TW201722971A - 鉭化合物、其製備方法、包含其的膜沉積用前體組合物及利用該前體組合物的膜沉積方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及一種鉭化合物、所述鉭化合物的製備方法、包含所述鉭化合物的含鉭膜沉積用前體組合物及利用所述前體組合物的含鉭膜沉積方法。
Description
本發明涉及新型鉭化合物、所述鉭化合物的製備方法、包含所述鉭化合物的膜沉積用前體組合物及利用所述前體組合物的膜沉積方法。
鉭（tantalum，Ta）金屬及鉭氧化膜或氮化膜主要用於半導體元件的製造，迄今為止在半導體元件製造工序中形成含鉭膜時，主要使用了濺射法。但是為了在具有凹凸的表面形成如銅擴散防止膜的非常薄的數nm厚度的含鉭膜，需要段差被覆性優異的化學沉積法，其中尤其需要原子層沉積法，從而需要適合於此的鉭前體化合物。
能夠形成含鉭膜的有機鉭前體化合物已知有五(二甲氨基)鉭（pentakis(dimethylamido)tantalum，以下稱為“PDMAT”）、(叔丁基亞氨基)三(二乙基氨基)鉭[(tert-butylimido)tris(diethylamido)tantalum，以下稱為“TBTDET”]等（韓國授權專利第10-0554524號）。但PDMAT是固體化合物，因此難以將前體進行一定量的氣化而供給，TBTDET熱穩定性不好而不利用於商業的半導體元件製造工序。因此，需要能夠用於商業的半導體元件製造工序的新型鉭前體化合物。
技術問題
本發明的目的在於提供一種新型鉭化合物、所述鉭化合物的製備方法、包含所述鉭化合物的膜沉積用前體組合物及利用所述前體組合物的含鉭膜的沉積方法。
但是，本發明的目的不限於上述提及的目的，未提及的其他目的可以通過下面的記載被本領域技術人員明確理解。
技術方案
根據本發明的第一方面，提供由下列化學式1表示的鉭化合物：
[化學式1]
在上述化學式1中，
R1
和R2
分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C10
烷基,
R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C3
烷基。
根據本發明的第二方面，提供一種由下列化學式1表示的鉭化合物的製備方法，該方法包括在含有由下列化學式2表示的化合物和鹼金屬的溶液中，添加由下列化學式3表示的化合物進行反應：
[化學式1]
；
[化學式2]
；
[化學式3]
[(NR3
R4
)(NR3
'R4
')(NR3
"R4
")TaX2
]2
；
在上述化學式1至化學式3中的每一者中，
R1
和R2
分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C10
烷基；
R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C3
烷基；
X為鹵素原子。
根據本發明的協力廠商面，提供一種含鉭膜沉積用前體組合物，該組合物包含根據上述本發明的第一方面的鉭化合物。 根據本發明的第四方面，提供一種含鉭膜的沉積方法，該方法包括利用上述根據本發明的協力廠商面的含鉭膜沉積用前體組合物，在襯底上形成含鉭膜。
有益效果
根據本發明的一具體例的新型鉭化合物的熱穩定性高，因此能夠用作原子層沉積法或化學氣相沉積法的前體，形成含鉭膜，尤其是在表面具有凹凸（槽）的襯底上也能夠均勻地形成數nm厚度的含鉭膜。根據本發明的一具體例的含鉭膜的形成方法能夠適用於商業的半導體元件製造。
根據本發明的一具體例的所述鉭化合物用作在原子層沉積法（Atomic Layer Deposition，以下稱為“ALD”）或化學氣相沉積法（chemical Vapor Deposition，以下稱為“CVD”）等中使用的前體，從而能夠提供製造如半導體的下一代設備所需的性能。例如，根據本發明的一具體例的所述鉭化合物作為液體化合物，能夠將前體以一定量氣化而容易供給，且能夠提供提高的熱穩定性、高揮發性或增加的沉積速度等，從而能夠有效用於含鉭膜或薄膜的形成。
下面結合附圖詳細說明本發明的實施例以使本領域的普通技術人員能夠容易地實施本發明。但是本發明可以體現為各種不同形態，並不限於本文中說明的實施例。而且，為了更明確地說明本發明，在附圖中省略與說明無關的部分，在說明書全文中對於類似的部分使用了類似的附圖標記。
在本發明的說明書全文中，在記載某一部分與其他部分“連接”時，不僅包括“直接連接”的情況，還包括在它們中間隔著其他元件“電連接”的情況。
在本發明的說明書全文中，在記載某一部件位於其他部件“之上”時，不僅包括該部件與其他部件接觸的情況，還包括這兩個部件之間存在另一其他部件的情況。
在本發明的說明書全文中，在記載某一部分“包含”某一構成要素時，在沒有特別的相反說明的情況下，意味著還可以包含其他構成要素，而不是排除其他構成要素。
