TW201740659A - 控制印刷電路板中損耗的結構及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於印刷電路板馬達且具體而言係關於用於馬達及發電機中之印刷電路板。印刷電路板上由銅形成之繞組已用於形成可被併入於永磁無刷直流(永磁同步)機器中之天線、電感器、變壓器及定子之目的。對於使用現代永磁材料及PCB定子之能量轉換裝置而言，磁化材料並不能有力地對磁場進行侷限。因此，來自一繞組中之毗鄰匝及/或毗鄰層上之若干繞組(對於一多層組態而言)之磁場之間的相互作用可係顯著的。下文中所揭示之結構減小該等繞組中之有效電阻，且因此減小相關聯損耗以在旋轉能量轉換裝置之各部分中達成一經減小電流密度。該等所揭示結構之效應係：與當前可用裝置相比，隨著頻率增加，損耗機制明顯減弱。在對於能量轉換程序以及例如脈衝寬度調變等典型控制策略而言重要之頻率範圍中，此等效應係顯著的。

Description

控制印刷電路板中損耗的結構及方法
本文中所闡述之實施例大體而言係關於減少印刷電路板裝置中損耗之領域。更具體而言，如本文中所揭示之實施例係關於形成於用於電馬達及/或發電機之多層印刷電路板上之定子中之繞組損耗管理之領域。
本發明人已認識且瞭解到，透過一印刷電路板(PCB)中之電引線處置高電流之當前電馬達及其他電裝置面臨由PCB中之電流所致之多個問題。此等問題包含由於寄生電流或渦電流而產生非所要熱量，此可導致機械故障且對馬達或發電機之轉子產生破壞性機械干擾以及在馬達或發電機之操作中之其他無效率情況。作為在電路之各區中電流密度流增加之一附帶結果(byproduct)，PCB中特別係由高電流梯度所致之高溫度梯度可導致PCB之結構損壞，諸如基板中之電引線或介電材料之脫層或局部故障或者降級。更重要的是，此等高電流密度可能產生非期望較大電磁場，電磁場可在電路之實體附近區中產生(舉例而言)寄生電流及渦電流，此繼而成為馬達或發電機轉子之一阻力且藉此減少其電力輸出及效率。 不具備下文中所闡述之有利特徵之印刷電路板電裝置採用各種策略以在電流攜載跡線之間形成連接，該等電流攜載跡線鋪設於存在於此等裝置中之介電基板之一或多個PCB表面(在係一多層板裝置之情形中)上。然而，此等策略無法解決或實質上認識到由電路跡線之各部分中之經增強電流密度所致之缺點及其負面結果。
本發明之一特定實例性實施例係關於印刷電路板馬達及發電機。印刷電路板中由銅形成之繞組已用於形成可被併入於永磁無刷直流(永磁同步)機器中之天線、電感器、變壓器及定子之目的。對於使用現代永磁材料及PCB定子之能量轉換裝置而言，磁化材料並不能有力地對磁場進行侷限。因此，來自一繞組中之毗鄰匝及/或毗鄰層上之若干繞組(對於一多層組態而言)之磁場之間的相互作用可係顯著的。下文中所揭示之結構減小該等繞組中之有效電阻，且因此減小相關聯損耗以在旋轉能量轉換裝置中達成一規定電流密度。該等所揭示結構之效應係：與當前可用裝置相比，隨著頻率增加，損耗機制明顯減弱。在對於能量轉換程序以及例如脈衝寬度調變等典型控制策略而言重要之頻率範圍中，此等效應係顯著的。 在一第一實例性實施例中，本發明係關於一電馬達或發電機定子之結構，定子包含具有至少一個介電層及複數個導電層之一平面複合結構(PCS)。該PCS至少部分地由一中心原點及一周邊表徵。定子亦可包含複數個第一元件(亦即，徑向延伸導電跡線)，該等第一元件自一內徑向距離rs 延伸至一外徑向距離𝑟1 ，半徑係自PCS的中心原點朝向周邊而量測。該等跡線通常有角度地安置於PCS上。該複數個第一徑向延伸元件各自在其內端及外端處連接以達成繞組迴路及其他待形成電路結構。當元件連接成此等迴路時，元件之外端係使用外迴路互連件連接且元件之內端係使用內迴路互連件連接，如下文之更詳細闡述。此外，根據本發明之某些實例性實施例，第一徑向導電元件中之至少一者在其各別外半徑端處連接至徑向導電元件中之至少另一者。此外，第一導電元件在其內半徑端處連接至其他徑向導電元件。可存在複數個閉合迴路，該等迴路具有多個繞組且形成(舉例而言)一電馬達或發電機之定子。 本發明之一第二實例性實施例係關於具有一定子之一電馬達或發電機，該定子包含具有至少一個介電層及至少一個導電層之一PCS，該PCS至少部分地由一中心原點及一周邊表徵。該定子亦可包含複數個第一導電跡線，該等導電跡線自距中心原點一開始半徑𝑟0 處朝向PCS之周邊徑向延伸且有角度地安置於PCS上。複數個導電跡線透過一各別相關聯互連件連接至至少另一導電跡線，該另一導電跡線自距中心原點一內半徑𝑟0 處朝向PCS之周邊徑向向外徑向延伸且與相關聯導電跡線成角度地安置。 在另一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS具有至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。該導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上，其中該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處。該第一互連件被限界於內邊緣與外邊緣之間。該第一互連件具有一開始區、一過渡區及一結束區，且該開始區具有自該第一導電跡線延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段，且該結束區具有自該過渡區延伸至另一導電跡線之一第二圓角內邊緣區段；且其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自至少部分地由一隅角方程式表徵，針對開始於及處且被評估為之一隅角：，或針對被評估為且結束於及處之一隅角，為等效反射版本：。 在又一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS具有至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上。該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電元件中之至少另一者之外半徑處，且其中至少該第一互連件係由內邊緣及外邊緣限界且具有一開始區、一過渡區及一結束區，且該開始區具有：一第一圓角內邊緣區段及一第一圓角外邊緣區段延伸，其等自該第一導電跡線延伸至該過渡區；以及一第二圓角內邊緣區段及一第二圓角外邊緣區段，其等自該過渡區延伸至另一導電跡線。至少該第一圓角內邊緣區段及該第一圓角外邊緣區段以及該第二圓角內邊緣區段及該第二圓角外邊緣區段各自至少部分地由以下隅角方程式表徵，針對開始於及處且被評估為之一隅角： ，或針對被評估為且結束於及處之一隅角，為等效反射版本：。 