TW201727453A - 感測器及附感測器之顯示裝置 - Google Patents

Abstract

根據一實施例，感測器(SE)包含：第1控制線(C1)、第1信號線(S1)、第1檢測開關、共通電極(CE)、第1檢測電極、第1電路、及第2電路。上述共通電極(CE)位於上述第1控制線(C1)、上述第1信號線(S1)及上述第1檢測開關之上方，且與上述第1控制線、上述第1信號線及上述第1檢測開關對向。上述第1檢測電極位於上述共通電極(CE)之上方。上述第1電路及上述第2電路位於上述共通電極(CE)之下方，且與上述共通電極對向。

Description

感測器及附感測器之顯示裝置

本文揭示之實施例大體上係關於一種感測器及附感測器之顯示裝置。

近年，開發有各種感測器。作為感測器，已知有例如檢測手指之表面凹凸圖案(指紋)之感測器。

一般而言，根據一實施例，提供一種感測器，其包含： 第1控制線； 第1信號線； 第1檢測開關，其連接於上述第1控制線與上述第1信號線； 共通電極，其位於上述第1控制線、上述第1信號線及上述第1檢測開關之上方，與上述第1控制線、上述第1信號線及上述第1檢測開關對向，且具有與上述第1檢測開關對向之第1開口； 第1檢測電極，其位於上述共通電極之上方，與上述第1開口對向，且通過上述第1開口連接於上述第1檢測開關； 第1電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述第1控制線，而對上述第1控制線賦予將上述第1檢測開關切換成將上述第1信號線與上述第1檢測電極電性連接之第1連接狀態及將上述第1信號線與上述第1檢測電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者之驅動信號；及 第2電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述第1信號線。 根據另一實施例，提供一種感測器，其包含： 複數條控制線，其等於列方向上延伸； 複數條信號線，其等於行方向上延伸； 複數個檢測開關，各個上述檢測開關連接於1條上述控制線與1條上述信號線； 共通電極，其位於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個檢測開關之上方，與上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個檢測開關對向，且具有複數個開口，且上述各個開口與1個上述檢測開關對向； 複數個檢測電極，其等位於上述共通電極之上方，且各個上述檢測電極與對應之上述開口對向，而通過上述開口連接於對應之上述檢測開關； 第1電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條控制線，而對各個上述控制線賦予驅動信號，將各個上述檢測開關切換成將上述信號線與上述檢測電極電性連接之第1連接狀態及將上述信號線與上述檢測電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者； 第2電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條信號線；及 第1檢測單元，其對上述共通電極賦予電位調整信號，而控制上述第1電路及上述第2電路之驅動。 上述第1檢測單元係 於進行感測之感測驅動時之第1感測期間，對第m行及第m+1行之中，位於第n列及第n+1列之4個檢測電極，經由上述第2電路、對應之2條信號線及對應之4個檢測開關同時寫入寫入信號，且自上述4個檢測電極之各者讀取顯示上述寫入信號之變化之讀取信號，並將讀取之複數個讀取信號捆束成1個信號； 於繼上述第1感測期間之上述感測驅動時之第2感測期間，對第m+1行及第m+2行之中，位於第n列及第n+1列之4個檢測電極，經由上述第2電路、對應之2條信號線及對應之4個檢測開關同時寫入上述寫入信號，且自上述4個檢測電極之各者讀取顯示上述寫入信號之變化之讀取信號，並將讀取之複數個讀取信號捆束成1個信號。 於上述感測驅動時，上述電位調整信號與上述寫入信號同步，且關於相位及振幅與上述寫入信號相同。 根據另一實施例，提供一種附感測器之顯示裝置，其包含顯示面板。該顯示面板包含： 複數條控制線； 複數條信號線； 複數個像素開關，各個上述像素開關連接於1條上述控制線與1條上述信號線； 共通電極，其配置於顯示區域及上述顯示區域之外側，位於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關之上方，與上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關對向，且具有複數個開口，且上述各個開口與1個上述像素開關對向； 複數個像素電極，其等配置於上述顯示區域且位於上述共通電極之上方，且各個上述像素電極與對應之上述開口對向，而通過上述開口連接於對應之上述像素開關； 第1電路，其配置於上述顯示區域之外側且位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條控制線，而對各個上述控制線賦予驅動信號，將各個上述像素開關切換成將上述信號線與上述像素電極電性連接之第1連接狀態及將上述信號線與上述像素電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者；及 第2電路，其配置於上述顯示區域之外側且位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條信號線。 根據另一實施例，提供一種附感測器之顯示裝置，其包含顯示面板。該顯示面板包含： 複數條控制線； 複數條信號線； 複數個像素開關，各個上述像素開關連接於1條上述控制線與1條上述信號線； 複數個像素電極，其等位於上述顯示區域，且設置於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關之上方； 檢測電極，其設置於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關之上方； 第1電路，其設置於上述顯示區域之外側，且連接於上述複數條控制線，而對各個上述控制線賦予驅動信號，將各個上述像素開關切換成將上述信號線與上述像素電極電性連接之第1連接狀態及將上述信號線與上述像素電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者；及 第2電路，其設置於上述顯示區域之外側，且連接於上述複數條信號線。 上述複數個像素電極與上述檢測電極係設置於同層。

