TW202141806A - 光感測器封裝結構及其封裝方法 - Google Patents

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Abstract

一種光感測器封裝結構及其封裝方法，其中該光感測器封裝結構包含一基板，於一發光元件及一感光元件之間設置一導通孔；及一蓋體，覆蓋於該基板，該蓋體包含一遮擋部及一延伸部，該遮擋部設置於該發光元件和該感光元件之間，該遮擋部朝向該基板之表面設置一金屬接面，該延伸部設置一金屬側壁，該金屬側壁連接於該金屬接面。該導通孔覆蓋一導電膠，該金屬接面係接觸該導電膠。藉此，本發明的光感測器封裝結構及其封裝方法可縮小光感測器的體積、提供穩固封裝、降低封裝成本並提升產品可靠度。

Description

光感測器封裝結構及其封裝方法
本發明關於一種光感測器封裝結構及其封裝方法，尤其是可遮擋電磁干擾之光感測器封裝結構及其封裝方法。
透過光感應技術(light sensing technology)所實現的光感測器廣泛使用於許多應用之中，舉例來說，環境光感測器(ambient light sensor，ALS)可應用於電子產品中以感測環境光的強度，並且自動調整顯示螢幕的亮度，以提升使用便利性並延長電池使用時間；近接感測器(proximity sensor)可用來偵測使用者的臉部與電子裝置的顯示螢幕之間的距離。藉此，當近接感測器靠近使用者的臉部時，電子裝置即可自動地關閉顯示螢幕並關閉觸控功能，以避免使用者的臉部於通話中誤觸顯示螢幕而中斷對話。
近接感測器及環境光線感測器一般會整合於單一封裝結構中，以便應用於行動電話等體積較小的可攜帶式電子裝置內。 近接感測器和環境光線感測器都需使用感光元件，而且近接感測器一般還需要使用發光元件(例如紅外線發射器)。為了避免發光元件產生的光線干擾感光元件，傳統方式會讓感光元件與發光元件之間維持一段距離，以避免串擾(crosstalk)。然而，此方式會占據電子裝置較大的空間，也會損耗較多的能量。在空間有限的情況下，避免串擾的方式是在發光元件和感光元件之間設置遮擋元件，一般是在晶片封裝製程中加入遮擋元件。
然而除了發光元件所產生的光線干擾，因電磁感應效應所產生的電磁波也會對光感測器設備造成電磁干擾（Electromagnetic Interference, EMI），進而形成雜訊影響光感測器的準確度。先前遮擋電磁干擾的技術係將一金屬蓋覆蓋於光感測器元件上。此種方式是仰賴額外設置於光感測器件上的金屬蓋來屏蔽電磁干擾，然而金屬蓋體積大、佔空間且不易固定於光感測器封裝結構，容易發生掉落問題。並且，將金屬蓋固定於光感測器需單顆作業，無法進行連片作業，成本也較高，使得現有可遮擋電磁干擾之光感測器在成本密集的消費性電子產品市場接受度偏低。
在電子產品持續朝向微型化、低功耗發展的情況下，亟需提供一種進一步改良的光感測器封裝結構及其封裝方法，以在縮小光感測器封裝結構體積的同時，提供屏蔽EMI干擾訊號的功能，進而提升光感測器的實用性。
本發明之目的，在於提供一種光感測器封裝結構及其封裝方法，其藉由於一發光元件及一感光元件之間設置一導通孔，並於該導通孔覆蓋一導電膠，使一蓋體上的金屬接通過接觸該導電膠而形成穩定迴路。藉此，本發明的光感測器封裝結構及其封裝方法可縮小光感測器的體積、提供穩固封裝、降低封裝成本並提升產品可靠度。。
本發明關於一種光感測器封裝結構，其包含一基板、一發光元件、一感光元件及一蓋體。該基板設有一導通孔。該發光元件及感光元件分別設置於該基板且位於該導通孔之兩側。該蓋體覆蓋於該基板，該蓋體包含一遮擋部及一延伸部，該遮擋部設置於該發光元件和該感光元件之間，並且朝該基板延伸，該延伸部連接該遮擋部並圍繞該發光元件或該感光元件。其中，該遮擋部朝向該基板之表面設置一金屬接面，該延伸部設置一金屬側壁，該金屬側壁連接於該金屬接面；且該導通孔於該基板朝向該蓋體之表面上覆蓋一導電膠，該金屬接面係接觸該導電膠。
