TW201702742A - 用於顯示裝置之正型感光性樹脂組成物及包含其之顯示裝置 - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 12
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 7
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- -1 benzyl cyanamide ((Z)-4-methoxy-N- (tosyloxy)benzimidoyl cyanamide) Chemical compound 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 11
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N phenylacetonitrile Chemical compound N#CCC1=CC=CC=C1 SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N methyl monoether Natural products COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- ZWPUOFSQNASCII-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCC ZWPUOFSQNASCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCZHFBSQDFPNOP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]hexane Chemical compound C(CCCCC)OCC(OCC(C)OCC)C OCZHFBSQDFPNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOC HYLLZXPMJRMUHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLXZPRDVXSNULE-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]hexane Chemical compound CCCCCCOCCOCCOC SLXZPRDVXSNULE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPHFJZRSMXHTAW-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OC QPHFJZRSMXHTAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKFNXFNHRDUNKF-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]hexane Chemical compound CCCCCCOCC(C)OCC(C)OC QKFNXFNHRDUNKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOC SNAQINZKMQFYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODDDCGGSPAPBOS-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCOCC(C)OC(=O)CC ODDDCGGSPAPBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)COC DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVNBCIQRFGXLRD-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCCOCC(C)OC(=O)CC RVNBCIQRFGXLRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDARJLMWAOEEFG-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol;methyl acetate Chemical compound COC(C)=O.CC(O)COC(C)CO LDARJLMWAOEEFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JARYONIMGOLFHM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-octan-3-yloxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCC(CC)OCCOCCO JARYONIMGOLFHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJRNXDIVAGHETA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1=C(OC)C(OC)=CC=C1C=CC1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 ZJRNXDIVAGHETA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOPKKHCDIAYUSK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(5-methylfuran-2-yl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound O1C(C)=CC=C1C=CC1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=N1 XOPKKHCDIAYUSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GICQWELXXKHZIN-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCOCCO GICQWELXXKHZIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002941 2-furyl group Chemical group O1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-bis(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CN(CC(C)C)CC(C)C IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HULXHFBCDAMNOZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(butoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound CCCCOCN(COCCCC)C1=NC(N(COCCCC)COCCCC)=NC(N(COCCCC)COCCCC)=N1 HULXHFBCDAMNOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKGBNAGNNUEZQC-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-n,n-bis(6-methylheptyl)heptan-1-amine Chemical compound CC(C)CCCCCN(CCCCCC(C)C)CCCCCC(C)C YKGBNAGNNUEZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JZHKIUBMQMDQRG-UHFFFAOYSA-N C(=C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(=C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC JZHKIUBMQMDQRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGSWIAIDGTXPPQ-UHFFFAOYSA-N