CN108878587A - 一种光伏芯片的透光处理方法 - Google Patents
一种光伏芯片的透光处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108878587A CN108878587A CN201810679387.6A CN201810679387A CN108878587A CN 108878587 A CN108878587 A CN 108878587A CN 201810679387 A CN201810679387 A CN 201810679387A CN 108878587 A CN108878587 A CN 108878587A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photovoltaic chip
- etch
- processing method
- transmission processing
- light transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 8
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) silicon(4+) titanium(4+) Chemical compound [Si+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种光伏芯片的透光处理方法，涉及光伏芯片技术领域，为提高去除发电膜层组的稳定性，降低成本而发明。所述光伏芯片的透光处理方法包括：在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分；去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。本发明将光伏芯片的透光处理方法用于制备可透光的光伏芯片。
Description
技术领域
本发明涉及光伏芯片技术领域，尤其涉及一种光伏芯片的透光处理方法。
背景技术
目前，在光伏芯片透光的制备工艺中，大部分采用脉宽为100ns、功率为1000Wat的红外激光器对位于透明衬底一侧的发电膜层组进行局部刻蚀，进而使位于刻蚀掉的发电膜层组一侧的透明衬底外露，最终使整个光伏芯片透光，采用激光器刻蚀的缺点是：发电膜层组在短时间内接受激光辐照的热量，熔化并重新固化，由于辐照温度较高，容易伤及到不需要除去的发电膜层组，造成刻蚀稳定性差，且具体刻蚀时，需要对激光波长、工作功率和刻蚀速度等工艺参数进行调节控制，造成工艺方法复杂，同时，激光器价格昂贵，使该制造成本高。
发明内容
本发明的实施例提供一种光伏芯片的透光处理方法，能够稳定的将需要去除的发电膜层组刻蚀掉，不会伤及周围不需要刻蚀的发电膜层组，且方法简单，便于操作，成本低。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种光伏芯片的透光处理方法，所述透光处理方法包括：
在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；
去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分，以使所述透明衬底中与所述镂空区域对应的部分露出；
去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。
本发明实施例提供的光伏芯片的透光处理方法，由于首先在发电膜层组上形成了镂空的刻蚀保护层，该刻蚀保护层可在去除与所述镂空区域对应的发电膜层组时，对不需要去除的发电膜层组部分进行有效保护，最终使发电膜层组能够透光的部分与初始要求一致，不会出现扩大透光区域的现象。
可选的，在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层，具体包括：
采用丝网印刷工艺在所述待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层。可选的，在形成具有镂空区域的所述刻蚀保护层后，还包括：固化所述刻蚀保护层。
可选的，固化所述刻蚀保护层包括：采用紫外UV()光固化所述刻蚀保护层。
可选的，采用紫外UV光固化时，紫外线的光照度为800～1500mJ/cm2。
可选的，采用紫外UV光固化时，紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为1～200mm，优选的，所述紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为5～100mm。
可选的，所述刻蚀保护层为油墨层，所述油墨层的厚度为30～60μm。
可选的，所述油墨层为UV油墨层。
可选的，所述刻蚀保护层为添加了高分子预聚物，光引发剂，硼砂，膨润土，二氧化硅，纳米分子筛等组分的成膜物形成的膜层。
可选的，去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分包括：朝向所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的位置喷砂或者喷腐蚀剂，以去除与所述镂空区域对应的所述发电膜层组。
可选的，所述喷砂采用的喷射压力为0.2～0.6MPa。
可选的，所述喷砂采用的砂粒的目数大于等于320目。
可选的，去除所述油墨层包括：在所述刻蚀保护层为油墨层的情况下，采用浓度为0.1％～0.5％的KOH溶液或0.1％～0.5％的NaOH溶液清洗所述油墨层。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种光伏芯片的透光处理方法的流程框图；
图2为本发明实施例提供的另一种光伏芯片的透光处理方法的流程框图；
图3为本发明实施例提供的另一种光伏芯片的透光处理方法的流程框图；
图4为本发明实施例提供的待处理的光伏芯片的结构示意图；
图5为在图4的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层后的结构示意图；
图6为去除图5中发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分后的结构示意图；
图7为去除图6中所述刻蚀保护层后形成的可透光的光伏芯片的结构示意图。
附图标记：
1-透明衬底，2-发电膜层组，201-透光区，3-刻蚀保护层，301-镂空区域，4-可透光的光伏芯片。
