KR20230021169A - 증착 소스를 냉각시키는 방법, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버, 및 증착 시스템 - Google Patents

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클레어 암스트롱
프랑크 슈나펜베르거
토마스 데피쉬
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

증착 소스(200)를 냉각시키는 방법(100)이 설명된다. 이 방법은, 증착 소스로부터 재료를 증착하는 것을 중단하는 단계(110) ― 증착 소스는 증착 챔버(250) 내에 배치됨 ―, 및 냉각 가스를 증착 챔버(250) 내로 도입하는 단계(120)를 포함하며, 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함한다. 또한, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버가 설명된다. 챔버는 챔버 내에 배치되는 증착 소스를 포함한다. 또한, 챔버는 챔버 내에 냉각 가스를 제공하도록 구성된 냉각 가스 공급 시스템을 포함하며, 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함한다.

Description

증착 소스를 냉각시키는 방법, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버, 및 증착 시스템{METHOD OF COOLING A DEPOSITION SOURCE, CHAMBER FOR COOLING A DEPOSITION SOURCE AND DEPOSITION SYSTEM}
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 증착 소스들의 냉각에 관한 것으로, 특히 증착 소스들을 냉각시키기 위한 방법들, 챔버들 및 시스템들에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용의 실시예들은 특히 OLED 제조를 위해 기판 상에 증발 재료를 증착하기 위한 증착 소스들을 냉각시키기 위한 방법들, 챔버들 및 시스템들에 관한 것이다.
[0002] 유기 증발기들은 OLED(organic light-emitting diode)들의 생산을 위한 도구이다. OLED들은 발광층이 특정 유기 화합물들의 박막을 포함하는 특수한 타입의 발광 다이오드이다. OLED(organic light emitting diode)들은 예컨대, 정보를 디스플레이하기 위한 텔레비전 화면들, 컴퓨터 모니터들, 휴대 전화들, 다른 핸드헬드 디바이스들의 제조에 사용된다. OLED들은 일반적인 공간 조명에도 또한 사용될 수 있다. OLED 픽셀들이 직접 빛을 방사하고 배면광을 수반하지 않기 때문에, OLED 디스플레이들의 색상들, 밝기 및 시야각들의 범위는 종래의 LCD 디스플레이들보다 더 넓을 수 있다. 따라서 OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 종래의 LCD 디스플레이들보다 훨씬 더 적다. 또한, OLED들이 가요성 기판들 상에 제조될 수 있다는 사실은 추가 응용들을 야기한다.
[0003] 통상적으로, 증발 재료는 증기 소스의 하나 이상의 배출구들에 의해 기판 쪽으로 향하게 된다. 예를 들어, 증기 소스에는 증발 재료의 플룸(plume)들을 기판 쪽으로 향하게 하도록 구성되는 복수의 노즐들이 제공될 수 있다. 증기 소스는 기판을 증발 재료로 코팅하기 위해 기판에 대해 이동될 수 있다.
[0004] 통상적으로, 기판 상에 증발 재료를 증착하기 위한 증착 소스들의 동작 온도는 600℃만큼 높을 수 있다. 증착 소스의 유지보수, 서비스 또는 교환을 위해, 증착 챔버는 공기가 배기되고 환경에 개방되어야 한다. 따라서 증착 소스는 예컨대, 100℃ 미만의 온도로 냉각되어야 한다. 증착 소스를 동작 온도에서 100℃ 이하로 냉각시키는 데 필요한 시간은 증착 소스들의 가용 생산 시간에 직접적으로 영향을 미친다.
[0005] 따라서 위의 내용을 고려하여, 생산 중단 시간이 단축될 수 있게 하는, 증착 소스들을 냉각시키기 위한 개선된 방법들, 챔버들 및 시스템들에 대한 지속적인 요구가 존재한다.
[0006] 위의 내용에 비추어, 독립 청구항들에 따른 증착 소스를 냉각시키는 방법, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버, 및 증착 시스템이 제공된다. 추가 양상들, 이점들 및 특징들은 종속 청구항들, 상세한 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.
[0007] 본 개시내용의 한 양상에 따르면, 증착 소스를 냉각시키는 방법이 제공된다. 이 방법은 증착 소스로부터 재료를 증착하는 것을 중단하는 단계를 포함하며, 증착 소스는 증착 챔버 내에 배치된다. 또한, 이 방법은 냉각 가스를 증착 챔버 내로 도입하는 단계를 포함하며, 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 추가 양상에 따르면, 증발 소스를 냉각시키는 방법이 제공되며, 증발 소스는 증착 챔버 내에 제공된다. 이 방법은 재료를 증발시키도록 구성된 도가니의 도가니 히터를 오프 전환하는 단계를 포함한다. 또한, 이 방법은 재료 증발이 중단될 때까지 증발 소스의 분배 조립체의 가열을 유지하는 단계를 포함하며, 분배 조립체는 도가니와 유체 연통한다. 추가로, 이 방법은 1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 냉각 가스를 증착 챔버 내로 도입하는 단계 ― 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함함 ―, 및 분배 조립체와 차폐 어레인지먼트(arrangement) 사이의 자유 공간에 냉각 가스를 제공하는 단계를 포함한다. 차폐 어레인지먼트는 자유 공간을 제공하기 위해 분배 조립체에 대해 일정 거리(D)로 배치된다. 또한, 이 방법은 차폐 어레인지먼트와 접촉하는 냉각 시스템을 사용함으로써 차폐 어레인지먼트를 냉각시키는 단계를 포함한다.
[0009] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버가 제공된다. 챔버는 증착 소스를 포함하며, 증착 소스는 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버 내에 배치된다. 또한, 챔버는 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버 내에 냉각 가스를 제공하도록 구성된 냉각 가스 공급 시스템을 포함하며, 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함한다.
