TW201618943A - 積層體及可撓性裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明所提供的積層體，係含有可撓性基板層的耐熱樹脂薄膜與無機基板間之密接性良好，可輕易且短時間將可撓性基板層從無機基板上分離。本發明的積層體，係具備有：無機基板1及在該無機基板上形成的耐熱樹脂薄膜2之積層體，係具有以下特徵的積層體100：(1)耐熱樹脂薄膜2係具備：可撓性基板層21及在該可撓性基板層之外緣部設置的犧牲層22；(2)可撓性基板層21與無機基板1間之接著強度在2N/cm以下；(3)犧牲層22與無機基板1間之接著強度超過2N/cm；(4)犧牲層22與無機基板1間之接著強度，經後處理在2N/cm以下。

Description

積層體及可撓性裝置之製造方法
本發明係關於在無機基板上形成聚醯亞胺系樹脂等耐熱樹脂薄膜的積層體及可撓性裝置之製造方法。本發明的積層體係可有效使用於例如在可撓性基板的表面上形成電子元件的可撓性裝置及可撓性佈線板之製造時。
習知在例如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、有機EL顯示器(OLED)等平面顯示器(FPD)及電子紙等電子裝置的領域中，主要係使用在玻璃基板等由無機材料構成的基板(無機基板)上形成電子元件者。然而，因為無機基板係屬於剛直，欠缺柔軟度，因而會有不易形成可撓性的問題。
所以，有提案將具可撓性且具耐熱性的聚醯亞胺等有機高分子材料使用為基板之方法。即，將具有可撓性的耐熱樹脂薄膜積層於使用為載體的無機基板上，再將該耐熱樹脂薄膜作為供形成電子元件用的基板或佈線基板之技術已然實用化。此處，例如若無機基板係使用透光性優異的玻璃基板，便具有當形成電子元件時、及製作 佈線基板時的檢查步驟較為容易，且可直接轉用現有在玻璃基板上形成電子元件的可撓性裝置生產用設備之優點。
由此種耐熱樹脂薄膜構成的可撓性基板層所積層之無機基板，因為係將無機基板使用為載體用基板，因而在耐熱樹脂薄膜的表面上形成電子元件後，最後必須將耐熱樹脂薄膜從無機基板上剝離分離。所以，在形成電子元件後要求良好的剝離性。然而，在電子元件的形成步驟中，就從防止耐熱樹脂薄膜自無機基板上剝落的觀點而言，必須使耐熱樹脂薄膜牢固地密接於無機基板。就提升該密接性的方法，有提案例如利用矽烷偶合劑對玻璃基板之類的無機基板表面施行處理的方法(專利文獻1、2)。又，亦有提案對玻璃基板之類的無機基板表面施行粗面化處理的方法(專利文獻3、4)。依此工業性將牢固密接於無機基板上的耐熱樹脂薄膜，從無機基板上剝離的方法，有提案利用例如：朝玻璃基板鄰接的聚醯亞胺系樹脂等耐熱樹脂薄膜之界面照射雷射光的方法(專利文獻5)；將玻璃基板鄰接的聚醯亞胺薄膜界面，利用焦耳熱施行加熱的方法(專利文獻6)；施行感應加熱的方法(專利文獻7)；照射來自氙燈的閃光(flash light)之方法(專利文獻8)等施行剝離的方法。然而，該等方法因為步驟複雜、需要長時間、高價設備，因而不僅屬於高成本，亦有較難再利用無機基板的問題。
所以，就取代上述方法的剝離方法而言，在專利文獻9中有提案：藉由長時間放置於加壓水蒸氣中，俾提升聚醯亞胺積層體之剝離性的方法。又，在專利文獻10中有提案：為提升聚醯亞胺積層 體的剝離性而浸漬於水中的方法。該等方法係利用將來自聚醯亞胺薄膜表面的吸水或吸濕性，造成聚醯亞胺薄膜急遽膨脹而生成的應力，作用於聚醯亞胺薄膜與無機基板的界面。結果，降低該界面處的密接性而提升剝離性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開WO2010/071145說明書
[專利文獻2]國際公開WO2011/030716說明書
[專利文獻3]日本專利特開2012-247633號公報
[專利文獻4]日本專利特開2013-149406號公報
[專利文獻5]日本專利特表2007-512568號公報
[專利文獻6]日本專利特開2012-189974號公報
[專利文獻7]日本專利特開2014-86451號公報
[專利文獻8]日本專利特開2014-120664號公報
[專利文獻9]日本專利特開2000-196243號公報
[專利文獻10]美國專利第7575983號說明書
然而，上述利用吸濕或吸水的方法，因為係利用來自可撓性基板層表面的吸濕或吸水性，因而例如在可撓性基板層表面上有形成阻氣層(為阻止水蒸氣及/或氧穿透的層，藉此供防止OLED等在可撓性基板層上所形成電子元件發生劣化的層)之情況，便會有未充 分施行吸濕或吸水，導致無法充分獲得剝離性效果提升的問題。又，如專利文獻9所揭示長時間放置於加壓水蒸氣中的方法，會有聚醯亞胺進行水解，導致引發薄膜劣化的問題。
於是，本發明為解決上述問題，目的在於提供：與無機基板間之密接性良好並含有可撓性基板層的耐熱樹脂薄膜，可輕易且短時間將可撓性基板層從無機基板上分離的積層體，及使用該積層體的可撓性裝置之製造方法。
本發明目的尚在於提供：與無機基板間之密接性良好並含有可撓性基板層的耐熱樹脂薄膜，且即便在可撓性基板層上有形成阻氣層，仍可輕易且短時間將可撓性基板層從無機基板上分離的積層體，及使用該積層體的可撓性裝置之製造方法。
本發明目的尚在於提供：與無機基板間之密接性良好並含有可撓性基板層的耐熱樹脂薄膜，且即便在可撓性基板層上有形成電子元件、佈線等構件，仍可輕易且短時間將可撓性基板層從無機基板上分離的積層體，及使用該積層體的可撓性裝置之製造方法。
本發明者等為解決上述問題經深入鑽研，結果發現藉由將在無機基板上形成耐熱樹脂薄膜的積層體(以下亦簡稱「積層體」)設為特定構成，便可解決上述問題，遂完成本發明。
即，本發明主旨係如下述。