以下，一面參照圖式一面對本發明之各實施形態進行說明。另，揭示僅為一例，關於本領域技術人員可容易想到確保發明主旨之適當變更者，當然包含於本發明之範圍內。又，圖式係為使說明更明確，而與實際態樣相比，存在示意性顯示各部之寬度、厚度、形狀等之情形，但僅為一例，並非限定本發明之解釋。又，於本說明書與各圖中，對與已出現之圖中上述者相同之要件，標註相同符號，且有時適當省略詳細說明。 (第1實施形態) 首先，對第1實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法進行說明。圖1係顯示第1實施形態之感測器SE之俯視圖。 如圖1所示，感測器SE具備平板狀之第1基板SUB1、控制模組CM、及可撓性配線基板FPC1等。第1基板SUB1具備主動區域AA。於本實施形態中，主動區域AA係檢測被檢測部之檢測區域。主動區域AA之形狀於此處為正方形，但並不特別限定，亦可為長方形等矩形狀、或圓形。且，於此處，第1基板SUB1於主動區域AA之外側具備矩形框狀之非檢測區域。又，作為上述被檢測部，可列舉手指等具有導電性之物體。 第1基板SUB1具備玻璃基板或樹脂基板等之第1絕緣基板10。於第1絕緣基板10之上方，形成有複數條控制線C、複數條信號線S、及複數條輔助配線A。 此處，於言及第1構件之上方之第2構件之情形時，第2構件並非較第1構件更位於第1絕緣基板10側，而係較第1構件位於後述之蓋構件CG側。第2構件既可與第1構件相接，亦可與第1構件隔開而設置。於後者之情形，亦可於第1構件與第2構件之間介置有第3構件。 複數條控制線C包含第1控制線C1、第2控制線C2、…第j控制線Cj之j條控制線。控制線C係於第1方向X上延伸，且於與第1方向X交叉之第2方向Y上相互空開間隔排列。各控制線C係由一列量之複數個像素所共用。 複數條信號線S包含第1信號線S1、第2信號線S2、…第i信號線Si之i條信號線。信號線S係於第2方向Y上延伸，且於第1方向X上相互空開間隔排列。此處，信號線S於主動區域AA中與控制線C交叉。各信號線S係由一行量之複數個像素所共用。 複數條輔助配線A包含第1輔助配線A1、…第k輔助配線Ak之k條輔助配線。輔助配線A係與信號線S並排於第2方向Y上延伸，且於第1方向X上相互空開間隔排列。此處，輔助配線A於主動區域AA中與控制線C交叉。各輔助配線A係由相鄰之兩行量之複數個像素所共用。 於本實施形態中，可將第1方向X改稱為列方向，將第2方向Y改稱為行方向。又，第1方向X與第2方向Y彼此正交，但亦可以90°以外之角度交叉。又，控制線C、信號線S及輔助配線A之條數並不特別限定，可進行各種變化。此處，j=120，i=120，k=60。因此，控制線C之條數與信號線S之條數為相同數目，輔助配線A之條數為信號線S之條數之一半。 又，於控制線C與信號線S之各交叉部附近，形成有檢測開關DS。各檢測開關DS連接於控制線C、信號線S、及輔助配線A。 共通電極CE位於第1絕緣基板10、控制線C、信號線S、輔助配線A、及檢測開關DS之上方，且與控制線C、信號線S、輔助配線A、及檢測開關DS對向。共通電極CE並非僅形成於主動區域AA，而係擴張至主動區域AA之外側而形成。於該實施形態中，共通電極CE為單個電極，但共通電極CE之形狀或圖案並不特別限定於此，可進行各種變化。例如，共通電極CE亦可以排列成條狀之複數個電極形成，又，亦可以排列成矩陣狀之複數個電極形成。 複數個檢測電極DE位於共通電極CE之上方。於圖示之例中，檢測電極DE分別形成為矩形狀，且於主動區域AA中沿第1方向X及第2方向Y配置成矩陣狀。換言之，主動區域AA係設置有檢測電極DE之區域。但，關於檢測電極DE之形狀為例示性顯示者，並非限定於矩形狀。檢測電極DE之個數為i×j個。檢測電極DE例如於第1方向X及第2方向Y之各者上以50 μm之間距排列。於該情形時，主動區域AA係大致一邊為6 mm之正方形。 作為第1電路之控制線驅動電路CD位於第1絕緣基板10與共通電極CE之間。控制線驅動電路CD位於共通電極CE之下方，且與共通電極CE對向。控制線驅動電路CD於主動區域AA之外側連接於複數條控制線C。另一方面，控制線驅動電路CD於主動區域AA之外側，連接於配置於第1絕緣基板10之一端部之OLB(Outer Lead Bonding：外部引線接合)焊墊群PG。控制線驅動電路CD對控制線C賦予將檢測開關DS切換為第1連接狀態及第2連接狀態之任一者之驅動信號。上述第1連接狀態係將信號線S與檢測電極DE電性連接，且將輔助配線A與檢測電極DE電性絕緣之狀態。又，上述第2連接狀態係將信號線S與檢測電極DE電性絕緣，且將輔助配線A與檢測電極DE電性連接之狀態。 此處，於言及第1構件之下方之第2構件之情形時，第2構件並非較第1構件更位於蓋構件CG側，而係較第1構件更位於第1絕緣基板10側。第2構件既可與第1構件相接，亦可與第1構件隔開而設置。於後者之情形，亦可於第1構件與第2構件之間介置有第3構件。 作為第2電路之多工器MU位於第1絕緣基板10與共通電極CE之間。多工器MU位於共通電極CE之下方，且與共通電極CE對向。多工器MU於主動區域AA之外側連接於複數條信號線S。另一方面，多工器MU於主動區域AA之外側連接於OLB焊墊群PG。於該實施形態中，多工器MU為1/4多工器。但，多工器MU並非限定於1/4多工器而可加以各種變化，例如亦可為1/3多工器。 另，於本實施形態中，由於第2電路為多工器MU，故可將輔助配線A不經由多工器MU而連接於OLB焊墊群PG。但，根據第2電路之構成，亦可將輔助配線A經由第2電路連接於OLB焊墊群PG。 如上述，共通電極CE雖與OLB焊墊群PG不對向，但與形成於第1絕緣基板10之上方之各種配線、開關、電路等對向。又，共通電極CE覆蓋各種配線、開關、電路等。因此，共通電極CE不僅於主動區域AA之內側，於主動區域AA之外側，亦可將檢測電極DE電性屏蔽。即，因於檢測電極DE不易產生寄生電容，故可抑制感測器感度之降低。 控制模組CM經由可撓性配線基板FPC1連接於第1絕緣基板10之OLB焊墊群PG。此處，可將控制模組CM改稱為應用程式處理器。控制模組CM經由可撓性配線基板FPC1等與控制線驅動電路CD及多工器MU等連接。控制模組CM可控制控制線驅動電路CD及多工器MU等之驅動，而謀求控制線驅動電路CD與多工器MU之同步化。 另，於第1基板SUB1之上方，亦可設置後述之蓋構件。蓋構件與第1基板SUB1對向。於X-Y俯視下，例如、蓋構件之尺寸大於第1基板SUB1之尺寸。 圖2係顯示圖1所示之感測器SE之4個像素與各種配線之電性連接關係之等價電路圖。 如圖2所示，各像素具備檢測開關DS、檢測電極DE等。檢測開關DS具有各者串聯連接之第1開關元件及第2開關元件。第1及第2開關元件係以例如相互導電型不同之薄膜電晶體形成。於本實施形態中，第1開關元件係以N通道型之薄膜電晶體形成，第2開關元件係以P通道型之薄膜電晶體形成。第1及第2開關元件亦可為頂部閘極型或底部閘極型之任一者。又，第1及第2開關元件之半導體層係由例如多晶矽(polycrystalline silicon：poly-Si)形成，但亦可由非晶矽或氧化物半導體等形成。 第1檢測開關DS1具有第1開關元件DS1a及第2開關元件DS1b。第1開關元件DS1a具有電性連接於第1控制線C1之第1電極、電性連接於第1信號線S1之第2電極、及電性連接於第1檢測電極DE1之第3電極。第2開關元件DS1b具有電性連接於第1控制線C1之第1電極、電性連接於第1輔助配線A1之第2電極、及電性連接於第1檢測電極DE1之第3電極。 此處，於第1開關元件DS1a及第2開關元件DS1b之各者中，上述第1電極作為閘極電極發揮功能，第2及第3電極之一者作為源極電極發揮功能，第2及第3電極之另一者作為汲極電極發揮功能。第1開關元件DS1a之第3電極、與第2開關元件DS1b之第3電極電性連接。另，關於該等第1至第3電極之功能，於後述之第2檢測開關DS2、第3檢測開關DS3及第4檢測開關DS4亦相同。 第2檢測開關DS2具有第1開關元件DS2a及第2開關元件DS2b。第1開關元件DS2a具有電性連接於第1控制線C1之第1電極、電性連接於第2信號線S2之第2電極、及電性連接於第2檢測電極DE2之第3電極。第2開關元件DS2b具有電性連接於第1控制線C1之第1電極、電性連接於第1輔助配線A1之第2電極、及電性連接於第2檢測電極DE2之第3電極。 第3檢測開關DS3具有第1開關元件DS3a及第2開關元件DS3b。第1開關元件DS3a具有電性連接於第2控制線C2之第2電極、電性連接於第1信號線S1之第2電極、及電性連接於第3檢測電極DE3之第3電極。第2開關元件DS3b具有電性連接於第2控制線C2之第1電極、電性連接於第1輔助配線A1之第2電極、及電性連接於第3檢測電極DE3之第3電極。 第4檢測開關DS4具有第1開關元件DS4a及第2開關元件DS4b。第1開關元件DS4a具有電性連接於第2控制線C2之第1電極、電性連接於第2信號線S2之第2電極、及電性連接於第4檢測電極DE4之第3電極。第2開關元件DS4b具有電性連接於第2控制線C2之第1電極、電性連接於第1輔助配線A1之第2電極、及電性連接於第4檢測電極DE4之第3電極。 另，檢測開關DS對信號線S及輔助配線A之連接關係並非限定於上述之例。例如，亦可為各檢測開關DS之第1開關元件之第2電極連接於輔助配線A，各檢測開關DS之第2開關元件之第2電極連接於信號線S。 第1控制線C1、第2控制線C2等複數條控制線C係由上述之控制線驅動電路CD驅動，且對各個控制線C可自控制線驅動電路CD賦予驅動信號CS。檢測開關DS藉由驅動信號CS，使第1開關元件及第2開關元件之任一者成為接通狀態另一者成為關斷狀態。基於上述，將檢測開關DS切換為第1連接狀態及第2連接狀態之任一者。 第1信號線S1、第2信號線S2等複數條信號線S可經由上述之多工器MU，由上述之控制模組CM驅動。此處，控制模組CM係切換為第1模式及第2模式之一者而控制第1基板SUB1，進行感測。詳細而言，以控制模組CM之第1檢測單元DU1進行感測。於本實施形態中，具有藉由上述感測，例如可檢測細微之凹凸圖案之優點。例如，上述細微之凹凸圖案為指紋(手指表面之凹凸圖案)。另，有時將第1模式稱為自我電容(Self-Capacitive Sensing：自我電容感測)模式，且將第2模式稱為相互電容(Mutual-Capacitive Sensing：相互電容感測)模式。 首先，對第1模式之感測進行說明。此處，假定為例如人之手指表面接觸上述蓋構件，而手指之表面靠近第1基板SUB1之主動區域AA。 於第1模式，藉由於各個檢測電極DE寫入寫入信號Vw，且自各個檢測電極DE讀取讀取信號Vr，而檢測指紋。若著眼於第1檢測電極DE1，則第1檢測單元DU1以對第1控制線C1賦予驅動信號CS，而將第1檢測開關DS1切換為第1連接狀態之狀態，經由多工器MU、第1信號線S1及第1檢測開關DS1(第1開關元件DS1a)對第1檢測電極DE1寫入寫入信號Vw，且經由第1檢測開關DS1(第1開關元件DS1a)、第1信號線S1、及多工器MU自第1檢測電極DE1讀取顯示寫入信號Vw之變化之讀取信號Vr。其係利用於指紋之凸部對向於第1檢測電極DE1之情形時於第1檢測電極DE1產生之耦合電容之值、與於指紋之凹部對向於第1檢測電極DE1之情形時於第1檢測電極DE1產生之耦合電容之值不同者。 如上述，可藉由第1模式之感測，而檢測指紋。於感測時，由於如上述般，共通電極CE可將檢測電極DE電性屏蔽，故可抑制感測器感度之降低。 進而，於第1模式之感測中，對輔助配線A賦予電位調整信號Va。對上述共通電極CE，例如可經由輔助配線A賦予電位調整信號Va。較佳為，電位調整信號Va與寫入信號Vw同步，且關於相位及振幅與寫入信號Vw相同。因此，於寫入信號Vw與電位調整信號Va，關於切換為高位準電位之時序、或切換為低位準電位之時序相同。另，電位調整信號Va之高位準電位及低位準電位並未特別限定。例如，於寫入信號Vw之振幅(寫入信號Vw之高位準電位與低位準電位之差)為Vp[V]之情形時，可將電位調整信號Va之低位準電位設為0[V]，且可將電位調整信號Va之高位準電位設為+Vp[V]。又，可將對共通電極CE賦予上述電位調整信號Va改稱為對共通電極CE賦予寫入信號Vw之電位變動量。 例如，可使藉由寫入信號Vw使檢測電極DE之電位上升3V之時序與藉由電位調整信號Va使共通電極CE之電位上升3V之時序一致，又，可使藉由寫入信號Vw使檢測電極DE之電位下降3V之時序與藉由電位調整信號Va使共通電極CE之電位下降3V之時序一致。 於感測期間，可抑制寫入寫入信號Vw後之檢測電極DE與共通電極CE之電位差之變動。又，可抑制被賦予寫入信號Vw後之信號線S與共通電極CE之電位差之變動。因此，可進一步抑制感測器感度之下降。 進而，藉由於將連接於第1控制線C1之第1檢測開關DS1等切換為第1連接狀態期間，將連接於第2控制線C2之第3檢測開關DS3、第4檢測開關DS4等切換為第2連接狀態，而可對第3檢測電極DE3、第4檢測電極DE4等賦予電位調整信號Va。可抑制被賦予電位調整信號Va後之檢測電極DE與共通電極CE之電位差之變動。由於可縮小與檢測電極DE耦合而獲得之寄生電容之值，故可進一步抑制感測器感度之降低。 又，於第1模式之感測中，第1檢測單元DU1可調整對第1基板SUB1賦予之信號或電源電壓。 例如，第1檢測單元DU1雖對上述控制線驅動電路CD賦予電源電壓，但亦可於感測驅動時，於上述電源電壓及驅動信號CS分別重疊重疊信號。又，第1檢測單元DU1雖對上述多工器MU賦予控制信號，但亦可於感測驅動時，於上述控制信號重疊重疊信號。上述重疊信號與寫入信號Vw同步，且關於相位及振幅與寫入信號Vw相同。 因此，於寫入信號Vw與上述重疊信號，關於切換為高位準電位之時序、或切換為低位準電位之時序相同。另，可將重疊上述重疊信號改稱為重疊寫入信號Vw之電位之變動量。 例如，可使藉由寫入信號Vw使檢測電極DE之電位上升3V之時序與藉由驅動信號CS使控制線C之電位上升3V之時序一致，又，可使藉由寫入信號Vw使檢測電極DE之電位下降3V之時序與藉由驅動信號CS使控制線C之電位下降3V之時序一致。 於感測期間，可進一步抑制被賦予驅動信號CS後之控制線C與共通電極CE之電位差之變動。此外，可抑制控制線驅動電路CD與共通電極CE之電位差之變動，或抑制多工器MU與共通電極CE之電位差之變動。由於可縮小與共通電極CE耦合而獲得之寄生電容之值，乃至可縮小與檢測電極DE耦合而獲得之寄生電容之值，故可進一步抑制感測器感度之降低。 其次，對第2模式之感測進行說明。此處，亦假定為例如、人之手指表面接觸上述蓋構件，且手指之表面靠近第1基板SUB1之主動區域AA。 於第2模式中，對位於主動區域AA之外側之未圖示之導電構件寫入寫入信號Vw，而於上述導電構件與檢測電極DE之間產生感測器信號，並自檢測電極DE讀取顯示感測器信號(例如、於檢測電極DE產生之靜電電容)之變化之讀取信號Vr。藉此，檢測指紋。作為上述導電構件，可例示性地舉出例如位於第1基板SUB1之外部、且以包圍主動區域AA之方式環狀地設置，並以金屬形成之構件。 此處，亦若著眼於第1檢測電極DE1，則控制模組CM以對第1控制線C1賦予驅動信號CS，而將第1檢測開關DS1切換為第1連接狀態之狀態，對上述導電構件寫入寫入信號Vw，且經由第1檢測開關DS1(第1開關元件DS1a)、第1信號線S1及多工器MU自第1檢測電極DE1讀取讀取信號Vr。 如上述，可藉由第2模式之感測，而檢測指紋。於感測時，由於如上述般，共通電極CE可將檢測電極DE電性屏蔽，故可抑制感測器感度之降低。 進而，於第2模式之感測中，可將共通電極CE切換為電性浮動狀態。例如，藉由將所有輔助配線A切換為電性浮動狀態，可將共通電極CE切換為電性浮動狀態。藉此，例如可將共通電極CE設為高阻抗(Hi-Z)。 於感測期間，可抑制檢測電極DE與共通電極CE之電位差之變動。又，可抑制被賦予寫入信號Vw後之信號線S與共通電極CE之電位差之變動。由於可縮小與檢測電極DE耦合而獲得之寄生電容之值，故可進一步抑制感測器感度之降低。 又，於第2模式之感測中，可將共通電極CE設定為接地電位(GND)。例如，藉由將所有輔助配線A固定於接地電位，可將共通電極CE設定為接地電位。於該情形時，亦由於可縮小與檢測電極DE耦合而獲得之寄生電容之值，故可進一步抑制感測器感度之降低。 圖3係顯示圖1所示之第1基板SU1之一部分之放大俯視圖，且係顯示圖2所示之4個像素與各種配線之俯視圖。於圖3中，顯示有第1控制線C1、第2控制線C2、第1半導體層SC1、第2半導體層SC2、第3半導體層SC3、第4半導體層SC4、第1信號線S1、第2信號線S2、第1輔助配線A1、第1導電層CL1、第2導電層CL2、第3導電層CL3、第4導電層CL4、第1屏蔽電極SH1、第2屏蔽電極SH2、第3屏蔽電極SH3、第4屏蔽電極SH4、第1檢測電極DE1、第2檢測電極DE2、第3檢測電極DE3、第4檢測電極DE4等。另，於圖3中省略共通電極CE之圖示。 如圖3所示，第1控制線C1及第2控制線C2於第1方向X上延伸，且於第2方向Y上空出間隔而設置。於第1控制線C1及第2控制線C2，分別配置有複數個分支部Cb。該等分支部Cb自第1控制線C1之一側緣或第2控制線C2之一側緣向第2方向Y突出。於本實施形態中，於第1控制線C1成為上側、第2控制線C2成為下側之X-Y俯視下，分支部Cb形成為L字之形狀或將L字左右反轉之形狀。 第1至第4半導體層SC1至SC4於第2方向Y上延伸。第1及第2半導體層SC1及SC2與第1控制線C1於2處交叉，第3及第4半導體層SC3及SC4與第2控制線C2於2處交叉。各個半導體層SC於與控制線C交叉之2處具有通道區域。此處，各個半導體層SC於控制線C之主線部與分支部Cb之交叉部分具有通道區域。另，第1檢測開關DS1具有第1半導體層SC1，第2檢測開關DS2具有第2半導體層SC2，第3檢測開關DS3具有第3半導體層SC3，第4檢測開關DS4具有第4半導體層SC4。 第1及第2信號線S1及S2係於第2方向Y上延伸，且於第1方向X上空開間隔而設置。於第1及第2信號線S1及S2，分別配置有複數個分支部Sb。該等分支部Sb自第1信號線S1之一側緣向第1方向X突出，或自第2信號線S2之一側緣向第1方向X之相反方向突出。例如，第1信號線S1具有與第1半導體層SC1之一端部對向且連接於該一端部之分支部Sb1、及與第3半導體層SC3之一端部對向且連接於該一端部之分支部Sb3。又，第2信號線S2具有與第2半導體層SC2之一端部對向且連接於該一端部之分支部Sb2、及與第4半導體層SC4之一端部對向且連接於該一端部之分支部Sb4。 第1輔助配線A1於第2方向Y上延伸。於第1輔助配線A1，配置有複數個分支部Ab。第1輔助配線A1之分支部Ab之中，第1分支部Ab1自第1輔助配線A1之一側緣向第1方向X之相反方向突出，並與第1半導體層SC1之另一端部對向且連接於該另一端部。第2分支部Ab2自第1輔助配線A1之另一側緣向第1方向X突出，並與第2半導體層SC2之另一端部對向且連接於該另一端部。