TW201816482A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種顯示裝置，用於防止塑膠基板的損壞。該顯示裝置包含一塑膠基板、一上保護構件、一下保護構件；塑膠基板包含包含一顯示部和一墊部，設置有多個有機發光二極體容置於該顯示部中，和多個覆晶封裝貼附於該墊部；上保護構件貼附於該塑膠基板的一上表面；下保護構件貼附於該塑膠基板的一整個下表面。該上保護構件覆蓋至少該顯示部以及覆蓋該墊部的兩側。

Description

顯示裝置
本發明關於一種顯示裝置，更具體地是關於一種顯示裝置，用於防止塑膠基板的損壞。
隨著資訊社會的發展，顯示裝置顯示照片的需求以各種方式增加。在顯示裝置的領域中，大尺寸陰極射線管（CRT）已經被具有薄型、重量輕和大尺寸螢幕的優點的平面顯示器（FPD）迅速替代。平板顯示器包括液晶顯示裝置（LCD）、電漿顯示面板（PDP）、有機發光顯示裝置（OLED）和電泳顯示器（EPD）。
有機發光顯示裝置包含能夠自身發光的自發光元件，具有響應時間快、發光效率高、亮度高、視野寬的優點。特別地，有機發光顯示裝置可以在軟性塑膠基板上製造。另外，與電漿顯示器或無機電致發光顯示裝置相比，有機發光顯示裝置具有低驅動電壓、低能耗和較好的色調的優點。
在軟性塑膠基板上製造的有機發光顯示裝置中，將聚醯亞胺塗佈在玻璃基板上，製造元件如有機發光二極體等含有薄膜電晶體、有機層等的元件，以及軟性印刷電路板如覆蓋封裝（COF）貼附到墊部。進行分離玻璃基板的方法，然後將保護膜貼附到面板的上部和下部，由此製造包含軟性聚醯亞胺基板的有機發光顯示裝置。
圖1和圖2是先前技術的有機發光顯示裝置的剖面圖。圖3顯示損壞的墊部的照片。
參考圖1和圖2，先前技術的有機發光顯示裝置被配置為使得上保護膜UP和下保護膜LP分別貼附到塑膠基板PI的前表面和後表面，在塑膠基板PI上形成元件(例如有機發光二極體)，將覆晶封裝（COF）貼附到位於塑膠基板PI的一側的墊部PD，並且一樹指層RE塗佈在墊部PD上以保護墊部PD。然而，由於墊部PD或塑膠基板PI的邊緣暴露於上保護膜UP和下保護膜LP的外部，因此存在塑膠基板PI容易被外部衝擊而撕裂的問題。例如，如圖3所示，墊部PD被完全撕開。因此，存在有機發光顯示裝置因塑膠基板PI的損壞而損壞的問題，以及有機發光顯示裝置發生有缺陷的驅動。
本發明揭示提供一種能夠防止基板受到外部衝擊而損壞的顯示裝置。
本發明揭示也提供一種顯示裝置，能夠防止損壞和有缺陷的驅動。
在一個方面，提供了一種顯示裝置，包含一塑膠基板、一上保護構件、一下保護構件；塑膠基板包含包含一顯示部和一墊部，設置有多個有機發光二極體容置於該顯示部中，和多個覆晶封裝貼附於該墊部；上保護構件貼附於該塑膠基板的一上表面；下保護構件貼附於該塑膠基板的一整個下表面，其中該上保護構件覆蓋至少該顯示部以及覆蓋該墊部的兩側。
該上保護構件的至少一側與該塑膠基板的至少一側重合。
該上保護構件包含多個第一突起覆蓋該墊部的兩側。
該上保護構件包含多個第二突起在該些覆晶封裝之間延伸。
該上保護構件的至少一側和該下保護構件的至少一側突出到該塑膠基板的至少一側的一外側。
該上保護構件和該下保護構件在突出到該塑膠基板的至少一側的該外側互相貼附在一起。
該上保護構件包含多個第三突起覆蓋該墊部的兩側。
該上保護構件包含多個第四突起在該些覆晶封裝之間延伸。
該下保護構件包含多個第五突起該墊部的兩側。
該下保護構件包含多個第六突起在該些覆晶封裝之間延伸。
顯示裝置包含一樹指層，該樹指層覆蓋該墊部上的該些覆晶封裝以及該墊部。
現在將詳細參考本公發明揭示的實施例，在圖式中顯示出其實施例。盡可能地，在整個圖式中將使用相同的圖式標記以指相同或相似的部件。要注意的是，如果確定先前技術可能誤導本發明的實施例，將省略對已知技術的詳細描述。以下說明中使用的各個元件的名稱僅為了便於書寫說明書而選擇，並且可能因此與實際產品中使用的不同。
