TW201616685A - 光學模組的封裝結構及其製造方法 - Google Patents

光學模組的封裝結構及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201616685A
TW201616685A TW103137757A TW103137757A TW201616685A TW 201616685 A TW201616685 A TW 201616685A TW 103137757 A TW103137757 A TW 103137757A TW 103137757 A TW103137757 A TW 103137757A TW 201616685 A TW201616685 A TW 201616685A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
substrate
chamber
cover
optical module
Prior art date
Application number
TW103137757A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI562406B (zh
Inventor
Ming-De Du
You-Chen Lin
Original Assignee
Lingsen Precision Ind Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lingsen Precision Ind Ltd filed Critical Lingsen Precision Ind Ltd
Priority to TW103137757A priority Critical patent/TW201616685A/zh
Priority to US14/590,807 priority patent/US9478693B2/en
Publication of TW201616685A publication Critical patent/TW201616685A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI562406B publication Critical patent/TWI562406B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92222—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92227—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

一種光學模組的封裝結構包括有一基板、一封蓋、一光發射晶片、一光接收晶片及二封裝膠體，基板設有一凹部，封蓋設於基板且與基板之間形成有第一、第二腔室，封蓋具有連通於第一腔室之光發射孔、連通於第二腔室之光接收孔，以及區隔第一、第二腔室且嵌設於凹部的擋牆，光發射晶片及光接收晶片設於基板且分別位於第一、第二腔室內，各封裝膠體分別設於第一、第二腔室內且分別包覆光發射晶片及光接收晶片。藉此，本發明之光學模組的封裝結構不僅可避免光訊號串擾(Crosstalk)，更可大為降低製程成本及製作難易度。

Description

光學模組的封裝結構及其製造方法
本發明係與光學模組有關，特別是指一種光學模組的封裝結構以及該光學模組的封裝結構之製造方法。
目前的手持式電子裝置(如智慧型手機)為了避免觸控面板被誤觸或因應省電之需求，在結構上通常會設置一光學模組，當前述手持式電子裝置在靠近某一物體的表面(如臉頰)時，光學感應模組會藉由光發射晶片發出光線，此一光線在經過物體的表面反射之後會被光學感應模組之光接收晶片所接收，最後再將所接收的光線轉換成電子訊號進行後續處理。
然而， 習用光學模組為了避免訊號之串擾(Crosstalk)，係先以封裝膠體將光發射晶片及光接收晶片加以封裝，再將一金屬框架卡合於前述之封裝結構，使得金屬框架形成具有光線隔離的屏障結構，但因習用的封裝結構須成形一卡合結構可供組裝金屬框架，因此在製程與結構的複雜度將較為高，又因習用係以膠合之方式固設金屬框架，故往往會發生膠量太多造成溢膠的問題，或是膠量太少而造成金屬框架容易脫落或位移，使得光線隔離之效果不佳。
本發明之主要目的在於提供一種光學模組的封裝結構，包括有一基板、一封蓋、一光發射晶片、一光接收晶片，以及二封裝膠體。該基板具有一光發射區、一光接收區及一位於該發光射區與該光接收區之間的凹部；該封蓋設於該基板且與該基板之間形成有一第一腔室及一第二腔室，該封蓋具有一光發射孔、一光接收孔及一擋牆，該光發射孔連通於該第一腔室，該光接收孔連通於該第二腔室，該擋牆設於該凹部且用以區隔該第一腔室與該第二腔室；該光發射晶片設於該光發射區且位於該第一腔室內；該光接收晶片設於該光接收區且位於該第二腔室內；各該封裝膠體分別設於該第一腔室及該第二腔室內且分別包覆該光發射晶片及該光接收晶片。
