TW201818086A - 超音波檢查裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之超音波檢查裝置1係以經封裝化之半導體裝置D為檢查對象之裝置，其具備：超音波振動器2，其與半導體裝置D對向配置；媒質保持部12，其設置於超音波振動器2中與半導體裝置D對向之端部2b，並保持傳播超音波W之媒質M；載台3，其使半導體裝置D與超音波振動器2之相對位置移動；及解析部22，其解析與超音波振動器2之超音波W輸入對應的半導體裝置D之反應。

Description

超音波檢查裝置

本形態係關於超音波檢查裝置。

作為先前之超音波檢查裝置，有例如專利文獻1記載之使用超音波加熱之半導體積體電路配線系統之檢查裝置。該先前之超音波檢查裝置中，對被檢查體即半導體積體電路一面自定電壓源供給電力一面照射超音波。且，對應於超音波之照射而檢測出流動於接地配線之電流之變化，由此將會產生半導體積體電路之電流像或缺陷像。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平8-320359號公報

[發明所欲解決之問題] 上述先前之超音波檢查裝置中，係以自封裝取出之半導體晶片作為檢查對象。然而，若考慮需要自封裝取出半導體晶片之作業，或半導體晶片之取出時可能導致電路之特性產生變化等，則較好以保持封裝化之狀態檢查半導體裝置。另一方面，檢查經封裝化之半導體裝置之情形時，由於無法自外部視認觀察點即半導體晶片，故需要想辦法使對半導體晶片之超音波焦點對準容易。 本形態係用以解決上述問題而完成者，其目的係提供一種可使超音波之焦點容易對準於經封裝化之半導體裝置內之期望位置之超音波檢查裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣之超音波檢查裝置係以經封裝化之半導體裝置為檢查對象之超音波檢查裝置，其具備：超音波振動器，其與半導體裝置對向配置；媒質保持部，其設置於超音波振動器中與半導體裝置對向之端部，並保持傳播超音波之媒質；載台，其使半導體裝置與超音波振動器之相對位置移動；及解析部，其解析與超音波振動器之超音波輸入對應的半導體裝置之反應。 該超音波檢查裝置中，可藉由設置於超音波振動器之端部之媒質保持部之位置，於保持在超音波振動器與半導體裝置之間傳播超音波之媒質之狀態下，而調整超音波振動器與半導體裝置之間隔。因此，可使超音波之焦點容易對準經封裝化之半導體裝置內之期望位置。 又，媒質保持部亦可藉由設置於超音波振動器之端部之筒狀構件構成。該情形時，可由筒狀構件之內部與超音波振動器之端部形成媒質之保持空間。 又，媒質保持部亦可裝卸自如地嵌合於超音波振動器之端部。該情形時，藉由於超音波振動器之端部調整筒狀構件之嵌合位置，而可容易調整超音波振動器與半導體裝置之間隔。 又，媒質保持部亦可具有調整媒質之保持量之媒質流通口。藉此，以媒質保持部保持之媒質之保持量之控制變容易。 又，媒質保持部亦可具有檢測媒質之保持量之保持量檢測部。藉此，以媒質保持部保持之媒質之保持量之控制進而變容易。 又，進而具備：電源裝置，其對半導體裝置施加恆定電壓或恆定電流；及反應檢測部，其於恆定電壓或恆定電流之施加狀態下，檢測與超音波之輸入對應之半導體裝置之電流或電壓，解析部亦可基於來自反應檢測部之檢測信號產生解析圖像。該情形時，藉由測量起因於超音波之輸入之半導體裝置之電阻變化，而可精度良好地實施經封裝化之半導體裝置之檢測。 又，進而具備信號產生部，其對超音波振動器輸入驅動信號，且輸出對應於驅動信號之參考信號，解析部亦可基於檢測信號與參考信號產生解析圖像。藉此，可進而提高經封裝化之半導體裝置之檢查精度。 又，進而具備反射檢測部，其檢測由半導體裝置反射之超音波之反射波，解析部亦可基於來自反射檢測部之檢測信號產生反射圖像。該情形時，可基於反射圖像取得半導體裝置內部之晶片形狀。 又，解析部亦可產生解析圖像與反射圖像重疊後之重疊圖像。該情形時，由於解析圖像之解析結果與半導體裝置內部之晶片形狀重疊，因此成為容易特定出故障位置等者。 [發明之效果] 根據本形態，可使超音波之焦點容易對準經封裝化之半導體裝置內之期望位置。

