TW201739041A - 放射線檢測器 - Google Patents

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Abstract

本發明之實施形態之放射線檢測器具備：陣列基板，其具有：複數根控制線，其等於第1方向上延伸；複數根資料線，其等於與上述第1方向交叉之第2方向上延伸；及檢測部，其設置於由上述複數根控制線與上述複數根資料線所區劃出之複數個區域各者，且與對應之上述控制線及對應之上述資料線電性連接，直接地或與閃爍體協動地檢測放射線；閘極驅動器，其電性連接於上述複數根控制線各者；驅動控制電路，其對複數個上述閘極驅動器各者產生起始信號與時脈信號，將所產生之複數個上述起始信號與複數個上述時脈信號轉換成第1串列資料；驅動時序產生電路，其電性連接於上述驅動控制電路與上述複數個閘極驅動器之間，將上述第1串列資料復原成複數個上述起始信號與複數個上述時脈信號，並將上述復原後之起始信號與時脈信號發送至對應之上述閘極驅動器；讀出電路，其電性連接於上述複數根資料線各者；圖像資料信號傳輸電路，其將來自複數個上述讀出電路各者之圖像資料信號轉換成第2串列資料；及讀出控制電路，其將上述第2串列資料復原成複數個上述圖像資料信號。

Description

放射線檢測器
本發明之實施形態係關於一種放射線檢測器。
於放射線檢測器，設置有具有多個像素之陣列基板、對像素施加控制信號之驅動控制電路、處理來自像素之圖像資料信號之讀出控制電路、由圖像資料信號構成放射線圖像之圖像處理電路等。 此處，若在電源電路中產生之切換雜訊(低頻雜訊)、在設置於驅動控制電路或讀出控制電路等之數位電路中產生之數位雜訊(高頻雜訊)、由於信號偏斜而產生之雜訊(高頻雜訊)等侵入至讀出控制電路等中，則有所獲得之放射線圖像之品質顯著降低之虞。 該情形時，經由電源線而侵入之雜訊可藉由於電源線設置濾波器而得到降低。 但由於接地線共通，故經由接地線而侵入之雜訊無法去除。 該情形時，若使電源電路中之切換週期與驅動控制電路或讀出控制電路中之掃描週期嚴格地匹配，則可使雜訊不明顯。然而，於因為時序抖動或漂移等而導致雜訊成分變化之情形時，有無法獲得充分之效果之虞。又，於圖像處理電路等中，亦存在不進行與掃描頻率同步之處理之情形。於不進行與掃描頻率同步之處理之情形時，無規雜訊或條紋狀之雜訊便會出現於放射線圖像中。 再進一步，於此種方法中，經由共通化之接地線而侵入之雜訊無法去除。 因此，希望開發出一種可降低雜訊對放射線圖像之影響之放射線檢測器。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2005-87254號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明所欲解決之課題在於：提供一種可降低雜訊對放射線圖像之影響之放射線檢測器。 [解決問題之技術手段] 實施形態之放射線檢測器具備：陣列基板，其具有：複數根控制線，其等於第1方向上延伸；複數根資料線，其等於與上述第1方向交叉之第2方向上延伸；及檢測部，其設置於由上述複數根控制線與上述複數根資料線所區劃出之複數個區域各者，且與對應之上述控制線及對應之上述資料線電性連接，直接地或與閃爍體協動地檢測放射線；閘極驅動器，其電性連接於上述複數根控制線各者；驅動控制電路，其對複數個上述閘極驅動器各者產生起始信號與時脈信號，將所產生之複數個上述起始信號與複數個上述時脈信號轉換成第1串列資料；驅動時序產生電路，其電性連接於上述驅動控制電路與上述複數個閘極驅動器之間，將上述第1串列資料復原成複數個上述起始信號與複數個上述時脈信號，並將上述復原後之起始信號與時脈信號發送至對應之上述閘極驅動器；讀出電路，其電性連接於上述複數根資料線各者；圖像資料信號傳輸電路，其將來自複數個上述讀出電路各者之圖像資料信號轉換成第2串列資料；及讀出控制電路，其將上述第2串列資料復原成複數個上述圖像資料信號。