TW201816062A - 研磨液組合物 - Google Patents
研磨液組合物 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201816062A TW201816062A TW106133585A TW106133585A TW201816062A TW 201816062 A TW201816062 A TW 201816062A TW 106133585 A TW106133585 A TW 106133585A TW 106133585 A TW106133585 A TW 106133585A TW 201816062 A TW201816062 A TW 201816062A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- polishing
- liquid composition
- polishing liquid
- less
- mass
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 346
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 75
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 claims description 67
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims description 67
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 235000013325 dietary fiber Nutrition 0.000 claims description 6
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 5
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N protochatechuic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 5
- WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Chemical compound COC1=CC(C(O)=O)=CC=C1O WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Natural products COC1=CC(O)=CC(C(O)=O)=C1 TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001542 oligosaccharide Polymers 0.000 abstract description 4
- 150000002482 oligosaccharides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 14
- DLRVVLDZNNYCBX-UHFFFAOYSA-N Polydextrose Polymers OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC1C(O)C(O)C(O)C(O)O1 DLRVVLDZNNYCBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- -1 NH 4 Inorganic materials 0.000 description 13
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 8
- 229920001100 Polydextrose Polymers 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000001259 polydextrose Substances 0.000 description 7
- 235000013856 polydextrose Nutrition 0.000 description 7
- 229940035035 polydextrose Drugs 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 229920000945 Amylopectin Polymers 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001503 Glucan Polymers 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 2
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 229930182478 glucoside Natural products 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 4-oxopentanoic acid Chemical compound CC(=O)CCC(O)=O JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001450 Alpha-Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000625245 Homo sapiens rRNA methyltransferase 3, mitochondrial Proteins 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 240000007651 Rubus glaucus Species 0.000 description 1
- 235000011034 Rubus glaucus Nutrition 0.000 description 1
- 235000009122 Rubus idaeus Nutrition 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-DVKNGEFBSA-N alpha-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-DVKNGEFBSA-N 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N alpha-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N 0.000 description 1
- 229940043377 alpha-cyclodextrin Drugs 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003625 amylolytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 1
