TW201711224A - 發光二極體及其製造方法 - Google Patents

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郭祐禎
蘭彥廷
康凱舜
呂飛龍
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Abstract

一種發光二極體晶片，包括半導體元件層、第一電極以及第二電極。半導體元件層包括第一型摻雜半導體層、第二型摻雜半導體層以及量子井層。半導體元件層中形成有凹陷部。凹陷部分隔第二型摻雜半導體層、量子井層以及部分第一型摻雜半導體層而在半導體元件層上定義出第一區域以及第二區域。第一電極位於第一區域內，並與至少部分第一型摻雜半導體層及至少部分第二型摻雜半導體層電性連接。第二電極位於第二區域內，並與第二型摻雜半導體層電性連接。

Description

發光二極體及其製造方法
本發明是有關於一種發光元件，且特別是有關於一種發光二極體(Light Emitting Diode，LED)晶片及其製造方法。
隨著半導體科技的進步，現今的發光二極體已具備了高亮度與高演色性等特性，加上發光二極體具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點，發光二極體已廣泛地應用在顯示器與照明等領域。
然而，對於現階段發光二極體的發展來說，如何提升發光二極體的發光效率係為在發光二極體的領域中最受矚目的議題之一。總的來說，發光二極體的發光效率與電流在發光二極體表面之分佈均勻度有關。具體而言，當要操作習知的發光二極體時，會在兩電極上提供驅動電壓，以驅動電子與電洞在兩電極之間流動，並在量子井層內進行複合以放出光子。由於外部輸入的電流（或電子流）會沿著電阻最小的路徑行進至量子井層，而電流（或電子流）的電阻與電極的位置有關。舉例來說，電流（或電子流）會從最靠近量子井層的部分電極，並行進至最靠近對應電極的部分的量子井層。由於上述特性，造成發光二極體表面的電流難以達到均勻分布，而使發光區域不均勻的現象，進一步使發光二極體的整體發光效率不佳。因此，如何解決上述問題，實為目前研發人員研發的重點之一。
本發明提供一種發光二極體晶片，其具有較高的發光效率。
本發明的發光二極體晶片包括半導體元件層、第一電極、第二電極以及基板。半導體元件層包括第一型摻雜半導體層、量子井層以及第二型摻雜半導體層，其中量子井層位於第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。第一電極與第一型摻雜半導體層電性連接，其中第一電極包括焊部以及從焊部延伸的支部。第二電極與第二型摻雜半導體層電性連接。半導體元件層、第一電極以及第二電極配置於基板的同一側。焊部與基板的接面或焊部與第一型摻雜半導體層之間形成非歐姆接觸。
在本發明的一實施例中，上述的基板更包括半導體層與基材。半導體層的摻雜濃度落在1015 /立方公分至5x1017 /立方公分的範圍內。半導體層位於第一型摻雜半導體層與基材之間，其中焊部配置於半導體層上，且焊部與半導體層的接面形成非歐姆接觸。
本發明的一實施例中，上述的第一型摻雜半導體層更包括至少一開口，至少一開口暴露出部分半導體層，其中焊部配置於至少一開口內並配置於半導體層上。
本發明的一實施例中，上述的至少一開口為一開口，開口位於第二電極往第一電極的方向上，且部分支部配置於開口內並配置於半導體層上，其中部分支部與半導體層的接面形成非歐姆接觸。
本發明的一實施例中，上述的至少一開口為一開口，且開口位於第二電極往第一電極的方向上，而支部配置於第一型摻雜半導體層上。
本發明的一實施例中，上述的至少一開口為多個開口，這些開口的其中之一位於第二電極往第一電極的方向上，其他的這些開口則沿著支部的延伸方向排列，支部配置於沿著支部的延伸方向上排列的其他這些開口內並配置於半導體層上，其中支部與半導體層的接面形成非歐姆接觸。
本發明的一實施例中，上述的半導體層的材料為氮化鋁鎵。
本發明的一實施例中，上述的第一型摻雜半導體層的摻雜濃度落在1017 /立方公分至1019 /立方公分範圍內。
本發明的一實施例中，上述的基板包括基材，其中焊部以及部分支部配置於基材上，且焊部與基材的接面以及部分支部與基材的接面形成非歐姆接觸。
本發明的一實施例中，上述的第一型摻雜半導體層更包括一開口，開口暴露出部分基材，開口位於第二電極往第一電極的方向上，其中焊部與部分支部配置於開口內。
本發明的一實施例中，上述的基材的材料包括絕緣材料。
本發明的一實施例中，上述的量子井層配置於第一型摻雜半導體層上，以暴露出部分第一型摻雜半導體層，且焊部與支部配置於量子井層所暴露出的部分第一型摻雜半導體層上。
本發明的一實施例中，上述的發光二極體晶片更包括至少一電流阻障層，至少一電流阻障層配置於焊部與第一型摻雜半導體層之間，其中焊部與至少一電流阻障層的接面形成非歐姆接觸。
本發明的一實施例中，上述的至少一電流阻障層為一電流阻障層。
本發明的一實施例中，上述的焊部包覆電流阻障層，且部分焊部與第一型摻雜半導體層接觸。
本發明的一實施例中，上述的焊部使部分電流阻障層暴露。
本發明的一實施例中，上述的至少一電流阻障層為多個電流阻障層，這些電流阻障層的其中之一配置於焊部與第一型摻雜半導體層之間，其他的這些電流阻障層則沿著支部的延伸方向排列，支部配置於各電流阻障層上，其中支部與各電流阻障層的接面形成非歐姆接觸。
本發明的一實施例中，上述的第一電極的材料包括金或鋁，且電流阻障層的材料包括鎳、鋁、鉑、金或其組合。
本發明的一實施例中，上述的發光二極體晶片更包括電流阻擋層與電流分散層。電流阻擋層配置於第二型摻雜半導體層上，電流阻擋層包括主體以及從主體延伸的延伸部。電流分散層配置於第二型摻雜半導體層上以覆蓋電流阻擋層。
本發明的一實施例中，上述的半導體元件層、第一電極、電流阻擋層、電流分散層以及第二電極配置於基板的同一側。
本發明的一實施例中，上述的第二電極經由電流分散層與第二型摻雜半導體層電性連接。
本發明的發光二極體晶片包括上述所提到的發光二極體晶片以及絕緣層。絕緣層覆蓋部分第一型摻雜半導體層以及部分第二型摻雜半導體層，且絕緣層分別與第一電極之間與第二電極之間各具有一間距。
本發明的發光二極體晶片包括半導體元件層、第一電極以及第二電極。半導體元件層包括第一型摻雜半導體層、第二型摻雜半導體層以及量子井層。量子井層位於第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。半導體元件層中形成有凹陷部。凹陷部分隔第二型摻雜半導體層、量子井層以及部分第一型摻雜半導體層並暴露出第一型摻雜半導體層，而在半導體元件層上定義出第一區域以及第二區域。第一區域及第二區域分別包含部分第二型摻雜半導體層、部分量子井層以及部分第一型摻雜半導體層，並以第一型摻雜半導體層相互連接。第一電極位於第一區域內，並與至少部分第一型摻雜半導體層及至少部分第二型摻雜半導體層電性連接。第二電極位於第二區域內，並與第二型摻雜半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，在第一區域內，第一電極的焊部的面積小於第二型摻雜半導體層的面積。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極的支部覆蓋第二型摻雜半導體層的部分上表面、第二型摻雜半導體層的側面、量子井層的側面以及部分第一型摻雜半導體層的部分上表面。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體晶片更包括電流阻擋層以及電流分散層。電流阻擋層配置於第二型摻雜半導體層上。電流阻擋層括主體以及從主體延伸的延伸部。電流分散層配置於第二型摻雜半導體層上以覆蓋電流阻擋層。
