TW201801839A - 靜電工作夾台、雷射加工裝置及被加工物的加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種靜電工作夾台，其可在使形成有金屬層及元件的被加工物之正面側露出而將背面側以保持面保持的狀態下，從保持面側進行雷射加工。 [解決手段]靜電工作夾台包含板狀的基台部、靜電吸附用的電極部及PET薄膜，該板狀的基台部對於對被加工物具有穿透性之預定波長的雷射光線具有穿透性，且具有第1面、及與該第1面相反側的第2面，該靜電吸附用的電極部對預定波長的雷射光線具有穿透性，且積層於基台部的第1面，該PET薄膜對預定波長的雷射光線具有穿透性，並構成用以覆蓋電極部且保持被加工物之保持面。靜電工作夾台可在從基台部的第2面側照射雷射光線，而在以該保持面所保持的被加工物的内部形成改質層之時使用。

Description

靜電工作夾台、雷射加工裝置及被加工物的加工方法
發明領域 本發明是有關於一種靜電工作夾台、雷射加工裝置及被加工物的加工方法。
發明背景 將雷射加工裝置使用於形成半導體或LED(發光二極體(Light Emitting Diode))等的光元件的晶圓之分割，並以形成於晶圓内部的改質層為破斷基點來進行分割之加工方法是已知的(專利文獻1)。
於專利文獻1等中所示之加工方法，由於相較於以往進行之一邊供給切削水一邊以切削刀破碎晶圓之切割，能夠使切口(kerf)寬度變得非常窄，所以對於已進行挾切割道化之晶圓而言是非常的有用。又，於專利文獻1等中所示之加工方法，由於對被加工物的機械性衝撃非常地少，所以在例如形成有被稱為MEMS(微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems))之細微的構造體之晶圓的分割中，能夠在不破壞MEMS的情形下進行分割，因而非常有效。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特許第3408805號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，即便雷射光線可以穿透晶圓，但是其波長不能穿透構成元件的電路等的金屬層，因此為了能夠從晶圓之無金屬層的背面照射雷射光線，必須進行像是將元件面側以工作夾台的保持面來保持、或採用於分割預定線上不形成TEG圖案(測試元件圖案)的特殊設計、或設定事先將TEG圖案去除之步驟。
本發明是有鑒於所述問題點而作成的發明，其目的在於提供一種靜電工作夾台、雷射加工裝置及被加工物的加工方法，其可在使形成有金屬層或元件的被加工物之正面側露出而將背面側以工作夾台的保持面保持的狀態下，從保持面側進行雷射加工。 用以解決課題之手段
根據本發明的第1方面，可提供一種保持被加工物之靜電工作夾台，其具備： 板狀的基台部，具有第1面、及與該第1面相反側之第2面，且對於對被加工物具有穿透性之預定波長的雷射光線具有穿透性； 靜電吸附用的電極部，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且積層於該基台部的該第1面；及 樹脂層，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且構成用以覆蓋該電極部並且保持被加工物之保持面， 該靜電工作夾台適合於從該基台部的該第2面側照射雷射光線，而在以該保持面所保持之該被加工物的内部形成改質層之時使用。
較理想的是，前述預定波長是在500nm~1400nm的範圍內。
較理想的是，被加工物是於正面形成有複數個MEMS元件之晶圓所構成，且將該晶圓的背面側以該靜電工作夾台的該保持面保持。
