TW201622167A - 一種形成光伏打電池的方法及根據該方法所形成的光伏打電池 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種形成光伏打裝置之接點的方法以及根據該方法所製造的光伏打裝置。該方法使用配置在光伏打裝置表面上的聚合物層以及雷射光，以在該裝置的表面上產生圖案化的金屬接點。

Description

一種形成光伏打電池的方法及根據該方法所形成的光伏打電池
本發明係關於一種形成光伏打電池的方法及根據該方法所形成的光伏打電池。
太陽能電池吸收自太陽進入之光子的能量，以產生電力。所吸收的光子提供能量以產生電子-電洞對於太陽能電池中，其係藉由電場朝向各別的電性接點所驅動。前與後電性接點容許收集電子與電洞且因而從太陽能電池提取電流。
市場上可買到的太陽能電池通常具有圖案化的前接點。該前接點經常以穿過太陽能電池之前表面的複數個傳導指狀物以及收集來自指狀物之載子且連接到外部電路的週邊母線來組態。前接點圖案通常被設計成僅僅佔據電池之前表面的小區域，以將遮蔽耗損最小化。
前接點圖案通常使用「網版印刷步驟」來實施。依據該應用，電池的後接點亦可藉由網版印刷來實施且亦可被圖案化。
網版印刷在於強迫金屬膏穿過具有預製圖案之網版印刷遮罩的洞。金屬膏通常為以銀為基礎的膏。以銀為基礎的膏提供良好的網版印刷性能，特別用於許多商業用太陽能電池的前接點。不過，矽價格的穩定下降以及銀的高成本已經使網版印刷步驟成為對現有太陽能電池裝置之最終成本的主要促成因素。
較便宜的材料(譬如銅)，可被使用來實現太陽能電池的電性接點。不過，銅已經被證實不適合網版印刷且太陽能電池的製造商已研 究出新方法，將銅接點施加到它們的裝置。
實現太陽能電池之電性接點的替代方法係有用的，且它們的性能已經在實驗室環境中被證實。不過，這些方法通常需要不與在高容量太陽能電池製造環境中典型的低成本與高生產量必要條件相容的處理步驟。這些方法大多數需要對準步驟與加罩步驟以施行光微影且產生開口以形成接點。這些步驟容許產生精確的高解析度圖案於裝置的表面上。在犧牲層中可產生圖案，且圖案的開口可被使用來沈積金屬材料，譬如銅。具有不同特性的光阻材料則依據實現圖案所必要的解析度而被使用。一般而言，高解析度的光阻會比具有更低解析度的光阻還昂貴。
傳統的光微影並非為用於太陽能電池之高容量製造的可行製程，因為它需要遮罩的精確對準以及光敏材料(光阻)的自旋。對準步驟既複雜且耗時。具有提供實現太陽能電池之電性接點所必要的準確度且不包含加罩步驟的圖案化技術將令人期待。
根據第一態樣，本發明提供一種形成光伏打裝置之接點的方法，該方法包含以下步驟：將一聚合物層沈積在該光伏打裝置的一表面上；將該聚合物層的一區域暴露於雷射光；將該聚合物層顯影，以在該聚合物層中產生至少一個開口，以用於進出該表面的一各別部份；以使得該傳導材料與該表面之該各別部份電性接觸的一方式，將一傳導材料沈積在該聚合物層的該至少一個開口內；以及將該剩餘顯影聚合物層的至少一部份自該表面移除。
在一項實施例中，在該雷射光的影響之下，該聚合物層會部份溶化。該溶化部份的某些物理特性會改變，使得該溶化部份能夠在顯影溶液中被移除。或者，該聚合物層最初可溶解於顯影溶液中，且該溶化部份會變得抗顯影劑。
有利地，該聚合物層可包含光阻材料，使得該層能夠使用商業用顯影溶液來顯影。
在一項實施例中，沈積聚合物層的步驟包含將一可噴霧聚合物材料噴在該表面上。該聚合物材料可以是正光阻材料且該表面的至少一部份位於該光阻材料的暴露區域下面。該聚合物層可包含KONTACT CHEMIE POSITIV 20光阻或ELECTROLUBE PRP正光阻。
在一項實施例中，將聚合物層沈積的步驟包含將一可自旋的聚合物材料自旋到該表面上或者將乾膜的聚合物材料施加到該表面上。此步驟可重複數次。
在一項實施例中，該方法進一步包含在沈積聚合物層以後將聚合物層熱處理的步驟。熱處理該聚合物層包含以20℃與100℃之間的溫度來烘烤該聚合物層例如達5分鐘與60分鐘之間的一時期。
沈積聚合物層可包含沈積一疊的複數層聚合物層且對各沈積的聚合物層施行各別的熱處理。