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 102000038379 digestive enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108091007734 digestive enzymes Proteins 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000004395 glucoside group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002791 glucosyl group Chemical group C1([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 102100024982 rRNA methyltransferase 3, mitochondrial Human genes 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本發明提供一種能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之研磨液組合物。 本發明係關於一種研磨液組合物，其含有氧化鈰粒子A、重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B、及水。
Description
本發明係關於一種含有氧化鈰粒子之研磨液組合物、使用其之半導體基板之製造方法及研磨方法。
化學機械拋光(CMP)技術為如下技術：於使欲加工之被研磨基板之表面與研磨墊接觸之狀態下將研磨液供給至該等之接觸部位，並且使被研磨基板及研磨墊相對移動，藉此使被研磨基板之表面凹凸部分進行化學反應，並且以機械方式去除而使之平坦化。 目前，於進行半導體元件之製造步驟中之層間絕緣膜之平坦化、淺溝槽元件分離構造(以下亦稱為「元件分離構造」)之形成、插塞及嵌入式金屬配線之形成等時，該CMP技術成為必需之技術。近年來，半導體元件之多層化、高精細化飛躍性地發展，要求半導體元件之良率及產量(yield)之進一步之提昇。伴隨於此，關於CMP步驟，亦期望無研磨損傷且更高速之研磨。例如，於淺溝槽元件分離構造之形成步驟中，期望高研磨速度、以及研磨終止膜(例如氮化矽膜)相對於被研磨膜(例如氧化矽膜)之研磨選擇性(換言之，研磨終止膜與被研磨膜相比難以研磨的研磨之選擇性)之提昇。 於專利文獻1中，作為元件分離構造之形成中所使用之研磨劑，揭示有一種CMP研磨劑，其包含氧化鈰粒子、分散劑、選自具有-COOM基、酚性OH基、-SO3
M基、-OSO3
H基、-PO4
M2
基或-PO3
M2
基等陰離子性基之水溶性有機低分子(M為H、NH4
、或Na、K等金屬原子)中之添加劑、及水。 於專利文獻2中揭示有一種研磨劑，其含有：(A)氧化物微粒子；(B)選自由單糖、2～20個單糖進行鍵結而成之寡糖、該等之糖醇、及該等之糖酯所組成之群中之1種以上；(C)苯并三唑系化合物；及(D)水。 於專利文獻3中揭示有一種含有水、氧化鈰粒子、碳數為140以下之糖類、非離子性界面活性劑及有機酸之研磨劑。 於專利文獻4中揭示有一種含有環狀寡糖等水溶性包接化合物、研磨粒及水之研磨劑。 於專利文獻5中揭示有一種研磨劑，其包含氧化鈰研磨粒、水及多糖類，且進而包含選自由水溶性有機高分子及陰離子性界面活性劑所組成之群中之1種以上。 於專利文獻6中揭示有一種含有水、包含四價金屬元素之氫氧化物之研磨粒、α-葡萄糖聚合物及陽離子性聚合物之研磨劑。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2001-7060號公報 專利文獻2：日本專利特開2004-55861號公報 專利文獻3：日本專利特開2015-129217號公報 專利文獻4：日本專利特開2011-103410號公報 專利文獻5：WO2010/104085 專利文獻6：WO2015/052988
[發明所欲解決之問題] 近年來，於半導體領域中進行高積體化，要求配線之複雜化或微細化。因此，於CMP研磨中，要求確保研磨速度，並且進一步提昇研磨選擇性。而且，為了確保研磨速度及提昇研磨選擇性，研究各種添加劑，但若使研磨液組合物中含有添加劑，則有產生研磨不均之情況。 本發明提供一種能夠確保研磨速度並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之研磨液組合物、使用其之半導體基板之製造方法及研磨方法。 [解決問題之技術手段] 本發明係關於一種研磨液組合物(以下，亦稱為「本發明之研磨液組合物」)，其含有氧化鈰粒子A、重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B、及水。 本發明係關於一種半導體基板之製造方法，其包括使用本發明之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟。 本發明係關於一種基板之研磨方法，其包括使用本發明之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟，且上述被研磨基板係用於半導體基板之製造之基板。 [發明之效果] 根據本發明，可發揮可提供一種能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之研磨液組合物的效果。
本發明者等人進行努力研究，結果驚奇地發現：藉由於含有氧化鈰(以下，亦稱為「二氧化鈰」)粒子作為研磨粒之研磨液組合物中含有特定之多糖B，能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均，從而完成本發明。 即，本發明係關於一種研磨液組合物，其含有氧化鈰粒子A、重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B、及水。根據本發明之研磨液組合物，能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均。 本發明之效果表現之機制之詳細內容雖不明確，但推定如下。 認為通常於使用含有氧化鈰粒子作為研磨粒之研磨液組合物之研磨中，氮化矽膜等研磨終止膜受到因水分子所引起之水解進行氧化而成為與氧化矽膜等被研磨膜同等之組成，容易藉由氧化鈰粒子進行研磨。相對於此，推定於使用本發明之研磨液組合物之研磨中，藉由具有特定之重量平均分子量之多糖B與水分子進行水合，可抑制氮化矽膜等研磨終止膜之水解，抑制藉由氧化鈰粒子之研磨。進而，推測本發明之研磨液組合物藉由含有上述多糖B，氮化矽膜等研磨終止膜之研磨抑制能力變高，可抑制氮化矽膜等研磨終止膜之研磨不均產生。 但是，本發明可不限定於該等機制而解釋。 於本發明中，「研磨選擇性」係與被研磨膜之研磨速度相對於研磨終止膜之研磨速度之比(被研磨膜之研磨速度/研磨終止膜之研磨速度)同義，若「研磨選擇性」較高，則意指上述研磨速度比會較大。 [氧化鈰(二氧化鈰)粒子A] 本發明之研磨液組合物含有氧化鈰粒子A(以下，亦簡稱為「粒子A」)作為研磨粒。關於粒子A之製造方法、形狀及表面狀態，可無特別限定。作為粒子A，例如可列舉：膠體二氧化鈰、不定形二氧化鈰、二氧化鈰包覆二氧化矽等。膠體二氧化鈰例如可利用日本專利特表2010-505735號公報之實施例1～4中記載之方法，藉由增層製程而獲得。不定形二氧化鈰例如可將碳酸鈰或硝酸鈰等鈰化合物進行焙燒、粉碎而獲得。作為二氧化鈰包覆二氧化矽，例如可列舉具有利用日本專利特開2015-63451號公報之實施例1～14或日本專利特開2013-119131號公報之實施例1～4中記載之方法，藉由粒狀二氧化鈰被覆二氧化矽粒子表面之至少一部分而成之構造之複合粒子，該複合粒子例如可藉由使二氧化鈰沈積於二氧化矽粒子而獲得。就提昇研磨速度之觀點而言，較佳為膠體二氧化鈰。就減少研磨後之殘留物之觀點而言，較佳為二氧化鈰包覆二氧化矽。粒子A可為1種二氧化鈰粒子，亦可為2種以上之二氧化鈰粒子之組合。 就提昇研磨速度之觀點而言，粒子A之平均一次粒徑較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為20 nm以上，而且，就抑制研磨損傷產生之觀點而言，較佳為300 nm以下，更佳為200 nm以下，進而較佳為150 nm以下。於本發明中，粒子A之平均一次粒徑係使用藉由BET(氮吸附)法算出之BET比表面積S(m2