以下，一面參照圖式，一面對本形態之一態樣之超音波檢查裝置之較佳實施形態詳細說明。 圖1係顯示超音檢查測裝置之一實施形態之概略構成圖。該超音波檢查裝置1係保持將檢查對象即半導體裝置D封裝化之狀態進行檢查之裝置。超音波檢查裝置1係基於測量因輸入超音波W之半導體裝置D之電阻變化之方法，作為進行特定出經封裝化之半導體裝置D之故障有無及故障位置等之裝置而構成。 半導體裝置D之一面側成為供超音波W輸入之檢查面Dt。半導體裝置D係以使該檢查面Dt朝下方之狀態由保持板等予以保持。作為半導體裝置D，列舉包含二極體或功率電晶體等之個別半導體元件(分開)、光電元件、感測器/致動器、或以MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金屬氧化物半導體場效電晶體)構造或雙極構造之電晶體構成之邏輯LSI(Large Scale Integration：大型積體電路)、記憶體元件、線性IC( Integrated Circuit：積體電路)、及該等之混合裝置等。又，半導體裝置D亦可為包含半導體裝置之封裝、複合基板等。 如圖1所示，超音波檢查裝置1構成為包含超音波振動器2、載台3、脈衝產生器(信號產生部)4、反應檢測部5、鎖定放大器(頻率解析部)6、電腦(解析部)7、及監視器8。 超音波振動器2係向半導體裝置D輸入超音波W之裝置。超音波振動器2如圖2所示，具有脈波器11及媒質保持部12。超音波振動器2例如成筒狀，更具體而言成圓筒狀。超音波振動器2之前端面2a係輸出超音波W之部分，以與半導體裝置D之檢查面Dt對向之方式朝上方配置。前端面2a實際成凹面狀，於前端面2a之各個位置產生之超音波W，係於自前端面2a離開一定距離之位置具有焦點。自前端面2a輸出之超音波W例如為20 kHz～10 GHz左右之彈性振動波。 脈波器11係基於自脈衝產生器4輸出之驅動信號來驅動超音波振動器2之部分。本實施形態中，脈波器11亦具有作為檢測於半導體裝置D之檢查面反射之超音波W之接收機(反射檢測部)13之功能。接收機13檢測超音波W之反射波，將表示檢測結果之檢測信號輸出至電腦7。 媒質保持部12係於超音波振動器2與半導體裝置D之間保持媒質M之部分。由媒質保持部12保持之媒質M於本實施形態中為水。媒質M只要是使半導體裝置D之封裝所用之材質與阻抗整合者，便無特別限制，亦可使用丙三醇等其他液體、或凝膠狀、果凍狀物質等。本實施形態中，媒質保持部12具有由例如矽樹脂等之充分具有可撓性及對於媒質M之潤濕性之材料形成之筒狀構件14。筒狀構件14裝卸自如地嵌合於超音波振動器2之前端面2a側之端部2b。 筒狀構件14之一部分以自前端面2a突出之方式將筒狀構件14滑動自如地嵌合於端部2b，由筒狀構件14之內周面14a與超音波振動器2之前端面2a形成保持媒質M之保持空間S。藉由調整筒狀構件14自超音波振動器2之前端面2a之突出量，而使保持空間S之容積成為可變。藉由調整該筒狀構件14之突出量，而可調整自超音波振動器2輸出之超音波W之焦點位置之可調整範圍。藉此，對於封裝之樹脂厚度不同之半導體裝置D，亦可設定媒質M不溢出之最佳保持空間S之容積。 為了容易掌握筒狀構件14之突出量，亦可對筒狀構件14設置刻度。設置刻度之位置例如為筒狀構件14之內周面14a或外周面14c。