TW201630226A - 線性分佈管及使用其之材料沈積配置與真空沈積設備及提供材料沈積配置之方法 - Google Patents

線性分佈管及使用其之材料沈積配置與真空沈積設備及提供材料沈積配置之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201630226A
TW201630226A TW104136577A TW104136577A TW201630226A TW 201630226 A TW201630226 A TW 201630226A TW 104136577 A TW104136577 A TW 104136577A TW 104136577 A TW104136577 A TW 104136577A TW 201630226 A TW201630226 A TW 201630226A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
distribution tube
nozzle
nozzles
substrate
linear
Prior art date
Application number
TW104136577A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI625876B (zh
Inventor
史丹分 班格特
佑維 史奇伯勒
安德率斯 露博
喬斯曼紐 地古坎柏
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201630226A publication Critical patent/TW201630226A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI625876B publication Critical patent/TWI625876B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種用以於一真空腔室(110)中沈積已蒸發材料於一基板(121)上之線性分佈管(106)係說明。線性分佈管(106)包括一分佈管殼體(116)，沿著一第一方向(136)延伸，其中第一方向係提供線性分佈管之線性延伸，且其中分佈管殼體包括一第一殼體材料。線性分佈管(106)更包括數個開孔，位於分佈管殼體(116)中，其中此些開孔沿著線性分佈管之線性延伸係為分散式的。再者，線性分佈管包括數個噴嘴(712)，用於線性分佈管(106)，其中此些噴嘴(712)係裝配以用於導引真空腔室(110)中的已蒸發材料。此些噴嘴(712)包括一第一噴嘴材料，具有大於第一殼體材料及/或大於21W/mk的一熱傳導率。

Description

線性分佈管及使用其之材料沈積配置與真空沈積 設備及提供材料沈積配置之方法
數個實施例是有關於一種材料沈積配置、一種具有一材料沈積配置之沈積設備、以及一種用以提供用於一材料沈積配置之一分佈管的方法。數個實施例特別是有關於一種用於一真空沈積腔室之材料沈積配置、一種具有一材料沈積配置之真空沈積設備、及一種用以提供用於在一真空沈積腔室中之一材料沈積配置之一分佈管的方法，特別是一種材料源、一種沈積設備、及一種用於一蒸發製程之方法。
有機蒸發器係為用於生產有機發光二極體(organic light-emitting diodes，OLED)之器械。OLEDs係為發光二極體之一種特別形式，在OLEDs中，發光層包括特定之有機化合物之薄膜。OLEDs係使用於製造用於顯示資訊之電視螢幕、電腦螢幕、手機、其他手持裝置等。OLEDs可亦使用來做為一般空間的照明。 OLED顯示器可能的顏色、亮度、及視角之範圍係較傳統之液晶顯示器(LCD)大，因為OLED像素係直接地發出光線而不使用背光。因此，OLED顯示器之能量損耗係大量少於傳統之液晶顯示器的能量損耗。再者，OLEDs可製造於撓性基板上係產生更多之應用。典型之OLED顯示器舉例可包括位於兩個電極之間的數個有機材料層，此些有機材料層全部係沈積於一基板上，以形成具有個別可供能像素之一矩陣顯示面板。OLED一般係置於兩個玻璃面板之間，且玻璃面板之邊緣係密封以封裝OLED於其中。
製造此種顯示裝置係面臨許多挑戰。OLED顯示器或OLED發光應用包括由數個有機材料形成之堆疊，此些有機材料例如是在真空中蒸發。有機材料係經由遮罩(shadow masks)以接續之方式沈積。為了以高效率製造OLED堆疊，共沈積(co-deposition)或共蒸發(co-evaporation)兩個或多個材料成為混合/摻雜層係有需要的，兩個或多個材料舉例為主體(host)及摻雜劑。再者，許多用以蒸發非常靈敏之有機材料的處理條件係必須考慮。
為了沈積材料於基板上，材料係加熱直到材料蒸發。再者，舉例來說，為了保持已蒸發材料於一控制溫度或避免已蒸發材料於管中凝結，導引材料至基板的管可進行加熱。用於管之加熱元件可提供以圍繞管，且於一些系統中，蒸發器之已加熱裝置更提供有加熱遮罩物，用以減少熱損。然而，由於此種管具有複雜的幾何形狀，加熱元件及加熱遮罩物無法確保分佈管之均勻 溫度。
有鑑於上述，此處所述實施例之一目的係提供一種材料沈積配置、一種具有一材料沈積配置之沈積設備、一種線性分佈管、及一種用以提供用於一材料沈積配置之一分佈管之方法來克服此領域中之至少一些問題。
有鑑於上述，根據獨立申請專利範圍之材料沈積配置、沈積設備、用於分佈管之噴嘴、及用以提供用於材料沈積配置之分佈管的方法係提供。數個實施例之其他方面、優點、及特徵係藉由附屬申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。
根據一實施例，一種用以於一真空腔室中沈積已蒸發材料於一基板上之線性分佈管係提供。線性分佈管包括一分佈管殼體，沿著一第一方向延伸，其中第一方向係提供線性分佈管之線性延伸。分佈管殼體包括一第一殼體材料。線性分佈管更包括數個開孔，位於分佈管殼體中，其中此些開孔沿著線性分佈管之線性延伸係為分散式的。再者，線性分佈管包括數個噴嘴，用於線性分佈管，其中此些噴嘴係裝配以用於導引真空腔室中的已蒸發材料。此些噴嘴包括一第一噴嘴材料，具有大於第一殼體材料及/或大於21W/mk的一熱傳導率。
根據另一實施例，一種用以於一真空腔室中沈積一材料於一基板上之材料沈積配置係提供。材料沈積配置包括一蒸發源，用以提供將蒸發及將沈積之材料於基板上；一分佈管，流 體流通於蒸發源，蒸發源係提供已蒸發之材料於該分佈管。材料沈積配置更包括一噴嘴，用以於真空腔室中導引已蒸發材料。噴嘴包括一第一噴嘴材料，具有大於21W/mK之一熱傳導率。
根據其他實施例，一種真空沈積設備係提供。真空沈積設備包括一真空腔室；以及根據此處所述實施例之一材料沈積配置。蒸發源係為用於數個有機材料之一蒸發坩鍋。材料沈積配置之分佈管連接於蒸發坩鍋，分佈管用以從蒸發坩鍋導引已蒸發材料至真空腔室中。噴嘴包括一第二噴嘴材料，對已蒸發有機材料係為化學惰性。再者，材料沈積配置之噴嘴係排列以用於導引已蒸發材料朝向真空腔室中之一基板。
