TW201805374A - 晶片加工用剝離液組合物及包含其的剝離劑 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種晶片加工用剝離液組合物及包含其的晶片加工用剝離劑，可製備如下的剝離劑，即，在半導體製備工序中可有效地去除在蝕刻或灰化的過程中形成於晶片的表面的塗層，且不存在上述晶片的表面損傷或腐蝕。
Description
本發明涉及用於製備半導體的晶片加工用剝離液組合物及包含其的剝離劑，更詳細地，涉及可去除形成於晶片等的表面的塗層且不存在上述晶片的表面損傷的晶片加工用剝離液組合物及包含其的晶片加工用剝離劑。
通常，在半導體晶片的表面形成多個元件的電路圖案後，將其反轉過來並對其進行背磨工序，由此從背面對半導體晶片進行磨削或研磨加工，從而按所需的厚度進行薄板化。然後，在切割工序中，將半導體晶片固定於切割帶，在此狀態下，對覆蓋著形成有回路圖案的面的保護帶進行剝離，並按各元件進行劃分及切割。
近來，伴隨著應用程式的急速發展，例如，為了內置於薄的卡型封裝，而要求晶片的薄型化。矽穿孔（through silicon via，TSV）技術為如下的封裝方式，即，通過磨削或研磨加工來使半導體晶片的底面薄化，並且層疊多張之後，通過鑽孔來形成貫通所層疊的晶片的孔，從而形成電極，並傳輸半導體晶片之間的信號。
這種方式具有如下優點：由於可在相同的面積以垂直的方式對晶片進行積累，因而既可改善性能、容量，又可減小尺寸。其厚度為100μm至50μm，有時根據要求可薄化至25μm程度。若半導體晶片的厚度為100μm以上，則由於半導體晶片的強度（厚度方向）強於半導體晶片與粘結劑層之間的粘結力，因此很難產生半導體晶片的裂紋或碎片等現象。
相反地，如100μm以下的薄半導體晶片存在如下的缺點，即，由於脆弱且容易產生彎曲，因此難以使用，並且會增加通路內應力，由此降低工序收率。為了解決這些問題，而通過粘結劑層使玻璃基板等的具有強度的支撐板結合於半導體晶片的表面側來保持支撐，由此通過支撐板完成加強後，對半導體晶片的背面進行背磨處理。在完成上述背磨處理後，從支撐板剝離半導體晶片。
以往，作為剝離通過粘結劑層結合於半導體晶片來保持支撐的支撐板的方法，例如，其方法記載於日本專利公開第2001-7179號公報。即，公開了通過紫外線的照射來降低雙面粘結劑層的粘結力的紫外線硬化型。首先，通過紫外線照射來預先降低粘結力。其次，借助上下2個工作臺夾住半導體晶片，並以真空吸附的狀態進行加熱，以使雙面粘結劑層收縮變形，由此減少雙面粘結劑層與半導體晶片的接觸面積，並使半導體晶片上浮。並且，其中，作為所使用的雙面粘結劑層，除了紫外線硬化型以外，使用以通過加熱來實現發泡的方式降低粘結力的加熱剝離型。
但是，若在晶片的回路形成面照射紫外線，則存在破壞元件（電荷耦合元件（CCD）或互補金屬氧化物半導體（CMOS））的問題。作為剝離通過粘結劑層結合於半導體晶片來保持支撐的支撐板的另一方法，已公知的為使用清洗液清洗晶片的剝離面的方法。
但是，在完成清洗後，由於粘結劑仍然存留在晶片的剝離側面，從而存在降低半導體裝置的品質或收率的問題。
尤其，在有機類剝離組合物的情況下，存在如下的問題，即，在完成剝離後，清洗時間長且環境處理費用高，並且隨著晶片的尺寸實現大直徑化，費用方面，很難接著適用目前所適用的單一型方式。
因此，需要如下的晶片加工用剝離劑，即，既可容易地去除殘存於晶片表面的粘結劑層，又可防止上述晶片的表面的腐蝕等的損傷。
現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本公開專利10-2001-7179號（公開日：2001年01月12日）
發明所欲解決之問題
本發明鑒於如上所述的問題而提出，本發明的目的在於，提供在半導體製備工序中可容易地去除形成於晶片的表面的塗層且不存在上述晶片表面的損傷或腐蝕的晶片加工用剝離液組合物及包含其的晶片加工用剝離劑。
解決問題之技術手段
為了解決上述問題，本發明提供晶片加工用剝離劑組合物，上述晶片加工用剝離劑作為形成有塗層的晶片的加工用剝離劑組合物，其特徵在於，包含由下述化學式1表示的第一化合物、由化學式2表示的第二化合物、由化學式3表示的第三化合物及表面活性劑:
化學式1：
在上述化學式中，R1及R2分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基（aryl group）或碳數為4個以下的烷基（alkyl group）；
化學式2：
在上述化學式2中，R1分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基或碳數為10個以下的烷基；
化學式3：
在上述化學式3中，R1至R4分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基或碳數為4個以下的烷基。
並且，根據本發明的優選的一實施例，上述表面活性劑的平均親水親油平衡（Hydrophile-Lipophile Balance，HLB）值為10至15，上述表面活性劑可包含非離子表面活性劑、陰離子類表面活性劑或它們的混合物。
具體地，上述非離子表面活性劑包含選自由烷基多葡萄糖苷（alkylpolyglucoside）、聚氧乙烯烷基醚（polyoxyalkylene alkyl ether）、聚氧乙烯烷基酚醚（polyoxyalkylene alkyl phenyl ether）、烷基辛基聚氧乙烯醚（polyoxyethylene alkyl octyl ether）、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物（polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer）、聚乙二醇脂肪酸酯（polyethylene glycol fatty acid ester）及聚氧乙烯失水山梨醇脂肪酸酯（polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester）組成的組中的1種以上，上述陰離子表面活性劑可包含選自由烷基醚硫酸鹽（alkyl ether sulfate）、烷基硫酸鹽（alkyl sulfate）、烷基苯磺酸鹽（alkylbenzene sulfonate）、烷基磺基琥珀酸鹽（alkyl sulfosuccinate）、烷基醚磷酸酯（alkyl ether phosphate）、磷酸烷基酯（alkyl phosphate）、烷基苯磷酸酯（alkylbenzene phosphate）及它們鹽組成的組中的1種以上，優選地，上述表面活性劑可以為烷基糖苷（Alkyl polyglycoside）。
根據本發明的優選的一實施例，上述晶片加工用剝離劑組合物可包含30～90重量百分比的上述由化學式1表示的第一化合物、5～60重量百分比的由化學式2表示的第二化合物、1～30重量百分比的由化學式3表示的第三化合物及0.1～10重量百分比的表面活性劑。
並且，本發明的上述塗層包含由下述化學式5表示的化合物：
化學式5：
在上述化學式5中，R1至R5及R7至R8分別獨立地為氫原子、碳數為4個以下的烷基或碳數為5～24個的芳基，R6為碳數為4個以下的亞烷基（alkylene group），n及k分別獨立地為0～10的有理數，m為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為500～10000的有理數。
另一方面，本發明提供包含晶片加工用剝離劑組合物的晶片加工用剝離劑。
本發明的上述剝離劑可優選適用於去除上述塗層的工序，上述剝離劑的絕對粘度可以為80～120cps，有效鹼度可以為20～35，pH可以為8～14。
並且，本發明提供使用上述剝離劑的晶片加工工序，作為本發明的優選的一實施例，可包括：第一工序，使用包含由下述化學式5表示的化合物的塗層劑來對上述晶片表面進行塗敷，從而形成塗層；第二工序，將上述晶片配置於提拉裝置；第三工序，切割（dicing）上述晶片；第四工序，在通過上述切割步驟來完成切削的部件中，僅篩選優質品來進行排列；第五工序，使用上述晶片加工用剝離劑來從所篩選的優質品剝離上述塗層；以及第六工序，對剝離上述塗層的優質品進行檢查。
化學式5：
在上述化學式5中，R1至R5及R7至R8分別獨立地為氫原子、碳數為4個以下的烷基或碳數為5～24個的芳基，R6為碳數為4個以下的亞烷基，n及k分別獨立地為0～10的有理數，m為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為500～10000的有理數。
其中，在本發明的優選的一實施例中，上述第五步驟可在10～50℃的溫度下進行1～10分鐘。
對照先前技術之功效
根據本發明的晶片加工用剝離液組合物及包含其的晶片加工用剝離劑，具有如下的優點，即，由於包含不含乙醇（ethanol）等的有機溶劑的剝離液組合物，因此在半導體製備工序中的晶片的加工工序中可簡單地去除形成於晶片表面上的塗層且不存在上述晶片的表面損傷。
並且，本發明的晶片加工用剝離劑具如下的效果，即，上述晶片加工用剝離劑具有親水性，因此可容易地與水混合，從而在剝離過程中，不僅不產生使材料腐蝕等的問題，還可以不使用乙醇等的有機溶劑，而僅使用水來進行清洗。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
以下，為了更具體地說明本發明，而參照所附圖式對本發明的優選實施例進行更詳細的說明。但是，本發明能夠以多種不同的實施方式來進行體現，並不限定於在此所進行說明的實施例。
如上所述，在有效地剝離形成於晶片的表面的塗層且不存在上述晶片的表面損傷的方面存在困難。
為此，在本發明中，提供包含後述的由下述化學式1表示的第一化合物、由化學式2表示的第二化合物、由化學式3表示的第三化合物及表面活性劑的晶片加工用剝離劑組合物，來作為形成有塗層的晶片的加工用剝離劑組合物，由此探索了用於解決上述的問題的解決方法。
由此，可通過實現製備在晶片製備過程中容易地去除粘結劑層的晶片加工用剝離液組合物且不存在上述晶片的表面損傷的方式，來解決上述的問題。並且，本發明的晶片加工用剝離劑具有如下的特徵，即，上述晶片加工用剝離劑具有親水性，因此可容易地與水混合，從而在剝離步驟中，不僅不產生使材料腐蝕等的問題，還可以不使用乙醇等的有機溶劑，而僅使用水來進行清洗。
首先，本發明提供包括通過使用上述晶片加工用剝離劑來進行剝離的上述塗層的塗層劑，上述塗層劑包含由下述化學式5表示的化合物：
化學式5：
在上述化學式5中，R1至R5及R7至R8分別獨立地為氫原子、碳數為4個以下的烷基或碳數為5～24個的芳基，R6為碳數為4個以下的亞烷基，n及k分別獨立地為0～10的有理數，m為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為1000～10000的有理數。優選地為碳數為1至2個的烷基或苯基，更優選地為甲基（methyl group）。
並且，n及k分別獨立地為0～10的有理數，m獨立地為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為500～10000的有理數。優選地，n及k分別獨立地為3～8的有理數，m獨立地為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為1000～8000的有理數，更優選地，n及k分別獨立地為5～6的有理數，m獨立地為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為2000～6000的有理數。
其中，對使用于形成上述塗層的塗層劑進行說明如下：上述塗層劑可由包含聚氨酯（polyurethane）樹脂、極性有機溶劑、表面調節用添加劑、流動性調節劑、附著力促進劑及水的組合物製備，優選地，上述組合物包含15.0～45.0重量百分比的聚氨酯樹脂、45.0～80.0重量百分比的極性有機溶劑、0.0001～1重量百分比的表面調節用添加劑、0.0001～1重量百分比的流動性調節劑、0.0001～1重量百分比的附著力促進劑以及1.0～10重量百分比的水。
具體地，上述聚氨酯樹脂作為由上述化學式5表示的化合物，可在塗層劑組合物的總重量中包含15～45重量百分比。優選地，可包含20～40重量百分比，更優選地，可包含25～35重量百分比。此時，若聚氨酯樹脂的含量小於15重量百分比，則可存在塗層不完整的問題，若大於45重量百分比，則可存在塗層不均勻的問題，因此優選使用上述範圍內的含量。
作為本發明的塗層劑組合物中的一種，極性有機溶劑起到溶解聚氨酯樹脂的作用，在塗層劑組合物的總重量中可包含45～80重量百分比。優選地，可包含50～70重量百分比，更優選地，可以為55～65重量百分比。此時，若極性有機溶劑的含量小於45重量百分比，則可存在析出聚氨酯樹脂的問題，若大於80重量百分比，則可存在塗層不完整的問題，因此優選使用上述範圍內的含量。而且，上述極性有機溶劑可使用選自醇（alcohol）類、酮（ketone）類及乙二醇醚（glycol ether）中的單獨一種或者通過混合選自醇類、酮類及乙二醇醚中的兩種以上來使用，優選地，可使用選自醇類及酮類中的一種或者通過混合選自醇類及酮類中的兩種以上來使用，更優選地，使用醇類。
作為本發明的塗層劑組合物中的一種，表面調節用添加劑起到賦予塗敷後的表面的防滑性的作用，在塗層劑組合物的總重量中，可包含0.0001～1重量百分比，優選地，可包含0.01～1重量百分比。此時，若表面調節用添加劑的含量小於0.0001重量百分比，則可存在由於防滑性不足，因而附著異物的問題，若大於1重量百分比，則可存在降低塗層的抓力的問題，因此優選使用上述範圍內的含量。優選地，上述表面調節用添加劑可使用矽（silicon）類，具體地可使用PROTEX International公司的MODAREZ K-SE 305（矽類）、MODARE K-SL 106（矽類）、MODAREZ K-SL 107（矽類）或BYK公司的BYK-331、BYK-333（矽類）、BYK-348（矽類）、BYK-3455（矽類）。
作為本發明的塗層劑組合物中的一種，流動性調節劑起到調節塗布液的粘度的作用，在塗層劑組合物的總重量中，可包含0.0001～1重量百分比，優選地，可包含0.01～1重量百分比。此時，若流動性調節劑的含量小於0.0001重量百分比，則可存在由於粘度小，因而塗層厚度變薄的問題，若大於1重量百分比，則可存在由於粘度大，因而塗層不均勻的問題，因此優選使用上述範圍內的含量。並且，上述流動性調節劑可使用PROTEX International公司的PROX A 300、PROX AM 162 S、SYNTHRO THIX 608或BYK公司的BYK-405、BYK-420、BYK-7420 ES。
作為本發明的塗層劑組合物中的一種，附著力促進劑起到提升塗層的抓力的作用，在塗層劑組合物的總重量中，可包含0.0001～1重量百分比，優選地，可包含0.01～1重量百分比。此時，若附著力促進劑的含量小於0.0001重量百分比，則可存在降低塗層的抓力的問題，若大於1重量百分比，則可存在降低塗層的防滑性的問題，因此優選使用上述範圍內的含量。並且，上述附著力促進劑可使用BYK公司的BYK-4509、BYK-4500。
為了去除上述塗層劑，本發明包含晶片加工用剝離劑組合物，上述晶片加工用剝離劑組合物包含由下述化學式1表示的第一化合物、由化學式2表示的第二化合物、由化學式3表示的第三化合物及表面活性劑:
化學式1：
在上述化學式1中，R1及R2分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基或碳數為4個以下的烷基。優選地，上述R1及R2為碳數為1至2個的烷基或苯基，更優選地為甲基。
化學式2：
在上述化學式2中，R1分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基或碳數為10個以下的烷基，優選地，上述R1為碳數為1至2個的烷基或苯基，更優選地為甲基。
化學式3：
在上述化學式3中，R1至R4分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基或碳數為4個以下的烷基。優選地，上述R1至R4為碳數為1至2個的烷基或苯基，更優選地為甲基。
具體地，上述晶片加工用剝離劑組合物可包含30～90重量百分比的上述由化學式1表示的第一化合物、5～60重量百分比的由化學式2表示的第二化合物、1～30重量百分比的由化學式3表示的第三化合物及0.1～10重量百分比的表面活性劑。優選地，上述晶片加工用剝離劑組合物可包含30～70重量百分比的上述由化學式1表示的第一化合物、15～50重量百分比的由化學式2表示的第二化合物、10～20重量百分比的由化學式3表示的第三化合物及0.1～1重量百分比的表面活性劑，更優選地，上述晶片加工用剝離劑組合物可包含40～55重量百分比的上述由化學式1表示的第一化合物、25～43重量百分比的由化學式2表示的第二化合物、15～20重量百分比的由化學式3表示的第三化合物及0.1～1重量百分比的表面活性劑。此時，當上述第一化合物小於30重量百分比時，則因水溶性降低而產生剝離液不被水去除的問題，當大於90重量百分比時，則產生所剝離的塗層析出的問題。當第二化合物小於5重量百分比時，則因所剝離的塗層無法溶解而產生析出的問題，當大於60重量百分比時，則產生因水溶性降低而使剝離液不被水溶解的問題。當第三化合物小於1重量百分比時，則產生剝離性能降低的問題，當大於30重量百分比時，則因鹼性太強而產生腐蝕問題。當表面活性劑小於0.1重量百分比時，則產生清洗性和滲透力降低的問題，當大於1重量百分比時，則產生較多的泡沫問題。
並且，上述表面活性劑的平均親水親油平衡值為10至15，上述表面活性劑可包含非離子表面活性劑、陰離子類表面活性劑或它們的混合物。此時，若上述親水親油平衡值小於10，則產生清洗性降低的問題，若大於15，則因水溶性降低而產生表面活性劑無法進行乳化的問題。
其中，上述非離子表面活性劑包含選自由烷基多糖苷、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基酚醚、烷基辛基聚氧乙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物、聚乙二醇脂肪酸酯及聚氧乙烯失水山梨醇脂肪酸酯組成的組中的1種以上，上述陰離子表面活性劑可包含選自由烷基醚硫酸鹽、烷基硫酸鹽、烷基苯磺酸鹽、烷基磺基琥珀酸鹽、烷基醚磷酸酯、磷酸烷基酯、烷基苯磷酸及它們的鹽組成的組中的1種以上。優選地，上述非離子表面活性劑可以為烷基多葡萄糖苷及聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物，上述陰離子表面活性劑可以為烷基醚磷酸酯及磷酸烷基酯，更優選地，上述非離子表面活性劑可以為烷基多葡萄糖苷，上述陰離子表面活性劑可以為烷基醚磷酸酯。
根據本發明，上述晶片加工用剝離劑組合物可包含上述由化學式1表示的第一化合物、由化學式2表示的第二化合物、由化學式3表示的第三化合物及表面活性劑。
並且，本發明包含晶片加工用剝離劑，上述晶片加工用剝離劑包含用於去除上述塗層劑的上述晶片加工用剝離劑組合物。
其中，上述剝離劑可有效地適用於去除包含上述由化學式5表示的化合物的上述塗層的工序，剝離劑的絕對粘度可以為80～120cps，有效鹼度可以為20～35，pH可以為8～14。優選地，上述剝離劑的絕對粘度可以為90～110cps，有效鹼度可以為25～30，pH可以為9～13，更優選地，上述剝離劑的絕對粘度可以為95～105cps，有效鹼度可以為27，pH可以為10～12。此時，當上述絕對粘度小於80或者大於120時，則產生剝離不完整的問題，當上述有效鹼度小於20時，則產生剝離性能降低的問題，當大於35時，則產生腐蝕問題。當上述pH小於8時，則產生剝離時間變長的問題，當大於14時，則產生因變成強鹼性溶液而具有廢水處理的問題。
本發明提供如下的晶片加工工序，即，上述晶片加工方法包括：第一工序，使用包含由下述化學式5表示的化合物的塗層劑來對上述晶片表面進行塗敷，從而形成塗層；第二工序，將上述晶片配置於提拉裝置；第三工序，切割（dicing）上述晶片；第四工序，在通過上述切割步驟來完成切削的部件中，僅篩選優質品來進行排列；第五工序，使用上述晶片加工用剝離劑來從所篩選的優質品剝離上述塗層；以及第六工序，對剝離上述塗層的優質品進行檢查。
其中，上述第五工序可在10～50℃的溫度下進行1～10分鐘，優選地，可在20～40℃的溫度下進行1～5分鐘。上述第五工序可包括通過將形成有上述塗層的晶片浸漬於注入有上述剝離液的容器來去除的方法。
以下，通過以下實施例來對本發明進行進一步具體的說明。此時，下述實施例僅用於進一步瞭解本發明而提出，並不用於限制本發明的範圍。
準備例
準備例1
晶片表面塗敷用塗層劑的製備
在常溫下，對1g的由下述化學式8-1表示的化合物、8g的由下述化學式9-1表示的化合物、25g的由下述化學式6-1表示的化合物、10g的由下述化學式7-1表示的化合物以及0.03g的作為催化劑的二丁基二月桂酸錫（dibutyltindilaurate，DBTL）進行混合之後，進行升溫，並在75℃的溫度下以500rpm攪拌2小時，從而製備清澈的溶液狀態的第一共聚物。其次，通過使上述第一共聚物冷卻至50℃溫度來固化成具有粘度的捏合狀態後，依次地將1.53g的由下述化學式6-1表示的化合物以500rpm攪拌2小時來製備第二共聚物，將3.52g的由下述化學式11-1表示的化合物在上述第二共聚物中以500rpm攪拌1小時來製備第三共聚物。
此後，在50℃的溫度下使用100ml的蒸餾水來對上述第三共聚物進行蒸餾後，以1000rpm攪拌30分鐘，然後在50℃的溫度下額外地混合2.76g的乙醇，並以500rpm攪拌1小時後，在常溫中進行冷卻。
最終，在常溫進行冷卻的最終聚合物成為泡沫狀態後，放置12小時來使泡沫和液體層分離，然後用匙去除最終聚合物的泡沫，從而獲得作為最終聚合物的由下述化學式5-1表示的聚氨酯樹脂。
將通過上述方法合成的35g的聚氨酯樹脂放進54g的二甲基亞碸（dimethyl sulfoxide，DMSO）後，一邊進行攪拌，一邊放入0.3g的表面調節用添加劑、0.2g的流動性調節劑、0.5g的附著力促進劑、10g的水來進行混合，在攪拌約1小時後，過濾生成物來製備了最終塗層劑。
化學式5-1：
在上述化學式5-1中，R1至R3、R5至R6及R8為-CH3，R4及R7為-CH2-；n及k分別獨立地為5的有理數，m獨立地為滿足化學式5-1的重均分子量（Mw）為3100～3200的有理數。
化學式6-1：
在上述化學式6-1中，R1及R4為-CH2-，R2及R3為-CH3。
化學式7-1：
在上述化學式7-1中，R1至R3為-CH3。
化學式8-1：
在上述化學式8-1中，R1為-CH3。
化學式9-1：
在上述化學式9-1中，R1為-CH3。
化學式10-1：
在上述化學式10-1中，R1至R3為-CH3。
化學式11-1：
在上述化學式11-1中，R1至R3為-CH3。
實施例1～實施例3
晶片加工用剝離液組合物的製備
將形成直徑為0.25μm的通路孔的未清洗的圖案附著晶片A和具有配線寬度為0.25μm的鋁Al配線的未清洗的圖案附著晶片B分段為1㎝角，由此準備晶片後，通過使下述由化學式1-1、2-1、3-1表示的化合物由下列表1的組成，來製備了實施例1～實施例3的剝離液組合物。
表1
化學式1-1：
在上述化學式1-1中，R1及R2為-CH3。
化學式2-1：
在上述化學式2-1中，R1為-CH3。
化學式3-1：
在上述化學式3-1中，R1至R4為-CH3。
比較例
比較例1
以與實施例1至實施例3相同的方法製備塗層劑和剝離劑，但以如上述表1所示的成分比例投入55g的四氫葉酸（tetrahydrofurfuryl alcohol，THFA）、40g的丁基溶纖劑（butyl cellosolve，BC）、5g的羥化四甲銨（tetramethylammonium hydroxide，TMAH）來製備晶片加工用剝離液。
比較例2
以與實施例1至實施例3相同的方法製備塗層劑和剝離劑，但以如上述表1所示的成分比例投入25g的四氫葉酸、60g的丁基溶纖劑、15g的羥化四甲銨來製備晶片加工用剝離液。
比較例3～比較例4
以與實施例1至實施例3相同的方法製備塗層劑和剝離劑，但以如上述表1所示的成分比例分別投入由上述化學式1-1、2-1、3-1表示的化合物來製備剝離液。
實驗例
實驗例1
為了確認針對上述實施例1至3及比較例1至4的剝離液組合物的塗層劑的剝離性能，而在晶片的表面以1μm的厚度塗敷在上述的準備例1所準備的塗層劑後，進行熱固化。為了剝離完成熱固化的塗層劑，在常溫下，在由實施例1至3及比較例1至4製備而成的剝離液組合物中浸漬1分鐘，並且在20～40℃的溫度下，在實施例1至3及比較例1至4製備而成的剝離液組合物中浸漬1～5分鐘來評價剝離力。然後，為了去除殘留在試片上的剝離液，以超純水各清洗20秒後，以氮氣進行了乾燥。以肉眼觀察經乾燥的試片，並利用顯微鏡確認是否去除及殘留塗層劑。其結果表示在下列表2。
表2
（○：殘渣殘留較多 △：殘渣殘留較少 X：無殘渣）
由如上述表2、圖3及圖4所示可知，當使用實施例1至實施例3的剝離液時，在晶片的表面上未殘留粘結劑殘渣，相反地，當使用比較例1至比較例4時，殘留較多的粘結劑殘渣。
實驗例2
使圓環形態的不銹鋼（steel use stainless，SUS）環與利用丙烯酸類聚合物（acrylic polymer）的安裝帶（mount tape）相粘結。在35℃至40℃之間的電爐上，向暴露有安裝帶的粘結部滴注3ml的實施例1至3及比較例1至4的剝離液，並且在40分鐘後，觀察安裝帶的損傷程度，將其結果表示在下列表3。
表3
（○：膨脹現象非常嚴重 △：膨脹現象嚴重 X：幾乎無膨脹現象）
由如上述表2所示可知，當使用實施例1至實施例3時，由於未向通過粘結劑保持支撐於環架的中央的安裝帶上施加不必要的剝離應力，因此安裝帶不會產生膨脹等的變形，從而可防止安裝帶的損傷，進一步可防止晶片的損傷。
綜上所述，雖然本發明已以實施例及實驗例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
(無)
第1圖為本發明一實施例的掃描電子顯微鏡（SEM）照片。 第2圖為本發明一實施例的能譜儀（EDS）曲線圖。 第3圖為本發明一實施例的掃描電子顯微鏡照片。 第4圖為本發明一實施例的能譜儀曲線圖。
Claims (10)
- 一種晶片加工用剝離劑組合物，作為形成有塗層的晶片加工用剝離劑組合物，其中，包含由下述化學式1表示的第一化合物、由化學式2表示的第二化合物、由化學式3表示的第三化合物以及表面活性劑： 化學式1：在上述化學式1中，R1以及R2分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基（aryl group）或碳數為4個以下的烷基（alkyl group）， 化學式2：
在上述化學式2中，R1分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基或碳數為10個以下的烷基； 化學式3：
在上述化學式3中，R1至R4分別獨立地為氫原子、碳數為5～24個的芳基或碳數為4個以下的烷基。
- 如請求項1之晶片加工用剝離劑組合物，其中，上述表面活性劑的平均親水親油平衡（Hydrophile-Lipophile Balance，HLB）值為10～15，上述表面活性劑包含非離子表面活性劑、陰離子類表面活性劑或它們的混合物。
- 如請求項2之晶片加工用剝離劑組合物，其中，上述非離子表面活性劑包含選自由烷基多糖苷（alkylpolyglucoside）、聚氧乙烯烷基醚（polyoxyalkylene alkyl ether）、聚氧乙烯烷基酚醚（polyoxyalkylene alkyl phenyl ether）、烷基辛基聚氧乙烯醚（polyoxyethylene alkyl octyl ether）、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物（polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer）、聚乙二醇脂肪酸酯（polyethylene glycol fatty acid ester）以及聚氧乙烯失水山梨醇脂肪酸酯（polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester）組成的組中的1種以上， 上述陰離子表面活性劑包含選自由烷基醚硫酸鹽（alkyl ether sulfate）、烷基硫酸鹽（alkyl sulfate）、烷基苯磺酸鹽（alkylbenzene sulfonate）、烷基磺基琥珀酸鹽（alkyl sulfosuccinate）、烷基醚磷酸酯（alkyl ether phosphate）、磷酸烷基酯（alkyl phosphate）、烷基苯磷酸酯（alkylbenzene phosphate）以及它們鹽組成的組中的1種以上。
- 如請求項1之晶片加工用剝離劑組合物，其中，上述晶片加工用剝離劑組合物包含30～90重量百分比的由化學式1表示的第一化合物、5～60重量百分比的由化學式2表示的第二化合物、1～30重量百分比的由化學式3表示的第三化合物以及0.1～1重量百分比的表面活性劑。
- 如請求項1之晶片加工用剝離劑組合物，其中，上述塗層包含由下述化學式5表示的化合物： 化學式5：在上述化學式5中，R1至R5以及R7至R8分別獨立地為氫原子、碳數為4個以下的烷基或碳數為5～24個的芳基，R6為碳數為4個以下的亞烷基（alkylene group），n及k分別獨立地為0～10的有理數，m為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為500～10000的有理數。
- 一種晶片加工用剝離劑，其中，包含如請求項1至5中的任一項之晶片加工用剝離劑組合物。
- 如請求項6之晶片加工用剝離劑，其中，上述剝離劑用於去除上述塗層。
- 如請求項6之晶片加工用剝離劑，其中，上述晶片加工用剝離劑的絕對粘度為80～120cps，有效鹼度為20～35，pH為8～14。
- 一種晶片加工工序，其中， 包括： 第一工序，使用包含由下述化學式5表示的化合物的塗層劑來對上述晶片表面進行塗敷，從而形成塗層； 第二工序，將上述晶片配置於提拉裝置； 第三工序，切割（dicing）上述晶片； 第四工序，在通過上述切割工序來完成切削的部件中，僅篩選優質品來進行排列； 第五工序，利用上述請求項6之晶片加工用剝離劑，將上述塗層從所篩選的優質品剝離；以及 第六工序，對剝離上述塗層的優質品進行檢查， 化學式5：在上述化學式5中，R1至R5以及R7至R8分別獨立地為氫原子、碳數為4個以下的烷基或碳數為5～24個的芳基，R6為碳數為4個以下的亞烷基，n以及k分別獨立地為0～10的有理數，m為滿足由化學式5表示的化合物的重均分子量（Mw）為500～10000的有理數。
- 如請求項9之晶片加工工序，上述第五工序在10～50℃的溫度下進行1～10分鐘。
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