TW201802993A - 具有可移除光纖的光學加熱式基板支撐組件 - Google Patents

具有可移除光纖的光學加熱式基板支撐組件

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Abstract

基板支撐件包括包含頂表面和底表面的板，其中頂表面支撐基板。該板進一步包括電極、一或多個電阻加熱元件、第一複數個通道和第一複數個通道中的複數個光纖，其中複數個光纖可從基板支撐件移除。

Description

具有可移除光纖的光學加熱式基板支撐組件
本發明實施例係關於一種使用光學加熱來控制基板溫度的設備。
傳統的電子裝置製造系統可包括一或多個處理腔室。在一些電子裝置製造系統中，一或多個處理腔室可繞主機殼體佈置，主機殼體具有移送腔室和一或多個裝載閘腔室。這些系統可採用一或多個處理腔室，其可在插入到處理腔室中的基板（如晶圓）上執行製程。處理可包括用於將薄膜沉積在基板上的化學氣相沉積（CVD）製程（如電漿增強化學氣相沉積（PECVD）製程）或其他高溫製程。在處理期間，晶圓可靜置在基座（如基板支撐件）上且基座的溫度可在製程期間一次或多次地被控制（如加熱或冷卻）。通常，在一些實施例中，設置在基座內的電阻加熱器可提供加熱。
然而，應當認識到，在此高溫處理期間整個基板上的溫度甚小變化可能會導致差異處理（如可能不均勻的沉積）。
在一態樣中，一種基板支撐件包括包含頂表面和底表面的板，其中頂表面支撐基板。該板進一步包括電極、一或多個電阻加熱元件、第一複數個通道和第一複數個通道中的複數個光纖，其中複數個光纖可從基板支撐件移除。
在另一態樣中，一種基板支撐組件包括陶瓷板，該陶瓷板包含頂表面和底表面，其中頂表面支撐基板，該陶瓷板進一步包含用於接收複數個光纖的第一複數個通道。基板支撐組件進一步包括接合陶瓷板底表面的陶瓷軸，該陶瓷軸包含空腔。基板支撐組件進一步包括插入陶瓷軸的空腔中的光纖導件，光纖導件包含第二複數個通道，其中第二複數個通道中的第二通道引導複數個光纖中的第一光纖進入第一複數個通道中的第一通道。
在另一態樣中，一種基板支撐組件包括陶瓷板，該陶瓷板包含頂表面和底表面，其中頂表面支撐基板，該陶瓷板進一步包含用於接收複數個光纖的第一複數個通道。基板支撐組件進一步包括接合陶瓷板底表面的陶瓷軸，陶瓷軸包含空腔和第二複數個通道，其中第二複數個通道中的第二通道引導複數個光纖中的第一光纖進入第一複數個通道中的第一通道。
在另一態樣中，一種刷新（refurbish）靜電卡盤的方法包括以下步驟： 識別靜電卡盤中的故障光纖，靜電卡盤包含複數個可移除光纖，其中複數個可移除光纖中的每一個光纖在靜電卡盤中的第一複數個通道中的一個通道內。該方法進一步包括將故障光纖從靜電卡盤中的第一複數個通道中的第一通道移除，其中第一通道實質平行於靜電卡盤的頂表面。該方法進一步包括將新光纖插入靜電卡盤中的第一通道中。
根據本發明的這些和其他實施例提供了許多其他態樣。本發明實施例的其他特徵和態樣將從以下說明書、申請專利範圍及附圖中得以更完整彰顯。
本發明的實施例提供一種基板支撐組件和一種包括用於固持可移除光纖的通道之靜電卡盤。光纖可藉由光子撞擊於靜電卡盤中陶瓷材料上與（或）含金屬插件上之方法而用於傳送熱能。
在適於在高溫下處理基板的電子裝置製造系統中，非常精確的溫度控制可以是有益的。在一些電子裝置製造系統（如PECVD系統）中，系統經配置並適於在高於500℃、高於600℃、甚至高達650℃的操作溫度下操作可以是有益的。此外，在其他半導體元件製造系統中（如蝕刻系統、熔爐等）亦可能需要高溫。已經採用了利用分區電阻加熱來達到溫度控制的各種方法。
根據本發明的一或多個實施例，電子裝置處理系統包括適於在提供高溫處理期間提供改良的基板溫度控制的基板支撐組件。本案所述之設備、系統和方法可藉由提供溫度控制平台（如靜電卡盤）來提供改良的溫度控制，該靜電卡盤適於在高於200℃、高於500℃的高溫下及甚至在約650℃下熱控制基板的溫度。溫度控制的平台亦可在較低溫度下使用，如在120至200℃的溫度下使用。
在一些實施例中，基板支撐組件可包括基板支撐件（如靜電卡盤）。靜電卡盤可包括用作溫度控制平台的陶瓷板。基板支撐組件額外包括已經接合（如擴散接合）到陶瓷板底表面的陶瓷軸。另外，基板支撐組件可包括插入到陶瓷軸中的空腔中的光纖導件。多個光纖可佈線透過形成在光纖導件中的通道並佈線到形成在陶瓷板中的額外通道中。光纖個別進入透過光纖導件中的第一通道或以一束或多束（bundles）的方式進入透過光纖導件中的第一通道，並在陶瓷板的第二通道內（如水平地或以一角度）延伸及終止於陶瓷板內的多個目標位置。多個光纖可用於提供獨立可控的像素化（pixelated）熱源，或者可選地，可分區地控制像素化源。可單獨使用光纖加熱作為主要熱源，亦可作為對其他形式的溫度控制（如電阻加熱）的補充。包括光纖加熱可提供溫度調節的改良範圍和彈性。
在形成基板支撐組件之後，在形成期間或組裝期間，光纖可插入基板支撐件中。任何光纖可接著在之後從基板支撐件被個別或以束的方式被移除。新光纖可接著插入被移除的光纖曾經所位於的通道中。當光纖故障時，可更換那些故障的光纖。因此，可藉由更換一或多個故障光纖來刷新基板支撐組件。
參考圖1至圖9描述示例性基板支撐組件和靜電卡盤的進一步細節，其包括通道佈線的光纖加熱、電子裝置處理系統和方法。
參考包括陶瓷板和接合陶瓷板的陶瓷軸之基板支撐組件來描述本案實施例。然而，在替代實施例中，可使用金屬板來代替陶瓷板。另外，在一些實施例中，可以使用金屬軸代替陶瓷軸。金屬板和（或）金屬軸可以是例如鋁或不銹鋼。因此，實施例可包括接合於陶瓷軸的陶瓷板、接合於金屬軸的陶瓷板、接合於金屬軸的金屬板或接合於金屬軸的陶瓷板。若使用金屬板和（或）金屬軸，則該板可（如透過銅焊）與該軸接合。應當理解，在此描述陶瓷板的所有實施例可被修改為代替地包括金屬板。還應該理解的是，描述陶瓷軸的所有實施例可被修改為代替地包括金屬軸。
圖1繪示根據本發明的一或多個實施例包括光纖加熱的電子裝置處理系統100的示例性實施例的示意性俯視圖。電子裝置處理系統100可包括具有界定移送腔室102的壁之殼體101。壁可包括如側壁、底板和頂板。 機器人103（如虛線圓所示）可至少部分地容納在移送腔室102內。 機器人103可經配置及調整而經由機器人103的可動臂之操作將基板放置於各個目的地或將基板自各個目的地收回。 本說明書所用之「基板」係指用於製造電子裝置或電子電路元件之物件，如含矽晶圓或物品、圖案化或遮罩矽晶圓或物品、或類似物。然而，本說明書所述的設備、系統和方法可具有在任何地方高溫監測基板有利的廣泛實用性。本發明的實施例可對於控制高溫加熱係有用的，如在高於200℃、高於500℃、約650℃或甚至更高的溫度。
在所繪示的實施例中，機器人103可以是任何適當類型的機器人，其適於服務耦接至移送腔室102及連通（accessible from）移送腔室102的各種腔室。機器人103可以是水平多關節機器人（SCARA）或其他合適的機器人類型。
機器人103的各種臂之運動可藉由機器人控制器104給驅動組件（未表示）的合適指令來控制，驅動組件包含複數個驅動馬達。來自機器人控制器104的訊號可引起機器人103的各個元件的運動，而使基板在處理腔室106A-106C和一或多個裝載閘腔室110C之間運動。可藉由各種感測器（如位置編碼器（position encoder）等）為一或多個元件提供合適的反饋機制。機器人103可包括基部，基部經調整而附接於殼體101的壁（如底板或頂板）。機器人103的臂可經調整而可在X-Y平面（如圖所示）上相對於主機殼體101移動。可使用任何合適數量的臂元件和端效器（有時稱為「葉片」）來攜帶基板。