根據一實施例的顯示裝置是一軟性顯示裝置，其中在一軟性塑膠基板上形成一顯示元件。軟性顯示裝置的例子包含有機發光顯示裝置(OLED)、液晶顯示裝置（LCD）和電泳顯示器。有機發光顯示裝置使用藉由實施例的方式來描述實施例。一有機發光顯示裝置包含在作為一陽極的一第一電極和作為一陰極的一第二電極之間形成的一有機層。有機發光顯示裝置為配置形成電子電洞對的一自發光顯示裝置，即藉由從第一電極接收的電洞和從有機層內的第二電極接收的電子在該有機層內結合而形成的激子，以及藉由激子回到基態能階所產生的能量發光。然而，實施例的有機發光顯示裝置可以在除了塑膠基板之外的玻璃基板上製造。
下面參考圖4至圖18來描述實施例。
圖4是一實施例的有機發光顯示裝置的示意性框圖。圖5顯示子像素的電路配置的第一實施例。圖6顯示子像素的電路配置的第二實施例。
參考圖4，根據一實施例的有機發光顯示裝置包含一影像處理單元10、一時序控制器20、一數據驅動器30、一閘極驅動器40和一顯示面板50。
影像處理單元10輸出一信號數據DATA和從外面提供的一數據賦能信號DE。除了輸出數據賦能信號DE，影像處理單元10可輸出垂直同步信號、水平同步信號和計時信號中的一或多個。為了便於說明，這些信號未圖示。影像處理單元10形成在作為積體電路（IC）的系統電路板上。
時序控制器20從影像處理單元10接收數據信號DATA和包括數據賦能信號DE或垂直同步信號、水平同步信號、計時信號等的驅動信號。
時序控制器20輸出用於控制閘極驅動器40的控制操作時序的一閘極時序控制訊號GDC和用於基於驅動信號控制數據驅動器30的控制操作時序的一數據時序控制訊號DDC。時序控制器20可以形成在作為IC的控制電路板上。
數據驅動器30響應從時序控制器20提供的數據時序控制信號DDC，對從時序控制器20接收的信號數據DATA進行採樣和鎖存，並使用β參考電壓轉換採樣和鎖存的信號數據DATA。數據驅動器30將轉換的信號數據DATA輸出到數據線DL1至DLn。數據驅動器30連接到作為IC的基板。
閘極驅動器40輸出一閘極信號，來響應從時序控制器20提供的閘極時序控制信號GDC而移位一閘極電壓的電平。閘極驅動器40將閘極信號輸出到閘極線GL1至GLm。閘極驅動器40形成在作為IC的閘極電路板上、或者以面板中閘極（GIP）方式形成在顯示面板50上。
顯示面板50顯示一圖像來分別響應從數據驅動器30和閘極驅動器40接收的信號數據DATA和閘極訊號。顯示面板50包含用於顯示一圖像的多個子像素SP。
如圖5所示，每個子像素可以包含一交換電晶體SW、一驅動電晶體DR、一補償電路CC和一有機發光二極體（OLED）。OLED基於由驅動電晶體DR產生的一驅動電流而發光。
交換電晶體SW執行切換操作，使得經由第一數據線DL1提供的一信號數據被存儲在電容器Cst中，信號數據作為數據電壓來響應經由閘極線GL1提供的一閘極訊號。驅動電晶體DR使得驅動電流能夠基於存儲在電容器Cst中的數據電壓在高電位電極VDD和低電位電極GND之間流動。補償電路CC是用於補償驅動電晶體DR的臨界電壓的電路。連接到交換電晶體SW或驅動電晶體DR的電容器可以安裝在補償電路CC內部。補償電路CC包含一或多個薄膜電晶體（TFT）和一電容器。補償電路CC的結構可以根據補償方法而改變為不同的結構。補充電路CC將作簡要說明如下。
如圖6所示，包含補償電路CC的子像素還可以包括用於驅動一補償TFT並提供一預定信號或電力的一信號線和一電力線。閘極線GL1可以包含向交換電晶體SW提供閘極信號的第一閘極線GL1a和用於驅動在子像素中的補償TFT的第二閘極線GL1b。添加的電力線可以被定義為用於將子像素的一預定節點初始化為一預設電壓的一初始化電力線INIT。然而，這僅僅是一實施例，並且實施例不限於此。
