TW201806089A - 氣密封裝及氣密封裝之製造方法 - Google Patents
氣密封裝及氣密封裝之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201806089A TW201806089A TW106110523A TW106110523A TW201806089A TW 201806089 A TW201806089 A TW 201806089A TW 106110523 A TW106110523 A TW 106110523A TW 106110523 A TW106110523 A TW 106110523A TW 201806089 A TW201806089 A TW 201806089A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- container
- sealing material
- hermetically sealed
- oxide layer
- side wall
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 58
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012775 heat-sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052642 spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 yttrium compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本發明提供一種氣密性及散熱性優異之氣密封裝。 本發明係一種氣密封裝1，其係用以搭載並密封元件6之氣密封裝1，且具備：容器2，其具有搭載元件6之底部2a、及配置於底部2a上之框狀之側壁部2b，且係包含氮化鋁而構成；玻璃蓋3，其配置於容器2之側壁部2b之上部，用以將容器2內密封；及密封材料層4，其配置於容器2之側壁部2b與玻璃蓋3之間；於容器2之側壁部2b中之配置密封材料層4之至少一部分區域，設置有容器2中所含之成分之氧化物層5，於容器2之底部2a中之搭載元件6之區域，未設置氧化物層5。
Description
本發明係關於一種用以搭載並密封元件之氣密封裝及該氣密封裝之製造方法。
先前，為了搭載並密封LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等元件，而使用氣密封裝。此種氣密封裝係藉由將可搭載元件之容器與用以將容器內密封之罩蓋構件接合而構成。 於下述之專利文獻1中揭示有一種玻璃陶瓷基板與覆蓋玻璃經由密封材料接合而成之氣密封裝。於專利文獻1中，使用低熔點之密封玻璃作為上述密封材料。又，專利文獻1中之氣密封裝係藉由對上述密封材料照射雷射使之軟化以將玻璃陶瓷基板與覆蓋玻璃接合而製作。 又，於下述之專利文獻2中揭示有一種包含氮化鋁之陶瓷基板與陶瓷蓋帽藉由密封玻璃接合而成之氣密封裝。於專利文獻2中，為了改善陶瓷基板與密封玻璃之潤濕性，而以覆蓋陶瓷基板之整個表面之方式形成有氧化物層。上述氧化物層係藉由對陶瓷基板實施熱處理而形成。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2014-236202號公報 [專利文獻2]日本專利特開平10-154770號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，於如專利文獻1般，將玻璃陶瓷基板用作容器之情形時，難以將自元件產生之熱效率良好地散放至外部。 另一方面，於如專利文獻2般，藉由氧化物層而覆蓋陶瓷基板之整個表面之情形時，存在無法將自元件等產生之熱充分散放之情形。 本發明之目的在於提供一種氣密性及散熱性優異之氣密封裝。 [解決問題之技術手段] 本發明之氣密封裝之特徵在於：其係用以搭載並密封元件者，且具備：容器，其具有搭載上述元件之底部、及配置於該底部上之框狀之側壁部，且係包含氮化鋁而構成；玻璃蓋，其配置於上述容器之側壁部之上部，用以將上述容器內密封；及密封材料層，其配置於上述容器之側壁部與上述玻璃蓋之間；於上述容器之側壁部中之配置上述密封材料層之至少一部分區域，設置有上述容器中所含之成分之氧化物層，於上述容器之底部中之搭載上述元件之區域，未設置上述氧化物層。 於本發明之氣密封裝中，較佳為上述氧化物層包含氧化鋁。 於本發明之氣密封裝中，較佳為上述密封材料層包含鉍系玻璃。 本發明之氣密封裝之製造方法係製造依照本發明而構成之氣密封裝之方法，且具備如下步驟：對上述容器之側壁部中之配置上述密封材料層之至少一部分區域，照射大氣壓電漿，而形成上述氧化物層；及於上述容器之上述側壁部中之形成有上述氧化物層之部分之上，經由密封材料而配置上述玻璃蓋，並藉由照射雷射，使上述密封材料軟化，而使上述容器之側壁部與上述玻璃蓋接合。 於本發明之氣密封裝之製造方法中，亦可於形成上述氧化物層之步驟之前，將上述元件搭載於上述容器之底部。 於本發明之氣密封裝之製造方法中，亦可為上述雷射之波長係600 nm～1600 nm。 於本發明之氣密封裝之製造方法中，較佳為上述密封材料包含鉍系玻璃粉末。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種氣密性及散熱性優異之氣密封裝。
以下，對較佳之實施形態進行說明。但以下之實施形態為單純之例示，本發明並不限定於以下之實施形態。又，於各圖式中，有實質上具有相同功能之構件以相同之符號加以參照之情形。 (氣密封裝) 圖1係表示本發明之一實施形態之氣密封裝之模式性俯視圖。圖2係沿著圖1之A-A線之模式性剖視圖。如圖1及圖2所示，氣密封裝1具備容器2、玻璃蓋3及密封材料層4。於氣密封裝1內，搭載並密封有元件6。再者，作為元件6，可搭載深紫外線LED或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)等。 容器2係藉由氮化鋁而構成。容器2具有底部2a及側壁部2b。底部2a係容器2之搭載元件6之部分。於底部2a上，配置有框狀之側壁部2b。又，於側壁部2b之上表面2b1上，配置有玻璃蓋3。玻璃蓋3係用以將容器2內密封之構件。再者，於側壁部2b與玻璃蓋3之間，設置有密封材料層4。側壁部2b與玻璃蓋3藉由密封材料層4而接合。再者，密封材料層4包含鉍系玻璃。但於本發明中，密封材料層4亦可包含其他玻璃，並不特別限定。 於本實施形態中，於容器2之側壁部2b中之配置密封材料層4之區域，設置有容器2中所含之成分之氧化物層5；另一方面，於容器2之底部2a之搭載元件6之區域，未設置氧化物層5。 於氣密封裝1中，因為於容器2之側壁部2b之配置密封材料層4之區域設置有氧化物層5，故而氣密性提高。又，因為容器2係藉由氮化鋁而構成，而且於搭載元件6之區域未設置氧化物層5，故而可將自元件6產生之熱效率良好地散放至外部。因此，氣密封裝1之氣密性及散熱性優異。 再者，關於藉由設置氧化物層5可使氣密性提高之理由可以如下之方式進行說明。 於如氣密封裝1般，容器2係藉由氮化鋁而構成之情形時，氮化鋁與玻璃之潤濕性並不充分，故而容器2與玻璃蓋3之接合強度不充分，難以充分提高氣密性。又，鉍系玻璃係以非常低之溫度軟化，雖對使用雷射照射之密封之情形而言較佳，但具有於燒成時容易使構成容器2之氮化鋁表層氧化而產生氮氣之性質。因此，可預料到如下情況：於密封材料層4中產生發泡，容器2與玻璃蓋3之接合強度降低，氣密性降低。 針對此，於本實施形態中，於配置密封材料層4之區域設置有氧化物層5，故而容器2與密封玻璃之潤濕性得到改善。又，藉由設置氧化物層5，鉍系玻璃不易與氮化鋁直接接觸，故而可抑制氮氣之產生。因此，容器2與玻璃蓋3之接合強度不易降低，氣密性亦不易降低。藉此，氣密封裝1之氣密性優異。 再者，雖於本實施形態中係於配置密封材料層4之整個區域設置有氧化物層5，但只要於配置密封材料層4之至少一部分區域設置有氧化物層5即可。但自進一步提高氣密性之觀點而言，較佳為如本實施形態般於配置密封材料層4之整個區域設置有氧化物層5。 又，亦可於容器2之表面之、除搭載元件6之區域以外之其他部分設置有氧化物層5。但自進一步提高散熱性之觀點而言，較佳為僅於配置密封材料層4之區域設置有氧化物層5。 以下，參照圖3～圖6，對氣密封裝1之製造方法進行說明。 (氣密封裝之製造方法) 圖3～圖6係用以說明本發明之一實施形態的氣密封裝之製造方法之模式性剖視圖。 首先，如圖3所示，準備具有底部2a及側壁部2b之容器2。 其次，對容器2之側壁部2b之上表面2b1，照射於大氣壓下產生之電漿即大氣壓電漿，形成圖4所示之氧化物層5。此時，大氣壓電漿處理係以於容器2之側壁部2b之、配置密封材料層4之區域形成氧化物層5之方式進行。又，以於容器2之底部2a之搭載元件6之區域不形成氧化物層5之方式進行。例如，對不希望形成氧化物層之區域(搭載元件之區域等)預先進行遮擋，藉此可僅於所期望之區域形成氧化物層。再者，大氣壓電漿之照射亦可於搭載元件6之後進行。 其次，如圖5所示，於容器2之側壁部2b中之氧化物層5上，印刷密封材料。進而，於密封材料之印刷後，進行乾燥、熱處理，使密封材料燒結，而形成密封材料層4。再者，密封材料層4既可形成於玻璃蓋3側，或者亦可形成於容器2及玻璃蓋3兩者。 其次，於容器2之底部2a上，搭載元件6。 繼而，如圖6所示，於側壁部2b之上表面2b1上之設置有密封材料層4之部分，配置玻璃蓋3。再者，玻璃蓋3只要係以俯視時至少一部分與設置有密封材料層4之部分重疊之方式配置即可。但較佳為玻璃蓋3係以俯視時與設置有密封材料層4之部分完全重疊之方式配置。 其次，於在側壁部2b之上表面2b1上經由密封材料層4而配置有玻璃蓋3之狀態下，自雷射光源照射雷射，使密封材料層4軟化，而使容器2之側壁部2b與玻璃蓋3接合。藉此，將容器2之內部氣密密封，而獲得圖1及圖2所示之氣密封裝1。根據該方法，可局部地僅對密封材料層4進行加熱，故而可不使深紫外線LED或MEMS等低耐熱性之元件劣化地將封裝氣密密封。作為上述雷射，例如，可使用波長為600 nm～1600 nm之雷射。關於雷射之照射方法，以下，將參照圖7更詳細地進行說明。 圖7係用以說明本發明之一實施形態之氣密封裝之製造方法中的雷射之照射方法之模式性俯視圖。 照射雷射時，首先，自雷射光源7將雷射8照射至起點9。繼而，沿著箭頭B之方向使雷射掃描而環行。經環行後之雷射照射至超過起點9之位置為止。藉此，將容器2密封。如本實施形態般，雷射之終點既可為使雷射環行後超過起點9之位置，亦可為與起點9相同之位置。 於本實施形態之氣密封裝1之製造方法中，容器2之側壁部2b之、配置密封材料層4之區域係藉由大氣壓電漿而加以處理，藉此形成有氧化物層5，故而容器2與玻璃蓋3之接合強度得以提高。又，藉由設置氧化物層5，密封材料不易與容器2中所含之氮化鋁發生反應，故而亦可抑制氮氣之產生。因此，容器2與玻璃蓋3之接合強度不易降低，氣密性亦不易降低。又，容器2係藉由氮化鋁而構成，而且於搭載元件6之區域未設置氧化物層5，故而可將自元件6產生之熱效率良好地散放至外部。因此，藉由本實施形態之製造方法而獲得之氣密封裝1之氣密性及散熱性優異。 以下，對本發明中所使用之各構件之詳細情況進行說明。 容器； 容器係藉由氮化鋁而構成。於容器中，亦可包含釔化合物、鎢化合物等作為將氮化鋁燒結時之燒結助劑。 容器具有底部及側壁部。容器既可係一體成形底部及側壁部而成者，亦可為分別分開成形底部及側壁部，再將兩者藉由接著劑等接合而成者。 玻璃蓋； 作為構成玻璃蓋之玻璃，例如，可使用SiO2
-B2
O3
-RO(R係Mg、Ca、Sr或Ba)系玻璃、SiO2
-B2
O3
-R'2
O(R'係Li、Na或Ka)系玻璃、SiO2
-B2
O3
-RO-R'2
O(R'係Li、Na或Ka)系玻璃、SnO-P2
O5
系玻璃、TeO2
系玻璃或Bi2
O3
系玻璃等。 密封材料層； 作為用以形成密封材料層之密封材料，較佳為包含Bi2
O3
系玻璃粉末、SnO-P2
O5
系玻璃粉末、V2
O5
-TeO2
系玻璃粉末等低熔點之密封玻璃。尤其於照射雷射而進行密封之情形時，自以更短時間之加熱使密封材料軟化之必要性與接合強度之方面而言，更佳為對密封玻璃使用軟化點非常低之鉍系玻璃粉末。又，亦可於密封材料中包含低膨脹耐火性填料或雷射吸收材等。作為低膨脹耐火性填料，例如，可列舉堇青石、矽鋅礦、礬土、磷酸鋯系化合物、鋯英石、氧化鋯、氧化錫、石英玻璃、β-石英固溶體、β-鋰霞石、鋰輝石。又，作為雷射吸收材，例如，可列舉選自Fe、Mn、Cu等之至少1種金屬或包含該金屬之氧化物等化合物。 氧化物層； 作為構成氧化物層之氧化物，例如，可列舉氧化鋁或上述燒結助劑之氧化物。作為燒結助劑之氧化物，例如，可列舉氧化釔或氧化鎢等。 再者，形成氧化物層之方法並不限定於上述照射大氣壓電漿之方法。作為形成氧化物層之其他方法，例如，可列舉對氮化鋁容器之側壁部之上部照射雷射而進行加熱之手法。此時之雷射光之波長較佳為3000 nm以上，進而較佳為5000～11000 nm之範圍內。藉由設於此種波長之範圍內，可效率良好地加熱氮化鋁容器之側壁部之上部。作為出射雷射光之光源，較佳可使用二氧化碳氣體雷射。 又，於氮化鋁容器係以包含黑色顏料之狀態而被燒結之情形時，可藉由波長為1600 nm以下之雷射光加熱上述容器之側壁部之上部而形成氧化物層。於該情形時，由於可使用加熱密封材料層之波長為600 nm～1600 nm之雷射光，故而可效率良好地進行生產。 以下，基於具體之實施例，對本發明進而詳細地進行說明，但本發明完全不受以下之實施例所限定，可於不變更其主旨之範圍內適當加以變更而實施。 [實施例] (實施例1) 首先，準備具有底部及側壁部，且係藉由氮化鋁而構成之容器。繼而，於氮氣環境下對容器之側壁部照射24小時大氣壓電漿，而形成氧化物層。再者，將大氣壓電漿之輸出設為45 W，將照射範圍設為直徑0.5 mm之範圍。又，大氣壓電漿係僅對容器之側壁部之上表面之、形成密封材料層之區域加以照射。又，藉由能量分散型X射線分光器(EDS)，而確認：於所獲得之氧化物層中，包含氧化鋁、構成容器之氮化鋁之燒結助劑即釔或鎢之氧化物。 其次，於容器之側壁部中之氧化物層上，印刷密封材料。印刷後，進行乾燥、熱處理，使密封材料燒結，而形成密封材料層。密封材料係使用玻璃粉末、低膨脹耐火性填料粉末、及雷射吸收材之混合粉末。再者，將混合粉末之具體之組成示於下述表1。 [表1]
其次，於準備好之容器之底部上，搭載作為元件之深紫外線LED。 其次，於容器之側壁部之、設置有密封材料之部分，配置玻璃蓋。繼而，於在容器之側壁部經由密封材料而配置有玻璃蓋之狀態下，自雷射光源照射雷射，使密封材料軟化，而使容器之側壁部與玻璃蓋接合。藉此，將容器之內部密封，而獲得氣密封裝。 (比較例1) 除了不照射大氣壓電漿，未形成氧化物層以外，以與實施例1相同之方式獲得氣密封裝。 (評估) 就實施例1及比較例1中所獲得之氣密封裝，使用立體顯微鏡觀察氣泡之有無。 圖8係實施例1中所獲得之氣密封裝之、設置有密封材料層之部分的50倍倍率之立體顯微鏡照片。又，圖9係比較例1中所獲得之氣密封裝之、設置有密封材料層之部分的50倍倍率之立體顯微鏡照片。再者，於圖8及圖9中，白色所示之部分係設置有密封材料層之區域。由圖8及圖9可知：於設置有密封材料層之區域，於比較例1中觀察到大量氣泡，相對於此，於實施例1中氣泡之產生得到抑制。因此，於實施例1之氣密封裝中，容器與玻璃蓋之接合強度不會降低，具有較高之氣密性。另一方面，於比較例1之氣密封裝中，容器之側壁部與玻璃蓋之接合強度降低，無法獲得充分之氣密性。
1‧‧‧氣密封裝
2‧‧‧容器
2a‧‧‧底部
2b‧‧‧側壁部
2b1‧‧‧上表面
3‧‧‧玻璃蓋
4‧‧‧密封材料層
5‧‧‧氧化物層
6‧‧‧元件
7‧‧‧雷射光源
8‧‧‧雷射
9‧‧‧起點
2‧‧‧容器
2a‧‧‧底部
2b‧‧‧側壁部
2b1‧‧‧上表面
3‧‧‧玻璃蓋
4‧‧‧密封材料層
5‧‧‧氧化物層
6‧‧‧元件
7‧‧‧雷射光源
8‧‧‧雷射
9‧‧‧起點
圖1係表示本發明之一實施形態之氣密封裝之模式性俯視圖。 圖2係沿著圖1之A-A線之模式性剖視圖。 圖3係用以說明本發明之一實施形態的氣密封裝之製造方法之模式性剖視圖。 圖4係用以說明本發明之一實施形態的氣密封裝之製造方法之模式性剖視圖。 圖5係用以說明本發明之一實施形態的氣密封裝之製造方法之模式性剖視圖。 圖6係用以說明本發明之一實施形態的氣密封裝之製造方法之模式性剖視圖。 圖7係用以說明本發明之一實施形態之氣密封裝之製造方法中的雷射之照射方法之模式性俯視圖。 圖8係實施例1中所獲得之氣密封裝之、設置有密封材料層之部分的50倍倍率之立體顯微鏡照片。 圖9係比較例1中所獲得之氣密封裝之、設置有密封材料層之部分的50倍倍率之立體顯微鏡照片。
1‧‧‧氣密封裝
3‧‧‧玻璃蓋
4‧‧‧密封材料層
6‧‧‧元件
Claims (8)
- 一種氣密封裝，其係用以搭載並密封元件者，且具備： 容器，其具有搭載上述元件之底部、及配置於該底部上之框狀之側壁部，且係包含氮化鋁而構成； 玻璃蓋，其配置於上述容器之側壁部之上部，用以將上述容器內密封；及 密封材料層，其配置於上述容器之側壁部與上述玻璃蓋之間； 於上述容器之側壁部中之配置上述密封材料層之至少一部分區域，設置有上述容器中所含之成分之氧化物層， 於上述容器之底部中之搭載上述元件之區域，未設置上述氧化物層。
- 如請求項1之氣密封裝，其中上述氧化物層包含氧化鋁。
- 如請求項1或2之氣密封裝，其中上述密封材料層包含鉍系玻璃。
- 一種氣密封裝之製造方法，其係製造如請求項1至3中任一項之氣密封裝之方法，且具備如下步驟： 對上述容器之側壁部中之配置上述密封材料層之至少一部分區域，照射大氣壓電漿，而形成上述氧化物層；及 於上述容器之側壁部中之形成有上述氧化物層之部分之上，經由密封材料而配置上述玻璃蓋，並藉由照射雷射，使上述密封材料軟化，而使上述容器之側壁部與上述玻璃蓋接合。
- 如請求項4之氣密封裝之製造方法，其中於形成上述氧化物層之步驟之前，將上述元件搭載於上述容器之底部。
- 如請求項4或5之氣密封裝之製造方法，其中上述雷射之波長為600 nm～1600 nm。
- 如請求項4或5之氣密封裝之製造方法，其中上述密封材料包含鉍系玻璃粉末。
- 如請求項6之氣密封裝之製造方法，其中上述密封材料包含鉍系玻璃粉末。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016103885 | 2016-05-25 | ||
| JP??2016-103885 | 2016-05-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201806089A true TW201806089A (zh) | 2018-02-16 |
Family
ID=60411283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106110523A TW201806089A (zh) | 2016-05-25 | 2017-03-29 | 氣密封裝及氣密封裝之製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2017203795A1 (zh) |
| TW (1) | TW201806089A (zh) |
| WO (1) | WO2017203795A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020240907A1 (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社村田製作所 | 電子デバイス及びその製造方法 |
| EP4078668B1 (de) * | 2019-12-19 | 2024-01-10 | EV Group E. Thallner GmbH | Vereinzeltes verkapseltes bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521627A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP2014038970A (ja) * | 2012-08-18 | 2014-02-27 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスの製造方法および電子デバイス |
| JP2016027610A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 旭硝子株式会社 | パッケージ基板、パッケージ、および電子デバイス |
-
2017
- 2017-03-10 JP JP2018519107A patent/JPWO2017203795A1/ja active Pending
- 2017-03-10 WO PCT/JP2017/009641 patent/WO2017203795A1/ja active Application Filing
- 2017-03-29 TW TW106110523A patent/TW201806089A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2017203795A1 (ja) | 2019-03-22 |
| WO2017203795A1 (ja) | 2017-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI687381B (zh) | 氣密封裝之製造方法及氣密封裝 | |
| JP2018532256A (ja) | 密封型装置及びその構成方法 | |
| KR20190017744A (ko) | 기밀 패키지의 제조 방법 및 기밀 패키지 | |
| TWI708407B (zh) | 氣密封裝之製造方法 | |
| TW201806089A (zh) | 氣密封裝及氣密封裝之製造方法 | |
| US10586745B2 (en) | Airtight package and method for manufacturing same | |
| US20170040511A1 (en) | Color-converting substrate of light-emitting diode and method for producing same | |
| TW201839918A (zh) | 氣密封裝 | |
| TW201742272A (zh) | 氣密封裝之製造方法及氣密封裝 | |
| TW201806088A (zh) | 氣密封裝之製造方法及氣密封裝 | |
| KR102313390B1 (ko) | 세라믹 광 투과성 장벽 셀을 제조하는 방법, 및 그 방법에 의해 제조되는 장벽 셀 | |
| US20170040507A1 (en) | Substrate For Changing Color Of Light Emitting Diode And Method For Producing Same | |
| TW201842594A (zh) | 封裝基體及使用其的氣密封裝體 | |
| JP2016207683A (ja) | 貫通電極基板および半導体パッケージ | |
| TW201911690A (zh) | 氣密封裝的製造方法及氣密封裝 | |
| WO2018142910A1 (ja) | パッケージ及び波長変換部材の製造方法、パッケージ、波長変換部材、発光デバイス、パッケージの母材、並びに容器の母材 | |
| JP6955207B2 (ja) | ガラスセラミックス積層板、その製造方法、電子部品パッケージ、及びその製造方法 | |
| TW201840499A (zh) | 鉍系玻璃粉末、密封材料以及氣密封裝體 | |
| WO2018185997A1 (ja) | 半導体パッケージ及び半導体デバイス | |
| WO2017154355A1 (ja) | 波長変換部材の製造方法及び波長変換部材 | |
| TW201908266A (zh) | 附有密封材料層封裝基體之製造方法及氣密封裝之製造方法 |