TW201728739A

TW201728739A - 螢光體組成物、螢光體片以及使用他們的形成物、led晶片、led封裝體、發光裝置、背光單元、顯示器以及led封裝體的製造方法

Info

Publication number: TW201728739A
Application number: TW105131129A
Authority: TW
Inventors: Yutaka Ishida; Masaaki Umehara; Daisaku Tanaka
Original assignee: Toray Industries
Priority date: 2015-09-29
Filing date: 2016-09-28
Publication date: 2017-08-16
Also published as: KR102404622B1; WO2017057074A1; JPWO2017057074A1; CN107995920B; CN107995920A; JP6760077B2; TWI713592B; KR20180061146A

Abstract

一種含有由通式（1）所表示的有機化合物、無機螢光體及基質樹脂的螢光體組成物及螢光體片。□R1、R2、Ar1～Ar5及L選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中。M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。

Description

螢光體組成物、螢光體片以及使用他們的形成物、LED晶片、LED封裝體、發光裝置、背光單元、顯示器以及LED封裝體的製造方法

本發明是有關於一種螢光體組成物、螢光體片以及使用他們的形成物、發光二極體（light emitting diode，LED）晶片、LED封裝體、發光裝置、背光單元、顯示器以及LED封裝體的製造方法。

色彩轉換方式的多色化技術向液晶顯示器或有機電致發光（electroluminescence，EL）顯示器、照明等中的應用正受到積極研究。所謂色彩轉換，表示將來自發光體的發光轉換成波長更長的光，例如將藍色發光轉換成綠色發光或紅色發光。具有該色彩轉換功能的組成物為螢光體組成物，將螢光體組成物膜化所成者為螢光體片。可藉由使該螢光體片與例如藍色光源組合而自藍色光源輸出藍色、綠色、紅色此3原色，即，輸出白色光。將此種組合藍色光源與螢光體片而成的白色光源設為背光單元，且將該背光單元與液晶驅動部分以及彩色濾光片組合於一起，藉此可製作全色顯示器（full colour display）。另外，若無液晶驅動部分，則可直接用作白色光源，例如，可應用為LED照明等的白色光源。

作為液晶顯示器的課題，可列舉色彩再現性的提高。為提高色彩再現性，有效的是減小背光單元的藍、綠、紅的各發光光譜的半值寬度，且提高藍、綠、紅各色彩的色純度。作為解決該課題的手段，提出了將無機半導體微粒子的量子點用作螢光體組成物的成分的技術（例如參照專利文獻1）。於使用該些量子點的技術中，綠色、紅色的發光光譜的半值寬度確實減小，色彩再現性提高，但相反地，量子點不耐受熱、空氣中的水分或氧，耐久性並不充分。

另外，亦提出了代替量子點而將有機物的發光材料用作螢光體組成物的成分的技術。作為將有機發光材料用作螢光體組成物的成分的技術的例子，揭示了使用吡啶-鄰苯二甲醯亞胺縮合物者（例如參照專利文獻2）、使用香豆素衍生物者（例如參照專利文獻3），關於紅色發光材料，迄今為止揭示了使用苝衍生物者（例如參照專利文獻4）、使用若丹明（rhodamine）衍生物者（例如參照專利文獻5）、使用吡咯亞甲基衍生物者（例如參照專利文獻6～專利文獻7）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-22028號公報 [專利文獻2]日本專利特開2002-348568號公報 [專利文獻3]日本專利特開2007-273440號公報 [專利文獻4]日本專利特開2002-317175號公報 [專利文獻5]日本專利特開2001-164245號公報 [專利文獻6]日本專利特開2011-241160號公報 [專利文獻7]日本專利特開2014-136771號公報

[發明所欲解決之課題] 然而，所述先前的有機發光材料於用於液晶顯示器等中的情況下，就色彩再現性及耐久性而言尚不充分。本發明是鑒於所述課題而成者，其目的在於，於用於液晶顯示器或LED照明等中的螢光體組成物、螢光體片中，使高色彩再現性及高耐久性併存。 [解決課題之手段]

為了解決所述課題並達成目的，本發明的螢光體組成物的特徵在於，含有由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相。

[化1]R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基（siloxanyl group）、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的M為硼，L為氟或含氟芳基，m-1為2。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar⁵ 為由通式（2）所表示的基團。

[化2]r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群組中；k為1～3的整數；於k為2以上的情況下，r分別可相同亦可不同。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的苯基。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者為由通式（3）所表示的基團。

[化3]R³ 選自由烷基、環烷基、烷氧基及烷硫基所組成的群組中；n為1～3的整數；於n為2以上的情況下，各R³ 可相同亦可不同。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar¹ 與Ar² 為不同結構的基團，或者Ar³ 與Ar⁴ 為不同結構的基團。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的R¹ 及R² 中的至少一者為氫。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的R¹ 及R² 中的至少一者為拉電子基。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的Ar⁵ 的通式（2）中的r為拉電子基。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，所述無機螢光體的發光光譜於500 nm～700 nm的區域中具有峰值。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，所述無機螢光體為β型矽鋁氮氧化物（Sialon）螢光體。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的發光光譜於535 nm～550 nm的區域中具有峰值。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的平均粒徑為16 μm以上、19 μm以下。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，所述無機螢光體為氟矽酸鉀（KSF）螢光體。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，所述KSF螢光體的平均粒徑為10 μm以上、40 μm以下。

另外，本發明的螢光體組成物的特徵在於，於所述發明中，所述基質樹脂為矽酮樹脂。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，含有由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，至少與所述無機螢光體混合而形成連續相。

[化4]R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，包含螢光體層與有機發光材料層的積層結構，所述螢光體層含有所述無機螢光體與所述基質樹脂，所述有機發光材料層含有由通式（1）所表示的所述有機化合物。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的M為硼，L為氟或含氟芳基，m-1為2。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar⁵ 為由通式（2）所表示的基團。

[化5]r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群組中；k為1～3的整數；於k為2以上的情況下，r分別可相同亦可不同。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的苯基。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者為由通式（3）所表示的基團。

[化6]R³ 選自由烷基、環烷基、烷氧基及烷硫基所組成的群組中；n為1～3的整數；於n為2以上的情況下，各R³ 可相同亦可不同。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar¹ 與Ar² 為不同結構的基團，或者Ar³ 與Ar⁴ 為不同結構的基團。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的R¹ 及R² 中的至少一者為氫。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的通式（1）中的R¹ 及R² 中的至少一者為拉電子基。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，表示所述有機化合物的Ar⁵ 的通式（2）中的r為拉電子基。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，所述無機螢光體的發光光譜於500 nm～700 nm的區域中具有峰值。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，所述無機螢光體為β型矽鋁氮氧化物螢光體。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的發光光譜於535 nm～550 nm的區域中具有峰值。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的平均粒徑為16 μm以上、19 μm以下。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，所述無機螢光體為KSF螢光體。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，所述KSF螢光體的平均粒徑為10 μm以上、40 μm以下。

另外，本發明的螢光體片的特徵在於，於所述發明中，所述基質樹脂為矽酮樹脂。

另外，本發明的形成物的特徵在於，含有如所述發明的任一項所述的螢光體組成物或其硬化物。

另外，本發明的LED晶片的特徵在於，於發光面具備如所述發明的任一項所述的螢光體片或其硬化物。

另外，本發明的LED封裝體的特徵在於具備如所述發明的任一項所述的螢光體組成物的硬化物。

另外，本發明的LED封裝體的特徵在於具備如所述發明的任一項所述的螢光體片或其硬化物。

另外，本發明的LED封裝體的製造方法為製造使用如所述發明的任一項所述的螢光體組成物的LED封裝體的方法，其特徵在於，至少包括注入步驟，將所述螢光體組成物注入至設置有LED晶片的封裝體框架中；以及密封步驟，於所述注入步驟之後，利用密封材將所述LED晶片密封。

另外，本發明的LED封裝體的製造方法為製造使用如所述發明的任一項所述的螢光體片的LED封裝體的方法，其特徵在於，至少包括對位步驟，使處於被分割為多個分區的狀態的所述螢光體片的一個分區與一個LED晶片的發光面對向；以及接著步驟，藉由加熱壓接工具，對對向的所述螢光體片的所述一個分區與所述一個LED晶片的發光面一面進行加熱一面進行加壓而加以接著。

另外，本發明的發光裝置的特徵在於，具備如所述發明所述的形成物以及具有LED晶片的LED封裝體，所述LED晶片為藉由所述形成物中所含的螢光體組成物而對發光光進行色彩轉換的發光體。

另外，本發明的背光單元的特徵在於，包含如所述發明的任一項所述的LED封裝體。

另外，本發明的背光單元的特徵在於，包含如所述發明的任一項所述的LED封裝體。 [發明的效果]

根據本發明，起到可提供一種滿足高色彩再現性及高耐久性兩者的螢光體組成物及螢光體片的效果。具備本發明的螢光體組成物或螢光體片的LED晶片、LED封裝體、發光裝置、背光單元以及顯示器起到可使高色彩再現性及高耐久性併存的效果。

以下，對本發明的螢光體組成物、螢光體片以及使用他們的形成物、LED晶片、LED封裝體、發光裝置、背光單元以及LED封裝體的製造方法的適宜的實施形態進行詳細說明。然而，本發明並不限定於以下的實施形態，可根據目的或用途進行各種變更來實施。

＜螢光體組成物＞作為本發明的一個實施形態的螢光體組成物含有由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體、以及基質樹脂。於本實施形態中，該有機化合物為有機物的發光材料（即，有機發光材料），該些有機化合物及無機螢光體是將各個自發光體發出的光（發光光）轉換成較該發光光為長波長的光者。另外，螢光體組成物中含有的基質樹脂是與該些有機化合物及無機螢光體混合而形成連續相的樹脂。

[化7]

（由通式（1）所表示的有機化合物）於表示本實施形態中的有機化合物的通式（1）中，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中。M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。於所述所有基團中，氫可為氘。此於以下說明的有機化合物或其部分結構中亦相同。

另外，於以下說明中，例如所謂碳數6～40的經取代或未經取代的芳基，是指亦包括於芳基中進行了取代的取代基所含的碳數的所有碳數為6～40的芳基。對碳數進行了規定的其他取代基亦與此相同。

另外，於所述所有的基團中，作為經取代的情況下的取代基，較佳為烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基，進而，較佳為於各取代基的說明中視為較佳的具體的取代基。另外，該些取代基可進一步由所述取代基取代。

所謂稱作「經取代或未經取代的」的情況下的「未經取代」，意指氫原子或氘原子進行了取代。於以下說明的有機化合物或其部分結構中，關於稱作「經取代或未經取代的」的情況，與所述相同。

另外，於所述所有的基團中，所謂烷基，例如表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族烴基。該烷基可進而具有取代基，亦可不具有取代基。經取代的情況下的追加的取代基並無特別限制，例如可列舉烷基、芳基、雜芳基等，關於該方面，於以下的記載中亦為相通的。另外，烷基的碳數並無特別限定，就獲取的容易性或成本的方面而言，較佳為1以上、20以下，更佳為1以上、8以下的範圍。

所謂環烷基，例如表示環丙基、環己基、降冰片基、金剛烷基等飽和脂環式烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。烷基部分的碳數並無特別限定，較佳為3以上、20以下的範圍。

所謂芳烷基，例如表示苄基、苯基乙基等介隔有脂肪族烴的芳香族烴基。該些脂肪族烴與芳香族烴均可未經取代，亦可具有取代基。

所謂烯基，例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含雙鍵的不飽和脂肪族烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。烯基的碳數並無特別限定，通常為2以上、20以下的範圍。

所謂環烯基，例如表示環戊烯基、環戊二烯基、環己烯基等包含雙鍵的不飽和脂環式烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。

所謂炔基，例如表示乙炔基等包含三鍵的不飽和脂肪族烴基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。炔基的碳數並無特別限定，通常為2以上、20以下的範圍。

所謂烷氧基，例如表示甲氧基、乙氧基、丙氧基等經由醚鍵而鍵結有脂肪族烴基的官能基，該脂肪族烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。烷氧基的碳數並無特別限定，較佳為1以上、20以下的範圍。

所謂烷硫基，是指烷氧基的醚鍵的氧原子被取代為硫原子者。烷硫基的烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。烷硫基的碳數並無特別限定，通常為1以上、20以下的範圍。

所謂芳基醚基，例如表示苯氧基等經由醚鍵而鍵結有芳香族烴基的官能基，芳香族烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。芳基醚基的碳數並無特別限定，較佳為6以上、40以下的範圍。

所謂芳基硫醚基，是指芳基醚基的醚鍵的氧原子被取代為硫原子者。芳基硫醚基中的芳香族烴基可具有取代基，亦可不具有取代基。芳基硫醚基的碳數並無特別限定，通常為6以上、40以下的範圍。

所謂芳基，例如表示苯基、萘基、聯苯基、茀基、菲基、三亞苯基、三聯苯基等芳香族烴基。芳香可具有取代基，亦可不具有取代基。芳基的碳數並無特別限定，較佳為6以上、40以下的範圍。

所謂雜芳基，表示呋喃基、苯硫基、吡啶基、喹啉基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、萘啶基、苯并呋喃基、苯并苯硫基、吲哚基等於一個或多個環內具有碳以外的原子的環狀芳香族基，其可經取代亦可未經取代。雜芳基的碳數並無特別限定，較佳為2以上、30以下的範圍。

所謂雜環基，例如表示吡喃環、哌啶環、環狀醯胺等於環內具有碳以外的原子的脂肪族環，其可具有取代基，亦可不具有取代基。雜環基的碳數並無特別限定，通常為2以上、20以下的範圍。

羰基、羧基、胺甲醯基可具有取代基，亦可不具有取代基。此處，作為取代基，例如可列舉烷基、環烷基、芳基、雜芳基等，該些取代基可進一步經取代。

所謂胺基，是指經取代或未經取代的胺基。胺基可具有取代基，亦可不具有取代基，作為進行取代的情況下的取代基，例如可列舉：芳基、雜芳基、直鏈烷基、分支烷基等。作為芳基、雜芳基，較佳為苯基、萘基、吡啶基、喹啉基。該些取代基可進一步經取代。碳數並無特別限定，較佳為2以上、50以下，更佳為6以上、40以下，特佳為6以上、30以下的範圍。

所謂鹵素，表示氟、氯、溴或碘。所謂鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基，例如表示三氟甲基等所述烷基、烯基、炔基的一部分或全部經所述鹵素取代者，其餘部分可未經取代亦可經取代。另外，醛基、羰基、酯基、胺甲醯基中亦包含經脂肪族烴、脂環式烴、芳香族烴、雜環等取代者，進而，脂肪族烴、脂環式烴、芳香族烴、雜環可未經取代亦可經取代。

所謂矽烷基，例如表示三甲基矽烷基等具有與矽原子的鍵的官能基，其可具有取代基，亦可不具有取代基。矽烷基的碳數並無特別限定，通常為3以上、20以下的範圍。另外，矽數通常為1以上、6以下。

所謂矽氧烷基，例如表示三甲基矽氧烷基等介隔有醚鍵的矽化合物基。矽上的取代基可進一步經取代。

如上所述的由通式（1）所表示的有機化合物顯示出高螢光量子產率，且發光光譜的峰值半值寬度小，因此可達成有效率的色彩轉換與高色純度兩者。

由通式（1）所表示的有機化合物中的金屬錯合物中，就螢光量子產率高的方面而言，特佳為M為硼的錯合物。進而，就材料的獲取容易度或合成的容易度的方面而言，特佳為L為氟或含氟芳基且m-1為2的氟化硼錯合物。

另外，任意兩個鄰接的取代基（例如通式（1）的R¹ 與Ar² ）可相互鍵結而形成共軛或非共軛的縮合環。作為此種縮合環的構成元素，除了碳以外，亦可包含選自氮、氧、硫、磷及矽中的元素。另外，縮合環可進而與其他環縮合。

如上所述的由通式（1）所表示的有機化合物可藉由將合適的取代基導入至合適的位置來調整發光效率、色純度、熱穩定性、光穩定性及分散性等各種特性及物性。

例如，取代基Ar⁵ 會大幅影響由通式（1）所表示的有機化合物的耐久性，即，該有機化合物的發光強度的經時性降低。具體而言，於Ar⁵ 為氫的情況下，該氫的反應性高，因此該氫與空氣中的水分或氧容易發生反應。此會引起Ar⁵ 的分解。另外，於Ar⁵ 為例如烷基般的分子鏈的運動的自由度大的取代基的情況下，反應性確實降低，但於片中有機化合物彼此經時地凝聚，結果招致由濃度消光引起的發光強度的降低。因此，Ar⁵ 較佳為剛直、且運動的自由度小而難以引起凝聚的基團，具體而言，較佳為經取代或未經取代的芳基、或者經取代或未經取代的雜芳基的任一者。

就提供更高的螢光量子產率、更難以發生熱分解的方面而言，另外就光穩定性的觀點而言，Ar⁵ 較佳為經取代或未經取代的芳基。作為芳基，就無損發光波長的觀點而言，較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基。

進而，為了提高所述有機化合物的光穩定性，需要適度地抑制Ar⁵ 與吡咯亞甲基骨架的碳-碳鍵的彎曲。其原因在於，若彎曲過大，則對於激發光的反應性變高等，光穩定性降低。就此種觀點而言，作為Ar⁵ ，較佳為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的聯苯基、經取代或未經取代的三聯苯基、經取代或未經取代的萘基，更佳為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的聯苯基、經取代或未經取代的三聯苯基。特佳為經取代或未經取代的苯基。

另外，Ar⁵ 較佳為體積適度大的取代基。藉由Ar⁵ 具有某種程度的大體積，可防止分子的凝聚。其結果，所述有機化合物的發光效率或耐久性進一步提高。

作為此種大體積取代基的進而較佳的例子，可列舉由下述通式（2）所表示的Ar⁵ 的結構。

[化8]

