TW201803158A - 半導體封裝裝置及其製造方法 - Google Patents

半導體封裝裝置及其製造方法

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Abstract

一半導體封裝裝置包含一電子裝置。該電子裝置具有一第一載體、一第一電子組件、一第二載體、一第二電子組件、一模封體及一透鏡。該第一電子組件位於該第一載體上。該第二載體定義一孔且位於該第一載體上。該孔係位於該第一電子組件上並暴露該第一電子組件。該第二電子組件位於該第二載體上。該模封體覆蓋該第二電子組件。該透鏡定義一空腔且位於該第一載體之該孔上。

Description

半導體封裝裝置及其製造方法
本揭露係關於一種半導體封裝裝置，且更確切地說，係關於一種具有發光組件之半導體封裝裝置。
發光二極體（LED）或雷射二極體係廣泛地用於各種應用中。半導體發光裝置可包含一LED晶片，其具有一或多個半導體層。當該半導體層受激發時，其可經組態以發射同調及/或非同調之光線。在製造過程中，大量的LED半導體晶粒可被製造於半導體晶圓上，該晶圓可藉由探測或測試以精確地識別各晶粒之特定顏色特徵（如色溫）。接著，可將該晶圓切割成複數個晶片。該等LED晶片通常被封裝以提供：外部電連接、散熱、透鏡或導光件、環境保護及/或其他特徵。製造LED晶片封裝之方法包含如晶粒貼合、打線、模封、測試及其他製程。 於一相同封裝內包含不同型態之發光組件及/或在該封裝中具有不同發射特性之發光組件為一所欲之特徵。例如，用於第一型態之組件之增強發光強度之所欲特性及用於第二型態之組件之增強發光效率之所欲特性。另一個所欲之特徵為具有小尺寸之封裝，其包含在發光的方向上具有小封裝厚度。例如，對於一個擬用於消費性電子(如智慧型手機)之封裝，隨著消費性電子之尺寸縮小或功能增加，發光組件所允許之封裝尺寸將減少。
根據本揭露之部分實施例，一電子裝置具有一第一載體、一第一電子組件、一第二載體、一第二電子組件、一模封體及一透鏡。該第一電子組件位於該第一載體上。該第二載體定義一孔且位於該第一載體上。該孔係位於該第一電子組件上並暴露該第一電子組件。該第二電子組件位於該第二載體上。該模封體覆蓋該第二電子組件。該透鏡定義一空腔且位於該第一載體之該孔上。 根據本揭露之部分實施例，一種半導體封裝裝置包含一載體、一第一晶片、一第一封裝體、一第二封裝體及一第二晶片。該第一晶片位於該載體上。該第一封裝體模封該第一晶片。該第二封裝體定義一空腔且位於該載體上。該第二晶片位於該第二封裝體之該空腔內 根據本揭露之部分實施例，一種製造一半導體封裝裝置之方法包含：(a)提供定義一孔之一第一載體及位於該第一載體上之一第一晶片；(b)形成覆蓋該第一晶片之一模封體；(c)於該孔上形成一透鏡，該透鏡定義一空腔；(d)提供一第二載體及位於該第二載體上之一第二晶片；及(e)將該第一載體連接至該第二載體，使該第二晶片置於該透鏡之該空腔內。
圖1A說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置1之剖面圖。該半導體封裝裝置1包括載體10、第一電子組件12、第二電子組件13、第一封裝體15及擋牆結構19。 該載體10可為例如一印刷電路版，如紙基銅箔積層板(paper-based copper foil laminate)、複合銅箔積層板(composite copper foil laminate)或聚合物浸漬玻璃纖維基銅箔積層板(polymer-impregnated glass-fiber-based copper foil laminate)。該載體10可包含內部連接結構，例如複數個導電佈線或連通柱。在一實施例中，該載體10包括陶瓷材料或金屬板。在部分實施例中，該載體10可為基板、有機基板或引線框架。在部分實施例中，該載體10可為雙層基板，其具有一核心層及一導電材料及/或位於該載體10之上表面及下表面上之結構。