DE102022102014A1

DE102022102014A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Info

Publication number: DE102022102014A1
Application number: DE102022102014.2A
Authority: DE
Inventors: Ulrich Streppel; Stefan Grötsch; Hansjörg Schöll
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2022-01-28
Filing date: 2022-01-28
Publication date: 2023-08-03
Also published as: WO2023144256A1

Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer an einer Oberseite angeordneten Emissionsfläche, die dazu vorgesehen ist, Licht in einen Abstrahlraum abzustrahlen. Die Emissionsfläche ist seitlich von einer Abdeckung umgrenzt, die einen die Emissionsfläche ringförmig umgrenzenden ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt umfasst. Die Abdeckung ist so ausgebildet, dass von außerhalb des optoelektronischen Bauelements auf den zweiten Abschnitt der Abdeckung auftreffendes Licht zu einem überwiegenden Teil reflektiert wird. Von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht wird zu einem überwiegenden Teil durch die Abdeckung so abgelenkt, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum gespiegelt wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Optoelektronische Bauelemente existieren in diversen Varianten und Bauformen. Es sind optoelektronische Bauelemente bekannt, bei denen um eine Emissionsfläche herum ein reflektiver Verguss angeordnet ist. Ebenfalls bekannt sind optoelektronische Bauelemente, die mit einer Projektionsoptik ausgestattet sind.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement und durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer an einer Oberseite angeordneten Emissionsfläche, die dazu vorgesehen ist, Licht in einen Abstrahlraum abzustrahlen. Die Emissionsfläche ist seitlich von einer Abdeckung umgrenzt, die einen die Emissionsfläche ringförmig umgrenzenden ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt umfasst. Die Abdeckung ist so ausgebildet, dass von außerhalb des optoelektronischen Bauelements auf den zweiten Abschnitt der Abdeckung auftreffendes Licht zu einem überwiegenden Teil reflektiert wird. Von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht wird zu einem überwiegenden Teil durch die Abdeckung so abgelenkt, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum gespiegelt wird.
Dadurch, dass von außerhalb des optoelektronischen Bauelements auf den zweiten Abschnitt der Abdeckung auftreffendes Licht bei diesem optoelektronischen Bauelement zu einem überwiegenden Teil reflektiert wird, wird vorteilhafterweise die Gefahr reduziert, dass das von außen auftreffende Licht eine Materialdegradation bewirkt, beispielsweise durch einen thermischen Effekt. Das von außen auftreffende Licht kann dabei beispielsweise Sonnenlicht sein. Dadurch, dass die Abdeckung so ausgebildet ist, dass von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht zu einem überwiegenden Teil durch die Abdeckung so abgelenkt wird, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum gespiegelt wird, wird vorteilhafterweise die Gefahr reduziert, dass unerwünschtes Streulicht in den Abstrahlraum gelangt. Diese beiden Funktionalitäten der Abdeckung werden bei diesem optoelektronischen Bauelement dadurch verwirklicht, dass die Abdeckung zwei Abschnitte umfasst.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst dieses eine Projektionsoptik, die so über der Emissionsfläche angeordnet ist, dass in den Abstrahlraum abgestrahltes Licht in die Projektionsoptik gelangt. Die Projektionsoptik kann beispielsweise dazu vorgesehen sein, das von der Emissionsfläche abgestrahlte Licht in einen Zielraum abzubilden. Vorteilhafterweise gelangt bei diesem optoelektronischen Bauelement von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht nicht oder nur in geringem Maße in die Projektionsoptik und wird daher auch nicht in unerwünschter Weise in den Zielraum projiziert.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bedeckt die Emissionsfläche einen Teil der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Dabei ist der erste Abschnitt der Abdeckung zumindest abschnittsweise auf der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Auf diese Weise kann die Abdeckung die Emissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips vorteilhafterweise eng umschließen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements wird von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht zumindest zum Teil in eine dem Abstrahlraum entgegengesetzte Richtung an dem optoelektronischen Halbleiterchip vorbei geleitet. Vorteilhafterweise wird dadurch besonders wirksam verhindert, dass dieses Licht in unerwünschter Weise in den Abstrahlraum und in eine dort gegebenenfalls angeordnete Projektionsoptik gelangt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließt der zweite Abschnitt radial außen an den ersten Abschnitt an. Vorteilhafterweise wird dadurch erreicht, dass der der Emissionsfläche zugewandte Teil der Abdeckung durch den ersten Abschnitt gebildet wird, während der zweite Abschnitt der Abdeckung einen dem Abstrahlraum zugewandten Teil der Abdeckung bildet.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der zweite Abschnitt eine Kontaktfläche auf, die an den ersten Abschnitt angrenzt. Dabei wird von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht zumindest zum Teil an der Kontaktfläche reflektiert. Die Kontaktfläche kann vorteilhafterweise so ausgebildet und orientiert sein, dass an der Kontaktfläche reflektiertes Licht zu einem überwiegenden Teil nicht spekular in den Abstrahlraum gespiegelt wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Kontaktfläche eine konkave Form auf. Dies kann auf einfache Weise dadurch erreicht werden, dass ein dem zweiten Abschnitt zugewandter Teil des ersten Abschnitts der Abdeckung eine konvexe Form aufweist. Die konkave Form der Kontaktfläche kann vorteilhafterweise eine Sammlung des von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahlten Lichts bewirken und dadurch eine Spiegelung in den Abstrahlraum verhindern.