TW201714493A - 具有槽式接地板的電漿模組 - Google Patents

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田中啓一
竹下健二
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Abstract

一種用於處理腔室中的電漿源組件，包括阻隔板，該阻隔板具有透過阻隔板的至少一個細長槽。細長槽可相對於阻隔板的側邊具有不同長度與角度。

Description

具有槽式接地板的電漿模組
本發明之實施例大致上係關於用於處理基板之設備。更特定言之，本發明之實施例係關於用於處理腔室類批次處理器的模組化電容耦接電漿源。
裝置的形成通常在含有多個腔室的基板處理平台中進行。在一些情況中，多腔室處理平台或群集工具之目的係用以在經控制環境中依序在基板上執行二或更多個處理。然而，在其他情況中，多腔室處理平台可以在基板上僅執行單一處理步驟；附加腔室意欲最大化平台處理基板的速率。在後者的情況中，在基板上執行的製程通常係為批次處理，其中在給定腔室中同時處理相對大數目的基板（例如，25或50）。批次處理對於以經濟上可行的方式在獨立基板上執行係過於耗時的處理為特別有利的，例如原子層沉積（ALD）處理及一些化學氣相沉積（CVD）處理。
一些ALD系統（特別是具有旋轉基板台板的空間ALD系統）係由於模組化電漿源而有利，亦即，可容易地插入到系統中的源。電漿源包含產生電漿的容積，以及將工件暴露於帶電粒子的通量與活性化學自由物種的方式。
因為容易在通常用於ALD應用中的壓力範圍（1-50 Torr）中於CCP中產生電漿，因此在這些應用中通常使用電容耦合電漿（CCP）源。孔陣列通常用於將晶圓暴露於電漿的活性物種。然而，已發現活性物種的相對密度並非為跨整個孔陣列而均勻。
因此，在該領域中需要提供經增加的活性物種密度均勻性的電容耦合電漿源。
本發明的一或更多個實施例係關於包含殼體、阻隔板、及RF熱電極的電漿源組件。阻隔板係與殼體電連通。阻隔板具有定義場域的內周邊緣、外周邊緣、第一側、及第二側。細長槽係在場域中，並延伸透過阻隔板。細長槽具有長度與寬度。RF熱電極係在殼體中，並具有前面與背面、內週端、及外週端。RF熱電極的前面係從阻隔板隔開，以定義間隙。
本發明的附加實施例係關於包含具有內週端、外週、第一側、及第二側的楔形殼體的電漿源組件。楔形阻隔板係與殼體電連通。阻隔板具有定義場域的內周邊緣、外周邊緣、第一側、及第二側。場域包含基本上平行於阻隔板的第一側的第一細長槽、延伸透過阻隔板而基本上平行於阻隔板的第二側的第二細長槽、及第一細長槽與第二細長槽之間的第三細長槽。第三細長槽具有約20％到約80％的第二細長槽的長度的範圍中的長度。第二細長槽具有約20％到約80％的第一細長槽的長度的範圍中的長度。楔形RF熱電極係在殼體中，並具有前面與背面、內週端、及外週端，RF熱電極的前面係從阻隔板隔開，以定義間隙。
本發明的進一步實施例係關於處理腔室。基座組件係在處理腔室中。基座組件具有頂表面，以支撐並圍繞中心軸旋轉複數個基板。氣體分配組件係在處理腔室中，並具有面向基座組件的頂表面的前表面，以引導氣體流向基座組件的頂表面。氣體分配組件包括電漿源組件，電漿源組件包含具有內週端、外週、第一側、及第二側的楔形殼體。楔形阻隔板係與殼體電連通。阻隔板具有定義場域的內周邊緣、外周邊緣、第一側、及第二側。場域包含基本上平行於阻隔板的第一側的第一細長槽、延伸透過阻隔板而基本上平行於阻隔板的第二側的第二細長槽、及第一細長槽與第二細長槽之間的第三細長槽。第三細長槽具有約20％到約80％的第二細長槽的長度的範圍中的長度，而第二細長槽具有約20％到約80％的第一細長槽的長度的範圍中的長度。楔形RF熱電極係在殼體中。RF熱電極具有前面與背面、內週端、及外週端。RF熱電極的前面係從阻隔板隔開，以定義間隙。阻隔板的內週端比阻隔板的外週端更進一步從基座組件的頂表面隔開。
本發明之實施例提供用於連續基板沉積之基板處理系統，以最大化產量並改良處理效率。基板處理系統亦可用於預沉積及後沉積電漿加工（treatment）。
如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「基板」及「晶圓」可互換使用，兩者均指稱處理在其上作用之表面、或表面之一部分。該領域具有通常知識者亦瞭解對基板之引述亦可指稱基板之僅一部分，除非上下文清楚地指明為其他情況。此外，對在基板上沉積之引述可意指裸基板、以及具有一或更多個膜或特徵沉積或形成於上的基板兩者。
如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「活性氣體」、「前驅物」、「反應物」、及類似物可互換使用，用以意指包括與基板表面為活性的物種的氣體。舉例而言，第一「活性氣體」可簡單地吸收至基板的表面上，並且可得到與第二活性氣體的進一步化學反應。
如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「經減少的壓力」係意指少於約100 Torr，或少於約75 Torr，或少於約50 Torr，或少於約25 Torr的壓力。舉例而言，定義為約1 Torr到約25 Torr的範圍中的「中等壓力」係為經減少的壓力。
考慮將旋轉台板腔室用於許多應用。在此類腔室中，一或更多個晶圓係放置於旋轉支架（「台板」）上。隨著台板旋轉，晶圓在各個處理區域之間移動。舉例而言，在ALD中，處理區域將晶圓暴露於前驅物與反應物。此外，電漿暴露可作為反應物，或加工用於增強膜生長的膜或基板表面，或修改膜的屬性。在使用旋轉台板ALD腔室時，本發明的一些實施例提供ALD膜的均勻沉積與後加工（例如，緻密化）。
旋轉台板的ALD腔室可藉由傳統時域處理或藉由空間ALD沉積膜，傳統時域處理將整個晶圓暴露於第一氣體，淨化，隨後暴露於第二氣體，而空間ALD將晶圓的部分暴露於第一氣體，部分暴露於第二氣體，以及讓晶圓移動透過這些氣體流以沉積層。
如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「餅形」與「楔形」可互換使用，以描述大致圓形的扇區的主體。舉例而言，楔形區段可以是圓形或盤形結構的一小部分。餅形區段的內邊緣可為一個點，或者可截短成平邊或圓形。基板之路徑可與氣體埠垂直。在一些實施例中，氣體噴射組件之每一者包含複數個細長氣體埠，複數個細長氣體埠在基本上垂直於基板所橫穿的路徑的方向上延伸，其中氣體埠的前邊緣基本上平行於台板。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「基本上垂直」意指基板移動之大致方向係沿著平面大約垂直於氣體埠之軸（例如，約45°至90°）。對於楔形氣體埠而言，氣體埠之軸可視為該埠之寬度的中點沿著該埠之長度延伸所定義的線。