圖5和圖6藉由實施例的方式顯示包含補償電路CC的一子像素。然而，當要補償的對象（例如，數據驅動器30）位於子像素之外時，可以省略補償電路CC。子像素具有2T（晶體管）1C（電容器）的配置，其中提供交換電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器和OLED。然而，當補償電路CC被添加到子像素時，子像素可以具有各種配置，例如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等。此外，圖5和圖6藉由實施例的方式顯示補償電路CC設置在交換電晶體SW與驅動電晶體DR之間。然而，補償電路CC可以進一步設置在驅動電晶體DR與OLED之間。補償電路CC的位置和結構不限於圖5和圖6中所顯示的位置和結構。
＜ 第一實施例 ＞
圖7是一實施例的有機發光顯示裝置的平面圖。圖8顯示第一實施例的有機發光顯示裝置的子像素的剖面圖。圖9是沿圖7的線I-I'截取的剖面圖。圖10是沿圖7的線II-II'截取的剖面圖。圖11是第一實施例的有機發光顯示裝置的平面圖。
參考圖7，有機發光顯示裝置包含一塑膠基板PI、一顯示部A/A和設置在顯示部A/A外的塑膠基板PI的一側的一墊部PD。顯示部分A/A可以包含多個子像素SP。例如，顯示部A/A的R（紅色）、G（綠色）和B（藍色）子像素或顯示部A/A的R、G、B和W（白色）子像素可以發光以呈現全彩。多個覆晶封裝COF貼附到設置在一側(例如顯示部A/A的下側)的墊部PD。數據信號和電力經由多個覆晶封裝COF提供連接到顯示部分A/A的多個信號線（未圖示）。雖然未圖示，但是有機發光顯示裝置還可以在塑膠基板PI的一側進一步包括一面板中閘極（GIP）驅動器。
下面參考圖8描述實施例的有機發光裝置的一子像素SP的一橫截面結構。
如圖8所示，在根據實施例的有機發光顯示裝置中，第一緩衝層BUF1位於塑膠基板PI上。塑膠基板PI可以是例如聚醯亞胺基板。因此，實施例的塑膠基板PI可以具有柔性特性。第一緩衝層BUF1保護隨後製程中形成的薄膜電晶體免受雜質（例如從塑膠基板PI排出的鹼離子）的影響。第一緩衝層BUF1可以是一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或包含其的一多層。
屏蔽層LS位於第一緩衝層BUF1上。屏蔽層LS防止因為使用聚醯亞胺基板，可能發生面板驅動電流的減少。第二緩衝層BUF2位於屏蔽層LS上。第二緩衝層BUF2保護後續製程中形成的薄膜電晶體免受雜質（例如從屏蔽層LS排出的鹼離子）的影響。第二緩衝層BUF2可以是一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或包含其的一多層。
半導體層ACT位於第二緩衝層BUF2上，並且可以由一矽半導體或一氧化物半導體形成。矽半導體可能包含非晶矽或結晶多晶矽。多晶矽具有高遷移率（例如，大於100 cm2 /Vs）、低能耗和高可靠性。因此，多晶矽可以提供用於一驅動元件的一閘極驅動器和/或一多工器（MUX），或者提供有機發光顯示裝置的每個像素的驅動TFT。由於氧化物半導體具有低的截止電流，所以氧化物半導體適用於具有短的導通時間和較長的關斷時間的開關TFT。此外，由於氧化物半導體因為低截止電流而增加像素的電壓保持時間，所以氧化物半導體適合於需要低速驅動和/或低能耗的顯示裝置。另外，半導體層ACT包含一個汲極區和一個源極區，每個區包含p型或n型雜質，並且半導體層ACT還包括汲極區與源極區之間的一通道區。