根據本發明的第2方面，可提供一種雷射加工裝置，其具備保持被加工物之靜電工作夾台、及以對保持於該靜電工作夾台上的被加工物具有穿透性之波長的雷射光線在被加工物的内部形成改質層之雷射光線照射單元，該靜電工作夾台包含： 板狀的基台部，具有第1面、及與該第1面相反側之第2面，且對於對被加工物具有穿透性之波長的預定波長的雷射光線具有穿透性； 靜電吸附用的電極部，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且積層於該基台部的該第1面；及 樹脂層，對該預定波長的雷射光線有穿透性，且構成用以覆蓋該電極部並且保持被加工物之保持面， 其為以該工作夾台的該保持面保持被加工物的背面側，並從該基台部的該第2面側照射雷射光線，以在該被加工物的内部形成改質層。
根據本發明的第3方面，可提供一種將背面側保持於靜電工作夾台上之被加工物的加工方法，靜電工作夾台具備： 板狀的基台部，具有第1面、及與該第1面相反側的第2面，且對於對被加工物具有穿透性之預定波長的雷射光線具有穿透性； 靜電吸附用的電極部，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且積層於該基台部的該第1面；及 樹脂層，對該預定波長的雷射光線有穿透性，且構成用以覆蓋該電極部並且保持被加工物之保持面， 該被加工物的加工方法包含： 保持步驟，以該靜電工作夾台的該保持面保持被加工物的背面側；及 改質層形成步驟，從該基台部的該第2面側照射雷射光線，以藉由穿透該靜電工作夾台之雷射光線，於以該保持面所保持之該被加工物的内部形成改質層。 發明效果
本發明的靜電工作夾台可達到下述之效果：可在使形成有金屬層或元件的被加工物的正面側露出而將背面側以保持面保持的狀態下，從保持面側進行雷射加工。
用以實施發明之形態 針對用於實施本發明之形態(實施形態)，參照著圖式詳細地說明。本發明並不因以下實施形態所記載之內容而受到限定。又，在以下所記載之構成要素中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可輕易設想得到的或實質上是相同的。此外，以下所記載之構成是可以適當組合的。又，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行各種構成之省略、置換或變更。
[第1實施形態] 本發明的第1實施形態之靜電工作夾台1是根據圖式來對雷射加工裝置10及被加工物W的加工方法作説明。圖1是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法之加工對象的被加工物的立體圖。圖2是顯示將圖1所示之被加工物以環狀框架支撐之狀態的立體圖。
第1實施形態之被加工物的加工方法是對圖1所示的被加工物W進行加工的方法。圖1所示之被加工物W在本實施形態中，是以矽、藍寶石、鎵等作為母材之圓板狀的半導體晶圓或光元件晶圓。如圖1所示，被加工物W是於正面WS之藉由交差的複數條分割預定線S而區劃出的各區域中形成有元件D的板狀物。作為元件D，可於各區域中形成IC(積體電路(Integrated Circuit))、LSI(大型積體電路(Large Scale Integration))、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)元件。
如圖2所示，被加工物W是藉由在形成有複數個元件D之正面WS的背側之背面WR貼附黏著膠帶T，並將黏著膠帶T的外緣貼附到環狀框架F上，而被黏著膠帶T支撐於環狀框架F的開口。在第1實施形態中，被加工物W是在被黏著膠帶T支撐於環狀框架F的開口的狀態下，實行被加工物的加工方法，並藉此分割成一個個的元件D。在第1實施形態中，雖然被加工物W於正面形成有作為元件D之MEMS元件，但元件D並不限定為MEMS元件。又，在第1實施形態中，被加工物W是IC或是LSI的情況下，宜為在正面搭載有凸塊或晶片者，並且以正面為凹凸的元件D為較理想。
根據圖式來說明第1實施形態之雷射加工裝置10的構成。圖3是顯示第1實施形態的雷射加工裝置之構成例的立體圖。圖4是沿圖3的IV-IV線之截面圖。圖5是顯示第1實施形態之靜電工作夾台之構成例的平面圖。圖6是沿圖5中的VI-VI線之截面圖。圖7是沿圖5中的VII-VII線之截面圖。
