JP2018179898A - 検査装置、および放射線検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】積分アンプの特性の良否を容易に判定することができる検査装置、および放射線検出器を提供することである。【解決手段】実施形態に係る検査装置は、放射線を電気的な情報に変換する複数の検出部と、前記複数の検出部に電気的に接続された積分アンプと、を備えた放射線検出器を検査する検査装置である。前記検査装置は、暗画像における周波数と輝度との関係から前記積分アンプの周波数特性を求め、前記求められた積分アンプの周波数特性に基づいて前記積分アンプの良否を判定する。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、検査装置、および放射線検出器に関する。

放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器には、例えば、複数の制御ライン、複数のデータライン、対応する制御ラインと対応するデータラインとに電気的に接続された複数の光電変換部、および、複数の光電変換部の上に設けられＸ線を蛍光に変換するシンチレータなどが設けられている。また、Ｘ線検出器には、データラインと電気的に接続された積分アンプが設けられている。積分アンプは、データラインに流れる電流（光電変換部からの画像データ信号）を積分し、その積分値に対応した電圧を出力する。

ここで、積分アンプの特性にはばらつきがある。例えば、積分アンプには時間（周波数）に依存した応答の揺らぎ（変動）がある。応答の揺らぎは、得られたＸ線画像に帯状の輝度むら（積分アンプの特性に起因するノイズ）として現れる場合がある。帯状の輝度むらは、一様に分布しているランダムノイズとは異なり明確に視認される。
一般的に、ノイズの除去は、オフセット補正により行われるが、積分アンプの特性に起因するノイズは、オフセット補正により除去することが難しい。

また、近年においては、被ばく線量を抑制した結果、Ｘ線検出器に入射するＸ線光子数が非常に少なくなっている。そのため、１つの光電変換部から出力される電荷量は１ｐｃ（ピコクーロン）以下となる。このような微小電荷量においては、積分アンプの特性に起因するノイズが顕著に現れるおそれがある。
また、このような微小電荷量に対応する積分アンプの特性を汎用の測定器で判定するのは困難である。
そこで、積分アンプの特性の良否を容易に判定することができる技術の開発が望まれていた。

特開２０１３−９０９２１号公報

本発明が解決しようとする課題は、積分アンプの特性の良否を容易に判定することができる検査装置、および放射線検出器を提供することである。

実施形態に係る検査装置は、放射線を電気的な情報に変換する複数の検出部と、前記複数の検出部に電気的に接続された積分アンプと、を備えた放射線検出器を検査する検査装置である。
前記検査装置は、暗画像における周波数と輝度との関係から前記積分アンプの周波数特性を求め、前記求められた積分アンプの周波数特性に基づいて前記積分アンプの良否を判定する。

Ｘ線検出器１および検査装置１００を例示するための模式斜視図である。 Ｘ線検出器１のブロック図である。 アレイ基板２の回路図である。 オフセット補正後のＸ線画像に生じた帯状の輝度むらを例示するための写真である。 積分アンプ３２ａ毎の周波数特性を例示するためのグラフ図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
本実施の形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。

また、以下に例示をするＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線平面センサには、大きく分けて直接変換方式と間接変換方式がある。
直接変換方式は、入射Ｘ線により光導電膜内部に発生した光導電電荷（電荷）を高電界により電荷蓄積用の蓄積キャパシタに直接導く方式である。
間接変換方式は、Ｘ線をシンチレータにより蛍光（可視光）に変換し、蛍光をフォトダイオードなどの光電変換素子により電荷に変換し、電荷を蓄積キャパシタに導く方式である。
以下においては、一例として、間接変換方式のＸ線検出器１を例示するが、本発明は直接変換方式のＸ線検出器にも適用することができる。
すなわち、Ｘ線検出器は、Ｘ線を電気的な情報に変換する検出部を有するものであれば良い。検出部は、例えば、Ｘ線を直接的またはシンチレータと協働して検出するものとすることができる。
また、Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができるが、用途に限定はない。

図１は、Ｘ線検出器１および検査装置１００を例示するための模式斜視図である。
なお、図１においては、バイアスライン２ｃ３などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１のブロック図である。
図３は、アレイ基板２の回路図である。
図１〜図３に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像処理部４、およびシンチレータ５が設けられている。

