TW202344335A - 雷射加工裝置 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種可抑制異物對光學零件的附著之雷射加工裝置。 [解決手段]一種對被加工物進行加工之雷射加工裝置，具備：保持工作台，保持被加工物；及雷射光束照射單元，對已被保持工作台所保持之被加工物照射雷射光束，雷射光束照射單元具有：雷射振盪器；聚光器，將從雷射振盪器所射出之雷射光束聚光；光學零件，將雷射光束從雷射振盪器導向聚光器；容置部，容置光學零件；及離子發生器，設置於容置部的內部，且捕獲存在於容置部的內部之異物。

Description

雷射加工裝置

本發明是有關於一種藉由雷射光束的照射來加工被加工物之雷射加工裝置。

在器件晶片的製造程序中，會使用在藉由配置排列成格子狀之複數條切割道(分割預定線)所區劃出的複數個區域中各自形成有器件之晶圓。可藉由沿著切割道將此晶圓分割並個片化，來獲得具備器件之器件晶片。器件晶片可組入到行動電話、個人電腦等的各種電子機器。

在晶圓的分割中，可使用以環狀的切削刀片來切削被加工物之切削裝置。又，近年來，在晶圓的分割上使用藉由雷射加工裝置所進行之雷射加工的程序的開發仍在進行中。雷射加工裝置具備保持被加工物之保持工作台、與照射雷射光束之雷射光束照射單元。可藉由以保持工作台保持晶圓，並從雷射光束照射單元對晶圓照射雷射光束，來對晶圓施行雷射加工。

在例如專利文獻1揭示有以下手法：在以切削刀片切削晶圓之前，藉由雷射光束的照射將已形成於晶圓之低介電常數絕緣膜沿著切割道來去除。當使用此手法時，可以在使切削刀片沿著切割道切入晶圓時，避免以高速旋轉之切削刀片接觸到低介電常數絕緣膜之情形，而可防止低介電常數絕緣膜的剝離。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-320466號公報

發明欲解決之課題

搭載於雷射加工裝置之雷射光束照射單元具備有將從雷射振盪器所射出之雷射光束導向被加工物之光學系統。光學系統是包含使雷射光束朝預定的方向反射之鏡子、使雷射光束聚光之聚光器等的各種光學零件而構成。

當如顆粒(塵埃、粉塵等)的異物附著到光學系統的光學零件時，會有產生以下之各種不良狀況之疑慮：雷射光束的形狀之變形、聚光位置的偏離、輸出的降低等。因此，在雷射光束照射單元設有容置光學系統之容置部，且將光學零件以和外部隔離的方式配置在容置部的內部。藉此，可以防止大氣中的顆粒等附著於光學零件之情形。

然而，在容置部的內部，也會配置構成光學系統之光學零件以外的零件。例如，可將保持光學零件之支持器、或控制光學零件的位置或角度之馬達等的致動器，和光學零件一起容置於容置部。因此，即使已將容置部的內部隔離、密閉，仍然會有從支持器或致動器放出之逸氣(outgas)附著到光學零件而污染光學零件之情形。又，因為在雷射加工裝置的維護時，會進行光學零件的調節、更換、洗淨等，所以構成容置部之容器會被打開。此時，會有顆粒侵入容置部內並滯留，且附著於維護後的光學零件之情形。從而，即使將雷射光束照射單元的光學系統容置於容置部，也難以完全地防止異物對光學零件之附著。

本發明是有鑒於所述之問題而作成的發明，目的在於提供一種可抑制異物對光學零件的附著之雷射加工裝置。 用以解決課題之手段

根據本發明的一個態樣，可提供一種對被加工物進行加工之雷射加工裝置，前述雷射加工裝置具備：保持工作台，保持該被加工物；及雷射光束照射單元，對已被該保持工作台所保持之該被加工物照射雷射光束， 該雷射光束照射單元具有：雷射振盪器；聚光器，將從該雷射振盪器所射出之該雷射光束聚光；光學零件，將該雷射光束從該雷射振盪器導向該聚光器；容置部，容置該光學零件；及離子發生器(ionizer)，設置於該容置部的內部，且捕獲存在於該容置部的內部之異物。

再者，較佳的是，該離子發生器為無風型。又，較佳的是，該雷射加工裝置更具有判定部，前述判定部依據藉由該離子發生器所生成之離子的量來判定該容置部的內部的清淨度。 發明效果

本發明的一個態樣之雷射加工裝置具備容置雷射光束照射單元的光學零件之容置部，且在容置部的內部設置捕獲異物之離子發生器。藉此，存在於容置部的內部之異物會變得難以附著於光學零件，而變得可將雷射光束在適當的條件下照射於被加工物。

用以實施發明之形態

以下，參照附加圖式來說明本發明的一個態樣的實施形態。首先，說明本實施形態之雷射加工裝置的構成例。圖1是顯示雷射加工裝置2的立體圖。再者，在圖1中，X軸方向(加工進給方向、第1水平方向、左右方向)與Y軸方向(分度進給方向、第2水平方向、前後方向)是相互垂直之方向。又，Z軸方向(鉛直方向、高度方向、上下方向)是和X軸方向以及Y軸方向垂直之方向。

雷射加工裝置2具備基台4，前述基台4支撐構成雷射加工裝置2之各構成要素。基台4的上表面是和水平面(XY平面)大致平行的平坦面，且在基台4的上表面設置有移動單元(移動機構)6。移動單元6具備Y軸移動單元(分度進給單元)8、X軸移動單元(加工進給單元)18與Z軸移動單元32。

Y軸移動單元8具備在基台4的上表面上沿著Y軸方向而配置之一對Y軸導軌10。在一對Y軸導軌10上，以可沿著Y軸導軌10滑動的方式裝設有平板狀的Y軸移動工作台12。

在Y軸移動工作台12的背面(下表面)側設有螺帽部(未圖示)。在此螺帽部螺合有在一對Y軸導軌10之間沿著Y軸方向配置之Y軸滾珠螺桿14。又，在Y軸滾珠螺桿14的端部連結有使Y軸滾珠螺桿14旋轉之Y軸脈衝馬達16。藉由以Y軸脈衝馬達16使Y軸滾珠螺桿14旋轉，Y軸移動工作台12即沿著Y軸導軌10在Y軸方向上移動。

X軸移動單元18具備在Y軸移動工作台12的正面(上表面)側沿著X軸方向而配置之一對X軸導軌20。在一對X軸導軌20上，以可沿著X軸導軌20滑動的方式裝設有平板狀的X軸移動工作台22。

在X軸移動工作台22的背面(下表面)側設有螺帽部(未圖示)。在此螺帽部螺合有在一對X軸導軌20之間沿著X軸方向配置之X軸滾珠螺桿24。又，在X軸滾珠螺桿24的端部連結有使X軸滾珠螺桿24旋轉之X軸脈衝馬達26。當以X軸脈衝馬達26使X軸滾珠螺桿24旋轉時，X軸移動工作台22即沿著X軸導軌20在X軸方向上移動。

在Y軸移動單元8以及X軸移動單元18連結有保持工作台(工作夾台)28。保持工作台28會保持由雷射加工裝置2所加工之雷射加工的對象物即被加工物11(參照圖2)。保持工作台28是設置在X軸移動工作台22的正面(上表面)上。又，在保持工作台28的周圍設置有對支撐被加工物11之環狀的框架17(參照圖2)進行把持並固定之複數個夾具30。

圖2是顯示被加工物11的立體圖。例如被加工物11可為以單晶矽等的半導體材料所構成之圓盤狀的晶圓，且具備相互大致平行的正面11a以及背面11b。被加工物11被以相互交叉的方式配置排列成格子狀之複數條切割道(分割預定線)13區劃成複數個矩形狀的區域。又，於被切割道13所區劃出之複數個區域的正面11a側各自形成有IC(積體電路，Integrated Circuit)、LSI(大型積體電路，Large Scale Integration)、LED(發光二極體，Light Emitting Diode)、MEMS(微機電系統，Micro Electro Mechanical Systems)器件等的器件15。

但是，對被加工物11的種類、材質、形狀、構造、大小等並無限制。例如被加工物11亦可為以矽以外的半導體(砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN))、碳化矽(SiC)等)、藍寶石、玻璃、陶瓷、樹脂、金屬等所構成之基板(晶圓)。又，對器件15的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等也無限制，在被加工物11亦可未形成有器件15。

在以雷射加工裝置2(參照圖1)加工被加工物11時，為了方便被加工物11的處理(搬送、保持等)，是藉由環狀的框架17來支撐被加工物11。框架17是以SUS(不鏽鋼)等金屬所構成，且在框架17的中央部設有在厚度方向上貫通框架17之圓形的開口17a。再者，開口17a的直徑比被加工物11的直徑更大。

可在被加工物11以及框架17固定圓形的片材19。例如作為片材19，可使用包含基材與黏著層(糊層)之膠帶，前述基材形成為圓形之薄膜狀，前述黏著層(糊層)設置在基材上。基材是以聚烯烴、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂所構成。又，黏著層是以環氧系、丙烯酸系或橡膠系的接著劑等構成。再者，黏著層亦可是紫外線硬化性樹脂。

在已將被加工物11配置於框架17的開口17a的內側的狀態下，將片材19的中央部貼附於被加工物11的背面11b側，並且將片材19的外周部貼附於框架17。藉此，被加工物11可透過片材19被框架17支撐。

如圖1所示，保持工作台28的上表面是和水平面(XY平面)大致平行的平坦面，且構成保持被加工物11之保持面28a。保持面28a透過形成於保持工作台28的內部之流路(未圖示)、閥(未圖示)等而連接到噴射器等之吸引源(未圖示)。

當使Y軸移動工作台12沿著Y軸方向移動時，保持工作台28即沿著Y軸方向移動。又，當使X軸移動工作台22沿著X軸方向移動時，保持工作台28即沿著X軸方向移動。此外，在保持工作台28連結有馬達等之旋轉驅動源(未圖示)，前述旋轉驅動源使保持工作台28以繞著大致和Z軸方向平行的旋轉軸的方式旋轉。

在基台4的後端部(Y軸移動單元8、X軸移動單元18、保持工作台28的後方)設置有Z軸移動單元32。Z軸移動單元32具備配置於基台4的上表面之支撐構造34。支撐構造34包含已固定於基台4之長方體狀的基部34a、與從基部34a的端部朝上方突出之柱狀的支撐部34b。支撐部34b的側面是沿著Z軸方向而形成為平面狀。

於支撐部34b的側面是沿著Z軸方向而設置有一對Z軸導軌36。在一對Z軸導軌36上，以可沿著Z軸導軌36滑動的方式裝設有平板狀的Z軸移動板38。

在Z軸移動板38的背面側設置有螺帽部(未圖示)。在此螺帽部螺合有在一對Z軸導軌36之間沿著Z軸方向配置之Z軸滾珠螺桿(未圖示)。在Z軸滾珠螺桿的端部連結有使Z軸滾珠螺桿旋轉之Z軸脈衝馬達40。又，在Z軸移動板38的正面側固定有支撐構件42。當以Z軸脈衝馬達40使Z軸滾珠螺桿旋轉時，Z軸移動板38以及支撐構件42即沿著Z軸導軌36在Z軸方向上移動。

又，在雷射加工裝置2搭載有對被加工物11(參照圖2)照射雷射光束之雷射光束照射單元44。雷射光束照射單元44具備被支撐構件42支撐之雷射加工頭46，且從雷射加工頭46照射雷射光束48。可藉由對已被保持工作台28保持之被加工物11照射雷射光束48，而對被加工物11施行雷射加工。

在相鄰於雷射加工頭46之位置，設置有拍攝單元50。拍攝單元50具備CCD(電荷耦合器件，Charged-Coupled Devices)感測器、CMOS(互補式金屬氧化物半導體，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)感測器等之影像感測器，且對已被保持工作台28保持之被加工物11(參照圖2)等進行拍攝。對拍攝單元50的種類並無限制，可使用例如可見光相機或紅外線相機。可依據藉由以拍攝單元50拍攝被加工物11而取得之圖像，來進行被加工物11與雷射光束48之對位等。

當使Z軸移動板38沿著Z軸方向移動時，雷射加工頭46以及拍攝單元50即沿著Z軸方向移動(升降)。藉此，可進行雷射光束48的Z軸方向上的聚光位置的調節或拍攝單元50的對焦。

又，雷射加工裝置2具備顯示單元(顯示部、顯示裝置)52，前述顯示單元52會顯示和雷射加工裝置2有關之各種資訊。例如可使用觸控面板式的顯示器來作為顯示單元52。在此情況下，可在顯示單元52顯示用於對雷射加工裝置2輸入資訊之操作畫面，且操作人員可以藉由顯示單元52的觸控操作來將資訊輸入至雷射加工裝置2。亦即，顯示單元52也作為用於對雷射加工裝置2輸入各種資訊之輸入單元(輸入部、輸入裝置)而發揮功能，且可作為使用者介面來使用。不過，輸入單元亦可為和顯示單元52各別獨立來設置之滑鼠、鍵盤等之輸入裝置。

此外，雷射加工裝置2具備控制雷射加工裝置2之控制單元(控制部、控制裝置)54。控制單元54已連接於構成雷射加工裝置2之各構成要素(移動單元6、保持工作台28、夾具30、雷射光束照射單元44、拍攝單元50、顯示單元52等)。控制單元54是藉由生成並輸出控制雷射加工裝置2的構成要素的動作之控制訊號，來讓雷射加工裝置2運轉。

例如控制單元54可藉由電腦來構成。具體而言，控制單元54具備運算部與記憶部，前述運算部會進行在雷射加工裝置2的運轉上所需要的各種運算，前述記憶部會記憶使用於雷射加工裝置2的運轉之各種資訊(資料、程式等)。運算部包含CPU(中央處理單元，Central Processing Unit)等之處理器而構成。又，記憶部包含ROM(唯讀記憶體，Read Only Memory)、RAM(隨機存取記憶體，Random Access Memory)等之記憶體而構成。

圖3是顯示雷射加工裝置2之局部剖面側視圖。雷射光束照射單元44具備YAG雷射、YVO ₄雷射、YLF雷射等之雷射振盪器60、與將從雷射振盪器60所射出之雷射光束48導向已被保持工作台28保持之被加工物11之光學系統62。光學系統62是包含複數個光學零件而構成，且控制照射於被加工物11之雷射光束48的行進方向、形狀、聚光位置等。

具體而言，光學系統62具備調整從雷射振盪器60所射出之雷射光束48的輸出之輸出調整單元64、與使從雷射振盪器60所射出之雷射光束48聚光之聚光器(光學零件)66。例如，可使用衰減器來作為輸出調整單元64，且使用凸透鏡等之聚光透鏡來作為聚光器66。

又，光學系統62具備將雷射光束48從雷射振盪器60導向聚光器66之1個或複數個光學零件68。光學零件68相當於將雷射光束48成形或聚光之透鏡、使雷射光束48反射之鏡子等。在圖3中作為一例，顯示有光學零件68為鏡子之情況。從雷射振盪器60射出之雷射光束48是經由輸出調整單元64以及光學零件68而入射至聚光器66。

不過，對光學零件68的種類並無限制。作為光學零件68的例子，可列舉透鏡、鏡子、偏振光束分光器(PBS)、繞射光學元件(DOE：Diffractive Optical Element)、LCOS-SLM(矽基液晶-空間光調變器，Liquid Crystal On Silicon-Spatial Light Modulator)等。又，光學系統62亦可包含不同的2種以上的光學零件68而構成。

又，雷射光束照射單元44具備容置光學系統62的構成要素(輸出調整單元64、聚光器66、光學零件68等)之容置部70。例如容置部70具備長方體形的容器(箱體)72與筒狀的遮光管74、76。遮光管74的一端側是連接於雷射振盪器60，且遮光管74的另一端側是連接於容器72的側壁。又，遮光管76的一端側是連接於容器72的底壁，且遮光管76的另一端側是被雷射光束48可穿透之透明保護蓋所覆蓋。再者，亦可取代設置保護蓋，而以聚光器66覆蓋遮光管76的另一端側。

容器72及遮光管74、76是以可將雷射光束48遮光之材質所構成，且防止雷射光束48洩漏至容置部70的外部之情形。並且，可在容器72容置輸出調整單元64以及光學零件68，並在遮光管76容置聚光器66。不過，聚光器66亦可容置於容器72。

從雷射振盪器60射出之雷射光束48會經由遮光管74進入容器72，並入射到輸出調整單元64。藉此，可藉由輸出調整單元64調整雷射光束48的輸出。又，從輸出調整單元64所射出之雷射光束48可藉由1個或複數個光學零件68而被引導到遮光管76。然後，雷射光束48會入射至聚光器66並在預定的位置聚光，而照射於已被保持工作台28保持之被加工物11。

在以雷射加工裝置2對被加工物11進行加工時，首先是藉由保持工作台28來保持被加工物11。例如被加工物11是以正面11a側朝上方露出且背面11b側(片材19側)面對保持面28a的方式配置在保持工作台28上。又，框架17會被複數個夾具30固定。若在此狀態下使吸引源的吸引力(負壓)作用於保持面28a，被加工物11即隔著片材19被工作夾台28吸引保持。

其次，可從雷射光束照射單元44朝向被加工物11照射雷射光束48，來對被加工物11施行雷射加工。雷射光束48的照射條件是因應於要對被加工物11施行之雷射加工的內容來設定。

例如，在對被加工物11施行燒蝕加工的情況下，是將雷射光束48的波長設定成至少雷射光束48的一部分會受到被加工物11吸收。亦即，可使用對被加工物11具有吸收性之雷射光束48。又，雷射光束48的其他的照射條件(平均輸出、重複頻率、加工進給速度等)也可合宜設定成可對被加工物11施行適當的燒蝕加工。例如，在被加工物11為單晶矽晶圓，且對單晶矽晶圓施行燒蝕加工的情況下，雷射光束48的照射條件可以如以下地設定。 波長                ：355nm 平均輸出        ：2W 重複頻率        ：200kHz 加工進給速度 ：400mm/秒

若一面使雷射光束48在被加工物11的正面11a或內部聚光，一面藉由移動單元6(圖1)使保持工作台28沿著加工進給方向移動，保持工作台28與雷射光束48會相對地移動，而可將雷射光束48沿著加工進給方向來掃描。其結果，可在被加工物11施行燒蝕加工，而在被加工物11的正面11a側形成線狀的雷射加工溝。

例如可藉由沿著全部的切割道13(參照圖2)形成從被加工物11的正面11a到達背面11b之雷射加工溝，來將被加工物11沿著切割道13分割。又，也可以於沿著全部的切割道13在被加工物11的正面11a側形成深度小於被加工物11的厚度之雷射加工溝後，以磨削磨石磨削被加工物11的背面11b側來讓雷射加工溝露出於被加工物11的背面11b，藉此沿著切割道13分割被加工物11。其結果，可製造各自具備器件15之複數個器件晶片。

再者，若如顆粒(塵埃、粉塵等)之異物附著於光學系統62的構成要素(輸出調整單元64、聚光器66、光學零件68等)時，會有產生以下之各種不良狀況之疑慮：雷射光束48的形狀之變形、聚光位置的偏離、輸出的降低等。因此，光學系統62的構成要素是以和外部隔離的方式容置於容置部70。藉此，可以防止大氣中的顆粒等附著於光學系統62的構成要素之情形。

然而，在容置部70的內部，也配置有光學系統62的構成要素以外的零件。例如，可將保持光學零件68之支持器、或控制光學零件68的位置或角度之馬達等的致動器，和光學零件68一起容置於容置部70。因此，即使已將容置部70的內部隔離、密閉，仍然會有從支持器或致動器放出之逸氣附著到光學零件68而污染光學零件68之情形。又，因為在雷射加工裝置2的維護時，會進行光學系統62的構成要素之調節、更換、洗淨等，所以容器72會被打開。此時，會有顆粒侵入容置部70內並滯留，且附著於維護後的光學系統62的構成要素之情形。

於是，在本實施形態中的雷射光束照射單元44中，是在容置部70的內部設置離子發生器78，前述離子發生器78會捕獲存在於容置部70的內部之顆粒等的異物。藉此，可以抑制存在於容置部70的內部之異物懸浮而附著到光學系統62的構成要素之情形，且變得可將雷射光束48在適當的條件下照射於被加工物11。

例如離子發生器78具備1個或複數個放電電極(放電針)、接地端子以及高電壓電源。若對放電電極施加高電壓，會在放電電極與接地端子之間產生電暈放電。藉此，放電電極的周圍的空氣會被電離，而生成陽離子以及陰離子。例如，可將具備正的放電電極與負的放電電極之棒型(bar type)的離子發生器78固定於容器72的上壁。然後，藉由離子發生器78所生成之陽離子以及陰離子會在容器72的內部分散。

藉由離子發生器78所生成之陽離子以及陰離子會作用於存在於容器72的內部之顆粒等的異物而使異物帶正電或帶負電。然後，帶有正電或負電之異物會附著於施加有電壓之離子發生器78的正的放電電極或負的放電電極。藉此，容器72的內部的異物可被離子發生器78捕獲、回收，而可防止異物對輸出調整單元64、聚光器66、光學零件68等之附著。

再者，對離子發生器78的種類、數量、設置場所等並無限制。例如，亦可取代如在上述所說明之具備正的放電電極與負的放電電極之類型的離子發生器，而使用具備1個放電電極之類型的離子發生器，且前述1個放電電極被施加交替地切換極性(正/負)之高電壓，亦可將生成陽離子之離子發生器與生成陰離子之離子發生器組合來使用。又，亦可在容器72的內部設置複數個點式(噴嘴型)的離子發生器78。在此情況下，可以在容器72的內部的複數個地點捕獲異物。又，在光學系統62具備複數個光學零件68的情況下，亦可按每個光學零件68來設置離子發生器78。在此情況下，是將複數個離子發生器78配置在自各自對應之光學零件68起預定的範圍內。藉此，可藉由一個個的離子發生器78防止異物對複數個光學零件68之附著。此外，離子發生器78除了容器72的內部以外，還可以設置在遮光管74、76的內部。特別是，可藉由在遮光管76的內部設置離子發生器78，而有效地防止異物對聚光器66之附著。

不過，在已使離子發生器78作動時若在容置部70的內部產生氣流，異物會在氣流中流動而變得難以附著於離子發生器78。因此，離子發生器78宜為不會進行送風(air blow)之無風型。

圖4是顯示離子生成的持續時間(離子發生器78的作動時間)與所生成之離子的量之關係的圖表。若持續進行由離子發生器78所進行之離子的生成，異物會逐漸地堆積在離子發生器78的放電電極，而使放電電極的露出面積減少。其結果，藉由離子發生器78生成之離子的量會減少。亦即，異物被離子發生器78捕獲而使容置部70的內部的清淨度越上升，由離子發生器78所生成之離子的生成量就越減少。因此，藉由離子發生器78所生成之離子的量與容置部70的清淨度之間會有相關關係。

於是，雷射加工裝置2亦可依據藉由離子發生器78所生成之離子的量來判定容置部70的內部的清淨度。藉此，變得可監視容置部70的清淨度，並在適當的時間點進行光學系統62以及離子發生器78的維護或零件更換。

具體而言，雷射光束照射單元44具備檢測器，前述檢測器會取得和藉由離子發生器78所生成之離子的量對應之資訊(離子量資訊)。例如，於離子發生器78連接有測定於離子發生器78的內部流動之電流的電流計80。再者，電流計80亦可內置於離子發生器78。

離子發生器78以及電流計80已連接於控制單元54。控制單元54藉由將控制訊號輸出至離子發生器78，而使離子發生器78作動，並使離子發生器78生成離子。又，在離子發生器78的作動中，可藉由電流計80來測定、監視於離子發生器78流動之電流。

若使離子發生器78作動一定時間，帶電之異物會堆積於離子發生器78的放電電極且離子的生成量會減少(參照圖4)，而使於離子發生器78流動之電流改變。因此，藉由電流計80所測定之電流值會成為和藉由離子發生器78所生成之離子的量相應之值。並且，可將藉由電流計80所測定出之電流值作為離子量資訊來輸入至控制單元54。

控制單元54包含：判定部82，依據藉由離子發生器78所生成之離子的量來判定容置部70的內部的清淨度；及參照資訊記憶部84，記憶使用於由判定部82所進行之清淨度的判定之資訊。判定部82是依據從電流計80所輸入的離子量資訊(電流值)與已記憶於參照資訊記憶部84之參照資訊，來判定容置部70的清淨度。

例如，可在參照資訊記憶部84記憶藉由電流計80測定之離子量資訊的基準值(閾值)。並且，判定部82藉由比較從電流計80所輸入之離子量資訊與已記憶於參照資訊記憶部84之基準值，來判定容置部70的清淨度。具體而言，在藉由電流計80所測定出之電流值為基準值以上的情況下(或超過基準值的情況下)，判定部82會判定為容置部70的清淨度是正常的。另一方面，在藉由電流計80所測定出之電流值為小於基準值(或基準值以下)的情況下，判定部82會判定為容置部70的清淨度是異常的。

不過，對容置部70的清淨度之判定方法並無限制。例如，亦可在參照資訊記憶部84記憶複數個基準值。在此情況下，判定部82可以藉由比較從電流計80輸入之離子量資訊與複數個基準值，而以3階段以上的等級來判定容置部70的清淨度。

又，亦可在參照資訊記憶部84記憶表示藉由電流計80所測定之離子量資訊與容置部70的清淨度之對應關係的對應關係資訊(圖表、表格等)。在此情況下，判定部82可以藉由將從電流計80輸入之離子量資訊套用到對應關係資訊，來特定出對應於離子量資訊之清淨度。

當藉由判定部82判定容置部70的清淨度時，控制單元54會藉由將控制訊號輸出至顯示單元52(參照圖1)，而將由判定部82所進行之判定的結果顯示於顯示單元52。例如顯示單元52可顯示和由判定部82所進行之判定的結果對應之文字、圖形、記號、數值等。藉此，可對操作人員通知容置部70的清淨度。

再者，在容置部70設置有複數個離子發生器78的情況下，可分別對離子發生器78連接電流計80，且可按每個離子發生器78來進行清淨度的判定。並且，顯示單元52會將藉由各判定部82所判定出之清淨度，和顯示設置有離子發生器78的場所之資訊一起顯示。藉此，操作人員可以掌握容置部70的內部中的清淨度的參差。

又，控制單元54亦可將藉由判定部82所判定出之容置部70的清淨度的時間推移顯示於顯示單元52。例如，可將表示離子發生器78的作動時間(離子生成的持續時間)與藉由判定部82所判定出之容置部70的清淨度的關係之圖表顯示於顯示單元52。藉此，操作人員可以掌握容置部70的清淨度的時間推移。

如以上，本實施形態之雷射加工裝置2具備容置雷射光束照射單元44的光學系統62之容置部70，且在容置部70的內部設置捕獲異物之離子發生器78。藉此，存在於容置部70的內部之異物會變得難以附著於光學系統62的構成要素，而變得可將雷射光束48在適當的條件下照射於被加工物11。

又，本實施形態之雷射加工裝置2具備判定部82，前述判定部82依據藉由離子發生器78所生成之離子的量來判定容置部70的內部的清淨度。藉此，變得可監視容置部70的內部的清淨度，並在適當的時間點實施光學系統62以及離子發生器78的維護或零件更換。

再者，上述中，雖然針對離子量資訊為藉由電流計80所測定出之電流值的情況來說明，但是對取得離子量資訊之檢測器的種類並無限制。例如，雷射光束照射單元44亦可具備有離子測定器，且前述離子測定器會測定藉由離子發生器78所生成之離子的量。

離子測定器以配置於離子發生器78的附近的方式容置於容置部70。再者，離子測定器亦可內置於離子發生器78。又，亦可在容置部70容置有複數個離子發生器78的情況下，將複數個離子測定器各自設置於離子發生器78的附近。

在離子發生器78的作動中，可藉由離子測定器來測定藉由離子發生器78所生成之離子的量。又，藉由離子測定器所測定出之離子的量會作為離子量資訊而輸入至控制單元54。並且，判定部82依據藉由離子測定器所測定出之離子的量、與已記憶於參照資訊記憶部84之參照資訊(基準值等)，來判定容置部70的清淨度。

又，圖1所示之雷射加工裝置2亦可具備有向操作人員通知異常之通報單元(通報部、通報裝置)。例如，可在雷射加工裝置2的上部設置顯示燈(警告燈)來作為通報單元。並且，在藉由判定部82所判定出之容置部70的清淨度為異常的情況下，控制單元54是藉由使顯示燈亮燈或閃爍，來向操作人員通知清淨度的異常。再者，通報單元亦可為以聲響或聲音來通知異常之揚聲器。

另外，上述實施形態之構造、方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內均可合宜變更來實施。

2:雷射加工裝置 4:基台 6:移動單元(移動機構) 8:Y軸移動單元(分度進給單元) 10:Y軸導軌 11:被加工物 11a:正面 11b:背面 12:Y軸移動工作台 13:切割道(分割預定線) 14:Y軸滾珠螺桿 15:器件 16:Y軸脈衝馬達 17:框架 17a:開口 18:X軸移動單元(加工進給單元) 19:片材 20:X軸導軌 22:X軸移動工作台 24:X軸滾珠螺桿 26:X軸脈衝馬達 28:保持工作台(工作夾台) 28a:保持面 30:夾具 32:Z軸移動單元(Z軸移動機構) 34:支撐構造 34a:基部 34b:支撐部 36:Z軸導軌 38:Z軸移動板 40:Z軸脈衝馬達 42:支撐構件 44:雷射光束照射單元 46:雷射加工頭 48:雷射光束 50:拍攝單元 52:顯示單元(顯示部、顯示裝置) 54:控制單元(控制部、控制裝置) 60:雷射振盪器 62:光學系統 64:輸出調整單元 66:聚光器(光學零件) 68:光學零件 70:容置部 72:容器(箱體) 74,76:遮光管 78:離子發生器 80:電流計 82:判定部 84:參照資訊記憶部 X,Y,Z:方向

圖1是顯示雷射加工裝置的立體圖。 圖2是顯示被加工物的立體圖。 圖3是顯示雷射加工裝置的局部剖面側視圖。 圖4是顯示離子生成的持續時間與所生成之離子的量之關係的圖表。

2:雷射加工裝置

4:基台

6:移動單元(移動機構)

8:Y軸移動單元(分度進給單元)

10:Y軸導軌

12:Y軸移動工作台

14:Y軸滾珠螺桿

16:Y軸脈衝馬達

18:X軸移動單元(加工進給單元)

20:X軸導軌

22:X軸移動工作台

24:X軸滾珠螺桿

26:X軸脈衝馬達

28:保持工作台(工作夾台)

28a:保持面

30:夾具

32:Z軸移動單元(Z軸移動機構)

34:支撐構造

34a:基部

34b:支撐部

36:Z軸導軌

38:Z軸移動板

40:Z軸脈衝馬達

42:支撐構件

44:雷射光束照射單元

46:雷射加工頭

48:雷射光束

50:拍攝單元

52:顯示單元(顯示部、顯示裝置)

54:控制單元(控制部、控制裝置)

X,Y,Z:方向

Claims (3)

1. 一種雷射加工裝置，對被加工物進行加工，前述雷射加工裝置的特徵在於： 具備： 保持工作台，保持該被加工物；及 雷射光束照射單元，對已被該保持工作台所保持之該被加工物照射雷射光束， 該雷射光束照射單元具有： 雷射振盪器； 聚光器，將從該雷射振盪器所射出之該雷射光束聚光； 光學零件，將該雷射光束從該雷射振盪器導向該聚光器； 容置部，容置該光學零件；及 離子發生器，設置於該容置部的內部，且捕獲存在於該容置部的內部之異物。
2. 如請求項1之雷射加工裝置，其中該離子發生器為無風型。
3. 如請求項1或2之雷射加工裝置，其更具有判定部，前述判定部依據藉由該離子發生器所生成之離子的量來判定該容置部的內部的清淨度。

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