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行例示。再者，於各圖式中，對於相同之構成要素標註相同之符號，並適當省略詳細之說明。 本實施形態之放射線檢測器除可應用於X射線之外，亦可應用於γ射線等各種放射線。此處，作為一例，以作為放射線中之代表的X射線之情形為例進行說明。因此，藉由將以下實施形態之「X射線」換成「其他放射線」，可使本發明亦應用於其他放射線。 又，以下所例示之X射線檢測器1係檢測作為放射線圖像之X射線圖像之X射線平面感測器。於X射線平面感測器中，粗略地分為直接轉換方式與間接轉換方式。 直接轉換方式係將藉由入射X射線而於光導電膜內部產生之光導電電荷(信號電荷)藉由高電場直接引導至電荷儲存用之儲存電容器之方式。 間接轉換方式係將X射線藉由閃爍體轉換成螢光(可見光)，再將螢光藉由光電二極體等光電轉換元件轉換成信號電荷，而將信號電荷引導至儲存電容器之方式。 以下，作為一例，例示間接轉換方式之X射線檢測器1，但本發明亦可應用於直接轉換方式之X射線檢測器。 即，X射線檢測器只要具有直接地或與閃爍體協動地檢測X射線之檢測部即可。 又，X射線檢測器1可用於例如一般醫療用途等，但於用途方面並無限定。 圖1係用以例示X射線檢測器1之模式立體圖。 圖2係X射線檢測器1之方塊圖。 圖3係陣列基板2之電路圖。 如圖1～圖3所示，於X射線檢測器1，設置有陣列基板2、閃爍體3、信號處理部4、及控制處理部5。 陣列基板2將藉由閃爍體3自X射線轉換而成之螢光(可見光)轉換成電信號。 陣列基板2具有基板2a、光電轉換部2b、控制線(或閘極線)2c1、及資料線(或信號線)2c2。 基板2a呈板狀，且由無鹼玻璃等透光性材料形成。 光電轉換部2b於基板2a之一表面設置有複數個。 光電轉換部2b呈矩形狀，且設置於由控制線2c1與資料線2c2所區劃出之區域。複數個光電轉換部2b呈矩陣狀排列。 再者，1個光電轉換部2b對應於1個像素(pixel)。 又，光電轉換部2b成為與閃爍體3協動而檢測X射線之檢測部。 於複數個光電轉換部2b各者，設置有光電轉換元件2b1、及作為開關元件之薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)2b2。 又，如圖3所示，可設置儲存於光電轉換元件2b1中轉換而成之信號電荷之儲存電容器2b3。儲存電容器2b3例如呈矩形平板狀，且可設置於各薄膜電晶體2b2之下。惟光電轉換元件2b1可兼作儲存電容器2b3，視光電轉換元件2b1之容量而定。 光電轉換元件2b1例如可設為光電二極體等。 薄膜電晶體2b2係切換由螢光入射至光電轉換元件2b1而產生之電荷之儲存及釋放。薄膜電晶體2b2可設為包含非晶矽(a-Si)或多晶矽(P-Si)等半導體材料者。薄膜電晶體2b2具有閘極電極2b2a、源極電極2b2b及汲極電極2b2c。薄膜電晶體2b2之閘極電極2b2a與對應之控制線2c1電性連接。薄膜電晶體2b2之源極電極2b2b與對應之資料線2c2電性連接。薄膜電晶體2b2之汲極電極2b2c與對應之光電轉換元件2b1及儲存電容器2b3電性連接。 控制線2c1分開特定間隔而相互平行地設置有複數根。控制線2c1例如於列方向(相當於第1方向之一例)上延伸。 1根控制線2c1與設置於基板2a之周緣附近的複數個配線墊2d1中之1個電性連接。於1個配線墊2d1，電性連接有設置於軟性印刷基板2e1之複數根配線中之1根。設置於軟性印刷基板2e1之複數根配線之另一端與設置於信號處理部4之閘極驅動器GD分別電性連接。 資料線2c2分開特定間隔而相互平行地設置有複數根。資料線2c2例如於與列方向正交之行方向(相當於第2方向之一例)上延伸。 1根資料線2c2與設置於基板2a之周緣附近的複數個配線墊2d2中之1個電性連接。於1個配線墊2d2，電性連接有設置於軟性印刷基板2e2之複數根配線中之1根。設置於軟性印刷基板2e2之配線之另一端與設置於信號處理部4之讀出電路RO電性連接。 