在另一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS具有至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上。該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至第一導電元件中之至少另一者之外半徑處。該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界。該第一互連具有一開始區、一過渡區及一結束區，且該開始區之內邊緣具有：自第一導電跡線之外半徑處延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段及自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處之一第二圓角內邊緣區段。至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自由一斜率表徵，該斜率係自一個導電跡線至該過渡區之一線性函數且其中該斜率係自該過渡區至另一導電跡線之一不同線性函數。 在又一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上。該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處連接至一第一互連件之一開始區。該第一互連件係由內邊緣及外邊緣限界，且該第一互連件具有：該開始區、一過渡區及一結束區及自一個導電跡線之該外半徑延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段以及自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處之一第二圓角內邊緣區段。在該內邊緣與該外邊緣之間的任何點處，在直流激勵下最小電流密度量值不小於沿著該內邊緣與該外邊緣之間通過彼點之最短線評估之最大電流密度量值之50%。 在另一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，具有至少兩個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之不同表面上。該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一層間互連件連接至該等第一導電跡線中位於一不同表面上之至少另一者之外半徑處。該互連件由內邊緣及外邊緣實質上限界。該第一層間互連件具有位於一第一層上之一開始區、一過渡區及位於一不同層上之一結束區且進一步具有：自一第一導電跡線延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段及自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處之一第二圓角內邊緣區段；且其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自至少部分地由被設計成減小軸向毗鄰導電表面結構上之寄生電流效應及渦電流效應的一結構表徵。 在又一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS具有至少一個介電層及位於每一介電層之一表面上之一導電圖案。至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上。該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至第一導電元件中之至少另一者之外半徑處，該第一互連件係由內邊緣及外邊緣限界。該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有：一開始區、一過渡區、一結束區及自該經連接第一導電跡線之外半徑處延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段以及將該過渡區連接至另一導電跡線之該外半徑之一第二圓角內邊緣區段。至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自由用於減少該互連件之外導電部分中之渦電流之一結構表徵。 在又一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS具有至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。該至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上；其中該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處，該第一互連件係由內邊緣及外邊緣限界。該第一互連件具有：一開始區；一過渡區；一結束區；及第一圓角內邊緣區段及第一圓角外邊緣區段，其等自該第一導電跡線延伸至其過渡區；以及第二圓角內邊緣區段及第二圓角外邊緣區段，其等自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處。至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段之各別斜率各自由隨自一個導電跡線至另一導電跡線之旋轉角度而變化而單調改變之一斜率值表徵。 在又一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS具有至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上，該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處。該第一互連件係由內邊緣及外邊緣限界。該第一互連件具有：一開始區；一過渡區；及一結束區；以及一第一圓角內邊緣區段及一第一圓角外邊緣區段，其等自該第一導電跡線延伸至該過渡區；以及一第二圓角內邊緣區段及一第二圓角外邊緣區段，其等自該過渡區延伸至另一導電跡線，即另一導電跡線之該外半徑處。至少在該互連件的一內邊緣與一外邊緣之間的過渡區中，該互連件具有至少一個狹縫狀細長區，該狹縫狀細長區不會實質上減小自該互連件之一端至該互連件之另一端的電傳導率，該狹縫狀細長區在該互連件之該過渡區中實質上平行於該內邊緣延伸。 