雷射加工裝置10是將對被加工物W具有穿透性之波長的雷射光線L(圖9所示)，從被加工物W的背面WR側沿著分割預定線S照射，而在被加工物W的内部以雷射光線L形成作為破斷起點的改質層K(圖9所示)之裝置。再者，所謂的改質層K是指密度、折射率、機械強度或其他的物理特性變得與周圍之該特性不同之狀態的區域，且可以例示的有熔融處理區域，裂隙(crack)區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域、及混合了這些區域的區域等。
如圖3所示，雷射加工裝置10具備有：將被加工物W以保持面1a(圖4所示)來保持之作為工作夾台的圓盤狀的靜電工作夾台1、作為加工機構的雷射光線照射單元20、使靜電工作夾台1與雷射光線照射單元20於X軸方向上相對移動之X軸移動機構30、使靜電工作夾台1與雷射光線照射單元20於Y軸方向上相對移動之Y軸移動機構40、攝像機構50與控制裝置100。
雷射光線照射單元20是對已保持於靜電工作夾台1的保持面1a的被加工物W從背面WR側照射對被加工物W具有穿透性之預定波長的雷射光線L之單元。雷射光線照射單元20是以雷射光線L於被加工物W的内部形成改質層K之單元。雷射光線照射單元20所照射的雷射光線L的預定波長是在500nm以上且1400nm以下。雷射光線照射單元20是安裝於連接到從雷射加工裝置10的裝置本體11豎立設置之壁部12的支撐柱13的前端。雷射光線照射單元20具備有振盪產生雷射光線L之圖未示的振盪器、及將藉由此振盪器所振盪產生之雷射光線L聚光的聚光器22。振盪器是因應於被加工物W的種類、加工形態等而將振盪產生之雷射光線L的頻率適當調整。聚光器22是包含全反射鏡及聚光透鏡等而構成，該全反射鏡會將藉由振盪器所振盪產生之雷射光線L的行進方向改變，該聚光透鏡會將雷射光線L聚光。
X軸移動機構30是藉由使靜電工作夾台1於X軸方向上移動，而將靜電工作夾台1朝與裝置本體11的寬度方向與水平方向的雙方都平行的X軸方向加工進給之加工進給機構。Y軸移動機構40是藉由使靜電工作夾台1於與水平方向平行且與X軸方向正交的Y軸方向上移動，來將靜電工作夾台1分度進給之分度進給機構。X軸移動機構30及Y軸移動機構40具備：以繞著軸心的方式旋轉自如地設置之習知的滾珠螺桿31、41、使滾珠螺桿31、41繞著軸心地旋轉的習知的脈衝馬達32、42、以及於X軸方向或Y軸方向上旋轉自如地支撐靜電工作夾台1的習知的導引軌道33、43。又，雷射加工裝置10具備使靜電工作夾台1以繞著與Z軸方向平行的中心軸線的方式旋轉的旋轉驅動源60，其中該Z軸方向與X軸方向及Y軸方向之雙方均正交。旋轉驅動源60是配置於可藉由X軸移動機構30而於X軸方向上移動的移動台14上。
攝像機構50是拍攝保持於靜電工作夾台1的被加工物W之機構，並配設在與雷射光線照射單元20於X軸方向上並排的位置上。在第1實施形態中，是將攝像機構50安裝於支撐柱13的前端。攝像機構50是由可拍攝保持於靜電工作夾台1的被加工物W的CCD相機所構成。
又，雷射加工裝置10具備：供收容加工前後的被加工物W之片匣70載置的片匣升降機70A、從片匣升降機70A將被加工物W搬進搬出之搬送單元80、以及用於顯示資訊並且輸入各種的加工内容資訊的觸控面板90。
片匣70是收容複數個透過黏著膠帶T而被貼附於環狀框架F的被加工物W之片匣。片匣升降機70A是可在Z軸方向上升降自如地設置。
搬送單元80是將加工前的被加工物W從片匣70取出並使其保持於靜電工作夾台1，並且將加工後的被加工物W從靜電工作夾台1搬送到片匣70内的單元。搬送單元80具備：具有複數個關節之可動支臂81、及保持設置於可動支臂81的前端之被加工物W的保持部82。