閘極絕緣層GI位於半導體層ACT上，並且可以由一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或包含其的一多層形成。閘極電極GA位於對應於半導體層ACT的一預定區（即，注入雜質的通道區）的位置上的閘極絕緣層GI上。閘極電極GA可以由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銅（Cu）其中之一或其組合所形成。此外，閘極電極GA可以是由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銅（Cu）其中之一或其組合所形成的多層所形成。例如，閘極電極GA可以由Mo / Al-Nd或Mo / Al的一雙層所形成。
層間介電層ILD位於閘極電極GA上，並使閘極電極GA絕緣。層間介電層ILD可以由一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或包含其的一多層形成。暴露半導體層ACT的一部分的接觸電洞CH形成在一部分，該部分形成每層間介電層ILD和每閘極絕緣層GI。
汲極電極DE和源極電極SE位於層間介電層ILD上。汲極電極DE經由暴露了半導體層ACT的汲極區的接觸電洞CH連接到半導體層ACT，以及源極電極SE經由暴露半導體層ACT的源極區的接觸電洞CH連接到半導體層ACT。每個源極電極SE和每個汲極電極DE可以形成為單層或多層。當每個源極電極SE和每個汲極電極DE為單層形成時，每個源極電極SE和每個汲極電極DE可以由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銅（Cu）其中之一或包含其的一組合物形成。當每個源極電極SE和每個汲極電極DE為多層形成時，每個源極電極SE和每個汲極電極DE可以形成為Mo/Al-Nd的雙層或Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三層。因此，形成包含半導體層ACT、閘極電極GA、源極電極SE和汲極電極DE的薄膜電晶體TFT。
此外，鈍化層PAS位於包含薄膜電晶體TFT的塑膠基板PI上。鈍化層PAS是一個絕緣層，保護在鈍化層PAS下方的元件，並且可以由一氧化矽（SiOx）層、一氮化矽（SiNx）層或包含其的一多層形成鈍化層PAS。濾色片CF位於鈍化層PAS上。濾色片CF用於將有機發光二極體OLED發射的白光轉換成紅色、綠色或藍色光。覆塗層OC位於濾色片CF上。覆塗層OC可以為一平坦化層的覆塗層OC用於降低在其下方的結構的高差（或階梯覆蓋率），並且可以由有機層形成，例如聚醯亞胺、苯並環丁烯類樹脂(benzocyclobutene-based resin)和丙烯酸。例如，覆塗層OC可以通過旋轉塗佈玻璃法（SOG）形成，以液態塗佈有機層，然後固化有機層。
暴露薄膜電晶體TFT的汲極電極DE的一通孔位於覆蓋層OC的一部分中。有機發光二極體OLED位於覆塗層OC上。更具體地說，第一電極ANO位於覆蓋層OC上。第一電極ANO用作像素電極，並通過通孔VIA連接到薄膜電晶體TFT的汲極電極DE。第一電極ANO是陽極，並且可以由透明導電材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化鋅（ZnO）形成。當第一電極ANO是一反射電極時，第一電極ANO可以進一步包含一反射層。反射層可以由鋁（Al）、銅（Cu）、銀（Ag）、鎳（Ni）、鈀（Pd）或其組合形成。例如，反射層可以由Ag/Pd/Cu(APC)合金所形成。