[0010] 본 개시내용의 추가 양상에 따르면, 기판 상에 층을 증착하기 위한 증착 시스템이 제공된다. 증착 시스템은 본 명세서에서 설명되는 임의의 실시예들에 따른 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버를 포함한다.
[0011] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 실행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 설명되는 각각의 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 양상들은 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 더욱이, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 실행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.
[0012] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관련되며 다음에 설명된다.
도 1은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 소스를 냉각시키는 방법의 개략적인 표현을 도시한다.
도 2는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 소스의 개략적인 사시도를 도시한다.
도 3은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 소스의 개략적인 수평 단면도를 도시한다.
도 4는 본 명세서에서 설명되는 추가 실시예들에 따른 증착 소스의 개략적인 수평 단면도를 도시한다.
도 5는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따라 증발 소스를 냉각시키는 방법을 예시하기 위한 흐름도를 도시한다.
도 6은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따라 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버의 개략도를 도시한다.
도 7은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 상에 층을 증착하기 위한 증착 시스템의 개략도를 도시한다.
[0013] 이제 본 개시내용의 다양한 실시예들에 대한 상세한 참조가 이루어질 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들은 도면들에 예시된다. 도면들의 다음 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 개개의 실시예들에 관한 차이점들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되며 본 개시내용의 제한으로 여겨지는 것은 아니다. 또한, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명되는 특징들은 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용되어 또 추가 실시예를 야기할 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0014] 도 1을 예시적으로 참조하면, 본 개시내용에 따른 증착 소스(200)를 냉각시키는 방법(100)이 설명된다.
[0015] 특히, 도 1은 증착 챔버(250) 내에 배치된 증착 소스(200)를 도시한다. 증착 소스(200)는 도가니(210), 특히 증발 도가니를 포함한다. 증발 도가니는 기판 상에 증착될 재료를 증발시키도록 구성된다. 또한, 증착 소스(200)는 하나 이상의 배출구들(225)을 갖는 분배 조립체(220)를 포함한다. 예컨대, 하나 이상의 배출구들(225)은 노즐들일 수 있다. 도 1(a)에 예시적으로 나타낸 바와 같이, 노즐들은 통상적으로 증발 재료의 플룸(226)을 기판(10) 쪽으로 향하게 하도록 구성된다. 도 1(a)에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 조립체(220)는 도가니(210)와 유체 연통한다. 예를 들어, 증착 소스(200)는 도가니(210)로부터 분배 조립체(220)로의 증발 재료의 흐름을 제어하도록 구성된 밸브(230)를 포함할 수 있다. 예컨대, 도가니로부터 분배 조립체로의 증발 재료의 흐름을 중단시키기 위해 밸브가 폐쇄될 수 있다.
[0016] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 1에서 화살표(110)로 예시적으로 나타낸 바와 같이, 방법(100)은 증착 소스(200)로부터 재료를 증착하는 것을 중단(화살표(110))하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 1(b)에 예시적으로 나타낸 바와 같이, 증착 소스로부터 재료를 증착하는 것을 중단하는 단계는, 도가니(210)로부터 분배 조립체(220)로의 흐름을 중단시키기 위해 밸브를 폐쇄하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 증착 소스로부터 재료를 증착하는 것을 중단하는 단계는, 도가니의 도가니 히터를 전환하는 단계를 포함할 수 있다.
[0017] 또한, 도 1에서 화살표(120)로 예시적으로 나타낸 바와 같이, 방법(100)은 증착 챔버(250) 내로 냉각 가스(G)를 도입(화살표(120))하는 단계를 포함한다. 예컨대, 냉각 가스(G)는 도 1(c)에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 챔버(250)의 벽에 제공된 추가 밸브(235)를 통해 증착 챔버 내로 도입될 수 있다. 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함한다.
[0018] 이에 따라, 본 개시내용의 증착 소스를 냉각시키는 방법의 실시예들은 증착물을 동작 온도로부터 대략 100℃의 온도로 냉각시키기 위한 냉각 시간의 단축을 유리하게 제공한다. 따라서 본 개시내용의 실시예들은 생산 중단 시간이 단축될 수 있다는 이점을 갖는다. 특히, 증착 소스를 냉각시키기 위해 이용된 종래의 냉각 방법들과 비교하여, 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 500℃ 내지 600℃의 동작 온도로부터 대략 100℃의 온도로 냉각시키기 위해 1시간 이하의 냉각 시간을 제공할 수 있다. 이에 반해, 종래의 냉각 방법들에서, 500℃ 내지 600℃의 동작 온도로부터 대략 100℃의 온도로의 냉각 시간은 약 8시간이다. 이에 따라, 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 증착 소스를 냉각시키는 방법의 실시예들은 종래에 공지된 방법들과 비교하여 냉각 시간의 상당한 단축을 제공한다.
[0019] 본 개시내용에서, "냉각 가스"는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 갖는 가스로서 이해될 수 있다. 본 개시내용에서, 열 전도율 값들(λ)은 실온에 대해 주어진다. 예컨대, 냉각 가스는 순수 가스, 즉 단일 가스 성분으로 이루어진 가스일 수 있다. 대안으로, 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 갖는 적어도 하나의 가스 성분을 포함하는 가스 혼합물일 수 있다. 예를 들어, 냉각 가스는 헬륨(He), 특히 50% 이상의 헬륨을 포함할 수 있다. 다른 예에 따르면, 냉각 가스는 수소, 예컨대 적어도 5%의 수소(H2)를 포함할 수 있다. 예컨대, 냉각 가스는 수소와 헬륨의 혼합물을 포함할 수 있다. 실온에서 순수한 헬륨의 열 전도율(λ)은 λHe = 0.15[W/(m*K)]이다. 실온에서 순수한 수소의 열 전도율(λ)은 λH2 = 0.18[W/(m*K)]이다.