保持部82具備：形成為C字形平板狀的保持部本體83、於保持部本體83上配設複數個且用以吸附圍繞被加工物W的環狀框架F的吸附墊84。吸附墊84是設置於保持部本體83的上表面，並且透過切換閥85而連接有真空吸引源86。搬送單元80是以已定位於下側的吸附墊84吸附環狀框架F，而將被加工物W保持於保持部82的下表面。在片匣70内之形成改質層K之前的被加工物W，會穿過形成於保持部82的開口而露出，而在不與保持部82接觸的情形下被保持。將被加工物W搬入靜電工作夾台之時，是使保持部82上下翻轉，將貼附於被加工物W的黏著膠帶T設為上側，而將黏著膠帶T側按壓於靜電工作夾台1的保持面1a上，並以靜電工作夾台1的保持面1a來使其保持。將形成有改質層K之後的被加工物W從靜電工作夾台搬出之時，搬送單元80是在已將被加工物W保持至保持部82上之後，使保持部82上下翻轉，而搬送到片匣70内。
觸控面板90具備顯示加工動作的狀態或圖像等的液晶顯示裝置、及重疊於液晶顯示裝置上的觸控螢幕。觸控螢幕會檢測手指、筆或觸控筆的接觸或靠近。觸控螢幕會檢測手指、筆或觸控筆接觸或靠近時的液晶顯示裝置上的位置。觸控螢幕是採用：靜電容量方式、電阻膜方式、表面彈性波方式、超音波方式、紅外線方式、電磁感應方式、或載重檢測方式作為檢測方式的觸控螢幕。
控制裝置100是分別控制雷射加工裝置10的構成要素，以使雷射加工裝置10實施在被加工物W上形成改質層K的動作。
再者，控制裝置100包含電腦系統。控制裝置100具有：如CPU(中央處理單元(Central Processing Unit))的微處理器的運算處理裝置、如ROM(唯讀記憶體(Read Only Memory))或RAM(隨機存取記憶體(Random Access　Memory))之記憶體的儲存裝置、以及輸入輸出介面裝置。
控制裝置100的運算處理裝置是依照儲存裝置所儲存的電腦程式實施運算處理，並透過輸入輸出介面裝置將用於控制雷射加工裝置10的控制訊號，輸出至雷射加工裝置10的上述之構成要素。又，控制裝置100是與顯示加工動作的狀態或圖像等之觸控面板90、及切換閥85相連接。
靜電工作夾台1是如圖4所示，透過被加工物收容盒110而被支撐於旋轉驅動源60上。被加工物收容盒110是形成為扁平箱狀，而安裝於旋轉驅動源60。被加工物收容盒110具備：安裝於旋轉驅動源60的底壁構件111、安裝於底壁構件111的外緣的筒狀構件112、及安裝於筒狀構件112的上端的頂部構件113。筒狀構件112具有如圖3所示，可讓保持於搬送單元80之被加工物W出入自如之出入口114。於頂部構件113上，於中央安裝有靜電工作夾台1。在第1實施形態中，頂部構件113是在設置於中央的孔115的内周面安裝靜電工作夾台1的外緣。又，在被加工物收容盒110内設置有夾持環狀框架F之框架夾具116。
如圖5、圖6及圖7所示，靜電工作夾台1具備：對雷射光線L具有穿透性的板狀的基台部2、對雷射光線L具有穿透性的靜電吸附用的電極部3、及對雷射光線L具有穿透性的為樹脂層之PET(聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate))薄膜4。基台部2是以玻璃構成，並且形成為具有面向被加工物收容盒110的内側之第1面2a、及與第1面2a相反側的第2面2b之圓盤狀。在第1實施形態中，雖然基台部2的厚度是1mm，但並不限定為1mm。
電極部3是如圖4、圖6及圖7所示，藉由對雷射光線L具有穿透性之UV接著劑5而積層於基台部2的第1面2a。UV接著劑5是經紫外線照射會硬化之接著劑，且為具有絶緣性之接著劑。在第1實施形態中。雖然UV接著劑5是美國Norland Products公司製造的NORLAND光學接著劑，但並不受限於此。
電極部3是藉由氧化銦錫(Indium Tin Oxide：ITO)而構成。構成電極部3的氧化銦錫的折射率是與UV接著劑5的折射率大致相等。所謂折射率為大致相等是指，使折射率差異的程度在能夠做到藉由雷射光線L於所期望位置形成改質層K之程度。
