CN107275318A - 半导体封装装置及其制造方法 - Google Patents

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詹勋伟
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Abstract

半导体封装装置包括电子装置。所述电子装置具有第一载体、第一电子组件、第二载体、第二电子组件、模封体及透镜。所述第一电子组件位于所述第一载体上。所述第二载体定义一孔且位于所述第一载体上。所述孔位于所述第一电子组件上并暴露所述第一电子组件。所述第二电子组件位于所述第二载体上。所述模封体覆盖所述第二电子组件。所述透镜定义一空腔且位于所述第一载体的所述孔上。

Description

半导体封装装置及其制造方法
技术领域
本揭露涉及半导体封装装置，且更确切地说，涉及具有发光组件的半导体封装装置。
背景技术
发光二极管(LED)或雷射二极管广泛地用于各种应用中。半导体发光装置可包括LED芯片，其具有一或多个半导体层。当所述半导体层受激发时，其可发射同调及/或非同调之光线。在制造过程中，大量的LED半导体管芯可被制造于半导体晶圆上，所述晶圆可藉由探测或测试以精确地识别各管芯之特定颜色特征(如色温)。接着，可将所述晶圆切割成复数个芯片。所述LED芯片通常被封装以提供：外部电连接、散热、透镜或导光件、环境保护及/或其他特征。制造LED芯片封装之方法包括如管芯贴合、打线、模封、测试及其他制程。
于一相同封装内包括不同型态的发光组件及/或在所述封装中具有不同发射特性的发光组件为所欲的特征。例如，用于第一型态的组件的增强发光强度的所欲特性及用于第二型态的组件的增强发光效率的所欲特性。另一个所欲的特征为具有小尺寸的封装，其包括在发光的方向上具有小封装厚度。例如，对于一个拟用于消费性电子(如智能型手机)的封装，随着消费性电子的尺寸缩小或功能增加，发光组件所允许的封装尺寸将减少。
发明内容
根据本揭露的部分实施例，电子装置具有第一载体、第一电子组件、第二载体、第二电子组件、模封体及透镜。所述第一电子组件位于所述第一载体上。所述第二载体定义一孔且位于所述第一载体上。所述孔位于所述第一电子组件上并暴露所述第一电子组件。所述第二电子组件位于所述第二载体上。所述模封体覆盖所述第二电子组件。所述透镜定义一空腔且位于所述第一载体的所述孔上。
根据本揭露的部分实施例，半导体封装装置包括载体、第一芯片、第一封装体、第二封装体及第二芯片。所述第一芯片位于所述载体上。所述第一封装体模封所述第一芯片。所述第二封装体定义一空腔且位于所述载体上。所述第二芯片位于所述第二封装体的所述空腔内
根据本揭露的部分实施例，制造一半导体封装装置的方法包括：(a)提供定义一孔的第一载体及位于所述第一载体上的第一芯片；(b)形成覆盖所述第一芯片的模封体；(c)于所述孔上形成透镜，所述透镜定义一空腔；(d)提供第二载体及位于所述第二载体上的第二芯片；及(e)将所述第一载体连接至所述第二载体，使所述第二芯片置于所述透镜的所述空腔内。
附图说明
图1A、1B及1C说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的剖面图。
图2A说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的分解示意图。
图2B说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的下视图。
图2C说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的剖面图。
图2D说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的下视图。
图3说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的示意图。
图4说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的示意图。
图5A及5B说明根据本揭露的部分实施例的制造半导体封装装置的流程图。
图6说明根据本揭露的部分实施例的制造半导体封装装置的流程图。
贯穿图式和具体实施方式使用共同参考数字以指示相同或类似元件。从以下结合附图作出的详细描述，本发明将会更加显而易见。