在本發明的一實施例中，上述的電流阻擋層與電流分散層更包含第一開口。第一開口暴露出部分第二型摻雜半導體層。
在本發明的一實施例中，在第一區域內，第一型摻雜半導體層、量子井層以及第二型摻雜半導體層在剖面上的形狀為梯形。
在本發明的一實施例中，上述的發光二極體晶片更包括絕緣層。絕緣層覆蓋部分第一型摻雜半導體層、量子井層以及第二型摻雜半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣層分別具有第二開口、第三開口以及至少一第四開口。第二開口位於第二區域內且與第一開口連通。第三開口位於第一區域內且暴露出第一區域內的部分第二型摻雜半導體層，且至少一第四開口則沿著第一電極的支部的延伸方向排列。
在本發明的一實施例中，上述的第二電極設置於第二開口以及第一開口內。第一電極的焊部設置於第三開口內，且第一電極的支部覆蓋於部分的絕緣層且延伸於至少一第四開口內。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣層與第二電極之間具有間距。
本發明的發光二極體製造方法包括以下步驟：在基板上形成半導體元件層，半導體元件層依序包括第一型摻雜半導體層、量子井層以及第二型摻雜半導體層；圖案化半導體元件層，而在半導體元件層上定義出第一區域以及第二區域，其中第一區域及第二區域分別包含部分第二型摻雜半導體層、部分量子井層以及部分第一型摻雜半導體層，並以第一型摻雜半導體層相互連接；形成第一電極，電性連接第一區域中的第一型摻雜半導體層及第二型摻雜半導體層；以及形成第二電極，電性連接第一區域中的的第二型摻雜半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的第一電極包括焊部以及從該焊部延伸的支部，焊部形成於至少部分第二型摻雜半導體層上，支部形成於至少部分第一型摻雜半導體層上。
在本發明的一實施例中，在第二區域的第二型摻雜半導體層上形成相互堆疊的電流阻擋層及電流分散層，其中電流分散層電性連接第二電極及第二型摻雜半導體層。
在本發明的一實施例中，在電流阻擋層與電流分散層中形成第一開口，第一開口暴露出部分第二型摻雜半導體層。
在本發明的一實施例中，在半導體元件層上形成絕緣層，並在絕緣層中形成第二開口、第三開口以及至少一第四開口，其中第二電極通過第二開口而與第二型摻雜半導體層電性連接，第一電極的焊部透過第三開口與第二型摻雜半導體層電性連接，第一電極的支部透過第四開口與第一型摻雜半導體層電性連接。
基於上述，由於在本發明之實施例的發光二極體晶片中，第一電極的焊部與基板的接面或者是第一電極的焊部與第二型摻雜半導體層之間形成非歐姆接觸。因此，當發光二極體晶片操作時，由於形成非歐姆接觸的接面的電阻較大，外部驅動電源提供至發光二極體晶片的電流（或電子流）較不容易由形成非歐姆接觸的接面通過。因而可以使電流（或電子流）朝向遠離第一電極的焊部的支部流動，並且電流（或電子流）擴散後能在發光二極體晶片的表面分佈均勻，使發光二級體晶片的整體的發光效率提升。另外，本發明的實施例藉由在形成絕緣層以使電極（第一電極與第二電極）與絕緣層之間具有間隙，可以進一步地降低在發光二極體晶片表面漏電的現象，以提升發光二極體晶片的發光效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
第一實施例
圖1A是依照本發明的第一實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖1B是沿著切線A-A的本發明的第一實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。
請同時參照圖1A與圖1B，本實施例的發光二極體晶片100a包括一半導體元件層110、一第一電極120、一第二電極130以及一基板140。半導體元件層110包括一第一型摻雜半導體層112（例如是N型摻雜半導體層，N-GaN）、一量子井層114以及一第二型摻雜半導體層116（例如是P型摻雜半導體層，P-GaN），其中量子井層114位於第一型摻雜半導體層112與第二型摻雜半導體層116之間。第一電極120與第一型摻雜半導體層112電性連接。第一電極120（例如是N型電極）與第一型摻雜半導體層112電性連接，其中第一電極120包括一焊部122以及一從焊部122延伸的支部124，焊部122與支部124例如是一體成型。第二電極130（例如是P型電極）與第二型摻雜半導體層116電性連接。半導體元件層110、第一電極120、第二電極130配置於基板140的同一側。在本實施例中，焊部122與基板140的接面形成非歐姆接觸（Non-Ohmic Contact），舉例而言，非歐姆接觸例如是蕭特基（Schottky）接觸。
在本實施例中，發光二級體晶片100a更包括電流分散層150（Current Spreading Layer）與電流阻擋層160（Current Blocking Layer）。電流阻擋層160配置於第二型摻雜半導體層116上，且電流阻擋層160包括一主體162以及一從主體162延伸的延伸部164。另一方面，電流分散層150配置於第二型摻雜半導體層116上以覆蓋電流阻擋層160。此外，第二電極130更包括一焊部132以及從焊部132延伸的指部134，其中焊部132與指部134例如是一體成型。焊部132位於主體162上，而指部134位於延伸部164上，且指部134的部分區域未與延伸部164重疊。指部134的數量, 例如是兩個或兩個以上。進一步來說，第二電極130經由電流分散層160與第二型摻雜半導體層116電性連接。因此，本實施例的發光二極體晶片100a可藉由電流分散層150以及電流阻擋層160控制發光二極體晶片100a中電流聚集區域的位置，使來自第二電極130的電流均勻地進入量子井層114，進而提升發光二極體晶片100a的發光效率。
值得一提的是，在本實施例中，支部124的數量例如是兩個，且支部124延伸的方向為實質上平行於發光二極體晶片100a的邊緣方向。在其他的實施例中，支部124的數量也可以是兩個以上或兩個以下，而延伸的方向也可以是相對於發光二極體晶片100a的邊緣傾斜的方向，本發明不以此為限。
請再參照圖1B，由圖1B可看出，本實施例中的半導體元件層110、第一電極120、電流分散層150、電流阻擋層160 配置於基板140的同一側。
在本實施例中，第一電極120例如是與第一型摻雜半導體層112具有良好歐姆接觸的金屬材質，且第二電極130例如是與電流分散層150具有良好歐姆接觸的金屬材質。舉例而言，第一電極120的材質包括鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金（Au）或鋁（Al）等導電材料或是包含上述之任意二材質交互堆疊組成，而第二電極150的材質包括鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金（Au）或鋁（Al）等導電材料或是包含上述之任意二材質交互堆疊組成。另一方面，電流阻擋層130的材質例如是介電層，電流分散層150的材質例如是透明導電材料。舉例而言，電流阻擋層160的材質包括氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）等介電材料，電流分散層150的材質包括銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，ITO）、銦鋅氧化物（Indium Zinc Oxide，IZO）等透明導電材料，本發明並不以此為限。