具体实施方式
下面结合附图对本光伏芯片的透光处理方法进行详细描述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、
“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
需要说明的是：下述提供的光伏芯片的透光处理方法不仅适用于CIS基薄膜光伏芯片，也适用于晶体硅光伏芯片，CIS基薄膜光伏芯片中的发电膜层组至少包括依次设置的背电极层、光吸收层、TCO窗口层以及栅线电极；所述晶体硅光伏电池中的发电膜层组至少包括n型硅层、位于n型硅两侧的n型非晶硅层和p型非晶硅层，以及分别位于n型非晶硅层和p型非晶硅层一侧的透明导电物层，以及背电极和正电极。
本发明通过下述实施例对光伏芯片的透光处理方法进行详细描述:
参照图1，光伏芯片的透光处理方法包括：
S1：在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，如图4所示，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底1以及设置在所述透明衬底1上的发电膜层组2。
步骤S1可以采用以下任一种方式：
方式一：参照图2和图5，采用丝网印刷工艺在待处理的光伏芯片的发电膜层组2上形成具有镂空区域301的刻蚀保护层3，图5中未填充的白色区域就为镂空区域301，且发电膜层组2中正对镂空区域301的部分为需要去除的部分，通常所述透明衬底1为玻璃衬底。
方式二：参照图2，在所述待处理的光伏芯片的发电膜层组上依次进行涂覆光刻胶、透过掩膜版对所述光刻胶曝光、显影，以形成具有镂空区域的刻蚀保护层。具体的，首先，在发电膜层组的表面上涂覆光刻胶，再采用与形成的镂空区域具有相同图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光、显影，进而形成具有镂空区域的刻蚀保护层。
方式三、采用光学光刻工艺在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层，例如：采用电子束光刻、原子光刻、极紫外光刻或X射线光刻中的一种在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层。
方式四、采用纳米压印工艺在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层。
需要说明的是，上述提供了四种实施步骤S1的具体方式，其余能够在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层的方式均在本专利保护的范围之内。
具体实施时，首次根据发电膜层组2中需要去除部分的位置在所述发电膜层组2上形成具有镂空区域的刻蚀保护层3，镂空区域301位于发电膜层组2中需要去除部分的上方，设置该刻蚀保护层3所达到的技术效果为:所述刻蚀保护层3能够将发电膜层组2中不需要去除的位置覆盖进行保护，防止后续去除时伤及到不需要去除的部分。
当采用丝网印刷工艺在待处理的光伏芯片的发电膜层组2上形成具有镂空区域的刻蚀保护层3的过程中，刻蚀保护层3为油墨层，所述油墨层的厚度为30～60μm，由于丝网印刷采用的是漏印方式，所以对油墨的要求较低，这样通过对油墨材质要求的不严格就降低了整个制备方法的成本。
示例的，刻蚀保护层3可以为UV油墨，即紫外(UV)光油墨，是指包含有光聚合预聚物、引发剂、色料及助剂的油墨，UV油墨在UV光辐照下，光预聚物与引发剂相互作用，迅速成膜。
S2：去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分，以使所述透明衬底中与所述镂空区域对应的部分露出。
步骤S2可以采用以下任一种方式：
方式一：参照图2和图6，朝向所述刻蚀保护层喷砂，以去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分，图6中发电膜层组2中未填充的白色区域为发电膜层组2的透光区201，光线可穿过图6中的透光区201和透明衬底1。
方式二：参照图3，朝向所述刻蚀保护层喷腐蚀剂，以去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分。
当采用喷砂工艺时，所选取的砂粒的目数大于等于320目，砂粒的材质为白刚玉、金刚砂或者钢丸，优选的为白刚玉，白刚玉耐冲击，适合晶体，电子行业的喷砂和超精研磨，且采用的喷射压力为0.2～0.6MPa，采用该喷射压力能够保证去除效果。
需要说明的是：所述腐蚀剂的成分需根据发电膜层组的成分和刻蚀保护层的成分决定，即所选取的腐蚀剂能够腐蚀发电膜层组，但是不能腐蚀刻蚀保护层。
采用上述两种方式去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分时，所述发电膜层组2所处的环境温度较低，避免由于温度较高对需要去除的发电膜层组的周围区域造成影响，同时，也可避免温度较高时通过热传递对吸收层、n型硅层、n型非晶硅层或p型非晶硅层造成损伤影响使用性能。
需要说明的是：当采用朝向所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的位置喷砂，以去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分之前，为了提高所述刻蚀保护层的硬度，保证所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分的去除效果，需要对所述刻蚀保护层进行固化，对所述刻蚀保护层进行固化时：采用UV光固化，固化速度快，效率高，缩短制备时间。可选的，紫外线的光照度为800～1500mJ/cm2、紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为1～200mm，优选的，所述紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为5～100mm，采用上述两个参数在保证固化效果的前提下，缩短固化时间，提高固化效率。示例的，还可采用自然光固化，其中，自然固化时所需时间较长，但是固化均匀，效果好。
示例的，固化时，还可采用在油墨层中喷洒固化剂的方式固化，；采用固化剂固化有两种方案，一种为在油墨中添加高分子预聚物，光引发剂，交联剂等固化剂，另一种为在油墨层上喷洒高分子预聚物，光引发剂，交联剂等，以使预聚物在光引发剂的作用下迅速聚合，固化成膜除此之外的固化方式也在该发明的保护范围之内。
