TW201725777A - 金屬支持型電化學元件、固體氧化物型燃料電池及金屬支持型電化學元件之製造方法 - Google Patents

金屬支持型電化學元件、固體氧化物型燃料電池及金屬支持型電化學元件之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明實現具有緻密且具有高的氣體障壁性能的電解質層的元件。金屬支持型電化學元件，至少具有作為支持體之金屬基板、被形成於金屬基板上的電極層、被形成於電極層上的緩衝層、與被形成於緩衝層上的電解質層。電極層為多孔質，電解質層為緻密，緩衝層的緻密度比電極層的緻密度更大，且比電解質層的緻密度更小。

Description

金屬支持型電化學元件、固體氧化物型燃料電池及金屬支持型電化學元件之製造方法
本發明係關於至少具有作為支持體之金屬基板、被形成於前述金屬基板上的電極層、被形成於前述電極層上的緩衝層、與被形成於前述緩衝層上的電解質層之金屬支持型電化學元件與固體氧化物型燃料電池、以及該金屬支持型電化學元件之製造方法。
從前的電解質支持型之固體氧化物型燃料電池(以下簡稱為「SOFC」)或是電極支持型之SOFC，為了得到緻密且氣密性以及氣體障壁性高的電解質層，進行在高溫(例如1400℃)下之燒成(firing)。近年來，為了提高牢固性，開發出在金屬基板上支持燃料極、空氣極以及電解質層的金屬支持型SOFC。
在專利文獻1，揭示了在多孔質的金屬基板上，依序層積薄膜狀的燃料極層、電解質層、空氣極層之 金屬支持型SOFC。於此SOFC製造工程，在燃料極層之上塗布電解質層的材料使其乾燥後，進行壓製(press)。其後進行燒結，形成緻密的電解質層。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2008-234927號公報
然而，即使是以專利文獻1的方法所得到的電解質層，其性能也不夠充分，未能得到充分的開電路電壓(OCV)，有改良的必要性。另一方面，金屬支持型SOFC之製造時進行高溫的熱處理的話，支持體之金屬基板會劣化，由於鉻(Cr)等元素由金屬基板擴散而對於SOFC的構成要素(電極層、電解質層)造成不良影響，會使SOFC的性能或耐久性降低。亦即，期待著在較低溫度下的熱處理。但是，降低製造時的熱處理溫度的話，難以得到優質的電極層或電解質層。例如降低電解質層的燒成溫度的話，難以得到緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層。
進而，在從前的電極支持型SOFC或電解質支持型SOFC等，例如藉由共燒結金屬陶瓷(cermet)的陽極電極層與陶瓷的電解質層而得。在此場合，各層與支 持體一起同時收縮，所以支持體上的各層由支持體所受的拘束力並不大。但是在把金屬基板作為支持體的金屬支持型SOFC，金屬基板與電解質層或與電極層之間，燒成時的收縮率不同，所以電解質層與電極層被形成於金屬基板上時，電解質層及電極層由金屬基板所受的拘束力變大。亦即，要把以熱衝擊為首的各種對於應力的耐受性很高、性能/可信賴性/安定性都優異的多孔質的電極層與緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層，形成於金屬基板上是非常困難的。
亦即，要再可以抑制金屬基板的損傷的溫度例如1100℃以下的溫度區域得到在金屬基板上，把具有性能/可信賴性/安定性都優異的多孔質的電極層與緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層之金屬支持型SOFC，是非常困難的，特別是把燒結所必要的溫度區域很高的YSZ等氧化鋯系材料作為電解質使用的場合，是極為困難的。
本發明係有鑑於前述課題而完成的發明，目的在於實現在金屬基板上具有多孔質的電極層，與緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層之性能/可信賴性/安定性優異的金屬支持型電化學元件。
為了達成前述目的之相關於本發明的金屬支持型電化學元件的特徵構成，在於至少具有作為支持體之 金屬基板、被形成於前述金屬基板上的電極層、被形成於前述電極層上的緩衝層、與被形成於前述緩衝層上的電解質層；前述電極層為多孔質，前述電解質層為緻密，前述緩衝層的緻密度比前述電極層的緻密度更大，且比前述電解質層的緻密度更小。
本案發明人經過銳意檢討後，發現藉由在多孔質的電極層與緻密的電解質層之間設緩衝層，可以在金屬基板上安定地形成多孔質的電極層與緻密的電解質層，而且藉由把緩衝層導入電極層與電解質層之間可以緩和熱衝擊等所導致的各種應力，可形成可信賴性、安定性都優異的元件。亦即，根據前述的特徵構成的話，藉由使前述緩衝層的緻密度比電極層的緻密度更大，而且比電解質層的緻密度更小，可以安定地形成緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層。此外，根據如此構成的話，可以在金屬基板上安定地形成具有不損及電極層所要求的氣體擴散性的多孔質電極層，與具有電解質層要求的離子傳導性與氣體障壁性的緻密的電解質層。又，所謂緻密度，是構成層的材料的空間占比，能夠以(1-空孔率)表示，此外，與相對密度同等。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述緩衝層包含氧化鈰系材料。
根據前述之特徵構成的話，由於緩衝層包含氧化鈰系材料，所以緩衝層成為具有混合傳導性。藉此，可以實現電化學性能高的元件。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述電解質層包含安定化氧化鋯。