根據其他實施例，一種用以提供用於一真空沈積設備之一材料沈積配置的方法係提供。方法包括提供一蒸發源，用以蒸發將沈積於一基板上之材料；以及流體連通一分佈管及一噴嘴於蒸發源，以提供於蒸發源與分佈管及噴嘴之間的流體連通。噴嘴包括一第一噴嘴材料，具有大於21W/mK之一熱傳導數值。
數個實施例係針對用於執行所揭露之方法之設備，且設備包括用於執行各所述之方法特徵的設備部件。此些方法特徵可藉由硬體元件、由適合軟體程式化之電腦、由此兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者，數個實施例亦針對操作所述之設備的方法。其包括用於執行設備之每一功能的方法特徵。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100‧‧‧材料沈積配置
102‧‧‧支座
104‧‧‧蒸發坩鍋
106‧‧‧分佈管
107‧‧‧開孔
108‧‧‧延伸牆
109‧‧‧牆
110‧‧‧真空腔室
112‧‧‧對準單元
116‧‧‧分佈管殼體
121‧‧‧基板
126‧‧‧基板支座
131‧‧‧遮罩框架
132‧‧‧遮罩
136‧‧‧第一方向
200、712‧‧‧噴嘴
201‧‧‧導引部分
202‧‧‧連接部分
203‧‧‧通道
205、207‧‧‧閥
206‧‧‧第一噴嘴材料
208‧‧‧第二噴嘴材料
210‧‧‧維護真空腔室
300‧‧‧沈積設備
320‧‧‧線性導件
400‧‧‧方法
410、420‧‧‧方塊
703‧‧‧凸緣單元
710‧‧‧內部中空空間
715‧‧‧加熱單元
717‧‧‧加熱遮蔽件
722‧‧‧栓
725‧‧‧外部加熱單元
726‧‧‧中央加熱元件
727‧‧‧遮罩物
732‧‧‧蒸汽導管
為了可詳細地了解此處所述實施例之上述特徵，簡要摘錄於上之更特有的說明可參照實施例。所附之圖式係有關於數個實施例且說明於下方：〔第1a至1c圖〕繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置的示意圖；〔第2a至2d圖〕繪示根據此處所述實施例之用於分佈管之噴嘴的示意圖；〔第3a及3b圖〕繪示根據此處所述實施例之用於材料沈積配置之分佈管的示意、剖面圖；〔第4圖〕繪示根據此處所述實施例之具有材料沈積配置之沈積設備的示意圖；以及〔第5圖〕繪示根據此處所述實施例之用以提供用於材料沈積配置之分佈管的方法之流程圖。
詳細的參照將以各種實施例來達成，實施例的一或多個例子係繪示在圖式中。在下方圖式之說明中，相同參考編號係意指相同元件。一般來說，僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部分之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。
如此處所使用，名稱「流體連通(fluid communication)」可理解為流體連通的兩個元件可經由一連接件交換流體，以讓流體於此兩個元件之間流動。於一例子中，為流體連通之此些元件可包括中空結構，流體可流動通過中空結構。根據一些實施例，為流體連通之此些元件的至少一者可為類管元件。
再者，在下方說明中，一材料源可理解為提供將沈積於一基板上之一源。特別是，材料源可裝配以用於在真空腔室中提供將沈積於一基板上之材料，真空腔室例如是真空沈積腔室或設備。根據一些實施例，材料源可藉由裝配以蒸發將沈積之材料來提供將沈積於基板上之材料。舉例來說，材料源可包括蒸發源，蒸發源例如是蒸發器或坩鍋，蒸發源蒸發將沈積於基板上之材料，且特別是於一方向中釋放已蒸發材料，此方向係朝向基板或進入材料源之分佈管中。於一些實施例中，蒸發器可流體連通於分佈管，以舉例為用以分佈已蒸發材料。
根據此處所述一些實施例，分佈管可理解為用以導引及分佈已蒸發材料之一管。特別是，分佈管可從蒸發器導引已蒸發材料至分佈管中之出口或開孔。線性分佈管可理解為於第一，特別是縱向方向中延伸之一管。於一些實施例中，線性分佈管包括具有圓柱形狀之管，且其中圓柱可具有圓形底部形狀或任何其他適合的底部形狀。
此處所指的噴嘴可理解為用以導引一流體的一裝置，特別是用以控制一流體之方向或特性(例如是從噴嘴出現之流體 之流速、速度、形狀、及/或壓力)。根據此處所述一些實施例，噴嘴可為用以導引或指引蒸汽之一裝置，蒸汽例如是將沈積於基板上之已蒸發材料的蒸汽。噴嘴可具有用以接收一流體之入口、用以導引流體通過噴嘴之開孔(舉例為鑽孔(bore)或通道)、及用以釋放流體之出口。一般來說，噴嘴之開孔或通道可包括定義之幾何形狀，用以讓流動通過噴嘴之流體達成所定義之方向或特性。根據一些實施，噴嘴可為分佈管之部分或可連接於提供已蒸發材料之分佈管且可從分佈管接收已蒸發材料。
第1a至1c圖繪示根據此處所述實施例之材料沈積配置100之示意圖。材料源可包括分佈管106及蒸發源或坩鍋104來做為蒸發器，如第1a圖中所示。分佈管106可流體連通於坩鍋，用以分佈已蒸發材料，已蒸發材料係由蒸發坩鍋104提供。分佈管可例如是具有加熱單元715之延長的立方體。蒸發坩鍋可為水庫(reservoir)，用於利用外部加熱單元725之將蒸發的有機材料。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，分佈管106提供接線源。分佈管與坩鍋之其他細節將更詳細說明於下。根據此處所述一些實施例，材料沈積配置100更包括數個噴嘴，用以朝向基板釋放已蒸發材料，例如是沿著至少一接線排列之噴嘴。
根據此處所述實施例，用於在真空腔室中沈積已蒸發材料於基板上之線性分佈管係提供。線性分佈管包括分佈管殼體，沿著第一方向延伸，其中第一方向係提供線性分佈管之線性延伸。一般來說，分佈管殼體包括第一殼體材料。線性分佈管更 包括數個開孔，此些開孔位於分佈管殼體中，其中此些開孔沿著線性分佈管之線性延伸係為分散式的。根據此處所述實施例，線性分佈管更包括數個噴嘴，用於線性分佈管。此些噴嘴係裝配以用於導引在真空腔室中的已蒸發材料，且此些噴嘴包括第一噴嘴材料，第一噴嘴材料具有大於第一殼體材料及/或大於21W/mK之熱傳導率。
在分佈管之一例子中，噴嘴包括銅(Cu)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、類鑽塗層(DLC)、及石墨之至少一種材料。根據一些實施例，噴嘴包括對已蒸發有機材料係為化學惰性之材料。於一些實施例中，對已蒸發材料為化學惰性之材料可表示為第二噴嘴材料。特別是，在蒸發製程期間，與已蒸發有機材料接觸之噴嘴之表面可塗佈有對已蒸發有機材料係為化學惰性之一材料，此材料特別是具有高於21W/mK之熱傳導數值，與已蒸發有機材料接觸之噴嘴之表面例如是噴嘴開孔或通道之內側。於一例子中，噴嘴包括銅且提供在噴嘴開孔或通道之內側上之一材料塗層，材料塗層例如是鉭(Ta)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、類鑽塗層(DLC)、不鏽鋼、石英玻璃或石墨。