第1圖圖示處理腔室100之剖面圖，處理腔室100包括氣體分配組件120（亦稱為噴射器或噴射組件）與基座組件140。氣體分配組件120係為用於處理腔室中的任何類型的氣體遞送裝置。氣體分配組件120包括面向基座組件140的前表面121。前表面121可具有任何數目或種類的開口，以傳遞流向基座組件140的氣體。氣體分配組件120亦包括外周邊緣124，其在所示實施例中基本上為圓形。
所使用的氣體分配組件120的特定類型可取決於所使用的特定處理而變化。本發明之實施例可用於控制基座與氣體分配組件之間的間隙的任何類型的處理系統。儘管可採用各種類型的氣體分配組件（例如，噴淋頭），本發明之實施例可以特別有用於具有複數個基本上平行的氣體通道的空間ALD氣體分配組件。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「基本上平行」意指氣體通道的細長軸在大致相同的方向上延伸。在氣體通道的平行中可以存在輕微的缺陷。複數個基本上平行的氣體通道可包括至少一個第一活性氣體A通道、至少一個第二活性氣體B通道、至少一個淨化氣體P通道、及/或至少一個真空V通道。將來自第一活性氣體A通道、第二活性氣體B通道、及淨化氣體P通道的氣體流引導朝向晶圓的頂表面。氣體流中之一些者跨越整個晶圓的表面水平移動，並水平移動出淨化氣體P通道的處理區域。從氣體分配組件的一個端移動到另一端的基板將依序暴露於處理氣體之每一者，以形成基板表面上的層。
在一些實施例中，氣體分配組件120係為由單一噴射器單元製成的剛性固定體。在一或更多個實施例中，如第2圖所示，氣體分配組件120係由複數個獨立扇區（例如，噴射器單元122）製成。單件體或多扇區體皆可用於本發明的各種實施例。
基座組件140係定位於氣體分配組件120下方。基座組件140包括頂表面141以及頂表面141中的至少一個凹槽142。基座組件140亦具有底表面143與邊緣144。取決於所處理基板60之形狀及大小，凹槽142可以是任何合適的形狀及大小。在第1圖所示的實施例中，凹槽142具有平坦底部，以支撐晶圓的底部；然而，凹槽的底部可以變化。在一些實施例中，凹槽具有環繞凹槽的外周邊緣的階段區域，並調整其大小以用於支撐晶圓的外周邊緣。舉例而言，取決於晶圓之厚度與晶圓背側上呈現的特徵之存在，可變化由階段所支撐的晶圓之外周邊緣的量。
在一些實施例中，如第1圖所示，調整基座組件140的頂表面141中的凹槽142之大小，而使得支撐於凹槽142中的基板60具有與基座組件140之頂表面141實質上共面的頂表面61。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「基本上共面」意指晶圓的頂表面及基座組件的頂表面係在±0.2 mm內共面。在一些實施例中，頂表面係在±0.15 mm、±0.10 mm、或±0.05 mm內共面。
第1圖之基座組件140包括能夠提起、降低、及旋轉基座組件140的支撐柱160。基座組件可包括加熱器、或氣體接線、或在支撐柱160之中心內的電氣部件。支撐柱160可以是增加或減少在基座組件140與氣體分配組件120間的間隙之主要構件，以移動基座組件140至合適的位置。基座組件140亦可包括微調諧致動器162，可對基座組件140微調整，以建立基座組件140與氣體分配組件120之間的預定間隙170。在一些實施例中，間隙170之距離係在約0.1 mm至約5.0 mm之範圍中、在約0.1 mm至約3.0 mm之範圍中、在約0.1 mm至約2.0 mm之範圍中、或在約0.2 mm至約1.8 mm之範圍中、或在約0.3 mm至約1.7 mm之範圍中、或在約0.4 mm至約1.6 mm之範圍中、或在約0.5 mm至約1.5 mm之範圍中、或在約0.6 mm至約1.4 mm之範圍中、或在約0.7 mm至約1.3 mm之範圍中、或在約0.8 mm至約1.2 mm之範圍中、或在約0.9 mm至約1.1 mm之範圍中、或約1 mm。
圖式所示的處理腔室100係為旋轉料架型腔室，其中基座組件140可托持複數個基板60。如第2圖所示，氣體分配組件120可包括複數個分離的噴射器單元122，每一噴射器單元122能夠在晶圓於噴射器單元下方移動時，在晶圓上沉積膜。二個餅形噴射器單元122係圖示為位於基座組件140上方的大約相對側上。噴射器單元122之此數目係僅用於說明目的而顯示。應理解可包括更多或更少噴射器單元122。在一些實施例中，有足夠數目的餅形噴射器單元122以形成適合於基座組件140形狀的形狀。在一些實施例中，獨立餅形噴射器單元122之每一者可獨立地移動、移除及/或置換而不影響其他噴射器單元122之任一者。舉例而言，可提高一個區段，以允許機器人到達基座組件140與氣體分配組件120之間的區域，以裝載/卸載基板60。
具有多個氣體噴射器之處理腔室可用以同時處理多個晶圓，而使得晶圓經歷相同的處理流程。舉例而言，如第3圖所示，處理腔室100具有四個氣體噴射器組件與四個基板60。在處理的開端處，基板60可定位於噴射器組件30之間。以45°旋轉17基座組件140將導致氣體分配組件120之間的每一基板60移動到用於膜沉積的氣體分配組件120，如氣體分配組件120下方的虛線圓形所示。額外的45°旋轉將讓基板60移動遠離噴射器組件30。利用空間式ALD噴射器，在相對於噴射器組件的移動期間於晶圓上沉積膜。在一些實施例中，旋轉基座組件140以增進防止基板60停止於氣體分配組件120下方。基板60與氣體分配組件120的數目可以相同或不同。在一些實施例中，正在處理的晶圓與氣體分配組件具有相同數目。在一或更多個實施例中，正在處理的晶圓數目係為氣體分配組件之數目的一小部分或整數倍數。舉例而言，若有四個氣體分配組件，則有4x個正在處理的晶圓，其中x係為大於或等於一的整數值。
第3圖所示的處理腔室100僅為一個可能配置的代表，且不應視為限制本發明之範疇。此處，處理腔室100包括複數個氣體分配組件120。在所示實施例中，具有以均勻間隔圍繞處理腔室100的四個氣體分配組件（亦稱為噴射器組件30）。所示處理腔室100係為八角形，然而，該領域具有通常知識者將瞭解此係為一個可能形狀，且不應視為限制本發明之範疇。所示氣體分配組件120係為梯形的，但可以是單一圓形部件或由複數個餅形區段組成，如第2圖所示。
第3圖所示的實施例包括裝載閘腔室180，或輔助腔室，如緩衝站。此腔室180連接到處理腔室100的一側，以允許例如讓基板（亦稱為基板60）從處理腔室100裝載/卸載。晶圓機器人可位於腔室180中，以將基板移動到基座上。
旋轉料架（例如，基座組件140）的旋轉可以連續或不連續。在連續處理中，晶圓持續旋轉，而使得晶圓輪流暴露至噴射器之每一者。在非連續處理中，可將晶圓移動至噴射器區域並停止，而接著到噴射器之間的區域84並停止。舉例而言，旋轉料架可旋轉而使得晶圓從噴射器間區域移動而橫跨噴射器（或相鄰於噴射器而停止），且接著繼續到旋轉料架可再次暫停的下一個噴射器間區域。噴射器之間的暫停可提供在每一層沉積之間的額外處理步驟（例如，對電漿之暴露）的時間。
第4圖圖示氣體分配組件220之扇區或部分，其可稱為噴射器單元122。噴射器單元122可獨立使用或與其他噴射器單元組合使用。舉例而言，如第5圖所示，第4圖的四個噴射器單元122經組合以形成單一氣體分配組件220。（為了清楚而未顯示分離四個噴射器的接線。）儘管第4圖的噴射器單元122除了淨化氣體埠155與真空埠145之外亦具有第一活性氣體埠125與第二活性氣體埠135二者，然而噴射器單元122不需要所有這些元件。
參照第4圖與第5圖二者，根據一或更多個實施例的氣體分配組件220可包含複數個扇區（或噴射器單元122），且每一扇區係為一樣或不同。氣體分配組件220係位於處理腔室內，且在氣體分配組件220之前表面121中包含複數個細長氣體埠125、135、145。複數個細長氣體埠125、135、145、155從相鄰於內周邊緣123之區域延伸朝向相鄰於氣體分配組件220之外周邊緣124之區域。所示複數個氣體埠包括第一活性氣體埠125、第二活性氣體埠135、真空埠145、及淨化氣體埠155，該真空埠145環繞第一活性氣體埠與第二活性氣體埠之每一者。
參照第4圖或第5圖所示之實施例，當埠從至少大約內週區域延伸到至少大約外週區域時，然而，埠之延伸可較僅在徑向上從內至外區域更多。埠可在切線上延伸，如真空埠145環繞活性氣體埠125與活性氣體埠135。在照第4圖或第5圖所示之實施例中，楔形活性氣體埠125、135在所有邊緣上由真空埠145環繞，包括與內周邊緣與外周邊緣相鄰處。
參照第4圖，隨著基板沿著路徑127移動，基板之每一部分係暴露於各種活性氣體。沿著路徑127，基板暴露至（或「看到」）淨化氣體埠155、真空埠145、第一活性氣體埠125、真空埠145、淨化氣體埠155、真空埠145、第二活性氣體埠135、及真空埠145。因此，在第4圖所示之路徑127之端點處，基板已暴露至第一活性氣體125與第二活性氣體135，以形成層。所示噴射器單元122形成四分之一圓，但可更大或更小。第5圖所示的氣體分配組件220可視為串聯連接的第4圖的四個噴射器單元122之組合。
第4圖的噴射器單元122圖示分離活性氣體的氣體簾幕150。術語「氣體簾幕」係用於描述任何分離活性氣體以免混和的氣流或真空的組合。第4圖所示之氣體簾幕150包含第一活性氣體埠125旁邊的真空埠145之一部分、在中間的淨化氣體埠155、及第二活性氣體埠135旁邊的真空埠145之一部分。氣流及真空的此組合可用以防止或最小化第一活性氣體與第二活性氣體之氣相反應。
參照第5圖，來自氣體分配組件220之氣流及真空的組合形成對複數個處理區域250的分離。處理區域大致定義為環繞獨立活性氣體埠125、135，且在250之間具有氣體簾幕150。第5圖所示的實施例構成之間具有八個分離的氣體簾幕150的八個分離的處理區域250。處理腔室可具有至少二個處理區域。在一些實施例中，至少具有三、四、五、六、七、八、九、十、十一、或十二個處理區域。
在處理期間，基板可在任何給定時間暴露至一個以上的處理區域250。然而，暴露至不同處理區域的部分將具有分離二者的氣體簾幕。舉例而言，若基板之領先邊緣進入包括第二活性氣體埠135的處理區域，則基板之中間部分將在氣體簾幕150下方，而基板之落後邊緣將在包括第一活性氣體埠125的處理區域中。
工廠介面280（舉例而言，可為裝載閘腔室）係圖示為連接至處理腔室100。基板60係圖示為疊加於氣體分配組件220之上，以提供參考框架。基板60可經常坐落於一基座組件上，以托持於氣體分配組件120之前表面121之附近（亦稱為氣體分配板）。基板60係經由工廠介面280裝載進入處理腔室100至基板支撐件或基座組件上（見第3圖）。基板60可圖示為位於處理區域內，因為基板係定位為與第一活性氣體埠125相鄰，且在二個氣體簾幕150a、150b之間。沿著路徑127旋轉基板60將使基板以逆時針方向環繞處理腔室100。因此，基板60將暴露至第一處理區域250a到第八處理區域250h，並包括之間的所有處理區域。對於環繞處理腔室之每一循環而言，使用所示氣體分配組件，基板60將暴露至第一活性氣體與第二活性氣體的四個ALD循環。
類似於第5圖，在批次處理器中的習知ALD序列利用之間的泵/淨化區段維持分別來自空間分離的噴射器的化學A與B流。習知ALD序列具有可導致沉積膜的非均勻性的開始與結束圖案。發明人意外發現，在空間ALD批次處理腔室中執行的基於時間的ALD處理提供具有較高均勻性的膜。暴露於無活性氣體的氣體A與無活性氣體的氣體B的基本處理將清掃噴射器下方的基板，而分別利用化學A與B飽和表面，以避免膜具有開始與結束圖案形式。發明人意外發現，基於時間的方式特別有益於當目標膜厚度較薄（例如少於20 ALD循環）時，開始與結束圖案對於晶圓均勻效能具有顯著影響。發明人亦發現，如本文所述的建立SiCN、SiCO、及SiCON膜的反應處理無法利用時域處理實現。用於淨化處理腔室的時間量導致材料從基板表面剝離。因為在氣體簾幕下方的時間較短，利用所述空間ALD處理並不會發生剝離。
因此，本發明之實施例係關於包含處理腔室100的處理方法，處理腔室100具有複數個處理區域250a-250h，其中每一處理區域係藉由氣體簾幕150與相鄰區域分離。舉例而言，第5圖所圖示的處理腔室。取決於氣流的佈置，處理腔室中的氣體簾幕與處理區域的數目可以是任何適當的數目。第5圖所示的實施例具有八個氣體簾幕150與八個處理區域250a-250h。氣體簾幕的數目通常等於或大於處理區域的數目。舉例而言，若區域250a沒有活性氣流，而僅作為裝載區域，則處理腔室將具有七個處理區域與八個氣體簾幕。
複數個基板60係位於基板支撐件上，例如，第1圖與第2圖所示之基座組件140。環繞處理區域旋轉複數個基板60，以用於處理。通常，在整個處理中密合（氣流與真空）氣體簾幕150，包括沒有活性氣體流入腔室期間。
將第一活性氣體A流入一或更多個處理區域250，而將惰性氣體流入沒有第一活性氣體A流入的任何處理區域250。舉例而言，若第一活性氣體流入處理區域250b至處理區域250h，則惰性氣體將流入處理區域250a。惰性氣體可以流經第一活性氣體埠125或第二活性氣體埠135。