電極部3具備正極電極6與負極電極7。正極電極6與負極電極7會互相形成電氣絕緣。正極電極6具備正極吸附部61、及正極供電端子部62，負極電極7具備負極吸附部71、及負極供電端子部72。正極吸附部61與負極吸附部71是形成為相同形狀且相同大小的半圓形。正極吸附部61及負極吸附部71的直線狀的直線部分61a、71a是如圖5所示地互相平行且隔著間隔而配置。正極吸附部61及負極吸附部71的直線狀的直線部分61a、71a之間是電極間部3a。正極吸附部61及負極吸附部71的圓弧狀的圓弧部分61b、71b是在基台部2的外緣的附近沿著外緣而配置。電極部3的正極電極6的正極吸附部61與負極電極7的負極吸附部71之雙方是使圓弧部分61b、71b在基台部2的外緣的附近沿著外緣而配置，電極部3是積層於基台部2的第1面2a的大致整個面。於電極間部3a、以及正極吸附部61及負極吸附部71的圓弧部分61b、71b與基台部2的外緣之間填充有UV接著劑5。
正極供電端子部62是從正極吸附部61的外緣由保持面1a的中心向外側延伸，而比基台部2的外緣更朝外側突出。負極供電端子部72是從負極吸附部71的外緣朝外側延伸，而比基台部2的外緣更朝外側突出。正極供電端子部62是對被加工物W於保持中從常備電源8施加正電壓，負極供電端子部72是對被加工物W於保持中從常備電源8施加負電壓。
PET薄膜4構成覆蓋電極部3並且保持被加工物W之保持面1a。
靜電工作夾台1是藉由於PET薄膜4之正面的保持面1a隔著切割膠帶T重疊被加工物W，並且從正極供電端子部62對正極吸附部61施加正電壓，從負極供電端子部72對負極吸附部71施加負電壓，以藉由於吸附部61、71間產生的力將被加工物W吸附保持於保持面1a。
接著，根據圖式來說明使用了雷射加工裝置10之第1實施形態的被加工物W的加工方法。圖8是顯示第1實施形態的被加工物的加工方法之保持步驟的截面圖。圖9是顯示第1實施形態的被加工物的加工方法之改質層形成步驟的截面圖。
被加工物的加工方法是在作業員將加工内容資訊登錄到雷射加工裝置10的控制裝置100，並且已由作業員給出加工動作的開始指示的情況下，藉由雷射加工裝置10的控制裝置100開始進行。
被加工物的加工方法具備保持步驟，改質層形成步驟與收容步驟。在保持步驟中，控制裝置100會透過切換閥85使真空吸引源86的吸引力作用到搬送單元80的吸附墊84，並且將片匣70内之保持有形成改質層K之前的被加工物W的環狀框架F吸附保持於保持部82。控制裝置100會將吸附於搬送單元80的保持部82之被加工物W從片匣70内取出，並且插入被加工物收容盒110内。控制裝置100是如圖8所示，將被加工物W隔著切割膠帶T重疊於保持面1a，並對正極供電端子部62施加正電壓，對負極供電端子部72施加負電壓，而使被加工物W吸附保持於保持面1a，且使環狀框架F夾持於框架夾具116，之後，控制切換閥85來停止真空吸引源86的吸引力作用於吸附墊84之情形。進入到改質層形成步驟。
在改質層形成步驟中，控制裝置100是根據攝像機構50所拍攝到的被加工物W的圖像來執行校準，並如圖9所示，從雷射光線照射單元20的聚光器22將雷射光線L朝向被加工物W的分割預定線S照射並且控制X軸移動機構30、Y軸移動機構40及旋轉驅動源60，來對全部的分割預定線S照射雷射光線L。控制裝置100是藉由從基台部2的第2面2b進行照射並穿透靜電工作夾台1的雷射光線L，而在以保持面1a所保持的被加工物W的全部的分割預定線S的内部形成改質層K。如此，靜電工作夾台1是在以保持面1a所保持的被加工物W的内部形成改質層K之時使用。然後進入收容步驟。
在收容步驟中，控制裝置100是將保持已於全部的分割預定線S的内部形成有改質層K的被加工物W之環狀框架F吸附保持於吸附墊84，並解除框架夾具116的夾持，以將被加工物W從被加工物收容盒110内取出，且於插入片匣70内之後，解除吸附墊84的吸附保持。於全部的分割預定線S的内部都形成有改質層K的被加工物W是在下一步驟中被分割成一個個的元件D。
第1實施形態的靜電工作夾台1是使基台部2、電極部3、作為樹脂層的PET薄膜4、及UV接著劑5全部均對加工被加工物W之雷射光線L具有穿透性。藉此，靜電工作夾台1可藉保持面1a保持沒有金屬層及元件D的被加工物W的背面WR側，並且能夠以穿過靜電工作夾台1的方式照射雷射光線L。其結果，由於靜電工作夾台1不需要保持被加工物W的正面WS，所以能夠在不使正面為凹凸的元件D損壞的情形下進行保持，且可以在毋需事前對被加工物W施行特殊的設計來將TEG圖案去除的情形下，加工被加工物W。因此，靜電工作夾台1可以在不損壞元件D、且毋需將被加工物W的金屬層去除的情形下，使形成有金屬層及元件D的被加工物W的正面WS側露出，而可在已將背面WR側以保持面1a保持的狀態下從保持面1a側進行雷射加工。