在本實施例中，量子井層114例如由多個交替堆疊的井層（Well Layers）以及阻障層（Barrier Layer）所構成的多重量子井層（Multiple Quantum Well，MQW），本發明並不以此為限。在其他實施例中，量子井層114也可以是單一量子井層（Single Quantum Well，SQW）。此外，本實施例的發光二極體晶片100a所發出的光線的波長範圍由量子井層114的材料所決定，其中構成量子井層114的材料例如是氮化鎵（GaN）、氮化銦鎵（InGaN）或氮化鋁銦鎵（AlInGaN）等材料，本發明並不以此為限。
請再參照圖1A。具體而言，本實施例的基板140更包括一半導體層142與一基材144，其中半導體層142的摻雜濃度落在1015 /立方公分至5x1017 /立方公分的範圍內。進一步來說，當半導體層142的摻雜濃度落在1015 /立方公分至5x1016 /立方公分時，半導體層142是未刻意摻雜（Unintentionally doped）的半導體層；而當半導體層142的摻雜濃度落在1016 /立方公分至5x1017 /立方公分時，半導體層142則是相對較低摻雜濃度（Low-doped concentration）的半導體層142。另一方面，第一型摻雜半導體層112的摻雜濃度則是落在1017 /立方公分至1019 /立方公分範圍內。換言之，第一型摻雜半導體層112相對於半導體層142的摻雜濃度為高（Highly-doped concentration）。此外，關於半導體層142的位置則是位於第一型摻雜半導體層112與基材144之間。
在本實施例中，半導體層142的材料例如是高能階的半導體層（例如是氮化鋁鎵（AlGaN））；而基材144的材料為絕緣材料，其中絕緣材料例如是藍寶石（Sapphire）。
具體而言，第一型摻雜半導體層112包括至少一開口1122。至少一開口1122為一開口1122，且開口1122位於第二電極130往第一電極120的方向上。開口1122暴露出部分半導體層142，其中第一電極122的焊部122與部分支部124配置於開口1122內並配置於半導體層142上。應注意的是，第一電極122的焊部122並未與部分第一型摻雜半導體層112接觸。換言之，第一電極122的焊部122與第一型摻雜半導體層112之間具有間隙。以避免電子流（或電流）直接由第一電極122的焊部122經由第一型摻雜半導體層112流往量子井層114。
請再參照圖1A，在本實施例中，由於第一電極122的焊部122與部分支部124配置於低摻雜濃度或未刻意摻雜的半導體層142上，而第一電極122的另一部分的支部124則是配置在較高摻雜濃度的第一型摻雜半導體層122上。因此第一電極120的焊部122與半導體層142的接面以及部分支部124與半導體層142的接面形成非歐姆接觸。應注意的是，鑑於形成非歐姆接觸的接面其電阻較大，電流（或電子流）較不易從上述形成非歐姆接觸的接面通過。因此上述具有非歐姆接觸的接面具有一種限制電流方向（Current-Blocking）的功能。
接著，請再參照圖1A與圖1B。以電子流的觀點為例，當外部電源提供驅動電壓至發光二極體晶片100a時，電子流由第一電極120進入發光二極體晶片100a。由於第一電極120的焊部122與半導體層142的接面以及部分支部124與半導體層142的接面是非歐姆接觸接面，大部分的電子流會經由第一電極120的焊部122流向距離焊部122較遠的位置的支部124，以流入對應位置的第一型摻雜半導體層112。簡言之，第一型摻雜半導體層112接收到電子流的區域至少包括支部124與第一型摻雜半導體層112相接觸的區域，電子流再經由第一型摻雜半導體層112流入量子井層114。換言之，電子流經由上述的路徑能在發光二極體晶片100a的表面分佈均勻。另一方面，第二電極130所提供的電洞也從第二電極130流入量子井層114，使得發光二極體晶片100a的發光區域較為均勻，以使電子與電洞在量子井層114內複合（Recombination）而產生更多光子，同時也提升了整體的發光效率。
圖1C至圖1F是圖1A與圖1B所繪示的發光二極體晶片製作方法的流程示意圖。請先參照圖1C，在本實施例中，圖1A與圖1B所繪示的發光二極體晶片100a的製作方法包括成長半導體元件層110於基板140上，半導體元件層110具有第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116。具體而言，第一型摻雜半導體層112形成於基板140上，量子井層114形成於第一型摻雜半導體層112上，而第二型摻雜半導體層116形成於量子井層114上。上述成長半導體元件層110的方法例如是採用金屬有機化學氣相沉積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）。接著，透過蝕刻（Etching）使部分第一型摻雜半導體層112、部分量子井層114以及部分第二型摻雜半導體層116被移除，並使部分第一型摻雜半導體層112暴露而出。具體的蝕刻方式如下所述：先在第二型摻雜半導體層116上塗佈光阻層（Photo Resist Layer），然後採用曝光顯影的方式對未被光阻層覆蓋的區域進行蝕刻，其中蝕刻的方式可以是感應耦合式電漿（Inductively-Coupled Plasma，ICP）。另外，在本實施例中，基板140上則包括半導體層142與基材144，其中半導體層142形成於基材144上。
接著，請參照圖1C與圖1D，具體而言，第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116例如是透過磊晶而形成。另外，透過蝕刻（Etching），使部分第一型摻雜半導體層112被移除，並形成開口1122。開口1122使部分半導體層142暴露而出。
然後，請參照圖1E，在本實施例中，發光二極體晶片100a的製作方法包括形成電流阻擋層160於第二型摻雜半導體層116上以及形成電流分散層150於第二型摻雜半導體層116上，並使電流分散層150覆蓋電流阻擋層160，其中電流阻擋層130包括一主體132以及一從主體132延伸的延伸部134。形成電流阻擋層160與電流分散層150的方法例如是濺鍍法（Sputtering）。其中在形成電流阻擋層160於第二型摻雜半導體層116後，更可包含一高溫製程，以增加電流阻擋層160之密度與抗蝕刻之特性。高溫製程溫度可高於電流阻擋層160之成長沉積作業溫度，較佳的高溫製程溫度為150度到600度之間。
接著，請參照圖1F，在本實施例中，發光二極體晶片100a的製作方法包括形成第一電極120於開口1122內，且形成第二電極130於電流分散層150上且電性連接第二型摻雜半導體層116，其中第一電極120包括一焊部122以及一從焊部122延伸的支部124，且使第一電極120與第二電極130分別電性連接於第一型摻雜半導體層112以及電流分散層150。在本實施例中，焊部122與部分支部124配置於開口1122內，並配置於半導體層142上。在本實施例中，形成（沉積）第一電極120與第二電極130的方法可以是利用電漿輔助化學氣相沉積（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）、電子束（Electron Beam，E-beam）、濺鍍法（Sputtering）、真空蒸鍍（Vacuum Evaporating）或電鍍（Electroplating）的方式。至此，發光二極體晶片100a大體上已製作完成。 第二實施例