S3：参照图1、图2、图3和图7，去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片4。
一般采用清洗剂清洗的去除方式，清洗剂的成分由所述刻蚀保护层的成分决定，例如，当所述刻蚀保护层为油墨层时，可采用浓度为0.1％～0.5％的KOH溶液、0.1％～0.5％的NaOH溶液或者其他碱性溶液，若所述刻蚀保护层为光刻胶时，则需要根据该光刻胶的成分选取能够清洗掉该光刻胶的清洗剂。
通过本发明实施例提供的光伏芯片的透光处理方法，尤其还具有制造成本低的优点，相比现有技术中的采用激光器的制备方法，明显的降低了成本。
示例的，当制备CIS基薄膜光伏芯片时，所述镂空区域位于所述TCO窗口层上未设置有所述栅线电极的位置处，避免对栅线电池的破坏。
示例的，当制备晶体硅光伏芯片，所述镂空区域位于所述透明导电物层上未设置有所述背电极和正电极的位置处，同样，避免对背电极和正电极的破坏。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述透光处理方法包括：
在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层；其中，所述待处理的光伏芯片包括透明衬底以及设置在所述透明衬底上的发电膜层组；
去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分，以使所述透明衬底中与所述镂空区域对应的部分露出；
去除所述刻蚀保护层，形成可透光的光伏芯片。
2.根据权利要求1所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，在待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层，具体包括：
采用丝网印刷工艺在所述待处理的光伏芯片的发电膜层组上形成具有镂空区域的刻蚀保护层。
3.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，在形成具有镂空区域的所述刻蚀保护层后，还包括：固化所述刻蚀保护层。
4.根据权利要求3所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，固化所述刻蚀保护层包括：采用紫外UV光固化所述刻蚀保护层。
5.根据权利要求4所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，采用紫外UV光固化时，紫外线的光照度为800～1500mJ/cm2。
6.根据权利要求4所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，采用紫外UV光固化时，紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为1～200mm，优选的，所述紫外线的光源与所述刻蚀保护层表面之间的距离为5～100mm。
7.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述刻蚀保护层为油墨层，所述油墨层的厚度为30～60μm。
8.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述刻蚀保护层为UV油墨层。
9.根据权利要求2所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，去除所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的部分包括：朝向所述发电膜层组中与所述镂空区域对应的位置喷砂或者喷腐蚀剂，以去除与所述镂空区域对应的所述发电膜层组。
10.根据权利要求9所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述喷砂采用的喷射压力为0.2～0.6MPa。
11.根据权利要求9或10所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，所述喷砂采用的砂粒的目数大于等于320目。
12.根据权利要求7所述的光伏芯片的透光处理方法，其特征在于，去除所述油墨层包括：采用浓度为0.1％～0.5％的KOH溶液或0.1％～0.5％的NaOH溶液清洗所述油墨层。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810679387.6A CN108878587A (zh) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 一种光伏芯片的透光处理方法 |
| PCT/CN2018/100683 WO2020000596A1 (zh) | 2018-06-27 | 2018-08-15 | 用于太阳能芯片组件的透光处理系统和透光处理方法 |
| JP2018161785A JP2020001365A (ja) | 2018-06-27 | 2018-08-30 | ソーラーチップモジュール用透光処理システムおよび透光処理方法 |
| EP18192028.1A EP3588587A1 (en) | 2018-06-27 | 2018-08-31 | Light transmission processing system and method for solar chip module |
| US16/118,493 US20200001592A1 (en) | 2018-06-27 | 2018-08-31 | Light transmission processing system and method for solar chip module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810679387.6A CN108878587A (zh) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 一种光伏芯片的透光处理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108878587A true CN108878587A (zh) | 2018-11-23 |
Family