一種積層體，係具備有無機基板及形成在該無機基板上的耐熱樹脂薄膜者，其具有以下特徵：(1)耐熱樹脂薄膜係具備：可撓性基板層及在該可撓性基板層之外緣部設置的犧牲層；(2)可撓性基板層與上述無機基板間之接著強度在2N/cm以下；(3)犧牲層與上述無機基板間之接著強度超過2N/cm；(4)犧牲層與上述無機基板間之接著強度，經後處理成為2N/cm以下。
如上述積層體，其中，耐熱樹脂係聚醯亞胺系樹脂。
如上述積層體，其中，後處理係水吸收處理。
如上述積層體，其中，無機基板其中一部分係預先施行密接性提升處理，並在經施行該密接性提升處理的表面上形成犧牲層。
如上述積層體，其中，密接性提升處理係粗面化處理或矽烷偶合劑處理中之至少其中一項處理。
一種可撓性裝置之製造方法，係在上述積層體的耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層表面上，形成從電子元件及佈線之中選擇1種以上之構件後，藉由對該積層體施行後處理，再從無機基板剝離具備上述構件的耐熱樹脂薄膜，然後藉由切斷除去犧牲層部分而獲得可撓 性裝置。
一種可撓性裝置之製造方法，係在上述積層體的耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層表面上，形成從電子元件及佈線之中選擇1種以上之構件，沿具備有上述構件的耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層外周形成缺口，將耐熱樹脂薄膜的可撓性基板層部分、與犧牲層部分施行分割後，再剝離耐熱樹脂薄膜的可撓性基板層部分，而獲得可撓性裝置，並藉由對犧牲層施行後處理而從無機基板上剝離除去。
如上述可撓性裝置之製造方法，其中，在可撓性基板層的表面上形成上述構件之前，便形成阻氣層。
本發明的積層體其可撓性基板層在未施行任何處理情況下便可簡單剝離；另一方面，在該可撓性基板層外緣部一體形成的犧牲層雖無法直接簡單地剝離，但經後處理便可簡單地剝離。所以，使用該積層體，便可輕易地製造可撓性裝置及可撓性佈線基板。
1‧‧‧無機基板
2‧‧‧耐熱樹脂薄膜
21‧‧‧可撓性基板層
22‧‧‧犧牲層
100‧‧‧積層體
200‧‧‧缺口
210‧‧‧可撓性基板層形成區域
211‧‧‧可撓性基板層外周
220‧‧‧圖框區域(犧牲層形成區域)
230‧‧‧塗佈區域
W1‧‧‧犧牲層22之寬度
W2‧‧‧可撓性基板層21之寬度
W3‧‧‧耐熱樹脂薄膜寬度
圖1中，(A)係本發明一實施態樣的積層體之示意圖(剖視圖)，(B)僅係圖1(A)所示積層體的無機基板從圖中上方觀看時的概略素描。
圖2中，(A)及(B)係供說明使用圖1(A)所示之積層體製造可撓性基板的方法一例之耐熱樹脂薄膜的示意圖(剖視圖)。
圖3中，(A)及(B)係供說明使用圖1(A)所示之積層體製造可撓 性基板的方法另一例之耐熱樹脂薄膜的示意圖(剖視圖)。
以下，針對本發明進行詳細說明。
[積層體]
本發明的積層體係在無機基板上形成耐熱樹脂薄膜者。此處所使用的「無機基板」係可例如：玻璃基板；銅、鋁等金屬基板；氧化鋁等陶瓷基板等，惟並不侷限於此，最好使用透光性優異的玻璃基板。玻璃基板係可使用例如：鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃等，該等之中，最好使用無鹼玻璃基板。
上述無機基板的厚度較佳係0.3~5.0mm。若厚度小於0.3mm則基板的操作性會降低。又，若厚度大於5.0mm則生產性會降低。
本發明的積層體100，如圖1(A)所示，在無機基板1上積層著耐熱樹脂薄膜2，耐熱樹脂薄膜2係由：能使使用為可撓性基板的可撓性基板層21，及在該可撓性基板層21外緣部設置的犧牲層22構成。圖1(A)所示係本發明一實施態樣的積層體示意圖(剖視圖)。圖1(B)所示僅係圖1(A)的積層體的無機基板從圖中上方觀看時的概略素描。
積層體100中，犧牲層22與無機基板1間之接著強度，較可撓性基板層21與無機基板1間之接著強度大。為達成此種接著強 度的斜率，犧牲層22鄰接的無機基板1之表面最好施行後述密接性提升處理。圖1(A)中的「×××××」及圖1(B)中的格子區域220，係表示在無機基板1的表面上形成犧牲層22的區域，且經施行密接性提升處理。
當沒有形成犧牲層22的情況，耐熱樹脂薄膜2對無機基板1的密接性會降低。所以，當在耐熱樹脂薄膜從無機基板上剝離前，便在耐熱樹脂薄膜上形成電子元件等構件時，會發生耐熱樹脂薄膜剝落導致作業效率降低。
犧牲層22的面積，就從耐熱樹脂薄膜2對無機基板1的密接性觀點而言，相對於耐熱樹脂薄膜2的面積，較佳係設為10%以上、更佳係設為20%以上、特佳係設為50%以上。犧牲層22的面積上限值並無特別的限定，就從減輕材料損失的觀點而言，犧牲層的面積相對於耐熱樹脂薄膜的面積，通常係未滿100%、較佳係80%以下、更佳係60%以下。所謂「犧牲層面積」係指無機基板1表面上犧牲層22形成區域的面積，等於圖1(B)中圖框狀格子區域220(以下亦簡稱「圖框區域」)的面積。所謂「耐熱樹脂薄膜的面積」係指無機基板1表面上樹脂薄膜2形成區域的面積。
圖1(B)中，犧牲層22的形成區域220係設有圖框形狀，該犧牲層22便形成於可撓性基板層21的全部外緣部中，然本發明並非一定要將犧牲層22形成於可撓性基板層21的全部外緣部中。本發明的犧牲層22係在確保耐熱樹脂薄膜2之密接性前提下，亦可在 可撓性基板層21的外緣部其中一部分處沒有形成。
圖1(A)及(B)中，耐熱樹脂薄膜2的形狀係設為正方形狀，但亦可設為配合由本發明積層體所獲得可撓性基板層21形狀的任何形狀。例如可設為圓形狀、長方形狀。當將可撓性基板層21直接使用為可撓性基板時，耐熱樹脂薄膜2及可撓性基板層21的形狀通常係正方形狀或長方形狀。