此外，定義像素的堤部層BNK位於包含第一電極ANO的塑膠基板PI上。堤部層BNK可以由有機層形成，例如聚醯亞胺、苯並環丁烯類樹脂(benzocyclobutene-based resin)和丙烯酸。堤部層BNK包含暴露第一電極ANO的一像素定義部分OP。與第一電極ANO接觸的有機層OLE位於塑膠基板PI的前表面。有機層OLE是電子和電洞結合發光的層。一電洞注入層和/或一電洞傳輸層可以位於有機層OLE和第一電極ANO之間，並且一電子注入層和/或一電子傳輸層可以位於有機層OLE上。
第二電極CAT位於有機層OLE上，並且可以位於顯示區域A/A的整個表面上（參見圖4）。此外，第二電極CAT是陰極電極，並且可以由具有低功函數的鎂（Mg）、鈣（Ca）、鋁（Al）、銀（Ag）或其組合形成。當第二電極CAT是透光電極時，第二極極CAT可能足夠薄以透射光線。此外，當第二電極CAT是反射電極時，第二電極CAT可以足夠厚以反射光線。
上保護構件UP通過黏結層ADL貼附到形成有薄膜電晶體TFT和有機發光二極體OLED的塑膠基板PI的上表面上。上保護構件UP可以是透明塑膠基板或金屬薄層。此外，下保護構件LP貼附到塑膠基板PI的下表面。由於下保護構件LP必須透光，所以下保護構件LP可以由透明塑膠基板形成。
參照圖7至圖9，下保護構件LP設置在塑膠基板PI的整個下表面上，以及上保護構件UP設置在塑膠基板PI的上表面上。因為在塑膠基板PI的下表面上沒有元件，所以下保護構件LP可以貼附在塑膠基板PI的整個下表面。此外，樹指層RE被設置成覆蓋墊部PD和墊部PD上的多個覆晶封裝COF。
墊部PD位於塑膠基板PI的上表面上，並且多個覆晶封裝COF貼附到墊部PD。上保護構件UP不能貼附到墊部PD的被多個覆晶封裝COF所貼附的部分。因此，除了墊部PD的該部分之外，上保護構件UP設置在塑膠基板PI的整個上表面上。
因為位於塑膠基板PI上方和下方的上保護構件UP和下保護構件LP覆蓋塑膠基板PI，所以可以防止塑膠基板PI因為外部衝擊而損壞。特別地，當塑膠基板PI的側邊最容易受到衝擊並產生裂紋時，衝擊傳播到塑膠基板PI內部的元件，導致顯示裝置的損壞。因此，本實施例使用上保護構件UP和下保護構件LP覆蓋塑膠基板PI，從而防止塑膠基板PI的損壞。
為此，下保護構件LP的所有側邊形成為與塑膠基板PI的所有側邊重合。也就是說，下保護構件LP和塑膠基板PI具有相同的尺寸。因此，下保護構件LP貼附在塑膠基板PI的整個下表面，並覆蓋塑膠基板PI的整個下表面。此外，除了不和有墊部PD的塑膠基板PI的該側邊重合，上保護構件UP的側邊與塑膠基板PI的側邊重合。
參考圖7和圖10，在第一實施例中，上保護構件UP被設置成覆蓋塑膠基板PI的兩側，即使在形成墊部PD的一側也覆蓋。如圖7所示，多個覆晶封裝COF貼附到墊部PD，並且塑膠基板PI的邊緣位於墊部PD的左側和右側的外面，覆晶封裝COF並未貼附其外面。上保護構件UP包含突出到墊部PD的多個第一突起PP1，並且多個第一突起PP1設置成與塑膠基板PI的邊緣重疊。因此，除了多個覆晶封裝COF貼附的部分之外，上保護構件UP設置在塑膠基板PI的整個上表面上。實施例的上保護構件UP，即使在形成墊部PD的區域中，也配置上保護構件UP在塑膠基板PI的兩側。因此，即使當對塑膠基板PI的邊緣施加衝擊時，上保護構件UP也可以防止塑膠基板PI在形成墊部PD的區域中被撕裂。
如圖11所示，作為第一實施例的另一實施例，下保護構件LP可以設置在塑膠基板PI的整個下表面上，並且上保護構件UP可以設置成覆蓋包含位於塑膠基板PI的兩側和多個覆晶封裝COF之間的墊部PD的區域的多個部分。
上保護構件UP包含覆蓋在其上設置有墊部PD的塑膠基板PI兩側的多個第一突起PP1，以及在多個覆晶封裝COF之間覆蓋塑膠基板PI的多個第二突起PP2。也就是說，多個第二突起PP2在多個覆晶封裝COF之間延伸並突出，並且被設置成與塑膠基板PI的一側重合。
因此，除了貼附有多個覆晶封裝COF的部分之外，上保護構件UP設置在塑膠基板PI的整個上表面上，從而防止當衝擊施加到塑膠基板PI的邊緣時，位於墊部PD的塑膠基板PI被撕開。