[0020] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 냉각 가스는 0.05[W/(m*K)] ≤ λ ≤ 0.20[W/(m*K)]의 열 전도율(λ), 특히 0.08[W/(m*K)] ≤ λ ≤ 0.18[W/(m*K)]의 열 전도율(λ), 보다 특정하게는 0.10[W/(m*K)] ≤ λ ≤ 0.17[W/(m*K)]의 열 전도율(λ)을 포함한다.
[0021] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 냉각 가스는 적어도 50% 헬륨을 포함하며, 특히 냉각 가스는 적어도 70% 헬륨을 포함하고, 보다 특정하게는 냉각 가스는 적어도 90% 헬륨을 포함한다. 예를 들어, 냉각 가스는 예컨대, 적어도 99% 헬륨을 포함하는 실질적으로 순수한 헬륨일 수 있다. 다른 예로서, 냉각 가스는 헬륨, 즉 100%의 헬륨 함량을 갖는 헬륨으로 이루어질 수 있다.
[0022] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 냉각 가스는 적어도 5% 수소를 포함하며, 특히 냉각 가스는 적어도 10% 수소를 포함하고, 보다 특정하게는 냉각 가스는 적어도 15% 수소를 포함한다. 예를 들어, 냉각 가스 중의 수소 함량은 5% ≤ H2 함량 ≤ 90%, 특히 10% ≤ H2 함량 ≤ 75%, 보다 특정하게는 15% ≤ H2 함량 ≤ 50%일 수 있다.
[0023] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 냉각 가스는 헬륨과 수소의 혼합물을 포함한다. 특히, 냉각 가스 중의 헬륨의 함량 및 냉각 가스 중의 수소의 함량은 100%까지 추가될 수 있다. 이에 따라, 냉각 가스는 헬륨 및 수소로 이루어질 수 있다.
[0024] 이에 따라, 본 명세서에서 설명되는 냉각 가스를 증착 챔버 내로 도입함으로써, 종래의 냉각 방법들과 비교하여 증착 소스의 더 빠른 냉각이 달성될 수 있다.
[0025] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증착 소스로부터 재료를 증착하는 것을 중단하는 단계는 도가니 히터의 전환을 포함할 수 있다. 또한, 증착 소스로부터 재료를 증착하는 것을 중단하는 단계는, 도가니(210)로부터 분배 조립체(220)로의 증발 재료의 흐름을 제어하도록 구성되는 밸브(230)를 폐쇄하는 단계를 포함할 수 있다.
[0026] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 냉각 가스를 증착 챔버 내로 도입하는 단계는, 1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 냉각 가스를 증착 챔버 내로 도입하는 단계를 포함한다. 1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 냉각 가스를 제공하는 것은 냉각 시간을 단축하는 데 유리할 수 있다.
[0027] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증착 챔버는 "진공 증착 챔버"이다. 본 개시내용에서, "진공 증착 챔버"는 진공 증착을 위해 구성된 챔버로서 이해될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "진공"이라는 용어는 예를 들어, 10mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 일반적으로, 본 명세서에서 설명되는 진공 챔버 내의 압력은 10-5mbar 내지 약 10-8mbar, 보다 일반적으로는 10-5mbar 내지 10-7mbar, 그리고 훨씬 더 일반적으로는 약 10-6mbar 내지 약 10-7mbar일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 진공 챔버 내의 압력은 진공 챔버 내의 증발 재료의 부분 압력 또는 전체 압력(이는 증발 재료만이 진공 챔버에서 증착될 컴포넌트로서 존재할 때는 대략 동일할 수 있음)인 것으로 간주될 수 있다. 일부 실시예들에서, 진공 챔버 내의 전체 압력은 특히, 증발 재료 이외의 제2 컴포넌트(이를테면, 기체 등)가 진공 챔버 내에 존재하는 경우, 약 10-4mbar 내지 약 10-7mbar의 범위가 될 수 있다.
[0028] 도 2를 예시적으로 참조하면, 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 소스(200)가 설명된다. 특히, 도 2는 본 명세서에서 설명되는 일부 실시예들에 따른 증착 소스의 개략적인 사시도를 도시한다. 통상적으로, 증착 소스(200)는 도가니(210)에 연결되는 분배 조립체(220)를 포함한다. 예를 들어, 분배 조립체(220)는 세장형 입방체일 수 있는 분배 파이프를 포함할 수 있다. 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 조립체(220)는 삼각형 형상으로 설계될 수 있다. 분배 조립체의 삼각형 형상은 도 4를 참조하여 보다 상세히 예시적으로 설명되는 바와 같이, 2개 이상의 분배 파이프들이 서로 나란히 배치되는 경우에 유리할 수 있다. 특히, 분배 조립체(220)의 삼각형 형상은 이웃하는 분배 조립체들, 예컨대 분배 파이프들의 배출구들을 가능한 한 서로 가깝게 하는 것을 가능하게 한다. 이것은 예컨대, 2개, 3개 또는 훨씬 더 많은 서로 다른 재료들의 동시 증발의 경우에, 서로 다른 분배 파이프들로부터의 서로 다른 재료들의 개선된 혼합을 달성하는 것을 가능하게 한다.