具体实施方式
图1A说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置1的剖面图。所述半导体封装装置1包括载体10、第一电子组件12、第二电子组件13、第一封装体15及挡墙结构19。
所述载体10可为例如印刷电路版，如纸基铜箔积层板(paper-based copper foillaminate)、复合铜箔积层板(composite copper foil laminate)或聚合物浸渍玻璃纤维基铜箔积层板(polymer-impregnated glass-fiber-based copper foil laminate)。所述载体10可包括内部连接结构，例如复数个导电布线或连通柱。在一实施例中，所述载体10包括陶瓷材料或金属板。在部分实施例中，所述载体10可为基板、有机基板或引线框架。在部分实施例中，所述载体10可为双层基板，其具有核心层及导电材料及/或位于所述载体10的上表面及下表面上的结构。所述导电材料及/或结构可包括复数个布线。
第一电子组件12置于所述载体10上。所述第一电子组件12可为发光管芯或其他光学管芯。例如，所述第一电子组件12可具有发光二极管(LED)、雷射二极管或其他包括一或多层半导体层的装置。所述等半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓或其他任何半导体材料。所述第一电子组件12可藉由如覆晶(flip-chip)或接合导线(wire-bond)技术连接至载体10。在部分实施例中，LED管芯藉由管芯接合材料与载体10接合。所述LED管芯具有至少一接合导线焊垫。所述LED管芯藉由导线与载体10电连接，所述导线的一端与所述LED管芯的所述接合导线焊垫接合且所述导线的另一端与载体10的一接合导线焊垫接合。
第二电子组件13置于所述载体10上。所述第二电子组件13可为发光器或光学管芯。例如，所述第二电子组件13可具有LED、雷射二极管或其他包括一或多层半导体层的装置。所述等半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓或其他任何半导体材料。在部分实施例中，所述第二电子组件13与所述第一电子组件12实质上相同。在其他实施例中，所述第二电子组件13与所述第一电子组件12相异。所述第二电子组件13可藉由如覆晶或接合导线技术连接至载体10。
所述第一封装体15位于所述载体10上，俾以覆盖所述第一电子组件12，并于所述第一电子组件12及所述第一封装体15之间留下一空气间隙15c。在部分实施例中，可使用除了空气间隙以外的间隙(如真空间隙或填满空气以外的物质或材料的间隙)，而不使用空气间隙15c，或可使用其结合。在部分实施例中，所述第一封装体15包括环氧树脂。在部分实施例中，所述第一封装体15为透镜。
所述第二封装体14位于所述载体10上，俾以实质上覆盖所述第二电子组件13(如完全覆盖所述第二电子组件13)。所述第二封装体14为实心，且在所述第二封装体14及所述第二电子组件13之间实质上不存在间隙(如所述第二封装体14及/或所述载体10实质上与所述第二电子组件13的所有外表面接触)。在部分实施例中，所述第二封装体14包括环氧树脂。在部分实施例中，所述第二封装体14与所述第一封装体15具有相同材料。在部分实施例中，所述第二封装体14与所述第一封装体15具有不同材料。
所述挡墙结构19位于所述载体10上，且位于所述第一电子组件12与所述第二电子组件13之间。所述挡墙结构19不透光，俾以防止由所述第一电子组件12及所述第二电子组件13所发出的光互相干扰。
图1B说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的剖面图。图1B左图的示意性半导体封装装置可藉由封装的结构所致的准直提供增强的发光强度(如增强图1A的第一电子组件12的发光强度)。图1B左图所示的半导体封装装置以图式说明两表面的交互作用使所述第一电子组件12所发射的光线折射。第一表面的交互作用位于空气跟透镜之间，且第二表面的交互作用位于透镜与空气之间。亦即，由所述第一电子组件12发射的光线至少折射两次。例如，当光线通过空气间隙15c与第一封装体15间的接口时发生第一次折射，且当光线通过第一封装体15与第一封装体15外部空气间的接口时发生第二次折射。因此，相较于通过模制于发光组件周围的透镜的光线(如1B图右图所示，光线自不包括空气间隙的封装射出)，自所述第一电子组件12发射通过所述第一封装体15的光线可具有增强的光线中心强度。