C1(CC2C(CC1)O2)CCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCC Chemical compound C1(CC2C(CC1)O2)CCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCC NGSWIAIDGTXPPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCZPGFUURIHHKB-BMRADRMJSA-N C1(CCCCC1)S(=O)(=O)O\N=C(\C1=CC=C(C=C1)OC)/C#N Chemical compound C1(CCCCC1)S(=O)(=O)O\N=C(\C1=CC=C(C=C1)OC)/C#N GCZPGFUURIHHKB-BMRADRMJSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N [[4,6-bis[bis(hydroxymethyl)amino]-1,3,5-triazin-2-yl]-(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)C1=NC(N(CO)CO)=NC(N(CO)CO)=N1 YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- ITBRNOUJYYNVOI-UHFFFAOYSA-N benzenecarboximidoyl cyanide Chemical compound N#CC(=N)C1=CC=CC=C1 ITBRNOUJYYNVOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIRSDXBXWUTMRE-UHFFFAOYSA-N benzylcyanamide Chemical compound N#CNCC1=CC=CC=C1 QIRSDXBXWUTMRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRMVSMUXJRDBJF-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O.CCCCOC(C)=O PRMVSMUXJRDBJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRDOFYPYQFDHOQ-UHFFFAOYSA-N butyl acetate;hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O.CCCCOC(C)=O BRDOFYPYQFDHOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N diimidazo[1,3-b:1',3'-e]pyrazine-5,10-dione Chemical compound O=C1C2=CN=CN2C(=O)C2=CN=CN12 UYAAVKFHBMJOJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFFDVELHRCMPLY-UHFFFAOYSA-N dimethyldodecyl amine Natural products CC(C)CCCCCCCCCCCN VFFDVELHRCMPLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- DRIIOWCRDBYORK-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;methyl acetate Chemical compound OCCO.COC(C)=O DRIIOWCRDBYORK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)(C)O GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- BNYVPFNFEWDGOV-UHFFFAOYSA-N methoxymethane;propanoic acid Chemical compound COC.CCC(O)=O BNYVPFNFEWDGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930003658 monoterpene Natural products 0.000 description 1
- 150000002773 monoterpene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000002577 monoterpenes Nutrition 0.000 description 1
- YWFWDNVOPHGWMX-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyldodecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(C)C YWFWDNVOPHGWMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940116423 propylene glycol diacetate Drugs 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilicon Chemical compound CO[Si](OC)OC PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDTPTXSNPBAUHX-UHFFFAOYSA-M trimethylsulfanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[S+](C)C MDTPTXSNPBAUHX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KOFQUBYAUWJFIT-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KOFQUBYAUWJFIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract
一種正型感光性樹脂組成物，其含有：(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)一肟系光酸產生劑；(b-2)一三□系光酸產生劑；(c)一有機鹼；以及(d)一溶劑。
□在化學式1中，R1係為縮醛及縮酮之任一者，且x+y+z=1。
Description
本申請案主張2015年4月30日在韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)提出申請之第10-2015-0062006號韓國專利申請案的優先權及權益，其揭露全文併於此以供參考。
本發明係關於一種用於顯示裝置之正型感光性樹脂組成物(positive photosensitive resin composition)及一種包含其之顯示裝置。
近來，感光性有機絕緣層已用於液晶顯示裝置及有機發光顯示裝置中，以使得設置於各層間之佈線(wirings)之間絕緣且改良孔徑比(aperture ratio)。
主要已使用一丙烯酸系絕緣層(acrylic insulating layer)作為一液晶顯示裝置之一層間絕緣層(interlayer insulating
layer)，但其由於耐熱性退化而遭遇釋氣(outgassing)問題。此外，亦已使用一聚醯亞胺系材料作為一有機發光顯示裝置之一層間絕緣層或一畫素界定層，但此導致在敏感度、附著力(adhesion force)、透射率(transmittance)、耐熱變色性(heat discoloration resistance)等方面有問題。
此外，為實現高解析度，應實施一具有精細線寬度(fine line width)之佈線。然而，在顯示領域所用之感光性樹脂之情形中，係難以實現高解析度。
本發明已致力於提供一種正型感光性樹脂組成物，其具有優良的敏感度及解析度等優勢，因此適用於一高解析度之顯示裝置。
本發明之一實施態樣係提供一種正型感光性樹脂組成物，該正型感光性樹脂組成物含有：(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)一肟系光酸產生劑(oxime-based photo-acid generator)；(b-2)一三系光酸產生劑(triazine-based photo-acid generator)；(c)一有機鹼；以及(d)一溶劑。