[0029] 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 조립체(220)는 분배 조립체 내에 내부 중공 공간이 제공되도록 벽들, 예컨대 측벽들(221) 및 후면 측벽(222)을 포함할 수 있다. 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 조립체를 가열하기 위한 가열 유닛(223)이 제공될 수 있다. 가열 유닛은 분배 조립체의 벽들에 장착 또는 부착될 수 있다. 이에 따라, 분배 조립체(220)는 증발 도가니에 의해 제공되는 유기 재료의 증기가 분배 조립체(220)의 벽의 내측 부분에서 응축되지 않게 하는 온도로 가열될 수 있다. 또한, 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 소스(200)는 기판에 제공된 증발 재료의 분배 원추체의 한계를 정하기 위한 차폐 디바이스(224), 특히 셰이퍼 차폐 디바이스를 포함할 수 있다. 특히, 차폐 디바이스는 증착 영역을 향한 열 복사를 감소시키도록 구성될 수 있다. 또한, 차폐 디바이스는 냉각 엘리먼트(227)에 의해 냉각될 수 있다. 예를 들어, 냉각 엘리먼트(227)는 차폐 디바이스(224)의 후면에 장착될 수 있으며, 냉각 유체를 위한 도관을 포함할 수 있다.
[0030] 본 개시내용에서, "증착 소스"는 기판 상에 증착될 재료의 소스를 제공하도록 구성된 디바이스 또는 조립체로서 이해될 수 있다. 특히, 증착 소스(200)는 증착될 재료를 증발시키도록 구성된 도가니(210) 및 증발 재료를 기판(10)에 제공하도록 구성된 분배 조립체(220)를 갖는 디바이스 또는 조립체로서 이해될 수 있다. 이에 따라, 증착 소스는 또한 본 명세서에서 증발 소스로 지칭될 수 있다. "증발 재료를 기판에 제공하도록 구성된 분배 조립체"라는 표현은, 하나 이상의 배출구들(225)을 빠져나가는 증발 재료의 플룸(226)으로 도 1(a)에 예시적으로 나타낸 바와 같이, 분배 조립체가 증착 방향으로 증발 또는 가스 소스 재료를 안내하도록 구성된다는 점으로 이해될 수 있다. 이에 따라, 가스 소스 재료, 예를 들어 OLED 디바이스의 박막을 증착하기 위한 재료가 분배 조립체 내에서 안내되고 하나 이상의 배출구들(225)을 통해 분배 조립체를 빠져나간다.
[0031] 본 개시내용에서, "도가니"는 도가니를 가열함으로써 증발될 재료에 대한 저장소를 갖는 디바이스로서 이해될 수 있다. 이에 따라, "도가니"는 소스 재료를 소스 재료의 증발 및 승화 중 적어도 하나에 의해 가스로 기화시키기 위해 가열될 수 있는 소스 재료 저장소로서 이해될 수 있다. 통상적으로, 도가니는 도가니 내의 소스 재료를 가스 소스 재료로 기화시키기 위한 히터를 포함한다. 예컨대, 증발될 재료는 초기에 분말 형태일 수 있다. 저장소는 증발될 소스 재료, 예컨대 유기 재료를 수용하기 위한 내부 용적을 가질 수 있다. 예를 들어, 증발 도가니의 용적은 100㎤ 내지 3000㎤, 특히 700㎤ 내지 1700㎤, 보다 특정하게는 1200㎤일 수 있다. 특히, 도가니는 도가니의 내부 용적에 제공된 소스 재료를 소스 재료가 증발하는 온도까지 가열하도록 구성된 가열 유닛을 포함할 수 있다. 예컨대, 도가니는 유기 재료들, 예컨대 약 100℃ 내지 약 600℃의 증발 온도를 갖는 유기 재료들을 증발시키기 위한 도가니일 수 있다.
[0032] 본 개시내용에서, "분배 조립체"는 증발 재료, 특히 증발 재료의 플룸을 분배 조립체로부터 기판으로 제공하도록 구성된 조립체로서 이해될 수 있다. 예를 들어, 분배 조립체는 세장형 입방체일 수 있는 분배 파이프를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 명세서에서 설명되는 분배 파이프는 분배 파이프의 길이를 따라 적어도 일렬로 배치되는 복수의 개구들 및/또는 노즐들을 라인 소스에 제공할 수 있다. 예를 들어, 분배 조립체, 특히 분배 파이프는 티타늄으로 만들어질 수 있다.
[0033] 이에 따라, 분배 조립체는 예를 들어, 내부에 배치된 복수의 개구들(또는 세장형 슬릿)을 갖는 선형 분배 샤워헤드일 수 있다. 또한, 통상적으로 분배 조립체는 예를 들어, 증발 도가니로부터 기판으로 증발 재료가 제공되거나 안내될 수 있는 인클로저, 중공 공간 또는 파이프를 가질 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 길이는 적어도, 증착될 기판의 높이에 대응할 수 있다. 특히, 분배 파이프의 길이는 증착될 기판의 높이보다 적어도 10% 또는 심지어 20%만큼 더 길 수 있다. 예를 들어, 분배 파이프의 길이는 1.3m 이상, 예를 들어 2.5m 이상일 수 있다. 이에 따라, 기판의 상단부 및/또는 기판의 하단부에서의 균일한 증착이 제공될 수 있다. 대안적인 구성에 따르면, 분배 조립체는 수직축을 따라 배치될 수 있는 하나 이상의 포인트 소스들을 포함할 수 있다.
[0034] 이에 따라, 본 명세서에서 설명되는 "분배 조립체"는 본질적으로 수직으로 연장되는 라인 소스를 제공하도록 구성될 수 있다. 본 개시내용에서, "본질적으로 수직으로"라는 용어는 특히, 기판 배향을 언급할 때, 10° 이하의 수직 방향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 수직 배향으로부터의 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 보다 안정한 기판 포지션을 야기할 수도 있기 때문에 이러한 편차가 제공될 수 있다. 그러나 유기 재료의 증착 동안의 기판 배향은 본질적으로 수직인 것으로 간주되는데, 이는 수평 기판 배향과는 다른 것으로 간주된다. 이에 따라, 기판들의 표면은 하나의 기판 치수에 대응하는 한 방향으로 연장하는 라인 소스 및 다른 기판 치수에 대응하는 다른 방향을 따르는 병진 이동에 의해 코팅될 수 있다.