/g)而算出。BET比表面積可藉由實施例中記載之方法進行測定。 作為粒子A之形狀，例如可列舉：大致球狀、多面體狀、樹莓狀。 若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之粒子A之含量較佳為0.05質量%以上，更佳為0.10質量%以上，進而較佳為0.20質量%以上，而且，就相同之觀點而言，較佳為10.0質量%以下，更佳為7.5質量%以下，進而較佳為5.0質量%以下，進而更佳為2.5質量%以下，進而更佳為1.0質量%以下。於粒子A為2種以上之二氧化鈰粒子之組合之情形時，粒子A之含量係指該等之合計含量。 [多糖B] 本發明之研磨液組合物含有重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B(以下，亦簡稱為「多糖B」)。就抑制氮化矽膜之研磨速度之觀點而言，多糖B之重量平均分子量為800以上，較佳為850以上，更佳為900以上，進而較佳為1000以上，進而較佳為1200以上，而且，就提昇研磨速度比之觀點而言，為2800以下，較佳為2700以下，更佳為2600以下，進而較佳為2550以下，進而較佳為2500以下，進而較佳為2300以下。於本發明中，「多糖」表示成為結構單元之單糖之數量為2個以上之糖。此處，多糖之結構單元意指構成多糖之單糖。多糖B可為1種多糖，亦可為2種以上之多糖之組合。 於本發明中，重量平均分子量可使用液相層析儀(日立製作所股份有限公司製造，L-6000型高效液相層析儀)，藉由凝膠滲透層析法(GPC)於下述條件下進行測定。 檢測器：Shodex RI SE-61示差折射率檢測器 管柱：使用將東曹股份有限公司製造之「TSKgel α-M」與「TSKgel α-M」串聯連接而成者。 溶離液：50 mmol/LiBr水溶液 管柱溫度：40℃ 流速：1.0 mL/min 標準聚合物：分子量已知之單分散支鏈澱粉(Shodex公司製造之STD-P系列) 作為多糖B之結構，可列舉：直鏈結構、環狀結構、支鏈結構，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，較佳為支鏈結構。 作為多糖B之一實施形態，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，例如可列舉水溶性食物纖維，具體而言，可列舉選自難消化性葡聚糖及聚右旋糖中之1種或2種以上之組合。於本發明中，「難消化性葡聚糖、聚右旋糖及水溶性食物纖維」係指難以被人之消化酵素消化之難消化性多糖。 作為上述難消化性葡聚糖之具體例，例如可列舉日本食品化工公司製造之商品名「Fit Fiber」等。作為聚右旋糖之具體例，例如可列舉：Danisco公司製造之商品名「Litesse III」、「Litesse powder」、「Litesse II」、「Litesse Ultra」、「Litesse Fiber HF」；Tate&Lyle公司製造之商品名「STA-LITE III」、「STA-LITE Elite」、「Promitor 85」；太陽化學公司製造之商品名「Sunfiber」等。 上述難消化性葡聚糖例如可於活性碳之存在下對澱粉分解物進行加熱而製造。 上述聚右旋糖例如可以89：10：1對葡萄糖、山梨醇及檸檬酸進行加熱而製造。 作為多糖B之另一實施形態，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，例如可列舉成為結構單元之單糖為葡萄糖之糖、或葡萄糖進行葡糖苷鍵結而成之具有支鏈之縮合物，該等之重量平均分子量為800以上且2800以下。又，該等可單獨使用，亦可併用2種以上。作為成為多糖B之結構單元之單糖之數量，就抑制研磨不均之觀點而言，較佳為3個以上，更佳為5個以上，進而較佳為10個以上，而且，就相同之觀點而言，較佳為20個以下。進而，作為多糖B，就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，較佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成之糖，更佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成，且結構單元僅為葡萄糖之糖。 就抑制研磨不均之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之多糖B之含量較佳為可降低研磨不均之有效量，若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，進而較佳為0.3質量%以上，進而較佳為0.4質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上，而且，就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，較佳為2.5質量%以下，更佳為2.0質量%以下，進而較佳為1.8質量%以下，進而較佳為1.5質量%以下，進而較佳為1.1質量%以下。就確保研磨速度，提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，多糖B之含量較佳為0.1質量%以上且2.0質量%以下，更佳為0.2質量%以上且1.8質量%以下，進而較佳為0.3質量%以上且1.5質量%以下。於多糖B為2種以上之多糖之組合之情形時，多糖B之含量係指該等之合計含量。 就確保研磨速度、提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之多糖B之含量相對於粒子A之含量的比B/A較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.3以上，而且，較佳為20以下，更佳為10以下，進而較佳為5以下。 [化合物C] 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物較佳為含有具有陰離子性基之化合物C(以下，亦稱為「化合物C」)作為研磨助劑。化合物C可為1種，亦可為2種以上之組合。 作為化合物C之陰離子性基，可列舉：羧酸基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基、膦酸基等。該等陰離子性基可採用經中和之鹽之形態。作為陰離子性基採用鹽之形態之情形時之抗衡離子，可列舉：金屬離子、銨離子、烷基銨離子等，就提昇半導體基板之品質之觀點而言，較佳為銨離子。 作為化合物C，例如可列舉選自一元羧酸、檸檬酸及陰離子性聚合物中之至少1種。作為化合物C為陰離子性聚合物之情形時之具體例，可列舉選自如下化合物中之至少1種：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、(甲基)丙烯酸與單甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯之共聚物、具有陰離子基之(甲基)丙烯酸酯與單甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯之共聚物、(甲基)丙烯酸烷基酯與(甲基)丙烯酸及單甲氧基聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯之共聚物、該等之鹼金屬鹽、及該等之銨鹽，就提昇半導體基板之品質之觀點而言，較佳為選自聚丙烯酸及其銨鹽中之至少1種。 