在一項實施例中，熱處理聚合物層包含使用帶式爐或熱乾氣來烘烤光阻。在替代性實施例中，光阻可使用熱板來烘烤。
在一項實施例中，將聚合物層的區域暴露到雷射光的步驟包含移動雷射光穿過該區域，以將該區域逐步地暴露於該雷射光。
或者，該光伏打裝置可被放置在移動平台(譬如移動帶)上，且將該聚合物層的區域暴露於雷射光的步驟包含相對於該雷射光來移動該移動帶。
該雷射光包含複數條雷射光束。該複數條雷射光束可藉由複數個雷射光源所產生。使用一個或多個分光器來分離一條或多條雷射光束亦可產生該複數條雷射光束。
在一項實施例中，該雷射光經過該聚合物層而到達該表面的一部份且影響該表面部份的特性。在該雷射光的影響之下，該表面的該部份可部份地溶化。
在實施例中，該雷射光具有在藍色波長及/或紫外線波長範圍中的一波長。該雷射光具有在400nm與410nm之間的一波長。
到達該聚合物層之該區域之雷射光的光學功率係在0.1mW與1W之間。
在一項實施例中，將該聚合物層顯影的該步驟包含將該聚合 物層暴露於包含0.4%至2.0% NaOH的化學溶液。該聚合物層可暴露在該化學溶液達30秒與10分鐘之間的一時期。
在一項實施例中，該方法進一步包含將該表面的該部份暴露於包含氫氟酸的化學溶液之步驟。在一項實施例中，該方法進一步包含將該表面之該部份電漿蝕刻的步驟。
在實施例中，將第一傳導材料沈積於該聚合物層的開口內的步驟包含藉由電化學電鍍或無電電鍍而將第一傳導材料沈積到該表面的該部份。該第一傳導材料可包含銅或鎳。
在實施例中，該方法進一步包含在沈積該第一傳導材料之前將一傳導層沈積到該表面之該部份以促進該第一傳導材料黏著到該表面之該部份。
在其他實施例中，該方法進一步包含在沈積該第一傳導材料之前將該表面的該部份化學處理，以促進該第一傳導材料黏著到該表面的該部份。
在一項實施例中，該方法進一步包含以使得該第二傳導材料至少部份圍繞該第一傳導材料的一方式，在從該表面移除該聚合物層之前或之後，將第二傳導材料沈積到該光伏打裝置的該表面。將第二傳導材料沈積的步驟可包含將錫電化學電鍍或將錫無電電鍍。
在一項實施例中，從該表面移除該聚合物層的步驟包含將該聚合物層暴露於包含丙酮、1-甲基-2-吡咯啶酮、松節油或氫氧化鈉(NaOH)的一化學溶液。
根據第二態樣，本發明提供一種形成光伏打裝置的方法，該方法包含以下步驟：提供一非本徵矽基板；將一本徵矽層沈積在該矽基板的一表面上；將一非本徵矽層沈積在該本徵矽層的至少一部份上；將一層的透明傳導氧化物沈積在所沈積之非本徵矽層的至少一部份上；以及使用根據第一態樣之方法，將一圖案化的金屬電性接點形成在該層透明傳導氧化物上。
根據第三態樣，本發明提供一種光伏打裝置，其包含：一非本徵矽基板；一本徵矽層，其與該矽基板之一表面的至少一部份接觸；一非本徵矽層，其與該本徵矽層的至少一部份接觸；一透明傳導氧化物層，其與該非本徵矽層的至少一部份接觸；以及一圖案化金屬接點，其與根據本發明之第一態樣所形成的該層透明傳導氧化物電性接觸。
根據第四態樣，本發明提供一種光伏打裝置，其包含：一非本徵矽基板；一薄氧化物層，其與該矽基板之一表面的至少一部份接觸，藉此，該錫氧化物本身係為一穿隧接點；一非本徵矽層，其與該薄氧化物層的至少一部份接觸；一透明傳導氧化物層，其與該非本徵矽層的至少一部份接觸；以及一圖案化金屬接點，其與根據第一態樣所形成的該層透明傳導氧化物電性接觸。
本發明的有利實施例提供一種形成光伏打裝置之接點的方法，其係並且容許產生圖案化的金屬接點至光伏打裝置的表面，以避免網版印刷步驟。這些實施例提供通常由習知微影技術所提供好處的其中一些，但卻不一定要使用光微影遮罩。這些實施例使用雷射光以暴露施加到光伏打裝置之表面的光阻層。雷射光係結合可噴霧光阻來使用，其係通常比傳統上使用於微影製程的習知光阻更便宜。這使這些實施例的方法更適合光伏打裝置的高容量生產。
該方法之實施例的優點係為所得到的圖案解析度與在暴露之下溶化之光阻材料部份的尺寸相關，而沒有與所使用光阻的習知「解析度評比」相關。這容許使用更便宜的較低解析度光阻來得到更高的解析度。例如，40μm至50μm的解析度可使用具有200μm解析度的光阻來得到。
100‧‧‧光伏打裝置