控制線2c1及資料線2c2例如可使用鋁或鉻等低電阻金屬而形成。 保護層2f覆蓋光電轉換部2b、控制線2c1、及資料線2c2。 保護層2f例如包含氧化物絕緣材料、氮化物絕緣材料、氮氧化物絕緣材料、及樹脂材料中至少1種。 氧化物絕緣材料例如為氧化矽、氧化鋁等。 氮化物絕緣材料例如為氮化矽、氮化鋁等。 氮氧化物絕緣材料例如為氮氧化矽等。 樹脂材料例如為丙烯酸系樹脂等。 閃爍體3設置於複數個光電轉換元件2b1之上，將入射之X射線轉換成可見光即螢光。閃爍體3係以覆蓋基板2a上之設置有複數個光電轉換部2b之區域(有效像素區域)之方式而設置。 閃爍體3例如可使用摻鉈碘化銫(CsI：Tl)、或摻鉈碘化鈉(NaI：Tl)等而形成。該情形時，若使用真空蒸鍍法等形成閃爍體3，則形成包含複數個柱狀結晶之集合體之閃爍體3。 閃爍體3之厚度尺寸例如可設為600 μm左右。柱狀結晶之柱(pillar)之粗度尺寸可設為例如於最表面係8 μm～12 μm左右。 又，閃爍體3例如亦可使用硫氧化釓(Gd2 O2 S)等而形成。該情形時，例如可如以下所述般形成閃爍體3。首先，將包含硫氧化釓之粒子與黏合材料混合。其次，以覆蓋有效像素區域之方式塗佈混合而得之材料。其次，對塗佈後之材料進行焙燒。其次，使用刀片切割法(plate dicing)等，於焙燒後之材料上形成槽部。此時，能以針對每複數個光電轉換部2b設置四角柱狀之閃爍體3之方式而形成矩陣狀之槽部。可使槽部充滿大氣(空氣)、或抗氧化用之氮氣等惰性氣體。又，亦可使槽部為真空狀態。 此外，為提高螢光之利用效率以改善感度特性，能以覆蓋閃爍體3之表面側(X射線之入射面側)之方式設置未圖示之反射層。 又，為藉由空氣中所含有之水蒸氣抑制閃爍體3之特性與未圖示之反射層之特性劣化，可設置覆蓋閃爍體3與未圖示之反射層之未圖示之防潮體。 此處，於說明信號處理部4及控制處理部5之前，對比較例之X射線檢測器100進行說明。 圖4係比較例之X射線檢測器100之方塊圖。 如圖4所示，於X射線檢測器100，設置有陣列基板2、閃爍體3、系統電源電路101、驅動控制電路102、讀出控制電路103、及圖像處理電路104。 系統電源電路101具有DC/DC(Direct Current/Direct Current，直流/直流)轉換器等，將自外部供給之直流電壓轉換成特定之直流電壓。系統電源電路101將轉換而成之直流電壓施加於驅動控制電路102、讀出控制電路103、圖像處理電路104、閘極驅動器GD、及讀出電路RO。 驅動控制電路102按照X射線圖像之掃描方向，將控制信號發送至對應之閘極驅動器GD。 閘極驅動器GD接收到來自驅動控制電路102之控制信號後，將電壓施加於對應之控制線2c1。 複數個讀出電路RO各自具有積分放大器與類比-數位轉換器。讀出電路RO將所讀出之圖像資料信號放大，再將放大後之圖像資料信號(類比信號)轉換成數位信號。轉換成數位信號後之圖像資料信號被發送至讀出控制電路103。 讀出控制電路103將所接收到之圖像資料信號發送至圖像處理電路104。 圖像處理電路104基於來自讀出控制電路103之圖像資料信號而構成X射線圖像。 此處，設置於系統電源電路101之DC/DC轉換器雖能藉由電流之切換而產生特定之直流電壓，但於切換時會產生切換雜訊(低頻雜訊)。若所產生之切換雜訊經由電源線101a或接地線101b而侵入至設置於光電轉換部2b之光電轉換元件2b1或薄膜電晶體2b2、或者設置於讀出電路RO之積分放大器等類比電路中，則有所獲得之X射線圖像之品質顯著降低之虞。 該情形時，若於電源線101a設置濾波器，則可降低經由電源線101a而侵入至對雜訊敏感之類比電路(例如讀出電路RO等)中之雜訊。然而，如圖4所示，接地線101b共通，故無法去除經由接地線101b而侵入至類比電路中之雜訊。 又，設置於陣列基板2之光電轉換部2b之數量為數百萬個左右。因此，需要多個閘極驅動器GD或讀出電路RO，且需要用以控制多個閘極驅動器GD或讀出電路RO之複雜且大規模之數位電路。 於數位電路中產生高頻之數位雜訊。