在化學式1中，R1係為縮醛及縮酮之任一者，且x+y+z=1。
x可為0.1至0.9，y可為0.0至0.3，且z可為0.1至0.9。
該正型感光性樹脂組成物可含有3重量份至20重量份之該肟系光酸產生劑以及0.5重量份至10重量份之該三系光酸產生劑。
該正型感光性樹脂組成物可含有100重量份之該共聚物以及0.1重量份至5重量份之該有機鹼，且含有該溶劑以具有50重量%至90重量%之固形份含量。
該肟系光酸產生劑可具有380奈米或以下之主吸收波長(main absorption wavelength)及約3.0至約4.0之pH。
該三系光酸產生劑可具有380奈米或以上之主吸收波長及約2.0至約3.0之pH。
該正型感光性樹脂組成物可更含有一三聚氰胺交聯劑及一矽烷偶合劑。
另一實例性實施態樣係提供一種有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置包括一絕緣基材、一位於該絕緣基材上之薄膜電晶體、一連接至該薄膜電晶體之第一電極、一位於該第一電極上且暴露出該第一電極之一部分的畫素界定層、一位於該畫素界定層上之有機發光層、以及一位於該有機發光層上之第二電極，其中該畫素界定層含有一正型感光性樹脂組成物，該正型感光性樹脂組成物含有：(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)
一肟系光酸產生劑；(b-2)一三系光酸產生劑；(c)一有機鹼；以及(d)一溶劑。
在化學式1中，R1係為縮醛及縮酮之任一者，且x+y+z=1。
x可為0.1至0.9，y可為0.0至0.3，且z可為0.1至0.9。
該正型感光性樹脂組成物可含有3重量份至20重量份之該肟系光酸產生劑以及0.5重量份至10重量份之該三系光酸產生劑。
該正型感光性樹脂組成物可含有100重量份之該共聚物以及0.1重量份至5重量份之該有機鹼，且含有該溶劑以具有50重量%至90重量%之固形份含量。
該肟系光酸產生劑可具有380奈米或以下之主吸收波長及約3.0至約4.0之pH。
該三系光酸產生劑可具有380奈米或以上之主吸收波長及約2.0至約3.0之pH。
該正型感光性樹脂組成物可更含有一三聚氰胺交聯劑及一矽烷偶合劑。
另一實例性實施態樣係提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括一第一絕緣基材、一位於該第一絕緣基材上之薄膜電晶體、一連接至該薄膜電晶體之畫素電極、一經配置以與該畫素電極絕緣之共用電極、一面對該第一絕緣基材之第二絕緣基材、以及一位於該第一絕緣基板材與該第二絕緣基板材之間的液晶層，其中該薄膜電晶體及該畫素電極之至少一者係使用一正型感光性樹脂組成物而形成，該正型感光性樹脂組成物含有：(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)一肟系光酸產生劑；(b-2)一三系光酸產生劑；(c)一有機鹼；以及(d)一溶劑。
在化學式1中，R1係為縮醛及縮酮之任一者，且x+y+z=1。
x可為0.1至0.9，y可為0.0至0.3，且z可為0.1至0.9。
該正型感光性樹脂組成物可含有3重量份至20重量份之該肟系光酸產生劑以及0.5重量份至10重量份之該三系光酸產生劑。
該肟系光酸產生劑可具有380奈米或以下之主吸收波長及約3.0至約4.0之pH。
如上文所述之正型感光性樹脂組成物及包含其之顯示裝置係展現出優良之敏感度、解析度、圖案輪廓(pattern profile)、分佈(distribution)等，且尤其具有優良之線邊緣粗糙度(line edge roughness，LER)。因此，正型感光性樹脂組成物可用於形成一要求精細圖案之佈線電極，以使得可獲得高解析度之顯示裝置。
3‧‧‧液晶層
31‧‧‧液晶分子
66‧‧‧源極接觸孔
67‧‧‧汲極接觸孔
70‧‧‧有機發光二極體
82‧‧‧接觸孔
95‧‧‧開口部分
100‧‧‧基材/顯示面板
110‧‧‧第一絕緣基材
120‧‧‧緩衝層
121‧‧‧第一訊號線/閘極線
124‧‧‧閘極電極
135‧‧‧半導體
140‧‧‧閘極絕緣層
154‧‧‧半導體層
155‧‧‧閘極電極
160‧‧‧第一層間絕緣層
171‧‧‧第二訊號線/資料線/資料導體
172‧‧‧第三訊號線
173‧‧‧源極電極/資料導體
175‧‧‧汲極電極/資料導體
176‧‧‧源極電極
177‧‧‧汲極電極
180‧‧‧第二層間絕緣層
180p‧‧‧第一鈍化層
180q‧‧‧第二鈍化層
180r‧‧‧第三鈍化層
185‧‧‧接觸孔
190‧‧‧畫素界定層
191‧‧‧畫素電極
200‧‧‧上部顯示面板
210‧‧‧絕緣基材
220‧‧‧阻光構件
250‧‧‧平坦化層
260‧‧‧密封構件
270‧‧‧共用電極
510‧‧‧驅動單元
710‧‧‧第一電極
720‧‧‧有機發光層
730‧‧‧第二電極
1355‧‧‧通道區
1356‧‧‧源極區
1357‧‧‧汲極區
Cst‧‧‧電容器
ILD‧‧‧輸出電流
PA‧‧‧第一顯示區域
PB‧‧‧周圍區域
PX‧‧‧畫素
Q1‧‧‧驅動薄膜電晶體
Q2‧‧‧開關薄膜電晶體/第二薄膜電晶體
Vdd‧‧‧驅動電壓
Vss‧‧‧共用電壓
第1圖係為根據一實例性實施態樣之一有機發光顯示裝置之一顯示單元之訊號線(signal line)的佈局圖(layout diagram)。
第2圖係為根據一實例性實施態樣之顯示單元之一個畫素的等效電路圖。
第3圖係為第2圖之有機發光顯示裝置之一個畫素的剖面圖。
第4圖係為根據另一實例性實施態樣之一顯示裝置之一個畫素的佈局圖。
第5圖係為沿第4圖之線VII-VII截取之剖面圖。
由於本發明允許各種改變及多種實施態樣，因此將在圖式中例示且在書面說明中詳細描述特定實施態樣。然而，此並非旨在將本發明侷限於特定之實踐模式，且應瞭解，不偏離本發明之精神及技術範疇的所有改變、等效物及替代物皆涵蓋於本
發明中。本文中所用的術語「及/或」係包括相關列出項中一或多者之任何及所有組合。以下將參考附圖更詳細地描述本發明之實施態樣。相同或對應之彼等組件係被給予相同之元件符號，而與圖式編號無關，且對其不再予以贅述。
應瞭解，儘管本文中可使用術語「第一」、「第二」等來描述各種組件，但該等組件不應受該等術語限制。該等術語僅用於彼此區分各個組件。本文所用的單數形式「一(a，an)」及「該(the)」旨在亦包括複數形式，除非上下文中另外明確指示。更應瞭解，本文所用之術語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」係指定存在所述特徵或組件，但不排除一或多個其他特徵或組件之存在或增加。在圖式中，出於解釋目的，係誇大各層、膜、面板、區等之厚度。換言之，由於圖式中組件之大小及厚度係為便於解釋而任意例示，因此以下實施態樣不限於此。相似之元件符號在說明書通篇中係指示相似之元件。應瞭解，當如層、膜、區或基材等一元件被稱為「位於」另一元件「之上」時，該元件可直接位於另一元件上或亦可存在有中間元件。相反地，當一元件被稱為「直接位於」另一元件「之上」時，則不存在有中間元件。
首先，以下將描述一種根據一實例性實施態樣之用於顯示裝置之正型感光性樹脂組成物。
首先，根據一實例性實施態樣之正型感光性樹脂組成物係含有：(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)至少一種肟系光酸產生劑；(b-2)至少一種三系光酸產生劑；(c)一
有機鹼；以及(d)一溶劑。
在化學式1中，R1係為縮醛及縮酮之任一者。x+y+z=1，x可為0.1至0.9，y可為0.0至0.3，且z可為0.1至0.9。
根據一實例性實施態樣之用於顯示裝置之正型感光性樹脂組成物可含有：(a)100重量份之共聚物，(b-1)3重量份至20重量份之肟系光酸產生劑，(b-2)0.5重量份至10重量份之三系光酸產生劑，(c)0.1重量份至5重量份之有機鹼，以及(d)溶劑，以具有50重量%至90重量%之固形份含量。
肟系光酸產生劑(b-1)可為(Z)-4-甲氧基-N-(甲苯磺醯基氧基)亞胺苄基氰胺((Z)-4-methoxy-N-(tosyloxy)benzimidoyl cyanamide)、(Z)-N-(環己基磺醯基氧基)-4-甲氧基亞胺苄基氰化物((Z)-N-(cyclohexylsulfonyloxy)-4-methoxy benzimidoyl cyanide)、(Z)-N-(環己基磺醯基氧基)亞胺苄基氰化物、(Z)-N-(環己基磺醯基氧基)-3,4-二甲氧基亞胺苄基氰化物、(Z)-3,4-二甲氧基-N-(辛基磺醯基氧基)亞胺苄基氰化物、(Z)-N-(環己基甲基磺醯基氧基)-4-甲氧基亞胺苄基氰化物、(Z)-4-甲氧基-N-(辛基磺醯基氧基)亞胺苄基氰化物等，且可單獨使用其中一者或亦可使用其中至少二者之混合物。根據一實例性實
施態樣之感光性樹脂組成物係含有3重量份至20重量份之肟系光酸產生劑。
此外，肟系光酸產生劑需要具有380奈米或以下之主吸收波長，由其產生之酸需要具有對應於150或以上之分子量(molecular weight，MW)之粒度(particle size)，且肟系光酸產生劑之pH需要在約3.0至約4.0之範圍內。