筒狀構件14之突出量係可藉由手動使筒狀構件14相對於超音波振動器2之端部2b之位置滑動，改變筒狀構件14之嵌合量而調整。筒狀構件14相對於超音波振動器2之端部2b之位置亦可使用滑動機構調整。又，亦可使筒狀構件14之嵌合量為一定後，藉由更換成不同長度之筒狀構件14而調整筒狀構件14之突出量。 於筒狀構件14之周壁部分設有調整保持於保持空間S之媒質M之保持量之媒質流通口15。於媒質流通口15插入有連接於外部之媒質貯藏部(未圖示)之流通管16，進行媒質M向保持空間S之流入及媒質M自保持空間S之排出。媒質M之流通量例如係藉由電腦7控制。 另，媒質流通口15較佳為自筒狀構件14之前端面14b隔著一定間隔設置。藉此，於自媒質流通口15流入之媒質M中混入異物之情形時，亦可抑制於保持空間S異物集中於筒狀構件14之前端面14b附近。與超音波振動器2之前端面2a附近相比，超音波W更易聚焦於筒狀構件14之前端面14b附近。藉此，抑制異物集中於筒狀構件14之前端面14b附近，抑制超音波W對異物干涉之影響。 又，於筒狀構件14之內周面14a，於較媒質流通口15靠上方(前端面14b側)之位置，安裝檢測保持空間S之媒質M保持量之位準感測器(保持量檢測部)17。位準感測器17將表示檢測結果之檢測信號輸出至電腦7。基於來自位準感測器17之檢測信號，執行調整超音波W之焦點位置時之保持空間S之媒質M之量的控制。亦可於筒狀構件14安裝檢測與半導體裝置D之距離之距離感測器。藉此，使後述之載台3於Z軸方向驅動時，可防止筒狀構件14與半導體裝置D之干涉。 載台3係如圖1所示，使半導體裝置D與超音波振動器2之相對位置移動之裝置。本實施形態中，載台3作為可於XYZ軸方向驅動之3軸載台構成，於載台3上固定超音波振動器2。基於來自電腦7之指示信號控制載台3之驅動。藉由載台3於半導體裝置D之檢查面Dt之面內方向(XY軸方向)驅動，而掃描半導體裝置D之檢查面Dt之超音波W之輸入位置。 又，藉由載台3於半導體裝置D之厚度方向(Z軸方向)驅動，而對半導體裝置D之厚度方向以一定精度調整超音波W之焦點位置。另，載台3亦可不固定於超音波振動器2，而固定於半導體裝置D。半導體裝置D之檢查開始時，如圖2所示，以媒質保持部12因表面張力而自保持空間S隆起程度地對保持空間S供給媒質M。且，藉由載台3於半導體裝置D之厚度方向驅動，使媒質M之隆起部分Ma與半導體裝置D之檢查面Dt接觸。藉此，以媒質M填充超音波振動器2之前端面2a至半導體裝置D之檢查面Dt之超音波W之路徑。且，如圖3所示，載台3進而於半導體裝置D之厚度方向驅動，於半導體裝置D內之晶片C附近調整超音波W之焦點位置。 脈衝產生器4係對超音波振動器2輸入驅動信號之裝置。驅動信號之頻率設定為與超音波振動器2產生之超音波W之頻率相等之頻率。如本實施形態，進行使用鎖定放大器6之鎖定檢測之情形時，亦可另外設定鎖定頻率，將產生用頻率與鎖定頻率合成後之突增信號作為驅動信號，對超音波振動器2輸入超音波W。該情形時，將對應於鎖定頻率之參考信號自脈衝產生器4輸出至鎖定放大器6。超音波產生用頻率例如為25 MHz～300 MHz左右，鎖定頻率例如為1 kHz～5 kHz左右。 反應檢測部5係檢測與超音波振動器2之超音波W輸入對應的半導體裝置D反應之裝置。