JP2019113443A - 放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数種類のインターフェース回路を有していても消費電力の低減を図ることができる放射線検出器を提供することである。【解決手段】実施形態に係る放射線検出器は、放射線を直接的またはシンチレータと協働して検出する複数の検出部を有するアレイ基板と、複数種類のインターフェース回路と、を備えている。前記複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、前記インターフェース回路の外部の機器との接続側における電位差および電流の少なくともいずれかを測定する測定器と、前記インターフェース回路の外部の機器との接続側とは反対側に設けられた開閉スイッチと、が電気的に接続されている。【選択図】図4
Description
本発明の実施形態は、放射線検出器に関する。
放射線検出器の一例にX線検出器がある。X線検出器には、X線を電気的な情報に変換する検出部、変換された情報を読み出すための回路、読み出された情報に基づいてX線画像を構成する回路などが設けられている。
また、X線検出器には、X線検出器を使用するユーザが保有する機器との通信を行うためのインターフェース回路が設けられている。
また、X線検出器には、X線検出器を使用するユーザが保有する機器との通信を行うためのインターフェース回路が設けられている。
ここで、インターフェースの方式にはいくつかの種類がある。そのため、外部の機器とX線検出器との間でデータの通信を行うためには、同じインターフェースの方式を用いる必要がある。ところが、機器によってはインターフェースの方式が異なる場合がある。この場合、X線検出器に複数種類のインターフェース回路を設ければ、汎用性を高めることができる。しかしながら、複数種類のインターフェース回路をX線検出器に設けると、使用されていないインターフェース回路にも電流が流れることになる。そのため、消費電力の低減が図れないという新たな課題が生じる。
そこで、複数種類のインターフェース回路を有していても消費電力の低減を図ることができる技術の開発が望まれていた。
そこで、複数種類のインターフェース回路を有していても消費電力の低減を図ることができる技術の開発が望まれていた。
本発明が解決しようとする課題は、複数種類のインターフェース回路を有していても消費電力の低減を図ることができる放射線検出器を提供することである。
実施形態に係る放射線検出器は、放射線を直接的またはシンチレータと協働して検出する複数の検出部を有するアレイ基板と、複数種類のインターフェース回路と、を備えている。前記複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、前記インターフェース回路の外部の機器との接続側における電位差および電流の少なくともいずれかを測定する測定器と、前記インターフェース回路の外部の機器との接続側とは反対側に設けられた開閉スイッチと、が電気的に接続されている。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
また、以下に例示をするX線検出器1は、X線平面センサである。X線平面センサには、大きく分けて直接変換方式と間接変換方式がある。
間接変換方式のX線検出器には、例えば、複数の光電変換部を有するアレイ基板と、複数の光電変換部の上に設けられX線を蛍光(可視光)に変換するシンチレータとが設けられている。間接変換方式のX線検出器においては、外部から入射したX線はシンチレータにより蛍光に変換される。発生した蛍光は、光電変換部により信号電荷に変換される。
直接変換方式のX線検出器には、例えば、アモルファスセレンなどからなる光電変換膜が設けられている。直接変換方式のX線検出器においては、外部から入射したX線は、光電変換膜に吸収され、信号電荷に直接変換される。
間接変換方式のX線検出器には、例えば、複数の光電変換部を有するアレイ基板と、複数の光電変換部の上に設けられX線を蛍光(可視光)に変換するシンチレータとが設けられている。間接変換方式のX線検出器においては、外部から入射したX線はシンチレータにより蛍光に変換される。発生した蛍光は、光電変換部により信号電荷に変換される。
直接変換方式のX線検出器には、例えば、アモルファスセレンなどからなる光電変換膜が設けられている。直接変換方式のX線検出器においては、外部から入射したX線は、光電変換膜に吸収され、信号電荷に直接変換される。
以下においては、一例として、間接変換方式のX線検出器1を例示するが、本発明は直接変換方式のX線検出器にも適用することができる。なお、直接変換方式のX線検出器には既知の技術を適用することができるので詳細な説明は省略する。
すなわち、X線検出器は、X線を電気的な情報に変換する検出部を有するものであれば良い。検出部は、例えば、X線を直接的またはシンチレータと協働して検出するものとすることができる。
X線検出器1は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、X線検出器1の用途は、一般医療に限定されるわけではない。
すなわち、X線検出器は、X線を電気的な情報に変換する検出部を有するものであれば良い。検出部は、例えば、X線を直接的またはシンチレータと協働して検出するものとすることができる。
X線検出器1は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、X線検出器1の用途は、一般医療に限定されるわけではない。