在實例性實施態樣中使用之三系光酸產生劑可為2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三(-[2-(Furan-2-yl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)、2-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三(2-[2-(3,4-Dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三(2-[2-(5-Methylfuran-2-yl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)等，且可單獨使用其中一者或亦可使用其中至少二者之混合物。
根據一實例性實施態樣之感光性樹脂組成物可含有0.5重量份至10重量份之三系光酸產生劑。
三系光酸產生劑可具有380奈米或以上之主吸收波長，由其產生之酸可具有100或以下之分子量(MW)，且三系光酸產生劑之pH可在約2.0至約3.0之範圍內。
在實例性實施態樣中使用之有機鹼(c)可為三乙胺、三異丁胺、三異辛胺、三辛胺、二乙醇胺、三乙醇胺、苄胺、
烯丙胺(allylamine)、乙醇胺、三丁胺、氫氧化四丁銨(tetrabutylammonium hydroxide)、氫氧化四甲銨、氫氧化三甲鋶(trimethylsulfonium hydroxide)、氫氧化三苯鋶、二甲基十二烷胺、苯胺、對甲苯胺(para-toluidine)等，且可單獨使用其中一者，或可混合其中至少二者且同時使用或分階段使用。
另外，根據本發明之正型感光性樹脂組成物係含有：(d)溶劑，其中溶劑(d)係增加正型感光性樹脂組成物之平整度(flatness)且防止塗層汙點(coating stain)之產生，由此形成均勻之圖案輪廓。
溶劑(d)之實例可包括丙二醇單甲基醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate)、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚丙酸酯(propylene glycol methyl ether propionate)、丙二醇乙基醚丙酸酯、丙二醇丙基醚丙酸酯、丙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇丙基醚、丙二醇丁基醚、二乙二醇二乙基醚(diethylene glycol diethyl ether)、二乙二醇甲基乙基醚、二丙二醇二甲基醚、二丁二醇二甲基醚及二丁二醇二乙基醚、二乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇丁基乙基醚、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇三級丁基醚(diethylene glycol tertiarybutyl ether)、四乙二醇二甲基醚、二丙二醇二乙基醚、二乙二醇乙基己基醚、二乙二醇甲基己基醚、二丙二醇丁基甲基醚、二丙二醇乙基己基醚及二丙二醇甲基己基醚、乙氧基丙酸乙酯(ethyl ethoxy propionate)、環己酮、二丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙酸正丁酯(n-butyl acetate)、乙酸異丁酯、
乙二醇乙酸單甲酯(ethylene glycol monomethyl acetate)、乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇乙酸單甲酯、二乙二醇甲基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、三丙二醇甲基醚、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、3-乙氧基丙酸甲酯(methyl 3-ethoxy propionate)、甲醇、乙醇、甲賽璐蘇單甲基醚(methyl cellosolve monomethyl ether)、乙賽璐蘇乙酸酯(ethyl cellosolve acetate)、二乙二醇單甲基醚、甲基乙基酮、4-羥基-4-甲基2-戊酮(4-hydroxy-4-methyl 2-pentanone)、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯(ethyl-2-hydroxy-2-methyl propionate)及乙酸丁酯賽璐蘇(butyl acetate cellosolve)，且可單獨使用其中一者，或亦可使用其中至少二者之混合物。
可含有溶劑(d)以使得正型感光性樹脂組成物之固形份含量成為50重量%至90重量%。
根據一實例性實施態樣之用於顯示裝置之感光性樹脂組成物可更含有一三聚氰胺交聯劑及一矽烷偶合劑。
可使用六(甲氧基甲基)三聚氰胺(hexa(methoxymethyl)melamine)、六羥甲基三聚氰胺(hexamethylolmelamine)、六甲基醚、六(丁氧基甲基)三聚氰胺等作為三聚氰胺交聯劑。
可使用[3-(甲基丙烯醯氧基)丙基]三甲氧基矽烷([3-(Methacryloyloxy)propyl]trimethoxysilane)、乙烯基三乙醯氧基矽烷(vinyltriacetoxysilane)、乙烯基三甲氧基矽烷、(3-異氰酸基丙基)三乙氧基矽烷((3-isocyanatopropyl)triethoxysilane)、(3-
縮水甘油基氧基丙基)三甲氧基矽烷((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)、[2-(3,4-環氧基環己基)乙基]三甲氧基矽烷([2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl]trimethoxysilane)等作為矽烷偶合劑。
如上文所述之正型感光性樹脂組成物可展現出優良之物理特性，如敏感度、解析度等，且特別有利於實施精細圖案。
如上文所述之正型感光性樹脂組成物可藉由如下之方法而形成為一具有一圖案之絕緣層、一具有一圖案之遮罩。
首先，將根據一實例性實施態樣之正型感光性樹脂組成物藉由旋塗法(spin coating method)、狹縫旋塗法(slit and spin coating method)、狹縫塗佈法(slit coating method)或輥塗法(roll coating method)而施加於一基材上。接著，將經塗佈之基材在真空中乾燥之後，藉由預烘(pre-bake)移除溶劑，由此形成一塗層。在此情形中，預烘可在約100℃至120℃下進行1分鐘至3分鐘。
此後，根據預先製備之一圖案，以可見光射線、紫外線、遠紫外線、電子射線或X射線來照射塗層，以一顯影劑(developer)進行顯影從而移除非必要之部分，由此形成一預定之圖案。
另外，圖案係藉由以顯影劑來顯影塗層、以超純水來洗滌經顯影之塗層約30秒鐘至90秒鐘以移除非必要之部分、並乾燥經洗滌之塗層而形成。在所形成之圖案上再次照射光(如紫外線等)之後，使用如烘箱等加熱裝置將該圖案在約150℃至400℃
下加熱約30分鐘至90分鐘，由此可能獲得一最終之圖案。
以下，將描述一種包含如上文所述之正型感光性樹脂組成物的有機發光顯示裝置。第1圖係為根據一實例性實施態樣之一有機發光顯示裝置之一顯示單元之訊號線的佈局圖，第2圖係為根據一實例性實施態樣之顯示單元之一個畫素的等效電路圖，且第3圖係為第2圖之有機發光顯示裝置之一個畫素的剖面圖。
參考第1圖，一沿一個方向延伸且輸送一掃描訊號之第一訊號線121、以及一與第一訊號線121交叉且輸送一影像訊號之第二訊號線171係形成於一基材100之一第一顯示區域PA上。第一訊號線及第二訊號線係連接至各畫素，且該等畫素可連接至除第一訊號線及第二訊號線以外的施加有不同訊號之各種訊號線(圖未顯示)。
一位於第一顯示區域PA外部之一周圍區域(peripheral area)PB中且控制畫素之一薄膜電晶體的驅動單元510係位於基材100上。作為一積體電路(integrated circuit，IC)晶片之驅動單元510可安裝於基材100上或與第一顯示區域PA之薄膜電晶體一起整合於基材上。
同時，根據一實例性實施態樣之有機發光顯示裝置係包括複數個畫素，該等畫素分別包括如第2圖中之等效電路。
參考第2圖，根據一實例性實施態樣之有機發光顯示裝置係包括複數個訊號線121與171以及連接至該等訊號線且近似以矩陣形式排列之複數個畫素PX。
訊號線係包括複數個輸送一閘極訊號(gate signal)(或掃描訊號)之第一訊號線121、複數個輸送一資料訊號之第二訊號線171、以及複數個輸送一驅動電壓Vdd之第三訊號線172。第一訊號線121係大致沿一列方向(row direction)延伸且幾乎彼此平行，而第二訊號線171及第三訊號線172係與第一訊號線121交叉且幾乎彼此平行地沿一行方向(column direction)延伸。
各畫素PX係包括一開關薄膜電晶體(switching thin film transistor)Q2、一驅動薄膜電晶體(driving thin film transistor)Q1、一儲存電容器(storage capacitor)Cst、以及一有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)70。
開關薄膜電晶體Q2係具有一控制端子(control terminal)、一輸入端子、以及一輸出端子，其中控制端子係連接至第一訊號線121，輸入端子係連接至第二訊號線171，且輸出端子係連接至驅動薄膜電晶體Q1。開關薄膜電晶體Q2係對施加至第一訊號線121之掃描訊號作出響應以將施加至第二訊號線171之資料訊號輸送至驅動薄膜電晶體Q1。
驅動薄膜電晶體Q1亦具有一控制端子、一輸入端子及一輸出端子，其中控制端子係連接至開關薄膜電晶體Q2，輸入端子係連接至第三訊號線172，且輸出端子係連接至有機發光二極體70。驅動薄膜電晶體Q1使一輸出電流ILD流動，其大小視控制端子與輸出端子之間所施加之一電壓而變化。
電容器Cst係連接在驅動薄膜電晶體Q1之控制端子與輸入端子之間。電容器Cst係對一施加至驅動薄膜電晶體Q1之控
制端子的資料訊號充電，且即使在開關薄膜電晶體Q2關閉之後仍維持帶電之資料訊號。
有機發光二極體70係具有一連接至驅動薄膜電晶體Q1之輸出端子的陽極以及一連接至一共用電壓(common voltage)Vss的陰極。有機發光二極體70係藉由發射光而顯示一影像，同時取決於驅動薄膜電晶體Q1之輸出電流ILD來改變光之強度。
第3圖係第2圖之有機發光顯示裝置之一個畫素的剖面圖。在第3圖中，將基於第2圖之第二薄膜電晶體Q2及有機發光二極體70，取決於堆疊次序而詳細描述有機發光顯示裝置。以下，第二薄膜電晶體Q2係被稱為一薄膜電晶體。
如第3圖中所示，有機發光顯示裝置係包含基材100，且一緩衝層120係位於基材100上。
緩衝層120可形成為一氮化矽(SiNx)之單層結構或一其中堆疊有氮化矽(SiNx)與二氧化矽(SiO2)之雙層結構。緩衝層120係用於將一表面平坦化，同時防止如雜質或濕氣等非必要組分滲透。
一由多晶矽製得之半導體係位於緩衝層120上。
半導體135係包含一通道區(channel region)1355以及分別形成於通道區1355之二側的一源極區1356與一汲極區1357。半導體之通道區1355係由不摻雜雜質之多晶矽製得，即一本質半導體(intrinsic semiconductor)。源極區1356及汲極區1357係由摻雜有導電性雜質之多晶矽所形成，即雜質半導體(impurity
semiconductors)。源極區1356及汲極區1357上所摻雜之雜質可為p型雜質及n型雜質之任一者。
一閘極絕緣層140係位於半導體135上。閘極絕緣層140可為含有正矽酸四乙酯(tetraethyl ortho silicate，TEOS)、氮化矽、氧化矽、以及上述正型感光性樹脂組成物之至少一者之一單層或一多層。
一閘極電極155係位於半導體135上且與通道區1355重疊。
閘極電極155可由如Al、Ti、Mo、Cu、Ni或其合金等低電阻材料或強抗腐蝕性材料(strong corrosion-resistant material)之一單層或一多層所形成。
一第一層間絕緣層160係位於閘極電極155上。第一層間絕緣層160可類似於閘極絕緣層140而由正矽酸四乙酯(TEOS)、氮化矽、氧化矽、以及上述正型感光性樹脂組成物所製得，且可由一單層或一多層所形成。
分別暴露出源極區1356與汲極區1357之一源極接觸孔(contact hole)66及一汲極接觸孔67係形成於第一層間絕緣層160與閘極絕緣層140中。
一源極電極176及一汲極電極177係位於第一層間絕緣層160上。源極電極176係經由源極接觸孔66連接至源極區1356，且汲極電極177係經由汲極接觸孔67連接至汲極區1357。
源極電極176及汲極電極177可由如Al、Ti、Mo、Cu、
Ni或其合金等低電阻材料或強抗腐蝕性材料之一單層或一多層所形成。舉例言之，源極電極176及汲極電極177可由Ti/Cu/Ti、Ti/Ag/Ti、Mo/Al/Mo之三層所形成。
分別作為第2圖所示之控制電極、輸入電極及輸出電極之閘極電極155、源極電極176及汲極電極177係與半導體135一起形成薄膜電晶體。薄膜電晶體之一通道係形成於源極電極176與汲極電極177之間之半導體135中。
一第二層間絕緣層180係位於源極電極176及汲極電極177上。第二層間絕緣層180係包括一暴露出汲極電極177之接觸孔82。
第二層間絕緣層180可類似於第一層間絕緣層而由正矽酸四乙酯(TEOS)、氮化矽、氧化矽、以及上述正型感光性樹脂組成物所製得，且可由一單層或一多層所形成。
一第一電極710係位於第二層間絕緣層180上。第一電極710可經由接觸孔82電性連接至汲極電極177且係為第2圖之有機發光二極體之一陽極電極。
儘管在一實例性實施態樣中，層間絕緣層係形成在第一電極710與汲極電極177之間，但第一電極710可與汲極電極177形成於同一層上且與汲極電極177相整合。
一畫素界定層190係位於第一電極710上。畫素界定層190係具有一暴露出第一電極710之開口部分95。畫素界定層190可經配置成含有聚丙烯酸酯(polyacrylates)、聚醯亞胺或上述正
型感光性樹脂組成物及矽系無機材料等。
一有機發光層720係位於畫素界定層190之開口部分95上。
有機發光層720係由一多層所形成，該多層包含一發光層以及一電洞注入層(hole-injection layer，HIL)、一電洞傳輸層(hole-transporting layer，HTL)、一電子傳輸層(electron-transporting layer，ETL)及一電子注入層(electron-injection layer，EIL)之至少一者。
在有機發光層720包括所有上述各層之情形中，電洞注入層係位於作為陽極電極之第一電極710上，且電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層可依次堆疊於其上。
在此情形中，發光層可由一低分子量有機材料或一如聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene)，PEDOT)等高分子量有機材料所製得。發光層可包含一發射紅光之紅色發光層、一發射綠光之綠色發光層、以及一發射藍光之藍色發光層，其中紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層係分別形成於一紅色畫素、一綠色畫素及一藍色畫素中，由此實現彩色影像。
此外，發光層可藉由同時將紅色畫素、綠色畫素及藍色畫素中之紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層彼此堆疊在一起且在各畫素中形成一紅色濾色片(filter)、一綠色濾色片及一藍色濾色片來實現彩色影像。再舉例言之，可藉由在所有紅色畫
素、綠色畫素及藍色畫素中皆形成一發射白光之白色發光層且在各畫素中分別形成紅色濾色片、綠色濾色片及藍色濾色片來實現彩色影像。在使用白色發光層及彩色濾色片實現彩色影像之情形中，無需使用一沈積遮罩在個別畫素之各者(即紅色畫素、綠色畫素及藍色畫素)中沈積紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層。
另外，白色發光層可由一發射白光之單個發光層所形成，且可藉由將發射複數種不同顏色之發光層堆疊來發射白光。舉例言之，可包含一藉由組合至少一個黃色發光層與至少一個藍色發光層而能夠發射白光之配置、一藉由組合至少一個青色(cyan)發光層與至少一個紅色發光層而能夠發射白光之配置、一藉由組合至少一個品紅色(magenta)發光層與至少一個綠色發光層而能夠發射白光之配置等。
一第二電極730係位於畫素界定層190及有機發光層720上。
第二電極730係為有機發光二極體之一陰極電極。因此，第一電極710、有機發光層720及第二電極730係構成有機發光二極體70。
取決於有機發光二極體70發光之方向，有機發光顯示裝置可具有正面顯示類型(front side display type)、背面顯示類型(rear side display type)及雙面顯示類型(double side display type)之任一種結構。
接著，一密封構件(sealing member)260係位於第
二電極730上。
在密封構件260中，可交替堆疊至少一個有機層及至少一個無機層。無機層之數量與有機層之數量分別可為二個或以上。
