TW201736387A - 新穎異腈化合物及矽氫化反應觸媒 - Google Patents
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Abstract
提供一種新穎異腈(isocyanide)化合物，與藉由使用該物，而在溫和條件下能使矽氫化反應進行之操作性及保存性優異之矽氫化反應觸媒及由使用此之矽氫化反應所成之加成化合物之製造方法。從由鐵羧酸鹽、鈷羧酸鹽、鎳羧酸鹽等之去除鉑之周期表第8族、第9族、第10族之過渡金屬化合物所構成之觸媒前驅物，與由具有有機矽氧烷基之異腈化合物所構成之配位子來調製之矽氫化反應觸媒。
Description
本發明係關於在取得矽氫化反應觸媒時有效之新穎異腈化合物，及使用該化合物作為配位子之矽氫化反應觸媒，更詳細而言，關於由觸媒前驅物之金屬化合物與配位子成分之新穎異腈化合物所形成之矽氫化反應觸媒。又，關於由使用該觸媒之矽氫化反應所成之加成化合物之製造方法。
將Si-H官能性化合物對具有碳-碳雙鍵或相同三鍵之化合物進行加成反應之矽氫化反應為合成有機矽化合物之有用手段，在工業上亦為重要之合成反應。
作為此矽氫化反應之觸媒，已知有Pt、Pd、Rh化合物，其中受到最多使用者為由Speier觸媒、Karstedt觸媒所代表之Pt化合物。
作為將Pt化合物當作觸媒之反應之問題點，可舉出如在對末端烯烴加成Si-H官能性化合物之際會產生烯烴進行內部錯位之副反應。於此系統下，因為對於內部烯烴不展現示加成反應性，且未反應烯烴殘留於加成生
成物中，故為了使反應完成結束，則必須預估因副反應所殘留之分量而預先使用過剩之烯烴。
又，亦有因烯烴之種類而α加成體與β加成體之選擇性較差之問題。
最大之問題點則係在於中心金屬之Pt、Pd、Rh皆係極高價之貴金屬元素，由於希望能更為平價使用之金屬化合物觸媒，故既已進行多數之研究。
例如，已知有由鐵-羰基錯合物(Fe(CO)5、Fe3(CO)12)所成之反應(非專利文獻1)，但此反應必須要有在160℃之高溫下之反應條件或光照射(非專利文獻2)。
又，此等鐵-羰基錯合物下，因並非產生加成反應，故亦有取得去氫矽烷化生成物之報告(非專利文獻3、專利文獻1)。
亦報告有使用具有環戊二烯基作為配位子之鐵-羰基錯合物的甲基乙烯基二矽氧烷與甲基氫二矽氧烷之反應例(非專利文獻4、專利文獻2)，但此反應下由於亦會進行去氫矽烷化反應，故加成反應之選擇性為低。
具有三聯吡啶系配位子之鐵觸媒之反應中(非專利文獻5)，不僅必須要有大量過剩之還原劑(NaBHEt3)作為反應助劑，並且PhSiH3、Ph2SiH2雖然會對烯烴進行加成，但有用性較高之三烷基矽烷類、烷氧基矽烷類、矽氧烷類對烯烴之加成反應性較差。
雖然已報告在同樣具有三聯吡啶系配位子與雙三甲基矽基甲基之鐵觸媒之反應下，可收率良好地取得加成反應
物(非專利文獻6)，但此手法首先係合成觸媒前驅物之三聯吡啶-鐵錯合物，並且在低溫下導入雙三甲基矽基甲基，及直到觸媒合成為止之操作在工業上並不容易。
亦報告有具有雙亞胺基吡啶配位子之Fe錯合物(非專利文獻7、8)，且揭示對於烷氧基矽烷類、矽氧烷類亦可在溫和條件下顯示優異反應性。
但，使用此錯合物之反應下，則有對內部烯烴之反應性為低、於錯合物合成時使用由禁水性之鈉與高毒性之水銀所構成且操作必須多加注意之Na汞合金(或使用禁水性之NaBEt3H)、錯合物化合物自身之安定性低、以及操作上必須要有手套箱等之特殊設備、以及保存必須在惰性氣體氮環境下且低溫之問題點。
亦報告有具有旋光性亞胺基吡啶噁唑啉配位子之鐵錯合物(非專利文獻9)，其展示3級烯與Ph2SiH2之反應例。然而，必須要有還原劑(NaBHEt3)，且二氫二苯基矽烷在工業上並非係高價值之反應基質。
亦報告有由鈷-羰基錯合物(Co2(CO)8等)所成之反應例(非專利文獻10~15)，但在反應收率、反應莫耳比之面上並非係可滿足者，且亦未揭示關於對矽氧烷類之加成反應性。
亦報告有由具有三烷基矽基作為取代基之鈷-羰基錯合物所成之烯烴與三烷基矽烷之反應例(非專利文獻16)，但收率低且選擇性亦較差。
已報告有由使用具有環戊二烯基作為配位子之鈷-亞
磷酸鹽錯合物所成之烯烴與三烷基矽烷之反應(非專利文獻17)、由具有N-雜環狀碳烯作為配位子之鈷錯合物所成之烯烴與三氫苯基矽烷之反應(非專利文獻18)，但錯合物化合物之安定性低，操作上必須要有手套箱等之特殊設備，且保存必須在惰性氣體環境下且在低溫下。
亦報告有由具有β-二酮亞胺根基(β-diketiminato)作為配位子之鈷觸媒所成之反應例(非專利文獻19)，但反應基質之三氫苯基矽烷在工業上之利用價值為低。
亦揭示有1-己烯與三乙氧基矽烷之反應例，但觸媒量必須為2莫耳%，且觸媒活性不高。
又，此觸媒之錯合物化合物之安定性為低，且並不容易操作。
亦報告有將三聯吡啶、雙亞胺基吡啶、雙亞胺基喹啉當作配位子之鐵、鈷、鎳觸媒之例(專利文獻3~6)，但與前述非專利文獻6~8相同樣地，具有觸媒前驅物之合成或由相同前驅物直到錯合物觸媒之合成為止之操作在工業的上並非容易、錯合物化合物自身之安定性為低、操作上必須要有特殊設備之問題點。
又，已揭示在由具有雙亞胺基喹啉配位子之錯合物觸媒所成之反應下，使用Mg(丁二烯)‧2THF、NaEt3BH作為觸媒之活性化劑之方法(專利文獻7)，但除了具有與上述相同之問題點以外，並且目的物之收率並非係可滿足者。
已報告有多數之鎳錯合物觸媒。例如，將膦作為配位子之觸媒(非專利文獻20)下選擇性較差，且在觸媒之保存或操作上必須多加注意。
經配位乙烯基矽氧烷之觸媒(非專利文獻21)下，去氫矽烷化生成物成為主成分且加成反應之選擇性為低。
將烯丙基膦作為配位子之觸媒(非專利文獻22)之收率為低，且三氫苯基矽烷在工業上並非係高價值之反應基質。
具有雙醯胺基之觸媒(非專利文獻23)在觸媒之保存或操作上必須多加注意，且二氫二苯基矽烷在工業上亦並非係高價值之反應基質。
具有N-雜環狀碳烯作為配位子之觸媒(非專利文獻24)之反應選擇性為低，且三氫苯基矽烷在工業上之價值不高。
亦報告有具有鉗(pincer)型雙胺基胺配位子之鎳烷氧化物觸媒之例(非專利文獻25)，反應基質僅為二氫二苯基矽烷。
在具有萘啶二亞胺配位子之鎳二核錯合物之例(非專利文獻26)中，觸媒量需為5莫耳%則觸媒活性低，又，反應基質為工業上價值不高之二氫二苯基矽烷。並且，錯合物化合物之安定性低且不容易操作。
關於鈦或鋯錯合物觸媒，已揭示由具有二氮雜丁二烯配位子之觸媒所成之烯與三氫苯基矽烷之反應例(非專利文獻27)，但觸媒量需多至5莫耳%，且三氫苯基
矽烷在工業上之價值不高。
亦報告有多數之銠錯合物觸媒。例如，具有羰基或COD基(環辛二烯基)與N-雜碳烯配位子之觸媒(非專利文獻28、29)，由於錯合物化合物之安定性皆低，在變得必須在惰性氣體環境下之操作及保存。
亦揭示有為了提高反應性而使其在離子性液體存在下進行反應之方法(非專利文獻30)，但變得需要從反應生成物分離離子性液體之步驟。又觸媒也具有COD基與N-雜碳烯基，故具有與上述相同之問題點。
又，亦報告有去氫矽烷化反應會優先進行之觸媒例(非專利文獻31)。
由使用已導入官能基之膦配位子之觸媒(Wilkinson錯合物)所成之三乙氧基矽烷與苯乙烯衍生物之反應下，其位置選擇性為低(非專利文獻32)。
更進一步，亦報告有對錯合物觸媒添加異腈化合物，且未單離經生成之觸媒而進行矽氫化之例(非專利文獻33)。檢討關於與3種類矽烷之反應性，反應性係二甲基苯基矽烷為最高收率(收率81%)，其次為三乙基矽烷(同66%)、三乙氧基矽烷(同40%)，此3種類之矽烷之中在工業價值最高之三乙氧基矽烷下之反應性不高，又，未報告關於與矽氧烷之反應性。
並且，成為前驅物之觸媒係將COD基作為配位子者，在保存或操作上必須多加注意。
另一方面，亦報告有在具有乙醯丙酮根基或
乙酸酯之銠觸媒下，三乙氧基矽烷係收率良好地進行加成反應(非專利文獻34)。
此方法中，觸媒之保存及操作容易則為其之優點，但並未從工業之觀點檢討關於對更高實用性之矽氧烷之反應性。
亦報告有在使用經離子液體修飾之聚乙二醇之銠觸媒下，苯乙烯與三乙氧基矽烷之反應例(非專利文獻35)。然而，反應之位置選擇性為低，且去氫矽烷化與苯乙烯之還原亦同時產生作為副反應。
況且，銠亦然同為高價之貴金屬元素，在實用化作為取代鉑之觸媒時，則要求使觸媒機能更加高活性化。
作為鈀錯合物觸媒，已揭示具有鉗型雙N-雜碳烯吡啶配位子之觸媒，且展示苯乙烯與七甲基三矽氧烷之反應(非專利文獻36)。然而，反應收率為43~57%，且位置選擇性亦低。
又，鈀亦然同為高價之貴金屬元素。
作為將重心放在對有機聚矽氧烷之應用者，已揭示具有膦配位子之觸媒(專利文獻8)、具有芳基-烷基-三氮烯基(triazenido)之觸媒(專利文獻9)、膠質狀之觸媒(專利文獻10)、將硫醚基作為配位子之觸媒(專利文獻11)、將胺基、膦基、硫醚基與有機矽氧烷基具有配位子之觸媒(專利文獻12)。
但，具體例示出反應活性者僅有高價金屬元素之鉑、
鈀、銠、銥，而難謂係在成本上有利之方法。
又，專利文獻13、14之實施例中展示出效果者僅有公知之鉑觸媒，而並未建議任何關於在其他金屬下顯示觸媒活性之構造。
亦已揭示具有碳烯作為配位子之觸媒(專利文獻15~17)，但專利文獻15中並未檢討任何關於對矽氫化反應之有效性。
專利文獻16及專利文獻17中雖揭示具有碳烯與乙烯基矽氧烷作為配位子之觸媒，但實施例所記載者僅只有鉑觸媒。
並且，具有碳烯作為配位子之金屬觸媒之錯合物化合物之保存安定性低，且操作上亦需要多加注意。
亦已揭示具有η6-芳烴(arene)、η6-三烯作為配位子之釕觸媒(專利文獻18、19)，但與鉑觸媒相比時，其反應活性較差，且錯合物化合物之保存安定性為低，在操作上亦為需要多加注意者。
亦已揭示並非係將金屬錯合物作為觸媒，而係混合對金屬鹽與金屬具有配位性之化合物，並將此使用作為觸媒之方法(專利文獻20~26)。但，此等專利文獻中，雖然認為在數例之組合中矽氫化已經進行，但無收率之記載等，且反應是否有效果地進行至何種程度亦不明確。又，全部實施例皆係使用離子性之鹽、氫化物還原劑作為活性化劑，但即便如此幾乎全部之實施例下皆無觸媒活性。
[專利文獻1]國際公開第2013/081794號
[專利文獻2]國際公開第2010/016416號
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本發明係有鑑於此種情事所完成者，其目的在於提供在溫和條件下能使矽氫化反應進行之操作性及保存性優異之矽氫化反應觸媒及取得該矽氫化反應觸媒用之新穎異腈化合物、以及由使用該觸媒之矽氫化反應所成之加成化合物之製造方法。
本發明者等為了達成上述目的經過精心研討之結果，發現可用於矽氫化反應觸媒之新穎異腈化合物。發現藉由使用此異腈化合物作為配位子，且使用規定之金屬化合物作為觸媒前驅物而取得之觸媒在矽氫化反應上能發揮優異活性，且在溫和條件下進行加成反應，進而完成本發明。
即，本發明提供下述之異腈化合物、矽氫化反應觸媒、加成化合物之製造方法。
[1]一種式(1)或式(1)’所示之異腈化合物(但，去除三甲基矽基甲基異腈、雙(三甲基矽基)甲基異腈、參(三甲基矽基)甲基異腈)。
R1-Si(R1)a{〔(OSi(R1)2)〕b-R1}c (1)
A表示可經取代，且，可中介1個或此以上之選自矽、氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，a表示0~3之整數，c表示0~3之整數，且，a+c滿足3，b表示1~300之整數，d表示3~20之整數}。
[2]如[1]之異腈化合物，其中前述a為0、1或2。
[3]如[1]或[2]之異腈化合物，其中前述式(1)或前述式(1)’中之全R1基之中之1個為前述式(2)所示之有機
基。
[4]一種矽氫化反應觸媒，其特徵為由下述式(3)所示之金屬鹽化合物與下述式(1)或下述式(1)’所示之異腈化合物之反應生成物所構成。
Me(L)f(X)g (3){式(3)中，M表示去除鉑之周期表第8族、第9族、或第10族之過渡金屬，X表示鹵素原子，L表示選自下述式(4)~(6)之至少一種1價有機基，e表示1或2之整數，f表示0~6之整數，g表示0~3之整數，e為1時，f+g滿足2或3，e為2時，f+g滿足4~6。
-O-R2 (4)
-OCO-R2 (5)
-OSO2-R2 (6)[式(4)~(6)中，R2係互相獨立表示可經取代，且，可中介1個或此以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之1價有機基或式(7)所表示之1價有機基。
-(B)p-R3 (7)〈式(7)中，B表示可經取代，且，可中介1個或此以上之
選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，p表示0或1之整數，前述L為式(4)所表示之1價有機基時，p滿足0或1，前述L為式(5)或式(6)所表示之1價有機基時，p滿足1，R3表示式(8)所表示之基。
-{Si(R5)2-R4}h-Si(R5)l{〔(OSi(R5)2)〕m-R5}n (8)(式(8)中，R4表示可經取代，且，可中介1個或其以上之氧原子之碳數1~10之2價有機基，R5係互相獨立表示可經取代，且，可中介1個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之烷基、烷氧基、芳基、或芳烷基，h表示0或1之整數，l表示0~3之整數，m表示1~300之整數，n表示0~3之整數，且，l+n滿足3。)〉]}
R1-Si(R1)a{〔(OSi(R1)2)〕b-R1}c (1)
A表示可經取代，且，可中介1個或其以上之選自矽、氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，a表示0~3之整數，c表示0~3之整數，且，a+c滿足3，b表示1~300之整數，d表示3~20之整數。}
[5]如[4]之矽氫化觸媒，其係在式(1)中，a為0、1或2。
[6]如[4]或[5]之矽氫化觸媒，其係在式(1)或式(1)’中，全R1基中之1個為前述式(2)所示之有機基。
[7]如[4]~[6]中任一項之矽氫化反應觸媒，其係在使具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應之系統內進行調製。
[8]如[4]~[7]中任一項之矽氫化反應觸媒，其中前述M為Fe、Co或Ni，e為1，f為2，g為0。
[9]如[4]~[7]中任一項之矽氫化反應觸媒，其中前述M為Rh，e為2，f為4，g為0。
[10]如[4]~[7]中任一項之矽氫化反應觸媒，其中前
述M為Ru，e為2，f為4，g為1。
[11]如[4]~[10]中任一項之矽氫化反應觸媒，其中前述L為前述式(5)所表示之1價有機基。
[12]如[11]之矽氫化反應觸媒，其中前述R2為可經鹵素原子取代之碳數1~5之烷基。
[13]一種矽氫化反應觸媒之製造方法，其係在使具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應之系統內，使如[4]之式(3)所示之金屬鹽化合物與式(1)所示之異腈化合物進行反應而取得矽氫化反應觸媒。