若所產生之數位雜訊經由信號線102a、103a或接地線101b而侵入至設置於讀出電路RO之積分放大器等類比電路中，則有所獲得之X射線圖像之品質顯著降低之虞。 又，雖藉由進行2維掃描減少了信號線102a、103a之數量，但閘極驅動器GD與驅動控制電路102之連接、讀出電路RO與讀出控制電路103之連接需要數十根～數百根信號線102a、103a。因此，容易產生由信號偏斜所導致之雜訊。若所產生之雜訊經由接地線101b而侵入至設置於讀出電路RO之積分放大器等類比電路中，則有所獲得之放射線圖像之品質顯著降低之虞。 因此，於本實施形態之X射線檢測器1中，使信號處理部4與控制處理部5直流性地分離。又，進而減少信號線之數量。 如圖1所示，信號處理部4設置於陣列基板2之與設置閃爍體3之側相反之側。 又，如圖2所示，於信號處理部4，設置有電源電路41、驅動時序產生電路42、圖像資料信號傳輸電路43、複數個閘極驅動器GD、及複數個讀出電路RO。 複數個閘極驅動器GD電性連接於複數根控制線2c1各者。 複數個讀出電路RO電性連接於複數根資料線2c2各者。 圖5係電源電路41之方塊圖。 如圖5所示，於電源電路41，設置有DC-AC(Direct Current-Alternating Current，直流-交流)轉換部41a、變壓器41b、整流部41c、及電容器41d(相當於第3電容器之一例)。 DC-AC轉換部41a將自系統電源電路51供給之直流電壓轉換成交流電壓。 DC-AC轉換部41a具有振盪電路41a1與開關元件41a2。 振盪電路41a1以特定頻率使開關元件41a2接通/斷開。 開關元件41a2藉由切換電流而向變壓器41b之一次側流通脈衝狀之電流。開關元件41a2例如可設為雙極電晶體、絕緣閘雙極電晶體(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應電晶體)、閘極截止閘流體(GTO，Gate Turn-off Thyristor)等。 變壓器41b之一次側與DC-AC轉換部41a電性連接，二次側與複數個讀出電路RO電性連接。 變壓器41b例如可設為絕緣變壓器、屏蔽變壓器等。 整流部41c電性連接於變壓器41b之二次側與複數個讀出電路RO之間。整流部41c對在變壓器41b之二次側流通之交流電流進行整流。整流部41c於變壓器41b之二次側，將交流電壓轉換成直流電壓。 電容器41d電性連接於整流部41c與接地線44之間。 於電源電路41中設置有變壓器41b，故可將信號處理部4與控制處理部5之系統電源電路51直流性地分離。因此，藉由變壓器41b，可抑制在設置於系統電源電路51之DC/DC轉換器中產生之切換雜訊(低頻雜訊)侵入至設置於光電轉換部2b之光電轉換元件2b1或薄膜電晶體2b2中。又，亦可抑制在DC-AC轉換部41a中產生之切換雜訊侵入至設置於光電轉換部2b之光電轉換元件2b1或薄膜電晶體2b2中。 又，於電源電路41中設置有電容器41d，故可抑制雜訊經由接地線44而侵入至設置於光電轉換部2b之光電轉換元件2b1或薄膜電晶體2b2中。 圖6係驅動時序產生電路42之方塊圖。 驅動時序產生電路42電性連接於驅動控制電路52與複數個閘極驅動器GD之間。 驅動時序產生電路42將來自下述之驅動控制電路52之串列資料(相當於第1串列資料之一例)復原成複數個起始信號(用以指示開始掃描之時序之信號)與複數個時脈信號(用以切換控制線2c1之信號)，且將復原後之起始信號與時脈信號發送至對應之閘極驅動器GD。 如圖6所示，於驅動時序產生電路42，設置有緩衝器42a1、42a2、反相器42b1、42b2、電容器42c1、42c2、42c3、42c4(相當於第1電容器之一例)、作動放大器42d1、42d2、分頻電路42e、及移位暫存器42f。 自驅動控制電路52發送之起始信號被輸入至緩衝器42a1與反相器42b1。再者，緩衝器42a1並非必需，亦可予以省略。反相器42b1使所接收到之起始信號反轉。