如上所述，第一實施例的顯示裝置在塑膠基板PI的整個下表面形成下保護構件LP，並且除了多個覆晶封裝COF貼附的部分之外，在塑膠基板PI的整個上表面上形成上保護構件UP，由此防止塑膠基板PI被施加到塑膠基板PI邊緣的衝擊損壞。因此，第一實施例可以防止顯示裝置的損壞和有缺陷的驅動。
＜ 第二實施例＞
圖12是第二實施例的顯示裝置的平面圖。圖13是沿圖12的III-III'線的剖面圖。圖14是沿圖12的線IV-IV'截取的剖面圖。圖15是第二實施例的顯示裝置的平面圖。
參照圖12至圖14，在第二實施例中，下保護構件LP設置在塑膠基板PI的整個下表面上，並且上保護構件UP設置在塑膠基板PI的上表面上。與第一實施例不同的是，下保護構件LP和上保護構件UP的尺寸皆大於塑膠基板PI。因此，下保護構件LP和上保護構件UP完全覆蓋塑膠基板PI，使得除了形成墊部PD的塑膠基板PI的側邊外，塑膠基板PI的側邊不暴露於外部。
更具體地，墊部PD設置在塑膠基板PI的上表面上，並且多個覆晶封裝COF貼附到墊部PD。上保護構件UP不能貼附到墊部PD的被多個覆晶封裝COF所貼附的部分。因此，除了墊部PD的那部分之外，上保護構件UP設置在塑膠基板PI的整個上表面上。由於上保護構件UP的尺寸大於上述塑膠基板PI的尺寸，所以除了形成墊部PD的一側，上保護構件UP進一步向塑膠基板P1的外側突出。例如，如圖12所示，上保護構件UP進一步突出於塑膠基板PI的上側、左側和右側。此外，如圖12至圖14所示，下保護構件LP的尺寸大於上述的塑膠基板PI，但是，下保護構件LP的一側與其上形成有墊部PD的塑膠基板PI的下側一致。因此，除了形成有墊部PD的塑膠基板PI的那一側，下保護構件LP進一步突出於塑膠基板PI的其餘側邊。
在第二實施例中，上保護構件UP覆蓋形成墊部PD區域中的塑膠基板PI的兩側，並且進一步突出於墊部PD的側邊。如圖12所示，多個覆晶封裝COF貼附到墊部PD，並且塑膠基板PI的邊緣位於墊部PD的左側和右側的外側，其上並未貼附多個覆晶封裝COF。上保護構件UP包含突出到墊部PD的多個第三突起PP3，多個第三突起PP3設置成與塑膠基板PI的邊緣重疊。因此，除了多個覆晶封裝COF貼附的部分之外，上保護構件UP設置在塑膠基板PI的整個上表面上。
下保護構件LP覆蓋形成墊部PD的區域中的塑膠基板PI的兩側，並且突出於墊部PD的側邊。下保護構件LP包含突出到墊部PD的多個第五突起PP5，並且多個第五突起PP5設置成與塑膠基板PI的邊緣重疊。因此，下保護構件LP覆蓋塑膠基板PI的整個下表面，並且除了多個覆晶封裝COF貼附的部分之外，下保護構件LP從塑膠基板PI的所有側邊突出。
突出到塑膠基板PI的外側的上保護構件UP和下保護構件LP使用一黏結層彼此互相貼附在一起，並且除了設置有墊部PD的一部分之外，塑膠基板PI被密封。此外，上保護構件UP的多個第三突起PP3和下保護構件LP的多個第五突起PP5彼此貼附。突出到塑膠基板PI的外側的上保護構件UP和下保護構件LP可以突出一預定長度。例如，如圖13所示，從塑膠基板PI側突出的上保護構件UP和下保護構件LP的長度“d”可以等於或大於200μm。因此，可以增加上保護構件UP和下保護構件LP的黏合強度，並且可以保護塑膠基板PI免受外面衝擊。實施例的上保護構件UP和下保護構件LP設置在塑膠基板PI的兩側，即使在形成墊部PD的區域中也設置。因此，即使當對塑膠基板PI的邊緣施加衝擊時，實施例的上保護構件UP和下保護構件LP可以防止塑膠基板PI在形成墊部PD的區域中被撕裂。