[0035] 도 3은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 증착 소스의 개략적인 수평 단면도를 도시한다. 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증착 소스(200)는 분배 조립체(220) 및 차폐 어레인지먼트(240)를 포함한다. 차폐 어레인지먼트(240)는 분배 조립체와 차폐 어레인지먼트 사이의 자유 공간을 제공하기 위해 분배 조립체에 대해 일정 거리(D)로 배치될 수 있다. 예컨대, 차폐 어레인지먼트에서 분배 조립체까지의 거리(D)는 4㎜ ≤ D ≤ 20㎜일 수 있다.
[0036] 도 3을 예시적으로 참조하면, 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따라, 증착 소스를 냉각시키는 방법은 분배 조립체(220)와 차폐 어레인지먼트(240) 사이의 자유 공간에 냉각 가스(G)를 제공하는 단계를 더 포함한다. 이에 따라, 분배 조립체(220)로부터 차폐 어레인지먼트(240)로의 열 전달이 증가될 수 있으며, 이는 유리하게 분배 조립체의 더 빠른 냉각을 야기한다.
[0037] 도 3에 예시적으로 도시된 바와 같이, 차폐 어레인지먼트는 차폐 플레이트들의 스택을 포함할 수 있다. 예컨대, 차폐 플레이트들의 스택은 2개 이상의 차폐 플레이트들을 포함할 수 있다. 특히, 2개 이상의 차폐 플레이트들은 가열 유닛(223)에 의해 제공된 열 에너지를 분배 조립체(220)의 중공 공간을 향해 다시 반사시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 차폐 플레이트들은 0.1㎜ 내지 3㎜의 두께들을 가질 수 있다. 또한, 차폐 플레이트들의 재료는 철 또는 비철 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료, 예를 들어 구리(Cu), 알루미늄(Al), 구리 합금, 알루미늄 합금, 황동, 철, 티타늄(Ti), 세라믹 및 다른 적절한 재료들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료로부터 선택될 수 있다.
[0038] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 2개 이상의 차폐 플레이트들은 0.1㎜ ≤ S ≤ 1.0㎜의 간격(S)으로 적층될 수 있는데, 예컨대 이웃하는 차폐 플레이트들 간의 간격은 0.3㎜일 수 있다.
[0039] 도 3에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증착 소스는 차폐 어레인지먼트(240)와 접촉하는 냉각 시스템(245)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 명세서에서 설명되는 증착 소스를 냉각시키는 방법은 차폐 어레인지먼트(240)와 접촉하는 냉각 시스템(245)을 사용함으로써 차폐 어레인지먼트를 냉각시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 냉각 시스템(245)은 수냉식 냉각 시스템일 수 있다. 대안으로, 액체 질소 등과 같은 다른 적합한 냉각 유체들이 사용될 수 있다.
[0040] 이에 따라, 분배 조립체(220)와 차폐 어레인지먼트(240) 사이의 자유 공간에 냉각 가스(G)를 제공하는 한편, 냉각 시스템(245)을 사용함으로써 차폐 어레인지먼트(240)를 냉각함으로써, 분배 조립체(220)로부터 차폐 어레인지먼트(240)로의 열 전달이 증가될 수 있으며, 이는 유리하게 분배 조립체의 더 빠른 냉각을 야기한다. 이는 유리하게는, 분배 조립체로부터 냉각된 차폐 어레인지먼트로의 열 전달이 전도 및 대류를 통해 일어날 수 있기 때문이다. 특히, 500℃ 내지 600℃의 동작 온도에서 대략 100℃의 온도로 냉각시키기 위해 유리하게는 1시간 이하의 냉각 시간이 제공될 수 있다.
[0041] 도 4는 본 명세서에서 설명되는 추가 실시예들에 따른 증착 소스의 개략적인 수평 단면도를 도시한다. 특히, 도 4는 제1 분배 조립체(220A), 제2 분배 조립체(220B) 및 제3 분배 조립체(220C)를 포함하는 증착 소스(200)의 상부 단면도를 도시한다. 이에 따라, 3개의 대응하는 증발 도가니들을 제공함으로써, 재료 증착 어레인지먼트가 증발 소스 어레이로서 제공될 수 있으며, 예컨대 한 종류보다 많은 종류의 재료가 동시에 증발될 수 있다.
[0042] 특히, 도 4에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 분배 조립체(220A), 제2 분배 조립체(220B) 및 제3 분배 조립체(220C)는 분배 파이프들의 길이에 수직인 실질적으로 삼각형인 단면을 갖는 분배 파이프로서 구성될 수 있다. 3개의 분배 조립체들을 갖는 증착 소스는 또한 트리플 소스로 지칭될 수 있다.
[0043] 도 4를 예시적으로 참조하면, 트리플 소스에는 냉각 차폐부(228)가 제공될 수 있다. 냉각 차폐부(228)는 증착 영역, 즉 기판을 향한 열 복사를 감소시키기 위해 U자형 냉각 차폐부가 제공되도록 배치되는 측벽들(228A)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 냉각 차폐부는 물과 같은 냉각 유체를 위한 도관들을 갖는 금속 플레이트들로서 제공되거나, 이들에 부착되거나, 그 내부에 제공될 수 있다. 추가로 또는 대안으로, 열전기 냉각 디바이스들 또는 다른 냉각 디바이스들이 냉각 차폐부들을 냉각시키도록 제공될 수 있다.
