TW201738035A - 研磨裝置及研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種研磨裝置，能夠使用戶瞭解再次執行基板脫離動作的重試動作的頻率、傾向。研磨裝置具有：基板保持部(1)，該基板保持部(1)將基板(W)按壓於研磨墊(20)；流體噴射系統(93)，為了使基板(W)從基板保持面(4b)脫離，該流體噴射系統(93)向基板(W)與彈性膜(4)之間的間隙噴射流體(95)；動作控制部(51)，在基板(W)的脫離失敗的情況下，該動作控制部(51)使流體噴射系統(93)執行再次噴射流體(95)的重試動作；以及監視裝置(52)，該監視裝置(52)儲存重試動作的歷史資訊。

Description

研磨裝置及研磨方法
本發明有關對晶圓等基板進行研磨的研磨裝置和研磨方法。
近年來，伴隨著半導體器件的高積體化及高密度化，電路的佈線越來越微細化，多層佈線的層數也增加。如果要想實現電路的微細化的同時實現多層佈線，則階梯差沿著下側的層的表面凹凸而變大，因此隨著佈線層數的增加，薄膜形成中的相對於階梯差形狀的膜覆蓋性(階梯覆蓋)變差。因此，為了進行多層佈線，必須改善該階梯覆蓋，應當在過程中進行平坦化處理。並且，由於在光刻的微細化的同時焦點深度變淺，因此需要對半導體器件表面進行平坦化處理，以使得半導體器件的表面的凹凸階梯差收斂在焦點深度以下。
因此，在半導體器件的製造工序中，半導體器件表面的平坦化技術越來越重要。該平坦化技術中的最重要的技術是化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing)。在該化學機械研磨(以下，稱為CMP)中，將包含二氧化矽(SiO2)等磨粒在內的研磨液供給到研磨墊上，同時使晶圓等基板與研磨面滑動接觸而進行研磨。
用於進行CMP的研磨裝置具有：對具有研磨面的研磨墊進行支承的研磨台；以及用於對晶圓進行保持的被稱為頂環或者研磨頭等的 基板保持部。在使用這樣的研磨裝置來進行晶圓的研磨的情況下，藉由頂環對晶圓進行保持，同時以規定的壓力將該晶圓按壓於研磨面。藉由進一步使研磨台和頂環相對運動而使晶圓與研磨面滑動接觸，而將晶圓的表面研磨成平坦且鏡面。
在這樣的研磨裝置中，當研磨中的晶圓與研磨墊的研磨面之間的相對的按壓力在晶圓的整個面上不均勻的情況下，根據施加給晶圓的各部分的按壓力會產生研磨不足、過度研磨。為了使對晶圓的按壓力均勻化，而在頂環的下部設置有由彈性膜(膜片：membrane)形成的壓力室，藉由向該壓力室供給空氣等氣體，從而藉由氣體的壓力經由膜片而將晶圓按壓於研磨墊的研磨面並進行研磨。
在研磨工序結束後，使研磨面上的晶圓真空吸附於頂環，使頂環與晶圓一同上升，然後移動到搬送台的上方位置，並使晶圓從膜片脫離。關於晶圓的脫離，一邊向壓力室供給氣體，一邊向晶圓與膜片之間的間隙噴射釋放噴液(release shower)。
專利文獻1：日本特開2014-11432號公報
在使晶圓從膜片脫離時，有時由於膜片的劣化而會引起膜片大幅伸長。當膜片過度伸長時，有時釋放噴液無法到達晶圓與膜片的接觸部位，而使晶圓無法從膜片脫離。
本發明的目的在於，提供如下的研磨裝置和研磨方法：在基板脫離動作失敗的情況下，執行使基板脫離動作再次執行的重試動作，還能夠使用戶瞭解重試動作的頻率或傾向。
為了達成上述的目的，本發明的一個方式提供一種研磨裝置，其特徵在於，具有：研磨台，該研磨台用於支承研磨墊；基板保持部，該基板保持部具有由彈性膜構成的基板保持面和壓力室，由該基板保持面對基板進行保持並藉由所述壓力室內的壓力將所述基板按壓於所述研磨墊；流體噴射系統，為了使所述基板從所述基板保持面脫離，該流體噴射系統向所述基板與所述彈性膜之間的間隙噴射流體；動作控制部，在所述基板的脫離失敗的情況下，該動作控制部使所述流體噴射系統執行再次噴射所述流體的重試動作；以及監視裝置，該監視裝置儲存所述重試動作的歷史資訊。