該導電材料及/或結構可包含複數個佈線。 第一電子組件12係置於該載體10上。該第一電子組件12可為發光晶粒或其他光學晶粒。例如，該第一電子組件12可具有發光二極體(LED)、雷射二極體或其他包括一或多層半導體層之裝置。該等半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或其他任何半導體材料。該第一電子組件12可藉由如覆晶(flip-chip)或接合導線(wire-bond)技術連接至載體10。在部分實施例中，LED晶粒藉由晶粒接合材料與載體10接合。該LED晶粒具有至少一接合導線焊墊。該LED晶粒藉由導線與載體10電連接，該導線之一端與該LED晶粒之該接合導線焊墊接合且該導線之另一端與載體10之一接合導線焊墊接合。 第二電子組件13係置於該載體10上。該第二電子組件13可為發光器或光學晶粒。例如，該第二電子組件13可具有LED、雷射二極體或其他包括一或多層半導體層之裝置。該等半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或其他任何半導體材料。在部分實施例中，該第二電子組件13與該第一電子組件12實質上相同。在其他實施例中，該第二電子組件13與該第一電子組件12相異。該第二電子組件13可藉由如覆晶或接合導線技術連接至載體10。 該第一封裝體15位於該載體10上，俾以覆蓋該第一電子組件12，並於該第一電子組件12及該第一封裝體15之間留下一空氣間隙15c。在部分實施例中，可使用除了空氣間隙以外之間隙(如真空間隙或填滿空氣以外之物質或材料之間隙)，而不使用空氣間隙15c，或可使用其結合。在部分實施例中，該第一封裝體15包含環氧樹脂。在部分實施例中，該第一封裝體15為透鏡。 該第二封裝體14位於該載體10上，俾以實質上覆蓋該第二電子組件13(如完全覆蓋該第二電子組件13)。該第二封裝體14為實心，且在該第二封裝體14及該第二電子組件13之間實質上不存在間隙(如該第二封裝體14及/或該載體10實質上與該第二電子組件13之所有外表面接觸)。在部分實施例中，該第二封裝體14包含環氧樹脂。在部分實施例中，該第二封裝體14與該第一封裝體15具有相同材料。在部分實施例中，該第二封裝體14與該第一封裝體15具有不同材料。 該擋牆結構19位於該載體10上，且位於該第一電子組件12與該第二電子組件13之間。該擋牆結構19不透光，俾以防止由該第一電子組件12及該第二電子組件13所發出的光互相干擾。 圖1B說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之剖面圖。圖1B左圖之示意性半導體封裝裝置可藉由封裝之結構所致之準直提供增強之發光強度(如增強圖1A之第一電子組件12之發光強度)。圖1B左圖所示之半導體封裝裝置以圖式說明兩表面之交互作用使該第一電子組件12所發射之光線折射。第一表面之交互作用係位於空氣跟透鏡之間，且第二表面之交互作用係位於透鏡與空氣之間。亦即，由該第一電子組件12發射之光線至少折射兩次。例如，當光線通過空氣間隙15c與第一封裝體15間之介面時發生第一次折射，且當光線通過第一封裝體15與第一封裝體15外部空氣間之介面時發生第二次折射。因此，相較於通過鑄模於發光組件周圍之透鏡之光線(如1B圖右圖所示，光線自不包含空氣間隙之封裝射出)，自該第一電子組件12發射通過該第一封裝體15之光線可具有增強之光線中心強度。 圖1C說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之剖面圖。圖1C左圖之示意性半導體封裝裝置可提供增強之發光效率(如增強圖1A之第一電子組件13之發光效率)。該第二封裝體14可為一模封體，其置於該第二電子組件13周圍。在部分實施例中，模封體為鑄模複合物(molding compound)。