圖2A是依照本發明第二實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖2B是沿著切線B-B的本發明第二實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖2A與圖2B所繪示的發光二極體晶片100b類似於圖1A與圖1B所繪示的發光二極體晶片100a，發光二極體晶片100a與發光二極體晶片100b中的相同標號的構件與相關敘述可參考第一實施例的發光二極體晶片100a，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100b與發光二極體晶片100a的主要差異在於：支部124配置於第一型摻雜半導體層112上，第一電極120的焊部122則完全填滿開口1122，且部分第一電極120的焊部122設置於第一型摻雜半導體層112上。而對於發光二極體晶片100b的製作方法，大致上類似於發光二極體100a的製作方法，其主要差異在於：透過改變上述圖1F中製程中的光罩之技術手段，而控制支部124形成於第一型摻雜半導體層112上，本發明並不以此為限。 第三實施例
圖3A是依照本發明第三實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖3B是沿著切線C-C的本發明第三實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖3A與圖3B所繪示的發光二極體晶片100c類似於圖2A與圖2B所繪示的發光二極體晶片100b，發光二極體晶片100c與發光二極體晶片100b中的相同標號的構件與相關敘述可參考第二實施例的發光二極體晶片100b，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100c與發光二極體晶片100b的主要差異在於：至少一開口1122為多個開口1122，且這些開口1122的其中之一位於第二電極130往第一電極120的方向上，其他的這些開口1122則沿著支部124的延伸方向排列。支部124配置於沿著支部124的延伸方向上排列的其他這些開口1122並配置於半導體層142上，其中支部124與半導體層142的接面形成非歐姆接觸。而對於發光二極體晶片100c的製作方法，大致上類似於發光二極體100b的製作方法，其主要差異在於：透過改變上述圖1E中製程中的蝕刻之技術手段，而控制多個開口1122形成於第一型摻雜半導體層112上，開口1122形成的位置如上所述，本發明並不以此為限。 第四實施例
圖4A是依照本發明第四實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖4B是沿著切線D-D的本發明第四實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖4A與圖4B所繪示的發光二極體晶片100d類似於圖1A與圖1B所繪示的發光二極體晶片100a，發光二極體晶片100d與發光二極體晶片100a中的相同標號的構件與相關敘述可參考第一實施例的發光二極體晶片100a，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100d與發光二極體晶片100a的主要差異在於：量子井層114配置於第一型摻雜半導體層112上，以暴露出部分第一型摻雜半導體層112，且焊部122與支部124配置於量子井層114所暴露出的部分第一型摻雜半導體層112上。接著，在本實施例中，基板140則是包括基材144。此外，在本實施例中，發光二極體晶片100d更包括至少一電流阻障層180（在本實施例中例如是一個），且電流阻障層180配置於焊部122與第一型摻雜半導體層112之間，其中焊部122與第一型摻雜半導體層112之間形成非歐姆接觸。具體而言，焊部122與電流阻障層180的接面形成非歐姆接觸。此外，在本實施例中，焊部122包覆電流阻障層180，而少部分的焊部122也與第一型摻雜半導體層112接觸。
應注意的是，在本實施例中，雖然少部分焊部122與第一型摻雜半導體層112接觸，但是其所對應接觸的面積較小，大部分的電子流還是會由焊部122流往距離焊部122較遠位置的支部124，以流入對應位置的第一型摻雜半導體層112。
值得一提的是，在本實施例中，由於第一電極120的材料例如是包含鉻（Cr）的單層或多層材料，以利第一電極120與第一型摻雜半導體層112之間形成歐姆接觸，其中多層材料更可包含鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金（Au）或鋁（Al）。而對應的電流阻障層180的材料例如是鎳（Ni）、鋁（Al）、鉑（Pt）、金（Au）或其非歐姆接觸材料之組合。因此，基於電流阻障層180的材料特性，電流阻障層180與第一型摻雜半導體層112之間形成非歐姆接觸。
圖4C至圖4F是圖4A與圖4B所繪示的發光二極體晶片製作方法的流程示意圖。請先參照圖4C，在本實施例中，圖4A與圖4B所繪示的發光二極體晶片100d的製作方法包括成長半導體元件層110於基板140上，半導體元件層110具有第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116。具體而言，第一型摻雜半導體層112形成於基板140上，量子井層114形成於第一型摻雜半導體層112上，而第二型摻雜半導體層116形成於量子井層114上。舉例來說，形成半導體元件層110的方法例如是採用金屬有機化學氣相沉積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）。進一步來說，透過蝕刻（Etching），使部分第一型摻雜半導體層112、部分量子井層114以及部分第二型摻雜半導體層116被移除，使部分第一型摻雜半導體層112暴露而出。具體的蝕刻方式如下所述：先在第二型摻雜半導體層116上塗佈光阻層（Photo Resist Layer），然後採用曝光顯影的方式對未被光阻層覆蓋的區域進行蝕刻，其中蝕刻的方式可以是感應耦合式電漿（Inductively-Coupled Plasma，ICP）。另外，在本實施例中，基板140上則包括基材144，其中第一型摻雜半導體層112形成於基材144上。
接著，請參照圖4C與圖4D，具體而言，在本實施例中，發光二極體晶片100d的製作方法包括形成電流阻擋層160於第二型摻雜半導體層116上以及形成電流分散層150於第二型摻雜半導體層116上，並使電流分散層150覆蓋電流阻擋層160，其中電流阻擋層130包括一主體132以及一從主體132延伸的延伸部134。
然後，請參照圖4E，在本實施例中，發光二極體晶片100d的製作方法包括形成電流阻障層180於第一型摻雜半導體層112上。形成電流阻障層180的方法例如是濺鍍法（Sputtering）。
接著，請參照圖4F，在本實施例中，發光二極體晶片100d的製作方法包括形成第一電極120於第一型摻雜半導體層112上，其中第一電極120包括一焊部122以及一從焊部122延伸的支部124，而第二電極130包括一焊部132以及一從焊部132延伸的指部134，且使第一電極120與第二電極130分別電性連接於第一型摻雜半導體層112以及電流分散層150。在本實施例中，形成（沉積）第一電極120與第二電極130的方法可以是利用電漿輔助化學氣相沉積（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）、電子束（Electron Beam，E-beam）、濺鍍法（Sputtering）、真空蒸鍍（Vacuum Evaporating）或電鍍（Electroplating）的方式。至此，發光二極體晶片100d大體上已製作完成。 第五實施例