於已知系統中，分佈管係加熱，使得已蒸發材料係保持於固定且已定義之溫度。然而，噴嘴為在分佈管殼體及沈積腔室間的介面，噴嘴係面臨溫度差異，特別是因為噴嘴不可加熱或不可完全地以加熱器覆蓋。噴嘴可視為在已蒸發材料之流動路徑中提供降溫。由噴嘴所提供之降溫可能不利地影響已蒸發材料 之均勻與已塗佈之基板的品質。
根據此處所述之一些實施例，包括具有高於分佈管殼體之熱傳導率或高於21W/mK之熱傳導率之噴嘴可至少在噴嘴不主動加熱之區域中補償熱損。噴嘴的已改善之熱傳導率係有助於調整噴嘴之溫度至蒸發製程中的各自溫度狀態。舉例來說，根據此處所述實施例之噴嘴的溫度反應可能能夠快於在蒸發製程之溫度狀態中的改變。於一例子中，噴嘴可藉由主動加熱分佈管來加熱至一溫度，而有助於保持已蒸發材料之蒸發溫度，噴嘴係連接於分佈管或為分佈管之部分。藉由增加之熱傳導率，分佈管之溫度係更容易且快速導向且應用於噴嘴。於另一例子中，在需要避免已蒸發材料過熱的情況中，如果從分佈管至噴嘴之溫度輸入終止時，噴嘴之溫度將更快速的減少。噴嘴可冷卻且確保已蒸發材料之合適溫度。
第2a至2d圖繪示根據此處所述實施例之噴嘴的數個實施例。根據此處所述實施例，噴嘴可包括導引部分，導引部分導引已蒸發材料至將塗佈之基板。導引部分可例如是形成且設計，使得從噴嘴釋放之蒸汽羽狀物(plume)係形成已定義之形狀與強度。第2a至2d圖中係繪示根據此處所述實施例之噴嘴200的示意圖。噴嘴200包括導引部分201及連接部分202，連接部分202用以連接噴嘴於分佈管，例如是有關於第1a至1c圖所說明之分佈管。噴嘴200包括開孔203(或通道、或鑽孔)，用以導引已蒸發材料通過噴嘴。根據一些實施例，噴嘴之開孔(特別是通道之 內側)可表示為噴嘴之導引部分。
第2a圖繪示包括第一噴嘴材料206及第二噴嘴材料208之噴嘴的示意圖。舉例來說，第一噴嘴材料206可為具有大於21W//mK之熱傳導數值的材料，例如是銅。於一些實施例中，第二噴嘴材料208可提供在開孔或通道203之內側及可對已蒸發有機材料係為化學惰性。舉例來說，第二噴嘴材料可選自鉭(Ta)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、類鑽塗層(DLC)、不鏽鋼、石英玻璃及石墨。如第2a圖中所示之實施例中可見，第二噴嘴材料208可提供作為在通道203之內側的薄塗層。
第2b圖繪示具有第一噴嘴材料206和第二噴嘴材料208之噴嘴的一實施例的示意圖。繪示在第2b圖中之噴嘴的例子係由第一部分和第二部分組成，第一部分係由第一噴嘴材料206(具有例如是大於21W/mK之熱傳導數值)製成，第二部分係由第二噴嘴材料208製成，第二噴嘴材料208可對已蒸發有機材料係為惰性。於一例子中，第一與第二噴嘴材料可如有關於第2a圖之說明選擇。如第2b圖中可見，第二噴嘴材料208係為噴嘴之一部分，且特別是不只是在內部通道側之塗層。
根據一些實施例，第二噴嘴材料之厚度可代表性在一些奈米到數個微米之一範圍中。於一例子中，第二噴嘴材料在噴嘴開孔中之厚度可代表性在約10nm至約50μm之間，更代表性在約100nm至約50μm之間，且甚至更代表性在約500nm至約50μm之間。於一例子中，第二噴嘴材料之厚度可為約10μm。
第2c圖繪示噴嘴200之一實施例的示意圖，其中噴嘴200係以第一噴嘴材料製成，第一噴嘴材料具有大於分佈管之熱傳導率的熱傳導率或高於21W/mK之熱傳導率，噴嘴可連接於分佈管。於一些實施例中，第一噴嘴材料206對已蒸發有機材料係為惰性。於一例子中，第一噴嘴材料可選自鉭(Ta)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、類鑽塗層(DLC)或石墨。
第2d圖繪示根據此處所述實施例之如第2a圖中所示之噴嘴的示意圖。在開孔203中可見第二噴嘴材料208，而噴嘴200之外側係顯示出第一噴嘴材料206。
根據此處所述一些實施例，噴嘴之開孔或通道可具有代表性約1mm至約10mm之尺寸、更代表性約1mm至約6mm之尺寸，且甚至更代表性2mm至約5mm之尺寸，已蒸發材料係在蒸發製程期間通過噴嘴之開孔或通道，以到達將塗佈之基板。根據一些實施例，通道或開孔之尺寸可意指剖面之最小尺寸，舉例為通道或開孔之直徑。於一實施例中，開孔或通道之尺寸係於噴嘴之出口進行量測。根據此處所述一些實施例，開孔或通道可於公差區域H7中製造，舉例為以具有約10μm至18μm之公差製造。
根據此處所述一些實施例，用於材料沈積配置之噴嘴可包括螺紋，用以重複地連接噴嘴於分佈管且解除噴嘴對分佈管之連接，材料沈積配置用以於真空沈積腔室中沈積材料於基板上。於一些實施例中，具有用以連接於分佈管之螺紋的噴嘴可具 有內螺紋及/或外螺紋，用以能夠反覆連接噴嘴於分佈管，特別是不需要損壞分佈管或噴嘴。舉例來說，具有已定義特性之第一噴嘴可連接於用以第一製程的分佈管。在第一製程完成之後，第一噴嘴可解除連接且第二噴嘴可連接於用以第二製程的分佈管。如果第一製程將再度執行，第二噴嘴可從分佈管解除連接且第一噴嘴可再度連接於分佈管，用以執行第一製程。根據一些實施例，分佈管可亦包括螺紋，用以噴嘴至分佈管之可交換連接，例如是藉由裝配(fitting)於噴嘴之螺紋的方式。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此處所指之噴嘴可設計以形成具有類似cosn形狀輪廓之羽狀物(plume)，其中n特別是大於4。於一例子中，噴嘴係設計以形成具有類似cos6形狀輪廓之羽狀物。如果需要窄形狀之羽狀物時，達成cos6形式羽狀物之已蒸發材料的噴嘴可有用處。舉例來說，包括用於基板之具有小開孔(例如是具有約50μm或更少，例如是約20μm之尺寸的開孔)的遮罩之沈積製程從窄cos6形狀羽狀物可獲益，且既然已蒸發材料之羽狀物係不散佈在遮罩上而是通過遮罩之開孔，材料利用可增加。根據一些實施例，噴嘴可設計，使得噴嘴之長度及噴嘴之通道之直徑的關係係為已定義關係，例如是具有2：1之比或更高。根據額外或選擇性實施例，噴嘴之通道可包括段差(steps)、斜面、準直儀(collimator)結構及/或壓力級(pressure stages)，用以達成所需之羽狀物形狀。
第3a及3b圖繪示根據此處所述實施例之用於材料 沈積配置之分佈管106的實施例的剖面圖。根據一些實施例，分佈管106包括分佈管殼體116，分佈管殼體116包括第一分佈管殼體材料或以第一分佈管殼體材料製成。如第3a及3b圖中所示之實施例中可見，分佈管係為線性分佈管，沿著第一方向136延伸。
第3a圖繪示具有數個開孔107之分佈管的示意圖，此些開孔107係沿著分佈管殼體中之第一方向排列。於一些實施例中，在分佈管中之開孔的牆109可理解為根據此處所述實施例之噴嘴。舉例來說，此些開孔107的牆109可包括第一噴嘴材料(舉例為塗佈有第一噴嘴材料)，其中第一噴嘴材料之熱傳導數值係大於第一分佈管材料之熱傳導率或大於21W/mK。於一例子中，此些開孔107之牆109可塗佈有銅。於一實施例中，牆可以銅及第二噴嘴材料覆蓋，第二噴嘴材料例如是對已蒸發有機材料為化學惰性。
第3b圖繪示根據此處所述實施例之分佈管之一實施例的示意圖。繪示於第3b圖中之分佈管106包括開孔107，開孔107提供而具有延伸牆108。一般來說，開孔107之延伸牆108係沿著實質上垂直於分佈管殼體116之第一方向136的方向延伸。根據一些實施例，開孔107之延伸牆108可從分佈管以任何適合之角度延伸。於一些實施例中，分佈管殼體116之開孔107之延伸牆108可提供分佈管106的噴嘴。舉例來說，延伸牆108可包括第一噴嘴材料，或可以第一噴嘴材料製成。根據一些實施例， 延伸牆108可在內側塗佈有第一及/或第二噴嘴材料，例如是對已蒸發有機材料係為化學惰性之材料。
於一些實施例中，延伸牆108係提供用於固定噴嘴於分佈管殼體116之固定輔助，噴嘴舉例為如第2a至2d圖中範例性繪示之噴嘴。根據一些實施例，延伸牆108可提供用以鎖固噴嘴於分佈管殼體116之螺紋。
回到第1a至1c圖，第1a至1c圖繪示材料沈積配置之示意圖，根據此處所述實施例之上述分佈管與上述噴嘴可使用於材料沈積配置。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分佈管之噴嘴可調整以用於從一方向中釋放已蒸發材料，此方向係不同於分佈管之長度方向，例如是實質上垂直於分佈管之長度方向。根據一些實施例，此些噴嘴係排列以具有+- 20°於水平之主要蒸發方向。根據一些特定實施例，蒸發方向可略微地向上定向，舉例為從水平向上15°之範圍中，例如是向上3°至7°。因此，基板可稍微傾斜，以實質上垂直於蒸發方向。可減少產生不需要的粒子。然而，根據此處所述實施例的噴嘴及材料沈積配置可亦使用於沈積設備中，此沈積設備係裝配以用於沈積材料於水平定向之基板上。
於一例子中，分佈管106之長度至少對應於在沈積設備中之將沈積基板的高度。於許多情況中，分佈管106之長度將至少10%或甚至20%長於將沈積基板之高度。具有長於基板之高度的分佈管，在基板之上端及/或基板之下端係可提供均勻沈 積。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分佈管之長度可為1.3m或以上，舉例為2.5m或以上。根據一配置，如第1a圖中所示，蒸發坩鍋104係提供於分佈管106之下端。有機材料係於蒸發坩鍋104中蒸發。有機材料之蒸汽係在分佈管之底部進入分佈管106，且本質上偏側邊地(sideways)導引通過分佈管中之噴嘴朝向舉例為本質上垂直之基板。
第1b圖繪示材料源之一部分的放大圖，其中分佈管106係連接於蒸發坩鍋104。凸緣單元703係提供，凸緣單元703係裝配以提供蒸發坩鍋104和分佈管106之間的連接。舉例來說，蒸發坩鍋及分佈管係提供而作為分離單元，而可分離且連接或組裝於凸緣單元，舉例是為了進行材料源之操作。
分佈管106具有內部中空空間710。加熱單元715可提供以加熱分佈管。因此，分佈管106可加熱至一溫度，使得有機材料之蒸汽係不凝結於分佈管106之牆的內部，有機材料之蒸汽藉由蒸發坩鍋104提供。
舉例來說，分佈管可保持在一溫度，此溫度係代表性約1℃至約20℃，更代表性約5℃至約20℃，且甚至更代表性約10℃至約15℃高於將沈積於基板上之材料的蒸發溫度。兩個或多個加熱遮蔽件717係提供於分佈管106之管周圍。
根據一些實施例，包括一材料之噴嘴可導引加熱之分佈管殼體的溫度至噴嘴，此材料具有高於分佈管殼體之熱傳導 率的熱傳導率或具有高於21W/mK之熱傳導率。當使用根據此處所述實施例之分佈管時，增加噴嘴及分佈管殼體之溫度的一致可達成。在材料沈積配置中之一致的增加可增加已蒸發材料之均勻及已沈積材料、已塗佈基板及產品之品質。
在操作期間，分佈管106可在凸緣單元703連接於蒸發坩鍋104。蒸發坩鍋104係裝配以接收將蒸發之有機材料且蒸發有機材料。根據一些實施例，將蒸發之材料可包括氧化銦錫(ITO)、NPD、Alq3、喹吖啶酮(Quinacridone)、Mg/AG、星狀(starburst)材料、及類似物之至少一者。第1b圖繪示穿過蒸發坩鍋104之殼體的剖面圖。再填充開孔係提供在舉例為蒸發坩鍋之上部，再填充開孔可使用栓(plug)722、蓋(lid)、覆蓋件或類似物關閉，用以關閉蒸發坩鍋104之內部空間(enclosure)。
外部加熱單元725係提供於蒸發坩鍋104之內部空間中。外部加熱單元可沿著蒸發坩鍋104之牆的至少一部分延伸。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，一或多個中央加熱元件726可額外或選擇性提供。第1b圖繪示兩個中央加熱元件726。根據一些應用，蒸發坩鍋104可更包括遮罩物727。
根據一些實施例，如有關於第1a至1b圖範例性繪示，蒸發坩鍋104係提供於分佈管106之下側。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，蒸汽導管732可於分佈管之中央部提供於分佈管106，或可於分佈管之下端及分佈管之上端之間的另一位置提供於分佈管106。第1c圖繪示具有分佈管106 及提供於分佈管之中央部的蒸汽導管732的材料源之一例子之示意圖。有機材料之蒸汽係產生於蒸發坩鍋104中且導引通過蒸汽導管732至分佈管106之中央部。蒸汽係經由數個噴嘴712離開分佈管106，此些噴嘴712可為有關於第2a至2d圖所說明之噴嘴。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，兩個或多個蒸汽導管732可沿著分佈管106之長度提供於不同位置。蒸汽導管732可連接於一個蒸發坩鍋104或數個蒸發坩鍋104。舉例來說，各蒸汽導管732可具有對應之蒸發坩鍋104。或者，蒸發坩鍋104可流體連通於兩個或多個蒸汽導管732，此兩個或多個蒸汽導管732係連接於分佈管106。
如此處所述，分佈管可為中空圓柱。名稱圓柱可理解為一般接受之具有圓形底部形狀、圓形頂部形狀以及連接頂部圓形和底部圓形之曲面區域或殼。根據可與此處所述其他實施例結合之其他額外或選擇性實施例，名稱圓柱可在數感(mathematical sense)中更理解為具有任意底部形狀及一致之頂部形狀，以及連接頂部形狀和底部形狀之曲面區域或殼。因此，圓柱不一定必須為圓形剖面。取而代之，底部表面和頂部表面可具有不同於圓形之形狀。
第4圖繪示沈積設備300之示意圖，根據此處所述實施例之材料沈積配置或噴嘴可在沈積設備300中使用。沈積設備300包括材料源100於真空腔室110中之一位置。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，材料源係裝配以用於平移 運動或繞著軸旋轉。材料源100具有一或多個蒸發坩鍋104及一或多個分佈管106。兩個蒸發坩鍋及兩個分佈管係繪示於第4圖中。分佈管106係由支座102支撐。再者，根據一些實施例，蒸發坩鍋104可亦由支座102支撐。兩個基板121係提供於真空腔室110中。一般來說，用於在基板上遮蔽層沈積的遮罩132可提供於基板和材料源100之間。有機材料係從分佈管106蒸發。根據一些實施例，材料沈積配置可為如第1a至1c圖中所示之材料沈積配置。