處理區域內的惰性氣流可以恆定或變化。在一些實施例中，活性氣體與惰性氣體共流。惰性氣體將作為載體與稀釋劑。由於相對於載體氣體，活性氣體的量較小，共流可藉由減少相鄰區域之間的壓力差而讓處理區域之間的氣體壓力更容易均衡。
本發明的一些實施例係關於噴射器模組。儘管噴射器模組係相對於空間ALD處理腔室所描述，該領域具有通常知識者將理解，模組並不限於空間ALD腔室，並可適用於任何可用於增加氣流均勻性的噴射器的情況。
本發明的一些實施例有利地提供模組化電漿源，即，可以容易地插入處理系統及從處理系統移除的源。此類源可具有操作於與原子層沉積處理相同的壓力等級（通常為1-50 Torr）的硬體的全部或大部分。本發明的一些實施例提供具有跨晶圓表面的改良離子通量的電漿源。一或更多個實施例有利地提供用於電漿源的阻隔板，其使用少量的細長槽式縫隙，而非大量的小孔，而相對容易製造。一些實施例使用具有與基板表面的可變距離的傾斜阻隔板，而有利地提高基板表面上方的電漿密度的均勻性。本發明的一或更多個實施例藉由提供介電套筒而提供具有改善的金屬污染的電漿源，以保護導電材料免於暴露於直接電漿。
RF熱電極建立熱電極與接地電極之間的8.5 mm間隙（間隙可在3 mm到25 mm的範圍中）的電漿。電極的上部可藉由厚介電質（例如，陶瓷）覆蓋，其可藉由接地表面覆蓋。RF熱電極與接地結構係由良導體構成，例如鋁。為了適應熱膨脹，介電質（例如陶瓷）的兩片係放置於RF熱電極的長端。舉例而言，接地鋁件係放置為相鄰於介電質，而沒有之間的間隙。接地件可在結構內部滑動，並可利用彈簧保持為緊靠陶瓷。彈簧壓縮緊靠RF熱電極的接地鋁/介電質的整個「三明治」，而沒有任何間隙，以消除或最小化雜散電漿的機會。此舉保持部分組合在一起，消除間隙，而仍允許由於熱膨脹的一些滑動。
晶圓暴露於電漿中產生的活性物種通常藉由允許電漿流經孔陣列而實現。孔的尺寸決定到達晶圓表面的活性物種的相對豐度。「跑熱」的孔（例如提供超過相鄰孔的帶電粒子通量的孔）可能導致處理中的不均勻性，並可能導致處理中引起的對晶圓的損害。
晶圓表面可具有與阻隔板350的前表面的任何合適的距離。在一些實施例中，阻隔板350的前表面與晶圓表面之間的距離在約2 mm至約16 mm的範圍內，或在約4 mm至約15 mm的範圍內，或在約6 mm至約14 mm的範圍內，或在約8 mm至約13 mm的範圍內，或在約10 mm至約13 mm的範圍內，或為約12 mm。
參照第6圖到第14圖，本發明的一或更多個實施例係關於模組化電容耦合電漿源300。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「模組化」意指電漿源300可附接到處理腔室或從處理腔室移除。模組化源一般可藉由單一個人移動、移除、或附接。
電漿源300包括具有阻隔板350與氣體容積313的殼體310。阻隔板350電接地，並結合熱電極320而在間隙316中形成電漿。阻隔板350具有細長槽355延伸透過的厚度，以允許電漿在間隙316中點火，以從間隙316穿過細長槽355而進入阻隔板350的相對側上的處理區域314。阻隔板350的厚度可以是任何合適的厚度；例如，在約0.5 mm至約10 mm的範圍內。間隙316可取決於例如熱電極320的大小或寬度而為任何合適的大小。在一些實施例中，間隙316係在約3 mm至約25 mm的範圍內。在一或更多個實施例中，間隙316係在約4 mm至約20 mm的範圍內，或在約5 mm至約15 mm的範圍內，或在約6 mm至約10 mm的範圍內，或在約8 mm至約9 mm的範圍內，或為約8.5 mm。
殼體310可以是圓形、方形、或細長形，而這意指在觀看阻隔板350的面時有長軸與短軸。舉例而言，具有二個長側與二個短側的矩形將建立具有延伸於長側之間的細長軸的細長形狀。在一些實施例中，殼體310係為具有二個長側、短端、及長端的楔形。短端可以是一個點，而短端與長端的任一者或二者可以是直的或彎曲的。
阻隔板350係與殼體310電連通。如第7圖的視圖所示，一些實施例的阻隔板350具有定義場域356的內周邊緣351、外周邊緣352、第一側353、及第二側354。細長槽355係位於場域356內，並延伸透過阻隔板350的厚度357。細長槽355具有長度L與寬度W。槽可以是線性、彎曲、楔形、或橢圓形。如此處所使用，線性槽具有細長邊緣，而彼此由不變化超過5％的相對於邊緣之間的平均距離的距離間隔開。若槽具有彎曲端，則槽的邊緣之間的距離係依據槽長度中間的90％而決定。
細長槽355的大小與形狀可隨著例如阻隔板350及/或殼體310的大小與形狀而變化。槽的寬度與長度可影響電漿密度的均勻性。在一些實施例中，細長槽355的寬度W在約2 mm至約20 mm的範圍內，或在約3 mm至約16 mm的範圍內，或在約4mm至約12mm的範圍內。發明者意外發現，細長槽的相鄰側的電漿密度大於槽的中央部分的電漿密度。減少槽的寬度可增加電漿密度。發明者亦意外發現，槽寬度的減少與電漿密度的增加係為非線性關係。
一些實施例的細長槽355的長度L係在阻隔板350的內周邊緣351與外周邊緣352之間的距離的約20％至約95％的範圍內。在一些實施例中，細長槽355的長度L大於阻隔板350的內周邊緣351與外周邊緣352之間的距離的約30％、40％、50％、60％、70％、或80％。
阻隔板350可取決於例如殼體310的形狀與基板相對於阻隔板350行進的路徑，而為任何合適的形狀。如第8圖所示，在一些實施例中，阻隔板350係為楔形，而內周邊緣351較外周邊緣352具有較窄的寬度。如第8圖所示，在一些實施例中，細長槽355基本上平行於阻隔板350的第一側353或第二側354中之一者，此處圖示為平行於第一側353。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，此處所使用之術語「基本上平行」意指最靠近所述側的細長槽355的邊緣離所述側的距離保持變化不超過相對於槽與側之間的平均距離的約20％、15％、10％、或5％。因為阻隔板350為楔形而細長槽355為矩形，所以槽在幾何上無法有一個以上的側為平行。
在一些實施例中，細長槽355的長度L基本上平行於阻隔板350的第一側353及/或第二側354中之至少一者。第9圖的實施例圖示沿著楔形阻隔板350的場域356的中心軸357為中心的楔形槽355。在此實施例中，細長槽355的二個側基本上平行於第一側353或第二側354。此實施例的楔形槽355在靠近場域356的內周邊緣351較靠近場域356的外周邊緣352具有更窄的寬度。