图1C说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置的剖面图。图1C左图的示意性半导体封装装置可提供增强的发光效率(如增强图1A的第一电子组件13的发光效率)。所述第二封装体14可为一模封体，其置于所述第二电子组件13周围。在部分实施例中，模封体为模制复合物(molding compound)。在部分实施例中，所述模封体在所欲的频率范围内为透光的。例如，若所述模封体用于发射红光(或红外光)频带的发光组件周围，则所述模封体可在包括所述红光(或红外光)频带的频率范围内为透光的。藉由使用如模制复合物来模封所述第二电子组件13，可避免光线于空气接口反射(如图1C右图所示)所造成的功率损耗。
图2A说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置2的分解示意图。所述半导体封装装置2包括第一载体20、第二载体21、第一电子组件22、第二电子组件23、第一封装体25及第二封装体24。
所述第一载体20可为例如一印刷电路版，如纸基铜箔积层板、复合铜箔积层板或聚合物浸渍玻璃纤维基铜箔积层板。所述第一载体20可包括内部连接结构，例如复数个导电布线或连通柱。在一实施例中，所述第一载体20包括陶瓷材料或金属板。在部分实施例中，所述第一载体20可包括基板、有机基板或引线框架。在部分实施例中，所述第一载体20可为双层基板，其具有一核心层及一导电材料及/或位于所述载体20的上表面及下表面上的结构。所述导电材料及/或结构可包括复数个布线。
所述第一电子组件22置于所述第一载体20上。所述第一电子组件22可为发光管芯或其他光学管芯。例如，所述第一电子组件22可具有LED、雷射二极管或其他包括一或多层半导体层的装置。所述等半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓或其他任何半导体材料。所述第一电子组件22可藉由如覆晶或接合导线技术连接至所述第一载体20。在一实施例中，LED管芯藉由管芯接合材料与所述第一载体20接合。所述LED管芯具有至少一接合导线焊垫。所述LED管芯藉由导线与所述第一载体20电连接，所述导线的一端与所述LED管芯的所述接合导线焊垫接合且所述导线的另一端与所述第一载体20的一接合导线焊垫接合。
所述第二载体21位于所述第一载体20上。在部分实施例中，所述第二载体21藉由一非导电胶26n贴合至所述第一载体20。在部分实施例中，所述第二载体21与所述第一载体20实质上相同。在另一实施例中，所述第二载体21与所述第一载体20相异。
所述第二载体21定义一开口21h或一孔，其邻近于所述第一电子组件22。所述开口21h可暴露至少所述第一电子组件22的顶部。在一实施例中，所述第二载体21为双层基板。所述开口21h可由所述第二载体21的基板核心层的一部分定义。所述核心层可为如双马来酰亚胺-三氮杂苯树脂(bismaleimide-triazing,BT)核心或玻璃布(FR-4)阶级核心。所述开口21h可由挖槽制程(routing process)或打孔制程(punch process)形成。因此，当所述第二载体21贴合至所述第一载体20时，所述第一电子组件22自所述第二载体21暴露。所述第二载体21于其下表面具有一屏障结构21b(详参图2B)。所述屏障结构21b可包括如自所述下表面的连续突出物。所述屏障结构21b可环绕所述开口21h。所述屏障结构21b有助于避免溢胶。
所述第二电子组件23置于所述第二载体21上。所述第二电子组件23可为发光器或光学管芯。例如，所述第二电子组件23可具有LED、雷射二极管或其他包括一或多层半导体层的装置。所述等半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓或其他任何半导体材料。在部分实施例中，所述第二电子组件23与所述第一电子组件22实质上相同。在其他实施例中，所述第二电子组件23与所述第一电子组件22相异。所述第二电子组件23可藉由如覆晶或接合导线技术连接至第二载体21。