[0044] 도 4에서, 예시 목적으로, 분배 조립체들의 배출구들(225)을 빠져나가는 증발된 소스 재료가 화살표들로 표시된다. 분배 조립체들의 본질적으로 삼각형 형상으로 인해, 3개의 분배 조립체들에서 비롯되는 증발 원추체들은 서로 아주 가까이에 있어, 서로 다른 분배 조립체들로부터의 소스 재료의 혼합이 개선될 수 있다. 특히, 분배 파이프들의 단면의 형상은 이웃하는 분배 파이프들의 배출구들 또는 노즐들을 서로 가까이에 놓을 수 있게 한다.
[0045] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제1 분배 조립체들의 제1 배출구 또는 노즐과 제2 분배 조립체들의 제2 배출구 또는 노즐은 50㎜ 이하, 예컨대 30㎜ 이하, 또는 25㎜ 이하, 이를테면 5㎜ 내지 25㎜의 거리를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 배출구 또는 노즐에서 제2 배출구 또는 노즐까지의 거리는 10㎜ 이하일 수 있다.
[0046] 도 4에 추가로 도시된 바와 같이, 차폐 디바이스(224), 특히 셰이퍼 차폐 디바이스가 제공될 수 있는데, 예를 들어 냉각 차폐부(228)에 또는 냉각 차폐부의 일부로서 부착될 수 있다. 셰이퍼 차폐부들을 제공함으로써, 배출구들을 통해 분배 파이프 또는 파이프들을 빠져나오는 증기의 방향이 제어될 수 있는데, 즉 증기 배출각이 감소될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 배출구들 또는 노즐들을 통해 제공되는 증발 재료의 적어도 일부는 셰이퍼 차폐부에 의해 차단된다. 따라서 배출각의 폭이 제어될 수 있다.
[0047] 도 5에 도시된 흐름도를 예시적으로 참조하면, 본 개시내용에 따른 증발 소스를 냉각시키는 방법(500)이 설명된다. 증발 소스가 증착 챔버 내에 제공된다. 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증발 소스를 냉각시키는 방법은 재료를 증발시키도록 구성된 도가니의 도가니 히터를 오프 전환하는 단계(블록(510))를 포함한다. 특히, 도가니 히터는 더는 증발이 발생하지 않을 때까지 오프 전환되고 식혀진다. 추가로, 이 방법은 재료 증발이 중단될 때까지 증발 소스의 분배 조립체의 가열을 유지하는 단계(블록(520))를 포함한다. 분배 조립체의 가열을 유지하는 것은 분배 조립체에서 증발 재료의 응축을 피하는 데 유리할 수 있다. 이에 따라, 유리하게는 하나 이상의 배출구들의 차단이 회피될 수 있다. 일단 증발이 중단되면, 분배 조립체의 가열이 오프 전환될 수 있다. 통상적으로, 분배 조립체는 도가니와 유체 연통한다.
[0048] 또한, 이 방법(500)은 특히, 1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 냉각 가스를 증착 챔버 내로 도입하는 단계를 포함한다. 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함한다. 특히, 증착 챔버로의 냉각 가스의 도입은, 일단 증발이 중단되고 튜브 히터들이 오프 전환되면 실행될 수 있다. 예를 들어, 냉각 가스를 증착 챔버 내로 도입하는 단계는 1mbar - 100mbar의 냉각 가스를 사용하여 증착 챔버를 배기시키는 단계를 포함할 수 있다. 예컨대, 냉각 가스는 헬륨 가스, 헬륨 가스 혼합물, 수소 가스 또는 수소 가스 혼합물일 수 있다.
[0049] 추가로, 이 방법(500)은 분배 조립체와 차폐 어레인지먼트 사이의 자유 공간에 냉각 가스를 제공하는 단계(블록(530))를 포함한다. 도 3을 참조하여 예시적으로 설명한 바와 같이, 차폐 어레인지먼트는 자유 공간을 제공하기 위해 분배 조립체에 대해 일정 거리(D)로 배치된다. 더욱이, 이 방법(500)은 차폐 어레인지먼트와 접촉하는 냉각 시스템을 사용함으로써 차폐 어레인지먼트를 냉각시키는 단계(블록(540))를 포함한다.
[0050] 이에 따라, 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 증발 소스를 냉각시키는 방법의 실시예들은 종래에 공지된 방법들과 비교하여 냉각 시간의 상당한 단축을 유리하게 제공한다. 특히, 증착 챔버가 공기가 배기되고 환경에 개방되기 전에, 증착 소스는 100℃ 미만으로 냉각되어야 한다는 점이 주목되어야 한다. 증착 소스를 냉각시키는 데 필요한 시간은 가용 생산 시간에 직접적으로 영향을 미치는데, 즉 냉각 시간이 길수록 가용 생산 시간이 짧아진다. 본 명세서에서 설명되는 실시예는 유리하게 증착 소스의 냉각 중단 시간을 단축하고, 예컨대 OLED 생산을 위한 가용 생산 시간을 증가시킨다.
[0051] 도 6을 예시적으로 참조하면, 본 개시내용에 따른 증착 소스(200)를 냉각시키기 위한 챔버(260)가 설명된다. 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버(260)는 증착 소스(200)를 포함하며, 증착 소스는 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버(260) 내에 배치된다. 또한, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버(260)는 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버(260) 내로 냉각 가스를 제공하도록 구성된 냉각 가스 공급 시스템(270)을 포함한다. 예컨대, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버(260)는 본 명세서에 설명된 바와 같은 증착 챔버(250)일 수 있다. 냉각 가스 공급 시스템(270)은 1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 냉각 가스를 제공하도록 구성될 수 있다. 통상적으로, 냉각 가스는 본 명세서에서 설명되는 것과 같은 냉각 가스, 특히 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함하는 냉각 가스이다. 도 6에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버(260)의 벽에 냉각 가스 도입 밸브(265)가 제공될 수 있다.