於化合物C為陰離子性聚合物之情形時，就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，化合物C之重量平均分子量較佳為1,000以上，更佳為10,000以上，進而較佳為20,000以上，而且，較佳為550萬以下，更佳為100萬以下，進而較佳為10萬以下。 於化合物C為一元羧酸之情形時，作為化合物C，例如可列舉選自乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸中之至少1種。認為於本發明之研磨液組合物包含一元羧酸作為化合物C之情形時，保存穩定性變得良好。 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之化合物C之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.0015質量%以上，進而較佳為0.0025質量%以上，而且，較佳為1.0質量%以下，更佳為0.8質量%以下，進而較佳為0.6質量%以下。於化合物C為2種以上之組合之情形時，化合物C之含量係指該等之合計含量。 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之化合物C之含量相對於粒子A之含量的比(C/A)較佳為0.0001以上，更佳為0.0005以上，進而較佳為0.001以上，而且，較佳為1以下，更佳為0.1以下，進而較佳為0.01以下。 [水] 本發明之研磨液組合物含有水作為介質。就提昇半導體基板之品質之觀點而言，該水更佳為包含離子交換水、蒸餾水、超純水等水。關於本發明之研磨液組合物中之水之含量，若將粒子A、多糖B、水、視需要添加之化合物C及下述任意成分之合計含量設為100質量%，則可設為除粒子A、多糖B、化合物C及任意成分以外之剩餘量。 [任意成分] 本發明之研磨液組合物可於無損本發明之效果之範圍內含有pH值調整劑、化合物C以外之界面活性劑、多糖B以外之糖、增黏劑、分散劑、防銹劑、鹼性物質、研磨速度提昇劑等任意成分。就確保研磨速度之觀點而言，該等任意成分之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.0025質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上，就提昇研磨選擇性之觀點而言，較佳為1質量%以下，更佳為0.5質量%以下，進而較佳為0.1質量%以下。 作為上述pH值調整劑，例如可列舉：酸性化合物及鹼性化合物。作為酸性化合物，例如可列舉：鹽酸、硝酸、硫酸等無機酸；乙酸、草酸、檸檬酸及蘋果酸等有機酸等。其中，就通用性之觀點而言，較佳為選自鹽酸、硝酸及乙酸中之至少1種，更佳為選自鹽酸及乙酸中之至少1種。作為鹼性化合物，例如可列舉：氨及氫氧化鉀等無機鹼性化合物；烷基胺及烷醇胺等有機鹼性化合物等。其中，就提昇半導體基板之品質之觀點而言，較佳為選自氨及烷基胺中之至少1種，更佳為氨。 作為上述化合物C以外之界面活性劑，可列舉化合物C以外之陰離子性界面活性劑及非離子性界面活性劑(nonionic detergent)等。作為陰離子性界面活性劑，例如可列舉：烷基醚乙酸鹽、烷基醚磷酸鹽及烷基醚硫酸鹽等。作為非離子性界面活性劑，例如可列舉：聚丙烯醯胺等非離子性聚合物、聚氧伸烷基烷基醚、聚氧乙烯二苯乙烯化苯基醚等。 本發明之研磨液組合物於一或複數個實施形態中，可實質上不包含非離子性界面活性劑。於本發明中，「實質上不包含非離子性界面活性劑」係指研磨液組合物中之非離子性界面活性劑之含量為0.1質量%以下。就確保氧化矽膜之研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之非離子性界面活性劑之含量較佳為未達0.01質量%，進而較佳為0.005質量%以下，進而較佳為實質上為0質量%。 [研磨液組合物] 本發明之研磨液組合物可藉由包括如下步驟之製造方法而製造：利用公知之方法調配包含粒子A及水之漿料、多糖B、以及視需要之化合物C及任意成分等。例如，本發明之研磨液組合物可採用至少調配粒子A、多糖B及水而成者。於本發明中，「調配」包括同時或依序混合粒子A、多糖B及水、以及視需要之化合物C及其他任意成分之操作。混合之順序並無特別限定。上述調配例如可使用均質混合機、均質機、超音波分散機及濕式球磨機等混合器而進行。本發明之研磨液組合物之製造方法中之各成分之調配量可與上述本發明之研磨液組合物中之各成分之含量相同。 本發明之研磨液組合物之實施形態可為於預先混合所有成分之狀態下供給至市場之所謂1液型，亦可為於使用時加以混合之所謂2液型。於2液型之研磨液組合物中，分為第1溶液及第2溶液，研磨液組合物例如可為包含粒子A混合於水中而成之第1溶液、及多糖B混合於水中而成之第2溶液，且混合第1溶液與第2溶液者。第1溶液與第2溶液之混合可於供給至研磨對象之表面之前進行，亦可分別供給該等並於被研磨基板之表面上進行混合。 就確保研磨速度及提昇研磨選擇性之觀點而言，本發明之研磨液組合物之pH值較佳為4.0以上，更佳為5.0以上，進而較佳為6.0以上，而且，較佳為9.0以下，更佳為8.5以下，進而較佳為8.0以下。於本發明中，研磨液組合物之pH值係25℃下之值，係使用pH計所測得之值。具體而言，本發明中之研磨液組合物之pH值可藉由實施例中記載之方法進行測定。 於本發明中，「研磨液組合物中之各成分之含量」係指將研磨液組合物用於研磨時的上述各成分之含量。本發明之研磨液組合物可於無損其穩定性之範圍內，於經濃縮之狀態下進行保存及供給。於此情形時，就可使製造/傳輸成本較低之方面而言較佳。而且，該濃縮液可視需要藉由上述水系介質適當進行稀釋而於研磨步驟中使用。作為稀釋比率，較佳為5～100倍。 [被研磨膜] 作為本發明之研磨液組合物設為研磨之對象之被研磨膜，例如可列舉氧化矽膜。因此，本發明之研磨液組合物可較佳地用於形成半導體基板之元件分離構造之步驟中所進行的氧化矽膜之研磨。 [研磨液套組] 本發明係關於一種研磨液套組，其係用以製造研磨液組合物者，且包含：粒子A分散液，其係將含有上述粒子A之分散液收納於容器中而成；及上述多糖B，其係收納於與上述粒子A分散液不同之容器中。根據本發明之研磨液套組，可提供一種可獲得能夠確保研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均之研磨液組合物的研磨液套組。 作為本發明之研磨液套組，例如可列舉於含有上述粒子A之分散液(第1溶液)、及包含多糖B之溶液(第2溶液)相互未混合之狀態下保存，於使用時混合該等之研磨液套組(2液型研磨液組合物)。可於混合上述第1溶液與上述第2溶液後，視需要使用水進行稀釋。於第2溶液中可包含可調配於被研磨物之研磨中使用之研磨液組合物中之其他成分。作為可調配於研磨液組合物中之其他成分，例如可列舉：上述化合物C、酸、氧化劑、雜環芳香族化合物、脂肪族胺化合物、脂環式胺化合物等。於上述第1溶液及第2溶液中，可分別視需要包含任意成分。作為該任意成分，例如可列舉：增黏劑、分散劑、防銹劑、鹼性物質、研磨速度提昇劑、界面活性劑、高分子化合物等。 [半導體基板之製造方法] 本發明係關於一種半導體基板之製造方法(以下，亦稱為「本發明之半導體基板之製造方法」)，其包括使用本發明之研磨液組合物研磨被研磨膜之步驟(以下，亦稱為「使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟」)。根據本發明之半導體基板之製造方法，能夠確保研磨步驟中之研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均，故而可發揮可高效率地製造基板品質提昇之半導體基板之效果。 作為本發明之半導體基板之製造方法之具體例，首先，藉由將矽基板於氧化爐內暴露於氧氣而使二氧化矽層沈積於其表面，繼而，於該二氧化矽層上藉由例如CVD法(chemical vapor deposition method，化學氣相沈積法)形成氮化矽(Si3
N4