圖5A是依照本發明第五實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖5B是沿著切線E-E的本發明第五實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖5A與圖5B所繪示的發光二極體晶片100e類似於圖4A與圖4B所繪示的發光二極體晶片100d，發光二極體晶片100e與發光二極體晶片100d中的相同標號的構件與相關敘述可參考第一實施例的發光二極體晶片100a與第四實施例的發光二極體晶片100d，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100e與發光二極體晶片100d的主要差異在於：焊部122使部分電流阻障層180暴露。而對於發光二極體晶片100e的製作方法，大致上類似於發光二極體100d的製作方法，其主要差異在於：透過改變上述圖4F中製程中的光罩之技術手段，而控制焊部122使部分電流阻障層180暴露，本發明並不以此為限。 第六實施例
圖6A是依照本發明第五實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖6B是沿著切線F-F的本發明第六實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖6A與圖6B所繪示的發光二極體晶片100f類似於圖4A與圖4B所繪示的發光二極體晶片100d，發光二極體晶片100f與發光二極體晶片100d中的相同標號的構件與相關敘述可參考第一實施例的發光二極體晶片100a與第四實施例的發光二極體晶片100d，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100f與發光二極體晶片100d的主要差異在於：至少一電流阻障層180為多個電流阻障層180，這些電流阻障層180的其中之一配置於焊部122與第一型摻雜半導體層122之間，其他的電流阻障層180則沿著支部124的延伸方向排列，支部124配置於各電流阻障層180上，其中支部124與各電流阻障層180的接面形成非歐姆接觸。而對於發光二極體晶片100f的製作方法，大致上類似於發光二極體100d的製作方法，其主要差異在於：透過改變上述圖4E中製程中的光罩之技術手段，而形成多個電流阻障層180於第一型摻雜半導體層112上，本發明並不以此為限。 第七實施例
圖7A是依照本發明第七實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖7B是沿著切線H-H的本發明第七實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖7A與圖7B所繪示的發光二極體晶片100g類似於圖1A與圖1B所繪示的發光二極體晶片100a，發光二極體晶片100g與發光二極體晶片100a中的相同標號的構件與相關敘述可參考第一實施例的發光二極體晶片100a，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100g與發光二極體晶片100a的主要差異在於：在本實施例中，基板140包括基材144，其中第一電極120的焊部124以及部分支部124配置於基材144上，且焊部122與基材144的接面以及部分支部124與基材144的接面非歐姆接觸。此外，在本實施例中，第一型摻雜半導體層112包括開口1122，開口1122暴露出部分基材，開口1122位於第二電極130往第一電極120的方向上，其中焊部122與部分支部124配置於開口1122內。 第八實施例
圖8A是依照本發明第八實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖8B是沿著切線I-I的本發明第八實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖8A與圖8B所繪示的發光二極體晶片100h類似於圖1A與圖1B所繪示的發光二極體晶片100a，發光二極體晶片100h與發光二極體晶片100a中的相同標號的構件與相關敘述可參考第一實施例的發光二極體晶片100a，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100h與發光二極體晶片100a的主要差異在於：在本實施例中，基板140包括基材144，而不包括半導體層142。發光二極體晶片100g中的半導體元件層110形成有凹陷部C。凹陷部C分隔第二型摻雜半導體層116、量子井層114以及部分第一型摻雜半導體層112，並在凹陷部C的底部暴露出第一型摻雜半導體層112，凹陷部C在半導體元件層110上定義出第一區域R1以及第二區域R2。第一區域R1以及第二區域R2分別包含部分第一型摻雜半導體層112、部分量子井層114以及部分第二型摻雜半導體層116，各自底部並以第一型摻雜半導體層112相互連接。第一電極120位於第一區域R1內，並與至少部分第一型摻雜半導體層112及至少部分第二型摻雜半導體層116上，並與至少部分第一型摻雜半導體層112及至少部分第二型摻雜半導體層116電性連接。第二電極130位於第二區域R2內的第二型摻雜半導體層116上，並與第二型摻雜半導體層116電性連接。第一區域R1內的量子井層114不發出光束。第二區域R2內的量子井層114則用以發出光束。第一電極120位於第一區域R1內。第二電極130位於第二區域R2內。在第一區域R1內，第一電極120的焊部122位於第二型摻雜半導體層116上。第一電極120的支部124配置於部分第一型摻雜半導體層112上。非歐姆接觸形成於第一區域R1內的焊部122與第二型摻雜半導體層116之間。
請再參照圖8B，詳細來說，在本實施例中，在第一區域R1內，第一電極120的焊部122的面積小於第二型摻雜半導體層116的面積。並且，第一電極120的支部124覆蓋第二型摻雜半導體層116的部分上表面、第二型摻雜半導體層116的側面、量子井層114的側面以及部分第一型摻雜半導體層112的部分上表面。此外，在第一區域R1內，第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116在此剖面上的形狀為梯形。另一方面，電流阻擋層160以及電流分散層150皆位於第二區域R2內。電流阻擋層160配置於第二型摻雜半導體層116上。電流分散層150配置於電流阻擋層160上以覆蓋電流阻擋層160。第二電極130經由電流分散層150與第二型摻雜半導體層116電性連接。電流阻擋層160與電流分散層150更包含第一開口H1。第一開口H1暴露出部分第二型摻雜半導體層116。第二電極130設置於第一開口H1。更具體來說，第二電極130的焊部132設置於第一開口H1內，且第二電極130由第一開口H1向外延伸至電流分散層150上。
請參照圖8A以及圖8B，以電子流的觀點為例，在第一區域R1內，若電子流要從第一電極120的焊部122流至第一型摻雜半導體層112有兩種可能的路徑。第一路徑為第一電極120的焊部122、第二型摻雜半導體層116、量子井層114至第一型摻雜半導體層112。第二路徑為第一電極120的焊部122、第一電極的支部124至第一型摻雜半導體層116。由於第一路徑需通過較多的半導體層，因此大部分的電子流會沿著第二路徑以流入對應位置的第一型摻雜半導體層112。焊部122與第二型摻雜半導體層116的接面所具有的電阻相較於支部124與第一型摻雜半導體層112的接面所具有的電阻為大，也就是說，非歐姆接觸形成於第一區域R1內的焊部122與第二型摻雜半導體層116之間。簡言之，第一型摻雜半導體層112接收到電子流的區域至少包括支部124與第一型摻雜半導體層112相接觸的區域，電子流再經由第一型摻雜半導體層112流入第二區域R2內的量子井層114。如此一來，電子流經由上述的路徑能在發光二極體晶片100h的表面分佈均勻。另一方面，第二電極130所提供的電洞也從第二電極130流入第二區域R2內的量子井層114，使得發光二極體晶片100h的發光區域較為均勻，以使電子與電洞在第二區域R2內的量子井層114內複合（Recombination）而產生更多光子，同時也提升了整體的發光效率。
圖8C至圖8E是圖8A與圖8B所繪示的發光二極體晶片製作方法的流程示意圖。請先參照圖8C，在本實施例中，圖8A與圖8B所繪示的發光二極體晶片100h的製作方法包括成長半導體元件層110於基板140上，半導體元件層110具有第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116。具體而言，第一型摻雜半導體層112形成於基板140上，量子井層114形成於第一型摻雜半導體層112上，而第二型摻雜半導體層116形成於量子井層114上。上述成長半導體元件層110的方法例如是採用金屬有機化學氣相沉積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）。接著，透過蝕刻（Etching）使部分第一型摻雜半導體層112、部分量子井層114以及部分第二型摻雜半導體層116被移除，並使部分第一型摻雜半導體層112暴露而出，並且蝕刻出凹陷部C以定義出第一區域R1以及第二區域R2。在第二區域R2內，第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116形成主要發光區域。在第一區域R1內，第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116在此剖面上的形狀例如是梯形。具體的蝕刻方式如下所述：先在第二型摻雜半導體層116上塗佈光阻層（Photo Resist Layer），然後採用曝光顯影的方式對未被光阻層覆蓋的區域進行蝕刻，其中蝕刻的方式可以是感應耦合式電漿（Inductively-Coupled Plasma，ICP）。
接著，請參照圖8D，在第二區域R2內，形成電流阻擋層160於第二型摻雜半導體層116上。接著，形成電流分散層150於第二型摻雜半導體層116上，並使電流分散層150覆蓋電流阻擋層160。形成電流阻擋層160與電流分散層150的方法例如是濺鍍法（Sputtering）。然後，在第二區域R2內，形成第一開口H1。第一開口H1貫穿電流阻擋層160以及電流分散層150。形成第一開口H1的方式例如是蝕刻的方式。
最後，請參照圖8E，形成第一電極120於第一區域R1內。具體而言，第一電極120的焊部122形成於第一區域R1內的第二型摻雜半導體層116上，且第一電極120的支部124形成於第一區域內R1的第二型摻雜半導體層116的部分上表面、第二型摻雜半導體層116的側面、量子井層114的側面，並且第一電極120的支部124延伸至部分第一型摻雜半導體層112的部分上表面。在本實施例中，形成（沉積）第一電極120與第二電極130的方法可以是利用電漿輔助化學氣相沉積（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）、電子束（Electron Beam，E-beam）、濺鍍法（Sputtering）、真空蒸鍍（Vacuum Evaporating）或電鍍（Electroplating）的方式。至此，發光二極體晶片100h大體上已製作完成。 第九實施例
圖9A是依照本發明第九實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖9B是沿著切線J-J的本發明第九實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。圖9A與圖9B所繪示的發光二極體晶片100i類似於圖8A與圖8B所繪示的發光二極體晶片100h，發光二極體晶片100h與發光二極體晶片100a中的相同標號的構件與相關敘述可參考第八實施例的發光二極體晶片100h，在此便不再贅述。在本實施例中，發光二極體晶片100i與發光二極體晶片100h的主要差異在於：發光二極體晶片100更包括絕緣層190。絕緣層190覆蓋部分第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116。絕緣層190具有第二開口H2、第三開口H3以及至少一第四開口H4。第二開口H2位於第二區域內R2且與第一開口H1連通。第三開口H3位於第一區域R1內且暴露出第一區域R1內的部分第二型摻雜半導體層116，且至少一第四開口H4則沿著第一電極120的支部124的延伸方向排列。在本實施例中，至少一第四開口H4例如是多個第四開口H4，在其他的實施例中，至少一第四開口H4也可以是一個第四開口H4，本發明並不以此為限。接著，第二電極130設置於第二開口H2以及第一開口H1內。第一電極120的焊部122設置於第三開口H3內，且第一電極120的支部124覆蓋於部分的絕緣層190且延伸於至少一第四開口H4內。
在本實施例中，在第二區域R2內，第二電極130與絕緣層190之間具有間隙G。在其他的實施例中，第二電極130也可以佈滿第二開口H2，並覆蓋部分的絕緣層190，本發明並不以此為限。
圖9C至圖9E是圖9A與圖9B所繪示的發光二極體晶片製作方法的流程示意圖。請先參照圖9C，在本實施例中，圖9A與圖9B所繪示的發光二極體晶片100i的製作方法包括成長半導體元件層110於基板140上，半導體元件層110具有第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116。具體而言，第一型摻雜半導體層112形成於基板140上，量子井層114形成於第一型摻雜半導體層112上，而第二型摻雜半導體層116形成於量子井層114上。上述成長半導體元件層110的方法例如是採用金屬有機化學氣相沉積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）。接著，透過蝕刻（Etching）使部分第一型摻雜半導體層112、部分量子井層114以及部分第二型摻雜半導體層116被移除，並使部分第一型摻雜半導體層112暴露而出，並且蝕刻出凹陷部C以定義出第一區域R1以及第二區域R2。在第二區域R2內，第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116在此剖面上的形狀例如是矩形，在另一實施例中可以是梯形。在第一區域R1內，第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116在此剖面上的形狀例如是梯形。具體的蝕刻方式如下所述：先在第二型摻雜半導體層116上塗佈光阻層（Photo Resist Layer），然後採用曝光顯影的方式對未被光阻層覆蓋的區域進行蝕刻，其中蝕刻的方式可以是感應耦合式電漿（Inductively-Coupled Plasma，ICP）。