アレイ基板２は、シンチレータ５によりＸ線から変換された蛍光（可視光）を電気信号に変換する。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３を有する。
なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３の数などは例示をしたものに限定されるわけではない。

基板２ａは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、平面視において制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより画された領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。

複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。
また、図３に示すように、光電変換素子２ｂ１において変換した電荷が供給される蓄積キャパシタ２ｂ３を設けることができる。蓄積キャパシタ２ｂ３は、例えば、矩形平板状を呈し、薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタ２ｂ３を兼ねることができる。
なお、以下においては、一例として、蓄積キャパシタ２ｂ３が設けられる場合を例示する。

光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蓄積キャパシタ２ｂ３への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ソース電極２ｂ２ｂ及びドレイン電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と蓄積キャパシタ２ｂ３とに電気的に接続される。また、光電変換素子２ｂ１のアノード側と蓄積キャパシタ２ｂ３は、対応するバイアスライン２ｃ３と電気的に接続される。

制御ライン２ｃ１は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、例えば、行方向に延びている。
１つの制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた制御回路３１とそれぞれ電気的に接続されている。

データライン２ｃ２は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、例えば、行方向に直交する列方向に延びている。
１つのデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた信号検出回路３２とそれぞれ電気的に接続されている。

図３に示すように、バイアスライン２ｃ３は、データライン２ｃ２とデータライン２ｃ２との間に、データライン２ｃ２と平行に設けられている。
バイアスライン２ｃ３には、図示しないバイアス電源が電気的に接続されている。図示しないバイアス電源は、例えば、信号処理部３などに設けることができる。
なお、バイアスライン２ｃ３は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。バイアスライン２ｃ３が設けられない場合には、光電変換素子２ｂ１のアノード側と蓄積キャパシタ２ｂ３は、バイアスライン２ｃ３に代えてグランドに電気的に接続される。

制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。

保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３を覆っている。
保護層２ｆは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含む。

信号処理部３は、アレイ基板２の、シンチレータ５側とは反対側に設けられている。
信号処理部３には、制御回路３１と、信号検出回路３２とが設けられている。
制御回路３１は、薄膜トランジスタ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。

図２に示すように、制御回路３１は、複数のゲートドライバ３１ａと行選択回路３１ｂとを有する。
行選択回路３１ｂには、画像処理部４などから制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路３１ｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ３１ａに制御信号Ｓ１を入力する。
ゲートドライバ３１ａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。
例えば、制御回路３１は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次入力する。制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換部２ｂ（蓄積キャパシタ２ｂ３）からの電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。

信号検出回路３２は、複数の積分アンプ３２ａ、複数の選択回路３２ｂ、および複数のＡＤコンバータ３２ｃを有する。
１つの積分アンプ３２ａは、１つのデータライン２ｃ２と電気的に接続することができる。なお、図示しない選択回路を介して、１つの積分アンプ３２ａに所定の数のデータライン２ｃ２を電気的に接続することもできる。所定の数の積分アンプ３２ａに対して、１つの選択回路３２ｂが設けられている。１つのＡＤコンバータ３２ｃは、１つの選択回路３２ｂと電気的に接続されている。

積分アンプ３２ａは、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。そして、積分アンプ３２ａは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路３２ｂへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン２ｃ２を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ３２ａは、シンチレータ５において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。
選択回路３２ｂは、読み出しを行うデータライン２ｃ２を選択し、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順次読み出す。
ＡＤコンバータ３２ｃは、読み出された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順次変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、画像処理部４に入力される。

画像処理部４は、配線４ａを介して、信号処理部３と電気的に接続されている。なお、画像処理部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。画像処理部４は、読み出された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を構成する。

シンチレータ５は、複数の光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線を可視光すなわち蛍光に変換する。シンチレータ５は、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域（有効画素領域）を覆うように設けられている。
シンチレータ５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ５が形成される。

また、シンチレータ５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気（空気）、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。また、溝部が真空状態となるようにしてもよい。

その他、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ５の表面側（Ｘ線の入射面側）を覆うように図示しない反射層を設けることができる。
また、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ５の特性と図示しない反射層の特性が劣化するのを抑制するために、シンチレータ５と図示しない反射層を覆う図示しない防湿体を設けることができる。

