TW201635415A - 晶粒推頂設備 - Google Patents

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少寧 賴
建力 陳
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Abstract

一種搭配一晶粒輸送裝置使用之設備，其係包含：一柄部(7)，其一端可連接至一施力工具(6)，且其另一端具有一盲孔(8)；以及至少一縱長元件(12)，其一端附加於該盲孔(8)中，且另一端之尖端(13)伸出該柄部(7)之該端之外；於使用時，該尖端(13)推壓晶粒(3)並將之固定於該裝置上之定位。在此亦提供一種用以製作所述設備之方法。

Description

晶粒推頂設備
本發明係關於搭配晶粒輸送裝置使用之設備，更詳而言之，係於使用時推壓晶粒並將之固定於裝置上定位之設備。
隨著電子裝置日趨微型化，此等裝置所不可或缺之晶粒亦講求更為精巧之體積。目前一般晶粒之厚度約為0.22公釐，較以往晶粒更薄，因此較易於輸送過程中受損。依據研究分析，只要約45N之力量即能夠造成上述厚度之晶粒破裂。因此，以往用於按壓固定晶粒於一晶粒輸送裝置上之設備已無法確保現今薄型晶粒之安全輸送。
日本專利第JP 1985-030149號揭露一料粒頂出針。發明人試圖改良耐磨性，以真空環座穩定吸力，並在頂出針一端設置鑽石尖端藉以提升產品可靠度。當真空環座將複數排列於遮罩片上之半導體料粒逐一拾起時，頂出針會穿破遮罩片並將料粒向上頂起。頂出針包含碳鋼SK主體及設置於主題鼻段之鑽石尖端。因此可以提升耐磨性，避免主體鼻段磨平。料粒經穩定力量上推，可避免吸取作業失誤，並達成更佳之晶粒固定效果。
但現有設備之缺點在於力量會集中於晶粒底面之一點。因此導致晶粒可能於輸送過程中破損，尤其將晶粒從晶圓上取下而移往他處時更易發生晶粒破損之意外。
依據本發明，一種搭配晶粒輸送裝置使用之設備可克服以上缺點並達成改良，此設備係包含：一柄部，其一端可連接至一施力工具，且其另一端具有一盲孔；以及至少一縱長元件，其一端附加於該盲孔中，且另一端之尖端伸出該柄部之該端之外；於使用時，該尖端推壓晶粒並將之固定於該裝置上之定位。
較佳者，該尖端為錐形。
有利者，該縱長元件之後端具有一圓形尖端，或一具有圓形或矩形輪廓之平直尖端。
較佳者，該柄部係由金屬或硬質工程塑膠所製成。
有利者，該縱長元件係以金屬或塑膠製成。
較佳者，該塑膠之蕭氏D型(Shore D)硬度值介於50與120之間。
較佳者，該柄部末端部分之截面積大於該柄部其餘部分之截面積。
本發明亦提供一種製作上述設備之方法，其係包含以下步驟：經由一磨削程序製作該柄部；於該柄部之末端製作該盲孔；經由一磨削程序製作至少一縱長元件；將該元件一端之尖端製成圓形或平直狀；以及將該元件附加入該盲孔中。
1‧‧‧環座
2‧‧‧柄部
3‧‧‧晶粒
4‧‧‧晶圓
5‧‧‧縱長元件
6‧‧‧施力工具
7‧‧‧柄部
8‧‧‧盲孔
9‧‧‧柄部
10‧‧‧端部
11‧‧‧盲孔
12、12a~12j‧‧‧縱長元件
13‧‧‧尖端
14‧‧‧圓形
15‧‧‧矩形
16‧‧‧矩形
第1圖為依據本發明一設備之概要圖，該設備之尖端壓緊一晶粒並將之固定於一晶粒輸送裝置上之定位。
第2圖為依據本發明該設備一種柄部形式之立體圖。
第3圖為另一種柄部形式之立體圖。
第4圖為上述任一柄部之上視圖。
第5圖為依據本發明該設備一種縱長元件形式之立體圖，其具有錐狀圓形尖端。
第6圖為該元件另一形式之上視圖，其具有圓形輪廓之平直尖端。
第7圖為該元件另一形式之上視圖，其具有方形輪廓之平直尖端。
第8圖為該元件另一形式之上視圖，其具有矩形輪廓之平直尖端。
第9圖為該設備一種形式之立體圖。
第10圖為該設備另一形式之立體圖。
第11圖為該設備之上視圖。
第12圖為該設備一種形式之上視圖。
如第1圖所示，本發明晶粒輸送裝置具有一環座1，該環座1係附加至一柄部2之底端，且利用真空吸力拾取晶圓4上之晶粒3。於拾起晶粒3之前，先由一連接至裝置下方施力工具6之縱長元件5將晶粒3上推，使晶粒3脫離晶圓4，然後由環座1吸取定位。
如第2圖所示，柄部7之全長均為圓柱形輪廓。柄部7之一端可連接至施力工具6，且柄部7之另一端具有一盲孔8。該孔8之上視圖係如 第4圖。柄部7之直徑可為0.7公釐。
如第3圖所示，此種形式之柄部9具有一端部10，該端部10之截面積係大於柄部9其餘部分之截面積。該較大部分之末端10具有一盲孔11。該孔11之上視圖係如第4圖。
參照第5圖，該縱長元件12之一端係插設於該盲孔8(或11)中，且另一端之尖端13為錐狀圓頭。該元件12之直徑可為0.2公釐。元件後端亦可為圓形14(如第6圖所示)、方形15(如第7圖所示)或矩形16(如第8圖所示)輪廓之平直尖端。
如第9圖所示，該設備包含一圓柱形柄部7，其一端具有一盲孔8，該盲孔8中設有三個縱長元件12a、12b、12c。
如第10圖所示，該設備之另一形式包含一柄部9，其末端部分10之截面積大於柄部9其餘部分。該較大部分之末端10具有一盲孔11，且該盲孔11中設有三個縱長元件12d、12e、12f。
參照第11圖及第12圖，不同形式之設備可能具有不同數量之縱長元件。第11圖之設備具有三個元件12a、12b、12c，而第12圖之設備則具有四個元件12g、12h、12i、12j。此等元件之排列方式可確保施加於該晶粒3底側之力量不致集中於一點，而可均勻分散於整個底側區域。
所述柄部及縱長元件係以金屬或硬質工程塑膠製成。此塑膠之蕭氏D型(Shore D)硬度值可為85。
用以製作該設備之方法始於第一步，其中係經由磨削程序製作該柄部，如瑞士磨削。接著在第二步中於柄部一端製作盲孔，並在第三步中經由一磨削程序製作至少一縱長元件，如無心磨削。接著為第四步， 將元件一端之尖端製成圓形或平直狀，以及最後之第五步，將該(等)元件附加至該盲孔中。
7‧‧‧柄部
8‧‧‧盲孔
12a、12b、12c‧‧‧縱長元件

Claims (8)

  1. 一種搭配晶粒輸送裝置使用之設備，其係包含：一柄部(7)，其一端可連接至一施力工具(6)，且其另一端具有一盲孔(8)；以及至少一縱長元件(12)，其一端附加於該盲孔(8)中，且另一端之尖端(13)伸出該柄部(7)之該端之外；於使用時，該尖端(13)推壓晶粒(3)並將之固定於該裝置上之定位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該尖端(13)為錐形。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之設備，其中該縱長元件之後端具有一圓形尖端(13)，或一具有圓形(14)或矩形(15或16)輪廓之平直尖端。
  4. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之設備，其中該柄部(7)係由金屬或硬質工程塑膠所製成。
  5. 如申請專利範圍第1至4項任一項所述之設備，其中該縱長元件(12)係以金屬或塑膠製成。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所述之設備，其中該塑膠之蕭氏D型(Shore D)硬度值介於50與120之間。
  7. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之設備，其中該柄部(9)末端部分(10)之截面積大於該柄部(9)其餘部分之截面積。
  8. 一種用以製造如申請專利範圍第1至7項任一項所述之設備之方法，其係包含以下步驟：經由一磨削程序製作該柄部(7)；於該柄部(7)之末端製作該盲孔(8)；經由一磨削程序製作至少一縱長元件(12)；將該元件一端之尖端(13)製成圓形或平直狀；以及將該元件(12)附加入該盲孔(8)中。
TW104143313A 2014-12-26 2015-12-22 晶粒推頂設備 TW201635415A (zh)

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