反應檢測部5例如係藉由連接於鎖定放大器6之前段之檢測放大器構成。反應檢測部5於半導體裝置D中內置有施加恆定電壓或恆定電流之電源裝置10。反應檢測部5於恆定電壓或恆定電流之施加狀態下，檢測對應於超音波W輸入之半導體裝置D之電流或電壓，將表示檢測結果之檢測信號輸出至鎖定放大器6。反應檢測部5亦可僅擷取交流成分，輸出檢測信號。 鎖定放大器6係鎖定檢測自反應檢測部5輸出之檢測信號之裝置。鎖定放大器6基於自脈衝產生器4輸出之參考信號，鎖定檢測自反應檢測部5輸出之檢測信號。且，鎖定放大器6將表示檢測結果之檢測信號輸出至電腦7。 電腦7構成為物理性具備RAM、ROM等記憶體、CPU等處理器(運算電路)、通信介面、硬碟等存儲部、監視器8等顯示部。作為該電腦7，列舉例如個人電腦、雲端伺服器、智慧型裝置(智慧型手機、平板終端等)、微電腦、FPGA(Field-Programmable Gate Array：場可程式化閘陣列)等。電腦7藉由以電腦系統之CPU執行存儲於記憶體之程式，而作為控制載台3動作之載台控制部21、及解析來自鎖定放大器6之檢測信號之解析部22發揮功能。 更具體而言，載台控制部21執行超音波W對於半導體裝置D之厚度方向之焦點位置之調整控制，及超音波W對於半導體裝置D之檢查面Dt之掃描控制。焦點位置之調整控制中，載台控制部21基於自超音波振動器之接收機13輸出之該檢測信號，執行載台3之Z方向之控制。超音波W之掃描控制中，載台控制部21以超音波W沿半導體裝置D之檢查面Dt移動之方式，執行載台3之XY方向之控制。載台控制部21對解析部22依序輸出掃描控制時之載台3之位置資訊。 圖4係顯示焦點位置之調整控制之一例之圖。該圖之例中，以橫軸為時間(輸出超音波W後至檢測出反射波為止之時間)，縱軸為振幅，描繪來自接收機13之檢測信號之時間波形K。該時間波形K亦可為累計複數次輸出超音波W之情形之反射波之檢測信號者。 如圖4所示，若使超音波W之焦點位置向半導體裝置D移位，則於某位置與於半導體裝置D之封裝表面之反射對應之第1波峰P1出現在時間波形K。若自出現第1波峰P1之位置進而使超音波W之焦點位置移位至半導體裝置D側，則超音波W之焦點位置移動至半導體裝置D之封裝內，如圖5所示，於某位置與於半導體裝置D內部之晶片C表面之反射對應之第2波峰P2出現在時間波形K。因此，載台控制部21以第2波峰P2之振幅成最大之方式，控制載台3之Z軸方向之位置。 焦點位置之調整控制，可設想為封裝之樹脂厚度為已知之情形，或封裝之樹脂組成為已知而可算出封裝內之超音波W之音速之情形。於該情形，亦可基於該等資訊預先算出第2波峰P2之出現位置(出現時間)之範圍，而設定檢測第2波峰P2時之檢測窗A。藉由檢測窗A之設定，而謀求第2波峰P2之出現位置之檢測精度提高及檢測時間之縮短化。已知於半導體裝置D內內置有複數層晶片C之情形時，亦可基於第2波峰P2後之波峰來控制載台3之Z軸方向之位置。 又，由於超音波W之焦點深度較深，故亦考慮不易判別第2波峰P2之振幅成最大之位置之情形。該情形時，例如如圖6所示，亦可以對應於第2波峰P2之振幅成最大之範圍之中央位置(中央時刻)T之方式，對準載台3之Z軸方向之位置。又，亦可微分處理時間波形K，以對應於微分處理後之時間波形之波峰值之中央位置之方式，對準載台3之Z軸方向之位置。 