ID=64295999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810679387.6A Pending CN108878587A (zh) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | 一种光伏芯片的透光处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108878587A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111312839A (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-19 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 薄膜透光芯片的制作方法及系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101707227A (zh) * | 2009-10-30 | 2010-05-12 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 薄膜太阳电池组件汇流条的制造方法及薄膜太阳电池组件 |
| CN101958361A (zh) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法 |
| CN106575677A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-04-19 | 文森特·阿基拉·艾伦 | 用于形成光伏电池的方法和根据该方法形成的光伏电池 |
-
2018
- 2018-06-27 CN CN201810679387.6A patent/CN108878587A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958361A (zh) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法 |
| CN101707227A (zh) * | 2009-10-30 | 2010-05-12 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 薄膜太阳电池组件汇流条的制造方法及薄膜太阳电池组件 |
| CN106575677A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-04-19 | 文森特·阿基拉·艾伦 | 用于形成光伏电池的方法和根据该方法形成的光伏电池 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111312839A (zh) * | 2018-12-12 | 2020-06-19 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 薄膜透光芯片的制作方法及系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7259083B2 (ja) | 基板構造化方法 | |
| KR101723429B1 (ko) | 반도체상의 전류 트랙 형성방법 | |
| CN100565815C (zh) | 从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法 | |
| US6692885B2 (en) | Method of fabricating barrier ribs in plasma display panel | |
| US8999742B1 (en) | Silicon microsphere fabrication | |
| JP2009539251A (ja) | レーザアブレーションレジスト | |
| TW200847252A (en) | High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates | |
| TWI515264B (zh) | 噴墨可印刷蝕刻阻劑 | |
| CN103378231A (zh) | 以压印方式制造选择性成长遮罩的方法 | |
| JP2019212764A (ja) | 素子チップの製造方法 | |
| JP2007505485A (ja) | シリコンをエッチングする方法の改良 | |
| CN104093536A (zh) | 模具的修复方法和使用该方法的功能性膜的制造方法 | |
| JP2019212765A (ja) | 素子チップの製造方法 | |
| JP3480235B2 (ja) | インクジェットプリンタヘッドおよびその製造方法 | |
| CN108878587A (zh) | 一种光伏芯片的透光处理方法 | |
| JP2010103482A (ja) | 光起電モジュールの製造方法 | |
| TWI243102B (en) | Manufacturing method of ink jet recording head and ink jet recording head manufactured by manufacturing method | |
| WO2016121641A1 (ja) | 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池 | |
| KR102498148B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP4184885B2 (ja) | シリコン基板への垂直穴加工方法 | |
| CN113444406A (zh) | 一种激光蚀刻保护膜的水溶性树脂组合物 | |
| JP2020188154A (ja) | 樹脂組成物、樹脂被覆基板および素子チップの製造方法 | |
| JP2001119855A (ja) | 電界電子放出型サージ吸収素子及びその製造方法 | |
| KR100467886B1 (ko) | 잉크젯프린터헤드및그제조방법 | |
| CN117008414A (zh) | 一种纳米压印模版的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20181123 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |