TW201719706A - 熔絲元件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能藉由熔絲單元之低電阻化謀求高額定化、並謀求小型化的熔絲元件。具有熔絲單元2與冷卻構件3，熔絲單元2設有藉熱而熔斷之遮斷部9與該冷卻構件3分離且熱傳導性相對較低之低熱傳導部7、以及除該遮斷部9以外之部位與該冷卻構件3接觸或接近且熱傳導性相對較高之高熱傳導部8。

Description

熔絲元件

本發明係關於構裝在電流路徑上、藉由熔斷來遮斷該電流路徑之熔絲元件，特別是關於可謀求小型化、低電阻化、且因應大電流之熔絲元件。本申請案，以日本2015年10月9日申請之日本申請號特願2015-201383、及日本2016年1月13日申請之日本申請號特願2016-004691為基礎主張優先權，參照該申請案，將其援用於本申請案。

一直以來，使用一種在流過超過額定電流時因自我發熱而熔斷，據以遮斷該電流路徑之熔絲單元。作為熔絲單元，多使用例如將焊料封入玻璃管之座(holder)固定型熔絲、或在陶瓷基板表面印刷Ag電極之片狀(chip)熔絲、或將銅電極之一部分做細後組裝入塑料盒之螺固或插入型熔絲等。

然而，上述既有之熔絲單元，被指出具有無法以回流焊進行表面構裝、額定電流低等之問題點

又，當想定一回流焊構裝用之速斷熔絲元件時，為避免因回流焊之熱而熔融，一般而言，熔絲單元中，以熔點在300℃以上之含Pb高融點焊料，在熔斷特性上是較佳的。然而，於歐盟RoHS指令等，含Pb焊料之使用僅限定的被認可，今後無Pb化之要求被認為將日益增強。

亦即，作為熔絲單元，被要求可進行回流焊之表面構裝且對 熔絲元件之構裝性佳、提高額定而能因應大電流。

先行技術文獻

[專利文獻1]日本特開2005-26577號公報

為回應上述要求，亦提出一種使用Cu等之高熔點、低電阻金屬之熔絲單元。此種熔絲單元，具有成型為矩形板狀、並將長邊方向之略中央部局部的使寬度變窄的構造。或者，亦提出一種整體成較電極尺寸細的金屬線狀構造的熔絲單元。此種熔絲單元，係使該寬度做窄的窄小部高電阻化以作為藉自我發熱而遮斷之遮斷部。

此處，使用高熔點之熔絲單元的情形時，因熔斷時會發出高溫，因此當熔絲單元連接之電極端子接近遮斷部時，端子溫度會上升至接近高熔點金屬之熔點附近，而有引起表面構裝用連接焊料熔解等問題之風險。因此，必須加長熔絲單元之長度，以確保遮斷部與電極端子間之距離。

另一方面，為使熔絲單元低電阻化，縮短熔絲單元之長度、及加大熔絲單元之剖面積是雖非常有效，但在熔斷時之熔絲單元之熱造成的影響，欲進一步謀求額定電流之提昇是困難的。又，因加長熔絲單元之長度，因此使用熔絲單元之熔絲元件的小型化亦是困難的。

因次，本發明之目的在於提供一種能謀求熔絲單元之低電阻化形成之高額定化、且能謀求小型化之熔絲元件。

為解決上述課題，本發明之熔絲元件，具有熔絲單元與冷卻構件，該熔絲單元設有藉熱而熔斷之遮斷部與該冷卻構件分離且熱傳導性相對較低之低熱傳導部、以及除該遮斷部以外之部位與該冷卻構件接觸或接近且熱傳導性相對較高之高熱傳導部。

根據本發明，可藉由使熔絲單元之遮斷部周圍與冷卻構件熱性接觸，據以抑制熔絲單元之過電流時之發熱以使額定電流上升，並抑制對端子部之影響，謀求小型化。

1‧‧‧熔絲元件

2‧‧‧熔絲單元

2a‧‧‧低熔點金屬層

2b‧‧‧高熔點金屬層

3‧‧‧冷卻構件

5‧‧‧端子部

6‧‧‧變形限制部

7‧‧‧低熱傳導部

8‧‧‧高熱傳導部

9‧‧‧遮斷部

10‧‧‧槽部

11‧‧‧孔

12‧‧‧嵌合凹部

13‧‧‧覆蓋構件

14‧‧‧金屬層

15‧‧‧接著劑

16‧‧‧第2高熔點金屬層

17‧‧‧第1高熔點粒子

18‧‧‧第2高熔點粒子

19‧‧‧突緣部

20、30、40‧‧‧熔絲元件

21‧‧‧支承構件

41‧‧‧熔絲單元

42‧‧‧端子片

50‧‧‧熔絲元件

51‧‧‧高熔點熔絲單元

52‧‧‧端子部

60‧‧‧熔絲元件

61‧‧‧發熱體

62‧‧‧絕緣層

63‧‧‧發熱體電極

64‧‧‧發熱體引出電極

70、80、90‧‧‧熔絲元件

91‧‧‧熔絲單元

92‧‧‧冷卻構件

93‧‧‧凹部

94‧‧‧凸部

95‧‧‧金屬層

96‧‧‧焊料

97‧‧‧外部連接電極

98a‧‧‧通孔

98b‧‧‧半圓孔接點

99‧‧‧凹部

111‧‧‧高熔點熔絲單元

110、120、130、140、150、160‧‧‧熔絲元件

圖1係顯示適用本發明之熔絲元件的圖，(A)為外觀立體圖、(B)為剖面圖。

圖2(A)係顯示嵌合有熔絲單元之冷卻構件的外觀立體圖，圖2(B)係冷卻構件的外觀立體圖。

圖3(A)係顯示遮斷部熔斷之熔絲單元的外觀立體圖，圖3(B)係顯示熔絲單元熔斷之熔絲元件的剖面圖。

圖4(A)(B)係顯示適用本發明之熔絲元件之其他形態的剖面圖。

圖5係顯示以形成有由金屬材料構成之冷卻構件之支承構件夾持熔絲單元之熔絲元件的剖面圖。

圖6係顯示適用本發明之熔絲元件之其他形態的剖面圖。

圖7係顯示適用本發明之熔絲元件之其他形態的剖面圖。

圖8係顯示適用本發明之熔絲元件之其他形態的圖，(A)為冷卻構件 的外觀立體圖、(B)為顯示嵌合有熔絲單元之冷卻構件的外觀立體圖、(C)為熔絲元件的外觀立體圖。

圖9係顯示形成有較熔絲單元之遮斷部之寬度短之槽部之冷卻構件的外觀立體圖。

圖10係顯示沿熔絲單元之遮斷部斷續的形成有槽部之冷卻構件的外觀立體圖。

圖11(A)係配置圓柱狀熔絲單元之冷卻構件的外觀立體圖，圖11(B)係使用了圓柱狀熔絲單元之熔絲元件的外觀立體圖。

圖12(A)係顯示3個熔絲單元並列配置之冷卻構件的外觀立體圖，圖12(B)係3個熔絲單元並列配置之熔絲元件的外觀立體圖。

圖13(A)係顯示高熔點熔絲單元並列配置在熔絲單元之間之冷卻構件的外觀立體圖，圖13(B)係高熔點熔絲單元並列配置在熔絲單元之間之熔絲元件的外觀立體圖。

圖14係顯示在冷卻構件之與熔絲單元接觸表面形成有金屬層之熔絲元件的剖面圖。

圖15係顯示在冷卻構件之與熔絲單元之接觸表面形成有接著劑層之熔絲元件的剖面圖。

圖16係顯示因低熔點金屬之熔融、流動而變形之熔絲單元的剖面圖。

圖17(A)係顯示配置了形成有變形限制部之熔絲單元之冷卻構件的外觀立體圖，圖17(B)係使用形成有變形限制部之熔絲單元之熔絲元件的剖面圖。

圖18(A)係顯示熔絲單元之端子部形成在背面側之冷卻構件的外觀立 體圖，圖18(B)係將熔絲單元之端子部形成在冷卻構件之背面側之熔絲元件的剖面圖。

圖19(A)係顯示熔絲單元之端子部形成在外側之冷卻構件的外觀立體圖，圖19(B)係將熔絲單元之端子部形成在冷卻構件之外側之熔絲元件的剖面圖。

圖20(A)係形成有非貫通孔之熔絲單元在回流構裝前的剖面圖，圖20(B)係圖20(A)所示之熔絲單元在回流構裝後的剖面圖。

圖21(A)係顯示貫通孔內被第2高熔點金屬層充填之熔絲單元的剖面圖，圖21(B)係顯示非貫通孔內被第2高熔點金屬層充填之熔絲單元的剖面圖。

圖22(A)係顯示設有剖面為矩形之貫通孔之熔絲單元的剖面圖，圖22(B)係顯示設有剖面為矩形之非貫通孔之熔絲單元的剖面圖。

圖23係顯示將第2高熔點金屬層設置到孔之開口端側上側之熔絲單元的剖面圖。

圖24(A)係顯示將非貫通孔對向形成之熔絲單元的剖面圖，圖24(B)係顯示將非貫通孔形成為非對向之熔絲單元的剖面圖。

圖25係顯示於低熔點金屬層中混合第1高熔點粒子之熔絲單元的剖面圖。

圖26(A)係在低熔點金屬層中混合粒子直徑較低熔點金屬層之厚度小之第1高熔點粒子之熔絲單元在回流構裝前的剖面圖，圖26(B)係圖26(A)所示之熔絲單元在回流構裝後的剖面圖。

圖27係顯示於低熔點金屬層中壓入第2高熔點粒子之熔絲單元的剖面 圖。

圖28係顯示於第1高熔點金屬層及低熔點金屬層中壓入第2高熔點粒子之熔絲單元的剖面圖。

圖29係顯示於第2高熔點粒子之兩端形成有突緣部之熔絲單元的剖面圖。

圖30係熔絲元件的電路圖，(A)顯示熔絲單元之熔斷前、(B)顯示熔絲單元之熔斷後。

圖31(A)係顯示於冷卻構件形成有發熱體之熔絲元件的剖面圖，(B)係電路圖。

圖32(A)係顯示將發熱體引出電極形成在被覆發熱體之絕緣層上之熔絲元件的剖面圖，圖32(B)係電路圖。

圖33(A)係顯示使用設有複數個遮斷部之熔絲單元之熔絲元件的剖面圖，圖33(B)係電路圖。

圖34係顯示使用形成有凹部之熔絲單元之一熔絲元件例的剖面圖。

圖35係將使用形成有凹部之熔絲單元之熔絲元件，省略一方之冷卻構件加以顯示的立體圖。

圖36係顯示使用形成有凹部之熔絲單元之一熔絲元件例的外觀立體圖。

圖37係顯示使用形成有凹部之熔絲單元之一熔絲元件例的剖面圖。

圖38(A)係顯示圖34所示之熔絲元件之熔絲單元熔斷狀態的剖面圖，圖38(B)係將熔絲單元之熔斷狀態省略一方之冷卻構件加以顯示的立體圖。

圖39係顯示使用兩端為端子部之熔絲單元之一熔絲元件例的剖面圖。

圖40係將使用兩端為端子部之熔絲單元之熔絲元件，省略一方之冷卻構件加以顯示的立體圖。

圖41係顯示使用兩端為端子部之熔絲單元之一熔絲元件例的外觀立體圖。

圖42係顯示使用設有變形限制部之熔絲單元之一熔絲元件例的剖面圖。

圖43係將使用設有變形限制部之熔絲單元之熔絲元件，省略一方之冷卻構件加以顯示的立體圖。

圖44係顯示使用設有變形限制部之熔絲單元之一熔絲元件例的外觀立體圖。

圖45係顯示在冷卻構件之背面設有端子部之一熔絲元件例的剖面圖。

圖46(A)係將3片熔絲單元並列配置之熔絲元件，省略一方之冷卻構件加以顯示的立體圖，圖46(B)係外觀立體圖。

圖47(A)係將配置有高熔點熔絲單元之熔絲元件，省略一方之冷卻構件加以顯示的立體圖，圖47(B)係外觀立體圖。

圖48係將使用複數個遮斷部並列之熔絲單元之熔絲元件，省略一方之冷卻構件加以顯示的立體圖。

圖49係用以說明具備複數個遮斷部之可溶導體之製造步驟的俯視圖，(A)顯示將遮斷部之兩側以端子部一體支承者、(B)顯示將遮斷部之單側以端子部一體支承者。

圖50(A)係顯示於冷卻構件形成發熱體之一熔絲元件例的剖面圖，(B)係電路圖。

圖51(A)係顯示將發熱體引出電極形成在被覆發熱體之絕緣層上之一熔絲元件例的剖面圖，圖51(B)係電路圖。

圖52(A)係顯示使用設有複數個遮斷部之熔絲單元之一熔絲元件例的剖面圖，圖52(B)係電路圖。

圖53係顯示適用本發明之熔絲元件之其他形態的剖面圖。

圖54係顯示適用本發明之熔絲元件之其他形態的剖面圖。

圖55係顯示使用單面形成有凹部之熔絲單元之熔絲元件的剖面圖。

圖56係顯示使用兩面形成有凹部之熔絲單元之熔絲元件的剖面圖。

圖57係顯示不透過金屬層、而以一對冷卻構件直接夾持形成有凹部之熔絲單元之熔絲元件的剖面圖。

以下，針對適用本發明之熔絲元件，一邊參照圖面一邊詳細的說明之。又，本發明不僅限定於以下實施形態，在不脫離本發明要旨之範圍內，當然可有各種變化。此外，圖面係以示意方式顯示，各尺寸之比率等可能與實物有所差異。具體的尺寸等應參酌下述說明加以判斷。又，各圖面間當然亦有可能包含彼此之尺寸關係或比率相異之部分。

本發明之熔絲元件1，係實現了小型且高額定之熔絲元件，雖然在平面尺寸為3~5mm×5~10mm、高度為2~5mm之小型的情形下，仍實現了電阻值為0.2~1mΩ、50~150A額定之高額定化。又，本發明當然可適用於具備任何尺寸、電阻值及額定電流之熔絲元件。

熔絲元件1，如圖1(A)、(B)所示，具有：連接在外部電路之電流路徑上、藉由超過額定之電流流過因自我發熱(焦耳熱)而熔斷 以遮斷該電流路徑的熔絲單元2、以及和熔絲單元2接觸或接近的冷卻構件3。