在一些實施例中，細長槽的任一側皆不平行於阻隔板的第一側或第二側。舉例而言，具有矩形細長槽的矩形阻隔板350可具有基本上平行於阻隔板的第一側與第二側的細長槽的二個側。類似地，若矩形槽從阻隔板的寬度的中心線偏斜，則細長槽不會平行於阻隔板的任一側。
細長槽355的數目可以變化。在一些實施例中，具有場域356中的第一細長槽355與場域356中的第二細長槽365。在第10圖所示的實施例中，阻隔板350具有場域356，包括第一細長槽355、第二細長槽365、及第三細長槽375。細長槽355、365、375中之每一者係為楔形，但可以是楔形或矩形。
第11圖圖示另一實施例，其中場域356具有第一細長槽355與第二細長槽365。這些細長槽皆為矩形，且每一者基本上平行於阻隔板的不同側。如此處所使用，「矩形」意指大致矩形的形狀，並允許端部為圓形，而導致沒有直角。第一細長槽355可以基本上平行於第一側353或第二側354中之一者，而第二細長槽365可以基本上平行於阻隔板350的第一側353與第二側354的另一者。在所示實施例中，第一細長槽255基本上平行於第一側353，而第二細長槽365基本上平行於第二側354。
當多個細長槽係包括在阻隔板350中時，每一槽的長度可以相同，或不同於其他槽的長度。第10圖的實施例具有大致相等長度的三個細長槽，而第11圖圖示第一槽較第二槽更長。在一些實施例中，若與第一細長槽長度不同，則第二細長槽的長度在第一細長槽的約20％至約80％的範圍內。
第12圖圖示具有三個細長槽的阻隔板350的另一實施例。此處，第一細長槽355、第二細長槽365、及第三細長槽375之每一者具有不同長度。在一些實施例中，第一細長槽355基本上平行並鄰近於阻隔板350的第一側353。第二細長槽365基本上平行並鄰近於阻隔板350的第二側354。第二細長槽365的長度在第一細長槽355的長度的約20％到約80％的範圍內。第三細長槽375係在第一細長槽355與第二細長槽365之間，並具有第二細長槽365的長度的約20％至約80％的範圍內。第三細長槽375係圖示為基本平行於第二側354，但可以不同地定向。
已觀察到線性槽在內周邊緣中提供更均勻的電漿密度到外周邊緣方向，而基板的旋轉導致靠近外邊緣的短暴露。已發現楔形槽增加靠近外邊緣的暴露時間，但可以沿著長度具有更多變化的電漿密度。多個線性槽可用於增加靠近外邊緣的電漿暴露，但較短槽開始處可能具有顯著增加的電漿密度。線性槽的優點係為需要時可使用額外的槽，以增加電漿暴露。
混合線性與楔形槽可改善電漿密度與均勻性。在一些實施例中，第一槽為線性，而第二槽係為較短的倒楔形。如此處所使用，倒楔形意指著槽的內端較槽的外端更寬。不受限於理論，而理解因為倒楔形的邊緣將在此位置進一步彼此遠離，第二槽的開始處的電漿密度的增加將小於使用線性槽。
阻隔板350可基本上平行於基座組件140的頂面141，或者可以傾斜。第13圖圖示一實施例，其中阻隔板350的內週端351相對於基座組件140的頂面141高於阻隔板350的外週端352。當阻隔板350係定位為鄰近基板60時，內週端351較外週端352離基板60更遠。不受限於理論，而理解相對於晶圓表面傾斜阻隔板350以隨著離表面的距離而改變晶圓上方的電漿密度。相較於靠近內邊緣，更多靠近外邊緣的離子可撞擊晶圓，並可用於均衡從內邊緣到外邊緣的電漿暴露。
參照第14圖，在一些實施例中，細長槽355襯有介電材料386。不受限於理論，應理解襯有介電質的槽藉由保護槽周圍的金屬免於直接暴露於電漿，而改善金屬污染。此舉可以有助於防止或最小化金屬阻隔板350來自槽355的邊緣的濺射，並減少金屬污染。介電材料386係認為是減少鄰近於阻隔板的前表面上的電漿強度/密度。介電材料可以是任何與處理化學兼容的合適的介電或低濺射材料。
返回參照第6圖，電漿源300包括RF熱電極320。此電極320亦稱為「熱電極」、「RF熱」、及類似者。細長RF熱電極320具有前面321、背面322、及細長側323。熱電極320亦包括定義細長軸的第一端324與第二端325。細長RF熱電極320從阻隔板350間隔開，而使得間隙316在熱電極320的前表面321與阻隔板350之間形成。細長RF熱電極320可由任何合適的導電材料製成，包括但不限於鋁。
一些實施例包括與RF熱電極320的第一端324與第二端325的一或更多者接觸的端部介電質330。端部介電質330係位於RF熱電極320與電漿源300的側壁311之間，以電隔離熱電極320與電接地。在一或更多個實施例中，端部介電質330係與熱電極320的第一端324與第二端325二者接觸。端部介電質330可由任何合適的介電材料製成，包括但不限於陶瓷。圖中所示的端部介電質330係為L形，但可使用任何合適的形狀。
滑動接地連接340可位於RF熱電極320的第一端324與第二端325中的一或更多者或是側邊。滑動接地連接340係位於端部介電質330離熱電極320的相對側。滑動接地連接340係藉由端部介電質330隔離與RF熱電極320直接接觸。滑動接地連接340與端部介電質330合作以維持氣密密封，並允許熱電極320膨脹而不會讓環繞電極的側邊的氣體洩漏。滑動接地連接340係為導電材料，並可由任何合適的材料製成，包括但不限於鋁。滑動接地連接340提供到端部介電質330的側邊的接地終端，以確保不存在電場，並最小化在端部介電質330的側邊的雜散電漿的機會。
密封箔342可位於滑動接地連接340離端部介電質330的相對側。隨著滑動接地連接340在阻隔板350上滑動，密封箔342形成殼體310的阻隔板350與滑動接地連接340之間的電連接。密封箔342可由任何合適的導電材料製成，包括但不限於鋁。密封箔342可以是任何能夠隨著熱電極320的膨脹與收縮移動的薄柔性材料，而維持前表面與滑動接地連接之間的電連接。
夾緊面與螺帽344可位於熱電極320、端部介電質330、滑動接地連接340、及密封箔342的組合的端部。取決於電漿源的大小與形狀，可在組合的任何側邊發現其他夾緊面與螺帽，並可沿著組合的每一側邊發現多個。夾緊面與螺帽提供向內的直接壓力至部件的組合，以形成緊密的密封，並防止可能導致在熱電極320之後取得電漿氣體的端部介電質330與滑動接地連接340的分離。夾緊面與螺帽344可由任何合適的材料製成，包括但不限於鋁與不銹鋼。
在一些實施例中，介電間隔物370係位於鄰近細長RF熱電極320的背面322。介電間隔物370可由任何合適的介電材料製成，包括但不限於陶瓷材料。介電間隔物370提供RF熱電極320與殼體310的頂部之間的非導電分離器。沒有此非導電分離器，由於RF熱電極320與殼體310之間的電容耦合，而存在會在氣體容積313中形成電漿的機會。