在部分實施例中，該模封體在所欲之頻率範圍內為透光的。例如，若該模封體用於發射紅光(或紅外光)頻帶之發光組件周圍，則該模封體可在包含該紅光(或紅外光)頻帶之頻率範圍內為透光的。藉由使用如鑄模複合物來模封該第二電子組件13，可避免光線於空氣介面反射 (如圖1C右圖所示) 所造成的功率損耗。 圖2A說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置2之分解示意圖。該半導體封裝裝置2包括第一載體20、第二載體21、第一電子組件22、第二電子組件23、第一封裝體25及第二封裝體24。 該第一載體20可為例如一印刷電路版，如紙基銅箔積層板、複合銅箔積層板或聚合物浸漬玻璃纖維基銅箔積層板。該第一載體20可包含內部連接結構，例如複數個導電佈線或連通柱。在一實施例中，該第一載體20包括陶瓷材料或金屬板。在部分實施例中，該第一載體20可包含基板、有機基板或引線框架。在部分實施例中，該第一載體20可為雙層基板，其具有一核心層及一導電材料及/或位於該載體20之上表面及下表面上之結構。該導電材料及/或結構可包含複數個佈線。 該第一電子組件22係置於該第一載體20上。該第一電子組件22可為發光晶粒或其他光學晶粒。例如，該第一電子組件22可具有LED、雷射二極體或其他包括一或多層半導體層之裝置。該等半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或其他任何半導體材料。該第一電子組件22可藉由如覆晶或接合導線技術連接至該第一載體20。在一實施例中，LED晶粒藉由晶粒接合材料與該第一載體20接合。該LED晶粒具有至少一接合導線焊墊。該LED晶粒藉由導線與該第一載體20電連接，該導線之一端與該LED晶粒之該接合導線焊墊接合且該導線之另一端與該第一載體20之一接合導線焊墊接合。 該第二載體21位於該第一載體20上。在部分實施例中，該第二載體21藉由一非導電膠26n貼合至該第一載體20。在部分實施例中，該第二載體21與該第一載體20實質上相同。在另一實施例中，該第二載體21與該第一載體20相異。 該第二載體21定義一開口21h或一孔，其鄰近於該第一電子組件22。該開口21h可暴露至少該第一電子組件22之頂部。在一實施例中，該第二載體21為雙層基板。該開口21h可由該第二載體21之基板核心層之一部分定義。該核心層可為如雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(bismaleimide-triazing, BT)核心或玻璃布(FR-4)階級核心。該開口21h可由挖槽製程(routing process)或打孔製程(punch process)形成。因此，當該第二載體21貼合至該第一載體20時，該第一電子組件22自該第二載體21暴露。該第二載體21於其下表面具有一屏障結構21b(詳參圖2B)。該屏障結構21b可包括如自該下表面之連續突出物。該屏障結構21b可環繞該開口21h。該屏障結構21b有助於避免溢膠。 該第二電子組件23係置於該第二載體21上。該第二電子組件23可為發光器或光學晶粒。例如，該第二電子組件23可具有LED、雷射二極體或其他包括一或多層半導體層之裝置。該等半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或其他任何半導體材料。在部分實施例中，該第二電子組件23與該第一電子組件22實質上相同。在其他實施例中，該第二電子組件23與該第一電子組件22相異。該第二電子組件23可藉由如覆晶或接合導線技術連接至第二載體21。 該第一封裝體25具有或定義一空腔25c，且位於該第二載體21之開口21h上或開口21h內。在部分實施例中，該第一封裝體25包含環氧樹脂。在部分實施例中，該第一封裝體25係為透鏡。