即，於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar⁵ 較佳為由通式（2）所表示的基團。於該表示Ar⁵ 的通式（2）中，r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群組中。k為1～3的整數。於k為2以上的情況下，r分別可相同亦可不同。

該些基團中，例如氧基羰基可具有取代基，亦可不具有取代基。作為氧基羰基的取代基，例如可列舉烷基、環烷基、芳基、雜芳基等，該些取代基可進一步經取代。

就可提供更高的螢光量子產率的觀點而言，r較佳為經取代或未經取代的芳基。該芳基中，尤其可列舉苯基、萘基作為較佳例。於r為芳基的情況下，通式（2）的k較佳為1或2，就進一步防止分子的凝聚的觀點而言，k更佳為2。進而，於k為2以上的情況下，r的至少一個較佳為經烷基取代。作為該情況下的烷基，就熱穩定性的觀點而言，可列舉甲基、乙基及第三丁基作為特佳例。

另外，就控制螢光波長或吸收波長、或者提高與溶媒的相容性的觀點而言，r較佳為經取代或未經取代的烷基、經取代或未經取代的烷氧基或鹵素，更佳為甲基、乙基、第三丁基、甲氧基。就分散性的觀點而言，特佳為第三丁基、甲氧基。就防止由分子彼此的凝聚引起的消光而言，更有效的是r為第三丁基或甲氧基。

與Ar¹ ～Ar⁴ 全部為氫的情況相比，Ar¹ ～Ar⁴ 的至少一者為經取代或未經取代的烷基或者經取代或未經取代的芳基、經取代或未經取代的雜芳基的情況顯示出更良好的熱穩定性及光穩定性。

於Ar¹ ～Ar⁴ 的至少一者為經取代或未經取代的芳基的情況下，作為芳基，較佳為苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基，進而較佳為苯基、聯苯基。特佳為苯基。

於Ar¹ ～Ar⁴ 的至少一者為經取代或未經取代的雜芳基的情況下，作為雜芳基，較佳為吡啶基、喹啉基、苯硫基，進而較佳為吡啶基、喹啉基。特佳為吡啶基。

另外，於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 均分別可相同亦可不同，較佳為經取代或未經取代的芳基或者經取代或未經取代的雜芳基。其原因在於，會顯示出更良好的熱穩定性及光穩定性。於本實施形態的螢光體組成物等中，於所述有機化合物相比於與其組合的無機螢光體而將來自發光體的發光光轉換成更長波長的光的情況下，通式（1）中所表示的Ar¹ ～Ar⁴ 均分別可相同亦可不同，更佳為經取代或未經取代的芳基，特佳為苯基。該情況下，例如若來自發光體的發光光為藍色光，則無機螢光體將該藍色光轉換成綠色光，且所述有機化合物將該藍色光轉換成較該無機螢光體的色彩轉換為長波長的光，即轉換成紅色光。

進而，於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者較佳為由通式（3）所表示的取代基。藉此，高色純度與耐久性可併存。

[化9]

於通式（3）中，R³ 選自由烷基、環烷基、烷氧基及烷硫基所組成的群組中。n為1～3的整數。於n為2以上的情況下，各R³ 可相同亦可不同。

於由通式（3）所表示的芳基中，於R³ 為供電子性基的情況下，主要對色純度產生影響，因此較佳。作為供電子性基，可列舉：烷基、環烷基、烷氧基或烷硫基等。尤其較佳為經碳數1～8的烷基、碳數1～8的環烷基、碳數1～8的烷氧基或碳數1～8的烷硫基取代的芳基。於R³ 為碳數1～8的烷基或碳數1～8的烷氧基的情況下，可獲得更高的色純度，因此更佳。另外，作為主要對發光效率產生影響的芳基，較佳為具有第三丁基、金剛烷基等大體積取代基的芳基。

另外，就耐熱性與色純度的觀點而言，Ar¹ 與Ar⁴ 、Ar² 與Ar³ 較佳為分別為同一結構的芳基。進而，就分散性的觀點而言，更佳為Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者為由通式（3）所表示的基團，且R³ 為碳數4以上的烷基或烷氧基。其中，作為Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者的例子，可特佳地列舉第三丁基、甲氧基或第三丁氧基。

於通式（3）中，n較佳為1～3的整數，就原料獲取與合成的容易性的觀點而言，更佳為1或2。

另一方面，於表示所述有機化合物的通式（1）中，因在膜中的分散性提高且可獲得高效率發光，故Ar¹ ≠Ar² 或Ar³ ≠Ar⁴ 的情況特佳。此處，「≠」表示為不同結構的基團。例如，Ar¹ ≠Ar² 表示Ar¹ 與Ar² 為不同結構的基團。Ar³ ≠Ar⁴ 表示Ar³ 與Ar⁴ 為不同結構的基團。所謂Ar¹ ≠Ar² 或Ar³ ≠Ar⁴ ，換言之是指不為「Ar¹ =Ar² 且Ar³ =Ar⁴ 」。即，表示Ar¹ ～Ar⁴ 的任意的組合中除（1）Ar¹ =Ar² =Ar³ =Ar⁴ 者、及（2）Ar¹ =Ar² 且Ar³ =Ar⁴ 並且Ar¹ ≠Ar³ 者以外者。

藉由由通式（3）所表示的芳基，會對由通式（1）所表示的有機化合物的發光效率、色純度、耐熱性及耐光性等各種特性以及物性產生影響。雖亦具有使多個性質提高的芳基，但完全不存在於所有性質中均顯示出充分的性能的芳基。尤其高發光效率與高色純度難以併存。因此，若可對由通式（1）所表示的有機化合物導入多種芳基，則可期待獲得於發光特性或色純度等方面取得了平衡的有機化合物。

Ar¹ =Ar² =Ar³ =Ar⁴ 的有機化合物無法僅具有一種芳基。另外，Ar¹ =Ar² 且Ar³ =Ar⁴ 並且Ar¹ ≠Ar³ 的有機化合物中，具有特定物性的芳基偏集於其中一個吡咯環。該情況下，於發光效率與色純度的關係方面，如後所述般難以最大限度地引出各芳基所具有的物性。

相對於此，本發明實施形態的有機化合物可將具有某物性的取代基平衡性良好地配置於左右的吡咯環中，因此，與偏集於其中一個吡咯環的情況相比，可最大限度地發揮其物性。

該效果就平衡性良好地提高發光效率與色純度的方面而言尤其優異。就共軛系擴張而可獲得高色純度的發光的方面而言，於兩側的吡咯環中分別具有一個以上的對色純度產生影響的芳基的情況較佳。但是，Ar¹ =Ar² 且Ar³ =Ar⁴ 並且Ar¹ ≠Ar³ 的有機化合物例如於已於一個吡咯環中導入了對色純度產生影響的芳基的情況下，若於另一個吡咯環中導入對發光效率產生影響的芳基，則對色純度產生影響的芳基會偏集於單側的吡咯環中，因此共軛系未充分地擴張，色純度未充分地提高。另外，若於另一個吡咯環中導入同樣對色純度產生影響且為另一結構的芳基，則無法提高發光效率。

相對於此，本發明實施形態的有機化合物可於兩側的吡咯環中分別導入一個以上的對色純度產生影響的芳基，且於除此以外的位置中導入對發光效率產生影響的芳基。因此，本發明實施形態的有機化合物可最大限度地提高色純度及發光效率兩個性質，故而較佳。再者，於Ar² 及Ar³ 的位置中導入對色純度產生影響的芳基的情況會使共軛系最大程度地擴張，因此較佳。

於Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者為經取代或未經取代的烷基的情況下，作為烷基，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基等碳數1～6的烷基。進而，作為該烷基，就熱穩定性優異的觀點而言，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基。另外，就防止濃度消光、提高發光量子產率的觀點而言，作為該烷基，更佳為立體地體積大的第三丁基。另一方面，就合成的容易性、原料獲取的容易性的觀點而言，作為該烷基，亦可較佳地使用甲基。

另一方面，於表示所述有機化合物的通式（1）中，於Ar¹ ～Ar⁴ 均分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基的情況下，對黏合劑樹脂或溶媒的溶解性良好，因此較佳。該情況下，作為烷基，就合成的容易性、原料獲取的容易性的觀點而言，較佳為甲基。例如，於本實施形態的螢光體組成物等中，於所述有機化合物相比於與其組合的無機螢光體而將來自發光體的發光光轉換成更短波長的光的情況下，通式（1）中所表示的Ar¹ ～Ar⁴ 均分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基，較佳為甲基。具體而言，若來自發光體的發光光為藍色光，則無機螢光體將該藍色光轉換成紅色光，所述有機化合物將該藍色光轉換成較該無機螢光體的色彩轉換為短波長的光，即，轉換成綠色光。

於表示此種有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為氫。即，R¹ 及R² 較佳為氫、烷基、羰基、氧基羰基、芳基中的任一者，就熱穩定性的觀點而言，較佳為氫或烷基。尤其就容易於發光光譜中獲得窄的半值寬度的觀點而言，R¹ 及R² 中的至少一者更佳為氫。

另外，L較佳為烷基、芳基、雜芳基、氟、含氟烷基、含氟雜芳基或含氟芳基。尤其L為氟或含氟芳基的情況因相對於激發光穩定、且可獲得更高的螢光量子產率，故更佳。進而，因合成的容易性，L進而更佳為氟。

此處，所謂含氟芳基，是指包含氟的芳基，例如可列舉：氟苯基、三氟甲基苯基及五氟苯基等。所謂含氟雜芳基，是指包含氟的雜芳基，例如可列舉：氟吡啶基、三氟甲基吡啶基及三氟吡啶基等。所謂含氟烷基，是指包含氟的烷基，例如可列舉三氟甲基或五氟乙基等。

另外，作為由通式（1）所表示的有機化合物的另一態樣，較佳為R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 中的至少一者為拉電子基。尤其較佳為（1）R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 中的至少一者為拉電子基；（2）Ar⁵ 為拉電子基；或者（3）R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者為拉電子基且Ar⁵ 為拉電子基。藉由如此般於有機化合物的吡咯亞甲基骨架中導入拉電子基，可大幅降低吡咯亞甲基骨架的電子密度。藉此，所述有機化合物相對於氧的穩定性進一步提高，其結果，可進一步提高所述有機化合物的耐久性。

所謂拉電子基，又稱吸電子性基，於有機電子理論中，是指藉由感應效應或共振效應而自經取代的原子團吸引電子的原子團。作為拉電子基，可列舉作為哈米特法則的取代基常數（σp（對位））而取正值者。哈米特法則的取代基常數（σp（對位））可引用自化學便覽基礎編修訂5版（II-380頁）。再者，雖苯基亦具有如上所述般的取正值的例子，但於本發明中，苯基不包含於吸電子基中。

作為拉電子基的例子，例如可列舉：-F(σp:+0.06)、-Cl(σp:+0.23)、-Br(σp:+0.23)、-I(σp:+0.18)、-CO₂ R¹² (σp:R¹² 為乙基時為+0.45)、-CONH₂ (σp:+0.38)、-COR¹² (σp:R¹² 為甲基時為+0.49)、-CF₃ (σp:+0.50)、-SO₂ R¹² (σp:R¹² 為甲基時為+0.69)､-NO₂ (σp:+0.81)等。R¹² 分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代的環形成碳數6～30的芳香族烴基、經取代或未經取代的環形成原子數5～30的雜環基、經取代或未經取代的碳數1～30的烷基、經取代或未經取代的碳數1～30的環烷基。作為所述各基的具體例，可列舉與所述相同的例子。

作為較佳的拉電子基，可列舉：氟、含氟芳基、含氟雜芳基、含氟烷基、經取代或未經取代的醯基、經取代或未經取代的酯基、經取代或未經取代的醯胺基、經取代或未經取代的磺醯基或氰基。其原因在於，該些基團難以發生化學性分解。

作為更佳的拉電子基，可列舉：含氟烷基、經取代或未經取代的醯基、經取代或未經取代的酯基或氰基。其原因在於，該些基團會帶來防止濃度消光、提高發光量子產率的效果。特佳的拉電子基為經取代或未經取代的酯基。

於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者較佳為拉電子基。其原因在於，可無損發光效率及色純度地提高由通式（1）所表示的有機化合物相對於氧的穩定性，其結果，可提高所述有機化合物的耐久性。

另外，於表示所述有機化合物的Ar⁵ 的通式（2）中，r更佳為拉電子基。其原因在於，可無損發光效率及色純度地提高由通式（1）所表示的有機化合物相對於氧的穩定性，其結果，可大幅提高所述有機化合物的耐久性。

作為由通式（1）所表示的有機化合物的一個較佳例，可列舉以下情況：Ar¹ ～Ar⁴ 均分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基，進而Ar⁵ 為由通式（2）所表示的基團。該情況下，Ar⁵ 特佳為包含有作為經取代或未經取代的苯基的r的由通式（2）所表示的基團。

另外，作為由通式（1）所表示的有機化合物的另一個較佳例，可列舉以下情況：Ar¹ ～Ar⁴ 均分別可相同亦可不同，且為選自所述通式（3）中者，進而Ar⁵ 為由通式（2）所表示的基團。該情況下，Ar⁵ 更佳為包含有作為第三丁基、甲氧基的r的由通式（2）所表示的基團，特佳為包含有作為甲氧基的r的由通式（2）所表示的基團。

以下示出由通式（1）所表示的有機化合物的一例，但本實施形態的有機化合物並不限定於該些例子。

[化10]

[化11]

[化12]

[化13]

[化14]

[化15]

[化16]

[化17]

[化18]

[化19]

[化20]

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

[化25]

[化26]

[化27]

[化28]

[化29]

[化30]

[化31]

[化32]

[化33]

[化34]

由通式（1）所表示的有機化合物可藉由例如日本專利特表平8-509471號公報或日本專利特開2000-208262號公報中記載的方法來製造。即，藉由使吡咯亞甲基化合物與金屬鹽於鹼共存下反應可獲得作為目標的吡咯亞甲基系金屬錯合物。

另外，關於吡咯亞甲基-氟化硼錯合物的合成，可參考「有機化學期刊（J.Org.Chem.）」（vol.64,No.21,pp7813-7819（1999））、「應用化學英文國際版（Angew.Chem.,Int.Ed.Engl.）」（vol.36,pp1333-1335（1997））等中所記載的方法來製造由通式（1）所表示的有機化合物。例如可列舉以下方法：對由下述通式（4）所表示的化合物及由下述通式（5）所表示的化合物於氧氯化磷存在下、於1,2-二氯乙烷中進行加熱後，與由下述通式（6）所表示的化合物於三乙基胺存在下、於1,2-二氯乙烷中反應，藉此獲得由通式（1）所表示的有機化合物。然而，本發明並不限定於此。此處，R¹⁰¹ ～R¹⁰⁹ 與如上所說明的基團相同。J表示鹵素。

[化35]

進而，於導入芳基或雜芳基時，可列舉利用鹵化衍生物與硼酸或硼酸酯化衍生物的偶合反應而生成碳-碳鍵的方法，但本發明並不限定於此。同樣地，於導入胺基或咔唑基時，亦可列舉例如利用鈀等金屬觸媒下的鹵化衍生物與胺或咔唑衍生物的偶合反應而生成碳-氮鍵的方法，但本發明並不限定於此。

本發明實施形態的螢光體組成物除由通式（1）所表示的有機化合物以外，視需要亦可適當含有其他化合物。例如，為了進一步提高自激發光向由通式（1）所表示的有機化合物的能量遷移效率，亦可含有紅螢烯（rubrene）等輔助摻雜劑。另外，於欲摻加由通式（1）所表示的有機化合物的發光色以外的發光色的情況下，可添加所期望的有機發光材料，例如：香豆素系色素、苝系色素、酞菁系色素、二苯乙烯系色素、花青系色素、聚苯系色素、若丹明系色素、吡啶系色素、吡咯亞甲基系色素、卟啉系色素、噁嗪系色素、吡嗪系色素等化合物。此外，除該些有機發光材料以外，亦可組合添加無機螢光體、螢光顏料、螢光染料、量子點等公知的發光材料。

以下示出由通式（1）所表示的有機化合物以外的有機發光材料的一例，但本發明並不特別限定於該些例子。

[化36]

本發明實施形態的螢光體組成物中的由通式（1）所表示的有機化合物的含量雖亦取決於有機化合物的莫耳吸光係數、螢光量子產率及激發波長中的吸收強度以及所製作的膜的厚度或透射率，但通常相對於螢光體組成物整體的重量而為10^-5 重量百分比～10重量百分比，進而較佳為10^-4 重量百分比～5重量百分比，尤佳為10^-3 重量百分比～2重量百分比。

（無機螢光體）本發明實施形態的無機螢光體為與所述由通式（1）所表示的有機化合物（有機發光材料）組合使用的無機物的螢光體，且將來自發光體的發光光轉換成波長範圍與該有機化合物不同的光。作為本實施形態的無機螢光體，尤其可較佳地使用發光光譜於500 nm～700 nm的區域中具有峰值的無機螢光體。此種無機螢光體由400 nm～500 nm的範圍的激發光激發而於500 nm～700 nm的區域中發光。

例如，於本實施形態中，無機螢光體可列舉：呈綠色發光的無機螢光體、呈黃色發光的無機螢光體、呈紅色發光的無機螢光體。無機螢光體的形狀並無特別限制，可使用球狀、柱狀等各種形狀。另外，作為無機螢光體，只要為最終可再現即定的色彩者則並無特別限定，可使用公知者。

作為如上所述的無機螢光體的例子，可列舉：釔鋁石榴石（YAG）系螢光體、鋱鋁石榴石（TAG）系螢光體、矽酸鹽螢光體、氮化物系螢光體、氮氧化物系螢光體、氮化物、氮氧化物螢光體、Mn⁴⁺ 活化氟化物錯合物螢光體等。其中，氮化物、氮氧化物螢光體、Mn⁴⁺ 活化氟化物錯合物螢光體可較佳地用作所述無機螢光體。尤其β型矽鋁氮氧化物螢光體、KSF螢光體可較佳地用作所述無機螢光體。