102‧‧‧n-摻雜矽基板
104‧‧‧本徵矽層
106‧‧‧p-型矽層
108‧‧‧前透明傳導氧化物
110‧‧‧本徵矽層
112‧‧‧n-型矽層
114‧‧‧後透明傳導氧化物
116‧‧‧光阻層
202‧‧‧雷射光源
302‧‧‧區域
402‧‧‧開口
502‧‧‧銅指狀物
702‧‧‧錫層
800‧‧‧流程圖
805‧‧‧步驟
810‧‧‧步驟
815‧‧‧步驟
820‧‧‧步驟
825‧‧‧步驟
900‧‧‧設備
902‧‧‧太陽能電池
904‧‧‧帶
906‧‧‧區域
908‧‧‧噴霧組件
910‧‧‧區域
912‧‧‧固定式雷射
914‧‧‧顯影區域
916‧‧‧顯影劑槽
本發明的特徵與優點將從其實施例的以下說明、僅僅藉助實例、參考附圖而變得明顯可見，其中： 圖1至圖7係為根據本發明實施例之在接點形成製程之不同階段上之光伏打裝置的示意圖；圖8係為描繪根據本發明實施例之用於形成接點至光伏打裝置之製程步驟的流程圖；以及圖9係為使用以實施圖8之其中一些步驟之設備的示意圖。
現在參考圖1，那裡顯示光伏打裝置100的處理步驟。圖1的光伏打裝置100在此平台上，既不具有前接點，也不具有後接點。
裝置100包含n-摻雜矽基板102、配置在矽基板102之表面上的本徵矽層104、以及配置在本徵矽層104之一部分上的p-型矽層106。進一步地，裝置100具有配置在p-型矽層106之一部分上的一層透明傳導氧化物108。
裝置100潛在地為雙面光伏打裝置，且裝置100之頂側的結構則會在裝置100的底側重複。在底側，該裝置具有本徵矽層110、n-型矽層112以及一層透明傳導氧化物114。
形成本文中所說明之光伏打裝置之接點的方法可例如被使用來形成裝置100的接點於前透明傳導氧化物108或後透明傳導氧化物114的表面部份上。
根據實施例，將聚合物層沈積在透明傳導氧化物108的表面部份上，例如，可形成一接點於前透明傳導氧化物層108的表面部份上。聚合物層的區域隨後被暴露於雷射光。藉由選擇所暴露的區域，該接點可根據圖案來形成。例如，該接點以包含複數個指狀物的圖案來形成，該等指狀物被設計以最佳化電荷載子從裝置100之提取，同時最小化在前表面的遮蔽耗損。依據是否使用正或負光阻，將形成接點的區域可被暴露，或者替代地，相鄰的區域可被暴露。
雷射光熔化聚合物層的部份且改變在這些部份上之層的一些物理特性。例如，所熔化的部份可變得不可溶解於顯影溶液中，或者抗顯影溶液。藉由將聚合物層顯影，開口的圖案可被產生於該層中，以對應該等層的暴露部份，或者對應該等暴露部份的負。
在本文中所說明的實施例中，聚合物層包含正光阻層，如此則可使用商業用顯影溶液與技術而使該層的暴露部份顯影。該等開口產生於將放置金屬指狀物的位置上。
形成接點的傳導材料隨後被沈積到光阻層的開口內，使得傳導材料能夠與表面的部份電性接觸。光阻層的剩餘部份隨後可自表面被移除，以正好留下被圖案化的接點。
配置在前透明傳導氧化物層108之表面部份上的可噴霧光阻層116係顯示於圖1。在所示的實施例中，光阻層116已經使用噴塗沈積技術來沈積。相較於習知的光阻沈積方法，在沈積時的噴霧致使以充分用於太陽能電池應用的均勻位準快速地沈積均勻光阻層。進一步，在沈積時的噴霧改善在使用光阻時的效率(隨著它將光阻的廢棄物最小化)。在此實例中，可噴霧光阻層116係為ELECTROLUBE PRP，其係為正光阻材料。這是市場上可買到的光阻材料。光阻的成本係為在大量製造不適宜光伏打裝置時利用傳統光微影技術的其中一個因素。在高容量生產線上，傳統光微影從不被採用。不過，本發明人已經發現，使用噴霧於譬如ELECTROLUBE PRP正光阻材料的材料上，可減輕通常與在光伏打工業中使用光阻相關的一些缺點。
依據透明傳導氧化物108之表面的型態，在ELECTROLUBE PRP正光阻材料之步階上的一種或多種噴霧則是必要的。對更平坦的表面而言，較少數目的步驟通常是必要的。紋路化的表面通常在步階上需要更多的噴霧。
在沈積時的噴霧以後，光阻層會被熱處理以使溶劑蒸發。在所說明的實施例中，裝置100係在大約50℃的烤箱中被烘烤大約20分鐘。烘烤過程的溫度與持續時間可改變。例如，在生產環境中，裝置100可被配置在帶式爐的帶上且以較低的溫度加熱更長的時期或使用熱乾氣加熱。