又，根據第1實施形態的靜電工作夾台1、雷射加工裝置10及被加工物的加工方法，電極部3的正極電極6的正極吸附部61與負極電極7的負極吸附部71之雙方均是形成為半圓形，且積層於基台部2的第1面2a之大致整個面。因此，根據第1實施形態的靜電工作夾台1、雷射加工裝置10及被加工物的加工方法，可藉由積層於基台部2的第1面2a之大致整個面的正極電極6的正極吸附部61與負極電極7的負極吸附部71之間產生的力來吸附被加工物W。其結果，由於靜電工作夾台1是藉由在吸附部61，71之間產生的力來使其以保持面1a的大致整個面對被加工物W產生吸附力，所以相較於藉由負壓吸引被加工物W的外緣部的情況，可以利用基台部2的第1面2a之大致整個面來吸附保持被加工物W。
又，靜電工作夾台1由於使構成電極部3的氧化銦錫、與充填於電極間部3a的UV接著劑5的折射率為大致相等，所以可以在被加工物W的所期望的位置上形成改質層K。
[第2實施形態] 根據圖式來說明本發明的第2實施形態之靜電工作夾台。圖10是顯示第2實施形態之靜電工作夾台之主要部分的截面圖。在圖10中，對與第1實施形態相同的部分，會附加相同的符號而省略說明。
如圖10所示，第2實施形態之靜電工作夾台1-2是藉由UV接著劑5使作為樹脂層的PET薄膜4積層於基台部2的第1面2a上，並且在PET薄膜4上形成有電極部3。又，電極部3的電極間部3a、及吸附部61、71的圓弧部分61b、71b與PET薄膜4的外緣之間填充有UV接著劑5。
第2實施形態之靜電工作夾台1-2，與第1實施形態同樣地，是使基台部2、電極部3、作為樹脂層之PET薄膜4、及UV接著劑5全部均對加工被加工物W之雷射光線L具有穿透性。藉此，靜電工作夾台1-2可藉保持面1a保持沒有金屬層及元件D的被加工物W的背面WR側，並且能夠以穿過靜電工作夾台1-2的方式照射雷射光線L。其結果，靜電工作夾台1-2可以做到：可在不損壞元件D、且毋需將被加工物W的金屬層去除的情形下進行雷射加工。
再者，本發明並不受限於上述實施形態。亦即，在不脫離本發明的要點之範圍內，可進行各種變形而實施。
1、1-2‧‧‧靜電工作夾台
1a‧‧‧保持面
2‧‧‧基台部
2a‧‧‧第1面
2b‧‧‧第2面
3‧‧‧電極部
3a‧‧‧電極間部
4‧‧‧PET薄膜(樹脂層)
5‧‧‧UV接著劑
6‧‧‧正極電極
7‧‧‧負極電極
61、71‧‧‧吸附部
61a、71a‧‧‧直線部分
61b、71b‧‧‧圓弧部分
62‧‧‧正極供電端子部
72‧‧‧負極供電端子部
8‧‧‧常備電源
10‧‧‧雷射加工裝置
11‧‧‧裝置本體
12‧‧‧壁部
13‧‧‧支撐柱
14‧‧‧移動台
20‧‧‧雷射光線照射單元
22‧‧‧聚光器
30‧‧‧X軸移動機構
31、41‧‧‧滾珠螺桿
32、42‧‧‧脈衝馬達
40‧‧‧Y軸移動機構
33、43‧‧‧導引軌道
50‧‧‧攝像機構
60‧‧‧旋轉驅動源
70‧‧‧片匣
70A‧‧‧片匣升降機
80‧‧‧搬送單元
81‧‧‧可動支臂
82‧‧‧保持部
83‧‧‧保持部本體
84‧‧‧吸附墊
85‧‧‧切換閥
86‧‧‧真空吸引源
90‧‧‧觸控面板
100‧‧‧控制裝置
110‧‧‧被加工物收容盒
111‧‧‧底壁構件
112‧‧‧筒狀構件
113‧‧‧頂部構件
115‧‧‧孔
116‧‧‧框架夾具
D‧‧‧元件(MEMS元件)
F‧‧‧環狀框架
K‧‧‧改質層
L‧‧‧雷射光線
S‧‧‧分割預定線
T‧‧‧黏著膠帶
W‧‧‧被加工物
WR‧‧‧背面
WS‧‧‧正面