解析部22基於自載台控制部21輸出之載台3之位置資訊，映射半導體裝置D之檢查中自鎖定放大器6輸出之檢測信號，如圖7所示，產生解析圖像31。解析圖像中，對應於半導體裝置D之反應(電流或電壓之變化量)之顯示亮度之範圍、顏色、透過度等可任意設定。 又，解析部22基於自載台控制部21輸出之載台3之位置資訊，映射半導體裝置D之檢查中自接收機13輸出之檢測信號，如圖8所示，產生反射圖像32。產生反射圖像32時，較佳為來自接收機13之檢測信號中，僅擷取對應於自半導體裝置D內之晶片C表面之反射波之時間之成分。如此則可獲得表示半導體裝置D內之晶片C之形狀之反射圖像32。 解析部22如圖9所示，亦可產生解析圖像31與反射圖像32重疊後之重疊圖像33。解析部22將產生之重疊圖像33輸出至監視器8。重疊圖像33中，解析圖像31所示之半導體裝置D之反應與反射圖像32所示之半導體裝置D內之晶片C之形狀重疊，晶片C之故障位置之特定變容易。反射圖像32中，有不僅可確認晶片C之形狀，亦可確認電路剝離等異常之情形。因此，重疊圖像33中，可自解析圖像31確認之異常位置與可自反射圖像32確認之異常位置重疊之情形時，亦可強調顯示該異常位置。 接著，針對上述超音波檢查裝置1之動作進行說明。 圖10係顯示超音波檢查裝置1之動作之一例之流程圖。如該圖所示，使用超音波檢查裝置1實施半導體裝置D之檢查之情形時，首先，將半導體裝置D配置於未圖示之保持板等(步驟S01)。接著，使媒質M自媒質流通口15流入媒質保持部12，於保持空間S保持媒質M(步驟S02)。步驟S02中，如上述，形成媒質M因表面張力而隆起之部分Ma。且，以筒狀構件14之前端面14b不與半導體裝置D之檢查面Dt接觸，僅媒質M之隆起部分Ma與半導體裝置D之檢查面Dt接觸之方式，於Z軸方向驅動載台3(參照圖2)。 保持媒質M後，調整超音波W之焦點位置(步驟S03)。此處，首先以超音波振動器2來到與晶片C對向之位置之方式，於X軸方向及Y軸方向驅動載台3。接著，基於自接收機13輸出之超音波W之反射波之時間波形K之第2波峰P2之出現位置，以超音波W之焦點位置與半導體裝置D內部之晶片C表面一致之方式，於Z軸方向驅動載台3(參照圖3)。另，超音波W之焦點位置之調整可以載台控制部21自動執行，亦可藉由超音波檢查裝置1之使用者一面目視確認時間波形K之第2波峰P2之出現位置，一面手動使載台3之位置移動而執行。 超音波W之焦點位置調整後，亦可執行調整半導體裝置D之傾斜度之步驟。該步驟中，例如以使載台3於X軸方向及Y軸方向一軸一軸驅動時之反射波之時間波形K互相一致之方式，調整保持板或載台3之姿勢。該步驟中，可使載台控制部21自動執行，亦可超音波檢查裝置1之使用者一面目視確認時間波形K一面手動進行。 接著，產生半導體裝置D之反射圖像(步驟S04)。步驟S04中，自脈衝產生器4對超音波振動器2輸入驅動信號，自超音波振動器2對半導體裝置D照射超音波W。且，以接收機13檢測來自半導體裝置D之反射波，基於自接收機13輸出之檢測信號，與自載台控制部21輸出之載台3之位置資訊，完成映射，藉此產生反射圖像32。 接著，基於反射圖像32進行解析位置之確認，執行半導體裝置D之解析，產生解析圖像(步驟S05)。