所述第一封装体25具有或定义一空腔25c，且位于所述第二载体21的开口21h上或开口21h内。在部分实施例中，所述第一封装体25包括环氧树脂。在部分实施例中，所述第一封装体25为透镜。至少一部分的第一封装体25位于所述开口21h内。所述第一电子组件22及所述第一封装体25之间存在一空间或间隙。在部分实施例中，所述空间填满空气。在此种组态中，由所述第一电子组件22发射的光线至少折射两次。当光线通过所述空腔25c内的空气与所述第一封装体25间的接口时发生第一次折射。当光线通过所述第一封装体25与所述第一封装体25外部空气间的接口时发生第二次折射。因此，相较于通过模制于发光组件周围且不具空气间隙的透镜的光线，自所述第一电子组件22发射通过所述第一封装体25的光线可具有增强的光线中心强度。
所述第二封装体24位于所述第二载体21上，并覆盖所述第二电子组件23。所述第二封装体24为实心，且在所述第二封装体24及所述第二电子组件23之间实质上不存在空间或间隙(如所述第二封装体24及/或所述载体21实质上与所述第二电子组件23的所有外表面接触)。在部分实施例中，所述第二封装体24包括环氧树脂。在部分实施例中，所述第二封装体24与所述第一封装体25具有相同材料。在部分实施例中，所述第二封装体24与所述第一封装体25具有不同材料。所述第二封装体24的折射系数可大于空气的折射系数(空气的折射系数n为1)，故可避免光线于空气接口反射(如全反射)时造成功率损耗。因此，部分的功率损耗可藉由模封所述第二电子组件23而不使模封体中存在空气空腔来避免。因此，相较于其他发射光线，所述第二电子组件23发射通过所述第二封装体24的光线具有较高的功率。
在部分半导体封装装置中，不同型态的LED或具有不同发光特征的LED置于不同封装内，如此将增将封装或与封装整合的装置的尺寸，并增加连接导线配置的复杂度。如图2A所示，具有高中心强度的LED及具有高功率的LED可被整合至相同的封装中，如此可将半导体封装装置2的尺寸最小化，并简化其制程。
图2C说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置2的剖面图。
如图2C所示，所述第一封装体25位于所述第一电子组件22上，并于所述第一电子组件22及所述第一封装体25之间留下一空气间隙21h。所述第一电子组件22朝向所述第一封装体25发射光线至所述空气间隙内。如上述有关图1B的论述，在此种组态中，由所述第一电子组件22发射的光线至少折射两次。例如，当光线通过所述空气间隙21h与所述第一封装体25间的接口时发生第一次折射，且当光线通过所述第一封装体25与所述第一封装体25外部空气间的接口时发生第二次折射。因此，自所述第一电子组件22发射通过所述第一封装体25的光线具有增强的光线中心强度。
所述第二封装体24可作为模封体，其置于所述第二电子组件23周围。在部分实施例中，模封体为模制复合物。在部分实施例中，所述模封体在所欲的频率范围内为透光的。例如，若所述模封体用于发射红光(或红外光)频带的发光组件周围，则所述模封体可在包括所述红光(或红外光)频带的频率范围内为透光的。藉由完全模封所述第二电子组件23(不具任何空气间隙)，可避免光线于空气接口反射所造成的功率损耗。
图2D说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置2的上视图。
如图2D所示，所述第一封装体25具有内凹部分25s(如挡墙或所述第一封装体25的侧面向内凹或具有一凹面)，且所述第二封装体24邻近于所述内凹部分25s，其可减少所述半导体封装装置2的布局面积(如所述第二封装体24的外凸部分向外凸出或具有一凸面，所述外凸部分可邻近于所述内凹部分25s)。所述第一封装体25可具有用于容纳所述第一电子组件的第一部分25a(例如，可为实质上圆形或椭圆形)及用于容纳所述第一电子组件的接合导线的第二部分25b。
图3说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置3的示意图。所述半导体封装装置3包括载体30、第一电子组件32、第二电子组件33、第一封装体35、第二封装体34及第三封装体37。
所述载体30可为例如印刷电路版，如纸基铜箔积层板、复合铜箔积层板或聚合物浸渍玻璃纤维基铜箔积层板。所述载体30可包括内部连接结构，例如复数个导电布线或连通柱。在一实施例中，所述载体30包括陶瓷材料或金属板。在部分实施例中，所述载体30可包括基板、有机基板或引线框架。在部分实施例中，所述载体30可为双层基板，其具有一核心层及一导电材料及/或位于所述载体30的上表面及下表面上的结构。所述导电材料及/或结构可包括复数个布线。