在本發明之又一實例性實施例中，一定子具有一平面複合結構(PCS)，該PCS具有至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案。至少一個導電圖案具有複數個第一導電跡線，該等第一導電跡線各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上。該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處。該第一互連件係至少由內邊緣及外邊緣限界。該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有：一開始區、一過渡區及一結束區及自該第一導電跡線延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段以及自該過渡區延伸至另一導電跡線之該外半徑處之一第二圓角內邊緣區段。自該第一導電跡線與該開始區之間的連接點至該過渡區之起始點的該互連件之該內邊緣被指定為「CT內邊緣」距離。在沿著該互連件之該內邊緣自該第一導電跡線朝向該過渡區量測之該CT內邊緣的前20%內，一實例性實施例達到最大電流密度值之至少90%，此係藉由FEA/FEM計算所判定。
相關申請案之交叉參考 本發明依據35 U.S.C. § 119(e)主張2015年10月2日提出申請之Steven R. Shaw之標題為STRUCTURES TO REDUCE LOSSES IN PRINTED CIRCUIT BOARD WINDINGS之美國臨時專利申請案第62/236,407號之權益。本發明亦依據35 U.S.C. § 119(e)主張於2015年10月2日提出申請之Steven R. Shaw之標題為STRUCTURES FOR THERMAL MANAGEMENT IN PRINTED CIRCUIT BOARD STATORS之臨時專利申請案第62/236,422號之權益。本發明亦依據35 U.S.C. § 120主張2016年6月30日提出申請之Steven R. Shaw之標題為STRUCTURES AND METHODS FOR THERMAL MANAGEMENT IN PRINTED CIRCUIT BOARD STATORS之美國專利申請案第15/199,527號之權益。上述申請案中之每一者之內容藉此出於所有目的以其全文引用方式併入本文中。 參考圖1，在本發明之一實例性實施例中，用於一電驅動馬達或一旋轉發電機中之一定子100之一平面圖具有一平面複合結構(PCS) 110，PCS 110具有至少一個介電層及複數個基板層，該複數個基板層上具有導電跡線111。圖1中所展示之定子之直徑可係大約1 cm至數十米。導電跡線111可係根據本發明之一實施例之一繞組結構之一部分，其可在一PCB結構的外環帶處及內區段處連接。PCS 110至少部分地由一中心原點101及一外周邊102表徵。定子100包含複數個第一導電跡線111，該複數個第一導電跡線111自一半徑140 (r0 ) (自中心原點101量測)朝向PCS 110之周邊102而徑向延伸至一半徑142 (𝑟1 ) (自中心原點101量測)且有角度地安置於PCS上。該等第一導電跡線中之一或多者通常在其外端處(亦即在半徑r1 處)連接至在其外半徑r1 處之一或多個其他第一導電跡線。被指定為一外迴路之此一互連件具有一開始區144、一過渡區148及一結束區150。 以一互補方式，複數個導電跡線在其內端處(亦即在半徑r0 處)由內導電迴路151連接，每一內導電迴路類似地具有一開始區、一過渡區及一結束區。以此方式，導電跡線111及其連接結構之組合提供位於介電層之表面上之一繞組結構。 在更複雜結構中，導電跡線111可係使用內部層連接(諸如導通體或其他內部層鏈路)來連接至位於其他層上之導電跡線。在此等層間連接中，位於(舉例而言)兩個(或兩個以上)層中之每一者上之導電跡線之組合組合起來以形成如本領域中所熟知之多層繞組之一有利結構。 然而，存在一關注點，即自一個導電跡線111通過至下一導電跡線之電流不會產生可損壞馬達或發電機之操作系統或降低其效率之電磁場。此負面效應可(舉例而言)在附近導電結構中導致寄生電流或渦電流，此可成為系統之一阻力。如下文進一步闡釋，此阻力降低效率，且通常不被考慮在圖1之馬達或發電機之結構設計中。然而本發明旨在藉由對互連端迴路151、153進行適當塑形及設計來實質上減少此等非期望電磁場。 因此，一定子100可包含類似於圖1之平面圖中所圖解說明之結構之多個層。該多個層可經配置以提供一系列線圈或繞組，該等線圈或繞組通常串聯連接以形成一馬達或發電機之極。然後該等極通常被分隔成若干群組，其中至少一個群組針對供應至馬達(或由發電機產生)之電流之每一相位。總體而言，當導體(舉例而言，PCS 110中之跡線111以及互連導電跡線151及153)之配置由一外部電路適當控制時，其產生一旋轉電流密度及相關聯磁場。此旋轉電流密度(及磁場)可對(一馬達之)一周圍磁結構施加一轉矩或產生(一發電機之)一電流輸出。具有徑向結構111 (「作用區域」)之印刷電路板之一部分係經設計以參與此相互作用之定子之一部分。因此，定子100之作用區域可包含透過互連導電跡線151及152耦合以形成旋轉電流之導電跡線111。某些實施例包含固定至通過PCS 110之中心原點101之一軸件之兩組稀土磁體，此形成一緊湊高效率之軸向場同步電裝置。除包含與一不均質磁場相互作用之一旋轉電流密度之作用區域之外，定子100亦可包含位於一周邊區域中之導電元件及位於一內部區域中之導電元件。導電元件可耗散定子100在操作時產生之熱量。 根據本發明之結構，舉例而言，用於一旋轉電馬達或發電機之一平面PCB具有經塑形以最佳化定子效能之內端匝結構、外端匝結構及中間端匝結構。在一平面PCB馬達定子或平面複合定子(PCS)中，端匝設計至關重要，此乃因在繞組設計中擔任不同角色之端匝通常不能在一單層上共存，且亦不能出現於若干個層上以作為減少其總電阻之一方法。對端匝之另一考慮係其十分接近其他導電材料(舉例而言，位於同一層或毗鄰層上之其他結構)，此在高頻率下可導致渦電流及寄生負載。 本發明解決兩個問題，且可透過使用有限元素量測(FEM)來與其他設計策略及結構相比較。應將在以下說明中對「端匝」之使用理解為內及外端匝中、極群組之間的鏈路中、跨層鏈路電源連接中及中間接點結構中包含類似特徵。雖然本文中所揭示之技術主要用於馬達及發電機，但將該技術應用於單層或多層之任何印刷電路板可有利於減少電路中之損耗，認識到這一點亦係重要的。亦應注意的重要一點係，在馬達/發電機領域內，端匝之數目及其功能將取決於馬達之相位數目、匝數目及極數目而變化。 如上文所述，一內端匝或外端匝具有數個連接區。一端匝之基本功能部分係一隅角，即在該匝或隅角被執行之後將電流自一作用區徑向導體或跡線連接至一規定半徑之一區，此通常將在平面表面上之電流之方向自一實質上徑向方向電流改變至一有角度方向電流。通常，該匝在其起始連接點處連接至一窄寬度徑向跡線，徑向方向跡線之寬度由位於平面之作用區中之導體之間隔及可用於匝之有角度部分之間隔指定。出於圖解說明目的且由於考慮中之特徵大致(局部地)係笛卡爾式的(Cartesian)，因此在以下實施例中，在x軸上指示有角度行進，而在y軸上指示徑向行進。在此情形與可直接應用於軸向場機器之PCS之圓柱座標情形之間存在一保形映射。 為探究端匝設計之結構或形狀與其效能之間的關係，在每一結構攜載實際上相同之總電流之條件下，闡述對數個實例性設計結構及來自先前設計之實例之FEM模擬。隨後自FEM解決方案產生一結構內之電流密度量值之圖表，且在圖2及圖4中進行圖解說明。此等圖表之刻度尺經調整使得其可相比較。應瞭解，在本文中所呈現之彩色圖式之黑白版本(亦即，圖2A、圖3A、圖4A、圖10A及圖11A)中，在FEM解決方案中較暗區未必對應於較高電流密度區且在彼等解決方案中較淺區未必對應於較低電流密度區。此係事實，乃因分別靠近彩色版本之刻度尺之頂部及底部之紅色區及藍色區兩者在黑白版本中皆被複製為一較暗色彩。因此，此有助於結合FEM解決方案之彩色版本之黑白複本來考慮彼等解決方案之灰度版本(亦即，圖2B、圖3B、圖4B、圖10B及圖11B)以更好地理解各個區中之相對電流密度。 對於先前印刷電路板CAD封裝而言，通常將不同寬度之線與方角合併，如圖5中所圖解說明。具有以此方式繪製之隅角之端匝出現於(舉例而言)美國專利7,109,625中。如圖2A及圖2B中的由FEM產生之電流密度圖中所展示，此結構之一負面後果係電流顯著集中於端匝之內邊緣區段251之內隅角250處。此產生一電流集中，且因此導致內邊緣隅角處之能量損耗，且在外隅角邊緣252處電流基本上係零。內邊緣隅角處之電流集中在內邊緣隅角之緊鄰區域中導致一更強磁場H (安培/米或A/m)。外隅角銅在結構之導電性上基本不起作用，但由於接近內隅角邊緣及PCS上之其他電流源處之高電流密度，因此可對來自此等其他源之時變磁場呈現一非期望寄生副作用(secondary)。此外，內隅角集中電流且產生可與PCS中之其他結構不利地相互作用之一磁場。總體而言，此等效應在較高頻率下會導致損耗增加，以及對於所使用銅量而言之一相對較高電阻(此乃因在隅角之外邊緣處之銅實質上不攜載電流，如上文所述)。 圖5中之結構之實際端至端導電性以一可預測方式隨材料導電性、厚度及規模而變化。出於比較目的且為強調獨立於此等其他變數之端匝隅角形狀之重要性，將圖5中之結構之導電性指定為1.000。 應注意的重要一點係，對於圖5之形狀/結構而言，雖然進入端匝之開始區254之電流跨越跡線之整個剖面範圍係實質上均勻的，但在形成急轉彎時其往往向內聚集。 以CAD工具進行之另一常見做法係提供如下選項：於在匝處應用一規定恆定回旋半徑之情況下將各線合併。通常，基於待合併線之寬度而選擇用於替換圖5之尖銳隅角之內圓角隅角642及外圓角隅角645處之半徑。圖6中所圖解說明之隅角之幾何形狀展示此種類型之端匝隅角。注意，在圖6中，存在3個巢套端迴路635。在此情形中，內邊緣640之內半徑及外邊緣650之外半徑與用於垂直跡線分段之孔徑之半徑相同。圖6中所圖解說明之結構之操作相對於圖5中所圖解說明之結構有所改良(如藉由圖3A及圖3B之FEM模擬所展示)，但圖6之結構/形狀仍展示靠近內隅角邊緣之電流集中，且在外隅角邊緣處之某些銅仍不攜載顯著電流。圖6中所圖解說明之結構之導電性相對於圖5係1.046。因此，圖6之結構提供較少電阻損耗；然而，不利地係在內隅角邊緣處電流密度仍然係高的，此導致結合圖5之結構所述之相同非期望效應，但是處於較低位準下。 因此，本文中所闡述之一實例性實施例認識到，需要進一步減小圖2及圖5以及圖3及圖6中所圖解說明之先前結構之高電流密度，以判定可顯著減小沿著內隅角(且具體而言內隅角邊緣)之電流密度之集中且因此減小由圖2及圖3中所圖解說明之電流密度之高度集中所致之負面效應的一設計形狀及功能。 參考圖7，圖中所圖解說明之端匝結構係由其內邊緣及外邊緣限界，且對應於以x及y (或者r及q)表示之一個一次微分方程式之一局部解。此實例及較佳實施例對應於一持續過渡之一單變數參數化，該持續過渡係：自端匝隅角712之開始寬度及位置710通過隅角713至端匝之x或q指向部分714。下文更詳細地闡述之平滑過渡避免存在於圖5及圖6實例中之隅角過渡之電流之局部化集中且不容易在匝中集中電流密度。因此，將由先前結構(圖5及圖6)產生之非期望磁場最小化。匝之參數化提供可在不同設計中用於最佳化目的之一獨立變數。如圖4中所圖解說明，此端匝設計避免電流密度之集中及磁場且具有一相對導電性1.197，比圖5中所圖解說明之端匝結構高幾乎20%。此外，在本發明之一項特定實例性實施例中，可根據所謂的「隅角方程式」塑形內邊緣及外邊緣：，其針對開始於及處且被評估為之一隅角；或等效反射版本，其針對被評估為且結束於及處之一隅角。此方程式提供曲率半徑沿著邊緣之一漸進改變且可由取決於邊緣之起始點及結束點而選定之一單個參數α控制。在一較佳實施例中，斜率係具有一個零二階導數之一持續改變變數。亦即，圓角邊緣由一斜率表徵，該斜率係自開始點(開始區與導電跡線之間的交點)至過渡區之一線性函數r且該斜率係自過渡區至結束區之終端的一不同線性函數。自起始跡線111至最終跡線111之整個迴路邊緣結構可藉由一單一方程式來闡述：其中、係該結構在起始跡線111處之開始點，、係該結構之結束點，α係隅角之參數，且係該結構主要沿有角度方向延伸所在的半徑。 在迴路(內或外)中避免電流密度之一集中可藉由量測沿著一迴路在開始區中之內邊緣之電流密度來觀察。通常，在開始區之起始點(在此處其連接至一導電徑向跡線)中電流密度量測將較高，且在開始區與過渡區的交點處之內邊緣處電流密度量測最低。若自第一導電跡線與開始區之間的連接點至過渡區之起始點的互連件之內邊緣區段被指定為「CT內邊緣」距離，則在一實例性實施例中，在沿著互連件之內邊緣自第一導電跡線朝向過渡區量測之CT內邊緣的前20%內，電流密度達到最大電流密度值之至少90%，此係藉由FEA/FEM計算所判定。此實質上不同於圖5及圖6之結構，在圖5及圖6之結構中，峰值在遠離徑向導體之一位置處出現，此更可能對附近導體中之寄生電流及渦電流產生負面影響。 如上文所述，一導體距一電磁輻射源之距離可顯著影響強加於該導體上之電磁場之強度及其負面後果。此「接近」效應係一毗鄰導體中之一電流影響一初級導體中之電流分佈且反之亦然的趨勢。此效應導致初級導體中電流分佈之一改變以及兩個導體之損耗，且在初級導體之電阻因電流頻率增加而增加時此效應係顯而易見的。