本發明關於一種光感測器封裝結構之封裝方法，其包含：於一基板上設置一發光元件和一感光元件，在該基板的發光元件及感光元件之間裝配一個或以上的導通孔；於導通孔覆蓋一導電膠；不透明材質製作一蓋體，蓋體包含一遮擋部及連接該遮擋部的一延伸部，該延伸部與該遮擋部構成一容置空間；於該遮擋部遠離該延伸部之一表面電鍍形成一金屬接面，並且於該蓋體朝向該容置空間之表面電鍍形成一金屬側壁，該金屬側壁連接於該金屬接面；及將該蓋體與該基板，使該金屬接面接觸該導電膠，該容置空間供容納該發光元件或該感光元件。
在說明書及請求項當中使用了某些詞彙指稱特定的元件，然，所屬本發明技術領域中具有通常知識者應可理解，製造商可能會用不同的名詞稱呼同一個元件，而且，本說明書及請求項並不以名稱的差異作為區分元件的方式，而是以元件在整體技術上的差異作為區分的準則。在通篇說明書及請求項當中所提及的「包含」為一開放式用語，故應解釋成「包含但不限定於」。再者，「耦接」一詞在此包含直接及間接的連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接一第二裝置，則代表第一裝置可直接連接第二裝置，或可透過其他裝置或其他連接手段間接地連接至第二裝置。
請參閱第1及2圖，第1圖係本發明光感測器封裝結構一實施例的剖視示意圖，第2圖係該光感測器封裝結構實施例的局部剖視外觀示意圖。光感測器封裝結構包含一基板10、一發光元件20、一感光元件30、透明模塑物質40、42和一蓋體50。
發光元件20及感光元件30設置於基板10上，其中發光元件20可以透過導線21連接到基板10，且感光元件30可以透過導線31連接到基板10。惟，除了傳統打線製程外，發光元件20或感光元件330也可以透過其它方式連接到基板10，本發明並不以此為限。於一實施例中，基板10可為一銅箔基板、一陶瓷基板、一導線支架、一樹酯基板或一印刷電路板，而導線21、31則可以為金線、銅線，但不限於此。
於本實施例中，光感測器封裝結構可以整合有一近接感測器及/或一環境光線感測器。發光元件20用來產生發射光(例如紅外光)，而感光元件30用來接收發射光照射物體後的反射光，讓近接感測器可根據發射光和反射光來進行距離估算。此外，感光元件30也可用來接收環境光源產生的環境光，以供環境光線感測器進行光度(light intensity)估算。在本實施例中，近接感測器和環境光線感測器的運算電路和感光元件30設置在同一區域，而發光元件20與該區域相距一距離。於一實施例中，近接感測器和環境光線感測器各自使用獨立的感光元件，故存在複數個感光元件30。
發光元件20和導線21密封於透明模塑物質40中，感光元件30和導線31密封於透明模塑物質42中，透明模塑物質40、42可用來保護發光元件20和感光元件30。該蓋體50較佳係由不透明塑料製成，且該蓋體50覆蓋於基板10以阻擋非預期的光線進入光感測器封裝結構，該蓋體50會對應該發光元件20和感光元件30的出入光位置分別設置開口以供發射光和反射光通過。其中，該蓋體50包含一遮擋部51，該遮擋部51設置於該發光元件20和感光元件30之間，並且朝該基板10延伸，以避免發光元件20產生的光線干擾感光元件30而形成串擾。該蓋體50另包含連接該遮擋部51的至少一延伸部53、55，在本實施例中，該蓋體50之一延伸部53由該遮擋部51朝圖面右側延伸並圍繞該發光元件20；且該蓋體50之另一延伸部55由該遮擋部51朝圖面左側延伸並圍繞該感光元件30。
值得注意的是，該蓋體50之遮擋部51朝向該基板10之表面電鍍一金屬接面52，且該蓋體50電鍍至少一金屬側壁54、56，該至少一金屬側壁54、56係連接於該金屬接面52，在本實施例中，該蓋體50之一金屬側壁54設置於該遮擋部51及該延伸部53朝向該發光元件20之表面上，以連接於該金屬接面52並遮蔽該發光元件20；且該蓋體50之另一金屬側壁56設置於該遮擋部51及該延伸部55朝向該感光元件30之表面上，以連接於該金屬接面52並遮蔽該感光元件30。如前所述，該蓋體50較佳係由不透明塑料製成，故該金屬接面52及金屬側壁54、56可由塑膠電鍍方式形成。