較佳地，該封裝膠體於該基板之另一側具有一突出於該封裝膠體的導光部。
較佳地，該導光部係為凸透鏡。
較佳地，該封蓋之外表面設有一導電層。
較佳地，該光發射孔或該光接收孔之周壁具有一反射層，該反射層係由內向外逐漸擴張。
較佳地，該封裝膠體係為透光的樹脂。
較佳地，該封蓋係為不透光的樹脂。
本發明另提供一種光學模組的封裝結構之製造方法，包含有下列步驟： a) 將一光發射晶片及一光接收晶片設於一基板上； b) 形成至少一封裝膠體於該基板上，且包覆該光發射晶片及該光接收晶片； c) 在該基板上且位於該光發射晶片與該光接收晶片之間進行切割，使該基板形成有一凹陷於該基板的凹部；以及 d) 將一封蓋設於該基板上，使該光發射晶片容納於該封蓋與該基板之間所形成之一第一腔室內，該第一腔室連通於該封蓋之一光發射孔，並且使該光接收晶片容納於該封蓋與該基板之間所形成之一第二腔室內，該第二腔室連通於該封蓋之一光接收孔。
較佳地，更包含有步驟e)，在封蓋的外表面透過濺鍍、塗覆或噴塗之方式形成有一導電層。
較佳地，在步驟b)中，至少一該封裝膠體係為透光的樹脂，且以模壓之方式形成於該基板上。
較佳地，在步驟b)中，在模壓至少一該封裝膠體的同時於至少一該封裝膠體上形成一導光部。
較佳地，在步驟b)中，該至少一封裝膠體的數量為二，各該封裝膠體分別設於該基板，且分別包覆該光發射晶片及該光接收晶片。
較佳地，在步驟d)中，該封蓋係為不透光的樹脂，且透過模壓之方式形成於該基板上。
藉此，本發明之光學模組的封裝結構透過在該基板上形成一凹陷之凹部，以及該封蓋之擋牆嵌設於該凹部，使得該基板與該封蓋之接合處低於該基板，藉以讓該光發射晶片所發出的光線則無法由側向傳遞至該光接收晶片(即避免光訊號之串擾效應)，更因其封蓋係為樹脂材質，故封裝結構容易依其使用上之需求而做調整，以提升效率及應用，更可大為降低製程上之成本及製作上之難易度。
為使 貴審查委員能進一步了解本發明之構成、特徵及其目的，以下乃舉本發明之若干實施例，並配合圖式詳細說明如後，同時讓熟悉該技術領域者能夠具體實施，惟以下所述者，僅係為了說明本發明之技術內容及特徵而提供之ㄧ實施方式，凡為本發明領域中具有一般通常知識者，於了解本發明之技術內容及特徵之後，以不違背本發明之精神下，所為之種種簡單之修飾、替換或構件之減省，皆應屬於本發明意圖保護之範疇。
為了詳細說明本創作之結構、特徵及功效所在，茲列舉一較佳實施例並配合下列圖式說明如後，其中：
請參閱第1圖A至第1圖F所示，係為本發明一第一較佳實施例之光學模組的封裝結構10之製造方法，其包含有下列步驟：
步驟(a)，如第1圖A至第1圖B，首先利用上片(Die Bonding)製程將一光發射晶片20及一光接收晶片30設於一基板40上，並透過打線(Wire Bonding)製程將該光發射晶片20與該光接收接片30電性連接於該基板40。
步驟(b)，如第1圖C，係以模壓(Molding)製程形成一封裝膠體50於該基板40上，且包覆該光發射晶片20及該光接收晶片30，其中該封裝膠體係為透光的樹脂，而在進行前述模壓該封裝膠體的同時於該封裝膠體上形成一導光部51，如此不僅能夠簡化製程，更能達到提升光訊號之發光與接收的效率。
步驟(c)，如第1圖D，在該基板40上且位於該光發射晶片20與該光接收晶片30之間進行切割，使該基板40形成有一凹陷於該基板40的凹部41，此時，該封裝膠體50也將因前述切割製程而一分為二，一半位於該光發射晶片20，另一半位於該光接收晶片30。
步驟(d)，如第1圖E，將一封蓋60設於該基板40上，使該光發射晶片20容納於該封蓋60與該基板40之間所形成之一第一腔室61內，該第一腔室61連通於該封蓋60之一光發射孔63，並且使該光接收晶片30容納於該封蓋60與該基板40之間所形成之一第二腔室65內，該第二腔室65連通於該封蓋60之一光接收孔67。
步驟(e)，如第1圖F，本發明之光學模組的封裝結構10為了能夠達到抗電磁干擾(ElectroMagnetic Interference，簡稱EMI)，故於該封蓋60的外表面透過濺鍍(Sputtering Deposition)、塗覆(Coating)或噴塗之方式形成有一導電層69。在此要強調的是，該導電層69形成於該封蓋60之外表面係為本發明之較佳實施例，但並非用以限制本發明，其中該導電層69形成於該封蓋60之內表面也為本發明所欲保護的範圍。
請參閱第2圖A至第2圖F所示，係為本發明一第二較佳實施例之光學模組的封裝結構10'之製造方法，其中該第二較佳實施例與該第一較佳實施例之差異在於如第2圖C，該第二較佳實施例在進行步驟(b)的模壓製程後即可立即形成二獨立的封裝膠體50，而各該封裝膠體50係分別設於該基板40上，且分別包覆該光發射晶片20及該光接收晶片30，如此一來，當在進行步驟(c)使該基板40形成有一凹陷於該基板40的凹部41時，切割刀具將因為不必切割該封裝膠體50，而使切割過程較不易產生偏移、誤差或斷刀等問題，進而有助於精準度及良率的提升。