作動放大器42d1計算經由電容器42c1而接收到之來自緩衝器42a1之起始信號與經由電容器42c2而接收到之來自反相器42b1之反轉信號的差，再產生起始信號。 自驅動控制電路52發送之時脈信號被輸入至緩衝器42a2與反相器42b2。再者，緩衝器42a2並非必需，亦可予以省略。反相器42b2使所接收到之時脈信號反轉。作動放大器42d2計算經由電容器42c3而接收到之來自緩衝器42a2之時脈信號與經由電容器42c4而接收到之來自反相器42b2之反轉信號的差，再產生時脈信號。再產生之時脈信號發送至分頻電路42e與閘極驅動器GD。分頻電路42e將所接收到之時脈信號轉換成具有特定頻率之時脈信號，並將其發送至移位暫存器42f。 移位暫存器42f從來自作動放大器42d1之起始信號與來自分頻電路42e之時脈信號，而針對每複數個閘極驅動器GD產生控制信號S1。移位暫存器42f將所產生之控制信號S1依序發送至各閘極驅動器GD。 閘極驅動器GD接收到控制信號S1後，將電壓施加於對應之控制線2c1。電壓被施加於控制線2c1後，薄膜電晶體2b2成為導通狀態，從而可接收來自光電轉換元件2b1之信號電荷(圖像資料信號S2)。 此處，驅動時序產生電路42於接收串列資料之側，具有電容器42c1、42c2、42c3、42c4。因此，可將信號處理部4與控制處理部5直流性地分離。其結果，可抑制低頻雜訊自信號處理部4侵入至控制處理部5中。 又，在設置於比較例之X射線檢測器100之驅動控制電路102之情形時，以接地電位為基準而產生起始信號與時脈信號。因此，驅動控制電路102、系統電源電路101、及閘極驅動器GD連接於共通之接地線101b。其結果，有於系統電源電路101中產生之切換雜訊經由接地線101b而侵入至閘極驅動器GD中之虞。 相對於此，於驅動時序產生電路42之情形時，以藉由反相器42b1、42b2產生之反轉信號為基準而產生起始信號與時脈信號。因此，連接有系統電源電路51之接地線55與連接有驅動控制電路42及閘極驅動器GD之接地線44分離。其結果，可抑制於系統電源電路51中產生之切換雜訊侵入至閘極驅動器GD中。 又，驅動控制電路52與驅動時序產生電路42之間只要利用2根信號線加以連接即可，故可抑制由信號偏斜所導致之雜訊之產生。又，驅動控制電路52無需用以產生針對多個閘極驅動器GD之信號的複雜且大規模之數位電路，故可謀求設置於驅動控制電路52之數位電路之簡化。因此，可抑制於驅動控制電路52中產生高頻之數位雜訊。 圖7係圖像資料信號傳輸電路43之方塊圖。 圖像資料信號傳輸電路43將來自複數個讀出電路RO各者之圖像資料信號S2轉換成串列資料(相當於第2串列資料之一例)。 如圖7所示，於圖像資料信號傳輸電路43，設置有倍增電路43a、並行-串列轉換電路43b、緩衝器43c1、43c2、反相器43d1、43d2、電容器43e1、43e2、43e3、43e4(相當於第2電容器之一例)、及作動放大器43f1、43f2。 首先，藉由N個讀出電路RO而讀出N個圖像資料信號S2。圖像資料信號S2係與讀出時脈信號同步輸出。 又，N個讀出電路RO各自具有積分放大器與類比-數位轉換器。讀出電路RO將所讀出之圖像資料信號S2放大，再將放大後之圖像資料信號S2(類比信號)轉換成數位信號。轉換成數位信號後之圖像資料信號S2被發送至並行-串列轉換電路43b。 倍增電路43a產生具有讀出時脈信號之頻率之N倍之頻率的傳輸時脈信號。傳輸時脈信號被發送至並行-串列轉換電路43b、緩衝器43c2、及反相器43d2。 並行-串列轉換電路43b與傳輸時脈信號對應地自N個圖像資料信號S2選擇性地依序輸出圖像資料信號S2。即，並行-串列轉換電路43b將N個並行資料轉換成串列資料。 轉換而成之串列資料(圖像資料信號S2)被輸入至緩衝器43c1與反相器43d。再者，緩衝器43c1並非必需，亦可予以省略。反相器43d1使所接收到之信號反轉。作動放大器43f1計算經由電容器43e1而接收到之來自緩衝器43c1之信號與經由電容器43e2而接收到之來自反相器43d1之反轉信號的差，產生用以發送至控制處理部5之傳輸資料。 