有機層係由聚合物所製得且可較佳為由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、環氧樹脂(epoxy)、聚乙烯及聚丙烯酸酯之任一者所製得之一單層或堆疊層。更佳地，有機層可由聚丙烯酸酯所製得，且具體包含一含有二丙烯酸酯系單體及三丙烯酸酯系單體之聚合單體組成物(polymerized monomer composition)。單體組成物中可更含有一單丙烯酸酯系單體。此外，單體組成物中更可含有此項技術中已知之一光起始劑(photo-initiator)，如TPO，但本發明不限於此。
無機層可為含有一金屬氧化物或金屬氮化物之一單層或堆疊層。詳言之，無機層可含有SiNx、Al2O3、SiO2及TiO2之任一者。
暴露於外部之密封構件之最上層可由無機層形成以防止濕氣滲透至有機發光二極體中。
如上文所述，根據一實例性實施態樣之有機發光顯示裝置可包括含有正型感光性樹脂組成物之絕緣層、一鈍化層、以及畫素界定層。另外，可使用根據一實例性實施態樣之正型感光性樹脂組成物從而形成一如薄膜電晶體等圖案。
另外，儘管本說明書中描述了用於有機發光顯示裝
置中之正型感光性樹脂組成物，但正型感光性樹脂組成物不限於此，而可用於任何顯示裝置中。
以下，將參考第4圖及第5圖來描述根據一實例性實施態樣之一顯示裝置。
在根據另一實例性實施態樣之一液晶顯示裝置之一薄膜電晶體陣列面板(thin film transistor array panel)中，一包含一閘極電極124之閘極線121係位於一由透明玻璃、塑膠等所製得之第一絕緣基材110上。
一閘極導體(gate conductor)可由如鋁(Al)、鋁合金等鋁系金屬；如銀(Ag)、銀合金等銀系金屬；如銅(Cu)、銅合金等銅系金屬；如鉬(Mo)、鉬合金等鉬系金屬；鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等所製得。
一由氮化矽(SiNx)及/或氧化矽(SiOx)及/或上述正型感光性樹脂組成物所製得之閘極絕緣層140係位於閘極導體上。閘極絕緣層140可具有一多層結構，其中包含至少二個具有不同物理特性之絕緣層。
一半導體層154係位於閘極絕緣層140上，且一包含一源極電極173及一汲極電極175之資料線171係位於半導體層154及閘極絕緣層140上。
資料線171係包含一用於與另一層或一外部驅動電路連接之寬端部分(wide end portion)(圖未顯示)。資料線171係輸送一資料訊號且主要沿一垂直方向延伸，由此與閘極線121交叉
(第4圖)。
在此情形中，資料線171可具有一第一彎曲部分(first curved part)，其具有一彎曲形狀從而具有液晶顯示裝置之最大透射率，其中彎曲部分可在畫素區域之中間區彼此交匯，由此形成V字形狀(V letter shape)。在畫素區域之中間區中更包括一經彎曲而與第一彎曲部分具有一預定角度之第二彎曲部分。
源極電極173係為資料線171之一部分且與資料線171設置於同一條線上。汲極電極175係經形成而與源極電極173平行延伸。因此，汲極電極175係與資料線171之該部分平行。
閘極電極124、源極電極173及汲極電極175係與半導體層154一起形成一單一薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)，且薄膜電晶體之一通道係形成在源極電極173與汲極電極175之間的半導體層154中。
根據另一實例性實施態樣之液晶顯示裝置係包含與資料線171位於同一條線上之源極電極173、以及與資料線171平行延伸之汲極電極175，且可增加薄膜電晶體之寬度而不增加由一資料導體(data conductor)佔據之面積，使得可增加液晶顯示裝置之孔徑比。
包含資料線171之資料導體較佳由如鉬、鉻、鉭、鈦等耐火金屬(refractory metal)或其合金所製得，且可具有一包含一耐火金屬層(圖未顯示)及一低電阻導電層(圖未顯示)之多層結構。
作為多層結構之一實例，有一由鉻或鉬(合金)下層與鋁(合金)上層所構成之雙層以及一由鉬(合金)下層、鋁(合金)中間層及鉬(合金)上層所構成之三層。然而，資料線171及汲極電極175可為各種金屬或導體以及上述材料。
一第一鈍化層180p係設置於資料導體171、173與175、閘極絕緣層140、以及半導體層154之一被暴露部分上。第一鈍化層180p可由一有機絕緣材料或無機絕緣材料所製得，例如上述正型感光性樹脂組成物等。
一第二鈍化層180q係位於第一鈍化層180p上。第二鈍化層180q可被省略。
第二鈍化層180q可為一彩色濾色片。在第二鈍化層180q為彩色濾色片之情形中，第二鈍化層180q可具體地顯示原色(primary color)之一，且原色之實例可包括紅色、綠色及藍色之三原色、或黃色、青色、品紅色等原色。儘管圖未顯示，但彩色濾色片可更包括顯示除原色以外之原色的混合顏色或白色之彩色濾色片。
一共用電極270係位於第二鈍化層180q上。具有一平面形狀之共用電極270可在第一絕緣基材110之一前表面上形成為一整板(whole plate)且具有一設置於與汲極電極175之一周圍部分相對應之一區中的開口部分(圖未顯示)。舉例言之，共用電極270可具有一板平面形狀(plate plane shape)。
位於相鄰畫素中之共用電極270係彼此連接以接收
一自顯示區域外部供應之具有一預定大小之共用電壓。
一第三鈍化層180r係位於共用電極270上。第三鈍化層180r可由一有機絕緣材料或無機絕緣材料所製得，例如上述正型感光性樹脂組成物等。
一畫素電極191係位於第三鈍化層180r上。畫素電極191係包含一與資料線171之第一彎曲部分及第二彎曲部分幾乎平行之彎曲邊緣。畫素電極191具有複數個切割部分(cutting part)，且包含複數個由該等切割部分所界定之狹縫。
一暴露出汲極電極175之接觸孔185係位於第一鈍化層180p、第二鈍化層180q及第三鈍化層180r中。畫素電極191係經由接觸孔185而物理連接且電性連接至汲極電極175，且自汲極電極175被施加一電壓。
儘管圖未顯示，但可在畫素電極191及第三鈍化層180r上施加一對準層(alignment layer)。對準層可為一水平對準層且沿一預定方向磨損。
以下，將描述一上部顯示面板(upper display panel)200。
一阻光構件(light blocking member)220係位於絕緣基材210上，且一平坦化層250係位於阻光構件220上。
儘管在另一實例性實施態樣中描述其中彩色濾色片位於一下部顯示面板(lower display panel)中且阻光構件220位於上部顯示面板中之情形，但本發明不限於此。舉例言之，彩色濾
色片與阻光構件二者皆可位於下部顯示面板或上部顯示面板中，或彩色濾色片與阻光構件之位置可改變。
一根據另一實例性實施態樣之液晶層3係具有正型介電各向異性(positive dielectric anisotropy)，且具體可包含一具有上述正型介電各向異性之液晶組成物。液晶層3之一液晶分子31可經對準以使得長軸在無電場之狀態下相對於二個顯示面板100及200之表面係水平的。
儘管在實例性實施態樣中描述了畫素電極191位於共用電極270上之情形，但本發明不限於此，且共用電極270可位於畫素電極191上。
如上文所述，根據一實例性實施態樣之顯示裝置可包含含有正型感光性樹脂組成物之絕緣層、鈍化層等。另外，可使用根據一實例性實施態樣之正型感光性樹脂組成物從而形成一圖案，如一薄膜電晶體。
另外，儘管本說明書中描述了根據一實例性實施態樣之用於顯示裝置中之正型感光性樹脂組成物，但正型感光性樹脂組成物不限於此，而可用於任何顯示裝置中。
以下，將描述根據某些實施例及比較實施例之正型感光性樹脂組成物。儘管將提供較佳實施例來幫助理解，但本發明之範疇不限於此。
基於100重量份之共聚物(其中溶解度係藉由以下化學式1-A之光酸產生劑而增大)，將10重量份之作為一肟系光酸產生劑之(Z)-4-甲氧基-N-(甲苯磺醯氧基)亞胺苄基氰胺、1重量份之作為一三系光酸產生劑之2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、0.5重量份之作為一有機鹼之三乙胺與丙二醇單甲基醚乙酸酯一起溶解，使得混合物之固形份含量成為20重量%，且使用0.1微米之微孔過濾器(Millipore filter)進行過濾，由此製備一感光性樹脂組成物。
藉由與實施例1相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例1之感光性樹脂組成物時使用3重量份之2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三作為三系光酸產生劑。
藉由與實施例1相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例1之感光性樹脂組成物時使用3重量份之
2-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三作為三系光酸產生劑。