所述第一电子组件32置于所述载体30上。所述第一电子组件32可为发光管芯或其他光学管芯。例如，所述第一电子组件32可具有LED、雷射二极管或其他包括一或多层半导体层的装置。所述等半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓或其他任何半导体材料。所述第一电子组件32可藉由如覆晶或接合导线技术连接至所述载体30。在部分实施例中，LED管芯藉由管芯接合材料与所述载体30接合。所述LED管芯具有至少一接合导线焊垫。所述LED管芯藉由导线与所述载体30电连接，所述导线的一端与所述LED管芯的所述接合导线焊垫接合且所述导线的另一端与所述载体30的一接合导线焊垫接合。
所述第二电子组件33置于所述载体30上。所述第二电子组件33可为发光器或光学管芯。例如，所述第二电子组件33可具有LED、雷射二极管或其他包括一或多层半导体层的装置。所述等半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓或其他任何半导体材料。在部分实施例中，所述第二电子组件33与所述第一电子组件32实质上相同。在其他实施例中，所述第二电子组件33与所述第一电子组件32相异。所述第二电子组件33可藉由如覆晶或接合导线技术连接至所述载体30。
所述第一封装体35位于所述载体30上，所述第一封装体35覆盖所述第一电子组件32，并于所述第一电子组件32与所述第一封装体35之间留下空气间隙。在部分实施例中，所述第一封装体35包括环氧树脂。在部分实施例中，所述第一封装体35为透镜。
所述第二封装体34位于所述载体30上，并实质上覆盖所述第二电子组件33(如完全覆盖所述第二电子组件33)。所述第二封装体34为实心，且在所述第二封装体34及所述第二电子组件33之间实质上不存在空间。在部分实施例中，所述第二封装体34包括环氧树脂。在部分实施例中，所述第二封装体34与所述第一封装体35具有相同材料。在部分实施例中，所述第二封装体34与所述第一封装体35具有不同材料。
所述第三封装体37位于所述载体30上，并覆盖所述载体30、一部分的第一封装体35及一部分的第二封装体34。如图3所示，所述第一封装体35的顶部部分及所述第二封装体34的顶部部分自所述第三封装体37暴露，且可自所述第三封装体37凸出。在部分实施例中，所述第三封装体37包括环氧树脂。在部分实施例中，所述第三封装体37、所述第一封装体35与所述第二封装体34具有相同材料。在部分实施例中，所述第三封装体37、所述第一封装体35与所述第二封装体34具有不同材料。
图4说明根据本揭露的部分实施例的半导体封装装置4的示意图。所述半导体封装装置4与图3所示的半导体封装装置3相似，其差异处为一部分的第一封装体35及一部分的第二封装体34被一盖子47环绕，而非被第三封装体37环绕。
所述盖子47位于所述载体30上，并环绕所述载体30的周围。所述盖子47包围所述第一封装体35及所述第二封装体34。在部分实施例中，所述盖子47包括塑料。
图5A说明根据本揭露的部分实施例的制造如图2A所示的半导体封装装置2的流程图。即使有关各组件的部分制程、操作或步骤记载于下，然任何制程、操作或步骤可仅针对一个组件来操作，或针对一个组件与全部组件间的任何数目的组件来操作。
参阅操作S51，提供包括多个第一载体20的第一载体条。提供多个第一载体20可允许同时制造多个半导体封装装置。第一电子组件22藉由如覆晶或接合导线技术分别连接至每一个第一载体20。
参阅操作S52，将非导电胶16n施用于每一个第一载体20上。在部分实施例中，所述非导电胶16n沿着每一个第一载体20的边缘施用。
参阅操作S53，将导电胶26c施用于每一个第一载体20上。所述导电胶26c可用以提供位于第一载体20的第一电子组件22与位于第二载体21上的第二电子组件23之间的电连接。
参阅操作S51a，提供包括多个第二载体21的第二载体条。提供多个第二载体21可允许同时制造多个半导体封装装置。开口21h各自形成于每一个第二载体21内，并贯穿每一个第二载体21。在部分实施例中，所述开口21h可由钻孔、蚀刻或其他合适制程所形成。
参阅操作S52，复数个第二电子组件23的各者藉由如覆晶或接合导线技术分别连接至每一个第二载体21。