（β型矽鋁氮氧化物螢光體） β型矽鋁氮氧化物為β型氮化矽的固溶體，且為鋁（Al）取代固溶於β型氮化矽結晶的矽（Si）位置、氧（O）取代固溶於氮（N）位置者。β型矽鋁氮氧化物的單位晶胞（単位格子）中具有2式量的原子，因此，作為β型矽鋁氮氧化物的通式，可使用Si_6-Z Al_z O_z N_8-z 。此處，組成z為0～4.2，固溶範圍非常廣，另外，（Si、Al）/（N、O）的莫耳比需要維持在3/4。β型矽鋁氮氧化物的一般製法為除氮化矽外，亦對氧化矽與氮化鋁、或氧化鋁與氮化鋁進行加熱的方法。β型矽鋁氮氧化物藉由於結晶結構內取用稀土類等的發光元素（Eu、Sr、Mn、Ce等），成為由來自紫外的藍色的光激發而顯示出520 nm～550 nm的綠色發光的β型矽鋁氮氧化物螢光體。

於本發明中，β型矽鋁氮氧化物螢光體可較佳地使用發光光譜於535 nm～550 nm的區域中具有峰值者。若為此種發光光譜的波長範圍，則於將β型矽鋁氮氧化物螢光體用於LED封裝體的情況下，可獲得良好的發光特性。另一方面，β型矽鋁氮氧化物螢光體的平均粒徑較佳為1 μm以上，更佳為10 μm以上，進而較佳為16 μm以上。另外，β型矽鋁氮氧化物螢光體的平均粒徑較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下，進而較佳為19 μm以下。若為此種平均粒徑的範圍，則於將β型矽鋁氮氧化物螢光體用於LED封裝體的情況下，可獲得良好的發光特性。如上所述的β型矽鋁氮氧化物螢光體例如可與作為由通式（1）所表示的有機化合物的、將來自發光體的藍色發光轉換成紅色發光的有機發光材料組合使用。

（KSF螢光體） Mn活化複合氟化物錯合物螢光體為將錳（Mn）作為活化劑、且將鹼金屬或鹼土金屬的氟化物錯合物鹽作為主晶的無機螢光體。該無機螢光體較佳為形成其主晶的氟化物錯合物的配位中心為4價金屬（Si、Ti、Zr、Hf、Ge、Sn），且配位於其周圍的氟原子的個數較佳為6。該無機螢光體由A₂ MF₆ :Mn的通式表示，於該通式中，K₂ MF₆ :Mn為KSF螢光體。此處，A為選自由鋰（Li）、鈉（Na）、鉀（K）、銣（Rb）及銫（Cs）所組成的群組、且包含Na及K中的至少一者的一種以上的鹼金屬。M為選自由Si、鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉿（Hf）、鍺（Ge）及錫（Sn）所組成的群組中的一種以上的4價元素。

於本發明中，KSF螢光體的平均粒徑較佳為1 μm以上，亦可為20 μm以上，但更佳為10 μm以上。另外，KSF螢光體的平均粒徑較佳為100 μm以下，更佳為70 μm以下，進而較佳為40 μm以下。若為此種平均粒徑的範圍，則於將KSF螢光體用於LED封裝體的情況下，可獲得良好的發光特性。另一方面，KSF螢光體的形狀並無特別限制，可使用球狀、柱狀等各種形狀，但較佳使用未經粉碎者。如上所述的KSF螢光體例如可與作為由通式（1）所表示的有機化合物的、將來自發光體的藍色發光轉換成綠色發光的有機發光材料組合使用。

此處所述的平均粒徑是指中值粒徑（D50），可藉由掃描式電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM）觀察來測定。根據對螢光體層進行觀察而獲得的二維圖像，計算與粒子的外緣相交於兩點的直線的該兩個交點之間的最大距離，將該最大距離定義為平均粒徑。例如，可對所觀測的200個粒子進行測定而求出粒徑分佈，於據此而獲得的粒度分佈中，求出自小粒徑側起的通過累計百分比50%的粒徑作為中值粒徑（D50）。於將搭載有螢光體片的LED發光裝置作為對象的情況下，可藉由機械研磨法、切片機法、橫截面拋光機（Cross-section Polisher，CP）法及聚焦離子束（Focused Ion Beam, FIB）加工法中的任意方法進行研磨以可對螢光體片的剖面進行觀測，然後藉由SEM對所獲得的剖面進行觀察而獲得二維圖像，根據該二維圖像來算出平均粒徑。

（基質樹脂）基質樹脂為與由通式（1）所表示的有機化合物及所述無機螢光體混合、或至少與所述無機螢光體混合而形成連續相的樹脂。於本實施形態中，基質樹脂只要為成型加工性、透明性、耐熱性等優異的材料即可。作為此種基質樹脂，例如可使用丙烯酸系、甲基丙烯酸系、聚桂皮酸乙烯酯系、環橡膠系等具有反應性乙烯基的光硬化型抗蝕劑材料，環氧樹脂、矽酮樹脂（包括矽酮橡膠、矽酮凝膠等有機聚矽氧烷硬化物（交聯物））、脲樹脂、氟樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、酚樹脂、聚乙烯醇樹脂、纖維素樹脂、脂肪族酯樹脂、芳香族酯樹脂、脂肪族聚烯烴樹脂、芳香族聚烯烴樹脂等公知者。另外，作為基質樹脂，亦可使用該些樹脂的共聚樹脂。藉由適當設計該些樹脂，可獲得對本發明實施形態的螢光體組成物及後述的螢光體片而言有用的基質樹脂。

另外，作為基質樹脂，於所述樹脂中，熱硬化性樹脂因膜化的製程容易而更佳。進而，就透明性、耐熱性等觀點而言，作為基質樹脂，可適宜地使用環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸樹脂或他們的混合物。基質樹脂中所含有的熱硬化性樹脂可為一種，亦可為兩種以上的組合。基質樹脂視需要亦可含有硬化劑。例如，藉由組合環氧樹脂與硬化劑，可促進作為基質樹脂的環氧樹脂的硬化而使其於短時間內硬化。

於本發明中，就耐熱性的觀點而言，基質樹脂最佳為矽酮樹脂。於矽酮樹脂中，加成反應硬化型矽酮組成物作為基質樹脂而較佳。加成反應硬化型矽酮組成物於常溫或50℃～200℃的溫度下加熱而硬化，且透明性、耐熱性、接著性優異。加成反應硬化型矽酮組成物可使用以下者：其含有具有鍵結於矽原子的烯基的矽酮、具有鍵結於矽原子的氫原子的矽酮、以及觸媒量的鉑系觸媒。

本發明中，可較佳地使用具有矽氧烷鍵且含有直接鍵結有芳基的矽原子的矽酮樹脂。尤其具有矽氧烷鍵且含有直接鍵結有萘基的矽原子的矽酮樹脂可使高折射率與耐熱性、耐光性併存，因此作為本發明中的基質樹脂而較佳。

作為具有矽氧烷鍵且含有直接鍵結有芳基的矽原子的矽酮樹脂，可列舉具有矽氧烷鍵且含有直接鍵結有苯基的矽原子的矽酮樹脂、具有矽氧烷鍵且含有分別直接鍵結有甲基與苯基的矽原子的矽酮樹脂等。另外，作為具有矽氧烷鍵且含有直接鍵結有萘基的矽原子的矽酮樹脂，可列舉具有矽氧烷鍵且含有分別直接鍵結有甲基與萘基的矽原子的矽酮樹脂、具有矽氧烷鍵且含有分別直接鍵結有甲基、苯基及萘基的矽原子的矽酮樹脂等。

再者，於含有分別直接鍵結有甲基與苯基的矽原子的矽酮樹脂中，包括於一個矽原子上直接鍵結有甲基與苯基的情況、以及分別具有直接鍵結有甲基的矽原子與直接鍵結有苯基的矽原子的情況兩者。此就含有分別直接鍵結有甲基、苯基及萘基的矽原子的矽酮樹脂而言亦相同。

對作為基質樹脂的矽酮樹脂更詳細地進行說明。包含具有鍵結於矽原子的烯基的矽酮、具有鍵結於矽原子的氫原子的矽酮、以及作為矽氫化反應用觸媒的鉑系觸媒的加成反應硬化型矽酮組成物作為基質樹脂（矽酮樹脂）而較佳。例如，作為該矽酮樹脂，可使用東麗·道康寧（Toray·Dow Corning）（股份）製造的密封材「OE6630」、「OE6636」等，或信越化學工業股份有限公司製造的「SCR-1012」、「SCR-1016」等。尤其，作為本發明實施形態的螢光體組成物的基質樹脂，特佳為使包含後述的（A）～（D）的組成的交聯性矽酮組成物進行矽氫化反應而成的交聯物。該交聯物於60℃～250℃下貯存彈性模數減少，且可藉由加熱而獲得高接著力，因此可較佳地用作不需要接著劑的螢光體片用的基質樹脂。以下，將該交聯物適當稱為熱融合樹脂。

（A）的組成（（A）成分）為由(R¹ ₂ SiO_2/2 )_a (R¹ SiO_3/2 )_b (R² O_1/2 )_c 的平均單元式所表示的有機聚矽氧烷。於該平均單元式中，R¹ 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或者碳原子數2～6的烯基。其中，R¹ 的65莫耳%～75莫耳%為苯基，R¹ 的10莫耳%～20莫耳%為烯基。R² 為氫原子或碳原子數1～6的烷基。a、b及c為滿足0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1、且a+b=1的數。

（B）的組成（（B）成分）為由R³ ₃ SiO(R³ ₂ SiO)_m SiR³ ₃ 的通式所表示的有機聚矽氧烷。該（B）成分相對於（A）成分的100重量份而為5重量份～15重量份。另外，於該通式中，R³ 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或者碳原子數2～6的烯基。其中，R³ 的40莫耳%～70莫耳%為苯基，且R³ 的至少一個為烯基。m為5～50的整數。

（C）的組成（（C）成分）為由(HR⁴ ₂ SiO)₂ SiR⁴ ₂ 的通式所表示的有機三矽氧烷。該（C）成分為相對於（A）成分中與（B）成分中的烯基的合計而該（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的莫耳比成為0.5～2的量者。另外，於該通式中，R⁴ 為苯基、或者碳原子數1～6的烷基或環烷基。其中，R⁴ 的30莫耳%～70莫耳%為苯基。

（D）的組成（（D）成分）為氫矽化反應用觸媒。該（D）成分對於促進（A）成分中及（B）成分中的烯基與（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的矽氫化反應而言為充足的觸媒量者。

於（A）成分的平均單元式中，於a、b及c的值滿足所述條件的情況下，可獲得所得交聯物的室溫下的充分的硬度，且可獲得高溫下的軟化。於（B）成分的通式中，於苯基的含量小於所述範圍的下限的情況下，所得交聯物的高溫下的軟化不充分。另一方面，於苯基的含量超過所述範圍的上限的情況下，所得交聯物的透明性喪失，且其機械強度亦降低。另外，（B）成分的通式中，R³ 的至少一個為烯基。其原因在於，於（B）成分不具有烯基的情況下，（B）成分不會被取用至交聯反應中，其結果，有（B）成分自所得交聯物滲出之虞。另外，（B）成分的通式中，m如上所述般為5～50的範圍內的整數。此是為了能夠維持所得交聯物的機械強度同時保持處理作業性的範圍。

另外，（B）成分的含量如上所述般為相對於（A）成分的100重量份而成為5重量份～15重量份的範圍內的量。該含量的範圍是為了獲得所得交聯物的高溫下的充分的軟化的範圍。

於（C）成分的通式中，如上所述般，R⁴ 為苯基、或者碳原子數1～6的烷基或環烷基。作為R⁴ 的烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、庚基。作為R⁴ 的環烷基，可例示：環戊基、環庚基。另外，R⁴ 中苯基的含量如上所述般為30莫耳%～70莫耳%的範圍內。此是為了能夠獲得所得交聯物的高溫下的充分的軟化、且確保透明性與機械強度的範圍。

另外，（C）成分的含量如上所述般為相對於（A）成分中及（B）成分中的烯基的合計而（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的莫耳比成為0.5～2的範圍內的量。該含量的範圍是為了能夠獲得所得交聯物的室溫下的充分的硬度的範圍。

（D）成分為用以促進（A）成分中及（B）成分中的烯基與（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的矽氫化反應的矽氫化反應用觸媒。作為（D）成分，可例示鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒，鉑系觸媒因可顯著促進矽酮組成物的硬化而較佳。作為該鉑系觸媒，可例示鉑微粉末、氯鉑酸、氯鉑酸的醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物，尤其較佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物。作為該烯基矽氧烷，可例示：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、該些烯基矽氧烷的甲基的一部分經乙基、苯基等取代的烯基矽氧烷、該些烯基矽氧烷的乙烯基經烯丙基、己烯基等取代的烯基矽氧烷。尤其因該鉑-烯基矽氧烷錯合物的穩定性良好而1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷較佳。

另外，因可使該鉑-烯基矽氧烷錯合物的穩定性提高，故於該錯合物中添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二稀丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等烯基矽氧烷或二甲基矽氧烷寡聚物等有機矽氧烷寡聚物的情況較佳，尤其較佳為添加烯基矽氧烷。

另外，（D）成分的含量若為足夠用以促進（A）成分中及（B）成分中的烯基與（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的矽氫化反應的量，則並無特別限定。此種（D）成分的含量較佳為相對於矽酮組成物，（D）成分中的金屬原子以質量單位計成為0.01 ppm～500 ppm的範圍內的量，進而較佳為成為0.01 ppm～100 ppm的範圍內的量，尤其較佳為成為0.01 ppm～50 ppm的範圍內的量。此是為了能夠使所得矽酮組成物充分交聯且不會產生著色等問題的範圍。

作為基質樹脂的矽酮樹脂（矽酮組成物）至少包含所述（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分，但亦可含有作為其他任意成分的炔烴醇（alkyne alcohol）、烯炔（enyne）化合物、反應抑制劑。作為該炔烴醇，可列舉：乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇等。作為該烯炔化合物，可列舉3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等。作為該反應抑制劑，可列舉：1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷、苯并三唑等。另外，該反應抑制劑的含量並無特別限定，較佳為相對於矽酮組成物的重量而為1 ppm～5,000 ppm的範圍內。亦可藉由如此般調整反應抑制劑的含量來調整所得交聯物的貯存彈性模數。

（溶媒）本發明實施形態的螢光體組成物亦可包含溶媒。該溶媒若為可調整流動狀態的樹脂的黏度者，則並無特別限定。例如可列舉：甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、己烷、丙酮、萜品醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯（Texanol）、甲基溶纖劑、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等。

（其他成分）本發明實施形態的螢光體組成物亦可含有用於塗佈膜穩定化的分散劑或調平劑、製成螢光體片的情況下作為片表面的改質劑的矽烷偶合劑等接著輔助劑等。

另外，本發明實施形態的螢光體組成物亦可含有微粒子。作為該微粒子的例子，可列舉：矽酮微粒子或二氧化鈦、二氧化矽、二氧化鋁、矽酮、二氧化鋯、二氧化鈰、氮化鋁、碳化矽、氮化矽、鈦酸鋇等。就容易獲取的觀點而言，可較佳地使用矽酮微粒子、二氧化矽微粒子、二氧化鋁微粒子作為所述微粒子。

另外，本發明實施形態的螢光體組成物為了降低100℃下的貯存彈性模數（G'），亦可含有含矽烷醇基的甲基苯基系矽酮樹脂作為加熱黏接劑。該含矽烷醇基的甲基苯基系矽酮樹脂的結構特佳為由下述通式（E）所表示者。 (R⁵ SiO₃ )_d (PhSiO₃ )_e (R⁵ OHSiO₂ )_f (PhOHSiO₂ )_g (R⁶ SiO₂ )_h ･･･一般式（E）

於通式（E）中，R⁵ 及R⁶ 分別為碳數1～6的烷基或環烷基。Ph為苯基。d、e、f、g及h為滿足20≦d≦40、20≦e≦40、5≦f≦15、5≦g≦15、20≦h≦40、且d+e+f+g+h=100的數。

＜螢光體組成物的製造方法＞以下，對本發明實施形態的螢光體組成物的製造方法的一例進行說明。於該製造方法中，將既定量的所述由通式（1）所表示的有機化合物、無機螢光體及基質樹脂、以及視需要的矽酮微粒子及溶劑等混合。將所述成分以成為既定的組成的方式混合後，利用均質機、自轉公轉型攪拌機、三輥、球磨機、行星式球磨機、珠磨機等攪拌·混練機均質地進行混合分散，藉此獲得螢光體組成物。亦較佳為於混合分散後或於混合分散的過程中，於真空或減壓條件下進行脫泡。另外，亦可事前混合某特定的成分或對其進行老化等處理。亦可藉由蒸發器去除溶劑而成為所期望的固體成分濃度。

＜形成物＞本發明實施形態的形成物為含有所述螢光體組成物或其硬化物的螢光體形成物。例如，作為本發明的一個實施形態的形成物含有所述無機螢光體及由通式（1）所表示的有機化合物、以及基質樹脂或其硬化物。關於該些無機螢光體、由通式（1）所表示的有機化合物及基質樹脂、以及其他可包含於本發明的形成物的成分，與所述螢光體組成物中者相同。關於該形成物，可將所述螢光體組成物或後述螢光體片成型而得。該形成物的製造中，視需要亦可於螢光體組成物或螢光體片的成型步驟中使基質樹脂硬化。

本發明的形成物的形態並無特別限定，例如可列舉與發光二極體形狀相對應的蓋形形狀或片形形狀等。於將形成物設為蓋形形狀時，例如只要使用模具及熱壓機將本發明實施形態的螢光體組成物成型為蓋形狀即可。另外，於將形成物設為片形形狀時，可使用後述螢光體片的製造方法。