熔絲單元2，例如圖2(A)所示形成為矩形板狀，通電方向之兩端部作為與未圖示之外部電路之連接電極連接的端子部5a、5b。熔絲單元2，被上下一對冷卻構件3a、3b夾持，且一對端子部5a、5b導出至冷卻構件3a、3b外，可透過端子部5a、5b與外部電路之連接電極連接。又，關於熔絲單元2之具體構成，待後詳述。

又，熔絲元件1，藉由被上下一對冷卻構件3a、3b夾持熔絲單元2，而在熔絲單元2內形成從冷卻構件3a、3b分離且熱傳導性相對較低之低熱傳導部7、以及與冷卻構件3a、3b接觸或接近且熱傳導性相對較高之高熱傳導部8。冷卻構件3，非常適合使用陶瓷等之熱傳導性高的絕緣材料，可藉由粉體成型等成形為任意形狀。此外，冷卻構件3以熱傳導率在1W/(m‧k)以上較佳。再者，冷卻構件3雖亦能以金屬材料形成，但從表面之絕緣被覆係為防止與周圍零件之短路、以及操作性來看，仍以陶瓷較佳。上下一對冷卻構件3a、3b，係以例如接著劑互相結合而形成為元件箱體。

低熱傳導部7，係指在與熔絲單元2之端子部5a、5b間之通電方向正交之寬度方向沿熔絲單元2熔斷之遮斷部9設置，藉由至少一部分與與冷卻構件3a、3b分離而不熱性接觸，在熔絲單元2之面內熱傳導性相對較低的部位。

又，高熱傳導部8，係指在遮斷部9以外之部位，藉由至少一部分係與冷卻構件3a、3b接觸或接近而熱性接觸，在熔絲單元2之面內 熱傳導性相對較高的部位。此外，高熱傳導部8只要是與冷卻構件3熱性接觸即可，除與冷卻構件3直接接觸外，亦可以是透過具備熱傳導性之構件接觸。

如圖3(A)、(B)所示，熔絲元件1，於熔絲單元2之面內，沿遮斷部9設有低熱傳導部7，並藉由在遮斷部9以外之部位形成高熱傳導部8，而能在超過額定之過電流時熔絲單元2發熱之際，將高熱傳導部8之熱積極的釋放至外部，以抑制遮斷部9以外部位之發熱，並使熱集中在沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，一邊抑制熱對端子部5a、5b之影響、一邊使遮斷部9熔斷。如此，熔絲元件1之熔絲單元2之端子部5a、5b間即能熔斷，而遮斷外部電路之電流路徑。

因此，熔絲元件1，可藉由將熔絲單元2形成為矩形板狀、並藉由縮短通電方向之長度以謀求低電阻化，以提升額定電流，並藉由抑制與外部電路之連接電極透過連接用焊料等連接之端子部5a、5b之過熱，據以消除使表面構裝用之連接用焊料熔解等的問題，實現小型化。

此處，熔絲單元2，以高熱傳導部8之面積大於低熱傳導部7之面積較佳。如此，於熔絲單元2，能選擇性的加熱、熔斷遮斷部9，並積極釋放遮斷部9以外部位之熱以抑制端子部5a、5b之過熱造成之影響，謀求小型化、高額定化。

又，如圖2(B)所示，熔絲元件1，藉由在與冷卻構件3之遮斷部9對應之位置形成槽部10，與熔絲單元2之遮斷部9以外之部位接觸或接近、並在槽部10上重疊遮斷部9。如此，於熔絲元件1，因熔絲單元2之遮斷部9與熱傳導率低於冷卻構件3之空氣接觸，而形成低熱傳導 部7。

此外，於熔絲元件1，因熔絲單元2被上下一對冷卻構件3夾持，遮斷部9之兩面側與槽部10重疊(圖1(B))。據此，遮斷部9與遮斷部9以外部位之熱傳導性之差變大，能確實地於遮斷部9熔斷，並提升高熱傳導部8之冷卻效率、抑制熔絲單元2之發熱導致端子部5a、5b之過熱。

又，熔絲元件1，如圖4(A)所示，可藉由在遮斷部9之兩側配置、接著冷卻構件3a、3b，據以使遮斷部9與空氣接觸。此場合，為防止在遮斷部9之熔斷時之熔絲單元2之飛散，以設置至少覆蓋遮斷部9上之覆蓋構件較佳。

圖5係顯示在遮斷部9之兩側配置由金屬材料構成之冷卻構件3a、3b之熔絲元件1的剖面圖。由金屬材料構成之冷卻構件3a、3b被由絕緣材料構成之支承構件21支承。熔絲元件1，藉由設置冷卻構件3a、3b之支承構件21夾持熔絲單元2而形成。支承構件21，可使用例如工程塑膠、陶瓷基板、玻璃環氧基板等之公知絕緣性材料。

冷卻構件3a、3b，形成在熔絲單元2之除了重疊遮斷部9之位置以外之區域，例如圖5所示，係在設於熔絲單元2之寬度方向全面之遮斷部9兩側分斷設置。又，於熔絲元件1，藉由熔絲單元2透過由金屬材料構成之冷卻構件3a、3b被支承構件21夾持，而使熔絲單元2之遮斷部9從冷卻構件3a、3b分離而成為熱傳導性相對較低之低熱傳導部7、與遮斷部9之兩側與冷卻構件3a、3b接觸或接近而成為熱傳導性相對較高之高熱傳導部8。又，構成冷卻構件3a、3b之金屬材料層，具備使遮斷部9充分 地與支承構件21分離，使遮斷部9與遮斷部9以外部位之間有熱傳導性之差，以使遮斷部9確實熔斷所需之厚度。金屬材料層之厚度以100μm以上較佳。

又，亦可在構成冷卻構件3a、3b之金屬材料層與熔絲單元2之間適當地設置導電性之接著劑15或焊料96。熔絲元件1，可透過接著劑15或焊料96將冷卻構件3a、3b與熔絲單元2之高熱傳導部8連接，據以提高彼此之緊貼性、以更加效率將熱傳遞至冷卻構件3a、3b。

圖5所示之熔絲元件1，可藉由板狀之熔絲單元2之使用並將熔絲單元2以形成有由金屬材料層構成之冷卻構件3a、3b之支承構件21加以夾持來形成，無需凹部或槽部之加工，使製造步驟更容易。又，熔絲元件1，於熔絲單元2之面內，沿遮斷部9設置低熱傳導部7、並在遮斷部9以外之部位形成高熱傳導部8，可在超過額定之過電流時熔絲單元2發熱之際，將高熱傳導部8之熱透過由金屬材料層構成之冷卻構件3a、3b積極的釋放至外部，以抑制遮斷部9以外部位之發熱並使熱集中於沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，來使遮斷部9熔斷，以遮斷外部電路之電流路徑。

又，熔絲元件1，雖如圖5所示，以在熔絲單元2之兩面於遮斷部9之兩側形成有由金屬材料構成之冷卻構件3a、3b較佳，但只要在熔絲單元2之至少一面於遮斷部9之兩側形成有冷卻構件3a或冷卻構件3b的話，即能在遮斷部9與遮斷部9以外部位之間形成熱傳導性之差。

又，熔絲元件，如圖4(B)所示，亦可具有熱傳導率較冷卻構件3a、3b低之隔熱構件4，藉由使熔絲單元2之遮斷部9接觸或接近隔熱構件4，據以形成熱傳導性相對高熱傳導部8較低之低熱傳導部7。又， 隔熱構件4，亦可如圖1所示的配設在冷卻構件3a、3b之槽部10據以接觸或接近遮斷部9。

此外，熔絲元件，如圖6所示，亦可在夾持熔絲單元2之上下一對冷卻構件3之一方的冷卻構件3a之對應遮斷部9之位置形成槽部10，於遮斷部9上配置槽部10並與遮斷部9以外之部位接觸或接近，於另一冷卻構件3b則不設置槽部10，而與熔絲單元2之遮斷部9及遮斷部9以外之部位接觸或接近。

圖6所示之熔絲元件20中，亦使遮斷部9與遮斷部9以外之部位之間設置熱傳導性之差，於熔絲單元2之面內，沿遮斷部9設置低熱傳導部7並在遮斷部9以外之部位形成高熱傳導部8。如此，熔絲元件20，在超過額定之過電流時熔絲單元2發熱之際，可積極的將高熱傳導部8之熱釋放至外部，抑制遮斷部9以外之部位之發熱，並使熱集中於沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，使遮斷部9熔斷。

又，於熔絲元件，亦可於熔絲單元2之一面側重疊冷卻構件3，另一面側以覆蓋構件13加以覆蓋。圖7所示之熔絲元件30，形成有槽部10之冷卻構件3接觸或接近熔絲單元2之下面，上面則被覆蓋構件13覆蓋。於冷卻構件3，槽部10與熔絲單元2之遮斷部9重疊，與遮斷部9以外之部位接觸或接近。

於圖7所示之熔絲元件30，亦使遮斷部9與遮斷部9以外之部位之間有熱傳導性之差、於熔絲單元2之面內，沿遮斷部9設有低熱傳導部7且遮斷部9以外之部位形成有高熱傳導部8。如此，在超過額定之過電流時熔絲單元2發熱之際，能將高熱傳導部8之熱積極的釋放至外部， 抑制遮斷部9以外之部位之發熱，並使熱集中於沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，以使遮斷部9熔斷。

熔絲元件30，可藉由導出端子部5a、5b，在構裝於形成有外部電路之電路基板的構裝面側配置冷卻構件3，據以使熔絲單元2之熱傳遞至電路基板側，更有效率的使之冷卻。

此外，於熔絲元件30，亦可在與對電路基板之構裝面相反側配置冷卻構件3，於導出端子部5a、5b之構裝面側配置覆蓋構件13。此場合，因端子部5a、5b與覆蓋構件13之側面接觸，因此能抑制熱透過冷卻構件3傳遞至端子部5a、5b，進一步降低使表面構裝用之連接用焊料熔解等的風險。

又，熔絲元件1，如圖2(B)所示，於冷卻構件3之夾持熔絲單元2之表面設有用以嵌合熔絲單元2之嵌合凹部12。嵌合凹部12，具有在上下一對冷卻構件3a、3b夾持熔絲單元2時接觸或接近熔絲單元2之兩面的深度，且兩端開放成能將端子部5a、5b導出至外部。於熔絲元件1，當將上下一對冷卻構件3扣合時，如圖1(A)、(B)所示，除了導出端子部5a、5b之開口部外皆密閉，且上下一對冷卻構件3之各嵌合凹部12接觸或接近熔絲單元2之表面。

又，以下說明之熔絲元件1之構成，亦可適用於上述熔絲元件20、30。熔絲元件1，如圖8(A)~(C)所示，至少可在一方之冷卻構件3不設置嵌合凹部12。此場合，熔絲元件1，當被一對冷卻構件3夾持時，因熔絲單元2而形成間隙，可將熔絲單元2之熔斷時產生之元件材料氣化之氣體排出至外部。因此，熔絲元件1，可防止因產生氣體造成之內壓導致 箱體之破壞。

〔槽部〕

又，熔絲元件1，在與熔絲單元2之通電方向正交之遮斷部9之寬度方向連續形成有槽部10。此時，熔絲元件1，如圖2所示，因槽部10具有較熔絲單元2之寬度W₁長之寬度W₂，故在熔絲單元2之遮斷部9之全寬度形成低熱傳導部7。從而，於熔絲元件1，遮斷部9可在全寬度被加熱而熔斷。

又，熔絲元件1，亦可如圖9所示，將槽部10之寬度W₂形成為不滿熔絲單元2之寬度W₁，於遮斷部9之長度方向之一部分形成低熱傳導部7。或者，熔絲元件1，亦可如圖10所示，藉由將複數個槽部10於熔絲單元2之寬度方向斷續的形成，據以在遮斷部9之長度方向斷續形成低熱傳導部7。

如圖9、圖10所示，在遮斷部9之一部分設有低熱傳導部7之情形時，當超過額定之過電流時熔絲單元2一旦發熱，即從低熱傳導部7起遮斷部9被加熱、熔斷，而能以該低熱傳導部7之熔融為契機使遮斷部9於全寬度熔斷。

此處，形成在冷卻構件3之槽部10於熔絲單元2之通電方向之長度L₁，如圖2所示般使用矩形板狀之熔絲單元2之情形時，設定在熔絲單元2於遮斷部9之最小寬度以下較佳，尤以設定在熔絲單元2於遮斷部9之最小寬度之1/2以下更佳。

在遮斷部9之最小寬度，係指在矩形板狀之熔絲單元表面，熔絲單元2在遮斷部9之與導通方向正交之寬度方向的最小寬度，在遮斷部9係呈圓弧狀、錐形狀、段差狀等形狀，寬度形成為較遮斷部9以外之 部位窄之情形時指其最小寬度，而在如圖2(A)所示之遮斷部9形成為與遮斷部9以外部位相同寬度之情形時，則為熔絲單元2之寬度W₁。

熔絲元件1，藉由將槽部10之長度L₁做窄至在遮斷部9之最小寬度以下、或在遮斷部9之最小寬度之1/2以下，能抑制熔斷時之電弧放電之發生，提升絕緣電阻。

〔棒狀熔絲單元〕

又，於熔絲元件，亦可使用棒狀之熔絲單元。例如圖11(A)、(B)所示之熔絲元件40，具有圓柱狀之熔絲單元41、設在熔絲單元41兩端之一對之端子片42a、42b、以及夾持熔絲單元41之上下一對之冷卻構件3a、3b。熔絲元件40，藉由將冷卻構件3a、3b嵌合在端子片42a、42b之間而與端子片42a、42b成同一面，由冷卻構件3a、3b及端子片42a、42b構成元件箱體。

熔絲元件40，藉由在上下一對冷卻構件3a、3b之對應熔絲單元41之遮斷部9之位置形成槽部10、並夾持熔絲單元41，而在熔絲單元41內形成與冷卻構件3a、3b分離之熱傳導性相對較低的低熱傳導部7、以及與冷卻構件3a、3b接觸或接近熱傳導性相對較高的高熱傳導部8。

於熔絲元件40，形成在冷卻構件3之槽部10於熔絲單元41之通電方向的長度L₁，以在熔絲單元2於遮斷部9之最小直徑的2倍以下較佳。在遮斷部9之最小直徑，係指熔絲單元41在遮斷部9之與導通方向正交之寬度方向的最小直徑，在遮斷部9係成朝向中央逐漸縮徑之圓錐狀、或小徑之圓柱透過段差連續等之形狀，較遮斷部9以外之部位形成為小徑之情形時，指其最小直徑，在如圖11(A)所示之遮斷部9形成為與遮斷部9以外之部位相同直徑之情形時，則為熔絲單元41之直徑。

於熔絲元件40，藉由將槽部10之長度L₁做成窄至在遮斷部9之熔絲單元41之最小直徑的2倍以下，能抑制熔斷時之電弧放電之發生，提升絕緣電阻。

又，上述熔絲元件1、40，以將形成在冷卻構件3之槽部10於熔絲單元2、41之通電方向的長度L₁，設定為0.5mm以上較佳。熔絲元件1、40，藉由設置長度0.5mm以上之低熱傳導部7，可形成在過電流時與高熱傳導部8之溫度差，選擇性的使遮斷部9熔斷。

又，上述熔絲元件1、40，以將形成在冷卻構件3之槽部10於熔絲單元2、41之通電方向的長度L₁，設定為5mm以下較佳。熔絲元件1、40，當槽部10之長度L₁超過5mm時，因遮斷部9之面積變大，因此熔斷所需時間變長而速熔斷性差，此外，因電弧放電造成之熔絲單元2、41之飛散量増加，恐因附著在周圍之熔融金屬導致絕緣電阻之降低。

又，上述熔絲元件1、40，相接近之熔絲單元2、41之高熱傳導部8與冷卻構件3a、3b之最小間隙以在100μm以下較佳。如前所述，熔絲單元2、41藉由被冷卻構件3a、3b夾持，而使與冷卻構件3a、3b接觸或接近之部位成為高熱傳導部8。此時，藉由將熔絲單元2、41之高熱傳導部8與冷卻構件3a、3b間之最小間隙設定在100μm以下，可使熔絲單元2、41之遮斷部9以外之部位與冷卻構件3大致緊貼，將在超過額定之過電流時的發熱透過冷卻構件3傳至外部，而能選擇性的僅使遮斷部9熔斷。另一方面，當熔絲單元2、41之高熱傳導部8與冷卻構件3a、3b間之最小間隙超過100μm時，該部位之熱傳導性將降低，恐有在超過額定之過電流時遮斷部9以外之未預期的部位變成高溫、熔融之虞。

〔熔絲單元之並列配置〕

又，於熔絲元件，作為熔絲單元可將複數個熔絲單元2並聯。如圖12(A)、(B)所示，熔絲元件50，例如於冷卻構件3a並列配置有3片熔絲單元2A、2B、2C。熔絲單元2A~2C形成為矩形板狀、且於兩端彎折形成端子部5a、5b。此外，熔絲單元2A~2C，藉由各端子部5a、5b與外部電路之共通連接電極連接而成並聯。據此，熔絲元件50，具有與使用1片熔絲單元2之上述熔絲元件1同等的額定電流。又，各熔絲單元2A~2C，係相隔熔斷時不會接觸相鄰熔絲單元程度之距離並列配置。

如圖12(A)所示，熔絲單元2A~2C，其遮斷端子部5a、5b間之電流路徑的遮斷部9，藉由與形成在透過冷卻構件3a之槽部10重疊等，於面內沿遮斷部9設置低熱傳導部7，並在遮斷部9以外之部位形成有高熱傳導部8。又，熔絲單元2A~2C，當在超過額定之過電流時發熱，即將高熱傳導部8之熱透過冷卻構件3積極的釋放至外部，以抑制遮斷部9以外部位之發熱，並使熱集中於沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，以使遮斷部9熔斷。

此時，熔絲單元2A~2C，從電阻值低者流過大量電流而依序熔斷。熔絲元件50，因所有的熔絲單元2A~2C熔斷而遮斷外部電路之電流路徑。

此處，熔絲元件50，在對熔絲單元2A~2C通以超過額定之電流而熔斷之際產生電弧放電之情形，亦能防止熔融之熔絲單元飛散至大範圍，因飛散之金屬而形成新的電流路徑，或飛散之金屬附著在端子或周圍之電子零件等。

亦即，熔絲元件50，由於係使熔絲單元2A~2C並列，因此當通以超過額定之電流時，大量電流會流至電阻值低的熔絲單元2，因自我發熱而依序熔斷，僅會在最後剩下之熔絲單元2熔斷時產生電弧放電。因此，根據熔絲元件50，在最後剩下之熔絲單元2之熔斷時產生電弧放電之情形，因熔絲單元2之體積而成為小規模之產生，能防止熔融金屬之爆發性飛散，此外，亦能大幅提升熔斷後之絕緣性。又，熔絲元件50，因係就複數個熔絲單元2A~2C之各個熔斷，因此各熔絲單元之熔斷所需之熱能較少，能在短時間內遮斷。

又，於熔絲元件50，可將複數個熔絲單元2中之1個熔絲單元之遮斷部9之寬度做成較其他熔絲單元之遮斷部9之寬度窄等，據以控制熔斷順序。此外，於熔絲元件50，使3個以上之熔絲單元2並列配置，將並列方向兩側以外之至少1個熔絲單元2之寬度做成較其他熔絲單元之寬度窄較佳。

例如，於熔絲元件50，將熔絲單元2A~2C中、正中間之熔絲單元2B之一部分或全部之寬度做成較其他熔絲單元2A、2C之寬度窄，以在剖面積設置差異，據以使熔絲單元2B相對高電阻化。如此，於熔絲元件50，當流過超過額定之電流時，首先從較低電阻之熔絲單元2A、2C流過大量電流而熔斷。由於此等熔絲單元2A、2C之熔斷並非是伴隨自我發熱而產生之電弧放電者，因此亦無熔融金屬之爆發性飛散。之後，電流集中至剩餘之經高電阻化之熔絲單元2B，最後伴隨電弧放電而熔斷。如此，於熔絲元件50，即能使熔絲單元2A~2C依序熔斷。熔絲單元2A~2C，在剖面積小之熔絲單元2B之熔斷時雖會產生電弧放電，但反映熔絲單元2B之 體積而為小規模者，能防止熔融金屬之爆發性的飛散。

又，熔絲元件50，藉由使設在內側之熔絲單元2B最後熔斷，即使產生電弧放電，亦能以已先熔斷之外側之熔絲單元2A、2C捕捉熔絲單元2B之熔融金屬。因此，能抑制熔絲單元2B之熔融金屬之飛散，防止熔融金屬造成之短路等。

〔高熔點熔絲單元〕

又，熔絲元件50，可具有熔融溫度較熔絲單元2高之高熔點熔絲單元51，將複數個熔絲單元2與高熔點熔絲單元51相隔既定間隔配置。熔絲元件50，例如圖13所示，於冷卻構件3將熔絲單元2A、2C與高熔點熔絲單元51之3片並列配置。

高熔點熔絲單元51，可使用例如Ag或Cu、或以此等為主成分之合金等的高熔點金屬形成。又，高熔點熔絲單元51，亦可如後述般由低熔點金屬與高熔點金屬構成。高熔點熔絲單元51，與熔絲單元2同樣的形成為略矩形板狀，並在兩端部將端子部52a、52b彎折形成，此等端子部52a、52b與熔絲單元2之各端子部5a、5b一起與外部電路之共通的連接電極連接，據以和熔絲單元2並聯。如此，熔絲元件50，即具有與使用一片熔絲單元2之上述熔絲元件1同等以上之額定電流。此外，各熔絲單元2A、2C及高熔點熔絲單元51，係相隔熔斷時不會與相鄰熔絲單元接觸程度之距離並列配置。

如圖13所示，高熔點熔絲單元51與熔絲單元2A、2C同樣的，藉由遮斷端子部52a、52b間之電流路徑的遮斷部9與形成在冷卻構件3之槽部10重疊等，於面內沿遮斷部9設置低熱傳導部7，並在遮斷部9 以外之部位形成有高熱傳導部8。當高熔點熔絲單元51因在超過額定之過電流時發熱，即能將高熱傳導部8之熱積極的釋放至外部，以抑制遮斷部9以外部位之發熱並使熱集中在沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，以使遮斷部9熔斷。

又，圖13所使之熔絲元件50，在超過額定之過電流時，熔點低之熔絲單元2A、2C先熔斷，熔點高之高熔點熔絲單元51則最後熔斷。因此，高熔點熔絲單元51，可反映其體積而在短時間內遮斷，此外，即使在最後剩餘之高熔點熔絲單元51之熔斷時產生電弧放電，亦能反映高熔點熔絲單元51之體積而為小規模者，能防止熔融金屬之爆發性飛散，亦能大幅提升熔斷後之絕緣性。熔絲元件50，藉由所有的熔絲單元2A、2C及高熔點熔絲單元51熔斷，而遮斷外部電路之電流路徑。

此時，高熔點熔絲單元51，以配置在與熔絲單元2一起並列複數個配置之並列方向兩側以外之處較佳。例如高熔點熔絲單元51，如圖13所示，以配置在2個熔絲單元2A、2C之間較佳。

藉由使配置在內側之高熔點熔絲單元51最後熔斷，即使產生電弧放電，亦能以已先熔斷之外側的熔絲單元2A、2C捕捉高熔點熔絲單元51之熔融金屬，抑制高熔點熔絲單元51之熔融金屬之飛散，防止熔融金屬造成之短路等。

〔金屬層〕

又，上述各熔絲元件1、20、30、40、50中，冷卻構件3可在與熔絲單元2、51之接觸表面之一部分或全部設置金屬層14。以下，使用圖14以熔絲元件1為例加以說明。金屬層14，可藉由塗布例如焊料或Ag、Cu或由 使用此等之合金構成之金屬糊等來加以形成。藉由將金屬層14設置在冷卻構件3之與熔絲單元2之接觸表面，於熔絲單元2，可提升高熱傳導部8之熱傳導性，以更加效率使之冷卻。

又，金屬層14，可設在上下一對冷卻構件3之兩方、亦可僅設在其中一方。此外，金屬層14，除了在冷卻構件3之夾持熔絲單元2之表面外，亦加上設於背面側。

又，上述各熔絲元件1，亦可以是在冷卻構件3之構裝於外部電路之電路基板的背面設置與外部電路之連接電極連接的連接電極、且不在熔絲單元2設置端子部5a、5b。此場合，於熔絲元件1，金屬層14與形成在背面之連接電極係透過通孔(through hole)或半圓孔接點(Castellation)等導通。

〔接著劑〕

又，上述各熔絲元件1、20、30、40、50，可將熔絲單元2、51以接著劑15連接於冷卻構件3。以下，使用圖15以熔絲元件1為例加以說明。接著劑15，設在冷卻構件3與熔絲單元2之遮斷部9以外之部位。據此，熔絲元件1，能透過接著劑15提高冷卻構件3與熔絲單元2之高熱傳導部8的緊貼性，以更好效率將熱傳遞至冷卻構件3。

接著劑15，雖可使用公知之任一種接著劑，但具有高熱傳導性者可促進熔絲單元2之冷卻，因此較佳(例如，KJR-9086：信越化學工業株式會社製、SX720：CEMEDINE株式會社製、SX1010：CEMEDINE株式會社製)。又，接著劑15，可使用在黏合劑樹脂混有導電性粒子之導電性接著劑。作為接著劑15使用導電性接著劑，除能提高冷卻構件3與熔絲 單元2之緊貼性、並能透過導電性粒子將高熱傳導部8之熱以良好效率傳遞至冷卻構件3。此外，亦可取代接著劑15以焊料進行連接。

〔熔絲單元〕

接著，說明熔絲單元2。又，以下說明之熔絲單元2之構成，亦能適用於熔絲單元40、51。上述熔絲單元2，係以焊料或Sn為主成分之無鉛焊料等之低熔點金屬、或低熔點金屬與高熔點金屬之積層體。例如，熔絲單元2係由內層與外層構成之積層構造體，具有作為內層的低熔點金屬層2a、與作為積層在低熔點金屬層2a之外層的高熔點金屬層2b(參照圖1(B))。

低熔點金屬層2a，較佳為以Sn為主成分之金屬，係一般稱為「無鉛焊料」之材料。低熔點金屬層2a之熔點不一定必須比回流溫度高，可以是在200℃程度熔融。高熔點金屬層2b係積層在低熔點金屬層2a表面之金屬層，例如由Ag或Cu、或以此等中任一種為主成分之金屬構成，具有在將熔絲元件1、20、30、40、50以回流爐構裝至外部電路基板上時亦不會熔融之高熔點。

熔絲單元2，係藉由在作為內層之低熔點金屬層2a，積層作為外層之高熔點金屬層2b，即使是在回流溫度超過低熔點金屬層2a之熔融溫度之情形時，熔絲單元2亦不致熔斷。因此，熔絲元件1可藉由回流以良好效率進行構裝。

又，熔絲單元2在流過既定額定電流之期間，不會因自我發熱而熔斷。當流過較額定高之值之電流時，可藉由自我發熱而從低熔點金屬層2a之熔點開始熔融，迅速的遮斷端子部5a、5b間之電流路徑。例如，以Sn-Bi系合金或In-Sn系合金等構成低熔點金屬層2a之情形時，熔絲單 元2會在140℃或120℃前後之低溫開始熔融。此時，熔絲單元2，藉由例如作為低熔點金屬使用含有Sn40%以上之合金，熔融之低熔點金屬層2a會熔蝕高熔點金屬層2b，使得高熔點金屬層2b會以較熔融溫度低之溫度熔融。因此，熔絲單元2，可利用低熔點金屬層2a對高熔點金屬層2b之熔蝕作用，在短時間內熔斷。

又，熔絲單元2，由於係在作為內層之低熔點金屬層2a積層高熔點金屬層2b而構成，與習知由高熔點金屬構成之片狀熔絲等相較能大幅降低熔斷溫度。因此，熔絲單元2與高熔點金屬單元相較，可藉由形成為寬幅且將通電方向形成為較短，而能在大幅提升額定電流之同時謀求小型化，且抑制對與電路基板之連接部位之熱的影響。又，與具有相同額定電流之習知片狀熔絲相較，能謀求更為小型化、薄型化，速熔斷性亦佳。

又，熔絲單元2，可提升組裝有熔絲元件1之電氣系統對瞬間施加異常高電壓之突波之耐性(耐脈衝性)。亦即，熔絲單元2，即使是在例如100A之電流流過數msec之情形時亦不能熔斷。就此點而言，因極短時間流過之大電流係流過導體之表層(表皮效果)，而於熔絲單元2，由於作為外層設有電阻值低之鍍Ag等之高熔點金屬層2b，故能使因突波而施加之電流易於流過，能防止自我發熱造成之熔斷。因此，熔絲單元2與習知由焊料合金構成之熔絲相較，能大幅提升對突波之耐性。

熔絲單元2，可藉由在低熔點金屬層2a之表面使用電鍍法等之成膜技術製造高熔點金屬2b。例如，熔絲單元2，可藉由在焊料箔或線狀焊料表面施以鍍Ag以高效率加以製造。

又，高熔點熔絲單元51，可與熔絲單元2同樣的製造。此 時，高熔點熔絲單元51，可藉由例如將高熔點金屬層2b之厚度做成較熔絲單元2厚、或者使用熔點較用於熔絲單元2之高熔點金屬更高之高熔點金屬等，使熔點較熔絲單元2高。

又，於熔絲單元2，以將低熔點金屬層2a之體積形成為較高熔點金屬層2b之體積大較佳。熔絲單元2，可藉由自我發熱使低熔點金屬熔融以熔蝕高熔點金屬，據此而迅速地熔融、熔斷。因此，於熔絲單元2，藉由將低熔點金屬層2a之體積形成為較高熔點金屬層2b之體積大，可促進此熔蝕作用，迅速地將端子部5a、5b間遮斷。

〔變形限制部〕

又，於熔絲單元2，可設置抑制熔融之低熔點金屬之流動，限制變形的變形限制部。此係由於以下原因。亦即，熔絲元件之用途已從電子機器擴大到產業用機械、電動腳踏車、電動摩托車、汽車等之大電流用途，並被要求更進一步的高額定化、低電阻化，因此熔絲單元亦日益大面積化。然而，在對使用經大面積化之熔絲單元的熔絲元件進行回流構裝時，如圖16所示，被覆在高熔點金屬102之低熔點金屬101在內部熔融，因流出至電極上、或因供應至電極上之構裝用焊料之流入，而於熔絲單元100產生變形。此係由於大面積化之熔絲單元100剛性低，伴隨低熔點金屬101之熔融之張力而使得局部產生崩潰或膨脹所造成。此種崩潰及膨脹，會在熔絲單元100之全體呈現如波狀。

此種產生變形之熔絲單元100，在因低熔點金屬101之凝聚而膨脹之處，電阻值會降低，相反的，在低熔點金屬101流出之處，電阻值會上升，而產生電阻值之不均。其結果，將有可能產生無法以既定溫度 或電流熔斷、或熔斷耗時，相反的，未達既定溫度或電流值即熔斷等現象，而有無法維持既定熔斷特性之虞。

針對此等問題，於熔絲單元2，係藉由變形限制部之設置，將熔絲單元2之變形抑制在一定範圍內以抑制熔斷特性之不均，而能維持既定熔斷特性。

變形限制部6，如圖17(A)、(B)所示，係由設在低熔點金屬層2a之1或複數個孔11之側面11a之至少一部分，被與高熔點金屬層2b連續之第2高熔點金屬層16被覆而成。孔11，可例如於低熔點金屬層2a以針等之尖鋭體刺出、或於低熔點金屬層2a使用模具施以沖壓加工等來形成。又，孔11，係以既定圖案、例如以四方格子狀或六方格子狀於低熔點金屬層2a之全面一樣的形成。

構成第2高熔點金屬層16之材料，與構成高熔點金屬層2b之材料同樣的，具有不會因回流溫度而熔融之高熔點。又，第2高熔點金屬層16，以和高熔點金屬層2b相同材料，在高熔點金屬層2b之形成製程中一併形成，在製造效率上較佳。

此種熔絲單元2，如圖17(B)所示，在被一對冷卻構件3a、3b夾持後，將熔絲元件1搭載於各種電子機器之外部電路基板，進行回流構裝。

此時，熔絲單元2，藉由在低熔點金屬層2a作為外層而積層在回流溫度下亦不會熔融之高熔點金屬層2b並設置變形限制部6，即使是在熔絲元件1對外部電路基板之回流構裝等而曝露在高溫環境下之情形時，亦可藉由變形限制部6，抑制熔絲單元2之變形以將熔斷特性之不均抑 制在一定範圍內。因此，熔絲元件1，在熔絲單元2是經大面積化之情形時亦能進行回流構裝，提升構裝效率。又，熔絲單元2，於熔絲元件1可實現額定之提升。

亦即，於熔絲單元2，藉由在低熔點金屬層2a開設孔11、並具備將孔11之側面11a以第2高熔點金屬層16加以被覆之變形限制部6，即使是在因回流爐等之外部熱源而使低熔點金屬層2a短時間曝露在熔點以上之高熱環境中時，能藉由被覆孔11之側面11a的第2高熔點金屬層16抑制熔融之低熔點金屬之流動、並支承構成外層之高熔點金屬層2b。因此，於熔絲單元2，能抑制因張力使得熔融之低熔點金屬凝聚而膨脹，或熔融之低熔點金屬流出而變薄，造成局部的崩潰或膨脹之發生。

如此，熔絲單元2，能防止在回流構裝時之溫度下局部的崩潰或膨脹等變形所伴隨之電阻值變動，維持以既定溫度或電流在既定時間熔斷的熔斷特性。又，熔絲單元2，在熔絲元件1對外部電路基板之回流構裝後，該外部電路基板進一步回流構裝至另一其他電路基板等，反覆曝露在在回流溫度下之情形時亦能維持熔斷特性，提升構裝效率。

又，如後所述，熔絲單元2係從大片單元片材(element sheet)切出而製造，從熔絲單元2之側面露出低熔點金屬層2a，且該側面透過連接用焊料與設在外部電路基板之連接電極接觸。此場合，熔絲單元2亦係藉由變形限制部6抑制熔融之低熔點金屬之流動，因此亦不會有從該側面吸入熔融之連接用焊料而使低熔點金屬之體積增加導致局部的電阻值下降之情形。

又，熔絲單元2，亦可如圖18(A)、(B)所示，嵌合在冷 卻構件3a之側面、並將兩端彎折至冷卻構件3a之背面側，以將端子部5a、5b形成在冷卻構件3a之背面側。

又，熔絲單元2，亦可如圖19(A)、(B)所示，嵌合在冷卻構件3a之側面、並將兩端彎折至冷卻構件3a之外側，以將端子部5a、5b形成在冷卻構件3a之外側。此時，熔絲單元2，如圖19(B)所示，可將端子部5a、5b彎折成與冷卻構件3a之背面成同面高、或者亦可彎折成從冷卻構件3a之背面突出。

如圖18、圖19所示，於熔絲單元2，藉由將端子部5a、5b從冷卻構件3a之側面進一步形成在彎折至背面側或外側之位置，能抑制構成內層之低熔點金屬之流出、或連接端子部5a、5b之連接用焊料之流入，防止局部的崩潰或膨脹導致熔斷特性之變動。

此處，孔11，如圖17(B)所示，可以是形成為於厚度方向貫通低熔點金屬層2a之貫通孔，或圖20(A)所示，形成為非貫通孔。將孔11形成為貫通孔時，被覆孔11之側面11a之第2高熔點金屬層16係與積層在低熔點金屬層2a之表背面的高熔點金屬層2b連續。

又，將孔11形成為非貫通孔時，如圖20(A)所示，孔11以被第2高熔點金屬層16被覆至底面11b較佳。熔絲單元2，在將孔11形成為非貫通孔，因回流加熱而低熔點金屬流動時，可藉由被覆孔11之側面11a之第2高熔點金屬層16抑制流動、且構成外層之高熔點金屬層2b受到支承，因此如圖20(B)所示，熔絲單元2之厚度變動輕微，不至使得熔斷特性產生變動。

又，孔11，亦可如圖21(A)、(B)所示，被第2高熔點金 屬層16充填。藉由孔11被第2高熔點金屬層16充填，於熔絲單元2，支承構成外層之高熔點金屬層2b的變形限制部6之強度獲得提升而能更為抑制熔絲單元2之變形，且因低電阻化而能提升額定。

如後所述，第2高熔點金屬層16，例如可在開有孔11之低熔點金屬層2a以電鍍等方式形成高熔點金屬層2b時同時形成，並可藉由孔徑及鍍敷條件之調整，將孔11內以第2高熔點金屬層16加以填埋。

又，孔11，亦可如圖20(A)所示，形成為剖面錐形。孔11，例如可藉由在低熔點金屬層2a以針等之尖鋭體刺出開口，反映該尖鋭體之形狀而形成為剖面錐形。又，孔11，亦可如圖22(A)、(B)所示，形成為剖面矩形。熔絲單元2，例如可在低熔點金屬層2a使用反映剖面矩形之孔11之模具進行沖壓加工等，以開設剖面矩形之孔11。

又，變形限制部6，只要是孔11之側面11a之至少一部分被與高熔點金屬層2b連續之第2高熔點金屬層16被覆即可，可如圖23所示，被第2高熔點金屬層16被覆至側面11a之上側。此外，變形限制部6，亦可在形成低熔點金屬層2a與高熔點金屬層2b之積層體後，從高熔點金屬層2b之上刺入尖鋭體，據以開設孔11或加以貫通、並將高熔點金屬層2b之一部分壓入孔11之側面11a來作為第2高熔點金屬層16。

如圖23所示，藉由在孔11之側面11a之開口端側之一部分積層與高熔點金屬層2b連續之第2高熔點金屬層16，亦能藉積層在孔11之側面11a之第2高熔點金屬層16抑制熔融之低熔點金屬之流動，並支承開口端側之高熔點金屬層2b，抑制熔絲單元2之局部的崩潰或膨脹之發生。

又，如圖24(A)所示，變形限制部6，可以是將孔11形成 為非貫通孔、並在低熔點金屬層2a之一面及另一面彼此對向形成。此外，如圖24(B)所示，變形限制部，亦可以是將孔11形成為非貫通孔、並在低熔點金屬層2a之一面及另一面彼此不對向的形成。將非貫通之孔11在低熔點金屬層2a之兩面彼此對向或非對向的形成，皆能藉由被覆在各孔11之側面11a的第2高熔點金屬層16限制熔融之低熔點金屬之流動，並支承構成外層之高熔點金屬層2b。因此，熔絲單元2，能抑制因張力使得熔融之低熔點金屬凝聚而膨脹、或熔融之低熔點金屬流出而變薄，發生局部崩潰或膨脹的情形。

又，變形限制部6，為了在孔11之側面11a以電鍍被覆第2高熔點金屬層16而具備有鍍敷液可流入之孔徑，在製造效率上較佳，例如孔之最小直徑在50μm以上、更加為70~80μm。此外，孔11之最大直徑可考量第2高熔點金屬層16之鍍敷限制或與熔絲單元2之厚度等的關係而適當的設定，但孔徑過大則有初期電阻值變高的傾向。

又，變形限制部6，將孔11之深度設定在低熔點金屬層2a之厚度之50%以上較佳。當孔11之深度較此淺時，將無法抑制熔融之低熔點金屬之流動，隨著熔絲單元2之變形有可能招致熔斷特性之變動。

又，變形限制部6，將形成在低熔點金屬層2a之孔11以既定密度、例如以每15×15mm見方1個以上之密度形成較佳。

又，變形限制部6，將孔11形成在至少於過電流時熔絲單元2熔斷之遮斷部9較佳。熔絲單元2之遮斷部9，因係與槽部10重疊、未被冷卻構件3a、3b支承之相對剛性較低之部位，因此於該部位易產生因低熔點金屬之流動所形成之變形。因此，藉由在熔絲單元2之遮斷部9開 設孔11、並將側面11a以第2高熔點金屬層16加以被覆，能抑制在熔斷部位之低熔點金屬之流動防止變形。

又，變形限制部6，將孔11設在熔絲單元2之設有端子部5a、5b之兩端側較佳。於熔絲單元2，端子部5a、5b使構成內層之低熔點金屬層2a露出、並透過連接用焊料等與外部電路之連接電極連接。又，於熔絲單元2，由於兩端部未被冷卻構件3a、3b夾持，因此剛性低易變形。因此，熔絲單元2，藉由在該兩端側設置側面11a被第2高熔點金屬層16被覆之孔11，能提高剛性、有效的防止變形。

熔絲單元2，可藉由在低熔點金屬層2a開設構成變形限制部6之孔11後，於低熔點金屬層2a使用鍍敷技術成膜出高熔點金屬來加以製造。熔絲單元2，例如可藉由在長條狀之焊料箔開設既定孔11後，於表面施以Ag鍍敷據以製造單元片材，於使用時，視所需尺寸加以切斷，即能有效率的製造，且容易使用。

除此之外，熔絲單元2，亦可藉由蒸鍍等之薄膜形成技術、或其他周知的積層技術，在積層低熔點金屬層2a與高熔點金屬層2b之熔絲單元2中，形成變形限制部6。

又，變形限制部6，亦可是在形成低熔點金屬層2a與高熔點金屬層2b之積層體後，從高熔點金屬層2b之上以尖鋭體加以穿刺，以開設或貫通出孔11，並將具有黏性或黏彈性之高熔點金屬層2b之一部分壓入孔11之側面11a，以作為第2高熔點金屬層16。

又，熔絲單元2，亦可在構成外層之高熔點金屬層2b表面形成未圖示之氧化防止膜。於熔絲單元2，因外層之高熔點金屬層2b進一 步被氧化防止膜被覆，即使是在例如作為高熔點金屬層2b行程有Cu鍍敷層之情形時，亦能防止Cu之氧化。因此，於熔絲單元2，能防止Cu之氧化導致熔斷時間變長的不良狀態，而能在短時間內熔斷。

又，於熔絲單元2，作為高熔點金屬層2b可使用Cu等支架連但易氧化之金屬，在不使用Ag等昂貴材料之情形下形成。

高熔點金屬之氧化防止膜可使用與低熔點金屬層2a相同材料，例如可使用以Sn為主成分之無鉛焊料。又，氧化防止膜可藉由在高熔點金屬層2b之表面施以鍍錫來形成。除此之外，氧化防止膜亦可藉由Au鍍敷或有機保焊膜(preflux)來形成。

又，熔絲單元2，亦可從大片之單元片材切出所欲之尺寸。亦即，形成由在全面同樣的形成有變形限制部6之低熔點金屬層2a與高熔點金屬層2b之積層體構成之大片的單元片材，並切出任意尺寸之複數片熔絲單元2來加以形成。從單元片材切出之熔絲單元2，因變形限制部6在全面均勻的形成，即使從剖斷面露出低熔點金屬層2a，熔融之低熔點金屬之流動亦會受到變形限制部6之抑制，因此能抑制從剖斷面之連接用焊料之流入或低熔點金屬之流出，防止伴隨厚度變動之電阻值不均及熔斷特性之變動。

又，在上述長條狀焊料箔開設既定孔11後，於表面施以電鍍以製造單元薄膜，將此切斷為既定長度之製法，因熔絲單元2之尺寸受到單元薄膜寬度之限定，過去必須就每種尺寸製造單元薄膜。

然而，藉由大片單元片材之形成，即能將熔絲單元2以所欲之尺寸切出，提高尺寸之自由度。

又，當對長條狀焊料箔施以電鍍時，在電場集中之長邊方向的側緣部鍍出之高熔點金屬層2b較厚，欲獲得均勻厚度之熔絲單元2是困難的。因此，在熔絲元件上，因熔絲單元2之該較厚部位而在與冷卻構件3之間產生間隙，為防止在高熱傳導部8之熱傳導率之降低，必須設置用以填埋該間隙之接著劑15等。

然而，藉由大片單元片材之形成，即能避開該較厚部位切出熔絲單元2，獲得全面均勻厚度之熔絲單元2。因此，從單元片材切出之熔絲單元2，僅單純配置在冷卻構件3即能提升與冷卻構件3之緊貼性。

又，熔絲單元2，亦可如圖25所示，將熔點較低熔點金屬層2a高之第1高熔點粒子17混合於低熔點金屬層2a中據以形成變形限制部6。第1高熔點粒子17，係使用具有在回流溫度下亦不會熔融之高熔點的物質，例如可使用Cu、Ag、Ni等之金屬或由包含此等之合金構成之粒子、玻璃粒子、陶瓷粒子等。又，第1高熔點粒子17可以是球狀、鱗片狀等，其形狀不拘。此外，在第1高熔點粒子17係使用金屬或合金等之情形時，與玻璃及陶瓷相較因比重較大，因此整合性佳、分散性優異。

變形限制部6，係在低熔點金屬材料中混入第1高熔點粒子17後，藉成形為薄膜狀等來形成第1高熔點粒子17以單層分散配置之低熔點金屬層2a，之後，積層高熔點金屬層2b而形成。又，變形限制部6，亦可在高熔點金屬層2b之積層後將熔絲單元2於厚度方向加以沖壓，以使第1高熔點粒子17緊貼於高熔點金屬層2b。如此，於變形限制部6，高熔點金屬層2b即被第1高熔點粒子17支承，即使是在因回流加熱而使低熔點金屬熔融之情形時，亦能藉由第1高熔點粒子17抑制低熔點金屬之流動並支 承高熔點金屬層2b，抑制熔絲單元2之局部崩潰或膨脹之發生。

又，變形限制部6，亦可如圖26(A)所示，將粒子直徑較低熔點金屬層2a之厚度小的第1高熔點粒子17混入低熔點金屬層2a。此場合，如圖26(B)所示，於變形限制部6，能藉由第1高熔點粒子17抑制熔融之低熔點金屬之流動並支承高熔點金屬層2b，抑制熔絲單元2之局部崩潰或膨脹之發生。

又，熔絲單元2，亦可如圖27所示，藉由將熔點較低熔點金屬層2a高之第2高熔點粒子18壓入低熔點金屬層2a以形成變形限制部6。第2高熔點粒子18，可利用與上述第1高熔點粒子17相同之物質。

變形限制部6，藉由將第2高熔點粒子18壓入低熔點金屬層2a來埋入，之後，藉積層高熔點金屬層2b形成。此時，第2高熔點粒子18最好是將低熔點金屬層2a於厚度方向加以貫通。如此，於變形限制部6，高熔點金屬層2b即被第2高熔點粒子18支承，即使是在因回流加熱使低熔點金屬熔融之情形時，亦能藉由第2高熔點粒子18抑制低熔點金屬之流動並支承高熔點金屬層2b，抑制熔絲單元2之局部崩潰或膨脹之發生。

又，熔絲單元2，亦可如圖28所示，藉由將熔點較低熔點金屬層2a高之第2高熔點粒子18壓入高熔點金屬層2b與低熔點金屬層2a據以形成變形限制部6。

變形限制部6，係藉由在低熔點金屬層2a與高熔點金屬層2b之積層體壓入第2高熔點粒子18並埋入低熔點金屬層2a內據以形成。此時，第2高熔點粒子18，最好是將低熔點金屬層2a及高熔點金屬層2b於厚度方向加以貫通較佳。據此，於變形限制部6，高熔點金屬層2b被第 2高熔點粒子18支承，即使是在因回流加熱使低熔點金屬熔融之情形時，亦能藉由第2高熔點粒子18抑制低熔點金屬之流動並支承高熔點金屬層2b，抑制熔絲單元2之局部崩潰或膨脹之發生。

又，變形限制部6，亦可以是於低熔點金屬層2a形成孔11並積層第2高熔點金屬層16，進一步於該孔11內插入第2高熔點粒子18。

又，變形限制部6，亦可如圖29所示，於第2高熔點粒子18設置接合於高熔點金屬層2b之突緣部19。突緣部19，例如可藉由在將第1高熔點粒子17壓入高熔點金屬層2b與低熔點金屬層2a後，將熔絲單元2於厚度方向加以沖壓，以將第2高熔點粒子18之兩端壓潰來形成。據此，於變形限制部6，高熔點金屬層2b藉由與第2高熔點粒子18之突緣部19接合而被強固的支承，即使在因回流加熱而使低熔點金屬熔融之情形時，亦能藉由第2高熔點粒子18抑制低熔點金屬之流動、並以突緣部19支承高熔點金屬層2b，進一步抑制熔絲單元2之局部崩潰或膨脹之發生。

此種熔絲元件1，具有圖30(A)所示之電路構成。熔絲元件1，透過端子部5a、5b構裝於外部電路，據以組裝在該外部電路之電流路徑上。熔絲元件1，在熔絲單元2流過既定之額定電流之期間，不會因自我發熱而熔斷。但熔絲元件1，在流過超過額定之過電流時熔絲單元2即因自我發熱而將遮斷部9熔斷，以將端子部5a、5b間遮斷，具以遮斷該外部電路之電流路徑(圖30(B))。

此時，熔絲單元2，如上所述，因在高熱傳導部8之發熱而產生之熱透過冷卻構件3積極的被冷卻，可使沿遮斷部9形成之低熱傳導部7選擇性的過熱。因此，熔絲單元2，能在抑制熱對端子部5a、5b之影 響之同時、熔斷遮斷部9。

又，藉由含有熔點較高熔點金屬層2b低之低熔點金屬層2a，因過電流而產生之自我發熱，而從低熔點金屬層2a之熔點開始熔融，開始浸蝕高熔點金屬層2b。因此，熔絲單元2，可利用低熔點金屬層2a對高熔點金屬層2b之浸蝕作用，使高熔點金屬層2b以較本身熔點低之溫度熔融，迅速地熔斷。

〔發熱體〕

又，熔絲元件，亦可於冷卻構件形成發熱體，同時藉由此發熱體之發熱來熔斷熔絲單元。例如，如圖31(A)所示之熔絲元件60，在一方之冷卻構件3a之槽部10之兩側形成有發熱體61、與覆蓋發熱體61之絕緣層62。

發熱體61係一通電即發熱之具有導電性的構件，例如係以鎳鉻合金、W、Mo、Ru等或包含此等之材料構成。發熱體61，可藉由將此等合金或組成物、化合物之粉狀體與樹脂黏合劑等加以混合並做成糊狀之物，在冷卻構件3a上使用網版印刷技術形成圖案形成後，以燒成等加以形成。

又，發熱體61係藉由形成在槽部10之兩側，而設在熔絲單元2之形成有遮斷部9之低熱傳導部7之近旁。因此，於熔絲元件60，發熱體61發出之熱亦傳遞至低熱傳導部7而能使遮斷部9熔斷。此外，發熱體61亦可僅形成在槽部10之單側、或形成另一方之冷卻構件之槽部10之兩側或單側。

又，發熱體61係被絕緣層62被覆。據此，發熱體61透過絕緣層62與熔絲單元2重疊。絕緣層62，係為謀求發熱體61之保護及絕 緣、並將發熱體61之熱以良好效率傳至熔絲單元2而設置，例如由玻璃層構成。

又，發熱體61，亦可形成在積層於冷卻構件3a之絕緣層62之內部。此外，發熱體61亦可形成在形成有槽部10之冷卻構件3a之表面與相反側之背面，或形成在冷卻構件3a之內部。

如圖31(B)所示，發熱體61，透過發熱體電極63與外部之電源電路連接，在發生需要遮斷外部電路之電流路徑之情形時，被從外部之電源電路通電。據此，熔絲元件60，可藉由發熱體61之發熱，使組裝在外部電路之電流路徑上的熔絲單元2之遮斷部9熔斷，以遮斷外部電路之電流路徑。外部電路之電流路徑遮斷後，來自電源電路之通電即被切斷，發熱體61之發熱停止。

此時，於熔絲單元2，藉由發熱體61之發熱，透過高熱傳導部8散發發熱體61之熱、並選擇性的於低熱傳導部7從熔點較高熔點金屬層2b低之低熔點金屬層2a之熔點開始熔融，開始浸蝕高熔點金屬層2b。因此，於熔絲單元2，可藉由利用低熔點金屬層2a對高熔點金屬層2b之浸蝕作用，高熔點金屬層2b以較本身之熔融溫度低之溫度使遮斷部9熔融，迅速地遮斷外部電路之電流路徑。

又，熔絲元件70，如圖32(A)所示，亦可在透過絕緣層62之槽部10之一方、例如僅在左側表面形成發熱體61、絕緣層62及發熱體引出電極64，將熔絲單元2透過連接用焊料(未圖示)與發熱體引出電極64連接。發熱體61，一端與發熱體引出電極64連接、另一端與連接至外部之電源電路的發熱體電極63連接。據此，發熱體61即透過發熱體引出 電極64與熔絲單元2熱性、電性連接。又，於熔絲元件70，可在與設置發熱體61等之槽部10之一側的相反側(圖32(A)之右側)，設置熱傳導性優異之絕緣層62以使高度一致。

此熔絲元件70，形成到發熱體電極63、發熱體61、發熱體引出電極64及熔絲單元2之對發熱體61的通電路徑。又，熔絲元件70，透過發熱體電極63與對發熱體61通電之電源電路連接，藉由該電源電路控制對發熱體電極63與熔絲單元2之通電。

圖32所示之熔絲元件70，具有如圖32(B)所示般之電路構成。亦即，熔絲元件70，係由透過端子部5a、5b與外部電路串聯之熔絲單元2、與透過熔絲單元2及發熱體引出電極64通電發熱以使熔絲單元2熔融之發熱體61構成之電路構成。於熔絲元件70，熔絲單元2之端子部5a、5b及發熱體電極63連接於外部電路基板。

由此種電路構成構成之熔絲元件70，在產生需遮斷外部電路之電流路徑之情形時，藉由設在外部電路之電流控制元件對發熱體61進行通電。據此，熔絲元件70，即因發熱體61之發熱，使組裝在外部電路之電流路徑上之熔絲單元2之遮斷部9熔斷。據此，於熔絲單元1，能確實的使端子部5a、5b間熔斷，以遮斷外部電路之電流路徑。

又，熔絲元件，可於熔絲單元2之複數處設置遮斷部9。圖33所示之熔絲元件80，於熔絲單元2設有二處遮斷部9、並在冷卻構件3a之對應遮斷部9之位置設有二處槽部10。此外，圖33所示之冷卻構件3a，在二個槽部10之間之表面上，發熱體61、被覆發熱體之絕緣層62、及與發熱體61之一端連接並與熔絲單元2連接之發熱體引出電極64被以此順序設 置。

又，冷卻構件3a，在與槽部10之設有發熱體61等之側相反之側設有絕緣層62，其與發熱體引出電極64大致相同高度。熔絲單元2，適當的透過連接用焊料搭載在此等發熱體引出電極64及絕緣層62上，並被一對冷卻構件3a、3b夾持。據此，熔絲單元2，在與槽部10重疊之遮斷部9為低熱傳導部7、與絕緣層62重疊之部位為高熱傳導部8。

發熱體61，一端與發熱體引出電極64連接、另一端與連接在外部之電源電路之發熱體電極63連接。據此，發熱體61透過發熱體引出電極64與熔絲單元2熱性、電性連接。

圖33所示之熔絲元件80，具有圖33(B)所示之電路構成。亦即，熔絲元件80，係由透過端子部5a、5b與外部電路串聯之熔絲單元2、與通過從發熱體電極63到熔絲單元2之通電路徑被通電而發熱據以使熔絲單元2熔融之發熱體61構成的電路構成。熔絲元件80，係熔絲單元2之端子部5a、5b及發熱體電極63連接於外部電路基板。

由此種電路構成構成之熔絲元件80，在產生需要遮斷外部電路之電流路徑的情形時，藉由設在外部電路之電流控制元件對發熱體61通電使其發熱。發熱體61之發熱通過絕緣層62及發熱體引出電極64傳至熔絲單元2，因設在左右之低熱傳導部7積極的被加熱，因此遮斷部9熔斷。又，熔絲單元2係於高熱傳導部8將來自發熱體61之熱積極的加以冷卻，因此亦能抑制端子部5a、5b被加熱產生之影響。如此，熔絲單元2，能確實的使端子部5a、5b間熔斷，以遮斷外部電路之電流路徑。此外，因熔絲單元2熔斷使得發熱體61之通電路徑亦被遮斷，故發熱體61之發熱亦停止。

〔凹部形成單元〕

接著，說明適用本發明之熔絲元件之另一變形例。又，以下說明之熔絲元件90~160中，針對與上述熔絲元件1、20、30、40、50、60、70、80相同之構件係賦予相同符號並省略詳細說明。

圖34~圖36所示之熔絲元件90，係連接在外部電路之電流路徑上，具有因通以超過額定之電流自我發熱(焦耳熱)而熔斷以遮斷該電流路徑的熔絲單元91、與和熔絲單元91接觸或接近的冷卻構件92。

熔絲單元91，形成有遮斷部9並形成有與冷卻構件92分離之凹部93。凹部93，係在將熔絲單元91搭載於冷卻構件92時，使遮斷部9從冷卻構件92分離而形成熱傳導性相對較低之低熱傳導部7者，沿遮斷部9、在與熔絲單元91之通電方向正交之寬度方向形成。

又，凹部93，如圖34所示，係藉由將對應熔絲單元91之遮斷部9之位置，形成為從冷卻構件92分離之橋狀。橋狀之凹部93，可形成圍其頂面是平坦的，或如圖37所示，形成為頂面彎曲成圓弧狀。此外，於熔絲單元91，與形成橋狀凹部93之面相反側之面，形成有較凹部93之兩側突出之凸部94。此外，凹部93，可藉由將平板狀之熔絲單元以沖壓成型等方式來形成。

又，熔絲單元91與上述熔絲單元2具有相同構造。亦即，熔絲單元91係焊料或以Sn為主成分之無鉛焊料等之低熔點金屬、或低熔點金屬與高熔點金屬之積層體，例如具有以Sn為主成分之金屬構成之低熔點金屬層91a作為內層、作為積層於低熔點金屬層91a之外層由Ag或Cu或以其中之一為主成分之金屬構成的高熔點金屬層91b。

又，於熔絲單元91，將低熔點金屬層91a之體積形成為大於高熔點金屬層91b之體積較佳。熔絲單元91，可因自我發熱使低熔點金屬熔融而熔蝕高熔點金屬，據此迅速地熔融、熔斷。因此，於熔絲單元91，藉由將低熔點金屬層91a之體積形成為較高熔點金屬層91b之體積大，可促進此熔蝕作用，迅速地將遮斷部9遮斷。

於熔絲元件90，藉由上下一對冷卻構件92a、92b夾持熔絲單元91，而在熔絲單元91內以凹部93形成從冷卻構件92a分離之熱傳導性相對較低的低熱傳導部7、以及與冷卻構件92a、92b接觸或接近熱傳導性相對較高的高熱傳導部8。低熱傳導部7係在與熔絲單元91之通電方向正交之寬度方向沿熔絲單元91熔斷之遮斷部9設置，高熱傳導部8則在遮斷部9以外之部位其至少一部分與冷卻構件92a、92b接觸或接近而熱性接觸。

冷卻構件92，適合使用陶瓷等熱傳導性高之絕緣材料，可藉由粉體成型等形成為任意形狀。又，冷卻構件92亦可由熱硬化性或光硬化性之樹脂材料形成。或者，冷卻構件92亦可由熱可塑性樹脂材料形成。再者，冷卻構件92亦可由矽系樹脂材料或環氧系樹脂材料形成。此外，冷卻構件92，亦可以是在絕緣基板上形成之由上述各種樹脂材料構成的樹脂層。

又，冷卻構件92之熱傳導率以1W/(m‧k)以上較佳。此外，冷卻構件92雖可使用金屬材料形成，但從與周圍零件之短路防止、以及操作性觀點來看，對表面施以絕緣被覆較佳。上下一對冷卻構件92a、92b，例如係以接著劑加以彼此結合而形成為元件箱體。

夾持熔絲單元91之一對冷卻構件92a、92b中，與支承熔絲單元91之形成有凹部93之面相反側之面的冷卻構件92b，在與熔絲單元91對向之面之對應往橋狀凹部93之相反側突出之凸部94的位置，形成有槽部10，與凸部94分離。又，冷卻構件92b係以上述接著劑15來與熔絲單元91之遮斷部9以外之部位連接。

又，支承熔絲單元91之形成有凹部93之面的冷卻構件92a，與熔絲單元91對向之面係平坦的形成。此外，冷卻構件92a，在與高熱傳導部8對應之位置形成有金屬層95，透過焊料96等之導電性連接材料將金屬層95與熔絲單元91電性、機械性的連接。又，作為連接冷卻構件92a與熔絲單元91之連接材料，可使用具有導電性之接著劑15。於熔絲元件90，因係透過接著劑15及焊料96將冷卻構件92a、92b與熔絲單元91之高熱傳導部8加以連接，因此彼此之緊貼性高，能以更良好之效率將熱傳至冷卻構件92a、92b。

金屬層95，以對應凹部93之形成位置的位置為界，分斷在熔絲單元91之通電方向兩側。又，冷卻構件92a之與搭載熔絲單元91之面相反側之面係對構裝熔絲元件90之外部電路基板的構裝面，形成有一對外部連接電極97a、97b。此等外部連接電極97a、97b，與形成在該外部電路基板之連接電極透過焊料等之連接材料連接。此外，外部連接電極97a、97b係斜過形成有導電層之通孔98a及形成在冷卻構件92a側面之半圓孔接點98b與金屬層95連接。

據此，於熔絲元件90，一對外部連接電極97a、97b之間透過熔絲單元91連接，熔絲單元91構成外部電路之通電路徑的一部分。又， 熔絲元件90，可藉由熔絲單元91在遮斷部9熔斷，來遮斷外部電路之通電路徑。

此時，熔絲元件90，於熔絲單元91之面內，藉由沿遮斷部9設置低熱傳導部7、並在遮斷部9以外之部位形成高熱傳導部8，如圖38所示，在超過額定之過電流時熔絲單元91發熱之際，能將高熱傳導部8之熱積極的釋放至外部，抑制遮斷部9以外部位之發熱，並使熱集中於沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，一邊抑制熱對外部連接電極97a、97b之影響一邊使遮斷部9熔斷。據此，於熔絲元件90，能使熔絲單元91之外部連接電極97a、97b之間熔斷，以遮斷外部電路之電流路徑。

因此，熔絲元件90，可藉由將熔絲單元91形成為略矩形板狀、並縮短於通電方向之長度以謀求低電阻化、提升電流額定，並藉由抑制與外部電路之連接電極透過連接用焊料等連接之外部連接電極97a、97b之過熱以消除使表面構裝用連接用焊料熔解等問題，實現小型化。

此處，於熔絲單元91，高熱傳導部8之面積較低熱傳導部7之面積大者較佳。據此，熔絲單元91，即能選擇性的加熱、熔斷遮斷部9、並積極釋放遮斷部9以外部位之熱以抑制外部連接電極97a、97b之過熱造成之影響，謀求小型化、高額定化。

此處，形成在熔絲單元91之凹部93於熔絲單元91之通電方向之長度L₂，如圖35所示，在使用略矩形板狀之熔絲單元91時，以在熔絲單元91之遮斷部9之最小寬度以下較佳，尤以在熔絲單元91之遮斷部9之最小寬度之1/2以下更佳。

在遮斷部9之最小寬度，係指在略矩形板狀之熔絲單元表 面，在熔絲單元91之遮斷部9之與導通方向正交之寬度方向的最小寬度，當遮斷部9為圓弧狀、錐形狀、段差狀等之形狀，形成為寬度較遮斷部9以外部位窄之情形時則係指其最小寬度，如圖35所示，在遮斷部9與遮斷部9以外部位以同寬度形成之情形時，則指熔絲單元91之寬度W₁。

熔絲元件90，藉由將凹部93之長度L₂做成窄至遮斷部9之最小寬度以下、或遮斷部9之最小寬度之1/2以下，能抑制熔斷時電弧放電之產生，提升絕緣電阻。

又，上述熔絲元件90，將凹部93於熔絲單元91之通電方向之長度L₂設定在0.5mm以上較佳。於熔絲元件90，藉由設置長度0.5mm以上之低熱傳導部7，能形成在過電流時與高熱傳導部8之溫度差，選擇性的使遮斷部9熔斷。

又，上述熔絲元件90，將凹部93於熔絲單元91之通電方向之長度L₂設定在5mm以下較佳。於熔絲元件90，當凹部93之長度L₂超過5mm時，因遮斷部9之面積増加，因此熔斷所需時間延長而速熔斷性不佳，此外，因電弧放電導致熔絲單元91之飛散量，而有因附著在周圍之熔融金屬使絕緣電阻降低之虞。

又，上述熔絲元件90，相接近之熔絲單元91之高熱傳導部8與冷卻構件92a、92b之最小間隙以100μm以下較佳。如上所述，熔絲單元91因被冷卻構件92a、92b夾持，因此與冷卻構件92a、92b接觸或接近之部位成為高熱傳導部8。此時，因熔絲單元91之高熱傳導部8與冷卻構件92a、92b間之最小間隙係設定在100μm以下，因此能使熔絲單元91之遮斷部9以外部位與冷卻構件92a、92b幾乎緊貼，將超過額定之過電流時 的發熱透過冷卻構件92a、92b傳至外部，選擇性的僅使遮斷部9熔斷。另一方面，當熔絲單元91之高熱傳導部8與冷卻構件92a、92b間之最小間隙超過100μm時，該部位之熱傳導性即降低，在超過額定之過電流時，有可能產生遮斷部9以外之未預期之部位過熱、熔融的情形。

〔端子部〕

又，如圖39~圖41所示，熔絲元件90，可與熔絲單元2同樣的，將熔絲單元91之通電方向兩端部作為與外部電路之連接電極連接的端子部5a、5b。端子部5a、5b，藉由嵌合於冷卻構件92a之側緣，朝向冷卻構件92a之背面側。圖39所示之熔絲單元91，被上下一對冷卻構件92a、92b夾持，並於冷卻構件92a、92b之外導出一對端子部5a、5b，能透過端子部5a、5b與外部電路之連接電極連接。

藉由在熔絲單元91形成作為與外部電路基板之連接端子的端子部5a、5b，與透過通孔98a或半圓孔接點98b及外部連接電極97與外部電路基板連接之情形相較，能降低熔絲元件整體之電阻、提升額定。

此外，可省去於冷卻構件92a設置外部連接電極97a、97b、通孔98a及半圓孔接點98b之步驟，可簡化生產步驟。又，冷卻構件92a，雖無需要設置外部連接電極97a、97b、通孔98a及半圓孔接點98b，但為進行冷卻或提升連接強度，亦可設置。

〔變形限制部〕

又，如圖42~圖44所示，於熔絲單元91，可設置抑制熔融之低熔點金屬流動、限制變形之變形限制部6。如上所述，藉由變形限制部6之設置，能將熔絲單元91之變形抑制在可抑制熔斷特性之不均的一定範圍內，以維 持既定熔斷特性。因此，熔絲元件90，在熔絲單元91是大面積化之情形時亦能進行回流構裝，提升構裝效率，此外，亦能實現額定之提升。

又，於熔絲單元91，與熔絲單元2同樣的，可適用變形限制部6之各種構成(參照圖17~圖29)。

又，熔絲單元91，可如圖45(A)、(B)所示，嵌合於冷卻構件92a之側面、並將兩端彎折至冷卻構件92a之背面側，將端子部5a、5b形成在冷卻構件92a之背面側。

又，熔絲單元91，亦可與熔絲單元2同樣的，嵌合於冷卻構件92a之側面、並將兩端彎折至冷卻構件92a之外側，將端子部5a、5b形成在冷卻構件92a之外側(參照圖19)。此時，熔絲單元91，可將端子部5a、5b彎折成與冷卻構件92a之背面同面高，或者，亦可彎折成從冷卻構件92a之背面突出。

熔絲單元91，藉由將端子部5a、5b形成在從冷卻構件92a之側面進一步彎折至背面側或外側之位置來形成，可抑制構成內層之低熔點金屬之流出、或連接端子部5a、5b之連接用焊料之流入，防止局部崩潰或膨脹導致熔斷特性之變動。

此種熔絲元件90，與熔絲元件1同樣的，具有圖30(A)所示之電路構成。熔絲元件90，藉由透過外部連接電極97a、97b或端子部5a、5b構裝於外部電路，來組裝至該外部電路之電流路徑上。熔絲元件90，在熔絲單元91係流過既定額定電流之期間，即使自我發熱亦不會熔斷。熔絲元件90，在通以超過額定之過電流時，熔絲單元91即因自我發熱而使遮斷部9熔斷，將外部連接電極97a、97b或端子部5a、5b間遮斷，據以遮斷該 外部電路之電流路徑(圖30(B))。

此時，熔絲單元91，如上所述，在高熱傳導部8之發熱產生之熱透過冷卻構件92a、92b被積極冷卻，可選擇性得使沿遮斷部9形成之低熱傳導部7過熱。因此，熔絲單元91，可一邊抑制熱對外部連接電極97a、97b或端子部5a、5b之影響、一邊使遮斷部9熔斷。

又，因含有熔點較高熔點金屬層91b低之低熔點金屬層91a，藉由過電流而產生之自我發熱，從低熔點金屬層91a之熔點開始熔融，並開始浸蝕高熔點金屬層91b。因此，熔絲單元91，可利用低熔點金屬層91a對高熔點金屬層91b之浸蝕作用，使高熔點金屬層91b以較本身之熔點低之溫度熔融，迅速地熔斷。

〔熔絲單元之並列配置〕

又，熔絲元件，作為熔絲單元，可並聯複數個熔絲單元91。如圖46(A)、(B)所示，熔絲元件110，例如於冷卻構件92a並列配置3片熔絲單元91A、91B、91C。熔絲單元91A~91C，形成為矩形板狀、並於兩端彎折形成端子部5a、5b。熔絲單元91A~91C，藉由將各端子部5a、5b與外部電路之共通之連接電極連接而並聯。據此，熔絲元件110，具有與使用1片熔絲單元91之上述熔絲元件90同等的額定電流。又，各熔絲單元91A~91C，係相隔熔斷時與相鄰熔絲單元不接觸程度之距離並列配置。