至少一部分之第一封裝體25位於該開口21h內。該第一電子組件22及該第一封裝體25之間存在一空間或間隙。在部分實施例中，該空間填滿空氣。在此種組態中，由該第一電子組件22發射之光線至少折射兩次。當光線通過該空腔25c內之空氣與該第一封裝體25間之介面時發生第一次折射。當光線通過該第一封裝體25與該第一封裝體25外部空氣間之介面時發生第二次折射。因此，相較於通過鑄模於發光組件周圍且不具空氣間隙之透鏡之光線，自該第一電子組件22發射通過該第一封裝體25之光線可具有增強之光線中心強度。 該第二封裝體24位於該第二載體21上，並覆蓋該第二電子組件23。該第二封裝體24為實心，且在該第二封裝體24及該第二電子組件23之間實質上不存在空間或間隙(如該第二封裝體24及/或該載體21實質上與該第二電子組件23之所有外表面接觸)。在部分實施例中，該第二封裝體24包含環氧樹脂。在部分實施例中，該第二封裝體24與該第一封裝體25具有相同材料。在部分實施例中，該第二封裝體24與該第一封裝體25具有不同材料。該第二封裝體24之折射係數可大於空氣之折射係數(空氣之折射係數n為1)，故可避免光線於空氣介面反射(如全反射)時造成功率損耗。因此，部分之功率損耗可藉由模封該第二電子組件23而不使模封體中存在空氣空腔來避免。因此，相較於其他發射光線，該第二電子組件23發射通過該第二封裝體24之光線具有較高之功率。 在部分半導體封裝裝置中，不同型態之LED或具有不同發光特徵之LED係置於不同封裝內，如此將增將封裝或與封裝整合之裝置之尺寸，並增加連接導線配置之複雜度。如圖2A所示，具有高中心強度之LED及具有高功率之LED可被整合至相同的封裝中，如此可將半導體封裝裝置2之尺寸最小化，並簡化其製程。 圖2C說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置2之剖面圖。 如圖2C所示，該第一封裝體25位於該第一電子組件22上，並於該第一電子組件22及該第一封裝體25之間留下一空氣間隙21h。該第一電子組件22朝向該第一封裝體25發射光線至該空氣間隙內。如上述有關圖1B之闡述，在此種組態中，由該第一電子組件22發射之光線至少折射兩次。例如，當光線通過該空氣間隙21h與該第一封裝體25間之介面時發生第一次折射，且當光線通過該第一封裝體25與該第一封裝體25外部空氣間之介面時發生第二次折射。因此，自該第一電子組件22發射通過該第一封裝體25之光線具有增強之光線中心強度。 該第二封裝體24可作為模封體，其置於該第二電子組件23周圍。在部分實施例中，模封體為鑄模複合物。在部分實施例中，該模封體在所欲之頻率範圍內為透光的。例如，若該模封體用於發射紅光(或紅外光)頻帶之發光組件周圍，則該模封體可在包含該紅光(或紅外光)頻帶之頻率範圍內為透光的。藉由完全模封該第二電子組件23(不具任何空氣間隙)，可避免光線於空氣介面反射所造成的功率損耗。 圖2D說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置2之上視圖。 如圖2D所示，該第一封裝體25具有內凹部分25s(如擋牆或該第一封裝體25之側面向內凹或具有一凹面)，且該第二封裝體24鄰近於該內凹部分25s，其可減少該半導體封裝裝置2之佈局面積(如該第二封裝體24之外凸部分向外凸出或具有一凸面，該外凸部分可鄰近於該內凹部分25s)。該第一封裝體25可具有用於容納該第一電子組件之第一部分25a(例如，可為實質上圓形或橢圓形)及用於容納該第一電子組件之接合導線之第二部分25b。 圖3說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置3之示意圖。該半導體封裝裝置3包括載體30、第一電子組件32、第二電子組件33、第一封裝體35、第二封裝體34及第三封裝體37。 該載體30可為例如一印刷電路版，如紙基銅箔積層板、複合銅箔積層板或聚合物浸漬玻璃纖維基銅箔積層板。