第3分支部Ab3自第1輔助配線A1之一側緣向第1方向X之相反方向突出，並與第3半導體層SC3之另一端部對向且連接於該另一端部。第4分支部Ab4自第1輔助配線A1之另一側緣向第1方向X突出，並與第4半導體層SC4之另一端部對向且連接於該另一端部。 第1導電層CL1於第1半導體層SC1之通道區域之間，與第1半導體層SC1對向，並連接於第1半導體層SC1。第2導電層CL2於第2半導體層SC2之通道區域之間，與第2半導體層SC2對向，並連接於第2半導體層SC2。第3導電層CL3於第3半導體層SC3之通道區域之間，與第3半導體層SC3對向，並連接於第3半導體層SC3。第4導電層CL4於第4半導體層SC4之通道區域之間，與第4半導體層SC4對向，並連接於第4半導體層SC4。 此處，共通電極CE於複數處連接於輔助配線A。例如、共通電極CE通過接觸孔CHa(CHa1、CHa2、CHa3、CHa4)連接於第1輔助配線A1之第1至第4分支部Ab1至Ab4之各者。如此，亦可將共通電極CE針對每一像素連接於輔助配線A，藉此，可有助於遍及共通電極CE之全域之共通電極CE之電位均一化。 第1至第4屏蔽電極SH1至SH4分別於第2方向Y上延伸，且連接於第1輔助配線A1。此處，第1至第4屏蔽電極SH1至SH4分別與第1輔助配線A1之分支部Ab對向，且連接於上述分支部Ab。第1屏蔽電極SH1與第1信號線S1之一部分對向，且亦與向第1半導體層SC1側突出之第1信號線S1之分支部Sb1對向。第2屏蔽電極SH2與第2信號線S2之一部分對向，且亦與向第2半導體層SC2側突出之第2信號線S2之分支部Sb2對向。第3屏蔽電極SH3與第1信號線S1之一部分對向，且亦與向第3半導體層SC3側突出之第1信號線S1之分支部Sb3對向。第4屏蔽電極SH4與第2信號線S2之一部分對向，且亦與向第4半導體層SC4側突出之第2信號線S2之分支部Sb4對向。 第1至第4檢測電極DE1至DE4分別形成為矩形狀，且沿第1方向X及第2方向Y配置成矩陣狀。 第1檢測電極DE1與第1控制線C1、第1半導體層SC1、第1信號線S1、第1輔助配線A1之分支部Ab1、第1導電層CL1、第1屏蔽電極SH1、第3屏蔽電極SH3等對向，且連接於第1導電層CL1。 第2檢測電極DE2與第1控制線C1、第2半導體層SC2、第2信號線S2、第1輔助配線A1之分支部Ab2、第2導電層CL2、第2屏蔽電極SH2、第4屏蔽電極SH4等對向，且連接於第2導電層CL2。 第3檢測電極DE3與第2控制線C2、第3半導體層SC3、第1信號線S1、第1輔助配線A1之分支部Ab3、第3導電層CL3、第3屏蔽電極SH3等對向，且連接於第3導電層CL3。 第4檢測電極DE4與第2控制線C2、第4半導體層SC4、第2信號線S2、第1輔助配線A1之分支部Ab4、第4導電層CL4、第4屏蔽電極SH4等對向，且連接於第4導電層CL4。 於第1控制線C1成為上側、第2控制線C2成為下側之X-Y俯視下，第1輔助配線A1位於左側之像素與右側之像素之間。另，第1輔助配線A1位於相鄰之像素間。上述之左側之像素與右側之像素係共用第1輔助配線A1。可將上述之左側之像素與右側之像素關於第1輔助配線A1對稱地形成，而可有助於像素之高精密化。 圖4係沿圖3之線IV-IV顯示之第1基板SUB1之概略剖視圖。另，於圖4中，不僅顯示第1基板SUB1，亦顯示蓋構件CG。 如圖4所示，第1控制線C1及第1屏蔽電極SH1係形成於第1絕緣基板10之上方。於該實施形態中，第1控制線C1及第1屏蔽電極SH1雖形成於第1絕緣基板10之上，但並非限定於此。例如，第1控制線C1及第1屏蔽電極SH1亦可形成於設置於第1絕緣基板10上之絕緣膜之上。第1控制線C1及第1屏蔽電極SH1相對於共通電極CE位於第1檢測電極DE1之相反側。第1控制線C1及第1屏蔽電極SH1係以相同之導電材料形成，例如以金屬形成。 第1絕緣膜11係形成於第1絕緣基板10、第1控制線C1及第1屏蔽電極SH1之上。第1半導體層SC1係形成於第1絕緣膜11之上。第1半導體層SC1具有與第1控制線C1對向之2個通道區域。第1半導體層SC1相對於共通電極CE位於第1檢測電極DE1之相反側。第1半導體層SC1係例如以多晶矽形成。第2絕緣膜12係形成於第1絕緣膜11及第1半導體層SC1之上。 第1信號線S1、第1導電層CL1及第1輔助配線A1係形成於第2絕緣膜12之上。第1信號線S1、第1導電層CL1及第1輔助配線A1相對於共通電極CE位於第1檢測電極DE1之相反側。第1信號線S1、第1導電層CL1及第1輔助配線A1係以相同之導電材料形成，例如以金屬形成。 第1信號線S1位於第1屏蔽電極SH1之上方，且與第1屏蔽電極SH1對向。因此，第1屏蔽電極SH1相對於第1信號線S1位於共通電極CE之相反側。又，第1信號線S1通過形成於第2絕緣膜12之接觸孔而連接於第1半導體層SC1之一端部。 可於第1信號線S1之上方配置共通電極CE，另一方面於第1信號線S1之下方配置第1屏蔽電極SH1。由於藉由設置第1屏蔽電極SH1，可將檢測電極DE進一步電性屏蔽，故可抑制感測器感度之降低。 第1檢測單元DU1可經由第1輔助配線A1對第1屏蔽電極SH1賦予電位調整信號Va。由於可抑制第1屏蔽電極SH1與共通電極CE之電位差之變動，故可進一步抑制感測器感度之降低。 第1導電層CL1通過形成於第2絕緣膜12之接觸孔而連接於第1半導體層SC1之通道區域之間。第1輔助配線A1通過形成於第2絕緣膜12之接觸孔而連接於第1半導體層SC1之另一端部。 第3絕緣膜13係形成於第2絕緣膜12、第1信號線S1、第1導電層CL1及第1輔助配線A1之上。第3絕緣膜13具有與第1導電層CL1對向且朝第1導電層CL1開口之接觸孔。 此處，如上述，第1絕緣基板10係玻璃基板或樹脂基板，而非矽基板。可藉由無機材料形成第1絕緣膜11、第2絕緣膜12及後述之第4絕緣膜14，另一方面藉由有機材料形成第3絕緣膜13。有機材料係適於厚膜化之材料，作為有機材料，可列舉丙烯酸樹脂等。藉由利用有機材料，與利用無機材料之情形相比，可將第3絕緣膜13形成為較厚，而可減少較第3絕緣膜13上方之導電構件(共通電極CE、第1檢測電極DE1等)與較第3絕緣膜13下方之導電構件(第1屏蔽電極SH1、第1控制線C1、第1信號線S1等)之間之寄生電容。 共通電極CE係形成於第3絕緣膜13之上。共通電極CE通過形成於第3絕緣膜13之接觸孔CHa1而連接於第1輔助配線A1。共通電極CE與第1檢測開關DS1對向，且具有包圍第3絕緣膜13之接觸孔之第1開口OP1。共通電極CE不僅具有第1開口OP1，且具有複數個開口。例如，共通電極CE亦具有與第2檢測開關DS2對向之第2開口、與第3檢測開關DS3對向之第3開口、與第4檢測開關DS4對向之第4開口等。 共通電極CE係以氧化銦錫(Indium Tin Oxide：ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide：IZO)、氧化鋅(Zinc Oxide：ZnO)等透明之導電材料形成。但，利用於共通電極CE之材料並不限定於透明之導電材料，亦可取代透明之導電材料而利用金屬。 第4絕緣膜14係形成於第1導電層CL1、第3絕緣膜13及共通電極CE之上。第4絕緣膜14具有與第1導電層CL1對向，且朝第1導電層CL1開口之接觸孔。 第1檢測電極DE1係形成於第4絕緣膜14之上，且與第1開口OP1對向。第1檢測電極DE1通過形成於第1開口OP1及第4絕緣膜14之接觸孔而連接於第1導電層CL1。第1檢測電極DE1與共通電極CE同樣可由ITO、IZO、ZnO等透明之導電材料形成，但亦可取代透明之導電材料以金屬形成。 另，感測器SE亦可具備位於第1基板SUB1之上方，且與第1基板SUB1對向之蓋構件CG。蓋構件CG例如以玻璃基板形成。於該情形時，有時將蓋構件CG稱為蓋玻璃。或者，蓋構件CG可利用樹脂基板等具有透光性之基板形成。蓋構件CG亦可藉由接著層接合於第1基板SUB1。感測器SE之輸入面IS係蓋構件CG之表面。例如，感測器SE可於使手指接觸或靠近輸入面IS時檢測該手指指紋之資訊。 圖5係顯示第1基板SUB1之主動區域AA之外側之一部分之放大俯視圖，且係顯示多工器MU之電路圖。 如圖5所示，多工器MU具有複數個控制開關群CSWG。作為控制開關群CSWG，可列舉第1控制開關群CSWG1、第2控制開關群CSWG2等。控制開關群CSWG分別具有複數個控制開關CSW。於該實施形態中，多工器MU係1/4多工器，控制開關群CSWG具有第1控制開關CSW1、第2控制開關CSW2、第3控制開關CSW3、及第4控制開關CSW4之4個控制開關。 多工器MU係連接於複數條信號線S。又，多工器MU係經由複數條連接線W1、1條連接線W2、4條控制線W3、W4、W5、W6連接於控制模組CM。此處，連接線W1之條數為信號線S之條數之1/4。如上述，由於信號線S之條數為120條，故連接線W1之條數為30條。 各個控制開關CSW具有串聯連接之2個開關元件。上述2個開關元件係以例如相互導電型不同之薄膜電晶體形成。於本實施形態中，各個控制開關CSW係以串聯連接之P通道型之薄膜電晶體、與N通道型之薄膜電晶體形成。 第1控制開關CSW1之各者之薄膜電晶體之第1電極係連接於控制線W3，第2控制開關CSW2之各者之薄膜電晶體之第1電極係連接於控制線W4，第3控制開關CSW3之各者之薄膜電晶體之第1電極係連接於控制線W5，第4控制開關CSW4之各者之薄膜電晶體之第1電極係連接於控制線W6。 控制開關CSW之各者之P通道型之薄膜電晶體之第2電極係連接於連接線W2。 第1控制開關群CSWG1之各者之N通道型之薄膜電晶體之第2電極係連接於同一連接線W1，第2控制開關群CSWG2之各者之N通道型之薄膜電晶體之第2電極係連接於同一連接線W1。 第1控制開關群CSWG1之第1控制開關CSW1之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第1信號線S1。第1控制開關群CSWG1之第2控制開關CSW2之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第2信號線S2。第1控制開關群CSWG1之第3控制開關CSW3之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第3信號線S3。第1控制開關群CSWG1之第4控制開關CSW4之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第4信號線S4。 第2控制開關群CSWG2之第1控制開關CSW1之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第5信號線S5。第2控制開關群CSWG2之第2控制開關CSW2之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第6信號線S6。第2控制開關群CSWG2之第3控制開關CSW3之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第7信號線S7。第2控制開關群CSWG2之第4控制開關CSW4之各者之薄膜電晶體之第3電極係連接於第8信號線S8。 此處，於多工器MU之各者之薄膜電晶體中，上述第1電極作為閘極電極發揮功能，第2及第3電極之一者作為源極電極發揮功能，第2及第3電極之另一者作為汲極電極發揮功能。 對控制線W3、W4、W5、W6，自第1檢測單元DU1賦予控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4。第1控制開關CSW1係藉由控制信號Vcsw1切換為第1切換狀態及第2切換狀態之任一者。第2控制開關CSW2係藉由控制信號Vcsw2切換為第1切換狀態及第2切換狀態之任一者。第3控制開關CSW3係藉由控制信號Vcsw3切換為第1切換狀態及第2切換狀態之任一者。第4控制開關CSW4係藉由控制信號Vcsw4切換為第1切換狀態及第2切換狀態之任一者。 此處，上述第1切換狀態係將連接線W1與信號線S電性連接之狀態，第2切換狀態係將連接線W2與信號線S電性連接之狀態。因此，藉由將各個控制開關CSW切換為第1切換狀態，可對信號線S賦予寫入信號Vw，或自檢測電極DE讀取讀取信號Vr。又，藉由將各個控制開關CSW切換為第2切換狀態，可對信號線S賦予電位調整信號Va。 藉由控制利用控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4將多工器MU之各者之控制開關CSW切換為第1切換狀態及第2切換狀態之任一者之時序、與利用驅動信號CS將各個檢測開關DS切換為第1連接狀態及第2連接狀態之任一者之時序，可分時地進行對複數個檢測電極DE之寫入信號Vw之寫入、與自複數個檢測電極DE之讀取信號Vr之讀取。 又，藉由利用如上述之多工器MU，可於同一期間，對第1信號線S1及第5信號線S5之各者賦予寫入信號Vw，且另一方面，對第2至第4信號線S2至S4及第6至第8信號線S6至S8之各者賦予電位調整信號Va。由於可抑制所有信號線S與共通電極CE之電位差之變動，故可進一步抑制感測器感度之降低。 另，感測器SE可取代上述多工器MU，而將自先前已知之各種多工器(選擇器電路)作第2電路加以利用。例如，感測器SE可利用1/3多工器。 圖6係顯示感測器SE之電性連接關係之等價電路圖。 如圖6所示，控制模組CM具備主控制部MC與第1檢測單元DU1。主控制部MC係中央處理裝置。 主控制部MC對類比前端AFE發送控制信號Vc，而控制類比前端AFE之驅動。又，主控制部MC自類比前端AFE接收資料信號Vd。作為資料信號Vd，可列舉基於讀取信號Vr之信號，於該情形時，係將類比信號即讀取信號Vr轉換為數位信號之信號。又，主控制部MC對類比前端AFE、電路控制信號源CC、及電源控制部PC發送同步信號Vs，而謀求類比前端AFE、電路控制信號源CC、及電源控制部PC之驅動之同步化。作為同步信號Vs，可列舉垂直同步信號TSVD、及水平同步信號TSHD。 類比前端AFE對多工器MU發送電位調整信號Va、或寫入信號Vw，並自多工器MU接收讀取信號Vr。例如，讀取信號Vr之向數位信號之轉換係以類比前端AFE進行。又，類比前端AFE對電路控制信號源CC及電源控制部PC輸入重疊之脈衝信號(檢測脈衝)。上述脈衝信號與電位調整信號Va同步，且關於相位及振幅與電位調整信號Va相同。 電路控制信號源CC對多工器MU賦予控制信號Vcsw(Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4)，且對控制線驅動電路CD發送重設信號STB、開始脈衝信號STV、及時脈信號CKV。 電源控制部PC對控制線驅動電路CD賦予高電位之電源電壓Vdd、與相對低電位之電源電壓Vss。 控制線驅動電路CD具有複數個位移暫存器SR、及與複數個位移暫存器SR一對一連接之複數個控制開關COS。又，於控制線驅動電路CD之內部，延伸有被賦予電源電壓Vdd之高電位電源線Wd、與被賦予電源電壓Vss之低電位電源線Ws。複數個控制開關COS被經由位移暫存器SR依序控制，而切換為電性連接高電位電源線Wd與控制線C之狀態或電性連接低電位電源線Ws與控制線C之狀態。於本實施形態中，驅動信號CS係電源電壓Vdd或電源電壓Vss。 圖7係顯示感測器SE之檢測器DT之電路圖。於本實施形態中，檢測器DT係形成於圖6所示之類比前端AFE。另，於類比前端AFE形成有複數個檢測器DT。檢測器DT之個數例如與連接線W1之條數相同。於該情形時，檢測器DT係與連接線W1一對一連接。 如圖7所示，檢測器DT具有積分器IN、重設開關RST、開關SW1、及開關SW2。積分器IN具有運算放大器AMP、與電容器CON。於該例中，電容器CON係連接於運算放大器AMP之非反相輸入端子與輸出端子之間。重設開關RST係與電容器CON並聯連接。開關SW1係連接於信號源與連接線W1之間。開關SW1切換是否自信號源SG經由連接線W1等而對檢測電極DE賦予寫入信號Vw。開關SW2係連接於連接線W1與運算放大器AMP之非反相輸入端子之間。開關SW2切換是否將讀取信號Vr輸入至上述非反相輸入端子。 於利用如上述之檢測器DT之情形時，首先，接通開關SW1，且關斷開關SW2，而經由連接線W1等對檢測電極DE寫入寫入信號Vw。其次，於關斷開關SW1之後，接通開關SW2，而將自檢測電極DE經由連接線W1等所取出之讀取信號Vr輸入至上述非反相輸入端子。積分器IN係按時間對輸入之電壓(讀取信號Vr)進行積分。藉此，積分器IN可將與輸入之電壓成比例之電壓作為輸出信號Vout輸出。隨後，藉由關斷重設開關RST，而放出電容器CON之電荷，將輸出信號Vout之值重設。 其次，對感測器SE之驅動方法進行例示性說明。圖8係用於說明本實施形態之感測器SE之驅動方法之時序圖，且係顯示F幀期間中之一部分之期間、F+1幀期間中之一部分之期間之重設信號STB、開始脈衝信號STV、時脈信號CKV、控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4、垂直同步信號TSVD、水平同步信號TSHD、及寫入信號Vw之圖。 如圖8所示，一幀期間(1F)係垂直掃描期間，相當於連續122次之水平掃描期間。各個水平掃描期間(1H)係基於時脈信號CKV而規定。各個幀期間係基於垂直同步信號TSVD而規定。 於第F次之一幀期間即F幀期間之第119次之水平掃描期間，自第1檢測單元DU1對多工器MU賦予基於水平同步信號TSHD之控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4。藉此，將第1控制開關CSW1、第2控制開關CSW2、第3控制開關CSW3、及第4控制開關CSW4分時地自第2切換狀態切換為第1切換狀態(電性連接連接線W1與信號線S之狀態)。 又，於該水平掃描期間，自控制線驅動電路CD對第119控制線C119賦予導通位準之驅動信號CS(電源電壓Vdd)，且對第119控制線C119以外之控制線C賦予關斷位準之驅動信號CS(電源電壓Vss)。藉此，可分時地進行對第119列之複數個像素之檢測電極DE之寫入信號Vw之寫入、與自複數個檢測電極DE之讀取信號Vr之讀取。 於F幀期間之第120次之水平掃描期間，亦自第1檢測單元DU1對多工器MU賦予控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4，而將第1控制開關CSW1、第2控制開關CSW2、第3控制開關CSW3及第4控制開關CSW4分時地自第2切換狀態切換為第1切換狀態。 又，於該水平掃描期間，自控制線驅動電路CD對第120控制線C120賦予導通位準之驅動信號CS(電源電壓Vdd)，且對第120控制線C120以外之控制線C賦予關斷位準之驅動信號CS(電源電壓Vss)。