本發明實施形態的形成物可用作遠程磷光體（remote phosphor）用的形成物。所謂遠程磷光體技術，是指將練合有螢光體的三維形狀形成物配置於遠離作為光源的藍色LED的位置的技術。遠程磷光體技術的特徵在於，因螢光體遠離藍色LED，故由熱引起的螢光體的劣化少，光學特性穩定，且明顯減少製品偏差。本發明實施形態的形成物可用於使用遠程磷光體技術的LED模組中，例如可用於手電筒（torch）或聚光燈（spotlight）、夾燈（clip light）等LED照明中。

＜螢光體片＞本發明實施形態的螢光體片為將所述螢光體組成物膜化而成者（成型為片形形狀者），且含有由通式（1）所表示的有機化合物、無機螢光體、以及基質樹脂或其硬化物。於本實施形態的螢光片中，該些有機化合物及無機螢光體將各來自發光體的發光光轉換成較該發光光為長波長的光。另外，螢光體片中含有的基質樹脂為至少與所述無機螢光體混合而形成連續相的樹脂。關於該些無機螢光體、由通式（1）所表示的有機化合物及基質樹脂、以及其他可包含於本發明的螢光體片的成分，與所述螢光體組成物中者相同。另外，關於螢光體片中的有機發光材料（由通式（1）所表示的有機化合物）與無機螢光體的色彩轉換的關係，與所述螢光體組成物中者相同。

於本發明中，螢光體片的厚度並無特別限制，較佳為10 μm～100 μm的範圍內。若螢光體片的厚度小於10 μm，則由於螢光體粒子的原因所致的凹凸而難以進行螢光體片的均一的片成型。若螢光體片的厚度超過1000 μm，則容易產生龜裂，難以進行螢光體片的片成型。螢光體片的更佳的厚度為30 μm～100 μm。另一方面，就提高螢光體片的耐熱性的觀點而言，螢光體片的厚度較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為50 μm以下。

另外，於本發明中，就保管性、搬運性及加工性的觀點而言，螢光體片較佳為於室溫附近彈性高。另一方面，就以追隨於LED晶片的形狀的方式變形且密接於LED晶片的光輸出面的觀點而言，螢光體片較佳為於一定的溫度條件下彈性變低而表現出柔軟性、密接性、流動性。作為此種螢光體片的黏彈性行為，理想的是滿足以下的條件（i）～條件（iii）。

條件（i）為「於溫度25℃下，螢光體片的貯存彈性模數G'為1.0×10⁴ Pa≦G'≦1.0×10⁶ Pa，且螢光體片的損失正切（tanδ）為tanδ＜1」。條件（ii）為「於溫度100℃下，貯存彈性模數G'為1.0×10² Pa≦G'≦1.0×10⁴ Pa，且螢光體片的損失正切為tanδ≧1」。條件（iii）為「於溫度200℃下，貯存彈性模數G'為1.0×10⁴ Pa≦G'≦1.0×10⁶ Pa，且螢光體片的損失正切為tanδ＜1」。

此處所謂的螢光體片的貯存彈性模數G'，是指藉由流變儀進行螢光體片的動態黏彈性測定（溫度依存性）時的貯存彈性模數。所謂動態黏彈性測定（溫度依存性）是指以下手法：當對材料以某正弦頻率施加剪切應變時，將達到穩定狀態時所顯現的剪切應力分解為相位與剪切應變一致的應力成分（彈性成分）以及相位比剪切應變延遲90°的應力成分（黏性成分），從而對材料的動態力學特性進行解析。動態黏彈性測定（溫度依存性）可使用一般的黏度·黏彈性測定裝置來進行。於本發明中，將螢光體片的貯存彈性模數G'設為於以下的條件下進行動態黏彈性測定（溫度依存性）時的值。

作為動態黏彈性測定（溫度依存性）的條件，測定裝置為黏度·黏彈性測定裝置哈克馬爾斯III（HAAKE MARSIII）（賽默飛世爾科技（Thermo Fisher SCIENTIFIC）製造）。測定條件為OSC溫度依存測定。幾何結構為平行圓板型（20 mm）。測定時間為1980秒。角頻率為1 Hz。角速度為6.2832 rad/秒。溫度範圍為25℃～200℃（具有低溫溫度控制功能）。昇溫速度為0.08333℃/秒。樣品形狀為圓形（直徑為18 mm）。

此處，相位與螢光體片的剪切應變一致的應力成分除以該剪切應變而得者為螢光體片的貯存彈性模數G'。該貯存彈性模數G'為表示材料相對於各溫度下的動態的應變的彈性者，因此與螢光體片的硬度、即加工性密切相關。另一方面，相位比螢光體片的剪切應變延遲90°的應力成分除以該剪切應變而得者為螢光體片的損失彈性模數G''。該損失彈性模數G''為表示材料的黏性者，因此與螢光體片的流動性、即密接性密切相關。

另外，損失彈性模數G''除以貯存彈性模數G'而得者為螢光體片的損失正切（tanδ）。該tanδ成為表示材料所處狀態的指標。例如，若tanδ小於1，則彈性為支配性的，螢光體片為固體狀態。另一方面，若tanδ為1以上，則黏性為支配性的，螢光體片為液體狀態。

於本發明中，螢光體片藉由滿足所述條件（i）「於25℃下，1.0×10⁴ Pa≦G'≦1.0×10⁶ Pa，且tanδ＜1」，於室溫（25℃）下為彈性充分的螢光體片。因此，即便對於利用刀具進行的切斷加工等的快速剪切應力而言，螢光體片亦可不發生周圍的變形地被切斷，其結果，可獲得螢光體片的高尺寸精度下的加工性。就防止處置時的破裂或加工性的觀點而言，螢光體片的25℃下的貯存彈性模數G'更佳為9.0×10⁵ Pa以下。就貼附溫度的低溫化的觀點而言，螢光體片的室溫下的tanδ更佳為0.7以下。另外，該tanδ的下限並無特別限制，較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，進而較佳為0.25以上。

另外，螢光體片藉由滿足所述條件（ii）「於100℃下，1.0×10² Pa≦G'≦1.0×10⁴ Pa，且tanδ≧1」，於100℃下為黏性充分的螢光體片，流動性高。因此，若對具備該物性的螢光體片一面於100℃以上進行加熱一面進行向LED晶片的貼附，則螢光體片根據LED晶片的發光面的形狀迅速地流動、變形，從而可獲得所述螢光體片與LED晶片的高密接性。藉此，自LED晶片的光輸出性提高，且亮度提高。就貼附溫度的低溫化的觀點而言，螢光體片的100℃下的貯存彈性模數G'更佳為9.0×10³ Pa以下。就密接性的觀點而言，螢光體片的100℃下的tanδ更佳為1.6以上。另外，該tanδ的上限並無特別限制，較佳為4.0以下，更佳為3.6以下，進而較佳為3.3以下。

進而，螢光體片藉由滿足所述條件（iii）「於200℃下，1.0×10⁴ Pa≦G'≦1.0×10⁶ Pa，且tanδ＜1」，可最終使LED晶片穩定地動作。其原因在於，若於200℃以上對貼附至LED晶片的狀態下的螢光體片進行加熱，則會完成該螢光體片的完全硬化，且該螢光體片中含有的樹脂整體一體化，因此該螢光體片將不再受到LED晶片點燈時的熱等熱因素的影響。就防止龜裂的觀點而言，螢光體片的200℃下的貯存彈性模數G'更佳為9.0×10⁵ Pa以下。就熱穩定性的觀點而言，螢光體片的於200℃下的tanδ更佳為0.08以下。另外，該tanδ的下限並無特別限制，較佳為0.01以上，更佳為0.02以上，進而較佳為0.03以上。

若作為螢光體片而獲得所述貯存彈性模數G'，則其中所含的樹脂亦可為未硬化狀態者。另外，若考慮到螢光體片的處理性及保存性等，則螢光體片中所含的樹脂較佳為並非其整體經一體化的完全硬化而是於某種程度上硬化的狀態。作為一例，較佳為於室溫保存一個月以上的長時間內，螢光體片含有的樹脂以貯存彈性模數G'未發生變化的程度進行硬化。

圖1為表示本發明實施形態的螢光體片的一例的側視圖。如圖1所示，本發明實施形態的螢光體片2為包含螢光體層34以及有機發光材料層35的積層結構的片狀螢光體。螢光體層34為含有本發明中的無機螢光體36以及基質樹脂的層。有機發光材料層35為含有由通式（1）所表示的有機化合物的層。螢光體片2是於基材14之上形成所述螢光體層34與有機發光材料層35而成。此種螢光體片2及基材14構成積層結構的螢光體片積層體33，所述積層結構的螢光體片積層體33為於基材14之上依次積層有螢光體層34與有機發光材料層35的狀態。於將螢光體片2用於LED封裝體的情況下，預先於基材14之上積層螢光體層34與有機發光材料層35相較於分別形成所述各層會使步驟削減。

雖圖1中未特別示出，但螢光體片2亦可為除螢光體層34及有機發光材料層35以外亦具備其他層的積層體。例如，作為其他層可列舉障壁層等。

（螢光體層）螢光體層（例如圖1所示的螢光體層34等）為含有無機螢光體（粒子狀的無機螢光體36等）與基質樹脂的層，較佳為主要混合有無機螢光體與基質樹脂的層。關於無機螢光體、基質樹脂、以及其他可包含於本發明的螢光體層中的成分，與所述螢光體組成物中者相同。

（有機發光材料層）有機發光材料層（例如圖1所示的有機發光材料層35等）為含有由通式（1）所表示的有機化合物的層，較佳為主要混合有由通式（1）所表示的有機化合物與基質樹脂的層。關於由通式（1）所表示的有機化合物及基質樹脂，與所述螢光體組成物中者相同。有機發光材料層除該些有機化合物及基質樹脂以外，亦可含有用於塗佈膜穩定化的分散劑或調平劑、製成有機發光材料層的情況下作為表面的改質劑的矽烷偶合劑等接著輔助劑等。另外，有機發光材料層亦可含有微粒子。作為該微粒子的例子，可列舉：二氧化鈦、二氧化矽、二氧化鋁、矽酮、二氧化鋯、二氧化鈰、氮化鋁、碳化矽、氮化矽、鈦酸鋇等。該些微粒子中，就容易獲取的觀點而言，可較佳地使用二氧化矽微粒子、二氧化鋁微粒子、矽酮微粒子。

（基材）作為基材（例如圖1所示的基材14等），可無特別限制地使用公知的金屬、膜、玻璃、陶瓷、紙等。具體而言，作為基材，可列舉：鋁（亦包括鋁合金）、鋅、銅、鐵等的金屬板或箔，纖維素乙酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚乙烯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯縮醛、芳醯胺、矽酮、聚烯烴、熱塑性氟樹脂、四氟乙烯與乙烯的共聚物（ethylene tetrafluoroethylene，ETFE）等塑膠的膜，包含α-聚烯烴樹脂、聚己內酯樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂及他們與乙烯的共聚樹脂的塑膠的膜，層壓有所述塑膠的紙或經所述塑膠塗佈的紙，層壓或蒸鍍有所述金屬的紙，層壓或蒸鍍有所述金屬的塑膠膜等。另外，於基材為金屬板的情況下，亦可對其表面施加鉻系或鎳系等的鍍敷處理或陶瓷處理。

該些基材中，玻璃或樹脂膜因使螢光體片（例如圖1所示的螢光體片2等）的製作容易或螢光體片的單片化容易，故可較佳地使用。尤其就將螢光體片貼附於LED晶片時的密接性的觀點而言，基材較佳為柔軟的膜狀。另外，較佳為強度高的膜，以便在對膜狀的基材進行處理時無斷裂等之憂。於該些要求特性或經濟性的方面，較佳為樹脂膜，該些樹脂膜中，於經濟性、處理性的方面，較佳為選自由PET、聚苯硫醚、聚丙烯所組成的群組中的塑膠膜。另外，於使螢光體片乾燥的情況下或於將螢光體片貼附於LED晶片時需要200℃以上的高溫的情況下，於耐熱性的方面，較佳為聚醯亞胺膜。因使片的剝離容易，故基材的表面亦可預先經脫模處理。

基材的厚度並無特別限制，作為下限，較佳為25 μm以上，更佳為38 μm以上。另外，作為上限，較佳為5000 μm以下，更佳為3000 μm以下。

（其他層）作為螢光體片中所含的所述其他層的一例，可列舉障壁層。該障壁層並無特別限制，可適當地用於對螢光體片提高阻氣性的情況等中，可列舉例如氧化矽、氧化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化釔、氧化鎂等或他們的混合物、或者於他們中添加有其他元素的金屬氧化物薄膜，或者包含聚偏二氯乙烯、丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂、三聚氰胺系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、氟系樹脂等各種樹脂的膜。另外，作為對水分具有阻隔功能的膜，例如可列舉包含聚乙烯、聚丙烯、尼龍、聚偏二氯乙烯、偏二氯乙烯與氯乙烯的共聚物、偏二氯乙烯與丙烯腈的共聚物、氟樹脂等各種樹脂的膜。

另外，根據對螢光體片所要求的功能，亦可進而設置具有防反射功能、防眩功能、防反射防眩功能、光擴散功能、硬塗層功能（耐摩擦功能）、防靜電功能、防污功能、電磁波屏蔽功能、紅外線截止功能、紫外線截止功能、偏光功能、調色功能的輔助層作為所述其他層。

＜螢光體片的製造方法-1＞以下，對本發明實施形態的螢光體片的製造方法的一例進行說明。本發明實施形態的螢光體片可自所述螢光體組成物獲得。即，於該螢光體片的製造方法中，將藉由所述方法製作的螢光體組成物塗佈於基材上並使其乾燥、加熱硬化。其結果，可製作螢光體片。向基材上塗佈螢光體組成物可利用逆輥塗佈機、刮板塗佈機、狹縫模塗機、直接凹版塗佈機、膠印凹版塗佈機、吻合式塗佈機、正向輥塗佈機（natural roll coater）、氣刀塗佈機、輥式刮板塗佈機、可調刮棒輥刮刀塗佈機（vari-bar roll blade coater）、雙流塗佈機（two-stream coater）、棒塗機、線棒塗佈機、敷料器、浸漬塗佈機、簾幕塗佈機、旋塗機、刮刀塗佈機等來進行。為了獲得螢光體片的膜厚均一性，較佳為利用狹縫模塗機進行塗佈。

螢光體片的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置來進行。螢光體片的加熱中可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置。該情況下，加熱條件通常為於40℃～250℃下進行1分鐘～5小時，較佳為於60℃～200℃下進行2分鐘～4小時。另外，亦可進行分段固化（step cure）等階段性加熱硬化。

於製作螢光體片後，視需要亦可變更基材。該情況下，作為簡易的方法，可列舉使用加熱板進行轉貼的方法、或者使用真空層壓機或乾膜層壓機的方法等。

＜螢光體片的製造方法-2＞以下，對本發明實施形態的螢光體片的製造方法的另一例進行說明。於該製造方法中，首先製作使無機螢光體分散於基質樹脂中而成的螢光體組成物來作為螢光體層形成用的塗佈液。此時，將即定量的所述無機螢光體、基質樹脂、矽酮微粒子、溶劑等混合。將所述成分以成為即定的組成的方式混合後，利用均質機、自轉公轉型攪拌機、三輥、球磨機、行星式球磨機、珠磨機等攪拌·混練機均質地進行混合分散，藉此獲得所述螢光體組成物。亦較佳為於該混合分散後或於該混合分散的過程中，於真空或減壓條件下進行脫泡。

繼而，將藉由所述方法製作的螢光體組成物塗佈於基材上並使其乾燥、加熱硬化。其結果，可製作螢光體層。向基材上塗佈螢光體組成物可利用逆輥塗佈機、刮板塗佈機、狹縫模塗機、直接凹版塗佈機、膠印凹版塗佈機、吻合式塗佈機、正向輥塗佈機、氣刀塗佈機、輥式刮板塗佈機、可調刮棒輥刮刀塗佈機、雙流塗佈機、棒塗機、線棒塗佈機、敷料器、浸漬塗佈機、簾幕塗佈機、旋塗機、刮刀塗佈機等來進行。為了獲得螢光體層的膜厚均一性，較佳為利用狹縫模塗機進行塗佈。

螢光體層的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置來進行。螢光體層的加熱中可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置。該情況下，加熱條件通常為於40℃～250℃下進行1分鐘～5小時，較佳為於60℃～200℃下進行2分鐘～4小時。另外，亦可進行分段固化等階段性加熱硬化。

繼而，於以所述方式製作而成的螢光體層上形成有機發光材料層。例如，將包含有機發光材料的塗佈液直接塗佈於螢光體層上，然後進行乾燥、加熱硬化處理，藉此可獲得具有螢光體層及有機發光材料層的螢光體片。詳細而言，首先製作使有機發光材料分散於基質樹脂中而成的有機發光組成物來作為有機發光材料層形成用的塗佈液。此時，將即定量的所述有機發光材料、基質樹脂、溶劑等混合。將所述成分以成為即定的組成的方式混合後，利用均質機、自轉公轉型攪拌機、三輥、球磨機、行星式球磨機、珠磨機等攪拌·混練機對他們的混合物均質地進行混合分散。藉此，可獲得所述有機發光組成物。亦較佳為於該混合分散後或於該混合分散的過程中，於真空或減壓條件下進行脫泡。

向螢光體層上塗佈有機發光材料可利用逆輥塗佈機、刮板塗佈機、狹縫模塗機、直接凹版塗佈機、膠印凹版塗佈機、吻合式塗佈機、正向輥塗佈機、氣刀塗佈機、輥式刮板塗佈機、可調刮棒輥刮刀塗佈機、雙流塗佈機、棒塗機、線棒塗佈機、敷料器、浸漬塗佈機、簾幕塗佈機、旋塗機、刮刀塗佈機等來進行。為了獲得有機發光材料層的膜厚均一性，較佳為利用狹縫模塗機進行塗佈。