本發明的較佳的方式的特徵在於，所述監視裝置具有顯示所述歷史資訊的顯示器。
本發明的較佳的方式的特徵在於，該研磨裝置還具有：搬送台，該搬送台能夠承接從所述基板保持面脫離的所述基板；以及基板檢測傳感器，該基板檢測傳感器配置於所述搬送臺上。
本發明的較佳的方式的特徵在於，所述歷史資訊包含對所述基板進行的所述重試動作的次數。
本發明的較佳的方式的特徵在於，所述歷史資訊還包含進行了所述重試動作的所述基板的識別號和所述流體的噴射的設定時間。
本發明的較佳的方式的特徵在於，在對所述基板進行的所述重試動作的次數為閾值以上的情況下，所述監視裝置儲存所述重試動作的歷史資訊。
本發明的其他方式提供一種研磨方法，其特徵在於，使支承研磨墊的研磨台旋轉，藉由由彈性膜構成的基板保持面對基板進行保持， 藉由由所述彈性膜構成的壓力室內的壓力將所述基板按壓於所述研磨墊而研磨該基板，為了使研磨後的所述基板從所述基板保持面脫離，而向所述基板與所述彈性膜之間的間隙噴射流體，在所述基板的脫離失敗的情況下，執行再次噴射所述流體的重試動作，儲存所述重試動作的歷史資訊。
本發明的較佳的方式的特徵在於，該研磨方法還包含顯示所述歷史資訊的工序。
本發明的較佳的方式的特徵在於，所述歷史資訊包含對所述基板進行的所述重試動作的次數。
本發明的較佳的方式的特徵在於，所述歷史資訊還包含進行了所述重試動作的所述基板的識別號和所述流體的噴射的設定時間。
本發明的較佳的方式的特徵在於，在對於所述基板進行的所述重試動作的次數為閾值以上的情況下，儲存所述重試動作的歷史資訊。
根據本發明，由於重試動作的歷史資訊被儲存於監視裝置，因此用戶能夠根據所儲存的歷史資訊來瞭解重試動作的頻率或傾向。此外，用戶能夠根據重試動作的頻率或傾向而適當地判斷膜片的更換時期。
1‧‧‧基板保持部(頂環)
2‧‧‧頂環主體
3‧‧‧擋圈
4‧‧‧彈性膜(膜片)
4a‧‧‧間隔壁
4b‧‧‧基板保持面
4h‧‧‧孔
5‧‧‧中心室
6‧‧‧波紋室
7‧‧‧外室
8‧‧‧邊緣室
9‧‧‧擋圈加壓室
10‧‧‧研磨台
10a‧‧‧台軸
20‧‧‧研磨墊
20a‧‧‧研磨面
30‧‧‧加壓流體供給源
31、87‧‧‧真空源
35‧‧‧氣水分離槽
50‧‧‧控制系統
51‧‧‧動作控制部
52‧‧‧監視裝置
53‧‧‧輸入裝置
54‧‧‧顯示器
55‧‧‧儲存裝置
62‧‧‧研磨液供給噴嘴
64‧‧‧頂環頭部
65‧‧‧頂環軸
66‧‧‧旋轉筒
67‧‧‧同步帶輪
68‧‧‧頂環馬達
69‧‧‧同步帶
70‧‧‧同步帶輪
80‧‧‧頂環頭部軸
81‧‧‧上下運動機構
82‧‧‧轉動接頭
83‧‧‧軸承
84‧‧‧橋部件
85‧‧‧支承台
86‧‧‧支柱
88‧‧‧滾珠螺桿
88a‧‧‧螺桿
88b‧‧‧螺母
90‧‧‧伺服馬達
92‧‧‧搬送台
93‧‧‧流體噴射系統
93a‧‧‧釋放噴嘴
93b‧‧‧流體供給管路
93c‧‧‧釋放閥
93d‧‧‧閥控制部
95‧‧‧流體
96‧‧‧晶圓檢測傳感器(基板檢測傳感器)
W‧‧‧晶圓
圖1是表示本發明的一個實施方式的研磨裝置的整體結構的概略圖。
圖2是對作為研磨對象物的晶圓進行保持且將其向研磨臺上的研磨墊按壓的頂環的示意性的剖視圖。
圖3是表示移動到搬送台的上方位置的頂環的圖。
圖4是用於說明晶圓脫離動作的流程圖。
圖5是監視重試動作的流程圖。