藉此，可分時地進行對第120列(最後一列)之複數個像素之檢測電極DE之寫入信號Vw之寫入、與自複數個檢測電極DE之讀取信號Vr之讀取。 藉此，可於F幀內進行一幀量之感測。 其次，於F幀期間之第121次之水平掃描期間經過之後之第122次之水平掃描期間，基於垂直同步信號TSVD產生開始脈衝信號STV等，而於第122次之水平掃描期間經過後，移至F+1幀期間。 於第F+1次之一幀期間即F+1幀期間之第1次之水平掃描期間，基於控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4，而將第1控制開關CSW1、第2控制開關CSW2、第3控制開關CSW3、及第4控制開關CSW4分時地自第2切換狀態切換為第1切換狀態。 又，於該水平掃描期間，自控制線驅動電路CD對第1控制線C1賦予導通位準之驅動信號CS(電源電壓Vdd)，且對第1控制線C1以外之控制線C賦予關斷位準之驅動信號CS(電源電壓Vss)。藉此，可分時地進行對第1列之複數個像素之檢測電極DE之寫入信號Vw之寫入、與自複數個檢測電極DE之讀取信號Vr之讀取。 以後，亦於每一水平掃描期間(1H)，進行對一列量之複數個像素之檢測電極DE之寫入信號Vw之寫入、與自複數個檢測電極DE之讀取信號Vr之讀取。藉此，例如第1檢測單元DU1(控制模組CM)於使手指接觸或靠近輸入面IS時可檢測該手指之指紋之資訊。 其次，就第1檢測單元DU1對第1基板SUB1賦予之各種信號進行說明。如上述，於本實施形態中，於上述之各種信號具有優點。圖9係用以說明於感測器SE之驅動中利用之各種信號及電壓之時序圖，且係顯示水平同步信號TSHD、寫入信號Vw、電位調整信號Va、控制信號Vcsw1(Vcsw)、電源電壓Vdd、及電源電壓Vss之圖。另，圖9所示之各種信號及電壓係例示性顯示者。 如圖9所示，寫入信號Vw係脈衝信號，高位準之電位為3 V，低位準之電位為0 V，振幅為3 V。 作為電位調整信號Va，較佳為藉由固定於0 V等之恆定電壓，而與寫入信號Vw同步且關於相位及振幅與寫入信號Vw相同之信號。電位調整信號Va之振幅為3 V即可。於該例中，電位調整信號Va之高位準之電位為3 V，低位準之電位為0 V，電位調整信號Va與寫入信號Vw為相同信號，但並非限定於此，可進行各種變化。作為另一例，亦可為電位調整信號Va之高位準之電位為6 V，低位準之電位為3 V。 於寫入信號Vw與電位調整信號Va，關於切換為高位準之電位之時序、或切換為低位準之電位之時序相同。於相同之時間期間，對寫入信號Vw附加斜線之面積、與對電位調整信號Va附加斜線之面積係相同。即使時間經過，寫入信號Vw之電位、與電位調整信號Va之電位之差係固定，於本實施形態中為0 V。 藉此，可抑制被賦予寫入信號Vw或電位調整信號Va後之信號線S與共通電極CE之電位差之變動、或被賦予寫入信號Vw或電位調整信號Va後之檢測電極DE與共通電極CE之電位差之變動。 控制信號Vcsw具有用於將檢測開關DS切換為第1切換狀態(電性連接連接線W1與信號線S之狀態)之高位準之電位、與用於將檢測開關DS切換為第2切換狀態(電性連接連接線W2與信號線S之狀態)之低位準之電位。於本實施形態中，控制信號Vcsw之高位準之電位為3 V，低位準之電位為-3 V。 但，作為控制信號Vcsw，較佳較上述脈衝信號，於上述之脈衝信號重疊有重疊信號。上述重疊信號與寫入信號Vw同步，且關於相位及振幅與寫入信號Vw相同。於控制信號Vcsw重疊有控制信號Vcsw之中附加有斜線之面積之量。因此，若於控制信號Vcsw之高位準之電位重疊重疊信號，則控制信號Vcsw之電位最大成為6 V，若於控制信號Vcsw之低位準之電位重疊重疊信號，則控制信號Vcsw之電位最大成為0 V。 藉此，可抑制被賦予控制信號Vcsw後之控制線C與共通電極CE之電位差之變動。 電源電壓Vdd係被賦予至控制線驅動電路CD，且具有用於將檢測開關DS切換為第1連接狀態(電性連接信號線S與檢測電極DE之狀態)之電位。於本實施形態中，用於將檢測開關DS切換為第1連接狀態之電源電壓Vdd之電位為3 V。 但，作為電源電壓Vdd，較佳較上述高電位之恆定電壓，於上述之恆定電壓重疊有重疊信號。於電源電壓Vdd重疊有電源電壓Vdd之中附加有斜線之面積之量。因此，若於電源電壓Vdd之恆定電壓重疊重疊信號，則電源電壓Vdd之電位最大成為6 V。 藉此，可抑制被賦予電源電壓Vdd後之配線(高電位電源線Wd等)與共通電極CE之電位差之變動。 電源電壓Vss係被賦予至控制線驅動電路CD，且具有用於將檢測開關DS切換為第2連接狀態(將信號線S與檢測電極DE電性絕緣、且將輔助配線A與檢測電極DE電性連接之狀態)之電位。於本實施形態中，用於將檢測開關DS切換為第2連接狀態之電源電壓Vss之電位為-3 V。 但，作為電源電壓Vss，較佳較上述低電位之恆定電壓，於上述之恆定電壓重疊有重疊信號。於電源電壓Vss重疊有電源電壓Vss之中附加有斜線之面積之量。因此，若於電源電壓Vss之恆定電壓重疊重疊信號，則電源電壓Vdd之電位最大成為0 V。 藉此，可抑制被賦予電源電壓Vss後之配線(低電位電源線Ws等)與共通電極CE之電位差之變動。 根據如上述構成之第1實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法，感測器SE具備控制線C、信號線S、檢測開關DS、共通電極CE、檢測電極DE、作為第1電路之控制線驅動電路CD、及作為第2電路之多工器MU。共通電極CE位於控制線C、信號線S、檢測開關DS、控制線驅動電路CD、及多工器MU之上方，且與該等對向。共通電極CE並非僅形成於主動區域AA，而係擴張至主動區域AA之外側而形成。檢測電極DE位於共通電極CE之上方且與共通電極CE對向。 共通電極CE不僅於主動區域AA之內側，於主動區域AA之外側，亦可將檢測電極DE電性屏蔽。即，因於檢測電極DE不易產生寄生電容，故可抑制感測器感度之降低。 第1檢測單元DU1(控制模組CM)可調整對第1基板SUB1賦予之信號或電壓。藉由控制共通電極CE之下方之導電構件(配線等)之電位，於共通電極CE不易產生寄生電容，而可抑制共通電極CE之電位變動。藉此，可進一步抑制感測器感度之下降。 基於上述，可獲得檢測精度優異之感測器SE及感測器SE之驅動方法。 (第2實施形態) 其次，對第2實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法進行說明。圖10係顯示第2實施形態之感測器SE之4個像素與各種配線之電性連接關係之等價電路圖。 如圖10所示，第2實施形態之感測器SE與上述第1實施形態之感測器SE之不同點在於，形成為無輔助配線A，且將檢測開關DS形成為無第2開關元件(DS1b、DS2b、DS3b、DS4b)。於本實施形態中，既可將屏蔽電極SH設為電性浮動狀態，亦可無屏蔽電極SH而形成感測器SE。藉由將檢測開關DS切換為第2連接狀態，可將信號線S與檢測電極DE絕緣，而將檢測電極DE切換為電性浮動狀態。 於本實施形態中，亦可對共通電極CE，賦予電位調整信號Va。例如，可經由設置於主動區域AA之外側之配線對共通電極CE賦予電位調整信號Va。 另，感測器SE之驅動方法與上述之第1實施形態之感測器SE之驅動方法相比，不同點在於未自第1檢測單元DU1對信號線S賦予電位調整信號Va。然而，作為本實施形態之感測器SE之驅動方法，可大致應用上述之第1實施形態之感測器SE之驅動法。 根據如上述構成之第2實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法，感測器SE具備控制線C、信號線S、檢測開關DS、共通電極CE、檢測電極DE、控制線驅動電路CD、及多工器MU。因此，於第2實施形態中，亦可獲得與上述第1實施形態相同之效果。 於感測驅動時，可將並非寫入寫入信號Vw之對象之檢測電極DE切換為電性浮動狀態。於該情形時，於共通電極CE亦不易產生寄生電容，而可抑制共通電極CE之電位變動。藉此，可抑制感測器感度之下降。 基於上述，可獲得檢測精度優異之感測器SE及感測器SE之驅動方法。 (第3實施形態) 其次，就第3實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法進行說明。圖11係用於說明第3實施形態之感測器SE之驅動方法之時序圖，且係顯示一水平掃描期間(1H)之時脈信號CKV、控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4、及水平同步信號TSHD之圖。另，本實施形態之感測器SE，係與上述之第1實施形態之感測器SE同樣地形成。 如圖11所示，與上述第1實施形態之不同點在於，於任意一水平掃描期間(1H)，藉由控制信號Vcsw1、Vcsw2、Vcsw3、Vcsw4，將多工器MU之複數個控制開關CSW之各者於第1切換狀態與第2切換狀態交替地切換複數次。水平同步信號TSHD之脈衝之頻率可設為與第1實施形態相同。於該情形時，一水平掃描期間(1H)之時間期間長於上述之第1實施形態。 於一水平掃描期間(1H)，可以相同之檢測電極DE作為感測對象，進行複數次對相同之檢測電極DE之寫入信號Vw之寫入與自上述檢測電極DE之讀取信號Vr之讀取之組。自相同之檢測電極DE讀取之讀取信號Vr可以檢測器DT進行積分，而作為輸出信號Vout輸出。 根據如上述構成之第3實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法，感測器SE具備控制線C、信號線S、檢測開關DS、共通電極CE、檢測電極DE、控制線驅動電路CD、及多工器MU。因此，於第3實施形態中，亦可獲得與上述第1實施形態相同之效果。 於感測驅動時，可累計自相同之檢測電極DE複數次讀取之讀取信號Vr。藉由累計複數個讀取信號Vr，與讀取單一之讀取信號Vr之情形相比，可提高輸出信號Vout之位準。例如，可擴大於指紋之凸部對向於檢測電極DE之情形之輸出信號Vout之值、與指紋之凹部對向於檢測電極DE之情形之輸出信號Vout之值之差。藉此，可更詳細地對指紋等被檢測部進行感測。 基於上述，可獲得檢測精度優異之感測器SE及感測器SE之驅動方法。 (第4實施形態) 其次，對第4實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法進行說明。圖12係顯示第4實施形態之感測器SE之第1基板SUB1之主動區域AA之外側之一部分之放大俯視圖，且係顯示多工器MU之電路圖。 如圖12所示，第4實施形態之感測器SE與上述第1實施形態之感測器SE之不同點在於，多工器MU進而包含複數個第5控制開關CSW5、複數個第6控制開關CSW6、及2條控制線W7、W8。 各個控制開關群CSWG進而具有第5控制開關CSW5。第3控制開關CSW3之第2電極、與第4控制開關CSW4之第2電極係經由第5控制開關CSW5連接。第5控制開關CSW5之閘極電極(第1電極)係連接於控制線W7。形成第5控制開關CSW5之薄膜電晶體之導電型並未特別限定，但於本實施形態中，第5控制開關CSW5係以P通道型之薄膜電晶體形成。對控制線W7，自第1檢測單元DU1賦予控制信號Vcsw5。第5控制開關CSW5係藉由控制信號Vcsw5切換為導通狀態及非導通狀態之任一者。 相鄰之控制開關群CSWG係經由第6控制開關CSW6連接。例如，第1控制開關群CSWG1之第4控制開關CSW4之第2電極、與第2控制開關群CSWG2之第1控制開關CSW1之第2電極係經由第6控制開關CSW6連接。第6控制開關CSW6之閘極電極(第1電極)係連接於控制線W8。形成第6控制開關CSW6之薄膜電晶體之導電型並未特別限定，但於本實施形態中，第6控制開關CSW6係以N通道型之薄膜電晶體形成。對控制線W8，自第1檢測單元DU1賦予控制信號Vcsw6。第6控制開關CSW6係藉由控制信號Vcsw6切換為導通狀態及非導通狀態之任一者。 其次，對感測器SE之驅動方法進行說明。 於上述之第1實施形態之感測器SE之驅動方法中，以於感測驅動時之一感測期間，藉由經由1條連接線W1，對單個之檢測電極DE獨立寫入寫入信號Vw，且自上述檢測電極DE獨立讀取讀取信號Vr，進行感測之情形為例進行說明。於第4實施形態中，亦可與第1實施形態同樣地進行感測。但，於第4實施形態中，藉由對多工器MU追加複數個第5控制開關CSW5及複數個第6控制開關CSW6，亦可以與第1實施形態不同之方法進行感測。 其次，對第4實施形態之獨有之感測器SE之驅動方法進行大致說明。於第4實施形態中，於進行感測之感測驅動時之第1感測期間，對第m行及第m+1行之中，位於第n列及第n+1列之4個檢測電極DE，經由多工器MU、對應之2條信號線S及對應之4個檢測開關DS同時寫入寫入信號Vw，且自上述4個檢測電極DE之各者讀取顯示寫入信號Vw之變化之讀取信號Vr，並將讀取到之複數個讀取信號Vr捆束成1個信號。藉由使用4個檢測電極DE，可擴大電極面積提高電場強度而進行感測。 其次，於繼上述第1感測期間之第2感測期間，對第m+1行及第m+2行之中，位於第n列及第n+1列之4個檢測電極DE，經由多工器MU、對應之2條信號線S及對應之4個檢測開關DS同時寫入寫入信號Vw，且自上述4個檢測電極DE之各者讀取顯示寫入信號之變化之讀取信號Vr，並將讀取到之複數個讀取信號Vr捆束成1個信號。即，於第1方向X上，可將範圍僅錯開一行量進行感測。 且，第1檢測單元DU1於感測驅動時，於以位於第n列及第n+1列之複數個檢測電極DE為對象之感測結束之後，移至以位於第n+1列及第n+2列之複數個檢測電極DE為對象之感測。由於於第2方向Y上，亦可將範圍僅錯開一列量進行感測，故可維持上述第1實施形態之解析度之水平。 其次，使用圖13至圖17對第4實施形態之感測器SE之驅動方法進行說明。圖13至圖17係用於例示性說明第4實施形態之感測器SE之驅動方法之電路圖。另，於圖13至圖17中，僅顯示第1基板SUB1中之說明所需之主要部分。又，關於檢測開關DS，作為切換信號線S與檢測電極DE之連接狀態之開關進行說明。關於控制開關CSW，作為切換信號線S與連接線W1之連接狀態之開關進行說明。 如圖13所示，於控制模組CM之控制下，控制線驅動電路CD對第1控制線C1及第2控制線C2同時賦予導通位準之驅動信號CS(電源電壓Vdd)，且對第1控制線C1及第2控制線C2以外之控制線C賦予關斷位準之驅動信號CS(電源電壓Vss)。藉此，第1列與第2列之檢測開關DS成為導通狀態。又，於多工器MU中，將第1控制開關CSW1及第2控制開關CSW2設為導通狀態，將第3控制開關CSW3及第4控制開關CSW4設為非導通狀態。關於第6控制開關CSW6亦設為非導通狀態。 藉此，第1列與第2列之檢測電極DE之中，附加斜線之4個相鄰之檢測電極DE成為被電性捆束之狀態。對第1至第8信號線S1至S8中之第1信號線S1、第2信號線S2、第5信號線S5、及第6信號線S6賦予寫入信號Vw。藉此，可經由1條連接線W1對分別捆束之4個檢測電極DE統一進行寫入信號Vw之寫入、與讀取信號Vr之讀取。 如圖14所示，於後續感測期間，第1列與第2列之檢測開關DS成為導通狀態。又，於多工器MU中，將第2控制開關CSW2及第3控制開關CSW3設為導通狀態，將第1控制開關CSW1及第4控制開關CSW4設為非導通狀態。關於第6控制開關CSW6亦設為非導通狀態。 藉此，第1列與第2列之檢測電極DE之中，附加斜線之4個相鄰之檢測電極DE成為被電性捆束之狀態。與圖13相比可知，被捆束之4個檢測電極DE係錯開一行量。對第1至第8信號線S1至S8中之第2信號線S2、第3信號線S3、第6信號線S6、及第7信號線S7賦予寫入信號Vw。藉此，可經由1條連接線W1對分別捆束之4個檢測電極DE統一進行寫入信號Vw之寫入、與讀取信號Vr之讀取。 如圖15所示，於後續感測期間，第1列與第2列之檢測開關DS成為導通狀態。又，於多工器MU中，將第3控制開關CSW3及第4控制開關CSW4設為導通狀態，將第1控制開關CSW1及第2控制開關CSW2設為非導通狀態。關於第5控制開關CSW5設為導通狀態，關於第6控制開關CSW6設為非導通狀態。 藉此，第1列與第2列之檢測電極DE之中，附加斜線之4個相鄰之檢測電極DE成為被電性捆束之狀態。與圖14相比可知，被捆束之4個檢測電極DE進而錯開一行量。對第1至第8信號線S1至S8中之第3信號線S3、第4信號線S4、第7信號線S7、及第8信號線S8賦予寫入信號Vw。藉此，可經由1條連接線W1對分別捆束之4個檢測電極DE統一進行寫入信號Vw之寫入、與讀取信號Vr之讀取。 如圖16所示，於後續感測期間，第1列與第2列之檢測開關DS成為導通狀態。又，於多工器MU中，將第4控制開關CSW4及第1控制開關CSW1設為導通狀態，將第2控制開關CSW2及第3控制開關CSW3設為非導通狀態。關於第5控制開關CSW5設為非導通狀態，關於第6控制開關CSW6設為導通狀態。 藉此，第1列與第2列之檢測電極DE之中，附加斜線之2個或4個相鄰之檢測電極DE成為被電性捆束之狀態。與圖15相比可知，被捆束之4個檢測電極DE進而錯開一行量。對第1至第8信號線S1至S8中之第1信號線S1、第4信號線S4、第5信號線S5、及第8信號線S8賦予寫入信號Vw。藉此，可經由1條連接線W1對分別捆束之2個或4個檢測電極DE統一進行寫入信號Vw之寫入、與讀取信號Vr之讀取。 然後，第1檢測單元DU1結束以位於第1列及第2列之複數個檢測電極DE為對象之感測。隨後，第1檢測單元DU1移至以位於第2列及第3列之複數個檢測電極DE為對象之感測。 如圖17所示，於控制模組CM之控制下，控制線驅動電路CD對第2控制線C2及第3控制線C3同時賦予導通位準之驅動信號CS(電源電壓Vdd)，且對第2控制線C2及第3控制線C3以外之控制線C賦予關斷位準之驅動信號CS(電源電壓Vss)。藉此，第2列與第3列之檢測開關DS成為導通狀態。又，於多工器MU中，將第1控制開關CSW1及第2控制開關CSW2設為導通狀態，將第3控制開關CSW3及第4控制開關CSW4設為非導通狀態。關於第6控制開關CSW6亦設為非導通狀態。 藉此，第2列與第3列之檢測電極DE之中，附加斜線之4個相鄰之檢測電極DE成為被電性捆束之狀態。對第1至第8信號線S1至S8中之第1信號線S1、第2信號線S2、第5信號線S5、及第6信號線S6賦予寫入信號Vw。藉此，可經由1條連接線W1對分別捆束之4個檢測電極DE統一進行寫入信號Vw之寫入、與讀取信號Vr之讀取。 且，於第2行與第3行之感測中，亦可一面錯開一行量一面捆束檢測電極DE而進行感測。於第2方向Y上，亦可將範圍僅錯開一列量進行感測。 根據如上述構成之第4實施形態之感測器SE及感測器SE之驅動方法，感測器SE具備控制線C、信號線S、檢測開關DS、共通電極CE、檢測電極DE、控制線驅動電路CD、及多工器MU。因此，於第4實施形態中，亦可獲得與上述第1實施形態相同之效果。 於感測驅動時，第1檢測單元DU1可對捆束之4個(或2個)檢測電極DE統一進行寫入信號Vw之寫入、與讀取信號Vr之讀取。因此，可擴大電極面積提高電場強度而進行感測。 