此外，在一些實施例中，機器人103的驅動組件可包括Z軸運動的能力。具體言之，可提供沿垂直方向（進出圖1的紙面）臂的垂直運動而將基板放置於處理腔室106A-106C與一或多個裝載閘腔室110C及自處理腔室106A-106C與一或多個裝載閘腔室110C將基板拾取。
在所繪示的實施例中，移送腔室102可具有與移送腔室102耦接及連通移送腔室102的一或多個處理腔室106A-106C，一或多個處理腔室106A-106C中的至少部分經調整而在插入其中的基板上施行高溫處理。處理腔室106A-106C可耦接至殼體101的刻面，及每個處理腔室106A-106C可經配置與操作以在基板上施行合適的處理（如PECVD或蝕刻處理）。應當理解，包括本說明書所述的通道佈線光纖加熱之基板支撐組件130可具有用於在高溫下進行其他製程（如物理氣相沉積與離子植入等）的效用。具體言之，發生在處理腔室106A-106C中的一或多個處理可包括經由根據本發明態樣的通道佈線光纖加熱來作溫度控制。
在電子裝置處理系統100內，基板可被承接於工廠接口（factory interface）108，及亦透過裝載閘設備110的裝載閘腔室110C離開移送腔室102進入工廠接口108。工廠接口108可以是具有壁表面的任何殼體，壁表面形成工廠接口腔室108C。一或多個裝載口112可設置在工廠接口108的某些表面上，且可經配置與調整而接收（如對接（dock））一或多個基板載體114（如前開式晶圓傳送盒（front opening unified pods，FOUP）），如在其前表面處。
工廠接口108可包括在工廠接口腔室108C內傳統結構的合適的裝載/卸載機器人116（以虛線表示）。裝載/卸載機器人116可經配置與操作而將基板自一或多個基板載體114的內部退回及將基板饋送入裝載閘設備110的一或多個裝載閘腔室110C中。
根據本發明的一或多個實施例，可在一或多個處理腔室106A-106C中提供包括基板支撐件（如靜電卡盤）的基板支撐組件130。如將從以下所彰顯，可由基板支撐組件130提供通道佈線的光纖加熱，其適於提供基於光（light-based）的加熱基板。 本說明書將著重於在處理腔室106B中提供基板支撐組件130。然而，相同的基板支撐組件130可包含於其他處理腔室106A、106B中的一或兩者中。在一些實施例中，基板支撐組件130可包含於所有的處理腔室106A-106C中。可提供更多或更少數量的處理腔室，其包括基板支撐組件130。
現在參考圖1和圖2，在一些實施例中，可將溫度單元122與基板支撐組件130所提供的通道佈線的光纖加熱一起使用以將基板240的一或多個部分的溫度控制於一目標溫度，溫度單元122可耦接一或多個熱元件242（如電阻加熱元件）。熱元件（電阻加熱元件）242可提供基板支撐件（如陶瓷板或靜電卡盤）的第一級溫度控制，且光纖可提供基板支撐件（如陶瓷板或靜電卡盤）的第二級溫度控制。
在系統級別，可在所示實施例中由基板溫度控制系統120提供溫度控制。基板溫度控制系統120可以是電子裝置處理系統100的子部分。基板溫度控制系統120可包括溫度單元122，溫度單元122可耦接熱元件242（如金屬電阻加熱元件或跡線）並為熱元件242提供電力，且溫度單元122可對一或多個腔室（如處理腔室106A、106B、106C）構成溫度控制（如加熱）的主要來源。
在一些實施例中，光學加熱系統124可作為與溫度單元122和熱元件242接合的補充加熱系統來操作。在其他實施例中，光學加熱系統124可以是適於加熱一或多個處理腔室106A-106C內的基板240的唯一加熱系統。
光學加熱系統124可包括光源陣列125及光學控制器126，光源陣列125與基板支撐組件130耦接（如光學耦接）。基板溫度控制系統120可包括溫度控制器128，溫度控制器128可操作性地控制在腔室（如處理腔室106B）內正受溫度控制的基板240之溫度。在一些實施例中，溫度控制器128可操作性地控制溫度單元122且可與光學控制器126對接。因此，溫度控制器128可用於與光學控制器126和溫度單元122通信，以控制與基板支撐組件130熱接觸的基板240的溫度。可從一或多個位置提供適當的溫度反饋。在一些實施例中，溫度控制器128和（或）光學控制器126可從插入基板支撐組件130中的光學感測器接收溫度反饋，這將在本說明書中進一步說明。
現在參考圖2和圖3，更詳細地描述包含於光學加熱系統124中的基板支撐組件130。光學加熱系統124可包括基板支撐組件130，基板支撐組件130可包括平台（如包括陶瓷板和嵌入式夾持電極的靜電卡盤），基板240（以虛線表示）可靜置在平台上或與平台熱接觸。 如圖所示，基板支撐組件130包括靜電卡盤，其包含陶瓷板234，陶瓷板234具有嵌入式電極、電阻加熱元件、通道等。基板支撐組件130另外包括接合到陶瓷板234的陶瓷軸232。在一些實施例中，基板支撐組件進一步包括插入陶瓷軸232中的空腔中的光纖導件244。複數個通道235形成在陶瓷板234中。在光纖導件244和（或）陶瓷軸232中形成額外的複數個通道。適於提供基於光的加熱之複數個光纖236佈線透過陶瓷軸232和（或）光纖導件244並在靜電卡盤的陶瓷板234中的通道235內延伸。
如圖所示，複數個光纖236經配置在通道235內橫向延伸。如說明書中所使用的橫向延伸是指光纖（沿其縱軸）的長度在通道235內水平穿過。 通道235可經定向而實質平行於陶瓷板234的上表面平面延伸。由於將光纖236放置在通道235中，所以可能略微偏離平行。複數個通道235可以以任何合適的圖案提供。一種圖案包括複數個徑向輻條，如圖3所示。可以使用其他合適的通道圖案。
複數個光纖236適於提供基板240的基於光的加熱。複數個光纖236可終止於通道235中的複數個徑向位置處（例如，參見圖3）。光纖236可個別地或作為一束（如作為一組光纖）穿過陶瓷軸232和（或）光纖導件244及接著在通道235內橫向彎曲和延伸。光學加熱系統124可包括光源陣列125，光源陣列125包括與複數個光纖236中的至少部分光纖及最好是大部分光纖或是全部光纖耦接的複數個光源238。光學控制器126可經配置控制以通道連到複數個光纖236的光功率（如強度）及複數個光纖236所承載的光功率。
在操作中，複數個光纖236中的至少部分光纖承載的光用來加熱陶瓷板234的局部部分，以及從而至少藉由傳導來加熱基板240。在一些實施例中，含金屬物件（未表示）嵌入靠近通道端部的陶瓷板中。含金屬物件可吸收由光纖發射的光子並因為此吸收而加熱。當複數個光纖236定位及終止於目標位置時，陶瓷板234的許多局部部分可被加熱。在一些實施例中，此局部化的加熱可與由溫度單元122和熱元件242提供的溫度控制相結合。在其他實施例中，藉由複數個光纖236的局部化（如像素化）加熱可以是提供給陶瓷板234的唯一加熱。
例如，在一些實施例中，溫度控制可使得基板240（以虛線表示）被加熱到大於約200℃、大於約500℃、大於約600℃或甚至約650℃或更高溫度之標稱溫度。例如，溫度控制可在一些實施例中使基板240（以虛線表示）被加熱到約600°C至約700°C的標稱溫度。在一些實施例中，可在一或多個處理腔室106A-106C內的基板240上施行此種加熱。例如，溫度控制可在某些實施例中使基板240（以虛線表示）如在PECVD製程中被加熱。
在一些實施例中，加熱元件242可提供主要加熱源以將陶瓷板234加熱至標稱溫度，以及光纖236可作為輔助或補充加熱源，使得標稱溫度可進一步在邊界間調整，如標稱溫度的約+/-5°C之間、標稱溫度的約+/-10°C之間或甚至標稱溫度的約+/-25°C之間。可藉由使用較高或較低功率（具有較多或較少光輸出功率）的光源238來達到其他溫度調整幅度。因此，根據本發明的態樣，可藉由基於像素化的光纖加熱來實現溫度控制。