参阅操作S53a，包括或定义一空腔或空气间隙25c的第一封装体25分别形成于每一个第二载体21上，并覆盖各自的开口21h。不具空腔或空气间隙的第二封装体24分别形成于每一个第二载体21上，并覆盖各自的第二电子组件23。
在部分实施例中，执行操作S54a，其包括对包括第二载体21的第二载体条执行单粒化制程。所述单粒化制程可藉由如切割机、雷射或其他合适的切割技术来执行。
在操作S54中，各第二载体21藉由如抓取与放置(pick-and-place)技术(如图5B左图所示)贴合至所述第一载体条。在部分实施例中，所述等第二载体21藉由非导电胶26n固定于所述第一载体条。所述等第二载体21经配置俾使其各自开口21h位于被置于第一载体20上的相对应的第一电子组件22上。藉由使用抓取与放置技术将各第二载体21贴合至所述第一载体条，第二载体与第一载体的相对位置可更易控制，其有助于增加准确性及精确性。
在其他实施例中，执行操作S55，第二载体条(尚未执行单粒化)藉由如板对板(panel-to-panel)技术贴合至所述第一载体条。在部分实施例中，所述第二载体条藉由非导电胶26n固定于所述第一载体条。所述第二载体条经配置俾使每一个第二载体21的各自开口21h位于被置于第一载体20上的相对应的第一电子组件22上。使用板对板技术(如图5B右图所示)将第二载体条贴合至第一载体条有助于增加制造产出率，如单位/每小时(unitsper hour,UPH)。
参阅操作S56，执行切割制程，接着执行单粒化制程以分离各自半导体封装装置。若第二载体条于操作S54a中分离，则单粒化制程系针对第一载体条执行。若第二载体条并未分离，且藉由板对板技术(S55)贴合至第一载体条，则单粒化制程系针对第一载体条及第二载体条执行。所述单粒化制程可藉由如切割机、雷射或其他合适的切割技术来执行。
图6说明根据本揭露的部分实施例的制造如图3及4所示的半导体封装装置3及4的流程图。即使有关各组件的部分制程、操作或步骤记载于下，然任何制程、操作或步骤可仅针对一个组件来操作，或针对一个组件与全部组件间的任何数目的组件来操作。
参阅操作S61，提供包括多个载体30的载体条。提供多个载体30可允许同时制造多个半导体封装装置。第一电子组件32藉由如覆晶或接合导线技术分别连接至每一个载体30。第二电子组件33藉由如覆晶或接合导线技术分别连接至每一个载体30。
参阅操作S62，包括或定义一空腔的第一封装体35分别形成于每一个载体30上，并覆盖相对应的第一电子组件32。不具空腔的第二封装体34分别形成于每一个载体30上，并覆盖第二电子组件33。
参阅操作S63，执行半切制程以形成由多个载体定义的沟槽。
在部分实施例中，执行操作S64a以形成如图3半导体封装装置3，其中第三封装体37分别形成于每一个载体30上，以覆盖至少一部分的载体30、一部分的相对应的第一封装体35及一部分的相对应的第二封装体34。
在另一实施例中，执行操作S64b以形成如图4半导体封装装置4，其中盖子47分别形成于每一个载体30上，并环绕所述载体30各自的周围。所述盖子47包围相对应的第一封装体35及相对应的第二封装体34。
参阅操作S65，执行切割制程，接着执行单粒化制程以分离各自半导体封装装置。例如，执行单粒化以穿过包括载体30的载体条。所述单粒化制程可藉由如切割机、雷射或其他合适的切割技术来执行。
如本文中所使用，术语「实质上」、「实质的」、「大约」及「约」用以描述及考虑小变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可以指其中事件或情形明确发生的情况以及其中事件或情形极近似于发生的情况。举例而言，所述术语可以指小于或等于±10％，诸如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％。术语「实质上共平面」可指两表面沿着同一平面具有微米以内的差异，如40μm内、30μm内、20μm内、10μm内或1μm内。当术语「实质上」、「大约」、「约」用于一事件或情况时，其可指所述事件或所述情况准确地发生，亦可指所述事件或所述情况接近一近似值。
在部分实施例的叙述中，一组件位于另一组件之「上」可包括所述组件直接位于另一组件之上(如实体接触)，亦可指所述组件与另一组件之间具有其他组件。