根據此處所述實施例，基板在本質上垂直位置中塗佈有有機材料。繪示於第4圖中的視角係為包括材料源100之設備的上視圖。一般來說，分佈管係為線性蒸汽分佈噴頭。於一些實施例中，分佈管係提供本質上垂直延伸之接線源。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，本質上垂直在意指基板方向時特別是理解為允許從垂直方向偏差20°或以下，舉例為10°或以下。舉例來說，此偏差可因基板支座具有從垂直方向之一些偏差而可能產生更穩定之基板位置來提供。然而，在沈積有機材料期間之基板方向係認定為本質上垂直，而不同於水平基板方向。基板的表面係藉由接線源塗佈，接線源係在對應於一基板維度和平移運動之方向中延伸，平移運動係沿著對應於其他基板維度之其他方向。根據其他實施例，沈積設備可為用於沈積材料於本質上水平方向基板上之沈積設備。舉例來說，於沈積設備中塗佈基板可在上或下之方向中執行。
第4圖繪示用以於真空腔室110中沈積有機材料之沈積設備300之一實施例的示意圖。材料源100係提供於真空腔室110中之一軌道上，此軌道例如是環狀軌道或線性導件320。軌道或線性導件320係裝配以用於材料源100之平移運動。根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例，用於平移運動之驅動器可提供於材料源100中、提供於軌道或線性導件320、提供於真空腔室110中或其組合。第4圖繪示閥205，閥205舉例為閘閥。閥205係提供至相鄰之真空腔室(未繪示於第4圖中)之真空密封。閥可開啟以傳送基板121或遮罩132進入真空腔室110中或離開真空腔室110。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，例如是維護真空腔室210之其他真空腔室係提供而相鄰於真空腔室110。根據一些實施例，真空腔室110及維護真空腔室210係以閥207連接。閥207係裝配以開啟及關閉在真空腔室110及維護真空腔室210之間的真空密封。當閥207係為開啟狀態中時，材料源100可傳送至維護真空腔室210。之後，閥可關閉以提供在真空腔室110和維護真空腔室210之間的真空密封。如果閥207係關閉時，維護真空腔室210可排氣且開啟，以用以維護材料源100而無需破壞真空腔室110中之真空。
在4圖中所示之實施例中，兩個基板121係支撐於在真空腔室110中之各自的傳送軌道上。再者，兩個軌道係提供，用於設置遮罩132於其上。基板121之塗佈可由各自的遮罩132 所遮蔽。根據典型實施例，此些遮罩132係提供於遮罩框架131中，以支承遮罩132於預定位置中，此些遮罩132也就是對應第一基板121之第一遮罩132與對應第二基板121之第二遮罩132。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板121可由基板支座126支撐，基板支座126係連接於對準單元112。對準單元112可調整基板121相對於遮罩132之位置。第4圖繪示基板支座126連接於對準單元112之實施例的示意圖。因此，基板係相對於遮罩132移動，以提供在有機材料沈積期間基板及遮罩之間恰當的對準。根據可與此處所述其他實施例結合之進一步的實施例，遮罩132及/或支承遮罩132之遮罩框架131可選擇性或額外地連接於對準單元112。於一些實施例中，遮罩可相對於基板121定位或遮罩132和基板121兩者可相對於彼此定位。裝配以用以調整在基板121和遮罩132相對於彼此之間的位置的對準單元112係在沈積期間提供恰當對準的遮蔽，而有利於高品質、發光二極體(LED)顯示器製造、或OLED顯示器製造。
如第4圖中所示，線性導件320係提供材料源100之平移運動之方向。在材料源100之兩側上係提供遮罩132。遮罩132可本質上平行於平移運動之方向延伸。再者，在材料源100之相對側之基板121可亦在本質上平行於平移運動之方向延伸。根據典型實施例，基板121可經由閥205移動至真空腔室110中且離開真空腔室110。沈積設備300可包括用以傳送各基板121之各自的傳送軌道。舉例來說，傳送軌道可平行於如第4圖中所 示之基板位置延伸且進入或離開真空腔室110。
一般來說，其他軌道係提供以用以支撐遮罩框架131及遮罩132。因此，可與此處所述其他實施例結合之一些實施例可包括在真空腔室110中之四個軌道。為了移動此些遮罩132之一者離開腔室來舉例是清洗遮罩，遮罩框架131及遮罩可移動至基板121之傳送軌道上。各自之遮罩框架可在用於基板之傳送軌道上接著離開或進入真空腔室110。雖然提供用以遮罩框架131的分離之傳送軌道來進入及離開真空腔室110係有可能的，但如果只有兩個軌道係延伸進入及離開真空腔室110且此外遮罩框架131可藉由適合之致動器或機器人移動到用於基板之傳送軌道之各自一者，沈積設備300之所有權的成本可減少，此兩個軌道也就是基板之傳送軌道。
第4圖繪示材料源100之範例性實施例之示意圖。材料源100包括支座102。支座102係裝配以沿著線性導件320平移運動。支座102支撐兩個蒸發坩鍋104及兩個分佈管106，分佈管106提供於蒸發坩鍋104之上方。在蒸發坩鍋中產生之蒸汽可向上地移動且離開分佈管之一或多個噴嘴或出口。
根據此處所述實施例，材料源包括一或多個蒸發坩鍋及一或多個分佈管，其中此一或多個分佈管之各自一者可流體連通於此一或多個蒸發坩鍋之各自一者。用於OLED裝置製造之數種應用包括處理特徵，其中二或多個有機材料係同時地蒸發。因此，如例如是第4圖中所示，兩個分佈管及對應之蒸發坩鍋可 相鄰於彼此提供。因此，材料源100可亦意指為材料源陣列，舉例來說，其中多於一種有機材料係同時蒸發。如此處所述，材料源陣列本身可意指為用於兩個或多個有機材料的材料源，例如是材料源陣列可提供用於蒸發及沈積三個材料到一基板上。
分佈管之此一或多個噴嘴可包括例如是可為提供在噴頭或另一蒸汽分佈系統中的一或多個噴嘴。提供於此處所述之分佈管的噴嘴可為此處所述實施例中說明之噴嘴，例如是有關於第2a至2d圖說明之噴嘴。分佈管於此可理解為包括一內部空間，此內部空間具有數個開孔，使得在分佈管中之壓力係高於在分佈管之外側的壓力，舉例為至少一個數量級。於一例子中，在分佈管中之壓力可在約10-2至10-1mbar之間，或在約10-2至約10-3mbar之間。根據一些實施例，在真空腔室中之壓力可在約10-5至約10-7mbar之間。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，分佈管之旋轉可藉由蒸發器控制殼體之旋轉提供，至少分佈管係固定於蒸發器控制殼體上。藉由沿著環狀軌道之彎曲部分移動材料源，可額外或選擇性提供分佈管旋轉。一般來說，蒸發坩鍋係亦固定於蒸發器控制殼體上。因此，材料源包括分佈管及蒸發坩鍋，分佈管及蒸發坩鍋舉例可旋轉地固定在一起。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，分佈管或蒸發管可設計成三角形之形狀，使得分佈管之開孔或噴嘴可盡可能的彼此靠近。讓分佈管之開孔或噴嘴盡可能的彼此靠 近係提供例如是改善混合不同有機材料，舉例為用於在共蒸發兩個、三個或甚至多個不同之有機材料的情況。
