CN202549811U - 顶针盖结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型是一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，顶针盖结构包含有一盖体，其顶面具有至少一孔，盖体的顶面进一步具有一晶粒顶出区，盖体相对于晶粒顶出区，更进一步具有至少一长边与至少一短边，长边的长度除以短边的长度的比值大于1，而使得以推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒，故可使取放晶粒的制程得以全面自动化，进而使得晶粒取放技术具有便利性。

Description

顶针盖结构

技术领域

本实用新型涉及一种顶针盖结构，其是用于推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒。

背景技术

现今晶圆(Wafer)的制造技术与切割技术，以及晶粒(Die)取放技术已经日趋成熟。

承上所述，现今的晶粒制程，其是将晶圆放置于一具有粘附性的薄膜的晶圆环中，而后将晶圆切割出复数个所需尺寸的晶粒，再将经切割的晶圆连同晶圆环一并送入晶粒取放机中，以取得所需的晶粒。

当具有已切割的晶圆的晶圆环放置于一晶粒取放机中时，位于晶粒环下方的顶针盖的操作模式有两种，其一是顶针盖具有移动模式，即顶针盖相对于晶粒的位置移动，另一是顶针盖不具有移动模式，即晶粒相对于顶针盖的位置移动。

请配合参考图1所示，当晶圆环移动至顶针盖1的上方，或者顶针盖1移动至晶圆环的下方，顶针盖1通过吸孔10提供一负压，以吸附薄膜20，顶针11穿过顶针盖1推抵薄膜20，以使薄膜20与晶粒21呈分离状，取放装置2得以吸取晶粒21。

请配合参考图2所示，现今的顶针盖1，若以其中心线来区分的话，顶针盖1的长边与短边的比例为1∶1，所以较常见的顶针盖1的形状是圆形或方形。

然而，现今的晶粒21因功能与设计的条件，而导致晶粒21的尺寸日渐细长，因现今的顶针盖1的移动模式是上述的两种方式，当顶针盖1移动至接近晶圆环22的内缘处，或者晶圆环22的内缘处移动至接近顶针盖1处时，顶针盖1与晶圆环22的内缘就会发生碰撞的情况，即业界通称干涉I，请见图2。

为了避免此一情况发生，每当顶针盖1欲顶出邻近晶圆环22的内缘的晶粒21时，晶粒取放机会取消顶针盖1移动至此一位置的指令，或者取消晶圆环22移动的指令，而使该位置的晶粒21另由人工取出。

综合上述，现有的顶针盖1因其形状，导致其无法顶出邻近晶圆环22的内缘的晶粒21，而需要使用人工方能取出晶粒21，使得晶粒21取放技术充满不便性，故现有的顶针盖1仍有需要改善的空间。

发明内容

有鉴于上述的缺点，本实用新型的目的在于提供一种顶针盖结构，其是能够推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒，而使取放晶粒的制程得以全面自动化，进而使得晶粒取放技术具有便利性，并能降低制造晶粒的成本。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：

一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1。

该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。

该盖体的形状为多边形。

该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。

该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案还包括：

一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：

一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1.5。

该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。

该盖体的形状为多边形。

该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。

该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。

与现有技术相比较，采用上述技术方案的本实用新型具有的优点在于：本实用新型的顶针盖结构是改变盖体的长边与短边的比例，而使本实用新型的盖体的形状成为细长状的多边形，故相较于现有的顶针盖，本实用新型的顶针盖结构得以推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒，所以无须使用任何人工推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒，进而使取放晶粒的制程得以全面自动化，故可节省人工的支出，并能达到节省制作成本的效果，以及使得晶粒取放技术具有便利性。

附图说明

图1是现有的顶针盖于实际使用时的剖面示意图；

图2是现有的顶针盖与晶圆环于干涉时的示意图；

图3是本实用新型的顶针盖的第一实施例的立体外观图；

图4是本实用新型的顶针盖的第一实施例的示意图；

图5是本实用新型的顶针盖与晶圆环的示意图；

图6是本实用新型的顶针盖的第二实施例的立体外观图；

图7是本实用新型的顶针盖的第二实施例的示意图；

图8是本实用新型的顶针盖的第三实施例的立体外观图；

图9是本实用新型的顶针盖的第三实施例的示意图；

图10是本实用新型的顶针盖的第四实施例的立体外观图；

图11是本实用新型的顶针盖的第四实施例的示意图。

附图标记说明：1顶针盖；10吸孔；11顶针；2取放装置；20薄膜；21晶粒；22晶圆环；3盖体；30孔；31气道；32晶粒顶出区；40晶圆环；41晶圆；42晶粒；I干涉；CL中心线；LS长边；SS短边；5盖体；50孔；51气道；52晶粒顶出区；CL2中心线；LS2长边；SS2短边；6盖体；60孔；61气道；62晶粒顶出区；CL3中心线；LS3长边；SS3短边；7盖体；70孔；71气道；72晶粒顶出区；CL4中心线；LS4长边；SS4短边。

具体实施方式

以下凭借特定的具体实施例说明本实用新型的具体实施方式，所属技术领域中具有通常知识者可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。

请配合参考图3所示，本实用新型是一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，晶圆可为8或12英寸的晶圆的其中一者，晶粒的宽度小于2mm，晶粒的长度大于25mm。

该顶针盖结构具有一盖体3，盖体3的顶面具有至少一个孔30与至少一个气道31，气道31相通于孔30，盖体3的顶面进一步具有晶粒顶出区32，晶粒顶出区32设于相对于孔30的位置。

请配合参考图4所示，盖体3具有一中心线CL，盖体3以中心线CL为基准，盖体3具有至少一长边LS与至少一短边SS，长边LS的长度除以短边SS的长度的比值大于1，在本实施例中，盖体3的形状为椭圆形，盖体3的形状也可为长方形，或者，盖体3相对于晶粒顶出区32，盖体更进一步具有至少一长边LS与至少一短边SS，长边LS的长度除以短边SS的长度的比值大于1，举例而言，该比值能够大于1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2或任何大于1的数值。

请配合参考图5所示，一已设于晶圆环40的晶圆41，晶圆41具有复数个细长形的晶粒42，并将此一晶圆环40移至晶粒取放机中，位于晶圆环40下方的盖体3是移动至所欲推顶的晶粒42的下方，或者晶圆环40依据欲被推顶的晶粒42的位置，而移动至盖体3的上方。

盖体3通过孔30与对晶圆环40的薄膜产生一负压吸力，顶针通过孔30穿出盖体3，并推抵薄膜，以使薄膜与晶粒42分离，进而使得取放装置得以吸取晶粒42。

请再参考图4与图5所示，因盖体3的长边LS的长度除以短边SS的长度的比值大于1，盖体3的形状为椭圆形，故当盖体3移动至接近晶圆环40的内缘处，或者晶圆环40的内缘处移动至接近盖体3处时，盖体3与晶圆环40的内缘就不会发生碰撞的情况，即干涉状态无法产生，如此，邻近晶圆环40的内缘的晶粒42，其应可被盖体3所推顶。

综合上述，本实用新型是改变盖体3的长边LS与短边SS的比例，凭借此一比例的设定，而使盖体3得以推抵邻近晶圆环40的内缘的晶粒42，因此无须使用任何人工推抵邻近晶圆环40的内缘的晶粒42，进而使取放晶粒42的制程得以全面自动化。

请配合参考图6与图7所示，其为本实用新型的第二实施例，盖体5是菱形，盖体5的顶面具有至少一孔50与至少一气道51，孔50与气道51相通，盖体5的顶面进一步具有晶粒顶出区52，请再配合参考图7所示，盖体5具有一中心线CL2，盖体5以中心线CL2为基准，盖体5具有至少一长边LS2与至少一短边SS2，长边LS2的长度除以短边SS2的长度的比值大于1，或者，盖体5相对于晶粒顶出区52，盖体更进一步具有至少一长边LS2与至少一短边SS2，长边LS2的长度除以短边SS2的长度的比值大于1，举例而言，该比值能够大于1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2或任何大于1的数值。

请配合参考图8与图9所示，其为本实用新型的第三实施例，盖体6是六边形，盖体6的顶面具有至少一孔60与至少一气道61，孔60与气道61相通，盖体6的顶面进一步具有晶粒顶出区62，请再配合参考图9所示，盖体6具有一中心线CL3，盖体3以中心线CL3为基准，盖体6具有至少一长边LS3与至少一短边SS3，长边LS3的长度除以短边SS3的长度的比值大于1，或者，盖体6相对于晶粒顶出区62，盖体更进一步具有至少一长边LS3与至少一短边SS3，长边LS3的长度除以短边SS3的长度的比值大于1，举例而言，该比值能够大于1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2或任何大于1的数值。

请配合参考图10与图11所示，其为本实用新型的第四实施例，盖体7是八边形，盖体7的顶面具有至少一孔70与至少一气道71，孔70与气道71相通，盖体7的顶面进一步具有晶粒顶出区72，请再配合参考图11所示，盖体7具有一中心线CL4，盖体7以中心线CL4为基准，盖体7具有至少一长边LS4与至少一短边SS4，长边LS4的长度除以短边SS4的长度的比值大于1，或者，盖体7相对于晶粒顶出区72，盖体更进一步具有至少一长边LS4与至少一短边SS4，长边LS4的长度除以短边SS4的长度的比值大于1，举例而言，该比值能够大于1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7或任何大于1的数值。

以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：

一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1。

2.根据权利要求1所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。

3.根据权利要求1所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为多边形。

4.根据权利要求2所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。

5.根据权利要求1所述的顶针盖结构，其特征在于：该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。

6.一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：

一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1.5。

7.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。

8.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为多边形。

9.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。

10.根据权利要求6所述的顶针盖结构，其特征在于：该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。

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