於熔絲單元91A~91C，在遮斷端子部5a、5b間之電流路徑的遮斷部9形成有凹部93，其與冷卻構件92a分離、並且往橋狀凹部93之相反側突出之凸部94與形成在冷卻構件92b之槽部10分離。據此，熔絲單元91A~91C，於面內，沿遮斷部9設有低熱傳導部7、且在遮斷部9以外 之部位形成有高熱傳導部8。熔絲單元91A~91C，當在超過額定之過電流時發熱，即能將高熱傳導部8之熱透過冷卻構件92a、92b積極的釋放至外部、以抑制遮斷部9以外部位之發熱，並使熱集中於沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，以使遮斷部9熔斷。

此時，熔絲單元91A~91C，係從電阻值之低者流過大量電流，依序熔斷。熔絲元件110，藉由所有的熔絲單元91A~91C熔斷，而遮斷外部電路之電流路徑。

此處，熔絲元件110，與上述熔絲元件50同樣的，因超過額定之電流流過熔絲單元91A~91C而依序熔斷，即使在最後剩下之熔絲單元91熔斷時產生電弧放電，亦會反映熔絲單元91之體積而是小規模者，能防止熔融之熔絲單元飛散至大範圍，因飛散之熔絲單元而產生新的電流路徑，或飛散之金屬附著在端子或周圍之電子零件等。此外，熔絲元件110，因係就複數個熔絲單元91A~91C之各個熔斷，因此各熔絲單元之熔斷所需之熱能較少，能在短時間內遮斷。

又，於熔絲元件110，可藉由將複數個熔絲單元91中之1個熔絲單元之遮斷部9之寬度做成較其他熔絲單元之遮斷部9之寬度窄等，具以使其相對的高電阻化，以控制熔斷順序。此外，於熔絲元件110，可使3個以上之熔絲單元91並列配置，將並列方向之兩側以外之至少1個熔絲單元91之寬度做成較其他熔絲單元之寬度窄較佳。

例如，於熔絲元件110，可將熔絲單元91A~91C中、正中間之熔絲單元91B之一部分或全部寬度做成較其他熔絲單元91A、91C之寬度窄，以於剖面積設置差異，據以使熔絲單元91B相對的高電阻化。如此， 於熔絲元件110，當超過額定之電流流通時，首先從比較低電阻之熔絲單元91A、91C流過大量電流，在不伴隨電弧放電之情形下一個個熔斷。之後，電流集中於剩下之經高電阻化之熔絲單元91B，最後伴隨電弧放電而熔斷，但會反映熔絲單元91B之體積而為小規模者，能防止熔融金屬之爆發性的飛散。

又，於熔絲元件110，藉由使設在內側之熔絲單元91B最後熔斷，即使產生電弧放電，亦能以已先熔斷之外側的熔絲單元91A、91C捕捉熔絲單元91B之熔融金屬。因此，能抑制熔絲單元91B之熔融金屬之飛散，防止熔融金屬導致之短路等。

〔高熔點熔絲單元〕

又，熔絲元件110，可具有熔融溫度較熔絲單元91高之高熔點熔絲單元111，將一或複數個熔絲單元91與高熔點熔絲單元111相隔既定間隔並列配置。熔絲元件110，例如圖47(A)、(B)所示，於冷卻構件92a並列配置有熔絲單元91A、91C與高熔點熔絲單元111的3片。

高熔點熔絲單元111，與高熔點熔絲單元51同樣的，可以使用例如Ag或Cu、或以此等為主成分之合金等之高熔點金屬形成。又，高熔點熔絲單元111可由低熔點金屬與高熔點金屬構成。

又，高熔點熔絲單元111可與熔絲單元91同樣的製造。此時，高熔點熔絲單元111，可藉由例如將高熔點金屬層91b之厚度做成較熔絲單元91厚、或使用熔點較熔絲單元91所使用之高熔點金屬高之高熔點金屬等，來使熔點高於熔絲單元91。

高熔點熔絲單元111，與熔絲單元91A、91C同樣的形成為 略矩形板狀，並在兩端部彎折形成端子部112a，112b，此等端子部112a，112b與熔絲單元91A、91C之各端子部5a、5b一起與外部電路之共通的連接電極連接，據以和熔絲單元91A、91C並聯。據此，熔絲元件110具有與使用1片熔絲單元91之上述熔絲元件90同等以上之額定電流。此外，各熔絲單元91A、91C及高熔點熔絲單元111，係相隔在熔斷時不會與相鄰熔絲單元接觸程度之距離並列配置。

如圖47所示，高熔點熔絲單元111與熔絲單元91A、91C同樣的，在遮斷端子部112a，112b間之電流路徑的遮斷部9形成有凹部93，其從冷卻構件92a分離，並且往橋狀凹部93之相反側突出之凸部94與形成在冷卻構件92b之槽部10分離。據此，高熔點熔絲單元111，於面內，沿遮斷部9設置低熱傳導部7、並在遮斷部9以外之部位形成高熱傳導部8。當高熔點熔絲單元111在超過額定之過電流時發熱，即能將高熱傳導部8之熱積極的釋放至外部，抑制遮斷部9以外部位之發熱，並使熱集中在沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，以使遮斷部9熔斷。

圖47所示之熔絲元件110，在超過額定之過電流時，熔點低之熔絲單元91A、91C先熔斷，熔點高之高熔點熔絲單元111最後熔斷。因此，高熔點熔絲單元111可反映其體積在短時間內遮斷，又，即使在最後剩下之高熔點熔絲單元111之熔斷時產生電弧放電，亦能反映高熔點熔絲單元111之體積而為小規模者，能防止熔融金屬之爆發性的飛散，亦能大幅提升熔斷後之絕緣性。熔絲元件110，因所有熔絲單元91A、91C及高熔點熔絲單元111熔斷，而遮斷外部電路之電流路徑。

此處，高熔點熔絲單元111，以配置在與熔絲單元91一起 並列複數個配置之並列方向兩側以外之處較佳。例如高熔點熔絲單元111，如圖47所示，以配置在2個熔絲單元91A、91C之間較佳。

藉由使設在內側之高熔點熔絲單元111最後熔斷，即使產生電弧放電，亦能以已先熔斷之外側的熔絲單元91A、91C捕捉高熔點熔絲單元111之熔融金屬，抑制高熔點熔絲單元111之熔融金屬之飛散，防止熔融金屬造成之短路等。

〔遮斷部並列單元〕

又，適用本發明之熔絲元件，如圖48所示，可使用複數個遮斷部9並列之熔絲單元112。此外，於熔絲單元之說明中，針對與上述熔絲單元91相同之構成係賦予相同符號、省略其詳細說明。

熔絲單元112形成為板狀，於兩端部設有與外部電路連接之端子部5a、5b。熔絲單元112，在一對端子部5a、5b間形成有複數個遮斷部9，至少一個、最好是在所有遮斷部9，形成從冷卻構件92a分離之凹部93。又，熔絲單元112，最好是與上述熔絲單元91同樣的含有低熔點金屬層與高熔點金屬層，此外，可藉由各種構成形成。

以下，係以使用3個遮斷部9A~9C並列之熔絲單元112之情形為例加以說明。如圖48所示，各遮斷部9A~9C，藉由搭載在端子部5a、5b間，構成熔絲單元112之複數個通電路徑。複數個遮斷部9A~9C，藉由伴隨過電流之自我發熱而熔斷，藉由所有遮斷部9A~9C熔斷，來遮斷端子部5a、5b間之電流路徑。

又，熔絲單元112，在流過超過額定之電流而熔斷時，亦係各遮斷部9A~9C依序熔斷，因此最後剩下之遮斷部9熔斷時產生之電弧放 電亦為小規模者，能防止熔融之熔絲單元飛散至大範圍，因飛散之金屬而形成新的電流路徑，或飛散之金屬附著在端子或周圍之電子零件等情形。此外，於熔絲單元112，因係就複數個遮斷部9A~9C之各個熔斷，因此各遮斷部9A~9C之熔斷所需之熱能少，能在短時間內遮斷。

於熔絲單元112，可藉由將複數個遮斷部9A~9C中之1個遮斷部9之一部分或全部之剖面積做成較其他熔斷部之剖面積小，以進行相對的高電阻化。又，熔絲單元112，如圖48所示，可採取設置3個遮斷部9A、9B、9C並使正中間之遮斷部9B最後熔斷等手段，設置3個以上之熔斷部、並使內側之熔斷部最後熔斷較佳。

藉由使1個遮斷部9相對的高電阻化，當於熔絲單元91流過超過額定之電流時，會從較低電阻之遮斷部9流過大量電流而一個個熔斷。之後，電流集中至剩下的該高電阻化之遮斷部9，最後伴隨電弧放電而熔斷。因此，於熔絲單元112，可使遮斷部9A~9C依序熔斷，此外，因僅在剖面積小之遮斷部9熔斷時產生電弧放電，因此會反映遮斷部9之體積而為小規模者，能防止熔融金屬之爆發性的飛散。

又，即使在正中間之遮斷部9B最後熔斷時產生電弧放電，亦能以已先熔斷之外側之遮斷部9A、9C捕捉遮斷部9B之熔融金屬，抑制遮斷部9B之熔融金屬之飛散，防止熔融金屬造成之短路等。

此種形成有複數個遮斷部9之熔絲單元112，例如圖49(A)所示，可在將包含板狀之低熔點金屬與高熔點金屬之板狀體112之中央部二處打穿出矩形狀後，藉沖壓成型等形成凹部93及端子部5a、5b來加以製造。於熔絲單元112，並列之3個遮斷部9A~9C之兩側被端子部5a、5b一 體支承。又，所設之熔絲單元112，亦可藉由將構成端子部5a、5b之板狀體與構成遮斷部9之複數個板狀體加以連接來製造。此外，如圖49(B)所示，熔絲單元112，亦可以是並列之3個遮斷部9A~9C之一端被端子部5a一體支承，於另一端分別形成有端子部5b者。

〔發熱體〕

又，熔絲元件，亦可以是於冷卻構件形成發熱體，藉由此發熱體之發熱亦能使熔絲單元熔斷。例如，如圖50(A)所示之熔絲元件120，在與一冷卻構件92a之低熱傳導部7對向之位置兩側形成有發熱體61、且發熱體61被絕緣層62被覆。

如上所述，係一通電即發熱之具有導電性的構件，例如係以鎳鉻合金、W、Mo、Ru等或包含此等之材料構成，可在冷卻構件92a上使用網版印刷技術等形成。

又，發熱體61係設在熔絲單元91之形成有遮斷部9之低熱傳導部7近旁。因此，於熔絲元件120，發熱體61發出之熱亦會傳至低熱傳導部7而使遮斷部9熔斷。此外，發熱體61可僅形成在與低熱傳導部7對向位置的單側，又，亦可形成在另一冷卻構件92b之槽部10之兩側或單側。

又，發熱體61係被絕緣層62被覆。據此，發熱體61透過絕緣層62與熔絲單元91重疊。絕緣層62之設置，係為謀求發熱體61之保護及絕緣、並將發熱體61之熱以良好效率傳至熔絲單元91，例如由玻璃層構成。

又，發熱體61可形成在積層於冷卻構件92a之絕緣層62之 內部。此外，發熱體61可形成在與冷卻構件92a表面相反側之背面、或者形成在冷卻構件92a之內部。

如圖50(B)所示，發熱體61透過發熱體電極63與外部之電源電路連接，在產生需要遮斷外部電路之電流路徑之情形時，從外部之電源電路加以通電。據此，於熔絲元件120，因發熱體61之發熱使得組裝在外部電路之電流路徑上的熔絲單元91之遮斷部9熔斷，而能遮斷外部電路之電流路徑。在外部電路之電流路徑被遮斷後，來自電源電路之通電即被切斷，發熱體61之發熱停止。

此時，於熔絲單元91，因發熱體61之發熱，透過高熱傳導部8散發發熱體61之熱，並選擇性的於低熱傳導部7從熔點較高熔點金屬層91b低之低熔點金屬層91a之熔點開始熔融，藉由高熔點金屬層91b之浸蝕作用迅速地使遮斷部9熔融，而遮斷外部電路之電流路徑。

又，熔絲元件，可如圖51(A)所示之熔絲元件130般，在絕緣層62之與低熱傳導部7對向之位置之一側、例如僅在左側表面形成發熱體61、絕緣層62及發熱體引出電極64，將熔絲單元91透過連接用焊料(未圖示)與發熱體引出電極64加以連接。發熱體61，其一端與發熱體引出電極64連接，另一端與連接至外部電源電路之發熱體電極63連接。發熱體引出電極64與熔絲單元91連接。如此，發熱體61即透過發熱體引出電極64與熔絲單元91熱性、電性連接。此外，熔絲元件130，可在與設置發熱體61等之低熱傳導部7之一側之相反側(圖51(A)之右側)，設置熱傳導性優異之絕緣層62以使高度一致。

此熔絲元件130，形成一到發熱體電極63、發熱體61、發 熱體引出電極64及熔絲單元91之對發熱體61的通電路徑。又，熔絲元件130，透過發熱體電極63與對發熱體61通電之電源電路連接，藉由該電源電路控制對發熱體電極63與熔絲單元91之通電。

熔絲元件130，據有如圖51(B)所示之電路構成。亦即，熔絲元件130，係由透過端子部5a、5b與外部電路串聯的熔絲單元91、與透過熔絲單元91及發熱體引出電極64通電發熱而使熔絲單元91熔融的發熱體61構成的電路構成。於熔絲元件130，熔絲單元91之端子部5a、5b及發熱體電極63連接於外部電路基板。

由此種電路構成構成之熔絲元件130，在產生必須遮斷外部電路之電流路徑之情形時，藉由設在外部電路之電流控制元件對發熱體61通電。據此，熔絲元件130，藉由發熱體61之發熱，使組裝在外部電路之電流路徑上之熔絲單元91之遮斷部9熔斷。如此，熔絲單元91，即能確實的使端子部5a、5b間熔斷，以將外部電路之電流路徑遮斷。

又，熔絲元件，可於熔絲單元91設置複數個遮斷部9。圖52(A)所示之熔絲元件140，於熔絲單元91設有2處的遮斷部9、並在與冷卻構件92a之遮斷部9對向之位置之間，發熱體61、被覆發熱體之絕緣層62、及與發熱體61之一端連接並與熔絲單元91連接之發熱體引出電極64，被以此順序設置。

又，冷卻構件92a，於發熱體61之兩側亦設有絕緣層62，與發熱體引出電極64大致同高度。熔絲單元91，適當地透過連接用焊料搭載在此等發熱體引出電極64及絕緣層62上，並被一對冷卻構件92a、92b夾持。據此，於熔絲單元91，藉由凹部93與冷卻構件92a分離之遮斷部9 為低熱傳導部7、而與絕緣層62重疊之部位則為高熱傳導部8。

發熱體61，其一端與發熱體引出電極64連接，另一端與連接至外部電源電路之發熱體電極63連接。據此，發熱體61透過發熱體引出電極64與熔絲單元91熱性、電性連接。

圖52(A)所示之熔絲元件140，具有圖52(B)所示之電路構成。亦即，熔絲元件140，係由透過端子部5a、5b與外部電路串聯的熔絲單元91、與通過從發熱體電極63到熔絲單元91之通電路徑被通電而發熱據以使熔絲單元91熔融的發熱體61構成的電路構成。於熔絲元件140，熔絲單元91之端子部5a、5b及發熱體電極63連接於外部電路基板。

由此種電路構成構成之熔絲元件140，在發生需要遮斷外部電路之電流路徑之情形時，藉由設在外部電路之電流控制元件使發熱體61被通電而發熱。發熱體61之發熱通過絕緣層62及發熱體引出電極64傳至熔絲單元91，設在左右之低熱傳導部7被積極加熱，因此遮斷部9熔斷。又，熔絲單元91，在高熱傳導部8積極的冷卻來自發熱體61之熱，因此亦能抑制端子部5a、5b被加熱而產生的影響。據此，熔絲單元91，能確實使端子部5a、5b間熔斷，以遮斷外部電路之電流路徑。此外，因熔絲單元91熔斷而使得發熱體61之通電路徑亦被遮斷，因此發熱體61之發熱亦停止。

〔隔熱構件〕

又，熔絲元件，亦可具有熱傳導率較冷卻構件92a、92b低之隔熱構件4，藉由熔絲單元91之遮斷部9與隔熱構件4接觸或接近，形成熱傳導性相對較高熱傳導部8低之低熱傳導部7。於圖53所示之熔絲元件90，隔熱構件4藉由配置在冷卻構件92a之與熔絲單元91之凹部93對應之位置，與遮 斷部9接觸或接近配置。

〔覆蓋構件〕

又，熔絲元件，可於熔絲單元91之一面側重疊冷卻構件92a，另一面側則以覆蓋構件13加以覆蓋。圖54所示之熔絲元件150，熔絲單元91之下面有冷卻構件92a接觸或接近、上面則被覆蓋構件13覆蓋。冷卻構件92a，藉由凹部93與熔絲單元91之遮斷部9分離，與遮斷部9以外之部位接觸或接近。

圖54所示之熔絲元件150中，亦在遮斷部9與遮斷部9以外之部位設置熱傳導性之差，於熔絲單元91之面內，沿遮斷部9設置低熱傳導部7、並在遮斷部9以外之部位形成高熱傳導部8。據此，在超過額定之過電流時熔絲單元91發熱之際，可將高熱傳導部8之熱積極的釋放至外部，以抑制遮斷部9以外部位之發熱，並使熱集中於沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，以使遮斷部9熔斷。

熔絲元件150，藉由導出端子部5a、5b，在構裝至形成外部電路之電路基板的構裝面側配置冷卻構件92a，可使熔絲單元91之熱傳至電路基板側，更有效率的使之冷卻。

又，熔絲元件150，可在與構裝至電路基板之構裝面相反側配置冷卻構件92a，於導出端子部5a、5b之構裝面側配置覆蓋構件13。此場合，因端子部5a、5b與覆蓋構件13之側面接觸，因此抑制了熱透過冷卻構件92a傳至端子部5a、5b，能進一步降低使表面構裝用連接用焊料熔解等之風險。

〔凹部〕

又，熔絲單元91，除了形成橋狀之凹部93外，如圖55、圖56所示，亦可僅設置相反面之遮斷部9從遮斷部9以外之部位突出之凸部未形成的凹部99。凹部99，可藉由例如進行沿熔絲單元91之遮斷部9施以沖壓加工、或在遮斷部9之兩側進一步設置金屬層等，相對的沿遮斷部9形成凹部之加工來加以形成。

設有凹部99之熔絲單元91，未形成較遮斷部9之兩側突出之凸部94。因此，使用設有凹部99之熔絲單元91的熔絲元件160，可使夾持熔絲單元91之上下一對冷卻構件92a、92b之雙方平坦化。熔絲元件160，亦係在遮斷部9與遮斷部9以外之部位設置熱傳導性之差，於熔絲單元91之面內，沿遮斷部9設置低熱傳導部7、並在遮斷部9以外之部位形成高熱傳導部8。據此，熔絲元件160，在超過額定之過電流時熔絲單元91發熱之際，能將高熱傳導部8之熱積極的釋放至外部，抑制遮斷部9以外部位之發熱，並使熱集中在沿遮斷部9形成之低熱傳導部7，以使遮斷部9熔斷。

又，熔絲元件160，如圖57所示，可在不設置金屬層95之情形下，直接以冷卻構件92a、92b夾持熔絲單元91。此時，冷卻構件92a、92b與熔絲單元91之間，適當的配置接著劑15。

又，冷卻構件92b，可在對應遮斷部9之位置設置槽部10。又，熔絲單元91，可在任一方之面設置凹部99、或在兩面設置凹部99。此外，形成在熔絲單元91兩面之凹部99，可以是形成在對向之位置，亦可以不是對向。

1‧‧‧熔絲元件

2‧‧‧熔絲單元

2a‧‧‧低熔點金屬層

2b‧‧‧高熔點金屬層

3(3a、3b)‧‧‧冷卻構件

5(5a、5b)‧‧‧端子部

7‧‧‧低熱傳導部

8‧‧‧高熱傳導部

9‧‧‧遮斷部

10‧‧‧槽部

Claims (56)

1. 一種熔絲元件，其具備：熔絲單元、與冷卻構件；該熔絲單元，設有藉熱而熔斷之遮斷部與該冷卻構件分離且熱傳導性相對較低之低熱傳導部、以及除該遮斷部以外之部位與該冷卻構件接觸或接近且熱傳導性相對較高之高熱傳導部。
2. 如申請專利範圍第1項之熔絲元件，其中，該高熱傳導部之面積較該低熱傳導部之面積大。
3. 如申請專利範圍第1或2項之熔絲元件，其具有熱傳導率較該冷卻構件低之隔熱構件；該熔絲單元中，該遮斷部藉由與該隔熱構件接觸或接近而作為該低熱傳導部。
4. 如申請專利範圍第1項之熔絲元件，其中，該熔絲單元中，該遮斷部藉由與空氣接觸而作為該低熱傳導部。
5. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該冷卻構件，在與該遮斷部相應之位置形成有槽部，於該槽部上重疊該遮斷部。
6. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，該熔絲單元被一對該冷卻構件夾持，該遮斷部之兩面側與該槽部重疊。
7. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元被一對該冷卻構件夾持；其中一方之該冷卻構件，在與該遮斷部相應之位置形成有槽部，於該遮斷部上配置該槽部、並與該遮斷部以外之部位接觸或接近； 另一方之該冷卻構件，與該遮斷部及該遮斷部以外之部位接觸或接近。
8. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，在該熔絲單元之一方之面重疊該冷卻構件。
9. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，在與該熔絲單元之通電方向正交之該遮斷部之寬度方向之全面連續形成該槽部。
10. 如申請專利範圍第9項之熔絲元件，其中，該槽部在與該熔絲單元之通電方向正交之該遮斷部之寬度方向之一部分或全部形成。
11. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，在與該熔絲單元之通電方向正交之該遮斷部之寬度方向全面斷續的形成有複數個該槽部。
12. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，該熔絲單元為板狀；該槽部於該熔絲單元之通電方向之長度，係該熔絲單元在該遮斷部之最小寬度以下。
13. 如申請專利範圍第12項之熔絲元件，其中，該槽部於該熔絲單元之通電方向之長度，係該熔絲單元在該遮斷部之最小寬度的1/2以下。
14. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，該熔絲單元為棒狀；該槽部於該熔絲單元之通電方向之長度，係該熔絲單元在該遮斷部之最小直徑的2倍以下。
15. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，該槽部於該熔絲單元之通電方向之長度在0.5mm以上。
16. 如申請專利範圍第5項之熔絲元件，其中，該槽部於該熔絲單元之通電方向之長度在5mm以下。
17. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，相接近 之該熔絲單元之高熱傳導部與該冷卻構件之最小間隙在100μm以下。
18. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，複數個該熔絲單元係相隔既定間隙並聯。
19. 如申請專利範圍第18項之熔絲元件，其具有熔融溫度較該熔絲單元高之高熔點熔絲單元，複數個該熔絲單元與該高熔點熔絲單元係相隔既定間隔並聯。
20. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元延伸至該冷卻構件之外部，具有構裝用端子部。
21. 如申請專利範圍第19項之熔絲元件，其中，該高熔點熔絲單元延伸至冷卻構件之外部，具有構裝用端子部。
22. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該冷卻構件為絕緣材料。
23. 如申請專利範圍第22項之熔絲元件，其中，該冷卻構件為陶瓷。
24. 如申請專利範圍第22項之熔絲元件，其中，該冷卻構件，在與該熔絲單元接觸部表面之一部分或全部形成有金屬層。
25. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該冷卻構件為金屬材料。
26. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該冷卻構件之熱傳導率為1W/(m‧k)以上。
27. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元係以接著劑連接於該冷卻構件。
28. 如申請專利範圍第27項之熔絲元件，其中，該接著劑具有熱傳導 性。
29. 如申請專利範圍第28項之熔絲元件，其中，該接著劑具有導電性。
30. 如申請專利範圍第24項之熔絲元件，其中，該熔絲單元係以焊料連接於該冷卻構件。
31. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元具有低熔點金屬與熔點較該低熔點金屬高之高熔點金屬的積層體，該低熔點金屬熔蝕該高熔點金屬而熔斷。
32. 如申請專利範圍第31項之熔絲元件，其中，該熔絲單元係內層為該低熔點金屬、外層為該高熔點金屬。
33. 如申請專利範圍第32項之熔絲元件，其中，該熔絲單元設有用以抑制熔融之該低熔點金屬之流動、限制變形之變形限制部。
34. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其具有：形成在該冷卻構件、配置在該熔絲單元之該低熱傳導部近旁的1或複數個發熱體；覆蓋該發熱體的絕緣層；以及形成在該絕緣層表面的1或複數個電極；該熔絲單元係與該電極連接。
35. 如申請專利範圍第1項之熔絲元件，其中，該熔絲單元，形成有將該遮斷部從該冷卻構件分離之凹部；該冷卻構件，與該熔絲單元之形成該凹部之面對向之面形成為平坦。
36. 如申請專利範圍第35項之熔絲元件，其中，該熔絲單元，在對應該遮斷部之位置係往與該冷卻構件分離之方向形成為橋狀。
37. 如申請專利範圍第35或36項之熔絲元件，其中，該低熱傳導部之面積較該高熱傳導部之面積大。
38. 如申請專利範圍第35或36項之熔絲元件，其中，該熔絲單元中，該遮斷部藉由與空氣接觸而作為該低熱傳導部。
39. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元，形成有將該遮斷部從該冷卻構件分離之凹部；該冷卻構件，在與該熔絲單元之形成有該凹部之面對向之面之對應該遮斷部之位置形成有槽部，於該槽部上重疊該遮斷部。
40. 如申請專利範圍第36項之熔絲元件，其中，該熔絲單元被一對該冷卻構件夾持；與該熔絲單元之形成有該凹部之面對向之一方之該冷卻構件形成為平坦，並與該遮斷部以外之部位接觸或接近；與該熔絲單元之形成有該凹部之面之相反側之面對向之另一方之該冷卻構件，在與往該熔絲單元之該凹部之相反側突出之凸部對應之位置形成有槽部，並與該遮斷部以外之部位接觸或接近。
41. 如申請專利範圍第35項之熔絲元件，其中，該熔絲單元，在與形成有該凹部之面相反側之面未設有凸部，被一對該冷卻構件夾持；一對該冷卻構件，與該熔絲單元對向之面皆形成為平坦。
42. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元為板狀；該凹部於該熔絲單元之通電方向之長度，係該熔絲單元在該遮斷部之最小寬度以下。
43. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，接近之該熔絲單元之高熱傳導部與該冷卻構件之最小間隙為100μm以下。
44. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，複數個該熔絲單元係相隔既定間隙並聯。
45. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元延伸至該冷卻構件之外部，具有構裝用端子部。
46. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，該冷卻構件為絕緣材料。
47. 如申請專利範圍第46項之熔絲元件，其中，該冷卻構件為陶瓷。
48. 如申請專利範圍第46項之熔絲元件，其中，該冷卻構件為樹脂材料。
49. 如申請專利範圍第46項之熔絲元件，其中，該冷卻構件，在與該熔絲單元之接觸部表面之一部分或全部形成有金屬層。
50. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，該冷卻構件為金屬材料。
51. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元係以接著劑連接於該冷卻構件。
52. 如申請專利範圍第49項之熔絲元件，其中，該熔絲單元係以焊料連接於該冷卻構件。
53. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其中，該熔絲單元，具有低熔點金屬與熔點較該低熔點金屬高之高熔點金屬的積層體，該低熔點金屬將該高熔點金屬熔蝕而熔斷。
54. 如申請專利範圍第53項之熔絲元件，其中，該熔絲單元係內層為該低熔點金屬、外層為該高熔點金屬。
55. 如申請專利範圍第54項之熔絲元件，其中，該熔絲單元，設有抑制熔融之該低熔點金屬之流動、限制變形的變形限制部。
56. 如申請專利範圍第35、36、40、41項中任一項之熔絲元件，其具有：形成在該冷卻構件，配置在該熔絲單元之該低熱傳導部近旁之1或複數個發熱體；覆蓋該發熱體之絕緣層；以及形成在該絕緣層表面之1或複數個電極；該熔絲單元與該電極連接。