)膜或多晶矽膜等研磨終止膜。其次，於包含矽基板、及配置於上述矽基板之一主面側之研磨終止膜之基板、例如於矽基板之二氧化矽層上形成有研磨終止膜之基板，使用光微影技術形成溝槽。繼而，例如，藉由使用矽烷氣體及氧氣之CVD法，形成作為溝槽嵌入用被研磨膜之氧化矽(SiO2
)膜，獲得研磨終止膜經被研磨膜(氧化矽膜)覆蓋之被研磨基板。藉由形成氧化矽膜，上述溝槽被氧化矽膜之氧化矽填滿，研磨終止膜之上述矽基板側之面之相反面經氧化矽膜被覆。如此形成之氧化矽膜之矽基板側之面之相反面具有與下層之凸凹對應地形成之階差。繼而，藉由CMP法，研磨氧化矽膜直至至少研磨終止膜之矽基板側之面之相反面露出，更佳為研磨氧化矽膜直至氧化矽膜之表面與研磨終止膜之表面成為同一平面。本發明之研磨液組合物可用於進行藉由該CMP法之研磨之步驟中。 於藉由CMP法之研磨中，於使被研磨基板之表面與研磨墊接觸之狀態下，將本發明之研磨液組合物供給至該等之接觸部位，並且使被研磨基板及研磨墊相對移動，藉此使被研磨基板之表面之凹凸部分平坦化。於本發明之半導體基板之製造方法中，可於矽基板之二氧化矽層與研磨終止膜之間形成其他絕緣膜，亦可於被研磨膜(例如氧化矽膜)與研磨終止膜(例如氮化矽膜)之間形成其他絕緣膜。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，研磨墊之轉數例如可設定為30～200 r/分鐘，被研磨基板之轉數例如可設定為30～200 r/分鐘，設定於具備研磨墊之研磨裝置之研磨負載例如可設定為20～500 g重/cm2
，研磨液組合物之供給速度例如可設定為10～500 mL/分鐘以下。於研磨液組合物為2液型研磨液組合物之情形時，藉由調整第1溶液及第2溶液之各者之供給速度(或供給量)，可調整被研磨膜及研磨終止膜之各者之研磨速度、或被研磨膜與研磨終止膜之研磨速度比(研磨選擇性)。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，就提昇生產性之觀點而言，被研磨膜(例如氧化矽膜)之研磨速度較佳為2000 Å/分鐘以上，更佳為3000 Å/分鐘以上，進而較佳為4000 Å/分鐘以上。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，就提昇研磨選擇性及縮短研磨時間之觀點而言，研磨終止膜(例如氮化矽膜)之研磨速度較佳為500 Å/分鐘以下，更佳為300 Å/分鐘以下，進而較佳為150 Å/分鐘以下。 於使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟中，就研磨時間之縮短化之觀點而言，研磨速度比(被研磨膜之研磨速度/研磨終止膜之研磨速度)較佳為5.0以上，更佳為10.0以上，進而較佳為20.0以上，進而更佳為40.0以上。於本發明中，研磨選擇性係與被研磨膜之研磨速度相對於研磨終止之研磨速度之比(被研磨膜之研磨速度/研磨終止膜之研磨速度)同義，研磨選擇性較高意指研磨速度比會較大。 [研磨方法] 本發明係關於一種基板之研磨方法(以下，亦稱為本發明之研磨方法)，其包括使用本發明之研磨液組合物之研磨步驟。 藉由使用本發明之研磨方法，能夠確保研磨步驟中之研磨速度，並且提昇研磨選擇性及抑制研磨不均，故而可發揮能夠提昇基板品質提昇之半導體基板之生產性之效果。具體之研磨之方法及條件可與上述本發明之半導體基板之製造方法相同。 本發明進而關於以下之組合物、製造方法。 ＜1＞一種研磨液組合物，其含有氧化鈰粒子A、重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B、及水。 ＜2＞如＜1＞記載之研磨液組合物，其中粒子A之平均一次粒徑較佳為5 nm以上，更佳為10 nm以上，進而較佳為20 nm以上。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞記載之研磨液組合物，其中粒子A之平均一次粒徑較佳為300 nm以下，更佳為200 nm以下，進而較佳為150 nm以下。 ＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則粒子A之含量較佳為0.05質量%以上，更佳為0.10質量%以上，進而較佳為0.20質量%以上。 ＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則粒子A之含量較佳為10.0質量%以下，更佳為7.5質量%以下，進而較佳為5.0質量%以下，進而更佳為2.5質量%以下，進而更佳為1.0質量%以下。 ＜6＞如＜1＞至＜5＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之重量平均分子量為800以上，較佳為850以上，更佳為900以上，進而較佳為1000以上，進而較佳為1200以上。 ＜7＞如＜1＞至＜6＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之重量平均分子量為2800以下，較佳為2700以下，更佳為2600以下，進而較佳為2550以下，進而較佳為2500以下，進而較佳為2300以下。 ＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B為水溶性食物纖維。 ＜9＞如＜1＞至＜8＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B係選自難消化性葡聚糖及聚右旋糖中之至少1種。 ＜10＞如＜1＞至＜9＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B係結構單元為葡萄糖之糖、或葡萄糖進行葡糖苷鍵結而成之具有支鏈之縮合物。 ＜11＞如＜1＞至＜10＞中任一項記載之研磨液組合物，其中成為多糖B之結構單元之單糖之數量較佳為3個以上，更佳為5個以上，進而較佳為10個以上。 ＜12＞如＜1＞至＜11＞中任一項記載之研磨液組合物，其中成為多糖B之結構單元之單糖之數量較佳為20個以下。 ＜13＞如＜1＞至＜12＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B較佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成之糖，更佳為3個以上且20個以下之葡萄糖進行鍵結而成，且結構單元僅為葡萄糖之糖。 ＜14＞如＜1＞至＜13＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則多糖B之含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，進而較佳為0.3質量%以上，進而較佳為0.4質量%以上，進而較佳為0.5質量%以上。 ＜15＞如＜1＞至＜14＞中任一項記載之研磨液組合物，其中若將粒子A、多糖B及水之合計含量設為100質量%，則多糖B之含量較佳為2.5質量%以下，更佳為2.0質量%以下，進而較佳為1.8質量%以下，進而較佳為1.5質量%以下，進而較佳為1.1質量%以下。 ＜16＞如＜1＞至＜15＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量較佳為0.1質量%以上且2.0質量%以下，更佳為0.2質量%以上且1.8質量%以下，進而較佳為0.3質量%以上且1.5質量%以下。 ＜17＞如＜1＞至＜16＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量相對於粒子A之含量之比B/A較佳為0.01以上，更佳為0.1以上，進而較佳為0.3以上。 ＜18＞如＜1＞至＜17＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量相對於粒子A之含量之比B/A較佳為20以下，更佳為10以下，進而較佳為5以下。 ＜19＞如＜1＞至＜18＞中任一項記載之研磨液組合物，其中多糖B之含量相對於粒子A之含量之比B/A為0.01以上且20以下。 ＜20＞如＜1＞至＜19＞中任一項記載之研磨液組合物，其進而含有具有陰離子性基之化合物C。 ＜21＞如＜20＞記載之研磨液組合物，其中化合物C之重量平均分子量較佳為1,000以上，更佳為10,000以上，進而較佳為20,000以上。 ＜22＞如＜20＞或＜21＞記載之研磨液組合物，其中化合物C之重量平均分子量較佳為550萬以下，更佳為100萬以下，進而較佳為10萬以下。 ＜23＞如＜20＞記載之研磨液組合物，其中化合物C為一元羧酸。 ＜24＞如＜23＞記載之研磨液組合物，其中化合物C係選自乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸中之至少1種。 ＜25＞如＜20＞至＜24＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.0015質量%以上，進而較佳為0.0025質量%以上。 ＜26＞如＜20＞至＜25＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量較佳為1.0質量%以下，更佳為0.8質量%以下，進而較佳為0.6質量%以下。 ＜27＞如＜20＞至＜26＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量相對於粒子A之含量之比(C/A)較佳為0.0001以上，更佳為0.0005以上，進而較佳為0.001以上。 ＜28＞如＜20＞至＜27＞中任一項記載之研磨液組合物，其中化合物C之含量相對於粒子A之含量之比(C/A)較佳為1以下，更佳為0.1以下，進而較佳為0.01以下。 ＜29＞如＜1＞至＜28＞中任一項記載之研磨液組合物，其pH值較佳為4.0以上，更佳為5.0以上，進而較佳為6.0以上。 ＜30＞如＜1＞至＜29＞中任一項記載之研磨液組合物，其pH值較佳為9.0以下，更佳為8.5以下，進而較佳為8.0以下。 ＜31＞如＜1＞至＜30＞中任一項記載之研磨液組合物，其pH值為4.0以上且9.0以下。 ＜32＞如＜1＞至＜31＞中任一項記載之研磨液組合物，其係用於氧化矽膜之研磨。 ＜33＞如＜1＞至＜32＞中任一項記載之研磨液組合物，其包含粒子A混合於水中而成之第1溶液、及多糖B混合於水中而成之第2溶液，且於使用時混合第1溶液與第2溶液。 ＜34＞一種半導體基板之製造方法，其包括使用如＜1＞至＜33＞中任一項記載之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟。 ＜35＞一種基板之研磨方法，其包括使用如＜1＞至＜33＞中任一項記載之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟，且上述被研磨基板係用於半導體基板之製造之基板。 ＜36＞一種如＜1＞至＜33＞中任一項記載之研磨液組合物之用途，其係用於半導體基板之製造。 [實施例] 1.研磨液組合物之製備(實施例1～23及比較例1～11) 以成為下述表1-1、表1-2及表2之含量之方式混合水、研磨粒(粒子A)及添加劑(多糖B、化合物C)，獲得實施例1～23及比較例1～11之研磨液組合物。研磨液組合物之pH值係使用0.1 N銨水溶液進行調整。 作為粒子A，使用膠體二氧化鈰(「ZENUS HC90」，阿南化成公司製造，平均一次粒徑：99 nm，BET比表面積：8.4 m2
/g)、不定形二氧化鈰(焙燒粉碎二氧化鈰GPL-C1010，昭和電工製造，平均一次粒徑：70 nm，BET比表面積：11.8 m2
/g)、二氧化鈰包覆二氧化矽(平均一次粒徑：92.5 nm，BET比表面積：35.5 m2
/g)及氫氧化鈰(平均一次粒徑：5 nm，BET比表面積：165 m2
/g)。 作為化合物C，使用聚丙烯酸銨鹽(重量平均分子量21,000)、檸檬酸、乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸。 作為多糖B，使用以下者。 B1：難消化性葡聚糖[製品名：「Fit Fiber#80」，日本食品化工公司製造，水溶性食物纖維，支鏈結構] B2：聚右旋糖[製品名：「Litesse III」，杜邦公司製造，水溶性食物纖維，支鏈結構，葡萄糖/山梨醇/檸檬酸(89/9/11)之縮合物] B3：聚右旋糖[製品名：「STA-LITE III」，Tate&Lyle公司製造，支鏈結構，於山梨醇及磷酸之存在下，於D-葡萄糖之熱聚合中進行縮合] B4：α-環糊精[環狀寡糖，構成：6個葡萄糖] B5：支鏈澱粉[製品名：「Pullulan」，和光純藥工業公司製造，直鏈結構] B6：糊精[製品名：「Sandek#300」，三和澱粉工業公司製造，支鏈結構] 研磨液組合物之pH值、粒子A之平均一次粒徑及BET比表面積係藉由以下之方法進行測定。將測定結果示於表1-1及表1-2。 (a)研磨液組合物之pH值測定 研磨液組合物之25℃下之pH值係使用pH計(東亞電波工業公司製造，「HM-30G」)所測得之值，為將pH計之電極浸漬於研磨液組合物中1分鐘後之數值。 (b)粒子A之平均一次粒徑 粒子A之平均一次粒徑(nm)係使用下述藉由BET(氮吸附)法而獲得之比表面積S(m2
/g)，將二氧化鈰粒子之真密度設為7.2 g/cm3
而算出。 (c)粒子A之BET比表面積之測定方法 將二氧化鈰粒子A分散液於120℃下熱風乾燥3小時後，藉由瑪瑙研缽粉碎為較細而獲得樣本。於即將測定之前於120℃之環境下乾燥15分鐘，然後使用比表面積測定裝置(Micromeritics自動比表面積測定裝置「Flowsorb III2305」，島津製作所製造)，藉由氮吸附法(BET法)測定比表面積S(m2
/g)。 2.研磨液組合物(實施例1～23及比較例1～11)之評價 [試片之製作] 自於矽晶圓單面藉由TEOS(Tetraethyl orthosilicate，原矽酸四乙酯)-電漿CVD法形成有厚度2000 nm之氧化矽膜者切割出40 mm×40 mm之正方形片，獲得氧化矽膜試片。 以相同之方式，自於矽晶圓之單面藉由CVD法形成有厚度300 nm之氮化矽膜者切割出40 mm×40 mm之正方形片，獲得氮化矽膜試片。 [氧化矽膜(被研磨膜)之研磨速度之測定] 作為研磨裝置，使用壓盤直徑300 mm之Musashino Denshi公司製造之「MA-300」。又，作為研磨墊，使用Nitta Haas公司製造之硬質胺基甲酸酯墊「IC-1000/Sub400」。於上述研磨裝置之壓盤貼附上述研磨墊。將上述試片安裝於支架(holder)，以試片之形成有氧化矽膜之面成為下方之方式(以氧化矽膜面向研磨墊之方式)將支架置於研磨墊。進而，以施加於試片之負載成為300 g重/cm2
