TW201815356A - 具有表面紋理的外科手術器械 - Google Patents

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Abstract

揭露了外科手術器械、具體地眼外科手術器械。示例性外科手術器械包括用於移除內界膜(ILM)的鑷子。示例性鑷子可以包括在鑷爪的遠端處形成的紋理化表面。該紋理化表面可以具有多個微柱體，該等微柱體用於增大ILM與鑷爪之間的摩擦係數以便減小鑷子為了接合ILM而需要施加的法向力。

Description

具有表面紋理的外科手術器械
本揭露涉及外科手術器械，具體地涉及具有紋理化表面的外科手術器械，以便改進對膜的抓取以避免對下方的組織造成損傷。
本揭露涉及外科手術器械，具體地涉及具有紋理化表面的外科手術器械，以便改進對膜的抓取以避免對下方的組織造成損傷。
根據一方面，本揭露描述了一種外科手術器械，該外科手術器械包括接合身體的組織的接合構件。該接合構件可以包括表面。該外科手術器械還可以包括在該表面上沿第一方向形成的多個第一痕跡以及在該表面上沿與該第一方向不同的第二方向上形成的多個第二痕跡。該多個第一痕跡中的相鄰痕跡之間的第一間距可以在大致5.5μm至15μm的範圍內。該多個第二痕跡中的相鄰痕跡之間的第二間距可以在大致5.5μm至15μm的範圍內。該多個第一痕跡和該多個第二痕跡可以限定微柱體陣列。該微柱體陣列中的該等微柱體可以具有在3μm至10μm範圍內的高度。
本揭露的另一個方面涵蓋一種用於在外科手術器械上形成紋理化表面之方法。該方法可以包括：沿著該外科手術器械的接合構件的 表面在第一方向上形成多個第一痕跡；並且在該表面上沿與該第一方向不同的第二方向形成多個第二痕跡。該多個第一痕跡中的相鄰痕跡之間的第一間距可以在大致5.5μm至15μm的範圍內。該多個第二痕跡中的相鄰痕跡之間的第二間距可以在大致5.5μm至15μm的範圍內。該多個第一痕跡和該多個第二痕跡可以限定微柱體陣列。該等微柱體可以具有在3μm至10μm範圍內的高度。
這各個方面可以包括以下特徵中的一個或多個特徵。該微柱體陣列中的該等微柱體中的一個或多個微柱體相對於該接合構件的該表面可以傾斜在20°至55°範圍內的角度。該微柱體陣列中的該等微柱體中的一個或多個微柱體可以傾斜在30°至45°範圍內的角度。該微柱體陣列中的該等微柱體可以具有在3.5μm至7μm範圍內的高度。該多個第一痕跡和該多個第二痕跡中的該等痕跡的寬度可以是大致2μm。該等微柱體可以是錐形的。該接合構件可以是鑷爪，並且該表面可以是該鑷爪的遠側表面。該接合構件可以包括限定了邊緣的尖端。該多個第一痕跡可以基本上平行於該邊緣，並且該多個第二痕跡可以基本上垂直於該邊緣。該接合構件可以包括限定了邊緣的尖端，並且該多個第一痕跡和該多個第二痕跡可以向該邊緣傾斜。
應理解的是，前述概述和以下詳細描述在本質上均為示例性和說明性的，且旨在提供對本揭露的理解而非限制本揭露之範圍。就此而言，藉由以下詳細描述，本揭露的附加方面、特徵以及優點對於熟習該項技術者而言將是明顯的。
10、20、90‧‧‧鑷子
12‧‧‧內界膜(ILM)
14‧‧‧視網膜
16‧‧‧鑷尖
17‧‧‧凹陷
18、28、98‧‧‧鑷爪
26‧‧‧尖端
30‧‧‧紋理化表面
32、96‧‧‧遠側表面
34、92‧‧‧微柱體
36、42‧‧‧雷射痕跡；雷射切口
41、230‧‧‧基部
43‧‧‧端部
45‧‧‧低谷
47‧‧‧有效表面
50‧‧‧邊緣
94‧‧‧紋理化表面
100、102‧‧‧雷射痕跡
200‧‧‧前壁
210‧‧‧後壁
220‧‧‧側壁
240‧‧‧點
AA‧‧‧線
H‧‧‧高度
K、M、Z1、Z2‧‧‧尺寸
M、W1、W2‧‧‧寬度
S‧‧‧間距
圖1示出了與附著到視網膜上的內界膜接合之常規鑷子。