該基板10設有至少一導通孔(VIA)60，該導通孔60可以為貫通該基板10兩側表面的貫孔，或者為裸露於該基板10朝向該蓋體50之表面的盲孔。該導通孔60較佳需接地。此外，該導通孔60於該基板10朝向該蓋體50之表面上覆蓋一導電膠62，該導電膠62可以為導電銀膠或其他導電膠材。該蓋體50之遮擋部51朝向該基板10之表面設有該金屬接面52，該金屬接面52係接觸該導電膠62而與該導通孔60電性連接。
藉此，該蓋體50之金屬接面52及金屬側壁54、56可形成一金屬遮罩，並且通過該金屬接面52、該導電膠62與該導通孔60電性連接形成迴路，以共同構成一穩定的接地結構，故本實施例的光感測器封裝結構可透過該金屬接面52及金屬側壁54、56有效遮擋EMI，以阻擋干擾的傳播。其中，該金屬側壁54、56的範圍越大，則遮蔽該發光元件20或感光元件30的效果越佳，可獲取較佳的遮擋EMI效果。然其可能會增加製成複雜度及材料成本，實際應視實施本發明實施例的使用者需求取捨而設計。
以下對本發明光感測器封裝結構前述實施例的封裝方法進行詳細說明。請參照第3圖所示，一基板10上設有發光元件20及感光元件30，在該基板10的發光元件20及感光元件30之間裝配一個或以上的導通孔60，且該導通孔60接地。
請參照第4及5圖所示，於該基板10施以模封製程以形成透明模塑物質40、42，將發光元件20密封於透明模塑物質40中，將感光元件30密封於透明模塑物質42中，並且使該導通孔60裸露於該基板10之表面。如第4圖所示，在本實施例中係以一透明材料A直接封裝包覆該發光元件20及感光元件30。後續如第5圖所示，再透過切割、研磨、蝕刻等方式去除部分透明材料A，以形成透明模塑物質40、42並使導通孔60裸露於該基板10之表面。然而，在本發明部分實施例中，也可以透過將一模具覆蓋於基板10之導通孔60，再將液態透明膠材(例如樹酯)注入模具，待凝固後直接形成透明模塑物質40、42，並移除模具即可使導通孔60裸露於該基板10之表面。
請參照第6圖所示，於導通孔60覆蓋一導電膠62。該導電膠62可以為導電銀膠或其他導電膠材。
請參照第7圖，以不透明材質製作一蓋體50，該蓋體50包含一遮擋部51及連接該遮擋部51的至少一延伸部53、55，在本實施例中，該蓋體50之一延伸部53由該遮擋部51朝圖面右側延伸，並與該遮擋部5構成一第一容置空間C1；且該蓋體50之另一延伸部55由該遮擋部51朝圖面左側延伸並與該遮擋部51構成一第二容置空間C2。於該遮擋部51遠離該延伸部53、55之一表面電鍍形成一金屬接面52，並且於該蓋體50朝向該第一容置空間C1或該第二容置空間C2之表面電鍍形成一金屬側壁54、56。在本實施例中，該蓋體50朝向該第一容置空間C1之表面形成一金屬側壁54，該金屬側壁54設置於該遮擋部51及該延伸部53，以連接於該金屬接面52並遮蔽該第一容置空間C1；且該蓋體50朝向該第二容置空間C2之表面形成另一金屬側壁56，該金屬側壁56設置於該遮擋部51及該延伸部55，以連接於該金屬接面52並遮蔽該第二容置空間C2。其中，該蓋體50較佳係由不透明塑料製成，故該金屬接面52及金屬側壁54、56可由塑膠電鍍方式形成。
請參照第8圖，將該蓋體50與該基板10接合，其中該第一容置空間C1可供容納該透明模塑物質40及密封於其中的發光元件20，該第二容置空間C2可供容納該透明模塑物質42及密封於其中的感光元件30。該蓋體50之遮擋部51朝向該基板10之表面設有該金屬接面52，該金屬接面52係接觸該導電膠62而與該導通孔60電性連接。
通過本發明光感測器封裝方法實施例來封裝製作光感測器封裝結構，不僅可提供一金屬遮罩來有效遮擋EMI，以阻擋干擾的傳播，而且無須使用先前技術中的金屬蓋。反之如前所述，在本發明實施例中該蓋體係可由不透明塑料製成，故蓋體具有較小的體積，符合電子產品微型化的需求。再者，塑料製成的蓋體不若於金屬蓋蓋不易固定於光感測器封裝結構，容易發生掉落問題，由不透明塑料製成蓋體可以輕易塑形，使其與基板形成穩固貼合而不易脫落。而且，不同於將金屬蓋固定於光感測器需單顆作業，將蓋體與基板接合時可以連片作業，以大幅降低光感測器封裝結構的生產成本。