步驟S05中，自電源裝置10對半導體裝置D施加恆定電壓(或恆定電流)，且自脈衝產生器4對超音波振動器2輸入驅動信號，自超音波振動器2對半導體裝置D輸入超音波W。且，於XY方向驅動載台3，於半導體裝置D之檢查面Dt之各位置檢測對應於超音波W輸入之半導體裝置D之電流或電壓之變化。半導體裝置D之電流或電壓之變化係藉由反應檢測部5檢測，自反應檢測部5對鎖定放大器6輸出經擷取AC成分之檢測信號。鎖定放大器6中，基於自反應檢測部5輸出之檢測信號與自脈衝產生器4輸出之參考信號完成鎖定檢測，將其檢測信號輸出至解析部22。 解析部22中，基於鎖定檢測之檢測信號產生解析圖像。即，於半導體裝置D之檢查中，基於自載台控制部21輸出之載台3之位置資訊，映射自鎖定放大器6輸出之檢測信號，產生解析圖像31。且，藉由解析部22產生解析圖像31與反射圖像32重疊後之重疊圖像33，於監視器8顯示重疊圖像33(步驟S06)。 如上說明，該超音波檢查裝置1中，可藉由設置於超音波振動器2之端部2b之媒質保持部12之位置，以保持在超音波振動器2與半導體裝置D之間傳播超音波W之媒質M之狀態下，調整超音波振動器2與半導體裝置D之間隔。因此，可使超音波W之焦點容易對準經封裝化之半導體裝置內之期望位置。 又，超音波檢查裝置1中，藉由裝卸自如地嵌合於超音波振動器2之端部2b之筒狀構件14構成媒質保持部12。藉此，可藉由筒狀構件14之內周面14a與超音波振動器2之前端面2a形成媒質M之保持空間S。又，藉由於超音波振動器2之端部2b調整筒狀構件14之嵌合位置，而可容易調整超音波振動器2與半導體裝置D之間隔。再者，於媒質保持部12，設有調整媒質M之保持量之媒質流通口15，及檢測媒質M之保持量之位準感測器17。藉此，以媒質保持部12保持之媒質M之保持量之控制變容易。 又，超音波檢查裝置1中，進而設置：電源裝置10，其對半導體裝置D施加恆定電壓或恆定電流；及反應檢測部5，其於恆定電壓或恆定電流之施加狀態下，檢測對應於超音波W輸入之半導體裝置D之電流或電壓，解析部22基於來自反應檢測部5之檢測信號產生解析圖像31。如此，藉由測量起因於超音波W輸入之半導體裝置D之電阻變化，而可精度良好地實施經封裝化之半導體裝置D之檢測。 又，超音波檢查裝置1中，進而設置對超音波振動器2輸入驅動信號，且輸出對應於驅動信號之參考信號之脈衝發生器4，解析部22基於檢測信號與參考信號產生解析圖像31。藉由基於參考信號進行鎖定檢測，可進而提高經封裝化之半導體裝置D之檢測精度。 又，超音波檢查裝置1中，進而設置檢測於半導體裝置D反射之超音波W之反射波之接收機13，解析部22基於來自反應檢測部5之檢測信號產生反射圖像32。該情形時，基於反射圖像32可取得半導體裝置D內之晶片C之形狀。再者，亦可檢測出電路剝離等物理性異常。 又，超音波檢查裝置1中，解析部22產生解析圖像31與反射圖像32重疊後之重疊圖像33。重疊圖像33中，由於解析圖像31之解析結果與半導體裝置D內之晶片C之形狀重疊，因此故障位置等之特定變容易。 本形態不限定於上述實施形態。上述實施形態中，解析與超音波W輸入對應之半導體裝置D之反應的裝置中，將媒質保持部12應用於超音波振動器2，但亦可將媒質保持部12之構成應用於以其他方法解析半導體裝置之反應之裝置。例如亦可將媒質保持部12應用於輸入來自之測試器之測試圖案，並解析半導體裝置之反應之裝置。