根據此處所述數個實施例，分佈管之出口側的寬度(包括開孔之分佈管之側)係為剖面之最大維度的30%或少於30%。有鑑於其，分佈管之開孔或相鄰分佈管之噴嘴可提供在較小距離處。此較小距離係改善數個有機材料之混合，此些有機材料係相鄰於彼此而進行蒸發。再者，獨立於改善有機材料之混合之外，以本質上平行方式面對基板之牆的寬度可額外或選擇性減少。因此，以本質上平行方式面對基板的牆之表面區域可減少。此配置減少提供至遮罩或基板之熱負荷，遮罩或基板係支撐在沈積區域中，或稍微在沈積區域之前。
有鑑於材料源之三角形之形狀，朝向遮罩輻射之面積係額外或選擇性減少。此外，金屬板之堆疊可提供，以減少從材料源至遮罩之熱傳送，金屬板之堆疊係舉例為高達10個金屬板。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，加熱遮蔽件或金屬板可提供而具有用於噴嘴之孔口(orifices)，且可貼附於至少源之前側，也就是面對基板之側。
雖然如第4圖中所示之實施例係提供具有可移動源之沈積設備，具有通常知識者可理解上述實施例可亦提供在數個沈積設備中，基板於處理期間係在此些沈積設備中移動。舉例來說，可沿著靜態材料源導引且驅動將塗佈之基板。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例， 用以於真空腔室中沈積一、兩個或多個已蒸發材料於基板上之材料沈積配置係提供。材料沈積配置包括第一材料源，第一材料源包括第一材料蒸發源或第一材料蒸發器，裝配以用以蒸發將沈積於基板上之第一材料。第一材料源更包括第一分佈管，第一分佈管包括第一分佈管殼體，其中第一分佈管係流體連通於第一材料蒸發源，其中材料源更包括數個第一噴嘴，此些第一噴嘴係位於第一分佈管殼體中。一般來說，此些第一噴嘴之一或多個噴嘴包括開孔長度及開孔尺寸，其中此些第一噴嘴之此一或多個噴嘴之長度對尺寸比係等同於或大於2：1。材料沈積配置包括第二材料源，第二材料源包括第二材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上之第二材料。第二材料源更包括第二分佈管，第二分佈管包括第二分佈管殼體，其中第二分佈管係流體連通於第二材料蒸發器。第二材料源更包括數個第二噴嘴，此些第二噴嘴位於第二分佈管殼體中。根據此處所述實施例，在此些第一噴嘴之一第一噴嘴與此些第二噴嘴之一第二噴嘴之間的距離係等同於或少於30mm。根據一些實施例，第一材料和第二材料可為相同之材料。
根據可與此處所述其他實施例結合之進一步實施例，用於在真空腔室中沈積一個、兩個或多個已蒸發材料於基板上之材料沈積配置係提供。材料沈積配置包括第一材料源，第一材料源包括第一材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上之第一材料。第一材料源更包括第一分佈管，第一分佈管包括第一分佈管殼體，其中第一分佈管係流體流通於第一材料蒸發器；再者， 第一材料源包括數個第一噴嘴，此些第一噴嘴位於第一分佈管殼體中，其中此些第一噴嘴之一或多個噴嘴包括開孔長度及開孔尺寸且係裝配以提供第一分佈方向。此些第一噴嘴之此一或多個噴嘴的長度對尺寸比係等同於或大於2：1。材料沈積配置更包括第二材料源，第二材料源包括第二材料蒸發器，裝配以用於蒸發將沈積於基板上之第二材料；及第二分佈管。第二分佈管包括第二分佈管殼體，其中第二分佈管流體連通於第二材料蒸發器。第二材料源更包括數個第二噴嘴，此些第二噴嘴位於第二分佈管殼體中，其中第二噴嘴之一或多者係裝配以提供第二分佈方向。根據此處所述實施例，此些第一噴嘴之此一或多個噴嘴之第一分佈方向和此些第二噴嘴之此一或多個噴嘴的第二分佈方向係平行於彼此排列，或係從平行排列偏差高達5°。根據一些實施例，第一材料和第二材料可為相同之材料。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，用於在真空腔室中沈積已蒸發材料於基板上之分佈管係提供。分佈管包括分佈管殼體及噴嘴，噴嘴位於分佈管殼體中。噴嘴包括開孔長度及開孔尺寸，其中噴嘴之長度對尺寸比係等同於或大於2：1。再者，噴嘴包括對已蒸發有機材料係為化學惰性之材料。於一例子中，已蒸發有機材料可具有約150℃及約650℃之溫度。
此處所述實施例特別是有關於沈積有機材料，沈積有機材料舉例為在大面積基板上之OLED顯示器製造。根據一些實施例，大面積基板或支撐一或多個基板之載體，也就是大面積 載體，可具有至少0.174m2之尺寸。舉例來說，沈積設備可適用於處理大面積基板，例如是第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至第10代，第5代係對應於約1.4m2之基板(1.1m x 1.3m)，第7.5代對應於約4.29m2之基板(1.95m x 2.2m)，第8.5代對應於約5.7m2之基板(2.2m x 2.5m)，第10代對應於約8.7m2之基板(2.85m×3.05m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，基板厚度可為從0.1至1.8mm及用於基板之支承配置可適用於此種基板厚度。然而，特別是，基板厚度可為約0.9mm或以下，例如是0.5mm或0.3mm，且支承配置係適用於此種基板厚度。一般來說，基板可由任何適合於材料沈積的材料製成。舉例來說，基板可以選自由玻璃(舉例為鈉鈣玻璃、硼矽玻璃等)、金屬、聚合物、陶瓷、複合材料、碳纖材料或任何其他材料或可以沈積製程塗佈之材料的組合所組成之材料製成。
根據此處所述實施例，用以提供材料沈積配置的方法係提供。材料沈積配置可為有關於上述實施例說明的材料沈積配置及/或可為可用於根據此處實施例所述之沈積設備中的材料沈積配置。根據此處所述實施例的方法400之流程圖可見於第5圖中。此方法包括於方塊410中提供材料源，用以蒸發將沈積於基板上之材料，特別是在真空沈積腔室中。
根據一些實施例，提供之材料源可舉例為有關於第1a至3b圖所說明的材料源。舉例來說，材料源可適用於蒸發有 機材料。於一例子中，材料源可適用於具有約150℃至約500℃之蒸發溫度的蒸發材料。於一些實施例中，材料源可為坩鍋。
於方塊420中，方法400包括流體連通分佈管與噴嘴於材料源，以提供在材料源和分佈管及噴嘴之間的流體連通。根據此處所述一些實施例，噴嘴包括第一噴嘴材料，第一噴嘴材料具有大於21W/mK之熱傳導數值。於一些實施例中，噴嘴可以第一噴嘴材料製成。於一例子中，噴嘴係以第二噴嘴材料塗佈於內側，舉例為藉由以第二噴嘴材料塗佈噴嘴開孔或噴嘴通道之內側。根據一些實施例，第二噴嘴材料係為對已蒸發有機材料為化學惰性之材料，此已蒸發有機材料可舉例為有機材料，具有代表性為約100℃及約650℃之間的溫度，更代表性約100℃及約500℃之間的溫度。
根據一些實施例，分佈管可為如上實施例中所述之分佈管，特別是有關於第1a至3b圖之實施例中所說明的分佈管。於一些實施例中，分佈管可舉例為三角形剖面，用以能夠以最佳化方式使用空間。於一些實施例中，分佈管之噴嘴可為有關於第2a至2d圖所說明之噴嘴。
於一些實施例中，此方法包括加熱分佈管至將沈積於基板上之材料之蒸發溫度或以上。分佈管之加熱可藉由加熱裝置執行。於一例子中，加熱裝置之成效可由加熱遮蔽件支援，如舉例為上述有關於第1a至1c圖之說明。