有機發光材料層的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置來進行。有機發光材料層的加熱中可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置。該情況下，加熱條件通常為於40℃～250℃下進行1分鐘～5小時，較佳為於60℃～200℃下進行2分鐘～4小時。另外，亦可進行分段固化等階段性加熱硬化。

＜螢光體組成物的適用例＞本發明實施形態的螢光體組成物較佳為可適宜地用於側向式（lateral）、垂直式（vertical）、倒裝晶片式（flip-chip）等的一般結構的LED晶片。為使發光效率提高，LED晶片亦可基於光學的設計而對發光表面進行加工以形成紋理（texture）等。再者，所謂發光面，是指輸出來自LED晶片的光的面。

對此種LED晶片進行金屬配線，然後使用本發明實施形態的螢光體組成物進行該LED晶片的密封，藉此可將該LED晶片加以封裝化而製成LED封裝體。該LED封裝體內的LED晶片為藉由覆蓋其發光面的狀態下的螢光體組成物來對發光光進行色彩轉換的發光體。並且，該LED封裝體具備此種處於覆蓋LED晶片的包括發光面在內的整體的狀態下的螢光體組成物的硬化物。其後，將以所述方式獲得的LED封裝體組入模組中，藉此可將所述LED封裝體適宜地用於各種照明、或以液晶背光、前燈等為代表的各種LED發光裝置中。

＜使用螢光體組成物的LED封裝體的製造方法＞對本發明實施形態的使用螢光體組成物的LED封裝體的製造方法進行說明。圖2為表示本發明實施形態的使用螢光體組成物的LED封裝體的製造方法的一例的圖。然而，本發明並不限定於圖2中所示的製造方法。作為本發明實施形態的使用螢光體組成物的LED封裝體的製造方法，尤其適宜的方法至少包括：注入步驟，將螢光體組成物注入至設置有LED晶片的封裝體框架中；以及密封步驟，於該注入步驟後，利用密封材將封裝體框架內的LED晶片密封。

詳細而言，如圖2所示，首先，進行準備步驟：準備帶有反射器5的安裝基板7來作為封裝體框架12（狀態A1）。隨後，進行安裝步驟：將LED晶片1安裝設置於安裝基板7之上（狀態A2）。

繼而，進行注入步驟：將本發明實施形態的螢光體組成物4以所期望的量注入至設置有LED晶片1的封裝體框架12中（狀態A3）。作為該螢光體組成物4的注入方法，可列舉射出成型、壓縮成型、澆注成型、轉注成型、塗佈、灌注（分配）、印刷、轉印等方法，但並不限定於該些方法。尤佳為可使用灌注（分配）。藉由該注入步驟，LED晶片1的包括發光面在內的整體於封裝體框架12內被螢光體組成物4覆蓋。

於注入螢光體組成物4後，進行使該螢光體組成物4加熱硬化的加熱硬化步驟。藉此，能夠以與封裝體框架12的形狀相對應的形狀將螢光體組成物4的硬化物設置於LED晶片1上。於該加熱硬化步驟中，螢光體組成物4的加熱硬化處理可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置來進行。加熱硬化條件通常為於40℃～250℃下進行1分鐘～5小時，較佳為於60℃～200℃下進行2分鐘～4小時。該情況下，亦可進行分段固化等階段性加熱硬化。

其後，進行密封步驟：將透明密封材6注入至所述螢光體組成物4的硬化物之上並進行加熱硬化而將該硬化物中的LED晶片1密封（狀態A4）。該透明密封材6的注入方法及加熱硬化條件依照所述螢光體組成物4的注入方法及加熱硬化條件。藉由以上步驟而製造LED封裝體13。其後，於LED封裝體13中，視需要亦可設置由透明樹脂形成的外塗層或透鏡等。

＜螢光體片、螢光體形成物的適用例＞本發明實施形態的螢光體片較佳為貼附於側向式、垂直式、倒裝晶片式等的一般結構的LED晶片的發光面。藉此，可形成在LED晶片的表面積層有螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片。螢光體片尤其可適宜地用於發光面積大的垂直式、倒裝晶片類型的LED晶片。再者，所謂發光面，是指輸出來自LED晶片的光的面。

此處，來自LED晶片的發光面存在為單一平面的情況與不為單一平面的情況。作為單一平面的情況，可列舉主要僅具有上部發光面的LED晶片。具體而言，可例示垂直類型的LED晶片、或以利用反射層覆蓋側面而僅自上表面輸出光的方式構成的LED晶片等。另一方面，作為不為單一平面的情況，可列舉具有上部發光面及側部發光面的LED晶片或具有曲面發光面的LED晶片。

作為LED晶片，發光面不為單一平面的情況因可利用來自側部的發光且可變亮而較佳。尤其具有上部發光面與側部發光面的倒裝晶片類型的LED晶片因可增大發光面積且晶片製造製程容易而較佳。另外，為使發光效率提高，LED晶片亦可基於光學的設計而對發光表面進行加工以形成紋理等。

本發明實施形態的螢光體片亦可不直接貼附於LED晶片而是使用透明樹脂等接著劑進行貼附。另一方面，以螢光體片被覆LED晶片的發光面可使來自LED晶片的光直接入射至作為色彩轉換層的螢光體片而不會因反射等發生損耗，因此較佳。藉此，可色彩偏差少地以高效率獲得均一的白色光。此處所述的色彩轉換層表示以下層：該層吸收自LED晶片射出的光而對波長進行轉換，且射出與LED晶片的光不同的波長的光。

藉由該些方法而獲得的帶有螢光體片的LED晶片可進行金屬配線、密封而製成經封裝化的LED封裝體。其後，將該LED封裝體組入模組中，藉此可將本發明實施形態的螢光體片、進而將使用該螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片適宜地用於各種照明、或以液晶背光、前燈為代表的各種LED發光裝置中。

圖3A～圖3C為表示本發明實施形態的帶有螢光體片的LED晶片的適宜的例子的圖。圖3A為表示使用本發明實施形態的螢光體片的、帶有螢光體片的LED晶片的一例的圖。圖3A中例示的帶有螢光體片的LED晶片31是於LED晶片1的上表面（發光面）貼附設置有螢光體片2者。圖3B為表示使用本發明實施形態的螢光體片的、帶有螢光體片的LED晶片的另一例的圖。圖3B中例示的帶有螢光體片的LED晶片31是不僅於LED晶片1的上表面（上部發光面）而且亦於側面（側部發光面）貼附設置有螢光體片2者。該類型的帶有螢光體片的LED晶片31亦可對來自LED晶片1的側面的發光進行色彩轉換，因此較佳。圖3C為表示使用本發明實施形態的螢光體片的、帶有螢光體片的LED晶片的再一例的圖。圖3C中例示的帶有螢光體片的LED晶片31是使用在下表面具有電極3的倒裝晶片類型的LED晶片1且藉由螢光體片2被覆該LED晶片1的作為發光面的上表面與側面者。

圖4A～圖4J為表示本發明實施形態的LED封裝體的適宜的例子的圖。圖4A為表示本發明實施形態的使用螢光體組成物的LED封裝體的一例的圖。圖4A中例示的LED封裝體13是將螢光體組成物4注入至設置有LED晶片1的、帶有反射器5的安裝基板7上，且其後藉由透明密封材6將該LED晶片1密封而成者。該LED封裝體13為作為具備螢光體組成物4的硬化物的LED封裝體的適宜的一例。

圖4B為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例1的圖。圖4B中例示的LED封裝體13是將螢光體片2貼附於帶有反射器5的安裝基板7中所設置的LED晶片1上，且其後藉由透明密封材6將該LED晶片1與螢光體片2一起密封者。圖4C為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例2的圖。圖4C中例示的LED封裝體13是針對帶有反射器5的安裝基板7中所設置的LED晶片1，將螢光體片2不僅貼附於其上表面而且亦貼附於其側面，進而亦安裝由透明密封材6形成的透鏡而成者。該類型的LED封裝體13亦可藉由螢光體片2對來自LED晶片1的側面的發光進行色彩轉換，因此較佳。

圖4D為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例3的圖。圖4D中例示的LED封裝體13是不使用反射器5且藉由透明密封材6的透鏡成型體來將LED晶片1與螢光體片2一起密封者。除此以外，與圖4B中例示的LED封裝體13相同。圖4E為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例4的圖。圖4E中例示的LED封裝體13除不使用反射器5以外與圖4C中例示的LED封裝體13相同。

圖4F為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例5的圖。圖4F中例示的LED封裝體13是使用在下表面具有電極3及金凸塊8的倒裝晶片類型的LED晶片1，且藉由螢光體片2被覆該LED晶片1的作為發光面的上表面與側面者。除此以外，與圖4C中例示的LED封裝體13相同。再者，當利用螢光體片2被覆LED晶片1的側面時，如圖4F所示，螢光體片2亦可到達安裝基板7的上表面為止。圖4G為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例6的圖。圖4G中例示的LED封裝體13是不使用反射器5且藉由透明密封材6的透鏡成型體來將倒裝晶片類型的LED晶片1（參照圖4F）與螢光體片2一起密封者。除此以外，與圖4E中例示的LED封裝體13相同。

圖4H為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例7的圖。圖4H中例示的LED封裝體13是藉由透明接著劑9將LED晶片1與螢光體片2貼附於一起者。除此以外，與圖4B中例示的LED封裝體13相同。圖4I為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例8的圖。圖4I中例示的LED封裝體13是使用預先準備的帶有基材10的螢光體片2者。於該類型的LED封裝體13中，基材10可不自螢光體片2剝離地使用。除此以外，與圖4H中例示的LED封裝體13相同。作為基材10的材質，較佳為玻璃。圖4B～圖4I中例示的LED封裝體13為作為具備螢光體片2或其硬化物的LED封裝體的適宜的一例。

圖4J為表示使用其中使用了本發明實施形態的螢光體組成物的形成物的LED封裝體的一例的圖。圖4J中例示的LED封裝體13是使用倒裝晶片類型的LED晶片1（參照圖4F），且藉由透明密封材6被覆該LED晶片1的作為發光面的上表面與側面，進而以使用了螢光體組成物的形成物11被覆該透明密封材6者。除此以外，與圖4G中例示的LED封裝體13相同。該LED封裝體13為作為具備形成物11（螢光體形成物）的LED封裝體的適宜的一例，所述形成物11含有螢光體組成物4或其硬化物。

可適用本發明的LED封裝體並不限定於該些例子。例如，於圖4B所示的LED封裝體13中，透明密封材6為如圖4C所示般的形狀，且螢光體片2亦可為不僅貼附於LED晶片1的上表面而且亦貼附於側面者。如此般，可對圖4A～圖4J中所例示的LED封裝體13的各構件的結構進行適當組合。另外，亦可將LED封裝體13的各構件置換成所述各構件以外的公知的構件，或者與所述各構件以外的公知的構件進行組合。

此處，透明密封材6若為成型加工性、透明性、耐熱性、接著性等優異的材料，則可使用環氧樹脂、矽酮樹脂（包括矽酮橡膠、矽酮凝膠等有機聚矽氧烷硬化物（交聯物））、脲樹脂、氟樹脂、聚碳酸酯樹脂等公知者。另外，作為透明接著劑9，可使用所述透明密封材6。

＜使用螢光體片的LED封裝體的製造方法＞對本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法進行說明。於本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的具有代表性的製造方法中，LED封裝體的製造中使用的、帶有螢光體片的LED晶片的製造方法主要有兩個。一個為將螢光體片切斷成單片後，將經單片化的螢光體片貼附於各別的LED晶片的方法。另一個為以下方法：對固定有LED晶片的晶圓，於其切割（dicing）前統一貼附螢光體片，其後統一進行該晶圓的切割與螢光體片的切斷。所述兩個方法的詳情將於後文敘述。本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法並不限定於所述兩個方法。

作為本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法，尤其適宜的製造方法至少包括：對位步驟，螢光體片被分割為多個分區，使該些處於被分割為多個分區的狀態的所述螢光體片的一個分區與一個LED晶片的發光面對向；以及接著步驟，藉由加熱壓接工具，對對向的所述螢光體片的一個分區與所述一個LED晶片的發光面一面進行加熱一面進行加壓而加以接著。

本發明實施形態的螢光體片亦可不直接貼附於LED晶片而是使用透明樹脂等接著劑貼附於LED晶片。然而，使用含有熱融合樹脂作為基質樹脂的螢光體片可使螢光體片容易地貼附於LED晶片而不需要接著劑，因此較佳。

於接著步驟中，當將螢光體片貼附於LED晶片時，藉由於所期望的溫度下一面進行加熱一面進行加壓而加以壓接以進行貼附。加熱溫度理想的是60℃以上、250℃以下，更理想的是60℃以上、160℃以下。藉由將加熱溫度設為60℃以上，用以增大室溫下與貼附溫度下的彈性模數差的樹脂設計變得容易。另外，藉由將加熱溫度設為250℃以下，可減小基材及螢光體片的熱膨脹、熱收縮，因此可提高貼附的精度。尤其於預先對螢光體片實施開孔加工以進行LED晶片上的既定部分與螢光體片的對位的情況下等，貼附的位置精度為重要的。為了提高貼附的精度，更適宜的是將加熱溫度設為160℃以下來貼附LED晶片與螢光體片。

作為將螢光體片貼附於LED晶片表面的方法，若為可於所期望的溫度下進行壓接的裝置，則可利用現有的任意裝置，例如可利用貼片機（mounter）或倒裝晶片接合機（flip chip bonder）等的加熱壓接工具。另外，當對晶圓級的LED晶片統一貼附螢光體片時，可使用真空層壓機或具有約100 mm～200 mm見方的加熱部分的加熱壓接工具等來進行貼附。於任一情況下，均是於所期望的溫度下將螢光體片壓接於LED晶片而使其熱融合之後，將他們放置冷卻至室溫為止，並將基材自該螢光體片剝離。藉由具有如本發明般的溫度與彈性模數的關係，於熱融合後放置冷卻至室溫為止後的螢光體片可牢固地密接於LED晶片且可自基材容易地剝離。

就對螢光體片進行切斷加工的方法進行說明。作為對螢光體片進行切斷加工的方法，有在向LED晶片貼附螢光體片之前預先將所述螢光體片切斷成單片並將經單片化的螢光體片貼附於各別的LED晶片的方法、以及在將螢光體片貼附於晶圓級的LED晶片之後與晶圓的切割同時地統一將螢光體片切斷的方法。於將螢光體片在貼附前預先切斷的情況下，藉由利用雷射進行的加工、或利用刀具進行的切削將均一形成的螢光體片加工、分割為既定的形狀。因利用雷射進行的加工會賦予高能量，非常難以避免螢光體片中的樹脂的燒焦或螢光體的劣化，因此理想的是利用刀具進行的切削。作為利用刀具的切削方法，有簡單的將刀具壓入而切削螢光體片的方法、以及利用旋轉刀切削螢光體片的方法，均可適宜地使用。作為利用旋轉刀進行切斷的裝置，可適宜地利用被稱為切片機（dicer）的、用以將半導體基板（晶圓）切斷（切割）成各別的晶片的裝置。若使用切片機，則可藉由旋轉刀的厚度或條件設定來精密地控制螢光體片的分割線的寬度，因此，相較於藉由簡單的刀具的壓入來切斷螢光體片，可獲得更高的加工精度。

於將積層於基材的狀態下的螢光體片切斷的情況下，螢光體片可連同基材一起經單片化，或者亦可螢光體片經單片化且基材不進行切斷。或者，亦可對基材施加切入不貫通的切入線的、所謂半切（half cut）。使如此般經單片化的螢光體片熱融合於各別的LED晶片的發光面上。

圖5為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法的一例的圖。該LED封裝體的製造方法包括：將螢光體片連同基材一起加以單片化的情況下的螢光體片的切斷、螢光體片向LED晶片的貼附、及切割等步驟。該LED封裝體的製造方法中，包括將螢光體片連同基材一起切斷成單片的步驟、及對該經切斷成單片的螢光體片於所期望的溫度下進行壓接而貼附於LED晶片的步驟。

例如，於圖5所示的LED封裝體的製造方法中，進行暫時固定步驟：將積層於基材14的狀態下的螢光體片2固定於暫時固定片15（狀態B1）。於圖5所示的LED封裝體的製造方法中，螢光體片2與基材14均進行單片化，因此以使處理容易的方式固定於暫時固定片15。繼而，進行切斷步驟：對螢光體片2與基材14兩者進行切斷而將螢光體片2連同基材14一起加以單片化（狀態B2）。繼而進行對位步驟：使經單片化的螢光體片2及基材14的積層體（單片積層體）對位於安裝基板7上所安裝的LED晶片1之上（狀態B3）。該LED晶片1是藉由晶圓的切割步驟而得者，且被預先安裝於構成封裝體框架12的帶有反射器5的安裝基板7上。

繼而，進行接著步驟：對於藉由所述對位步驟而處於LED晶片1的發光面與螢光體片2對向的狀態的、螢光體片2及基材14的單片積層體，使用加熱壓接工具16，於所期望的溫度下一面進行加熱一面進行加壓而將其接著（壓接）於封裝體框架12的安裝基板7上的LED晶片1（狀態B4）。此時，接著步驟較佳為於真空下或減壓下進行，以不使空氣擠入螢光體片2與LED晶片1之間。於該接著步驟後，進行冷卻步驟：將封裝體框架12內的LED晶片1與螢光體片2及基材14的單片積層體放置冷卻至室溫為止，且將基材14自該接著於LED晶片1的狀態下的螢光體片2剝離（狀態B5）。此處，於基材14為玻璃等透明部件的情況下，於冷卻步驟中，亦可不將基材14自螢光體片2剝離而保持當前狀態（狀態B6）。