一密切相關之概念係：並非DC電路一部分之一導電材料由於初級導體中之一時變電流所誘發之一電流密度而變成一寄生「次級材料」的趨勢。此效應因以下因素而增強：(i)頻率上升，(ii)磁場之強度增強，及(iii)寄生導電材料距初級導電材料之接近度減小。此等考慮既有利於減小電磁場之集中(舉例而言，藉由使用圖7中所圖解說明之實例性隅角形狀結構)又有利於儘可能減小導體距毗鄰導體之接近度。在本發明之一較佳實例性實施例中，下文中規定之「隅角方程式」有助於改善此等兩種效應。 對於以上方程式中之任一者而言，參數α決定了端匝逼近定子結構中其基本上恆定半徑之角度方向部分(過渡區)之速率。一重要考慮係需要避免隅角干擾附近結構。若附近結構係巢套隅角(諸如，藉由隅角方程式所闡述及在圖1中153處所圖解說明之隅角)，則一內端匝之外邊緣必小於毗鄰外端匝之內邊緣之「恆定」半徑。此外，α之大值可對印刷電路板上之毗鄰結構(諸如不受隅角方程式管控之終端結構)產生干擾或最小空隙違背。考慮到此等因素，對α之一適合值之判定可自有角度位移(被指定為兩個毗鄰徑向跡線111 (諸如圖1中所展示之跡線)之δ)推斷出來。在具有(舉例而言)120個徑向跡線自一典型定子中，有角度分離δ可係(舉例而言)大約3° (或2π/120弧度)或更小。此外，雖然針對一給定設計而將一最小製作空隙考慮到對最大可能α之一精確計算中，但並不期望使用一過大α，此乃因整個端匝結構之寬度可因此被減小，其結果係增加結構之DC電阻。另一方面，將α設定為過小值(舉例而言，小於0.1 δ)實際上產生一方形隅角形狀且減少本文中所識別之優勢。因此，一α (即毗鄰徑向跡線之間的角距離)之可能「範圍」係(舉例而言)介於約0.2 δ弧度與0.06 δ弧度之間。 除上文所闡述之隅角方程式之外，亦存在形成及塑形一端迴路或跡線之隅角之其他說明，此等說明亦可改善在隅角「尖銳」時所看到之效應。因此，舉例而言，如上文所闡述，且在如上文結合(舉例而言)圖7中所圖解說明之端迴路714所闡述之一端迴路的內容脈絡中，在端迴路之開始區及結束區中的該迴路之第一圓角內邊緣區段及第二圓角內邊緣區段各自可由一斜率表徵，該斜率係自一第一導電跡線至過渡區之一線性函數，且其中該斜率係自過渡區至待連接導電跡線之一不同線性函數。 在形成及塑形端迴路之隅角之另一說明中，可在迴路的內邊緣與外邊緣之間選擇任何點，並塑形該迴路，使得在彼點處在直流激勵下之電流密度量值不小於沿著迴路的內邊緣與外邊緣之間的最短線評估的且通過彼點之最大電流密度量值之50%。此方法亦相應地減少經聚集電流密度之負面效應。 在針對形成及塑形一端迴路之隅角之又一說明中，迴路的第一圓角內邊緣區段及第二圓角內邊緣區段之各別斜率各自由單調改變之一斜率值表徵，該斜率隨自一個導電跡線至待連接導電跡線之旋轉角度而變化。此亦藉由減小隅角處之經聚集電流密度而減小經誘發電流。在用以減小經聚集電流密度之另一方法中，在沿著一互連件之內邊緣自第一導電跡線朝向過渡區量測之CT (如上文所定義)內邊緣的前20%內，一實例性實施例達到最大電流密度值之至少90%，此係藉由FEA/FEM計算所判定。 在實際定子設計中，面外結構亦可形成寄生次級元件。圖8展示一馬達定子堆疊802之一經極大擴展(沿z軸)精描圖。在實際構造中，銅之間的間隔可大約與銅厚度相同。此圖圖解說明「接近度」概念之極大複雜性，接近度可基於定子設計參數(諸如極數、匝數目等)而變化。因此，如圖中所展示，導電表面可按群組(如圖8中所展示之三個為一群組僅係一個實例性組態)、按結構及按功能交錯以便維持總體裝置之必要效率。因此，舉例而言，所有外迴路不會對準達馬達/發電機定子之經堆疊層之總高度，且將獲得減少一板之作用區域之外的區域處產生之電磁場之優勢。 參考圖9，一端匝迴路700具有被縱向分割成兩個或兩個以上平行路徑704以達成其最大長度的一互連跡線。該縱向分割對端至端導電性幾乎無影響，但確實改變了結構鏈接時變通量之方式。圖10及圖11中藉由一模擬且使用相同條件來圖解說明在由狹縫706 (由實質上無電傳導或零電傳導之窄細長區所致)分離之端匝分段中誘發之所得電流密度，使得可跨越不同實施例在形狀及量值兩方面比較效果。此外，狹縫之效應係防止通常在不使用狹縫或使用較少狹縫時看到之電流密度之一實質增加。 圖10中所顯示之FEM結果展示由細長跡線1002之原點1004處之一外部時變場所致之經誘發電流之一實質效應。在原點處經誘發電流特別大，且表面區1006及1008與原點垂直對準。注意，在圖11中，賦予端匝一特定徑向空隙之縱向狹縫706必然減小剖面面積且因此增加端匝分段之DC電阻。此外，狹縫之寬度取決於銅厚度，銅厚度判定可使用藉以形成印刷電路板之光阻劑/蝕刻程序來達成之最小構件大小。因此，在任何給定設計中，狹縫之數目取決於磁漏、其他dB/dt源、端匝之徑向空隙，及馬達或發電機設計之操作速度。然而，有利地，如圖11中所圖解說明，此等新穎狹縫之存在可在原點1110及經對準表面區1106及1108處皆實質上減少一定子設計中之端匝、鏈路、中性面(neutral)、電源連接及類似構件中之經誘發電流分佈。經誘發電流之實體效應範圍亦減小。 關於定子100之一 設計考慮涉及到定子作用區域的傳導與渦電流損耗之間的一折衷。為減少傳導損耗，導體必須較寬(或在後續層上並聯連接)。為減少渦電流損耗，捕獲時變通量之有效面積必須較小，因此導體必須較窄。 一第三熱量源涉及到由於來自電流攜載導體之磁場所致之渦電流。在其中不同層可執行不同功能之PCB之內區及外區中考慮到此效應係重要的。 圖12圖解說明根據某些實施例之定子100之一部分剖面圖。無限制性且出於圖解說明目的，一「z」軸經展示為定子100中之不同層之堆疊方向，且一垂直軸「r」經展示為沿著其剖面。如所見，定子100可包含夾在導電層161a與161b之間的一介電基板162。導通體125在導電層161a與161b之間提供電傳導。另外，一導電導通體(或若干導電導通體) 125由於通常用於此等元件之導電材料(例如，銅、鋁、錫、鎢及衍生化合物)而亦可在層161a與161b之間提供熱傳導。介電基板162可包含用於PCB中之任何材料，諸如包含編織玻璃纖維與一環氧樹脂黏結劑(例如，FR-4及諸如此類)之一複合材料。如圖12中所圖解說明，非陰影區(亦即空隙區)係導電的且導通體125延伸穿過基板，從而提供自基板的一個表面上之跡線至相對表面上之跡線之電接觸。 因此，在某些實施例中，定子100包含位於不同導電層161a及161b上之導電元件111中之至少一者。舉例而言，導電元件111a可係位於定子100之作用區域中且安置於導電層161a上之該複數個導電元件111中之一者。對應地，導電元件111b可係位於定子100之作用區域中且安置於一不同導電層161b上之該複數個導電元件111中之一者。 圖13圖解說明根據某些實施例之定子100之一細節，定子100包含徑向安置於PCS 110上之複數個導電元件111。