犧牲層22的寬度W1(參照圖1(B))通常係2mm以上、特別係2mm以上且100mm以下，就從使耐熱樹脂薄膜2的密接性與剝離性間能取得更良好均衡的觀點而言，較佳係3mm以上且80mm以下、更佳係4mm以上且50mm以下。
可撓性基板層21的寬度W2(參照圖1(B))係只要配合所需可撓性基板或可撓性裝置的尺寸再行決定便可，通常係10~300mm，就從使耐熱樹脂薄膜2的密接性與剝離性間能取得更良好均衡的觀點而言，較佳係100~200mm。
可撓性基板層21與無機基板1間之接著強度係2N/cm以下、較佳係1N/cm以下、更佳係0.5N/cm以下。藉由可撓性基板層具有此種接著強度，便可確保可撓性基板層與無機基板間之良好剝離性。若可撓性基板層與無機基板間之接著強度超過2N/cm，則可撓性基板層從無機基板上的剝離較為困難。可撓性基板層與無機基板間之接著強度下限值並無特別的限定，越低越好。可撓性基板層與 無機基板間之接著強度通常係0N/cm以上。
犧牲層22與無機基板1間之接著強度係設為超過2N/cm、較佳係3N/cm以上、更佳係4N/cm以上。藉由犧牲層具有此種接著強度，便可確保犧性層與無機基板間之良好密接性，因而可確保含有犧牲層的耐熱樹脂薄膜全體與無機基板間之密接性。若該接著強度在2N/cm以下，當在可撓性基板層從無機基板上分離前便在可撓性基板層上形成電子元件等構件時，可撓性基板層會發生剝落導致作業效率降低。犧牲層與無機基板間之接著強度上限值並無特別的限定，越高越好。為確保此種接著強度，較佳為對犧牲層鄰接的無機基板(例如玻璃基板)的圖框區域220表面，施行密接性提升處理。藉由此種處理便會增加犧牲層的接著強度。犧牲層與無機基板間之接著強度通常係50N/cm以下、特別係10N/cm以下。
所謂「密接性提升處理」係指為提升與耐熱樹脂薄膜2間之密接性而採行的無機基板之表面處理。在無機基板上所形成的耐熱樹脂薄膜中，於該密接性提升處理表面上形成的部分便成為犧牲層22。所以，在無機基板表面中，對欲形成犧牲層的區域施行密接性提升處理。
密接性提升處理係例如施行粗面化處理或偶合劑處理中之至少其中一項處理。就從更加提升密接性的觀點而言，最好在施行粗面化處理後，更進一步施行偶合劑處理。
粗面化處理係例如使用日本專利特開2013-149406所揭示的公知處理法，便可達成無機基板的粗面化。具體係可利用化學性蝕刻處理、研磨處理、噴砂處理、電漿處理、雷射處理等施行粗面化。藉由粗面化處理便可增加無機基板的表面積，因而可物理性達成接著強度增加。該等粗面化處理中，最好係化學性蝕刻處理。
化學性蝕刻處理時，最好例如使用含有0.5~8重量%氫氟酸的水溶液，依20~40℃施行1~60分鐘左右的蝕刻處理。
經粗面化處理過的無機基板之表面粗糙度(根據JIS B 0601-1994的Ra)較佳係0.05~0.8μm左右。
在僅將無機基板表面上有形成犧牲層的部分施行粗面化時，只要利用離形膜等遮住其他部分後再施行粗面化處理便可。
所謂「偶合劑處理」係指在無機基板表面上塗佈偶合劑等密接性提升劑，而形成偶合劑被膜的處理。藉由偶合劑處理，無機基板表面與耐熱樹脂薄膜(特別係犧牲層)便經由偶合劑被膜而化學性結合，因而可達成接著強度增加。
偶合劑係可使用矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋁偶合劑等，較佳係使用矽烷偶合劑的矽烷偶合劑處理。
矽烷偶合劑的種類並無限制，可例如：胺系矽烷偶合劑、環氧 系矽烷偶合劑、乙烯系矽烷偶合劑、苯乙烯系矽烷偶合劑、(甲基)丙烯酸系矽烷偶合劑、氯系矽烷偶合劑、硫醇系矽烷偶合劑、硫醚系矽烷偶合劑、異氰酸酯基系矽烷偶合劑、異三聚氰酸酯系矽烷偶合劑。具體係可例如：N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯苄基)-2-胺乙基-3-胺丙基三甲氧基矽烷鹽酸鹽、3-脲丙基三乙氧基矽烷、胺苯基三甲氧基矽烷、胺基苯乙基三甲氧基矽烷、胺苯基胺甲基苯乙基三甲氧基矽烷等胺系矽烷偶合劑；2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等環氧系矽烷偶合劑；乙烯三氯矽烷(vinyl trichlorosilane)、乙烯三甲氧基矽烷、乙烯三乙氧基矽烷等乙烯系矽烷偶合劑；對苯乙烯三甲氧基矽烷等苯乙烯系矽烷偶合劑；3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等(甲基)丙烯酸系矽烷偶合劑；3-氯丙基三甲氧基矽烷、氯甲基苯乙基三甲氧基矽烷、氯甲基三甲氧基矽烷等氯系矽烷偶合劑；3-硫醇基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-硫醇基丙基三甲氧基矽烷等硫醇系矽烷偶合劑；雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚等硫醚系矽烷偶合劑；3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等異氰酸酯基系矽烷偶合劑；異三聚氰酸三(3-三甲氧基矽烷基丙酯)等異三聚氰酸酯系矽烷偶合劑等等。其 中，較佳係胺系或環氧系矽烷偶合劑，更佳係例如：N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、胺苯基三甲氧基矽烷、胺基苯乙基三甲氧基矽烷、胺苯基胺甲基苯乙基三甲氧基矽烷等胺系矽烷偶合劑；2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等環氧系矽烷偶合劑等等。
矽烷偶合劑係可單獨使用1種、亦可組合使用複數種。另外，藉由對經上述粗面化的無機基板表面施行矽烷偶合劑處理，便可更增加接著強度。
