TW201808069A - 電路基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

電路基板的製造方法含有準備核心基板步驟、第一成形步驟及第二成形步驟。準備核心基板步驟為，準備具有含有熱可塑性樹脂的絕緣層、形成於絕緣層的一表面上之第一電路、接合於絕緣層之另一表面之平面狀的金屬層的核心基板。第一成形步驟為，於配置著核心基板的第一電路的第一表面上，將含有具有較熱可塑性樹脂的軟化點為低的軟化點的樹脂成分之第一接著層及第一金屬箔依此順序配置，來使積層一體化。第二成形步驟為，於第一成形步驟所得之積層體中，對金屬層施予圖樣加工，並在配置著核心基板的金屬層的第二表面上形成第二電路後，將含有具有較熱可塑性樹脂的軟化點為低的軟化點的樹脂成分之第二接著層及第二金屬箔依此順序配置，來使積層一體化。

Description

電路基板之製造方法

發明領域 本揭示是關於電路基板的製造方法。

發明背景 隨著對電子機器的小型化、多功能化、通訊高速化等的追求，對用於電子機器的電路基板被要求更進一步的高密度化及優異之高頻特性。

為因應電路基板之高密度化的要求，對於將雙面覆銅積層板的上下表面的銅箔形成為期望之電路圖樣的核心基板，於其上下表面使用有重疊了預浸體及銅箔的多層印刷電路基板。此種多層印刷電路基板是藉由將核心基板、預浸體及銅箔在1次程序中積層一體化之一次積層沖壓工法所製作而成(參照專利文獻1)。

一方面，作為具優異高頻特性之覆金屬積層板，於專利文獻2中記載有於熱可塑性樹脂所構成之內部核心層上，配設作為表面層之熱硬化性樹脂或含有熱硬化性樹脂之浸滲基材層及最外層之金屬箔，而一體成形之雙面覆金屬積層板。又，專利文獻3中，揭示有液晶聚合物。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2003-347740號公報 專利文獻2：日本專利特開平4-291782號公報 專利文獻3：日本專利特開平9-309150號公報

發明概要 關於本揭示之電路基板的製造方法含有準備核心基板步驟、第一成形步驟及第二成形步驟。準備核心基板步驟為，準備具有含有熱可塑性樹脂的絕緣層、形成於絕緣層的一表面上之預定圖樣的第一電路、及接合於絕緣層之另一表面之平面狀的金屬層的核心基板。第一成形步驟為，於配置有核心基板之第一電路的第一表面上，將含有具有較前述熱可塑性樹脂的軟化點低之軟化點的樹脂成分之第一接著層及第一金屬箔依此順序配置，再藉由將此等加熱加壓成形來使積層一體化。第二成形步驟包含於第一成形步驟所得之積層體中，將金屬層圖樣加工而在配置有核心基板之金屬層的第二表面上形成第二電路後，將含有具有較熱可塑性樹脂的軟化點低之軟化點的樹脂成分之第二接著層及第二金屬箔依此順序配置，再藉由加熱加壓成形來使積層一體化的第二成形步驟。

根據本揭示可製造高頻特性優異且電路圖樣的位置精度良好之電路基板。亦即，在第一成形步驟中，因為核心基板的第二表面側是藉由平面狀的金屬層來支撐，即便加熱加壓成形時使熱可塑性樹脂低彈性係數化而軟化，仍可抑制絕緣層的變形，前述第一電路的位置偏離亦可被抑制。更進一步，在第二成形步驟中，因為核心基板的第一表面側是藉由第一接著層的硬化層被支撐著，即便加熱加壓成形時使熱可塑性樹脂低彈性係數化而軟化，仍可抑制絕緣層的變形，前述第二電路的位置偏離亦可被抑制。如此一來，根據本揭示，即便使用含有高頻率特性優異之熱可塑性樹脂之核心基板，因為將第一金屬箔及第二金屬箔對絕緣層一次成形單側，所以在絕緣層的正背面中，不易產生第一電路及第二電路的位置偏離。因此，可作成於與核心基板的厚度方向(Z方向)垂直的X-Y平面方向中，第一電路及前述第二電路的位置精度高，且電性可靠度高的電路基板。

用以實施發明之形態 在本揭示的實施形態之說明中首先說明習知構成的問題點。如專利文獻2所記載，將具有含有熱可塑性樹脂的絕緣層之雙面覆金屬積層板的金屬箔蝕刻，並將已形成電路的基板作為核心基板來使用，藉由一次積層沖壓工法得到之多層電路基板被言及與使用具有由熱硬化性樹脂的硬化物所構成的絕緣層之核心基板的多層電路基板相比，於高頻特性上較為優異。

然而，使用具有含有熱可塑性樹脂之絕緣層的核心基板的多層電路基板，在與厚度方向(Z方向)垂直之X-Y平面方向上的前述核心基板雙面電路圖樣的位置精度，於一次積層沖壓成形的過程中會有產生偏差之疑慮的問題。因此，在各層的電路間以通孔等連接層與層之間時，有發生連接不良之疑慮。

針對此現象用圖2A及圖2B來說明。關於圖2A及圖2B中之各個符號，100為表示多層電路基板、111為表示含有熱可塑性樹脂的絕緣層、112為表示預定圖樣之第一電路、113為表示預定圖樣之第二電路、110為表示具有絕緣層111及第一電路112及第二電路113之核心基板、120為表示銅箔、130為表示含有熱硬化性樹脂之預浸體、130a為表示預浸體之硬化物(絕緣層)。

如圖2A所示，於核心基板110的上下表面上各自依序將預浸體130及銅箔120重疊，並將此配置於熱板間，再以藉由加熱沖壓來加熱加壓成形之方式將此等積層一體化。

此時，如圖2A所示，絕緣層111為夾於預浸體130、與預浸體130之間的狀態下加熱加壓而形成，由於熱可塑性樹脂有彈性係數低且在高溫下彈性係數將更為降低且容易軟化之特性，故絕緣體111變得容易變形。又同時地，配置於核心基板110兩面的預浸體130、130亦是於加熱過程中，熱硬化性樹脂一旦成為溶融狀態，會填充於電路之間並同時從中心部朝向周圍部流動，因此伴隨此樹脂流動之應力對第一電路112及第二電路113在X-Y平面方向上作用。此時，絕緣層111因為熱可塑性樹脂軟化而對第一電路112及第二電路113之支撐力下降，被認為藉由因樹脂流動的應力而使絕緣層111變形且使電路的位置移動。取代具有熱硬化性樹脂的預浸體130而使用將熱可塑性樹脂含浸於纖維基材之預浸體時，或使用不包含纖維基材之樹脂接著片時，亦被認為同樣地可能產生此現象。再者，因為通常不會於核心基板110的絕緣層111的形狀保持困難之高溫下進行加熱加壓成形，此位置的偏離必然不會太大。然而，因為近年來的多層印刷電路板電路圖樣的細微配線化不斷演進，此問題就確保電路間的連接可靠性之觀點而言，變得無法被忽略無視。

本揭示是有鑑於上述要點而作成的發明，其提供一種高頻特性優異，且電路圖樣的位置精度良好之電路基板的製造方法。

以下說明用以實施本揭示之形態。 [本揭示之一實施形態]

圖1A～1E為用來說明關於本揭示之一實施形態(以下稱為本實施形態)之電路基板的製造方法的說明圖。

關於本實施型態之電路基板的製造方法為，如圖1E所示，製造具備絕緣層11、第一電路12、第二電路13a、第一硬化層30a、第二硬化層50a、第一金屬箔20、及第二金屬箔40的電路基板1的方法。具體而言，關於本實施形態之電路基板的製造方法包含下述的從步驟(I)到步驟(III)。

此處，所謂第一表面側11X指的是，對絕緣層11形成有第一電路12之側，所謂第二表面側11Y指的是，對絕緣層11接合有金屬層13之側。

(I)準備核心基板10步驟，該核心基板10具有含有熱可塑性樹脂的絕緣層11、形成於第一表面側11X之絕緣層11的一表面上的預定圖樣之第一電路12、及接合於第二表面側11Y之絕緣層11之另一表面的平面狀之金屬層13。

(II) 第一成形步驟為，於配置著核心基板10的第一表面上，將含有具有較前述熱可塑性樹脂的軟化點低之軟化點的樹脂成分之第一接著層30及第一金屬箔20依此順序配置，再藉由將該等加熱加壓成形而使積層一體化。

(III) 第二成形步驟為，於第一成形步驟(II)所得之積層體2中，將金屬層13進行圖樣加工而在核心基板10的第二表面上形成第二電路13a後，在核心基板10的第二表面將含有具有較熱可塑性樹脂的軟化點低之軟化點的樹脂成分之第二接著層50及第二金屬箔40依此順序配置，再藉由將該等加熱加壓成形而使積層一體化。

在此，核心基板10的第一表面為形成第一電路12之面，而核心基板10的第二表面為形成有第二電路13a之面。 [準備核心基板10步驟(I)]

步驟(I)為準備核心基板10。核心基板10具備絕緣層11，且於絕緣層11之一方的表面上形成有預定圖樣的第一電路12。於絕緣層11的另一表面接合有平板狀之金屬層13。

絕緣層11是由含有熱可塑性樹脂(以下稱為熱可塑性樹脂A)的樹脂組成物所構成。因為熱可塑性樹脂A之彈性係數較熱硬化性樹脂低，所以將絕緣層11的線膨脹係數降低而有效防止電路基板1的板彎。又，熱可塑性樹脂A是因為絕緣層11的低介電係數化等介電特性亦優異，而可以構成此等特性優異之電路基板1。因此，構成絕緣層11之前述樹脂組成物中的樹脂成分宜為不包含熱硬化性樹脂，而將熱可塑性樹脂A作為主劑。再者，雖然並不禁止含有熱硬化性樹脂作為前述樹脂成分，但此種情況下，就質量比而言，熱可塑性樹脂A較熱硬化性樹脂多者為佳。

絕緣層11的厚度若因應電路基板1的使用用途等做適當調整為佳，較佳為3μm以上、750μm以下，更佳為5μm以上400μm以下。

作為熱可塑性樹脂A，可列舉出例如聚醯胺(PA)、尼龍(註冊商標)、聚縮醛(POM)、聚碳酸酯(PC)、變性聚苯醚(m-PPE、變性PPE、m-PPO)、聚脂纖維、聚對苯二甲酸乙二酯(PET) 、增強聚對苯二甲酸乙二酯(GF-PET）、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、環狀聚烯烴(COP)等之工程塑料、聚二苯硫化物(PPS)、聚四氟化乙烯(PTFE)、聚碸(PSF)、聚醚碸(PES)、丙烯酸聚合物(PAR)、液晶聚合物(LCP)、聚醚醚酮(PEEK)、熱可塑性聚醯亞胺(PI)、聚醯胺醯亞胺(PAI)等之工程塑料等。其中，就減少傳送損失而言，較佳為低介電係數之液晶聚合物。單獨地使用此等亦佳，混和兩種以上來使用亦佳。作為液晶聚合物，可依照目的而使用眾所皆知者，亦可為市面上販售的液晶聚合物。做為液晶聚合物的具體之例，可列舉出例如專利文獻3中例示之物等。

雖然熱可塑性樹脂A的軟化點會因藉電路基板1的使用用途所要求之耐熱性的水準不同而無特別受限，但從確保電路基板1中良好的耐熱性或機械特性的觀點來看，230℃以上為佳，較佳為250℃以上，更佳為280℃以上。雖然熱可塑性樹脂A在高溫區域中有彈性係數之下降加劇且變得容易軟化之傾向，但由於熱可塑性樹脂Ａ的軟化點越高越能緩和此傾向，故若在上述範圍內，於步驟(II)、(III)之中可更有效地抑制加熱加壓成形中絕緣層11的變形，且變得容易獲得電路圖樣之位置精度高的電路基板1。此處之「軟化點」為，可作為菲卡軟化溫度( Vicat Softening temperature)來量測，例如，可以JIS K-7206(1999)所規定的測定方法來量測。

前述樹脂組成物亦可進一步含有無機填充材。藉此，可賦予絕緣層11低線膨脹係數化、阻燃性及熱傳導性等之特性。

作為前述無機填充材，可列舉出例如球狀二氧化矽、破碎二氧化矽等的二氧化矽粒子、三氧化鉬、鉬酸鋅、鉬酸銨、鉬酸鎂等鉬化合物、氫氧化鋁、氫氧化鎂、矽酸鋁、矽酸鎂、滑石、黏土、雲母等。單獨地使用此等材料亦為佳，混和使用兩種以上亦為佳。

前述無機填充材的含有量，並無特別的限制，可依照目的來設定，例如，對於絕緣層11的樹脂成分的總質量以20質量%以上、200質量%以下來混和為佳。

絕緣層11具有纖維基材亦佳。對於前述纖維基材，宜因應由電路基板1的使用用途等所要求之特性適當選擇，例如，可使用由無機纖維、有機纖維所構成的織布或不織布。作為前述纖維基材的材質，可列舉出例如玻璃等的無機纖維、醯胺纖維、聚脂纖維等的有機纖維等。前述纖維基材的厚度並無特別限制，例如為3～200μm。

第一電路12是形成為預定的圖樣者。圖樣的形狀是因應電路基板1的使用目的等之設計所形成，並無特別限定。作為構成第一電路12的材料，可列舉出使用例如銅、銀、鋁、不銹鋼等之金屬配線，導電膏等的印刷電路。

作為第一電路12的形成方法，可列舉出例如使用光刻法、以無電電鍍法為主體形成圖樣之方法，使用濺射或蒸鍍等之時使用遮罩來形成圖樣之方法等。特別是作為第一電路12，適合為對與後述金屬層13作相同的金屬層(金屬箔)圖樣加工後之物。

金屬層13為平面狀(平板狀)，接合於絕緣層11之另一表面上，且覆蓋絕緣層11的另一表面的全部。藉此，於第一成形步驟(II)中加熱加壓成形時，因為核心基板10的第二表面側11Y呈藉平面狀的金屬層13被支撐，所以即便熱可塑性樹脂A軟化，亦可抑制絕緣體11的變形。

作為構成金屬層13之材料，可列舉出例如銅、銀、鋁、不銹鋼等的金屬箔。金屬層13的厚度若為於第二成形步驟(III)的加熱加壓成形的前後可維持平面狀之厚度，則不特別地受限制，較佳為2μm以上、400μm以下。金屬層13，例如可為以電解法而得的電解金屬箔，或是以壓延法而得的壓延金屬箔。 [第一成形步驟(II)] (配置)

第一成形步驟(II)為，首先如圖1A所示，於核心基板10的第一表面上，將第一接著層30及第一金屬箔20依此順序重疊配置。

第一接著層30是將含有具有較熱可塑性樹脂A的軟化點低的軟化點的樹脂成分的樹脂組合物(a)形成為片狀的絕緣材料。做為樹脂組成物(a)，例如，可使用樹脂成分中主成分為未硬化或半硬化狀態的熱硬化性樹脂之物，或者，以熱可塑性樹脂為主成分者。在此，前述樹脂成分的軟化點為可與熱可塑性樹脂A相同地作為菲卡軟化溫度( Vicat softening temperature)來量測。

樹脂組成物(a)的樹脂成分以熱硬化性樹脂為主要成分之情況下，樹脂組合物(a)可以將未硬化或半硬化狀態的熱硬化性樹脂視為必要成分、並根據目的將硬化劑、硬化促進劑、無機填充材、阻燃劑等適當添加來調製。於此樹脂組成物(a)中亦可進一步含有少量的熱可塑性樹脂。此狀況下，雖然也預想到前述樹脂成分的軟化點由於以未硬化或半硬化狀態的熱硬化性樹脂為主要成分，而難以作成菲卡軟化溫度的測量取樣，但那樣的狀況中，可將前述樹脂成分的溶融開始溫度作為軟化點的近似值來代替使用。

作為前述熱硬化性樹脂，可列舉出例如，環氧樹脂、氰酸酯、馬來酰亞胺、多官能馬來酰亞胺、低分子量聚苯醚樹脂、末端不飽和官能基變性聚苯醚樹脂、聚氧氮苯并環己烷樹脂、乙烯基酯樹脂等。其中優選為環氧樹脂。前述熱硬化性樹脂因溴化、磷變性等而阻燃化亦佳。這些熱硬化性樹脂，可以單獨使用1種，也可以併用2種以上。

作為前述硬化劑，只要與前述熱硬化性樹脂反應而形成架橋構造的話，並不特別地受限制，且根據前述熱硬化性樹脂之種類來適當選擇即可。例如，前述熱硬化性樹脂含有環氧樹脂時，可列舉出例如第1胺或第2胺等的雙胺類硬化劑、2官能基以上之酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、二氰二胺、低分子量聚苯醚化合物等。這些硬化劑，可以單獨使用1種，也可以併用2種以上。

作為前述硬化促進劑，可列舉出例如，2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)等的咪唑系化合物、三級胺系化合物、有機磷化氫化合物、金屬皂等。

作為前述無機填充材料，可列舉出例如二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦等的金屬氧化物；氫氧化鋁、氫氧化鎂等的金屬氫氧化物；硫酸鋇、碳酸鈣、碳酸鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、滑石、黏土、雲母粉等。其中尤以二氧化矽特別適合。

作為前述阻燃劑，可列舉出例如含溴化合物等的鹵族阻燃劑、含磷化合物及含氮化合物等的非鹵族阻燃劑等。

樹脂組成物(a)的樹脂成分以熱可塑性樹脂為主要成分之情況下，樹脂組合物(a)可以將具有較核心基板10之絕緣層11所含的熱可塑性樹脂A的軟化點低的軟化點之其他熱可塑性樹脂(以下稱為熱可塑性樹脂B)視為必要成分、並根據目的將無機填充材、阻燃劑等適當添加來調製。此樹脂組成物(a)中亦可進一步含有少量的熱硬化性樹脂。

作為熱可塑性樹脂B的具體例雖可列舉與作為前述熱可塑性樹脂A的具體例所例示的工程塑料相同者，但選定為軟化點相對低於熱可塑性樹脂A者。

第一接著層30適合為具有可重疊配置於核心基板10之片狀物。具體而言，作為第一接著層30可列舉出例如於將樹脂組合物(a) 浸漬於纖維基材之預浸體、樹脂膜或金屬箔等的支撐體上塗布樹脂組合物(a)而形成之附支撐體之樹脂片等。

作為第一接著層30而使用前述預浸體時，作為前述纖維基材可使用與核心基板10的說明中列舉之相同者。又，亦可於使用前述附支撐體之樹脂片作為第一接著層30時，以使核心基板10的第一表面上接合樹脂組合物(a)之形式將前述含支撐體之樹脂片重疊、並將樹脂組合物(a)轉錄至核心基板10側後，將前述支撐體剝離除去來使用。在此，亦可使用第一金屬箔20作為前述支撐體，此時在重疊於核心基板10的第一表面上後，不需要將第一金屬箔20剝離則可以直接進行後續的加熱加壓成形。

第一接著層30的厚度雖無特別限制，但為了將第一電路12的電路間填充樹脂組成物(a)，且確保第一電路12與第一金屬箔20的絕緣性，優選為較第一電路12的厚度大者。

作為第一金屬箔20，可使用與核心基板10的說明中所列舉者相同的金屬箔。再者，在將實施圖樣加工作為電路而使用時，優選為銅箔。特別是，於細微配線電路時，可使用厚度10μm以下的薄銅箔，或使用可將極薄銅箔與支撐体銅箔剝離地接合之附載體之銅箔。

第一金屬箔20的對向於第一接著層30之面，優選為糙化處理後的毛面。藉此，由於定錨效果，可提升第一金屬箔20與第一硬化層30a之間的黏著強度。 (加熱加壓成形)

第一形成步驟(II)中，藉由將如圖1A所示般配置之核心基板10、第一接著層30及第一金屬箔20加熱沖壓來將此等積層一體化。如圖1B所示，藉此得到積層體2。積層體2於第一表面側11X的絕緣層11的一表面上依序具有第一電路12、第一硬化層30a及第一金屬箔20，且於第二表面側11Y的絕緣層11的另一表面上具有金屬層13。

第一接著層30於此加熱加壓成形過程中，樹脂組成物(a)中所含樹脂成分軟化或變為溶融狀態，一邊填充於第一電路12之間，一邊從核心基板10的中心部朝向周圍部流動。然後，伴隨於此樹脂流動的應力朝與核心基板10的厚度方向(Z方向)垂直之X-Y平面方向對第一電路12作用。此時，核心基板10的第二表面側11Y因為藉平面狀的金屬層13而被支撐，所以可防止因樹脂流動的應力而導致絕緣層11變形之現象，且難以產生第一電路12的位置偏離。亦即，即便於加熱加壓成形時第一接著層30軟化或變為溶融狀態而流動，絕緣層11的變形可被抑制，且第一電路12的位置偏離也受抑制。

做為將核心基板10、第一接著層30及第一金屬箔20加熱加壓成型的方法，可列舉出例如，由核心基板10、第一接著層30及第一金屬箔20所構成的第一積層體插入熱板間，使熱板加熱升溫來加熱前述第一積層體，並同時均勻加壓之開放式熱壓法(Open Type Hot Press)、真空式熱壓法(Vacuum Type Hot Press)等方法。

作為加熱壓成型的條件，雖然根據絕緣層11和第一接著層30的材質做適當調整即可，但以溫度條件來看，設定為在比第一接著層30所含有的樹脂成分的軟化點更高，且比構成核心基板10的絕緣層11的熱可塑性樹脂A的軟化點更低的溫度範圍內為佳。

可設定為例如，構成絕緣層11之熱可塑性樹脂A的軟化點為310℃、第一接著層30所含有的樹脂成分的軟化點為250℃時、加熱加壓成形的溫度條件設定在260℃以上、300℃以下的範圍內為佳。又，構成絕緣層11的熱可塑性樹脂A的軟化點為300℃、第一接著層30所含有的樹脂成分的軟化點為120℃時(第一接著層30於以未硬化或半硬化狀態的熱硬化性樹脂為主要成分之情況等)，將成形溫度設定在130℃以上、250℃以下的範圍內為佳。加熱加壓成形的壓力、成形時間可考慮成形性等來適當的設定。 [第二成形步驟(III)] (圖樣加工)

第二成形步驟(III)中，首先，在第一成形步驟(II)所得之積層體2，對金屬層13圖樣加工而在核心基板10的第二表面上形成第二電路13a。如圖1C所示，藉此得到積層體3。積層體3在第一表面側11X的絕緣層11的一表面上，依序具有第一電路12、第一硬化層30a及第一金屬箔20，且於第二表面側11Y的絕緣層11的另一表面上具有第二電路13a。

第二電路13a的圖樣的形狀為根據電路基板1的使用目的而可以適當設定。又，第二電路13a的圖樣形狀與第一電路12相同或不同皆可。作為圖樣加工法，不特別地受限制，可列舉出例如光刻法等習知之方法。 (配置)

如圖1D所示，於第二成形步驟(III)是在積層體3中，將第二接著層50及第二金屬箔40依序配置於核心基板10的第二表面上。

第二接著層50與第一接著層30相同，是將含有具有較熱可塑性樹脂A的軟化點低之軟化點的樹脂成分的樹脂組合物(b)形成為片狀的絕緣材料。作為構成樹脂組成物(b)之樹脂成分，可以列舉出與第一接著層30(樹脂組成物(a))的組成成分相同者。又，樹脂組成物(b)之具體組成成分可與第一接著層30(樹脂組成物(a))相同或不同，可以根據電路基板1的使用目的來決定。

又，關於第二接著層50的型態與第一接著層30相同地，列舉有預浸體、含支撐體之樹脂片等。第二接著層50的型態可與第一接著層30相同或不同之型態，可以根據電路基板1的使用目的來決定。

關於第二金屬箔40，可列舉出與第一金屬箔20相同之物者。第二金屬箔40可為與第一金屬層20相同或不同之厚度、特性或形態者，可以根據電路基板1的使用目的來決定。 (加熱加壓成形)

如圖1D所示，第二成形步驟(III)為，將積層體3、第二接著層50及第二金屬箔40依序配置，再以藉由加熱加壓成形之方式將此等積層一體化。如圖1E所示，藉此得到電路基板1。電路基板1依序具有第一電路12、第一硬化層30a及第一金屬箔20於第一表面側11X的絕緣層11的一表面上，且依序具有第二電路13a、第二硬化層50a及第二金屬箔40於第二表面側11Y的絕緣層11的另一表面上。

第二接著層50於此加熱加壓成形過程中，樹脂組成物(b)一旦變為溶融狀態，會一邊填充於第一電路13a之間，一邊從核心基板10的中心部朝向周圍部流動。然後，伴隨於此樹脂流動的應力朝與核心基板10的厚度方向(Z方向)垂直之X-Y平面方向對第二電路13a作用。此時，核心基板10的第一表面側11X因為藉第一電路12、第一硬化層30a而被平面支撐，所以不易發生因樹脂流動的應力所導致絕緣層11之變形。因此第二電路13a的位置難以移動。亦即，即使熱可塑性樹脂A於加熱加壓成形時軟化，亦可抑制絕緣層11之變形，也可抑制第二電路13a的位置偏離。因此，電路基板1成為第一電路12及第二電路13a的位置精度高，且電性可靠度高者。

作為將積層體3、第二接著層50及第二金屬箔40加熱加壓成形之方法，例如可實施與第一成形步驟(II)中的加熱加壓成形同樣的方法。

電路基板1可藉由，例如使用減去法等，將電路基板1的第一金屬箔20及第二金屬箔40的一部分以蝕刻加工去除而形成電路之方式，作為印刷電路板來使用。此種情況下，為了形成層間的電性連接用之通孔或盲孔，可藉由雷射加工或鑽孔加工來進行通孔之形成。此時，如前述般，因為第一電路12及第二電路13a的位置精度高，所以可提高層間連接的可靠度。又，所得之印刷電路板可於其單面或雙面，藉由建造法重新地將樹脂層與電路互相地向上堆積而作為多層印刷電路板的核心基板使用。 産業上之可利用性

藉由本揭示之方法製造之電路基板因為電性可靠度高，而可用於小型多功能的電子機器。

1‧‧‧電路基板
2、3‧‧‧積層體
10‧‧‧核心基板
11‧‧‧絕緣層
11X‧‧‧第一表面側
11Y‧‧‧第二表面側
12‧‧‧第一電路
13‧‧‧金屬層
13a‧‧‧第二電路
20‧‧‧第一金屬箔
30‧‧‧第一接著層
30a‧‧‧第一硬化層
40‧‧‧第二金屬箔
50‧‧‧第二接著層
50a‧‧‧第二硬化層
100‧‧‧多層電路基板
110‧‧‧核心基板
111‧‧‧絕緣層
112‧‧‧第一電路
113‧‧‧第二電路
120‧‧‧銅箔
130‧‧‧預浸體
130a‧‧‧預浸體之硬化物

圖1A～圖1E為用來說明關於本揭示之一實施型態之電路基板的製造方法的說明圖。 圖2A、圖2B為用來說明使用一次積層沖壓工法之習知電路基板的製造方法的加熱加壓步驟的說明圖。

1‧‧‧電路基板

10‧‧‧核心基板

11‧‧‧絕緣層

11X‧‧‧第一表面側

11Y‧‧‧第二表面側

12‧‧‧第一電路

13a‧‧‧第二電路

20‧‧‧第一金屬箔

30a‧‧‧第一硬化層

40‧‧‧第二金屬箔

50a‧‧‧第二硬化層

Claims (5)

1. 一種電路基板的製造方法，其包含： 準備核心基板步驟，該核心基板具有， 含有熱可塑性樹脂的絕緣層、形成於前述絕緣層的一表面上的預定圖樣的第一電路、及接合於前述絕緣層的另一表面上的平面狀的金屬層； 第一成形步驟，於配置有前述核心基板之前述第一電路的第一表面上，將含有具有較前述熱可塑性樹脂的軟化點低之軟化點的樹脂成分之前述第一接著層及前述第一金屬箔依此順序配置，再藉由加熱加壓成形前述核心基板、前述第一接著層及前述第一金屬箔來使積層一體化；以及 第二成形步驟，於前述第一成形步驟所得之積層體中，對前述金屬層圖樣加工，並在配置有前述核心基板之前述金屬層的第二表面上形成第二電路後，將含有具有較前述熱可塑性樹脂的軟化點低之軟化點的樹脂成分之第二接著層及第二金屬箔依此順序配置，再藉由加熱加壓成形前述核心基板、前述第二接著層及前述第二金屬箔來使積層一體化。
2. 如請求項1之電路基板的製造方法，其中前述熱可塑性樹脂含有液晶聚合物。
3. 如請求項1或2之電路基板的製造方法，其中前述第一接著層及第二接著層含有作為前述樹脂成分之未硬化或半硬化狀之熱硬化性樹脂。
4. 如請求項1或2之電路基板的製造方法，其中前述第一接著層及第二接著層含有具有作為前述樹脂成分之較前述熱可塑性樹脂的軟化點低之軟化點的其他熱可塑性樹脂。
5. 如請求項1或2之電路基板的製造方法，其中前述絕緣層之厚度為3μm以上，750μm以下。