藉由與實施例1相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例1之感光性樹脂組成物時使用3重量份之2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三作為三系光酸產生劑。
藉由與實施例2相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例2之感光性樹脂組成物時使用10重量份之(Z)-N-(環己基磺醯基氧基)-4-甲氧基亞胺苄基氰化物作為肟系光酸產生劑。
藉由與實施例2相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例2之感光性樹脂組成物時使用10重量份之(Z)-N-(環己基磺醯基氧基)亞胺苄基氰化物作為肟系光酸產生劑。
藉由與實施例2相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例2之感光性樹脂組成物時使用10重量份之(Z)-N-(環己基磺醯基氧基)-3,4-二甲氧基亞胺苄基氰化物作為肟系光酸產生劑。
藉由與實施例2相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例2之感光性樹脂組成物時使用10重量份之(Z)-3,4-二甲氧基-N-(辛基磺醯基氧基)亞胺苄基氰化物作為肟系光酸產生劑。
藉由與實施例2相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例2之感光性樹脂組成物時使用10重量份之(Z)-N-(環己基甲基磺醯基氧基)-4-甲氧基亞胺苄基氰化物作為肟系光酸產生劑。
藉由與實施例2相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例2之感光性樹脂組成物時使用10重量份之(Z)-4-甲氧基-N-(辛基磺醯基氧基)亞胺苄基氰化物作為肟系光酸產生劑。
藉由與實施例1相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例1之感光性樹脂組成物時不使用三系光酸產生劑。
藉由與實施例1相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例1之感光性樹脂組成物時使用0.3重量份之2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三作為三系光酸產生劑。
藉由與實施例1相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例1之感光性樹脂組成物時使用10重量份之2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三作為三系光酸產生劑。
藉由與實施例1相同之方法來製備一感光性樹脂組成物，惟在製備實施例1之感光性樹脂組成物時不使用肟系光酸產生劑且使用10重量份之2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三作為三系光酸產生劑。
量測如上文所述之實施例1至10及比較實施例1至4中之感光性樹脂組成物的物理特性，且結果示出於下表1中。
A)敏感度-將在實施例1至10及比較實施例1至4中製備之正型感光性樹脂組成物溶液使用一狹縫塗佈器而施加至一玻璃基材(370公分×470公分)(其上沈積有氮化矽(SiNx))上，在0.5托下真空乾燥，且在100℃下在熱板上預烘90秒鐘，由此形成具有厚度為2.0微米之層。
隨後，在其上使用一具有寬度為2微米之圖案遮罩及
一曝光器(light exposer)照射具有強度為10毫瓦/平方公分(mW/cm2)之紫外線。此後，在23℃下使用2.38重量%之氫氧化四甲銨水溶液來使各層顯影70秒鐘，且以超純水洗滌60秒鐘。基於線寬為2.0微米時之曝光劑量(exposure dose)，使用一掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)來量測敏感度。
B)波形圖案-確認在量測A)之敏感度時形成之圖案層的配線橫截面中是否產生一波形圖案。○指示產生波形圖案時之情形，且×指示未產生波形圖案時之情形。
C)線邊緣粗糙度(LER)-自上側觀察在量測A)之敏感度時形成之圖案層的線寬，使得在最大線寬與最小線寬之間的偏差可被檢測。LER之數值愈小，則LER愈優良。×指示LER為0.2微米或以上之情形，△指示LER為0.1至0.2微米之情形，且○指示LER小於0.1微米之情形。
D)錐形角(Tapered Angle)-確認在量測A)之敏感度時形成之圖案層之橫截面的錐形角。○指示錐形角為80°或以上之情形，△指示錐形角為70°至80°之情形，且×指示錐形角小於70°之情形。
參考表1，可理解除比較實施例3及4以外，在實施例1至10及比較實施例1及2中，敏感度幾乎類似，且確認了在比較實施例1及2中，係形成波形圖案。
接著，確認線邊緣粗糙度之結果，確認了在比較實施例1及2中，線邊緣粗糙度係不佳的。因此，可確認線寬之間的偏差係顯著的。
接著，相對於線寬來確認錐形角的結果，在不含肟系光酸產生劑之比較實施例3及4中，錐形角小於70°。
因此，在不含三系光酸產生劑之比較實施例中，係形成波形圖案或嚴重產生線寬偏差，且在不含肟系光酸產生劑之比較實施例中，線寬之錐形角係為小的(小於70°)。
因此，如實例性實施態樣中含有三系光酸產生劑與肟系光酸產生劑二者之正型感光性樹脂組成物可減少波形圖案之形成及線寬偏差，且維持高的線寬錐形角以及具有優良之敏感度。因此，可理解可易於實施精細圖案，使得可獲得一高解析度之顯示裝置。
上文中儘管詳細描述了實例性實施態樣，但本發明之範疇不限於此，且此項技術中具有通常知識者使用在以下申請專利範圍中定義之本發明之基本概念所作出之各種修改及革新亦包含在隨附申請專利範圍之精神及範疇中。
儘管已結合目前認為具有實踐性之實例性實施態樣描述了本發明，但應瞭解本發明不限於所揭露之實施態樣，且相反地，本發明旨在涵蓋包含於隨附申請專利範圍之精神及範疇中之各種修改及等效配置。
70‧‧‧有機發光二極體
121‧‧‧第一訊號線
171‧‧‧第二訊號線
172‧‧‧第三訊號線
Cst‧‧‧電容器
ILD‧‧‧輸出電流
PX‧‧‧畫素
Q1‧‧‧驅動薄膜電晶體
Q2‧‧‧開關薄膜電晶體
Vdd‧‧‧驅動電壓
Vss‧‧‧共用電壓
Claims (20)
- 一種用於一顯示裝置之正型感光性樹脂組成物(positive photosensitive resin composition)，包含：(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)一肟系光酸產生劑(oxime-based photo-acid generator)；(b-2)一三系光酸產生劑(triazine-based photo-acid generator)；(c)一有機鹼；以及(d)一溶劑，
- 如請求項1所述之用於一顯示裝置之正型感光性樹脂組成物，其中：x係為0.1至0.9，y係為0.0至0.3，且z係為0.1至0.9。
- 如請求項1所述之用於一顯示裝置之正型感光性樹脂組成物，其中：該正型感光性樹脂組成物含有3重量份至20重量份之該肟系光酸產生劑，以及0.5重量份至10重量份之該三系光酸產生劑。
- 如請求項1所述之用於一顯示裝置之正型感光性樹脂組成物，其中：該正型感光性樹脂組成物含有100重量份之該共聚物，以及0.1重量份至5重量份之該有機鹼，且含有該溶劑以具有50重量%至90重量%之固形份含量。
- 如請求項1所述之用於一顯示裝置之正型感光性樹脂組成物，其中：該肟系光酸產生劑具有380奈米或以下之主吸收波長(main absorption wavelength)及約3.0至約4.0之pH。
- 如請求項1所述之用於一顯示裝置之正型感光性樹脂組成物，其中：該三系光酸產生劑具有380奈米或以上之主吸收波長及約2.0至約3.0之pH。
- 如請求項1所述之用於一顯示裝置之正型感光性樹脂組成物，更包含： 一三聚氰胺交聯劑及一矽烷偶合劑。
- 一種有機發光顯示裝置，包含：一絕緣基材，一薄膜電晶體，位於該絕緣基材上，一第一電極，連接至該薄膜電晶體，一畫素界定層，位於該第一電極上且暴露出該第一電極之一部分，一有機發光層，位於該畫素界定層上，以及一第二電極，位於該有機發光層上，其中該畫素界定層含有一正型感光性樹脂組成物，該正型感光性樹脂組成物含有(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)一肟系光酸產生劑；(b-2)一三系光酸產生劑；(c)一有機鹼；以及(d)一溶劑；
- 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中：x係為0.1至0.9，y係為0.0至0.3，且z係為0.1至0.9。
- 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中：該正型感光性樹脂組成物含有3重量份至20重量份之該肟系光酸產生劑，以及0.5重量份至10重量份之該三系光酸產生劑。