更重要的是，本發明透過於導通孔覆蓋一導電膠，可以確保該蓋體的金屬接面與該導通孔形成穩定的接地迴路。相較之下，先前技術所採用的金屬蓋縱使未發生脫落問題，然其只要稍有組裝偏差或位移就可能無法確實形成接地迴路，而致使遮擋EMI的功能完全失效，通過本發明光感測器封裝方法實施例來封裝製作光感測器封裝結構顯然具有較佳的可靠度。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10:基板 20:發光元件 21:導線 30:感光元件 31:導線 40:透明模塑物質 42:透明模塑物質 50:蓋體 51:遮擋部 52:金屬接面 53:延伸部 54:金屬側壁 55:延伸部 56:金屬側壁 60:導通孔 62:導電膠 A:透明材料 C1:第一容置空間 C2:第二容置空間
第1圖：其為本發明光感測器封裝結構一實施例的剖視示意圖； 第2圖：其為本發明光感測器封裝結構一實施例的局部剖視外觀示意圖； 第3圖：其為本發明光感測器封裝結構的封裝方法一實施例於基板配置元件的示意圖； 第4圖：其為本發明光感測器封裝結構的封裝方法一實施例以透明材料封裝包覆該發光元件及感光元件的示意圖； 第5圖：其為本發明光感測器封裝結構的封裝方法一實施例形成透明模塑物質並使導通孔裸露於該板之表面的示意圖； 第6圖：其為本發明光感測器封裝結構的封裝方法一實施例於導通孔覆蓋導電膠的示意圖； 第7圖：其為本發明光感測器封裝結構的封裝方法一實施例製作蓋體並形成金屬接面及金屬側壁的示意圖； 第8圖：其為本發明光感測器封裝結構的封裝方法一實施例將蓋體與基板接合後的示意圖。
10:基板
20:發光元件
30:感光元件
40:透明模塑物質
42:透明模塑物質
50:蓋體
51:遮擋部
52:金屬接面
53:延伸部
54:金屬側壁
55:延伸部
56:金屬側壁
60:導通孔
62:導電膠

Claims (15)

  1. 一種光感測器封裝結構，其包含： 一基板，設有一導通孔； 一發光元件及一感光元件，分別設置於該基板且位於該導通孔之兩側；及 一蓋體，覆蓋於該基板，該蓋體包含一遮擋部及一延伸部，該遮擋部設置於該發光元件和該感光元件之間，並且朝該基板延伸，該延伸部連接該遮擋部並圍繞該發光元件或該感光元件； 其中，該遮擋部朝向該基板之表面設置一金屬接面，該延伸部設置一金屬側壁，該金屬側壁連接於該金屬接面；該導通孔於該基板朝向該蓋體之表面上覆蓋一導電膠，該金屬接面係接觸該導電膠。
  2. 如請求項1所述之光感測器封裝結構，其中，該蓋體由不透明塑料製成，該金屬接面及該金屬側壁由塑膠電鍍方式形成。
  3. 如請求項1所述之光感測器封裝結構，其中，該導通孔接地，使該金屬側壁、金屬接面、該導電膠與該導通孔電性連接形成接地迴路。
  4. 如請求項1所述之光感測器封裝結構，其中，該發光元件密封於一透明模塑物質中，該感光元件密封於另一透明模塑物質中。
  5. 如請求項1所述之光感測器封裝結構，其中，該蓋體對應該發光元件和感光元件的出入光位置分別設置開口。
  6. 如請求項1所述之光感測器封裝結構，其中該延伸部由該遮擋部延伸並圍繞該感光元件，該金屬側壁遮蔽該感光元件。
  7. 如請求項6所述之光感測器封裝結構，其中該蓋體包含另一延伸部，該延伸部連接該遮擋部並圍繞該發光元件，該延伸部設置另一金屬側壁，該另一金屬側壁連接於該金屬接面並遮蔽該發光元件。
  8. 一種光感測器封裝方法，其包含： 於一基板上設置一發光元件和一感光元件，在該基板的發光元件及感光元件之間裝配一個或以上的導通孔； 於導通孔覆蓋一導電膠； 以不透明材質製作一蓋體，蓋體包含一遮擋部及連接該遮擋部的一延伸部，該延伸部與該遮擋部構成一容置空間； 於該遮擋部遠離該延伸部之一表面電鍍形成一金屬接面，並且於該蓋體朝向該容置空間之表面電鍍形成一金屬側壁，該金屬側壁連接於該金屬接面；及 將該蓋體與該基板，使該金屬接面接觸該導電膠，該容置空間供容納該發光元件或該感光元件。