圖2示出了具有紋理化表面的示例性鑷子，該紋理化表面形成在鑷爪的與內界膜接合的遠端上。
圖3示出了圖2中所示的鑷子的鑷爪的遠端。
圖4係在圖3中所示的鑷爪的遠端上形成的紋理化表面之詳細視圖。
圖5示出了形成紋理化表面的相鄰痕跡之間的間隔距離。
圖6係紋理化表面的截面視圖，示出了該紋理化表面的微柱體。
圖7和圖8示出了具有不同表面圖案的示例性紋理化表面。
圖9示出了另一個示例性鑷爪，該鑷爪上具有在其遠端處形成的紋理化表面。
圖10係圖9中所示的表面紋理之詳細視圖。
圖11示出了金字塔形微柱體之詳細視圖，該金字塔形微柱體佈置在鑷子的遠端的紋理化表面上。
出於促進對本揭露原理的理解的目的，現在將參照附圖中展示的實現方式，並將使用特定語言來描述該等實現方式。然而應理解，並非旨在限制本揭露之範圍。本揭露所涉及的技術領域內的技術人員在正常情況下將完全能夠想到對於所描述的裝置、器械、方法的任何改變和進一步修改、以及對於本揭露的原理的任何進一步應用。具體而言，完全可以想到，針對一種實現方式描述的特徵、部件和/或步驟可以與針對本揭露的 其他實現方式描述的特徵、部件和/或步驟相組合。
本說明係在用於顯微外科手術的外科手術鑷子的背景下做出的。具體地，本說明書涉及具有紋理化表面、用於膜的無損傷接合和剝離的外科手術鑷子，更具體地涉及具有紋理化表面、用於在眼外科手術中使用的外科手術鑷子。然而，本揭露的範圍並不受限於此。而是，在此描述的表面紋理可以應用於在眼科學之內和之外的醫學領域中使用的其他類型的外科手術器械。因此，在眼外科手術鑷子的背景下做出的本說明僅被提供作為實例而並不旨在是限制性的。
圖1展示了處於嘗試移除內界膜(ILM)12的過程中的常規鑷子10，該內界膜係眼睛中形成在視網膜14上並將視網膜與玻璃體液分離開的膜。傳統上，為了移除ILM，使用者(如外科醫生)會將鑷子10壓在視網膜14上，即，力與視網膜14的表面垂直，然後施加閉合力使鑷子閉合以便在鑷爪18的尖端16之間捕捉ILM 12的一部分。施加於視網膜14的法向力在視網膜上引起凹陷17，如圖1所示。經由鑷子10施加於視網膜14上的法向力在鑷子10與ILM 12之間產生摩擦力。增大法向力使相關聯的摩擦力增大。產生了摩擦力以在ILM 12上形成折片。然後藉由使用鑷子10用折片來移除ILM 12。鑷子10施加的法向力太大可能對視網膜14造成意想不到的傷害。並且，如果法向力太大或者鑷尖16之間的距離太大，鑷爪18閉合就會存在在鑷尖16之間捕捉下方視網膜的一部分的風險。擠夾視網膜14也存在對視網膜14造成損傷的風險。牽拉鑷子以開始剝離ILM 12將進一步加重這種損傷。同樣在視網膜14的一部分被鑷子10抓取的情況下，剝離動作可能進一步傷害視網膜14並且可能產生視網膜撕裂。
圖2展示了在本揭露範圍內的示例性鑷子20。鑷子20包括例 如圖3和圖4中所示的由多個表面特徵形成的紋理化表面30。在所展示的實例中，紋理化表面30係在鑷爪28的遠側表面32內並且沿著該遠側表面形成。紋理化表面30藉由提供更大的摩擦係數來增大鑷子10與ILM 12之間的摩擦。藉由更大的摩擦係數，為了接合ILM 12而需要的法向力減小。由於法向力減小，在視網膜14和ILM 12上形成的凹陷減小。鑷子20的爪28給予的減小的法向力降低了對視網膜14造成傷害的風險。在施加於ILM 12的法向力較小並且在視網膜14和ILM 12上形成的凹陷相應減小的情況下，在鑷爪28的尖端26之間捕捉視網膜14的一部分的風險也降低，進而還降低了在閉合鑷爪28並開始剝離ILM 12時對視網膜14造成傷害的風險。
圖4係圖3中所示的紋理化表面30的放大圖像。紋理化表面30包括多個表面特徵或微柱體34。在所展示的實例中，藉由將鑷爪28的遠側表面32施加雷射能量而形成微柱體34。紋理化表面30起到了增大鑷子20與ILM 12之間的摩擦係數的效果。結果係，減小了為了使用鑷子20抓取ILM 12而需要的法向力的大小。因此，使用者(例如外科醫生)能夠使用鑷子20向ILM 12和視網膜14施加更小的法向力來接合ILM 12。因此，降低了對視網膜14造成傷害的風險。
圖5係垂直於微柱體34截取的紋理化表面30之視圖，並且示出了由鑷爪28的尖端26限定的邊緣50。圖5示出了在遠側表面32上形成的多個雷射切口或痕跡36和42。所述多個雷射痕跡36和42限定了微柱體34陣列。在一些實現方式中，用於形成雷射痕跡42的雷射光束可以垂直於或者基本上垂直於鑷爪28的遠側表面32。在這種背景下，術語“基本上垂直”可以涵蓋由於例如因雷射源的固定位置和遠側表面32的曲率引起的變化、遠側表面32的變化、雷射源的不對準、以及在形成雷射痕跡42時用於控制 雷射光束的移動的靶向和定向系統的變化，所引起的入射雷射光束變化不與遠側表面32垂直。
圖6示出了紋理化表面30的截面視圖，該截面視圖係沿線AA截取的並且示出了微柱體34的剖面。用虛線展示了其中形成有紋理化表面30的遠側表面32。用於形成痕跡36的雷射光束可以以角度α入射至遠側表面32。在一些實現方式中，可以使用飛秒或皮秒雷射器。進一步地，在一些實現方式中，雷射器可以是固態雷射器。測量相對於遠側表面32的角度α。在一些實現方式中，角度α可以在10°至90°的範圍內，其中90°係垂直於遠側表面32。在一些實現方式中，角度α可以在20°至70°、20°至55°、30°至60°、40°至50°、20°至50°、或者30°至45°的範圍內。如圖6所示，除了展示微柱體34由於痕跡36的角度α而處於角度α，所展示的微柱體34還包括錐形剖面。因而，微柱體34的截面大小朝向基部41(即在微柱體34附接至鑷爪28的位置處)更大，而朝向端部43減小。雖然圖6示出了所有微柱體34以相同角度入射，但是本揭露的範圍並不受限於此。而是，在其他實現方式中，微柱體34中的一個或多個微柱體的角度α可以與一個或多個其他微柱體34不同。
如圖6中所示的實例展示的，角度α導致微柱體34朝向尖端26傾斜，然而，本揭露的範圍並不受限於此。因而，在其他實現方式中，微柱體34可以相對於尖端26朝任何方向傾斜。進一步地，在其他實現方式中，微柱體34中的一個或多個微柱體可以沿與一個或多個其他微柱體34不同的方向被包含。
微柱體34的高度H係從痕跡36的低谷45測得的並且是從由穿過低谷45的表面限定的有效表面47垂直地測得的。在一些實現方式中， 高度H可以是3μm至10μm。在其他實現方式中，高度H可以是3.5μm至10μm。在其他實現方式中，高度H可以是3.0μm至7μm、3.5μm至7μm、或者5μm至7μm。在還有其他實現方式中，微柱體34的高度H可以小於3μm或者大於10μm。進一步地，微柱體34的高度H可以跨紋理化表面30發生變化。
在一些實現方式中，微柱體34具有四棱金字塔形狀，例如圖11中所示。圖11示出了在鑷爪28的遠側紋理化表面上靠近尖端26而形成的微柱體34。雖然為了清晰目的，圖11示出了單一金字塔形微柱體34，但應理解的是，在鑷爪28的遠側紋理化表面上形成有多個金字塔形微柱體34。
如所展示的，金字塔形微柱體34包括四個壁，包括前壁200、後壁210、以及兩個側壁220。圖11的實例示出了傾斜形成的金字塔形微柱體34。在這個實例中，前壁200朝向鑷爪28的尖端26定向，而後壁210背離鑷爪28的尖端26定向。該等壁200、210和220從基部230至點240逐漸變小。金字塔形微柱體34可以以斜角(例如圖6所展示的)或者以非斜角(例如圖9和圖10所展示的)形成。在一些情形下，由於因為在雷射成形過程中的消融而移除了鑷爪28的材料，形成了金字塔形微柱體34的側面(以及因此微柱體34本身)。在其他情形下，金字塔形微柱體34的壁可以藉由研磨、蝕刻、或者其他類型的適用成形方法而形成。