以下，關於本發明的實施方式，參照圖式進行詳細說明。圖1是表示本發明的一個實施方式的研磨裝置的整體結構的概略圖。如圖1所示，研磨裝置具有：研磨台10；以及頂環(基板保持部)1，該頂環(基板保持部)1對作為研磨對象物的晶圓等基板進行保持且將晶圓向研磨台10上的研磨墊20按壓。
研磨台10經由台軸10a與配置於其下方的馬達(未圖示)連結，能夠繞該台軸10a旋轉。在研磨台10的上表面粘貼有研磨墊20，研磨墊20的表面20a構成研磨晶圓W的研磨面。在研磨台10的上方設置有研磨液供給噴嘴62，藉由該研磨液供給噴嘴62向研磨台10上的研磨墊20上供給研磨液Q。
頂環1基本上由頂環主體2和擋圈(retainer ring)3構成，該頂環主體2向研磨面20a按壓晶圓W，該擋圈3對晶圓W進行保持，以使晶圓W不會從頂環1飛出。
頂環1與頂環軸65連接，該頂環軸65經由上下運動機構81而相對於頂環頭部(top ring head)64上下運動。藉由該頂環軸65的上下運動而使頂環1整體相對於頂環頭部64升降並進行定位。在頂環軸65的上端安裝有轉動接頭(rotary joint)82。
使頂環軸65和頂環1上下運動的上下運動機構81具有：橋部件84，該橋部件84經由軸承83將頂環軸65支承為能夠旋轉；滾珠螺桿88， 該滾珠螺桿88被安裝於橋部件84；支承台85，該支承台85被支柱86支承；以及伺服馬達90，該伺服馬達90被設置在支承台85上。支承伺服馬達90的支承台85經由支柱86而被固定於頂環頭部64。
滾珠螺桿88具有與伺服馬達90連結的螺桿88a以及與該螺桿88a螺合的螺母88b。頂環軸65與橋部件84一體地上下運動。因此，當對伺服馬達90進行驅動時，橋部件84經由滾珠螺桿88而上下運動，由此頂環軸65和頂環1上下運動。
並且，頂環軸65經由鍵(未圖示)而與旋轉筒66連結。該旋轉筒66在其外周部具有同步帶輪67。在頂環頭部64固定有頂環馬達68，上述同步帶輪67經由同步帶69與設置於頂環馬達68的同步帶輪70連接。因此，藉由使頂環馬達68旋轉驅動，從而借助同步帶輪70、同步帶69以及同步帶輪67使旋轉筒66和頂環軸65一體旋轉，使頂環1旋轉。頂環頭部64由頂環頭部軸(top ring head shaft)80支承，該頂環頭部軸80以能夠旋轉的方式支承於框體(未圖示)。研磨裝置具有動作控制部51，該動作控制部51對以頂環馬達68、伺服馬達90為代表的裝置內的各設備進行控制。
頂環1能夠在其下表面保持晶圓W。頂環頭部64構成為能夠以頂環頭部軸80為中心迴旋，藉由頂環頭部64的迴旋而使在下表面保持著晶圓W的頂環1從晶圓W的接受位置向研磨台10的上方移動。晶圓W的研磨像下述那樣進行。使頂環1和研磨台10分別旋轉，從設置於研磨台10的上方的研磨液供給噴嘴62向研磨墊20上供給研磨液Q。在該狀態下，使頂環1下降而將晶圓W按壓於研磨墊20的研磨面20a。晶圓W與研磨墊20的研磨面20a滑動接觸，由此研磨晶圓W的表面。
接著，對本發明的研磨裝置中的頂環進行說明。圖2是對作為研磨對象物的晶圓W進行保持並將其向研磨台10上的研磨墊20按壓的頂環1的示意性的剖視圖。在圖2中僅圖示構成頂環1的主要結構要素。
如圖2所示，頂環1基本上由膜片(彈性膜)4、頂環主體(也稱為載體)2以及擋圈3構成，該膜片4向研磨墊20按壓晶圓W，頂環主體(也稱為載體)2對膜片4進行保持，該擋圈3直接按壓研磨墊20。頂環主體2由大致圓盤狀的部件構成，擋圈3安裝於頂環主體2的外周部。頂環主體2由工程塑料(例如PEEK：Polyetheretherketone)等樹脂形成。在頂環主體2的下表面上安裝有與晶圓W的背面抵接的膜片4。膜片4由乙丙橡膠(EPDM)、聚氨酯橡膠、矽橡膠等強度和耐久性優異的橡膠材料形成。
膜片4具有同心狀的複數個間隔壁4a，藉由這些間隔壁4a而在膜片4的上表面與頂環主體2的下表面之間形成有複數個壓力室，亦即，圓形狀的中心室5、環狀的波紋室(ripple chamber)6、環狀的外室7以及環狀的邊緣室8)。在頂環主體2的中心部形成有中心室5，從中心朝向外周方向依次地呈同心狀形成有波紋室6、外室7以及邊緣室8。
晶圓W保持於由膜片4構成的基板保持面4b。膜片4在與波紋室6對應的位置上具有用於吸附晶圓的複數個孔4h。在本實施例中，孔4h設置於波紋室6的位置，但也可以設置於波紋室6以外的位置。在頂環主體2內分別形成有與中心室5連通的流路11、與波紋室6連通的流路12、與外室7連通的流路13以及與邊緣室8連通的流路14。並且，流路11、13、14經由轉動接頭82分別與流路21、23、24連接。並且，流路21、23、24分別經由閥V1-1、V3-1、V4-1和壓力調節器R1、R3、R4與加壓氣體供給源30連接。並且，流 路21、23、24能夠分別經由閥V1-2、V3-2、V4-2與真空源31連接，並且經由閥V1-3、V3-3、V4-3與大氣連通。
與波紋室6連通的流路12經由轉動接頭82與流路22連接。並且，流路22經由氣水分離槽35、閥V2-1和壓力調節器R2與加壓氣體供給源30連接。並且，流路22能夠經由氣水分離槽35和閥V2-2與真空源87連接，並且經由閥V2-3與大氣連通。
在擋圈3的正上方配置有由彈性膜形成的環狀的擋圈加壓室9，擋圈加壓室9經由形成在頂環主體2內的流路15和轉動接頭82而與流路26連接。並且，流路26經由閥V5-1和壓力調節器R5而與加壓氣體供給源30連接。並且，流路26能夠經由閥V5-2與真空源31連接，並且經由閥V5-3與大氣連通。壓力調節器R1、R2、R3、R4、R5分別具有對從加壓氣體供給源30供給到中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9的氣體(空氣或者氮氣等)的壓力進行調整的壓力調整功能。壓力調節器R1、R2、R3、R4、R5和各閥V1-1~V1-3、V2-1~V2-3、V3-1~V3-3、V4-1~V4-3、V5-1~V5-3與動作控制部51(參照圖1)連接，而對它們的動作進行控制。並且，在流路21、22、23、24、26分別設置有壓力傳感器P1、P2、P3、P4、P5和流量傳感器F1、F2、F3、F4、F5。
藉由由膜片4構成的複數個壓力室5、6、7、8內的壓力將晶圓W按壓於研磨墊20，由此研磨晶圓W的表面。複數個壓力室，亦即中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9內的壓力由壓力傳感器P1、P2、P3、P4、P5分別測定，供給到中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9的加壓氣體的流量由流量傳感器F1、F2、F3、F4、F5分別測 定。
在像圖2所示那樣構成的頂環1中，如上所述，在頂環主體2的中心部形成有中心室5，從中心朝向外周方向依次地呈同心狀形成有波紋室6、外室7以及邊緣室8，能夠藉由加壓氣體供給源30和壓力調節器R1、R2、R3、R4、R5分別獨立地調整向這些中心室5、波紋室6、外室7、邊緣室8以及擋圈加壓室9供給的氣體的壓力。藉由這樣的構造，能夠按照每個晶圓的區域來調整將晶圓W按壓於研磨墊20的按壓力，並且能夠調整擋圈3按壓研磨墊20的按壓力。
接著，關於像圖1和圖2所示那樣構成的研磨裝置所進行的一系列的研磨處理工序進行說明。