介電間隔物370可為任何合適的厚度，並由任意數量的獨立層構成。在第6圖所示的實施例中，介電間隔物370係由一個層構成，但可使用多個層以構成介電間隔物370的總厚度。獨立子層的每一者可為相同厚度，或每一者可具有獨立的經決定厚度。
在一些實施例中，電介間隔物370上方係為接地板380，接地板380係位於殼體310內，並位於介電間隔物370離RF熱電極320的相對側。接地板380係由可連接到電接地的任何合適的導電材料構成，包括但不限於鋁。此接地板380進一步隔離RF熱電極320與氣體容積313，以防止在氣體容積313或在意欲形成電漿的間隙316之外的區域形成電漿。
儘管圖式展示接地板380係為與介電間隔物370大約相同的厚度，或為獨立介電間隔物的總和，而這僅為一個可能的實施例。取決於電漿源的具體配置，接地板380的厚度可以是任何合適的厚度。依據例如薄到足以讓氣體孔的鑽探更容易，但厚到足以承受所述各種彈簧的力量，以選擇在一些實施例中的接地板的厚度。此外，可調諧接地板380的厚度，以確保通常為焊接連接的同軸饋送可以適當地附接。
本發明的一些實施例包括複數個壓縮元件382。壓縮元件382在RF熱電極320的方向上將力導向接地板380的背面381。壓縮力造成接地板380、介電間隔物370、及RF熱電極320壓在一起，以最小化或消除每一鄰近部件之間的任何間隔。壓縮力有助於防止氣體流入可能成為雜散電漿的RF熱電極的空間。合適的壓縮元件382係為那些可調整或調諧以提供特定力到接地板380的背面381者，包括但不限於彈簧與螺絲。
同軸RF饋送線360穿過細長殼體310，並提供用於RF熱電極320的功率，以在間隙316中產生電漿。同軸RF饋送線360包括外導體362與內導體364，並藉由隔離器366分離。外導體362係與電接地電流通，而內導體364係與細長RF熱電極320電連通。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「電連通」意指部件直接連接或透過中間部件連接，而其中存在小電阻。
可建構同軸RF饋送，而使得外導體終止於接地板上。內導體可終止於RF熱電極上。若饋送在大氣壓力下，則O型環可位於饋送結構的底部，而讓源內部能夠為中等壓力。在一些實施例中，將氣體饋送到同軸饋送的外週周圍的源。
為了讓氣體達到電漿容量，可對接地板、厚陶瓷、及RF熱電極穿孔，而使其具有通孔。孔之大小可能小到足以防止孔內部之點火。對於接地板與RF熱電極，一些實施例之孔直徑係為＜1 mm，例如，約0.5 mm。介電質內部的高電場可以有助於消除或最小化孔中的雜散電漿的機會。
RF饋送可以是同軸傳輸線的形式。外導體連接到接地板或終止於接地板中，而內導體連接到RF熱電極或終止於RF熱電極中。接地板可藉由任何合適的方法連接到金屬外殼或殼體，包括但不限於金屬墊圈。此舉有助於確保返回電流的對稱幾何形狀。所有返回電流流經饋送的外導體，以最小化RF雜訊。
在一些實施例中，RF饋送係設計成向熱板提供對稱RF饋送電流以及對稱返回電流。所有返回電流流經外導體，最小化RF雜訊，並最小化源安裝對操作的影響。
本發明的附加實施例係關於包含在鄰近於電漿源組件的阻隔板的處理腔室中定位基板的方法。阻隔板係為任何本文所述的各種實施例。隨後，在電漿源中產生電漿，並允許透過阻隔板的槽而流向基板。
實例
分析使用具有各種寬度的槽的阻隔板的電漿組件的離子通量均勻性。第15圖與第16圖圖示槽寬度與電漿的離子通量的曲線圖。200 W與13.5 MHz的氬電漿係用於這些研究。分析具有槽寬度為19 mm、10 mm、6 mm、4 mm、3.5 mm、3 mm、2.5 mm、2 mm的阻隔板。發現對於寬槽而言，槽的邊緣附近的電漿密度係為峰值。在較大的槽寬度，如第15圖所見，在離子通量中觀察到二個峰值。隨著槽寬度減少，電漿密度增加為槽開口附近的電漿峰值的合併，如第15圖的2mm的槽可見。如第16圖所示，進一步研究指示當槽具有約3 mm的寬度時，離子通量從二個峰值轉換成單一峰值。
本發明的一些實施例係關於包含沿著處理腔室中的弧形路徑定位的至少一個電容耦合楔形電漿源100的處理腔室。如在此說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「弧形路徑」意指行進圓形或橢圓形路徑的至少一部分的任何路徑。弧形路徑可包括在基板沿著至少約5°、10°、15°、20°的路徑的一部分。
本發明的附加實施例係關於處理複數個基板的方法。將複數個基板裝載到處理腔室中的基板支撐。旋轉基板支撐，以透過跨氣體分配組件的複數個基板中之每一者，以在基板上沉積膜。旋轉基板支撐，以將基板移動到鄰近於電容耦合餅形電漿源的電漿區域，以在電漿區域中產生基本上均勻的電漿。重複此舉，直到形成預定厚度的膜。
旋轉料架之旋轉可係連續的或非連續的。在連續處理中，晶圓持續旋轉，而使得晶圓輪流暴露至噴射器之每一者。在非連續處理中，可將晶圓移動至噴射器區域並停止，而接著到噴射器之間的區域並停止。舉例而言，旋轉料架可旋轉而使得晶圓從噴射器間區域移動而橫跨噴射器（或相鄰於噴射器而停止），且接著繼續到旋轉料架可再次暫停的下一個噴射器間區域。噴射器之間的暫停可提供在每一層沉積之間的額外處理（例如，對電漿之暴露）的時間。
可取決於所使用的特定活性物種而調諧電漿之頻率。合適的頻率包括但不限於400 kHz、2 MHz、13.56 Mhz、27 MHz、40 MHz、60 MHz、及100 MHz。
根據一或更多個實施例，基板在形成層之前及/或之後經受處理。此處理可在相同腔室中執行，或在一或更多個分離的處理腔室中執行。在一些實施例中，將基板從第一腔室移動至分離的第二腔室，以用於進一步處理。基板可從第一腔室直接移動至分離的處理腔室，或基板可從第一腔室移動至一或更多個轉移腔室，而接著移動到分離的處理腔室。因此，處理設備可包含與轉移站連通的多個腔室。此種類的設備可指稱為「群集工具」或「群集系統」及類似者。
一般而言，群集工具係為模組化系統，該模組化系統包含執行多種功能的多個腔室，該等功能包括基板之中心找尋及定向、除氣、退火、沉積及/或蝕刻。根據一或更多個實施例，群集工具至少包括第一腔室與中央轉移腔室。中央轉移腔室可容納機器人，該機器人可在處理腔室及裝載閘腔室之間梭運基板。轉移腔室通常維持在真空條件下，並提供中繼階段，該中繼階段用於從一個腔室梭運基板至位於群集工具之前端的另一腔室及/或裝載閘腔室。可調配用於本發明的二個已知群集工具係為Centura®及Endura®，二者均可得自Applied Materials, Inc., of Santa Clara, Calif。然而，腔室之組合及確切配置可經修改以用於執行如本文中所描述之處理的特定步驟。其他可使用的處理腔室包括但不限於循環層沉積（CLD）、原子層沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、蝕刻、預清洗、化學清洗、熱加工（如RTP）、電漿氮化、除氣、定向、羥基化反應、及其他基板處理。藉由在群集工具上實現在腔室中的處理，可在沉積後續膜之前，在無氧化下防止具大氣雜質之基板的表面汙染。