光纖236中的部分光纖可包括在光纖終端處的各種光學特徵，包括擴散發射器、透鏡尖端或成角度的切割。此等光學特徵可用於將光引導到擴散器的一或多個表面或者最小化光反射回光纖236。
現在將描述光纖加熱的操作。例如，若基板240的標稱溫度為約650℃，但是幾何或熱異常或處理腔室106B中的其他差異或陶瓷板234的設計使得整個基板240的所有部分難以達到該標稱溫度，則除了溫度單元122與耦接的加熱元件242所提供的任何加熱之外，接著光學加熱系統124可提供輔助加熱。在一或多個實施例中，光學加熱系統124可提供輔助加熱，以調整局部化區域來達到任何目標溫度分佈。在一些實施例中，光學加熱系統124可用來調整局部化區域，以提供基板240實質均勻的溫度分佈。 然而，在一些實施例中，目標溫度分佈可以有意不均勻。
還應明白，在一些實施例中，光學加熱系統124可以是唯一的加熱源（即沒有溫度單元122或熱元件242）。在此實施例中，光學控制器126可以是唯一存在的溫度控制器，且可藉由獨立地或分區地調節個別光纖236的光強度來調節局部化區域的溫度。
陶瓷板234和陶瓷軸232可由相同的陶瓷材料形成。在一個實施例中，陶瓷板234和陶瓷軸232是氮化鋁（AlN）。在另一個實施例中，陶瓷板234和陶瓷軸232是氧化鋁（Al2 O3 ）。陶瓷板234和陶瓷軸232可被擴散接合以形成包括陶瓷軸232和陶瓷板234的單個單塊（single monolithic）陶瓷體。在實施例中，陶瓷軸232的外部可暴露於處理腔室。在一些實施中，處理腔室可暴露於電漿環境（如氟電漿環境）和（或）可被抽氣到減壓（如到真空）。可保護陶瓷軸232的內部免受電漿環境的影響。
可將一或多個孔鑽入陶瓷軸的壁中，以提供用於連接到熱元件242（亦稱為加熱元件）和（或）一或多個電極的電接線之通路。電極可包括用於將基板固定到基板支撐組件和（或）射頻（RF）電極的夾持電極。夾持電極可使用靜電力將基板拉向陶瓷板。孔亦可被鑽入陶瓷軸的壁中，使得氦能被泵送到基板240的背側與陶瓷板234的上表面之間的區域中。
在所示的實施例中，如圖所示，透過陶瓷軸232設置位於中心的單一空腔。接著光纖導件244插入陶瓷軸232中的空腔中。在一個實施例中，空腔是圓形空腔，且光纖導件是圓柱形的（具有圓柱形形狀）。在一個實施例中，光纖導件244是包括多個通道的金屬圓柱體。可用於光纖導件244的金屬之實例包括不銹鋼和鋁。通道可以是光纖導件244的壁中所鑽的孔，或者可以是機械加工進光纖導件的外周邊中的槽。光纖導件244可以從陶瓷軸232移除。亦可透過陶瓷板234包含次級通道（passage）245以容納升舉銷246、溫度探針等。
在替代實施例中，沒有使用單獨的（separate）光纖導件244。相反地，陶瓷軸232可具有形成在其中的多個通道，用於將光纖佈線到通道235中，且陶瓷軸232可用作光纖導件。
在一些實施例中，單一光纖236可被接收於每個通道235中。在其他實施例中，多個光纖236可被接收於某些通道235中（見圖6A-6B）。
一旦光纖236穿過光纖導件244，光纖236繞半徑249彎曲（如以約90度的角度）且向外延伸（如在一些實施例中為徑向）並放置在通道235中。當光纖被推入光纖導件244時，光纖導件244可經成形使得光纖自動彎曲並被引導入通道235中。
除了用於提供加熱的光纖236之外，可使用一些光纖236作為光纖溫度感測器。例如，一些光纖236可以是光纖光學熱電偶。光纖光學熱電偶和（或）其他光纖光學溫度感測器可用於量測在各個區域的陶瓷板的溫度。作為光纖溫度感測器的一個部件的每個光纖可用於量測陶瓷板的區域的溫度。在一些實施例中，光纖可同時用於加熱和用於溫度量測。例如，光纖可在一端處分成兩部分。第一部分可佈線到光學熱源（如雷射二極體），及第二部分可佈線到溫度感測器。
光纖236可具有各種合適的長度，且可橫向延伸到通道235內的各式目標終端位置。如圖3所示，通道235可具有不同的長度，且可具有任何合適的通道形狀。在一些實施例中，通道235可以是直的，而其他一些通道可以是彎曲的、圓形的或甚至蛇形的（參見圖5和6A）。可使用直的、彎曲的、圓形的和蛇形的通道235或直的、彎曲的、圓形的和蛇形的部分之組合來構造每個通道235。
通道235亦可具有任何合適的截面形狀。例如，圖4A-4C繪示各種形狀的通道235。 圖4A繪示沿圖3中的截面線4A-4A'所截取的局部放大截面圖。如圖所示，通道235的形狀可以是大致矩形的橫截面。然而，可使用其他橫截面形狀，如半圓形、梯形等。陶瓷板234最初可以是多個不同的陶瓷生坯。陶瓷生坯中的一個可形成通道235，之後可將陶瓷生坯體壓縮和加熱以將陶瓷生坯燒製（fire）或燒結（sinter）在一起以擴散接合陶瓷生坯並將其轉換成單片燒結陶瓷板。可藉由任何合適的加工手段形成通道235，如雷射加工、磨料水射切割、研磨或（如用金剛石工具）研磨等。通道235的寬度可大於光纖236的寬度，使得光纖236可不用經受因熱膨脹失配引起的應力。例如，通道235的寬度可以比光纖236或佈線於通道235內的一組光纖236的外尺寸大或多約1mm。例如，通道235的尺寸可以為約1mm至3mm寬，及約1mm至3mm深。可使用其他的尺寸。
通道235的數量可以有20個或更多，且在一些實施例中可以有約50個至500個，諸如當每個通道接收單一光纖236時。在多個光纖236被接收於每個通道235中的一些實施例中，可提供約5個至約50個通道235。因此，根據設計，可提供如約5個至約500個通道。可將塗層施用於一或多個通道235的內部，以改善光吸收。例如，可使用適合用於高溫服務的黑色高溫塗層。
在圖4B中，護套或套管450可設置在通道235中，且可以沿其長度鬆弛地圍繞光纖236。在一或多個實施例中，護套或套管450可以是紡織的、編織的、或纖維陶瓷布或紙。可以使用如玻璃光纖、毛細管或塑料管的其他材料。可使用其他合適的高溫材料來用作護套或套管450。
在一些實施例中，基板支撐組件130的徑向邊緣和（或）上表面可包括將抗蝕刻材料的保護層256。保護層256可由抵抗氣體蝕刻的任何材料或存在於處理腔室106B中的其他材料製成。例如，保護層256可以是氧化釔（三氧化二釔）材料，其可以藉由噴塗處理（如電漿噴塗）施加。可使用其他合適的應用處理。
陶瓷板234可包括嵌入其中的熱元件242。在一些實施例中，熱元件242可提供單區加熱或雙區加熱，且可經配置在光纖236位置的垂直上方。熱元件242可提供多數的熱以及由光纖236提供的基於光的加熱可提供局部化加熱補充，以提供在光纖236終端位置附近作局部溫度調整的能力。
在圖1-2中所繪示的實施例中，光學控制器126可以是具有處理器、記憶體和周邊元件的任何合適的控制器，該控制器適於執行封閉迴路或其他合適的控制方案以及控制光源陣列125的各個光源238發出的光功率（如瓦）。光源238的至少部分耦接至光纖236並提供光功率於此（如紅外線能量）。光纖236可以以捆束的方式（如圖所示）佈置，且可在長度的至少部分上包括保護性護套252。在一些實施例中，護套252可以是彈性不銹鋼管。可使用其他合適的護套材料。
光纖236可包括任何合適的光纖類型，如漸變折射率光纖、步進式折射率（step-index）單模式光纖、多模光纖或甚至是光子晶體光纖。在一些實施例中，可使用表現出相當高的抗彎曲性的光纖236。可使用相對高的數值孔徑（NA）光纖，如大於約0.1、大於約0.2或甚至大於約0.3的NA。可使用任何適當數量的光纖236，如20個以上、50個以上、100個以上、200個以上、300個以上、400個以上或甚至高達500個以上。如前所述，一些光纖可以是光纖熱電偶。光纖236的終端可位於陶瓷板234上表面的一距離下方，該距離介於約0.125英吋（約3.2mm）至約0.5英吋（12.3mm）之間。其他的垂直位置亦是可能的。