頂環1在基板交接位置接收晶圓W，藉由真空吸附進行保持。晶圓W的真空吸附是透過由真空源87在複數個孔4h內形成真空而進行的。保持著晶圓W的頂環1下降到預先設定的頂環1的研磨設定位置。在該研磨設定位置上，擋圈3與研磨墊20的研磨面20a接觸，但在研磨前，由於頂環1對晶圓W進行保持，因此在晶圓W的下表面(被研磨面)與研磨墊20的研磨面20a之間具有微小的間隙(例如，約1mm)。此時，研磨台10和頂環1都被旋轉驅動。在該狀態下，使位於晶圓W背面側的膜片4鼓起，使晶圓W的下表面與研磨墊20的研磨面20a抵接，使研磨墊20和晶圓W相對運動，由此研磨晶圓W的表面。
在晶圓W的研磨結束之後，研磨墊20上的晶圓W藉由真空吸引而被保持於膜片4的基板保持面4b，藉由頂環1而被移動到搬送台92(後述)的上方位置。並且，晶圓W從頂環1脫離到搬送台92上。
圖3是表示移動到搬送台92的上方位置的頂環1的圖。搬送台92與研磨台10相鄰地配置。在使晶圓W脫離時，向壓力室5、6、7、8供給氮氣(N2)等氣體，使膜片4鼓起。搬送台92構成為能夠承接從頂環1脫離的晶圓W。
如圖3所示，研磨裝置具有流體噴射系統93，該流體噴射系統93為了使晶圓W從膜片4的基板保持面4b脫離，而向晶圓W與膜片4之間的間隙噴射流體95。該流體噴射系統93具有：噴射流體95的釋放噴嘴93a；與釋放噴嘴93a連接的流體供給管路93b；安裝於流體供給管路93b的釋放閥93c；以及對釋放閥93c的動作進行控制的閥控制部93d。也可以設置複數個釋放噴嘴93a。流體95例如是由純水等液體和氮氣(N2)等氣體組成的混合流體。流體95從釋放噴嘴93a被噴射到晶圓W與膜片4之間的間隙，使晶圓W從頂環1脫離。
在搬送台92的上表面配置有能夠檢測晶圓的複數個晶圓檢測傳感器(基板檢測傳感器)96。也可以僅設置1個晶圓檢測傳感器，但為了提高晶圓檢測精度，較佳為設置複數個晶圓檢測傳感器。在本實施方式中，設置有3個晶圓檢測傳感器96。作為晶圓檢測傳感器96，可以使用各種類型的傳感器。例如，晶圓檢測傳感器96可以是接觸型傳感器、或者也可以是非接觸型傳感器。
控制系統50具有對研磨裝置的各結構要素的動作進行控制的動作控制部51。動作控制部51例如是可程式邏輯控制器(PLC)。動作控制部51與以頂環馬達68和伺服馬達90為代表的裝置內的各設備連接。動作控制部51還與壓力調節器R1、R2、R3、R4、R5和各閥V1-1~V1-3、V2-1 ~V2-3、V3-1~V3-3、V4-1~V4-3、V5-1~V5-3連接。
晶圓檢測傳感器96與動作控制部51連接。動作控制部51還與流體噴射系統93的閥控制部93d連接，流體噴射系統93的動作由動作控制部51控制。
當晶圓W從頂環1脫離時，晶圓W由搬送台92承接。當晶圓檢測傳感器96對搬送台92上的晶圓W進行檢測時，晶圓檢測傳感器96將晶圓檢測信號發送給動作控制部51。該晶圓檢測信號(或者基板檢測信號)是表示在搬送台92上存在晶圓W的信號。當動作控制部51接受該晶圓檢測信號時，動作控制部51使搬送台92移動。
如上所述，有時由於膜片4的劣化而引起膜片4大幅伸長。結果為，流體95的噴流有時無法使晶圓W從膜片4脫離。因此，動作控制部51構成為在晶圓W的脫離失敗的情況下，使流體噴射系統93執行再次噴射流體95的重試動作。
控制系統50具有監視重試動作的監視裝置52。監視裝置52與動作控制部51連接。監視裝置52也可以配置在與動作控制部51分離的部位。例如，監視裝置52也可以經由有線通信、無線通信、或者網路而與動作控制部51連接。作為監視裝置52，也可以使用通用個人計算機。