如上所述，上保護構件UP和下保護構件LP完全覆蓋塑膠基板PI，使得除了形成墊部PD的區域之外，大多數塑膠基板PI不暴露於外面。因此，上保護構件UP和下保護構件LP可以防止塑膠基板PI受到外面衝擊而損壞。特別地，最容易受到衝擊並產生裂紋的塑膠基板PI側邊受到衝擊時，衝擊傳播到塑膠基板PI內部的元件，導致顯示裝置的損壞。因此，本實施例使用上保護構件UP和下保護構件LP覆蓋塑膠基板PI的側邊，從而防止塑膠基板PI的損壞。
如圖15所示，作為第二實施例的另一示例，上保護構件UP和下保護構件LP的尺寸大於塑膠基板PI，並且設置成突出於塑膠基板PI的至少一側的外側。特別地，上保護構件UP和下保護構件LP可以設置成覆蓋塑膠基板PI的兩側和多個覆晶封裝COF之間的形成有墊部PD的區域中的部分。
更具體地，上保護構件UP包含多個第三突起PP3，其覆蓋在其上設置有墊部PD的塑膠基板PI的兩側，以及在多個覆晶封裝COF之間覆蓋塑膠基板PI的多個第四突起PP4。也就是說，多個第四突起PP4在多個覆晶封裝COF之間延伸並突出，設置成突出到塑膠基板PI的一側的外側。此外，下保護構件LP包含多個第五突起PP5，覆蓋在其上設置有墊部PD的塑膠基板PI的兩側，以及在多個覆晶封裝COF之間覆蓋塑膠基板PI的多個第六突起PP6。也就是說，多個第六突起PP6在多個覆晶封裝COF之間延伸並突出，設置成突出到塑膠基板PI的一側的外側。
因此，上保護構件UP和下保護構件LP密封塑膠基板PI，使得除了多個覆晶封裝COF貼附的部分之外，塑膠基板PI的側邊在整個塑膠基板PI中不暴露於外部。因此，即使當衝擊施加到塑膠基板PI的邊緣時，上保護構件UP和下保護構件LP可以防止位於墊部PD的塑膠基板PI或塑膠基板PI的邊緣被撕裂。
如上所述，第二實施例的顯示裝置形成具有比塑膠基板PI的整個下表面更大的尺寸的下保護構件LP，並且除了多個覆晶封裝COF所貼附的部分，形成具有比塑膠基板PI的整個上表面更大的尺寸的上保護構件UP。因此，第二實施例的顯示裝置可以防止塑膠基板PI因為被施加到塑膠基板PI側邊的衝擊而損壞，並且可以防止顯示裝置的損壞和有缺陷的驅動。
圖16顯示一實施例的顯示裝置的照片。圖17顯示當衝擊施加於顯示裝置的照片。圖18顯示出衝擊施加於顯示裝置之後的照片。
參照圖16，保護構件分別貼附到其上形成有機發光二極體的塑膠基板的上表面和下表面上。在這種情況下，將上保護構件和下保護構件貼附到塑膠基板上，從塑膠基板的側邊突出約200μm，並且彼此互相貼附。作為參考，從塑膠基板PI一側到捲帶式自動接合(TAB)接合部的距離為30mm。
如圖17所示，藉由用手將塑膠基板的邊緣彎曲約20次以對塑膠基板施加衝擊。如圖18所示，即使對塑膠基板施加衝擊，在塑膠基板的邊緣處沒有發現裂紋等損傷。
如上所述，實施例的顯示裝置包含分別設置在塑膠基板的上表面和下表面上以覆蓋墊部的邊緣的保護構件，從而防止塑膠基板被塑膠基板側邊的衝擊所損壞。因此，實施例的顯示裝置可以防止顯示裝置的損壞和有缺陷的驅動。
對於本發明可以進行各種修改和變更，各種修改和變更對於本領域技術人員是易於思及，且皆不脫離本發明的精神和範圍。因此，本發明包含落入所屬申請專利範圍及其均等物所限定之在本發明範圍內的所有修改和變更。
10‧‧‧影像處理單元
20‧‧‧時序控制器
30‧‧‧數據驅動器
40‧‧‧閘極驅動器
50‧‧‧顯示面板
PI‧‧‧塑膠基板
UP‧‧‧上保護膜、上保護構件
LP‧‧‧下保護膜、下保護構件
SP‧‧‧子像素
PP1至PP6‧‧‧第一突起至第六突起
COF‧‧‧覆晶封裝
PD‧‧‧墊部
RE‧‧‧樹指層
DE‧‧‧數據賦能信號
DDC‧‧‧數據時序控制訊號
GDC‧‧‧閘極時序控制訊號
SW‧‧‧交換電晶體
DR‧‧‧驅動電晶體
CC‧‧‧補償電路
OLED‧‧‧有機發光二極體
DL1‧‧‧第一數據線
VDD‧‧‧高電位電極
GND‧‧‧低電位電極
Cst‧‧‧電容器
GL1‧‧‧閘極線