再者，根據此處所述之線性分佈管、材料沈積配置 的使用，及根據此處所述實施例之具有材料沈積配置之沈積設備之至少一者的使用係說明。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧材料沈積配置
104‧‧‧蒸發坩鍋
106‧‧‧分佈管
715‧‧‧加熱單元
725‧‧‧外部加熱單元

Claims (20)

  1. 一種線性分佈管(106)，用以於一真空腔室(110)中沈積已蒸發材料於一基板(121)上，該線性分佈管包括：一分佈管殼體(116)，沿著一第一方向(136)延伸，其中該第一方向係提供該線性分佈管(106)之線性延伸，其中該分佈管殼體(116)包括一第一殼體材料；複數個開孔，位於該分佈管殼體(116)中，其中該些開孔沿著該線性分佈管之線性延伸係為分散式的；以及複數個噴嘴(712)，用於該線性分佈管(106)，其中該些噴嘴係裝配以用於導引該真空腔室(110)中的該已蒸發材料，該些噴嘴包括一第一噴嘴材料，該第一噴嘴材料具有大於該第一殼體材料與大於21W/mk的一熱傳導率之至少一者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)包括銅(Cu)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、類鑽塗層(DLC)、及石墨之至少一者。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)包括一通道(203)及一塗層，該通道用以導引該已蒸發材料通過該些噴嘴，該塗層係至少位於該通道(203)之表面上。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)包括一通道(203)及一塗層，該通道用以導引該已蒸發材料通過該些噴嘴，該塗層係至少位於該通道(203)之表面上。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之線性分佈管，其中該通道(203)之該表面係塗佈有該第一噴嘴材料或一第二噴嘴材料(208)，該第二噴嘴材料對一已蒸發有機材料係為化學惰性。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之線性分佈管，其中該通道(203)之該表面係塗佈有該第一噴嘴材料或一第二噴嘴材料(208)，該第二噴嘴材料對一已蒸發有機材料係為化學惰性。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)之該通道(203)係塗佈有鉭(Ta)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、類鑽塗層(DLC)、及石墨之至少一者。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)之該通道(203)係塗佈有鉭(Ta)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、類鑽塗層(DLC)、及石墨之至少一者。
  9. 如前述申請專利範圍之任一項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)包括銅。
  10. 如前述申請專利範圍之任一項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)係適用於可鎖固於該線性分佈管(106)。
  11. 如前述申請專利範圍之任一項所述之線性分佈管，其中該些噴嘴(712)包括一通道(203)，用以導引該已蒸發材料通過該些噴嘴且提供該通道之一幾何形狀，該通道之該幾何形狀係形成該已蒸發材料之一羽狀物，其中該些噴嘴(712)係設計以形成具有一類似cosn輪廓之一羽狀物，其中n4。
  12. 一種材料沈積配置(100)，用以於一真空腔室(110)中沈積一材料於一基板(121)上，該材料沈積配置包括：一蒸發源，用以提供將蒸發及將沈積之該材料於該基板(121)上；一分佈管(106)，流體流通於該蒸發源，該蒸發源係提供已蒸發之該材料於該分佈管(106)；以及一噴嘴(712)，用以於該真空腔室(110)中導引該已蒸發材料，其中該噴嘴(712)包括一第一噴嘴材料，具有大於21W/mK之一熱傳導率。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之材料沈積配置，其中該噴嘴(712)包括銅(Cu)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、類鑽塗層(DLC)、及石墨之至少一者。
  14. 如申請專利範圍第12至13項之任一項所述之材料沈積配置，其中該蒸發源係為用於提供有機材料之一蒸發源。
  15. 如申請專利範圍第12至13項之任一項所述之材料沈積配置，更包括複數個加熱元件(726)，用以加熱該分佈管(106)至將沈積之該材料的一蒸發溫度或以上。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之材料沈積配置，其中該分佈管(106)係為如申請專利範圍第1至8項之任一項所述之一線性分佈管，且其中該噴嘴(712)係為該線性分佈管之該些噴嘴之該噴嘴。
  17. 一種真空沈積設備，包括： 一真空腔室(110)；以及如申請專利範圍第12至16項之任一項所述之一材料沈積配置(100)，其中該蒸發源係為用於複數個有機材料之一蒸發坩鍋，連接於該蒸發坩鍋的該材料沈積配置(100)之該分佈管(106)係用以從該蒸發坩鍋導引已蒸發材料至該真空腔室(110)中；其中該噴嘴(712)包括一第二噴嘴材料(208)，對已蒸發之該些有機材料係為化學惰性；以及其中該材料沈積配置(100)之該噴嘴(712)係排列以用於導引該已蒸發材料朝向該真空腔室(110)中之一基板(121)。
  18. 一種用以提供用於一真空沈積設備之一材料沈積配置(100)的方法，該方法包括：提供一蒸發源，用以蒸發將沈積於一基板(121)上之材料；以及流體連通一分佈管(106)及一噴嘴(712)於該蒸發源，以提供於該蒸發源與該分佈管(106)及該噴嘴(712)之間的流體連通，其中該噴嘴(712)包括一第一噴嘴材料，具有大於21W/mK之一熱傳導數值。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，更包括加熱該分佈管(106)至將沈積於該基板(121)上之該材料的蒸發溫度或以上。
  20. 如申請專利範圍第18及19項之任一項所述之方法，其中該噴嘴(712)包括銅(Cu)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鈮(Nb)、類鑽 塗層(DLC)、及石墨之至少一者。