圖1是顯示第1實施形態之被加工物的加工方法之加工對象的被加工物的立體圖。 圖2是顯示將圖1所示之被加工物以環狀框架支撐之狀態的立體圖。 圖3是顯示第1實施形態的雷射加工裝置之構成例的立體圖。 圖4是沿圖3的IV-IV線之截面圖。 圖5是顯示第1實施形態之靜電工作夾台之構成例的平面圖。 圖6是沿圖5的VI-VI線之截面圖。 圖7是沿圖5的VII-VII線之截面圖。 圖8是顯示第1實施形態的被加工物的加工方法之保持步驟的截面圖。 圖9是顯示第1實施形態的被加工物的加工方法之改質層形成步驟的截面圖。 圖10是顯示第2實施形態之靜電工作夾台之主要部分的截面圖。
1‧‧‧靜電工作夾台
1a‧‧‧保持面
2‧‧‧基台部
2a‧‧‧第1面
2b‧‧‧第2面
3‧‧‧電極部
3a‧‧‧電極間部
4‧‧‧PET薄膜(樹脂層)
5‧‧‧UV接著劑
6‧‧‧正極電極
7‧‧‧負極電極
8‧‧‧常備電源
22‧‧‧聚光器
61、71‧‧‧吸附部
61a、71a‧‧‧直線部分
61b、71b‧‧‧圓弧部分
110‧‧‧被加工物收容盒
111‧‧‧底壁構件
112‧‧‧筒狀構件
113‧‧‧頂部構件
115‧‧‧孔
116‧‧‧框架夾具
F‧‧‧環狀框架
K‧‧‧改質層
L‧‧‧雷射光線
T‧‧‧黏著膠帶
W‧‧‧被加工物
WR‧‧‧背面
WS‧‧‧正面

Claims (5)

  1. 一種靜電工作夾台，可保持被加工物，該靜電工作夾台具備： 板狀的基台部，具有第1面、及與該第1面相反側的第2面，且對於對被加工物具有穿透性之預定波長的雷射光線具有穿透性； 靜電吸附用的電極部，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且積層於該基台部的該第1面；及 樹脂層，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且構成用以覆蓋該電極部並且保持被加工物之保持面， 該靜電工作夾台適合於從該基台部的該第2面側照射雷射光線，而在以該保持面所保持之該被加工物的内部形成改質層之時使用。
  2. 如請求項1之靜電工作夾台，其中前述預定波長是在500nm~1400nm的範圍内。
  3. 如請求項1之靜電工作夾台，其中前述被加工物是由正面形成有複數個MEMS元件之晶圓所構成，並且將該晶圓的背面側以該保持面保持。
  4. 一種雷射加工裝置，具備： 靜電工作夾台，保持被加工物；及 雷射光線照射單元，以對被保持於該靜電工作夾台上的被加工物具有穿透性之波長的雷射光線在被加工物的內部形成改質層， 該靜電工作夾台包含： 板狀的基台部，具有第1面、及與該第1面相反側之第2面，且對於對被加工物具有穿透性之波長的預定波長的雷射光線具有穿透性； 靜電吸附用的電極部，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且積層於該基台部的該第1面；及 樹脂層，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且構成用以覆蓋該電極部並且保持被加工物之保持面， 其為以該工作夾台的該保持面保持被加工物的背面側，並從該基台部的該第2面側照射雷射光線，以在該被加工物的内部形成改質層。
  5. 一種被加工物的加工方法，該被加工物是將背面側保持於靜電工作夾台，靜電工作夾台具備： 板狀的基台部，具有第1面、及與該第1面相反側的第2面，且對於對被加工物具有穿透性之預定波長的雷射光線具有穿透性； 靜電吸附用的電極部，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且積層於該基台部的該第1面；及 樹脂層，對該預定波長的雷射光線具有穿透性，且構成用以覆蓋該電極部並且保持被加工物之保持面， 該被加工物的加工方法包含： 保持步驟，以該靜電工作夾台的該保持面保持被加工物的背面側；及 改質層形成步驟，從該基台部的該第2面側照射雷射光線，以藉由穿透該靜電工作夾台之雷射光線，於以該保持面所保持之該被加工物的内部形成改質層。
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