又，此時，於第1方向X上可將範圍僅錯開一行量進行感測，且於第2方向Y上亦可將範圍僅錯開一列量進行感測。因此，可抑制或防止感測之解析度之下降。 此外，於第4實施形態中，與上述第3實施形態同樣，第1檢測單元DU1亦可調整第1基板SUB1之驅動，而累計讀取信號Vr。藉此，可更詳細地對指紋等被檢測部進行感測。 另，於將複數個檢測電極DE捆束或錯開時，亦可將相鄰之3列及相鄰之3行之合計9個檢測電極DE捆束，且逐行錯開或逐列錯開。又，亦可將相鄰之4列及相鄰之4行之合計16個檢測電極DE捆束，且逐行錯開或逐列錯開。 基於上述，可獲得檢測精度優異之感測器SE及感測器SE之驅動方法。 (第5實施形態) 其次，對第5實施形態之液晶顯示裝置進行說明。另，於本實施形態中，液晶顯示裝置為附感測器之液晶顯示裝置。圖18係顯示第5實施形態之液晶顯示裝置之構成之立體圖。 如圖18所示，液晶顯示裝置DSP具備主動矩陣型之液晶顯示面板PNL、驅動液晶顯示面板PNL之驅動IC IC1、照明液晶顯示面板PNL之背光單元BL、控制模組CM、及可撓性配線基板FPC1、FPC3等。 液晶顯示面板PNL具備平板狀之第1基板SUB1、與第1基板SUB1對向配置之平板狀之第2基板SUB2、及挾持於第1基板SUB1與第2基板SUB2之間之液晶層。另，於本實施形態中，可將第1基板SUB1、第2基板SUB2分別改稱為陣列基板、對向基板。 作為第1基板SUB1，可應用上述之實施形態之第1基板SUB1。但，於本實施形態中，為了應用於液晶顯示面板PNL，第1基板SUB1亦可根據需要加以變化。例如，第1基板SUB1亦可於與液晶層相接之表面具備配向膜。此外，構成第1基板SUB1之構件之功能有時與上述之實施形態不同。例如，上述之構件之中，檢測電極DE亦作為像素電極發揮功能，檢測開關DS亦作為像素開關發揮功能。信號線S進而具有經由檢測開關DS對檢測電極DE傳遞圖像信號(例如影像信號)之功能。 另，於本說明書中，以下，有時將檢測電極DE改稱為像素電極(PE)，將檢測開關DS改稱像素開關(PSW)，將控制線C改稱為掃描線(G)，將控制線驅動電路CD改稱為掃描線驅動電路(GD)。 液晶顯示面板PNL具備顯示圖像之顯示區域DA。顯示區域DA相當於上述實施形態之主動區域AA。該液晶顯示面板PNL係具備藉由選擇性地透過來自背光單元BL之背光而顯示圖像之透過顯示功能之透過型。另，該液晶顯示面板PNL亦可為除透過顯示功能以外，還具備藉由選擇性地反射外光而顯示圖像之反射顯示功能之半透過型。 如圖19所示，液晶顯示面板PNL具有與FFS((Fringe Field Switching：邊緣場切換)模式等為主之利用大致平行於基板主面之橫向電場之IPS(In-Plane Switching：平面內切換)模式對應之構成。另，此處之基板主面係與以第1方向X與第2方向Y規定之X-Y平面平行之面。於本實施形態中，於第1基板SUB1具備像素電極PE及共通電極CE之兩者。為了形成上述橫向電場，例如各個像素電極PE於與共通電極CE對向之位置具有狹縫SL。於圖示之例中，像素電極PE連接於具有第1開關元件PSW1a及第2開關元件PSW1b之第1像素開關PSW1。 因此，可就此使用一般所知之TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)液晶製程形成液晶顯示面板PNL。 如圖18所示，背光單元BL係配置於第1基板SUB1之背面側。作為此種背光單元BL，可應用多種形態，又，作為光源，可應用利用發光二極體(LED：light emitting diode)者等，關於詳細構造係省略說明。再者，於液晶顯示面板PNL為僅具備反射顯示功能之反射型之情形時，省略背光單元BL。 液晶顯示裝置DSP亦可具備上述之蓋構件CG。例如可於顯示液晶顯示面板PNL之圖像之畫面側之外面之上方設置蓋構件CG。此處，上述外面係第2基板SUB2之與第1基板SUB1對向之面為相反側之面，包含顯示圖像之顯示面。 作為第1驅動部之驅動IC IC1係搭載於液晶顯示面板PNL之第1基板SUB1上。驅動IC IC1連接於上述之多工器MU或掃描線驅動電路。共通電極CE雖未與驅動IC IC1對向，但擴張形成至顯示區域DA之外側，而與多工器MU或掃描線驅動電路對向。可撓性配線基板FPC1係連接液晶顯示面板PNL與控制模組CM。控制模組CM對驅動IC IC1賦予信號或電壓。可撓性配線基板FPC3係連接背光單元BL與控制模組CM。 其次，對第5實施形態之液晶顯示裝置DSP之驅動方法進行說明。 於第5實施形態中，液晶顯示裝置DSP可進行顯示圖像之顯示驅動、與進行感測之感測驅動。 於顯示驅動時，共通電極驅動電路可對共通電極CE賦予共通驅動信號。共通電極驅動電路例如可形成於驅動IC IC1。作為共通驅動信號(共通電壓)，可例示性舉出0 V等恆定電壓。另一方面，對像素電極，可藉由驅動IC IC1、多工器MU、掃描線驅動電路等，賦予圖像信號。 另一方面，感測驅動可於進行顯示驅動之顯示期間之間之消隱期間設置感測期間。作為上述消隱期間，可列舉水平消隱期間或垂直消隱期間。第1檢測單元DU1於進行感測之感測驅動時，將位於顯示區域DA中之一部分區域之複數個像素電極設定為感測之對象。於本實施形態中，將位於顯示區域DA中之感測區域SA之複數個像素電極預先設定為感測之對象。藉此，只要於感測區域SA之範圍內進行感測即可，無需於顯示區域DA之全域進行感測。例如，可謀求感測所需之時間期間之縮短。又，能夠抑制感測區域SA之外側之顯示品質之下降。 第1檢測單元DU1對位於感測區域SA之複數個像素電極之各者，經由多工器MU、對應之信號線S及對應之像素開關寫入寫入信號Vw，且自複數個像素電極之各者讀取顯示寫入信號之變化之讀取信號Vr。藉此，可對被檢測部進行感測。此種感測於進行指紋之檢測之情形等較佳。 於本實施形態中，亦於感測期間，若對共通電極CE賦予電位調整信號Va則可抑制感測器感度之下降，故而較佳。 又，亦可不以單個電極形成共通電極CE，而以於感測區域SA、與感測區域SA以外之區域空開電性絕緣距離而設置之複數個電極形成共通電極CE。藉此，可對感測區域SA之電極(共通電極CE)賦予電位調整信號Va，對感測區域SA以外之區域之電極(共通電極CE)賦予共通驅動信號。藉此，可一面抑制感測器感度之下降，一面抑制感測區域SA之外側之顯示品質之下降。 根據如上述構成之第5實施形態之附感測器之液晶顯示裝置DSP及附感測器之液晶顯示裝置DSP之驅動方法，液晶顯示裝置DSP與上述實施形態之感測器SE同樣地具備掃描線、信號線S、像素開關、共通電極CE、像素電極、掃描線驅動電路、及多工器MU。因此，於第5實施形態中，亦可獲得與上述第1實施形態相同之效果。 又，亦可將用以顯示圖像而使用之配線、電極、開關、電路等用於感測。因此，可抑制對液晶顯示裝置DSP追加用於感測之構件。 另，於上述第5實施形態中，亦可切換為第1模式(自我電容模式)及第2模式(相互電容模式)之一者，而進行感測。 基於上述，可獲得檢測精度優異之附感測器之液晶顯示裝置DSP及附感測器之液晶顯示裝置DSP之驅動方法。 (第6實施形態) 其次，對第6實施形態之液晶顯示裝置DSP進行說明。另，於本實施形態中，液晶顯示裝置為附感測器之液晶顯示裝置。 上述第5實施形態係進行顯示驅動、與感測驅動，且於感測驅動中，將設為感測之對象之區域特定為顯示區域DA之一部分者。相對於此，第6實施形態係進行顯示區域、與感測驅動，進而進行用於特定出被檢測部之位置之位置檢測驅動者。藉此，可於位置檢測驅動特定出被檢測部所在之區域，且藉由感測驅動感測所特定之區域。例如，可以位置檢測驅動特定出被檢測部所在之區域，且以感測驅動檢測被檢測部之凹凸圖案。 於特定被檢測部之位置時，利用位於液晶顯示面板PNL之顯示區域DA之位置檢測感測器PSE。位置檢測感測器PSE與檢測被檢測部之凹凸圖案之感測器不同。於位置檢測感測器PSE，連接有第2檢測單元DU2。第2檢測單元DU2於檢測被檢測部之位置資訊之位置檢測驅動時，驅動位置檢測感測器PSE，檢測上述被檢測部之位置資訊。位置檢測感測器PSE係由與第1檢測單元DU1不同之第2檢測單元DU2驅動。第1檢測單元DU1於檢測被檢測部之凹凸圖案之感測驅動時，基於上述位置資訊將被檢測部所在之區域之複數個像素電極設定為感測之對象。 作為用以確定檢測部之位置而使用之位置檢測感測器PSE之電極，可自液晶顯示裝置DSP之電極中之各種電極選擇。 例如，可選擇共通電極CE作為位置檢測感測器PSE之電極。於該情形時，共通電極CE係以複數個電極形成。例如，上述複數個電極係配置成矩陣狀。第2檢測單元DU2對各個上述電極寫入第1信號Wr，並自各個上述電極讀取顯示上述第1信號之變化之第2信號Re。如上述，可以自我電容模式，檢測被檢測部之位置資訊。 或者，作為位置檢測感測器PSE之電極，可選擇對液晶顯示裝置DSP追加之複數個位置檢測電極Rx。例如，上述複數個位置檢測電極Rx係配置成矩陣狀。第2檢測單元DU2對各個位置檢測電極Rx寫入第1信號Wr，並自各個位置檢測電極Rx讀取顯示上述第1信號之變化之第2信號Re。如上述，可以自我電容模式，檢測被檢測部之位置資訊。 又，作為位置檢測感測器PSE之電極，可選擇共通電極CE、與對液晶顯示裝置DSP追加之複數個位置檢測電極Rx之組合。例如，上述複數個位置檢測電極Rx與共通電極CE之複數個電極係交叉設置。第2檢測單元DU2對共通電極CE之各者之電極寫入第1信號Wr，並自各個位置檢測電極Rx讀取第2信號Re。如上述，可以相互電容模式，檢測被檢測部之位置資訊。 以下，於本實施形態中，作為如下者進行說明：選擇共通電極CE、與複數個位置檢測電極Rx之組合，作為位置檢測感測器PSE之電極，且以相互電容模式檢測被檢測部之位置資訊。 首先，對第6實施形態之液晶顯示裝置之構成進行說明。圖20係顯示第6實施形態之附感測器之液晶顯示裝置DSP之構成之立體圖。 如圖20所示，液晶顯示裝置DSP具備主動矩陣型之液晶顯示面板PNL、驅動液晶顯示面板PNL之驅動IC IC1、靜電電容型之位置檢測感測器PSE、驅動位置檢測感測器PSE之驅動IC IC2、背光單元BL、控制模組CM、及可撓性配線基板FPC1、FPC2、FPC3等。於本實施形態中，驅動IC IC1與驅動IC IC2形成第2檢測單元DU2。液晶顯示面板PNL具備第1基板SUB1、第2基板SUB2、及液晶層。 作為第1驅動部之驅動IC IC1係搭載於液晶顯示面板PNL之第1基板SUB1上。可撓性配線基板FPC1係連接液晶顯示面板PNL與控制模組CM。可撓性配線基板FPC2係連接位置檢測感測器PSE中之位置檢測電極Rx與控制模組CM。作為第2驅動部之驅動IC IC2搭載於可撓性配線基板FPC2上。 驅動IC IC1及驅動IC IC2係經由可撓性配線基板FPC2等連接。例如，於可撓性配線基板FPC2具有連接於第1基板SUB1上之分支部FPCB之情形時，驅動IC IC1及驅動IC IC2亦可經由分支部FPCB及第1基板SUB1上之配線連接。又，驅動IC IC1及驅動IC IC2亦可經由可撓性配線基板FPC1及FPC2連接。 驅動IC IC2可對驅動IC IC1賦予通知位置檢測感測器PSE之驅動時期之時序信號。或者，驅動IC IC1可對驅動IC IC2賦予通知後述之共通電極CE之驅動時期之時序信號。或者，控制模組CM可對驅動IC IC1及IC2賦予時序信號。藉由上述時序信號，可謀求驅動IC IC1之驅動、與驅動IC IC2之驅動之同步化。 其次，對上述液晶顯示裝置DSP之進行用於檢測被檢測部對畫面之接觸或靠近之位置檢測之位置檢測驅動時之動作進行說明。即，對共通電極CE，自共通電極驅動電路賦予位置檢測感測器驅動信號。於如此狀態下，藉由位置檢測感測器PSE接收來自共通電極CE之感測器信號，而進行位置檢測。 此處，一面參照圖21一面對位置檢測之一例之原理進行說明。 如圖21所示，位置檢測感測器PSE具備複數個位置檢測電極Rx、與共通電極CE。共通電極CE具備複數個分割電極CEa。位置檢測電極Rx至少位於顯示區域DA。設置位置檢測電極Rx之部位雖未特別限定，但可將位置檢測電極Rx設置於第2基板SUB2或蓋構件CG。於該情形時，藉由將位置檢測電極Rx形成為細線、或形成為網狀，而可於位置檢測電極Rx之間或位置檢測電極Rx之內部形成間隙。且，通過上述間隙，被檢測部與像素電極可靜電電容耦合。於分割電極CEa與位置檢測電極Rx之間，存在電容Cc。即，位置檢測電極Rx與分割電極CEa(共通電極CE)靜電電容耦合。於分割電極CEa之各者，依序按特定之週期供給脈衝狀之第1信號(感測器驅動信號)Wr。於該例中，利用者之手指係接近特定之位置檢測電極Rx與分割電極CEa交叉之位置而存在。藉由接近位置檢測電極Rx之利用者之手指，而產生電容Cx。於對分割電極CEa供給脈衝狀之第1信號Wr時，自特定之位置檢測電極Rx獲得位準較自其他位置檢測電極獲得之脈衝更低之脈衝狀之第2信號(感測器輸出值)Re。第2信號Re係經由引線獲得。即，於檢測顯示區域DA之利用者之手指之位置資訊即輸入位置資訊時，驅動IC IC1(共通電極驅動電路)對共通電極CE(分割電極CEa)供給第1信號Wr，而於共通電極CE與位置檢測電極Rx之間產生感測器信號。驅動IC IC2連接於位置檢測電極Rx而讀取顯示上述感測器信號(例如、於位置檢測電極Rx產生之靜電電容)之變化之第2信號Re。 驅動IC IC2或控制模組CM可基於將第1信號Wr供給至分割電極CEa之時序、與來自各位置檢測電極Rx之第2信號Re，檢測於位置檢測感測器PSE之X-Y平面內之手指之2維位置資訊。又，上述之電容Cx係於手指距位置檢測電極Rx較近之情形、與較遠之情形時不同。因此，第2信號Re之位準於手指距位置檢測電極Rx較近之情形、與較遠之情形時亦不同。因此，於驅動IC IC2或控制模組CM，亦可基於第2信號Re之位準，檢測手指對位置檢測感測器PSE之接近度(與第1方向X及第2方向Y正交之第3方向Z之距離)。 如上述，第2檢測單元DU2於檢測手指之位置資訊之位置檢測驅動時，驅動位置檢測感測器PSE，檢測手指之位置資訊。另，於位置檢測驅動時，將像素電極切換為電性浮動狀態。 其次，第1檢測單元DU1於檢測手指之指紋之感測驅動時，基於上述位置資訊將手指所在之區域之複數個像素電極設定為感測之對象。第1檢測單元DU1對上述對象之複數個像素電極之各者，經由多工器MU、對應之信號線S及對應之像素開關寫入寫入信號Vw，且自上述複數個像素電極之各者讀取顯示寫入信號之變化之讀取信號Vr。第1檢測單元DU1對共通電極CE賦予與上述寫入信號Vr同步且關於相位及振幅與寫入信號Vr相同之電位調整信號Va。 根據如上述構成之第6實施形態之附感測器之液晶顯示裝置DSP及附感測器之液晶顯示裝置DSP之驅動方法，液晶顯示裝置DSP與上述實施形態之感測器SE同樣地具備掃描線、信號線S、像素開關、共通電極CE、像素電極、掃描線驅動電路、及多工器MU。因此，於第6實施形態中，亦可獲得與上述第1實施形態相同之效果。 液晶顯示裝置DSP進而具備位置檢測感測器PSE及第2檢測單元DU2。藉此，由於無需以像素之精細度仔細感測顯示區域DA之全域，故可謀求感測所需之時間期間之縮短。 另，於本實施形態中，亦可將複數個檢測電極DE捆束、錯開，而檢測指紋。進而，於本實施形態中，亦可將複數個檢測電極DE捆束、錯開，而檢測手指之位置資訊。於該情形時，可省略對液晶顯示裝置DSP之位置檢測電極Rx、第2檢測單元DU2等之追加。 基於上述，可獲得檢測精度優異之附感測器之液晶顯示裝置DSP及附感測器之液晶顯示裝置DSP之驅動方法。 (第7實施形態) 其次，對第7實施形態之液晶顯示裝置DSP進行說明。另，於本實施形態中，液晶顯示裝置為附感測器之液晶顯示裝置。 如圖22所示，感測區域SA與第5實施形態(圖18)不同，位於顯示區域DA之外側。可獨立進行顯示區域DA之顯示驅動、與感測區域SA之感測驅動。又，與於顯示區域DA之一部分設定感測區域之情形相比，能夠抑制顯示區域DA之顯示品質之下降。 於形成第1基板SUB1時，可使用同一製造製程形成顯示區域DA與感測區域SA。若一面參照上述圖4及圖19一面予以說明，則例如可將顯示區域DA之像素電極PE與感測區域SA之檢測電極DE設置於同層。此處，像素電極PE與檢測電極DE係設置於第4絕緣膜14之上。 另，於上述第7實施形態中，亦可切換為第1模式(自我電容模式)及第2模式(相互電容模式)之一者，而進行感測。 基於上述，於第7實施形態中，亦可獲得檢測精度優異之附感測器之液晶顯示裝置DSP及附感測器之液晶顯示裝置DSP之驅動方法。 (第8實施形態) 其次，對第8實施形態之液晶顯示裝置DSP進行說明。另，於本實施形態中，液晶顯示裝置為附感測器之液晶顯示裝置。 如圖23所示，於顯示區域DA中，複數個像素PX排列成矩陣狀。該等像素PX係由連接於掃描線驅動電路GD之複數條掃描線G、與連接於多工器MU之複數條信號線S包圍。 於顯示區域DA之一部分，設定有感測區域SA。感測區域SA之內部係與圖1所示之主動區域AA之內部同樣地構成。因此，於本實施形態中，亦可將像素電極PE與檢測電極DE設置於同層。 基於上述，於第8實施形態中，亦可獲得檢測精度優異之附感測器之液晶顯示裝置DSP及附感測器之液晶顯示裝置DSP之驅動方法。 雖然已說明本發明之若干實施形態，但該等實施形態僅係作為實例而提出者，並非意欲限定發明之範圍。該等新穎實施形態可以其他各種形態實施，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行各種省略、置換、及變更。該等實施形態及其變化包含於發明之範圍及主旨，且包含於申請專利範圍所記載之發明與其等效之範圍內。亦可根據需要，組合複數個實施形態。 例如，多工器MU亦可如圖24所示所示般構成。與圖5所示之多工器MU相比，圖24所示之變化例之多工器MU於以單個N通道型之薄膜電晶體形成各個控制開關CSW之方面、與形成為無連接線W2之方面不同。各個控制開關CSW係切換為電性連接連接線W1與信號線S之狀態、與將信號線S切換為電性浮動狀態之狀態之任一者。 驅動IC IC1及驅動IC IC2亦可一體地形成。即，驅動IC IC1及驅動IC IC2亦可匯集於單一之驅動IC。 作為上述之電路、驅動IC、控制模組等之控制部，並非限定於控制線驅動電路CD(掃描線驅動電路)、多工器MU、控制模組CM、驅動IC IC1、IC2，而可進行多種變化，只要可電性控制第1基板SUB1(液晶顯示面板PNL)、位置檢測電極Rx(位置檢測感測器PSE)即可。 於上述實施形態中，作為顯示裝置，以液晶顯示裝置為例予以揭示。然而，上述之實施形態可應用於有機EL(electroluminescent：電致發光)顯示裝置、其他自發光型顯示裝置、或具有電泳元件等之電子紙型顯示裝置等、所有平板型之顯示裝置。又，上述之實施形態當然可無特別限定地應用於中小型之顯示裝置至大型之顯示裝置。相關申請案之交叉參考 本申請案係基於2015年10月9日申請之日本專利申請案第2015-200807號主張優先權之權益，其全部內容以引用之方式併入本文中。