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Kontaktfläche zu der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips orientiert. Dadurch wird vorteilhafterweise verhindert, dass von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes und an der Kontaktfläche reflektiertes Licht spekular in den Abstrahlraum gespiegelt wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt unterschiedliche optische Eigenschaften auf, insbesondere eine unterschiedliche Transparenz und/oder eine unterschiedliche Reflektivität. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermöglicht, dass die Abdeckung des optoelektronischen Bauelements gleichzeitig mehrere unterschiedliche Funktionalitäten erfüllt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt unterschiedliche Materialien auf. Vorteilhafterweise ist es dadurch besonders einfach möglich, den ersten Abschnitt und den zweiten Abschnitt mit unterschiedlichen optischen Eigenschaften auszubilden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der zweite Abschnitt einen höheren Anteil an lichtstreuenden Partikeln auf als der erste Abschnitt. Dadurch kann es vorteilhafterweise erreicht werden, dass der zweite Abschnitt eine höhere Reflektivität aufweist als der erste Abschnitt der Abdeckung.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Abschnitt ein Material auf, das bei einer Referenzdicke von 100 um eine Transmission von mindestens 30 % aufweist. In diesem Fall weist der erste Abschnitt vorteilhafterweise eine ausreichende Transmission auf, um zu erreichen, dass ein überwiegender Teil des von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahlten Lichts an dem ersten Abschnitt der Abdeckung reflektiert wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist eine nicht durch den zweiten Abschnitt bedeckte Oberfläche des ersten Abschnitts eine Mikrostrukturierung auf. Die Mikrostrukturierung kann beispielsweise eine Aufrauhung sein. Vorteilhafterweise wird durch diese Mikrostrukturierung erreicht, dass von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht diffus an der mikrostrukturierten Oberfläche gestreut wird.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der zweite Abschnitt einen ersten Teilbereich und einen zweiten Teilbereich auf. Dabei weisen der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich unterschiedliche optische Eigenschaften auf. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermöglicht, die optische Funktionalität der Abdeckung weiter für einen gewünschten Anwendungsfall zu optimieren.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der erste Teilbereich zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Teilbereich angeordnet. Dabei absorbiert der erste Teilbereich stärker als der zweite Teilbereich. Vorteilhafterweise kann der erste Teilbereich des zweiten Abschnitts der Abdeckung dadurch als Lichtfalle für von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht dienen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bedeckt der zweite Teilbereich den ersten Teilbereich zumindest teilweise. Dabei weist der zweite Teilbereich eine höhere Reflektivität auf als der erste Teilbereich. Vorteilhafterweise kann der zweite Teilbereich des zweiten Abschnitts dadurch eine besonders wirksame Reflexion von von außerhalb des optoelektronischen Bauelements auf den zweiten Abschnitt der Abdeckung auftreffendem Licht bewirken.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Emissionsfläche als LED-Matrix ausgebildet. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch als adaptive Lichtquelle dienen, beispielsweise als adaptiver Scheinwerfer oder als adaptive Beleuchtung für Sensorikanwendungen.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer an einer Oberseite angeordneten Emissionsfläche so, dass Licht von der Emissionsfläche in einen Abstrahlraum abgestrahlt werden kann, zum Anlegen eines die Emissionsfläche ringförmig umgrenzenden ersten Abschnitts einer Abdeckung und zum Anlegen eines zweiten Abschnitts der Abdeckung. Dabei werden der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt in getrennten Prozessen angelegt. Die Abdeckung wird so ausgebildet, dass von außerhalb des optoelektronischen Bauelements auf den zweiten Abschnitt der Abdeckung auftreffendes Licht zu einem überwiegenden Teil reflektiert wird. Gleichzeitig wird die Abdeckung so ausgebildet, dass von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht zu einem überwiegenden Teil durch die Abdeckung so abgelenkt wird, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum gespiegelt wird.
Vorteilhafterweise ist durch dieses Herstellungsverfahren ein optoelektronisches Bauelement erhältlich, dessen Abdeckung zwei Funktionalitäten erfüllt. Von außerhalb des optoelektronischen Bauelements auf den zweiten Abschnitt der Abdeckung auftreffendes Licht, beispielsweise Sonnenlicht, wird zu einem überwiegenden Teil reflektiert, wodurch die Gefahr einer Materialdegradation in dem optoelektronischen Bauelement reduziert wird. Von der Emissionsfläche in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht wird zu einem überwiegenden Teil durch die Abdeckung so abgelenkt, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum gespiegelt wird. Dadurch werden unerwünschte Lichtreflexe in dem Abstrahlraum vorteilhafterweise unterdrückt.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der erste Abschnitt als Damm ausgebildet. Der zweite Abschnitt wird dann als sich bis zu dem Damm erstreckender Verguss ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache und kostengünstige Herstellung der Abdeckung des optoelektronischen Bauelements.