導電元件152、內迴路有角度地安置於PCS 110上且在此實例性實施例中外迴路係沿著狹縫157分割。此處所圖解說明之內迴路由於較靠近定子之中心可用空間有限而未被分割。在某些實施例中，定子100進一步包含複數個第三導電元件，該複數個第三導電元件以大於r1 之一半徑而自中心原點101朝向周邊102徑向延伸且有角度地安置於PCS 110上，其中該等第三導電元件中之至少一者與該等第二導電元件中之至少一者重合但位於不同導電層上。舉例而言且不失一般性，第三導電元件可包含於導電層161a中，且第二導電元件121b可包含於導電層161b中。 在圖13之所圖解說明實施例中，徑向導電跡線111可終止於一終端連接件191處，即距中心原點101一距離142 (𝑟1 )處。此等連接件在同在申請中之美國申請案第15/199,527中有更詳細地闡述，該申請案被識別並以引用方式併入上文中。 圖14圖解說明接近根據某些實施例之定子100之中心原點101之一內區域之一細節，定子100包含徑向安置之複數個導電元件111及有角度地安置於PCS 110上之導電元件151。由於靠近中心原點101處之空間侷限，因此在某些實施例中僅特定導電元件151電耦合至對應導電元件111。此配置避免在靠近中心原點101處形成毗鄰導電元件(諸如用以增強熱能量耗散之導電元件)之間的非期望電接觸。另外，為了解決PCS 110之內區域之高度受限空間中之熱傳導及電傳導問題，導電元件(諸如端迴路151)可交替或交錯，其中一個端迴路位於一多層PCS 110之一個層上且另一個端迴路位於PCS 110之一毗鄰層上。藉由使在不同導電層中之該等端迴路交錯，可使其向內延伸同時在同一導電層上之毗鄰導電元件之間維持一期望空隙。可構想與此特徵一致之其他交錯組態，舉例而言，透過一導通體連接每第三或第四導電元件。該等導通體不僅可在一單個基板之表面上之導電層之間延伸，而且亦可跨越多個層延伸。 某些實施例在靠近終端結構115之外部分處包含位於層之間的一或多個導通體以提供層之間的電連接。此等導通體通常採用互聯連接，且特定而言與外迴路及內迴路連接以提供裝置所需之繞組結構。此等連接可採用多個導通體或僅一個導通體，該(等)導通體延伸穿過多個層以達成所需電路所必需之連接。因此，一內迴路或外迴路之開始區可位於一第一層上，結束區位於一第二層上，且然後過渡區可包含互聯連接(舉例而言，連接至開始區之一跡線、一導通體或其他層間連接件及連接至結束區之一第二連接跡線)。在此組態中(舉例而言，如在圖7中所展示之組態中)，開始區及結束區之跡線將想要滿足(舉例而言)一隅角方程式之各項。 圖15展示根據某些實施例之連接組態615a之一透視圖。連接組態615a包含位於兩個不同導電層(例如，導電層161a及161b)中之導電元件111a、111b及121a、121b，其等在終端結構115處形成一電耦合。更具體而言，連接組態615a提供導電元件111a、111b與導電元件121a、121b之間的電耦合。 圖16根據某些實施例圖解說明用於製造一定子之一方法800之一流程圖，該定子包含具有至少一個介電層及複數個導電層之一平面複合層(PCS) (舉例而言，定子100、PCS 110、介電基板162、導電層161a、161b)。 與本發明相一致之方法可包含方法800中所圖解說明之步驟中之至少某些步驟但未必係所有步驟，且在某些實施例中可以一不同順序執行該等步驟。此外，與本發明一致之方法可包含如方法800中之至少兩個或兩個以上步驟，該等步驟在時間上重疊地或幾乎同時被執行。 步驟802包含：藉由根據本發明在一介電基板上徑向安置第一導電元件而在PCS之一個表面上形成一第一導電層，每一導電元件自距PCS之一中心原點一第一距離處開始且徑向延伸至一固定外半徑。步驟804包含：藉由安置自距PCS之中心原點一預定距離處徑向延伸之一第二導電元件而在與第一導電層相對的基板之一側上形成一第二導電層。 步驟806包含：在基板之兩個表面上皆形成根據發明之實施例之複數個外端迴路，並根據本發明透過一互聯連接且使用該等外迴路來將第一導電元件耦合至彼此且耦合至第二導電元件。步驟808包含：在基板之兩個表面上皆形成根據本發明之實施例之複數個內端迴路，並根據本發明透過一互聯連接且使用該等內迴路來將第一導電元件耦合至彼此且耦合至第二導電元件。在步驟810中，可在表面連接之間採用導通體或其他連接件。 在某些實施例中，耦合第一導電元件與第二導電元件可包含一熱耦合。此外，耦合可包含具有互聯結構之一連接組態，該互聯結構包含穿過介電基板自一個導電層至另一非毗鄰導電層之導通體(舉例而言，使用導通體125)。 熟習此項技術者將意識到，可在不背離本發明之精神或本質特點之情況下以其他特定形式體現本發明。因此，在所有方面將前述實施例看做說明性的而非對本文中所闡述之本發明之限制。因此，本發明之範疇由隨附申請專利範圍而非由上述說明指示，且因此本發明意欲涵蓋在申請專利範圍之等效內容之含義及範圍內之所有改變。 可單獨地、以組合形式或以在上述內容中所闡述之實施例中未具體論述之各種配置來使用本發明之各個態樣且因此在本申請案中未將本發明之各個態樣限制於前述說明中所陳述或圖式中所圖解說明之細節及組件配置。舉例而言，可以任何方式組合在一項實施例中所闡述之態樣與在其他實施例中所闡述之態樣。 此外，本發明可體現為已被提供一實例之一方法。可以任何適合方式對作為方法之一部分被執行之動作進行排序。因此，可建構其中以與所圖解說明次序不同之一次序執行動作之實施例，該等實施例可包含同時執行某些動作，即使在說明性實施例中經展示為順序動作。 在申請專利範圍中使用諸如「第一」、「第二」、「第三」等次序術語來修飾請求項元件本身並不意味著一請求項元件具有優於另一請求項元件之任何優先性、居先性或次序或執行一方法之動作之時間次序，而僅用作區分具有一特定名稱之一個請求元件與具有同一名稱(除了序數術語之使用)之另一元件以區分請求項元件之標誌。 另外，本文所使用之措辭及術語係出於說明目的並不應視為具備限制性。本文中使用「包含」、「包括」、「具有」、「含有」、「涉及」及其變化形式意指囊括其後所列之物項及其等效物以及額外物項。
100‧‧‧定子
101‧‧‧中心原點
102‧‧‧外周邊/周邊
110‧‧‧平面複合結構/多層平面複合結構
111‧‧‧導電元件/導電跡線/第一導電跡線/跡線/徑向結構/起始跡線/最終跡線/徑向跡線/徑向導電跡線
111a‧‧‧導電元件
111b‧‧‧導電元件
115‧‧‧終端結構
121a‧‧‧導電元件
121b‧‧‧第二導電元件/導電元件
125‧‧‧導通體/導電導通體
140‧‧‧半徑
142‧‧‧半徑/距離
144‧‧‧開始區
148‧‧‧過渡區
150‧‧‧結束區
151‧‧‧內導電迴路/互連端迴路/互連導電跡線/導電元件/端迴路
152‧‧‧互連導電跡線/導電元件
153‧‧‧互連端迴路/互連導電跡線
157‧‧‧狹縫
161a‧‧‧導電層/層
161b‧‧‧導電層/層
162‧‧‧介電基板
191‧‧‧終端連接件
250‧‧‧內隅角
251‧‧‧內邊緣區段
252‧‧‧外隅角邊緣
254‧‧‧開始區
615a‧‧‧連接組態
635‧‧‧巢套端迴路
640‧‧‧內邊緣
642‧‧‧內圓角隅角
645‧‧‧外圓角隅角
650‧‧‧外邊緣
700‧‧‧端匝迴路
704‧‧‧平行路徑
706‧‧‧狹縫/縱向狹縫
710‧‧‧位置
712‧‧‧端匝隅角
713‧‧‧隅角
714‧‧‧x或q指向部分/端迴路
802‧‧‧定子堆疊
1002‧‧‧細長跡線
1004‧‧‧原點
1006‧‧‧表面區
1008‧‧‧表面區
1110‧‧‧原點
r0‧‧‧半徑
r1‧‧‧半徑/外半徑
圖1圖解說明包含一PCS之一定子之一平面圖，該PCS具有至少一個介電層與根據本發明之某些實施例圖解說明之複數個導電層中之一者； 圖2A係針對具有尖銳隅角之一端匝隅角中之電流密度之一FEM解決方案之一彩色圖解說明之一黑白複本； 圖2B係圖2A中所展示之FEM解決方案之一灰度版本； 圖3A係針對具有圓角隅角之一端匝隅角結構中之電流密度之一FEM解決方案之一彩色圖解說明之一黑白複本，其中半徑對應於較小跡線之一半寬度； 圖3B係圖3A中所展示之FEM解決方案之一灰度版本； 圖4A係根據本發明之一實例性實施例之電流密度之一FEM解決方案之一彩色圖解說明的一黑白複本； 圖4B係圖4A中所展示之FEM解決方案之一灰度版本； 圖5圖解說明包含根據具有尖銳隅角之一先前技術結構之一PCS之一定子之一平面圖； 圖6圖解說明包含一PCS之一定子之一平面圖，其中隅角具有一恆定回旋半徑； 圖7圖解說明根據本發明之某些實施例之一定子中之一外迴路連接之細節，每一連接組態包含連接至一過渡區繼而連接至一終端區之一第一開始區； 圖8圖解說明一經極大擴展(沿z軸)馬達定子堆疊； 圖9圖解說明具有被縱向分割之一互連跡線之一端匝迴路； 圖10A係一FEM解決方案之一彩色圖解說明之一黑白複本，該黑白複本展示在無圖9中所圖解說明之窄細長狹縫狀區之情況下的一所得電流密度； 圖10B係圖10A中所展示之FEM解決方案之一灰度版本； 圖11A係一FEM解決方案之一彩色圖解說明之一黑白複本，該黑白複本展示在具有圖9中所圖解說明之窄細長狹縫狀區之情況下的一所得電流密度； 圖11B係圖11A中所展示之FEM解決方案之一灰度版本； 圖12圖解說明根據某些實施例之定子100之一區段之一剖面圖； 圖13圖解說明包含安置於PCS上之複數個導電元件111之定子100之一細節； 圖14圖解說明定子接近中心原點之一內區域之一細節； 圖15圖解說明根據本發明之某些實施例之連接組態之一透視圖；且 圖16係用於製造根據某些實施例之一定子之一方法之一流程圖，該定子包含具有至少一個介電層及複數個導電層之一平面複合層(PCS)。 在圖中，由相同元件符號標示之元件及步驟與相同或類似元件及步驟相關聯，除非另有指示。
100‧‧‧定子
101‧‧‧中心原點
110‧‧‧平面複合結構/多層平面複合結構
111‧‧‧導電元件/導電跡線/第一導電跡線/跡線/徑向結構/起始跡線/最終跡線/徑向跡線/徑向導電跡線
142‧‧‧半徑
710‧‧‧位置
712‧‧‧端匝隅角
713‧‧‧隅角
714‧‧‧x或θ指向部分/端迴路
r1‧‧‧半徑/外半徑

Claims (14)

  1. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，該導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有一開始區、一過渡區、一結束區，且該開始區具有自該第一導電跡線延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段，且該結束區具有自該過渡區延伸至另一導電跡線之一第二圓角內邊緣區段；且 其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自至少部分地由以下隅角方程式表徵 針對開始於及處且被評估為之一隅角：或針對被評估為且結束於及處之一隅角，為等效反射版本：且 其中α係根據該定子之所需實體結構而調整之一參數。
  2. 如請求項1之定子，其中針對該互連件之整個內邊緣區，該隅角方程式由以下單一方程式表徵其中、係該結構在起始跡線處之開始點，、係該結構之結束點，α係該等隅角之該參數，且係該結構主要沿有角度方向延伸所在的半徑。
  3. 如請求項1之定子，其中該定子係一多層定子，且進一步包含 一連接結構，其用於互連一個導電跡線之該開始區與位於一不同層上之一第二導電跡線之該結束區。
  4. 如請求項1之定子，其中兩個毗鄰第一導電跡線之間的角距離係δ弧度，且 α介於0.06 δ弧度與0.2 δ弧度之間的範圍內。
  5. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至第一導電元件中之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有一開始區、一過渡區、一結束區，且該開始區具有：一第一圓角內邊緣區段及一第一圓角外邊緣區段，其等自該第一導電跡線延伸至該過渡區；以及一第二圓角內邊緣區段及一第二圓角外邊緣區段，其等自該過渡區延伸至另一導電跡線；且 其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第一圓角外邊緣區段以及該第二圓角內邊緣區段及該第二圓角外邊緣區段各自至少部分地由一隅角方程式表徵 針對開始於及處且被評估為之一隅角：或針對被評估為且結束於及處之一隅角，為等效反射版本：且 其中α係根據該定子之所需實體結構而調整之一參數。
  6. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至第一導電元件中之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有一開始區、一過渡區、一結束區，且該開始區具有：自該第一導電跡線之外半徑處延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段及自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處之一第二圓角內邊緣區段；且 其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自由一斜率表徵，該斜率係自一個導電跡線至該過渡區之一線性函數，且其中該斜率係自該過渡區至另一導電跡線之一不同線性函數。
  7. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處連接至在其外半徑處之一第一互連件之一開始區，該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有：該開始區、一過渡區及一結束區及自一個導電跡線之該外半徑延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段以及自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處之一第二圓角內邊緣區段；且在該內邊緣與該外邊緣之間的任何點處，在直流激勵下最小電流密度量值不小於沿著該內邊緣與該外邊緣之間通過彼點之最短線評估之最大電流密度量值之50%。
  8. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少兩個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之不同表面上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一層間互連件連接至該等第一導電跡線中位於一不同表面上之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一層間互連件具有位於一第一層上之一開始區、一過渡區及位於一不同層上之一結束區且進一步包括：自一第一導電跡線延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段及自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處之一第二圓角內邊緣區段；且 其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自至少部分地由被設計成減小軸向毗鄰導電表面結構上之寄生電流效應及渦電流效應的一結構表徵。
  9. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至第一導電元件中之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有：一開始區、一過渡區、一結束區及自該經連接第一導電跡線之外半徑處延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段以及將該過渡區連接至另一導電跡線之該外半徑之一第二圓角內邊緣區段；且 其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自由用於減少該互連件之外導電部分中之渦電流之一結構表徵。
  10. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有：一開始區；一過渡區；一結束區；及第一圓角內邊緣區段及第一圓角外邊緣區段，其等自該第一導電跡線延伸至該過渡區；以及第二圓角內邊緣區段及第二圓角外邊緣區段，其等自該過渡區延伸至另一導電跡線之外半徑處；且 其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第一圓角外邊緣區段以及該第二圓角內邊緣區段及該第二圓角外邊緣區段之各別斜率各自由隨自一個導電跡線至另一導電跡線之旋轉角度而變化而單調改變之一斜率值表徵。
  11. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括： 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界，且具有：一開始區；一過渡區；一結束區；以及一第一圓角內邊緣區段及一第一圓角外邊緣區段，其等自該第一導電跡線延伸至該過渡區；以及一第二圓角內邊緣區段及一第二圓角外邊緣區段，其等自該過渡區延伸至另一導電跡線，即該另一導電跡線之該外半徑處；且 其中至少在該互連件的該內邊緣與該外邊緣之間的過渡區中，該互連件具有至少一個狹縫狀細長區，該狹縫狀細長區不會實質上減小自該互連件之一端至該互連件之另一端的電傳導率，且在該互連件之該過渡區中實質上平行於該內邊緣延伸。
  12. 一種定子，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，至少一個導電圖案包括； 複數個第一導電跡線，其各自自一內半徑徑向延伸至一外半徑且有角度地安置於該等介電表面中之一者上； 該等第一導電跡線中之至少一者在其外半徑處藉由一第一互連件連接至該等第一導電跡線中之至少另一者之外半徑處； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有：一開始區、一過渡區及一結束區及自該第一導電跡線延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段以及自該過渡區延伸至該另一導電跡線在該另一導電跡線之該外半徑處之一第二圓角內邊緣區段；且 其中自該第一導電跡線與該開始區之間的連接點至該過渡區之起始點的該互連件之該內邊緣被指定為「CT內邊緣」距離，且在沿著該互連件之該內邊緣自該第一導電跡線朝向該過渡區量測之該CT內邊緣的前20%內，電流密度達到最大電流密度值之至少90%，此係藉由FEA/FEM計算所判定。
  13. 一種印刷電路板，其包括： 一平面複合結構(PCS)，其包括至少一個介電層及位於每一該介電層之一表面上之一導電圖案，該導電圖案包括： 複數個第一導電跡線； 該等第一導電跡線中之至少一者在一第一端處藉由一第一互連件連接至至少另一導電跡線，該等導電跡線之該等經連接端彼此有角度地偏移； 其中至少該第一互連件係由一內邊緣及一外邊緣限界且具有：一開始區、一過渡區、一結束區，且該開始區具有自該第一導電跡線延伸至該過渡區之一第一圓角內邊緣區段，且該結束區具有自該過渡區延伸至另一導電跡線之一第二圓角內邊緣區段；且 其中至少該第一圓角內邊緣區段及該第二圓角內邊緣區段各自至少部分地由以下隅角方程式表徵針對開始於及處且被評估為之一隅角：或針對被評估為且結束於及處之一隅角，為等效反射版本：且 其中α係根據該等經連接跡線之所需實體結構而調整之一參數。
  14. 如請求項13之印刷電路板，其中該板具有一多層結構且該互連件連接位於一第一板層上之一個跡線與位於一第二板層上之一第二跡線。
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