TW201723041A - 光學薄膜之製造方法及製造裝置 - Google Patents

Abstract

光學薄膜(F)之製造方法係具有切斷步驟。在切斷步驟，將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部(Ta)‧(Tb)分別藉由第1切斷部(8a)及第2切斷部(8b)切斷。取切斷後剩餘的部分作為光學薄膜(F)。在上述切斷步驟，在第1切斷部(8a)及第2切斷部(8b)各個，於下刀(10b)之寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於下刀(10b)之束角增大的方向將上刀(10a)傾斜，在上刀(10a)之形成上述束角的面(S)和長條傾斜配向薄膜(F)之配向方向所形成的角度θ變小的側配置上刀(10a)，利用下刀(10b)和上刀(10a)將長條傾斜配向薄膜(F)夾住並切斷。

Description

光學薄膜之製造方法及製造裝置

本發明係關於將長條傾斜配向薄膜的寬度方向的兩端部切斷並取剩餘的部分作為光學薄膜的光學薄膜之製造方法及上述光學薄膜之製造裝置。

長條狀之光學薄膜係例如藉由溶液流延製膜法或熔融流延製膜法所製造。所製造出的光學薄膜之寬度方向的兩端部，係由於膜厚不均勻，或端面之形狀不均勻，因此藉由切斷裝置而被切落。例如，在專利文獻1中，係構成為使用圓形的上刀和圓形的下刀來將光學薄膜之兩端部切落。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2009-154252號公報(參照請求項1、第1圖、第2圖等)

另外，近年來，如同亦被稱為OLED(Organic light-Emitting Diode)之有機EL(Electro-Luminescence)顯示裝置般的自發光型之顯示裝置係受到矚目。在OLED中，為了提高光的取出效率，係在顯示器的背面側設置有鋁板等之反射體，因此，因射入至顯示器中之外光被此反射體所反射，影像的對比會降低。

因此，為了達成由防止外光之反射所致的明暗對比之提昇，係將延伸薄膜與偏光元件相貼合而構成圓偏光板，並將此圓偏光板配置在顯示器的表面側，此事係為已知。此時，上述的圓偏光板，係藉由以相對於偏光元件的透射軸而使延伸薄膜之面內遲相軸以所期望之角度來傾斜的方式而將偏光元件與延伸薄膜貼合來形成。

此時，作為上述的延伸薄膜，藉由使用相對於長度方向及寬度方向而朝向傾斜方向作延伸的長條傾斜延伸薄膜(亦稱為長條傾斜配向薄膜)，由於可將長條偏光薄膜和長條傾斜配向薄膜藉由卷對卷方式來貼合並製造圓偏光板，因此圓偏光板之生產性係大幅度提昇。因而，近年來，如此之長條傾斜配向薄膜的製造係被活躍地進行。

在上述的長條傾斜配向薄膜中，亦同樣地，寬度方向的兩端部，係由於膜厚不均勻，因此在製造後藉由切斷裝置而被切落。但，得知若藉由以往之切斷裝置來將長條傾斜配向薄膜的兩端部切斷，則在將切斷後所剩餘 的光學薄膜作捲繞時，於卷端面會產生些許的卷芯方向之偏移，切斷後的光學薄膜係邊傾斜前進邊被捲繞。進而，得知在切斷後所剩餘的光學薄膜(製品部)之寬度方向的單側之端部，會出現有鬚狀的纖維狀異物(以下，單稱為鬚)或起毛。可推測其原因在於，由於長條傾斜配向薄膜之配向方向係相對於長度方向及寬度方向而傾斜之方向，因此在藉由切斷裝置來將長條傾斜配向薄膜沿著長度方向切斷時，長條傾斜配向薄膜之配向會成為阻抗，長條傾斜配向薄膜係成為相對於切斷裝置(上刀、下刀)而容易相對性地被朝向配向方向彈開，因此，長條傾斜配向薄膜之切斷狀態會變差。若長條傾斜配向薄膜的切斷狀態為差，則在切斷時也會有於光學薄膜產生破斷之虞。可推測，上述之切斷後的光學薄膜之傾斜前進，係起因於在切斷時長條傾斜配向薄膜會被朝向配向方向彈開之故。

在上述之專利文獻1中，針對長條傾斜配向薄膜之切斷並未作任何探討，可以想見，當切斷對象為長條傾斜配向薄膜時，係無法對於在切斷後之作了傾斜配向的光學薄膜之端部的鬚或起毛之發生以及切斷時的光學薄膜之破斷作抑制。

本發明係為了解決上述之問題所進行者，其目的在於，提供一種在將長條傾斜配向薄膜的兩端部切斷而取得光學薄膜的情況中，能夠對於在光學薄膜的兩端部的鬚或起毛之發生以及切斷時的光學薄膜之破斷作抑制的光學薄膜之製造方法及製造裝置。

本發明之上述目的，係藉由以下之光學薄膜之製造方法及製造裝置而達成。

亦即，本發明之其中一個側面的光學薄膜之製造方法，係具有將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別藉由第1切斷部及第2切斷部進行切斷的切斷步驟，前述長條傾斜配向薄膜在薄膜面內相對於前述寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜，其特徵在於，前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向；前述第2刀，係配置於前述薄膜面之另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀之束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜；在前述切斷步驟，在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀，利用 前述第1刀和前述第2刀將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷。

本發明之另外一個側面的光學薄膜之製造裝置，係具備將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別切斷之第1切斷部及第2切斷部，前述長條傾斜配向薄膜在薄膜面內相對於寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜，其特徵在於，前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向；前述第2刀，係配置於前述薄膜面之另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀的束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜，在其和前述第1刀之間將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷；在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀。

依據上述之製造方法及製造裝置，由於在寬 度方向上，第2刀係相對於第1刀而位置在更靠近長條傾斜配向薄膜的配向方向之側並切斷長條傾斜配向薄膜，因此相較於相對於第1刀而將第2刀配置在與上述相反之側並切斷的情況，係可對因長條傾斜配向薄膜之配向所導致的切斷時之阻抗作抑制。藉此，在切斷時，長條傾斜配向薄膜係成為相對於第1切斷部及第2切斷部而相對性地難以被朝向配向方向彈開，而可提昇長條傾斜配向薄膜之切斷狀態。其結果，即使在將長條傾斜配向薄膜的兩端部切斷而取得光學薄膜的情況，亦能夠對於在光學薄膜的端部的鬚或起毛之發生以及切斷時的光學薄膜之破斷作抑制。

1‧‧‧製造裝置

8a‧‧‧第1切斷部

8b‧‧‧第2切斷部

10a‧‧‧上刀(第2刀)

10a₁‧‧‧旋轉軸

10b‧‧‧下刀(第1刀)

10b₁‧‧‧旋轉軸

F‧‧‧光學薄膜

F’‧‧‧長條傾斜配向薄膜

S‧‧‧面

Ta‧‧‧端部

Tb‧‧‧端部

θ‧‧‧角度

θ 1‧‧‧束角

[第1圖]係示意性顯示本發明之實施形態的光學薄膜之製造裝置的概略構成之平面圖。

[第2圖]係示意性顯示上述製造裝置所具備的延伸部之軌形態的其中一例之平面圖。

[第3圖]係顯示上述製造裝置所具備的薄膜切斷裝置之概略構成之立體圖。

[第4圖]係上述薄膜切斷裝置之平面圖。

[第5圖]係參考例之薄膜切斷裝置之平面圖。

[第6圖]係顯示作為適用藉由上述製造裝置所製造的光學薄膜之其中一例之有機EL顯示裝置的概略構成之剖面圖。

[第7圖]係顯示作為適用上述光學薄膜之其他例之液晶顯示裝置的概略構成之剖面圖。

若針對本發明之其中一實施形態，根據附圖來進行說明，則如以下所述。另外，在本說明書中，當將數值範圍標記為A~B的情況時，係視為在該數值範圍中包含下限A及上限B之值。又，本發明並不限定於以下的內容。

本實施形態之光學薄膜之製造方法，係具有將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別藉由第1切斷部及第2切斷部來切斷的切斷步驟，前述長條傾斜配向薄膜在薄膜面內相對於寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜。前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向；前述第2刀，係配置於前述薄膜面之另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀的束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜。在前述切斷步驟，在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前 述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀，利用前述第1刀和前述第2刀將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷。

又，本實施形態之光學薄膜之製造裝置，係具備將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別切斷之第1切斷部及第2切斷部，前述長條傾斜配向薄膜在薄膜面內相對於寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜。前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向，前述第2刀，係配置於前述薄膜面之另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀的束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜，在其和前述第1刀之間將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷。在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀。

在此，長條傾斜配向薄膜的配向方向，亦即，遲相軸的方向，係在長條傾斜配向薄膜的薄膜面內(與厚度方向垂直的面內)，相對於薄膜的寬度方向而成超過0°未達90°的角度之方向(自動性地相對於薄膜的長 度方向亦成為超過0°而未達90°的角度之方向)。遲相軸，由於通常係出現於延伸方向或者是與延伸方向成直角的方向，因此藉由以相對於薄膜的寬度方向而超過0°未達90°的角度來進行延伸，而能夠製造具有此種遲相軸的長條傾斜配向薄膜。長條傾斜配向薄膜的寬度方向與遲相軸間所成之角度，亦即配向角度，係可在超過0°未達90°的範圍內任意設定為所期望的角度。

於本實施形態中，長條係指相對於薄膜的寬幅而至少具有5倍程度以上的長度者，較佳係具有10倍或者10倍以上的長度，具體而言，係可視為具有能夠捲繞成卷狀並作保管或搬運的程度之長度者(薄膜卷)。

在製造長條傾斜配向薄膜時，係藉由連續性地製造薄膜，而可將薄膜設為所期望的長度。另外，長條傾斜配向薄膜，係可構成為在將長條薄膜製膜之後，將其一度捲繞在卷芯上而作成捲繞體，並從此捲繞體將長條薄膜供給至傾斜延伸步驟中而進行製造，亦可不將製膜後之長條薄膜作捲繞而從製膜步驟連續地供給至傾斜延伸步驟中而進行製造。將製膜步驟和傾斜延伸步驟連續進行者，係由於可將延伸後之薄膜的膜厚或光學值之結果作反饋並變更製膜條件，以得到所期望的長條傾斜配向薄膜，因此為佳。

以下，適當參照附圖，來具體地說明本發明之實施樣態。另外，在以下的說明中，在記載為長條薄膜的情況，係指在傾斜延伸步驟中之成為延伸對象的長條狀 之薄膜者，以與傾斜延伸後之長條傾斜配向薄膜作區分。

<關於長條薄膜>

作為在本實施形態之光學薄膜之製造裝置(詳細內容係後述)中成為延伸對象的長條薄膜並無特別限定，只要是由熱塑性樹脂所構成的薄膜即可，例如，在將延伸後之薄膜使用於光學用途的情況，係以由相對於所期望之波長而具有透明之性質的樹脂所成之薄膜為佳。作為如此之樹脂係可列舉：聚碳酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、具有脂環構造之烯烴聚合物系樹脂(脂環式烯烴聚合物系樹脂、亦單稱為環狀烯烴系樹脂)、纖維素酯系樹脂等。

此等當中，就透明性或機械強度等的觀點而言，較佳為聚碳酸酯系樹脂、脂環式烯烴聚合物系樹脂、纖維素酯系樹脂。其中，又以在作為光學薄膜的情況時之對於相位差進行調整一事為容易的脂環式烯烴聚合物系樹脂、纖維素酯系樹脂為更佳。因此，以下，針對於本實施形態中所較佳使用的脂環式烯烴聚合物系樹脂、纖維素酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂進行說明。

[脂環式烯烴聚合物系樹脂]

作為脂環式烯烴聚合物系樹脂，係可採用於日本特開 平05-310845號公報中所記載的環狀烯烴無規多元共聚合物、於日本特開平05-97978號公報中所記載的氫化聚合物、於日本特開平11-124429號公報中所記載的熱塑性二環戊二烯系開環聚合物及其氫化物等。

脂環式烯烴聚合物系樹脂，係具有如同飽和脂環烴(環烷烴)構造或不飽和脂環烴(環烯)構造一般的脂環式構造之聚合物。構成脂環式構造之碳原子數雖無特別限制，但在通常為4~30個、較佳為5~20個、更佳為5~15個之範圍時，在機械強度、耐熱性以及長條薄膜的成形性之特性上係能夠取得高度的平衡，而為適宜。

脂環式烯烴聚合物中之含有脂環式構造所成之重複單位的比例，係只要適當選擇即可，但較佳為55重量%以上，更佳為70重量%以上，特佳為90重量%以上。若脂環式烯烴樹脂中之具有脂環式構造之重複單位的比例落在此範圍中，則由於藉由本實施形態之長條傾斜配向薄膜所得到的相位差薄膜等之光學材料的透明性及耐熱性會提昇，因此為佳。

作為具有脂環構造之烯烴聚合物系樹脂係可列舉：降莰烯系樹脂、單環之環狀烯烴系樹脂、環狀共軛二烯系樹脂、乙烯基脂環式烴系樹脂及此等之氫化物等。此等當中，降莰烯系樹脂，係由於其透明性與成形性為良好，因此可適宜使用。

作為降莰烯系樹脂係可列舉例如：具有降莰烯構造之單體的開環聚合物或具有降莰烯構造之單體與其 他單體之開環共聚物或者該等之氫化物、具有降莰烯構造之單體之加成聚合物或具有降莰烯構造之單體與其他單體之加成共聚物或者該等之氫化物等。此等當中，具有降莰烯構造之單體的開環(共)聚合物氫化物，就透明性、成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性以及輕量性的觀點而言，係可特別適宜使用。

作為成形如上述般之使用有降莰烯系樹脂的長條薄膜之方法，係以後述之溶液流延法(溶液製膜法)或熔融流延法(例如熔融押出法)的製造方法為佳。作為熔融押出法，係可列舉使用有模之膨脹法等，在生產性與厚度精度優異的觀點，係以使用T模之方法為佳。

作為使用有T模之押出成形法，係可藉由如於日本特開2004-233604號公報中所記載般之將密著於冷卻筒時的熔融狀態之熱塑性樹脂保持在安定的狀態的方法，來製造遲滯(Retardation)或配向角之類之光學特性的參差為小的長條薄膜。

具體而言係可列舉：1)在藉由熔融押出法而製造長條薄膜時，使從模被押出之薄片狀的熱塑性樹脂在50kPa以下之壓力下密著於冷卻筒上並作拉取的方法；2)在藉由熔融押出法而製造長條薄膜時，將從模開口部起直到最初所密著的冷卻筒為止的範圍藉由包圍構件來作覆蓋，並將從包圍構件起直到模開口部或者最初所密著的冷卻筒為止之距離設為100mm以下的方法；3)在藉由熔融押出法而製造長條薄膜時，將距離從模開口部被押出的 薄片狀之熱塑性樹脂10mm以內的環境之溫度加溫至特定之溫度的方法；4)以滿足關係的方式來使從模被押出的薄片狀之熱塑性樹脂在50kPa以下之壓力下密著於冷卻筒上並作拉取的方法；5)在藉由熔融押出法而製造長條薄膜時，對於從模開口部被押出之薄片狀的熱塑性樹脂吹附與最初所密著的冷卻筒之拉取速度之間的速度差為0.2m/s以下之風的方法。

此長條薄膜係可為單層，亦可為2層以上之層合薄膜。層合薄膜，係可藉由共押出成形法、共流延成形法、薄膜層壓法、塗佈法等之周知的方法來得到。此等當中，係以共押出成形法、共流延成形法為佳。

[纖維素酯系樹脂]

作為纖維素酯系樹脂薄膜係可列舉：含有滿足下述式(1)及(2)之纖維素醯化物，且含有以下述一般式(A)所表示之化合物者。

式(1) 2.0≦Z1<3.0

式(2) 0≦X<3.0(於式(1)及(2)中，Z1係表示纖維素醯化物之總醯基取代度，X係表示纖維素醯化物之丙醯基取代度及丁醯基取代度之總和)。

以下，針對一般式(A)進行詳細說明。於一般式(A)中，L₁及L₂係各自獨立表示單鍵或2價之連結基。作為L₁及L₂，係可列舉例如下述構造。(下述R係表示氫原子或取代基)。

作為L₁及L₂，較佳為-O-、-COO-、-OCO-。

R₁、R₂及R₃係各自獨立表示取代基。作為以R₁、R₂及R₃所表示之取代基的具體例係可列舉：鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)、烷基(甲基、乙基、n-丙基、異丙基、tert-丁基、n-辛基、2-乙基己基等)、環烷基(環己基、環戊基、4-n-十二烷基環己基等)、烯基(乙烯基、烯丙基等)、環烯基(2-環戊烯-1-基、2-環己烯-1-基等)、炔基(乙炔基、炔丙基 等)、芳基(苯基、p-甲苯基、萘基等)、雜環基(2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑基等)、氰基、羥基、硝基、羧基、烷氧基(甲氧基、乙氧基、異丙氧基、tert-丁氧基、n-辛氧基、2-甲氧乙氧基等)、芳氧基(苯氧基、2-甲基苯氧基、4-tert-丁基苯氧基、3-硝苯氧基、2-十四醯基胺基苯氧基等)、醯氧基(甲醯氧基、乙醯氧基、新戊醯氧基(pivaloyloxy)、硬脂醯氧基、苯甲醯氧基、p-甲氧苯基羰氧基等)、胺基(胺基、甲基胺基、二甲基胺基、苯胺基、N-甲基-苯胺基、二苯基胺基等)、醯基胺基(甲醯基胺基、乙醯基胺基、新戊醯基胺基、月桂醯基胺基、苯甲醯基胺基等)、烷基及芳基磺醯基胺基(甲基磺醯基胺基、丁基磺醯基胺基、苯基磺醯基胺基、2,3,5-三氯苯基磺醯基胺基、p-甲基苯基磺醯基胺基等)、巰基、烷硫基(甲硫基、乙硫基、n-十六烷硫基等)、芳硫基(苯硫基、p-氯苯硫基、m-甲氧苯硫基等)、胺磺醯基(N-乙基胺磺醯基、N-(3-十二烷氧丙基)胺磺醯基、N,N-二甲基胺磺醯基、N-乙醯基胺磺醯基、N-苯甲醯基胺磺醯基、N-(N’苯基胺甲醯基)胺磺醯基等)、磺基、醯基(乙醯基、新戊醯基苯甲醯基等)、胺甲醯基(胺甲醯基、N-甲基胺甲醯基、N,N-二甲基胺甲醯基、N,N-二-n-辛基胺甲醯基、N-(甲基磺醯基)胺甲醯基等)。

作為R₁及R₂，較佳為取代或無取代之苯基、取代或無取代之環己基，更佳為具有取代基之苯基、具有 取代基之環己基，再更佳為於4位具有取代基之苯基、於4位具有取代基之環己基。

作為R₃，較佳為氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、芳基、雜環基、羥基、羧基、烷氧基、芳氧基、醯氧基、氰基、胺基，更佳為氫原子、鹵素原子、烷基、氰基、烷氧基。

Wa及Wb，係表示氫原子或取代基，但，(I)Wa及Wb亦可相互結合而形成環；(H)Wa及Wb之至少一個亦可具有環構造；或者(III)Wa及Wb之至少一個亦可為烯基或者炔基。

作為以Wa及Wb所表示之取代基的具體例係可列舉：鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)、烷基(甲基、乙基、n-丙基、異丙基、tert-丁基、n-辛基、2-乙基己基等)、環烷基(環己基、環戊基、4-n-十二烷基環己基等)、烯基(乙烯基、烯丙基等)、環烯基(2-環戊烯-1-基、2-環己烯-1-基等)、炔基(乙炔基、炔丙基等)、芳基(苯基、p-甲苯基、萘基等)、雜環基(2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑基等)、氰基、羥基、硝基、羧基、烷氧基(甲氧基、乙氧基、異丙氧基、tert-丁氧基、n-辛氧基、2-甲氧乙氧基等)、芳氧基(苯氧基、2-甲基苯氧基、4-tert-丁基苯氧基、3-硝苯氧基、2-十四醯基胺基苯氧基等)、醯氧基(甲醯氧基、乙醯氧基、新戊醯氧基、硬脂醯氧基、苯甲醯氧基、p-甲氧苯基羰氧基等)、胺基(胺基、甲基胺 基、二甲基胺基、苯胺基、N-甲基-苯胺基、二苯基胺基等)、醯基胺基(甲醯基胺基、乙醯基胺基、新戊醯基胺基、月桂醯基胺基、苯甲醯基胺基等)、烷基及芳基磺醯基胺基(甲基磺醯基胺基、丁基磺醯基胺基、苯基磺醯基胺基、2,3,5-三氯苯基磺醯基胺基、p-甲基苯基磺醯基胺基等)、巰基、烷硫基(甲硫基、乙硫基、n-十六烷硫基等)、芳硫基(苯硫基、p-氯苯硫基、m-甲氧苯硫基等)、胺磺醯基(N-乙基胺磺醯基、N-(3-十二烷氧丙基)胺醯基、N,N-二甲基胺磺醯基、N-乙醯基胺磺醯基、N-苯甲醯基胺磺醯基、N-(N’苯基胺甲醯基)胺磺醯基等)、磺基、醯基(乙醯基、新戊醯基苯甲醯基等)、胺甲醯基(胺甲醯基、N-甲基胺甲醯基、N,N-二甲基胺甲醯基、N,N-二-n-辛基胺甲醯基、N-(甲基磺醯基)胺甲醯基等)。

上述之取代基亦可進一步以上述之基來取代。

(I)在Wa及Wb相互鍵結而形成環的情況，該環較佳為含氮5員環或者含硫5員環。又，一般式(A)，特佳係以下述一般式(1)或一般式(2)所表示之化合物。

於一般式(1)中，A₁及A₂係各自獨立表示-O-、-S-、-NRx-(Rx係表示氫原子或取代基)或者-CO-。以Rx所表示之取代基的例子係與以上述Wa及Wb所表示之取代基的具體例同義。作為Rx，較佳為氫原子、烷基、芳基、雜環基。

於一般式(1)中，X係表示第14~16族之非金屬原子。作為X，較佳為=O、=S、=NRc、=C(Rd)Re。在此，Rc、Rd、Re係表示取代基，作為例子係與以上述Wa及Wb所表示之取代基的具體例同義。L₁、L₂、R₁、R₂、R₃、n，係與一般式(A)中之L₁、L₂、R₁、R₂、R₃、n同義。

於一般式(2)中，Q₁係表示-O-、-S-、-NRy-(Ry係表示氫原子或取代基)、-CRaRb-(Ra及Rb係表示氫原子或取代基)或者-CO-。在此，Ry、Ra、Rb係表示取代基，作為例子，係與以上述Wa及Wb所表示的取代基之具體例為同義。

Y係表示取代基。作為以Y所表示之取代基的例子，係與以上述Wa以及Wb所表示之取代基的具體例同義。作為Y，較佳為芳基、雜環基、烯基、炔基。

作為以Y所表示之芳基係可列舉：苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基等，較佳為苯基、萘基，更佳為苯基。

作為雜環基係可列舉：呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、噻唑基、苯并噻唑基等之至少包含一個氮原子、氧原子、硫原子等之雜原子的雜環基，較佳為呋喃基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、噻唑基。

此等之芳基或雜環基亦可具有至少一個取代 基。作為此取代基係可列舉：鹵素原子、碳數1~6之烷基、氰基、硝基、碳數1~6之烷基亞磺醯基、碳數1~6之烷基磺醯基、羧基、碳數1~6之氟烷基、碳數1~6之烷氧基、碳數1~6之烷硫基、碳數1~6之N-烷基胺基、碳數2~12之N,N-二烷基胺基、碳數1~6之N-烷基胺磺醯基、碳數2~12之N,N-二烷基胺磺醯基等。

L₁、L₂、R₁、R₂、R₃、n，係與一般式(A)中之L₁、L₂、R₁、R₂、R₃、n同義。

(II)於一般式(A)中，作為Wa及Wb之至少一個為具有環構造的情況時之具體例，較佳為下述一般式(3)。

於一般式(3)中，Q₃係表示=N-或=CRz-(Rz係氫原子或取代基)、Q₄係表示第14~16族之非金屬原子。Z係表示與Q₃及Q₄一起形成環之非金屬原子群。

由Q₃、Q₄及Z所形成之環，亦可進一步以另一環進行縮環。由Q₃、Q₄及Z所形成之環，較佳為以苯環縮環之含氮5員環或者6員環。

L₁、L₂、R₁、R₂、R₃、n，係與一般式(A)中之L₁、L₂、R₁、R₂、R₃、n同義。

(III)在Wa及Wb之至少一個為烯基或炔基的情況，該等較佳係具有取代基之乙烯基或乙炔基。

以上述一般式(1)、一般式(2)以及一般式(3)所表示之化合物當中，特佳係以一般式(3)所表示之化合物。

以一般式(3)所表示之化合物，相較於以一般式(1)所表示之化合物，其耐熱性及耐光性優異，相較於以一般式(2)所表示之化合物，其對於有機溶劑之溶解性或與聚合物之相溶性為良好。

以一般式(A)所表示之化合物，係可為了賦予所期望之波長分散性以及防滲出性，而適當調整量來含有，但作為添加量，較佳係相對於纖維素衍生物，包含1~15質量%，尤其是以包含2~10質量%為佳。若為此範圍內，則可對上述纖維素衍生物賦予充分的波長分散性以及防滲出性。

另外，以一般式(A)、一般式(1)、一般式(2)及一般式(3)所表示的化合物，係可參照既知之方法來得到。具體而言係可參照Journal of Chemical Crystallography(1997)；27(9)；512-526)、日本特開2010- 31223號公報、日本特開2008-107767號公報等來進行合成。

(關於纖維素醯化物)

本實施形態之纖維素醯化物薄膜係含有纖維素醯化物作為主成分。例如，本實施形態之纖維素醯化物薄膜，係相對於薄膜之全質量(100質量%)，包含較佳為60~100質量%之範圍的纖維素醯化物。又，纖維素醯化物之總醯基取代度係2.0以上未達3.0，更佳為2.2~2.7。

作為纖維素醯化物係可列舉：纖維素與碳數2~22程度之脂肪族羧酸及/或芳香族羧酸的酯，尤其是以纖維素與碳數為6以下之低級脂肪酸的酯為佳。

鍵結於纖維素之羥基的醯基係可為直鏈，亦可為分支，又，亦可形成環。進而，亦可以另一取代基進行取代。在相同取代度的情況，由於若上述之碳數為多，則雙折射性會降低，因此作為碳數較佳係在碳數2~6之醯基當中進行選擇，丙醯基取代度及丁醯基取代度之總和為0以上未達3.0。較佳係作為前述纖維素醯化物之碳數為2~4，更佳係碳數為2~3。

具體而言，作為纖維素醯化物係如纖維素乙酸酯丙酸酯、纖維素乙酸酯丁酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯丁酸酯或纖維素乙酸酯鄰苯二甲酸酯般之乙醯基，此外可使用鍵結有丙酸酯基、丁酸酯基或鄰苯二甲醯基之纖維素的混合脂肪酸酯。另外，形成丁酸酯之丁醯基係可為直 鏈，亦可為分支。

於本實施形態中，作為纖維素醯化物，特佳使用纖維素乙酸酯、纖維素乙酸酯丁酸酯、或纖維素乙酸酯丙酸酯。

又，上述之纖維素醯化物，較佳係同時滿足下述之數式(i)及數式(ii)者。

式(i) 2.0≦X+Y<3.0

式(ii) 0≦X<3.0

式中，Y係表示乙醯基之取代度，X係表示丙醯基或丁醯基或者其混合物之取代度。

又，為了得到可達成目的之光學特性，亦可將取代度相異之樹脂進行混合使用。作為此時之混合比，較佳為1：99~99：1(質量比)。

上述當中，尤其是較佳使用纖維素乙酸酯丙酸酯作為纖維素醯化物。於纖維素乙酸酯丙酸酯中，較佳為0≦Y≦2.5，且0.5≦X≦3.0(但，2.0≦X+Y<3.0)，更佳為0.5≦Y≦2.0，且1.0≦X≦2.0(但，2.0≦X+Y<3.0)。另外，醯基之取代度係可依據ASTM(American Society for Testing and Materials；美國試驗材料協會)所策定/發行的規格之一的ASTM-D817-96進行測定。

若纖維素醯化物之數量平均分子量為60000~300000之範圍，則所得之薄膜的機械強度會增強，故為佳。更佳係使用數量平均分子量為70000~200000之纖維 素醯化物。

纖維素醯化物之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)係使用凝膠滲透層析法(GPC)所測定。測定條件係如以下所述。另外，本測定方法亦可作為於本實施形態中之其他的聚合物之測定方法來使用。

溶劑：二氯甲烷；管柱：將Shodex K806、K805、K803G(昭和電工股份有限公司製)作3根連接來使用；管柱溫度：25℃；試料濃度：0.1質量%；檢測器：RI Model 504(GL SCIENCE公司製)；泵：L6000(日立製作所股份有限公司製)；流量：1.0ml/min

校正曲線：使用標準聚苯乙烯STK standard聚苯乙烯(TOSOH股份有限公司製)Mw=1000000~500之13個樣本所得之校正曲線。13個樣本係以略等間隔來使用。

纖維素醯化物中之殘留硫酸含量，較佳係以硫元素換算，為0.1~45質量ppm之範圍。可以推測到，此等係以鹽的形態而含有。若殘留硫酸含量超過45質量ppm，則在熱延伸時或熱延伸後之剪切(slitting)時會有變得容易破斷的傾向。另外，殘留硫酸含量，更佳係1~30質量ppm之範圍。殘留硫酸含量，係可藉由ASTM-D817-96所規定之方法來測定。

又，纖維素醯化物中之游離酸含量較佳為1~ 500質量ppm。若為上述之範圍，則由於與上述相同地難以破斷，因此為佳。另外，游離酸含量，較佳係1~100質量ppm之範圍，而變得更難以破斷。尤其是以1~70質量ppm之範圍為佳。游離酸含量係可藉由ASTM-D817-96所規定之方法來測定。

藉由充分進行合成後之纖維素醯化物的洗淨，而可將殘留硫酸含量及游離酸含量設為上述範圍，而為佳。

作為纖維素醯化物之原料的纖維素雖無特別限定，但可列舉：棉短絨、木材紙漿、洋麻等。又，由該等所得之纖維素醯化物係可分別以任意之比例進行混合使用。

纖維素醯化物係可藉由周知之方法進行製造。具體而言，例如係可參照於日本特開平10-45804號公報所記載之方法來進行合成。

又，纖維素醯化物亦會因纖維素醯化物中之微量金屬成分而受到影響。此等之微量金屬成分，雖可推測到與在製造步驟中所使用的水有關連，但，可能成為不溶性之核的成分係越少越好。尤其，鐵、鈣、鎂等之金屬離子係有會藉由與具有包含有機之酸性基的可能性之聚合物分解物等進行鹽形成而形成不溶物的情況，故較少為佳。又，鈣(Ca)成分係與羧酸或磺酸等之酸性成分，又與大部分配位子容易形成配位化合物(亦即，錯合物)，而有形成較多來自不溶的鈣之浮渣(不溶性之沉澱、混 濁)之虞，故較少為佳。

具體而言，關於鐵(Fe)成分，較佳係纖維素醯化物中之含量為1質量ppm以下。又，關於鈣(Ca)成分，纖維素醯化物中之含量較佳為60質量ppm以下，更佳為0~30質量ppm。再者，關於鎂(Mg)成分，由於若過多則會產生不溶物質，因此較佳係纖維素醯化物中之含量為0~70質量ppm，尤其是以0~20質量ppm為佳。

另外，鐵(Fe)成分之含量、鈣(Ca)成分之含量、鎂(Mg)成分之含量等的金屬成分之含量，係可將絕乾之纖維素醯化物利用微波消化濕式分解裝置以硫硝酸進行分解，並以鹼熔融進行前處理，之後，使用ICP-AES(電感式耦合電漿發光分光分析裝置)來進行分析。

[聚碳酸酯系樹脂]

作為聚碳酸酯系樹脂係可無特別限定地使用各種類，就化學性質及物性的觀點而言，較佳為芳香族聚碳酸酯樹脂，尤其是以雙酚A系聚碳酸酯樹脂為佳。其中，更佳係使用於雙酚A導入有苯環、環己烷環、及脂肪族烴基等的雙酚A衍生物者。進而，特佳係使用對於雙酚A之中央的碳，非對稱地導入上述官能基的衍生物所得之使單位分子內之異向性減少的構造之聚碳酸酯樹脂。作為如此之聚碳酸酯樹脂，特佳係例如使用將雙酚A之中央的碳之2個甲基於苯環上作取代者、將雙酚A之各苯環的一個氫以甲 基或苯基等對於中央碳作非對稱地取代者所得之聚碳酸酯樹脂。

具體而言，由4,4’-二羥二苯基烷烴或者此等之鹵素取代體藉由光氣法或者酯交換法所得者，可列舉例如：4,4’-二羥二苯基甲烷、4,4’-二羥二苯基乙烷、4,4’-二羥二苯基丁烷等。又，除此之外，例如亦可列舉：於日本特開2006-215465號公報、日本特開2006-91836號公報、日本特開2005-121813號公報、日本特開2003-167121號公報、日本特開2009-126128號公報、日本特開2012-31369號公報、日本特開2012-67300號公報、國際公開第00/26705號等中所記載的聚碳酸酯系樹脂。

聚碳酸酯樹脂係可與聚苯乙烯系樹脂、甲基丙烯酸甲酯系樹脂、及纖維素乙酸酯系樹脂等之透明性樹脂進行混合來使用。又，亦可於使用纖維素乙酸酯系樹脂所形成之樹脂薄膜的至少其中一面，層合含有聚碳酸酯系樹脂之樹脂層。

聚碳酸酯系樹脂，較佳係玻璃轉移點(Tg)為110℃以上，且吸水率(在23℃水中，以24小時的條件所測定之值)為0.3%以下者。又，更佳係Tg為120℃以上，且吸水率為0.2%以下者。

可在本實施形態使用的聚碳酸酯系樹脂薄膜，係可藉由周知之方法來製膜，其中，又以溶液流延法或熔融流延法為佳。

<添加劑>

本實施形態之長條薄膜亦可包含添加劑。作為添加劑，係存在有可塑劑、紫外線吸收劑、遲滯調整劑、抗氧化劑、抗劣化劑、剝離助劑、界面活性劑、染料、微粒子等。於本實施形態中，關於微粒子以外的添加劑，係可在摻雜液之調製時作添加，亦可在微粒子分散液之調製時作添加。

(可塑劑)

作為被添加於長條薄膜的可塑劑係可列舉：鄰苯二甲酸酯系、脂肪酸酯系、偏苯三甲酸酯系、磷酸酯系、聚酯系、糖酯系、丙烯酸系聚合物等。其中，就透濕性的觀點而言，可較佳使用聚酯系、及糖酯系聚合物之可塑劑。

聚酯系可塑劑，相較於鄰苯二甲酸二辛酯等之鄰苯二甲酸酯系之可塑劑，其非轉移性或耐萃取性更優異。藉由因應於用途來選擇或併用此等之可塑劑，而可適用於廣範圍之用途中。作為丙烯酸系聚合物，較佳為丙烯酸或甲基丙烯酸烷基酯之均聚物或者共聚物。作為丙烯酸酯之單體，係可列舉例如：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯(i-、n-)、丙烯酸丁酯(n-、i-、s-、t-)、丙烯酸戊酯(n-、i-、s-)、丙烯酸己酯(n-、i-)、丙烯酸庚酯(n-、i-)、丙烯酸辛酯(n-、i-)、丙烯酸壬酯(n-、i-)、丙烯酸十四酯(n-、i-)、丙烯酸(2-乙基己酯)、丙烯酸(ε-己內酯)、丙烯酸(2-羥乙酯)、丙烯 酸(2-羥丙酯)、丙烯酸(3-羥丙酯)、丙烯酸(4-羥丁酯)、丙烯酸(2-羥丁酯)、丙烯酸(2-甲氧乙酯)、丙烯酸(2-乙氧乙酯)等，或者將上述丙烯酸酯變更成甲基丙烯酸酯者。丙烯酸系聚合物雖為上述單體之均聚物或者共聚物，但較佳係具有丙烯酸甲基酯單體單位為30質量%以上，又，較佳係具有甲基丙烯酸甲酯單體單位為40質量%以上。尤其是以丙烯酸甲酯或者甲基丙烯酸甲酯之均聚物為佳。

聚酯系可塑劑雖為一價至四價之羧酸酸與一價至六價之醇的反應物，但主要使用使二價羧酸與二醇進行反應所得者。作為代表性的二價羧酸係可列舉：戊二酸、衣康酸、己二酸、鄰苯二甲酸、壬二酸、癸二酸等。又，聚酯系可塑劑較佳者係芳香族末端酯系可塑劑。作為芳香族末端酯系可塑劑，較佳係具有使鄰苯二甲酸、己二酸、至少一種的苯單羧酸及至少一種的碳數2~12之烷二醇進行反應的構造之酯化合物。只要具有己二酸殘基及鄰苯二甲酸殘基作為最終的化合物之構造即可，於製造酯化合物時，係可作為二羧酸之酸酐或酯化物進行反應。

作為苯單羧酸成分，例如，存在有苯甲酸、對第三丁基苯甲酸、鄰甲苯甲酸、間甲苯甲酸、對甲苯甲酸、二甲基苯甲酸、乙基苯甲酸、正丙基苯甲酸、胺基苯甲酸、乙醯氧基苯甲酸等，最佳為苯甲酸。又，此等係可分別一種或者作為二種以上之混合物來使用。

作為碳數2~12之烷二醇成分係可列舉：乙 二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,2-丙二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇(新戊二醇)、2,2-二乙基-1,3-丙二醇(3,3-三羥甲基戊烷)、2-n-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇(3,3-三羥甲基庚烷)、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、2-乙基-1,3-己二醇、2-甲基-1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,12-十八烷二醇等。此等當中，尤其是以1,2-丙二醇為佳。此等之二醇係可一種或者作為二種以上之混合物來使用。

芳香族末端酯系可塑劑係低聚酯(oligoester)、聚酯之形式中任一者皆可，分子量係以100~10000之範圍為佳，但較佳為350~3000之範圍。又，酸價為1.5mgKOH/g以下，羥(羥基)價為25mgKOH/g以下，較佳係酸價為0.5mgKOH/g以下、羥(羥基)價為15mgKOH/g以下者。

具體而言係可列舉以下所示之化合物等，但並不限定於此等。

作為糖酯系化合物係纖維素酯以外之酯，將下述單糖、二糖、三糖或低聚糖等之糖的OH基之全部或一部分進行酯化後的化合物，作為更具體的例示係可列舉 以一般式(4)所表示之化合物等。

式中，R₁~R₈係表示氫原子、取代或無取代之碳數2~22之烷基羰基、或者取代或無取代之碳數2~22之芳基羰基。R₁~R₈係可為相同，亦可為相異。

以下，雖針對藉由一般式(4)所表示的化合物作具體性展示(化合物1-1~化合物1-23)，但，並不限定於此等。另外，當在下表中而平均取代度為未達8.0的情況時，R₁~R₈中之其中一者係表示氫原子。

此等之可塑劑，較佳係相對於纖維素酯薄膜100質量份，添加0.5~30質量份者。

(遲滯調整劑)

作為為了調整遲滯所添加的化合物，係可使用如歐洲專利911,656A2號說明書中所記載般之具有二個以上的芳香族環之芳香族化合物。

又，亦可併用二種以上的芳香族化合物。於該芳香族化合物之芳香族環，除了芳香族烴環以外，特佳係包含芳香族性雜環。芳香族性雜環一般為不飽和雜環。其中，特佳為1,3,5-三嗪環。

(聚合物或者寡聚物)

本實施形態之長條薄膜，較佳係含有纖維素酯、與具有由羧基、羥基、胺基、醯胺基、及磺酸基中選出的取代基，且重量平均分子量為500~200,000之範圍內的乙烯基系化合物之聚合物或者寡聚物。較佳係該纖維素酯與該聚合物或者寡聚物之含量的質量比為95：5~50：50之範圍內。

(消光劑)

於本實施形態中，係可作為消光劑而於長條薄膜中含有微粒子，藉此，可使長條薄膜以及使用其所製造的長條傾斜配向薄膜之搬送或捲取變得容易進行。

消光劑之粒徑，較佳係10nm~0.1μm之1次粒子或2次粒子。1次粒子之針狀比為1.1以下的略球狀之消光劑係可較佳使用。

作為微粒子係以包含矽者為佳，特其是以二氧化矽為佳。作為於本實施形態中較佳之二氧化矽的微粒子，例如，可列舉：日本AEROSIL(股)製之以AEROSIL R972、R972V、R974、R812、200、200V、300、R202、OX50、TT600(以上為日本AEROSIL(股)製)的商品名稱作市售者，可較佳使用AEROSIL 200V、R972、R972V、R974、R202、R812。作為聚合物之微粒子的例子係可列舉：矽酮樹脂、氟樹脂及丙烯酸樹脂。較 佳為矽酮樹脂，尤其是以具有三維之網狀構造者為佳。作為如此之樹脂，例如，可列舉：TOSPEARL 103、同105、同108、同120、同145、同3120及同240(TOSHIBA SILICON(股)製)。

二氧化矽之微粒子，較佳係1次平均粒徑為20nm以下且表觀比重(apparent specific gravity)為70g/L以上者。更佳係1次粒子之平均直徑為5~16nm，再更佳係5~12nm。若1次粒子的平均直徑越小，則霧度越低，而為佳。表觀比重，較佳係90~200g/L以上，更佳係100~200g/L以上。若表觀比重越大，則成為能夠作出高濃度之微粒子分散液，並且不會產生霧狀物、凝聚物，而為佳。

於本實施形態中之消光劑的添加量，較佳係每1m²之長條薄膜中為0.01~1.0g，更佳係0.03~0.3g，再更佳係0.08~0.16g。

(其他之添加劑)

除此之外，亦可添加高嶺土、滑石、矽藻土、石英、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鈦、氧化鋁等之無機微粒子、鈣、鎂等之鹼土類金屬之鹽等的熱安定劑。進而，亦可添加界面活性劑、剝離促進劑、抗靜電劑、難燃劑、潤滑劑、油劑等。

<長條薄膜之特性> (張力軟化點)

對於本實施形態之長條薄膜，係要求能夠耐住在更高溫之環境下的使用。因此，長條薄膜之張力軟化點，由於若為105℃~145℃則展現充分的耐熱性，而為佳，尤其是以110℃~130℃為佳。

作為張力軟化點之具體的測定方法，例如，係可使用TENSILON試驗機(ORIENTEC公司製、RTC-1225A)，並將試料薄膜切出120mm(縱)×10mm(寬幅)，而一面以10N之張力作拉伸一面以30℃/min之昇溫速度來持續昇溫，而對於在成為9N之時點的溫度進行3次測定，再根據其之平均值來求出。

(尺寸變化率)

在將本實施形態之長條薄膜作傾斜延伸後的薄膜使用於有機EL畫像顯示裝置中的情況，為了避免起因於由吸濕導致的尺寸變化而發生像是厚度不均或相位差值之變化、及對比之降低或顏色不均之類的問題，傾斜延伸薄膜之尺寸變化率(%)，較佳係未達0.5%，進而，更佳係未達0.3%。

(缺陷)

本實施形態之長條薄膜，較佳係薄膜中之缺陷為少。在此，缺陷係指在溶液製膜之乾燥步驟中起因於溶劑之急遽的蒸發所發生的薄膜中之空洞(發泡缺陷)，或起因於 製膜原液中之異物或在製膜中所混入之異物導致的薄膜中之異物(異物缺陷)。

具體而言，較佳係薄膜面內之直徑5μm以上的缺陷為1個/10cm平方以下。更佳為0.5個/10cm平方以下，再更佳為0.1個/10cm平方以下。

上述缺陷之直徑，當缺陷為圓形的情況係表示其之直徑，當非為圓形的情況係藉由下述方法來以顯微鏡作觀察而決定缺陷之範圍，並設為其之最大直徑(外接圓之直徑)。

缺陷之範圍，當缺陷為氣泡或異物的情況係在對於缺陷藉由微分干涉顯微鏡之透射光來進行觀察時之陰影的大小。在缺陷為輥傷痕之轉印或擦傷等之表面形狀的變化之情況，係對於缺陷藉由微分干涉顯微鏡之反射光來進行觀察並確認大小。

另外，在藉由反射光來進行觀察的情況，若缺陷之大小不明瞭，則在表面上蒸鍍鋁或鉑來進行觀察。為了生產性佳地得到以該缺陷頻率所表示的品質為優良之薄膜，在即將流延之前對聚合物溶液進行高精確度之過濾、或將流延機周邊之清淨度提高、或者是對流延後之乾燥條件進行階段性設定而有效率且將發泡加以抑制地進行乾燥等的手段係為有效。

若缺陷之個數比1個/10cm平方以下更多，則如果是例如在後續步驟中之加工時等對薄膜施加張力，便會有以缺陷作為基點而導致薄膜破斷，生產性降低的情 況。又，若缺陷之直徑成為5μm以上，則可藉由偏光板觀察等而以目視確認，在作為光學構件使用時，會有產生亮點的情況。

(全光線透射率)

本實施形態之長條薄膜，較佳係其之全光線透射率為90%以上，更佳為93%以上。又，作為全光線透射率之現實性的上限係為99%左右。為了達成以該全光線透射率所表示之優異的透明性，構成為不導入會吸收可見光之添加劑或共聚合成分、或將聚合物中之異物藉由高精度過濾來去除，使薄膜內部之光的擴散或吸收減低等的手段係為有效。又，藉由將製膜時之薄膜接觸部(冷卻輥、壓光輥、滾筒、皮帶、於溶液製膜中之塗佈基材、搬送輥等)的表面粗度縮小而使薄膜表面之表面粗度變小以使薄膜表面之光的擴散或反射減低之手段亦為有效。

<長條薄膜之製膜法>

包含上述之樹脂的本實施形態之長條薄膜，係可藉由以下所示之溶液流延製膜法或熔融流延製膜法之其中一者來製膜。另外，在此，雖針對長條薄膜為包含有纖維素酯系樹脂的情況來進行說明，但在包含其他之樹脂的情況亦相同。

在藉由溶液流延製膜法來製造長條薄膜的情況，係將作為纖維素酯系樹脂的長條薄膜之原料溶液的摻 雜劑，藉由流延模來流延於由旋轉金屬製無端皮帶所成的支持體上。藉由流延而形成於支持體上之摻雜劑膜亦即帶(web)，係於在支持體上作了約一周的循環時，藉由剝離輥而被剝離。被剝離的帶(薄膜)，係被導入至由拉幅機所成的延伸裝置。

在藉由熔融流延製膜法來製造長條薄膜的情況，於使用有T模之押出方法中，係以能夠將聚合物熔融之溫度來進行熔融，並從T模來以薄膜狀(薄片狀)押出至冷卻筒上，並使其冷卻固化，再從冷卻筒將薄膜剝離。被剝離的薄膜，係被導入至由拉幅機所成的延伸裝置。

以下，針對各製膜法之詳細內容進行說明。

[溶液流延製膜法]

在由溶液流延製膜法所致之長條薄膜的製造方法中，作為纖維素酯溶液之摻雜劑的固體成分濃度，通常為10~40質量%左右，於流延步驟中之流延時的摻雜劑黏度，係被調製為1~200泊(poise)之範圍。

在此，首先，纖維素酯之溶解，通常係使用在溶解釜中之攪拌溶解方法、加熱溶解方法、超音波溶解方法等的手段，又，為了防止被稱作凝膠或團塊(lump)之塊狀未溶解物的產生，更佳係採用在加壓下，加熱至溶劑之常壓時的沸點以上且不會使溶劑沸騰的範圍內之溫度並一面攪拌一面使其溶解之方法。又，亦可使用於日本特開平9-95538號公報中所記載之冷卻溶解方法，或者於日 本特開平11-21379號公報中所記載的於高壓下進行溶解之方法等。

在將纖維素酯與不良溶劑進行混合而使其濕潤或者膨潤之後，進一步與良溶劑進行混合並使其溶解之方法亦可較佳使用。此時，亦可使將纖維素酯與不良溶劑進行混合並濕潤或者膨潤的裝置和與良溶劑進行混合並使其溶解之裝置相互獨立。

在纖維素酯之溶解中所使用的加壓容器之種類並無特別限定，只要是可耐住既定之壓力並可在加壓下進行加熱、攪拌即可。除此之外，在加壓容器中，係適當配設壓力計、溫度計等之計器類。加壓，亦可藉由將氮氣等之惰性氣體作壓入的方法，或藉由以加熱所致的溶劑之蒸氣壓的上升來進行。加熱，較佳係從外部來進行，例如夾套(jacket)型者，係由於溫度控制為容易，因此為佳。

添加溶劑之加熱溫度，係所使用之溶劑的沸點以上，在2種以上之混合溶劑的情況，較佳係加溫至沸點為較低的溶劑之沸點以上的溫度且為不會使該溶劑沸騰的範圍之溫度。若加熱溫度過高，則所需要的壓力會變大，生產性係變差。較佳之加熱溫度的範圍為20~120℃，更佳為30~100℃，再更佳為40~80℃之範圍。又，壓力，係以在設定溫度下而不會使溶劑沸騰的方式來作調整。

除了纖維素酯與溶劑之外，亦可將必要之可 塑劑、紫外線吸收劑等之添加劑預先與溶劑相混合而使其溶解或分散，之後投入至纖維素酯溶解前之溶劑中，或者是亦可投入至纖維素酯溶解後之摻雜劑中。

在纖維素酯之溶解後，係一面冷卻一面從容器中取出，或者是藉由泵等來從容器中抽出並藉由熱交換器等來進行冷卻，而供以進行所得到的纖維素酯之摻雜劑之製膜，但此時之冷卻，亦可進行直至常溫為止。

在將纖維素酯原料和溶劑之混合物藉由具有攪拌機之溶解裝置來溶解時，較佳係將攪拌翼之周速設為至少0.5m/秒以上，並且進行30分鐘以上的攪拌來溶解。

在纖維素酯摻雜劑中所包含的異物(特別是在液晶顯示裝置中會被誤認為畫像之異物)，係必須要藉由對此摻雜劑進行過濾來去除。可以說作為光學薄膜之品質乃取決於此過濾。

在過濾中所使用的濾材，係以絕對過濾精度為小者為佳，但若絕對過濾精度過小，則容易發生濾材的堵塞，而必須要頻繁地進行濾材的交換，故有著會使生產性降低的問題。因此，對於纖維素酯摻雜劑所使用的濾材，較佳係絕對過濾精度為0.008mm以下者，更佳係0.001~0.008mm之範圍，再更佳係0.003~0.006mm之範圍的濾材。

對於濾材之材質並無特別限制，可使用通常的濾材，但聚丙烯、TEFLON(註冊商標)等之塑膠纖維製的濾材或不鏽鋼纖維等金屬製的濾材係無纖維之脫落 等，而為佳。

纖維素酯摻雜劑之過濾係可使用通常的方法來進行，但以溶劑之常壓時的沸點以上且溶劑不會沸騰的範圍之溫度一面在加壓下進行加熱一面過濾的方法，係濾材前後之差壓(以下，有時記載為濾壓)的上昇為小，而為佳。

較佳之過濾溫度的範圍為45~120℃，更佳為45~70℃，再更佳為45~55℃之範圍。

濾壓，較佳為3500kPa以下，更佳為3000kPa以下，再更佳為2500kPa以下。另外，濾壓係可藉由適當選擇過濾流量與過濾面積來進行控制。

為了製造纖維素酯系樹脂之長條薄膜，首先，將纖維素酯溶解在良溶劑以及不良溶劑之混合溶劑中，並於其中添加上述之可塑劑或紫外線吸收劑，而調製纖維素酯溶液(摻雜劑)。

摻雜劑，係能夠以支持體之溫度為一般的0℃~未達溶劑之沸點的範圍來流延於支持體上，進而，亦可以5℃~溶劑沸點-5℃之溫度範圍來流延於支持體上，但更佳係以5~30℃之溫度範圍來流延於支持體上。此時，周圍之環境溫度係有必要控制在露點以上。

又，將以使摻雜劑黏度成為1~200泊的方式調整後的摻雜劑，從流延模以在支持體上成為大致均一之膜厚的方式進行流延，並以使當流延膜中之殘留溶劑量相對於固體成分重量為200%以上時流延膜溫度會成為溶劑 沸點以下、並且當殘留溶劑量為200%以下~剝離為止時流延膜溫度會成為溶劑沸點+20℃以下之範圍的方式，來藉由乾燥風使流延膜(帶)進行乾燥。

在此，殘留溶劑量係以下述之式來表示。

殘留溶劑量(質量%)={(M-N)/N}×100

但，式中，M係帶之任意時點的重量，N係將重量M者以110℃來進行3小時乾燥後的重量。

在支持體上，為了使帶被乾燥固化直至成為能夠從支持體剝離的膜強度為止，較佳係進行乾燥直至帶中之殘留溶劑量為150質量%以下，更佳係乾燥至50~120%。

從支持體將帶剝離時的帶溫度較佳為0~30℃。又，由於帶係會在剛被從支持體剝離之後，起因於從支持體密著面側所發生之溶劑蒸發而導致溫度暫時急遽降低，環境中之水蒸氣或溶劑蒸氣等之揮發性成分係容易凝結，因此，剝離時之帶溫度為5~30℃係更佳。

在帶(或者薄膜)之乾燥步驟中，一般係採用輥懸吊方式、或一面藉由針梳拉幅方式或者鋏帶拉幅方式來搬送帶一面進行乾燥的方式。

剝離後之帶，例如係被導入至一次乾燥裝置中。在一次乾燥裝置內，係藉由在從側面作觀察時被配置為交錯狀的複數之搬送輥來使帶被蛇行搬送，於此期間中，帶係藉由從乾燥裝置之頂板所吹入並從乾燥裝置之底部所排出的溫風而進行乾燥。

接著，將所得到的薄膜(薄片)朝向單軸方向作延伸。藉由延伸，分子係被配向。進行延伸之方法並無特別限制，但係可較佳使用周知之針梳拉幅機或鋏帶式之拉幅機等。延伸方向，係可為長度方向，亦可為寬度方向，亦可為任意之方向(傾斜方向)，但藉由將延伸方向設為寬度方向，而容易調整長條薄膜之破斷伸度(Breaking elongation)，而為佳。

尤其，在被從支持體剝離後之乾燥步驟中，起因於溶劑之蒸發，帶係會有在寬度方向上收縮的傾向。若以越高的溫度來進行乾燥，則收縮會變得越大。在使完成的薄膜之平面性成為良好的觀點上，較佳係一面盡可能地對此收縮作抑制一面進行乾燥。基於此觀點，例如，較佳係如於日本特開昭62-46625號公報中所揭示般之於全部之乾燥步驟或者一部分的乾燥步驟中一面在寬度方向上藉由夾鉗來將帶之寬幅兩端作寬幅保持一面使其乾燥之方法(拉幅方式)。

作為長條薄膜之延伸條件，係能夠以可得到所期望之破斷伸度特性的方式來選擇溫度、倍率。通常，延伸倍率為1.1~2.0倍，較佳為1.2~1.5倍，延伸溫度，通常係被設定在構成薄片之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)-40℃~Tg+50℃，較佳係設定在Tg-40℃~Tg+40℃之溫度範圍內。若延伸倍率過小，則會有無法得到所期望之破斷伸度特性的情況，相反地若過大，則會有發生破斷的情況。若延伸溫度過低，則會有發生破斷的情況， 又，若過高，則會有無法得到所期望之破斷伸度特性的情況。

在將藉由上述之方法所製作的熱塑性樹脂薄膜之破斷伸度特性修正為配合目的之所期望的特性的情況，亦可使薄膜在長度方向或寬度方向上作延伸或收縮。為了在長度方向上使其收縮，例如，存在有藉由將寬幅延伸作暫時性的鬆鋏而使其於長度方向上鬆弛之方法，或者是將橫延伸裝置之相鄰的鋏之間隔逐漸縮窄來使薄膜收縮之方法。後者之方法，係可藉由使用一般之同時雙軸延伸裝置，將縱方向之相鄰的鋏之間隔例如藉由縮放(pantograph)方式或者是線性驅動方式來驅動鋏部分並使其順暢地逐漸縮窄的方法而進行。

拉幅機之把持、延伸係可在剛被剝離後之膜的殘留溶劑量為50~150質量%正要被捲取前之實質的殘留溶劑量為0質量%之範圍內的任意處來進行，但以在殘留溶劑量為5~10%之範圍內來進行為佳。

亦一般性地進行將拉幅機在基材的前進方向上區分成數個溫度區域。進行延伸時之溫度，係選擇能夠得到所期望之物性或平面性的溫度，但拉幅機前後之乾燥區域的溫度也因各種之理由而選擇與進行延伸時之溫度不同的溫度。例如，當拉幅機前之乾燥區域的環境溫度與拉幅機內之溫度不同的情況，一般係進行將拉幅機入口附近之區域的溫度設定為拉幅機前之乾燥區域之溫度與拉幅機中央部之溫度的中間性之溫度。針對拉幅機後與拉幅機內 之溫度為不同的情況，亦同樣地將拉幅機出口附近之區域的溫度設定為拉幅機後與拉幅機內之溫度的中間性之溫度。拉幅機前後之乾燥區域的溫度，一般為30~120℃，較佳為50~100℃，拉幅機內延伸部之溫度為50~180℃，較佳為80~170℃，拉幅機入口部或出口部之溫度係由該等溫度的中間性之溫度適當選擇。

延伸之形態，亦即把持鋏之軌跡，係與溫度相同地，基於膜之光學物性或平面性來作選擇，而有各種形態，但多使用在把持之開始後暫時維持於一定之寬幅，之後被延伸，並在延伸結束後再度以一定之寬幅而被保持的形態。在拉幅機出口附近之鋏把持結束的附近處，為了對起因於將把持作開放一事所導致的基材振動作抑制，一般係進行寬幅之舒緩。

雖然延伸之形態係以與延伸速度有所關連，但延伸速度，一般而言為10~1000(%/min)，較佳為100~500(%/min)。此延伸速度，在鋏之軌跡為曲線的情況時並非為一定，而會在基材之前進方向上逐漸變化。

進而，由上述之拉幅方式所得到的乾燥後之帶(薄膜)，係接著被導入至二次乾燥裝置。在二次乾燥裝置內，係藉由在從側面觀察時被配置為交錯狀的複數之搬送輥來使帶被蛇行搬送，於此期間中，帶係藉由從二次乾燥裝置之頂板所吹入並從二次乾燥裝置之底部所排出的溫風而進行乾燥，並作為纖維素酯系樹脂之長條薄膜而被捲取機所捲取。

使帶乾燥之手段並無特別限制，而使用一般之熱風、紅外線、加熱輥、微波等。就簡便性的觀點係以藉由熱風來進行乾燥為佳。乾燥溫度，較佳為40~150℃，就使平面性、尺寸安定性改善的觀點，更佳為80~130℃。

如此般，在帶之乾燥步驟中，係將從支持體剝離的帶進一步乾燥，最終，使殘留溶劑量成為3質量%以下，較佳為1質量%以下，更佳為0.5質量%以下者，係就得到尺寸安定性為良好之薄膜的觀點而言為佳。

此等之從流延起直到後續乾燥為止的步驟，係可在空氣環境下進行，亦可在氮氣等之惰性氣體環境下進行。於此情況，當然是考慮溶劑之爆發臨界濃度，來實施乾燥環境。

另外，較佳為，對於結束搬送乾燥步驟之纖維素酯系樹脂之長條薄膜，於導入至捲取步驟的前段處，藉由壓花加工裝置，來進行在纖維素酯系樹脂之長條薄膜的兩側緣部形成壓花之加工。作為壓花加工裝置，例如係可利用於日本特開昭63-74850號公報中所記載之裝置。

關於在纖維素酯系樹脂之長條薄膜的製造中之捲取機係可為一般所使用者，可藉由定張力法、定轉矩法、錐度張力(Taper tension)法、內部應力為一定之程式張力控制法等的捲取方法來進行捲取。

捲取後之長條薄膜的膜厚，係依據使用目的而異，但膜厚範圍為20~200μm，以最近之薄型化傾向 而言，係以30~120μm之範圍為佳，尤其是以40~100μm之範圍為佳。

[熔融流延製膜法]

作為熔融流延製膜法，係存在著使用有T模之方法或膨脹法等之熔融押出法、壓延(calendaring)法、熱衝壓法、射出成形法等。其中，係以能夠使厚度參差縮小，容易加工為50~500μm左右之厚度，且能夠使膜厚參差或遲滯之參差縮小之使用T模的方法為佳。使用T模之押出方法，係以能夠將聚合物熔融之溫度來進行熔融，從T模來以薄膜狀(薄片狀)押出至冷卻筒上，並使其冷卻固化，再從冷卻筒剝離之方法，所得到之薄膜的厚度精確度優異，而可較佳使用。

熔融押出，係可藉由與在其他之聚酯等之熱塑性樹脂中所使用的條件相同之條件來進行。例如，係可將在熱風或真空或者減壓下乾燥後的纖維素酯，使用單軸或2軸型之押出機，以押出溫度200~300℃左右進行熔融，並藉由葉片圓盤型之濾網等來進行過濾而將異物去除，之後，從T模來流延為薄膜狀(薄片狀)，並在冷卻筒上使其固化。在從供給斗而導入至押出機時，較佳係設為減壓下或惰性氣體環境下，以防止氧化分解等。

押出流量，較佳係構成為導入齒輪泵等來安定地進行。又，作為在異物之去除中所使用的濾網，係可較佳使用不鏽鋼纖維燒結濾網。不鏽鋼纖維燒結濾網，係 在作出使不鏽鋼纖維體複雜地交絡的狀態之後，進行壓縮並對於接觸部位進行燒結而一體化者，可藉由該纖維之粗細與壓縮量來改變密度，並對於過濾精度作調整。較佳係設為將過濾精度疏、密連續性地複數次重複的多層體。又，藉由採用使過濾精度逐漸提高之構成，或採用使過濾精度之疏、密重複的方法，由於係能夠延長濾網之過濾壽命，並且也能夠將異物或凝膠等之捕捉精度提昇，因此為佳。

若在模處產生有傷痕或異物附著，則會有發生筋狀之缺陷的情況。如此之缺陷係被稱為模線，為了使模線等之表面的缺陷縮小，較佳為，從押出機起至模的配管，係設為將樹脂之滯留部盡可能地減少的構造。又，較佳係使用在模之內部或唇部盡可能不存在有傷痕者。由於會有從樹脂而在模周邊析出揮發性成分並成為模線之發生之原因的情況，因此較佳係將包含揮發性成分之環境作吸引。又，由於在施加靜電等之裝置也會有發生析出的情況，因此較佳係施加交流電流或藉由其他之加熱手段來防止析出。

可塑劑等之添加劑係可預先與樹脂進行混合，亦可在押出機之途中混入。為了均勻地進行添加，係以使用靜態混合器等之混合裝置為佳。

冷卻筒之溫度，較佳係熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度以下。為了使樹脂密著於冷卻筒上，較佳係使用藉由施加靜電來使其密著之方法、藉由風壓來使其密著之方 法、對於全寬幅或端部進行捏夾來使其密著之方法、藉由減壓來使其密著之方法等。

藉由如此之熔融流延製膜法所成形的熱塑性樹脂之長條薄膜，係與藉由溶液流延製膜法所成形之長條薄膜不同，而具有厚度方向遲滯(Rt)為小之特徵，並且也會有成為需要採用與溶液流延製膜法不同之延伸條件的情況。為了得到所期望的光學物性，視情況，也會有將薄膜之前進方向的延伸與薄膜寬度方向的延伸之雙方同時進行或者是逐次進行的情況。又，視情況，也會有僅進行薄膜之寬度方向之延伸的情況。藉由此延伸操作，分子係被配向，薄膜係被調整為所需要的遲滯值。

本實施形態之長條薄膜，在藉由熔融流延製膜法而製造的情況，作為能夠使用的紫外線吸收劑，係可使用與在由前述之溶液流延製膜法所致之長條薄膜的製造方法中所使用者大致相同者。

此等之紫外線吸收劑的摻合量，較佳係相對於熱塑性樹脂，為0.01~10質量%之範圍，進而以0.1~5質量%為佳。若使用量過少，則會有紫外線吸收效果並不充分的情況，相反地若過多，則會有薄膜之透明性劣化的情況。紫外線吸收劑較佳係熱安定性為高者。

於長條薄膜中，較佳係添加用以賦予薄膜之潤滑性的微粒子。作為所使用的微粒子，只要是具有熔融時之耐熱性，則不論是無機化合物或者有機化合物之何者均可，例如，作為無機化合物，較佳係包含矽之化合物、 二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、滑石、黏土、燒成高嶺土、燒成矽酸鈣、水合矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂及磷酸鈣等，更佳係包含矽之無機化合物或氧化鋯。其中，就可將霧度抑制為小之觀點而言，係以使用二氧化矽為特別理想。在將長條薄膜藉由熔融流延製膜法而製造的情況，作為所使用的消光劑，亦可使用與在由前述之溶液流延製膜法所致之長條薄膜的製造方法中所使用者大致相同者。

<長條薄膜之規格>

於本實施形態中之長條薄膜的厚度為1~400μm，較佳為20~200μm，更佳為30~120μm，特佳為40~100μm之範圍。

長條薄膜之寬幅，雖無特別限定，但可設為500~4000mm，較佳為1000~2000mm。

長條薄膜之在傾斜延伸時之延伸溫度下的較佳之彈性率，以楊氏率(Young’s modulus)表示，係為0.01MPa以上5000MPa以下，更佳為0.1MPa以上500MPa以下。若彈性率過低，則延伸時、延伸後之收縮率係變低，皺折係變得難以消除。又，若彈性率過高，則在延伸時所施加之張力係變大，並成為有必要將保持薄膜之兩側緣部的部分之強度提高，對於後續步驟之拉幅的負荷係變大。

作為長條薄膜係可使用無配向者，亦可供給預先具備有配向之薄膜。又，若有必要，則長條薄膜之配 向的寬度方向之分布亦可成為弓狀，亦即成為所謂的曲折(bowing)狀。關鍵在於，能夠將長條薄膜之配向狀態，調整為能夠使在結束後續步驟之延伸的位置之薄膜的配向成為所期望之配向的狀態。

<傾斜配向薄膜之製造方法及製造裝置>

接著，針對製造將上述之長條薄膜相對於寬度方向而朝向傾斜方向延伸的長條狀之傾斜配向薄膜(傾斜延伸薄膜)之傾斜配向薄膜之製造方法及製造裝置進行說明。

<光學薄膜之製造方法及製造裝置>

接著，針對將上述之長條薄膜相對於寬度方向而朝向傾斜方向延伸並製造長條狀之傾斜配向薄膜，並且將該傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部切斷而去除，再取剩餘之製品部作為光學薄膜的光學薄膜之製造方法及製造裝置進行說明。

(裝置之概要)

第1圖係示意性顯示光學薄膜之製造裝置1的概略構成之平面圖。製造裝置1，係從長條薄膜之搬送方向上游側起，依序具備有薄膜送出部2、搬送方向變更部3、導引輥4、延伸部5、導引輥6、搬送方向變更部7、薄膜切斷裝置8、以及薄膜捲取部9。另外，針對延伸部5及薄膜切斷裝置8之詳細內容係後述。

薄膜送出部2，係將上述之長條薄膜送出並供給至延伸部5者。此薄膜送出部2，係可與長條薄膜之製膜裝置相互獨立地構成，亦可作一體性地構成。於前者之情況，係在長條薄膜之製膜後，一度捲取於卷芯上，並將成為捲繞體者裝填於薄膜送出部2，藉此，長條薄膜被從薄膜送出部2送出。另一方面，於後者之情況，薄膜送出部2，係成為在製膜長條薄膜之後，並不將該長條薄膜捲取，而是對延伸部5作送出。

搬送方向變更部3，係將從薄膜送出部2所送出的長條薄膜之搬送方向變更為朝向作為傾斜延伸拉幅機之延伸部5的入口之方向者。如此之搬送方向變更部3，例如係包含藉由一面搬送薄膜一面折返來使搬送方向變更之旋轉棒(turn bar)、或使該旋轉棒在與薄膜相平行之面內旋轉的旋轉台而構成。

藉由在搬送方向變更部3將長條薄膜之搬送方向如上述般地變更，除了能夠將製造裝置1全體之寬幅更加縮窄以外，亦成為能夠對於薄膜之送出位置及角度作細緻的控制，而成為能夠得到膜厚、光學值之參差為小的長條傾斜配向薄膜。又，若將薄膜送出部2及搬送方向變更部3設為可移動(可滑動、可旋轉)，則能夠有效地防止在延伸部5處挾持長條薄膜之寬度方向的兩端部之左右的鋏(把持具)之對於薄膜的咬入不良。

另外，上述之薄膜送出部2，亦可成為能夠以對於延伸部5之入口而以既定角度送出長條薄膜的方式來 進行滑動及旋轉。於此情況，亦可成為將搬送方向變更部3之設置省略的構成。

導引輥4，係為了使長條薄膜之行走時的軌道安定化，而在延伸部5之上游側至少被設置有1根。另外，導引輥4，係可藉由挾持薄膜之上下一對的輥對來構成，亦可藉由複數之輥對來構成。最接近延伸部5之入口的導引輥4，係為對於薄膜之行走作導引的被動輥，並經由未圖示之軸承部而分別被旋轉自如地軸支持。作為導引輥4之材質係可使用周知之材質。另外，為了防止對於薄膜造成傷痕，較佳係在導引輥4之表面上施加陶瓷塗敷，或藉由對於鋁等之輕金屬施加鉻電鍍等來將導引輥4輕量化。

又，較佳為，在較最接近延伸部5之入口的導引輥4而更上游側之輥之中的其中1根，係與橡膠輥作壓接並進行捏夾。藉由設為如此之捏夾輥，係成為能夠對於在薄膜之流動方向上的送出張力之變動作抑制。

在最接近延伸部5之入口的導引輥4之兩端(左右)之一對的軸承部，係分別設置有第1張力檢測裝置、第2張力檢測裝置作為用以檢測在該輥而於薄膜所產生的張力之薄膜張力檢測裝置。作為薄膜張力檢測裝置，例如係可使用負載胞(load cell)。作為負載胞，係可使用拉伸或壓縮型之周知者。負載胞，係藉由被安裝在撓曲源之撓度計來將作用在受力點處的荷重轉換為電性訊號並檢測出來的裝置。

負載胞，係藉由被設置在最接近延伸部5之入口的導引輥4之左右的軸承部，而將行走中之薄膜所作用在輥處之力，亦即將在薄膜之兩側緣近旁所產生的於薄膜前進方向上之張力左右相互獨立地檢測出來。另外，亦可在構成輥之軸承部的支持體直接安裝撓度計，並構成為根據在該支持體所產生的撓曲來檢測荷重，亦即檢測薄膜張力。所產生的撓曲與薄膜張力之間的關係，係預先被計測出來而為既知。

在從薄膜送出部2或搬送方向變更部3被供給至延伸部5的薄膜之位置及搬送方向從朝向延伸部5之入口的位置及搬送方向而偏離的情況，係成為會因應於此偏離量而在最接近延伸部5之入口的導引輥4之薄膜之兩側緣近旁的張力產生差異。因而，藉由設置如上述般之薄膜張力檢測裝置來檢測上述之張力差，而可判別該偏離之程度。亦即，若薄膜之搬送位置及搬送方向為適當(若為朝向延伸部5之入口的位置及方向)，則作用在上述導引輥4之荷重，係會於軸方向之兩端成為大略均等，但若非為適當，則會在左右而於薄膜張力產生差異。

因而，若以使最接近延伸部5之入口的導引輥4之左右的薄膜張力差成為相等的方式，例如藉由上述之搬送方向變更部3而來適當地調整薄膜之位置及搬送方向(相對於延伸部5之入口的角度)，則由延伸部5之入口部的把持具所致之薄膜的把持會安定，而可減少把持具鬆脫等的障礙之發生。進而，可使由延伸部5所致之傾斜 延伸後的薄膜之寬幅方向上的物性安定。

導引輥6，係為了使藉由延伸部5而被傾斜延伸的薄膜之行走時的軌道安定，而在延伸部5之下游側至少被設置有1根。

搬送方向變更部7，係將從延伸部5所搬送之延伸後的薄膜之搬送方向變更為朝向薄膜捲取部9之方向者。

在此，為了與配向角(薄膜之面內遲相軸之方向)之微調整或製品的種類變化相對應，係成為必須進行在延伸部5之入口的薄膜前進方向與延伸部5之出口的薄膜前進方向間所成之角度的調整。為了進行此角度調整，係成為必須藉由搬送方向變更部3來變更所製膜的薄膜之前進方向而將薄膜導引至延伸部5之入口，及/或藉由搬送方向變更部7來變更從延伸部5之出口所導出的薄膜之前進方向並使薄膜回到薄膜捲取部9之方向。

又，在生產性或產率的觀點，較佳係將製膜及傾斜延伸連續性地進行。在連續進行製膜步驟、傾斜延伸步驟、捲取步驟的情況，藉由以搬送方向變更部3及/或搬送方向變更部7來變更薄膜之前進方向並在製膜步驟與捲取步驟中使薄膜之前進方向一致，也就是說，藉由如第1圖中所示般，使從薄膜送出部2送出的薄膜之前進方向(送出方向)與即將要藉由薄膜捲取部9被捲取之前的薄膜之前進方向(捲取方向)一致，而可使相對於薄膜前進方向之裝置全體的寬幅縮小。

另外，雖然係並不一定必須在製膜步驟與捲取步驟中使薄膜之前進方向一致，但較佳係以成為不會使薄膜送出部2和薄膜捲取部9相干涉之佈局的方式，來藉由搬送方向變更部3及/或搬送方向變更部7來變更薄膜之前進方向。

作為如上述般之搬送方向變更部3、7，係可藉由使用氣流輥(airtflow roll)或氣動旋棒(air trunbar)等的周知之手法來實現。

薄膜捲取部9，係將從延伸部5經由搬送方向變更部7及薄膜切斷裝置8所搬送的薄膜(光學薄膜)進行捲取者，例如藉由捲揚裝置、積聚裝置、驅動裝置等而構成。薄膜捲取部9，較佳係為了調整薄膜之捲取位置，而為可在橫方向上進行滑動的構造。

薄膜捲取部9，係成為能夠以相對於延伸部5之出口以既定角度來拉取薄膜的方式而對於薄膜之拉取位置及角度作細緻的控制。藉此，成為能夠得到膜厚、光學值之參差為小的長條傾斜配向薄膜。又，成為能夠有效地防止薄膜之皺折的發生，並且，由於薄膜之捲取性提昇，因此成為能夠以長條狀態來捲取薄膜。

此薄膜捲取部9，係構成將藉由延伸部5被延伸並搬送的薄膜以一定之張力來作拉取之拉取部。另外，在延伸部5與薄膜捲取部9之間，亦可設置用以將薄膜以一定之張力作拉取之拉取輥。又，亦可使上述之導引輥6具有作為上述拉取輥之功能。

於本實施形態中，延伸後之薄膜的拉取張力T(N/m)，係以在100N/m<T<300N/m，較佳為150N/m<T<250N/m之間進行調整。在上述之拉曲張力為100N/m以下時，係容易發生薄膜之鬆弛或皺折，並且遲滯、配向角之薄膜寬幅方向上的分布也會惡化。相反地，若拉取張力成為300N/m以上，則配向角之薄膜寬幅方向上的參差會惡化，而使寬幅產率(寬幅方向上之取得效率)惡化。

又，於本實施形態中，較佳係將上述拉取張力T的變動以未達±5%之精度來作控制，更佳係以未達±3%之精度來作控制。若上述拉取張力T之變動為±5%以上，則在寬幅方向及流動方向(搬送方向)上的光學特性之參差會變大。作為將上述拉取張力T之變動控制在上述範圍內之方法，係可列舉下述方法：測定被施加在延伸部5之出口側之最初的輥(導引輥6)之荷重，亦即薄膜之張力，並以使該值會成為一定的方式，來藉由一般性之PID控制方式而控制拉取輥或薄膜捲取部9之捲取輥的旋轉速度。作為測定上述荷重之方法係可列舉：在導引輥6之軸承部安裝負載胞並測定施加在導引輥6處之荷重，亦即薄膜之張力的方法。作為負載胞係可使用拉伸型或壓縮型之周知者。

另外，在將長條狀之光學薄膜捲取之前，在防止薄膜彼此之結塊的目的上，亦可將遮罩薄膜重疊於光學薄膜上並同時進行捲取，亦可一面在藉由捲取而重疊的 光學薄膜之至少其中一方(較佳為雙方)的端部貼合膠帶等一面進行捲取。作為遮罩薄膜，只要是可保護光學薄膜者則無特別限定，例如，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等。

又，在將光學薄膜捲取之前，係亦可成為藉由於該薄膜之至少其中一面(較佳為兩面)的寬度方向之兩端部，形成被稱為滾花部或是壓花部之相較於薄膜面而更為增高的部分(凸部)，來防止在將薄膜捲取時之薄膜彼此的結塊。另外，滾花部之高度及形狀，亦可在寬度方向之兩端部為不同(亦可為非對稱)。

(延伸部之詳細內容)

接著，針對上述之延伸部5之詳細內容進行說明。第2圖，係示意性顯示延伸部5之軌形態的其中一例之平面圖。但此係為其中一例，延伸部5之構成並不被限定於此。

於本實施形態中，作為延伸部5，係使用可進行傾斜延伸之拉幅機(傾斜延伸機)來進行。此拉幅機，係將長條薄膜加熱至可進行延伸之任意之溫度並進行傾斜延伸的裝置。此拉幅機，係具備有加熱區域Z、左右一對之軌Ri、Ro、以及將沿著軌Ri、Ro行走的薄膜進行搬送之多數個把持具Ci、Co(在第2圖中，係僅圖示1組把持具)。另外，針對加熱區域Z之詳細內容係後述。軌Ri、Ro，係分別將複數之軌部藉由連結部來作連結而構成 (第2圖中之白圈係連結部之其中一例)。把持具Ci、Co，係藉由將薄膜之寬度方向的兩端作把持之鋏而構成。

於第2圖中，長條薄膜之送出方向D1，係與延伸後之光學薄膜的捲取方向D2相異，並在與捲取方向D2之間成送出角度θ i之角度。送出角度θ i，係可在超過0°未達90°的範圍內，任意設定為所期望的角度。

如此般，由於送出方向D1與捲取方向D2不同，因此拉幅機之軌形態係成為左右非對稱之形狀，薄膜之搬送路徑係在途中彎曲。又，成為能夠因應於對應製造之長條傾斜配向薄膜賦予的配向角度θ、延伸倍率等，來手動或自動調整軌形態。於在本實施形態之製造方法中所使用之傾斜延伸機，較佳係成為可自由地設定構成軌Ri、Ro之各軌部及軌連結部的位置並任意地變更軌形態。

於本實施形態中，拉幅機之複數之把持具Ci、Co，係與前後之把持具Ci、Co保持一定的間隔，而成為以一定速度行走。把持具Ci、Co之行走速度係可適當選擇，但通常為1~150m/分鐘。於本實施形態中，考慮到薄膜之生產性，較佳係設為20~100m/分鐘。左右一對之把持具Ci、Co的行走速度之差，係行走速度之通常1%以下，較理想係為0.5%以下，更佳為0.1%以下。此係因為若在延伸步驟出口處於薄膜之左右有前進速度差，則在延伸步驟出口會產生皺折、偏向，因此左右之把持具Ci、Co之速度差，係要求實質為相同速度之故。在一般 的拉幅裝置等中，因應於驅動鏈條之鏈輪的齒之週期、驅動馬達之頻率等，係存在有以秒以下之尺度所產生的速度不均，有時會產生數%之不均，但此等並不符合於本實施形態中所述之速度差。

於在本實施形態之製造方法中所使用的延伸機，特別是在薄膜之搬送成為傾斜的部位，於對於把持具之軌跡作限制的軌處，有時會要求有較大的彎曲率。在避免起因於急遽之彎曲所導致的把持具彼此間之干涉、或局部性之應力集中的目的上，較理想為，在彎曲部，把持具之軌跡係成為描繪出曲線。

如此般，為了對長條薄膜賦予傾斜方向之配向所使用的傾斜延伸拉幅機，較佳係藉由使軌形態多樣性變化，而可自由地設置薄膜之配向角，進而可將薄膜之配向軸(遲相軸)涵蓋薄膜之寬幅方向地來左右均等地以高精度配向，且亦可以高精度來控制薄膜厚度或遲滯的拉幅機。

接著，針對在延伸部5之延伸動作進行說明。長條薄膜，係藉由左右之把持具Ci、Co而使其之兩端被把持，並伴隨著把持具Ci、Co之行走而在加熱區域Z內被搬送。左右之把持具Ci、Co，係在延伸部5之入口部(圖中A之位置)，在相對於薄膜之前進方向(送出方向D1)而略垂直的方向上相互對向，並在左右非對稱之軌Ri、Ro上分別行走，而在延伸結束時之出口部(圖中B之位置)將所把持的薄膜釋放。被從把持具Ci、Co釋 放的薄膜，係藉由前述之薄膜捲取部9而被捲取於卷芯上。一對之軌Ri、Ro，係分別具有無端狀之連續軌道，在拉幅機之出口部將薄膜之把持釋放後的把持具Ci、Co，係成為在外側之軌上行走並依序回到入口部。

此時，由於軌Ri、Ro係為左右非對稱，因此在第2圖之例中，於圖中A的位置相對向的左右之把持具Ci、Co，係隨著在軌Ri、Ro上行走，而成為在軌Ri側(內軌側)上行走之把持具Ci會相對於在軌Ro側(外軌側)上行走之把持具Co而先行前進的位置關係。

亦即，當在圖中A之位置在相對於薄膜之送出方向D1而略垂直的方向上相對向之把持具Ci、Co當中，其中一方之把持具Ci先到達薄膜之延伸結束時的位置B時，連結把持具Ci、Co的直線係相對於與薄膜之捲取方向D2略垂直的方向而作角度θ L之傾斜。基於以上之動作，長條薄膜係成為相對於寬度方向而以θ L的角度作傾斜延伸。在此，略垂直係表示落於90±1°之範圍內。

在傾斜延伸步驟中，薄膜之搬送速度亦可為1~150m/分鐘。就使薄膜之生產性提昇的觀點而言，薄膜之搬送速度較理想為10~120m/分鐘，更理想為20~100m/分鐘。

接著，針對上述之加熱區域Z之詳細內容進行說明。延伸部5之加熱區域Z，係藉由預熱區域Z1、延伸區域Z2以及舒緩區域Z3所構成。在延伸部5，藉由把持具Ci、Co被把持的薄膜，係依序通過預熱區域Z1、延 伸區域Z2、舒緩區域Z3。於本實施形態中，預熱區域Z1與延伸區域Z2係藉由隔壁而被區隔，延伸區域Z2與舒緩區域Z3係藉由隔壁而被區隔。另外，在預熱區域Z1、延伸區域Z2、舒緩區域Z3之各者的區域內，係亦可適當設置隔壁(亦可將各區域之內部進一步藉由隔壁來作分割)。

預熱區域Z1，係在加熱區域Z之入口部，使把持薄膜之兩端的把持具Ci、Co在左右(在薄膜寬幅方向上)保持一定之間隔而行走之區域。

延伸區域Z2，係使把持薄膜之兩端的把持具Ci、Co之間隔展開直到成為既定之間隔為止之區域。此時，係進行如同上述一般之傾斜延伸，但是，係亦可因應於需要，而在傾斜延伸之前後，進行縱方向或橫方向之延伸。

舒緩區域Z3，係進行在延伸區域Z2中之傾斜延伸步驟之後，使起因於傾斜延伸殘留在薄膜上的應力(殘留應力)藉由後述之溫度設定來舒緩的舒緩步驟之區域。在舒緩區域Z3中，由於傾斜延伸薄膜之光學軸(遲相軸)係被固定，因此舒緩區域Z3亦被稱為熱固定區域。在舒緩區域Z3中，係可使兩端之把持具Ci、Co相互保持平行地行走，亦可以在使薄膜於寬度方向上收縮之後再保持平行的方式來行走。無論如何，在舒緩區域Z3中，薄膜之搬送路徑並不會如傾斜延伸區域Z2-2般地彎曲，薄膜之搬送方向係為一定。

另外，延伸後之薄膜，在通過舒緩區域Z3之後，亦可通過將區域內之溫度設定為構成薄膜之熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度Tg(℃)以下之區間(冷卻區域)。

較佳為，相對於熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度Tg，預熱區域Z1之溫度係被設定為Tg~Tg+60℃，延伸區域Z2之溫度係被設定為Tg~Tg+50℃，舒緩區域Z3及冷卻區域之溫度係被設定為Tg-40~Tg+30℃。

另外，預熱區域Z1、延伸區域Z2及舒緩區域Z3之長度係可適當選擇，相對於延伸區域Z2之長度，預熱區域Z1之長度通常為50~200%，舒緩區域Z3之長度通常為50~150%。

又，若將延伸前之薄膜的寬幅設為Wo(mm)，並將延伸後之薄膜的寬幅設為W(mm)，則在延伸步驟中之延伸倍率R(W/Wo)，較佳為1.1~3.0，更佳為1.3~2.0。若延伸倍率落在此範圍中，則由於薄膜之寬幅方向的厚度不均變小，故為佳。

另外，在延伸部5之傾斜延伸的手法並不限定於上述之手法，例如亦可藉由如於日本特開2008-23775號公報中所揭示般之同時雙軸延伸來進行傾斜延伸。另外，同時雙軸延伸，係指將被供給之長條薄膜的寬度方向之兩端部藉由各把持具來把持，並一面使各把持具移動一面搬送長條薄膜，並且在將長條薄膜之搬送方向設為一定的狀態下，藉由使其中一方之把持具的移動速度與另外一方之把持具的移動速度相異，來將長條薄膜相對於寬度方 向而朝向傾斜方向延伸之方法。除此之外，亦可藉由如於日本特開2011-11434號公報中所揭示般之手法來進行傾斜延伸。

(薄膜切斷裝置之詳細內容)

接著，針對薄膜切斷裝置8之詳細內容進行說明。第3圖係顯示薄膜切斷裝置8之概略構成之立體圖。薄膜切斷裝置8，係具有第1切斷部8a及第2切斷部8b，第1切斷部8a及第2切斷部8b係分別將藉由延伸部5而被傾斜延伸的長條傾斜配向薄膜F’之寬度方向的兩端部，亦即其中一方之端部Ta及另一方之端部Tb沿著長度方向來切斷。藉由第1切斷部8a及第2切斷部8b，從長條傾斜配向薄膜F’將端部Ta及另一方之端部Tb切斷並去除，藉此，可取得在寬度方向上於端部Ta與端部Tb之間所剩餘的薄膜部分(製品部)作為光學薄膜F。被切斷的端部Ta、Tb，係作為修整部而被回收至供料板(shooter，未圖示)，並在接下來的薄膜之製膜中被再利用。又，第1切斷部8a及第2切斷部8b之寬度方向的位置，係因應於所取得的光學薄膜F之寬幅而作調整。

第4圖係薄膜切斷裝置8之平面圖。第1切斷部8a及第2切斷部8b，係分別具有上刀10a(第2刀)和下刀10b(第1刀)。下刀10b，係相對於長條傾斜配向薄膜F’之薄膜面而被配置在其中一側(例如下側)並以沿著寬度方向配置之旋轉軸10b₁為中心進行旋轉的 旋轉刀。上刀10a，係相對於長條傾斜配向薄膜F’之薄膜面而被配置在另外一側(例如上側)的旋轉刀。上刀10a之旋轉軸10a₁，係在薄膜面內，相對於寬度方向而以與相對於下刀10b之束角θ 1(°)對應的角度作傾斜。另外，上述之束角，係指在薄膜面內而上刀10a與下刀10b所成之角度。

若將長條傾斜配向薄膜F’搬送至薄膜切斷裝置8，則長條傾斜配向薄膜F’係在被上刀10a和下刀10b所夾入的位置(切割點)，藉由上刀10a及下刀10b之旋轉而被切斷。藉由一面將長條傾斜配向薄膜F’在長度方向上搬送一面切斷，長條傾斜配向薄膜F’係成為沿著長度方向被切斷。如此般，在薄膜切斷裝置8，係進行將長條傾斜配向薄膜F’之寬度方向的兩端部分別藉由第1切斷部8a及第2切斷部8b來切斷之切斷步驟。

在此，在上述之切斷步驟中，在第1切斷部8a及第2切斷部8b之各者，係如以下般地設定上刀10a和下刀10b之間的位置關係，而將長條傾斜配向薄膜F’切斷。亦即，於下刀10b之寬度方向的其中一側(例如薄膜中央側、薄膜內側)及另一側(與薄膜中央側相反側、薄膜外側)當中，隨著朝相對於下刀10b之束角θ 1增大的方向將上刀10a傾斜，在上刀10a之形成上述束角θ 1的面S和長條傾斜配向薄膜F’之配向方向所形成的角度θ 變小的側配置上刀10a。另外，上述之角度θ係設為0°<θ<90°之範圍。在第4圖所示之例中，上述角度θ變小 的側，係指於將長條傾斜配向薄膜F’之左側的端部Ta切斷之第1切斷部8a，係相對於下刀10b而為薄膜中央側(薄膜內側)，於將長條傾斜配向薄膜F’之右側的端部Tb切斷之第2切斷部8b，係相對於下刀10b而為與薄膜中央側相反側(薄膜外側)。在切斷步驟中，係如上述般地配置上刀10a和下刀10b並將長條傾斜配向薄膜F’夾入，將長條傾斜配向薄膜F’切斷。

第5圖係參考例之薄膜切斷裝置8’之平面圖。參考例之薄膜切斷裝置8’，係在第2切斷部8b，將於寬度方向上之下刀10b與上刀10a之間的位置關係，設為與第4圖相反，除此之外，係與第4圖之薄膜切斷裝置8相同的構成。也就是說，在參考例中，係成為下述構成：在第2切斷部8b，相對於下刀10b而於薄膜中央側配置上刀10a，並在與下刀10b之間而在薄膜中央側形成束角θ 1，並利用上刀10a與下刀10b將長條傾斜配向薄膜F’夾住並切斷。另外，束角θ 1之絕對值，係在第4圖和第5圖中設為相同。

在參考例中，於第2切斷部8b，沿著上刀10a之面S的方向，係與長條傾斜配向薄膜F’之配向方向作大幅度交叉之方向。此時，若將長條傾斜配向薄膜F’之配向角(相對於寬度方向之配向方向所成之角度)設為(°)，則在長條傾斜配向薄膜F’之薄膜面內，沿著面S之方向與配向方向之間所成的角度θ係為θ=(90°-)+θ 1。如此般，若角度θ為大，則長條傾斜配向薄膜F’之 傾斜方向的配向，在由第2切斷部8b所致之沿著長度方向所作的切斷時係會成為大的阻抗，於切斷時，長條傾斜配向薄膜F’係相對於第2切斷部8b(上刀10a、下刀10b)而相對性地成為易於被朝向配向方向彈開。其結果，長條傾斜配向薄膜F’的切斷狀態係會變差，在端部(切斷部)會產生鬚或起毛，並且在切斷時也會變得容易發生光學薄膜F之破斷。

相對於此，在第4圖之構成中，不論是在第1切斷部8a或在第2切斷部8b，均於薄膜面內，沿著上刀10a之面S的方向與長條傾斜配向薄膜F’之配向方向之間所成的角度θ係為θ=(90°-)-θ 1，而為較第5圖(參考例)之角度θ更小。也就是說，在第4圖之構成中，於寬度方向上，上刀10a，由於是相對於下刀10b而位置在更接近長條傾斜配向薄膜F’之配向方向之側，因此上述之角度θ係成為較第5圖之構成更小。

如此般，由於是使上刀10a位置在更靠近配向方向之側並切斷長條傾斜配向薄膜F’，因此長條傾斜配向薄膜F’之由傾斜方向之配向所致的切斷時之阻抗，相較於藉由第5圖之構成來切斷的情況係變得更小，於切斷時，係可對於長條傾斜配向薄膜F’相對於第1切斷部8a及第2切斷部8b而相對性地被朝向配向方向彈開的情形作抑制。其結果，係使長條傾斜配向薄膜F’的切斷狀態提昇，並能夠抑制在端部產生鬚或起毛，又，也能夠抑制切斷時之光學薄膜F之破斷。進而，由於係可對於長條傾斜 配向薄膜F’在切斷時而被朝向配向方向彈開的情形作抑制，因此可抑制切斷後之光學薄膜的傾斜前進，並可使捲取光學薄膜時的卷端面相互對齊，而可使捲取形態成為良好。

另外，本實施形態之長條傾斜配向薄膜，亦可為從擺動捲繞而成之長條薄膜的捲繞體將長條薄膜送出並朝相對於寬度方向傾斜的方向延伸而成之長條傾斜延伸薄膜。上述之擺動捲繞，係指一面使卷芯或薄膜之至少其中一方在寬度方向上作週期性的振動(oscillate)，一面將薄膜捲取在卷芯上的手法。如此之擺動捲繞，係為了達成將被捲取的薄膜之結塊(薄膜彼此之相互貼附)或黑帶(black band，周方向上之帶狀的痕跡)的情形降低的目的，而進行者。

被擺動捲繞的長條薄膜係在寬度方向之端部，存在有微小的膜厚偏差。其原因在於，在捲取狀態中，長條薄膜之端部中，於卷芯方向上超出的部位，並未被上下之薄膜按壓，於進入至卷芯方向之內側的部位，則會被上下之薄膜所按壓，因此如此之按壓之有無會成為在膜厚上的差異而顯現。

在上刀10a與下刀10b之間的切斷位置(slitting point)，若成為切斷對象之薄膜的膜厚變動，則起因於該膜厚之變動，於切斷時薄膜會成為更容易被朝向配向方向而彈開。因而，能夠藉由如第4圖中所示般之上刀10a及下刀10b之配置來對切斷時之長條傾斜配向薄 膜F’的朝向配向方向之彈開作抑制並使切割狀態提昇的本實施形態之切斷方法，在長條傾斜配向薄膜為將被擺動捲繞而成的長條薄膜進行傾斜延伸之長條傾斜配向薄膜的情況係非常有效。

又，脂環式烯烴聚合物系樹脂，相較於纖維素酯系樹脂，由於其脆性係為低，而為脆弱，因此在切斷部容易因切斷而產生鬚或起毛，又，於切斷時也容易發生光學薄膜F之破斷。因而，可使長條傾斜配向薄膜F’之切割狀態提昇的上述之本實施形態之切斷方法，在長條傾斜配向薄膜包含脂環式烯烴聚合物系樹脂並將該長條傾斜配向薄膜之兩端部切斷的情況係成為非常有效。

另外，第4圖中所示之束角θ 1，例如係只要在0°<θ 1<1°之間適當設定即可。又，上刀10a之刀鋒的角度θ 2，例如係只要在30°~60°之間適當設定即可。

另外，於以上內容中，雖將作為第1刀之下刀10b以使旋轉軸10b₁沿著寬度方向的方式來配置，並將作為第2刀之上刀10a以使旋轉軸10a₁相對於寬度方向而傾斜的方式來配置，但亦可與此相反地，將上刀10a以使旋轉軸10a₁沿著寬度方向的方式來配置，並將下刀10b以使旋轉軸10b₁相對於寬度方向而傾斜的方式來配置。也就是說，亦可將上刀10a作為第1刀來處理，並將下刀10b作為第2刀來處理。

<長條傾斜配向薄膜之品質>

於本實施形態之長條傾斜配向薄膜中，較佳為，配向角θ係相對於捲取方向而以例如大於0°且未達90°之範圍傾斜，並至少在1300mm之寬幅中，寬度方向之面內遲滯Ro的參差為2nm以下，配向角θ之參差為未達0.6°。又，前述長條傾斜配向薄膜之以波長550nm所測定的面內遲滯值Ro(550)，較佳為80nm以上160nm以下之範圍，更佳為90nm以上150nm以下之範圍。

亦即，於本實施形態之長條傾斜配向薄膜中，面內遲滯Ro的參差，係在寬幅方向之至少1300mm中而為2nm以下，較佳為1nm以下。藉由將面內遲滯Ro的參差設為上述範圍，在將從長條傾斜配向薄膜所取得的長條狀之光學薄膜與偏光元件作貼合而作成圓偏光板，並將此適用在有機EL畫像顯示裝置中時，係能夠抑制在黑顯示時之因外光反射光的漏洩所導致之顏色不均。又，在將上述光學薄膜例如作為液晶顯示裝置用之相位差薄膜來使用的情況，係亦成為可使顯示品質成為良好。

又，於本實施形態之長條傾斜配向薄膜中，配向角θ之參差，係在寬幅方向之至少1300m中而為未達0.6°，較佳為未達0.4°，最佳為未達0.2°。若將配向角θ之參差為超過0.6°的上述光學薄膜與偏光元件作貼合而作成圓偏光板，並將此安置在有機EL顯示裝置等之畫像顯示裝置中，則會產生光漏洩，而會有使明暗之對比降低的情形。

本實施形態之長條傾斜配向薄膜的面內遲滯 Ro，係依據所使用之顯示裝置的設計來選擇最適值。另外，前述Ro，係對於面內遲相軸方向之折射率nx與在面內和前述遲相軸相正交之方向的折射率ny之間的差乘上薄膜之平均厚度d後的值(Ro=(nx-ny)×d)。

本實施形態之長條傾斜配向薄膜的平均厚度，就機械性強度等之觀點而言為1~400μm，較佳為10~200μm，更佳為10~60μm，特佳為15~45μm。

本實施形態之長條傾斜配向薄膜亦可於其之表面上具有功能層。作為功能層係可考慮抗反射層、低折射率層、硬塗層、光散射層、光擴散層、抗靜電層、導電層、電極層、雙折射層、表面能量調整層、UV吸收層、色材層、耐水層、特定之氣體阻障層、耐熱層、磁性層、抗氧化層、保護塗層等。

<圓偏光板>

本實施形態之圓偏光板係依序層合有偏光板保護薄膜、偏光元件、λ/4薄膜，λ/4薄膜之遲相軸與偏光元件之吸收軸(或是透射軸)之間所成的角度係為45°。λ/4薄膜，係可藉由將本實施形態之長條傾斜配向薄膜的兩端部切斷後所得到的光學薄膜(長條傾斜延伸薄膜)來構成。在將本實施形態之圓偏光板使用在有機EL顯示裝置中的情況，上述之偏光板保護薄膜、偏光元件、λ/4薄膜，係分別對應於第6圖之保護薄膜313、偏光元件311、λ/4薄膜316。於本實施形態中，較佳為，長條狀 偏光板保護薄膜、長條狀偏光元件、長條狀λ/4薄膜，係依此順序被層合形成。

又，在將本實施形態之圓偏光板使用在液晶顯示裝置中的情況，上述之偏光板保護薄膜、偏光元件、λ/4薄膜，係分別對應於第7圖之保護薄膜506、偏光元件501、λ/4薄膜503。由於在顯示胞401之外側(視覺辨認側)，係配置有保護薄膜506、偏光元件501，在偏光元件501之更外側(視覺辨認側)，係配置有λ/4薄膜503，因此從顯示胞401所射出並透過偏光元件501之後的直線偏光，係藉由λ/4薄膜503而被轉換為圓偏光或橢圓偏光。因而，當觀察者裝著偏光墨鏡並對於顯示裝置400之顯示畫像作觀察的情況，不論是在以何種角度來作觀察的情況(不論偏光元件501之透射軸(與吸收軸相垂直)與偏光墨鏡之透射軸產生有何種程度之偏移)，均可將與偏光墨鏡之透射軸相平行之光的成分導引至觀察者之眼睛並使其觀察到顯示畫像，而可抑制因觀察之角度而導致難以觀看到顯示畫像的情形。

本實施形態之圓偏光板，作為偏光元件，係可使用將摻雜有碘或二色性染料之聚乙烯醇作延伸者，並以λ/4薄膜/偏光元件之構成來貼合而製造。偏光元件之膜厚為5~40μm，較佳為5~30μm，特佳為5~20μm。

偏光板係可藉由一般的方法來製作。經鹼性鹼化處理的λ/4薄膜，較佳係在將聚乙烯醇系薄膜於碘系溶液中進行浸漬延伸所製作的偏光元件之其中一面上，使 用完全鹼化型聚乙烯醇水溶液來貼合。

偏光板係可進一步於該偏光板之偏光板保護薄膜的相反面上貼合剝離薄膜而構成。保護薄膜及剝離薄膜，係為了在偏光板之出貨時、製品檢查時等對於偏光板作保護的目的所使用。

<有機EL顯示裝置>

第6圖係顯示本實施形態之作為OLED的有機EL顯示裝置100之概略的構成之剖面圖。另外，有機EL顯示裝置100之構成係並不限定於此。

有機EL顯示裝置100，係藉由在有機EL元件101上經由接著層201來形成圓偏光板301所構成。有機EL元件101，係在使用有玻璃或聚醯亞胺等的基板111上，依序具有金屬電極112、發光層113、透明電極(ITO等)114、密封層115所構成。另外，金屬電極112亦可藉由反射電極與透明電極所構成。

圓偏光板301，係從有機EL元件101側，依序層合有λ/4薄膜316、接著層315、偏光元件311、接著層312、保護薄膜313、硬化層314，偏光元件311係被λ/4薄膜316與保護薄膜313所挾持。藉由以使偏光元件311之透射軸與由本實施形態的光學薄膜所成之λ/4薄膜316之遲相軸之間所成的角度成為約45°(或者135°)的方式來將兩者貼合，而構成圓偏光板301。

在上述之保護薄膜313，較佳係被層合有硬化 層314。硬化層314，係不僅具有防止有機EL顯示裝置100之表面的損傷之功能，亦具有防止因圓偏光板301所導致的翹曲之效果。進而，在硬化層314上亦可形成有抗反射層。有機EL元件101自體之厚度為1μm左右。

在上述之構成中，若對於金屬電極112與透明電極114施加電壓，則對於發光層113而從金屬電極112及透明電極114當中成為陰極之電極注入電子，並從成為陽極之電極注入電洞，藉由使兩者在發光層113進行再結合，而產生與發光層113之發光特性相對應的可見光線之發光。在發光層113產生的光，係成為直接地、或在被金屬電極112反射之後，經由透明電極114及圓偏光板301而取出至外部。

一般而言，於有機EL顯示裝置中，係在透明基板上依序層合金屬電極與發光層與透明電極，而形成作為發光體之元件(有機EL元件)。在此，發光層，係各種之有機薄膜的層合體，已知有例如以由三苯基胺衍生物等所成的電洞注入層與由蒽等之螢光性之有機固體所成的發光層之層合體、或是以如此之發光層與由苝衍生物等所成之電子注入層之層合體、或是此等之電洞注入層、發光層、電子注入層之層合體等具有各種組合之構成。

有機EL顯示裝置，係藉由對於透明電極與金屬電極施加電壓，而將電洞與電子注入於發光層，並使經由此等之電洞與電子間的再結合所產生之能量激勵螢光物質，而當被激勵的螢光物質回復至基礎狀態時輻射出光， 根據此原理，而進行發光。途中再結合之機制，係與一般之二極體相同，如根據此而可推測到一般，電流與發光強度，係相對於施加電壓而展現有伴隨著整流性之強的非線形性。

於有機EL顯示裝置中，為了將在發光層之發光取出，至少其中一方之電極係必須為透明，通常係將藉由氧化銦錫(ITO)等之透明導電體所形成的透明電極作為陽極來使用。另一方面，為了使電子注入成為容易並提高發光效率，在陰極中使用功函數為小的物質一事係為重要，通常係使用Mg-Ag、Al-Li等之金屬電極。

於此種構成之有機EL顯示裝置中，發光層係藉由厚度10nm左右之極薄的膜來形成。因此，發光層亦與透明電極相同地使光大致完全地透過。其結果，在非發光時從透明基板之表面射入並透過透明電極與發光層而在金屬電極反射之光，由於會再度朝向透明基板之表面側射出，因此在從外部進行視覺辨認時，有機EL顯示裝置之顯示面看起來會如同鏡面一般。

本實施形態之圓偏光板，係適於如此之外光反射會特別成為問題的有機EL顯示裝置。

亦即，在有機EL元件101之非發光時，藉由室內照明等而從有機EL元件101之外部所射入的外光，係會藉由圓偏光板301之偏光元件311而使一半被吸收，剩餘的一半則作為直線偏光而透過，並射入至λ/4薄膜316中。由於是以使偏光元件311之透射軸與λ/4薄膜 316之遲相軸以45°(或者135°)交叉的方式作配置，因此射入至λ/4薄膜316中之光，係藉由透過λ/4薄膜316而被轉換為圓偏光。

從λ/4薄膜316所射出的圓偏光，當藉由有機EL元件101之金屬電極112作鏡面反射時，相位會180度反轉，並作為反向之圓偏光而被反射。此反射光，由於是藉由射入至λ/4薄膜316中而被轉換為與偏光元件311之透射軸垂直(與吸收軸平行)的直線偏光，因此在偏光元件311被全部吸收，成為不會射出至外部。也就是說，藉由圓偏光板301，係能夠降低在有機EL元件101之外光反射。

<液晶顯示裝置>

第7圖係顯示本實施形態之作為液晶顯示裝置的顯示裝置400之概略的構成之剖面圖。顯示裝置400，係在顯示胞401之其中一面側配置偏光板402而構成。

另外，在液晶顯示裝置的情況，顯示胞401，係可視為藉由一對之基板來將液晶層挾持的液晶胞。另外，在相對於液晶胞之與偏光板402相反側，係設置有以與偏光板402成為正交偏光鏡狀態配置之其他的偏光板、和對於液晶胞進行照明之背光，但於第7圖中，係將該等之圖示省略。

又，顯示裝置400，亦可在相對於偏光板402之與顯示胞401相反側具有前窗403。前窗403，係成為 顯示裝置400之外裝覆蓋構件者，例如由覆蓋玻璃所構成。在前窗403與偏光板402之間，係填充有例如由紫外線硬化型樹脂所成之填充材404。當不存在有填充材404的情況，由於在前窗403與偏光板402之間形成有空氣層，因此因在前窗403及偏光板402與空氣層之間的界面之光的反射，會有使顯示畫像之視覺辨認性降低的情況。但，藉由上述之填充材404，由於在前窗403與偏光板402之間不會形成空氣層，因此能夠避免因在上述界面之光的反射所導致之顯示畫像之視覺辨認性的降低。

偏光板402，係具有使既定之直線偏光透過的偏光元件501。在偏光元件501之其中一面側(與顯示胞401相反側)，係經由接著層502，而依序層合有λ/4薄膜503、和由紫外線硬化型樹脂所成之硬化層504。又，在偏光元件501之另外一面側(顯示胞401側)，係經由接著層505而貼合有保護薄膜506。

偏光元件501，例如係藉由將聚乙烯醇薄膜以二色性色素來染色並進行高倍率延伸所得到者。偏光元件501，係在進行鹼性處理(亦稱為鹼化處理)之後，於其中一面側經由接著層502而貼合λ/4薄膜503，並於另外一面側經由接著層505而貼合保護薄膜506。

接著層502、505，例如係由聚乙烯醇接著劑(PVA接著劑、漿糊)所成之層，但亦可為由紫外線硬化型之接著劑(UV接著劑)所成之層。此等之接著劑，在塗佈於接著面上的狀態時為液體，藉由在塗佈後乾燥或者 藉由紫外線照射而硬化，而將兩者作接著。也就是說，接著層502、505，係藉由從液狀之狀態變化，來分別將偏光元件501與λ/4薄膜503、偏光元件501與保護薄膜506進行接著。如此般，接著層502、505，在藉由從液狀之狀態變化而將兩者接著的觀點，係與不產生此種狀態變化而將兩者接著之黏著層(於基材之上具有黏著劑之薄片狀的黏著層)不同。

λ/4薄膜503，係對於透射光賦予波長之1/4程度的面內相位差之層，於本實施形態中，例如係包含纖維素系樹脂(纖維素系聚合物)。另外，λ/4薄膜503，亦可代替纖維素系聚合物而包含聚碳酸酯系樹脂(聚碳酸酯系聚合物)，亦可包含環烯烴系樹脂(環烯烴系聚合物)。但，就耐藥品性之觀點而言，λ/4薄膜503，係以包含纖維素系聚合物或聚碳酸酯系聚合物為理想。

λ/4薄膜503係厚度為10μm~70μm之薄膜的λ/4薄膜。又，λ/4薄膜503之遲相軸與偏光元件501之吸收軸間所成之角度(交叉角)為30°~60°，藉此，從偏光元件501而來之直線偏光，係藉由λ/4薄膜503而被轉換為圓偏光或橢圓偏光。

硬化層504(亦稱為硬塗層)，係藉由活性能量線硬化型樹脂(例如紫外線硬化型樹脂)所構成。

保護薄膜506，例如係藉由由纖維素系樹脂(纖維素系聚合物)、丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴(COP)、聚碳酸酯(PC)所成之光學薄膜而構成。保護 薄膜506，雖單作為保護偏光元件501之背面側的薄膜而設置，但亦可作為可兼作為具有所期望之光學補償功能的相位差薄膜之光學薄膜而設置。

另外，在液晶顯示裝置的情況，相對於顯示胞401(液晶胞)而被配置在與偏光板402相反側的其他之偏光板，係將偏光元件之表面藉由2個的光學薄膜來挾持而構成，但作為上述之偏光元件及光學薄膜，係可使用與偏光板402之偏光元件501及保護薄膜506相同者。

在此，上述之偏光元件501及λ/4薄膜503，亦可分別為長條狀。於此情況，λ/4薄膜503之遲相軸，係以相對於λ/4薄膜503之長度方向而作30°~60°之傾斜為理想。於此情況，係可將長條狀之λ/4薄膜503設為藉由傾斜延伸所製作的卷狀之薄膜，並將其藉由所謂的卷對卷方式來與卷狀之偏光元件501貼合，而製作長條狀之偏光板402。因而，相較於藉由將薄膜片一次一枚地作貼合之批次式來製作偏光板402的情況，係能夠使生產性大幅地提昇，並且亦能夠使良率大幅地改善。

另外，在λ/4薄膜503之接著層502側，亦可設置用以使λ/4薄膜503之接著性提昇的易接著層。易接著層，係藉由在λ/4薄膜503之接著層502側進行易接著處理而形成。作為易接著處理，係存在有電暈(放電)處理、電漿處理、火焰處理、ITRO處理、輝光處理、臭氧處理、底塗處理等，但只要實施其中之至少1種即可。此等之易接著處理當中，就生產性的觀點而言，作為易接 著處理，係以電暈處理、電漿處理為佳。

<實施例>

以下，雖針對本發明之具體的實施例進行說明，但本發明並不受此等實施例所限制。另外，以下，雖使用「份」或「%」之表記，但若無特別說明，則此等係表示「質量份」或「質量%」者。

[長條薄膜1之製作]

藉由以下之方法而製作長條薄膜1。另外，長條薄膜1，係為纖維素酯系樹脂。

《微粒子分散液》

將以上藉由溶解器進行50分鐘攪拌混合之後，藉由Manton Gaulin來進行分散，而調製出微粒子分散液1。

《微粒子添加液》

基於以下之組成，一面在裝入二氯甲烷之溶解槽中充分進行攪拌，一面將上述微粒子分散液緩慢地作添加。進而，以使二次粒子之粒徑成為既定之大小的方式，來藉由磨碎機進行分散。將其藉由日本精線(股)製之FINE MET NF進行過濾，而調製出微粒子添加液1。

《摻雜劑之調製》

調製出下述組成之摻雜劑。首先，在加壓溶解槽中添加二氯甲烷與乙醇。接著，在裝入有溶劑之加壓溶解槽中，將纖維素乙酸酯一面攪拌一面投入。將其進行加熱，並一面攪拌一面使其完全溶解，再將其使用安積濾紙(股)製之安積濾紙No.244來進行過濾，而調製出主摻雜液。其後，以成為下述之比率的方式，來將主摻雜液和各材料投入至密閉容器中，並一面攪拌一面使其溶解，而調製出摻雜劑。另外，糖酯化合物及酯化合物，係使用藉由以下之合成例所合成的化合物。

《摻雜劑之組成》

《糖酯化合物之合成》

藉由以下之步驟而合成糖酯化合物。

在具備有攪拌裝置、回流冷卻器、溫度計及氮氣導入管之四口燒瓶中，裝入蔗糖34.2g(0.1莫耳)、苯甲酸酐180.8g(0.6莫耳)、吡啶379.7g(4.8莫耳)，並在攪拌下，一面使從氮氣導入管導入之氮氣起泡一面昇溫，以70℃進行5小時酯化反應。

接著，將燒瓶內減壓至4×10²Pa以下，並以60℃餾除過剩的吡啶之後，將燒瓶內減壓至1.3×10Pa以下，並進行昇溫至120℃，而餾除苯甲酸酐、所生成之苯甲酸的大部分。

最後，在所分取的甲苯層中添加水100g，以常溫進行30分鐘的水洗，之後，分取甲苯層，並在減壓下(4×10²Pa以下)，以60℃餾除甲苯，而得到了化合物A-1、A-2、A-3、A-4及A-5之混合物(糖酯化合物)。

在對於所得到的混合物藉由HPLC及LC-MASS進行解析的結果，A-1為1.3質量%，A-2為13.4質量%，A-3為13.1質量%、A-4為31.7質量%、A-5為40.5質量%。平均取代度為5.5。

《HPLC-MS之測定條件》 1)LC部

裝置：日本分光(股)製管柱烘箱(JASCO CO-965)、偵測器(JASCO UV-970-240nm)、泵(JASCO PU-980)、除氣機(JASCO DG-980-50)

管柱：Inertsil ODS-3粒徑5μm 4.6×250mm(GL Sciences(股)製)

管柱溫度：40℃

流速：1ml/min

移動相：THF(1%醋酸)：H₂O(50：50)

注入量：3μl

2)MS部

裝置：LCQ DECA(Thermo Quest(股份有限公司)製)

離子化法：電噴灑游離化(ESI)法

Spray Voltage：5kV

Capillary溫度：180℃

Vaporizer溫度：450℃

《酯化合物之合成》

藉由以下之步驟而合成酯化合物。

將1,2-丙二醇251g、鄰苯二甲酸酐278g、己二酸91g、苯甲酸610g、作為酯化觸媒之鈦酸四異丙酯0.191g，裝入至具備有溫度計、攪拌器、緩急冷卻管之2L的四口燒瓶中，並在氮氣氣流中一面緩慢地攪拌一面昇溫至成為230℃為止。進行15小時之脫水縮合反應，反應結束後，以200℃將未反應之1,2-丙二醇作減壓餾除，藉此而得到酯化合物。酯化合物，係在使1,2-丙二醇、鄰苯二甲酸酐及己二酸縮合所形成的聚酯鏈之末端具有苯甲酸 之酯。酯化合物之酸價為0.10，數量平均分子量為450。

《製膜》

接著，使用無端輸送帶流延裝置，在由不鏽鋼輸送帶所成之支持體上將摻雜劑均勻地流延。接著，在支持體上，使溶劑蒸發直至流延(鑄造)所成的帶中之殘留溶劑量成為75%為止，並將帶從支持體上剝離，再一面藉由多數之輥來進行搬送一面使乾燥結束，而得到寬幅1500mm、膜厚50μm之長條薄膜1。所製造的長條薄膜1，係藉由捲取裝置而以直線捲繞來進行捲取，並在沿著寬度方向而一旦切斷之後，藉由捲取裝置來以擺動捲繞而進行捲取。將對於長條薄膜1以直線捲繞來進行捲取者設為卷狀態1，並將對於長條薄膜1以擺動捲繞來進行捲取者設為捲繞體2。

[長條薄膜2之製作]

藉由以下之方法而製作長條薄膜2。另外，長條薄膜2，係為脂環式烯烴聚合物系樹脂(COP樹脂)。

在氮環境下，於脫水後的環己烷500份中，將1-己烯1.2份、二丁基醚0.15份、三異丁基鋁0.30份在室溫裝入反應器中，進行混合之後，一邊保持在45℃，一邊花費2小時連續添加由三環[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(二環戊二烯，以下，簡記為DCP)20份、1,4-甲撐-1,4,4a,9a-四氫茀(以下，簡記為MTF)140份、及 8-甲基-四環[4.4.0.12,5.17,10]-十二碳-3-烯(以下，簡記為MTD)40份所成之降莰烯系單體混合物、與六氯化鎢(0.7%甲苯溶液)40份，並進行聚合。於聚合溶液中添加丁基環氧丙基醚1.06份與異丙醇0.52份，使聚合觸媒惰性化，來停止聚合反應。

接著，對於含有所得到的開環聚合物之反應溶液100份，添加環己烷270份，進而，作為氫化觸媒而添加鎳-氧化鋁觸媒(日揮化學公司製)5份，再藉由氫加壓至5MPa而一面攪拌一面加溫至溫度200℃後，進行4小時反應，而得到含有20%之DCP/MTF/MTD開環聚合物氫化聚合物之反應溶液。在藉由過濾而將氫化觸媒去除之後，將軟質聚合物(KURARAY公司製；SEPTON2002)及抗氧化劑(Ciba Specialty Chemicals公司製；IRGANOX1010)分別添加至所得到的溶液中並使其溶解(均為聚合物每100份為0.1份)。

接著，使用圓筒型濃縮乾燥器(日立製作所製)將作為溶劑之環己烷及其他之揮發性成分從溶液中去除，並將氫化聚合物以熔融狀態來從押出機押出為股(Strand)狀，並且在冷卻後進行鑄錠化來回收。在由聚合後之溶液中的殘留降莰烯類組成(由氣相層析法所得)來計算聚合物中之各降莰烯系單體的共聚合比率的結果為DCP/MTF/MTD=10/70/20，而與所裝入之組成大致相等。此開環聚合物氫化物之重量平均分子量(Mw)為31,000，分子量分布(Mw/Mn)為2.5，氫化率為99.9%， Tg為134℃。將所得到的開環聚合物氫化物之鑄錠，使用讓空氣流通的熱風乾燥器來以70℃進行2小時乾燥，而將水分去除。

接著，將前述鑄錠，使用具有衣架模頭(Coat hanger)型之T模的短軸押出機(三菱重工業股份有限公司製：螺桿直徑90mm、T模唇部材質為碳化鎢、與熔融樹脂間的剝離強度為44N)來進行熔融押出成形而製造出作為環烯烴聚合物薄膜的長條薄膜2(膜厚30μm)。押出成形，係在10,000級以下的無塵室內，以熔融樹脂溫度240℃、T模溫度240℃的成形條件來進行。所製造的長條薄膜2，係藉由捲取裝置以直線捲繞來進行捲取，並在沿著寬度方向而一旦切斷之後，藉由捲取裝置來以擺動捲繞而進行了捲取。將對於長條薄膜2以直線捲繞來進行捲取者設為卷狀態3，將對於長條薄膜2以擺動捲繞來進行捲取者設為捲繞體4。

[光學薄膜1之取得]

將由纖維素酯系樹脂所成的長條薄膜1之捲繞體1(作直線捲繞者)，安裝於第1圖之製造裝置1的薄膜送出部2，並從薄膜送出部2來將長條薄膜1送出，供給至延伸部5並進行傾斜延伸，而得到長條傾斜配向薄膜(長條傾斜延伸薄膜)1。此時，在延伸部5，係以使薄膜之配向角(遲相軸與寬度方向間所成之角度)成為略45°的方式，來進行傾斜延伸。此時之薄膜的搬送速度係設為 15m/分鐘。又，長條傾斜配向薄膜1之膜厚係35μm。

接著，將藉由在延伸部5之傾斜延伸所取得的長條傾斜配向薄膜1，供給至第4圖中所示之薄膜切斷裝置8，並將長條傾斜配向薄膜1之寬度方向的兩端部切斷，而取得成為製品部之光學薄膜1。另外，在第4圖之薄膜切斷裝置8，束角θ 1，在第1切斷部8a係於IN側(薄膜內側)而設為0.01°，在第2切斷部8b係於OUT側(薄膜外側)而設為0.01°，角度θ 2係設為40°。所取得的光學薄膜1，係藉由薄膜捲取部9而被捲取於卷芯上。

[光學薄膜2之取得]

將由纖維素酯系樹脂所成的長條薄膜1之捲繞體2(作擺動捲繞者)，安裝於薄膜送出部2，並將長條薄膜1送出，藉由延伸部5來進行傾斜延伸，而得到長條傾斜配向薄膜2，之後，藉由第4圖之薄膜切斷裝置8來將薄膜之兩端部切斷，而取得成為製品部之光學薄膜2。除此之外，係與光學薄膜1之製作相同。

[光學薄膜3之取得]

將由COP樹脂所成的長條薄膜2之捲繞體3(作直線捲繞者)，安裝於薄膜送出部2，並將長條薄膜2送出，藉由延伸部5來進行傾斜延伸，而得到長條傾斜配向薄膜3，之後，藉由第4圖之薄膜切斷裝置8來將薄膜之兩端 部切斷，而取得成為製品部之光學薄膜3。除此之外，係與光學薄膜1之製作相同。

[光學薄膜4之取得]

將由COP樹脂所成的長條薄膜2之捲繞體4(作擺動捲繞者)，安裝於薄膜送出部2，並將長條薄膜2送出，藉由延伸部5來進行傾斜延伸，而得到長條傾斜配向薄膜4，之後，藉由第4圖之薄膜切斷裝置8來將薄膜之兩端部切斷，而取得成為製品部之光學薄膜4。除此之外，係與光學薄膜1之製作相同。

[光學薄膜5之取得]

將由纖維素酯系樹脂所成的長條薄膜1之捲繞體1(作直線捲繞者)，安裝於薄膜送出部2，並將長條薄膜1送出，藉由延伸部5來進行傾斜延伸，而得到長條傾斜配向薄膜5，之後，藉由第5圖之薄膜切斷裝置8’來將薄膜之兩端部切斷，而取得成為製品部之光學薄膜5。除此之外，係與光學薄膜1之製作相同。另外，在第5圖之薄膜切斷裝置8’，束角θ 1，在第1切斷部8a及第2切斷部，係均為於IN側(薄膜內側)而設為-0.01°，角度θ 2係設為40°。

[光學薄膜6之取得]

將由纖維素酯系樹脂所成的長條薄膜1之捲繞體2 (作擺動捲繞者)，安裝於薄膜送出部2，並將長條薄膜1送出，藉由延伸部5來進行傾斜延伸，而得到長條傾斜配向薄膜6，之後，藉由第5圖之薄膜切斷裝置8’來將薄膜之兩端部切斷，而取得成為製品部之光學薄膜6。除此之外，係與光學薄膜5之製作相同。

[光學薄膜7之取得]

在光學薄膜1之製作中，束角θ 1，在第1切斷部8a係於IN側(薄膜內側)而設為0.5°，在第2切斷部8b係於OUT側(薄膜外側)而設為0.5°，角度θ 2係設為40°。除此之外，係與光學薄膜1之製作相同，而取得光學薄膜7。

[評價] (鬚)

在各光學薄膜1~6之兩端部(切斷部)，以目視來觀察鬚(鬚狀之纖維狀異物)之有無，並根據以下之基準來評估兩端部之狀態。

《評估基準》

○：無鬚。

×：有鬚。

(起毛)

在各光學薄膜1~6之兩端部，以目視來觀察起毛之 有無，並根據以下之基準來評估兩端部之狀態。

《評估基準》

○：無起毛。

×：有起毛。

(切割狀態)

以目視來觀察各光學薄膜1~6之兩端部，並根據以下之基準來評估切割狀態之良否。

《評價基準》

○：切割狀態為相當良好，而沒有破斷之虞。

△：切割狀態為大致良好，而沒有破斷之虞。

×：切割狀態為不良，而有破斷之虞。

表1係顯示針對各光學薄膜1~6之評估的結果。另外，於表1中，CE係指纖維素酯系樹脂，COP係指脂環式烯烴聚合物系樹脂。

根據表1，可以得知，於光學薄膜5及6中，係於端部至少確認到起毛，並且端部之切割狀態亦為不良，相對於此，於光學薄膜1~4及7中，於端部並沒有鬚及起毛之發生，並且關於端部之切割狀態也可得到大致良好的結果。可推測到，其原因在於，在得到光學薄膜1~4及7時，由於使薄膜切斷裝置8之上刀10a相對於下刀10b而位在更靠近配向方向之側並切斷長條傾斜配向薄膜F’，因此長條傾斜配向薄膜F’之由傾斜方向之配向所致的切斷時之阻抗變小，於切斷時，長條傾斜配向薄膜F’係變得難以被彈開，其結果，切割狀態提昇，鬚或起毛之發生係被抑制。

又，若在將被擺動捲繞的長條薄膜進行傾斜延伸之後，將薄膜之兩端部切斷，則會因為由擺動捲繞所致之膜厚偏差的影響，薄膜在切斷時係成為容易朝向配向方向彈開，此乃如先前所陳述。但，可推測到，藉由使用第4圖之構成的薄膜切斷裝置8來將薄膜切斷，由於薄膜之朝向配向方向的彈開係被抑制，因此在光學薄膜2、4，切割狀態之惡化係被抑制於最小限度，而能夠將切割狀態維持在大致良好。因而，使用第4圖之薄膜切斷裝置8來將薄膜切斷之方法，可以說特別是在將被擺動捲繞的長條薄膜進行傾斜延伸之後再將薄膜之兩端部切斷的情況係非常有效。

又，COP樹脂，由於較纖維素酯系樹脂更脆弱，因此在切斷時容易發生鬚或起毛，並且也容易發生切 斷時之破斷，但包含COP樹脂之光學薄膜3及4的結果，由於與包含纖維素酯系樹脂之光學薄膜1及2的結果同等，因此可以說，使用第4圖之薄膜切斷裝置8來將薄膜切斷之方法，特別是在將包含COP樹脂之長條傾斜配向薄膜的兩端部切斷的情況係非常有效。

又，根據光學薄膜1、7之結果，由於若束角θ 1越增大，則切割狀態之評估便會產生一個階段的惡化，因此可以說束角θ 1係以越小為越理想。

另外，在以上說明中，雖針對將配向角為略45°之長條傾斜配向薄膜切斷的例子來進行說明，但確認到，即使配向角為略45°以外之角度，藉由使用與本實施形態相同之切斷方法，而可得到與本實施形態相同之效果。

另外，在以上說明中，雖針對使用包含纖維素酯系樹脂或COP樹脂之長條傾斜配向薄膜的例子來進行說明，但確認到，即使在將包含其他之樹脂(例如聚碳酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂)的長條傾斜配向薄膜作為切斷對象的情況，藉由使用與本實施形態相同之切斷方法，而可得到與本實施形態相同之效果。

以上所說明的本實施形態之光學薄膜之製造方法及製造裝置，係可如以下般地表現。

1.一種光學薄膜之製造方法，係具有將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別藉由第1切斷部及第2切斷部進行切斷的切斷步驟，前述長條傾斜配向薄膜在 薄膜面內相對於前述寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜，其特徵在於，前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向；前述第2刀，係配置於前述薄膜面之另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀之束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜；在前述切斷步驟，在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀，利用前述第1刀和前述第2刀將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷。

2.如前述1所述之光學薄膜之製造方法，其中，前述長條傾斜配向薄膜，是從擺動捲繞而成之長條薄膜的捲繞體將前述長條薄膜送出後，朝相對於前述寬度方向傾斜的方向延伸而成之長條傾斜延伸薄膜。

3.如前述1或2所述之光學薄膜之製造方法， 其中，前述長條傾斜配向薄膜係含有脂環式烯烴聚合物系樹脂。

4.一種光學薄膜之製造裝置，係具備將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別切斷之第1切斷部及第2切斷部，前述長條傾斜配向薄膜在薄膜面內相對於寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜，其特徵在於，前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向；前述第2刀，係配置於前述薄膜面之另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀的束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜，在其和前述第1刀之間將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷；在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀。

[產業上之可利用性]

本發明，係可利用在被使用於液晶顯示裝置 之偏光板中的光學薄膜之製造中。

1‧‧‧製造裝置

2‧‧‧薄膜送出部

3‧‧‧搬送方向變更部

4‧‧‧導引輥

5‧‧‧延伸部

6‧‧‧導引輥

7‧‧‧搬送方向變更部

8‧‧‧薄膜切斷裝置

9‧‧‧薄膜捲取部

Claims (4)

1. 一種光學薄膜之製造方法，係具有將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別藉由第1切斷部及第2切斷部進行切斷的切斷步驟，前述長條傾斜配向薄膜在薄膜面內相對於前述寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜，其特徵在於，前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向；前述第2刀，係配置於前述薄膜面之另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀之束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜；在前述切斷步驟，在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀，利用前述第1刀和前述第2刀將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光學薄膜之製造方法，其中， 前述長條傾斜配向薄膜，是從擺動捲繞而成之長條薄膜的捲繞體將前述長條薄膜送出後，朝相對於前述寬度方向傾斜的方向延伸而成之長條傾斜延伸薄膜。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學薄膜之製造方法，其中，前述長條傾斜配向薄膜係含有脂環式烯烴聚合物系樹脂。
4. 一種光學薄膜之製造裝置，係具備將長條傾斜配向薄膜之寬度方向的兩端部分別切斷之第1切斷部及第2切斷部，前述長條傾斜配向薄膜在薄膜面內相對於寬度方向的配向方向是傾斜的，取前述長條傾斜配向薄膜當中將前述兩端部切斷後剩餘的部分作為光學薄膜，其特徵在於，前述第1切斷部及前述第2切斷部分別含有第1刀及第2刀，前述第1刀，係配置於前述長條傾斜配向薄膜之薄膜面的一側，且將旋轉軸配置成沿著前述寬度方向；前述第2刀，係配置於前述薄膜面的另一側，在前述薄膜面內，以與相對於前述第1刀的束角對應的角度，使旋轉軸相對於前述寬度方向傾斜，在其和前述第1刀之間將前述長條傾斜配向薄膜夾住並切斷；在前述第1切斷部及前述第2切斷部各個，於前述第1刀之前述寬度方向的一側及另一側當中，隨著朝相對於前述第1刀的束角增大的方向將前述第2刀傾斜，在前述第2刀之形成前述束角的面和前述長條傾斜配向薄膜之前述配向方向所形成的角度變小的側配置前述第2刀。