之方式，將鉛垂置於支架。一面以50 mL/分鐘之速度將研磨液組合物滴下至貼附有研磨墊之壓盤之中心，一面使壓盤及支架之各者以90 r/分鐘向相同之旋轉方向旋轉1分鐘，進行氧化矽膜試片之研磨。研磨後，使用超純水進行清洗，並進行乾燥，將氧化矽膜試片作為下述光乾渉式膜厚測定裝置之測定對象。 於研磨前及研磨後，使用光乾渉式膜厚測定裝置(大日本網屏公司製造之「Lambda ACE VM-1000」)，測定氧化矽膜之膜厚。氧化矽膜之研磨速度係藉由下述式算出，並示於下述表1-1、表1-2及表2。 ・氧化矽膜之研磨速度(Å/分鐘) ＝[研磨前之氧化矽膜厚度(Å)－研磨後之氧化矽膜厚度(Å)]/研磨時間(分鐘) [氮化矽膜(研磨終止膜)之研磨速度之測定] 使用氮化矽膜試片作為試片以代替氧化矽膜試片，除此以外，以與上述[氧化矽膜之研磨速度之測定]相同之方式，進行氮化矽膜之研磨及膜厚之測定。氮化矽膜之研磨速度係藉由下述式算出，並示於下述表1-1、表1-2及表2。 ・氮化矽膜之研磨速度(Å/分鐘) ＝[研磨前之氮化矽膜厚度(Å)－研磨後之氮化矽膜厚度(Å)]/研磨時間(分鐘) [研磨速度比] 將氧化矽膜之研磨速度相對於氮化矽膜之研磨速度之比設為研磨速度比，藉由下述式算出，並示於下述表1-1、表1-2及表2。研磨速度比之值越大，則表示研磨選擇性越高。 ・研磨速度比＝氧化矽膜之研磨速度(Å/分鐘)/氮化矽膜之研磨速度(Å/分鐘) [研磨不均之評價方法] 為了測定研磨後之氮化矽膜試片上之不均之個數，使用下述評價方法。首先，使用NIKON製造之「COOLPIXS3700」，於下述條件下對氮化矽膜試片拍攝照片。 ・ISO感度：400 ・圖像模式：2 M(1600×1200) ・白平衡：螢光燈 ・AF(Auto Focus，自動對焦)區域選擇：中央 ・AF模式：AF-S單次AF ・AF輔助光：無 ・電子變焦：不進行 ・宏：ON 繼而，針對拍攝之照片，使用MITANI製造之圖像分析軟體「WinROOF2013」，於下述條件下測定研磨不均之個數。 將測定基準單位設定為1像素，將拍攝之照片進行單色圖像化，藉由修整，將晶圓內部之514pixed×514像素之正方形區域指定為分析區域(以下，稱為指定區域)。然後，使指定區域之內側(實際面積263952像素)之灰度256灰階反轉，為了使產生研磨不均之部分之識別容易而進行增強，將增強之部分利用軟體功能「藉由2個閾值之二值化」，自閾值80至184，以透明度127進行二值化。其後，測量二值區域之形狀特徵，測定色度不同之不均之部分作為研磨不均之個數。將測定結果示於表1-1、表1-2及表2。 [穩定性之評價] 測定將實施例13～23之研磨液組合物於60℃下靜置1個月時之pH值。將測定結果示於表2。於確保經過1個月後之研磨液組合物之研磨性能之情形時，可判斷為保存穩定性良好。 [表1-1]
[表1-2]
[表2]
如表1-1、表1-2及表2所示，含有特定之多糖B之實施例1～23確保研磨速度，並且研磨選擇性提昇，進而，研磨不均得到抑制。關於包含聚丙烯酸銨或檸檬酸作為化合物C之實施例8～11，研磨選擇性進一步提昇。可知關於包含乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸或甲酸作為化合物C之實施例14～23，保存穩定性良好。 [產業上之可利用性] 本發明之研磨液組合物可用於高密度化或高積體化用半導體基板之製造方法。
Claims (13)
- 一種研磨液組合物，其含有氧化鈰粒子A、重量平均分子量為800以上且2800以下之多糖B、及水。
- 如請求項1之研磨液組合物，其係用於氧化矽膜之研磨。
- 如請求項1或2之研磨液組合物，其中多糖B為水溶性食物纖維。
- 如請求項1或2之研磨液組合物，其中多糖B之含量為0.1質量%以上且2.5質量%以下。
- 如請求項1或2之研磨液組合物，其中多糖B之含量相對於氧化鈰粒子A之含量之比B/A為0.01以上且20以下。
- 如請求項1或2之研磨液組合物，其進而含有具有陰離子性基之化合物C。
- 如請求項6之研磨液組合物，其中化合物C為一元羧酸。
- 如請求項7之研磨液組合物，其中化合物C係選自乙醯丙酸、丙酸、香草酸、對羥基苯甲酸及甲酸中之至少1種。
- 如請求項1或2之研磨液組合物，其pH值為4.0以上且9.0以下。
- 如請求項1或2之研磨液組合物，其包含粒子A混合於水中而成之第1溶液、及多糖B混合於水中而成之第2溶液，且於使用時混合第1溶液與第2溶液。
- 一種半導體基板之製造方法，其包括使用如請求項1至10中任一項之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟。
- 一種基板之研磨方法，其包括使用如請求項1至10中任一項之研磨液組合物研磨被研磨基板之步驟，且上述被研磨基板係用於半導體基板之製造之基板。
- 一種如請求項1至10中任一項之研磨液組合物之用途，其係用於半導體基板之製造。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP??2016-192157 | 2016-09-29 | ||
| JP2016192157 | 2016-09-29 | ||
| JP2017161425 | 2017-08-24 | ||
| JP??2017-161425 | 2017-08-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201816062A true TW201816062A (zh) | 2018-05-01 |
| TWI743212B TWI743212B (zh) | 2021-10-21 |
Family
ID=61760820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106133585A TWI743212B (zh) | 2016-09-29 | 2017-09-29 | 研磨液組合物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190241766A1 (zh) |
| JP (1) | JPWO2018062403A1 (zh) |
| KR (1) | KR20190055112A (zh) |
| CN (1) | CN109863579A (zh) |
| TW (1) | TWI743212B (zh) |
| WO (1) | WO2018062403A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI804661B (zh) * | 2018-07-26 | 2023-06-11 | 日商力森諾科股份有限公司 | 研漿、研磨液的製造方法以及研磨方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7220522B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2023-02-10 | 株式会社バイコウスキージャパン | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
| US11549034B2 (en) | 2018-08-09 | 2023-01-10 | Versum Materials Us, Llc | Oxide chemical mechanical planarization (CMP) polishing compositions |
| JP2020045291A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 恒隆 川口 | 酸化セリウム含有組成物 |
| US20210332264A1 (en) * | 2020-04-23 | 2021-10-28 | Fujimi Corporation | Novel polishing vehicles and compositions with tunable viscosity |
| CN116656244A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-08-29 | 包头天骄清美稀土抛光粉有限公司 | 用于鳍式场效应晶体管的化学机械抛光组合物及制备方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3969605B2 (ja) * | 1997-04-15 | 2007-09-05 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | 研磨液組成物 |
| JP2001007060A (ja) | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP4206233B2 (ja) | 2002-07-22 | 2009-01-07 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