[14]一種加成化合物之製造方法，其特徵為在如[4]~[12]中任一項之矽氫化反應觸媒之存在下，使具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H鍵之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應。
[15]如[14]之加成化合物之製造方法，其中前述具有脂肪族不飽和鍵之化合物為烯烴化合物，或具有烯基之矽烷化合物或有機(聚)矽氧烷。
[16]一種加成化合物之製造方法，其特徵為在使具有脂肪族不飽和鍵之化合物與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應之系統內，從如[4]之式(3)所示之金屬鹽與式(1)或式(1)’所示之異腈化合物調製矽氫化反應觸媒，且在該反應觸媒之存在下，使前述矽氫化反應進行。
[17]如[16]之加成化合物之製造方法，其中前述具
有脂肪族不飽和鍵之化合物為烯烴化合物，或具有烯基之矽烷化合物或有機(聚)矽氧烷。
本發明之異腈化合物對觸媒前驅物之金屬化合物或對反應基質之溶解性良好，而可有用作為使矽氫化反應有效進行用之配位子。又，由於能室溫保存，且在空氣中亦為安定，故在操作時不需使用特殊裝置。
另一方面，氫化反應觸媒之原料之金屬化合物可容易取得作為市售品或藉由公知方法進行合成。又，該金屬化合物並不需要在低溫下或惰性氣體環境下中保存，也不需要在手套箱中實施評量等之操作，故為操作極為簡易之化合物，即使長時間暴露於空氣中，仍具有高反應活性之優點。
又，本發明之觸媒由於配位子係不具有羰基或η4-二烯基、η5-環戊二烯基、η6-芳烴或三烯基等之配位子，故具有保存安定性高，操作亦為容易，且高反應活性之優點。
為了利用金屬化合物而使反應活性種產生，通常必須加入使高原子價金屬種在系統內進行還原之還原劑，但本發明中由於係利用反應物即氫矽烷自身作為還原劑，故不需添加還原劑，作為目的之矽氫化所成之加成反應即會進行。
從此等金屬化合物與異腈化合物所調製之觸媒係可單
離作為金屬錯合物化合物後使用，亦可在進行矽氫化反應之系統內調製後不單離而使用。
若使用從此等金屬化合物與異腈化合物所調製之觸媒，進行含脂肪族不飽和基之化合物與具有Si-H基之矽烷、或(聚)矽氧烷之矽氫化反應，則變得能在室溫~100℃以下之條件下進行加成反應。尤其係與工業上有用之(聚)矽氧烷、及三烷氧基矽烷、二烷氧基矽烷之加成反應亦會良好進行。
尚且，公知文獻中揭示在相同反應中，對不飽和基之加成反應，與由去氫矽烷化反應所成之含不飽和基化合物進行生成之反應會時常同時進行，但使用本發明之觸媒時，則係會選擇性地進行對不飽和基之加成反應。
並且，在過往之觸媒下較為困難之與內部烯烴之反應中，變得能取得伴隨不飽和基向末端之移動而成之加成反應物，在聚矽氧工業上係有用性極高者。
R1-Si(R1)a{〔(OSi(R1)2)〕b-R1}c (1)
A表示可經取代，且，可中介1個或其以上之選自矽、氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，a表示0~3之整數，c表示0~3之整數，且滿足a+c為3，b表示1~300之整數，d表示3~20之整數。}
式(1)或式(1)’中，R1係互相獨立為可經取代，且，可中介一個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之1價有機基、及由式(2)
-A-NC (2)
所選擇之1價有機基，且，全R1基之中之1~3個為式(2)所示之有機基，A為可經取代，且，可中介一個或其以上之選自矽、氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，a為0~3之整數，c為0~3之整數，且滿足a+c為3，b為1~300，以1~100為佳，較佳為1~50之整數。d表示3~20之整數，以3~10為佳，較佳為3~5之整數。
於此情況，在本發明之異腈化合物中，新穎之異腈化合物係在上述式(1)或式(1)’所示者之中，去除三甲基矽基甲基異腈(Me3SiCH2NC)、雙(三甲基矽基)甲基異腈[(Me3Si)2CHCN]、及參(三甲基矽基)甲基異腈[(Me3Si)3CNC]者。
作為碳數1~30之1價有機基，並非係受到特別限定者，但以碳數1~30之1價烴基或烷氧基為佳。
作為1價烴基，可舉出烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基等。
作為烷基，可為直鏈、分枝鏈、環狀之任一者，以1~20為佳，較佳為1~10之烷基，作為其具體例，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、s-丁基、t-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十一基、n-十二基、n-十三基、n-十四基、n-十五基、n-十六基、n-十七基、n-十八基、n-十九基、n-二十基等之直鏈或分枝鏈烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、降莰基、金剛烷基等之環烷基等。
作為烯基，以碳數2~20之烯基為佳，作為其具體例，可舉出如乙烯基、n-1-丙烯基、n-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、n-1-丁烯基、n-2-丁烯基、n-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、n-1-戊烯基、n-1-癸烯基、n-1-二十烯基等。
作為炔基，以碳數2~20之炔基為佳，作為其具體例，可舉出如乙炔基、n-1-丙炔基、n-2-丙炔基、n-1-丁炔基、n-2-丁炔基、n-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、n-1-戊炔基、n-2-戊炔基、n-3-戊炔基、n-4-戊炔基、1-甲基-n-丁炔基、2-甲基-n-丁炔基、3-甲基-n-丁炔基、1,1-二甲基-n-丙炔基、n-1-己炔基、n-1-癸炔基、n-1-十五炔基、n-1-二十炔基等。
作為芳基，以碳數6~30為佳，較佳為碳數6~20之芳基，作為其具體例，可舉出如苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、菲基、o-聯苯基、m-聯苯基、p-聯苯基等。
作為芳烷基，以碳數7~30為佳，較佳為碳數7~20之芳烷基，作為具體例，可舉出如苄基、苯基乙基、苯基丙基、萘基甲基、萘基乙基、萘基丙基等。
作為烷氧基，以碳數1~10之烷氧基為佳，作為其具體例，可舉出如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、i-丙氧基、n-丁氧基、i-丁氧基、s-丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、n-壬氧基、n-癸氧基等。
作為上述R1中之取代基之具體例，可舉出如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子、甲氧基、乙氧基、丙氧基等之烷氧基、二烷基胺基等之胺基等。
式(2)中，A為可經取代，且，可中介一個或其以上之選自矽、氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，但作為碳數1~30之2價有機基，並非係受到特別限定，以碳數1~30，尤其係以2~30之2價烴基為
佳。
作為2價烴基，可舉出如伸烷基、伸芳基、伸芳烷基等。
作為伸烷基，可為直鏈、分枝鏈、環狀之任一者，以碳數1~20為佳，較佳為碳數1~10之伸烷基，作為其具體例，可舉出如亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、n-伸丁基、異伸丁基、s-伸丁基、n-伸辛基、2-乙基伸己基、n-伸癸基、n-伸十一基、n-伸十二基、n-伸十三基、n-伸十四基、n-伸十五基、n-伸十六基、n-伸十七基、n-伸十八基、n-伸十九基、n-伸二十基等之直鏈或分枝鏈伸烷基；1,4-環伸己基等之環伸烷基等。
作為伸芳基，以碳數6~30為佳，較佳為碳數6~20之伸芳基，作為其具體例，可舉出如o-伸苯基、m-伸苯基、p-伸苯基、1,2-伸萘基、1,8-伸萘基、2,3-伸萘基、4,4'-伸聯苯基(biphenylene)等。
作為伸芳烷基(Aralkylene)，以碳數7~30為佳，較佳為碳數7~20之伸芳烷基，作為具體例，可舉出如-(CH2)k-Ar-(Ar表示碳數6~20之伸芳基，k表示1~10之整數)、-Ar-(CH2)k-(Ar及k表示與上述相同意義)、-(CH2)k-Ar-(CH2)k-(Ar表示與上述相同意義，k係互相獨立表示與上述相同意義)等。
作為取代基之具體例，可舉出如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子、甲氧基、乙氧基、丙氧基等之烷氧基、二烷基胺基等之胺基等。
前述式(1)中，全R1基中之1~3個為式(2)所示之有機基，但此異腈化合物可為單一者，且複數者亦無妨。較佳係全R1基中之1~2個為式(2)所示之有機基，特佳為全R1基中之1個係使用至少一個選自包含式(2)所示之異腈之有機基。
a為0~3之整數，a為3時表示四有機矽烷，a為0~2時表示於分子內具有矽氧烷基之有機(聚)矽氧烷化合物。又，a為0~2時，式(2)所示之1價有機基可結合於有機(聚)矽氧烷骨架之末端、側鏈之任一者。尚且，本發明中，(聚)矽氧烷係指將1個矽氧基之情況表示作為矽氧烷，將2個以上矽氧基之情況表示作為聚矽氧烷。
作為去除式(2)所示之1價有機基之殘基即矽基、或(聚)有機矽氧烷基之具體例，可舉出如三甲基矽基、三乙基矽基、苯基二甲基矽基、三甲氧基矽基、三乙氧基矽基、五甲基二矽氧基、雙三甲基矽氧基甲基矽基、參三甲基矽氧基矽基、-Si(Me)2{OSi(Me)2}(b-1)OSiMe3(b係與上述相同)所表示之聚二甲基矽氧基、-Si(Me)2{OSi(Me)2}(b-1)OSiMe2 nBu(b係與上述相同)所表示之(聚)二甲基矽氧基、-Si(Me)2{OSi(Me)2}(b-1)OSiMe2-所表示之(聚)二甲基矽氧基等，並非係受限於此等者。又，亦可為包含中介矽伸乙基(silethylene)而高度分枝之樹枝狀聚合物型之矽氧烷基之聚有機矽氧基。
此異腈化合物係可藉由公知之方法進行合
成。例如，從胺化合物與甲酸取得甲醯基化物，其次在有機胺之存在下，使其與三氯氧磷反應而進行異腈化之方法(合成方法1。參照Organometallics,2004,23,3976-3981)；作為在溫和條件下取得甲醯基化物之方法，由乙酸酐與甲酸形成乙酸甲酸酐，使此與胺化合物反應而可取得甲醯基化物(合成方法2。參照Org.Synth.,2013,90,358-366)。取得之甲醯基化物藉可藉由與上述相同之合成方法1記載之方法進行異腈化。
亦或，亦能以氫化鈉使甲醯胺陰離子化，使其與鹵素化合物反應而取得甲醯基化物(合成方法3。參照Synthetic Communications,1986,16,865-869)。取得之甲醯基化物係可藉由與上述相同之合成方法1記載之方法進行異腈化。
另外，作為不經由甲醯基化之方法，亦可藉由使胺化合物與二氯碳烯反應而進行異腈化之方法來合成(合成方法4。參照Tetrahedron Letters,1972,17,1637-1640)。
目的之異腈化合物在具有矽氧烷骨架時，則以使含胺基矽氧烷化合物在上述合成方法2之溫和條件下甲醯基化後，使用合成方法1中之方法進行異腈化，或使用合成方法4之方法取得為佳。
於此情況，作為胺化合物或鹵素化合物，可使用下述式(1’)所示者。
R0-Si(R0)a{〔(OSi(R0)2)〕b-R0}c (1’)
式(1’)中，R0係互相獨立為可經取代，且，可中介1個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之1價有機基、及由式(2’) -A-X (2’)
所選擇之1價有機基，且，全R0基之中之1~3個為式(2’)所示之有機基，A為可經取代，且，可中介一個或其以上之選自矽、氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基。X為胺化合物時則係NH2，為鹵素化合物時則係鹵素原子。a、b、c係同以上所述。
以下展示來自胺化合物之合成條件之概略。
(i)由合成方法1之甲醯基化：對胺化合物添加過剩量之甲酸，在迴流下進行脫水而予以甲醯基化。
(ii)由合成方法1之甲醯基體之異腈化：甲醯基體與二異丙基胺溶解於二氯甲烷，冷卻至0℃，滴入三氯氧磷(Phosphoryl chloride)，並且攪拌2小時。加入碳酸鈉水溶液，在室溫下放置1晚，施以後處理而取得目的物。因應必要進行蒸餾或昇華純化。
(iii)由合成方法2之甲醯基化：對乙酸酐添加甲酸(相對於乙酸酐為2當量)，而取得甲醯基化劑(乙酸甲酸酐)。另一方面，使胺化合物溶解於THF(四氫呋喃)，冷卻至-15℃。在不使內溫超過-5℃之狀態下滴入甲醯基化劑，並且攪拌2小時。施以後處理而取得目的物後，進行異腈化。
(iv)由合成方法4之異腈化：混合胺化合物、氯仿、相轉移觸媒(氯化苄基三乙基銨)、二氯甲烷。添加50質量%氫氧化鈉水溶液，在二氯甲烷之迴流下攪拌2小時。施以後處理而取得異腈化合物。
或從鹵素化合物進行合成時，可進行如以下之由合成方法3之甲醯基化。即，使氰化鈉(60%石蠟分散體)分散於DMF，添加甲醯胺在120℃下攪拌45分。冷卻60℃後，添加鹵素化合物，在120℃下攪拌24小時。過濾鹽後，餾除溶劑(DMF)而取得甲醯基化物。尚且，異腈化係與合成方法1相同。
本發明之異腈化合物在與下述所示之金屬化合物一同使用時，會作用作為對矽氫化反應有效之配位子。在與不具有矽原子，特別係不具有矽氧烷骨架之異腈化合物相比，可極有效果地使觸媒活性提升。
進行矽氫化反應之際，在不損及本發明之範圍內，除了加入本發明之異腈化合物，亦可同時使用不包含矽原子或有機矽氧烷基之異腈化合物。此時，公知之異腈化合物以外，亦可為藉由先前所示方法所能合成之異腈化合物。
作為此種不包含矽原子之異腈化合物之具體例，可舉出如甲基異腈、乙基異腈、n-丙基異腈、環丙基異腈、n-丁基異腈、異丁基異腈、sec-丁基異腈、t-丁基異腈、n-戊基異腈、異戊基異腈、新戊基異腈、n-己基異腈、環己基異腈、環庚基異腈、1,1-二甲基己基異腈、1-金剛烷基
異腈、2-金剛烷基異腈等之烷基異腈；苯基異腈、2-甲基苯基異腈、4-甲基苯基異腈、2,4-二甲基苯基異腈、2,5-二甲基苯基異腈、2,6-二甲基苯基異腈、2,4,6-三甲基苯基異腈、2,4,6-三t-丁基苯基異腈、2,6-二異丙基苯基異腈、1-萘基異腈、2-萘基異腈、2-甲基-1-萘基異腈等之芳基異腈；苄基異腈、苯基乙基異腈等之芳烷基異腈等，但並非係受此等所限定者。
本發明之矽氫化反應觸媒係由上述異腈化合物與式(3)所表示之金屬化合物所調製者。