検査装置１００は、暗画像における周波数ｆと輝度との関係から積分アンプ３２ａの周波数特性を求め、求められた積分アンプ３２ａの周波数特性に基づいて積分アンプ３２ａの特性の良否を判定する。
図１に示すように、検査装置１００は、配線１００ａを介して画像処理部４と電気的に接続されている。なお、検査装置１００は、無線通信により画像処理部４と電気的に接続されるようにしてもよい。

ここで、前述した積分アンプ３２ａの特性にはばらつきがある。例えば、積分アンプ３２ａには時間（周波数）に依存した応答の揺らぎ（変動）がある。応答の揺らぎが画像読みだし時間よりも短い周期の周波数を有する場合には、応答の揺らぎは、得られたＸ線画像に帯状の輝度むら（積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズ）として現れる。帯状の輝度むらは、一様に分布しているランダムノイズとは異なり明確に視認されるものとなる。

一般的に、ノイズの除去は、オフセット補正により行われる。オフセット補正においては、Ｘ線を入射させない状態で撮影された暗画像が用いられる。ところが、積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズには時間依存性があるので、暗画像の撮影のたびに輝度むらの状態が変化してしまう。そのため、積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズは、オフセット補正により除去することが難しい。

また、被ばく線量は必要最低限に抑えることが望ましい。そのため、近年においては、Ｘ線検出器に入射するＸ線光子数は非常に少なくなる傾向にあり、１つの光電変換部２ｂから出力される電荷量は極めて小さくなっている。例えば、１つの光電変換部２ｂから出力される電荷量は１ｐｃ（ピコクーロン）以下となっている。このような微小電荷量においては、積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズが顕著に現れるおそれがある。
また、このような微小電荷量に対応する積分アンプ３２ａの特性を汎用の測定器で判定するのは困難である。

図４は、オフセット補正後のＸ線画像に生じた帯状の輝度むらを例示するための写真である。
単なる暗画像には、積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズの他にも、他のノイズが含まれている。そのため、単なる暗画像では、積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズを視認することが難しい。
この場合、オフセット補正を行えば他のノイズを除去することができるので、オフセット補正後のＸ線画像によれば積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズを視認することができる。
オフセット補正後のＸ線画像は、以下の様にして作成することができる。
まず、暗画像を複数取得する。
次に、複数の暗画像におけるそれぞれの画素値を平均して、平均画像を作成する。
次に、任意の暗画像の画素値と、平均画像の画素値との差を求めて、オフセット補正後のＸ線画像を作成する。

図４から分かるように、帯状の輝度むらは、積分アンプ３２ａ（データライン２ｃ２）が並ぶ方向に並んで現れる。この場合、応答の揺らぎが大きくなるほど暗画像における輝度は高く（明るく）なる。
また、前述したように、図示しない選択回路を介して、１つの積分アンプ３２ａに所定の数のデータライン２ｃ２を電気的に接続する場合がある。この様な場合には、帯状の輝度むらの幅寸法が長くなるので、帯状の輝度むらがさらに目立つことになる。なお、図４は、１つの積分アンプ３２ａに所定の数のデータライン２ｃ２を電気的に接続した場合である。

図５は、積分アンプ３２ａ毎の周波数特性を例示するためのグラフ図である。
すなわち、図５は、積分アンプ３２ａの周波数ｆに依存した応答の揺らぎを例示するためのグラフ図である。
なお、図５は、対数グラフである。
また、縦軸の単位は、「ｌｓｂ^２」であり、ｌｓｂ（least significant bit）は輝度の最小単位である。
図５から分かるように、積分アンプ３２ａには周波数ｆに依存した応答の揺らぎがある。また、応答の揺らぎは、積分アンプ３２ａ毎にばらついていることも分かる。
この場合、応答の揺らぎが大きくなるほど暗画像における輝度は高くなる。
また、周波数特性の集団から解離した周波数特性を有する積分アンプ３２ａを特性の悪い積分アンプ３２ａとすることができる。例えば、図５においては、Ｎｏ．５の積分アンプ３２ａの周波数特性が、他の積分アンプ３２ａの周波数特性から解離しているので、Ｎｏ．５の積分アンプ３２ａの特性が悪いとすることができる。

また、周波数ｆが低くなるほど輝度が高くなり、応答の揺らぎは周波数ｆが低くなるほど大きくなることが分かる。そして、特性が悪い積分アンプ３２ａは、周波数ｆが低くなるほど応答の揺らぎが顕著に大きくなる。そのため、積分アンプ３２ａの周波数特性における低周波数成分を用いれば良否の判定が容易となることも分かる。
以上に説明したように、暗画像における周波数ｆと輝度との関係を分析すれば、積分アンプ３２ａの特性の良否を容易に判定することができる。
なお、特性が悪いと判定された積分アンプ３２ａは交換され、再度、暗画像を撮影し、暗画像における周波数ｆと輝度との関係が所定の範囲内に収まるかを確認することになる。

この場合、閾値を定めて積分アンプ３２ａの特性の良否を判定すれば、良否の判定がさらに容易となる。
本発明者らの得た知見によれば、積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズ（帯状の輝度むら）は、積分アンプ３２ａの周波数特性における低周波数成分の影響を大きく受ける。本発明者らは検討の結果、１０Ｈｚ以下の周波数ｆにおいて、暗画像における周波数ｆと輝度との関係を求めれば、積分アンプ３２ａの特性の良否を判定するのが容易となるとの知見を得た。
また、図５から分かるように、４Ｈｚ以下の周波数ｆにおいて、暗画像における周波数ｆと輝度との関係を求めれば、積分アンプ３２ａの特性の良否を判定するのがさらに容易となる。

また、本発明者らの得た知見によれば、積分アンプ３２ａの周波数特性における１０Ｈｚ以下の周波数成分は、１／ｆ^２に比例する。そのため、図５から分かるように、特性が比較的良好な積分アンプ３２ａは、周波数ｆと輝度との関係が１／ｆ^２に近くなる。
一方、特性が悪い積分アンプ３２ａは、周波数ｆと輝度との関係が１／ｆ^３に近くなる。
そのため、閾値として１／ｆ^２を用いて積分アンプ３２ａの良否を判定することができる。すなわち、周波数ｆと輝度との関係が１／ｆ^２に近い積分アンプ３２ａは、特性が良いとすることができる。
また、閾値として１／ｆ^３を用いて積分アンプ３２ａの良否を判定することができる。すなわち、周波数ｆと輝度との関係が１／ｆ^３に近い積分アンプ３２ａは、特性が悪いとすることができる。
また、閾値として１／ｆ^２と１／ｆ^３を用いて積分アンプ３２ａの良否を判定することができる。すなわち、周波数ｆと輝度との関係が１／ｆ^２よりも１／ｆ^３に近くなれば、特性が悪い積分アンプ３２ａとすることができる。
また、図５から分かるように、このことは、４Ｈｚ以下の周波数ｆにおいて顕著なものとなる。
そのため、４Ｈｚ以下の周波数ｆにおいて、１／ｆ^２および１／ｆ^３の少なくともいずれかにより積分アンプ３２ａの特性の良否を判定すれば、より正確な判定を行うことができる。

次に、検査装置１００の作用について説明する。
ここで、図４に例示をした暗画像を用いても積分アンプ３２ａの特性の良否を判定することができる。ただし、前述したように、積分アンプ３２ａの特性に起因するノイズには時間依存性があるので、暗画像毎に帯状の輝度むらの状態が変化するおそれがある。そのため、複数の暗画像を取得し、同じ位置にある画素の輝度を平均することが好ましい。以下においては、同じ位置にある画素の輝度を平均し、平均された輝度を用いて周波数ｆと輝度との関係を求める場合を例示する。

まず、検査対象となる積分アンプ３２ａが設けられたＸ線検出器１において、Ｘ線を入射させない状態でＸ線画像を複数取得する。すなわち、暗画像を複数取得する。
取得した複数の暗画像を用いて同じ位置にある画素の輝度を平均し、平均された輝度を有する画素からなる平均化画像を作成する。

次に、平均化画像を用いて、取得した複数の暗画像をオフセット補正し、複数のオフセット補正後画像を作成する。
次に、複数のオフセット補正後画像から、同じ積分アンプ３２ａに対応する複数の画素を選択する。１つの積分アンプ３２ａに所定の数のデータライン２ｃ２が電気的に接続されている場合には、データライン２ｃ２が延びる方向（列方向）に並ぶ画素の輝度は平均する。制御ライン２ｃ１が延びる方向（行方向）に並ぶ画素の輝度はフーリエ変換する。以上のことを全ての積分アンプ３２ａに対して行う。
フーリエ変換を行うことで、積分アンプ３２ａ毎の周波数スペクトルを取得することができる。

また、以上のことを全てのオフセット補正後画像に対して行い、全てのオフセット補正後画像における各積分アンプ３２ａ毎の周波数スペクトルを取得する。取得された複数の周波数スペクトルを各積分アンプ３２ａ毎に平均する。

ここで、Ｘ線画像は、Ｘ線検出器１において有限時間のスキャンを行うことで作成される。そのため、得られたＸ線画像の上下方向がスキャン方向に相当することになる。スペクトル解析で得られた周波数(Ｈｚ)は実時間ではないため、スキャン時間(秒)で割る(規格化する）ことで、実時間の周波数に変換することができる。
つまり、平均された周波数スペクトルを読み込み時間で割る(規格化する）ことで、積分アンプ３２ａ毎の周波数特性を得ることができる。得られた周波数特性は、例えば、図５に例示をしたもののようになる。

次に、得られた周波数特性を用いて、積分アンプ３２ａの特性の良否を判定する。
この場合、周波数特性の集団から解離した周波数特性を有する積分アンプ３２ａを特性の悪い積分アンプ３２ａとすることができる。
前述したように、１０Ｈｚ以下の周波数ｆにおいて、積分アンプ３２ａの特性の良否を判定すれば、良否の判定が容易となる。また、４Ｈｚ以下の周波数ｆにおいて、積分アンプ３２ａの特性の良否を判定すれば、良否の判定がさらに容易となる。
また、前述した閾値（１／ｆ^２、１／ｆ^３）を用いれば、より正確な良否の判定を行うことができる。

特性が悪いと判定された積分アンプ３２ａは交換され、再度、良否の判定が行われることになる。
以上のようにすれば、積分アンプ３２ａの特性の良否を容易に判定することができる。

ここで、検査装置１００は、Ｘ線検出器１とは別に設けることもできるし、Ｘ線検出器１に組み込むこともできる。
検査装置１００がＸ線検出器１とは別に設けられる場合としては、例えば、検査装置１００がＸ線検出器１の出荷前検査などに用いられる場合を例示することができる。
検査装置１００をＸ線検出器１の出荷前検査などに用いれば、帯状の輝度むらの発生が抑制されたＸ線検出器１を提供することができる。
検査装置１００がＸ線検出器１に組み込まれていれば、積分アンプ３２ａの故障の判定などの自己診断を行うことが可能となる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１ Ｘ線検出器、２ アレイ基板、２ａ 基板、２ｂ 光電変換部、２ｂ１ 光電変換素子、２ｃ１ 制御ライン、２ｃ２ データライン、３ 信号処理部、４ 画像処理部、５ シンチレータ、３１ 制御回路、３２ 信号検出回路、３２ａ 積分アンプ、１００ 検査装置

Claims (7)

1. 放射線を電気的な情報に変換する複数の検出部と、
   前記複数の検出部に電気的に接続された積分アンプと、
   を備えた放射線検出器を検査する検査装置であって、
   前記検査装置は、暗画像における周波数と輝度との関係から前記積分アンプの周波数特性を求め、前記求められた積分アンプの周波数特性に基づいて前記積分アンプの良否を判定する検査装置。
2. 前記検査装置は、１０Ｈｚ以下の周波数において、前記周波数と輝度との関係を求める請求項１記載の検査装置。
3. 前記検査装置は、４Ｈｚ以下の周波数において、前記周波数と輝度との関係を求める請求項１または２に記載の検査装置。
4. 前記周波数をｆ（Ｈｚ）とした場合に、
   前記検査装置は、１／ｆ^２を用いて前記積分アンプの良否を判定する請求項１〜３のいずれか１つに記載の検査装置。
5. 前記周波数をｆ（Ｈｚ）とした場合に、
   前記検査装置は、１／ｆ^３を用いて前記積分アンプの良否を判定する請求項１〜４のいずれか１つに記載の検査装置。
6. 前記検査装置は、複数の暗画像を取得し、同じ位置にある画素の輝度を平均し、前記平均された輝度を用いて前記周波数と輝度との関係を求める請求項１〜５のいずれか１つに記載の検査装置。
7. 放射線を電気的な情報に変換する複数の検出部と、
   前記複数の検出部に電気的に接続された積分アンプと、
   請求項１〜６のいずれか１つに記載の検査装置と、
   を備えた放射線検出器。