1‧‧‧超音波檢查裝置

2‧‧‧超音波振動器

2a‧‧‧前端面

2b‧‧‧端部

3‧‧‧載台

4‧‧‧脈衝產生器(信號產生部)

5‧‧‧反應檢測部

6‧‧‧鎖定放大器

7‧‧‧電腦

8‧‧‧監視器

10‧‧‧電源裝置

11‧‧‧脈波器

12‧‧‧媒質保持部

13‧‧‧接收機(反射檢測部)

14‧‧‧筒狀構件

14a‧‧‧內周面

14b‧‧‧前端面

14c‧‧‧外周面

15‧‧‧媒質流通口

16‧‧‧流通管

17‧‧‧位準感測器(保持量檢測部)

21‧‧‧載台控制部

22‧‧‧解析部

31‧‧‧解析圖像

32‧‧‧反射圖像

33‧‧‧重疊圖像

A‧‧‧檢測窗

C‧‧‧晶片

D‧‧‧半導體裝置

Dt‧‧‧檢查面

K‧‧‧時間波形

Ma‧‧‧隆起部分

M‧‧‧媒質

P1‧‧‧第1波峰

P2‧‧‧第2波峰

S‧‧‧保持空間

S01～S06‧‧‧步驟

T‧‧‧中央位置

W‧‧‧超音波

圖1係顯示超音波檢查裝置之一實施形態之概略構成圖。 圖2係顯示超音波振動器之構成之概略圖。 圖3係顯示檢查執行時之超音波之焦點位置之概略圖。 圖4係顯示超音波之焦點位置之調整控制之一例之圖。 圖5係顯示圖3之後續步驟之圖。 圖6係顯示超音波之焦點位置之調整的其他例之圖。 圖7係顯示解析圖像之一例之圖。 圖8係顯示反射圖像之一例之圖。 圖9係顯示重疊圖像之一例之圖。 圖10係顯示圖1所示之超音波檢查裝置之動作之一例之流程圖。

Claims (9)

1. 一種超音波檢查裝置，其係以經封裝化之半導體裝置為檢查對象者， 且包含：超音波振動器，其與上述半導體裝置對向配置； 媒質保持部，其設置於上述超音波振動器中與上述半導體裝置對向之端部，並保持傳播上述超音波之媒質； 載台，其使上述半導體裝置與上述超音波振動器之相對位置移動；及 解析部，其解析與上述超音波振動器之超音波輸入對應的上述半導體裝置之反應。
2. 如請求項1之超音波檢查裝置，其中上述媒質保持部係藉由設置於上述超音波振動器之上述端部之筒狀構件構成。
3. 如請求項1或2之超音波檢查裝置，其中上述媒質保持部滑動自如地嵌合於上述超音波振動器之上述端部。
4. 如請求項1至3中任一項之超音波檢查裝置，其中上述媒質保持部包含調整上述媒質之保持量之媒質流通口。
5. 如請求項1至4中任一項之超音波檢查裝置，其中上述媒質保持部包含檢測上述媒質之保持量之保持量檢測部。
6. 如請求項1至5中任一項之超音波檢查裝置，其中進而包含：電源裝置，其對上述半導體裝置施加恆定電壓或恆定電流；及 反應檢測部，其於上述恆定電壓或上述恆定電流之施加狀態下，檢測與上述超音波之輸入對應之上述半導體裝置之電流或電壓；且 上述解析部基於來自上述反應檢測部之檢測信號產生解析圖像。
7. 如請求項6之超音波檢查裝置，其中進而包含信號產生部，其對上述超音波振動器輸入驅動信號，且輸出與上述驅動信號對應之參考信號； 上述解析部基於上述檢測信號與上述參考信號產生上述解析圖像。
8. 如請求項6或7之超音波檢查裝置，其中進而包含反射檢測部，其檢測以上述半導體裝置反射之上述超音波之反射波； 上述解析部基於來自上述反射檢測部之檢測信號產生反射圖像。
9. 如請求項8之超音波檢查裝置，其中上述解析部產生上述解析圖像與上述反射圖像重疊後之重疊圖像。