在通道235中的光纖236終端位於陶瓷板234上表面的下方0.325英吋（8.3mm）處的一個實例提供相對均勻的基於光的加熱，其中277個光纖236耦接10W的光源238。光纖236可藉由任何合適的傳統耦接手段耦接至個別光源238。
如圖4A所示，光纖236可各自包括金屬膜453。根據操作溫度，可使用鋁、銅或金用作金屬膜453。在650℃溫度左右，可使用金用作為金屬膜453。金屬膜453可以是如約15微米厚。可使用其他厚度。
光纖236可包括標準以聚合物塗覆的光纖（如丙烯酸酯或丙烯酸酯-環氧聚合物塗層）。在一些實施例中，光纖236可被接合到聚合物塗覆的光纖。
在一些實施例中，光源238C中的一或多個可藉由感測器光纖254耦接至控制感測器255（如光接收器（如光二極體））。每個光源238可以是雷射二極體，如單個發射器二極體。雷射二極體可具有任何合適的輸出波長範圍，例如約915nm至約980nm之間。可以使用其他的輸出範圍。輸出功率可在約0W至10W之間調變。然而，甚至可使用更高功率的二極體（如＞10W）。 雷射二極體可包括具有如105或110微米芯直徑的光纖輸出。例如，可使用來自麻省牛津（Oxford, MA）的IPG Photonics公司的模型PLD-10。可替代地使用其他類型的光源238。 根據實施例，可使用約20個至約500個光源238。如圖所示，光源238可靜置在共用散熱器459上或與共用散熱器459熱接合，共用散熱器459可藉由冷卻源462而被冷卻（如液體冷卻）到如約20°C至約30°C之間。冷卻源462可以是如冷卻水的源。可使用其他類型的冷卻源462。
控制感測器255可用來提供反饋給（如光強度或熱產生的）控制光源238C的相對輸出上的光學控制器126。可選地或另外地，一或多個光學溫度感測器可設置在一或多個通道235中，及耦接至溫度量測系統460，使得能夠對基板支撐組件130的內部部分作局部化溫度監測。 例如，光學溫度感測器可以是耦接至光譜儀的光纖布拉格（Bragg）光柵，光譜儀可以是溫度量測系統460。可使用光纖多工器或其他類似部件將多個光學溫度感測器連接到單一光譜儀。光學溫度感測器亦可藉由其他合適的手段實現，如藉由將光纖的尖端嵌入合適的黏合材料（如可從紐約州Valley Cottage的Aremco Products Inc.公司取得的CERAMACAST 865）並量測該材料所發射的熱輻射。可藉由將光纖耦接至砷化銦鎵光電二極體來實現熱量測。耦接至光學溫度感測器的光纖亦可放置在通道235中。可使用任何合適的溫度量測系統460來訊問光學溫度感測器458。溫度量測系統460可與溫度控制器128和（或）光學控制器126介接以提供溫度反饋。可選地或額外地，可使用藉由其他方法的熱反饋，如在基板支撐組件130上的兩個或兩個以上RTD。
每個光源238可從光功率輸出的低或零層級經獨立控制及調變到光功率輸出的高或最大層級。每個光源238可經獨立控制以控制有限的點（像素）處的溫度或者以群組光纖的方式共同地控制以控制基板支撐組件130的一或多個區域的溫度。
可實現任何合適的溫度控制原理。在一個控制態樣中，可尋求在整個基板240的上表面上的高度均勻的溫度分佈。在另一個態樣中，有意非均勻的溫度分佈（如在基板240的邊緣處較熱或較冷）可以是有利的。取決於光學控制器126所實施的控制原理，可根據本發明的態樣提供各個溫度分佈。因此，本發明的某些實施例可提供方位角溫度變化。
圖4C繪示基板支撐組件的部分的放大局部截面圖，其表示通道內的光纖的一個實施例。圖4D繪示基板支撐組件的部分的放大局部截面圖，其表示通道內的光纖的另一實施例。根據實施例，在圖3的線4D-4D'截取圖4C與4D的截面圖。如圖所示，基板支撐組件的陶瓷板234包括熱元件242和已經插入光纖236的通道235。
參考圖4C，含金屬物件480已經被插入陶瓷板234中，靠近通道235的端部478。含金屬物件480可以是金屬吸收片（tablet），如鉬片、鎢片或包含鉬和（或）鎢的金屬合金片。含金屬物件480亦可以是金屬線或金屬（如鎢或鉬）和陶瓷（如AlN或Al2 O3 ）的混合物。在形成陶瓷板之前，形成為通道的陶瓷生坯亦可被加工以包括用於接收含金屬物件480的空腔。接著，在生坯與其他生坯燒結而形成陶瓷板234之前，可將含金屬物件480放置在生坯中的空腔中。
陶瓷板的薄壁482將含金屬物件480與通道235分離。這可以保護含金屬物件480免於暴露於空氣中並且可以防止含金屬物件480氧化。光子可從光纖236的一端發射並投射往含金屬物件480。含金屬物件可吸收光子並加熱。含金屬物件可接著輻射加熱並加熱陶瓷板234的區域。
參考圖4D，含金屬物件486已經被插入通道235的陶瓷板234中，在通道235的端部478處。含金屬物件486可對應於任何上述的含金屬物件。在一個實施例中，含金屬物件486是金屬和陶瓷的混合物，且被網版印刷到通道235的端部478上。或者，含金屬物件486可被網版印刷到生坯的表面上，使得當生坯接合包含通道235的另一生坯時，含金屬物件486佔據通道235端部的空間。接著可將生坯共同燒結以形成在通道235端部具有含金屬物件486的陶瓷板234。
現在參考圖5，表示陶瓷板532的另一實施例的截面圖，其包括以圖案形成的複數個通道535並與通道（passage）544互連。預先量測的長度的光纖（未圖示）可作為透過通道544的一束饋送，並佈線在複數個通道535內且定位到位（如放置及至少暫時黏合）。複數個通道535可以以圖案的方式設置，該圖案至少包括一些徑向輻條535S的圖案。徑向輻條535S可從通道544處或通道544附近散發並從其徑向向外延伸。在一些實施例中，徑向輻條535S可以不是直的，但可包括其曲率。在一些實施例中，徑向輻條535S可偏離純徑向定向，且可與其傾斜約60度的角度。所示為六個徑向輻條535S，但是可使用更多或更少數量的徑向輻條535S。
在另一態樣中，複數個通道535可以以包括一或多個圓形通道部分535C的圖案方式設置，該圓形通道部分535C可以是部分圓形或全圓形。圖5所示圓形通道部分535C為複數個全圓形。在一些實施例中，如圖所示，圓形通道部分535C可以是同心的。所示為八個圓形通道部分535C，但是可使用更多或更少數量的圓形通道部分535C。
如圖5所示，當複數個通道535包括具有複數個徑向輻條535S和圓形通道部分535C的圖案時，則可提供過渡通道535T。過渡通道535T可具有大於約15mm的半徑，以允許從徑向輻條535S平順過渡到圓形通道部分535C。通道535中的每一個可以終止在通道凹穴（pocket）535P（標記了幾個）中，及光纖（未表示）可被切割成終端於通道凹穴535P內終止的長度。 這有助於精確定位終端。
圖6A繪示陶瓷板632的另一實施例的截面圖，陶瓷板632包括形成在陶瓷板632中的通道635。通道635包括如圖所示的蛇形路徑，但是通道路徑可以是任何形狀。通道635表示為被加工在陶瓷板632中。這些通道635在近中心處開始，且當其向外移動時，這些通道635與目標「像素」位置相交。所示為八個通道635，但是根據目標「像素」位置的數量，通道635的數量可更多或更少。
在形成具有通道635的陶瓷板632之後，光纖636A、636B、636C等可插入通道635中。因為沒有在形成陶瓷板632的時候安裝光纖636A、636B、636C等，所以可使用較高的溫度接合處理（如擴散接合處理）。擴散接合發生在1500-1800℃左右，此溫度高於光纖的熔融溫度（約1600℃），且可提供較高的黏合強度。