另外，有时在本文中按范围格式呈现量、比率及其他数值。应理解，此范围格式系出于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包括明确地指定为范围限制的数值，而且包括涵盖于彼范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
虽然已参考本发明的特定实施例描述及说明本发明，但这些描述及说明并不限制本发明。熟习此项技术者应理解，在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神及范畴的情况下，可作出各种改变且可取代等效物。所述说明可未必按比例绘制。归因于制造制程及容限，本发明中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定说明的本发明的其他实施例。应将本说明书及图式视为说明性的而非限制性的。可作出修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或制程适应于本发明的目标、精神及范畴。所有此等修改意欲在所附权利要求书的范畴内。虽然本文中所揭示的方法已参考按特定次序执行的特定操作加以描述，但应理解，可在不脱离本发明的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序及分组并非本发明的限制。

Claims (20)

1.一种电子装置，其包括：
第一载体；
第一电子组件，其位于所述第一载体上；
第二载体，其定义一孔且位于所述第一载体上，其中所述孔位于所述第一电子组件上并暴露所述第一电子组件；
第二电子组件，其位于所述第二载体上；
模封体(encapsulant)，其覆盖所述第二电子组件；及
透镜，其定义一空腔且位于所述第一载体的所述孔上。
2.如据权利要求1所述的电子装置，其中所述透镜的至少一部分位于所述孔内。
3.如据权利要求2所述的电子装置，其进一步包括屏障(dam)，所述屏障位于所述第二载体的底部表面上。
4.如据权利要求1所述的电子装置，其中一间隙存在于所述第一电子组件与所述透镜之间。
5.如据权利要求4所述的电子装置，其中所述间隙至少部分地充满空气。
6.如据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电子组件及所述第二电子组件为发光装置。
7.如据权利要求1所述的电子装置，其中所述模封体及所述透镜包括相同材料。
8.一种半导体封装装置，其包括：
载体；
第一芯片，其位于所述载体上；
第一封装体，其模封所述第一芯片；
第二封装体，其定义一空腔且位于所述载体上；及
第二芯片，其位于所述第二封装体的所述空腔内。
9.如据权利要求8所述的半导体封装装置，其中一间隙存在于所述第二芯片与所述第二封装体之间。
10.如据权利要求9所述的半导体封装装置，其中所述间隙至少部分地充满空气。
11.如据权利要求8所述的半导体封装装置，其进一步包括第三封装体，所述第三封装体覆盖所述载体的上表面的至少一部分、所述第一封装体及所述第二封装体。
12.如据权利要求8所述的半导体封装装置，其进一步包括盖子，所述盖子围绕所述载体的边缘。
13.如据权利要求8所述的半导体封装装置，其进一步包括屏障，所述屏障位于所述载体邻近所述空腔的下表面上。
14.一种制造一半导体封装装置的方法，其包括
(a)提供定义一孔的第一载体及位于所述第一载体上的第一芯片；
(b)形成覆盖所述第一芯片的模封体；
(c)于所述孔上形成透镜，所述透镜定义一空腔；
(d)提供第二载体及位于所述第二载体上的第二芯片；及
(e)将所述第一载体连接至所述第二载体，使所述第二芯片置于所述透镜的所述空腔内。
15.如据权利要求14所述的方法，其中操作(c)进一步包括形成所述透镜使其位于至少一部分的所述孔内。
16.如据权利要求15所述的方法，其进一步包括于所述第一载体邻近所述孔的下表面上形成屏障。
17.如据权利要求16所述的方法，其中形成于所述孔内的所述透镜被所述屏障所包围。
18.如据权利要求14所述的方法，其中一间隙存在于所述透镜与所述第二芯片之间。
19.如据权利要求18所述的方法，其中所述间隙至少部分地充满空气。
20.如据权利要求14所述的方法，其中在所述操作(e)中，所述第一载体及所述第二载体系藉由非导电胶连接。
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