請參閱第3圖A至第3圖F所示，係為本發明一第三較佳實施例之光學模組的封裝結構10''之製造方法，其中該第三較佳實施例與該第一較佳實施例及該第二較佳實施例之差異在於如第3圖E，該第三較佳實施例在步驟(d)之封蓋60係為不透光的樹脂，且透過模壓之方式形成於該基板40上，又因該封蓋60係為模壓方式所形成，因此該封蓋60更可因應使用上之需求而於該光發射孔63及該光接收孔67或兩者其中之一的周壁形成一反射層631、671，藉以提升光學模組的應用性及增加其光學效果。
請再參閱第1圖F、第1圖G、第2圖F所示，係分別為本發明所提供之第一、第二較佳實施例之光學模組的封裝結構10、10'，其中該第一較佳實施例與該第二較佳實施例之封裝結構相同，各該封裝結構10、10'包括有該基板40、該封蓋60、該光發射晶片20、該光接收晶片30以及該封裝膠體50。
該基板40具有位於同一基準線D上的一光發射區43、一光接收區45，以及一位於該發光射區43與該光接收區45之間且於該基準線下的凹部41，換言之，該凹部41陳如上所述係凹陷於該基板40。
該封蓋60設於該基板40，且與該基板40之間形成有一第一腔室61及一第二腔室65，該封蓋60具有一光發射孔63、一光接收孔67及一擋牆68，該光發射孔63連通於該第一腔室61，該光接收孔67連通於該第二腔室65，該擋牆68對應設於該凹部41且用以區隔該第一腔室61與該第二腔室65。藉此，由於該封蓋60之擋牆68係嵌入該基板40內(即為該凹部41)，故該基板40與該封蓋60之接合處係低於該基板40，因此該光發射晶片20所發出的光線則無法由側向傳遞至該光接收晶片30(即串擾效應)。此外，本發明為克服塑料材質無法有效地抑制EMI之缺陷，故可於該封蓋60之外表面形成一金屬材質之導電層69，如此一來該導電層69即可作為一屏蔽，以避免電磁對該封蓋60內之各該晶片20、30產生干擾。
該光發射晶片20及該光接收晶片30分別設於該光發射區43及設於該光接收區45，且分別位於該第一腔室61內及該第二腔室65內。
各該封裝膠體50分別設於該第一腔室61及該第二腔室65內且分別包覆該光發射晶片20及該光接收晶片30，其中各該封裝膠體50於相對該基板40之另一側具有一突出於各該封裝膠體50的導光部51，如本發明較佳實施例中，該導光部51係為凸透鏡，而因應使用上之需求，該導光部51也可只形成於各該封裝膠體50其中一。在此值得一提的是，各該封裝膠體50係為透光的樹脂，並透過模壓之方式直接形成於該基板40上。
請再參閱第3圖F、第3圖G所示，係為本發明所提供之第三較佳實施例之光學模組的封裝結構10''，該第三較佳實施例之封裝結構10''與該第一、第二較佳實施例之封裝結構10、10'的差異在於該第三較佳實施例係將不透光的樹脂以模壓之方式來形成該封蓋60，也因該封蓋60係以模壓方式所形成，所以可藉由在該光發射孔63及該光接收孔67之周壁分別形成該反射層631、671，各該反射層631、671係由內向外逐漸擴張，藉以達到提升光發射與光接收之效率。
值得一提的是，該基板40之凹部41可如第1圖G所示，該基板40之凹部41係為長條狀，且該凹部41之相對兩側並未延伸出該基板40之側緣；或如第3圖G所示，該凹部41之相對兩側係延伸出該基板40之側緣，而該凹部41之結構設計係依製程或成本之考量而做變化，藉此讓本發明之封裝結構在製作上更具多元，以減少成本及降低製程難易度。
綜上所陳，本發明之光學模組的封裝結構10、10'、10''透過在該基板40上形成一凹陷之凹部41，以及該封蓋60之擋牆嵌設於該凹部41，使得該基板40與該封蓋60之接合處低於該基板40，藉以讓該光發射晶片20所發出的光線則無法由側向傳遞至該光接收晶片30(即避免光訊號之串擾效應)，更因其封蓋60係為樹脂材質，故封裝結構容易依其使用上之需求而做調整，以提升效率及應用，更可大為降低製程上之成本及製作上之難易度。
本發明於前揭露實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替代或變化，亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。
10、10'、10''‧‧‧封裝結構
20‧‧‧光發射晶片
30‧‧‧光接收晶片
40‧‧‧基板
41‧‧‧凹部
43‧‧‧光發射區
45‧‧‧光接收區
50‧‧‧封裝膠體
51‧‧‧導光部
60‧‧‧封蓋
61‧‧‧第一腔室
63‧‧‧光發射孔
631‧‧‧反射層
65‧‧‧第二腔室
67‧‧‧光接收孔
671‧‧‧反射層
68‧‧‧擋牆
69‧‧‧導電層
D‧‧‧基準線
第1圖A-F為本發明一第一較佳實施例光學模組的封裝結構之製造方法的流程圖，其中第1圖F也為該第一較佳實施例光學模組的封裝結構之剖視圖。 第1圖G為本發明該第一較佳實施例光學模組的封裝結構的俯視圖。 第2圖A-F為本發明一第二較佳實施例光學模組的封裝結構之製造方法的流程圖，其中第2圖F也為該第二較佳實施例光學模組的封裝結構之剖視圖。 第3圖A-F為本發明一第三較佳實施例光學模組的封裝結構之製造方法的流程圖，其中第3圖F也為該第三較佳實施例光學模組的封裝結構之剖視圖。 第3圖G為本發明該第三較佳實施例光學模組的封裝結構的俯視圖。
10"‧‧‧封裝結構
20‧‧‧光發射晶片
30‧‧‧光接收晶片
40‧‧‧基板
41‧‧‧凹部
43‧‧‧光發射區
45‧‧‧光接收區
50‧‧‧封裝膠體
51‧‧‧導光部
60‧‧‧封蓋
61‧‧‧第一腔室
63‧‧‧光發射孔
631‧‧‧反射層
65‧‧‧第二腔室
67‧‧‧光接收孔
671‧‧‧反射層
68‧‧‧擋牆
69‧‧‧導電層

Claims (13)

  1. 一種光學模組的封裝結構，包括有： 一基板，具有位於同一基準線的一光發射區、一光接收區，以及一位於該發光射區與該光接收區之間且於該基準線以下的凹部； 一封蓋，設於該基板且與該基板之間形成有一第一腔室及一第二腔室，該封蓋具有一光發射孔、一光接收孔及一擋牆，該光發射孔連通於該第一腔室，該光接收孔連通於該第二腔室，該擋牆對應設於該凹部且用以區隔該第一腔室與該第二腔室； 一光發射晶片，設於該光發射區且位於該第一腔室內； 一光接收晶片，設於該光接收區且位於該第二腔室內；以及 二封裝膠體，分別設於該第一腔室及該第二腔室內且分別包覆該光發射晶片及該光接收晶片。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組的封裝結構，其中該封裝膠體於該基板之另一側具有一突出於該封裝膠體的導光部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之光學模組的封裝結構，其中該導光部係為凸透鏡。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組的封裝結構，其中該封蓋之外表面設有一導電層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組的封裝結構，其中該光發射孔或該光接收孔之周壁具有一反射層，該反射層係由內向外逐漸擴張。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組的封裝結構，其中該封裝膠體係為透光的樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之光學模組的封裝結構，其中該封蓋係為不透光的樹脂。
  8. 一種如申請專利範圍第1項所述之光學模組的封裝結構之製造方法，包含有下列步驟： a) 將一光發射晶片及一光接收晶片設於一基板上； b) 形成至少一封裝膠體於該基板上，且包覆該光發射晶片及該光接收晶片； c) 在該基板上且位於該光發射晶片與該光接收晶片之間進行切割，使該基板形成有一凹陷於該基板的凹部；以及 d) 將一封蓋設於該基板上，使該光發射晶片容納於該封蓋與該基板之間所形成之一第一腔室內，該第一腔室連通於該封蓋之一光發射孔，並且使該光接收晶片容納於該封蓋與該基板之間所形成之一第二腔室內，該第二腔室連通於該封蓋之一光接收孔。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之光學模組的封裝結構之製造方法，其中更包含有步驟e)，在封蓋的外表面透過濺鍍、塗覆或噴塗之方式形成有一導電層。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之光學模組的封裝結構之製造方法，在步驟b)中，至少一該封裝膠體係為透光的樹脂，且以模壓之方式形成於該基板上。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之光學模組的封裝結構之製造方法，在步驟b)中，在模壓至少一該封裝膠體的同時於至少一該封裝膠體上形成一導光部。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之光學模組的封裝結構之製造方法，在步驟b)中，該至少一封裝膠體的數量為二，各該封裝膠體分別設於該基板，且分別包覆該光發射晶片及該光接收晶片。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之光學模組的封裝結構之製造方法，在步驟d)中，該封蓋係為不透光的樹脂，且透過模壓之方式形成於該基板上。
TW103137757A 2014-10-31 2014-10-31 光學模組的封裝結構及其製造方法 TW201616685A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103137757A TW201616685A (zh) 2014-10-31 2014-10-31 光學模組的封裝結構及其製造方法
US14/590,807 US9478693B2 (en) 2014-10-31 2015-01-06 Optical module package and its packaging method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103137757A TW201616685A (zh) 2014-10-31 2014-10-31 光學模組的封裝結構及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201616685A true TW201616685A (zh) 2016-05-01
TWI562406B TWI562406B (zh) 2016-12-11

Family

ID=55853601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103137757A TW201616685A (zh) 2014-10-31 2014-10-31 光學模組的封裝結構及其製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9478693B2 (zh)
TW (1) TW201616685A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI616670B (zh) * 2016-12-30 2018-03-01 遠距離感測器的封裝結構
CN108269793A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 菱生精密工业股份有限公司 光学模块的封装结构
TWI643361B (zh) * 2016-12-30 2018-12-01 菱生精密工業股份有限公司 Remote sensor packaging method
CN111613692A (zh) * 2020-04-22 2020-09-01 福建天电光电有限公司 光电开关封装结构及封装方法
TWI711148B (zh) * 2017-09-27 2020-11-21 日月光半導體製造股份有限公司 光學封裝結構及光學模組
CN112185944A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 菱生精密工业股份有限公司 嵌入式光学模块封装结构

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11069667B2 (en) * 2016-03-31 2021-07-20 Stmicroelectronics Pte Ltd Wafer level proximity sensor
US10720545B2 (en) 2016-05-27 2020-07-21 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
TW201828505A (zh) * 2017-01-20 2018-08-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體及其製造方法
CN106876555A (zh) * 2017-04-17 2017-06-20 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架以及贴片式led器件
KR101926721B1 (ko) * 2017-07-11 2018-12-07 (주) 엔지온 반도체 패키지 및 그 제조방법
CN107958903A (zh) * 2017-11-24 2018-04-24 维沃移动通信有限公司 一种封装结构的加工方法及封装结构
US11287312B2 (en) * 2018-05-09 2022-03-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical system and method of manufacturing the same
EP3620813A1 (en) * 2018-09-04 2020-03-11 ams AG Optical sensor arrangement, device and method of manufacturing an optical sensor arrangement
WO2020239538A1 (en) * 2019-05-29 2020-12-03 Ams International Ag Reducing optical cross-talk in optical sensor modules
CN110830633B (zh) * 2019-10-31 2021-07-27 Oppo（重庆）智能科技有限公司 电子设备、壳体组件及边框
TW202141806A (zh) * 2020-03-25 2021-11-01 昇佳電子股份有限公司 光感測器封裝結構及其封裝方法
FR3109245B1 (fr) * 2020-04-08 2022-04-29 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif électronique comprenant une structure d’encapsulation transparente logeant une puce électronique et procédé de fabrication correspondant
CN113893361B (zh) * 2021-09-29 2023-06-27 宁波安芯美半导体有限公司 一种uvc led灯及其封装方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6809254B2 (en) * 2001-07-20 2004-10-26 Parker-Hannifin Corporation Electronics enclosure having an interior EMI shielding and cosmetic coating
JP4676975B2 (ja) * 2007-09-13 2011-04-27 シャープ株式会社 双方向光伝送デバイス
TWM497854U (zh) * 2014-10-31 2015-03-21 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI616670B (zh) * 2016-12-30 2018-03-01 遠距離感測器的封裝結構
CN108269793A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 菱生精密工业股份有限公司 光学模块的封装结构
TWI643361B (zh) * 2016-12-30 2018-12-01 菱生精密工業股份有限公司 Remote sensor packaging method
TWI711148B (zh) * 2017-09-27 2020-11-21 日月光半導體製造股份有限公司 光學封裝結構及光學模組
CN112185944A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 菱生精密工业股份有限公司 嵌入式光学模块封装结构
CN111613692A (zh) * 2020-04-22 2020-09-01 福建天电光电有限公司 光电开关封装结构及封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9478693B2 (en) 2016-10-25
TWI562406B (zh) 2016-12-11
US20160126403A1 (en) 2016-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201616685A (zh) 光學模組的封裝結構及其製造方法
TWI527166B (zh) The package structure of the optical module
TWI667767B (zh) Package structure of integrated optical module
TWI556422B (zh) 影像模組封裝及其製作方法
JP3172667U (ja) 光学モジュール
TWI657603B (zh) 半導體封裝裝置及其製造方法
TWI619208B (zh) 具聚光結構之光學模組的封裝方法
TW201505135A (zh) 光學模組的封裝結構
TWI476907B (zh) 接近感測器之封裝體及其封裝方法
TWI521671B (zh) The package structure of the optical module
TW201505132A (zh) 光學模組的封裝結構
JP5069996B2 (ja) フォトリフレクタの製造方法
TW201505134A (zh) 光學模組的封裝結構
TWI616670B (zh) 遠距離感測器的封裝結構
TWI631687B (zh) Package structure of remote sensor and packaging method thereof
JP2013235887A (ja) 光源一体型光センサの製造方法
TWM497854U (zh) 光學模組的封裝結構
TW201505131A (zh) 光學模組的封裝結構
TW202024697A (zh) 光耦合器
TW201419496A (zh) 具有感應裝置的載板封裝結構及具有感應裝置的載板封裝結構製作方法
TW201824524A (zh) 光學模組的封裝結構
TW201834224A (zh) 光感測器
TWM485399U (zh) 整合型光學模組的封裝結構
TWI634648B (zh) 光感測器的製造方法
JP2005050839A (ja) チップ型フォトカプラ