又，傳輸時脈信號被輸入至緩衝器43c2與反相器43d2。再者，緩衝器43c2並非必需，亦可予以省略。反相器43d2使所接收到之傳輸時脈信號反轉。作動放大器43f2計算經由電容器43e3而接收到之來自緩衝器43c2之傳輸時脈信號與經由電容器43e4而接收到之來自反相器43d2之反轉信號的差，產生用以發送至控制處理部5之傳輸時脈信號。 圖像資料信號傳輸電路43於發送串列資料之側，具有電容器43e1、43e2、43e3、43e4。因此，可將信號處理部4與控制處理部5直流性地分離。其結果，可抑制低頻雜訊自信號處理部4侵入至控制處理部5中。 又，於比較例之X射線檢測器100之情形時，以接地電位為基準而產生用以發送至讀出控制電路103之資料信號。因此，系統電源電路101、讀出控制電路103、及讀出電路RO連接於共通之接地線101b。其結果，有於系統電源電路101中產生之切換雜訊經由接地線101b而侵入至讀出電路RO中之虞。 相對於此，於圖像資料信號傳輸電路43之情形時，以藉由反相器43d1、43d2產生之反轉信號為基準而產生傳輸資料與傳輸時脈信號。因此，連接有系統電源電路51之接地線55與連接有圖像資料信號傳輸電路43及讀出電路RO之接地線44分離。其結果，可抑制於系統電源電路51中產生之切換雜訊侵入至讀出電路RO中。 又，讀出控制電路53與圖像資料信號傳輸電路43之間只要利用2根信號線加以連接即可，故可抑制由信號偏斜所導致之雜訊之產生。又，讀出控制電路53無需用以處理來自多個讀出電路RO之信號的複雜且大規模之數位電路，故可謀求設置於讀出控制電路53之數位電路之簡化。因此，可抑制於讀出控制電路53中產生高頻之數位雜訊。 如圖2所示，於控制處理部5，設置有系統電源電路51、驅動控制電路52、讀出控制電路53、及圖像處理電路54。 系統電源電路51具有DC/DC轉換器等，將自外部供給之直流電壓轉換成特定之直流電壓。系統電源電路將轉換而成之直流電壓施加於電源電路41、驅動控制電路52、讀出控制電路53、及圖像處理電路54。 驅動控制電路52對複數個閘極驅動器GD各者產生起始信號與時脈信號。又，驅動控制電路52將所產生之複數個起始信號與複數個時脈信號轉換成串列資料。驅動控制電路52將串列資料發送至驅動時序產生電路42。 讀出控制電路53將來自圖像資料信號傳輸電路43之串列資料轉換成N個並行資料，並將轉換而成之並行資料發送至圖像處理電路54。 讀出控制電路53將來自圖像資料信號傳輸電路43之串列資料復原成複數個圖像資料信號S2。 如圖7所示，於讀出控制電路53，設置有分頻電路53a、串列-並行轉換電路53b、及發送電路53c。 分頻電路53a產生具有所收傳輸時脈信號之頻率之1/N倍之頻率的時脈信號。所產生之時脈信號被發送至串列-並行轉換電路53b及發送電路53c。 串列-並行轉換電路53b與時脈信號對應地將串列資料(圖像資料信號S2)轉換成N個並行資料。 發送電路53c將轉換而成之並行資料發送至圖像處理電路54。 圖像處理電路54基於來自讀出控制電路53之圖像資料信號S2(並行資料)而構成X射線圖像。 其次，對雜訊之降低效果進行說明。 圖8(a)～(d)係用以例示比較例之X射線檢測器100中之雜訊之曲線圖。 再者，圖8(a)表示電源線101a中之切換雜訊(低頻雜訊)。圖8(b)表示接地線101b中之切換雜訊(低頻雜訊)。圖8(c)表示於控制處理部5側產生之數位雜訊或由於信號偏斜而產生之雜訊等高頻雜訊。圖8(d)表示接地線101b中之合成後之雜訊。 如上所述，對於對雜訊敏感之類比電路(例如讀出電路RO等)，藉由於電源線101a設置濾波器，可降低經由電源線101a而侵入之雜訊。即，圖8(a)中例示之雜訊可被降低。 然而，如圖4所示，接地線101b共通，故無法去除經由接地線101b而侵入之雜訊。因此，圖8(b)、(c)中例示之雜訊無法降低，圖8(d)中例示之雜訊會經由接地線101b而侵入至讀出電路RO等中。 圖9(a)～(e)係用以例示設置有電源電路41之情形時之雜訊之曲線圖。 再者，圖9(a)表示電源線56中之切換雜訊(低頻雜訊)。圖9(b)表示接地線55中之切換雜訊(低頻雜訊)。圖9(c)表示於控制處理部5側產生之數位雜訊或由於信號偏斜而產生之雜訊等高頻雜訊。圖9(d)表示接地線44中之低頻雜訊之狀態。圖9(e)表示接地線44中之合成後之雜訊。 若設置電源電路41，則可將信號處理部4之接地線44與控制處理部5之接地線55分離。因此，如圖9(d)所示，可抑制於系統電源電路51中產生之切換雜訊(低頻雜訊)侵入至接地線44中。 該情形時，若未設置驅動時序產生電路42及圖像資料信號傳輸電路43，則有圖9(c)中例示之高頻雜訊侵入至接地線44中之虞。若高頻雜訊侵入至接地線44中，則有圖9(e)中例示之雜訊經由接地線44等而侵入至讀出電路RO等中之虞。 圖10(a)～(f)係用以例示設置有電源電路41、驅動時序產生電路42、及圖像資料信號傳輸電路43之情形時之雜訊之曲線圖。 再者，圖10(a)表示電源線56中之切換雜訊(低頻雜訊)。圖10(b)表示接地線55中之切換雜訊(低頻雜訊)。圖10(c)表示接地線44中之低頻雜訊之狀態。圖10(d)表示於控制處理部5側產生之數位雜訊或由於信號偏斜而產生之雜訊等高頻雜訊。圖10(e)表示信號處理部4側之信號線中之高頻雜訊之狀態。圖10(f)表示接地線44中之合成後之雜訊。 若設置電源電路41，則可將信號處理部4之接地線44與控制處理部5之接地線55分離。因此，如圖10(c)所示，可抑制於系統電源電路51中產生之切換雜訊(低頻雜訊)侵入至接地線44中。 再進一步，若設置驅動時序產生電路42及圖像資料信號傳輸電路43，則驅動控制電路52與驅動時序產生電路42之間可利用2根信號線加以連接，讀出控制電路53與圖像資料信號傳輸電路43之間亦可利用2根信號線加以連接。因此，如圖10(e)所示，可抑制於控制處理部5側產生之高頻雜訊侵入至信號處理部4側之信號線中。其結果，如圖10(f)所示，可大幅降低經由接地線44而侵入至讀出電路RO等中之雜訊。 以上，例示了本發明之若干實施形態，但該等實施形態係作為示例而提出，並非意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態能以其他各種形態加以實施，且可於不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、替換、及變更等。該等實施形態及其變化例包含於發明之範圍及主旨中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。又，上述各實施形態可相互組合而實施。
1‧‧‧X射線檢測器
2‧‧‧陣列基板
2a‧‧‧基板
2b‧‧‧光電轉換部
2b1‧‧‧光電轉換元件
2b2‧‧‧薄膜電晶體
2b2a‧‧‧閘極電極
2b2b‧‧‧源極電極
2b2c‧‧‧汲極電極
2b3‧‧‧儲存電容器
2c1‧‧‧控制線
2c2‧‧‧資料線
2d1‧‧‧配線墊
2e1‧‧‧軟性印刷基板
2e2‧‧‧軟性印刷基板
2f‧‧‧保護層
3‧‧‧閃爍體
4‧‧‧信號處理部
5‧‧‧控制處理部
41‧‧‧電源電路
41a‧‧‧DC-AC轉換部
41a1‧‧‧振盪電路
41a2‧‧‧開關元件
41b‧‧‧變壓器
41c‧‧‧整流部
41d‧‧‧電容器
42‧‧‧驅動時序產生電路
42a1‧‧‧緩衝器
42a2‧‧‧緩衝器
42b1‧‧‧反相器
42b2‧‧‧反相器
42c1‧‧‧電容器
42c2‧‧‧電容器
42c3‧‧‧電容器
42c4‧‧‧電容器
42d1‧‧‧作動放大器
42d2‧‧‧作動放大器
42e‧‧‧分頻電路
42f‧‧‧移位暫存器
43‧‧‧圖像資料信號傳輸電路
43a‧‧‧倍增電路
43b‧‧‧並行-串列轉換電路
43c1‧‧‧緩衝器
43c2‧‧‧緩衝器
43d1‧‧‧反相器
43d2‧‧‧反相器
43e1‧‧‧電容器
43e2‧‧‧電容器
43e3‧‧‧電容器
43e4‧‧‧電容器
43f1‧‧‧作動放大器
43f2‧‧‧作動放大器
44‧‧‧接地線
51‧‧‧系統電源電路
52‧‧‧驅動控制電路
53‧‧‧讀出控制電路
53a‧‧‧分頻電路
53b‧‧‧串列-並行轉換電路
53c‧‧‧發送電路
54‧‧‧圖像處理電路
55‧‧‧接地線
56‧‧‧電源線
100‧‧‧X射線檢測器
101‧‧‧系統電源電路
101a‧‧‧電源線
101b‧‧‧接地線
102‧‧‧驅動控制電路
102a‧‧‧信號線
103‧‧‧讀出控制電路
103a‧‧‧信號線
104‧‧‧圖像處理電路
GD‧‧‧閘極驅動器
RO‧‧‧讀出電路
S1‧‧‧控制信號
S2‧‧‧圖像資料信號
圖1係用以例示X射線檢測器1之模式立體圖。 圖2係X射線檢測器1之方塊圖。 圖3係陣列基板2之電路圖。 圖4係比較例之X射線檢測器100之方塊圖。 圖5係電源電路41之方塊圖。 圖6係驅動時序產生電路42之方塊圖。 圖7係圖像資料信號傳輸電路43之方塊圖。 圖8(a)～(d)係用以例示比較例之X射線檢測器100中之雜訊之曲線圖。 圖9(a)～(e)係用以例示設置有電源電路41之情形時之雜訊之曲線圖。 圖10(a)～(f)係用以例示設置有電源電路41、驅動時序產生電路42、及圖像資料信號傳輸電路43之情形時之雜訊之曲線圖。
1‧‧‧X射線檢測器
2‧‧‧陣列基板
2e1‧‧‧軟性印刷基板
2e2‧‧‧軟性印刷基板
3‧‧‧閃爍體
4‧‧‧信號處理部
5‧‧‧控制處理部
41‧‧‧電源電路
42‧‧‧驅動時序產生電路
43‧‧‧圖像資料信號傳輸電路
44‧‧‧接地線
51‧‧‧系統電源電路
52‧‧‧驅動控制電路
53‧‧‧讀出控制電路
53a‧‧‧分頻電路
53b‧‧‧串列-並行轉換電路
53c‧‧‧發送電路
54‧‧‧圖像處理電路
55‧‧‧接地線
56‧‧‧電源線
GD‧‧‧閘極驅動器
RO‧‧‧讀出電路

Claims (5)

  1. 一種放射線檢測器，其具備： 陣列基板，其具有：複數根控制線，其等於第1方向上延伸；複數根資料線，其等於與上述第1方向交叉之第2方向上延伸；及檢測部，其設置於由上述複數根控制線與上述複數根資料線所區劃出之複數個區域各者，且與對應之上述控制線及對應之上述資料線電性連接，直接地或與閃爍體協動地檢測放射線； 閘極驅動器，其電性連接於上述複數根控制線各者； 驅動控制電路，其對複數個上述閘極驅動器各者產生起始信號與時脈信號，並將所產生之複數個上述起始信號與複數個上述時脈信號轉換成第1串列資料； 驅動時序產生電路，其電性連接於上述驅動控制電路與上述複數個閘極驅動器之間，將上述第1串列資料復原成複數個上述起始信號與複數個上述時脈信號，將上述復原後之起始信號與時脈信號發送至對應之上述閘極驅動器； 讀出電路，其電性連接於上述複數根資料線各者； 圖像資料信號傳輸電路，其將來自複數個上述讀出電路各者之圖像資料信號轉換成第2串列資料；及 讀出控制電路，其將上述第2串列資料復原成複數個上述圖像資料信號。
  2. 如請求項1之放射線檢測器，其進而具備： 系統電源電路，其將自外部供給之直流電壓轉換成特定之直流電壓； DC-AC轉換部，其將自上述系統電源電路供給之直流電壓轉換成交流電壓； 變壓器，其一次側與上述DC-AC轉換部電性連接，二次側與上述複數個讀出電路電性連接；及 整流部，其電性連接於上述變壓器之二次側與上述複數個讀出電路之間。
  3. 如請求項1或2之放射線檢測器，其中上述驅動時序產生電路於接收上述第1串列資料之側，具有第1電容器。
  4. 如請求項1至3中任一項之放射線檢測器，其中上述圖像資料信號傳輸電路於發送上述第2串列資料之側，具有第2電容器。
  5. 如請求項2至4中任一項之放射線檢測器，其進而具備電性連接於上述整流部與接地線之間之第3電容器。
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