1H‧‧‧水平掃描期間
10‧‧‧第1絕緣基板
11‧‧‧第1絕緣膜
12‧‧‧第2絕緣膜
13‧‧‧第3絕緣膜
A1‧‧‧第1輔助配線
A2‧‧‧第2輔助配線
AA‧‧‧主動區域
Ab1‧‧‧第1分支部
Ab2‧‧‧第2分支部
Ab3‧‧‧第3分支部
Ab4‧‧‧第4分支部
AFE‧‧‧類比前端
Ak‧‧‧第k輔助配線
AMP‧‧‧運算放大器
BL‧‧‧背光單元
C‧‧‧控制線
C1‧‧‧第1控制線
C2‧‧‧第2控制線
Cb‧‧‧分支部
CC‧‧‧電路控制信號源
Cc‧‧‧電容
CD‧‧‧控制線驅動電路
CE‧‧‧共通電極
CEa‧‧‧分割電極
CG‧‧‧蓋構件
Cha1‧‧‧接觸孔
Cha2‧‧‧接觸孔
Cha3‧‧‧接觸孔
Cha4‧‧‧接觸孔
Cj-1‧‧‧第j-1控制線
Cj‧‧‧第j控制線
CKV‧‧‧時脈信號
CL1‧‧‧第1導電層
CL2‧‧‧第2導電層
CL3‧‧‧第3導電層
CL4‧‧‧第4導電層
CM‧‧‧控制模組
CON‧‧‧電容器
COS‧‧‧控制開關
CS‧‧‧驅動信號
CSW1‧‧‧第1控制開關
CSW2‧‧‧第2控制開關
CSW3‧‧‧第3控制開關
CSW4‧‧‧第4控制開關
CSW5‧‧‧第5控制開關
CSW6‧‧‧第6控制開關
CSWG1‧‧‧第1控制開關群
CSWG2‧‧‧第2控制開關群
Cx‧‧‧電容
DA‧‧‧顯示區域
DE‧‧‧檢測電極
DE1‧‧‧第1檢測電極
DE2‧‧‧第2檢測電極
DE3‧‧‧第3檢測電極
DE4‧‧‧第4檢測電極
DS‧‧‧檢測開關
DS1‧‧‧第1檢測開關
DS1a‧‧‧第1開關元件
DS1b‧‧‧第2開關元件
DS2‧‧‧第2檢測開關
DS2a‧‧‧第1開關元件
DS2b‧‧‧第2開關元件
DS3‧‧‧第3檢測開關
DS3a‧‧‧第1開關元件
DS3b‧‧‧第2開關元件
DS4‧‧‧第4檢測開關
DS4a‧‧‧第1開關元件
DS4b‧‧‧第2開關元件
DSP‧‧‧液晶顯示裝置
DT‧‧‧檢測器
DU1‧‧‧第1檢測單元
DU2‧‧‧第2檢測單元
F‧‧‧次(幀期間)
F+1‧‧‧次(幀期間)
FPC‧‧‧可撓性配線基板
FPC1‧‧‧可撓性配線基板
FPC2‧‧‧可撓性配線基板
FPC3‧‧‧可撓性配線基板
FPCB‧‧‧分支部
G‧‧‧掃描線
GD‧‧‧掃描線驅動電路
IC1‧‧‧驅動IC
IC2‧‧‧驅動IC
IN‧‧‧積分器
IS‧‧‧輸入面
IV-IV‧‧‧線
MC‧‧‧主控制部
MU‧‧‧多工器
OP1‧‧‧第1開口
PC‧‧‧電源控制部
PE‧‧‧像素電極
PG‧‧‧OLB焊墊群
PNL‧‧‧液晶顯示面板
PSE‧‧‧位置檢測感測器
PSW1‧‧‧第1像素開關
PSW1a‧‧‧第1開關元件
PSW1b‧‧‧第2開關元件
PX‧‧‧像素
Re‧‧‧第2信號
RST‧‧‧重設開關
Rx‧‧‧位置檢測電極
S‧‧‧信號線
S1‧‧‧第1信號線
S2‧‧‧第2信號線
S3‧‧‧第3信號線
S4‧‧‧第4信號線
S5‧‧‧第5信號線
S6‧‧‧第6信號線
S7‧‧‧第7信號線
S8‧‧‧第8信號線
SA‧‧‧感測區域
Sb1‧‧‧分支部
Sb2‧‧‧分支部
Sb3‧‧‧分支部
Sb4‧‧‧分支部
SC1‧‧‧第1半導體層
SC2‧‧‧第2半導體層
SC3‧‧‧第3半導體層
SC4‧‧‧第4半導體層
SE‧‧‧感測器
SG‧‧‧信號源
SH1‧‧‧第1屏蔽電極
SH2‧‧‧第2屏蔽電極
SH3‧‧‧第3屏蔽電極
SH4‧‧‧第4屏蔽電極
Si-1‧‧‧第i-1信號線
Si‧‧‧第i信號線
SL‧‧‧狹縫
SR‧‧‧位移暫存器
STB‧‧‧重設信號
STV‧‧‧開始脈衝信號
SUB1‧‧‧第1基板
SUB2‧‧‧第2基板
SW1‧‧‧開關
SW2‧‧‧開關
TSHD‧‧‧水平同步信號
TSVD‧‧‧垂直同步信號
Va‧‧‧電位調整信號
Vr‧‧‧讀取信號
Vs‧‧‧同步信號
Vc‧‧‧控制信號
Vcsw‧‧‧控制信號
Vcsw1‧‧‧控制信號
Vcsw2‧‧‧控制信號
Vcsw3‧‧‧控制信號
Vcsw4‧‧‧控制信號
Vcsw5‧‧‧控制信號
Vcsw6‧‧‧控制信號
Vd‧‧‧資料信號
Vdd‧‧‧電源電壓
Vout‧‧‧輸出信號
Vss‧‧‧電源電壓
Vw‧‧‧寫入信號
W1‧‧‧連接線
W2‧‧‧連接線
W3‧‧‧控制線
W4‧‧‧控制線
W5‧‧‧控制線
W6‧‧‧控制線
W7‧‧‧控制線
W8‧‧‧控制線
Wd‧‧‧高電位電源線
Wr‧‧‧第1信號
Ws‧‧‧低電位電源線
X‧‧‧第1方向
Y‧‧‧第2方向
Z‧‧‧第3方向

圖1係顯示第1實施形態之感測器之俯視圖。 圖2係顯示圖1所示之感測器之4個像素與各種配線之電性連接關係之等價電路圖。 圖3係顯示圖1所示之第1基板之一部分之放大俯視圖，且係顯示圖2所示之4個像素與各種配線之俯視圖。 圖4係沿圖3之線IV-IV顯示之上述第1基板之剖視圖。 圖5係顯示上述第1基板之主動區域之外側之一部分之放大俯視圖，且係顯示多工器之電路圖。 圖6係顯示上述感測器之電性連接關係之等價電路圖。 圖7係顯示上述感測器之檢測器之電路圖。 圖8係用於說明上述感測器之驅動方法之時序圖，且係顯示F幀期間中之一部分期間、F+1幀期間中之一部分期間之重設信號、開始脈衝信號、及時脈信號、控制信號、垂直同步信號、水平同步信號、及寫入信號之圖。 圖9係用以說明於上述感測器之驅動所利用之各種信號及電壓之時序圖，且係顯示水平同步信號、寫入信號、電位調整信號、控制信號、及電源電壓之圖。 圖10係顯示第2實施形態之感測器之4個像素與各種配線之電性連接關係之等價電路圖。 圖11係用於說明第3實施形態之感測器之驅動方法之時序圖，且係顯示一水平掃描期間之時脈信號、控制信號、及水平同步信號之圖。 圖12係顯示第4實施形態之感測器之第1基板之主動區域外側之一部分之放大俯視圖，且係顯示多工器之電路圖。 圖13係用於例示性說明上述第4實施形態之感測器之驅動方法之電路圖。 圖14係接續圖13，用於例示性說明上述第4實施形態之感測器之驅動方法之電路圖。 圖15係接續圖14，用於例示性說明上述第4實施形態之感測器之驅動方法之電路圖。 圖16係接續圖15，用於例示性說明上述第4實施形態之感測器之驅動方法之電路圖。 圖17係接續圖16，用於例示性說明上述第4實施形態之感測器之驅動方法之電路圖。 圖18係顯示第5實施形態之液晶顯示裝置之構成之立體圖。 圖19係顯示上述第5實施形態之液晶顯示裝置之第1基板之概略剖視圖。 圖20係顯示第6實施形態之液晶顯示裝置之構成之立體圖。 圖21係用於說明位置檢測方法之一例之原理之圖。 圖22係顯示第7實施形態之液晶顯示裝置之液晶顯示面板之構成之俯視圖。 圖23係顯示第8實施形態之液晶顯示裝置之第1基板之構成之俯視圖。 圖24係顯示上述多工器之變化例之電路圖。

10‧‧‧第1絕緣基板

A1‧‧‧第1輔助配線

AA‧‧‧主動區域

Ak‧‧‧第k輔助配線

C1‧‧‧第1控制線

C2‧‧‧第2控制線

CD‧‧‧控制線驅動電路

CE‧‧‧共通電極

Cj-1‧‧‧第j-1控制線

Cj‧‧‧第j控制線

CM‧‧‧控制模組

DE‧‧‧檢測電極

DS‧‧‧檢測開關

DU1‧‧‧第1檢測單元

FPC‧‧‧可撓性配線基板

MU‧‧‧多工器

PG‧‧‧OLB焊墊群

S1‧‧‧第1信號線

S2‧‧‧第2信號線

SE‧‧‧感測器

Si-1‧‧‧第i-1信號線

Si‧‧‧第i信號線

SUB1‧‧‧第1基板

X‧‧‧第1方向

Y‧‧‧第2方向

Claims (15)

1. 一種感測器，其包含： 第1控制線； 第1信號線； 第1檢測開關，其連接於上述第1控制線與上述第1信號線； 共通電極，其位於上述第1控制線、上述第1信號線及上述第1檢測開關之上方，與上述第1控制線、上述第1信號線及上述第1檢測開關對向，且具有與上述第1檢測開關對向之第1開口； 第1檢測電極，其位於上述共通電極之上方，且與上述第1開口對向，而通過上述第1開口連接於上述第1檢測開關； 第1電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述第1控制線，而賦予上述第1控制線將上述第1檢測開關切換成將上述第1信號線與上述第1檢測電極電性連接之第1連接狀態、及將上述第1信號線與上述第1檢測電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者之驅動信號；及 第2電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述第1信號線。
2. 如請求項1之感測器，其進而包含：第1檢測單元，其對上述共通電極賦予電位調整信號，而控制上述第1電路及上述第2信號之驅動，且於藉由上述驅動信號將上述第1檢測開關切換成上述第1連接狀態之狀態下，經由上述第2電路、上述第1信號線及上述第1檢測開關對上述第1檢測電極寫入寫入信號，且自上述第1檢測電極讀取顯示上述寫入信號之變化之讀取信號；且 於進行感測之感測驅動時，上述電位調整信號與上述寫入信號同步，且關於相位及振幅與上述寫入信號相同。
3. 如請求項2之感測器，其中上述第1檢測單元對上述第1電路賦予電源電壓； 於上述感測驅動時，將重疊信號分別重疊於上述驅動信號及上述電源電壓； 上述重疊信號與上述寫入信號同步，且關於相位及振幅與上述寫入信號相同。
4. 如請求項2之感測器，其中上述第1檢測單元對上述第2電路賦予控制信號； 於上述感測驅動時，將重疊信號重疊於上述控制信號； 上述重疊信號與上述寫入信號同步，且關於相位及振幅與上述寫入信號相同。
5. 如請求項2之感測器，其進而包含： 輔助配線，其相對於上述共通電極位於上述第1檢測電極之相反側而與上述共通電極對向，且連接於上述第1檢測單元；及 屏蔽電極，其相對於上述第1信號線位於上述共通電極之相反側而與上述第1信號線對向，且連接於上述輔助配線；且 上述第1檢測單元經由上述輔助配線進而對上述屏蔽電極賦予上述電位調整信號。
6. 如請求項2之感測器，其進而包含：輔助配線，其相對於上述共通電極位於上述第1檢測電極之相反側而與上述共通電極對向，且連接於上述第1檢測單元；且 上述共通電極於複數處所連接於上述輔助配線； 上述第1檢測單元經由上述輔助配線對上述共通電極賦予上述電位調整信號。
7. 如請求項2之感測器，其進而包含： 第2信號線，其連接於上述第2電路； 第2檢測開關，其連接於上述第1控制線與上述第2信號線；及 第2檢測電極，其位於上述共通電極之上方；且 上述共通電極位於上述第2信號線及上述第2檢測開關之上方，與上述第2信號線及上述第2檢測開關對向，且進而具有與上述第2檢測開關對向之第2開口； 上述第2檢測電極與上述第2開口對向，而通過上述第2開口連接於上述第2檢測開關； 上述第1檢測單元對上述第2電路賦予控制信號及上述電位調整信號； 上述第2電路具有：第1控制開關，其藉由上述控制信號切換為賦予上述第1信號線上述寫入信號之第1切換狀態、及賦予上述第1信號線上述電位調整信號之第2切換狀態之任一者；及第2控制開關，其藉由上述控制信號切換為賦予上述第2信號線上述寫入信號之第1切換狀態、及賦予上述第2信號線上述電位調整信號之第2切換狀態之任一者；且 上述第1檢測單元係 於上述感測驅動時之一感測期間， 藉由上述控制信號將上述第1控制開關切換為上述第1切換狀態且將上述第2控制開關切換為上述第2切換狀態，藉由上述驅動信號將上述第1檢測開關切換為上述第1連接狀態，藉由上述驅動信號將上述第2檢測開關切換為電性連接上述第1信號線與上述第2檢測電極之第1連接狀態； 經由上述第1控制開關、上述第1信號線及上述第1檢測開關對上述第1檢測電極寫入上述寫入信號，且自上述第1檢測電極讀取顯示上述寫入信號之變化之上述讀取信號； 經由上述第2控制開關、上述第2信號線及上述第2檢測開關賦予上述第2檢測電極上述電位調整信號。
8. 如請求項2之感測器，其進而包含： 第2信號線，其連接於上述第1電路； 第3檢測開關，其連接於上述第2控制線與上述第1信號線； 輔助配線，其連接於上述第1檢測單元、上述第1檢測開關及上述第3檢測開關；及 第3檢測電極，其位於上述共通電極之上方；且 上述共通電極位於上述第2控制線、上述第3檢測開關及輔助配線之上方，與上述第2控制線、上述第3檢測開關及上述輔助配線對向，且進而具有與上述第3檢測開關對向之第3開口； 上述第3檢測電極與上述第3開口對向，而通過第3開口連接於上述第3檢測開關； 上述第1電路對上述第2控制線賦予上述驅動信號； 上述第1檢測開關於上述第1連接狀態下電性連接上述第1信號線與上述第1檢測電極，於上述第2連接狀態下電性連接上述輔助配線與上述第1檢測電極； 上述第3檢測開關藉由上述驅動信號而切換為電性連接上述第1信號線與上述第3檢測電極之第1連接狀態、及電性連接上述輔助配線與上述第3檢測電極之第2連接狀態之任一者； 上述第1檢測單元係 於上述感測驅動時之一感測期間， 藉由上述驅動信號將上述第1檢測開關切換為上述第1連接狀態，且將上述第3檢測開關切換為上述第2連接狀態； 經由上述第1信號線及上述第1檢測開關對上述第1檢測電極寫入上述寫入信號，且自上述第1檢測電極讀取顯示上述寫入信號之變化之上述讀取信號； 經由上述輔助配線及上述第3檢測開關，對上述第3檢測電極賦予上述電位調整信號。
9. 一種感測器，其包含： 複數條控制線，其等於列方向上延伸； 複數條信號線，其等於行方向上延伸； 複數個檢測開關，且各個上述檢測開關連接於1條上述控制線與1條上述信號線； 共通電極，其位於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個檢測開關之上方，與上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個檢測開關對向，且具有複數個開口，且上述各個開口與1個上述檢測開關對向； 複數個檢測電極，其等位於上述共通電極之上方，且各個上述檢測電極與對應之上述開口對向，而通過上述開口連接於對應之上述檢測開關； 第1電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條控制線，而對各個上述控制線賦予驅動信號，將各個上述檢測開關切換成將上述信號線與上述檢測電極電性連接之第1連接狀態、及將上述信號線與上述檢測電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者； 第2電路，其位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條信號線；及 第1檢測單元，其對上述共通電極賦予電位調整信號，而控制上述第1電路及上述第2電路之驅動；且 上述第1檢測單元係 於進行感測之感測驅動時之第1感測期間，對第m行及第m+1行之中，位於第n列及第n+1列之4個檢測電極，經由上述第2電路、對應之2條信號線及對應之4個檢測開關同時寫入寫入信號，且自上述4個檢測電極之各者讀取顯示上述寫入信號之變化之讀取信號，並將讀取到之複數個讀取信號捆束成1個信號； 於繼上述第1感測期間之上述感測驅動時之第2感測期間，對第m+1行及第m+2行之中，位於第n列及第n+1列之4個檢測電極，經由上述第2電路、對應之2條信號線及對應之4個檢測開關同時寫入上述寫入信號，且自上述4個檢測電極之各者讀取顯示上述寫入信號之變化之讀取信號，並將讀取到之複數個讀取信號捆束成1個信號； 於上述感測驅動時，上述電位調整信號與上述寫入信號同步，且關於相位及振幅與上述寫入信號相同。
10. 如請求項9之感測器，其中上述第1檢測單元係 於上述感測驅動時，於以位於第n列及第n+1列之複數個檢測電極為對象之感測結束之後，移至以位於第n+1列及第n+2列之複數個檢測電極為對象之感測。
11. 一種附感測器之顯示裝置，其包含顯示面板，該顯示面板包含： 複數條控制線； 複數條信號線； 複數個像素開關，且各個上述像素開關連接於1條上述控制線與1條上述信號線； 共通電極，其配置於顯示區域及上述顯示區域之外側，位於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關之上方，與上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關對向，且具有複數個開口，且上述各個開口與1個上述像素開關對向； 複數個像素電極，其等配置於上述顯示區域且位於上述共通電極之上方，且各個上述像素電極與對應之上述開口對向，而通過上述開口連接於對應之上述像素開關； 第1電路，其配置於上述顯示區域之外側且位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條控制線，而對各個上述控制線賦予驅動信號，將各個上述像素開關切換成將上述信號線與上述像素電極電性連接之第1連接狀態、及將上述信號線與上述像素電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者；及 第2電路，其配置於上述顯示區域之外側且位於上述共通電極之下方，與上述共通電極對向，且連接於上述複數條信號線。
12. 如請求項11之附感測器之顯示裝置，其進而包含：第1檢測單元，其連接於上述顯示面板，而控制上述第1電路及上述第2電路之驅動；且 上述第1檢測單元係於進行感測之感測驅動時， 將位於上述顯示區域中之一部分區域之複數個像素電極設定為感測之對象，對上述對象之複數個像素電極之各者，經由上述第2電路、對應之信號線及對應之像素開關寫入寫入信號，且自上述複數個像素電極之各者讀取顯示上述寫入信號之變化之讀取信號； 對上述共通電極賦予與上述寫入信號同步，且關於相位及振幅與上述寫入信號相同之電位調整信號。
13. 如請求項11之附感測器之顯示裝置，其進而包含： 第1檢測單元，其連接於上述顯示面板，而控制上述第1電路及上述第2電路之驅動； 位置檢測感測器，其位於上述顯示面板之上述顯示區域；及 第2檢測單元，其連接於上述位置檢測感測器；且 上述第2檢測單元於檢測被檢測部之位置資訊之位置檢測驅動時，驅動上述位置檢測感測器，檢測被檢測部之位置資訊； 上述第1檢測單元於檢測上述被檢測部之凹凸圖案之感測驅動時，基於上述位置資訊將上述被檢測部所在之區域中之複數個像素電極設定為感測之對象，對上述對象之複數個像素電極之各者，經由上述第2電路、對應之信號線及對應之像素開關寫入寫入信號，且自上述複數個像素電極之各者讀取顯示上述寫入信號之變化之讀取信號，並對上述共通電極賦予與上述寫入信號同步且關於相位及振幅與上述寫入信號相同之電位調整信號。
14. 如請求項11之附感測器之顯示裝置，其進而包含：檢測電極，其位於上述共通電極之上方；且 上述複數個像素電極與上述檢測電極係設置於同層。
15. 一種附感測器之顯示裝置，其包含顯示面板，該顯示面板包含： 複數條控制線； 複數條信號線； 複數個像素開關，且各個上述像素開關連接於1條上述控制線與1條上述信號線； 複數個像素電極，其等位於顯示區域，且設置於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關之上方； 檢測電極，其設置於上述複數條控制線、上述複數條信號線及上述複數個像素開關之上方； 第1電路，其設置於上述顯示區域之外側，且連接於上述複數條控制線，而對各個上述控制線賦予驅動信號，將各個上述像素開關切換成將上述信號線與上述像素電極電性連接之第1連接狀態、及將上述信號線與上述像素電極電性絕緣之第2連接狀態之任一者；及 第2電路，其設置於上述顯示區域之外側，且連接於上述複數條信號線；且 上述複數個像素電極與上述檢測電極係設置於同層。