TW104136577A 2014-11-07 2015-11-06 線性分佈管及使用其之材料沈積配置與真空沈積設備及提供材料沈積配置之方法 TWI625876B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??PCT/EP2014/074090 2014-11-07
PCT/EP2014/074090 WO2016070943A1 (en) 2014-11-07 2014-11-07 Material source arrangment and material distribution arrangement for vacuum deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201630226A true TW201630226A (zh) 2016-08-16
TWI625876B TWI625876B (zh) 2018-06-01

Family

ID=51905027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104136577A TWI625876B (zh) 2014-11-07 2015-11-06 線性分佈管及使用其之材料沈積配置與真空沈積設備及提供材料沈積配置之方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6594986B2 (zh)
KR (1) KR101959417B1 (zh)
CN (1) CN107078215B (zh)
TW (1) TWI625876B (zh)
WO (1) WO2016070943A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020502778A (ja) * 2016-12-14 2020-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 堆積システム
CN106637091B (zh) * 2017-02-24 2019-08-30 旭科新能源股份有限公司 用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉
WO2019166103A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a coating on a substrate in a vacuum processing chamber, vacuum processing chamber and vacuum processing system
KR102310236B1 (ko) * 2018-10-23 2021-10-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 도가니 자동교체를 위한 증발소스 및 이를 포함하는 증발 증착 시스템
CN118374771B (zh) * 2024-04-30 2024-09-24 江苏微迈思半导体科技有限公司 一种真空蒸镀用一体式蒸发源

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
WO2010114118A1 (ja) * 2009-04-03 2010-10-07 東京エレクトロン株式会社 蒸着ヘッドおよび成膜装置
CN103385035B (zh) * 2011-03-14 2016-02-17 夏普株式会社 蒸镀颗粒射出装置和蒸镀装置以及蒸镀方法
EP2508645B1 (en) * 2011-04-06 2015-02-25 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit
ES2486307T3 (es) * 2011-05-18 2014-08-18 Riber Inyector para un sistema de deposición de vapor bajo vacío
FR2981667B1 (fr) * 2011-10-21 2014-07-04 Riber Systeme d'injection pour dispositif de depot de couches minces par evaporation sous vide
KR20130068926A (ko) * 2011-12-16 2013-06-26 주식회사 원익아이피에스 증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치
JP2013189701A (ja) * 2012-02-14 2013-09-26 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
KR102052069B1 (ko) * 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP6594986B2 (ja) 2019-10-23
KR101959417B1 (ko) 2019-03-18
CN107078215A (zh) 2017-08-18
TWI625876B (zh) 2018-06-01
CN107078215B (zh) 2020-09-22
KR20170083087A (ko) 2017-07-17
JP2017534768A (ja) 2017-11-24
WO2016070943A1 (en) 2016-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI625876B (zh) 線性分佈管及使用其之材料沈積配置與真空沈積設備及提供材料沈積配置之方法
JP6657239B2 (ja) 材料堆積源構成の分配アセンブリのためのノズル、材料堆積源構成、真空堆積システム、及び材料を堆積させるための方法
TWI690611B (zh) 真空沉積腔室
JP6633185B2 (ja) 材料堆積装置、真空堆積システム及びそのための方法
TWI660057B (zh) 材料沈積配置、真空沈積系統及用於其之方法
TW201715063A (zh) 用於金屬或金屬合金之蒸發源、具有用於金屬或金屬合金之蒸發源之蒸發源陣列、及用以操作用於金屬或金屬合金之一蒸發源陣列之方法
TW201625358A (zh) 用於蒸發目的之坩鍋、具有其之蒸發組件及使用其之方法
TW201631185A (zh) 真空沈積系統及用以於其中沈積材料之方法
JP6488397B2 (ja) 真空堆積のための材料源アレンジメント及びノズル
JP6543664B2 (ja) 真空堆積チャンバ
KR20230021169A (ko) 증착 소스를 냉각시키는 방법, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버, 및 증착 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees