本發明提供化學-機械拋光組合物，其包含以下各項、基本上由其組成或由其組成：(a)濕法氧化鈰磨料，(b)包含具胺之錨定基團及環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團之界面活性劑，其中該界面活性劑具有約1000道爾頓至約5000道爾頓之分子量，(c)芳香族羧酸或雜芳香族羧酸及(d)水，其中該拋光組合物具有約3至約6之pH。 化學-機械拋光組合物包含氧化鈰磨料。如業內所知，氧化鈰係稀土金屬鈰之氧化物，且稱為氧化鈰(ceric oxide)、氧化鈰(cerium oxide) (例如，氧化鈰(IV))或二氧化鈰。氧化鈰(IV) (CeO
2
)可藉由煆燒草酸鈰或氫氧化鈰來形成。鈰亦形成氧化鈰(III)，例如Ce
2
O
3
。氧化鈰磨料可為氧化鈰之該等或其他氧化物中之任一或多者。 氧化鈰磨料可為任何適宜類型。如本文所使用，“濕法”氧化鈰係指藉由沉澱、縮合-聚合或類似製程(如與(例如)發煙或熱解氧化鈰相反)製備之氧化鈰。說明性濕法氧化鈰係自Rhodia Inc. (Cranbury, NJ)購得之HC-60™氧化鈰。另一說明性濕法氧化鈰係闡述於共同待決申請案美國專利申請案序號15/056,198中。 濕法氧化鈰顆粒可藉由任一適宜製程製取。在一實施例中，濕法氧化鈰顆粒可藉由首先將氧化鈰前驅物溶解於水中來製備。氧化鈰前驅物可為任一適宜的氧化鈰前驅物，且可包括帶有任一適宜電荷(例如，Ce
3+
或Ce
4+
)之氧化鈰鹽。適宜氧化鈰前驅物包括(例如)硝酸鈰(III)、硝酸鈰(IV)銨、碳酸鈰(III)、硫酸鈰(IV)及氯化鈰(III)。較佳地，氧化鈰前驅物係硝酸鈰(III)。 氧化鈰顆粒可具有任一適宜平均大小(亦即，平均粒徑)。若平均氧化鈰粒度太小，則拋光組合物可能不展現足夠的去除速率。反之，若平均氧化鈰粒度太大，則拋光組合物可呈現不合意的拋光性能，例如差的基板缺陷率。因此，氧化鈰顆粒可具有約10 nm或更大之平均粒度，例如約15 nm或更大、約20 nm或更大、約25 nm或更大、約30 nm或更大、約35 nm或更大、約40 nm或更大、約45 nm或更大或約50 nm或更大。或者或另外，氧化鈰可具有約1,000 nm或更小之平均粒度，例如約750 nm或更小、約500 nm或更小、約250 nm或更小、約150 nm或更小、約100 nm或更小、約75 nm或更小或約50 nm或更小。因此，氧化鈰可具有由任兩個上文所提及之端點定界之平均粒度。例如，氧化鈰可具有以下平均粒度：約10 nm至約1,000 nm、約10 nm至約750 nm、約15 nm至約500 nm、約20 nm至約250 nm、約20 nm至約150 nm、約25 nm至約150 nm、約25 nm至約100 nm或約50 nm至約150 nm或約50 nm至約100 nm。對於非球形氧化鈰顆粒，顆粒大小係涵蓋顆粒之最小球體之直徑。氧化鈰之粒度可使用任一適宜技術來量測，例如使用雷射繞射技術。適宜粒度量測儀器可自(例如) Malvern Instruments (Malvern, UK)獲得。 氧化鈰顆粒在本發明拋光組合物中較佳具有膠態穩定性。術語膠體係指氧化鈰顆粒於液體載劑(例如，水)中之懸浮液。膠態穩定性係指經過一段時間仍能維持該懸浮液形式。在本發明之上下文中，若在將磨料置於100 mL量筒內並使其無攪動地靜置2小時之時間時，量筒底部50 mL中之顆粒濃度([B]，以g/mL表示)與量筒頂部50 mL中之顆粒濃度([T]，以g/mL表示)之間之差除以磨料組合物中之顆粒初始濃度([C]，以g/mL表示)小於或等於0.5 (亦即，｛[B]-[T]｝/[C] ≤ 0.5)，則將該磨料視為具有膠態穩定性。更佳地，[B]-[T]/[C]之值小於或等於0.3且最佳地小於或等於0.1。 該拋光組合物可包含任一適宜量之氧化鈰磨料。若本發明之拋光組合物包含過少氧化鈰磨料，則組合物可能不展現足夠的去除速率。反之，若拋光組合物包含過多氧化鈰磨料，則拋光組合物可能展現不合意的拋光性能及/或可能不成本有效及/或可能缺少穩定性。拋光組合物可包含約10 wt.%或更少之氧化鈰，例如約9 wt.%或更少、約8 wt.%或更少、約7 wt.%或更少、約6 wt.%或更少、約5 wt.%或更少、約4 wt.%或更少、約3 wt.%或更少、約2 wt.%或更少、約1 wt.%或更少、約0.9 wt.%或更少、約0.8 wt.%或更少、約0.7 wt.%或更少、約0.6 wt.%或更少或約0.5 wt.%或更少。或者或另外，拋光組合物可包含約0.01 wt.%或更多之氧化鈰，例如約0.05 wt.%或更多、約0.1 wt.%或更多、約0.2 wt.%或更多、約0.3 wt.%或更多、約0.4 wt.%或更多、約0.5 wt.%或更多或約1 wt.%或更多。因此，拋光組合物可包含由任兩個上文所提及之端點定界之量之氧化鈰。舉例而言，拋光組合物可包含以下量之氧化鈰：約0.01 wt.%至約10 wt.%、約0.05 wt.%至約10 wt.%、約0.05 wt.%至約9 wt.%、約0.05 wt.%至約8 wt.%、約0.05 wt.%至約7 wt.%、約0.05 wt.%至約6 wt.%、約0.05 wt.%至約5 wt.%、約0.05 wt.%至約4 wt.%、約0.05 wt.%至約3 wt.%、約0.05 wt.%至約2 wt.%、約0.05 wt.%至約1 wt.%、約0.2 wt.%至約2 wt.%、約0.2 wt.%至約1 wt.%或約0.3 wt.%至約0.5 wt.%。在實施例中，拋光組合物在使用點處包含約0.05 wt.%至約2 wt.%之氧化鈰(例如，約0.3 wt.%之氧化鈰)。 拋光組合物包含界面活性劑。界面活性劑可係任何適宜之界面活性劑。較佳地，拋光組合物包含包含具胺之錨定基團及環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團之界面活性劑，其中該界面活性劑具有約1000道爾頓至約5000道爾頓之平均分子量，例如約1500道爾頓、約2000道爾頓、約2500道爾頓、約3000道爾頓、約3500道爾頓、約4000道爾頓或約4500道爾頓。 在實施例中，界面活性劑係包含下式之具胺之錨定基團之陽離子梳型聚合物：
， 其中Ar係1,4-二取代之伸芳基或
，且n係約2至約10之整數，例如約3、約4、約5、約6、約7、約8或約9。陽離子梳型聚合物進一步包含附接至主鏈氮原子之環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團，其中該環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團具有式：-(CH(CH
3
)CH
2
O)
x
(CH
2
CH
2
O)
y
CH
3
，其中x及y係約2至約25之獨立選擇之整數。在較佳實施例中，界面活性劑係自Huntsman Corporation (Woodlands，TX)購得之Jeffsperse
TM
X3503。 如業內所充分瞭解的，胺官能化之基團為鹼性且可端視包含胺官能化基團之拋光組合物的pH變得經質子化。因此，界面活性劑端視拋光組合物之pH係陽離子界面活性劑。舉例而言，陽離子梳型聚合物在約2至約7之pH值(例如，約6之pH、約5之pH、約4之pH或約3之pH)下可視為陽離子的。 在另一實施例中，界面活性劑包含一個下式之單((二乙基胺基)烷基)醚錨定基團：
。 該界面活性劑進一步包含式：-C
2
H
4
(OCH
2
CH
2
)
x
(OCH(CH
3
)CH
2
)
y
OH之環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團，其中x及y係約2至約25之獨立選擇之整數，其中該穩定基團之環氧乙烷單元對環氧丙烷單元之比率為約1:1至約1:3，例如約1:2。在較佳實施例中，界面活性劑係自Lubrizol Corporation (Wickliffe，OH)購得之Solsperse
TM
20000。 不希望受限於任一特定理論，據信根據圖1，界面活性劑位於正在拋光之基板之溝槽中，以阻斷拋光墊通路。另外，界面活性劑之輕微親水性之部分維持對溝槽中帶負電荷之原矽酸四乙酯(TEOS)表面之庫侖(Coulombic)引力，從而產生潛在的氫鍵結。此外，界面活性劑將TEOS之表面電位自負轉化為正，從而降低對氧化鈰之庫侖引力。因此，溝槽中之聚合物累積導致保護層之形成，從而減少TEOS侵蝕並增加平面化效率。 拋光組合物可包含任一適宜量之界面活性劑。拋光組合物可包含約500 ppm或更少之界面活性劑，例如約400 ppm或更少、約300 ppm或更少、約200 ppm或更少、約100 ppm或更少或約75 ppm或更少。或者或另外，拋光組合物可包含約10 ppm或更多之界面活性劑，例如約15 ppm或更多、約20 ppm或更多、約25 ppm或更多、約30 ppm或更多、約35 ppm或更多、約40 ppm或更多、約45 ppm或更多或約50 ppm或更多。因此，界面活性劑可以由任兩個上文所提及之端點定界之量存在於拋光組合物中。舉例而言，拋光組合物可包含約10 ppm 至約500 ppm之界面活性劑，例如約15 ppm 至約500 ppm、約20 ppm 至約500 ppm、約25 ppm 至約500 ppm、約30 ppm 至約500 ppm、約35 ppm 至約500 ppm、約40 ppm 至約500 ppm、約45 ppm 至約500 ppm、約50 ppm 至約500 ppm、約50 ppm 至約400 ppm、約50 ppm 至約300 ppm、約50 ppm 至約200 ppm、約50 ppm 至約100 ppm、約50 ppm 至約75 ppm、約10 ppm 至約75 ppm或約50 ppm 至約300 ppm。 拋光組合物包含芳香族羧酸或雜芳香族羧酸。芳香族羧酸或雜芳香族羧酸可為任何適宜之芳香族羧酸或雜芳香族羧酸。芳香族羧酸及雜芳香族羧酸之非限制性實例包括苯甲酸、1,2-苯二甲酸、1,3-苯二甲酸、1,4-苯二甲酸、柳酸、吡啶羧酸、吡啶二羧酸及諸如此類。較佳地，芳香族羧酸或雜芳香族羧酸係吡啶羧酸。 拋光組合物可包含任一適宜量之芳香族羧酸或雜芳香族羧酸。拋光組合物可包含約1000 ppm或更少之芳香族羧酸或雜芳香族羧酸，例如約900 ppm或更少、約800 ppm或更少、約700 ppm或更少、約600 ppm或更少或約500 ppm或更少。或者或另外，拋光組合物可包含約1 ppm或更多之芳香族羧酸或雜芳香族羧酸，例如約50 ppm或更多、約100 ppm或更多、約200 ppm或更多、約300 ppm或更多或約400 ppm或更多。因此，芳香族羧酸或雜芳香族羧酸可以由任兩個上文所提及之端點定界之量存在於拋光組合物中。舉例而言，拋光組合物可包含約1 ppm至約500 ppm 之芳香族羧酸或雜芳香族羧酸，例如約50 ppm至約500 ppm、約100 ppm至約500 ppm、約200 ppm至約500 ppm、約300 ppm至約500 ppm、約400 ppm至約500 ppm、約400 ppm至約600 ppm、約400 ppm至約700 ppm、約400 ppm至約800 ppm、約400 ppm至約900 ppm、約400 ppm至約1000 ppm或約1 ppm至約1000 ppm。 拋光組合物可具有任何適宜之pH。通常，拋光組合物具有約2或更高之pH，例如約2.5或更高、約3或更高、約3.5或更高、約4或更高或約4.5或更高。或者或另外，拋光組合物可具有約7或更低之pH，例如約6.5或更低、約6或更低、約5.5或更低或約5或更低。因此，拋光組合物可具有由任兩個上述端點定界之pH。舉例而言，拋光組合物可具有約2至約7之pH，例如約2.5至約7、約3至約7、約3.5至約7、約4至約7、約4.5至約7、約2.5至約6.5、約2.5至約6、約2.5至約5.5、約2.5至約5、約3至約6.5、約3至約6、約3至約5或約3.5至約5.5。 可使用任何適宜之酸或鹼來調節拋光組合物之pH。適宜酸之非限制性實例包括硝酸、硫酸、磷酸及有機酸(例如，乙酸)。適宜鹼之非限制性實例包括氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化銨以及有機鹼(例如，乙醇胺、二乙醇胺及三乙醇胺)。 化學-機械拋光組合物視情況進一步包含一或多種添加劑。說明性添加劑包括調節劑、酸(例如，磺酸)、錯合劑(例如，離子型聚合物錯合劑)、螯合劑、除生物劑、阻垢劑、分散劑等。 拋光組合物可不含或實質上不含氧化金屬之氧化劑。如本文所使用，片語“不含氧化劑”意指拋光組合物包括不多於痕量污染物量之氧化材料，該等量不足以影響在CMP期間利用組合物可獲得之任何金屬去除速率。如本文所使用，“實質上不含氧化劑”意指少於1 wt.%之氧化劑、較佳少於0.1 wt.%之氧化劑且最佳少於0.01 wt.%之氧化劑。在特定實施例中，拋光組合物不含或實質上不含過氧化氫、硝酸鐵、碘酸鉀、過乙酸及過錳酸鉀。 拋光組合物穩定延長時間段。舉例而言，拋光組合物穩定長於約2週。較佳地，拋光組合物穩定長於約4週。更佳地，拋光組合物穩定長於約6週。如本文所使用，“穩定”係指任何類型之穩定性。舉例而言，穩定可指膠態穩定性、組合物穩定性及性能穩定性(亦即，產生重複結果)。 拋光組合物可藉由任一適宜技術來製備，其中許多技術為熟習此項技術者已知。拋光組合物可以分批或連續製程來製備。通常，拋光組合物可藉由以任一順序合併其組分來製備。如本文所使用，術語“組分”包括個別成分(例如，濕法氧化鈰、界面活性劑、芳香族羧酸或雜芳香族羧酸、可選pH調節劑等)以及成分(例如，濕法氧化鈰、界面活性劑、芳香族羧酸或雜芳香族羧酸、可選pH調節劑等)之任一組合。 舉例而言，可將濕法氧化鈰分散於水中。然後可添加界面活性劑及芳香族羧酸或雜芳香族羧酸，並藉由任何能夠將該等組分納入拋光組合物中之方法混合。拋光組合物亦可藉由在拋光操作期間在基板表面混合該等組分來製備。 拋光組合物可作為單一包裝系統來供應，該單一包裝系統包含濕法氧化鈰、界面活性劑、芳香族羧酸或雜芳香族羧酸、可選pH調節劑及水。或者，濕法氧化鈰可作為水中之分散液在第一容器中供應，且界面活性劑、芳香族羧酸或雜芳香族羧酸及可選pH調節劑可以乾燥形式或作為水中之溶液或分散液在第二容器中供應，以形成添加劑溶液。第一或第二容器中之組分可呈乾燥形式，而另一容器中之組分可呈水性分散液之形式。而且，適宜的係第一及第二容器中之組分具有不同pH值或另一選擇為具有實質上類似或甚至相等pH值。其他兩個容器、或三個或更多個容器、拋光組合物之組分之組合在熟習此項技術者之知識範圍內。 可採用多種方法來利用此一雙包裝拋光系統。例如，氧化鈰漿液及添加劑溶液可藉由在供應管道之出口處接合並連接之不同管線來遞送至拋光台。氧化鈰漿液及添加劑溶液可於拋光前不久或即將拋光前混合，或可同時供應於拋光臺上。此外，當混合兩個包裝時，可視需要添加去離子水以調整拋光組合物及所得基板拋光特性。 本發明之拋光組合物亦可以濃縮物形式提供，該濃縮物意欲在使用之前利用適當量之水來稀釋。在此一實施例中，拋光組合物濃縮物可包含濕法氧化鈰、界面活性劑、芳香族羧酸或雜芳香族羧酸及可選pH調節劑，該等組分之量使得在用適當量之水稀釋濃縮物後，拋光組合物之每一組分皆將以在上文針對每一組分所列舉之適當範圍內之量存在於拋光組合物中。舉例而言，濕法氧化鈰、界面活性劑、芳香族羧酸或雜芳香族羧酸及可選pH調節劑可各自以較上文針對每一組分所列舉濃度大約2倍(例如，約3倍、約4倍或約5倍)之量存在於拋光組合物中，以使得當用等體積之水(例如，分別2個等體積之水、3個等體積之水或4個等體積之水)稀釋濃縮物時，每一組分皆將以在上文針對每一組分所陳述範圍內之量存在於拋光組合物中。另外，如熟習此項技術者將理解，濃縮物可含有最終拋光組合物中存在之適當分數之水，以確保其他組分至少部分或完全溶解於濃縮物中。 本發明亦提供化學機械拋光基板之方法，其包含(i)提供基板，(ii)提供拋光墊，(iii)提供包含以下各項之化學-機械拋光組合物：(a)濕法氧化鈰，(b)包含具胺之錨定基團及環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團之界面活性劑，其中該界面活性劑具有約1000道爾頓至約5000道爾頓之分子量，(c)芳香族羧酸或雜芳香族羧酸及(d)水，其中該拋光組合物具有約3至約6之pH，(iv)使基板與拋光墊及化學-機械拋光組合物接觸，及(v)使拋光墊及化學機械拋光組合物相對於基板移動，以磨損基板表面之至少一部分以拋光基板。 欲使用本發明之方法拋光之基板可係任何適宜之基板。適宜基板包括(但不限於)平板顯示器、積體電路、記憶體或硬磁碟、金屬、半導體、內層介電(ILD)裝置、微機電系統(MEMS)、鐵電體及磁頭。拋光組合物尤其非常適用於平面化或拋光已經歷淺溝槽分離(STI)處理之基板。基板可進一步包含至少一種其他層，例如絕緣層。該絕緣層可為金屬氧化物、多孔金屬氧化物、玻璃、有機聚合物、氟化有機聚合物或任何其他適宜的高-κ或低-κ絕緣層。絕緣層可包含氧化矽、氮化矽或其組合，基本上由其組成或由其組成。氧化矽層可包含任何適宜之氧化矽、基本上由其組成或由其組成，其中許多在業內熟知。舉例而言，氧化矽層可包含四乙氧基矽烷(TEOS)、高密度電漿(HDP)氧化物、硼磷矽玻璃(BPSG)、高縱橫比製程(HARP)氧化物、旋塗式介電(SOD)氧化物、化學汽相沉積(CVD)氧化物、電漿增強之原矽酸四乙酯(PETEOS)、熱氧化物或未經摻雜之矽酸鹽玻璃。基板可進一步包含金屬層。金屬可包含任何適宜之金屬、基本上由其組成或由其組成，其中許多在業內熟知，例如銅、鉭、鎢、鈦、鉑、釕、銥、鋁、鎳或其組合。 本發明示例為以下實施例： (1) 在實施例(1)中呈現包含以下各項之化學-機械拋光組合物： (a) 濕法氧化鈰磨料， (b) 包含具胺之錨定基團及環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團之界面活性劑，其中該界面活性劑具有約1000道爾頓至約5000道爾頓之平均分子量， (c) 芳香族羧酸或雜芳香族羧酸，及 (d) 水， 其中該拋光組合物具有約3至約6之pH。 (2) 在實施例(2)中呈現實施例(1)之拋光組合物，其中該濕法氧化鈰磨料係以約0.05 wt.%至約2 wt.%之量存在於拋光組合物中。 (3) 在實施例(3)中呈現實施例(1)或(2)之拋光組合物，其中該界面活性劑係包含下式之具胺之錨定基團的陽離子梳型聚合物：
， 其中Ar係1,4-二取代之伸芳基或
，且n係約2至約10之整數。 (4) 在實施例(4)中呈現實施例(3)之拋光組合物，其中環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團具有式：-(CH(CH
3
)CH
2
O)
x
(CH
2
CH
2
O)
y
CH
3
，其中x及y係約2至約25之獨立選擇之整數。 (5) 在實施例(5)中呈現實施例(1)或(2)之拋光組合物，其中該界面活性劑包含一個下式之單((二乙基胺基)烷基)醚錨定基團及一個環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團：
。 (6) 在實施例(6)中呈現實施例(5)之拋光組合物，其中該環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團具有式：-C
2
H
4
(OCH
2
CH
2
)
x
(OCH(CH
3
)CH
2
)
y
OH，其中x及y係約2至約25之獨立選擇之整數。 (7) 在實施例(7)中呈現實施例(6)之拋光組合物，其中該環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團之環氧乙烷單元對環氧丙烷單元之比率為約1:1至約1:3。 (8) 在實施例(8)中呈現實施例(1)至(7)中任一項之拋光組合物，其中該界面活性劑係以約10 ppm至約500 ppm之量存在於拋光組合物中。 (9) 在實施例(9)中呈現實施例(1)至(8)中任一項之拋光組合物，其中該芳香族羧酸或雜芳香族羧酸係吡啶羧酸。 (10) 在實施例(10)中呈現化學機械拋光基板之方法，其包含： (i) 提供基板， (ii) 提供拋光墊， (iii) 提供化學-機械拋光組合物，其包含： (a) 濕法氧化鈰， (b) 包含具胺之錨定基團及環氧乙烷-環氧丙烷穩定基團之界面活性劑，其中該界面活性劑具有約1000道爾頓至約5000道爾頓之平均分子量， (c) 芳香族羧酸或雜芳香族羧酸，及 (d) 水， 其中該拋光組合物具有約3至約6之pH， (iv) 使該基板與該拋光墊及該化學-機械拋光組合物接觸，及 (v) 使該拋光墊及該化學-機械拋光組合物相對於該基板移動，以磨損該基板之表面之至少一部分以拋光該基板。 實例 以下實例進一步闡釋本發明，但當然不應理解為以任何方式限制本發明之範圍。 實例中所使用之圖案化晶圓包含沉積於圖案化矽基板上之TEOS之覆蓋層，該圖案化矽基板具有蝕刻至其表面中之線條。除非另外規定，否則在本文中稱基板具有(1) 900 µm × 900 µm之圖案，其中位於基板之未蝕刻區域上之表面之“上層”區域的寬度係900 µm，且位於線條上之表面之“下層”區域的寬度係900 µm，或(2) 10 mm × 10 mm圖案，其中位於基板之未蝕刻區域上之表面之“上層”區域的寬度係10 mm，且位於線條上之表面之“下層”區域的寬度係10 mm。剩餘梯段高度係指位於表面之未蝕刻區域上之TEOS的厚度。溝槽損失係與線條內及上區域間之TEOS之去除相關之量測值。 實例1 此實例展示界面活性劑添加劑對TEOS平面化效率之效應，該TEOS平面化效率係藉由包含濕法氧化鈰之拋光組合物展現。 使用兩種不同的拋光組合物(拋光組合物1A (“PC1A”)及拋光組合物1B (“PC1B”))，利用IC1010墊拋光900 µm × 900 µm圖案化矽試件上之包含TEOS層之基板。拋光組合物1A及1B之每一者皆包含0.286 wt.%之濕法氧化鈰及500 ppm於水中之吡啶羧酸，其中視需要使用三乙醇胺或乙酸將pH調整至4.0。拋光組合物1A (對照)不另外含有界面活性劑。拋光組合物1B (本發明)另外含有25 ppm Jeffsperse
TM
X3503 (Huntsman Corp., Woodlands, TX)。在200 mm Mirra
TM
拋光工具(Applied Materials, Santa Clara, CA)上拋光基板。 拋光後，測定TEOS去除速率，並量測剩餘梯段高度及溝槽損失。結果陳述於表1及圖2中。 表1：溝槽損失及梯段高度隨用於STI 10k TEOS 晶圓之界面活性劑而變化
如自表1及圖2中所陳述之結果顯而易見，與不含Jeffsperse
TM
X3503之拋光組合物1A相比，使用含有Jeffsperse
TM
X3503之拋光組合物1B對於給定梯段高度之下降產生較少溝槽損失。具體而言，拋光組合物1B (本發明)相對於對照拋光組合物1A，展現可管控之梯段高度去除及顯著減少之溝槽損失。 實例2 此實例展示界面活性劑添加劑對TEOS平面化效率之效應，該TEOS平面化效率係藉由包含濕法氧化鈰之拋光組合物展現。 使用如實例1中所述之兩種不同的拋光組合物(拋光組合物1A (對照)及拋光組合物1B (本發明))，利用R200-01墊拋光包含10 mm × 10 mm圖案化矽試件上之TEOS層之基板。在200 mm Mirra
TM
拋光工具(Applied Materials, Santa Clara, CA)上拋光基板。 拋光後，測定TEOS去除速率，並量測剩餘梯段高度及溝槽損失。結果陳述於表2及圖3中。 表2：溝槽損失及梯段高度隨用於3D NAND晶圓之界面活性劑而變化
如自表2及圖3中所陳述之結果顯而易見，含有Jeffsperse
TM
X3503之拋光組合物1B (本發明)相對於對照拋光組合物1A，展示TEOS平面化效率之顯著改良。 實例3 此實例藉由在6週之時間段後測定TEOS平面化效率，展示含有界面活性劑之拋光組合物之穩定性及壽命。 使用如實例1中所述之兩種不同的拋光組合物(拋光組合物1A (對照)及拋光組合物1B (本發明))，利用IC1010墊拋光包含900 µm × 900 µm圖案化矽試件上之TEOS層之基板。在新製備及老化6週後評估拋光組合物1B (本發明)。在200 mm Mirra
TM
拋光工具(Applied Materials, Santa Clara, CA)上拋光基板。 拋光後，測定TEOS去除速率，並量測剩餘梯段高度及溝槽損失。結果陳述於表3及圖4中。 表3：溝槽損失及梯段高度隨用於新製備及老化之拋光組合物之界面活性劑而變化
如由表3及圖4所展示，含有Jeffsperse
TM
X3503之新製備之拋光組合物1B及6週齡的拋光組合物1B二者皆性能優於對照拋光組合物1A。另外，新製備之拋光組合物1B及6週齡之拋光組合物1B產生相似結果，此例示拋光組合物1B之穩定性及壽命。 實例4 此實例展示界面活性劑溶液對TEOS ζ電位之效應。 將包含自TEOS晶圓切下之碎片之TEOS晶圓切片浸於三種單獨溶液中：作為對照之不含Jeffsperse
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X3503 (Huntsman Corp. Woodlands, TX)之溶液4A (“S4A”)、含有0.6當量Jeffsperse
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X3503之溶液4B (“S4B”)及含有1當量Jeffsperse
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X3503之溶液4C (“S4C”)。使各溶液維持在4.0之pH值下並量測晶圓表面之ζ電位。結果陳述於表4及圖5中。 表4：TEOS晶圓之ζ電位隨界面活性劑而變化
如自表4及圖5中所陳述之結果顯而易見，浸於對照溶液4A中之TEOS晶圓之表面電位測定為-24.1 mV。添加1當量Jeffsperse
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X3503 (溶液4C)在4.0之pH值下導致表面電位完全反轉至31.4 mV。 實例5 此實例展示界面活性劑添加劑對TEOS平面化效率之效應，該TEOS平面化效率係藉由包含濕法氧化鈰之拋光組合物展現。 使用兩種不同的拋光組合物(如實例1中所述之拋光組合物1A (“PC1A”)及拋光組合物5 (“PC5”))，利用IC1010墊拋光900 µm × 900 µm圖案化矽試件上之包含TEOS層之基板。拋光組合物1A及拋光組合物5之每一者皆包含0.286 wt.%之濕法氧化鈰及500 ppm於水中之吡啶羧酸，其中視需要使用三乙醇胺或乙酸將pH調整至4.0。拋光組合物1A (對照)不另外含有界面活性劑。拋光組合物5 (本發明)另外含有300 ppm Solsperse
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20000 Lubrizol Corporation (Wickliffe, OH)。在Reflexion
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LK拋光工具(Applied Materials, Santa Clara, CA)上拋光基板。 拋光後，測定TEOS去除速率，並量測剩餘梯段高度及溝槽損失。結果陳述於表5及圖6中。 表5：溝槽損失及梯段高度隨用於IC1010墊之界面活性劑而變化
如自表5及圖6中所陳述之結果顯而易見，與不含Solsperse
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20000之拋光組合物1A相比，使用含有Solsperse
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20000之拋光組合物5對於給定梯段高度之下降，產生較少溝槽損失。具體而言，拋光組合物5 (本發明)相對於對照拋光組合物1A，展現可管控之梯段高度去除及顯著減少之溝槽損失。 實例6 此實例展示界面活性劑添加劑對TEOS平面化效率之效應，該TEOS平面化效率係使用不同於實例5中所使用之拋光墊，藉由包含濕法氧化鈰之拋光組合物展現。 使用兩種不同的拋光組合物(如實例1中所述之拋光組合物1A (“PC1A”)及拋光組合物5 (“PC5”))，利用NexPlanar
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E6088墊拋光900 µm × 900 µm圖案化矽試件上之包含TEOS層之基板。拋光組合物1A及拋光組合物5之每一者皆包含0.286 wt.%之濕法氧化鈰及500 ppm於水中之吡啶羧酸，其中視需要使用三乙醇胺或乙酸將pH調整至4.0。拋光組合物1A (對照)不另外含有界面活性劑。拋光組合物5 (本發明)另外含有300 ppm Solsperse
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20000 Lubrizol Corporation (Wickliffe, OH)。在Reflexion
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LK拋光工具(Applied Materials, Santa Clara, CA)上拋光基板。 拋光後，測定TEOS去除速率，並量測剩餘梯段高度及溝槽損失。結果陳述於表6及圖7中。 表6：溝槽損失及梯段高度隨用於E6088墊之界面活性劑而變化
如自表6及圖7中所陳述之結果顯而易見，與不含Solsperse
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20000之拋光組合物1A相比，使用含有Solsperse