[0052] 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 소스를 냉각시키기 위해 챔버(260)에 제공된 증착 소스는 도 2 및 도 3을 참조하여 예시적으로 설명한 바와 같이, 분배 조립체 및 차폐 어레인지먼트를 포함한다. 통상적으로, 차폐 어레인지먼트는 분배 조립체와 차폐 어레인지먼트 사이의 자유 공간을 제공하기 위해 분배 조립체에 대해 일정 거리(D)로 배치된다. 또한, 차폐 어레인지먼트는 도 3을 참조하여 보다 상세하게 설명한 바와 같이, 차폐 어레인지먼트를 냉각시키기 위한 냉각 시스템을 포함할 수 있다.
[0053] 이에 따라, 종래의 냉각 챔버들과 비교하여, 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버의 실시예들은 증착 소스의 냉각 시간의 단축을 유리하게 제공한다.
[0054] 도 7을 예시적으로 참조하면, 본 개시내용에 따라 기판 상에 층을 증착하기 위한 증착 시스템(300)이 설명된다. 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착 시스템(300)은 본 명세서에서 설명되는 실시예들 중 임의의 실시예에 따라 증착 소스(200)를 냉각시키기 위한 챔버(260)를 포함한다. 도 7에 도시된 증착 시스템(300)의 실시예에서, 증착 소스(200)를 냉각시키기 위한 챔버(260)는 증착 챔버(250), 특히 진공 증착 챔버이다. 또한, 증착 시스템(300)은 진공 증착 챔버 내의, 본 명세서에 설명된 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 증착 소스(200) 및 재료 증착 동안 기판(10)을 지지하도록 구성된 기판 지지부(320)를 포함한다.
[0055] 또한, 도 7에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 소스(200)는 트랙 또는 선형 가이드(322) 상에 제공될 수 있다. 선형 가이드(322)는 증착 소스(200)의 병진 이동을 위해 구성될 수 있다. 또한, 증착 소스(200)의 병진 이동을 제공하기 위한 구동부가 제공될 수 있다. 특히, 재료 증착 어레인지먼트 소스의 비접촉식 이송을 위한 이송 장치가 진공 증착 챔버 내에 제공될 수 있다. 도 7에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 챔버(250)는 인접한 라우팅 모듈 또는 인접한 서비스 모듈에 진공 증착 챔버가 연결될 수 있게 하는 게이트 밸브들(315)을 가질 수 있다. 통상적으로, 라우팅 모듈은 추가 처리를 위해 기판을 추가의 진공 증착 시스템으로 이송하도록 구성되고, 서비스 모듈은 증착 소스의 유지보수를 위해 구성된다. 특히, 게이트 밸브들은 예컨대, 인접한 라우팅 모듈 또는 인접한 서비스 모듈의 인접한 진공 챔버로의 진공 밀폐를 가능하게 하고, 기판 및/또는 마스크를 진공 증착 시스템 안으로 또는 밖으로 이동시키기 위해 개방 및 폐쇄될 수 있다.
[0056] 도 7을 예시적으로 참조하면, 본 명세서에서 설명되는 임의의 다른 실시예들 조합될 수 있는 실시예들에 따라, 2개의 기판들, 예컨대 제1 기판(10A) 및 제2 기판(10B)이 증착 챔버(250) 내의 개개의 이송 트랙들 상에 지지될 수 있다. 또한, 마스크들(333)을 위에 제공하기 위한 2개의 트랙들이 제공될 수 있다. 특히, 기판 캐리어 및/또는 마스크 캐리어의 이송을 위한 트랙들에는 캐리어들의 비접촉식 이송을 위한 추가 이송 장치가 제공될 수 있다.
[0057] 통상적으로, 기판들의 코팅은 개개의 마스크들에 의해, 예컨대 에지 제외 마스크에 의해 또는 섀도우 마스크에 의해 기판들을 마스킹하는 것을 포함할 수 있다. 통상의 실시예들에 따르면, 도 7에 예시적으로 도시된 바와 같이, 마스크들, 예컨대 제1 기판(10A)에 대응하는 제1 마스크(333A) 및 제2 기판(10B)에 대응하는 제2 마스크(333B)가 마스크 프레임(332)에 제공되어, 개개의 마스크를 미리 결정된 포지션에 유지한다.
[0058] 도 7에 도시된 바와 같이, 선형 가이드(322)는 증착 소스(200)의 병진 이동 방향을 제공한다. 증착 소스(200)의 양쪽 면들 상에, 마스크(333), 예컨대 제1 기판(10A)을 마스킹하기 위한 제1 마스크(333A) 및 제2 기판(10B)을 마스킹하기 위한 제2 마스크(333B)가 제공될 수 있다. 마스크들은 증착 소스(200)의 병진 이동 방향에 본질적으로 평행하게 연장할 수 있다. 또한, 증착 소스의 대향 면들에서의 기판들은 또한 병진 이동 방향에 본질적으로 평행하게 연장할 수 있다.