Me(L)f(X)g (3)式(3)中，M表示去除鉑之周期表第8族、第9族、第10族之過渡金屬，其中亦以Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir為佳，若考慮金屬鹽之取得容易性或成本，及觸媒活性等時，以Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Os、Ir為較佳，以Fe、Co、Ru、Ni、Rh較更佳。
X表示鹵素原子，作為其具體例，可舉出如氟、氯、溴、碘原子，但以氯原子、溴原子為佳，以氯原子為較佳。
e表示1或2之整數，f表示0~6之整數，g表示0~3之整數，e為1時，f+g滿足2或3，e為2時，f+g滿足4~6。
L表示以氧原子與過渡金屬M結合之1價有機
基，具體而言表示選自式(4)~(6)之至少一種，但以式(5)所示之1價有機基為佳。
-O-R2 (4)
-OCO-R2 (5)
-OSO2-R2 (6)
式(4)~(6)中，R2係互相獨立表示可經取代，且，可中介1個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之1價有機基，或式(7)所表示之1價之有機基。
-(B)p-R3 (7)
作為碳數1~30之1價之有機基，並非係受到特別限定者，以碳數1~30之1價烴基為佳。
作為1價烴基，可舉出如烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基等。
作為烷基，可為直鏈、分枝鏈、環狀之任一者，以碳數1~20為佳，較佳係碳數1~10之烷基，作為其具體例，可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、s-丁基、t-丁基、n-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十一基、n-十二基、n-十三基、n-十四基、n-十五基、n-十六基、n-十七基、n-十八基、n-十九基、n-二十基等之直鏈或分枝鏈烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、降莰
基、金剛烷基等之環烷基等。
作為烯基，以碳數2~20之烯基為佳，作為其具體例，可舉出如乙烯基、n-1-丙烯基、n-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、n-1-丁烯基、n-2-丁烯基、n-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、n-1-戊烯基、n-1-癸烯基、n-1-二十烯基等。
作為炔基，以碳數2~20之炔基為佳，作為其具體例，可舉出如乙炔基、n-1-丙炔基、n-2-丙炔基、n-1-丁炔基、n-2-丁炔基、n-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、n-1-戊炔基、n-2-戊炔基、n-3-戊炔基、n-4-戊炔基、1-甲基-n-丁炔基、2-甲基-n-丁炔基、3-甲基-n-丁炔基、1,1-二甲基-n-丙炔基、n-1-己炔基、n-1-癸炔基、n-1-十五炔基、n-1-二十炔基等。
作為芳基，以碳數6~30為佳，較佳為碳數6~20之芳基，作為其具體例，可舉出如苯基、1-萘基、2-萘基、蒽基、菲基、o-聯苯基、m-聯苯基、p-聯苯基等。
作為芳烷基，以碳數7~30為佳，較佳為碳數7~20之芳烷基，作為其具體例，可舉出如苄基、苯基乙基、苯基丙基、萘基甲基、萘基乙基、萘基丙基等。
又，此等基在不損及本發明之矽氫化反應觸媒之活性範圍內，亦可中介1個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子。
又，碳數1~30之1價之有機基亦可具有取代
基，且亦可在任意位置上具有相同或相異之複數取代基。
作為上述取代基之具體例，可舉出如氟原子、氯原子等之上述各種鹵素原子，甲氧基、乙氧基、丙氧基等之烷氧基，二烷基胺基等之胺基等。
式(7)中，B表示可經取代，且，可中介1個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，p表示0或1之整數，上述L為式(4)所表示之1價有機基時，則p滿足0或1，上述L為式(5)或式(6)所表示之1價有機基時，則p滿足1。
作為碳數1~30之2價有機基，並非係特別受到限定者，以碳數1~30之2價烴基為佳。
作為2價烴基，可舉出如伸烷基、伸芳基、伸芳烷基等。
作為伸烷基，可為直鏈、分枝鏈、環狀之任一者，以碳數1~20為佳，較佳為碳數1~10之伸烷基，作為其具體例，可舉出如亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、n-伸丁基、異伸丁基、s-伸丁基、n-伸辛基、2-乙基伸己基、n-伸癸基、n-伸十一基、n-伸十二基、n-伸十三基、n-伸十四基、n-伸十五基、n-伸十六基、n-伸十七基、n-伸十八基、n-伸十九基n-伸二十基基等之直鏈或分枝鏈伸烷基；1,4-環伸己基等之環伸烷基等。
作為伸芳基，以碳數6~30為佳，較佳為碳數6~20之伸芳基，作為其具體例，可舉出如o-伸苯基、m-伸苯基、p-伸苯基、1,2-伸萘基、1,8-伸萘基、2,3-伸萘基、
4,4'-伸聯苯基等。
作為伸芳烷基，以碳數7~30為佳，較佳為碳數7~20之伸芳烷基，作為其具體例，可舉出如-(CH2)k-Ar-(Ar表示碳數6~20之伸芳基，k表示1~10之整數)、-Ar-(CH2)k-(Ar及k係表示與上述相同意義)、-(CH2)k-Ar-(CH2)k-(Ar表示與上述相同意義，k係互相獨立表示與上述相同意義)等。
R3表示式(8)所示之矽基或(聚)有機矽氧烷基。
-{Si(R5)2-R4}h-Si(R5)l{〔(OSi(R5)2)〕m-R5}n (8)
R4表示可經取代，且，可中介1個或其以上之氧原子之碳數1~10之2價烴基，R5係互相獨立表示可經取代，且，可中介1個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之1價有機基，h表示0或1，l表示0~3之整數，m表示1~300，以1~100為佳，較佳為1~50之整數，n表示0~3之整數，且l+n滿足3。
作為碳數1~10之2價烴基，並非係受到特別限定者，以碳數1~10之伸烷基為佳，可為直鏈、分枝鏈、環狀之任一者。作為具體例，可舉出如亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、n-伸丁基、異伸丁基、s-伸丁基、n-伸辛基、2-乙基伸己基、n-伸癸基等之直鏈或分枝鏈伸烷基；1,4-環伸己基等之環伸烷基等。特佳為伸乙
基、伸丙基。
作為碳數1~30之1價有機基，並非係受到特別限定者，以碳數1~30之1價烴基為佳。
作為1價烴基，可舉出如烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基等，其具體例係與上述相同。
較佳係h為0之式(9)所示之矽基或(聚)有機矽氧烷基。
-Si(R5)l{〔(OSi(R5)2)〕m-R5}n (9)
作為式(9)所示之矽基或(聚)有機矽氧烷基之具體例，可舉出如三甲基矽基、三乙基矽基、苯基二甲基矽基、三甲氧基矽基、三乙氧基矽基、五甲基二矽氧基、雙三甲基矽氧基甲基矽基、參三甲基矽氧基矽基、-Si(Me)2{OSi(Me)2}(m-1)-OSiMe3(m係與上述相同)所表示之(聚)二甲基矽氧基、-Si(Me)2{OSi(Me)2}(m-1)-OSiMe2 nBu(m係與上述相同)所表示之(聚)二甲基矽氧基等，但並非係受限於此等者。
尚且，作為R3，除了使用一般式(8)所表示之基以外，使用中介矽伸乙基而高度分枝之樹枝狀聚合物型之矽氧烷基亦無妨。
此等之中，R5係以可經鹵素原子取代之碳數1~30之1價烴基為佳，以可經鹵素原子取代之碳數1~10之烷基為更佳，以可經鹵素原子取代之碳數1~5之烷基為
特佳。
式(3)中，e為1或2，f表示0~6之整數，g表示0~3之整數，此等係配合金屬元素(M)之價數而選擇，e為1時，f+g滿足2或3，e為2時，f+g滿足4~6。
更具體而言，式(3)中之M為Fe、Co或Ni時，以e為1，f為2或0，g為0、2或3為佳，以e為1，f為2，g為0為較佳。
式(3)中之M為Rh時，以e為2，f為4，g為0為佳。
式(3)中之M為Ru時，以e為2，f為4，g為1為佳。
本發明中，可適宜使用作為觸媒前驅物之金屬化合物之具體例，可舉出如由乙酸鐵(II)、叔戊酸鐵(II)、三氟乙酸鐵(II)(四氫呋喃錯合物、以下THF)、[Fe(mesityl)(μ-mesityl)]2與各種醇、羧酸或含矽氧烷之羧酸鹽所調製之具有鐵-氧鍵之鐵錯合物等之鐵化合物；乙酸鈷(II)、氯化鈷(II)、溴化鈷(II)、鈷(II)異丙氧化物、叔戊酸鈷(II)、三氟乙酸鈷(II)(THF)等之鈷化合物；乙酸鎳(II)、叔戊酸鎳(II)等之鎳化合物；Ru2(μ-OAc)4Cl等之釕化合物；乙酸銠(II)二聚物等之銠化合物等，但並非係受限於此等者。
尚且，此等金屬鹽可取得做為市售品或藉由公知文獻(J.Cluster.Sci.,2005,16,331.Inorganic chemistry,2007,
46,3378.Organometallics,1993,12,2414.Russ。Chem.Bull.,1999,48,1751.J.Inorg.Nucl.Chem.,1966,28,2285.等)記載之方法進行合成而得。
在調製本發明之矽氫化反應觸媒之際，金屬化合物與異腈化合物之使用量並非係受到特別限定者，相對於金屬化合物1當量，以將異腈化合物作成0.5~15當量程度為佳，以1~10當量為較佳，以2~8當量為較更佳。
尚且，併用本發明之異腈化合物與公知之不包含矽基之異腈化合物作為配位子時，此等使用量之合計係以在上述範圍內為佳。
又，在使用本發明之矽氫化反應觸媒進行矽氫化反應之際，觸媒之使用量並非係受到特別限定者，若考慮到使反應在室溫~100℃程度之溫和條件下進行而收率良好取得目的物時，相對於基質之含脂肪族不飽和基化合物1莫耳，金屬化合物係以使用0.001莫耳%以上為佳，以使用0.01莫耳%以上為較佳，特佳為0.05莫耳%以上。
尚且，金屬化合物之使用量並無特別之上限，但從經濟性之觀點，相對於基質1莫耳為10莫耳%程度，較佳為5莫耳%。
尚且，本發明之矽氫化反應觸媒中，在不損及其活性等之範圍內，亦可併用公知之供2電子性配位子。作為供2電子性配位子，並非係受到特別限定者，以羰基以外之配位子為佳，可舉出如氨分子、醚化合物、胺
化合物、膦化合物、亞磷酸鹽化合物、硫化物化合物等。
本發明之矽氫化反應觸媒係以使具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物，在使矽氫化反應進行系統內，從金屬化合物及異腈化合物來調製而使用為佳。
於此之際，一旦從金屬化合物與異腈化合物調製觸媒後，即可添加具有脂肪族不飽和鍵之化合物與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物，且可個別數個成分分開添加，亦可全部成分一次添加。
具有脂肪族不飽和基之化合物與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物之使用比率係為脂肪族不飽和基/Si-H基之莫耳比為1/10~10/1，較佳為1/5~5/1，特佳為1/3~3/1。
金屬化合物與異腈化合物之反應條件並非係受到特別限定者，通常反應溫度在10~100℃程度，較佳為30~80℃，反應時間為1~48小時程度。又，觸媒調製時及矽氫化反應時因應必要亦可使用有機溶劑。
在使用有機溶劑時，只要不對反應造成影響，其種類為任意者，可使用例如戊烷、己烷、庚烷、辛烷、環己烷等之脂肪族烴類；二乙基醚、二異丙基醚、二丁基醚、環戊基甲基醚、四氫呋喃、1,4-二噁烷等之醚類；苯、甲苯、茬、均三甲苯等之芳香族烴類等。本發明之矽氫化反應觸媒在根據金屬化合物與異腈化合物之組合、其他條件，而可取得各種構造者。
使用本發明之矽氫化反應觸媒之矽氫化反應中，具有脂肪族不飽和鍵之化合物只要係例如，烯烴化合物、矽烷化合物或有機(聚)矽氧烷化合物等之具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H鍵之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物之組合，該等各化合物之構造並無任何限制皆可使用。
若例示具有脂肪族不飽和鍵之化合物，則如以下所示。
烯烴化合物：乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、己烯、辛烯、癸烯、十二烯、n-十六烯、異十六烯、n-十八烯、異十八烯、降莰烯、三氟丙烯等之烯類。
乙炔、丙炔、丁炔、戊炔、己炔、辛炔、癸炔、十二炔、十六炔、十八炔等之區炔類。
除了不飽和基存在於末端者以外，亦可為存在於內部者。
亦可為如己二烯、辛二烯般於分子內具有複數不飽和基。
苯乙烯、2-甲基苯乙烯、4-氯苯乙烯、4-甲氧基苯乙烯、α甲基苯乙烯、4-甲基-α甲基苯乙烯、烯丙基苯等之含芳香族基烯類。
烯丙基環氧丙基醚、烯丙基二醇、烯丙基苄基醚、二乙二醇單烯丙基醚、二乙二醇烯丙基甲基醚、聚氧乙烯單烯丙基醚、聚氧丙烯單烯丙基醚、聚(氧化乙烯‧氧化丙
烯)單烯丙基醚、聚氧乙烯二烯丙基醚、聚氧丙烯二烯丙基醚、聚(氧化乙烯‧氧化丙烯)二烯丙基醚等之烯類。
矽烷化合物：三甲基乙烯基矽烷、三乙基乙烯基矽烷、三甲氧基乙烯基矽烷、三乙氧基乙烯基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、甲氧基二甲基乙烯基矽烷、乙氧基二甲基乙烯基矽烷、三甲氧基烯丙基矽烷、三乙氧基烯丙基矽烷、三異丙氧基乙烯基矽烷、苯基二甲氧基乙烯基矽烷、苯基二乙氧基乙烯基矽烷、二苯基甲氧基乙烯基矽烷、二苯基乙氧基乙烯基矽烷、三苯基乙烯基矽烷、三苯基乙烯基矽烷等。
矽氧烷類：五甲基乙烯基二矽氧烷、四甲基二乙烯基二矽氧烷、七甲基乙烯基三矽氧烷、二甲基二苯基二乙烯基二矽氧烷、二甲基乙烯基矽氧基末端封閉二甲基聚矽氧烷、二甲基乙烯基矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧二苯基矽氧烷)共聚物、三甲基矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧甲基乙烯基矽氧烷)共聚物、三甲基矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧二苯基矽氧烷、甲基乙烯基矽氧烷)共聚物、二甲基乙烯基矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧甲基乙烯基矽氧烷)共聚物、二甲基乙烯基矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷、甲基乙烯基矽氧烷、二苯基矽氧烷)共聚物、末端羥基封閉(二甲基矽氧烷‧甲基乙烯基矽氧烷)共聚物、α乙烯基二甲基聚矽氧烷等。
作為含Si-H基化合物，可例示如以下之矽烷類、矽氧烷類。