- 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中：該正型感光性樹脂組成物含有100重量份之該共聚物，以及0.1重量份至5重量份之該有機鹼，且含有該溶劑以具有50重量%至90重量%之固形份含量。
- 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中：該肟系光酸產生劑具有380奈米或以下之主吸收波長及約3.0至約4.0之pH。
- 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中：該三系光酸產生劑具有380奈米或以上之主吸收波長及 約2.0至約3.0之pH。
- 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中：該正型感光性樹脂組成物更含有一三聚氰胺交聯劑及一矽烷偶合劑。
- 一種顯示裝置，包含：一第一絕緣基材，一薄膜電晶體，位於該第一絕緣基材上，一畫素電極，連接至該薄膜電晶體，一共用電極，經配置以與該畫素電極絕緣，一第二絕緣基材，面對該第一絕緣基材，以及一液晶層，位於該第一絕緣基材與該第二絕緣基材之間，其中該薄膜電晶體及該畫素電極之至少一者係使用一正型感光性樹脂組成物而形成，該正型感光性樹脂組成物含有(a)一共聚物，由以下化學式1表示；(b-1)一肟系光酸產生劑；(b-2)一三系光酸產生劑；(c)一有機鹼；以及(d)一溶劑；
- 如請求項15所述之顯示裝置，其中：x係為0.1至0.9，y係為0.0至0.3，且z係為0.1至0.9。
- 如請求項15所述之顯示裝置，其中：該正型感光性樹脂組成物含有3重量份至20重量份之該肟系光酸產生劑，以及0.5重量份至10重量份之該三系光酸產生劑。
- 如請求項15所述之顯示裝置，其中：該肟系光酸產生劑具有為380奈米或以下之主吸收波長及約3.0至約4.0之pH。
- 如請求項15所述之顯示裝置，其中：該三系光酸產生劑具有為380奈米或以上之主吸收波長及約2.0至約3.0之pH。
- 如請求項15所述之顯示裝置，其中：該正型感光性樹脂組成物更含有一三聚氰胺交聯劑及一矽烷偶合劑。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150062006A KR102402598B1 (ko) | 2015-04-30 | 2015-04-30 | 표시 장치용 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR10-2015-0062006 | 2015-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201702742A true TW201702742A (zh) | 2017-01-16 |
| TWI706223B TWI706223B (zh) | 2020-10-01 |
Family
ID=57198555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105113647A TWI706223B (zh) | 2015-04-30 | 2016-05-02 | 用於顯示裝置之正型感光性樹脂組成物及包含其之顯示裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102402598B1 (zh) |
| CN (1) | CN107533293B (zh) |
| TW (1) | TWI706223B (zh) |
| WO (1) | WO2016175627A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI739092B (zh) * | 2018-04-23 | 2021-09-11 | 日商住友電木股份有限公司 | 凸塊保護膜用感光性樹脂組成物、半導體裝置、半導體裝置之製造方法及電子機器 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100545753C (zh) * | 2003-05-22 | 2009-09-30 | 东京应化工业株式会社 | 化学放大型正性光致抗蚀剂组合物以及形成抗蚀剂图案的方法 |
| CN1977221A (zh) * | 2004-05-31 | 2007-06-06 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法及滤色片的制造方法以及滤色片及液晶显示装置 |
| JP4606136B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-01-05 | 富士通株式会社 | 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置 |
| KR100964773B1 (ko) * | 2008-07-21 | 2010-06-21 | 테크노세미켐 주식회사 | 화학증폭형 포지티브형 초고감도 유기절연막 조성물 및이를 이용한 유기절연막 형성 방법 |
| KR101841665B1 (ko) * | 2008-12-02 | 2018-03-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 전자종이 격벽형성용 조성물 |
| KR101618897B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2016-05-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 경화막의 제조 방법, 감광성 수지 조성물, 경화 막, 유기 ｅｌ 표시 장치, 및 액정 표시 장치 |
| JP5528314B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2014-06-25 | 富士フイルム株式会社 | 硬化膜の製造方法、感光性樹脂組成物、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置 |
| TWI546574B (zh) * | 2011-06-01 | 2016-08-21 | Jsr股份有限公司 | 著色組成物、彩色濾光片及顯示元件 |
| JP5723842B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法 |
| TWI570504B (zh) * | 2012-03-30 | 2017-02-11 | 富士軟片股份有限公司 | 感光性樹脂組成物、使用其的圖案的製造方法、硬化膜、有機ｅｌ顯示裝置及液晶顯示裝置的製造方法 |
| KR20140112736A (ko) * | 2013-03-14 | 2014-09-24 | 동우 화인켐 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
-
2015
- 2015-04-30 KR KR1020150062006A patent/KR102402598B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-05-02 TW TW105113647A patent/TWI706223B/zh active
- 2016-05-02 WO PCT/KR2016/004579 patent/WO2016175627A1/ko active Application Filing
- 2016-05-02 CN CN201680023800.2A patent/CN107533293B/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
| TWI739092B (zh) * | 2018-04-23 | 2021-09-11 | 日商住友電木股份有限公司 | 凸塊保護膜用感光性樹脂組成物、半導體裝置、半導體裝置之製造方法及電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160130046A (ko) | 2016-11-10 |
| TWI706223B (zh) | 2020-10-01 |
| KR102402598B1 (ko) | 2022-05-26 |
| CN107533293A (zh) | 2018-01-02 |
| CN107533293B (zh) | 2021-06-22 |
| WO2016175627A1 (ko) | 2016-11-03 |
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