在光阻層116已經被烘烤以後，光阻層116的區域則被暴露於雷射光，以局部改變光阻材料的化學特性。
參考圖2，顯示使用以暴露光阻層116之區域的三個分開的雷射光源202。或者，單一且更有力的雷射光源可被使用，且所產生的雷射光束可使用適合的分光器被分離。雷射光則使用適合的光學元件被聚焦在 光阻層116上。
雷射光源202可相對於裝置100來移動，以將該區域暴露到雷射光。此外或替代地，裝置100可安裝到移動平台，譬如移動帶，且可相對於雷射光來移動。
在生產環境中，複數個裝置同樣地在帶上緩慢地移動，且複數個雷射光源將緊鄰該等裝置地放置，且可能可相對於該等裝置來移動，以將光阻區域暴露於雷射光。
在一些情形中，雷射光可經過光阻層而到達透明傳導氧化物108之表面的一部份且影響它的物理特性，例如它的傳導性。
在暴露製程期間內，光阻層116在雷射光的影響下部份地熔化。在所說明的實施例中，圖案解析度與光阻層之熔化部份的尺寸相關。這容許使用更便宜更低的解析度光阻來得到更高的解析度，以提供成本優點。例如，可使用具有200μm解析度的光阻來獲得40μm至50μm的解析度。
在所說明的實施例中，使用以暴露ELECTROLUBE PRP正光阻材料之雷射光源202的雷射光具有405nm的波長以及1mM的光學功率。不同的波長與光學功率可在替代實施例中被使用，其依據暴露時間與其他的處理參數。
相較於需要昂貴光罩與遮罩對準器的傳統光微影工具，使用雷射光來暴露正光阻則為無遮罩製程。藉由僅僅掃瞄雷射光穿過光阻以直接暴露光阻的能力可導致適合大量生產光伏打裝置的高生產量。
隨著雷射光聚焦於尺寸大約數微米至數十微米的點，入射在光阻上之雷射光的強度則充分地高，而使得暴露期間很短。因此，可使用適合製造的快雷射速度。同樣地，隨著雷射光聚焦，雷射的光學輸出則可在0.1mW至數百mW的範圍中，以消除將大的昂貴雷射與複雜冷卻系統連用的需要。因此，施行雷射暴露製程的製造工具則相當便宜與簡單，如高容量商業生產所需要的。相較之下，使用以製造雷射摻雜選擇性發射體光伏打結構的商業用雷射工具具有大約數十瓦特的光學功率輸出且需要複雜的冷卻系統，該等複雜的冷卻系統則使它們相當昂貴。
在製造製程中，光阻材料係為消耗性材料。因此，為了將包 含光阻材料的光伏打製程商業化，必須包含光阻材料的成本，光阻則必須以較少的材料耗損與良好的生產良率被快速且輕易地施加與移除。在正光阻上的Electrolube PRP與Kontakt Chemie Positiv 20噴霧則符合這些標準。相反地，傳統的光阻會在其上自旋，由於光阻中有很多自旋離開表面而導致高度耗損。傳統的光阻亦更昂貴，需要大量來完全覆蓋大表面且由於大量的晶圓斷裂而可導致不良的良率。
將在正光阻上的低成本噴霧與使用低功率快速移動雷射光的直接暴露結合，提供一種替代的商業辦法給傳統的光伏打光微影技術。
圖3顯示已經暴露到雷射光束202之光阻層116的區域302。在區域302上之光阻層116的化學成分已經藉由雷射光改變，且在區域302上的暴露ELECTROLUBE PRP正光阻材料則可使用包含0.7%重量比NaOH的化學溶液來顯影。光阻層116之暴露至顯影溶液係被施行大約5分鐘。
顯影製程的結果顯示於圖4中，其繪示在光阻層116中的開口402。為了產生電性接觸，可將傳導材料沈積到開口402內。
現在參考圖5，顯示第一傳導材料於光阻層116的開口402中。第一傳導材料係以銅指狀物502的形式提供。銅指狀物502係藉由電化學電鍍方法來沈積。這可例如藉由順向偏壓太陽能電池來得到。藉由順向偏壓，光伏打裝置電子將被驅動經過該裝置而到在p-型側108上的透明傳導氧化物，且因此能夠與在電鍍溶液中的金屬離子互動，以形成電鍍金屬接點。
圖1至圖7繪示一種形成圖案化金屬接點至光伏打裝置之p-型側的方法；不過，該方法亦可施加到光伏打裝置的n-型側。在施加該方法到光伏打裝置之n-型側的情形中，銅指狀物的沈積亦可藉助於電化學電鍍而施行經過光阻開口。這可例如藉由光引發電鍍或偏壓輔助光引發電鍍來得到。