金字塔形微柱體34的壁200、210和220被佈置成相對於由基部230限定的平面處於一定角度。在一些情形下，微柱體34在基部230處的長度K可以在7μm至13μm的範圍內。微柱體34的寬度M可以在7μm至13μm的範圍內。在一些情形下，微柱體34中的一個或多個微柱體的長度K可以大於寬度M。在其他情形下，微柱體34中的一個或多個微柱體的長度K可 以小於寬度M。在還有其他情形下，微柱體34中的一個或多個微柱體的長度K可以與寬度M相同。在一些實現方式中，高度H(如圖6中定向所示)可以在3μm至7μm的範圍內。點240具有的厚度可以在1.0μm至0.5μm範圍內(如在由與基部230限定的平面平行的平面所限定的點240的截面中測得的)。點240可以具有與金字塔形微柱體34在其基部230處的形狀總體相對應的截面形狀(沿著與微柱體34的基部230平行的平面截取)。因而，點240的厚度可以是在點240處測得的尺寸K或M。實際情況係，在本揭露所設想的比例尺上，點240的尺寸K和M在一些實現方式中可能不是清晰可辨的。因而，點240的厚度可以是點240的最大尺寸。
儘管展示的是金字塔形微柱體，但是本揭露的範圍並不受限於此。而是，在其他實現方式中，微柱體可以具有圓柱形形狀，該圓柱形形狀沿著微柱體的整個長度具有值定截面。進一步地，在其他實現方式中，微柱體的截面形狀(沿著與微柱體的基部平行的平面截取)可以是圓形、多邊形、或者矩形、方形、或者任何其他希望的形狀。
認為當本揭露的微柱體34具體呈金字塔形式時，微柱體34的點240穿透膜(如ILM)以幫助移除該膜。
再次參照圖5，展示了在微柱體34的基部41附近截取的紋理化表面的截面視圖。雷射痕跡36和42的寬度可以在大致2μm至30μm的範圍內。在一些實現方式中，雷射切口36和42的寬度可以在2μm至10μm的範圍內。在還又其他實現方式中，雷射切口36和42中的一個或多個雷射切口的寬度可以與一個或多個其他雷射切口36和42不同。因而，在其他實現方式中，一個或多個雷射切口36的寬度可以大於或小於一個或多個其他雷射切口36的寬度。類似地，一個或多個雷射切口42的寬度可以大於或小於一個 或多個其他雷射切口42的寬度。
如圖5所示，寬度W1定義了相鄰痕跡36之間的距離，並且寬度W2定義了相鄰痕跡42之間的距離。在一些實現方式中，寬度W1和W2可以在2μm至15μm的範圍內或者在2μm至10μm的範圍內。在其他實現方式中，寬度W1和W2可以在2μm至7μm的的範圍內。在其他實現方式中，寬度W1和W2可以在2μm至5μm的的範圍內。在一些實現方式中，寬度W1和W2可以彼此不同。也就是說，在一些情形下，微柱體34的寬度W1可以大於或小於寬度W2。此外，微柱體34的截面尺寸可以沿紋理化表面30變化。因而，在一些情形下，微柱體34中的一個或多個微柱體具有的寬度W1可能與寬度W2相同，而一個或多個其他微柱體34具有的寬度W1可能與寬度W2不同。因而，微柱體34的大小可以沿紋理化表面30變化。
在微柱體34的基部41附近，微柱體34可以具有為Z1和Z2的截面尺寸。尺寸Z1和Z2可以基本上對應於寬度W1和寬度W2、但是由於雷射痕跡本身的寬度而減小。因而，在一些實現方式中，尺寸Z1和/或Z2的大小可以在3μm至10μm、4μm至9μm、或者5μm至8μm的範圍內。該等範圍僅被提供作為實例。因而，在其他實現方式中，尺寸Z1和Z2可以小於3μm或者大於10μm。尺寸Z1和Z2的大小可以被選擇成任何希望的大小。