另一方面，於基材14為連續的狀態而螢光體片2經單片化的情況下，亦可統一使該基材14上的經單片化的螢光體片2直接熱融合於切割前的晶圓級的LED晶片。圖6為表示使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片的製造方法的一例的圖。該帶有螢光體片的LED封裝體的製造方法包括：基材14為連續的狀態而螢光體片2經單片化的情況下的螢光體片2的切斷、螢光體片2向晶圓級的LED晶片的貼附、及切割等步驟。該帶有螢光體片的LED封裝體的製造方法中，包括：不對基材14進行單片化而將螢光體片2切斷成單片的步驟、及對該經切斷成單片的螢光體片2於所期望的溫度下進行壓接而貼附於晶圓級的LED晶片的步驟。

例如，於圖6所示的帶有螢光體片的LED封裝體的製造方法中，首先，於預先進行將螢光體片2積層於基材14的積層步驟（狀態C1）之後，進行切斷步驟：將積層於基材14的狀態下的螢光體片2切斷而加以單片化（狀態C2）。當藉由該切斷步驟將螢光體片2加以單片化時，基材14未被單片化。於圖6所示的狀態C2中，完全未對基材14進行切斷，但只要基材14為連續的，則亦可對基材14進行部分切斷。

繼而，進行對位步驟：使經單片化的螢光體片2與切割前的LED晶圓17對向，以與該LED晶圓17的LED晶片（未圖示）進行對位（狀態C3）。LED晶圓17是於其表面形成有多個LED晶片的晶圓。切割前的LED晶圓17表面的LED晶片為晶圓級的LED晶片。接下來，進行接著步驟：對於所述螢光體片2與切割前的LED晶圓17，使用加熱壓接工具16，於所期望的溫度下一面進行加熱一面進行加壓而加以接著（壓接）（狀態C4）。此時，接著步驟較佳為於真空下或減壓下進行，以不使空氣擠入螢光體片2與LED晶圓17表面的LED晶片之間。藉由該接著步驟，將螢光體片2（經單片化者）與LED晶圓17表面的LED晶片（晶圓級的LED晶片）壓接於一起。

於該接著步驟後，進行冷卻步驟：將螢光體片2、LED晶圓17及基材14放置冷卻至室溫為止，且將基材14自該接著於LED晶圓17的狀態下的螢光體片2剝離（狀態C5）。其後，進行切割步驟：對LED晶圓17進行切割而單片化為LED晶片（狀態C6）。其結果，獲得所期望個數（例如為多個）的、經單片化的帶有螢光體片的LED晶片18。

於統一使螢光體片2熱融合於切割前的晶圓級的LED晶片的情況下，亦可於貼附後與LED晶圓17的切割一起對螢光體片2進行切斷。圖7為表示使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片的製造方法的另一例的圖。圖7中示出了於將螢光體片2與LED晶圓17貼附於一起後統一進行切割的情況下的步驟的一例。該帶有螢光體片的LED封裝體的製造方法中，包括：於所期望的溫度下對螢光體片2進行壓接而統一貼附於切割前的多個LED晶片（晶圓級的LED晶片）的步驟、及統一對螢光體片2與晶圓級的LED晶片進行切割的步驟。

例如，於圖7所示的帶有螢光體片的LED封裝體的製造方法中，首先，於進行將螢光體片2積層於基材14的積層步驟之後，不預先對螢光體片2進行切斷加工而進行對位步驟：使帶有基材14的螢光體片2與切割前的LED晶圓17對向，以使該螢光體片2與LED晶圓17對位（狀態D1）。藉此，螢光體片2與LED晶圓17表面的LED晶片（未圖示）對位。

繼而，進行接著步驟：對於所述螢光體片2與切割前的LED晶圓17，藉由加熱壓接工具16，於所期望的溫度下一面進行加熱一面進行加壓而加以接著（壓接）（狀態D2）。該情況下，接著步驟較佳為於真空下或減壓下進行，以不使空氣擠入螢光體片2與LED晶圓17表面的LED晶片之間。藉由該接著步驟，將螢光體片2（帶有基材14的未經單片化者）與LED晶圓17表面的LED晶片（晶圓級的LED晶片）壓接於一起。

於該接著步驟後，進行冷卻步驟：將螢光體片2、LED晶圓17及基材14放置冷卻至室溫為止，且將基材14自該接著於LED晶圓17的狀態下的螢光體片2剝離（狀態D3）。其後，進行切割步驟（切斷步驟）：於對LED晶圓17進行切割而單片化為LED晶片的同時，對螢光體片2進行切斷而加以單片化（狀態D4）。其結果，獲得所期望個數（例如為多個）的、經單片化的帶有螢光體片的LED晶片18。

另一方面，於所述接著步驟之後，亦可不將基材14自接著於LED晶圓17的狀態下的螢光體片2剝離地進行將螢光體片2、LED晶圓17及基材14放置冷卻至室溫為止的冷卻步驟（狀態D5）。其後，進行切割步驟（切斷步驟）：於對LED晶圓17進行切割而單片化為LED晶片的同時，將螢光體片2與基材14一起切斷而加以單片化（狀態D6）。其結果，獲得所期望個數（例如為多個）的、以帶有基材的狀態經單片化的帶有螢光體片的LED晶片18。關於如此般獲得的帶有螢光體片的LED晶片18，於基材14（參照狀態D5）為玻璃等透明部件的情況下，亦可不將該基材14剝離而直接使用。另外，於基材14為玻璃以外的塑膠膜等不透明部件的情況下，亦可於將經單片化的帶有基材且帶有螢光體片的LED晶片18安裝於基板後，自該帶有螢光體片的LED晶片18剝離基材14。

於採用所述圖5～圖7中所例示的任意步驟的製造方法中，於將螢光體片貼附於上表面具有電極的LED晶片的情況下，均理想的是為了去除電極部分的螢光體片而於螢光體片的貼附前預先於該部分進行開孔加工。開孔加工可適宜地使用雷射加工、模具沖孔等公知的方法。然而，雷射加工會引起螢光體片中的樹脂的燒焦或螢光體的劣化，因此更理想的是利用模具進行的沖孔加工。於作為螢光體片的開孔加工而實施沖孔加工的情況下，於將螢光體片貼附至LED晶片之後無法進行沖孔加工，因此必須於貼附前對螢光體片施加沖孔加工。利用模具進行的沖孔加工可根據所貼附的LED晶片的電極形狀等來開設任意形狀或大小的孔。

關於孔的大小或形狀，只要對模具進行設計，便可形成任意大小或形狀。例如，為了不使發光面的面積變小，約1 mm見方的LED晶片上的電極接合部分理想的是500 μm以下。該情況下，孔與該電極接合部分的大小相對應而形成為500 μm以下。另外，進行打線接合等的電極需要具有某種程度的大小，從而成為至少50 μm左右的大小。該情況下，孔與該電極的大小相對應而形成為50 μm左右。孔的大小若相比於電極而過大，則發光面會露出而發生漏光，且LED封裝體的色彩特性降低。另外，孔的大小若相比於電極而過小，則於打線接合時會接觸導線而引起接合不良。因此，開孔加工需要以±10%以內的高精度加工出50 μm以上、500 μm以下的小孔。為了提高沖孔加工的精度，螢光體片的25℃下的貯存彈性模數G'為1.0×10⁴ Pa≦G'≦1.0×10⁶ Pa、且tanδ＜1亦非常重要。

於將施加了切斷加工或開孔加工的螢光體片對位貼附於LED晶片的既定部分的情況下，需要具有光學對位（對齊（alignment））機構的貼附裝置。此時，使螢光體片與LED晶片靠近來進行對位於作業上困難，於實用上，通常於使螢光體片與LED晶片輕微接觸的狀態下進行對位。於該對位中，若螢光體片具有黏接性，則使該螢光體片與LED晶片接觸地移動非常困難。根據本發明實施形態的螢光體片，若於室溫下進行對位則不具有黏接性，因此容易於使螢光體片與LED晶片輕微接觸的狀態下進行對位。

對使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片及LED封裝體的量產性製造方法進行說明。首先，對帶有螢光體片的LED晶片的製造方法進行說明。圖8為表示本發明實施形態的螢光體片的貼附方法的一例的圖。圖8中，使用針對每個LED晶片而經單片化的螢光體片積層體20示出了向LED晶片1逐一貼附螢光體片2的貼附方法。

例如，於圖8所示的螢光體片的貼附方法中，作為基材19與螢光體片2的積層體的螢光體片積層體20相應於封裝體基板21上所安裝的多個LED晶片1的各個而各別地切斷來進行單片化。所述多個LED晶片1分別將其金凸塊8與封裝體電極22連接而預先安裝於封裝體基板21。經單片化的螢光體片積層體20以使封裝體基板21上的LED晶片1與螢光體片2對向的方式被定位（狀態E1）。其後，該螢光體片積層體20的螢光體片2（經單片化者）藉由加熱壓接等而依次貼附於封裝體基板21上的LED晶片1的至少發光面（例如上表面及側面）（狀態E2）。

圖9為表示本發明實施形態的螢光體片的貼附方法的另一例的圖。圖9中示出了將螢光體片2統一被覆於多個LED晶片1後，對該螢光體片2進行切分而加以單片化的貼附方法。例如，於圖9所示的螢光體片的貼附方法中，作為基材19與螢光體片2的積層體的螢光體片積層體20未經單片化，且以統一使封裝體基板21上的多個LED晶片1與螢光體片2對向的方式被定位（狀態F1）。所述多個LED晶片1與圖8所示的情況相同地，將金凸塊8與封裝體電極22連接而預先安裝於封裝體基板21。其後，該螢光體片積層體20的螢光體片2（未經單片化者）藉由加熱壓接等而統一貼附於封裝體基板21上的多個LED晶片1的至少發光面（例如上表面及側面）（狀態F2）。圖9中雖未特別示出，但如此般貼附於多個LED晶片1的螢光體片2其後相應於所述多個LED晶片1的各個而各別地切斷來進行單片化。

作為帶有螢光體片的LED晶片的製造方法中的向LED晶片1貼附螢光體片2的方法，可列舉所述圖8所示的方法及圖9所示的方法，但亦可使用任意方法。

螢光體片2向LED晶片1的貼附是於基材19軟化流動的狀態下加以按壓來進行。尤其於使用熱融合性的螢光體片作為螢光體片2的情況下，就接著性的強化的觀點而言，貼附溫度較佳為60℃以上，更佳為80℃以上。另外，用於螢光體片2的熱融合性樹脂具有藉由加熱而黏度暫時降低、進而若持續加熱則進行熱硬化的性質。因此，就保持接著性的觀點而言，貼附步驟的溫度較佳為150℃以下，進而，就將螢光體片2的黏度保持為一定程度以上、保持形狀的觀點而言，更佳為120℃以下。另外，為了防止蓄積空氣的殘存，較佳為於0.01 MPa以下的減壓下進行貼附。

作為進行此種貼附的製造裝置，可例示：真空隔膜層壓機（vacuum diaphragm laminator）、真空輥層壓機、真空油壓壓力機、真空伺服壓力機、真空電動壓力機、TOM成形機等真空貼附機等。其中，真空隔膜層壓機因一次可處理的個數多，另外可自正上方不發生偏斜地進行加壓而較佳。

繼而，關於本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法，例示兩個方法。再者，LED封裝體的製造方法並不限定於該些例子。

圖10是表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法的一例的圖。於圖10例示的LED封裝體的製造方法中，首先，進行暫時固定步驟：藉由雙面黏接帶23將LED晶片1暫時固定於底座24上（狀態G1）。接下來，進行積層步驟：對螢光體片積層體20以螢光體片2與LED晶片1相接的方式進行對位並積層（狀態G2）。藉由該積層步驟，可獲得底座24（參照狀態G1）上的LED晶片1與螢光體片2及基材19的積層體即積層物37。

繼而，進行接著步驟：對積層物37的LED晶片1與螢光體片2進行接著（狀態G3）。於該接著步驟中，積層物37被放入真空隔膜層壓機28的下部腔室26中。其後，真空隔膜層壓機28一面對積層物37進行加熱，一面藉由自排氣口29b的排氣對上部腔室25及下部腔室26進行減壓。隨後，真空隔膜層壓機28進行減壓加熱直至積層物37的基材19發生流動為止，然後藉由經由吸氣口29a將大氣吸入至上部腔室25而使隔膜27膨脹。藉此，隔膜27經由該基材19而將螢光體片2按壓至LED晶片1，且以追隨LED晶片1的發光面的方式對該螢光體片2進行貼附。

隨後，進行切斷步驟：將LED晶片1與螢光體片2的接著物切斷而加以單片化（狀態G4）。於該切斷步驟中，真空隔膜層壓機28將上部腔室25及下部腔室26恢復成大氣壓。其後，自真空隔膜層壓機28取出積層物37，於放置冷卻後將基材19（參照狀態G3）剝離。接下來，對於螢光體片2，利用晶粒切割機（dicing cutter）等將底座24上的各LED晶片1間的切斷部分30連同雙面黏接帶23一起切斷，藉此螢光體片2於被覆LED晶片1的發光面的狀態下經單片化。其結果，可製作經單片化的帶有螢光體片的LED晶片31（參照狀態G5）。

其後，進行安裝步驟：將帶有螢光體片的LED晶片31安裝於封裝體基板21（狀態G5）。於該安裝步驟中，帶有螢光體片的LED晶片31經由金凸塊8接合於封裝體基板21上的封裝體電極22。藉由以上的步驟而製造LED封裝體32（狀態G6）。圖10中雖未特別示出，但該LED封裝體32中視需要可設置由透明樹脂形成的外塗層或透鏡等。

圖11為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法的另一例的圖。於圖11例示的LED封裝體的製造方法中，首先，進行安裝步驟：經由金凸塊8將LED晶片1接合於封裝體基板21上的封裝體電極22（狀態H1）。接下來，進行積層步驟：對螢光體片積層體20以螢光體片2與LED晶片1相接的方式進行對位並積層（狀態H2）。藉由該積層步驟，可獲得封裝體基板21上的LED晶片1與螢光體片2及基材19的積層體即積層物38。

繼而，進行接著步驟：對積層物38的LED晶片1與螢光體片2進行接著（狀態H3）。於該接著步驟中，積層物38被放入真空隔膜層壓機28的下部腔室26中。其後，真空隔膜層壓機28一面對積層物38進行加熱，一面藉由自排氣口29b的排氣對上部腔室25及下部腔室26進行減壓。隨後，真空隔膜層壓機28進行減壓加熱直至積層物38的基材19發生流動為止，然後藉由經由吸氣口29a將大氣吸入至上部腔室25而使隔膜27膨脹。藉此，隔膜27經由該基材19而將螢光體片2按壓至LED晶片1，且以追隨LED晶片1的發光面的方式對該螢光體片2進行貼附。

隨後，進行切斷步驟：將封裝體基板21與LED晶片1及螢光體片2的接合物切斷而加以單片化（狀態H4）。於該切斷步驟中，真空隔膜層壓機28將上部腔室25及下部腔室26恢復成大氣壓。其後，自真空隔膜層壓機28取出積層物38，於放置冷卻後將基材19（參照狀態H3）剝離。接下來，螢光體片2藉由將封裝體基板21中的各LED晶片1間的切斷部分30切斷而於被覆LED晶片1的發光面的狀態下與封裝體基板21一起經單片化。藉由以上的步驟而製造LED封裝體32（狀態H5）。圖11中雖未特別示出，但該LED封裝體32中視需要可設置由透明樹脂形成的外塗層或透鏡等。

＜發光裝置、背光單元、顯示器＞本發明實施形態的發光裝置為所述螢光體組成物、螢光體片或螢光體形成物的一適用例。例如，該發光裝置具備含有所述螢光體組成物或其硬化物的螢光體形成物、以及具有藉由該螢光體形成物中所含的螢光體組成物來對發光光進行色彩轉換的LED晶片（發光體）的LED封裝體。本發明實施形態的背光單元為該發光裝置的一應用例。例如，該背光單元具備具有所述螢光體組成物的硬化物的LED封裝體、或者具有所述螢光體片或其硬化物的LED封裝體。如此般構成的背光單元可用於顯示器、照明、內裝（interior）、標誌、指示牌等用途，尤其可適宜地用於顯示器或照明用途。本發明實施形態的顯示器（例如液晶顯示器）為該背光單元的一適用例。例如，該顯示器具備具有所述螢光體組成物的硬化物的LED封裝體、或者具有所述螢光體片或其硬化物的LED封裝體。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明進行具體說明。然而，本發明並不受該些例子限定。

＜基材＞關於基材，使用作為已進行脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯（聚對苯二甲酸乙二酯膜）的「塞拉皮爾（Cerapeel）」BX9（東麗膜（Toray film）加工（股份）製造，平均膜厚為50 μm）。

＜無機螢光體＞作為無機螢光體的一例的YAG系螢光體的類型1（YAG1）為根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）（股份）公司製造的「YAG81003」。作為無機螢光體的一例的β型矽鋁氮氧化物螢光體的類型1（β1）為電化（Denka）（股份）公司製造的「GR-SW529Y」。該β型矽鋁氮氧化物螢光體（β1）的峰值波長為529 nm，平均粒徑（D50）為16 μm。β型矽鋁氮氧化物螢光體的類型2（β2）為電化（Denka）（股份）公司製造的「GR-MW540H」。該β型矽鋁氮氧化物螢光體（β2）的峰值波長為544 nm，平均粒徑（D50）為20 μm。β型矽鋁氮氧化物螢光體的類型3（β3）為電化（Denka）（股份）公司製造的「GR-SW532D」。該β型矽鋁氮氧化物螢光體（β3）的峰值波長為538 nm，平均粒徑（D50）為16 μm。作為無機螢光體的一例的KSF螢光體的類型1（KSF1）為根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）（股份）公司製造的KSF螢光體樣本A。該KSF螢光體（KSF1）的平均粒徑（D50）為50 μm。KSF螢光體的類型2（KSF2）為根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）（股份）公司製造的KSF螢光體樣本B。該KSF螢光體（KSF2）的平均粒徑（D50）為30 μm。