為了在接合之後完成插入通道635，多個光纖（如光纖636A、636B、636C所示）可經捆束為如圖6B所示的光纖組件665。光纖組件665可包括芯668，芯668可包含推料線669，推料線669具有引導構件670（如其上形成的球形塑料尖端）。可使用其他類型的引導構件670。芯668提供剛性及引導能力，以將光纖組件665螺旋進入通道635。
所示光纖636A、636B、636C繞推料線669捆束，其中光纖636A、636B、636C的終端沿光纖組件665的長度交錯。熱收縮管道672（以虛線表示）可用於將光纖組件665的部件固定在一起。可使用其他手段（如適合的黏合劑）將光纖組件665捆束在一起。
推料線669可由適合用於在高溫下操作（如約650℃）的高溫合金製成，如英高鎳合金600。推料線669可以是鍍金的，以便將雷射能反射回陶瓷板周圍的陶瓷材料。
在一或多個實施例中，光纖組件665的光纖636A、636B、636C可包括成角度的切割（如45度），所以雷射能偏離一側發射。可能不能控制光纖636A、636B、636C的成角度切割所指向的方向。每個獨立的光纖636A、636B、636C可指向上、向下或向側面。三個光纖（如光纖636A、636B、636C）表示於所繪示的實施例中。然而，約二個至約五十個光纖或者甚至兩個至一百個可包含於每個光纖組件665中。最好是約有五個至約二十個光纖可在每個光纖組件665中。
圖7A繪示用於基板支撐組件705的陶瓷軸720和光纖導件735的一個實施例的透視圖。圖7B繪示圖7A的基板支撐組件705的截面側視圖，其包括陶瓷軸720和光纖導件735。圖7B可對應於圖7A的線7B-7B所截取的橫截面。基板支撐組件705可對應於實施例圖1至圖2的基板支撐組件130。
基板支撐組件705包括陶瓷板710、陶瓷軸720及光纖導件735，陶瓷軸720接合陶瓷板710的底表面，光纖導件735插入陶瓷軸720中的空腔730中。多個通道740形成在陶瓷板710的內部。可在陶瓷板710的底表面上形成凹部715或空腔。凹部715可提供對陶瓷板710中的所有通道740的通路（access）。因此，通道740可全部終止於凹部715。在一個實施例中，凹部715是圓形凹槽且位於陶瓷板710的底表面的中心處或其附近。在一個實施例中，凹部715被陶瓷軸720完全包圍。
陶瓷軸720可具有唇部725，唇部725具有比陶瓷軸720的其餘部分更大的一直徑。唇部725可為與陶瓷板710的改良接合提供增加的表面積，並可提供改進的強度和穩定性。陶瓷軸720可以是中空軸，中空軸具有空腔730，空腔730可能具有或不具有一直徑，該直徑相似於凹部715的直徑。在一個實施例中，空腔730具有約4英吋的直徑。
光纖導件735插入陶瓷軸的空腔730中。在一個實施例中，光纖導件可具有約4英吋的直徑。光纖導件735包括多個通道745，其可以是鑽入光纖導件735中的孔。在一個實施例中，每個通道745繞光纖導件周邊與下一個通道745分隔約2mm。對於具有4英吋直徑的光纖導件，可形成具有2mm間隔的通道多達150個。光纖導件735可以是金屬且可包括多個通道745。通道745可接收光纖750且將光纖750引導到陶瓷板710中的通道740中。在一個實施例中，光纖導件735包括與陶瓷板710中的通道740數量相同的通道745數量。每個通道745可以與陶瓷板710中的相應通道740對準（line up with）。通道740可在陶瓷板710中橫向延伸，且可實質平行於陶瓷板710的表面。通道745可實質垂直於陶瓷板710的表面。
圖8A繪示用於基板支撐組件805的陶瓷軸820和光纖導件835的一個實施例的透視圖。圖8B繪示圖8A的基板支撐組件805的截面側視圖，其包括陶瓷軸820和光纖導件835。圖8B可對應於圖8A的線8B-8B所截取的橫截面。基板支撐組件805可對應於實施例圖1至圖2的基板支撐組件130。
基板支撐組件805包括陶瓷板810、陶瓷軸820及光纖導件835，陶瓷軸820接合陶瓷板810的底表面，光纖導件835插入陶瓷軸820中的空腔830中。多個通道840形成在陶瓷板810的內部。可在陶瓷板810的底表面上形成凹部815或空腔。凹部815可提供對陶瓷板810中的所有通道840的通路。因此，通道840可全部終止於凹部815。在一個實施例中，凹部815是圓形凹槽且位於陶瓷板810的底表面的中心處或其附近。在一個實施例中，凹部815被陶瓷軸820完全包圍。
陶瓷軸820可具有唇部825，唇部825具有比陶瓷軸820的其餘部分更大的一直徑。唇部825可為與陶瓷板810的改良接合提供增加的表面積，並可提供改進的強度和穩定性。陶瓷軸820可以是中空軸，中空軸具有空腔830，空腔830可能具有或不具有一直徑，該直徑相似於凹部815的直徑。在一個實施例中，空腔830具有約4英吋的直徑。
光纖導件835插入陶瓷軸的空腔830中。在一個實施例中，光纖導件835可具有約4英寸的直徑。光纖導件835包括多個通道845，其可以是加工入光纖導件835的外周或壁之槽或肋部。在一個實施例中，每個通道845繞光纖導件周邊與下一個通道845分隔約2mm。對於具有4英吋直徑的光纖導件，可形成具有2mm間隔的通道多達150個。光纖導件835可以是金屬且可包括多個通道845。通道845可接收光纖850且將光纖850引導到陶瓷板810中的通道840中。在一個實施例中，光纖導件835包括與陶瓷板810中的通道840數量相同的通道845數量。每個通道845可與陶瓷板810中的對應通道840對準。通道840可在陶瓷板810中橫向延伸，且可實質平行於陶瓷板810的表面。通道845可實質垂直於陶瓷板810的表面。
圖9繪示描述製造包括用於加熱的光纖之基板支撐組件的方法900之流程圖。在方塊905，可使用本說明書以上所述之任何技術將通道加工成第一陶瓷生坯。在方塊910，可將用於含金屬物件的接收區域加工成第一陶瓷生坯。在方塊915，將含金屬物件插入第一陶瓷生坯中，或者（如藉由網版印刷）形成於第一陶瓷生坯中。或者，含金屬物件可（如藉由網版印刷）形成在第二陶瓷生坯上。若不使用含金屬物件或目標，則可跳過方塊910和915。
在方塊920，第一陶瓷生坯與一或多個額外的陶瓷生坯堆疊在一起。例如，第一陶瓷生坯可堆疊在另一陶瓷生坯之上。其他陶瓷生坯可包括熱元件（如電阻加熱元件）。此外，第一陶瓷生坯仍可堆疊在一或多個額外的陶瓷生坯之下。這些額外的陶瓷生坯可具有形成於其上的熱電極（如RF網格）等。或者，包括熱元件的陶瓷生坯可定位於具有通道的陶瓷生坯之上。
在方塊925，該堆疊的陶瓷生坯被壓縮並被燒結或燒製在一起以形成具有單片主體的陶瓷板。可在約1500℃或更高的溫度下進行燒結處理。在方塊930，在陶瓷板的底表面形成孔或凹部。孔可提供對形成在陶瓷板中的通道的通路。
在方塊935，陶瓷軸擴散接合到陶瓷板的底表面。陶瓷軸可被放置成圍繞形成在陶瓷板的底表面中的孔。可藉由在約1500℃或更高的溫度下將陶瓷軸壓在陶瓷板來施行擴散接合。
在一個實施例中，陶瓷軸是具有中心空腔的中空軸。在方塊940，可將光纖導件插入陶瓷軸的中心空腔中。在方塊945，可將光纖插入透過光纖導件中的通道並插入陶瓷板的通道中。基板支撐組件可接著準備使用。
圖10繪示描述包括可移除光纖的基板支撐組件之刷新方法1000的流程圖。在方法1000的方塊1005，識別靜電卡盤中的故障光纖，該靜電卡盤包含複數個可移除光纖。複數個可移除光纖中的每一個光纖在靜電卡盤中的第一複數個通道內。靜電卡盤可以是包含夾持電極的基板支撐組件的陶瓷板。
在方塊1010，故障光纖從靜電卡盤中的第一複數個通道中的第一通道及接合於靜電卡盤的陶瓷軸的第二通道移除。第二通道是陶瓷軸中的第二複數個通道中的一個通道。第一通道可實質平行於靜電卡盤的頂表面，及第二通道可實質垂直於靜電卡盤的頂表面。
在方塊1015，將新光纖插入靜電卡盤的第一通道中。在一個實施例中，在方塊1020，新光纖被推動透過與第一複數個通道中的第一通道對準的第二複數個通道中的第二通道。第二通道將新光纖引導入第一通道中。接著，基板支撐組件的靜電卡盤準備再次使用。
將簡要描述處理（如在電子裝置處理系統（如電子裝置處理系統100）內）的基板之方法。該方法包括提供基板支撐組件（如基板支撐組件130），基板支撐組件包括陶瓷板、陶瓷軸和在通道（如通道235、535、635）中橫向延伸的複數個光纖（如光纖236、636A、636B、636C）。在製造基板支撐組件之後，光纖可安裝在通道中。
該方法進一步包括控制提供到複數個光纖中的至少一些光纖的光強度，以實現陶瓷板基於光的溫度控制。當然，陶瓷板的溫度控制亦控制與其熱接觸的基板（如基板240）的溫度。在一或多個實施例中，該方法可進一步包括藉由耦接的溫度單元（如溫度單元122）和熱元件（如熱元件242）的方式來加熱基板支撐組件。
控制基板240溫度的方法可包括提供溫度反饋，如透過使用嵌入在通道235、535、635中的一或多個通道之光學感測器（如光學感測器）。在一些實施例中，可使用大量的嵌入式光學感測器。在其他態樣中，可採用基於模型的控制和較少數量的溫度感測器。可基於來自處理腔室（如處理腔室106B）中發生的處理的反饋來調整用於控制光纖236的控制方法，例如藉由量測基板240上的處理結果。
前面所述揭露了本發明的示例性實施例。落於本發明範圍內的上面所揭露之設備、系統及方法的變化將輕易對本領域具有通常知識者彰顯。 因此，儘管本發明已經結合示例實施例揭露，但是應該理解的是，其他實施例可落於如以下專利申請範圍所界定的本發明範圍內。
100‧‧‧電子裝置處理系統
101‧‧‧殼體
102‧‧‧移送腔室
103‧‧‧機器人
104‧‧‧機器人控制器
106A、106B、106C‧‧‧處理腔室
108‧‧‧工廠接口
108C‧‧‧工廠接口腔室
110‧‧‧裝載閘設備
110C‧‧‧裝載閘腔室
112‧‧‧裝載口
114‧‧‧基板載體
116‧‧‧裝載/卸載機器人
120‧‧‧基板溫度控制系統
122‧‧‧溫度單元
124‧‧‧光學加熱系統
125‧‧‧光源陣列
126‧‧‧光學控制器
128‧‧‧溫度控制器
130‧‧‧基板支撐組件
232‧‧‧陶瓷軸
234‧‧‧陶瓷板
235‧‧‧通道
236‧‧‧光纖
238‧‧‧光源
238C‧‧‧光源
240‧‧‧光纖導件
242‧‧‧熱元件
244‧‧‧光纖導件
245‧‧‧次級通道
246‧‧‧升舉銷
249‧‧‧半徑
252‧‧‧護套
254‧‧‧感測器光纖
255‧‧‧控制感測器
256‧‧‧保護層
450‧‧‧護套或套管
453‧‧‧金屬膜
458‧‧‧光學溫度感測器
459‧‧‧共用散熱器
460‧‧‧溫度量測系統
462‧‧‧冷卻源
478‧‧‧端部
480‧‧‧含金屬物件
482‧‧‧薄壁
486‧‧‧含金屬物件
532‧‧‧陶瓷板
535‧‧‧通道
535C‧‧‧圓形通道部分
535S‧‧‧徑向輻條
535T‧‧‧過渡通道
535P‧‧‧通道凹穴
632‧‧‧陶瓷板
635‧‧‧通道
636A、636B、636C‧‧‧光纖
665‧‧‧光纖組件
668‧‧‧芯
669‧‧‧推料線
670‧‧‧引導構件
672‧‧‧熱收縮管道
705‧‧‧基板支撐組件
710‧‧‧陶瓷板
715‧‧‧凹部
720‧‧‧陶瓷軸
725‧‧‧唇部
730‧‧‧空腔
735‧‧‧光纖導件
740‧‧‧通道
745‧‧‧通道
750‧‧‧光纖
805‧‧‧基板支撐組件
810‧‧‧陶瓷板
815‧‧‧凹部
820‧‧‧陶瓷軸
825‧‧‧唇部
830‧‧‧空腔
835‧‧‧光纖導件
840‧‧‧通道
845‧‧‧通道
850‧‧‧光纖
900‧‧‧方法
905‧‧‧方塊
910‧‧‧方塊
915‧‧‧方塊
920‧‧‧方塊
925‧‧‧方塊
930‧‧‧方塊
935‧‧‧方塊
940‧‧‧方塊
945‧‧‧方塊
1000‧‧‧方法
1005‧‧‧方塊
1010‧‧‧方塊
1015‧‧‧方塊
1020‧‧‧方塊
在附圖中以實例而非限制的方式說明本發明的實施例，其中相同的編號代表類似的元件。
圖1繪示根據實施例包括在一或多個處理腔室中的光纖加熱的電子裝置處理系統之示意性俯視圖。
圖2繪示包括光纖加熱的基板溫度控制系統之示意性局部截面圖，其中根據實施例將光纖放置在通道中。
圖3繪示根據實施例的基板支撐組件的一部分之示意性俯視圖，其中上部構件被移除以表示光纖在通道內的定位（如輻條）。
圖4A繪示基板支撐組件的部分的放大局部截面圖，其表示光纖定位在通道內的第一實施例。
圖4B繪示基板支撐組件的部分的放大局部截面圖，其表示以護套阻障層將光纖定位在通道內的第二實施例。
圖4C繪示基板支撐組件的部分的放大局部截面圖，其表示通道內的光纖的一個實施例。
圖4D繪示基板支撐組件的部分的放大局部截面圖，其表示通道內的光纖的另一實施例。
圖5繪示根據實施例的基板支撐組件的部分的示意性俯視平面圖，其中上部構件被移除以表示各種通道的圖案。
圖6A繪示根據實施例的基板支撐組件的部分的示意性俯視平面圖，其中上部構件被移除以表示各種通道的蛇形構造。
圖6B表示根據實施例的光纖組件的部分之局部側視圖，其適於插入通道中。
圖7A繪示陶瓷軸和光纖導件的一個實施例的透視圖。
圖7B繪示圖7A的陶瓷軸和光纖導件的截面側視圖。
圖8A繪示陶瓷軸和光纖導件的另一實施例的透視圖。
圖8B繪示圖8A的陶瓷軸和光纖導件的截面側視圖。
圖9繪示描述製造包括用於加熱的光纖之基板支撐組件的方法之流程圖。
圖10繪示描述包括可移除光纖的基板支撐組件之刷新方法的流程圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
805‧‧‧基板支撐組件
810‧‧‧陶瓷板
815‧‧‧凹部
820‧‧‧陶瓷軸
825‧‧‧唇部
830‧‧‧空腔
835‧‧‧光纖導件
840‧‧‧通道
845‧‧‧通道
850‧‧‧光纖

Claims (20)

  1. 一種基板支撐件，包括： 一板，該板包含一頂表面和一底表面，其中該頂表面支撐一基板，該板進一步包含： 一電極； 一或多個電阻加熱元件； 第一複數個通道；及 複數個光纖，該複數個光纖在該第一複數個通道中，其中該複數個光纖可從該基板支撐件移除。
  2. 如請求項1所述之基板支撐件，進一步包括： 一軸，該軸接合該板的該底表面，該軸包含一空腔。
  3. 如請求項2所述之基板支撐件，其中該板是一陶瓷板，且該軸是一陶瓷軸。
  4. 如請求項2所述之基板支撐件，其中該板是一金屬板，且該軸是一金屬軸。
  5. 如請求項2所述之基板支撐件，進一步包括： 一光纖導件，該光纖導件插入該軸的該空腔中，該光纖導件包含第二複數個通道，其中該第二複數個通道中的一第二通道將該複數個光纖中的一第一光纖引導到該第一複數個通道中的一第一通道中。
  6. 如請求項5所述之基板支撐件，其中該光纖導件包括金屬且具有一圓柱形形狀。
  7. 如請求項5所述之基板支撐件，其中該第二複數個通道包括該光纖導件的一外壁中的複數個槽。
  8. 如請求項2所述之基板支撐件，其中該軸包括第二複數個通道，其中該第二複數個通道中的一第二通道將該複數個光纖中的一第一光纖引導到該第一複數個通道中的一第一通道中。