監視裝置52具有：輸入裝置53，該輸入裝置53用於輸入與研磨裝置的結構要素的動作、特別是流體噴射系統93的動作相關的各種設定值；儲存裝置55，該儲存裝置55儲存流體噴射系統93的重試動作的歷史資訊；以及顯示器54，該顯示器54顯示儲存於儲存裝置55中的歷史資訊。上述的各種設定值包含流體噴射系統93的流體噴射的設定時間、重試動作的 次數的上限值。經由輸入裝置53而輸入監視裝置52的設定值被發送給動作控制部51。動作控制部51根據設定值使流體噴射系統93進行動作。
圖4是用於說明晶圓脫離動作的流程圖。在膜片4鼓起的狀態下，流體噴射系統93開始進行流體95向晶圓W與膜片4之間的間隙的噴射(步驟1)。流體噴射系統93的流體噴射在設定時間的期間內進行(步驟2)。該設定時間由用戶任意地決定，經由輸入裝置53被輸入監視裝置52。例如，流體噴射的設定時間是5秒~10秒。
在經過了設定時間之後，動作控制部51判斷晶圓檢測傳感器96是否檢測到晶圓W(步驟3)。當晶圓檢測傳感器96檢測到晶圓W時，晶圓檢測信號被發送給動作控制部51。因此，動作控制部51接收到晶圓檢測信號意味著完成了晶圓W的脫離。在晶圓W的脫離失敗的情況下，即在進行了上述設定時間的流體噴射且晶圓檢測傳感器96未檢測到晶圓W的情況下，動作控制部51使流體噴射系統93執行再次噴射流體95的重試動作。
在即使進行重試動作晶圓W還未脫離的情況下，重複進行重試動作。動作控制部51構成為計算對晶圓W進行的重試動作的次數。經由輸入裝置53向監視裝置52輸入重試動作的次數的上限值。該上限值由用戶任意決定。上限值也可以是1。在該情況下，重試動作僅進行1次。也可以在重試動作的次數達到上限值且晶圓檢測傳感器96未檢測到晶圓W的情況下，動作控制部51發出警報信號。
圖5是監視重試動作的流程圖。當晶圓W的脫離完成時(步驟1)，動作控制部51判斷重試動作的次數是否為閾值以上(步驟2)。該閾值由用戶任意決定。在一個實施方式中，閾值是1。閾值經由輸入裝置53被 輸入到監視裝置52，進一步被發送給動作控制部51。在重試動作的次數為閾值以上的情況下，動作控制部51向監視裝置52發送與重試動作相關的重試數據(步驟3)。該重試數據至少包含晶圓W的識別號、對該晶圓W進行的重試動作的次數以及流體噴射的設定時間。晶圓W的識別號是指為了特定晶圓W而分配給該晶圓W的編號。
當監視裝置52接受重試數據時，監視裝置52創建重試動作的歷史資訊(步驟4)，由儲存裝置55儲存重試動作的歷史資訊。重試動作的歷史資訊至少包含對晶圓W進行的重試動作的次數。重試動作的歷史資訊還可以包含晶圓W的識別號和流體噴射的設定時間。監視裝置52的顯示器54顯示重試動作的歷史資訊(步驟5)。
在步驟2中，在重試動作的次數小於閾值的情況下，動作控制部51不將重試數據發送給監視裝置52。在該情況下，未創建重試動作的歷史資訊，不儲存於儲存裝置55。
顯示在顯示器54上的重試動作的歷史資訊的一例如下所述。
「C1W01；Retry=1；Release time=10.0〔s〕」
這裡，「C1W01」表示晶圓W的識別號，「Retry=1」表示由流體噴射系統93執行的重試動作的次數是1次，「Release time=10.0〔s〕」表示流體噴射系統93的流體噴射的設定時間是10.0秒。
由於重試動作的歷史資訊被儲存於監視裝置52的儲存裝置55，因此能夠簡單地合計重試動作的次數和流體噴射的時間。用戶能夠根據儲存在儲存裝置55中的重試動作的歷史資訊而瞭解重試動作的頻率、傾向。因此，用戶能夠適當地判斷膜片4的更換時期。動作控制部51也可以在 重試動作的次數為閾值以上的情況下自動地進行異常通告。