圖5示出了由雷射痕跡36和42形成的正交網格圖案。如圖5所示，痕跡36平行於或者可以基本上平行於邊緣50。例如因為製造上的變化或製造過程中可能產生的小幅不對準引起痕跡36或邊緣50的取向變化，所以痕跡36可以被描述成基本上平行於邊緣50。例如，在一些情形下，儘管旨在平行定向，但是用於形成雷射痕跡36的雷射可能與鑷子20不對準，使得痕跡36可能與邊緣50形成微小角度。同樣，尖端26的形成可能導致尖 端26與產生的痕跡26略微不平行。因而，雖然旨在獲得邊緣20與痕跡36之間的平行關係，但是製造上的變化可能導致邊緣50的取向與痕跡36之間有略微偏差。
然而，本揭露的範圍並不受限於此。而是，可以在鑷爪28的遠側表面32上形成任何圖案。圖7和圖8示出了微柱體34的可以在鑷爪28的遠側表面32上形成的其他示例性圖案。圖7示出了雷射痕跡36和42向由尖端26形成的邊緣50傾斜的圖案。與圖5所示及上述實例類似，雷射痕跡36和42形成具有寬度W1和寬度W2的微柱體34。在一些情形下，痕跡36和42可以被選擇成使得寬度W1和W2相同。在其他情形下，寬度W1和W2可以是不同的。更進一步地，寬度W1和W2中的一個或多個寬度可以沿紋理化表面30變化以產生大小不同的微柱體34。
圖8示出了由雷射痕跡36和42形成的另一個實例性圖案。在這個實例中，痕跡36係圓形或扇貝形的，而痕跡42係直的。在一些實現方式中，痕跡36之間的間距S可以是相等的。在其他情形下，間距S可以在紋理化表面30上變化。類似地，在一些實現方式中，痕跡42之間的寬度W2可以是相等的。在其他實現方式中，紋理化表面30可以包括不同的寬度W2。雖然圖7和圖8示出了微柱體34的、可以在紋理化表面30上形成的圖案的兩個額外實例，但是任何其他希望的圖案也被包含在本揭露的範圍內。
圖9和圖10展示了另一個示例性鑷子90。鑷子90可以類似於上述鑷子20。然而，在鑷爪98的遠側表面96上形成的紋理化表面94的微柱體92不包括傾角。也就是說，角度α係90°。同樣與上述示例性鑷子20類似，相應相鄰雷射痕跡100和102之間的距離W1和W2以及微柱體92的大小Z1和Z2和高度H可以具有上述相同的範圍。
儘管本揭露係在鑷子的背景下做出的，但是本揭露的範圍並不受限於此。而是，在此描述的類型的紋理化表面可以應用於其他類型的器械，例如像剪刀、刮刀、抹刀等，並且可以被使用。進一步地，具有如在在此描述的紋理化表面的器械可以用於其他醫學或技術領域中。
雖然上述各個實例係在使用雷射能量形成表面特徵的背景下描述的，然而，本揭露的範圍並不受限於此。而是，其他過程可以用於形成微柱體並且處於本揭露的範圍內。例如，也可以使用化學蝕刻藉由以化學方式移除材料來形成微柱體。為了使表面限定微柱體而移除的材料可以呈多個穀或凹槽(統稱為“痕跡”)的形式。因而，雖然雷射痕跡係在藉由雷射能量形成的痕跡的背景下描述的，但是一般性術語“痕跡”用於描述在器械的表面上形成的凹槽、切口或穀，例如用於限定器械的表面紋理和表面特徵。
在其他實現方式中，該等痕跡可以藉由光刻法形成。例如，在一些情形下，如在使用光刻膠材料的情況下，可以在外科手術器械的一部分上掩蔽希望的圖案。光刻膠材料可以是正性光刻膠或負性光刻膠。可以將光刻膠材料暴露於輻射(例如紫外線或者其他頻率輻射)下以限定有待蝕刻的圖案。可以對掩蔽的區域施加化學溶液以移除光刻膠材料的一部分從而限定希望的圖案。可以清洗掩蔽的表面，並且可以向外科手術器械的、具有由該圖案限定的暴露表面的這部分(即，不存在光刻膠的區域)施加蝕刻劑以便蝕刻所述表面的外科手術材料並且形成希望的形貌，例如痕跡。
在一些實現方式中，在本揭露範圍內的外科手術器械可以全部或部分由金屬形成，例如像鋼(例如不銹鋼)、鈦、或其他金屬。在其他 實現方式中，器械可以全部或部分由聚合物形成。例如，器械可以是聚合物尖端的器械，其中器械的、被製成用於接觸組織的尖端部分係由聚合物形成的。在其他情形下，器械可以至少部分地由玻璃形成。在此描述的類型的紋理可以例如藉由化學蝕刻(例如，使用光刻膠材料)、雷射能量、研磨、模制、或其他方法在由聚合物形成的器械表面上形成。
