TW201812986A - 微影裝置及支撐結構 - Google Patents

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安德魯 賈治
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荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
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Abstract

一種微影裝置，其可包括：一固定框架，其具有一第一電導體；及一支撐結構，其經組態以支撐一物件。該支撐結構以可移動方式耦接至該框架且具有一第二電導體。該微影裝置亦可包括一導電流體，該導電流體將該第一電導體電耦接至該第二電導體。

Description

微影裝置及支撐結構
本發明係關於微影裝置及支撐例如基板或圖案化器件等物件之支撐結構。
微影裝置為將所要之圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用以(例如)製造積體電路(IC)。在此狀況下，圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)可產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單個基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 微影裝置通常包括支撐物件之至少一個可移動支撐結構，例如支撐基板之基板台或支撐圖案化器件之光罩台。使用一或多個電線將電源電流或信號自例如框架等固定源提供至可移動支撐結構。通常，將此等電線(及諸如經壓縮空氣管線等其他組件)容納在管道載體(例如，纜線板或臍帶式軟線)中，該管道載體為電線提供自固定組件傳遞至可移動支撐結構之管道。常常，管道載體經組態以在可移動支撐結構在微影裝置內移動時撓曲(例如，摺疊及展開)，且當管道載體撓曲時其中所含之電線亦撓曲。 微影裝置內之系統故障及污染之一個來源為管道載體及管道載體內所含有之電線。由於管道載體及電線歸因於可移動支撐結構之移動而撓曲，因此形成管道載體及電線之材料(例如，形成管道載體之材料或電線之聚合物絕緣材料)開始磨損。且最終，管道載體及電線磨損至系統故障點且/或歸因於此磨損而產生污染粒子。
因此，在一些實施例中，減少或排除用以在微影裝置內將電流自固定組件傳輸至可移動支撐結構之管道載波及電線之使用，由此減少或排除系統故障及污染之來源。 在一些實施例中，微影裝置包括具有第一電導體之固定框架及經組態以支撐物件之支撐結構。該支撐結構以可移動方式耦接至該框架且具有第二電導體。微影裝置亦包括將第一電導體電耦接至第二電導體之導電流體(例如，包含例如水銀之導電金屬之流體、包含水及鹽之流體、包含電漿之流體或包含電離氣體之流體)。 在一些實施例中，該框架界定含有導電流體之空腔。支撐件可經組態以沿著第一方向移動第一距離，且空腔在第一方向上可具有等於或大於第一距離之尺寸。支撐件亦可經組態以沿著不同於第一方向之第二方向移動第二距離，且空腔在第二方向上可具有等於或大於第二距離之尺寸。空腔在垂直方向上可與支撐件重疊。微影裝置可經組態以產生使導電流體保留在空腔內之氣流，或經組態以產生使導電流體保留在空腔內之磁場。 在一些實施例中，第二電導體包括浸沒在導電流體中之第一部分。 在一些實施例中，微影裝置包括電組件，該電組件電耦接至該第二電導體且耦接至該支撐結構使得該電組件與該支撐結構一起移動。該電組件可包括經組態以傳輸或接收經由導電流體傳輸之信號之感測器。該電組件可包括經組態以移動支撐結構之定位器。 在一些實施例中，微影裝置包括電耦接至第一電導體之電組件。該電組件可包括經組態以控制微影裝置之製程之資料處理裝置。 在一些實施例中，導電流體包括水銀或鎵。在一些實施例中，導電流體包括溶劑及電解質溶質。溶劑可包括水，且電解質溶質可包括鹽，例如氯化鈉。在一些實施例中，導電流體包含電漿或電離氣體。 在一些實施例中，支撐結構包括經組態以支撐基板之基板台。在一些實施例中，支撐結構包括經組態以支撐圖案化器件之光罩台。 下文參看隨附圖式詳細地描述實施例之另外特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
所揭示之實施例僅例示本發明。本發明之範疇並不限於所揭示之實施例。本發明由此處附加之申請專利範圍界定。 所描述實施例及在本說明書中對「一實例」、「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」、「一些實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。另外，在結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性在熟習此項技術者之認識範圍內。 然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。實例反射微影系統及透射微影系統 圖1A及圖1B分別為可供實施本發明之實施例的微影裝置100及微影裝置100'之示意性說明。微影裝置100及微影裝置100'各自包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，DUV或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台) MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化器件) MA且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板支撐結構(例如，基板台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位該基板W之第二定位器PW。微影裝置100及微影裝置100'亦具有投影系統PS，該投影系統PS經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒之部分) C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS為反射的。在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS為透射的。在一些實施例中，投影系統PS為反射折射的。 照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置100及100'之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。 術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的(如在圖1B之微影裝置100'中)或反射的(如在圖1A之微影裝置100中)。圖案化器件MA之實例包括倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減式相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。 術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。 微影裝置100及/或微影裝置100'可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板支撐結構WT (及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。 在此類「多載物台」機器中，可並聯地使用額外基板支撐結構WT，或可對一或多個台實施預備步驟，同時一或多個其他基板支撐結構WT用於曝光。 參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影裝置100、100'可為分離實體。在此等狀況下，不認為源SO形成微影裝置100或100'之部分，且輻射光束B憑藉包括(例如)適合導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源SO為水銀燈時，源SO可為微影裝置100、100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD (在圖1B中)。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要之均一性及強度分佈。 參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件MA圖案化。在微影裝置100中，自圖案化器件(例如，光罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化器件(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板支撐結構WT(例如，以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA與基板W。 參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係由該圖案化器件圖案化。在已橫穿光罩MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有與照明系統光瞳IPU共軛之光瞳PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受到光罩圖案處之繞射影響，產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈的影像。 藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板支撐結構WT(例如，以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位光罩MA (例如，在自光罩庫以機械方式擷取之後或在掃描期間)。 一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板支撐結構WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA與基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。 光罩台MT及圖案化器件MA可處於真空腔室中，其中真空內機器人IVR可用以將諸如光罩之圖案化器件移動於真空腔室中及移出真空腔室。替代地，當光罩台MT及圖案化器件MA係在真空腔室外部時，類似於真空內機器人IVR，真空外機器人可用於各種輸送操作。真空內機器人及真空外機器人兩者需要經校準以用於任何有效負載(例如，光罩)至轉移站之固定運動安裝台之平滑轉移。 微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT及基板支撐結構WT保持基本上固定(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板支撐結構WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式下，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台) MT及基板支撐結構WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性判定基板支撐結構WT相對於支撐結構(例如，光罩台) MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台) MT保持實質上固定，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板支撐結構WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板支撐結構WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用對所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 圖2示意性地描繪根據其中基板支撐結構WT包括影像感測器之實施例的圖1A或圖1B之微影裝置中所描繪之基板支撐結構WT之配置。在一些實施例中，如圖2中所展示，基板支撐結構WT包括兩個影像感測器IAS1及IAS2。影像感測器IAS1及IAS2可用以藉由經由圖案(例如，物件標記)之空中影像掃描影像感測器IAS1或IAS2而判定該空中影像在光罩MA上之部位。可自運用影像感測器IAS1、IAS2獲得之資訊推論出光罩MA上之物件標記相對於晶圓台WT之相對位置，且可自光罩MA上之物件標記之經量測位置計算數個參數。舉例而言，光罩MA之此等參數可包括MA之放大率(M)、圍繞z軸之旋轉度(R)、沿著光罩MA之x軸及y軸之平移(Cx、Cy)、在y方向上之放大率(My)，及掃描扭曲(RI)。 必須理解，代替兩個影像感測器IAS1及IAS2，可存在更多或更少影像感測器，例如一個或三個影像感測器。此等感測器及電子件之形式為熟習此項技術者所已知且將對其不進行進一步詳細地描述。對準機構之替代形式係可能的，且在本發明之範疇內有用。在其他實施例中，有可能免除影像感測器IAS1、IAS2，或將其提供於與攜載基板之晶圓台分離之支撐件上。 在另一實施例中，微影裝置100包括極紫外線(EUV)源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。微影裝置 之例示性實施例 圖3為根據實施例包括框架102及經組態以支撐物件之支撐結構104之微影裝置100之示意性側視圖。在一些實施例中，框架102可固定，且在其他實施例中，框架102可為可移動的。在一些實施例中，支撐結構104可以可移動方式耦接至框架102使得支撐結構104相對於框架102移動。 在一些實施例中，微影裝置100在結構及功能方面類似於上文參看圖1A及圖1B所描述之微影裝置100或100'。在一些實施例中，支撐結構104可例如為經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化器件)之如圖1A及圖1B中所論述之光罩台MT。在一些實施例中，支撐結構104可為經組態以支撐諸如晶圓之基板之如圖1A及圖1B中所論述之基板支撐結構WT。在一些實施例中，框架102為絕緣體。 微影裝置100亦可包括藉由電子、離子或兩者之移動而傳導電流之導電流體106。在一些實施例中，導電流體106具有大於純水之導電性之電導率，亦即大於約10- 4 mho/m。 在一些實施例中，導電流體106全部或部分地包括在微影裝置100運行的溫度下具有流體狀態之水銀、鎵、任何其他適合金屬或其組合。 在一些實施例中，導電流體106全部或部分地包括溶劑及電解質溶質。舉例而言，溶劑可為水，且電解質溶質可為鹽，諸如氯化鈉或氯化鈣。在其他實施例中，溶劑可為除水之外的流體，且電解質溶質可為除鹽之外的材料。 框架102可包括電耦接至導電流體106之至少一個電導體108，且支撐結構104可包括電耦接至導電流體106之至少一個電導體110。因而，導電流體106將電導體108電耦接至電導體110，使得可在電導體108與110之間傳輸電流。如下文更詳細地論述，舉例而言，所傳輸電流可為輸入信號、輸出信號或至電組件之電力。 電導體108及電導體110可為任何適合電導體，包含例如固體導電金屬(例如，銅或任何其他適合固體導電金屬)或任何其他適合固體導電材料。在一些實施例中，電導體108為電力或信號輸入/輸出電連接件。在一些實施例中，電導體110為桿體或由例如銅之固體導電金屬組成之任何其他適合結構。在一些實施例中，電導體110可耦接至支撐結構104使得導體110與支撐結構104一起移動。 在一些實施例中，框架102界定含有導電流體106之空腔112。定位空腔112使得至少電導體110之部分114接觸導電流體106(例如，部分114可浸沒在導電流體106中)，且電導體108之部分118亦可接觸空腔112中之導電流體106(例如，部分118可浸沒在導電流體106中)。由此，導電流體106將電導體110電耦接至電導體108。 在一些實施例中，空腔112經組態(例如，經定形、經大小設定及經定位)使得電導體110之部分114遍及可移動支撐結構104之某一或整個運動範圍接觸導電流體106。舉例而言，如圖3及圖4中所展示，可移動支撐結構104可經組態以在第一方向122上移動第一距離且在第二不同方向124上移動第二距離。在一些實施例中，第一方向122與第二方向124如圖3及圖4中所展示彼此垂直且可對應於微影裝置100之X軸及Y軸。在此類實施例中，空腔112可經定形及大小設定以具有適應支撐結構104在第一方向122上之移動的在平行於方向122的方向上之第一尺寸126，且空腔112可經定形及大小設定以具有適應支撐結構104在第二方向124上之移動的平行於第二方向124之第二尺寸128。 在一些實施例中，第一尺寸126與第二尺寸128可等於支撐結構104在第一方向122及第二方向124上移動之各別距離。因此，若電導體110定位於支撐結構104之中心處，則電導體110並不接觸界定空腔112之周邊壁直至支撐結構104在第一方向122及第二方向124上到達其終端位置為止。 在其他實施例中(如圖3及圖4中所展示)，第一尺寸126與第二尺寸128可大於支撐結構104在第一方向122及第二方向124上移動之各別距離。因此，若電導體110定位於支撐結構104之中心處，則電導體110在支撐結構104之運動範圍內之任何點處並不與界定空腔112之周邊壁對接。 共同地參看圖3至圖5，電導體110直接地或間接地電耦接至一或多個電組件130，其耦接至可移動支撐結構104。在一些間接電耦接實施例中，電導體110電耦接至耦接至可移動支撐結構104之匯流排，且電組件130電耦接至該匯流排，其將電組件130電耦接至電導體110。在一些實施例中，複數個電組件130可耦接至匯流排。在一些間接電耦接實施例中，電導體110電耦接至一或多個信號處理或調節組件，例如放大器及濾波器，其電耦接至電組件130。 電組件130可為在微影裝置100之操作期間之任何點處需要電力、接收信號、發射信號或其任何組合的任何器件。舉例而言，在一些實施例中，電組件130可為形成定位器PM或定位器PW之部分之長衝程模組(粗略定位)或短衝程模組(精細定位)，如上文參看圖1A及圖1B所描述。在一些實施例中，電組件130可為感測器(例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)。舉例而言，電組件130可為構成用於定位圖案化器件支撐件MT或基板支撐結構WT之位置感測器IF1或位置感測器IF2之感測器，如上文參看圖1A及圖1B所描述。或舉例而言，電組件130可為構成判定圖案化器件MA上之圖案(例如物件標記)之空中影像之部位的影像感測器IAS1及IAS2之感測器，如上文參看圖2所描述。 共同地參看圖3至圖5，電導體108直接地或間接地電耦接至一或多個電組件132，該等電組件可或可不耦接至框架102。在一些實施例中，電組件132包含資料處理裝置，例如控制微影裝置100之各個組件(例如，致動器及感測器)之移動及量測中之全部或一些的控制器。例示性資料處理裝置包括實施與微影裝置100之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。在一些實施例中，資料處理裝置為許多子單元之系統，每一子單元處置子系統或微影裝置100內之組件之即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於定位器PW之伺服控制，且獨立單元甚至可處置粗糙及精細致動器，或不同軸線。另一單元可專用於位置感測器IF1或IF2之讀出。微影裝置100之總控制可受到中央處理單元控制，該中央處理單元與此等子系統處理單元通信、與操作者通信，且與微影製造製程中涉及之其他裝置通信。資料處理裝置在一些實施例中可為微處理器，且在一些實施例中可執行非暫時性電腦可讀儲存媒體上所記錄之指令，非暫時性電腦可讀儲存媒體諸如硬碟機、軟碟、諸如緊密光碟(CD)或數位多功能光碟(DVD)之光學光碟、快閃記憶體等。 在一些實施例中，導電流體106部分或完全地替代為電耦接電組件130與132且在固定框架102與可移動支撐結構104之間延行的電線提供管道且在微影裝置中使用之傳統管道載體之功能性。因此，在一些實施例中，承載電線或其他導體以將可移動支撐結構104上之電組件130電耦接至並不在可移動支撐結構104上之電組件132的管道載體中之全部或一些可自微影裝置100省略，由此降低或排除系統故障及/或污染之風險。 在一些實施例中，微影裝置100經組態以在真空環境下操作以用於例如EUV或電子束輻射。在一些真空實施例中，微影裝置100包括用於將導電流體106保留在空腔112內之機構。圖6及圖7說明兩個例示性實施例。 如圖6中所示，在一些實施例中，微影裝置100可經組態以產生將導電流體106保留在空腔112內之空氣射叢。在一些空氣射叢實施例中，導電流體106可具有低蒸氣壓。舉例而言，在一些實施例中，導電流體106為在室溫下具有約100 pPa之蒸氣壓之離子液體(相較於在室溫下具有約3 kPa之蒸氣壓之純水)。且微影裝置100經組態以跨空腔112中導電流體106之曝露表面產生氣流134。氣流134形成將導電流體106保留在空腔112中之空氣射叢。在一些實施例中，框架102包括引入氣流134之入口136及排出氣流134之出口138。在一些實施例中，氣流134由氦氣、氬氣、氫氣、氮氣等等中之一或多者組成。 如圖7中所示，在一些實施例中，微影裝置100可經組態以產生排斥導電流體106使得其保留在空腔112中之磁場。在一些磁場實施例中，導電流體106為電離氣體或電漿。舉例而言，在一些實施例中，電離氣體或電漿包含惰性氣體或水銀蒸汽。微影裝置100亦可包括經組態以產生以使導電流體保留在空腔112中之方式排斥導電流體106 (例如，電離氣體或電漿)之磁場142的磁體。在一些實施例中，磁體140為永久磁體。在其他實施例中，磁體140為電磁體。 儘管在本文中可特定地參看微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之上下文中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)自動化光阻塗佈及顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光之抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 儘管上文可特定地參看在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞應由熟習相關技術者鑒於本文中之教示予以解譯。 在本文中所描述之實施例中，術語「透鏡」及「透鏡元件」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 另外，本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5 nm至20 nm之範圍內之波長，諸如13.5 nm)或在小於5 nm下工作之硬X射線，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。一般而言，具有為約400 nm至約700 nm之間的波長之輻射被視為可見輻射；具有為約780 nm至3000 nm(或更大)之間的波長之輻射被視為IR輻射。UV係指具有大致100 nm至400 nm之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由水銀放電燈產生之波長：G線436 nm；H線405 nm；及/或I線365 nm。真空UV或VUV (亦即，由氣體吸收之UV)指具有大致100 nm至200 nm之波長的輻射。深UV (DUV)通常係指具有在126 nm至428 nm之範圍內的波長之輻射，且在一實施例中，準分子雷射可產生在微影裝置內使用之DUV輻射。應瞭解，具有在(例如) 5 nm至20 nm之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶之至少部分係在5 nm至20 nm之範圍內。 如本文中所使用之術語「基板」通常描述在上面添加後續材料層之材料。在實施例中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。 如本文所使用之術語「實質接觸」通常描述彼此實體接觸之元件或結構，而彼此僅具有微小分離度，該分離度通常係由未對準容許度引起。應理解，本文所使用之一或多個特定特徵、結構或特性之間的相對空間描述(例如，「垂直對準」、「實質接觸」等等)係僅出於說明之目的，且本文所描述之結構之實務實施可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下包括未對準容許度。 儘管上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。該描述不意欲限制本發明。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。 應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明者所設想之一或多個但並非所有例示性實施例，且因此並不意欲以任何方式限制本發明及所附申請專利範圍。 上文已憑藉說明指定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述實施例。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。 對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般本質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、根據各種應用而容易修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及導引進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
100‧‧‧微影裝置
100'‧‧‧微影裝置
102‧‧‧框架
104‧‧‧支撐結構
106‧‧‧導電流體
108‧‧‧電導體
110‧‧‧電導體
112‧‧‧空腔
114‧‧‧部分
118‧‧‧部分
122‧‧‧第一方向
124‧‧‧第二方向
126‧‧‧第一尺寸
128‧‧‧第二尺寸
130‧‧‧電組件
132‧‧‧電組件
134‧‧‧氣流
136‧‧‧入口
138‧‧‧出口
140‧‧‧磁體
142‧‧‧磁場
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IAS1‧‧‧影像感測器
IAS2‧‧‧影像感測器
IF‧‧‧位置感測器
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器/照明系統
IN‧‧‧積光器
IPU‧‧‧照明系統光瞳
IVR‧‧‧真空內機器人
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PPU‧‧‧光瞳
PM‧‧‧第一定位器
PW‧‧‧第二定位器
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧輻射源/源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板支撐結構/晶圓台
併入至本文中且形成本說明書之一部分的隨附圖式說明本發明，且連同該描述進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。 圖1A為根據實施例之反射微影裝置的示意性說明。 圖1B為根據實施例之透射微影裝置的示意性說明。 圖2為根據實施例之基板台及基板的示意性平面視圖。 圖3為根據實施例之具有固定框架及可移動支撐結構之微影裝置之示意性側視圖。 圖4為根據實施例之圖3的微影裝置之示意性平面視圖。 圖5為根據實施例之具有固定框架及可移動支撐結構之微影裝置之方塊圖。 圖6為根據實施例之經組態以產生空氣射叢之微影裝置之示意性側視圖。 圖7為根據實施例之經組態以產生磁場之微影裝置之示意性側視圖。 根據下文在結合圖式所闡述之實施方式，所揭示實施例之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相似參考數字通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。一元件第一次出現之圖式係在對應參考數字中由最左側數位指示。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。

Claims (20)

  1. 一種微影裝置，其包含： 一固定框架，其具有一第一電導體； 一支撐結構，其經組態以支撐一物件、以可移動方式耦接至該框架、且具有一第二電導體；及 一導電流體，其經組態以將該第一電導體電耦接至該第二電導體。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該框架界定含有該導電流體之一空腔。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中： 該支撐結構經組態以沿著一第一方向移動一第一距離；且 該空腔在該第一方向上具有等於或大於該第一距離之一尺寸。
  4. 如請求項2之微影裝置，其中： 該支撐結構經組態以沿著不同於該第一方向之一第二方向移動一第二距離；且 該空腔在該第二方向上具有等於或大於該第二距離之一尺寸。
  5. 如請求項2之微影裝置，其中該空腔在一垂直方向上與該支撐結構重疊。
  6. 如請求項2之微影裝置，其中該微影裝置經組態以產生將該導電流體保留在該空腔內之一氣流。
  7. 如請求項2之微影裝置，其中該微影裝置經組態以產生將該導電流體保留在該空腔內之一磁場。
  8. 如請求項1之微影裝置，其中該第二電導體包含浸沒在該導電流體中之一第一部分。
  9. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含一電組件，該電組件電耦接至該第二電導體且耦接至該支撐結構使得該電組件與該支撐結構一起移動。
  10. 如請求項9之微影裝置，其中該電組件包含經組態以傳輸或接收經由該導電流體傳輸之一信號之一感測器。
  11. 如請求項9之微影裝置，其中該電組件包含經組態以移動該支撐結構之一定位器。
  12. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含電耦接至該第一電導體之一電組件。
  13. 如請求項12之微影裝置，其中該電組件包含經組態以控制該微影裝置之一製程之一資料處理裝置。
  14. 如請求項1之微影裝置，其中該導電流體包含水銀。
  15. 如請求項1之微影裝置，其中該導電流體包含鎵。
  16. 如請求項1之微影裝置，其中該導電流體包含一溶劑及一電解質溶質。
  17. 如請求項16之微影裝置，其中該溶劑包含水且該電解質溶質包含一鹽。
  18. 如請求項17之微影裝置，其中該鹽包含氯化鈉。
  19. 如請求項1之微影裝置，其中該支撐結構包含經組態以支撐一基板之一基板台。
  20. 如請求項1之微影裝置，其中該支撐結構包含經組態以支撐一圖案化器件之一光罩台。
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