図1は、本実施の形態に係るX線検出器1を例示するための模式斜視図である。
図2は、アレイ基板2の回路図である。
図3は、X線検出器1のブロック図である。
図1〜図3に示すように、X線検出器1には、アレイ基板2、回路基板3、シンチレータ4が設けられている。
図2は、アレイ基板2の回路図である。
図3は、X線検出器1のブロック図である。
図1〜図3に示すように、X線検出器1には、アレイ基板2、回路基板3、シンチレータ4が設けられている。
アレイ基板2は、シンチレータ4によりX線から変換された蛍光を信号電荷に変換する。
アレイ基板2は、基板2a、光電変換部2b、制御ライン(又はゲートライン)2c1、データライン(又はシグナルライン)2c2、および保護層2fなどを有する。
なお、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2などの数は例示をしたものに限定されるわけではない。
本実施の形態においては、光電変換部2bがX線をシンチレータ4と協働して検出する検出部となる。
アレイ基板2は、基板2a、光電変換部2b、制御ライン(又はゲートライン)2c1、データライン(又はシグナルライン)2c2、および保護層2fなどを有する。
なお、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2などの数は例示をしたものに限定されるわけではない。
本実施の形態においては、光電変換部2bがX線をシンチレータ4と協働して検出する検出部となる。
基板2aは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部2bは、基板2aの一方の面に複数設けられている。光電変換部2bは、矩形状を呈し、制御ライン2c1とデータライン2c2とにより画された領域に設けられている。複数の光電変換部2bは、マトリクス状に並べられている。なお、1つの光電変換部2bは、X線画像の1つの画素(pixel)に対応する。
光電変換部2bは、基板2aの一方の面に複数設けられている。光電変換部2bは、矩形状を呈し、制御ライン2c1とデータライン2c2とにより画された領域に設けられている。複数の光電変換部2bは、マトリクス状に並べられている。なお、1つの光電変換部2bは、X線画像の1つの画素(pixel)に対応する。
複数の光電変換部2bのそれぞれには、光電変換素子2b1と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)2b2が設けられている。
また、図2に示すように、光電変換素子2b1において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ2b3を設けることができる。蓄積キャパシタ2b3は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ2b2の下に設けることができる。ただし、光電変換素子2b1の容量によっては、光電変換素子2b1が蓄積キャパシタ2b3を兼ねることができる。
また、図2に示すように、光電変換素子2b1において変換した信号電荷を蓄積する蓄積キャパシタ2b3を設けることができる。蓄積キャパシタ2b3は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ2b2の下に設けることができる。ただし、光電変換素子2b1の容量によっては、光電変換素子2b1が蓄積キャパシタ2b3を兼ねることができる。
光電変換素子2b1は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ2b2は、蓄積キャパシタ2b3への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ2b2は、ゲート電極2b2a、ドレイン電極2b2b及びソース電極2b2cを有している。薄膜トランジスタ2b2のゲート電極2b2aは、対応する制御ライン2c1と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のドレイン電極2b2bは、対応するデータライン2c2と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のソース電極2b2cは、対応する光電変換素子2b1と蓄積キャパシタ2b3とに電気的に接続される。また、光電変換素子2b1のアノード側と蓄積キャパシタ2b3は、グランドに電気的に接続される。
薄膜トランジスタ2b2は、蓄積キャパシタ2b3への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ2b2は、ゲート電極2b2a、ドレイン電極2b2b及びソース電極2b2cを有している。薄膜トランジスタ2b2のゲート電極2b2aは、対応する制御ライン2c1と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のドレイン電極2b2bは、対応するデータライン2c2と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のソース電極2b2cは、対応する光電変換素子2b1と蓄積キャパシタ2b3とに電気的に接続される。また、光電変換素子2b1のアノード側と蓄積キャパシタ2b3は、グランドに電気的に接続される。
制御ライン2c1は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。制御ライン2c1は、例えば、行方向に延びている。
1つの制御ライン2c1は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d1のうちの1つと電気的に接続されている。1つの配線パッド2d1には、フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線のうちの1つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線の他端は、回路基板3に設けられた読み出し回路3aとそれぞれ電気的に接続されている。
1つの制御ライン2c1は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d1のうちの1つと電気的に接続されている。1つの配線パッド2d1には、フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線のうちの1つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線の他端は、回路基板3に設けられた読み出し回路3aとそれぞれ電気的に接続されている。
データライン2c2は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。データライン2c2は、例えば、行方向に直交する列方向に延びている。
1つのデータライン2c2は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d2のうちの1つと電気的に接続されている。1つの配線パッド2d2には、フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線のうちの1つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線の他端は、回路基板3に設けられた信号検出回路3bとそれぞれ電気的に接続されている。
制御ライン2c1およびデータライン2c2は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
1つのデータライン2c2は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d2のうちの1つと電気的に接続されている。1つの配線パッド2d2には、フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線のうちの1つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線の他端は、回路基板3に設けられた信号検出回路3bとそれぞれ電気的に接続されている。
制御ライン2c1およびデータライン2c2は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
保護層2fは、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2を覆っている。保護層2fは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも1種を含む。
回路基板3は、アレイ基板2の、シンチレータ4が設けられる側とは反対側に設けられている。
図3に示すように、回路基板3には、読み出し回路3a、信号検出回路3b、画像処理回路3c、インターフェース3d、および制御回路3eが設けられている。なお、これらの回路を1つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。
読み出し回路3aは、薄膜トランジスタ2b2のオン状態とオフ状態を切り替える。
読み出し回路3aは、複数のゲートドライバ3aaと行選択回路3abとを有する。
図3に示すように、回路基板3には、読み出し回路3a、信号検出回路3b、画像処理回路3c、インターフェース3d、および制御回路3eが設けられている。なお、これらの回路を1つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。
読み出し回路3aは、薄膜トランジスタ2b2のオン状態とオフ状態を切り替える。
読み出し回路3aは、複数のゲートドライバ3aaと行選択回路3abとを有する。
行選択回路3abには、制御回路3eから制御信号S1が入力される。行選択回路3abは、X線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ3aaに制御信号S1を入力する。
ゲートドライバ3aaは、対応する制御ライン2c1に制御信号S1を入力する。
例えば、読み出し回路3aは、フレキシブルプリント基板2e1を介して、制御信号S1を各制御ライン2c1毎に順次入力する。制御ライン2c1に入力された制御信号S1により薄膜トランジスタ2b2がオン状態となり、蓄積キャパシタ2b3からの電荷(画像データ信号S2)が受信できるようになる。
ゲートドライバ3aaは、対応する制御ライン2c1に制御信号S1を入力する。
例えば、読み出し回路3aは、フレキシブルプリント基板2e1を介して、制御信号S1を各制御ライン2c1毎に順次入力する。制御ライン2c1に入力された制御信号S1により薄膜トランジスタ2b2がオン状態となり、蓄積キャパシタ2b3からの電荷(画像データ信号S2)が受信できるようになる。
信号検出回路3bは、複数の積分アンプ3ba、複数の選択回路3bb、および複数のADコンバータ3bcを有している。