根據前述之特徵構成的話，由於電解質層包含安定化氧化鋯，所以例如在600℃以上，較佳為650℃以上之比較高的溫度區域也可以實現可發揮電化學性能的元件。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述緩衝層的厚度為4μm以上。
根據前述之特徵構成的話，即使藉由網版印刷等廉價的方法也可以得到安定而機械強度高的緩衝層。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述緩衝層的厚度為10μm以下。
根據前述之特徵構成的話，可以得到抑制了內電阻的增加之電化學特性高的元件。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述緩衝層的緻密度為50%以上而未滿98%。
若是緻密度為50%以上而未滿98%的緩衝層的話，即使網版印刷等廉價的方法也可以安定地形成。而且，可以實現可緩和以熱衝擊為首的各種應力之機械強度高的元件，同時可以成為可發揮高的電化學特性的元件。緩衝層的緻密度太高的話，會變得因為電極層與緩衝層的緻密度差異太大，而難以得到緩和電極層與緩衝層之間的應力的效果。另一方面，緩衝層的緻密度太小的話，會變 得因為緩衝層與電解質層的緻密度差異太大，而難以得到緩和緩衝層與電解質層之間的應力的效果。緩衝層的緻密度為80%以上的話，可以使緩衝層與電解質層之間的應力的緩和效果更大，所以更佳。緩衝層的緻密度未滿96%的話，可以使緩衝層與電解質層之間的應力的緩和效果進而更大，所以又更佳。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述電解質層的一部分，含有緻密度為98%以上的緻密電解質層。
根據前述的特徵構成的話，藉由在電解質層的一部分含有緻密電解層，即使電解質層的內部多少存在著缺陷的場合，作為電解質層全體也可以維持在氣密性及氣體障壁性高的狀態。接著，這樣的電解質層，在可抑制金屬基板的損傷的溫度區域(例如1100℃以下)也能夠以廉價的方法形成，容易形成可發揮高的電化學性能的電解質層。亦即，這樣的電解質層，是於金屬支持型電化學元件。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為具有抑制鉻(Cr)由前述金屬基板往前述電極層擴散的擴散抑制層。
根據前述的特徵構成的話，可以抑制鉻往電極層擴散導致元件的性能降低。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述擴散抑制層，為被形成於前述金屬基 板的表面的金屬氧化物層。
根據前述的特徵構成的話，可以使形成擴散抑制層的製程更為簡便，可以廉價地製作元件。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述金屬基板具有複數貫通孔。
根據前述的特徵構成的話，由於可通過複數貫通孔對電極層供給氣體，所以可以藉由簡易的構成更為提高元件的性能。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述貫通孔被形成於前述金屬基板之被形成前述電解質層的區域的內側。
根據前述的特徵構成的話，藉由緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層，覆蓋住被形成貫通孔的區域，所以不需要墊片或密封件等防止氣體往他處漏出之用的其他構造。亦即，可以抑制元件的製造成本的增加。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為前述貫通孔被形成於前述金屬基板之被形成前述電極層的區域的內側。
根據前述的特徵構成的話，可以使通過貫通孔供給的氣體有效率地供給往電極層，所以適於電化學元件的構成。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為具有被形成於前述電解質層之上的成為前述電極層的對極的對極電極層。
根據前述的特徵構成的話，如前所述，可以實現在金屬基板上具有多孔質的電極層、緻密度比電極層更大而比電解質層更小的緩衝層、緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層、對極電極層，藉由電極層與對極電極層可作為電化學元件利用的電化學元件。亦即，可以實現高性能且安定性/可信賴性優異的一體實施陽極反應與陰極反應的金屬支持型電化學元件。
相關於本發明之金屬支持型電化學元件的其他特徵構成，為具有被形成於前述電解質層與前述對極電極層之間的反應防止層。
根據前述的特徵構成的話，可以防止電解質層的成分與對極電極層的成分之間的反應，可實現長期的耐久性優異的元件。
為達成前述目的之相關於本發明的固體氧化物型燃料電池的特徵構成，為具有前述金屬支持型電化學元件，額定運轉時可在600℃以上750℃以下的溫度區域運轉。
根據前述的特徵構成的話，由於額定運轉時在600℃以上750℃以下之溫度區域運轉，可以發揮高的發電性能，而且可抑制金屬支持型電化學元件的劣化而長期間維持燃料電池的性能。又，在額定運轉時可以在650℃以上750℃以下的溫度區域運轉的話，可以更為提高燃料電池系統的發電性能，所以更佳。
為了達成前述目的之相關於本發明的金屬支 持型電化學元件之製造方法的特徵構成，為具有在作為支持體的金屬基板上形成多孔質的電極層的電極層形成步驟，與在前述電極層上形成緩衝層的緩衝層形成步驟，以及在前述緩衝層上形成緻密的電解質層的電解質層形成步驟；前述緩衝層的緻密度比前述電極層更大，且比前述電解質層的緻密度更小，前述電極層形成步驟與前述緩衝層形成步驟與前述電解質層形成步驟在1100℃以下進行。
根據前述的特徵構成的話，在金屬基板上具有多孔質的電極層、被形成於電極層上的緩衝層、與被形成於緩衝層上的電解質層，前述緩衝層的緻密度比前述電極層更大，且比前述電解質層的緻密度更小，可以在金屬基板上安定地形成多孔質的電極層，與緻密且氣密性與氣體障壁性高的電解質層。此外，電極層形成步驟與緩衝層形成步驟與電解質形成步驟在1100℃以下進行，所以可以抑制金屬基板的劣化得到高品質的元件。此外，因應必要，在金屬支持型電化學元件之製造工程，若有包含形成對極電極層的對極電極層形成步驟，或是形成反應防止層的反應防止層形成步驟等的場合，這些步驟以在1100℃以下進行為佳。如此一來，可以抑制金屬基板的劣化而得到高品質的元件。
1‧‧‧金屬基板
1a‧‧‧貫通孔
1b‧‧‧金屬氧化物層(擴散抑制層)
2‧‧‧電極層
3‧‧‧緩衝層
4‧‧‧電解質層
5‧‧‧反應防止層
6‧‧‧對極電極層
E‧‧‧金屬支持型電化學元件
圖1係顯示金屬支持型電化學元件的構成之概略圖。
圖2係顯示金屬支持型電化學元件的構成之概略圖。
圖3係顯示金屬支持型電化學元件的構成之概略圖。
圖4係顯示金屬支持型電化學元件的構成之概略圖。
圖5係顯示金屬支持型電化學元件的剖面之電子顯微鏡照片。
圖6係顯示金屬支持型電化學元件的剖面之電子顯微鏡照片。
(第1實施型態)
以下，參照圖1及圖2，同時說明金屬支持型電化學元件E，固體氧化物型燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell：SOFC)，以及金屬支持型電化學元件E之製造方法。金屬支持型電化學元件E，例如做為接受含氫的燃料氣體與空氣的供給而發電的固體氧化物型燃料電池的構成要素來使用。又，以下在表示層的位置關係等的時候，會把例如由緩衝層3來看把電解質層4之側作為「上」或者「上側」，把電極層2之側作為「下」或者「下側」。此外，亦會把金屬基板1之被形成電極層2之側之面作為「表側」，把相反側之面作為「背側」。
(金屬支持型電化學元件)
金屬支持型電化學元件E，如圖1所示，至少具有作為支持體之金屬基板1、被形成於金屬基板1上的電極層2、被形成於電極層2上的緩衝層3、與被形成於緩衝層3上的電解質層4。接著，金屬支持型電化學元件E，進而具有被形成於電解質層4上的反應防止層5，與被形成於反應防止層5之上的對極電極層6。對極電極層6被形成於電解質層4之上，反應防止層5被形成於電解質層4與對極電極層6之間。電極層2為多孔質，電解質層4為緻密。接著，緩衝層3的緻密度，比電極層2的緻密度更大，比電解質層4的緻密度更小。又，所謂緻密度，是構成層的材料的空間占比，能夠以(1-空孔率)表示。此外，與相對密度同等。
(金屬基板)
金屬基板1支撐電極層2、緩衝層3及電解質層4等，保持金屬支持型電化學元件E的強度，擔負著支持體的功能。作為金屬基板1的材料，使用電子傳導性、耐熱性、耐氧化性及耐腐蝕性優異的材料。例如，使用肥粒鐵系不銹鋼、沃斯田鐵系不銹鋼、鎳合金等。特別是適合使用含鉻合金。
金屬基板1，具有貫通表側之面與背側之面而設的複數貫通孔1a。又，例如，貫通孔1a可以藉由雷射加工等，設於金屬基板1。貫通孔1a，具有使氣體由金屬 基板1的背側之面往表側之面透過的機能。為了使金屬基板1具有氣體透過性，可以使用多孔質金屬。
於金屬基板1的表面，設有作為擴散抑制層的金屬氧化物層1b。亦即，在金屬基板1與後述的電極層2之間，被形成擴散抑制層。金屬氧化物層1b，不僅設在露出於金屬基板1的外部之面，也設在與電極層2之接觸面(界面)及貫通孔1a的內側之面。藉由此金屬氧化物層1b，可以抑制金屬基板1與電極層2之間的元素相互擴散。例如，作為金屬基板1使用肥粒鐵系不銹鋼的場合，金屬氧化物層1b主要為鉻氧化物。接著，以鉻氧化物為主成分的金屬氧化物層1b，抑制金屬基板1的鉻原子等往電極層2或電解質層4擴散。金屬氧化物層1b的厚度，以次微米等級為佳。此外，例如平均的厚度以0.3μm以上0.7μm以下程度為佳。此外，最小厚度約0.1μm以上為佳。
此外，最大厚度約1.1μm以下為佳。
作為金屬基板1使用肥粒鐵系不銹鋼的場合，與作為電極層2或電解質層4的材料使用的YSZ(釔安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰，亦稱為CGO)等熱膨脹係數相近。亦即，低溫與高溫之溫度循環反覆進行的場合，金屬支持型電化學元件E也不容易受到損傷。因而，以可以實現長期耐久性優異的金屬支持型電化學元件E為佳。
(電極層)
電極層2，如圖1所示，在金屬基板1的表側之面且被設置貫通孔1a的區域更大的區域，以薄膜的狀態設置。被設置貫通孔1a的區域的全體為電極層2所覆蓋。總之，貫通孔1a被形成於金屬基板1之被形成電極層2的區域的內側。換句話說，所有的貫穿孔1a面對電極層2設置。
作為電極層2的材料，例如可以使用NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2、Cu-CeO2等金屬陶瓷(cermet)材。在這些例中，GDC、YSZ、CeO2可以稱為金屬陶瓷材的骨材。又，電極層2，以藉由低溫燒成法(例如不在比1100℃更高的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是氣溶膠沉積法、熔射法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的製程，不在例如比1100℃更高的高溫域之燒成，可以得到良好的電極層2。因此，不損傷金屬基板1，此外，可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散，可實現耐久性優異的電化學元件所以較佳。進而，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
電極層2具有氣體透過性，所以內部及表面具有複數細孔。
亦即，電極層2，形成為多孔質之層。電極層2，例如以其緻密度為30%以上而未滿80%的方式形成。細孔的尺寸，可以適當選擇在進行電化學反應時適於使反應圓滑 地進行之尺寸。
(緩衝層)
緩衝層3，如圖1所示，是在覆蓋電極層2的狀態下，以薄膜的狀態形成於電極層2之上。作為緩衝層3的材料，例如，可以使用YSZ(釔安定氧化鋯)、SSZ(鈧安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、SDC(釤摻雜氧化鈰)等。特別適合使用氧化鈰系之陶瓷。
緩衝層3，以藉由低溫燒成法(例如不在比1100℃更高的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是氣溶膠沉積法、熔射法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的成膜製程，不在例如比1100℃更高的高溫域之燒成，可以得到緩衝層3。因此，不損傷金屬基板1，可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散，可實現耐久性優異的金屬支持型電化學元件E。此外，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
緩衝層3具有以下的構成/特徵。
首先，緩衝層3，以其緻密度比電極層2大，且比電解質層4更小的方式形成。例如，分別在電極層2的緻密度為30%以上未滿80%，緩衝層3的緻密度為50%以上未滿98%，電解質層4的緻密度為96%以上的範圍內，以緩衝層3的緻密度，比電極層2的緻密度更大，且 比電解質層4更小的方式形成各層。緩衝層3或電解質層4及電極層2之分別的緻密度(相對密度)，由分別的材料或形成時的條件等來決定。例如，隨著材料粉末的粒徑或形狀或組成，燒成時的溫度等各種形成條件等之不同，形成的緩衝層3或電解質層4及電極層2的緻密度也會改變。亦即，藉由適當整理這些條件，可以調整緩衝層3或電解質層4或電極層2的緻密度。
此外，緩衝層3，藉由適當設定材料的型態或形成時的條件等，能夠以其厚度成為特定範圍內的方式形成。具體而言，緩衝層3，以其厚度成為4μm以上的方式形成為佳，此外，以成為10μm以下的方式形成為佳。
緩衝層3，因為在多孔質的電極層2上形成緻密的電解質層4，所以使二者連續連接，作為具有緩和元件製造時或元件運轉時相關的各種應力的緩衝效果之層，配置在二者之間。因此，緩衝層3，刻意形成為緻密度比電解質層4更小。此外，緩衝層3，刻意形成為緻密度比電極層2更大。藉此，緩衝層3，即使在金屬基板上被形成多孔質的電極層2與緻密的電解質層4的場合，也具有在各層間吸收/緩和各種應力，可以提高金屬支持型電化學元件E的性能/可信賴性/安定性的效果。
作為緩衝層3，以具有氧離子(氧化物離子)傳導性為佳。此外，具有氧離子(氧化物離子)與電子之混合傳導性為更佳。具有這些性質的緩衝層3，適合適用至金屬支持型電化學元件E。
又，緩衝層3以不含鎳或銅等觸媒金屬成分為較佳。因為含有鎳或銅等觸媒金屬成分的話會難以得到所要的緩衝層3。
(電解質層)
電解質層4，如圖1所示，是在覆蓋電極層2及緩衝層3的狀態下，以薄膜的狀態形成於緩衝層3之上。詳言之，電解質層4，如圖1所示，係跨設於緩衝層3之上與金屬基板1之上。如此構成，藉由把電解質層4接合於金屬基板1，可以作為電化學元件全體在具有優異的牢固性。
此外，電解質層4，如圖1所示，設置於金屬基板1的表側之面且比被設置貫通孔1a的區域更大的區域。總之，貫通孔1a被形成於金屬基板1之被形成電解質層4的區域的內側。
此外，於電解質層4的周圍，可以抑制來自電極層2及緩衝層3之氣體的洩漏。進一步說明，在把金屬支持型電化學元件E作為SOFC的構成要素使用的場合，在SOFC動作時，氣體由金屬基板1的背側通過貫通孔1a往電極層2供給。在電解質層4接於金屬基板1的部位，不設置密合墊等其他構件，就可以抑制氣體的洩漏。又，在本實施型態藉由電解質層4全部覆蓋電極層2的周圍，但在電極層2及緩衝層3的上部設電解質層4，在周圍設密合墊等的構成亦可。
作為電解質層4的材料，例如，可以使用YSZ(釔安定氧化鋯)、SSZ(鈧安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、SDC(釤摻雜氧化鈰)等。特別適合使用氧化鋯系之陶瓷。電解質層4採用氧化鋯系陶瓷的話，能夠讓使用金屬支持型電化學元件E的SOFC的工作溫度，比氧化鈰系陶瓷更為提高。例如把金屬支持型電化學元件E使用於SOFC的場合，作為電解質層4的材料使用如YSZ那樣在650℃程度以上的高溫域也可以發揮高的電解質性能的材料，系統的原燃料使用都市瓦斯或天然氣(LPG)等碳化氫系原燃料，使原燃料藉由水蒸氣改質等作為SOFC的陽極氣體的系統構成的話，可以構築把在SOFC的電池堆產生的熱用於原燃料氣體的改質之高效率的SOFC系統。
電解質層4，以藉由低溫燒成法(例如不在1100℃以上的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是氣溶膠沉積法、熔射法、濺鍍法、脈衝雷射堆積法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的成膜製程，不在例如比1100℃以上的高溫域之燒成，可以得到緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層4。因此，可以抑制金屬基板1的損傷，此外，可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散，可實現性能/耐久性優異的金屬支持型電化學元件E。特別是使用低溫燒成法或氣溶膠沉積法或熔射法等的話，可以實現低成本的元件所以較佳。進而，使用氣溶膠沉積法的話，在低溫域 容易得到緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層所以更佳。
電解質層4遮蔽陽極氣體或陰極氣體之氣體洩漏，且呈現高的離子傳導性，所以被構成為緻密。電解質層4的緻密度以96%以上為佳，98%以上為更佳。電解質層4為均勻的層的場合，其緻密度以96%以上為佳，98%以上為更佳。此外，電解質層4，被構成為複數之層狀的場合，其中至少一部分含有致密度98%以上之層(緻密電解質層)為佳，包含99%以上之層(緻密電解質層)更佳。如此緻密電解質層包含於電解質層之一部分的話，即使電解質層被構成為複數層狀的場合，也容易形成緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層。
(反應防止層)
反應防止層5，係在電解質層4之上被形成為薄膜狀之層。作為反應防止層5之材料，只要是可以防止電解質層4的成分與對極電極層6的成分之間的反應之材料即可。例如使用氧化鈰系材料等。藉由把反應防止層5導入電解質層4與對極電極層6之間，有效果的抑制對極電極層6的構成材料與電解質層4的構成材料之反應，可以提高金屬支持型電化學元件E的性能的長期安定性。反應防止層5的形成，適當使用可以在1100℃以下的處理溫度下形成的方法來進行的話，可以抑制金屬基板1的損傷，此外可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散，可 實現性能/耐久性優異的金屬支持型電化學元件E，所以較佳。例如，可以適當使用印刷或噴霧等濕式法(低溫燒成法)、氣溶膠沉積法、熔射法、濺鍍法、脈衝雷射堆積法等來進行。特別是使用低溫燒成法或氣溶膠沉積法或熔射法等的話，可以實現低成本的元件所以較佳。進而，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
(對極電極層)
對極電極層6，係在電解質層4或者反應防止層5之上被形成為薄膜狀之層。作為對極電極層6的材料，例如可以使用LSCF、LSM等複合氧化物。又，對極電極層6的形成，適當使用可以在1100℃以下的處理溫度下形成的方法來進行的話，可以抑制金屬基板1的損傷，此外可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散，可實現性能/耐久性優異的金屬支持型電化學元件E，所以較佳。例如，可以適當使用印刷或噴霧等濕式法(低溫燒成法)、氣溶膠沉積法、熔射法、濺鍍法、脈衝雷射堆積法等來進行。特別是使用低溫燒成法或氣溶膠沉積法或熔射法等的話，可以實現低成本的元件所以較佳。進而，使用低溫燒成法的話，原料的操作變得容易所以更佳。
(固體氧化物型燃料電池)
藉著如以上所述構成金屬支持型電化學元件E，可以把金屬支持型電化學元件E作為固體氧化物型燃料電池之 發電胞來使用。例如，由金屬基板1的背側之面通過貫通孔1a把含氫的燃料氣體往電極層2供給，往成為電極層2的對極的對極電極層6供給空氣，例如在600℃以上750℃以下的溫度使其工作。如此進行的話，對極電極層6包含於空氣的氧O2與電子e-反應產生氧離子O2-。該氧離子O2-通過電解質層4往電極層2移動。於電極層2，包含於被供給的燃料氣體的氫H2與氧離子O2-反應，產生水H2O與電子e-。藉由以上的反應，在電極層2與對極電極層6之間產生起電力。在此場合，電極層2作為SOFC的燃料極(陽極)發揮機能，對極電極層6作為空氣極(陰極)發揮機能。
(金屬支持型電化學元件之製造方法)
其次說明金屬支持型電化學元件E之製造方法。
(電極層形成步驟)
在電極層形成步驟，在金屬基板1的表側之面之比被設置貫通孔1a的區域更寬的區域，電極層2以薄膜的狀態形成。金屬基板1的貫通孔可藉由雷射加工等來設置。電極層2之形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理之濕式法)，氣溶膠沉積法、熔射法等方法。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬基板1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
以低溫燒成法進行電極層形成步驟的場合，具體而言如以下之例那樣進行。
首先，混合電極層2的材料粉末與溶媒作成材料糊，塗布於金屬基板1的表側之面，在800℃~1100℃進行燒成。
(擴散抑制層形成步驟)
前述之電極層形成步驟之燒成步驟時，在金屬基板1的表面被形成金屬氧化物層1b(擴散抑制層)。又，於前述燒成步驟，包含使燒成氛圍為氧分壓低的氛圍條件之燒成步驟的話，元素之相互擴散抑制效果很高，形成電阻值低的優質的金屬氧化物層1b(擴散抑制層)所以較佳。使電極層形成步驟，包含不進行燒成的方法(例如氣溶膠沉積法等)的場合亦可，包含另外的擴散抑制層形成步驟亦可。任一場合，都以在可抑制金屬基板1的損傷的1100℃以下的處理溫度下實施為佳。
(緩衝層形成步驟)
在緩衝層形成步驟，是在覆蓋電極層2的狀態下，緩衝層3以薄膜的狀態形成於電極層2之上。緩衝層3之形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理之濕式法)，氣溶膠沉積法、熔射法等方法。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬基板1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
以低溫燒成法進行緩衝層形成步驟的場合，具體而言如以下之例那樣進行。
首先，混合緩衝層3的材料粉末與溶媒作成材料糊，塗布於電極層2之上，在800℃~1100℃進行燒成。
(電解質層形成步驟)
在電解質層形成步驟，是在覆蓋電極層2及緩衝層3的狀態下，電解質層4以薄膜的狀態形成於緩衝層3之上。電解質層4之形成，如前所述，可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理之濕式法)，氣溶膠沉積法、熔射法、濺鍍法、脈衝雷射堆積法等方法。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬基板1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
為了在1100℃以下的溫度域形成緻密且氣密性及氣體障壁性能高的，優質的電解質層4，以氣溶膠沉積法進行電解質層形成步驟為佳。在此場合，使電解質層4的材料粉末以搬送氣體使其氣溶膠化，將該氣溶膠朝向金屬基板1的緩衝層3噴射，形成電解質層4。
(反應防止層形成步驟)
在反應防止層形成步驟，反應防止層5以薄膜的狀態形成於電解質層4之上。反應防止層5之形成，如前所述，可以使用低溫燒成法，氣溶膠沉積法、熔射法、濺鍍法、脈衝雷射堆積法等方法。無論使用哪一種方法的場 合，為了抑制金屬基板1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
(對極電極層形成步驟)
在對極電極層形成步驟，對極電極層6以薄膜的狀態形成於反應防止層5之上。對極電極層6之形成，如前所述，可以使用低溫燒成法，氣溶膠沉積法、熔射法、濺鍍法、脈衝雷射堆積法等方法。無論使用哪一種方法的場合，為了抑制金屬基板1的劣化，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
如以上所述進行，可以製造金屬支持型電化學元件E。又，省略反應防止層形成步驟，或是追加形成其他層的步驟，或層積複數同種之層等也是可能的，在任一場合下，都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
(第2實施型態)
在前述之第1實施型態，如圖1所示，電極層2及電解質層4雙方，設置於金屬基板1的表側之面且比被設置貫通孔1a的區域更大的區域。
被設置貫通孔1a的區域的全體為電極層2及電解質層4所覆蓋。
總之，貫通孔1a被形成於金屬基板1之被形成電極層2的區域的內側，且為被形成電解質層4的區域的內側。換句話說，所有的貫穿孔1a面對電極層2設置。變 更這些，作成圖2所示的構成亦為可能。
在圖2所示的構成，電極層2，設於比被設置貫通孔1a的區域還小的區域。緩衝層3及電解質層4，設於比被設置貫通孔1a的區域還大的區域。被設置貫通孔1a的區域的全體為緩衝層3及電解質層4所覆蓋。總之，貫通孔1a設於被形成電極層2的區域的內側與外側。此外，貫通孔1a設於被形成電解質層4的區域的內側。換句話說，貫穿孔1a面對電極層2與緩衝層3雙方而設置。
(第3實施型態)
此外，圖3所示的構成亦為可能。在圖3所示的構成，電極層2及緩衝層3，設於比被設置貫通孔1a的區域還小的區域。電解質層4，設於比被設置貫通孔1a的區域還大的區域。被設置貫通孔1a的區域的全體，為電解質層4所覆蓋。總之，貫通孔1a設於被形成電極層2的區域的內側與外側。貫通孔1a設於被形成緩衝層3的區域的內側與外側。此外，貫通孔1a設於被形成電解質層4的區域的內側。換句話說，貫穿孔1a面對電極層2與緩衝層3與電解質層4而設置。
此外，圖4所示的構成亦為可能。在圖4所示的構成，電極層2及緩衝層3，設於比被設置貫通孔1a的區域還小的區域。緩衝層3，設於被設置電極層2的區域。電解質層4，設於比被設置貫通孔1a的區域還大的 區域。被設置貫通孔1a的區域的全體，為電解質層4所覆蓋。
總之，貫通孔1a設於被形成電極層2的區域的內側與外側。此外，貫通孔1a設於被形成電解質層4的區域的內側。換句話說，貫穿孔1a面對電極層2與電解質層4而設置。
(第4實施型態)
在前述之實施型態，把金屬支持型電化學元件E使用於固體氧化物型燃料電池，但金屬支持型電化學元件E，也可利用於固體氧化物型電解胞，或利用固體氧化物之氧感測器等。
(第5實施型態)
在前述實施型態，作為電極層2的材料，例如使用NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2、Cu-CeO2等金屬陶瓷(cermet)材，作為對極電極層6的材料使用例如LSCF、LSM等複合氧化物。接著，對電極層2供給氫氣作為燃料極，對對極電極層6供給空氣作為空氣極，把金屬支持型電化學元件E作為固體氧化物型燃料電池胞使用。將此變更，以能夠把電極層2作為空氣極，把對極電極層6作為燃料極的方式，來構成金屬支持型電化學元件E亦為可能。亦即，作為電極層2的材料使用例如LSCF、LSM等複合氧化物，作為對極電極層6的材料使 用例如NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2、Cu-CeO2等金屬陶瓷(cermet)材。若是如此構成的金屬支持型電化學元件E的話，對電極層2供給空氣作為空氣極，對對極電極層6供給氫氣作為燃料極，可以把金屬支持型電化學元件E作為固體氧化物型燃料電池胞使用。
又，在前述實施型態揭示的構成，在不產生矛盾的前提下，可以與其他實施型態揭示的構成組合適用。此外，於本說明書揭示的實施型態僅為例示，本發明之實施型態並不以此為限，在不逸脫本發明的目地的範圍內可以適當改變。
以下，說明以種種條件製作金屬支持型電化學元件E之試作品，進行種種測定之結果。
(試作品1：實施例)
對厚度0.3mm、直徑25mm的圓形crofer22APU之金屬板，藉由雷射加工在中心起半徑2.5mm的區域設複數貫通孔1a，作成金屬基板1。又，此時，以金屬基板1的表面的貫通孔1a的直徑成為10~15μm程度的方式藉由雷射加工設置貫通孔。
其次，混合60重量百分比的NiO粉末與40重量百分比的GDC粉末，加入有機結合劑與有機溶媒製作糊漿。使用該糊漿，在金屬基板1之中心起半徑3mm的區域層積了電極層2。又，電極層2之形成使用了網版 印刷。
其次，對層積電極層2之金屬基板1，在850℃進行了燒成處理(電極層形成步驟、擴散抑制層形成步驟)。
如此層積了電極層2的狀態之金屬基板1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下為超過50mL/分‧cm2之量。由此可知電極層2被形成為緻密度及氣體障壁性低的多孔質的層。
其次，於GDC之微粉末加入有機結合劑與有機溶媒製作了糊漿。使用該糊漿，藉由網版印刷，在層積了電極層2的金屬基板1之中心起半徑5mm的區域層積了緩衝層3。
其次，對層積緩衝層3之金屬基板1，在1050℃進行了燒成處理(緩衝層形成步驟)。
在以上步驟得到的電極層2的厚度為約10μm，緩衝層3的厚度為約8μm。此外，如此層積了電極層2與緩衝層3的狀態之金屬基板1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下為13.5mL/分‧cm2之量。
接著，以平均顆粒物大小(mode diameter)0.7μm程度之8YSZ(釔安定氧化鋯)粉末以流量6L/min之乾燥空氣進行氣溶膠化。把氣溶膠導入壓力為190Pa的真空室內，在金屬基板1的緩衝層3之上，以覆蓋緩衝層3的方式噴射15mm×15mm之範圍，層積了電解質層4。此時，金屬基板1不加熱，在室溫進行了噴射(電解質層 形成步驟)。如此進行形成了金屬支持型電化學元件E。
在以上步驟得到的電解質層4的厚度為約5μm。如此層積了電極層2與緩衝層3與電解質層4的狀態之金屬基板1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下測定時，He洩漏量未達檢測下限(1.0mL/分‧cm2)。總之，與層積至緩衝層3為止的狀態下之He洩漏量相比，在層積了電解質層4的狀態下的He洩漏量大幅減少，低於檢測限度。亦即，形成的電解質層4，確認為緻密且氣體障壁性能高，優質的層。
其次，於GDC之微粉末加入有機結合劑與有機溶媒製作了糊漿。使用該糊漿，藉由網版印刷，在金屬支持型電化學元件E的電解質層4之上，形成了反應防止層5。
其後，對形成了反應防止層5的金屬支持型電化學元件E，在1000℃進行了燒成處理(反應防止層形成步驟)。
進而，混合GDC粉末與LSCF粉末，加入有機結合劑與有機溶媒製作糊漿。使用該糊漿，藉由網版印刷，在反應防止層5之上，形成了對極電極層6。最後，把形成了對極電極層6的金屬支持型電化學元件E在900℃燒成(對極電極層形成步驟)，得到金屬支持型電化學元件E。
得到的金屬支持型電化學元件E，對電極層2供給氫氣，對對極電極層6供給空氣，測定了作為固體氧 化物型燃料電池胞之開電路電壓(OCV)。結果在750℃為1.03V。
圖5係顯示如此進行而得的金屬支持型電化學元件E的剖面之電子顯微鏡照片。於電極層2存在多數黑色的空隙/空孔，為緻密度比較小的狀態。由圖5的影像處理資料推測電極層2的緻密度為68%程度。於電解質層4幾乎看不到黑色空隙/空孔，為非常的緻密。由圖5的影像處理資料推測電解質層4的緻密度為99%程度以上。對此，於緩衝層3被看到多數小的黑點，所以可知在緩衝層3存在小的空隙/空孔，緩衝層3的緻密度，比電解質層4還小，比電極層2還大。由圖5的影像處理資料推測緩衝層3的緻密度為92%程度。此外，把如前所述而得的緩衝層3的緻密度，由測定X線反射率的結果來算的話，算出為92%。亦即，由以上的結果，確認了緩衝層3的緻密度，比電極層2的緻密度更大，且比電解質層4的緻密度更小。
(試作品2：實施例)
把在緩衝層形成步驟之燒成溫度變更為1000℃，其他以與試作品1同樣的步驟得到金屬支持型電化學元件E。得到的試樣的電極層2的厚度為約10μm，緩衝層3的厚度為約7μm，電解質層4的厚度為約4μm。
層積到緩衝層3為止的狀態之金屬基板1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下為7.5mL/分‧cm2。此 外，層積到電解質層4為止的狀態之金屬基板1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下為未達檢測下限1.0mL/分‧cm2。與試作品1同樣，與層積至緩衝層3為止的狀態下之He洩漏量相比，在層積至電解質層4為止的狀態下的He洩漏量大幅減少，低於檢測限度。亦即，形成的電解質層4，確認為緻密且氣體障壁性能高，優質的層。
得到的金屬支持型電化學元件E，對電極層2供給氫氣，對對極電極層6供給空氣，測定了作為固體氧化物型燃料電池胞之開電路電壓(OCV)。結果，600℃下為1.09V、650℃下為1.08V、700℃下為1.05V、750℃下為1.05V。此外，測定所得到的電流值時，在750℃以0.803V得到500mA/cm2之電流，以0.700V之條件得到750mA/cm2之電流。
圖6係顯示如此進行而得的金屬支持型電化學元件E的剖面之電子顯微鏡照片。於電極層2存在多數黑色的空隙/空孔，為緻密度比較小的狀態。由圖6的影像處理資料推測電極層2的緻密度為79%程度。於電解質層4幾乎看不到黑色空隙/空孔，為非常的緻密。由圖6的影像處理資料推測電解質層4的緻密度為97%程度以上。對此，於緩衝層3被看到多數小的黑點，所以可知在緩衝層3存在小的空隙/空孔，緩衝層3的緻密度稍小。由圖6的影像處理資料推測緩衝層3的緻密度為95%程度。亦即，由以上的結果，確認了緩衝層3的緻密度，比電極層2的緻密度更大，且比電解質層4的緻密度更小。
(試作品3：實施例)
把在緩衝層形成步驟之燒成溫度變更為950℃，其他以與試作品1同樣的步驟得到金屬支持型電化學元件E。得到的試樣的電極層2的厚度為約13μm，緩衝層3的厚度為約7μm，電解質層4的厚度為約4μm。
層積到緩衝層3為止的狀態之金屬基板1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下為26.5mL/分‧cm2。此外，層積到電解質層4為止的狀態之金屬基板1的He洩漏量，在0.2MPa之壓力下為未達檢測下限1.0mL/分‧cm2。與試作品1同樣，與層積至緩衝層3為止的狀態下之He洩漏量相比，在層積至電解質層4為止的狀態下的He洩漏量大幅大幅減少，低於檢測限度。亦即，形成的電解質層4，確認為緻密且氣體障壁性能高，優質的層。
得到的金屬支持型電化學元件E，對電極層2供給氫氣，對對極電極層6供給空氣，測定了作為固體氧化物型燃料電池胞之開電路電壓(OCV)。結果在750℃為1.02V。
〔產業上利用可能性〕
可利用作為電化學元件及固體氧化物型燃料電池胞。
1‧‧‧金屬基板
1a‧‧‧貫通孔
1b‧‧‧金屬氧化物層(擴散抑制層)
2‧‧‧電極層
3‧‧‧緩衝層
4‧‧‧電解質層
5‧‧‧反應防止層
6‧‧‧對極電極層
E‧‧‧金屬支持型電化學元件

Claims (16)

  1. 一種金屬支持型電化學元件，其特徵為至少具有作為支持體之金屬基板、被形成於前述金屬基板上的電極層、被形成於前述電極層上的緩衝層、與被形成於前述緩衝層上的電解質層；前述電極層為多孔質，前述電解質層為緻密，前述緩衝層的緻密度比前述電極層的緻密度更大，且比前述電解質層的緻密度更小。
  2. 如申請專利範圍第1項之金屬支持型電化學元件，其中前述緩衝層包含氧化鈰系材料。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之金屬支持型電化學元件，其中前述電解質層包含安定化氧化鋯。
  4. 如申請專利範圍第1~3項之任一項之金屬支持型電化學元件，其中前述緩衝層的厚度為4μm以上。
  5. 如申請專利範圍第1~3項之任一項之金屬支持型電化學元件，其中前述緩衝層的厚度為10μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1~5項之任一項之金屬支持型電化學元件，其中前述緩衝層的緻密度為50%以上而未滿98%。
  7. 如申請專利範圍第1~6項之任一項之金屬支持型電化學元件，其中 前述電解質層的一部分，含有緻密度為98%以上的緻密電解質層。
  8. 如申請專利範圍第1~7項之任一項之金屬支持型電化學元件，其中具有抑制鉻(Cr)由前述金屬基板往前述電極層擴散的擴散抑制層。
  9. 如申請專利範圍第8項之金屬支持型電化學元件，其中前述擴散抑制層，為被形成於前述金屬基板的表面的金屬氧化物層。
  10. 如申請專利範圍第1~9項之任一項之金屬支持型電化學元件，其中前述金屬基板具有複數貫通孔。
  11. 如申請專利範圍第10項之金屬支持型電化學元件，其中前述貫通孔被形成於前述金屬基板之被形成前述電解質層的區域的內側。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之金屬支持型電化學元件，其中前述貫通孔被形成於前述金屬基板之被形成前述電極層的區域的內側。
  13. 如申請專利範圍第1~12項之任一項之金屬支持型電化學元件，其中具有被形成於前述電解質層之上的成為前述電極層的 對極的對極電極層。
  14. 如申請專利範圍第13項之金屬支持型電化學元件，其中具有被形成於前述電解質層與前述對極電極層之間的反應防止層。
  15. 一種固體氧化物型燃料電池，其特徵為具有申請專利範圍第1~14項之任一項之金屬支持型電化學元件，額定運轉時可在600℃以上750℃以下的溫度區域運轉。
  16. 一種金屬支持型電化學元件之製造方法，其特徵為具有在作為支持體的金屬基板上形成多孔質的電極層的電極層形成步驟，與在前述電極層上形成緩衝層的緩衝層形成步驟，以及在前述緩衝層上形成緻密的電解質層的電解質層形成步驟；前述緩衝層的緻密度比前述電極層更大，且比前述電解質層的緻密度更小，前述電極層形成步驟與前述緩衝層形成步驟與前述電解質層形成步驟在1100℃以下進行。
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