  9. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該板是一陶瓷板，進一步包括： 複數個含金屬物件，該複數個含金屬物件在該陶瓷板中，其中該複數個含金屬物件中的一第一含金屬物件定位於該複數個通道的一第一通道的一端部附近，其中該第一含金屬物件用於吸收該複數個光纖中的一第一光纖所傳送的光子。
  10. 如請求項9所述之基板支撐件，其中該第一含金屬物件包括在該第一通道的該端部處的一金屬陶瓷混合物。
  11. 如請求項9所述之基板支撐件，其中該第一含金屬物件包括一金屬插入件，該金屬插入件與該第一通道的該端部由該陶瓷板的一部分分離。
  12. 如請求項9所述之基板支撐件，其中該複數個含金屬物件包括鎢或鉬中的至少一種。
  13. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該一或多個電阻加熱元件用於提供該板的第一級溫度控制，及其中該複數個光纖用於提供該板的第二級溫度控制。
  14. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該第一複數個通道實質平行於該頂表面。
  15. 如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個光纖中的至少一個光纖是用於量測該板的一區域處的一溫度之一光纖溫度感測器的一部件。
  16. 如請求項15所述之基板支撐件，其中該至少一個光纖同時用於加熱和用於溫度量測。
  17. 一種基板支撐組件，包括： 一陶瓷板，該陶瓷板包含一頂表面和一底表面，其中該頂表面支撐一基板，該陶瓷板進一步包含用於接收複數個光纖的第一複數個通道；及 一陶瓷軸，該陶瓷軸接合該陶瓷板的該底表面，該陶瓷軸包含一空腔；及 一光纖導件，該光纖導件插入該陶瓷軸的該空腔中，該光纖導件包含第二複數個通道，其中該第二複數個通道中的一第二通道將該複數個光纖中的一第一光纖引導到該第一複數個通道中的一第一通道中。
  18. 如請求項17所述之基板支撐組件，其中a）該陶瓷板包括AlN且該陶瓷軸包括AlN，或b）該陶瓷板包括Al2 O3 且該陶瓷軸包括Al2 O3 ，該基板支撐組件進一步包括陶瓷板中的複數個含金屬物件，其中該複數個含金屬物件中的一第一含金屬物件定位於該第一通道的一端部附近，其中該第一含金屬物件吸收由該光纖所傳送的光子。
  19. 一種刷新（refurbish）靜電卡盤的方法，包括以下步驟： 識別該靜電卡盤中的一故障光纖，該靜電卡盤包含複數個可移除光纖，其中該複數個可移除光纖中的每一個光纖是在該靜電卡盤中的第一複數個通道中的一個通道內； 將該故障光纖從該靜電卡盤中的該第一複數個通道中的一第一通道移除，其中該第一通道實質平行於該靜電卡盤的一頂表面；及 將一新光纖插入該靜電卡盤中的該第一通道中。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該靜電卡盤的一底表面接合一陶瓷軸，該陶瓷軸具有容納一光纖導件的一空腔，該光纖導件具有第二複數個通道，及其中將該新光纖插入該第一通道的步驟包含以下步驟： 將該新光纖推動透過與該第一複數個通道中的該第一通道對準之該第二複數個通道中的一第二通道而進入該第一複數個通道中的該第一通道，其中該第二通道將該新光纖引導到該第一通道中。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774482B (zh) * 2020-10-16 2022-08-11 日商日本碍子股份有限公司 晶圓載置台

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11229968B2 (en) * 2011-11-30 2022-01-25 Watlow Electric Manufacturing Company Semiconductor substrate support with multiple electrodes and method for making same
CN106471609B (zh) 2014-07-02 2019-10-15 应用材料公司 用于使用嵌入光纤光学器件及环氧树脂光学散射器的基板温度控制的装置、系统与方法
US10685861B2 (en) 2016-08-26 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Direct optical heating of substrates through optical guide
WO2019157023A1 (en) * 2018-02-09 2019-08-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus having improved temperature control
JP2021525454A (ja) * 2018-05-31 2021-09-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 極めて均一性が高い加熱基板支持アセンブリ
CN110211902B (zh) * 2019-06-19 2021-08-13 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及工艺腔室
JP7210492B2 (ja) * 2020-02-03 2023-01-23 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
WO2024055100A1 (en) * 2022-09-12 2024-03-21 Photon Control Inc. Temperature measurement system using fiber bragg grating

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4662368A (en) 1983-06-13 1987-05-05 Trimedyne Laser Systems, Inc. Localized heat applying medical device
US4994060A (en) 1984-09-17 1991-02-19 Xintec Corporation Laser heated cautery cap with transparent substrate
US5140220A (en) 1985-12-02 1992-08-18 Yumi Sakai Light diffusion type light emitting diode
US4702547A (en) 1986-07-28 1987-10-27 Tektronix, Inc. Method for attaching an optical fiber to a substrate to form an optical fiber package
NL9001200A (nl) 1990-05-23 1991-12-16 Imec Inter Uni Micro Electr Werkwijze en inrichting voor het met behulp van een pyrometer meten van temperatuurstraling waarbij compensatielampen worden toegepast.