GL1a‧‧‧第一閘極線
GL1b‧‧‧第二閘極線
BUF1‧‧‧第一緩衝層
BUF2‧‧‧第二緩衝層
ACT‧‧‧半導體層
ILD‧‧‧層間介電層
CH‧‧‧接觸電洞
GA‧‧‧閘極電極
DE‧‧‧汲極電極
SE‧‧‧源極電極
GI‧‧‧閘極絕緣層
PAS‧‧‧鈍化層
CF‧‧‧濾色片
LS‧‧‧屏蔽層
OC‧‧‧覆塗層
ANO‧‧‧第一電極
CAT‧‧‧第二電極
VIA‧‧‧通孔
ADL‧‧‧黏結層
BNK‧‧‧堤部層
OLE‧‧‧有機層
A/A‧‧‧顯示部
圖1和圖2是先前技術的有機發光顯示裝置的剖面圖。 圖3顯示損壞的墊部的照片。 圖4是一實施例的有機發光顯示裝置的示意性框圖。 圖5顯示子像素的電路配置的第一實施例。 圖6顯示子像素的電路配置的第二實施例。 圖7是一實施例的有機發光顯示裝置的平面圖。 圖8顯示第一實施例的有機發光顯示裝置的子像素的剖面圖。 圖9是沿圖7的線I-I'截取的剖面圖。 圖10是沿圖7的線II-II'截取的剖面圖。 圖11是第一實施例的有機發光顯示裝置的平面圖。 圖12是第二實施例的顯示裝置的平面圖。 圖13是沿圖12的III-III'線的剖面圖。 圖14是沿圖12的線IV-IV'截取的剖面圖。 圖15是第二實施例的顯示裝置的平面圖。 圖16顯示一實施例的顯示裝置的照片。 圖17顯示當衝擊施加於顯示裝置的照片。 圖18顯示出衝擊施加於顯示裝置之後的照片。

Claims (11)

  1. 一種顯示裝置，包含：一塑膠基板，包含一顯示部和一墊部，設置有多個有機發光二極體容置於該顯示部中，和多個覆晶封裝貼附於該墊部； 一上保護構件，貼附於該塑膠基板的一上表面；以及 一下保護構件，貼附於該塑膠基板的一整個下表面； 其中該上保護構件覆蓋至少該顯示部以及覆蓋該墊部的兩側。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該上保護構件的至少一側與該塑膠基板的至少一側重合。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該上保護構件包含多個第一突起覆蓋該墊部的兩側。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該上保護構件包含多個第二突起在該些覆晶封裝之間延伸。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該上保護構件的至少一側和該下保護構件的至少一側突出到該塑膠基板的至少一側的一外側。
  6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該上保護構件和該下保護構件在突出到該塑膠基板的至少一側的該外側互相貼附在一起。
  7. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該上保護構件包含多個第三突起覆蓋該墊部的兩側。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中該上保護構件包含多個第四突起在該些覆晶封裝之間延伸。
  9. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該下保護構件包含多個第五突起該墊部的兩側。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該下保護構件包含多個第六突起在該些覆晶封裝之間延伸。
  11. 如請求項1所述之顯示裝置，還包含一樹指層，該樹指層覆蓋該墊部上的該些覆晶封裝以及該墊部。
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