矽烷類：三甲氧基氫矽烷、三乙氧基氫矽烷、三異丙氧基氫矽烷、二甲氧基甲基氫矽烷、二乙氧基甲基氫矽烷、二甲氧基苯基氫矽烷、二乙氧基苯基氫矽烷、甲氧基二甲基氫矽烷、乙氧基二甲基氫矽烷、三苯基氫矽烷、二苯基二氫矽烷、苯基三氫矽烷、二苯基甲基氫矽烷、苯基二甲基氫矽烷、二苯基甲氧基氫矽烷、二苯基乙氧基氫矽烷等。
矽氧烷類：五甲基氫二矽氧烷、四甲基二氫二矽氧烷、七甲基氫三矽氧烷、八甲基二氫四矽氧烷、二甲基氫矽氧基末端封閉二甲基聚矽氧烷、二甲基氫矽氧基末端封閉甲基聚矽氧烷、二甲基氫矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧二苯基矽氧烷)共聚物、三甲基矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷)共聚物、三甲基矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧二苯基矽氧烷、甲基氫矽氧烷)共聚物、二甲基氫矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷)共聚物、二甲基氫矽氧基末端封閉(二甲基矽氧烷、甲基氫矽氧烷、二苯基矽氧烷)共聚物、末端羥基封閉(二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷)共聚物、單末端二甲基氫矽氧基封閉二甲基聚矽氧烷等。
又，使用本發明之矽氫化反應觸媒之矽氫化反應係除可使用於由具有脂肪族不飽和鍵之烯烴化合物與
具有Si-H鍵之矽烷化合物所得之矽烷耦合劑、由具有脂肪族不飽和鍵之烯烴化合物與具有Si-H鍵之有機聚矽氧烷所得之變性聚矽氧油類等之外，還可使用於由具有脂肪族不飽和鍵之有機聚矽氧烷化合物與具有Si-H鍵之有機聚矽氧烷所得之聚矽氧硬化物等，使用過往之鉑觸媒在工業上實施之全部用途。
以下，例舉合成例、實施例及比較例，更加具體說明本發明，但本發明並非係受到下述實施例所限制者。
調製金屬化合物使用之溶劑係全部在以公知之方法進行脫氧、脫水後才使用。
取得之金屬化合物係保存在25℃、氮氣環境下使用於反應。
烯之矽氫化反應及溶劑純化係全部在惰性氣體環境下進行，且各種反應所使用之溶劑等全部皆係使用預先以公知之方法進行純化、乾燥、脫氧者。
1H、13C、19F-NMR之測量係分別使用日本電子(股)製JNM-ECA600、JNM-LA400進行，IR測量係使用日本分光(股)製FT/IR-550進行。
尚且，以下所示之化學構造式係根據慣用之表現方法省略氫原子。又，OAc表示乙酸陰離子，iPr表示異丙基。
參考文獻J.Cluster.Sci.,2005,16,331.，藉由以下之手法進行合成。
對裝有迴流管之50mL二口茄型燒瓶添加還原鐵0.86g(15.4mmol)、叔戊酸3.50g(34.3mmol)，在160℃下攪拌12小時。此時，反應溶液從無色透明轉變成綠色。再添加叔戊酸2.50g(24.5mmol)，在160℃下攪拌19小時。其後，過濾反應溶液，與經回收之上清液一同在80℃下進行減壓乾燥。以己烷洗淨取得之固體而取得綠色固體(2.66g、收率67%)。
FT-IR(KBr)v：2963,2930,2868,1583,1523,1485,1457,1427,1379,1362,1229,1031,938,900,790,608,576,457cm-1
參考文獻Russ.Chem.Bull.,1999,48,1751.，藉由以下之手法進行合成。
對裝有迴流管之50mL二口茄型燒瓶添加乙酸鈷1.15g(6.5mmol)、叔戊酸1.55g(15.2mmol)、無水叔戊酸0.5mL(2.5mmol)，在160℃下攪拌1小時攪拌。此時，反應溶液從淡紫色轉變成紫色。其後，在80℃下減壓乾燥，將以戊烷與二乙基醚進行洗淨取得之固體進行乾燥而得到紫色固體(1.15g、收率68%)。
FT-IR(KBr)v：2963,2929,2868,1599,1524,1485,1457,1420,
1379,1363,1229,1032,938,900,792,613,585,460cm-1
對裝有迴流管之1L燒瓶放入10-十一烯酸184.0g(1.0mol)、甲苯150.0g，加熱至80℃。對此滴入六甲基二矽氮烷100.6g(0.625mol)，滴下結束後再80℃下更加熱3小時。減壓下加熱至100℃去除揮發成分，取得CH2=CH(CH2)8COOSiMe3(矽烷化物A)(254.4g、收率99.4%)。
對裝有迴流管之1L燒瓶放入上述矽烷化物A254.4g(0.99mol)、甲苯100.0g，加熱至90℃。對此添加氯化鉑酸0.5質量%之甲苯溶液0.5g，且滴下1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷264.7g(1.19mol)。滴下結束後，在100℃下更加熱2小時。在減壓下加熱至120℃去除揮發成分，取得(Me3SiO)2MeSi(CH2)10COOSiMe3(加成物B)(451.2g、收率95.0%)。
對1L燒瓶放入加成物B239.0g(0.5mol)、甲醇140.0g，在室溫下攪拌14小時。進行蒸餾而取得目的物(Me3SiO)2MeSi(CH2)10COOH(沸點175.0~176.0℃/0.3kPa、162.4g、收率80.0%)。藉由氣相層析所得之純度為99.5%。
其次，對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷0.43g(2.41mmol)，上述合成之(Me3SiO)2MeSi(CH2)10COOH2.0g(4.92mmol)，在180℃下攪拌1小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥
1小時，調製成鈷羧酸鹽A。
FT-IR(KBr)v：2958,2924,2583,1555,1413,1257,1078,1049,842,799,783,754,687。
對裝有迴流管之500mL燒瓶放入3-丁烯酸100.0g(1.16mol)、己烷80.0g，加熱至70℃。對此滴下六甲基二矽氮烷117.0g(0.73mol)，滴下結束後在70℃下更加熱3小時。蒸餾反應液而取得目的物CH2=CHCH2COOSiMe3(矽烷化物B)(沸點60.0~62.0℃/5.3kPa、收量155.1g、收率84.6%)。藉由氣相層析所得之純度為94.4%。
其次，對裝有迴流管之500mL燒瓶放入上述矽烷化物B155.1g(0.98mol)、甲苯150.0g，加熱至90℃。對此添加氯化鉑酸0.5質量%之甲苯溶液0.5g，滴下1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷239.8g(1.08mol)。滴下結束後，在100℃下更加熱2小時。蒸餾反應液而得到目的物(Me3SiO)2MeSi(CH2)3COOSiMe3(加成物B)(沸點97.0~98.5℃/0.3kPa、收量253.8g、收率68.1%)。藉由氣相層析所得之純度為98.7%。
其次，對500mL燒瓶放入加成物B207.5g(0.55mol)、甲醇100.0g，在室溫下攪拌14小時。進行蒸餾而取得目的物(Me3SiO)2MeSi(CH2)3COOH(沸點119.5~121.0℃/0.3kPa、收量109.5g、收率64.6%)。藉由氣相層析所得
之純度為98.9%。
其次，對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷0.20g(1.13mmol)、(Me3SiO)2MeSi(CH2)3COOH 0.70g(2.28mmol)，在160℃下攪拌1小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時而調製成鈷羧酸鹽B。
FT-IR(KBr)v：2958,2901,2880,1686,1561,1413,1259,1176,1078,1041,842,797,755。
對裝有迴流管之1L燒瓶放入10-十一烯酸184.0g(1.0mol)、甲苯150.0g，加熱至80℃。對此滴下六甲基二矽氮烷100.6g(0.625mol)，滴下結束後在80℃下更加熱3小時。減壓下加熱至100℃去除揮發成分而取得CH2=CH(CH2)8COOSiMe3(與前述矽烷化物A相同)(收量254.3g、收率99.3%)。
對裝有迴流管之1L燒瓶放入矽烷化物A51.2g(0.20mol)，加熱至90℃。對此添加氯化鉑酸0.5質量%之甲苯溶液0.2g，且滴下nBu(Me2)SiO(Me2SiO)3Si(Me2)H 94.5g(0.23mol)。滴下結束後，在100℃下更加熱2小時。減壓下加熱至200℃去除未反應物而取得目的物nBu(Me2)SiO(Me2SiO)3Si(Me2)(CH2)10COOSiMe3(加成物C)(收量127.0g、收率95.0%)。
對500mL燒瓶放入加成物C127.0g(0.19mol)、甲醇100.0g，在室溫攪拌14小時。減壓下加熱至100℃去除揮
發成分而取得目的物nBu(Me2)SiO(Me2SiO)3Si(Me2)(CH2)10COOH(收量111.0g、收率98.0%)。藉由氣相層析所得之純度為99.8%。
其次，對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷0.20g(1.13mmol)、nBu(Me2)SiO(Me2SiO)3Si(Me2)(CH2)10COOH1.35g(2.26mmol)，在160℃下攪拌1小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時而調製成鈷羧酸鹽C。
FT-IR(KBr)v：2960,2924,2854,1560,1457,1412,1259,1088,1037,840,798。
參考非專利文獻(J.Organomet.Chem.,1970,25,385.)，藉由以下操作順序進行合成。
對50mL舒倫克管添加以市售品取得之三甲基矽基甲基異腈500mg(4.42mmol)，使其溶解於THF(25mL)。使此溶液冷卻至-78℃，添加1.11M之鋰二異丙基醯胺之THF/己烷混合溶液4.10mL(4.55mmol)，且攪拌10分鐘。在此添加氯三甲基矽烷0.58mL(4.59mmol)，在-78℃下攪拌2小時。其後，返回室溫，餾除溶劑後，添加己烷25mL，藉由過濾去除沉澱物，再度減壓下餾除溶劑及未反應之異腈。其後，首先在減壓下(10Pa)以60℃進行蒸餾而取得雙(三甲基矽基)甲基異腈[87mg(11%)]。其後，藉由在減壓下
(10Pa)以80℃進行昇華純化，而取得參(三甲基矽基)甲基異腈[440mg(38%)]。
雙(三甲基矽基)甲基異腈1H-NMR(396MHz、CDCl3)δ：0.18(s,18H),2.52(t,J=2.4Hz,1H).13C-NMR(151MHz、CDCl3)δ：13.8,43.7,137.8(t,J=4.6Hz).29Si-NMR(119MHz、CDCl3)δ：4.82.FT-IR(neat)v：2116(CN-)cm-1
參(三甲基矽基)甲基異腈1H-NMR(396MHZ、CDCl3)δ：0.22(s,27H).13C-NMR(151MHz、CDCl3)δ：0.08,33.4,151.6(t,J=4.6Hz).29Si-NMR(119MHz、CDCl3)δ：5.55.FT-IR(KBr)v：2090(CN-)cm-1
參考文獻J.Inorg.Nucl.Chem.,1966,28,2285，藉由以下之手法進行合成。
對200mL二口茄型燒瓶添加RuCl33水合物1.09g(4.18mmol)、冰乙酸35mL、乙酸酐7mL，在145℃下攪拌2小時。冷卻後，一旦過濾，再度在145℃下攪拌6小時。其後，以-30℃使其結晶化，使用冰乙酸、甲醇、二乙基醚進行洗淨，取得紅茶色之固體(61mg、收率6%)。
FT-IR(KBr)v：3023,2991,2934,1643,1444,1401,1356,1041,1015,944,691,625,606cm-1
胺化合物之N-甲醯基化係參考文獻Org.Synth.,2013,90,358-366，由N-甲醯基化物之異腈化係參考文獻Organometallics,2004,23,3976-3981，並藉由以下之手法進行合成。
對300mL燒瓶放入乙酸酐57.1g(0.56mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下甲酸51.5g(1.12mol)。在冷卻之狀態下更攪拌30分，其次使內溫上升至40℃並攪拌2小時後，冷卻至室溫。
對500mL燒瓶放入3-胺基丙基-參三甲基矽氧基矽烷106.0g(0.30mol)與THF120.0g，使內溫冷卻至-15℃。在使內溫不超過-5℃之速度下對此滴下上述反應液。滴下結束後，在-15℃下更攪拌2小時。其次以蒸發器去除揮發分，而取得經N-甲醯基化之粗生成物118.2g。
對2L燒瓶放入上述N-甲醯基化生成物118.2g、二氯甲烷120.0g、二異丙基胺109.5g(1.08mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下三氯氧磷52.3g(0.34mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。以使內溫不超過20℃之方式滴下碳酸鈉20質量%水溶液750.0g，滴下結束後在室溫下攪拌15小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，添加硫酸鎂進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得目的物(Me3SiO)3SiCH2CH2CH2NC。收量62.7g、收率57.6%。沸點95.5~96.0℃/0.3kPa。藉由氣相層析所得之純度為99.6%。
藉由與實施例1相同手法進行合成。
對300mL燒瓶放入乙酸酐26.5g(0.26mol)，內溫冷卻至5℃。對此滴下甲酸23.9g(0.52mol)。在冷卻之狀態下更攪拌30分，其次使內溫上升至40℃攪拌2小時後，冷卻至室溫。
對500mL燒瓶放入nBu(Me2)SiO(Me2SiO)3Si(Me2)CH2CH2CH2NH265.4g(0.14mol)與四氫呋喃100.0g，使內溫冷卻至-15℃。在不使內溫超過-5℃之速度下對此滴下上述反應液。滴下結束後，在-15℃下更加攪拌2小時。其次以蒸發器去除揮發分，取得經N-甲醯基化之粗生成物69.1g。
對1L燒瓶放入上述N-甲醯基化生成物69.1g、二氯甲烷120.0g、二異丙基胺49.3g(0.49mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下三氯氧磷23.6g(0.15mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。以使內溫不超過20℃之方式滴下碳酸鈉20質量%水溶液350.0g，滴下結束後在室溫下攪拌15小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，添加硫酸鎂進行脫水、過濾後進行蒸餾而取得目的物nBu(Me2)SiO(Me2SiO)3Si(Me2)CH2CH2CH2NC。收量52.2g、收率77.8%。沸點145~147℃/0.3kPa。藉由氣相層析所得之純度為97.2%。
藉由與實施例1相同手法進行合成。
對300mL燒瓶放入乙酸酐57.1g(0.56mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下甲酸51.5g(1.12mol)。在冷卻之狀態下更攪拌30分，其次使內溫上升至40℃攪拌2小時後，冷卻至室溫。
對500mL燒瓶放入H2NCH2CH2CH2(Me2)SiOSi(Me2)CH2CH2CH2NH2 37.2g(0.15mol)與四氫呋喃100.0g，使內溫冷卻至-15℃。在不使內溫超過-5℃之速度下對此滴下上述反應液。滴下結束後，在-15℃下更攪拌2小時。其次以蒸發器去除揮發分，而取得經N-甲醯基化之粗生成物46.7g。
對2L燒瓶放入上述N-甲醯基化生成物46.7g、二氯甲烷120.0g、二異丙基胺106.1g(1.05mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下三氯氧磷50.7g(0.33mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。以使內溫不超過20℃之方式滴下碳酸鈉20質量%水溶液750.0g，滴下結束後在室溫下攪拌15小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，添加硫酸鎂進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得目的物CNCH2CH2CH2(Me2)SiOSi(Me2)CH2CH2CH2NC。收量17.4g、收率43.3%。沸點133~134℃/0.3kPa。藉由氣相層析所得之純度為97.8%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之異腈L-1 7mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，對反應溶液添加內部標準之苯甲醚1.0mmol並進行攪拌後，使極少量溶解於重氯仿，通過氧化鋁柱去除觸媒，測量1H-NMR光譜而測定生成物之構造與收率(尚且，以下所示之實施例中，由1H-NMR光譜所得之收率測定係同樣地依此操作順序進行)。其結果係確認到原料之信號完全消失。且，確認到目的生成物中與矽鄰接之碳上之質子信號即0.89ppm之多重線，且求出其收率。其結果收率為70%。
1H-NMR(396MHz、CDCl3)δ：0.07(s,6H),0.09(s,9H),0.86-0.92(m,2H),2.61-2.68(m,2H),7.13-7.33(m,5H)
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例2取得之異腈
L-2 9mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為>99%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例3取得之異腈L-3 3mg(0.01mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為>99%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之以市售品取得之三甲基矽基甲基異腈2mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜而求除生成物之收率。其結果收率為95%。
對反應容器添加乙酸銥(Alfa Aesar公司製)12mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之
L-1 22mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果，矽氫化生成物之收率為9%。
對反應容器添加作為市售品取得之乙酸鈀7mg(0.03mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 22mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果，矽氫化生成物之收率為30%。
對反應容器添加合成例7取得之Ru2(μ-OAc)4Cl 7mg(0.005mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 22mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果，矽氫化生成物之收率為10%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之異腈L-1 11mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜測定生成物之構造與收率。其結果係確認到原料之信號完全消失。且，確認到目的生成物中之與矽鄰接之碳上之質子信號即0.95ppm附近之多重線，求出其收率。其結果收率為>99%。
1H-NMR(396MHz、CDCl3)δ：-0.07(s,3H),-0.06(s,3H),0.05(s,9H),0.89-1.00(m,2H),1.28(d,J=7.3Hz,3H),2.91(tq,J=6.8Hz,J=7.3Hz,1H),7.13-7.32(m,5H)。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例2取得之異腈L-2 14mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量
1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為>99%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例3取得之異腈L-3 4mg(0.015mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為63%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之以市售品取得之三甲基矽基甲基異腈3mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為51%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之合成例6取得之雙(三甲基矽基)甲基異腈6mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之
1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為94%。
對螺口瓶添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之合成例6取得之參(三甲基矽基)甲基異腈8mg(0.04mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為63%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例4取得之鈷羧酸B 7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之異腈L-1 11mg(0.03mmol)、DME(100μL)，攪拌15分鐘後，添加作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌43小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為>99%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之異腈L-1 11mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為95%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例3取得之鈷羧酸A 9mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之異腈L-1 11mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度18)1.47g(1.0mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為46%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例3取得之鈷羧酸A 9mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例2取得之異腈L-2 14mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度18)1.47g(1.0mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在
80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜求出生成物之收率。其結果收率為46%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例3取得之鈷羧酸A 9mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例3取得之異腈L-3 4mg(0.015mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度18)1.47g(1.0mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為20%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例5取得之鈷羧酸C 12mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之異腈L-1 11mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度18)1.47g(1.0mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為42%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例5取得之鈷羧酸C 12mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例2取得之異腈
L-2 14mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度18)1.47g(1.0mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為76%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例5取得之鈷羧酸C 12mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例3取得之異腈L-3 4mg(0.015mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度18)1.47g(1.0mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為29%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之以市售品取得之三甲基矽基甲基異腈3mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為25%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之合成例6取得之雙(三甲基矽基)甲基異腈6mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為80%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之合成例6取得之參(三甲基矽基)甲基異腈8mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯169μL(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為20%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例2取得之叔戊酸鈷3mg(0.01mmol)、1-異氰基金剛烷5mg(0.03mmol)、α-甲基苯乙烯130μL(1.0mmol)、兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收
率。其結果收率為0%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之異腈L-1 7mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、苯乙烯149μL(1.3mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為75%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例2取得之異腈L-2 10mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、苯乙烯149μL(1.3mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之
收率。其結果收率為12%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例3取得之異腈L-3 3mg(0.01mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、苯乙烯149μL(1.3mmol)，在25℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為11%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之以市售品取得之三甲基矽基甲基異腈2mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、苯乙烯149μL(1.3mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為74%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之合成例6取得之雙(三甲基矽基)甲基異腈4mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之兩末
端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、苯乙烯149μL(1.3mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為6%。
對反應容器添加作為觸媒之合成例1取得之叔戊酸鐵3mg(0.01mmol)、1-異氰基金剛烷3mg(0.02mmol)、苯乙烯115μL(1.0mmol)、兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為0%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 435mg(0.5mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌3小時。實施氣相層析分析，藉由以下之計算式求
出反應率。
其結果反應率為91%。尚且，確認到目的物成分之蒸餾單離後之1H-NMR分析、以及氣相層析分析中之滯留時間係與另外使用鉑觸媒所合成之生成物相同(尚且，以下所示之實施例中藉由氣相層析所得之反應率測定係同樣地依此操作順序進行)。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 217mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌7.5小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為95%。
對反應容器添加合成例5取得之鈷羧酸鹽C 312mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在
80℃下攪拌7小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為94%。
對反應容器添加合成例5取得之鈷羧酸鹽C 125mg(0.10mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 436mg(1.2mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌10小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為77%。
對反應容器添加合成例2取得之叔戊酸鈷65mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌4.5小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為91%。
對反應容器添加作為市售品取得之乙酸鈷(Co(OAc)2)44mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃
下攪拌6小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為82%。
對反應容器添加作為市售品取得之乙酸鈷(Co(OAc)2)2mg(0.01mmol)、1-異氰基金剛烷10mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷777mg(3.5mmol)、1-辛烯224mg(2mmol)，在80℃下攪拌6小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為0%。
對反應容器添加作為市售品取得之乙酸鈷4水合物(Co(OAc)2‧4H2O)62mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌7小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為42%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 217mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例2取得之L-2 718mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌3.5小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為
68%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 217mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例3取得之L-3 201mg(0.75mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、1-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌6.5小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為34%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 217mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之1-異氰基金剛烷121mg(0.75mmol)、實施例1取得之L-1 272mg(0.75mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、3-辛烯5.60g(50mmol)、甲苯3mL，在80℃下攪拌8.5小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為85%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 217mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、2-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌7小時。僅取得與1-辛烯之加成物相同之生成物，藉由氣相層析分析所得之反應率為77%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 217mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 545mg(1.5mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65mmol)、3-辛烯5.60g(50mmol)，在80℃下攪拌7小時。僅取得與1-辛烯之加成物相同之生成物，藉由氣相層析分析所得之反應率為38%。
對反應容器添加乙酸銥(Alfa Aesar公司製)12mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 22mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、1-辛烯157μL(1.0mmol)，80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果，矽氫化生成物之收率為50%。
對反應容器添加作為市售品取得之乙酸鋅6mg(0.03mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 22mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、1-辛烯157μL(1.0mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果，矽氫化生成物之收率為4%。
對反應容器添加作為市售品取得之乙酸銀5mg(0.03mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 22mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷254μL(1.3mmol)、1-辛烯157μL(1.0mmol)，在80℃
下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果，矽氫化生成物之收率為5%。
對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷0.50g(2.87mmol)、軟脂酸1.47g(5.74mmol)，在170℃下攪拌1小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時而調製成鈷羧酸鹽D(1.50g)。
FT-IR(KBr)v：2915,2849,1543,1467,141,1317,720cm-1
對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷0.50g(2.84mmol)、異軟脂酸1.46g(5.70mmol)，在170℃下攪拌1小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時而調製成鈷羧酸鹽E(1.50g)。
FT-IR(KBr)v：2954,1922,2853,1603,1577,1457,1417,1260,1276,765cm-1
對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷0.51g(2.89mmol)添加異硬脂酸(異構物混合物：日產化學工業公司製)1.62g(5.71mmol)，在170℃下攪拌1小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時而調製成鈷羧酸鹽F(1.50g)。
FT-IR(KBr)v：2952,2867,1618,1576,1457,1424,1363,1276,765cm-1
對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷1.00g(5.65mmol)、2-乙基己酸1.63g(11.3mmol)，在170℃下攪拌2小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時，再以190℃減壓乾燥2小時而調製成2-乙基己酸鈷。收量為1.93g。
對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷1.00g(5.65mmol)、辛酸1.63g(11.3mmol)，在170℃下攪拌2小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時，再以190℃減壓乾燥2小時而調製成辛酸鈷。收量為1.93g。
對20mL茄型燒瓶添加乙酸鈷1.00g(5.65mmol)、月桂基酸2.26g(11.3mmol)，在170℃下攪拌2小時。其後，以直接之溫度減壓乾燥1小時，再以190℃減壓乾燥2小時而調製成月桂基酸鈷。收量為2.57g。
對50mL二口茄型燒瓶添加鎂帶1.08g(44.3mmol)、THF35mL，對此徐緩滴下8.溴均三甲苯49g(42.6mmol)並同時添加。滴下後，確認到發熱消失後後，在60℃下攪拌3小時。以玻璃過濾器過濾取得之溶液，而調製成溴化萊基鎂格林納試劑之THF溶液。
對100mL舒倫克管添加FeCl22.63g(20.7mmol)、THF30mL、1,4-二噁烷10mL，冷卻至-78℃。對此徐緩添加上述調製之溴化萊基鎂格林納試劑之THF溶液，在25℃下攪拌2小時。此時，反應液從茶色懸濁液變換成紅色懸濁液。其後，以遠心分離已析出之固體並去除，且進行減壓乾燥。使取得之紅色固體溶解於二乙基醚，再度以遠心分離去除固體後，在-30℃下使其再結晶而取得結晶(收量4.36g、收率72%)。
其次，將取得之[Fe(mesityl)(μ-mesityl)]20.20g(0.34mmol)加入於小瓶，使其溶解於Et2O(10mL)後，攪拌並同時徐緩滴下(Me3SiO)2MeSi(CH2)10COOH0.56g(1.37mmol)進行添加。其後，藉由減壓餾除而調整成茶褐色之鐵羧酸鹽A(0.72g)。
FT-IR(KBr)v：2958,2923,2854,1524,1441,1257,1050,843,783,754cm-1
對小瓶添加合成例14合成之[Fe(mesityl)(μ-mesityl)]20.20g(0.34mmol)，使其溶解於Et2O(10mL)後，攪拌並同時徐緩滴下(Me3SiO)2MeSi(CH2)3COOH0.42g(1.37mmol)進行添加。其後，藉由減壓餾除而調整成茶褐色之鐵羧酸鹽B(0.60g)。
FT-IR(KBr)v：2957,1609,1576,1542,1457,1406,1257,1038,835,795,780,751cm-1
對小瓶添加合成例14合成之[Fe(mesityl)(μ-mesityl)]20.20g(0.34mmol)，使其溶解於Et2O(10mL)後，攪拌並同時徐緩滴下異軟脂酸0.35g(1.37mmol)進行添加。其後，藉由減壓餾除而調整成茶褐色之鐵羧酸鹽D(0.52g)。
FT-IR(KBr)v：2954,2922,2853,1560,1523,1456,1418,1276,1260,764,723cm-1
對裝有酯阱(ester trap)之100mL三頸燒瓶添加乙酸鐵(1.02g、5.86mmol)、2-乙基己酸(3.68g、25.52mmol)、茬(15.8g)，在170℃下反應1小時，藉由酯阱餾除溶劑類。其後，藉由減壓乾燥而調整成深綠色之2-乙基己酸鐵(1.87g)。
對100mL燒瓶放入乙酸酐9.15g(0.090mol)，使內溫冷卻至-10℃。對此滴下甲酸8.23g(0.179mol)。在冷卻之狀態下更攪拌30分，其次使內溫上升至40℃攪拌3小時後，冷卻至室溫。
對100mL燒瓶放入(Me3SiO)2Si(Me)CH2CH2CH2NH221.0g(0.075mol)與四氫呋