  9. 如請求項8所述之光感測器封裝方法，其中係以不透明塑料製作該蓋體，該金屬接面及該金屬側壁則由塑膠電鍍方式形成
  10. 如請求項8所述之光感測器封裝方法，其中還包含將該導通孔接地，使該金屬側壁、金屬接面、該導電膠與該導通孔電性連接形成接地迴路。
  11. 如請求項8所述之光感測器封裝方法，其中於該基板設置該發光元件和該感光元件後，還包含將發光元件密封於一透明模塑物質中，將該感光元件密封於另一透明模塑物質中，並且使該導通孔裸露於該基板之表面。
  12. 如請求項11所述之光感測器封裝方法，其中係以一透明材料包覆該發光元件及感光元件，再式去除部分該透明材料，以形成該二透明模塑物質並使該導通孔裸露於該基板之表面。
  13. 如請求項11所述之光感測器封裝方法，其中係透過將一模具覆蓋於基板之導通孔，再將液態透明膠材注入模具，待凝固後形成該二透明模塑物質，並移除該模具可使該導通孔裸露於該基板之表面
  14. 如請求項8所述之光感測器封裝方法，其中該容置空間供容納該感光元件，該金屬側壁遮蔽該感光元件。
  15. 如請求項8所述之光感測器封裝方法，其中該蓋體包含連接該遮擋部的另一延伸部，該另一延伸部與該遮擋部構成另一容置空間，且還包含於該蓋體朝向該另一容置空間之表面電鍍形成另一金屬側壁，該另一金屬側壁連接於該金屬接面，該另一容置空間供容納該發光元件，該另一金屬側壁遮蔽該發光元件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0846073A (ja) * 1994-07-28 1996-02-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4210240B2 (ja) * 2004-06-03 2009-01-14 ローム株式会社 光通信モジュール
JP4837708B2 (ja) * 2008-07-09 2011-12-14 シャープ株式会社 電子部品およびその製造方法、並びに、電子部品を備えた電子装置
US8994154B2 (en) * 2012-10-01 2015-03-31 Texas Instruments Incorporated Proximity sensor having light blocking structure in leadframe
TWI502733B (zh) * 2012-11-02 2015-10-01 環旭電子股份有限公司 電子封裝模組及其製造方法
TWI651840B (zh) * 2013-12-27 2019-02-21 菱生精密工業股份有限公司 具濾光層之微型光學封裝結構及其製造方法
US10211191B2 (en) * 2014-08-06 2019-02-19 Pixart Imaging Inc. Image module package with transparent sub-assembly
TWM493748U (zh) * 2014-08-08 2015-01-11 Lingsen Precision Ind Ltd 具三明治結構的封蓋單元
TW201616685A (zh) * 2014-10-31 2016-05-01 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構及其製造方法
CN109069043B (zh) * 2016-04-04 2021-06-18 京瓷株式会社 测量传感器用封装件以及测量传感器
CN109841597A (zh) * 2017-11-24 2019-06-04 讯芯电子科技（中山）有限公司 分区电磁屏蔽封装结构及制造方法
CN110010478B (zh) * 2018-10-10 2021-01-26 浙江集迈科微电子有限公司 一种具有电磁屏蔽功能的射频微系统及成型工艺

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