| JP2009065041A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 微細繊維状セルロース及び／又はその複合体を含む化学機械研磨用組成物 |
| JP2012109287A (ja) | 2009-03-13 | 2012-06-07 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体用研磨剤、その製造方法及び研磨方法 |
| JP5481166B2 (ja) | 2009-11-11 | 2014-04-23 | 株式会社クラレ | 化学的機械的研磨用スラリー |
| JP2014053502A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015008212A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 日立化成株式会社 | 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法 |
| KR102239131B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2021-04-12 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 그 제조 방법 |
| WO2015052988A1 (ja) | 2013-10-10 | 2015-04-16 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
| CN104745092A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种应用于sti领域的化学机械抛光液及其使用方法 |
| JP6375623B2 (ja) | 2014-01-07 | 2018-08-22 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
| JP5893700B1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-23 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜用研磨液組成物 |
| CN105802506B (zh) * | 2014-12-29 | 2020-06-09 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| CN107406752B (zh) * | 2015-03-10 | 2020-05-08 | 日立化成株式会社 | 研磨剂、研磨剂用储存液和研磨方法 |
-
2017
- 2017-09-28 US US16/338,184 patent/US20190241766A1/en not_active Abandoned
- 2017-09-28 CN CN201780060770.7A patent/CN109863579A/zh active Pending
- 2017-09-28 WO PCT/JP2017/035262 patent/WO2018062403A1/ja active Application Filing
- 2017-09-28 KR KR1020197009489A patent/KR20190055112A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-09-28 JP JP2018542867A patent/JPWO2018062403A1/ja active Pending
- 2017-09-29 TW TW106133585A patent/TWI743212B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI804661B (zh) * | 2018-07-26 | 2023-06-11 | 日商力森諾科股份有限公司 | 研漿、研磨液的製造方法以及研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2018062403A1 (ja) | 2019-07-11 |
| CN109863579A (zh) | 2019-06-07 |
| WO2018062403A1 (ja) | 2018-04-05 |
| US20190241766A1 (en) | 2019-08-08 |
| KR20190055112A (ko) | 2019-05-22 |
| TWI743212B (zh) | 2021-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI743212B (zh) | 研磨液組合物 | |
| JP6957265B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| KR101172647B1 (ko) | 연마제, 농축 1액식 연마제, 2액식 연마제 및 기판의 연마 방법 | |
| TWI780194B (zh) | 研磨液、研磨液套組及研磨方法 | |
| US10297461B2 (en) | CMP polishing agent, manufacturing method thereof, and method for polishing substrate | |
| KR102444499B1 (ko) | 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법 | |
| JP6790790B2 (ja) | 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法 | |
| TWI743213B (zh) | 研磨液組合物 | |
| TWI731207B (zh) | 二氧化鈰研磨粒 | |
| JP5088453B2 (ja) | Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 | |
| JP6985905B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2012186339A (ja) | 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法 | |
| JP6350861B2 (ja) | コロイダルシリカ及びそれを含有する半導体ウエハ研磨用組成物 | |
| JP2018107329A (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| JP7045171B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| TW202142644A (zh) | 研磨用組合物、研磨方法及半導體基板之製造方法 | |
| TW202104525A (zh) | 氧化矽膜用研磨液組合物 | |
| JP2019165071A (ja) | 構造体及びその製造方法 | |
| JP2011243789A (ja) | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
| JP2017014354A (ja) | 研磨液 |