JPH069187U (ja) 1991-11-14 1994-02-04 ホーチキ株式会社 電子機器の電子操作部品取り付け構造
EP0634890B1 (en) 1993-07-12 1996-12-04 Nec Corporation Packaging structure for microwave circuit
US5363458A (en) 1994-02-28 1994-11-08 Fiber Guide Industries Fiber optic light diffuser
US5425831A (en) 1994-03-18 1995-06-20 At&T Corp. Optical fiber connecting method
JP3258520B2 (ja) 1994-12-12 2002-02-18 松下電器産業株式会社 光ファイバセンサ及びその製造方法
US5616261A (en) 1995-06-07 1997-04-01 Chrysler Corporation Laser welding system
JPH09186095A (ja) 1995-11-01 1997-07-15 Hitachi Ltd 成膜方法ならびにその装置及び半導体装置の製造方法
JPH09148258A (ja) 1995-11-27 1997-06-06 Ricoh Co Ltd 気相成長装置
JP3162313B2 (ja) 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
US6080965A (en) 1997-09-18 2000-06-27 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-treatment apparatus in semiconductor processing system
US6183130B1 (en) 1998-02-20 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for substrate temperature measurement using a reflecting cavity and detector
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6423949B1 (en) 1999-05-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6617553B2 (en) 1999-05-19 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US6740853B1 (en) 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
US7255637B2 (en) 2000-09-08 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Carrier head vibration damping
DE10125675C1 (de) 2001-05-25 2002-10-02 Schott Glas Verfahren zur Aufheizung von Substraten
US6495802B1 (en) 2001-05-31 2002-12-17 Motorola, Inc. Temperature-controlled chuck and method for controlling the temperature of a substantially flat object
US6535685B1 (en) 2001-07-19 2003-03-18 Barclay J. Tullis Arcuate fiber routing using stepped grooves
US6538872B1 (en) 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
JP3732777B2 (ja) 2001-11-28 2006-01-11 三菱電線工業株式会社 光ファイバシート及びその製造方法
JP4009896B2 (ja) 2001-12-07 2007-11-21 富士ゼロックス株式会社 光伝送装置及び光伝送システム
US6818864B2 (en) 2002-08-09 2004-11-16 Asm America, Inc. LED heat lamp arrays for CVD heating
US20060105182A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
JP2006093218A (ja) 2004-09-21 2006-04-06 Sharp Corp ランプ加熱装置および半導体装置の製造方法
JP2006135032A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物単結晶ウエハ、それを用いたｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造方法およびそれにより得られた半導体デバイス
JP2008547057A (ja) * 2005-06-24 2008-12-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 片持ちファイバアレイを有する光学デバイスおよび方法
US7386203B2 (en) 2005-06-30 2008-06-10 Lawrence Livermore National Security, Llc System for diffusing light from an optical fiber or light guide
US20070000441A1 (en) 2005-07-01 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Scalable uniform thermal plate
US7190862B1 (en) 2005-08-03 2007-03-13 Sandia Corporation Methods and apparatus for optical switching using electrically movable optical fibers
JP4698460B2 (ja) 2006-03-27 2011-06-08 オムロンレーザーフロント株式会社 レーザアニーリング装置
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
CN101112939A (zh) 2006-07-26 2008-01-30 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 基板承载装置
US7560007B2 (en) * 2006-09-11 2009-07-14 Lam Research Corporation In-situ wafer temperature measurement and control
KR200448307Y1 (ko) 2007-04-12 2010-03-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 복수의 기판을 수용하는 체적이 감소된 챔버의 내외로기판을 이송하는 시스템 및 방법
US20080251019A1 (en) 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
CN101118795B (zh) 2007-06-29 2010-05-19 天津三星电机有限公司 用于基板分解设备的最后一枚基板感知装置及其调整方法
KR101508026B1 (ko) 2007-10-31 2015-04-08 램 리써치 코포레이션 컴포넌트 바디와 액체 냉각제 사이의 열 전도도를 제어하기 위해 가스 압력을 이용하는 온도 제어 모듈
JP4450106B1 (ja) 2008-03-11 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
US8372667B2 (en) 2009-04-20 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Fiber laser substrate processing
US8637794B2 (en) 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
JP2011165891A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JPWO2011111716A1 (ja) 2010-03-10 2013-06-27 日東電工株式会社 断熱放熱シート及び装置内構造
KR101357928B1 (ko) * 2010-09-24 2014-02-03 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체 제조 장치 부재
US8546732B2 (en) 2010-11-10 2013-10-01 Lam Research Corporation Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing
US9307578B2 (en) 2011-08-17 2016-04-05 Lam Research Corporation System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
US9123755B2 (en) 2011-08-30 2015-09-01 Watlow Electric Manufacturing Company System and method for controlling a thermal array
US8624168B2 (en) 2011-09-20 2014-01-07 Lam Research Corporation Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing
US8461674B2 (en) 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
US10408725B2 (en) 2011-10-01 2019-09-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Substrate-integrated hollow waveguide sensors
CN103123906A (zh) 2011-11-18 2013-05-29 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法
US9324589B2 (en) 2012-02-28 2016-04-26 Lam Research Corporation Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing
US8937800B2 (en) 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
WO2013162000A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 日本発條株式会社 基板支持装置及び基板支持装置に熱電対を配設する方法
JP5929716B2 (ja) 2012-11-09 2016-06-08 日立金属株式会社 光基板、光基板の製造方法、及び光モジュール
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
US9681497B2 (en) 2013-03-12 2017-06-13 Applied Materials, Inc. Multi zone heating and cooling ESC for plasma process chamber
WO2014164449A1 (en) 2013-03-13 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone heated esc with independent edge zones
US9224583B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-29 Lam Research Corporation System and method for heating plasma exposed surfaces
US9196514B2 (en) * 2013-09-06 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixilated heating
TW201518538A (zh) 2013-11-11 2015-05-16 Applied Materials Inc 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
US10460968B2 (en) 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
US9520315B2 (en) 2013-12-31 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with internal flow adjustments for improved temperature distribution
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US11158526B2 (en) 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
US9698041B2 (en) 2014-06-09 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Substrate temperature control apparatus including optical fiber heating, substrate temperature control systems, electronic device processing systems, and methods
WO2016003630A1 (en) 2014-07-02 2016-01-07 Applied Materials, Inc Temperature control apparatus including groove-routed optical fiber heating, substrate temperature control systems, electronic device processing systems, and processing methods
CN106471609B (zh) * 2014-07-02 2019-10-15 应用材料公司 用于使用嵌入光纤光学器件及环氧树脂光学散射器的基板温度控制的装置、系统与方法
WO2016014138A1 (en) 2014-07-23 2016-01-28 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774482B (zh) * 2020-10-16 2022-08-11 日商日本碍子股份有限公司 晶圓載置台

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