熟習該項技術者將理解，本揭露涵蓋的實現方式不限於上述具體示例性實現方式。就此而言，儘管已示出並描述了說明性實現方式，但是上述揭露中設想到各種各樣的修改、改變、組合、和替換。應理解，在不脫離本揭露的範圍的情況下，可以對上述內容進行這樣的改變。因此，應理解，對所附申請專利範圍廣義地並按照符合本揭露的方式地加以解釋。

Claims (18)

  1. 一種外科手術鑷子，包括：鑷爪，該鑷爪接合身體的組織，該鑷爪包括表面；第一痕跡圖案，該第一痕跡圖案在該表面上沿第一方向形成，該第一痕跡圖案的相鄰痕跡之間的第一間距在大致5.5μm至15μm的範圍內；以及第二痕跡圖案，該第二痕跡圖案在該表面上沿與該第一方向不同的第二方向形成，該第二痕跡圖案的相鄰痕跡之間的第二間距在大致5.5μm至15μm的範圍內，該第一痕跡圖案和該第二痕跡圖案限定了微柱體陣列，該微柱體陣列中的微柱體具有在3μm至10μm範圍內的高度。
  2. 如請求項1所述之外科手術鑷子，其中，該微柱體陣列中的該等微柱體中的一個或多個微柱體相對於該鑷爪的該表面傾斜了在20°至55°範圍內的角度。
  3. 如請求項2所述之外科手術鑷子，其中，該微柱體陣列中的該等微柱體中的一個或多個微柱體傾斜了在30°至45°範圍內的角度。
  4. 如請求項1所述之外科手術鑷子，其中，該微柱體陣列中的該等微柱體具有在3.5μm至7μm範圍內的高度。
  5. 如請求項1所述之外科手術鑷子，其中，該第一痕跡圖案的和該第二痕跡圖案的該等痕跡的寬度為大致2μm。
  6. 如請求項1所述之外科手術鑷子，其中，該等微柱體係錐形的。
  7. 如請求項1所述之外科手術鑷子，其中，該表面係該鑷爪的遠側表面。
  8. 如請求項1所述之外科手術鑷子，其中，該鑷爪包括限定了邊緣的尖端， 其中，該第一痕跡圖案基本上平行於該邊緣，並且其中，該第二痕跡圖案基本上垂直於該邊緣。
  9. 如請求項1所述之外科手術鑷子，其中，該鑷爪包括限定了邊緣的尖端，其中，該第一痕跡圖案和該第二痕跡圖案向該邊緣傾斜。
  10. 一種用於在外科手術鑷子上形成紋理化表面之方法，該方法包括：沿著該外科手術鑷子的鑷爪的表面在第一方向上形成第一痕跡圖案，該第一痕跡圖案的相鄰痕跡之間的第一間距在大致5.5μm至15μm的範圍內；在該表面上沿與該第一方向不同的第二方向形成第二痕跡圖案，該第二痕跡圖案的相鄰痕跡之間的第二間距在大致5.5μm至15μm的範圍內，該第一痕跡圖案和該第二痕跡圖案限定了微柱體陣列，該等微柱體具有在3μm至10μm範圍內的高度。
  11. 如請求項10所述之方法，其中，該微柱體陣列中的該等微柱體中的一個或多個微柱體被形成為相對於該鑷爪的該表面傾斜了在20°至55°範圍內的角度。
  12. 如請求項11所述之方法，其中，該微柱體陣列中的該等微柱體中的一個或多個微柱體傾斜了在30°至45°範圍內的角度。
  13. 如請求項10所述之方法，其中，該微柱體陣列中的該等微柱體具有在3.5μm至7μm範圍內的高度。
  14. 如請求項10所述之方法，其中，該第一痕跡圖案的和該第二痕跡圖案的該等痕跡的寬度為大致2μm。
  15. 如請求項10所述之方法，其中，該等微柱體係錐形的。
  16. 如請求項10所述之方法，其中，該鑷爪係鑷爪，並且其中，該表面係該鑷爪的遠側表面。
  17. 如請求項10所述之方法，其中，該鑷爪包括限定了邊緣的尖端，其中，該第一痕跡圖案基本上平行於該邊緣，並且其中，該第二痕跡圖案基本上垂直於該邊緣。
  18. 如請求項10所述之方法，其中，該鑷爪包括限定了邊緣的尖端，其中，該第一痕跡圖案和該第二痕跡圖案被形成為向該邊緣傾斜。
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