信号传输结构的指纹感测芯片及其制造方法 |
-
2016
- 2016-11-24 TW TW105138565A patent/TWI629737B/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-02-17 CN CN201710084840.4A patent/CN108112176A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI629737B (zh) | 2018-07-11 |
| CN108112176A (zh) | 2018-06-01 |
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