根據一或更多個實施例，基板係連續地在真空下或「裝載閘」條件下，且在從一個腔室移動到下一腔室時不暴露至周圍空氣。因此，轉移腔室係在真空下，且在真空壓力下為「泵降」。惰性氣體可存在於處理腔室或轉移腔室中。在一些實施例中，惰性氣體係作為淨化氣體，用以在形成基板之表面上的層之後移除一些或全部的反應物。根據一或更多個實施例，將淨化氣體噴射於沉積腔室之出口處，用以避免反應物從沉積腔室移動至轉移腔室及/或額外的處理腔室。因此，惰性氣體之流動在腔室的出口處形成簾幕。
在處理期間，基板可經加熱或冷卻。此類加熱或冷卻可藉由任何合適的手段達成，包括但不限於改變基板支撐（例如，基座）的溫度、及將經加熱或經冷卻的氣體流至基板表面。在一些實施例中，基板支撐包括加熱器/冷卻器，該加熱器/冷卻器可經控制用以利用傳導方式改變基板溫度。在一或更多個實施例中，所採用氣體（活性氣體或惰性氣體）經加熱或冷卻以局部改變基板溫度。在一些實施例中，加熱器/冷卻器係位於鄰近於基板表面的腔室內，以利用傳導方式改變基板溫度。
基板在處理期間亦可靜止或旋轉。旋轉的基板可連續地或以離散步進方式旋轉。舉例而言，基板可在整個處理過程中旋轉，或基板可在對不同活性或淨化氣體之暴露之間小量旋轉。在處理期間旋轉基板（連續或步進式)可以有助於藉由最小化例如氣流幾何的局部可變性的效應，而產生更均勻的沉積或蝕刻。
儘管前述係關於本發明之實施例，本發明之其他及進一步實施例可在不脫離本發明之基本範疇的情況下擬出，且本發明之範疇係由下列申請專利範圍所決定。
17‧‧‧旋轉
30‧‧‧噴射器組件
60‧‧‧基板
61‧‧‧頂表面
84‧‧‧區域
100‧‧‧處理腔室
120‧‧‧氣體分配組件
121‧‧‧前表面
122‧‧‧噴射器單元
123‧‧‧內周邊緣
124‧‧‧外周邊緣
125‧‧‧第一活性氣體埠
127‧‧‧路徑
135‧‧‧第二活性氣體埠
140‧‧‧基座組件
141‧‧‧頂表面
142‧‧‧凹槽
143‧‧‧底表面
144‧‧‧邊緣
145‧‧‧真空埠
150‧‧‧氣體簾幕
155‧‧‧淨化氣體埠
160‧‧‧支撐柱
162‧‧‧微調諧致動器
170‧‧‧間隙
180‧‧‧裝載閘腔室
250‧‧‧處理區域
250a‧‧‧處理區域
250b‧‧‧處理區域
250c‧‧‧處理區域
250d‧‧‧處理區域
250e‧‧‧處理區域
250f‧‧‧處理區域
250g‧‧‧處理區域
250h‧‧‧處理區域
280‧‧‧工廠介面
300‧‧‧電漿源
310‧‧‧殼體
313‧‧‧氣體容積
314‧‧‧處理區域
316‧‧‧間隙
320‧‧‧熱電極
321‧‧‧前面
322‧‧‧背面
323‧‧‧細長側
324‧‧‧第一端
325‧‧‧第二端
330‧‧‧端部介電質
340‧‧‧滑動接地連接
344‧‧‧夾緊面與螺帽
350‧‧‧阻隔板
351‧‧‧內周邊緣
352‧‧‧外周邊緣
353‧‧‧第一側
354‧‧‧第二側
355‧‧‧細長槽
356‧‧‧場域
357‧‧‧厚度
360‧‧‧同軸RF饋送線
362‧‧‧外導體
364‧‧‧內導體
365‧‧‧細長槽
366‧‧‧隔離器
370‧‧‧介電間隔物
375‧‧‧細長槽
380‧‧‧接地板
381‧‧‧背面
382‧‧‧壓縮元件
386‧‧‧介電材料
為使本發明之實施例的以上所述特徵可詳細地被理解，本發明的實施例（簡短概要如上）之較具體的描述可參照實施例而得，該等實施例之一些係繪示於隨附圖式中。然而，應注意隨附圖式僅圖示本發明之典型實施例，而非視為限定本發明的保護範疇，本發明可接納其他等效實施例。
第1圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的基板處理系統之示意剖面圖；
第2圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的基板處理系統之透視圖；
第3圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的基板處理系統之示意圖；
第4圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的氣體分配組件的前方之示意圖；
第5圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的處理腔室之示意圖；
第6圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的電漿源組件之示意剖面圖；
第7圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的阻隔板之透視圖；
第8圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的阻隔板之示意前視圖；
第9圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的阻隔板之示意前視圖；
第10圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的阻隔板之示意前視圖；
第11圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的阻隔板之示意前視圖；
第12圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的阻隔板之示意前視圖；
第13圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的具有傾斜阻隔板的電漿源組件之示意剖面圖；
第14圖圖示根據本發明之一或更多個實施例的阻隔板之示意剖視圖；
第15圖圖示槽寬度與電漿的離子通量的曲線圖；以及
第16圖圖示槽寬度與電漿的離子通量的曲線圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無
300‧‧‧電漿源
310‧‧‧殼體
313‧‧‧氣體容積
314‧‧‧處理區域
316‧‧‧間隙
320‧‧‧熱電極
321‧‧‧前面
322‧‧‧背面
323‧‧‧細長側
324‧‧‧第一端
325‧‧‧第二端
330‧‧‧端部介電質
340‧‧‧滑動接地連接
344‧‧‧夾緊面與螺帽
350‧‧‧阻隔板
351‧‧‧內周邊緣
355‧‧‧細長槽
360‧‧‧同軸RF饋送線
362‧‧‧外導體
364‧‧‧內導體
366‧‧‧隔離器
370‧‧‧介電間隔物
380‧‧‧接地板
381‧‧‧背面
382‧‧‧壓縮元件

Claims (20)

  1. 一種電漿源組件，包含： 一殼體； 一阻隔板，該阻隔板係與該殼體電連通，該阻隔板具有定義一場域的一內周邊緣、一外周邊緣、一第一側、及一第二側，一細長槽係在該場域中，並延伸透過該阻隔板，該細長槽具有一長度與一寬度；以及 一RF熱電極，該RF熱電極在該殼體中，該RF熱電極具有一前面與一背面、一內週端、及一外週端，該RF熱電極的該前面係從該阻隔板隔開，以定義一間隙。
  2. 如請求項1所述之電漿源組件，其中該細長槽的該長度基本上平行於該阻隔板的該第一側及/或該第二側中之至少一者。
  3. 如請求項1所述之電漿源組件，其中該細長槽具有約2 mm到約20 mm的範圍中的一寬度。
  4. 如請求項1所述之電漿源組件，其中該細長槽的該長度係在該內周邊緣與該外周邊緣之間的一距離的約50%到約95%的範圍中。
  5. 如請求項1所述之電漿源組件，其中該阻隔板係為楔形，而在該內周邊緣較該外周邊緣具有一較窄的寬度。
  6. 如請求項5所述之電漿源組件，其中該細長槽平行於該阻隔板的該第一側或該第二側中之一者。
  7. 如請求項5所述之電漿源組件，其中該細長槽係沿著該場域的一中心軸為中心。
  8. 如請求項7所述之電漿源組件，其中該細長槽係為楔形，而在接近該場域的該內周邊緣較該場域的該外周邊緣具有一較窄的寬度。
  9. 如請求項5所述之電漿源組件，其中在該場域中具有一第一細長槽，而在該場域中具有一第二細長槽。
  10. 如請求項9所述之電漿源組件，其中該第一細長槽基本上平行於該阻隔板的該第一側或該第二側中之一者，而該第二細長槽基本上平行於該第一側與該第二側中之另一者。
  11. 如請求項9所述之電漿源組件，其中該第一細長槽具有與該第二細長槽不同的一長度。
  12. 如請求項11所述之電漿源組件，其中該第一細長槽基本上平行於該阻隔板的該第一側，而該第二細長槽具有較該第一細長槽的一更短長度，並基本上平行於該阻隔板的該第二側。
  13. 如請求項5所述之電漿源組件，其中在該場域中具有一第一細長槽，在該場域中具有一第二細長槽，並在該場域中具有一第三細長槽。
  14. 如請求項13所述之電漿源組件，其中該第一細長槽、該第二細長槽、及該第三細長槽中之每一者具有不同長度。
  15. 如請求項14所述之電漿源組件，其中該第一細長槽基本上平行並鄰近於該阻隔板的該第一側，該第二細長槽基本上平行並鄰近於該阻隔板的該第二側，並具有約50％到約80％的該第一細長槽的一長度的範圍中的一長度，該第三細長槽係在該第一細長槽與該第二細長槽之間，並具有約50％到約80％的該第二細長槽的該長度的範圍中的一長度。
  16. 如請求項5所述之電漿源組件，其中該阻隔板的該內週端高於該阻隔板的該外週端，而使得在位於鄰近一基板時，該內週端較該外週端離該基板更遠。
  17. 如請求項5所述之電漿源組件，其中該細長槽襯有一介電材料。
  18. 如請求項5所述之電漿源組件，進一步包含： 一端部介電質，該端部介電質與該RF熱電極的該內週端與該外週端之每一者接觸，並在該RF熱電極與該殼體的一側壁之間； 一滑動接地連接，該滑動接地連接位於該RF熱電極相對於該端部介電質的該內週端與該外週中的一或更多者，該滑動接地連接藉由該端部介電質而隔離與該RF熱電極的直接接觸； 一密封箔，該密封箔位於每一滑動接地連接離該端部介電質的相對處，該密封箔形成該細長殼體的該前面與該滑動接地連接之間的一電連接； 一介電間隔物，該介電間隔物在該殼體中，並位於鄰近該RF熱電極的該背面； 一接地板，該接地板在該殼體中，並位於該介電間隔物離該RF熱電極的一相對側，該接地板連接至電接地； 一同軸RF饋送線，該同軸RF饋送線穿過該細長殼體，該同軸RF饋送線包括一外導體與一內導體，並藉由一隔離器分離，該外導體係與電接地流通，而該內導體364與該RF熱電極電連通；以及 複數個壓縮元件，在該介電間隔物的方向上提供壓縮力到該接地板， 其中該殼體與該RF熱電極、該介電間隔物、及該接地板中之每一者係為楔形，並具有一內周邊緣、一外周邊緣、及二個細長側，該第一端定義該內周邊緣，而該第二端定義該殼體的該外周邊緣。
  19. 一種電漿源組件，包含： 一楔形殼體，具有一內週端、一外週、一第一側、及一第二側； 一楔形阻隔板，與該殼體電連通，該阻隔板具有定義一場域的一內周邊緣、一外周邊緣、一第一側、及一第二側，該場域包含基本上平行於該阻隔板的該第一側的一第一細長槽、延伸透過該阻隔板而基本上平行於該阻隔板的該第二側的一第二細長槽、及該第一細長槽與該第二細長槽之間的一第三細長槽，該第三細長槽具有約20％至約80％的該第二細長槽的一長度的範圍的一長度，而該第二細長槽具有約20％至約80％的該第一細長槽的一長度的範圍的一長度；以及 一楔形RF熱電極，該楔形RF熱電極在該殼體中，該RF熱電極具有一前面與一背面、一內週端、及一外週端，該RF熱電極的該前面係從該阻隔板隔開，以定義一間隙。
  20. 一種處理腔室，包含： 一基座組件，該基座組件在該處理腔室中，該基座組件具有一頂表面，以支撐並圍繞一中心軸旋轉複數個基板；以及 一氣體分配組件，具有面向該基座組件的該頂表面的一前表面，以引導氣體流向該基座組件的該頂表面，該氣體分配組件包括一電漿源組件，該電漿源組件包含： 一楔形殼體，具有一內週端、一外週、一第一側、及一第二側； 一楔形阻隔板，與該殼體電連通，該阻隔板具有定義一場域的一內周邊緣、一外周邊緣、一第一側、及一第二側，該場域包含基本上平行於該阻隔板的該第一側的一第一細長槽、延伸透過該阻隔板而基本上平行於該阻隔板的該第二側的一第二細長槽、及該第一細長槽與該第二細長槽之間的一第三細長槽，該第三細長槽具有約20％至約80％的該第二細長槽的一長度的範圍的一長度，而該第二細長槽具有約20％至約80％的該第一細長槽的一長度的範圍的一長度，以及 一楔形RF熱電極，該楔形RF熱電極係在該殼體中，該RF熱電極具有一前面與一背面、一內週端、及一外週端，該RF熱電極的該前面係從該阻隔板隔開，以定義一間隙， 其中該阻隔板的該內週端比該阻隔板的該外週端更進一步從該基座組件的該頂表面隔開。
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