喃35mL，使內溫冷卻至-20℃。在不使內溫超過-5℃之速度下對此滴下上述反應液。滴下結束後，在-15℃下更攪拌2小時。其次以蒸發器去除揮發分，而取得經N-甲醯基化之粗生成物22.75g。
對100mL燒瓶放入上述N-甲醯基化生成物22.75g(0.074mol)、二氯甲烷90.0g、二異丙基胺22.77g(0.225mol)，使內溫冷卻至5℃。對此低下三氯氧磷15.00g(0.098mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。滴下碳酸鈉20質量%水溶液120.0g，滴下結束後在5℃下攪拌1小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，加入硫酸鈉進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得目的物(Me2SiO)2Si(Me)CH2CH2CH2NC。收量12.25g、收率55.9%。
對100mL燒瓶放入乙酸酐13.54g(0.133mol)，使內溫冷卻至-10℃。對此滴下甲酸12.26g(0.266mol)。在冷卻之狀態下更攪拌30分，其次使內溫上升至40℃攪拌3小時後，冷卻至室溫。
對200mL燒瓶放入[(Me3SiO)2Si(Me)O]2Si(Me)CH2CH2CH2NH263.29g(0.110mol)與四氫呋喃100.0g，使內溫冷卻至-20℃。在不使內溫超過-5℃之速度下對此滴下上述反應液。滴下結束後，在-15℃下更攪拌2小時。其次以蒸發器去除揮發分，而取
得經N-甲醯基化之粗生成物56.36g。
對100mL燒瓶放入上述N-甲醯基化生成物55.46g、二氯甲烷151.6g、二異丙基胺34.25g(0.339mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下三氯氧磷19.84g(0.130mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。滴下碳酸鈉20質量%水溶液175.0g，滴下結束後在5℃下攪拌1小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，加入硫酸鈉進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得目的物[(Me3SiO)2Si(Me)O]2Si(Me)CH2CH2CH2NC。收量36.75g、收率57.8%。沸點115℃/0.3kPa。
對300mL燒瓶放入乙酸酐60.9g(0.60mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下甲酸55.0g(1.20mol)。在冷卻之狀態下更攪拌30分，其次使內溫上升至40℃攪拌2小時後，冷卻至室溫。
對500mL燒瓶放入1,3,5,7-四甲基-3,5,7-三丙基-3-胺基丙基環四矽氧烷135.6g(0.32mol)與四氫呋喃200mL，使內溫冷卻至-20℃。在不使內溫超過-5℃之速度下對此滴下上述反應液。滴下結束後，在-15℃下更攪拌2小時。其次以蒸發器去除揮發分，而取得經N-甲醯基化之粗生成物145.7g。
對2L燒瓶放入上述N-甲醯基化生成物145.7g、二氯甲烷200mL、二異丙基胺113.1g(1.12mol)，使內溫冷卻
至5℃。對此滴下三氯氧磷54.0g(0.35mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。滴下碳酸鈉20質量%水溶液802.0g，滴下結束後在室溫下攪拌15小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，加入硫酸鈉進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得1,3,5,7-四甲基-3,5,7-三丙基-3-異腈丙基環四矽氧烷。收量92.8g、收率67.0%。沸點132.0~133.5℃/0.3kPa。藉由氣相層析所得之純度為99.4%。
對1L燒瓶放入氰化鈉24.5g(60質量%、流動石蠟分散物、0.61mol)、二甲基甲醯胺400ml、甲醯胺24.4g(0.54mol)，使內溫升溫至120℃。再攪拌2小時，使內溫降低至100℃，滴下tBu(Me)2SiOSi(Me)2CH2C1120.9g(0.51mol)。滴下結束後，使內溫上升至120℃再攪拌5小時。冷卻至室溫，將鹽予以過濾、水洗後，在減壓下去除溶劑與未反應物，而取得tBu(Me)2SiOSi(Me)2CH2NHCHO粗生成物29.0g。
對500mL燒瓶放入tBu(Me)2SiOSi(Me)2CH2NHCHO
粗生成物29.0g(0.117mol)、二氯甲烷60mL、二異丙基胺41.4g(0.410mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下三氯氧磷19.8g(0.129mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。滴下碳酸鈉20質量%水溶液293.3g，滴下結束後在室溫下攪拌15小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，加入硫酸鈉進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得目的物tBu(Me)2SiOSi(Me)2CH2NC。收量7.66g、收率28.6%。沸點88.0~91.0℃/0.9kPa。藉由氣相層析所得之純度為84.0%。
對1L燒瓶放入氰化鈉51.0g(60%、流動石蠟分散物、1.275mol)、二甲基甲醯胺600mL、甲醯胺49.5g(1.10mol)，使內溫上升至120℃。再攪拌2小時，使內溫降低至60℃，滴下CH2=CH(Me)2SiCH2C1143.2g(1.06mol)。滴下結束後，使內溫上升至120℃再攪拌5小時。冷卻至室溫，將鹽予以過濾、水洗後，在減壓下去除溶劑與未反應物，而取得CH2=CH(Me)2SiCH2NHCHO粗生成物60.3g。
對500mL燒瓶放入CH2=CH(Me)2SiCH2NHCHO60.3g(0.42mol)，將內溫設成80℃後，滴下1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷112.3g(0.51mol)與氯化鉑酸3質量%之乙醇溶液3.0g。滴下結束後，將內溫作成100℃，再攪拌5小時。在減壓下去除未反應物，而取得
(Me3SiO)2Si(Me)CH2CH2Si(Me)2CH2NHCHO粗生成物61.8g。
對500mL燒瓶放入(Me3SiO)2Si(Me)CH2CH2Si(Me)2CH2NHCHO粗生成物45.7g(0.125mol)、二氯甲烷50mL、二異丙基胺44.2g(0.438mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下三氯氧磷21.1g(0.137mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。滴下碳酸鈉20質量%水溶液376g，滴下結束後在室溫下攪拌15小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，加入硫酸鈉進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得目的物(Me3SiO)2Si(Me)CH2CH2Si(Me)2CH2NC。收量12.0g、收率27.6%。沸點97.0~99.0℃/0.3kPa。藉由氣相層析所得之純度為96.5%。
對500mL燒瓶放入乙酸酐123.1g(1.21mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下甲酸111.0g(2.41mol)。在冷卻之狀態下更攪拌30分，其次使內溫上升至40℃攪拌2小時後，冷卻至室溫。
對1L燒瓶放入1,1,3-三甲基-3,3-二苯基-3-胺基丙基二矽氧烷212.4g(0.65mol)與四氫呋喃250mL，使內溫冷卻至-20℃。在不使內溫超過-5℃之速度下對此滴下上述反應液。滴下結束後，在-15℃下更攪拌2小時。其次以蒸發器去除揮發分，而取得經N-甲醯基化之粗生成物
230.0g。
對3L燒瓶放入上述N-甲醯基化生成物230.0g、二氯甲烷230mL、二異丙基胺228.1g(2.26mol)，使內溫冷卻至5℃。對此滴下三氯氧磷108.9g(0.71mol)。其後，在冷卻之狀態下攪拌2小時。滴下碳酸鈉20質量%水溶液1620g，滴下結束後在室溫下攪拌15小時。過濾去除經生成之鹽且分離水層。水洗有機層3次，加入硫酸鈉進行脫水、過濾後，進行蒸餾而取得Me(Ph)2SiOSi(Me)2CH2CH2CH2NC。收量118.7g、收率53.9%。沸點166.0~169.0℃/0.2kPa。藉由氣相層析所得之純度為99.0%。
對反應容器添加合成例8所合成之鈷羧酸鹽D 5.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷223mg(1.0mmol)、1-辛烯146mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為65%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 142.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 544.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌6小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為90.6%。
對反應容器添加合成例10所合成之鈷羧酸鹽F 149.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 544.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌4小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為88.7%。
對反應容器添加合成例11所合成之2-乙基己酸鈷86.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 544.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌6小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為92.0%。
對反應容器添加合成例12所合成之辛酸鈷86.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 544.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌4.5小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為91.3%。
對反應容器添加合成例13所合成之月桂基酸鈷114.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 544.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌4.5小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為87.8%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 57mg(0.10mmol)、作為異腈配位子之實施例48取得之L-4 173mg(0.60mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷5.76g(26mmol)、1-辛烯2.24g(20mmol)，在80℃下攪拌4小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為54%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 57mg(0.10mmol)、作為異腈配位子之實施例49取得之L-5 357mg(0.61mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷5.77g(26mmol)、1-辛烯2.24g(20mmol)，在80℃下攪拌4小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為66%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 142.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例50取得之L-6 649.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌4小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為82.0%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 142.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例51取得之L-7 343.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌8小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為35.5%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 142.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例52取得之L-8 520.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌9小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為64.8%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 142.3mg(0.25mmol)、作為異腈配位子之實施例53取得之L-9 508.5mg(1.50mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌8小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為50.9%。