或者，無電電鍍可沈積銅指狀物502。其他材料，譬如鎳、錫或銀亦可使用電鍍方法而被沈積到開口402內。
在所說明的實施例中，在電鍍銅指狀物502之前將一層沈積到透明傳導氧化物108之部分上的進一步步驟會被施行，以促進銅黏著到 透明傳導氧化物108。更者，透明傳導氧化物108之部分的化學處理可被施行，以促進黏著。在一些情形中，化學處理與額外層可連同改善銅之黏著的最終目標而一起使用。
現在參考圖6，顯示在光阻層116已經被移除以後的裝置100。藉由將光阻層116暴露於包含丙酮、1-甲基-2-吡咯啶酮、松節油或氫氧化鈉的一化學溶液而將光阻層116移除。或者，光阻層116的整個剩餘部份則可暴露於雷射光或另一光源且以類似顯影步驟的方式被移除。
在所說明的實施例中，可施行進一步步驟以沈積第二傳導材料。第二傳導材料至少部份地圍繞銅指狀物502。此步驟可在移除光阻層116之前或之後被施行。
現在參考圖7，顯示裝置100，在該裝置中，第二傳導材料已經在移除光阻層116之後被沈積。在圖7，第二傳導材料係為藉由將裝置100的一部份暴露到無電錫溶液所沈積的錫層702。或者，錫層702可藉由電化學電鍍來沈積。
圖1至圖7顯示根據本發明實施例之形成前接點至前接合光伏打裝置之p-型側的處理步驟內的裝置100。裝置100係以異質接面本徵薄層(HIT)電池來組態，其潛在地為雙面的光伏打裝置。相似的方法步驟可被使用，以例如形成接點於裝置100的底部表面上或者形成接點到金屬氧化物半導體(MOS)或金屬絕緣半導體(MIS)太陽能電池的前及/或後側。亦可能可製造光伏打裝置，在光伏打裝置的p-型或n-型側上具有根據本發明實施例而形成的接點，且其他側則具有由傳統工具(例如網版印刷、濺射或蒸發)而形成的接點。
圖8係為流程圖800，其具有形成根據實施例之接觸結構所使用的處理步驟。在步驟805，光阻層沈積在光伏打裝置的表面上。在步驟810，光阻層的區域暴露到雷射光，且在步驟815，光阻層被顯影，以產生用於進出該表面之一部份的開口。在步驟820，以使得傳導材料與該表面之該部份電性接觸的方式，將傳導材料沈積在光阻層的開口內。在步驟825，將光阻層自該表面移除。
現在參考圖9，顯示設備900的示意圖，其使用以實施方法800的其中一些步驟。太陽能電池902在帶904上被輸送經過設備900的許 多平台。設備900可代表較大太陽能電池生產線的一部份。在區域906中，ELECTROLUBE PRP正電阻使用噴霧組件908被沈積在太陽能電池902上。太陽能電池902隨後被輸送到區域910，在該區域，它暴露於雷射光。在此形式的設備中，固定式雷射912的陣列被放置在太陽能電池902上方。隨著太陽能電池902沿一個方向而在雷射光之下移動。直線的光阻則被暴露到雷射光以產生指狀物圖案。太陽能電池902隨後會被移動到顯影區域914，在此，顯影劑槽916被使用來顯影。在顯影之後，太陽能電池902被移動到沈積平台(在圖9中沒顯示)以沈積形成指狀物的金屬材料且移動到其他平台以完成製造製程。
本發明的實施例亦可使用來形成不同類型太陽能電池的接點。依據太陽能電池，該等方法步驟的一些變化係為必要。這些變化沒有脫離本發明的主要精神，其致使使用雷射與聚合物層來加罩該裝置的表面。
在一些替代性實施例中，聚合物層可使用乾膜技術被施加到表面及/或使用熱板被烘烤。更者，可施行額外的步驟以進出光伏打裝置的前或後傳導表面。例如，一旦在聚合物層中的開口已經被形成，那麼該裝置的表面則可暴露到包含氫氟酸的化學溶液以移除介電部份。或者，這些部份可使用電漿蝕刻步驟來移除。
在本文中所使用的術語「包含」(以及它的語法變化)係以「具有」或「包括」的包容性意義且不是以「僅由...組成」的意義來使用。
所屬技術領域中具有通常知識者將理解到，可在不脫離被廣泛說明之本發明的精神或範圍之下，對以具體實施例顯示的本發明進行許多變化及/或修改。本實施例因此在全部態樣中被視為說明性而非限制性。
805‧‧‧將光阻層沈積在光伏打裝置的表面上
810‧‧‧將光阻層的區域暴露於雷射光
815‧‧‧將光阻層顯影，以產生用於進出一部份表面的開口
820‧‧‧以使得傳導材料與該表面的該部份電性接觸的方式，將傳導材料沈積在光阻層的開口內