該載體30可包含內部連接結構，例如複數個導電佈線或連通柱。在一實施例中，該載體30包括陶瓷材料或金屬板。在部分實施例中，該載體30可包含基板、有機基板或引線框架。在部分實施例中，該載體30可為雙層基板，其具有一核心層及一導電材料及/或位於該載體30之上表面及下表面上之結構。該導電材料及/或結構可包含複數個佈線。 該第一電子組件32係置於該載體30上。該第一電子組件32可為發光晶粒或其他光學晶粒。例如，該第一電子組件32可具有LED、雷射二極體或其他包括一或多層半導體層之裝置。該等半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或其他任何半導體材料。該第一電子組件32可藉由如覆晶或接合導線技術連接至該載體30。在部分實施例中，LED晶粒藉由晶粒接合材料與該載體30接合。該LED晶粒具有至少一接合導線焊墊。該LED晶粒藉由導線與該載體30電連接，該導線之一端與該LED晶粒之該接合導線焊墊接合且該導線之另一端與該載體30之一接合導線焊墊接合。 該第二電子組件33係置於該載體30上。該第二電子組件33可為發光器或光學晶粒。例如，該第二電子組件33可具有LED、雷射二極體或其他包括一或多層半導體層之裝置。該等半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵或其他任何半導體材料。在部分實施例中，該第二電子組件33與該第一電子組件32實質上相同。在其他實施例中，該第二電子組件33與該第一電子組件32相異。該第二電子組件33可藉由如覆晶或接合導線技術連接至該載體30。 該第一封裝體35位於該載體30上，該第一封裝體35覆蓋該第一電子組件32，並於該第一電子組件32與該第一封裝體35之間留下空氣間隙。在部分實施例中，該第一封裝體35包含環氧樹脂。在部分實施例中，該第一封裝體35為透鏡。 該第二封裝體34位於該載體30上，並實質上覆蓋該第二電子組件33(如完全覆蓋該第二電子組件33)。該第二封裝體34為實心，且在該第二封裝體34及該第二電子組件33之間實質上不存在空間。在部分實施例中，該第二封裝體34包含環氧樹脂。在部分實施例中，該第二封裝體34與該第一封裝體35具有相同材料。在部分實施例中，該第二封裝體34與該第一封裝體35具有不同材料。 該第三封裝體37位於該載體30上，並覆蓋該載體30、一部分之第一封裝體35及一部分之第二封裝體34。如圖3所示，該第一封裝體35之頂部部分及該第二封裝體34之頂部部分自該第三封裝體37暴露，且可自該第三封裝體37凸出。在部分實施例中，該第三封裝體37包含環氧樹脂。在部分實施例中，該第三封裝體37、該第一封裝體35與該第二封裝體34具有相同材料。在部分實施例中，該第三封裝體37、該第一封裝體35與該第二封裝體34具有不同材料。 圖4說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置4之示意圖。該半導體封裝裝置4與圖3所示之半導體封裝裝置3相似，其差異處為一部分之第一封裝體35及一部分之第二封裝體34係被一蓋子47環繞，而非被第三封裝體37環繞。 該蓋子47位於該載體30上，並環繞該載體30之周圍。該蓋子47包圍該第一封裝體35及該第二封裝體34。在部分實施例中，該蓋子47包括塑膠。 圖5A說明根據本揭露之部分實施例之製造如圖2A所示之半導體封裝裝置2之流程圖。即使有關各組件之部分製程、操作或步驟係記載於下，然任何製程、操作或步驟可僅針對一個組件來操作，或針對一個組件與全部組件間的任何數目之組件來操作。 參閱操作S51，提供包含多個第一載體20之第一載體條。提供多個第一載體20可允許同時製造多個半導體封裝裝置。第一電子組件22藉由如覆晶或接合導線技術分別連接至每一個第一載體20。 參閱操作S52，將非導電膠16n施加於每一個第一載體20上。