＜有機發光材料＞以下示出有機發光材料的合成例。核磁共振氫譜（¹ H-nuclear magnetic resonance，¹ H-NMR）是使用超導FTNMR EX-270（日本電子（股份）製造），於氘代氯仿溶液中進行測定。高效液相層析（high performance liquid chromatography，HPLC）是使用高效液相層析儀LC-10（島津製作所（股份）製造），於0.1 g/L的氯仿溶液中進行測定。作為管柱的展開溶媒，使用0.1%磷酸水溶液與乙腈的混合溶液。吸收光譜及螢光光譜分別是使用U-3200型分光光度計、F-2500型螢光分光光度計（均為日立製作所（股份）製造），於4×10^-6 mol/L的二氯甲烷溶液中進行測定。

（合成例1）以下，對合成例1的有機發光材料（類型21）的合成方法進行說明。於有機發光材料（類型21）的合成方法中，於氮氣氣流下且於室溫下將4-第三丁基苯甲醛12.2 g、4-甲氧基苯乙酮11.3 g、3 M氫氧化鉀水溶液32 ml與乙醇20 ml的混合溶液攪拌12小時。濾取所析出的固體，並利用冷乙醇50 ml清洗兩次。於真空乾燥後，獲得3-(4-第三丁基苯基)-1-(4-甲氧基苯基)丙烯酮17 g。

繼而，於氮氣氣流下，對3-(4-第三丁基苯基)-1-(4-甲氧基苯基)丙烯酮17 g、二乙基胺21.2 g、硝基甲烷17.7 g與甲醇580 ml的混合溶液進行14小時加熱回流。將所獲得的溶液冷卻至室溫後進行蒸發。於藉由矽膠管柱層析進行精製並進行真空乾燥後，獲得3-(4-第三丁基苯基)-1-(4-甲氧基苯基)-4-硝基丁烷-1-酮16 g。

繼而，於氮氣氣流下且於0℃下對甲醇230 ml與濃硫酸46 ml的混合溶液進行攪拌。緩慢滴加預先調整的、在氮氣氣流下對3-(4-第三丁基苯基)-1-(4-甲氧基苯基)-4-硝基丁烷-1-酮1.42 g、甲醇40 ml與四氫呋喃80 ml的混合溶液加入氫氧化鉀粉末1.12 g並於室溫下攪拌1小時而成者，於室溫下進而攪拌1小時。隨後，於冷卻至0℃為止後加入水50 ml，利用4 M氫氧化鈉水溶液進行中和，並利用二氯甲烷50 ml進行萃取。利用水30 ml將有機層清洗兩次，並利用硫酸鈉進行乾燥，然後進行蒸發而獲得黏稠物。

繼而，於氮氣氣流下且於100℃下對所獲得的黏稠物、乙酸銨1.54 g與乙酸20 ml的混合溶液進行1小時加熱回流。隨後，於冷卻至室溫後加入冰水，利用4 M氫氧化鈉水溶液進行中和，並利用二氯甲烷50 ml進行萃取。利用水30 ml將有機層清洗兩次，並利用硫酸鈉進行乾燥，然後進行蒸發。於利用乙醇20 ml進行清洗並進行真空乾燥後，獲得4-(4-第三丁基苯基)-2-(4-甲氧基苯基)吡咯555 mg。

繼而，於氮氣氣流下對2-苯甲醯基-3,5-雙(4-第三丁基苯基)吡咯357 mg、4-(4-第三丁基苯基)-2-(4-甲氧基苯基)吡咯250 mg、氧氯化磷138 mg與1,2-二氯乙烷10 ml的混合溶液進行9小時加熱回流。隨後，於冷卻至室溫後，加入二異丙基乙基胺847 mg、三氟化硼二乙基醚錯合物931 mg並進行3小時攪拌。注入水20 ml並利用二氯甲烷30 ml進行萃取。利用水20 ml將有機層清洗兩次，並利用硫酸鎂進行乾燥，然後進行蒸發。於藉由矽膠管柱層析進行精製並進行真空乾燥後，合成了以下所示的有機發光材料（類型21）。¹ H-NMR(CDCl₃ (d=ppm)):1.18(s,18H), 1.35(s,9H), 3.85(s,3H), 6.37-6.99(m,17H), 7.45(d,2H), 7.87(d,4H)。

[化37]

（合成例2）以下，對合成例2的有機發光材料（類型22）的合成方法進行說明。於有機發光材料（類型22）的合成方法中，於氮氣氣流下且於120℃下對4-(4-第三丁基苯基)-2-(4-甲氧基苯基)吡咯300 mg、2-甲氧基苯甲醯氯201 mg與甲苯10 ml的混合溶液進行6小時加熱。隨後，於冷卻至室溫後進行蒸發。於利用乙醇20 ml進行清洗並進行真空乾燥後，獲得2-(2-甲氧基苯甲醯基)-3-(4-第三丁基苯基)-5-(4-甲氧基苯基)吡咯260 mg。

繼而，於氮氣氣流下且於125℃下對2-(2-甲氧基苯甲醯基)-3-(4-第三丁基苯基)-5-(4-甲氧基苯基)吡咯260 mg、4-(4-第三丁基苯基)-2-(4-甲氧基苯基)吡咯180 mg、甲磺酸酐206 mg與經脫氣的甲苯10 ml的混合溶液進行7小時加熱。隨後，於冷卻至室溫後，注入水20 ml，並利用二氯甲烷30 ml進行萃取。利用水20 ml將有機層清洗兩次，並進行蒸發、真空乾燥。

繼而，於氮氣氣流下，對所獲得的吡咯亞甲基體與甲苯10 ml的混合溶液加入二異丙基乙基胺305 mg、三氟化硼二乙基醚錯合物670 mg，於室溫下攪拌3小時。隨後，注入水20 ml，並利用二氯甲烷30 ml進行萃取。利用水20 ml將有機層清洗兩次，並利用硫酸鎂進行乾燥，然後進行蒸發。藉由矽膠管柱層析進行精製，從而合成了以下所示的有機發光材料（類型22）。¹ H-NMR(CDCl₃ (d=ppm)):1.19(s,18H), 3.42(s,3H), 3.85(s,6H), 5.72(d,1H), 6.20(t,1H), 6.42-6.97(m,16H), 7.89(d,4H)。

[化38]

（合成例3）以下，對合成例3的有機發光材料（類型23）的合成方法進行說明。於有機發光材料（類型23）的合成方法中，於1,2-二氯乙烷30 ml中放入2-(2-甲氧基苯甲醯基)-3,5-雙(4-第三丁基苯基)吡咯5.0 g、2,4-雙(4-第三丁基苯基)吡咯3.3 g、氧氯化磷1.5 g，於加熱回流下反應12小時。隨後，於冷卻至室溫後，加入二異丙基乙基胺5.2 g、三氟化硼二乙基醚錯合物5.6 g，攪拌6小時。加入50 ml的水，投入二氯甲烷後萃取有機層並進行濃縮，於藉由使用矽膠的管柱層析進行精製後進而進行昇華精製，從而合成了以下所示的有機發光材料（類型23）。¹ H-NMR(CDCl₃ (d=ppm)):1.07(s,9H), 2.13(s,6H), 2.39(s,6H), 6.47(t,4H), 6.63(s,8H), 6.75(d,2H), 7.23(d,4H), 7.80(d,4H)。

[化39]

（合成例4）以下，對合成例4的有機發光材料（類型24）的合成方法進行說明。於有機發光材料（類型24）的合成方法中，將3,5-二溴苯甲醛（3.0 g）、4-第三丁基苯基硼酸（5.3 g）、四(三苯基膦)鈀(0)（0.4 g）、碳酸鉀（2.0 g）放入燒瓶中，進行氮氣置換。於其中加入經脫氣的甲苯（30 ml）及經脫氣的水（10 ml），進行4小時回流。將反應溶液冷卻至室溫為止，並於分液出有機層後利用飽和食鹽水對其進行清洗。於利用硫酸鎂對該有機層進行乾燥並進行過濾後將溶媒蒸餾去除。藉由矽膠管柱層析對所獲得的反應產物進行精製，從而以白色固體的形式獲得3,5-雙(4-第三丁基苯基)苯甲醛（3.5 g）。

繼而，將3,5-雙(4-第三丁基苯基)苯甲醛（1.5 g）與2,4-二甲基吡咯（0.7 g）放入反應溶液中，加入脫水二氯甲烷（200 ml）及三氟乙酸（1滴），於氮氣環境下攪拌4小時。隨後，加入2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌（0.85 g）的脫水二氯甲烷溶液，進而攪拌1小時。於反應結束後，加入三氟化硼二乙基醚錯合物（7.0 ml）及二異丙基乙基胺（7.0 ml）並攪拌4小時，然後進而加入水（100 ml）進行攪拌，並分液出有機層。於利用硫酸鎂對該有機層進行乾燥並進行過濾後將溶媒蒸餾去除。藉由矽膠管柱層析對所獲得的反應產物進行精製，從而合成了以下所示的有機發光材料（類型24）。¹ H-NMR(CDCl₃ ,ppm): 7.95(s,1H), 7.63-7.48(m,10H), 6.00(s,2H), 2.58(s,6H), 1.50(s,6H), 1.37(s,18H)。

[化40]

（合成例5）以下，對合成例5的有機發光材料（類型25）的合成方法進行說明。於有機發光材料（類型25）的合成方法中，除代替2,4-二甲基吡咯而使用2,4-二甲基吡咯-3-羧酸乙酯作為吡咯原料以外，與合成例4同樣地合成有機發光材料（類型25）。

[化41]

（合成例6）以下，對合成例6的有機發光材料（類型26）的合成方法進行說明。於有機發光材料（類型26）的合成方法中，除代替4-第三丁基苯基硼酸而使用4-(甲氧基羰基)苯基硼酸作為硼酸原料以外，與合成例5同樣地合成有機發光材料（類型26）。

[化42]

＜基質樹脂＞作為基質樹脂，於使用矽酮樹脂的情況下，使用以下者。於用以調配矽酮樹脂的成分中，樹脂主成分為(MeViSiO_2/2 )_0.25 (Ph₂ SiO_2/2 )_0.3 (PhSiO_3/2 )_0.45 (HO_1/2 )_0.03 （平均組成）。此相當於所述（A）成分。硬度調整劑為ViMe₂ SiO(MePhSiO)_17.5 SiMe₂ Vi（平均組成）。此相當於所述（B）成分。交聯劑為(HMe₂ SiO)₂ SiPh₂ 。此相當於所述（C）成分。其中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基，Ph表示苯基。反應抑制劑為1-乙炔基己醇。觸媒為鉑觸媒，作為鉑觸媒，可使用鉑含量為5重量%的鉑錯合物（1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液）。

將螢光體組成物的製作中使用的基質樹脂設為矽酮樹脂的類型1（Si1）。螢光體組成物的製作中使用的矽酮樹脂（Si1）是對所述矽酮成分進行調配而製作成基質樹脂。於矽酮樹脂（Si1）中，樹脂主成分為16.7重量份，硬度調整劑為16.7重量份，交聯劑為66.7重量份，反應抑制劑為0.025重量份，鉑觸媒為0.03重量份。另外，於使用環氧樹脂作為基質樹脂的情況下，使用環氧樹脂的類型1（EP1），具體而言使用「賽璐比納斯（CELVENUS）W0910（A液、B液）」（大賽璐（股份）公司製造）。

＜LED封裝體的製造方法-1＞於實施例中的LED封裝體的製造方法-1中，使用分配器（武藏野高科技公司製造的「MPP-1」），使所製作的螢光體組成物流入至安裝有LED晶片（昭和電工（股份）製造的「GM2QT450G」，平均波長：453.4 nm）的封裝體框架（根本公司製造的框架「頂部LED基座（TOP LED BASE）」）中，並於80℃下固化1小時、於150℃下固化2小時，藉此製作出LED封裝體。

＜LED封裝體的製造方法-2＞於實施例中的LED封裝體的製造方法-2中，藉由切分裝置（UHT公司製造的GCUT）對所製作的5 cm見方的螢光體片進行切分，從而製成100個1 mm見方的單片的螢光體片。使用晶粒接合裝置（東麗工程（Toray Engineering）製造），藉由筒夾對經切分成1 mm見方的螢光體層進行真空吸附而將其自基材剝離。將該螢光體層對位貼合於安裝有倒裝晶片型藍色LED發光元件且於發光元件的周圍形成有反射器的LED封裝體的發光元件表面。此時，於所述倒裝晶片型藍色LED發光元件上預先塗佈接著劑，並經由接著劑貼附螢光體層。接著劑中使用矽酮樹脂（OE6630）。將所獲得的發光裝置連接至直流電源而使其點燈，從而確認到其點燈。

＜色度、總光通量測定＞對所製作的LED封裝體投入1 W的電力而使LED元件點燈，使用總光通量測定系統（HM-3000，大塚電子公司製造）來測定國際照明委員會（International Commission on Illumination，CIE）1931 XYZ表色系統的色度（Cx、Cy）及發光光譜。另外，測定總光通量（lm），並將當設後述的比較例1中的總光通量為100時的相對亮度記載於後述的表1中（於螢光體片的情況下，設後述的比較例5中的總光通量為100）。

＜色彩再現性的評價＞根據藉由色度測定而獲得的發光光譜資料與彩色濾光片的透射率的光譜資料，算出於利用彩色濾光片提高色純度的情況下的(u',v')色空間中的色域。另外，利用所算出的(u',v')色空間中的色域的面積於將BT.2020標準的色域面積設為100%的情況下的比例進行評價。該比例越高，色彩再現性越良好。作為色彩再現性的評價結果，「A」表示所述比例為91%以上，「色彩再現性非常良好」。「B」表示所述比例為86%以上、90%以下，「色彩再現性良好」。「C」表示所述比例為75%以上、85%以下，「色彩再現性於實用上無問題」。「D」表示所述比例為74%以下，「色彩再現性不良」。

＜耐久性評價＞對所製作的LED封裝體投入1 W的電力而使LED元件點燈，於該狀態下放置於溫度85℃、濕度85%的條件下，並於經過300小時後測定總光通量。藉由根據下述式算出總光通量保持率來評價耐久性。總光通量保持率越高表示耐久性越優異。總光通量保持率（%）=（經過300小時後的總光通量/實驗開始後不久的總光通量）×100 作為耐久性的評價結果，「A」表示總光通量保持率為91%以上，「耐久性非常良好」。「B」表示總光通量保持率為86%以上、90%以下，「耐久性良好」。「C」表示總光通量保持率為81%以上、85%以下，「耐久性於實用上無問題」。「D」表示總光通量保持率為80%以下，「耐久性差」。

（實施例1）於實施例1中，使用容積為100 ml的聚乙烯製容器，添加作為基質樹脂的類型1的矽酮樹脂（Si1）16.0 g、作為無機螢光體的類型1的YAG系螢光體（YAG1）8.0 g、作為有機發光材料的合成例1的有機發光材料（類型21）1.24×10^-3 g並進行混合。其後，使用行星式攪拌·脫泡裝置，以1000 rpm攪拌、脫泡5分鐘，從而製作出螢光體組成物（類型1）。使用螢光體組成物（類型1），利用所述方法製作LED封裝體並測定色度、總光通量、總光通量維持率。相對亮度、色彩再現性及耐久性的結果示於後述的表1中。如表1所示，可獲得雖相對亮度未發生變化但色彩再現性良好且耐久性亦良好的結果。

（比較例1）於比較例1中，除不添加有機發光材料以外，藉由與實施例1相同的操作來製作螢光體組成物（類型12）。其後，使用螢光體組成物（類型12），藉由與實施例1相同的操作來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表1中。如表1所示，於比較例1中，雖耐久性提高，但色彩再現性未得到改善。

（比較例2）於比較例2中，除代替合成例1的有機發光材料（類型21）而使用由下述通式所表示的有機發光材料（類型27）以外，藉由與實施例1相同的操作來製作螢光體組成物（類型13）。其後，使用螢光體組成物（類型13），藉由與實施例1相同的操作來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表1中。如表1所示，於比較例2中，色彩再現性與耐久性均未得到改善。

[化43]

（比較例3）於比較例3中，除代替有機發光材料而添加20 g的類型1的KSF螢光體（KSF1）以外，藉由與實施例1相同的操作來製作螢光體組成物（類型14）。其後，使用螢光體組成物（類型14），藉由與實施例1相同的操作來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表1中。如表1所示，於比較例3中，雖耐久性提高，但色彩再現性未得到改善。

（比較例4）於比較例4中，除代替無機螢光體而使用由下述通式所表示的有機發光材料（類型28）以外，藉由與比較例2相同的操作來製作螢光體組成物（類型15）。其後，使用螢光體組成物（類型15），藉由與比較例2相同的操作來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表1中。如表1所示，於比較例4中，色彩再現性得到稍許改善，但耐久性未得到改善。

[化44]

（實施例2～實施例10）於實施例2～實施例10中，除如後述表1所示般適當變更無機螢光體與有機發光材料以外，藉由與實施例1相同的操作來分別製作螢光體組成物（類型2～類型10）。其後，分別使用螢光體組成物（類型2～類型10），藉由與實施例1相同的操作來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表1中。如表1所示，根據該些實施例2～實施例10的評價結果可知，若為本發明實施形態的螢光體組成物，則色彩再現性提高。另外可知，耐久性亦良好。

（實施例11）於實施例11中，除如表1所示般變更無機螢光體、有機發光材料及基質樹脂以外，藉由與實施例1相同的操作來製作螢光體組成物（類型11）。其後，使用螢光體組成物（類型11），藉由與實施例1相同的操作來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於表1中。如表1所示，根據實施例11的評價結果可知，若為本發明實施形態的螢光體組成物，則色彩再現性提高。另外可知，耐久性亦良好。

[表1] （表1）

（實施例12）於實施例12中，使用容積為100 ml的聚乙烯製容器，添加作為基質樹脂的類型1的矽酮樹脂（Si1）16.0 g、作為無機螢光體的類型1的YAG系螢光體（YAG1）8.0 g、作為有機發光材料的合成例1的有機發光材料（類型21）1.24×10^-3 g並進行混合。其後，使用行星式攪拌·脫泡裝置，以1000 rpm攪拌、脫泡5分鐘，從而製作出螢光體組成物（類型1）。

另外，於實施例12中，使用狹縫模塗機，於作為基材的「塞拉皮爾（Cerapeel）」BX9（東麗膜（Toray film）加工（股份）製造，平均膜厚為50 μm）的脫模處理面上塗佈螢光體組成物（類型1），並於120℃下加熱、乾燥30分鐘，從而獲得80 μm、100 mm見方的螢光體片（類型31）。使用螢光體片（類型31），利用所述方法製作LED封裝體並測定色度、總光通量、總光通量維持率。相對亮度、色彩再現性及耐久性的結果示於後述的表2中。如表2所示，可獲得雖相對亮度未發生變化但色彩再現性良好且耐久性亦良好的結果。

（比較例5）於比較例5中，除不添加有機發光材料以外，藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體組成物（類型12）。其後，使用螢光體組成物（類型12），藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體片（類型44），然後使用螢光體片（類型44）來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表2中。如表2所示，於比較例5中，雖耐久性提高，但色彩再現性未得到改善。

（比較例6）於比較例6中，除代替有機發光材料（類型21）而使用有機發光材料（類型27）以外，藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體組成物（類型13）。其後，使用螢光體組成物（類型13），藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體片（類型45），然後使用螢光體片（類型45）來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表2中。如表2所示，於比較例6中，色彩再現性與耐久性均未得到改善。

（比較例7）於比較例7中，除代替有機發光材料而添加20 g的類型1的KSF螢光體（KSF1）以外，藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體組成物（類型14）。其後，使用螢光體組成物（類型14），藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體片（類型46），然後使用螢光體片（類型46）來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表2中。如表2所示，於比較例7中，雖耐久性提高，但色彩再現性未得到改善。

（比較例8）於比較例8中，除代替無機螢光體而使用有機發光材料（類型28）以外，藉由與比較例6相同的操作來製作螢光體組成物（類型15）。其後，使用螢光體組成物（類型15），藉由與比較例6相同的操作來製作螢光體片（類型47），然後使用螢光體片（類型47）來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表2中。如表2所示，於比較例8中，色彩再現性得到稍許改善，但耐久性未得到改善。

（實施例13～實施例21）於實施例13～實施例21中，除如後述表2所示般適當變更無機螢光體與有機發光材料以外，藉由與實施例12相同的操作來分別製作螢光體組成物（類型2～類型10）。其後，分別使用螢光體組成物（類型2～類型10），藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體片（類型32～類型40），然後，分別使用螢光體片（類型32～類型40）來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於後述的表2中。如表2所示，根據該些實施例13～實施例21的評價結果可知，若為本發明實施形態的螢光體片，則色彩再現性提高。另外可知，耐久性亦良好。

（實施例22）於實施例22中，除如表2所示般變更無機螢光體、有機發光材料及基質樹脂以外，藉由與實施例12相同的操作來分別製作螢光體組成物（類型11）。其後，使用螢光體組成物（類型11），藉由與實施例12相同的操作來製作螢光體片（類型41），然後使用螢光體片（類型41）來製作LED封裝體並進行評價。其結果示於表2中。如表2所示，根據實施例22的評價結果可知，若為本發明實施形態的螢光體片，則色彩再現性提高。另外可知，耐久性亦良好。

[表2] （表2）

（實施例23）於實施例23中，如以下所示般製作螢光體組成物（類型16）及有機發光材料組成物（類型16），並使用他們製作作為兩層螢光體片的螢光體片（類型42），其後，使用螢光體片（類型42）來製作LED封裝體並進行評價。

＜螢光體組成物（類型16）的製作＞使用容積為100 ml的聚乙烯製容器，添加作為基質樹脂的類型1的矽酮樹脂（Si1）15.0 g、作為無機螢光體的類型3的β型矽鋁氮氧化物螢光體（β3）20 g、丁基卡必醇5 g並進行混合。其後，使用行星式攪拌·脫泡裝置，以1000 rpm攪拌、脫泡5分鐘後製作出螢光體組成物（類型16）。

＜有機發光材料組成物（類型16）的製作＞使用容積為100 ml的聚乙烯製容器，添加作為基質樹脂的類型1的矽酮樹脂（Si1）20.0 g、作為有機發光材料的合成例3的有機發光材料（類型23）1.24×10^-3 g、甲苯2 g並進行混合。其後，使用行星式攪拌·脫泡裝置，以1000 rpm攪拌、脫泡5分鐘後製作出有機發光材料組成物（類型16）。

＜螢光體片的製作＞使用狹縫模塗機，將螢光體組成物（類型16）塗佈於作為基材的「塞拉皮爾（Cerapeel）」BX9（東麗膜（Toray film）加工（股份）製造，平均膜厚為50 μm）的脫模處理面上，並於120℃下加熱、乾燥30分鐘，從而獲得80 μm、100 mm見方的螢光體層。於所獲得的螢光體層上，使用狹縫模塗機塗佈有機發光材料組成物（類型16）。其後於120℃下加熱、乾燥30分鐘來形成50 μm、100 mm見方的有機發光材料層，從而獲得螢光體片（類型42）。

實施例23的評價結果示於表2中。如表2所示，根據實施例23的評價結果可知，若為本發明實施形態的螢光體片，則色彩再現性提高。另外可知，耐久性亦良好。

（實施例24）於實施例24中，如以下所示般製作螢光體組成物（類型17）及有機發光材料組成物（類型17），並使用他們製作作為兩層螢光體片的螢光體片（類型43），其後，使用螢光體片（類型43）來製作LED封裝體並進行評價。

＜螢光體組成物（類型17）的製作＞使用容積為100 ml的聚乙烯製容器，添加作為基質樹脂的類型1的矽酮樹脂（Si1）15.0 g、作為無機螢光體的類型2的KSF螢光體（KSF2）20 g、丁基卡必醇5 g並進行混合。其後，使用行星式攪拌·脫泡裝置，以1000 rpm攪拌、脫泡5分鐘後製作出螢光體組成物（類型17）。

＜有機發光材料組成物（類型17）的製作＞使用容積為100 ml的聚乙烯製容器，添加作為基質樹脂的類型1的矽酮樹脂（Si1）20.0 g、作為有機發光材料的合成例6的有機發光材料（類型26）1.24×10^-3 g、甲苯2 g並進行混合。其後，使用行星式攪拌·脫泡裝置，以1000 rpm攪拌、脫泡5分鐘後製作出有機發光材料組成物（類型17）。

＜螢光體片的製作＞使用狹縫模塗機，將螢光體組成物（類型17）塗佈於作為基材的「塞拉皮爾（Cerapeel）」BX9（東麗膜（Toray film）加工（股份）製造，平均膜厚為50 μm）的脫模處理面上，並於120℃下加熱、乾燥30分鐘，從而獲得80 μm、100 mm見方的螢光體層。於所獲得的螢光體層上，使用狹縫模塗機塗佈有機發光材料組成物（類型17）。其後於120℃下加熱、乾燥30分鐘來形成50 μm、100 mm見方的有機發光材料層，從而獲得螢光體片（類型43）。

實施例24的評價結果示於表2中。如表2所示，根據實施例24的評價結果可知，若為本發明實施形態的螢光體片，則色彩再現性提高。另外可知，耐久性亦良好。 [產業上之可利用性]

如上所述般，本發明的螢光體組成物、螢光體片以及使用他們的形成物、LED晶片、LED封裝體、發光裝置、背光單元、顯示器以及LED封裝體的製造方法適用於滿足高色彩再現性及高耐久性兩者的螢光體組成物、螢光體片、螢光體形成物、LED晶片、LED封裝體、發光裝置、背光單元及顯示器。

1‧‧‧LED晶片
2‧‧‧螢光體片
3‧‧‧電極
4‧‧‧螢光體組成物
5‧‧‧反射器
6‧‧‧透明密封材
7‧‧‧安裝基板
8‧‧‧金凸塊
9‧‧‧透明接著劑
10‧‧‧基材
11‧‧‧形成物
12‧‧‧封裝體框架
13‧‧‧LED封裝體
14‧‧‧基材
15‧‧‧暫時固定片
16‧‧‧加熱壓接工具
17‧‧‧LED晶圓
18‧‧‧帶有螢光體片的LED晶片
19‧‧‧基材
20‧‧‧螢光體片積層體
21‧‧‧封裝體基板
22‧‧‧封裝體電極
23‧‧‧雙面黏接帶
24‧‧‧底座
25‧‧‧上部腔室
26‧‧‧下部腔室
27‧‧‧隔膜
28‧‧‧真空隔膜層壓機
29a‧‧‧吸氣口
29b‧‧‧排氣口
30‧‧‧切斷部分
31‧‧‧帶有螢光體片的LED晶片
32‧‧‧LED封裝體
33‧‧‧螢光體片積層體
34‧‧‧螢光體層
35‧‧‧有機發光材料層
36‧‧‧無機螢光體
37、38‧‧‧積層物

圖1為表示本發明實施形態的螢光體片的一例的側視圖。圖2為表示本發明實施形態的使用螢光體組成物的LED封裝體的製造方法的一例的圖。圖3A為表示使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片的一例的圖。圖3B為表示使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片的另一例的圖。圖3C為表示使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片的再一例的圖。圖4A為表示本發明實施形態的使用螢光體組成物的LED封裝體的一例的圖。圖4B為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例1的圖。圖4C為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例2的圖。圖4D為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例3的圖。圖4E為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例4的圖。圖4F為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例5的圖。圖4G為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例6的圖。圖4H為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的例7的圖。圖4I為使用本發明實施形態的表示螢光體片的LED封裝體的例8的圖。圖4J為表示使用其中使用了本發明實施形態的螢光體組成物的形成物的LED封裝體的一例的圖。圖5為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法的一例的圖。圖6為表示使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片的製造方法的一例的圖。圖7為表示使用本發明實施形態的螢光體片的帶有螢光體片的LED晶片的製造方法的另一例的圖。圖8為表示本發明實施形態的螢光體片的貼附方法的一例的圖。圖9為表示本發明實施形態的螢光體片的貼附方法的另一例的圖。圖10為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法的一例的圖。圖11為表示本發明實施形態的使用螢光體片的LED封裝體的製造方法的另一例的圖。

無

Claims

一種螢光體組成物，其特徵在於，含有由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
如申請專利範圍第1項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，M為硼，L為氟或含氟芳基，m-1為2。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar⁵ 為由通式（2）所表示的基團，r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群組中；k為1～3的整數；於k為2以上的情況下，r分別可相同亦可不同。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的苯基。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者為由通式（3）所表示的基團，R³ 選自由烷基、環烷基、烷氧基及烷硫基所組成的群組中；n為1～3的整數；於n為2以上的情況下，各R³ 可相同亦可不同。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ 與Ar² 為不同結構的基團，或者Ar³ 與Ar⁴ 為不同結構的基團。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基。
如申請專利範圍第7項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為氫。
如申請專利範圍第7項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為拉電子基。
如申請專利範圍第3項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基。
如申請專利範圍第10項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為氫。
如申請專利範圍第10項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為拉電子基。
如申請專利範圍第10項所述的螢光體組成物，其中於表示所述有機化合物的Ar⁵ 的通式（2）中，r為拉電子基。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中所述無機螢光體的發光光譜於500 nm～700 nm的區域中具有峰值。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中所述無機螢光體為β型矽鋁氮氧化物螢光體。
如申請專利範圍第15項所述的螢光體組成物，其中所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的發光光譜於535 nm～550 nm的區域中具有峰值。
如申請專利範圍第16項所述的螢光體組成物，其中所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的平均粒徑為16 μm以上、19 μm以下。
如申請專利範圍第7項所述的螢光體組成物，其中所述無機螢光體為氟矽酸鉀螢光體。
如申請專利範圍第18項所述的螢光體組成物，其中所述氟矽酸鉀螢光體的平均粒徑為10 μm以上、40 μm以下。
如申請專利範圍第10項所述的螢光體組成物，其中所述無機螢光體為氟矽酸鉀螢光體。
如申請專利範圍第20項所述的螢光體組成物，其中所述氟矽酸鉀螢光體的平均粒徑為10 μm以上、40 μm以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體組成物，其中所述基質樹脂為矽酮樹脂。
一種螢光體片，其特徵在於，含有由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，至少與所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
如申請專利範圍第23項所述的螢光體片，其包含螢光體層與有機發光材料層的積層結構，所述螢光體層含有所述無機螢光體與所述基質樹脂，所述有機發光材料層含有由通式（1）所表示的所述有機化合物。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，M為硼，L為氟或含氟芳基，m-1為2。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar⁵ 為由通式（2）所表示的基團，r選自由氫、烷基、環烷基、雜環基、烯基、環烯基、炔基、羥基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、氧基羰基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、氧硼基、氧化膦基所組成的群組中；k為1～3的整數；於k為2以上的情況下，r分別可相同亦可不同。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的苯基。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 中的至少一者為由通式（3）所表示的基團，R³ 選自由烷基、環烷基、烷氧基及烷硫基所組成的群組中；n為1～3的整數；於n為2以上的情況下，各R³ 可相同亦可不同。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ 與Ar² 為不同結構的基團，或者Ar³ 與Ar⁴ 為不同結構的基團。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基。
如申請專利範圍第30項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為氫。
如申請專利範圍第30項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為拉電子基。
如申請專利範圍第26項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，Ar¹ ～Ar⁴ 分別可相同亦可不同，且為經取代或未經取代的烷基。
如申請專利範圍第33項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為氫。
如申請專利範圍第33項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的通式（1）中，R¹ 及R² 中的至少一者為拉電子基。
如申請專利範圍第33項所述的螢光體片，其中於表示所述有機化合物的Ar⁵ 的通式（2）中，r為拉電子基。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中所述無機螢光體的發光光譜於500 nm～700 nm的區域中具有峰值。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中所述無機螢光體為β型矽鋁氮氧化物螢光體。
如申請專利範圍第38項所述的螢光體片，其中所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的發光光譜於535 nm～550 nm的區域中具有峰值。
如申請專利範圍第39項所述的螢光體片，其中所述β型矽鋁氮氧化物螢光體的平均粒徑為16 μm以上、19 μm以下。
如申請專利範圍第30項所述的螢光體片，其中所述無機螢光體為氟矽酸鉀螢光體。
如申請專利範圍第41項所述的螢光體片，其中所述氟矽酸鉀螢光體的平均粒徑為10 μm以上、40 μm以下。
如申請專利範圍第33項所述的螢光體片，其中所述無機螢光體為氟矽酸鉀螢光體。
如申請專利範圍第43項所述的螢光體片，其中所述氟矽酸鉀螢光體的平均粒徑為10 μm以上、40 μm以下。
如申請專利範圍第23項或第24項所述的螢光體片，其中所述基質樹脂為矽酮樹脂。
一種形成物，其特徵在於，含有螢光體組成物或其硬化物，所述螢光體組成物或其硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種LED晶片，其特徵在於，於發光面具備螢光體片或其硬化物，所述螢光體片或其硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，至少與所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種LED封裝體，其特徵在於，具備螢光體組成物的硬化物，所述螢光體組成物的硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種LED封裝體，其特徵在於，具備螢光體片或其硬化物，所述螢光體片或其硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，至少與所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種LED封裝體的製造方法，所述LED封裝體使用螢光體組成物，所述螢光體組成物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相，所述LED封裝體的製造方法的特徵在於，至少包括注入步驟，將所述螢光體組成物注入至設置有LED晶片的封裝體框架中；以及密封步驟，於所述注入步驟之後，利用密封材將所述LED晶片密封，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種LED封裝體的製造方法，所述LED封裝體使用螢光體片，所述螢光體片含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，至少與所述無機螢光體混合而形成連續相，所述LED封裝體的製造方法的特徵在於，至少包括對位步驟，使處於被分割為多個分區的狀態的所述螢光體片的一個分區與一個LED晶片的發光面對向；以及接著步驟，藉由加熱壓接工具，對對向的所述螢光體片的所述一個分區與所述一個LED晶片的發光面一面進行加熱一面進行加壓而加以接著，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種發光裝置，其特徵在於，具備含有螢光體組成物或其硬化物的形成物，所述螢光體組成物或其硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相，以及 LED封裝體，具有LED晶片，所述LED晶片為藉由所述形成物中所含的螢光體組成物而對發光光進行色彩轉換的發光體，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種背光單元，其特徵在於，包含具備螢光體組成物的硬化物的LED封裝體，所述螢光體組成物的硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相，或者具備螢光體片或其硬化物的LED封裝體，所述螢光體片或其硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，至少與所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。
一種顯示器，其特徵在於，包含具備螢光體組成物的硬化物的LED封裝體，所述螢光體組成物的硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，與所述有機化合物及所述無機螢光體混合而形成連續相，或者具備螢光體片或其硬化物的LED封裝體，所述螢光體片或其硬化物含有：由通式（1）所表示的有機化合物及無機螢光體，將來自發光體的發光光轉換成較所述發光光為長波長的光；以及基質樹脂，至少與所述無機螢光體混合而形成連續相，R¹ 、R² 、Ar¹ ～Ar⁵ 及L可相同亦可不同，且選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、羥基、巰基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜芳基、雜環基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烯基、鹵代炔基、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、胺甲醯基、胺基、硝基、矽烷基、矽氧烷基、與鄰接取代基之間所形成的縮合環及脂肪族環中；M表示m價的金屬，且為選自硼、鈹、鎂、鉻、鐵、鎳、銅、鋅、鉑中的至少一種。