825‧‧‧將光阻層自該表面移除

Claims (36)

  1. 一種形成光伏打裝置之接點的方法，該方法包含以下步驟：沈積一聚合物層在該光伏打裝置的一表面上；暴露該聚合物層的一區域於雷射光；顯影該聚合物層，以在該聚合物層中產生至少一個開口，以用於進出該表面的一各別部份；以使得該傳導材料與該表面之該各別部份電性接觸的一方式，沈積一傳導材料在該聚合物層的該至少一個開口內；以及自該表面移除剩餘的顯影聚合物層的至少一部份。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚合物層包含光阻材料。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該光阻材料係為一正光阻材料，且其中該表面的該至少一個部份位於該聚合物層的該暴露區域下面。
  4. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中沈積該聚合物層的步驟包含將一可噴霧聚合物材料噴在該表面上、將一可自旋的聚合物材料自旋到該表面上或者將一乾膜的聚合物材料施加到該表面上。
  5. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中該方法進一步包含熱處理該聚合物層。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中熱處理該聚合物層包含以20℃與100℃之間的一溫度來烘烤該聚合物層。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項之方法，其中熱處理該聚合物層包含以40℃與60℃之間的一溫度來烘烤該聚合物層。
  8. 如申請專利範圍第5項至第7項任一項之方法，其中熱處理該聚合物層包含烘烤該聚合物層達5分鐘與60分鐘之間的一時期。
  9. 如申請專利範圍第5項至第8項任一項之方法，其中熱處理該聚合物層包含烘烤該聚合物層達15分鐘與45分鐘之間的一時期。
  10. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中沈積該聚合物層包含沈積一疊的複數層聚合物層且對各沈積的聚合物層施行各別的熱處理。
  11. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中暴露該聚合物層之區域於雷射光，包含移動該雷射光穿過該區域以將該區域逐步地暴露於該雷射光。
  12. 如申請專利範圍第1項至第10項任一項之方法，其中將該光伏打裝置放置在移動平台，且將該聚合物層的區域暴露於雷射光包含相對於該雷射光來移動該移動平台。
  13. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中該雷射光包含複數條雷射光束。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該複數條雷射光束係由複數個雷射光源所產生。
  15. 如申請專利範圍第13項或第14項之方法，其中該複數條雷射光束係藉由使用一個或多個分光器來分離一條或多條雷射光束所產生。
  16. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中在該雷射光的影響之下，該聚合物層會部份地溶化。
  17. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中該雷射光經過該聚合物層而到達該表面的一部份且影響該表面之該部份的特性。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中在該雷射光的影響之下，該表面 的該部份會部份地溶化。
  19. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中該雷射光具有在該藍色或紫外線波長範圍中的一波長。