[0059] 도 7을 예시적으로 참조하면, 선형 가이드(322)를 따라 증착 소스(200)의 병진 이동을 위해 구성된 소스 지지부(331)가 제공될 수 있다. 통상적으로, 소스 지지부(331)는 도 7에 개략적으로 도시된 바와 같이, 도가니(210) 및 증발 도가니 위에 제공된 분배 조립체(220)를 지지한다. 이에 따라, 증발 도가니에서 생성된 증기는 분배 조립체의 하나 이상의 배출구들로부터 위쪽으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 본 명세서에 설명되는 바와 같이, 분배 조립체는 증발 재료, 특히 증발되는 유기 재료의 플룸을 분배 조립체(220)로부터 기판(10)으로 제공하도록 구성된다.
[0060] 본 명세서에서 설명되는 실시예들을 고려하여, 본 개시내용은 증착 소스에 대한 개선된 냉각 방법들, 증착 소스를 냉각시키기 위한 개선된 챔버들, 및 증착 소스의 냉각 시간의 단축이 달성될 수 있게 하는 개선된 증착 시스템들을 제공하여, 보다 높은 생산성을 야기한다고 이해되어야 한다.
[0061] 전술한 내용은 실시예들에 관한 것이지만, 기본 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.
[0062] 특히, 이러한 서면 기술은 최선 모드를 포함하는 본 개시내용을 개시하기 위해 그리고 또한 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 임의의 자가, 임의의 디바이스들 또는 시스템들을 제작하여 사용하고 임의의 통합된 방법들을 수행하는 것을 포함하여, 설명되는 청구 대상을 실시할 수 있게 하기 위해 예들을 사용한다. 다양한 특정 실시예들이 앞서 말한 내용에서 개시되었지만, 앞서 설명한 실시예들의 상호 배타적이지 않은 특징들이 서로 결합될 수 있다. 특허 가능한 범위는 청구항들에 의해 정의되고, 다른 예들은 그 예들이 청구항들의 문언과 다르지 않은 구조적 엘리먼트들을 갖는다면, 또는 그 예들이 청구항들의 문언과 사소한 차이들을 갖는 동등한 구조적 엘리먼트들을 포함한다면, 청구항들의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.

Claims (15)

  1. 증착 소스로부터 재료를 증착하는 것을 중단하는 단계 ― 상기 증착 소스는 증착 챔버 내에 배치됨 ―, 및
    1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 냉각 가스를 상기 증착 챔버 내로 도입하는 단계를 포함하며, 상기 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 냉각 가스는 적어도 50 부피% 헬륨을 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 냉각 가스는 적어도 5 부피% 수소를 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  4. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 증착 소스는 분배 조립체 및 차폐 어레인지먼트(arrangement)를 포함하고,
    상기 차폐 어레인지먼트는 상기 분배 조립체와 상기 차폐 어레인지먼트 사이의 자유 공간을 제공하기 위해 상기 분배 조립체에 대해 일정 거리(D)로 배치되는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 차폐 어레인지먼트에서 상기 분배 조립체까지의 거리(D)는 4㎜ ≤ D ≤ 20㎜인,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 분배 조립체와 상기 차폐 어레인지먼트 사이의 자유 공간에 상기 냉각 가스를 제공하는 단계를 더 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 차폐 어레인지먼트와 접촉하는 냉각 시스템을 사용함으로써 상기 차폐 어레인지먼트를 냉각시키는 단계를 더 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 차폐 어레인지먼트는 차폐 플레이트들의 스택을 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 차폐 플레이트들의 스택은 0.1㎜ ≤ S ≤ 1.0㎜의 간격(S)으로 적층되는 2개 이상의 차폐 플레이트들을 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  10. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 증착 소스는 기판 상에 증발 재료를 증착하도록 구성된 증발 소스인,
    증착 소스를 냉각시키는 방법.
  11. 증착 챔버 내에 제공된 증발 소스를 냉각시키는 방법으로서,
    재료를 증발시키도록 구성된 도가니의 도가니 히터를 오프 전환하는 단계;
    재료 증발이 중단될 때까지 상기 증발 소스의 분배 조립체의 가열을 유지하는 단계 ― 상기 분배 조립체는 상기 도가니와 유체 연통함 ―;
    1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 냉각 가스를 상기 증착 챔버 내로 도입하는 단계 ― 상기 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함함 ―;
    상기 분배 조립체와 차폐 어레인지먼트 사이의 자유 공간에 상기 냉각 가스를 제공하는 단계 ― 상기 차폐 어레인지먼트는 상기 자유 공간을 제공하기 위해 상기 분배 조립체에 대해 일정 거리(D)로 배치됨 ―; 및
    상기 차폐 어레인지먼트와 접촉하는 냉각 시스템을 사용하여 상기 차폐 어레인지먼트를 냉각시키는 단계를 포함하는,
    증착 챔버 내에 제공된 증발 소스를 냉각시키는 방법.
  12. 증착 소스를 냉각시키기 위해 챔버 내에 배치되는 증착 소스, 및
    상기 증착 소스를 냉각시키기 위해 1mbar ≤ p ≤ 100mbar의 압력(p)에서 상기 챔버 내에 냉각 가스를 제공하도록 구성된 냉각 가스 공급 시스템을 포함하며,
    상기 냉각 가스는 λ ≥ 0.05[W/(m*K)]인 열 전도율(λ)을 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 증착 소스는 분배 조립체 및 차폐 어레인지먼트를 포함하고,
    상기 차폐 어레인지먼트는 상기 분배 조립체와 상기 차폐 어레인지먼트 사이의 자유 공간을 제공하기 위해 상기 분배 조립체에 대해 일정 거리(D)로 배치되는,
    증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 차폐 어레인지먼트는 상기 차폐 어레인지먼트를 냉각시키기 위한 냉각 시스템을 포함하는,
    증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버.
  15. 제12 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 따른, 증착 소스를 냉각시키기 위한 챔버를 포함하는,
    기판 상에 층을 증착하기 위한 증착 시스템.
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