接著，請參照圖9D，在第二區域R2內，形成電流阻擋層160於第二型摻雜半導體層116上。接著，形成電流分散層150於第二型摻雜半導體層116上，並使電流分散層150覆蓋電流阻擋層160。形成電流阻擋層160與電流分散層150的方法例如是濺鍍法（Sputtering）。然後，在第二區域R2內，形成第一開口H1。第一開口H1貫穿電流阻擋層160以及電流分散層150。形成第一開口H1的方式例如是蝕刻的方式。
接著，請參照圖9E，形成絕緣層190覆蓋部分第一型摻雜半導體層112、量子井層114以及第二型摻雜半導體層116。絕緣層190分別具有第二開口H2、第三開口H3以及至少一第四開口H4。第二開口H2位於第二區域R2內且與第一開口H1連通。第三開口H3位於第一區域R1內且暴露出第一區域R1內的部分第二型摻雜半導體層116，且至少一第四開口H4則沿著第一電極120的支部124的延伸方向排列。
最後，請參照圖9F，形成第一電極120於第一區域R1內，且形成第二電極130於第二區域R2內。具體而言，第一電極120的焊部122形成於第一區域R1內的第二型摻雜半導體層116上，且焊部122設置於第三開口H3內。第二電極130設置於第二開口H2以及第一開口H1內。在本實施例中，形成（沉積）第一電極120與第二電極130的方法可以是利用電漿輔助化學氣相沉積（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）、電子束（Electron Beam，E-beam）、濺鍍法（Sputtering）、真空蒸鍍（Vacuum Evaporating）或電鍍（Electroplating）的方式。至此，發光二極體晶片100i大體上已製作完成。 第十實施例
圖10A是依照本發明第十實施例的發光二極體晶片的上視示意圖，而圖10B是沿著切線K-K的本發明第十實施例的發光二極體晶片的剖面示意圖。在本實施例中，圖10A與圖10B所繪示的發光二極體晶片100j包括一半導體元件層110、一第一電極120、一第二電極130、一基板140以及一絕緣層190。半導體元件層110包括一第一型摻雜半導體層112、一量子井層114以及一第二型摻雜半導體層116，其中量子井層114位於第一型摻雜半導體層112與第二型摻雜半導體層116之間。第一電極120與第一型摻雜半導體層112電性連接，其中第一電極120包括一焊部122以及一從焊部延伸的支部124（未在圖8A與圖8B繪示）。第一電極120與第一型摻雜半導體層112電性連接。第二電極130與第二型摻雜半導體層116電性連接。半導體元件層110、第一電極120、第二電極130配置於基板140的同一側。應注意的是，本實施例中的圖10A與圖10B僅為示例性地繪示，其可以是前述第一實施例至第七實施例的發光二極體晶片。其中，絕緣層190覆蓋部分第一型摻雜半導體層112以及部分第二型摻雜半導體層116，且絕緣層190分別與第一電極120之間與第二電極130之間各有一間距G。應注意的是，在本實施例中，第一電極120與絕緣層190之間的間距的值不一定是相同的，間距G也可以彼此不同，本發明並不以此為限。
在本實施例中，絕緣層190的材質包括氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）等介電材料。在一些實施例中，絕緣層480的材質亦可以是其他類型的介電材料，本發明不以此為限。
承上述，在本實施例中，由於第一電極120與第二電極130與絕緣層190之間分別具有一間隙G。換言之，也就是電極與絕緣層之間不相連接。因此當外部電源提供驅動電壓至發光二極體晶片100j時，可以進一步地避免發光二極體晶片100j的表面電流流經絕緣層190造成表面漏電的現象。因此，本實施例的發光二極體晶片100j可以提生電子與電洞在量子井層114內複合的機率，進一步的提升發光二極體晶片100j的發光效率。
綜上所述，由於在本發明之實施例的發光二極體晶片中，第一電極的焊部與基板的接面或者是第一電極的焊部與第二型摻雜半導體層之間形成非歐姆接觸。因此，當發光二極體晶片操作時，由於形成非歐姆接觸的接面電阻較大，外部驅動電源提供至發光二極體晶片的電流（或電子流）較不容易由形成非歐姆接觸的接面通過。因而可以使電流（或電子流）朝向遠離第一電極的焊部的支部流動，並且電流（或電子流）在擴散後能在發光二極體晶片的表面分佈均勻，使整體發光二級體晶片的發光效率提升。另外，本發明的實施例藉由在形成絕緣層以使電極（第一電極與第二電極）與絕緣層之間具有間隙，可以進一步地降低在發光二極體晶片表面漏電的現象，以提升發光二極體晶片的發光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j‧‧‧發光二極體晶片 110‧‧‧半導體元件層 112‧‧‧第一型摻雜半導體層 1122‧‧‧開口 114‧‧‧量子井層 116‧‧‧第二型摻雜半導體層 120‧‧‧第一電極 122‧‧‧焊部 124‧‧‧支部 130‧‧‧第二電極 132‧‧‧焊部 134‧‧‧指部 140‧‧‧基板 142‧‧‧半導體層 144‧‧‧基材 150‧‧‧電流分散層 160‧‧‧電流阻擋層 162‧‧‧主體 164‧‧‧延伸部 180‧‧‧電流阻障層 190‧‧‧絕緣層 G‧‧‧間距 C‧‧‧凹陷部 H1‧‧‧第一開口 H2‧‧‧第二開口 H3‧‧‧第三開口 H4‧‧‧第四開口 R1‧‧‧第一區域 R2‧‧‧第二區域 A-A、B-B、C-C、D-D、E-E、F-F、H-H、I-I、J-J、K-K‧‧‧切線
圖1A與圖1B分別繪示本發明的第一實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖1C至圖1F為根據本發明第一實施例的發光二級體晶片製作方法的流程示意圖。 圖2A與圖2B分別繪示本發明的第二實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖3A與圖3B分別繪示本發明的第三實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖4A與圖4B分別繪示本發明的第四實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖4C至圖4F為根據本發明第四實施例的發光二級體晶片製作方法的流程示意圖。 圖5A與圖5B分別繪示本發明的第五實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖6A與圖6B分別繪示本發明的第六實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖7A與圖7B分別繪示本發明的第七實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖8A與圖8B分別繪示本發明的第八實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖8C至圖8E為根據本發明第八實施例的發光二級體晶片製作方法的流程示意圖。 圖9A與圖9B分別繪示本發明的第九實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。 圖9C至圖9F為根據本發明第九實施例的發光二級體晶片製作方法的流程示意圖。 圖10A與圖10B分別繪示本發明的第十實施例的發光二極體晶片的上視示意圖與剖面示意圖。
100h‧‧‧發光二極體晶片
110‧‧‧半導體元件層
112‧‧‧第一型摻雜半導體層
114‧‧‧量子井層
116‧‧‧第二型摻雜半導體層
120‧‧‧第一電極
122‧‧‧焊部
124‧‧‧支部
130‧‧‧第二電極
132‧‧‧焊部
134‧‧‧指部
140‧‧‧基板
144‧‧‧基材
150‧‧‧電流分散層
160‧‧‧電流阻擋層
C‧‧‧凹陷部
H1‧‧‧第一開口
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域

Claims (20)

  1. 一種發光二極體，包括： 一半導體元件層，包括一第一型摻雜半導體層、一第二型摻雜半導體層以及一量子井層，該量子井層位於該第一型摻雜半導體層與該第二型摻雜半導體層之間，其中該半導體元件層中形成有一凹陷部，該凹陷部分隔該第二型摻雜半導體層、該量子井層以及部分該第一型摻雜半導體層並暴露出該第一型摻雜半導體層，而在該半導體元件層上定義出一第一區域以及一第二區域，其中該第一區域及該第二區域分別包含部分該第二型摻雜半導體層、部分該量子井層以及部分該第一型摻雜半導體層，並以該第一型摻雜半導體層相互連接； 一第一電極，位於該第一區域內，並與至少部分該第一型摻雜半導體層及至少部分該第二型摻雜半導體層電性連接；以及 一第二電極，位於該第二區域內並與該第二型摻雜半導體層電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，該第一電極更包括一焊部以及一從該焊部延伸的支部，其中該焊部配置於該部分第二型摻雜半導體層上，該支部配置於該部分第一型摻雜半導體層上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中在該第一區域內，該第一電極的該焊部的面積小於該第二型摻雜半導體層的面積。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體，其中該第一電極的該支部覆蓋該第二型摻雜半導體層的部分上表面、該第二型摻雜半導體層的側面、該量子井層的側面以及部分該第一型摻雜半導體層的部分上表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，更包括： 一電流阻擋層，配置於該第二型摻雜半導體層上，該電 流阻擋層包括一主體以及一從該主體延伸的延伸部；以及 一電流分散層，配置於該第二型摻雜半導體層上以覆蓋該電流阻擋層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體，其中該半導體元件層、該第一電極、該電流阻擋層、該電流分散層以及該第二電極配置於該基板的同一側。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體，其中該第二電極經由該電流分散層與該第二型摻雜半導體層電性連接。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體，該電流阻擋層與該電流分散層更包含一第一開口，該第一開口暴露出部分該第二型摻雜半導體層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，在該第一區域內，該第一型摻雜半導體層、該量子井層以及該第二型摻雜半導體層在一剖面上的形狀為梯形。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體，更包括一絕緣層，覆蓋部分該第一型摻雜半導體層、該量子井層以及該第二型摻雜半導體層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體，其中該絕緣層分別具有一第二開口、一第三開口以及至少一第四開口，該第二開口位於該第二區域內且與該第一開口連通，該第三開口位於該第一區域內且暴露出該第一區域內的部分該第二型摻雜半導體層，且該至少一第四開口則沿著該第一電極的該支部的延伸方向排列。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體，其中該第二電極設置於該第二開口以及該第一開口內，該第一電極的該焊部設置於該第三開口內，且該第一電極的該支部覆蓋於部分的該絕緣層且延伸於該至少一第四開口內。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的發光二極體，其中該絕緣層與該第二電極之間具有一間距。
  14. 一種發光二極體的製造方法，包括： 在一基板上形成一半導體元件層，該半導體元件層依序包括一第一型摻雜半導體層、一量子井層以及一第二型摻雜半導體層； 圖案化該半導體元件層，而在該半導體元件層上定義出一第一區域以及一第二區域，其中該第一區域及該第二區域分別包含部分該第二型摻雜半導體層、部分該量子井層以及部分該第一型摻雜半導體層，並以該第一型摻雜半導體層相互連接； 形成一第一電極，電性連接該第一區域中的該第一型摻雜半導體層及該第二型摻雜半導體層；以及 形成一第二電極，電性連接該第一區域中的的該第二型摻雜半導體層。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體的製造方法，其中該第一電極包括一焊部以及一從該焊部延伸的支部，該焊部形成於至少部分該第二型摻雜半導體層上，該支部形成於至少部分該第一型摻雜半導體層上。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的發光二極體的製造方法，更包括： 在該第二區域的該第二型摻雜半導體層上形成相互堆疊的一電流阻擋層及一電流分散層，其中該電流分散層電性連接該第二電極及該第二型摻雜半導體層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的發光二極體的製造方法，更包括： 在該電流阻擋層與該電流分散層中形成一第一開口，該第一開口暴露出部分該第二型摻雜半導體層。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的發光二極體的製造方法，更包括： 在該半導體元件層上形成一絕緣層，並在該絕緣層中形成一第二開口、一第三開口以及至少一第四開口，其中該第二電極通過該第二開口而與該第二型摻雜半導體層電性連接，該第一電極的焊部透過該第三開口與該第二型摻雜半導體層電性連接，該第一電極的支部透過該第四開口與該第一型摻雜半導體層電性連接。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的發光二極體的製造方法，更包括： 在該第二區域的該第二型摻雜半導體層上形成相互堆疊的一電流阻擋層及一電流分散層，其中該電流分散層電性連接該第二電極及該第二型摻雜半導體層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的發光二極體的製造方法，更包括： 在該半導體元件層上形成一絕緣層，並在該絕緣層中形成一第二開口、一第三開口以及至少一第四開口，其中該第二電極通過該第二開口而與該第二型摻雜半導體層電性連接，該第一電極的焊部透過該第三開口與該第二型摻雜半導體層電性連接，該第一電極的支部透過該第四開口與該第一型摻雜半導體層電性連接。
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