  20. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中該雷射光具有在400nm與410nm之間的一波長。
  21. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中到達該聚合物層之該區域之該雷射光的該光學功率係在0.1mW與1W之間。
  22. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中將該聚合物層顯影包含將該聚合物層暴露於包含0.4%至2.0%重量比NaOH的化學溶液。
  23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該聚合物層暴露在該化學溶液達30秒與10分鐘之間的一時期。
  24. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中該方法進一步包含將該表面的該部份暴露於包含氫氟酸的化學溶液。
  25. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中該方法進一步包含電漿蝕刻該表面的該部份。
  26. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中沈積一傳導材料於該聚合物層的至少一個開口內的該步驟包含將一第一傳導材料電化學電鍍或無電電鍍到該表面的該部份。
  27. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該第一傳導材料包含銅或鎳。
  28. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該方法進一步包含在沈積該第一 傳導材料之前將一層沈積到該表面之該部份以促進該第一傳導材料黏著到該表面之該部份的該步驟。
  29. 如申請專利範圍第26項或第28項之方法，其中該方法進一步包含在沈積該第一傳導材料之前將該表面的該部份化學處理以促進該第一傳導材料黏著到該表面的該部份的該步驟。
  30. 如申請專利範圍第26項至第29項任一項之方法，其中該方法進一步包含以使得該第二傳導材料至少部份圍繞該第一傳導材料的一方式，在從該表面移除該聚合物層的該步驟之前或之後，將一第二傳導材料沈積到該光伏打裝置的該表面的該步驟。
  31. 如申請專利範圍第30項之方法，其中將一第二傳導材料沈積的該步驟包含將錫電化學電鍍。
  32. 如申請專利範圍第30項之方法，其中將一第二傳導材料沈積包含錫的無電電鍍。
  33. 如先前申請專利範圍任一項之方法，其中從該表面移除該聚合物層的該步驟包含將該聚合物層暴露於包含丙酮、1-甲基-2-吡咯啶酮、松節油或氫氧化鈉(NaOH)的一化學溶液。
  34. 一種形成光伏打裝置的方法，該方法包含以下步驟：提供一非本徵矽基板；沈積一本徵矽層在該矽基板的一表面上；沈積一非本徵矽層在該本徵矽層的至少一部份上；沈積一層的透明傳導氧化物在該非本徵矽層的至少一部份上；以及使用根據申請專利範圍第1項至第33項之方法，將一圖案化的金屬電性接點形成在該層透明傳導氧化物上。
  35. 一種光伏打裝置，其包含：一非本徵矽基板；一本徵矽層，其與該矽基板之一表面的至少一部份接觸；一非本徵矽層，其與該本徵矽層的至少一部份接觸；一透明傳導氧化物層，其與該非本徵矽層的至少一部份接觸；以及一圖案化金屬接點，其與根據申請專利範圍第1項至第33項之方法所形成的該層透明傳導氧化物電性接觸。
  36. 一種光伏打裝置，其包含：一非本徵矽基板；一薄氧化物層，其與該矽基板之一表面的至少一部份接觸，藉此該薄氧化物本身係為一穿隧接點；一非本徵矽層，其與該薄氧化物層的至少一部份接觸；一透明傳導氧化物層，其與該非本徵矽層的至少一部份接觸；以及一圖案化金屬接點，其與根據申請專利範圍第1項至第33項任一項之方法所形成的該層透明傳導氧化物電性接觸。
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