上述的實施方式的記載目的為使本發明所屬技術領域中具有通常知識者能夠實施本發明。本領域的技術人員當然能夠實施上述實施方式的各種變形例，本發明的技術的思想也能夠適用於其他的實施方式。因此，本發明不限於所記載的實施方式，能夠解釋為基於申請專利範圍所定義的技術思想的最大範圍。
1‧‧‧基板保持部(頂環)
4‧‧‧彈性膜(膜片)
4b‧‧‧基板保持面
50‧‧‧控制系統
51‧‧‧動作控制部
52‧‧‧監視裝置
53‧‧‧輸入裝置
54‧‧‧顯示器
55‧‧‧儲存裝置
92‧‧‧搬送台
93‧‧‧流體噴射系統
93a‧‧‧釋放噴嘴
93b‧‧‧流體供給管路
93c‧‧‧釋放閥
93d‧‧‧閥控制部
95‧‧‧流體
96‧‧‧晶圓檢測傳感器(基板檢測傳感器)
W‧‧‧晶圓

Claims (11)

  1. 一種研磨裝置，其特徵在於，具有：研磨台，該研磨台用於支承研磨墊；基板保持部，該基板保持部具有由彈性膜構成的基板保持面和壓力室，由該基板保持面對基板進行保持並藉由所述壓力室內的壓力將所述基板按壓於所述研磨墊；流體噴射系統，為了使所述基板從所述基板保持面脫離，該流體噴射系統向所述基板與所述彈性膜之間的間隙噴射流體；動作控制部，在所述基板的脫離失敗的情況下，該動作控制部使所述流體噴射系統執行再次噴射所述流體的重試動作；以及監視裝置，該監視裝置儲存所述重試動作的歷史資訊。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的研磨裝置，其中，所述監視裝置具有顯示所述歷史資訊的顯示器。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項所述的研磨裝置，其中，還具有：搬送台，該搬送台能夠承接從所述基板保持面脫離的所述基板；以及基板檢測傳感器，該基板檢測傳感器配置於所述搬送台。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的研磨裝置，其中，所述歷史資訊包含對所述基板進行的所述重試動作的次數。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的研磨裝置，其中，所述歷史資訊還包含進行了所述重試動作的所述基板的識別號和所述流體的噴射的設定時間。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的研磨裝置，其中， 在對所述基板進行的所述重試動作的次數為閾值以上的情況下，所述監視裝置儲存所述重試動作的歷史資訊。
  7. 一種研磨方法，其特徵在於，使支承研磨墊的研磨台旋轉，藉由由彈性膜構成的基板保持面對基板進行保持，藉由由所述彈性膜構成的壓力室內的壓力將所述基板按壓於所述研磨墊而研磨該基板，為了使研磨後的所述基板從所述基板保持面脫離，向所述基板與所述彈性膜之間的間隙噴射流體，在所述基板的脫離失敗的情況下，執行再次噴射所述流體的重試動作，儲存所述重試動作的歷史資訊。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的研磨方法，其中，還包含顯示所述歷史資訊的工序。
  9. 根據申請專利範圍第7或8項所述的研磨方法，其中，所述歷史資訊包含對所述基板進行的所述重試動作的次數。
  10. 根據申請專利範圍第9項所述的研磨方法，其中，所述歷史資訊還包含進行了所述重試動作的所述基板的識別號和所述流體的噴射的設定時間。
  11. 根據申請專利範圍第7項所述的研磨方法，其中，在對所述基板進行的所述重試動作的次數為閾值以上的情況下，儲存所述重試動作的歷史資訊。
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