在本發明的說明書全文中使用的表示程度的 “約”、“實質上”等術語，在其所涉及的含義基礎上示出了固有的製造及物質允許誤差時，解釋為該數值或接近該數值的值，是為了防止某些不道德的侵害人不當使用為了幫助理解本發明而公開的準確或絕對的數值所涉及的公開內容。
在本發明的說明書全文中使用的術語“（進行）……的步驟”或“……的步驟”不表示“用於……的步驟”。
在本發明的說明書全文中，馬庫西式的表達中包含的術語“它們的組合”表示選自由在馬庫西式的表達中記載的構成要素組成的組中的一者以上的混合或組合，表示包含選自由上述構成要素組成的組中的一者以上。
在本發明的說明書全文中，“A和/或B”的記載表示“A或B、或者A和B”。
在本發明的說明書全文中，術語“烷基”包括具有1-12個碳原子、1-10個碳原子、1-8個碳原子、1-5個碳原子、1-3個碳原子、3-8個碳原子或3-5個碳原子的直鏈或支鏈的烷基。例如，所述烷基可以舉例為甲基、乙基、正丙基（n
Pr）、異丙基（i
Pr）、正丁基（n
Bu）、叔丁基（t
Bu）、異丁基（i
Bu）、仲丁基（s
Bu）、戊基、己基、異己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基或它們的所有可能的異構體等，但可以不限於此。
在本發明的說明書全文中，術語“鹼金屬”是表示屬於元素週期表第1族的金屬，可以為Li、Na、K、Rb或Cs，但可以不限於此。
在本發明的說明書全文中，術語“鹵素”或“鹵”是表示氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）或碘（I）。
在本發明的說明書全文中，術語“DAD”是表示1,4-二氮雜-1,3-丁二烯（1,4-diaza-1,3-butadiene）的縮略語。
下面，詳細說明本發明具體例，但本發明可以不限於這些具體例。
本發明的第一方面提供由下列化學式1表示的鉭化合物：
[化學式1]
在上述化學式1中，R1
和R2
分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C10
烷基；R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C3
烷基。
根據本發明的一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為氫原子、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）、異丙基（i
Pr）、正丁基（n
Bu）、叔丁基（t
Bu）、異丁基（i
Bu）、仲丁基（s
Bu）、戊基、己基、異己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基或它們的所有可能的異構體。
根據本發明另一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為異丙基或叔丁基。
根據本發明一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫原子、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）或異丙基（i
Pr）。
根據本發明另一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫原子、甲基或乙基。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以是鉭中心金屬和配體之間通過弱配位鍵而連接的絡合物（complex）形態，但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以包含下列化合物，但可以不限於此：
或。
根據本發明第二方面，提供一種由下列化學式1表示的鉭化合物的製備方法，該方法包括在含有由下列化學式2表示的化合物和鹼金屬溶液中，添加由下列化學式3表示的化合物以進行反應：
[化學式1]
；
[化學式2]
；
[化學式3]
[(NR3
R4
)(NR3
'R4
')(NR3
"R4
")TaX2
]2
；
在上述化學式1至化學式3中的每一者中，R1
和R2
分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C10
烷基；R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C10
烷基；X為鹵素原子。
根據本發明一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為氫原子、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）、異丙基（i
Pr）、正丁基（n
Bu）、叔丁基（t
Bu）、異丁基（i
Bu）、仲丁基（s
Bu）、戊基、己基、異己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基或它們的所有可能的異構體。
根據本發明另一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為異丙基或叔丁基。
根據本發明一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫原子、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）或異丙基（i
Pr）。
根據本發明另一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫、甲基或乙基。
根據本發明一具體例，所述鹵素可以包括氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）或碘（I），但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述鹼金屬可以包括Li、Na、K、Rb或Cs，但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述反應可以在室溫下實施，但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以是鉭中心金屬和配體之間通過弱配位鍵而連接的絡合物（complex）形態，但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以包括下列化合物，但可以不限於此：
或。
根據本發明的協力廠商面，提供一種含鉭膜沉積用前體組合物，該組合物包含上述根據本發明第一方面的鉭化合物。
根據本發明一具體例，所述含鉭膜沉積用前體組合物可以包括由下列化學式1表示的鉭化合物：
[化學式1]
在上述化學式1中，R1
和R2
分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C10
烷基；R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C3
烷基。
根據本發明一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為氫原子、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）、異丙基（i
Pr）、正丁基（n
Bu）、叔丁基（t
Bu）、異丁基（i
Bu）、仲丁基（s
Bu）、戊基、己基、異己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基或它們的所有可能的異構體。
根據本發明另一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為異丙基或叔丁基。
根據本發明一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫原子、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）或異丙基（i
Pr）。
根據本發明另一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫、甲基或乙基。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以是鉭中心金屬和配體之間通過弱配位鍵而連接的絡合物（complex）形態，但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以包括下列化合物，但可以不限於此。或。
根據本發明第四方面，提供一種含鉭膜或薄膜的沉積方法，該方法包括：利用上述根據本發明協力廠商面的含鉭膜沉積用前體組合物，在襯底上形成含鉭膜。
根據本發明一具體例，所述含鉭膜沉積用前體組合物可以是包含由下列化學式1表示的鉭化合物：
[化學式1]
在上述化學式1中，R1
和R2
分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C10
烷基；R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1
-C3
烷基。
根據本發明一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為氫原子、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）、異丙基（i
Pr）、正丁基（n
Bu）、叔丁基（t
Bu）、異丁基（i
Bu）、仲丁基（s
Bu）、戊基、己基、異己基、庚基、4,4-二甲基戊基、辛基、2,2,4-三甲基戊基、壬基、癸基或它們的所有可能的異構體。
根據本發明另一具體例，所述R1
和R2
分別獨立地可以為異丙基或叔丁基。
根據本發明一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫、甲基、乙基、正丙基（n
Pr）或異丙基（i
Pr）。
根據本發明另一具體例，所述R3
、R3
'、R3
"、R4
、R4
'及R4
"分別獨立地可以為氫原子、甲基或乙基。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以是鉭中心金屬和配體之間通過弱配位鍵而連接的絡合物（complex）形態，但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述鉭化合物可以包括下列化合物，但可以不限於此。
或。
根據本發明一具體例，所述含鉭膜可以是含鉭薄膜，其具有奈米級厚度，例如該薄膜可以為厚度約1nm -約100nm、約1nm -約90nm、約1nm -約80nm、約1nm -約70nm、約1nm -約60nm、約1nm -約50nm、約1nm -約40nm、約1nm -約30nm、約1nm -約20nm、約1nm -約10nm、約1nm -約5nm、約5nm -約100nm、約10nm -約100nm、約20nm -約100m、約30nm -約100nm、約40nm -約100nm、約50nm -約100nm、約60nm -約100nm、約70nm -約100nm、約80nm -約100nm或約90nm -約100nm的薄膜，但可以不限於此。
根據本發明一具體例，所述含鉭膜或薄膜的沉積方法可以包括將所述含鉭膜或薄膜沉積用前體組合物，沉積至位於沉積腔室內的襯底上，從而形成含鉭膜或薄膜，但可以不限於此。所述膜沉積方法可以利用本領域公知的方法、裝置等，在必要時可以利用額外的反應氣體而實施。
根據本發明的一具體例，所述膜沉積可以通過化學氣相沉積法（CVD）、有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）或原子層沉積法（ALD）而實施，但可以不限於此。所述有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）或原子層沉積法（ALD）可以利用本領域公知的沉積裝置、沉積條件、額外的反應氣體等而實施。
根據本發明一具體例的鉭化合物是鉭中心金屬和配體之間通過弱配位鍵連接的絡合物（complex），因此在較低的溫度下也容易發生配體的分解，從而能夠降低沉積溫度。同時，從所述鉭中心金屬分離的胺和二烯中性配體能夠通過真空排氣而容易地從反應腔室內去除，從而使得碳或氮等雜質不會殘留在沉積的膜上。
根據本發明一具體例，所述襯底可以包括表面具有凹凸或槽（trench）的襯底，但可以不限於此。所述襯底中包含的凹凸或槽的縱橫比可以為約1以上、約1.5以上、約2以上、約2.5以上、約3以上、約3.5以上、約4以上、約4.5以上或約5以上，所述襯底中包含的槽的寬度可以為約1μm以下、約0.9μm以下、約0.8μm以下、約0.7μm以下、約0.6μm以下、約0.5μm以下、約0.4μm以下、約0.3μm以下、約0.2μm以下或約0.1μm以下，但不限於此。例如，所述襯底可以為縱橫比為約1以上或約2以上，且具有寬度約1μm以下微細的槽的襯底，但可以不限於此。
下面進一步對本發明的實施例進行具體地說明，但下列實施例僅為了幫助理解本發明而例示，本發明的內容不限於這些實施例。
[
實施例
]
1.
鉭
化合物的製備
（
1
）實施例
1
：
(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
的製備
在火焰乾燥的1L的舒倫克瓶（Schlenk flask）中加入N,N'-二異丙基-1,4-二氮雜-1,3-丁二烯（N,N'-diisopropyl-1,4-diaza-1,3-butadiene，也稱為“i
Pr-DAD”）29.2g（0.208mol，2當量）和鋰（Li）2.9g（0.417mol，4當量），在常溫下添加乙二醇二甲醚（Ethylene glycol dimethylether，DME）500ml，攪拌3小時。將80g的[(NMe2
)3
TaCl2
]2
（0.104mol，1當量）溶解於乙二醇二甲醚中後，在室溫下緩慢添加至上述溶液中，攪拌12小時。利用矽藻土（Celite）墊和玻璃粉（frit）去除LiCl獲得濾液，將該濾液減壓下去除溶劑，並進行分餾，獲得由下列化學式表示的紅色液體化合物32g（收率為34%）。
沸點（bp）95（0.3托）；
元素分析（elemental analysis）計算值（C14
H34
N5
Ta）：C37.09，H7.56，N15.45，實測值C37.15，H7.48，N15.35；
1H-NMR（400 MHz，C6
D6
, 25）δ 6.522（s, 2H, NCH
=CH
N），4.056（七重峰（septet），2H，NCH
(CH3
)2
），3.159 （s，18H，N(CH 3
)2
），1.293（d，12H，NCH(CH 3
)2
）。
（
2
）比較例
1
：
(i
Pr-EDA)Ta(NMe2
)3
的
製備
在火焰乾燥的1L的舒倫克瓶（Schlenk flask）中加入N,N’-二異丙基乙烯-1,2-二胺（N,N’-diisopropylethylene-1,2-diamine，也稱為“i
Pr-EDA”）4.8g（0.033mol，2當量）和正丁基鋰（n-BuLi）17.6g（0.066mol，4當量）、己烷（Hexane）100ml後，常溫下攪拌3小時。將11.6g的[(NMe2
)3
TaCl2
]2
（0.015mol，1當量）溶解於己烷中後，在室溫下緩慢添加至上述溶液中，攪拌12小時。利用矽藻土（Celite）墊和玻璃粉（frit）去除LiCl獲得濾液，將該濾液減壓下去除溶劑，並進行分餾，獲得由下列化學式表示的橙色液體化合物2.5g（收率為36.5%）。
沸點（bp）95（0.3托）；
元素分析（elemental analysis）計算值（C14
H36
N5
Ta）：C36.92，H7.97，N15.38，實測值C37.01，H7.88，N15.31；
1H-NMR (400 MHz，C6
D6
，25) δ 3.847 (七重峰，2H，NCH
(CH3
)2
)，3.698（s，4H，NCH2
=
CH2
N），3.201（s，18H，N(CH 3
)2
），1.201（d，12H，NCH(CH 3
)2
）。
2.
實施例
1
和比較例
1
的鉭化合物的熱重分析比較
按照實施例1合成的(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
化合物的熱重分析圖示於圖1；按照比較例1合成的(i
Pr-EDA)Ta(NMe2
)3
化合物的熱重分析圖示於圖2。
從圖1和圖2中可以知道，在常壓下升溫而進行氣化時，比較例1的(i
Pr-EDA)Ta(NMe2
)3
有14.64%不被氣化而殘留，但實施例1的(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
化合物在相同條件下僅殘留5.78%，從而在將原料化合物進行氣化而使用的CVD或ALD工序中，使用包含實施例1的(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
化合物的組合物更有利。即，相比比較例1，實施例1的化合物的殘留量減少，因此可以確認實施例1的化合物的熱穩定性及揮發特性相比比較例1的熱穩定性及揮發特性更優異。此外，實施例1的熱穩定性及揮發特性優異，從而能夠防止碳或氮等雜質殘留在沉積的膜中。因此將實施例1的鉭化合物作為前提使用而沉積鉭氮化膜時，能夠形成純度高而均勻的薄膜。
3.
實施例
2
：通過利用實施例
1
製備的
(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
前體和氨等
離子體的原子層沉積法的膜沉積
使用上述實施例1中獲得的(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
前體，通過利用等離子體
的原子層沉積法（PEALD）工序，實施了成膜實驗。襯底使用矽（Si）晶圓，將其置於反應室的沉積腔室內，並使放置所述襯底的加熱器溫度維持300℃而進行加熱。(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
前體置於不銹鋼材質的容器中，在70℃加熱容器，使用流速為200sccm的氬（Ar）氣作為載氣進行了氣化。反應氣體使用氨（NH3
）等離子體。氨氣體以200sccm的流量流通，施加200W的射頻（RF）功率生成氨等離子體。反應器的工藝壓力調節為0.5托，將通過所述氣化過程供給的(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
前體的氣體和氨等離子體交替地與加熱的矽襯底接觸。將設定為所述(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
前體氣體供給20秒→氬氣供給10秒→氨等離子體供給10秒→氬氣供給10秒的氣體供給週期重複200次，從而沉積了氮化鉭薄膜。
如上所述沉積的氮化鉭薄膜利用歐傑（Auger）能譜法分析，測定了根據深度的原子含量，並將其測定結果示於圖3中。如從圖3中可以確認，利用包含實施例1的(i
Pr-DAD)Ta(NMe2
)3
化合物的前體，通過PEALD工序，在矽襯底上形成了氮化鉭薄膜。
前述的對本發明的說明僅用於例示，本領域的普通技術人員應當理解的是，在不變更本發明的技術思想或必要技術特徵的情況下，可以容易變更為其他具體形態。因此，應當理解，上述記載的實施例在任何情況下都是示例性的，而不是限制性的。例如，以單一形態說明的各構成要素，可以各自分散實施，相同地，以分散形態說明的各構成要素，也可以以結合的形態實施。
本發明的範圍在申請專利範圍中得到體現，而不是詳細說明，從申請專利範圍的含義和範圍、及其均等概念中匯出的所有變更或變形的形態都應當解釋為落入本發明範圍內。
無
[圖1]是根據本發明的實施例1製備的鉭化合物的熱重分析圖。 [圖2]是根據本發明的比較例1製備的鉭化合物的熱重分析圖。 [圖3]是根據本發明的實施例2的在矽（Si）襯底上形成的氮化鉭薄膜的歐傑（Auger）分析結果。
Claims (11)
- 一種鉭化合物，所述鉭化合物由下列化學式1表示： 化學式1在所述上述化學式1中， R1 和R2 分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1 -C10 烷基； R3 、R3 '、R3 "、R4 、R4 '及R4 "分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1 -C3 烷基。
- 如申請專利範圍第1項所述的鉭化合物，其中，所述R1 和所述R2 分別獨立地為異丙基或叔丁基。
- 如申請專利範圍第1項所述的鉭化合物，其中，所述R3 、R3 '、R3 "、R4 、R4 '及R4 "分別獨立地為H、甲基或乙基。
- 一種鉭化合物的製備方法，所述鉭化合物由下列化學式1表示，所述方法包括：在含有由下列化學式2表示的化合物和鹼金屬的溶液中，添加由下列化學式3表示的化合物以進行反應： 化學式1； 化學式2； 化學式3 [(NR3 R4 )(NR3 'R4 ')(NR3 "R4 ")TaX2 ]2 ； 在所述化學式1至化學式3中的每一者中， R1 和R2 分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1 -C10 烷基； R3 、R3 '、R3 "、R4 、R4 '及R4 "分別獨立地為H、或者直鏈或支鏈的C1 -C3 烷基； X為鹵素原子。
- 如申請專利範圍第4項所述的鉭化合物的製備方法，其中，所述R1 和R2 分別獨立地為異丙基或叔丁基。
- 如申請專利範圍第4項所述的鉭化合物，其中，所述R3 、R3 '、R3 "、R4 、R4 '及R4 "分別獨立地為H、甲基或乙基。
- 如申請專利範圍第4項所述的鉭化合物，其中，所述鹼金屬包含Li、Na、K、Rb或Cs。
- 一種含鉭膜沉積用前體組合物，包括如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的鉭化合物。
- 一種含鉭膜的沉積方法，包括利用如申請專利範圍第8項所述的含鉭膜沉積用前體組合物，在襯底上形成含鉭膜。
- 如申請專利範圍第9項所述的含鉭膜的沉積方法，其中，所述含鉭膜是通過化學氣相沉積法或原子層沉積法而沉積的。
- 如申請專利範圍第9項所述的含鉭膜的沉積方法，其中，所述襯底包括表面具有凹凸的襯底。
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|---|---|---|---|---|
| US6015917A (en) * | 1998-01-23 | 2000-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate |
| JP3632475B2 (ja) * | 1999-01-13 | 2005-03-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用原料溶液並びにこれから作られる窒化タンタル膜 |
| US6960675B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-11-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| DE102005033102A1 (de) * | 2005-07-15 | 2007-01-25 | H.C. Starck Gmbh | Tantal- und Niob-Verbindungen und ihre Verwendung für die Chemical Vapour Deposition (CVD) |
| US20090087623A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Brazier Mark R | Methods for the deposition of ternary oxide gate dielectrics and structures formed thereby |
-
2016
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