在部分實施例中，該非導電膠16n係沿著每一個第一載體20之邊緣施加。 參閱操作S53，將導電膠26c施加於每一個第一載體20上。該導電膠26c可用以提供位於第一載體20之第一電子組件22與位於第二載體21上之第二電子組件23之間的電連接。 參閱操作S51a，提供包含多個第二載體21之第二載體條。提供多個第二載體21可允許同時製造多個半導體封裝裝置。開口21h係各自形成於每一個第二載體21內，並貫穿每一個第二載體21。在部分實施例中，該開口21h可由鑽孔、蝕刻或其他合適製程所形成。 參閱操作S52，複數個第二電子組件23之各者藉由如覆晶或接合導線技術分別連接至每一個第二載體21。 參閱操作S53a，包含或定義一空腔或空氣間隙25c之第一封裝體25分別形成於每一個第二載體21上，並覆蓋各自的開口21h。不具空腔或空氣間隙之第二封裝體24分別形成於每一個第二載體21上，並覆蓋各自的第二電子組件23。 在部分實施例中，執行操作S54a，其包含對包含第二載體21之第二載體條執行單粒化製程。該單粒化製程可藉由如切割機、雷射或其他合適之切割技術來執行。 在操作S54中，各第二載體21係藉由如抓取與放置(pick-and-place)技術(如圖5B左圖所示)貼合至該第一載體條。在部分實施例中，該等第二載體21係藉由非導電膠26n固定於該第一載體條。該等第二載體21經配置俾使其各自開口21h係位於被置於第一載體20上之相對應之第一電子組件22上。藉由使用抓取與放置技術將各第二載體21貼合至該第一載體條，第二載體與第一載體之相對位置可更易控制，其有助於增加準確性及精確性。 在其他實施例中，執行操作S55，第二載體條(尚未執行單粒化)係藉由如板對板(panel-to-panel)技術貼合至該第一載體條。在部分實施例中，該第二載體條係藉由非導電膠26n固定於該第一載體條。該第二載體條經配置俾使每一個第二載體21之各自開口21h係位於被置於第一載體20上之相對應之第一電子組件22上。使用板對板技術(如圖5B右圖所示)將第二載體條貼合至第一載體條有助於增加製造產出率，如單位/每小時(units per hour, UPH)。 參閱操作S56，執行切割製程，接著執行單粒化製程以分離各自半導體封裝裝置。若第二載體條於操作S54a中分離，則單粒化製程係針對第一載體條執行。若第二載體條並未分離，且藉由板對板技術(S55)貼合至第一載體條，則單粒化製程係針對第一載體條及第二載體條執行。該單粒化製程可藉由如切割機、雷射或其他合適之切割技術來執行。 圖6說明根據本揭露之部分實施例之製造如圖3及4所示之半導體封裝裝置3及4之流程圖。即使有關各組件之部分製程、操作或步驟係記載於下，然任何製程、操作或步驟可僅針對一個組件來操作，或針對一個組件與全部組件間的任何數目之組件來操作。 參閱操作S61，提供包含多個載體30之載體條。提供多個載體30可允許同時製造多個半導體封裝裝置。第一電子組件32藉由如覆晶或接合導線技術分別連接至每一個載體30。第二電子組件33藉由如覆晶或接合導線技術分別連接至每一個載體30。 參閱操作S62，包含或定義一空腔之第一封裝體35分別形成於每一個載體30上，並覆蓋相對應之第一電子組件32。不具空腔之第二封裝體34分別形成於每一個載體30上，並覆蓋第二電子組件33。 參閱操作S63，執行半切製程以形成由多個載體定義之溝槽。 在部分實施例中，執行操作S64a以形成如圖3半導體封裝裝置3，其中第三封裝體37分別形成於每一個載體30上，以覆蓋至少一部分之載體30、一部分之相對應之第一封裝體35及一部分之相對應之第二封裝體34。 在另一實施例中，執行操作S64b以形成如圖4半導體封裝裝置4，其中蓋子47分別形成於每一個載體30上，並環繞該載體30各自的周圍。該蓋子47包圍相對應之第一封裝體35及相對應之第二封裝體34。 參閱操作S65，執行切割製程，接著執行單粒化製程以分離各自半導體封裝裝置。例如，執行單粒化以穿過包含載體30之載體條。該單粒化製程可藉由如切割機、雷射或其他合適之切割技術來執行。 如本文中所使用，術語「實質上」、「實質的」、「大約」及「約」用以描述及考慮小變化。當與事件或情形結合使用時，該等術語可以指其中事件或情形明確發生之情況以及其中事件或情形極近似於發生之情況。舉例而言，該等術語可以指小於或等於±10%，諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%或小於或等於±0.05%。術語「實質上共平面」可指兩表面沿著同一平面具有微米以內之差異，如40μm內、30μm內、20μm內、10μm內或1μm內。當術語「實質上」、「大約」、「約」用於一事件或情況時，其可指該事件或該情況準確地發生，亦可指該事件或該情況接近一近似值。 在部分實施例之敘述中，一組件位於另一組件之「上」可包含該組件直接位於另一組件之上（如實體接觸），亦可指該組件與另一組件之間具有其他組件。 另外，有時在本文中按範圍格式呈現量、比率及其他數值。應理解，此範圍格式係出於便利及簡潔起見，且應靈活地理解，不僅包含明確地指定為範圍限制之數值，而且包含涵蓋於彼範圍內之所有個別數值或子範圍，如同明確地指定每一數值及子範圍一般。 雖然已參考本發明之特定實施例描述及說明本發明，但這些描述及說明並不限制本發明。熟習此項技術者應理解，在不脫離如由所附申請專利範圍界定之本發明之真實精神及範疇的情況下，可作出各種改變且可取代等效物。該等說明可未必按比例繪製。歸因於製造製程及容限，本發明中之藝術再現與實際設備之間可存在區別。可存在並未特定說明之本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性的而非限制性的。可作出修改，以使特定情況、材料、物質組成、方法或製程適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此等修改意欲在所附申請專利範圍之範疇內。雖然本文中所揭示之方法已參考按特定次序執行之特定操作加以描述，但應理解，可在不脫離本發明之教示的情況下組合、細分或重新排序這些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作之次序及分組並非本發明之限制。
1‧‧‧半導體封裝裝置
10‧‧‧載體
12‧‧‧第一電子組件
13‧‧‧第二電子組件
14‧‧‧第二封裝體
15‧‧‧第一封裝體
15c‧‧‧間隙
19‧‧‧擋牆結構
2‧‧‧半導體封裝裝置
20‧‧‧第一載體
21‧‧‧第二載體
21b‧‧‧屏蔽結構
21h‧‧‧開口
22‧‧‧第一電子組件
23‧‧‧第二電子組件
24‧‧‧第二封裝體
25‧‧‧第一封裝體
25a‧‧‧第一部分
25b‧‧‧第二部分
25c‧‧‧空腔
25s‧‧‧內凹部分
26c‧‧‧導電膠
26n‧‧‧非導電膠
3‧‧‧半導體封裝裝置
30‧‧‧載體
32‧‧‧第一電子組件
33‧‧‧第二電子組件
34‧‧‧第二封裝體
35‧‧‧第一封裝體
37‧‧‧第三封裝體
4‧‧‧半導體封裝裝置
30‧‧‧載體
32‧‧‧第一電子組件
33‧‧‧第二電子組件
34‧‧‧第二封裝體
35‧‧‧第一封裝體
37‧‧‧第三封裝體
4‧‧‧半導體封裝裝置
47‧‧‧蓋子
圖1A、1B及1C說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之剖面圖。 圖2A說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之分解示意圖。 圖2B說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之下視圖。 圖2C說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之剖面圖。 圖2D說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之下視圖。 圖3說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之示意圖。 圖4說明根據本揭露之部分實施例之半導體封裝裝置之示意圖。 圖5A及5B說明根據本揭露之部分實施例之製造半導體封裝裝置之流程圖。 圖6說明根據本揭露之部分實施例之製造半導體封裝裝置之流程圖。 貫穿圖式及詳細描述使用共同參考數字以指示相同或類似元件。自以下結合附圖作出之詳細描述，本揭露將會更顯而易見。
1‧‧‧半導體封裝裝置
10‧‧‧載體
12‧‧‧第一電子組件
13‧‧‧第二電子組件
14‧‧‧第二封裝體
15‧‧‧第一封裝體
15c‧‧‧間隙
19‧‧‧擋牆結構

Claims (20)

  1. 一種電子裝置，其包含： 一第一載體； 一第一電子組件，其位於該第一載體上； 一第二載體，其定義一孔且位於該第一載體上，其中該孔係位於該第一電子組件上並暴露該第一電子組件； 一第二電子組件，其位於該第二載體上； 一模封體(encapsulant)，其覆蓋該第二電子組件；及 一透鏡，其定義一空腔且位於該第一載體之該孔上。
  2. 如請求項1之電子裝置，其中該透鏡之至少一部分位於該孔內。
  3. 如請求項2之電子裝置，其進一步包含一屏障(dam)，該屏障位於該第二載體之一底部表面上。
  4. 如請求項1之電子裝置，其中一間隙存在於該第一電子組件與該透鏡之間。
  5. 如請求項4之電子裝置，其中該間隙至少部分地充滿空氣。
  6. 如請求項1之電子裝置，其中該第一電子組件及該第二電子組件為發光裝置。
  7. 如請求項1之電子裝置，其中該模封體及該透鏡包含相同材料。
  8. 一種半導體封裝裝置，其包含： 一載體； 一第一晶片，其位於該載體上； 一第一封裝體，其模封該第一晶片； 一第二封裝體，其定義一空腔且位於該載體上；及 一第二晶片，其位於該第二封裝體之該空腔內。
  9. 如請求項8之半導體封裝裝置，其中一間隙存在於該第二晶片與該第二封裝體之間。
  10. 如請求項9之半導體封裝裝置，其中該間隙至少部分地充滿空氣。
  11. 如請求項8之半導體封裝裝置，其進一步包含一第三封裝體，該第三封裝體覆蓋該載體之一上表面之至少一部分、該第一封裝體及該第二封裝體。
  12. 如請求項8之半導體封裝裝置，其進一步包含一蓋子，該蓋子圍繞該載體之邊緣。
  13. 如請求項8之半導體封裝裝置，其進一步包含一屏障，該屏障位於該載體鄰近該空腔之一下表面上。
  14. 一種製造一半導體封裝裝置之方法，其包含 (a) 提供定義一孔之一第一載體及位於該第一載體上之一第一晶片； (b) 形成覆蓋該第一晶片之一模封體； (c) 於該孔上形成一透鏡，該透鏡定義一空腔； (d) 提供一第二載體及位於該第二載體上之一第二晶片；及 (e) 將該第一載體連接至該第二載體，使該第二晶片置於該透鏡之該空腔內。
  15. 如請求項14之方法，其中操作(c)進一步包含形成該透鏡使其位於至少一部分之該孔內。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包含於該第一載體鄰近該孔之一下表面上形成一屏障。
  17. 如請求項16之方法，其中形成於該孔內之該透鏡被該屏障所包圍。
  18. 如請求項14之方法，其中一間隙存在於該透鏡與該第二晶片之間。
  19. 如請求項18之方法，其中該間隙至少部分地充滿空氣。
  20. 如請求項14之方法，其中在該操作(e)中，該第一載體及該第二載體係藉由一非導電膠連接。
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