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der erste Abschnitt mittels eines Dosierverfahrens ausgebildet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache und kostengünstige Ausbildung des ersten Abschnitts der Abdeckung.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in schematischer Darstellung:

1 eine geschnittene Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements;
2 eine Aufsicht auf einen Teil des optoelektronischen Bauelements in unfertigem Bearbeitungsstand;
3 eine Aufsicht auf einen Teil des optoelektronischen Bauelements in einem nachfolgenden Bearbeitungsstand;
4 eine geschnittene Seitenansicht einer ersten Variante einer Abdeckung des optoelektronischen Bauelements;
5 eine weitere Variante der Abdeckung;
6 eine weitere Variante der Abdeckung;
7 eine weitere Variante der Abdeckung;
8 eine weitere Variante der Abdeckung;
9 eine weitere Variante der Abdeckung;
10 eine weitere Variante der Abdeckung;
11 eine weitere Variante der Abdeckung;
12 eine weitere Variante der Abdeckung; und
13 eine weitere Variante der Abdeckung des optoelektronischen Bauelements.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils eines optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 ist dazu vorgesehen, Licht in einen Zielraum abzustrahlen. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise Teil eines Scheinwerfers eines Automobils sein oder als Beleuchtungsvorrichtung für eine Sensorikanwendung dienen.
Das optoelektronische Bauelement 10 umfasst einen Träger 200 mit einer Oberseite 201. Der Träger 200 kann beispielsweise als gedruckte Leiterplatte mit einer an der Oberseite 201 angeordneten Metallisierung 210 ausgebildet sein.
An der Oberseite 201 des Trägers 200 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 100 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Die Unterseite 102 ist der Oberseite 201 des Trägers 200 zugewandt.
An der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist eine Emissionsfläche 110 angeordnet. Die Emissionsfläche 110 ist dazu vorgesehen, Licht 103 in einen Abstrahlraum 300 oberhalb der Oberseite 101 der Emissionsfläche 110 abzustrahlen.
Die Emissionsfläche 110 kann beispielsweise an einer lichtemittierenden Halbleiter-Schichtenfolge, beispielsweise einer LED-Schichtenfolge, ausgebildet sein, die auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet ist. In diesem Fall kann die Emissionsfläche 110 beispielsweise in einzeln ansteuerbare, lichtemittierende Bereiche (Pixel) unterteilt sein, die matrixförmig angeordnet sind. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 kann in diesem Fall beispielsweise als Siliziumchip ausgebildet sein und zur Ansteuerung der lichtemittierenden Schichtenfolge dienen.
Es kann aber beispielsweise auch der optoelektronische Halbleiterchip 100 selbst als lichtemittierender Halbleiterchip ausgebildet sein, beispielsweise als LED-Chip.
Die Emissionsfläche 110 kann auch durch eine wellenlängenkonvertierende Schicht gebildet sein. In diesem Fall kann die wellenlängenkonvertierende Schicht auf einer lichtemittierenden Halbleiter-Schichtenfolge angeordnet sein, die wiederum auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet ist. Alternativ kann die wellenlängenkonvertierende Schicht auf dem selbst als lichtemittierender Halbleiterchip ausgebildeten optoelektronischen Halbleiterchip 100 angeordnet sein. Die wellenlängenkonvertierende Schicht kann dazu vorgesehen sein, von der lichtemittierenden Halbleiter-Schichtenfolge oder dem lichtemittierenden Halbleiterchip erzeugtes Licht zumindest teilweise in Licht einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Beispielsweise kann die wellenlängenkonvertierende Schicht dazu vorgesehen sein, weißes Mischlicht zu erzeugen.
Im in 1 gezeigten Beispiel umfasst das optoelektronische Bauelement 10 zusätzlich eine Projektionsoptik 350, die so über der Emissionsfläche 110 in dem Abstrahlraum 300 angeordnet ist, dass von der Emissionsfläche 110 in den Abstrahlraum 300 abgestrahltes Licht 130 in die Projektionsoptik 350 gelangt. Die Projektionsoptik 350 ist dazu vorgesehen, das von der Emissionsfläche 110 in den Abstrahlraum 300 abgestrahlte Licht 130 in einen Zielraum zu projizieren. Falls das optoelektronische Bauelement 10 Teil eines Scheinwerfers eines Kraftfahrzeugs ist, kann die Projektionsoptik 350 beispielsweise dazu dienen, das von der Emissionsfläche 110 abgestrahlte Licht 130 auf eine Straße zu lenken. In einer vereinfachten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann die Projektionsoptik 350 entfallen.
Das optoelektronische Bauelement 10 umfasst ferner eine Abdeckung 400, die die Emissionsfläche 110 seitlich umgrenzt. Die Abdeckung 400 umfasst einen die Emissionsfläche 110 ringförmig umgrenzenden ersten Abschnitt 500 und einen zweiten Abschnitt 600. Im in 1 gezeigten Beispiel schließt der zweite Abschnitt 600 radial außen an den ersten Abschnitt 500 an.
Die Abdeckung 400 ist dazu vorgesehen, von außerhalb des optoelektronischen Bauelements 10 auf den zweiten Abschnitt 600 der Abdeckung 400 auftreffendes Licht 140 zu einem überwiegenden Teil zu reflektieren. Das von außerhalb des optoelektronischen Bauelements 10 auftreffende Licht 140 kann beispielsweise Sonnenlicht sein, das durch die Projektionsoptik 350 in den Innenbereich des optoelektronischen Bauelements 10 gelangt. Dabei kann die Projektionsoptik 350 unter Umständen eine Bündelung des von außen einfallenden Lichts 140 auf eine kleine Fläche bewirken. Dieses Licht 140 muss von dem zweiten Abschnitt 600 der Abdeckung 400 zu einem möglichst großen Teil reflektiert werden, um eine übermäßige Erwärmung und eine damit möglicherweise einhergehende Beschädigung oder Degradation von Komponenten des optoelektronischen Bauelements 10 zu verhindern. Das am zweiten Abschnitt 600 der Abdeckung 400 reflektierte Licht 140 kann dann wieder aus dem optoelektronischen Bauelement 10 austreten oder in unempfindlichere Bereiche des optoelektronischen Bauelements 10 gelangen.
Die Abdeckung 400 hat zusätzlich die Aufgabe, von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120 zu einem überwiegenden Teil so abzulenken, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum 300 gespiegelt wird. Der überwiegende Teil der von der Emissionsfläche 110 emittierten Strahlung wird in einen Winkelbereich rund um eine senkrecht zur Emissionsfläche 110 orientierte Richtung emittiert und kann somit als in den Abstrahlraum 300 abgestrahltes Licht 130 auf direktem Weg in die Projektionsoptik 350 gelangen. Ein Teil der von der Emissionsfläche 110 emittierten Strahlung kann aber auch derart in seitliche Richtung emittiert werden, dass es auf die die Emissionsfläche 110 seitlich umgrenzende Abdeckung 400 trifft. Würde dieses in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahlte Licht 120 derart an der Abdeckung 400 reflektiert werden, dass es anschließend in den Abstrahlraum 300 und die Projektionsoptik 350 gelangt, so würde es durch die Projektionsoptik 350 auf ungewollte Weise in den Zielraum projiziert werden. Dieses Problem wäre im Fall einer spekularen Spiegelung des in Richtung zur Abdeckung 400 abgestrahlten Lichts 120 an der Abdeckung 400 besonders gravierend, da hierdurch helle Streulichtreflexe im Zielraum erzeugt werden könnten.
Die Abdeckung 400 des optoelektronischen Bauelements 10 kann hergestellt werden, indem der die Emissionsfläche 110 ringförmig umgrenzende erste Abschnitt 500 und der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 nacheinander in getrennten Prozessen angelegt werden. 2 zeigt eine perspektivische Aufsicht auf einen Teil des optoelektronischen Bauelements 10 in einem unfertigen Bearbeitungsstand während der Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10. Die Projektionsoptik 350 ist in der Darstellung der 2 nicht gezeigt. Dafür zeigt 2 schematisch auch einen Teil eines in 1 nicht dargestellten Gehäuses 220 des optoelektronischen Bauelements 10. Das Gehäuse 220 beherbergt den Träger 200 und bedeckt auch einen Teil der Oberseite 201 des Trägers 200.
Der optoelektronische Halbleiterchip 100 liegt in einer Aussparung des Gehäuses 220 frei.
In einem dem in 2 gezeigten Bearbeitungsstand zeitlich vorhergehenden Bearbeitungsschritt wurde der die Emissionsfläche 110 ringförmig umgrenzende erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 angelegt. Dabei wurde der erste Abschnitt 500 auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Es wäre aber auch möglich, den ersten Abschnitt 500 der Abdeckung 400 teilweise oder vollständig neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 anzuordnen. Der erste Abschnitt 500 kann beispielsweise mittels eines Dosierverfahrens (Dispensing) ausgebildet worden sein.
3 zeigt eine schematische perspektivische Aufsicht auf einen Teil des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 wurde so angelegt, dass er radial außen an den ersten Abschnitt 500 anschließt. Im in 3 gezeigten Beispiel erstreckt sich der zweite Abschnitt 600 bis zu dem Rand der Aussparung des Gehäuses 220 und bedeckt damit den gesamten Teil der Oberseite 201 des Trägers 200, der zuvor noch frei lag. Auch die Teile der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 radial außerhalb des ersten Abschnitts 500 der Abdeckung 400 sind durch den zweiten Abschnitt 600 der Abdeckung 400 bedeckt. Die Abdeckung 400 umschließt die noch immer freiliegende Emissionsfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ringförmig.
Das Ausbilden des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 kann beispielsweise durch ein Vergussverfahren (Casting) erfolgt sein. In diesem Fall kann der zuvor angelegte erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 als Damm gedient haben.
4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils des optoelektronischen Bauelements 10. Dargestellt sind ein Teil des optoelektronischen Halbleiterchips 100 mit der an der Oberseite 101 angeordneten Emissionsfläche 110 und ein Teil der Abdeckung 400, die den ersten Abschnitt 500 und den zweiten Abschnitt 600 umfasst.
Der erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 ist vollständig auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet und umgrenzt die Emissionsfläche 110. Der zweite Abschnitt 600 schließt radial außen an den ersten Abschnitt 500 an. Der zweite Abschnitt 600 ist abschnittsweise auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet, erstreckt sich seitlich jedoch über den optoelektronischen Halbleiterchip 100 hinaus und ist dort auf der Oberseite 201 des in 4 nicht dargestellten Trägers 200 angeordnet.
Der erste Abschnitt 500 weist in dem in 4 gezeigten Beispiel einen Querschnitt 530 mit der angenäherten Form einer halben Kreisscheibe auf. Die von der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 abgewandte Oberfläche des ersten Abschnitts 500 ist damit im Querschnitt 530 etwa halbkreisförmig gekrümmt. Diese Oberfläche unterteilt sich in eine durch den zweiten Abschnitt 600 unbedeckte Oberfläche 510 und eine durch den zweiten Abschnitt 600 bedeckte Oberfläche 520.
Im in 4 gezeigten Beispiel erstreckt sich der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 in zur Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 senkrechte Richtung bis zum Scheitel des ersten Abschnitts 500. Der erste Abschnitt 500 und der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 weisen damit in zur Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 senkrechte Richtung etwa dieselbe Dicke auf. Dies hat zur Folge, dass die unbedeckte Oberfläche 510 und die bedeckte Oberfläche 520 des ersten Abschnitts 500 im Querschnitt 530 etwa gleich groß sind. Die unbedeckte Oberfläche 510 des ersten Abschnitts 500 ist in Richtung zu der Emissionsfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientiert.
Der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 weist eine Kontaktfläche 630 auf, die an die bedeckte Oberfläche 520 des ersten Abschnitts 500 angrenzt. Da die bedeckte Oberfläche 520 des ersten Abschnitts 500 konvex gekrümmt ist, weist die Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 eine konkave Form auf. Die Kontaktfläche 630 bildet damit einen Hohlspiegel. Die Kontaktfläche 630 ist zu der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientiert. Dies bedeutet, dass ein Normalenvektor an jedem Teil der Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 zu der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 oder parallel zu der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientiert ist.
Der erste Abschnitt 500 und der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 weisen voneinander abweichende optische Eigenschaften auf. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass der erste Abschnitt 500 und der zweite Abschnitt 600 unterschiedliche Materialien aufweisen. Es ist auch möglich, dass der erste Abschnitt 500 und der zweite Abschnitt 600 identische Matrixmaterialien mit unterschiedlichen Anteilen von Füllstoffen aufweisen.
In einem Beispiel weist der erste Abschnitt 500 eine höhere Transparenz auf als der zweite Abschnitt 600. Der zweite Abschnitt 600 weist eine höhere Reflektivität auf als der erste Abschnitt 500. Hierzu kann der zweite Abschnitt 600 beispielsweise einen höheren Anteil an lichtstreuenden Partikeln aufweisen als der erste Abschnitt 500. Im Falle einer Verwendung von hochreflektiven weißen Füllpartikeln kann der erste Abschnitt 500 beispielsweise eine Konzentration dieser Füllpartikel zwischen 0 Gewichtsprozent und 10 Gewichtsprozent aufweisen. Im Fall einer Verwendung weniger reflektiver Füllpartikel kann der erste Abschnitt 500 eine Konzentration dieser Füllpartikel zwischen 0 Gewichtsprozent und 30 Gewichtsprozent aufweisen. Der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 kann dann jeweils eine höhere Konzentration der Füllpartikel aufweisen. Es ist zweckmäßig, wenn der erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 ein Material aufweist, das bei einer Referenzdicke von 100 um eine Transmission von mindestens 30 % aufweist.
Von der Emissionsfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120 tritt zumindest teilweise in den ersten Abschnitt 500 der Abdeckung 400 ein und wird zumindest zum Teil an der Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 reflektiert. Durch die hohlspiegelartige konkave und zu der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientierte Form der Kontaktfläche 630 trifft das an der Kontaktfläche 630 reflektierte Licht wieder auf die Emissionsfläche 110 oder läuft in flachem Winkel über die Emissionsfläche 110. Dadurch wird verhindert, dass das von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahlte Licht 120 spekular in den Abstrahlraum 300 reflektiert wird.
Von außerhalb des optoelektronischen Bauelements 10 auf den zweiten Abschnitt 600 der Abdeckung 400 auftreffendes Licht 140 wird an einer Außenfläche 640 des eine hohe Reflektivität aufweisenden zweiten Abschnitts 600 zu einem überwiegenden Teil reflektiert. Die Außenfläche 640 ist etwa parallel zur Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientiert, sodass das an der Außenfläche 640 reflektierte Licht das optoelektronische Bauelement 10 zu einem großen Teil wieder verlässt oder in unempfindliche Bereiche des optoelektronischen Bauelements 10 gelangt.
In einem alternativen Beispiel ist der erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 vorwiegend absorbierend ausgebildet. Der zweite Abschnitt 600 weist auch in diesem Beispiel eine hohe Reflektivität auf, insbesondere eine höhere Reflektivität als der erste Abschnitt 500. In dieser beispielhaften Konfiguration wird von der Emissionsfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120 zumindest teilweise in dem ersten Abschnitt 500 der Abdeckung 400 absorbiert. Das restliche Licht tritt zumindest teilweise in den ersten Abschnitt 500 der Abdeckung 400 ein und wird zumindest zum Teil auf die bereits beschriebene Weise an der Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 reflektiert. Auch dadurch wird verhindert, dass das von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahlte Licht 120 spekular in den Abstrahlraum 300 reflektiert wird.
5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer alternativen Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in 5 gezeigten Variante ist der erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 gegenüber der in 4 gezeigten Variante in radiale Richtung verbreitert, so dass der erste Abschnitt 500 seitlich über die Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 hinausragt. Damit ist der erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 abschnittsweise auf der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und abschnittsweise auf der Oberseite 201 des in 5 nicht gezeigten Trägers 200 angeordnet. Es wäre auch möglich, den ersten Abschnitt 500 vollständig außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips 100 auf der Oberseite 201 des Trägers 200 anzuordnen. Bei der in 5 gezeigten Variante kann von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120, das an der Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 reflektiert wird, zumindest zum Teil in eine dem Abstrahlraum 300 entgegengesetzte Richtung aus dem ersten Abschnitt 500 der Abdeckung 400 austreten, wodurch es zumindest zum Teil an dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 vorbei geleitet wird. Das in die dem Abstrahlraum 300 entgegengesetzte Richtung an dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 vorbeigeleitete Licht kann beispielsweise in eine Lichtfalle gelangen oder an der Oberseite 201 des Trägers 200 reflektiert oder absorbiert werden. In jedem Fall wird dadurch verhindert, dass das von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahlte Licht 120 spekular in den Abstrahlraum 300 gespiegelt wird.
6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer alternativen Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in 6 gezeigten Variante erstreckt sich der zweite Abschnitt 600 über einen größeren Teil der Oberfläche des ersten Abschnitts 500 als bei der in 5 gezeigten Variante. Damit weist der zweite Abschnitt 600 in senkrecht zur Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 bemessene Richtung eine etwas größere Dicke auf als der erste Abschnitt 500. Die unbedeckte Oberfläche 510 des ersten Abschnitts 500 ist bei der in 6 gezeigten Variante kleiner als die bedeckte Oberfläche 520 und kleiner als bei der in 5 gezeigten Variante. Hierdurch wird erreicht, dass von außerhalb des optoelektronischen Bauelements 10 auf den über der Oberfläche des ersten Abschnitts 500 angeordneten Teil des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 auftreffendes Licht 140 zu einem überwiegenden Teil reflektiert wird.
Der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 der in 6 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 könnte auch zweiteilig ausgebildet sein, wie dies nachfolgend noch anhand der 11 beschrieben wird.
7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Die in 7 gezeigte Variante unterscheidet sich von der in 4 gezeigten Variante dadurch, dass der Querschnitt 530 des ersten Abschnitts 500 der Abdeckung 400 nicht die Form einer halben Kreisscheibe aufweist. Stattdessen hat der Querschnitt 530 bei der in 7 gezeigten Variante angenähert die Form eines Viertels einer Kreisscheibe. Dadurch ist die der Emissionsfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 zugewandte, nicht durch den zweiten Abschnitt 600 bedeckte Oberfläche 510 plan und etwa senkrecht zur Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientiert. Die Form der durch den zweiten Abschnitt 600 bedeckten Oberfläche 520 des ersten Abschnitts 500 und die Form der Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 entsprechen bei der in 7 gezeigten Variante der Variante der 4.
8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Die in 8 gezeigte Variante unterscheidet sich von der in 4 dargestellten Variante dadurch, dass der Querschnitt 530 des ersten Abschnitts 500 der Abdeckung 400 eine angenäherte Dreiecksform aufweist. Dadurch sind sowohl die durch den zweiten Abschnitt 600 unbedeckte Oberfläche 510 als auch die durch den zweiten Abschnitt 600 bedeckte Oberfläche 520 des ersten Abschnitts 500 plan ausgebildet und jeweils gegenüber einer zu der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 senkrechten Orientierung geneigt. Entsprechend ist auch die Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 plan ausgebildet. Trotzdem ist die Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 auch bei der in 8 gezeigten Variante zu der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientiert.
9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in 9 gezeigten Variante weist der Querschnitt 530 des ersten Abschnitts 500 der Abdeckung 400 eine angenäherte Rechteckform auf. Außerdem erstreckt sich der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 bei dieser Variante, ähnlich wie bei der Variante der 6, teilweise über den ersten Abschnitt 500, sodass der zweite Abschnitt 600 in zur Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 senkrechte Richtung eine größere Dicke aufweist als der erste Abschnitt 500.
10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Bei der in 10 gezeigten Variante weist die Abdeckung 400 eine ähnliche Form auf wie bei der in 6 gezeigten Variante. Allerdings ist der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 in einen ersten Teilbereich 610 und einen zweiten Teilbereich 620 unterteilt. Der erste Teilbereich 610 ist zwischen dem ersten Abschnitt 500 der Abdeckung 400 und dem zweiten Teilbereich 620 angeordnet. Damit bildet der erste Teilbereich 610 des zweiten Abschnitts 600 die mit dem ersten Abschnitt 500 in Kontakt stehende Kontaktfläche 630. Der zweite Teilbereich 620 des zweiten Abschnitts 600 bildet die Außenfläche 640 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400.
Der erste Teilbereich 610 und der zweite Teilbereich 620 des zweiten Abschnitts 600 weisen unterschiedliche optische Eigenschaften auf. Der erste Teilbereich 610 absorbiert stärker als der zweite Teilbereich 620. Die optischen Eigenschaften des zweiten Teilbereichs 620 des zweiten Abschnitts 600 können den anhand der 4 beschriebenen optischen Eigenschaften des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 entsprechen.
Bei der in 10 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 wird von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120 zumindest zum Teil an der Kontaktfläche 630 reflektiert. Ein Teil des von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahlten Lichts 120 kann aber auch in den ersten Teilbereich 610 des zweiten Abschnitts 600 eindringen und dort absorbiert werden. Damit bildet der erste Teilbereich 610 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 eine Lichtfalle.
Von außerhalb des optoelektronischen Bauelements 10 auf den zweiten Abschnitt 600 der Abdeckung 400 auftreffendes Licht 140 wird dagegen auch bei der in 10 gezeigten Variante zu einem überwiegenden Teil an der durch den zweiten Teilbereich 620 des zweiten Abschnitts 600 gebildeten Außenfläche 640 des zweiten Abschnitts 600 reflektiert und gelangt nicht zu dem ersten Teilbereich 610 des zweiten Abschnitts 600.
Der erste Teilbereich 610 und der zweite Teilbereich 620 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 der in 10 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann in zwei getrennten Bearbeitungsschritten nacheinander hergestellt werden. Dabei wird zunächst der erste Teilbereich 610 hergestellt. Anschließend wird der zweite Teilbereich 620 angelegt.
11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Die in 11 gezeigte Variante unterscheidet sich von der anhand der 4 beschriebenen Variante des optoelektronischen Bauelements 10 dadurch, dass der zweite Abschnitt 600 der Abdeckung 400 in einen ersten Teilbereich 610 und einen zweiten Teilbereich 620 unterteilt ist. Der zweite Teilbereich 620 bedeckt den ersten Teilbereich 610 zumindest teilweise. Im in 11 gezeigten Beispiel bedeckt der zweite Teilbereich 620 den ersten Teilbereich 610 vollständig, so dass die Außenfläche 640 des zweiten Abschnitts 600 durch den zweiten Teilbereich 620 gebildet wird. Der erste Teilbereich 610 des zweiten Abschnitts 600 steht mit der bedeckten Oberfläche 520 des ersten Abschnitts 500 in Kontakt, so dass die Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 durch den ersten Teilbereich 610 des zweiten Abschnitts 600 gebildet wird.
Der erste Teilbereich 610 und der zweite Teilbereich 620 des zweiten Abschnitts 600 weisen unterschiedliche optische Eigenschaften auf. Der zweite Teilbereich 620 weist eine höhere Reflektivität auf als der erste Teilbereich 610. Der zweite Teilbereich 620 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 der in 11 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise das gleiche Material und die gleichen optischen Eigenschaften aufweisen wie der zweite Abschnitt 600 der anhand der 4 beschriebenen Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Der erste Teilbereich 610 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 der in 11 gezeigten Variante kann eine geringere Reflektivität aufweisen.
Der erste Teilbereich 610 und der zweite Teilbereich 620 des zweiten Abschnitts 600 der Abdeckung 400 der in 11 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann in zwei getrennten Bearbeitungsschritten nacheinander hergestellt werden. Dabei wird zunächst der erste Teilbereich 610 angelegt. Anschließend wird der zweite Teilbereich 620 angelegt.
12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Die in 12 gezeigte Variante des optoelektronischen Bauelements 10 unterscheidet sich von der in 4 gezeigten Variante dadurch, dass der erste Abschnitt 500 der Abdeckung 400 einen Querschnitt 530 mit etwa dreieckiger Form aufweist. Die Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 ist im Wesentlichen plan ausgebildet und nicht zu der Oberseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 orientiert, sondern zu dem Abstrahlraum 300 orientiert.
Bei der in 12 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120 in den ersten Abschnitt 500 der Abdeckung 400 eindringen und wird zumindest zum Teil an der Kontaktfläche 630 des zweiten Abschnitts 600 reflektiert. Die Kontaktfläche 630 ist dabei so orientiert, dass das an der Kontaktfläche 630 reflektierte Licht nicht in den Abstrahlraum 300 und dadurch auch nicht in die Projektionsoptik 350 gelangt.
13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Die in 13 gezeigte Variante entspricht der anhand der 8 beschriebenen Variante. Zusätzlich ist bei der Variante der 13 an der nicht durch den zweiten Abschnitt 600 bedeckten Oberfläche 510 des ersten Abschnitts 500 eine Mikrostrukturierung 540 vorgesehen. Die Mikrostrukturierung 540 kann beispielsweise eine Aufrauhung sein, insbesondere eine statistische Aufrauhung. Die Mikrostrukturierung 540 kann bewirken, dass von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120 zumindest teilweise diffus durch die Mikrostrukturierung 540 gestreut wird. Dadurch verhindert die Mikrostrukturierung 540, dass von der Emissionsfläche 110 in Richtung zu der Abdeckung 400 abgestrahltes Licht 120 spekular in den Abstrahlraum 300 gespiegelt wird. Eine entsprechende Mikrostrukturierung 540 kann auch bei den weiteren anhand der 4 bis 12 beschriebenen Varianten des optoelektronischen Bauelements 10 an der durch den zweiten Abschnitt 600 unbedeckten Oberfläche 510 des ersten Abschnitts 500 der Abdeckung 400 vorgesehen werden.
Bezugszeichenliste

10: optoelektronisches Bauelement
100: optoelektronischer Halbleiterchip
101: Oberseite
102: Unterseite
110: Emissionsfläche
120: in Richtung zu der Abdeckung abgestrahltes Licht
130: in Abstrahlraum abgestrahltes Licht
140: von außerhalb auftreffendes Licht
200: Träger
201: Oberseite
210: Metallisierung
220: Gehäuse
300: Abstrahlraum
350: Projektionsoptik
400: Abdeckung
500: erster Abschnitt
510: unbedeckte Oberfläche
520: bedeckte Oberfläche
530: Querschnitt
540: Mikrostrukturierung
600: zweiter Abschnitt
610: erster Teilbereich
620: zweiter Teilbereich
630: Kontaktfläche
640: Außenfläche

Claims

Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (100) mit einer an einer Oberseite (101) angeordneten Emissionsfläche (110), die dazu vorgesehen ist, Licht (130) in einen Abstrahlraum (300) abzustrahlen, wobei die Emissionsfläche (110) seitlich von einer Abdeckung (400) umgrenzt ist, wobei die Abdeckung (400) einen die Emissionsfläche (110) ringförmig umgrenzenden ersten Abschnitt (500) und einen zweiten Abschnitt (600) umfasst, wobei die Abdeckung (400) so ausgebildet ist, dass von außerhalb des optoelektronischen Bauelements (10) auf den zweiten Abschnitt (600) der Abdeckung (400) auftreffendes Licht (140) zu einem überwiegenden Teil reflektiert wird, und von der Emissionsfläche (110) in Richtung zu der Abdeckung (400) abgestrahltes Licht (120) zu einem überwiegenden Teil durch die Abdeckung (400) so abgelenkt wird, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum (300) gespiegelt wird.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 1, wobei das optoelektronische Bauelement (10) eine Projektionsoptik (350) umfasst, die so über der Emissionsfläche (110) angeordnet ist, dass in den Abstrahlraum (300) abgestrahltes Licht (130) in die Projektionsoptik (350) gelangt.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Emissionsfläche (110) einen Teil der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) bedeckt, wobei der erste Abschnitt (500) der Abdeckung (400) zumindest abschnittsweise auf der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei von der Emissionsfläche (110) in Richtung zu der Abdeckung (400) abgestrahltes Licht (120) zumindest zum Teil in eine dem Abstrahlraum (300) entgegengesetzte Richtung an dem optoelektronischen Halbleiterchip (100) vorbei geleitet wird.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Abschnitt (600) radial außen an den ersten Abschnitt (500) anschließt.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 5, wobei der zweite Abschnitt (600) eine Kontaktfläche (630) aufweist, die an den ersten Abschnitt (500) angrenzt, wobei von der Emissionsfläche (110) in Richtung zu der Abdeckung (400) abgestrahltes Licht (120) zumindest zum Teil an der Kontaktfläche (630) reflektiert wird.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 6, wobei die Kontaktfläche (630) eine konkave Form aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 6 und 7, wobei die Kontaktfläche (630) zu der Oberseite (101) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) orientiert ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Abschnitt (500) und der zweite Abschnitt (600) unterschiedliche optische Eigenschaften aufweisen, insbesondere eine unterschiedliche Transparenz und/oder eine unterschiedliche Reflektivität.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 9, wobei der erste Abschnitt (500) und der zweite Abschnitt (600) unterschiedliche Materialien aufweisen.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 9 und 10, wobei der zweite Abschnitt (600) einen höheren Anteil an lichtstreuenden Partikeln aufweist als der erste Abschnitt (500).
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Abschnitt (500) ein Material aufweist, das bei einer Referenzdicke von 100 um eine Transmission von mindestens 30 % aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine nicht durch den zweiten Abschnitt (600) bedeckte Oberfläche (510) des ersten Abschnitts (500) eine Mikrostrukturierung (540) aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Abschnitt (600) einen ersten Teilbereich (610) und einen zweiten Teilbereich (620) aufweist, wobei der erste Teilbereich (610) und der zweite Teilbereich (620) unterschiedliche optische Eigenschaften aufweisen.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 14, wobei der erste Teilbereich (610) zwischen dem ersten Abschnitt (500) und dem zweiten Teilbereich (620) angeordnet ist, wobei der erste Teilbereich (610) stärker absorbiert als der zweite Teilbereich (620).
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 14, wobei der zweite Teilbereich (620) den ersten Teilbereich (610) zumindest teilweise bedeckt, wobei der zweite Teilbereich (620) eine höhere Reflektivität aufweist als der erste Teilbereich (610).
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Emissionsfläche (110) als LED-Matrix ausgebildet ist.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten: - Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit einer an einer Oberseite (101) angeordneten Emissionsfläche (110) so, dass Licht (130) von der Emissionsfläche (110) in einen Abstrahlraum (300) abgestrahlt werden kann, - Anlegen eines die Emissionsfläche (110) ringförmig umgrenzenden ersten Abschnitts (500) einer Abdeckung (400), - Anlegen eines zweiten Abschnitts (600) der Abdeckung (400) , wobei der erste Abschnitt (500) und der zweite Abschnitt (600) in getrennten Prozessen angelegt werden, wobei die Abdeckung (400) so ausgebildet wird, dass von außerhalb des optoelektronischen Bauelements (10) auf den zweiten Abschnitt (600) der Abdeckung (400) auftreffendes Licht (140) zu einem überwiegenden Teil reflektiert wird, und von der Emissionsfläche (110) in Richtung zu der Abdeckung (400) abgestrahltes Licht (120) zu einem überwiegenden Teil durch die Abdeckung (400) so abgelenkt wird, dass es nicht spekular in den Abstrahlraum (300) gespiegelt wird.
Verfahren nach Anspruch 18, wobei der erste Abschnitt (500) als Damm ausgebildet wird und der zweite Abschnitt (600) als sich bis zu dem Damm erstreckender Verguss ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 18 und 19, wobei der erste Abschnitt (500) mittels eines Dosierverfahrens ausgebildet wird.