對反應容器添加二異丙氧基化鈷(Aldrich公司製)1.8mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之1,1-3,3,3-五甲基二矽氧烷192mg(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯118mg(1.0mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為97%。
對反應容器添加合成例2取得之叔戊酸鈷7.8mg(0.03mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 32.7mg(0.09mmol)、作為氫矽氧烷之三乙氧基矽烷214mg(1.3mmol)、α-甲基苯乙烯118mg(1mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為33%。
對反應容器添加合成例2取得之叔戊酸鈷2.6mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯153mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌6小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為82%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 8.9mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯153mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為46%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E 5.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯153mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為62%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 8.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端三甲基矽基封閉聚(二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷)共聚物1.14g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯153mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為57%。
對反應容器添加合成例9取得之鈷羧酸鹽E 5.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端三甲基矽基封閉聚(二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷)共聚物1.14g(0.5mmol)、α-甲基苯乙烯153mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為53%。
對反應容器添加合成例3取得之鈷羧酸鹽A 8.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端三甲基矽基封閉聚(二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷)共聚物
1.14g(0.50mmol)、烯丙基環氧丙基醚148mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為18%。
對反應容器放入合成例9取得之鈷羧酸鹽E 5.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端三甲基矽基封閉聚(二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷)共聚物1.14g(0.50mmol)、烯丙基環氧丙基醚148mg(1.3mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為50%。
對反應容器添加合成例2取得之叔戊酸鈷2.6mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷192mg(1.3mmol)、1-乙烯基-1,1,3,3,3-五甲基二矽氧
烷174mg(1mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為22%。
對反應容器添加合成例2取得之叔戊酸鈷2.6mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 10.9mg(0.03mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷289mg(1.3mmol)、1-乙烯基-1,1,3,3,3-五甲基二矽氧烷174mg(1.0mmol)，在80℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為21%。
對反應容器添加合成例14取得之鐵羧酸鹽A 8.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 7.3mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽
氧烷192mg(1.3mmol)、苯乙烯104mg(1.0mmol)，在室溫下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為88%。
對反應容器添加合成例16取得之鐵羧酸鹽C 113mg(0.20mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 295mg(0.81mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷7.75g(52mmol)、苯乙烯4.16g(40mmol)，在50℃下攪拌6小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為90%。
對反應容器添加合成例17取得之2-乙基己酸鐵68mg(0.20mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 295mg(0.81mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基二矽氧烷7.75g(52mmol)、苯乙烯4.16g(40mmol)，在50℃下攪拌6小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為94%。
對反應容器添加三氟甲烷磺酸鐵(Aldrich公司製)3.5mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 7.3mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,3-五甲基
二矽氧烷192mg(1.3mmol)、苯乙烯104mg(1.0mmol)，在50℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為23%。
對反應容器添加合成例1取得之叔戊酸鐵7.7mg(0.03mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 22mg(0.06mmol)、作為氫矽氧烷之三乙氧基矽烷214g(1.3mmol)、苯乙烯104mg(1.0mmol)，在80℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為8%。
對反應容器添加合成例1取得之叔戊酸鐵2.6mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 7.3mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.50mmol)、苯
乙烯135mg(1.3mmol)，在50℃下攪拌3小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為75%。
對反應容器添加合成例15取得之鐵羧酸鹽B 6.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 7.3mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.50mmol)、苯乙烯135g(1.3mmol)，在50℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為20%。
對反應容器添加合成例16取得之鐵羧酸鹽C 5.7mg(0.01mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 7.3mg(0.02mmol)、作為氫矽氧烷之兩末端氫二甲基矽基封閉聚二甲基矽氧烷(平均聚合度27)1.07g(0.50mmol)、苯乙烯135mg(1,3mmol)，在50℃下攪拌24小時。冷卻後，測量1H-NMR光譜並求出生成物之收率。其結果收率為84%。
對反應容器添加合成例9所合成之鈷羧酸鹽E
56.9mg(0.10mmol)、作為異腈配位子之實施例1取得之L-1 217.8mg(0.60mmol)、1-氰基金剛烷48.3mg(0.30mmol)、作為氫矽氧烷之1,1,1,3,5,5,5-七甲基三矽氧烷14.43g(65.0mmol)、1-辛烯5.60g(50.0mmol)，在80℃下攪拌4小時。藉由氣相層析分析所得之反應率為71.7%。
Claims (17)
- 一種式(1)或式(1)’所示之異腈化合物(但，去除三甲基矽基甲基異腈、雙(三甲基矽基)甲基異腈、參(三甲基矽基)甲基異腈)；R1-Si(R1)a{〔(OSi(R1)2)〕b-R1}c (1)
- 如請求項1之異腈化合物，其中前述a為0、1或 2。
- 如請求項1或2之異腈化合物，其中前述式(1)或前述式(1)’中之全R1基之中之1個為前述式(2)所示之有機基。
- 一種矽氫化反應觸媒，其特徵為由下述式(3)所示之金屬鹽化合物與下述式(1)或下述式(1)’所示之異腈化合物之反應生成物所構成；Me(L)f(X)g (3){式(3)中，M表示去除鉑之周期表第8族、第9族、或第10族之過渡金屬，X表示鹵素原子，L表示選自下述式(4)~(6)之至少一種1價有機基，e表示1或2之整數，f表示0~6之整數，g表示0~3之整數，e為1時，f+g滿足2或3，e為2時，f+g滿足4~6；-O-R2 (4) -OCO-R2 (5) -OSO2-R2 (6)[式(4)~(6)中，R2係互相獨立表示可經取代，且，可中介1個或此以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之1價有機基或式(7)所表示之1價有機基； -(B)p-R3 (7)〈式(7)中，B表示可經取代，且，可中介1個或此以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之2價有機基，p表示0或1之整數，前述L為式(4)所表示之1價有機基時，p滿足0或1，前述L為式(5)或式(6)所表示之1價有機基時，p滿足1，R3表示式(8)所表示之基；-{Si(R5)2-R4}h-Si(R5)l{〔(OSi(R5)2)〕m-R5}n (8)(式(8)中，R4表示可經取代，且，可中介1個或其以上之氧原子之碳數1~10之2價有機基，R5係互相獨立表示可經取代，且，可中介1個或其以上之選自氧、氮、硫及磷之原子之碳數1~30之烷基、烷氧基、芳基、或芳烷基，h表示0或1之整數，1表示0~3之整數，m表示1~300之整數，n表示0~3之整數，且，l+n滿足3)〉]}R1-Si(R1)a{〔(OSi(R1)2)〕h-R1}c (1)
- 如請求項4之矽氫化觸媒，其係在式(1)中，a為0、1或2。
- 如請求項4或5之矽氫化觸媒，其係在式(1)或式(1)’中，全R1基中之1個為前述式(2)所示之有機基。
- 如請求項4或5之矽氫化反應觸媒，其係在使具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應之系統內進行調製。
- 如請求項4或5之矽氫化反應觸媒，其中前述M為Fe、Co或Ni，e為1，f為2，g為0。
- 如請求項4或5之矽氫化反應觸媒，其中前述M為Rh，e為2，f為4，g為0。
- 如請求項4或5之矽氫化反應觸媒，其中前述M為Ru，e為2，f為4，g為1。
- 如請求項4或5之矽氫化反應觸媒，其中前述L為前述式(5)所表示之1價有機基。
- 如請求項11之矽氫化反應觸媒，其中前述R2為可經鹵素原子取代之碳數1~5之烷基。
- 一種矽氫化反應觸媒之製造方法，其係在使具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應之系統內，使如請求項4之式(3)所示之金屬鹽化合物與式(1)所示之異腈化合物進行反應而取得矽氫化反應觸媒。
- 一種加成化合物之製造方法，其特徵為在如請求項4~12中任一項之矽氫化反應觸媒之存在下，使具有脂肪族不飽和鍵之化合物，與具有Si-H鍵之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應。
- 如請求項14之加成化合物之製造方法，其中前述具有脂肪族不飽和鍵之化合物為烯烴化合物，或具有烯基之矽烷化合物或有機(聚)矽氧烷。
- 一種加成化合物之製造方法，其特徵為在使具有脂肪族不飽和鍵之化合物與具有Si-H基之氫矽烷化合物或有機氫(聚)矽氧烷化合物進行矽氫化反應之系統內，從如請求項4之式(3)所示之金屬鹽與式(1)或式(1)’所示之異腈化合物調製矽氫化反應觸媒，且在該反應觸媒之存在下，使前述矽氫化反應進行。
- 如請求項16之加成化合物之製造方法，其中前述具有脂肪族不飽和鍵之化合物為烯烴化合物，或具有烯基之矽烷化合物或有機(聚)矽氧烷。
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| JP2016010253 | 2016-01-22 | ||
| JP2016-010253 | 2016-01-22 |
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