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20000之拋光組合物5對於給定梯段高度之下降產生較少溝槽損失。具體而言，拋光組合物5 (本發明)相對於對照拋光組合物1A，展現可管控之梯段高度去除及顯著減少之溝槽損失。實例6進一步展示，對於不同組成之墊(亦即，IC1010墊及NxP E6088墊)，拋光組合物5相對於對照提供改良之溝槽損失及梯段高度去除。 實例7 此實例展示界面活性劑添加劑對TEOS平面化效率之效應，該TEOS平面化效率係藉由包含濕法氧化鈰之拋光組合物展現。 使用兩種不同的拋光組合物(如實例1中所述之拋光組合物1A (“PC1A”)及拋光組合物5 (“PC5”))，利用IC1010墊拋光10 mm × 5 mm圖案化3D NAND晶圓上之包含TEOS層之基板。拋光組合物1A及拋光組合物5之每一者皆包含0.286 wt.%之濕法氧化鈰及500 ppm於水中之吡啶羧酸，其中視需要使用三乙醇胺或乙酸將pH調整至4.0。拋光組合物1A (對照)不另外含有界面活性劑。拋光組合物5 (本發明)另外含有300 ppm Solsperse
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20000 Lubrizol Corporation (Wickliffe, OH)。在200 mm Mirra
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拋光工具(Applied Materials, Santa Clara, CA)上拋光基板。 拋光後，測定TEOS去除速率，並量測剩餘梯段高度及溝槽損失。結果陳述於表7及圖8中。 表7：溝槽損失及梯段高度隨用於3D NAND晶圓之界面活性劑而變化
如自表7及圖8中所陳述之結果顯而易見，與不含Solsperse
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20000之拋光組合物1A相比，使用含有Solsperse
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20000之拋光組合物5對於給定梯段高度之下降產生較少溝槽損失。具體而言，拋光組合物5 (本發明)相對於對照拋光組合物1A，展現可管控之梯段高度去除及顯著減少之溝槽損失。 本文所引用之所有參考文獻(包括出版物、專利申請案及專利)皆以引用方式併入本文中，其併入程度如同個別地且明確地指出將每一參考文獻皆以引用方式併入本文中且其將全文列示於本文中一般。 除非本文另外指示或上下文明顯矛盾，否則在闡述本發明之上下文(尤其在以下申請專利範圍之上下文)中所用之術語“一(a及an)”及“該”及“至少一者”及類似指示物皆應解釋為涵蓋單數與複數二者。除非本文另外指示或上下文明顯矛盾，否則緊接著一或多個條目之列表所使用之術語“至少一者”(例如，“A及B中之至少一者”)應解釋為意指選自所列示條目之一個條目(A或B)或兩個或更多個所列示條目之任一組合(A及B)。除非另外注明，否則術語“包含”、“具有”、“包括”及“含有”應解釋為開放性術語(亦即，意指“包括但不限於”)。除非本文另外指示，否則本文中所列舉之數值範圍僅意欲用作個別提及落入此範圍內之每一單獨值之速記方法，並且每一單獨值係如同在本文個別列舉一般併入說明書中。除非本文另外指示或上下文另外明顯矛盾，否則本文所闡述之所有方法皆可以任一適宜順序實施。除非另外主張，否則使用本文中所提供之任何及所有實例或實例性語言(例如，“諸如”)僅意欲更好地說明本發明且並不限制本發明之範疇。本說明書中之語言皆不應解釋為指示任一未主張要素對於本發明實踐至關重要。 本文闡述本發明之較佳實施例，包括本發明者已知用於實施本發明之最佳模式。熟習此項技術者在閱讀上述說明後可明瞭彼等較佳實施例之變化形式。本發明者預期熟習此項技術者使需要採用此等變化形式，且發明者期望本發明可以不同於如本文所具體闡述之方式實施。因此，本發明包括如適用法律所允許的本文隨附申請專利範圍中所列舉標的物之所有修改形式及等效形式。此外，除非本文另外指示或上下文另外明顯矛盾，否則在其所有可能之變化形式中，上述要素之任一組合皆涵蓋於本發明中。