在形成矽烷偶合劑之被膜時，只要將矽烷偶合劑溶解於溶劑中形成溶液，再將其塗佈於無機基板上並施行乾燥便可。所使用的溶劑並無限制，較佳為使用例如：N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)等醯胺系溶劑。矽烷偶合劑溶液的矽烷偶合劑濃度較佳係設為0.5~5質量%。所形成偶合劑的被膜量較佳係10~1000mg/m2、更佳係100~500mg/m2。
在對無機基板表面上欲形成犧牲層的部分施行偶合劑處理時，只要利用離形膜等遮住其餘部分後再施行偶合劑處理便可。
具有如上述接著強度的犧牲層22，藉由施行後述的後處理，便可從無機基板上剝離。犧牲層係經例如吸濕處理後，便成為例如以下所示之接著強度。犧牲層與無機基板間之經後處理過的接著強度係2N/cm以下、較佳係1N/cm以下、更佳係0.5N/cm以下、特佳係0.1N/cm以下。因為犧牲層藉由後處理，依此便以較低的接著強度接著於無機基板，因而犧牲層可輕易從無機基板上剝離。若經後處理過的犧牲層與無機基板間之接著強度超過2N/cm，便會導致犧牲層從無機基板上的剝離較為困難。犧牲層與無機基板間經後處理過的接著強度下限值並無特別的限定，越低越好。犧牲層與無機基板間經後處理過的接著強度通常係0N/cm以上。
本發明所謂「接著強度」係指根據JIS K6854-2，藉由施行180°剝離試驗測定層間接著強度的值。
本發明的可撓性基板層21及犧牲層22，亦可由為達成與無機基板間之既定接著強度而調製的各個構成材料構成，但通常可撓性基板層21及犧性層22係由同一構成材料。可撓性基板層21及犧牲層22係如以下所說明，當由同一構成材料構成的情況，可撓性基板層21與無機基板1間之接著強度係藉由該構成材料的選擇便可控制，而犧牲層22與無機基板1間之接著強度係藉由該構成材料的選擇及施行上述密接性提升處理便可控制。
可撓性基板層21及犧牲層22所使用的耐熱樹脂薄膜2係由耐熱樹脂施行薄膜化者。所謂「耐熱樹脂」係指由DSC(微分掃描熱 量測定)所測定的玻璃轉移溫度達200℃以上之樹脂，耐熱樹脂的玻璃轉移溫度較佳係300℃以上、更佳係350℃以上。耐熱樹脂係可例如：聚醯亞胺系樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂等。耐熱樹脂最好使用聚醯亞胺系樹脂。
聚醯亞胺系樹脂係主鏈具有醯亞胺鍵結的樹脂，具體例係可例如：聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺等，惟並不僅侷限該等，在主鏈具有醯亞胺鍵結的樹脂前提下，亦可使用任何樹脂。該等樹脂通常係單獨使用，但亦可混合使用2種以上。
聚醯亞胺係可使用將已溶解於溶劑中的聚醯胺酸等聚醯亞胺前驅物施行熱硬化而形成聚醯亞胺的前驅物型聚醯亞胺，或溶劑可溶型聚醯亞胺，較佳為使用前驅物型聚醯亞胺。
上述聚醯亞胺系樹脂最好具有由醯亞胺鍵結所衍生之構成單元達50莫耳%以上(但，將總構成單元設為100莫耳%)。
上述聚醯亞胺系樹脂亦可使用市售物。即，可使用例如：「U-IMIDE AR」、「U-IMIDE AH」、「U-IMIDE BH」、「U-IMIDE CR」、「U-IMIDE CH」(均為Unitika公司製)、及U清漆A(宇部興產公司製)等聚醯胺酸型清漆；將「RIKACOAT SN-20」(新日本理化公司製)及/或「MATRIMID 5218」(Huntsman公司製)等溶解於溶劑中的溶劑可溶型聚醯亞胺清漆；VYLOMAX HR-11NN(東洋紡公司製)等聚醯胺醯亞胺清漆。
上述前驅物型聚醯亞胺係使原料的四羧酸及/或其二酐與二胺略等莫耳，在溶劑中進行反應而獲得的聚醯亞胺前驅物溶液，再將其塗佈，經乾燥、熱硬化(醯亞胺化)，便可獲得聚醯亞胺層。
製造該聚醯亞胺前驅物溶液時，反應溫度較佳係-30~60℃、更佳係-15~40℃。又，在該反應中，單體及溶劑的添加順序並無特別的限制，可為任意順序。
此處，四羧酸及/或其二酐係可使用例如：均苯四甲酸、3,3',4,4'-聯苯四羧酸、3,3',4,4'-二苯基酮四羧酸、3,3',4,4'-二苯碸四羧酸、3,3',4,4'-二苯醚四羧酸、2,3,3',4'-二苯基酮四羧酸、2,3,6,7-萘四羧酸、1,4,5,7-萘四羧酸、1,2,5,6-萘四羧酸、3,3',4,4'-二苯甲烷四羧酸、2,2-雙(3,4-二羧苯基)丙烷、2,2-雙(3,4-二羧苯基)六氟丙烷、3,4,9,10-四羧基苝、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]六氟丙烷、1,2,3,4-環丁烷四羧酸、1,2,4,5-環戊烷四羧酸、1,2,4,5-環己烷四羧酸、雙環[2,2,2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸及/或該等的二酐等，可使用該等的單體或混合物，惟並不僅侷限於該等。
此處，最好使用均苯四甲酸、3,3',4,4'-聯苯四羧酸或該等的二酐。
二胺係可例如：對伸苯二胺、間伸苯二胺、3,4'-二胺基二苯醚、 4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基二苯甲烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,2-雙(苯胺基)乙烷、二胺基二苯碸、二胺基苯甲醯苯胺、二胺基苯甲酸酯、二胺基二苯硫醚、2,2-雙(對胺苯基)丙烷、2,2-雙(對胺苯基)六氟丙烷、1,5-二胺基萘、二胺基甲苯、二胺基三氟甲苯、1,4-雙(對胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(對胺基苯氧基)聯苯基、二胺基蒽醌、4,4'-雙(3-胺基苯氧基苯基)二苯碸、1,3-雙(苯胺基)六氟丙烷、1,4-雙(苯胺基)八氟丁烷、1,5-雙(苯胺基)十氟戊烷、1,7-雙(苯胺基)十四氟庚烷、1,2-伸乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,12-十二烷基二胺、順-1,4-二胺基環己烷、反-1,4-二胺基環己烷、1,4-二胺基環己烷異構物混合物、順-順-4,4'-二胺基二環己基甲烷、順-反-4,4'-二胺基二環己基甲烷、反-反-4,4'-二胺基二環己基甲烷、4,4'-二胺基二環己基甲烷異構物混合物、順-1,3-雙(胺乙基)環己烷、反-1,3-雙(胺乙基)環己烷、1,3-雙(胺乙基)環己烷異構物混合物、順-反-4,4'-亞甲基雙(2-甲基環己胺)、反-反-4,4'-亞甲基雙(2-甲基環己胺)、4,4'-亞甲基雙(2-甲基環己胺)異構物混合物、順-順-4,4'-二胺基二伸環己基丙烷、順-反-4,4'-二胺基二伸環己基丙烷、4,4'-二胺基二伸環己基丙烷等，可使用該等的單體或混合物，惟並不僅侷限於該等。
其中，較佳係使用對伸苯二胺、4,4'-二胺基二苯醚、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷。
聚醯亞胺前驅物的固形份濃度較佳係1~50質量%、更佳係5~30 質量%。該聚醯胺酸溶液亦可部分性醯亞胺化。
本發明聚醯亞胺前驅物溶液的25℃黏度較佳係1~150Pa．s、更佳係5~100Pa．s。
聚醯亞胺前驅物溶液所使用的溶劑係在能溶解聚醯亞胺前驅物的溶劑前提下，其餘並無限制，可例如：醯胺系溶劑、醚系溶劑、水溶性醇系溶劑。
醯胺系溶劑的具體例，係可例如：N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)等。
醚系溶劑係可例如：2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-(甲氧基甲氧基)乙氧基乙醇、2-異丙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、四氫糠醇、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇、三乙二醇單乙醚、四乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、二丙二醇、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、三丙二醇單甲醚、聚乙二醇、聚丙二醇、四氫呋喃、二烷、1,2-二甲氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等。
水溶性醇系溶劑係可例如：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、第三丁醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,5-戊二醇、2-丁烯-1,4-二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、1,2,6-己三醇、二丙酮醇等。
該等溶劑係可混合使用2種以上。該等溶劑中，特佳例，就單獨溶劑係可例如：N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮，又就混合溶劑係可例如：N,N-二甲基乙醯胺與N-甲基-2-吡咯啶酮、N-甲基-2-吡咯啶酮與甲醇、N-甲基-2-吡咯啶酮與2-甲氧基乙醇等的組合。
就相關使用聚醯亞胺前驅物溶液製造耐熱樹脂薄膜的方法進行說明，而相關耐熱樹脂係使用上述聚醯亞胺系樹脂以外的其他樹脂之情況，藉由準用以下說明，仍可輕易思及製造具有可撓性基板層21及犧牲層22之耐熱樹脂薄膜2。
在對圖框區域220施行密接性提升處理過的無機基板1上，塗佈聚醯亞胺前驅物溶液，經乾燥後，施行熱硬化而醯亞胺化。聚醯亞胺前驅物溶液的塗佈區域230在圖1(B)上，係包含圖框區域220在內的內側區域全體，但若屬於涵蓋包含圖框區域220在內的該內側區域全體之區域的話，塗佈超過圖框區域220亦可。此處所謂「乾燥」係指利用加熱等手段，使聚醯亞胺前驅物溶液的溶劑量減少。此時，最好施行將溶劑除去直到塗膜中的固形份濃度成為50質量%以上且90質量%以下為止。乾燥時可使用任意的裝置，較佳係熱風乾燥機，但亦可使用紅外線加熱、電磁感應加熱等。為進行乾燥，50~200℃的溫度範圍係屬恰當。又，此處所謂「熱硬化」係指將聚醯亞胺前驅物轉換為聚醯亞胺的步驟。為進行熱硬化，300~450℃的溫度範圍係屬恰當。
在聚醯亞胺前驅物溶液中，為能獲得上述接著強度，可摻合例如：硬脂酸、棕櫚酸等高級脂肪酸、其醯胺及/或金屬鹽等離形劑。該等之中，較佳係硬脂酸。離形劑的摻合量越多，則耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層及犧牲層間之接著強度便越小。另一方面，離形劑的摻合量越少，則耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層及犧牲層間之接著強度便越大。
聚醯亞胺前驅物溶液中的離形劑摻合量，在耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層及犧牲層間能達成既定接著強度之前提下，其餘並無特別的限定，通常相對於聚醯亞胺質量，較佳係添加0.01至2質量%、更佳係0.1至1質量%。本說明書中，所謂「聚醯亞胺質量」係指聚醯亞胺前驅物溶液中所含聚醯亞胺換算後的聚醯亞胺總質量。
在聚醯亞胺前驅物溶液中，為能獲得上述接著強度，視需要可在溶液中摻合上述矽烷偶合劑等密接性提升劑。矽烷偶合劑的種類並無限制，較佳係上述胺類或環氧類。密接性提升劑的摻合量越多，則耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層及犧牲層間之接著強度越大。另一方面，密接性提升劑的摻合量越少，則耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層及犧牲層間之接著強度越小。
聚醯亞胺前驅物溶液中的密接性提升劑摻合量，相對於聚醯亞胺質量，較佳係添加0.05至0.5質量%、更佳係0.05至0.2質量%、特佳係0.1至0.2質量%。
聚醯亞胺前驅物溶液的塗佈係可連續實施或單片實施。
連續塗佈係可使用例如：模具塗佈機、唇式塗佈機、缺角輪塗佈機、凹版塗佈機、反向滾輪式塗佈機等塗佈機實施。
連續塗佈亦可使用例如：棒塗機、刮刀塗佈機、旋塗機等塗佈機實施。
此處的連續塗佈因為無機基板係屬於剛直，因而大多會衍生困難，因而就從工業生產的觀點而言最好採行單片的塗佈。
耐熱樹脂薄膜的塗佈厚度，係將經熱硬化後的厚度較佳設為5至200μm、更佳為10至100μm。耐熱樹脂薄膜的厚度係可撓性基板層及犧牲層的厚度，而可撓性基板層與犧牲層的厚度相等。
依如上述，可撓性基板係使用耐熱樹脂薄膜的電子裝置，為防止水蒸氣等侵入於OLED發光層等，一般均設有阻氣層。本發明所使用的積層體，可在可撓性基板層21的表面設置該阻氣層。阻氣層可使用由氧化矽、氧化鋁、碳化矽、碳氧化矽、氮碳化矽、氮化矽、氮氧化矽等無機氧化物構成的被膜，但最好係由氧化矽構成的被膜。形成該等被膜的方法，係可例如：濺鍍法、真空蒸鍍法、熱CVD法、電漿CVD法、光CVD法等公知方法，最好係濺鍍法。阻氣層的厚度較佳係10至100nm、更佳係20至50nm。
本發明中，因為構成耐熱樹脂薄膜2的犧牲層22係與無機基板1牢固地密接，因而可確保耐熱樹脂薄膜2全體與無機基板1間之密接性。
本發明的耐熱樹脂薄膜2(特別係可撓性基板層21)最好係透明。透明性指標之在500nm下的光線穿透率較佳係70%以上、更佳係80%以上。
[可撓性基板或可撓性裝置之製造方法]
本發明的積層體100係藉由該特有的構造及後述的後處理，便可將可撓性基板層21及犧牲層22輕易地從無機基板1上剝離。經剝離後的可撓性基板層21可有效使用為可撓性基板。此時，積層體100中，藉由至少在剝離可撓性基板層21之前，便預先在可撓性基板層21表面形成從電子元件及佈線之中選擇1以上之構件(本說明書中簡稱為「電子元件等構件」)，便可將經剝離後的可撓性基板層使用為可撓性裝置。可撓性裝置之製造時，最好在電子元件等構件形成前，便預先在可撓性基板層21的表面形成上述阻氣層。
電子元件等構件的形成方法，係可採用將耐熱樹脂薄膜使用為可撓性基板的電子裝置領域中之公知方法。
阻氣層的形成方法係與上述方法同樣。
(實施態樣1)
首先，對本發明的積層體100施行後述的後處理。然後，如圖 2(A)所示剝離耐熱樹脂薄膜2。具體的剝離方法，係可採用利用手從端部拉剝的方法，以及使用驅動滾輪、機器人等機械裝置的方法。然後，藉由切斷除去犧牲層22之部分，便可獲得當作可撓性基板用的可撓性基板層21(圖2(B))。圖2(A)及(B)所示，係為說明使用圖1(A)之積層體製造可撓性基板的方法之一例其耐熱樹脂薄膜的示意圖(剖視圖)。
本實施態樣1中，藉由在後處理前，預先在積層體100的可撓性基板層21表面上，形成電子元件等構件(未圖示)而獲得的可撓性基板層21，係可有效使用為可撓性裝置。在電子元件等構件形成前，最好預先在可撓性基板層21的表面上形成阻氣層(未圖示)。
(實施態樣2)
首先，在耐熱樹脂薄膜的既定部位處設置缺口，將耐熱樹脂薄膜中的可撓性基板層21部分與犧牲層22部分予以分割。即，如圖3(A)所示，沿可撓性基板層21的外周211形成缺口200。缺口200未必一定要沿可撓性基板層21的外周211形成，在能獲得所需尺寸之可撓性基板前提下，亦可形成於可撓性基板層21的內部區域。造成缺口的方法係在能形成到達無機基板1的缺口200之前提下，其餘並無特別的限定，例如使用市售切割機的方法及使用雷射光照射的方法。圖3(A)及(B)所示，係供說明使用圖1(A)的積層體製造可撓性基板的方法之另一例其耐熱樹脂薄膜的示意圖(剖視圖)。
本實施態樣2中，利用缺口200施行分割後，如圖3(B)所示， 剝離可撓性基板層21，獲得可撓性基板。具體的剝離方法就本實施態樣亦是可採用利用手從端部拉剝的方法及使用驅動滾輪、機器人等機械裝置的方法。
本實施態樣2中，在利用缺口進行分割前，藉由對積層體100的耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層21表面上，預先形成電子元件等構件(未圖示)而獲得的可撓性基板層，可有效使用為可撓性裝置。本實施態樣亦是在形成電子元件等構件前，最好預先在可撓性基板層21的表面上形成阻氣層(未圖示)。
本實施態樣2中，在無機基板1上殘存的犧牲層22(圖3(B))，利用後述的後處理便可從無機基板1上剝離並除去。剝離犧牲層22的具體方法，係可採用如上述利用手從端部拉剝的方法及使用驅動滾輪、機器人等機械裝置的方法。
[後處理]
後處理法較佳係使用水吸收處理法。所謂「水吸收處理」係指針對因吸濕或吸水處理導致犧牲層22發生體積膨脹，造成因該體積膨脹衍生界面處的應力，致使界面處的接著強度出現降低之處理。本發明中，犧牲層22最好利用水吸收處理、特別係吸濕處理進行剝離，但後處理亦可例如對犧牲層22利用雷射光、紅外線光、紫外線光、閃光等的照射而施行剝離。
(吸濕處理)
吸濕處理係包括有：在高溫高濕環境下，至少保持犧牲層的吸濕處理步驟。
吸濕條件並無特別的限定，在相對濕度較佳為70%以上、更佳80%以上的條件下，且吸濕溫度較佳為70℃以上、更佳80℃以上施行吸濕處理步驟。又，亦可使用超過100℃的加壓水蒸氣，但最好在100℃以下施行吸濕處理步驟。吸濕處理時間較佳係施行1小時以上、更佳係3小時以上、特佳5小時以上。吸濕處理時間的上限係在能達成犧牲層剝離之前提下，其餘並無特別的限定，通常在20小時以下、較佳15小時以下、更佳12小時下施行吸濕處理步驟。
該吸濕處理中，在上述吸濕處理步驟後，最好在減壓或常壓下施行脫濕。因吸濕而導致體積膨脹的耐熱樹脂薄膜，利用脫濕便可急速收縮。藉由該吸脫濕操作，經膨脹、收縮的犧牲層會生成應力，致使幾乎不會有因吸脫濕而出現體積變化的無機基板所鄰接犧牲層的界面處之強度明顯降低。藉由此項作用，便可更簡單地剝離犧牲層。藉由重複該吸脫濕流程2次以上，亦可更加提升剝離性。本發明中，通常藉由施行吸脫濕1~3次，便可簡單地剝離犧牲層。
減壓條件並無特別的限定，依減壓度較佳為100Torr以下、更佳50Torr以下、特佳10Torr以下；溫度較佳為70℃以上、更佳80℃以上施行減壓處理。另外，減壓處理時的溫度係可與上述吸濕處理溫度相同、亦可為不同，但最好為相同。減壓處理時間較佳係施行1小時以上、更佳3小時以上、特佳5小時以上。減壓處理時間 的上限係在促進犧牲層剝離之前提下，其餘並無特別的限定，通常在20小時以下、較佳15小時以下、更佳12小時以下施行減壓處理步驟。
(吸水處理)
吸水處理係至少包括有將犧牲層浸漬保持於水浴中的吸水處理步驟。
吸水條件並無特別的限定，水溫係設為20℃以上、較佳係80℃、更佳係30℃以上且60℃以下。吸水處理時間較佳係施行3小時以上、更佳5小時以上、特佳10小時以上。吸水處理時間的上限係在達成犧牲層剝離之前提下，其餘並無特別的限定，通常在20小時以下、較佳15小時以下、更佳12小時以下施行吸水處理步驟。
該吸水處理中，在上述吸水處理步驟後，最好利用減壓或常壓施行乾燥而執行脫水。因吸水而使體積膨脹的犧牲層，利用脫水便可急速收縮。藉由該吸脫水操作，經膨脹、收縮的犧牲層會生成應力，致使幾乎不會有因吸脫水而出現體積變化的無機基板所鄰接犧牲層的界面處之強度明顯降低。藉由此項作用，便可更簡單地剝離犧牲層。藉由重複該吸脫水流程2次以上，可更加提升剝離性。本發明中，通常藉由施行吸脫水流程1~3次，便可簡單地剝離犧牲層。
依減壓條件進行的脫水條件並無特別的限定，依減壓度較佳為100Torr以下、更佳50Torr以下、特佳10Torr以下；溫度較佳70 ℃以上、更佳80℃以上施行減壓處理。另外，減壓處理時的溫度係可與上述吸水處理溫度相同、亦可不同，但最好為相同。減壓處理時間係較佳為1小時以上、更佳3小時以上、特佳5小時以上實施。減壓處理時間的上限係在能促進耐熱樹脂薄膜2之剝離的前提下，其餘並無特別的限定，依通常為20小時以下、較佳15小時以下、更佳12小時以下施行減壓處理步驟。
以上，如上述，本發明的積層體藉由其特有的構造，利用簡單的後處理便可從無機基板上輕易地剝離犧牲層，因而適用於可撓性裝置及可撓性佈線板裝置的製造。
[實施例]
以下，根據實施例針對本發明進行更具體說明，惟本發明並不僅侷限於該等實施例。
[參考例1]
準備Unitika公司製U-IMIDE ®(由3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐與對伸苯二胺獲得的聚醯胺酸型聚醯亞胺前驅物溶液，溶劑係NMP、固形份濃度係18質量%)。將該溶液(稱「聚醯亞胺溶液A-1」)在厚度0.7mm且表面平滑的無鹼玻璃板(稱「玻璃板G-1」)表面上，利用棒塗機施行塗佈使經熱硬化後的薄膜厚度為30μm，再依130℃施行10分鐘乾燥而形成聚醯亞胺前驅物被膜。接著，在氮氣氣流下，歷時2小時從100℃升溫至360℃後，依360℃施行2小時熱處理，使醯亞胺前驅物進行熱硬化而醯亞胺化。藉此，獲得具有玻璃基板 與厚度30μm聚醯亞胺薄膜層的積層體L-1。
[參考例2]
將玻璃板G-1的表面利用含有5質量%氫氟酸的水溶液，於30℃下浸漬30分鐘而施行粗面化處理。表面粗糙度Ra係0.08μm。在該玻璃板的表面上，塗佈含有2質量%矽烷偶合劑(3-胺丙基三甲氧基矽烷)的NMP溶液，經乾燥形成矽烷偶合劑的塗膜。此處，矽烷偶合劑的被膜量係300mg/m2。使用該玻璃板，與參考例1同樣地獲得具有玻璃基板與厚度30μm聚醯亞胺薄膜層的積層體L-2。
[參考例3]
在聚醯亞胺溶液A-1中，添加相對於聚醯亞胺質量為0.05質量%的矽烷偶合劑(3-胺丙基三甲氧基矽烷)，經均勻混合，獲得聚醯亞胺溶液A-2。除使用其之外，其餘均與參考例1同樣地獲得具有玻璃基板與厚度30μm聚醯亞胺薄膜層的積層體L-3。
[參考例4]
除使用聚醯亞胺溶液A-2之外，其餘均與參考例2同樣地獲得具有玻璃基板與厚度30μm聚醯亞胺薄膜層的積層體L-4。
<密接性評價>
上述積層體L-1~L~4之玻璃基板與耐熱樹脂薄膜層的層間接著強度，係根據JIS K6854利用180°剝離試驗測定。又，在積層體的聚醯亞胺薄膜端部設置缺口，用手從此處撕開，當無法輕易地從 玻璃板上剝離的情況，便判定界面處的密接性「良好」，當可輕易剝離的情況便評定密接性「不佳」。結果如表1所示。另外，表1中，因為接著強度在0.1N/cm以下的情況，便較難特定正確的接著強度，因而記為「0.1以下」。
如表1所示，積層體L-2、L-4的密接性良好。相對於此，積層體L-1、L-3的密接性不佳，即剝離性良好。
<剝離性(後處理後)評價>
將密接性良好的積層體L-2、L-4，依相對濕度95%、溫度90℃的條件保持10小時，使聚醯亞胺薄膜吸濕。然後，依同溫度，在5Torr減壓下施行10小時減壓處理，而對已吸濕的聚醯亞胺施行脫濕。所獲得積層體的層間接著強度，係根據JIS K6854利用180°剝離試驗測定。又，當用手從設有缺口的聚醯亞胺薄膜端部撕開，可輕易從玻璃板上剝離的情況，便判定界面處的剝離性「良好」，無法輕易剝離的情況便判定剝離性「不佳」。結果如表2所示。另外，表2中，因為接著強度在0.1N/cm以下的情況，便較難特定正確的接著強度，因而記為「0.1以下」。
如表2所示，吸濕處理前密接性良好的積層體L-2、L-4，藉由施行吸濕處理，便可成為剝離性良好的積層體。
[實施例1]
如圖1(B)所示，僅對厚度0.7mm無鹼玻璃板1的圖框區域220，與參考例2同樣地施行蝕刻處理及矽烷偶合劑處理，獲得僅對圖框區域220施行密接性提升處理的玻璃板G-3。此處，經實施該密接性提升處理之部分寬度(即圖框區域220的寬度W1)係設為4cm，含圖框區域220的塗佈區域230面積係約576cm2(24cm(W3)×24cm(W3))，未含圖框區域220的可撓性基板層形成區域210面積係約400cm2。針對含該圖框區域220的塗佈玻璃板G-3之塗佈區域230(約576cm2)，利用棒塗機將與參考例1同樣的聚醯亞胺溶液A-1，塗佈成經熱硬化後的薄膜全體厚度為30μm狀態，在130℃下施行10分鐘乾燥，形成聚醯亞胺前驅物被膜。接著，在氮氣氣流下，歷時2小時從100℃升溫至360℃後，在360℃下施行2小時熱處理，藉由使聚醯亞胺前驅物進行熱硬化而醯亞胺化，便使聚醯亞胺層積層一體化，獲得積層體M-1。
[實施例2]
除將聚醯亞胺溶液A-1改為聚醯亞胺溶液A-2之外，其餘均與實施例1同樣地獲得積層體M-2。
[實施例3]
在積層體M-1、M-2中，如圖3(A)所示，沿可撓性基板層21的外周211設置缺口200，而將可撓性基板層21與犧牲層22予以分割。利用手撕開經分割之可撓性基板層21的外周211其中一部分，結果可撓性基板層21如圖3(B)所示，可輕易地從玻璃基板1上剝離。然後，將殘留有犧牲層22的玻璃基板1(參照圖3(B))，依相對濕度85%、溫度80℃的條件保持8小時，而使犧牲層22吸濕。然後，在常壓下，以100℃施行2小時乾燥，而已吸濕的聚醯亞胺進行脫濕，結果積層體M-1、M-2均係用手便可輕易剝離犧牲層22。
[實施例4]
將積層體M-1、M-2依相對濕度95%、溫度90℃的條件保持10小時，而使聚醯亞胺薄膜2吸濕。然後，依同溫度，在5Torr減壓下施行10小時減壓處理，使已吸濕的聚醯亞胺薄膜2進行脫濕。用手撕開聚醯亞胺薄膜2外周其中一部分，結果聚醯亞胺薄膜2如圖2(A)所示，可從玻璃基板1上輕易剝離。然後，藉由切斷除去犧牲層22的部分，便獲得可撓性基板層21。
(產業上之可利用性)
依如上述，本發明的積層體儘管其耐熱樹脂薄膜2牢固地接著 於無機基板1上，但利用例如水吸收處理，便可將犧牲層22輕易地從無機基板1上剝離，因而可輕易地獲得可撓性基板層21，且可輕易地再利用無機基板1。所以，本發明的積層體係可有效利用於電子裝置用可撓性基板之製造。本發明的製造方法係即便在構成該積層體的耐熱樹脂薄膜2，特別係在可撓性基板層21的表面上有形成阻氣層之情況，後處理前的密接性、經後處理後的剝離性亦均良好。所以，可輕易在作為可撓性基板用的可撓性基板層21上，製造電子元件等構件形成的可撓性裝置及可撓性佈線板。
1‧‧‧無機基板
2‧‧‧耐熱樹脂薄膜
21‧‧‧可撓性基板層
22‧‧‧犧牲層
100‧‧‧積層體
210‧‧‧可撓性基板層形成區域
211‧‧‧可撓性基板層外周
220‧‧‧圖框區域(犧牲層形成區域)
230‧‧‧塗佈區域
W1‧‧‧犧牲層22之寬度
W2‧‧‧可撓性基板層21之寬度
W3‧‧‧耐熱樹脂薄膜寬度

Claims (8)

  1. 一種積層體，係具備有無機基板及形成在該無機基板上的耐熱樹脂薄膜者，其具有以下特徵：(1)耐熱樹脂薄膜係具備：可撓性基板層及在該可撓性基板層之外緣部設置的犧牲層；(2)可撓性基板層與上述無機基板間之接著強度在2N/cm以下；(3)犧牲層與上述無機基板間之接著強度超過2N/cm；(4)犧牲層與上述無機基板間之接著強度，經後處理成為2N/cm以下。
  2. 如請求項1之積層體，其中，耐熱樹脂係聚醯亞胺系樹脂。
  3. 如請求項1之積層體，其中，後處理係水吸收處理。
  4. 如請求項1至3中任一項之積層體，其中，無機基板其中一部分係預先施行密接性提升處理，並在經施行該密接性提升處理的表面上形成犧牲層。
  5. 如請求項4之積層體，其中，密接性提升處理係粗面化處理或矽烷偶合劑處理中之至少其中一項處理。
  6. 一種可撓性裝置之製造方法，係在請求項1至5中任一項之積層體的耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層表面上，形成從電子元件及佈線之中選擇1種以上之構件後，藉由對該積層體施行後處理，再從無機基板剝離具備上述構件的耐熱樹脂薄膜，然後藉由切斷除去犧牲層部分而獲得可撓性裝置。
  7. 一種可撓性裝置之製造方法，係在請求項1至5中任一項之積層體的耐熱樹脂薄膜之可撓性基板層表面上，形成從電子元件及佈線之中選擇1種以上之構件，沿具備有上述構件的耐熱樹脂薄膜之 可撓性基板層外周形成缺口，將耐熱樹脂薄膜的可撓性基板層部分、與犧牲層部分施行分割後，再剝離耐熱樹脂薄膜的可撓性基板層部分，而獲得可撓性裝置，並藉由對犧牲層施行後處理而從無機基板上剝離除去。
  8. 如請求項6或7之可撓性裝置之製造方法，其中，在可撓性基板層的表面上形成上述構件之前，便形成阻氣層。
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