1つの積分アンプ3baは、1つのデータライン2c2と電気的に接続されている。積分アンプ3baは、光電変換部2bからの画像データ信号S2を順次受信する。そして、積分アンプ3baは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路3bbへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン2c2を流れる電流の値(電荷量)を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ3baは、シンチレータ4において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。
1つの積分アンプ3baは、1つのデータライン2c2と電気的に接続されている。積分アンプ3baは、光電変換部2bからの画像データ信号S2を順次受信する。そして、積分アンプ3baは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路3bbへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン2c2を流れる電流の値(電荷量)を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ3baは、シンチレータ4において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。
選択回路3bbは、読み出しを行う積分アンプ3baを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号S2を順次読み出す。
ADコンバータ3bcは、読み出された画像データ信号S2をデジタル信号に順次変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号S2は、画像処理回路3cに入力される。
画像処理回路3cは、デジタル信号に変換された画像データ信号S2に基づいてX線画像を構成する。構成されたX線画像のデータは、インターフェース3dを介して外部の機器100に送信される。
ADコンバータ3bcは、読み出された画像データ信号S2をデジタル信号に順次変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号S2は、画像処理回路3cに入力される。
画像処理回路3cは、デジタル信号に変換された画像データ信号S2に基づいてX線画像を構成する。構成されたX線画像のデータは、インターフェース3dを介して外部の機器100に送信される。
なお、制御回路3eから行選択回路3abに制御信号S1を入力する場合を例示したが、X線検出器1の外部に設けられた機器100から行選択回路3abに制御信号S1を入力することもできる。この場合、制御信号S1は、後述するインターフェース回路3d1〜3d3のいずれかを介して行選択回路3abに入力される。
また、回路基板3に画像処理回路3cが設けられる場合を例示したが、画像処理回路3cはX線検出器1の外部に設けられた機器100に設けることもできる。この場合、デジタル信号に変換された画像データ信号S2が、後述するインターフェース回路3d1〜3d3のいずれかを介して外部に設けられた画像処理回路3cに入力される。
また、回路基板3に画像処理回路3cが設けられる場合を例示したが、画像処理回路3cはX線検出器1の外部に設けられた機器100に設けることもできる。この場合、デジタル信号に変換された画像データ信号S2が、後述するインターフェース回路3d1〜3d3のいずれかを介して外部に設けられた画像処理回路3cに入力される。
図4は、インターフェース3dのブロック図である。
図4に示すように、インターフェース3dには、インターフェース回路3d1〜3d3が設けられている。
ここで、インターフェースの方式にはいくつかの種類がある。例えば、インターフェースの方式には、大きく分けてパラレル転送方式(Parallel Transmission)とシリアル転送方式(Serial Transmission)方式がある。さらに、パラレル転送方式には、SCSI(Small Computer System Interface)、IDE(Integrated Drive Electronics)、IEEE1284(Institute of Electrical and Electronic Engineers 1284)などがある。シリアル転送方式には、IEEE1394(Institute of Electrical and Electronic Engineers 1394)、RS−232C(Recommended Standard 232 version C)、DVI(Digtal Visual Interface)、USB(Universal Serial Bus)などがある。
図4に示すように、インターフェース3dには、インターフェース回路3d1〜3d3が設けられている。
ここで、インターフェースの方式にはいくつかの種類がある。例えば、インターフェースの方式には、大きく分けてパラレル転送方式(Parallel Transmission)とシリアル転送方式(Serial Transmission)方式がある。さらに、パラレル転送方式には、SCSI(Small Computer System Interface)、IDE(Integrated Drive Electronics)、IEEE1284(Institute of Electrical and Electronic Engineers 1284)などがある。シリアル転送方式には、IEEE1394(Institute of Electrical and Electronic Engineers 1394)、RS−232C(Recommended Standard 232 version C)、DVI(Digtal Visual Interface)、USB(Universal Serial Bus)などがある。
そのため、X線検出器1と外部の機器100との間でデータの通信を行うためには、同じインターフェースの方式を用いる必要がある。ところが、機器100によってはインターフェースの方式が異なる場合がある。この場合、機器100のインターフェースの方式にX線検出器1のインターフェースの方式を合わせる必要がある。
そこで、インターフェース3dには、方式が異なるインターフェース回路3d1〜3d3と、当該インターフェースの方式に適合した端子3d1a〜3d3aが設けられている。
なお、図4においては、3種類のインターフェース回路3d1〜3d3を例示したが、インターフェース回路の種類の数は例示をしたものに限定されるわけではない。インターフェース回路の種類は2つ以上であればよい。ただし、インターフェース回路の種類の数が多くなれば、X線検出器1の汎用性を高めることができる。
そこで、インターフェース3dには、方式が異なるインターフェース回路3d1〜3d3と、当該インターフェースの方式に適合した端子3d1a〜3d3aが設けられている。
なお、図4においては、3種類のインターフェース回路3d1〜3d3を例示したが、インターフェース回路の種類の数は例示をしたものに限定されるわけではない。インターフェース回路の種類は2つ以上であればよい。ただし、インターフェース回路の種類の数が多くなれば、X線検出器1の汎用性を高めることができる。
複数種類のインターフェース回路が設けられていれば、接続する機器100のインターフェースの方式に応じて使用するインターフェース回路を選択することができる。そのため、インターフェースの方式が異なる各種の機器100に対応することが可能となる。
ところが、複数種類のインターフェース回路をX線検出器1に設けると、使用されていないインターフェース回路にも電流が流れることになる。そのため、消費電力の低減が図れないという新たな課題が生じる。
そこで、本実施の形態に係るインターフェース3dにおいては、インターフェース回路3d1〜3d3のうち使用されていないインターフェース回路を検出し、使用されていないインターフェース回路に電流が流れないようにしている。
ところが、複数種類のインターフェース回路をX線検出器1に設けると、使用されていないインターフェース回路にも電流が流れることになる。そのため、消費電力の低減が図れないという新たな課題が生じる。
そこで、本実施の形態に係るインターフェース3dにおいては、インターフェース回路3d1〜3d3のうち使用されていないインターフェース回路を検出し、使用されていないインターフェース回路に電流が流れないようにしている。
図4に示すように、インターフェース回路3d1と端子3d1aとの間には抵抗3d1dが設けられている。抵抗3d1dの入力側と出力側の電位差、および、抵抗3d1dに流れる電流の少なくともいずれかを測定する測定器3d1bが設けられている。インターフェース回路3d1の、抵抗3d1dが設けられる側とは反対側には開閉スイッチ3d1cが設けられている。
インターフェース回路3d2と端子3d2aとの間には抵抗3d2dが設けられている。抵抗3d2dの入力側と出力側の電位差、および、抵抗3d2dに流れる電流の少なくともいずれかを測定する測定器3d2bが設けられている。インターフェース回路3d2の、抵抗3d2dが設けられる側とは反対側には開閉スイッチ3d2cが設けられている。
インターフェース回路3d3と端子3d3aとの間には抵抗3d3dが設けられている。抵抗3d3dの入力側と出力側の電位差、および、抵抗3d3dに流れる電流の少なくともいずれかを測定する測定器3d3bが設けられている。インターフェース回路3d3の、抵抗3d3dが設けられる側とは反対側には開閉スイッチ3d3cが設けられている。
測定器3d1b〜3d3bからの測定値は、制御回路3eに入力される。
すなわち、複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、インターフェース回路の外部の機器100との接続側における電位差および電流の少なくともいずれかを測定する測定器と、インターフェース回路の外部の機器100との接続側とは反対側に設けられた開閉スイッチと、が電気的に接続されている。
また、複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、インターフェース回路の外部の機器100との接続側に抵抗が電気的に接続されている。
インターフェース回路3d2と端子3d2aとの間には抵抗3d2dが設けられている。抵抗3d2dの入力側と出力側の電位差、および、抵抗3d2dに流れる電流の少なくともいずれかを測定する測定器3d2bが設けられている。インターフェース回路3d2の、抵抗3d2dが設けられる側とは反対側には開閉スイッチ3d2cが設けられている。
インターフェース回路3d3と端子3d3aとの間には抵抗3d3dが設けられている。抵抗3d3dの入力側と出力側の電位差、および、抵抗3d3dに流れる電流の少なくともいずれかを測定する測定器3d3bが設けられている。インターフェース回路3d3の、抵抗3d3dが設けられる側とは反対側には開閉スイッチ3d3cが設けられている。
測定器3d1b〜3d3bからの測定値は、制御回路3eに入力される。
すなわち、複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、インターフェース回路の外部の機器100との接続側における電位差および電流の少なくともいずれかを測定する測定器と、インターフェース回路の外部の機器100との接続側とは反対側に設けられた開閉スイッチと、が電気的に接続されている。
また、複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、インターフェース回路の外部の機器100との接続側に抵抗が電気的に接続されている。
制御回路3eは、例えば、CPU(Central Processing Unit)と半導体メモリなどを備えたコンピュータとすることができる。
制御回路3eは、X線検出器1に設けられた各要素を制御する。
なお、読み出し回路3a、信号検出回路3b、および画像処理回路3cにおける制御には既知の技術を適用することができる。そのため、以下においては、インターフェース3dにおける制御について説明する。
制御回路3eは、X線検出器1に設けられた各要素を制御する。
なお、読み出し回路3a、信号検出回路3b、および画像処理回路3cにおける制御には既知の技術を適用することができる。そのため、以下においては、インターフェース3dにおける制御について説明する。
制御回路3eは、測定器3d1b〜3d3bからの測定値に基づいて、開閉スイッチ3d1c〜3d3cを制御する。制御回路3eは、測定器3d1b〜3d3bからの測定値に基づいて、使用されていないインターフェース回路を検出する。制御回路3eは、使用されていないインターフェース回路に電気的に接続された開閉スイッチをOFF状態(非導通状態)にする。
例えば、制御回路3eは、以下の様にして使用されていないインターフェース回路を検出し、使用されていないインターフェース回路に流れる電流を遮断する。
まず、制御回路3eは、全ての開閉スイッチ3d1c〜3d3cをON状態(導通状態)にする。
すると、使用されているインターフェース回路には電流が流れ、使用されていないインターフェース回路には電流が流れない。そのため、測定器3d1b〜3d3bにより、電位差および電流の少なくともいずれかを測定すれば、使用されていないインターフェース回路を検出することができる。
例えば、図4に例示をしたものの場合には、測定器3d1b、3d3bからの測定値が0(ゼロ)となる。そのため、制御回路3eは、測定器3d1b、3d3bが電気的に接続されたインターフェース回路3d1、3d3が使用されていないと判定することができる。
例えば、制御回路3eは、以下の様にして使用されていないインターフェース回路を検出し、使用されていないインターフェース回路に流れる電流を遮断する。
まず、制御回路3eは、全ての開閉スイッチ3d1c〜3d3cをON状態(導通状態)にする。
すると、使用されているインターフェース回路には電流が流れ、使用されていないインターフェース回路には電流が流れない。そのため、測定器3d1b〜3d3bにより、電位差および電流の少なくともいずれかを測定すれば、使用されていないインターフェース回路を検出することができる。
例えば、図4に例示をしたものの場合には、測定器3d1b、3d3bからの測定値が0(ゼロ)となる。そのため、制御回路3eは、測定器3d1b、3d3bが電気的に接続されたインターフェース回路3d1、3d3が使用されていないと判定することができる。
次に、制御回路3eは、測定器3d1b〜3d3bからの測定値に基づいて開閉スイッチ3d1c〜3d3cを制御する。
すなわち、制御回路3eは、使用されていないと判定されたインターフェース回路に電気的に接続されている開閉スイッチをOFF状態とし、使用されていると判定されたインターフェース回路に電気的に接続されている開閉スイッチをON状態のままとする。
以上の様にすれば、使用されているインターフェース回路にのみ電流を流すことができるので、無駄な電力消費を抑制することができる。すなわち、複数種類のインターフェース回路を有していても消費電力の低減を図ることができる。
すなわち、制御回路3eは、使用されていないと判定されたインターフェース回路に電気的に接続されている開閉スイッチをOFF状態とし、使用されていると判定されたインターフェース回路に電気的に接続されている開閉スイッチをON状態のままとする。
以上の様にすれば、使用されているインターフェース回路にのみ電流を流すことができるので、無駄な電力消費を抑制することができる。すなわち、複数種類のインターフェース回路を有していても消費電力の低減を図ることができる。
シンチレータ4は、複数の光電変換素子2b1の上に設けられ、入射するX線を蛍光に変換する。シンチレータ4は、基板2a上の複数の光電変換部2bが設けられた領域(有効画素領域)を覆うように設けられている。
シンチレータ4は、例えば、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、あるいはヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ4を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ4が形成される。
シンチレータ4は、例えば、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、あるいはヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ4を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ4が形成される。
また、シンチレータ4は、例えば、酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S)などを用いて形成することもできる。この場合、複数の光電変換部2bごとに四角柱状のシンチレータ4が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。
その他、X線検出器1には、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ4の表面側(X線の入射面側)を覆うように図示しない反射層を設けることができる。
また、X線検出器1には、シンチレータ4と反射層を覆う図示しない防湿体を設けることができる。防湿体を設ければ、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ4の特性と反射層の特性が劣化するのを抑制することができる。
また、X線検出器1には、アレイ基板2、回路基板3、およびシンチレータ4を収納する筐体を設けることができる。筐体の内部には板状の支持板30を設けることができる。そして、図1に示すように、支持板30のX線の入射側にはアレイ基板2およびシンチレータ4を設け、支持板30のX線の入射側とは反対側には回路基板3を設けることができる。
また、X線検出器1には、シンチレータ4と反射層を覆う図示しない防湿体を設けることができる。防湿体を設ければ、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ4の特性と反射層の特性が劣化するのを抑制することができる。
また、X線検出器1には、アレイ基板2、回路基板3、およびシンチレータ4を収納する筐体を設けることができる。筐体の内部には板状の支持板30を設けることができる。そして、図1に示すように、支持板30のX線の入射側にはアレイ基板2およびシンチレータ4を設け、支持板30のX線の入射側とは反対側には回路基板3を設けることができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1 X線検出器、2 アレイ基板、2a 基板、2b 光電変換部、3 回路基板、3a 読み出し回路、3b 信号検出回路、3c 画像処理回路、3d インターフェース、3d1〜3d3 インターフェース回路、3d1a〜3d3a 端子、3d1b〜3d3b 測定器、3d1c〜3d3c 開閉スイッチ、3d1d〜3d3d 抵抗、3e 制御回路、4 シンチレータ、100 機器
Claims (5)
- 放射線を直接的またはシンチレータと協働して検出する複数の検出部を有するアレイ基板と、
複数種類のインターフェース回路と、
を備え、
前記複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、
前記インターフェース回路の外部の機器との接続側における電位差および電流の少なくともいずれかを測定する測定器と、
前記インターフェース回路の外部の機器との接続側とは反対側に設けられた開閉スイッチと、が電気的に接続されている放射線検出器。 - 複数の前記開閉スイッチを制御する制御回路をさらに備え、
前記制御回路は、複数の前記測定器からの測定値に基づいて、前記複数の開閉スイッチを制御する請求項1記載の放射線検出器。 - 前記制御回路は、前記複数の測定器からの測定値に基づいて、使用されていないインターフェース回路を検出する請求項2記載の放射線検出器。
- 前記制御回路は、前記使用されていないインターフェース回路に電気的に接続された前記開閉スイッチをOFF状態にする請求項3記載の放射線検出器。
- 前記複数種類のインターフェース回路のそれぞれには、前記インターフェース回路の外部の機器との接続側に抵抗が電気的に接続されている請求項1〜4のいずれか1つに記載の放射線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017247904A JP2019113443A (ja) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2017247904A JP2019113443A (ja) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 放射線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2019113443A true JP2019113443A (ja) | 2019-07-11 |
Family
ID=67221505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2017247904A Pending JP2019113443A (ja) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2019113443A (ja) |
-
2017
- 2017-12-25 JP JP2017247904A patent/JP2019113443A/ja active Pending
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