TW201616149A - 設定／重設定電路及採用該電路的磁感測裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種設定/重設定電路及採用該電路的磁感測裝置。設定/重設定電路包括有一電容、一線圈、四個開關單元及一控制單元。上述四個開關單元皆電性耦接上述線圈。控制單元用以透過切換上述四個開關單元來改變上述線圈之電流方向，進而重置磁感測裝置中之磁阻感測器的磁矩方向。控制單元亦可控制上述四個開關單元改變其所提供之電性路徑的阻值大小及/或導通時間，藉以調整上述線圈的電流大小。據此，本發明之設定/重設定電路僅需使用一個電容即可操作，同時又能利用此電容來穩定其電源電壓的準位。

Description

設定/重設定電路及採用該電路的磁感測裝置

本發明是關於一種可應用於磁阻感測器特別是異相性磁阻感測器的設定/重設定電路，特別是關於一種僅需使用一個電容即可操作，同時又能利用此電容來穩定其電源電壓之準位的設定/重設定電路，以及採用該電路的磁感測裝置。

近年來，磁場感測器已廣泛應用在磁羅盤、旋轉位置感測、電流感測、鑽井定向、綫位置測量、偏航速率感測器和虛擬實境中的頭部軌迹追踪等技術中。一般來說，磁場感測器主要包括有一磁阻感測器與一設定/重設定電路。當有磁場外加於磁場感測器時，構成磁阻感測器之磁阻材料的阻值就會發生變化，因此使用者可從磁阻材料之電壓變化來反推上述外加磁場的強度。至於設定/重設定電路，其則是用來重置上述磁阻材料之磁矩的排列方向，以使磁場感測器能夠正確地量取其外加磁場的強度。在正常的情況下，經過重設定後的磁矩排列方向係與經過設定後的磁矩排列方向相差180度。

在過往的設定/重設定電路的設計中，設定/重設 定電路本身必需設置多個電容來進行操作，同時又要利用這些電容的至少其中之一來穩定其電源電壓的準位。但是過多的電容將導致設定/重設定電路的整體面積變大，進而使得磁場感測器的尺寸無法縮小。如此，這樣的磁場感測器設計便與電子元件日益小型化的趨勢背道而馳了。

本發明之一目的在提供一種僅需使用一個電容即可操作，同時又能利用此電容來穩定其電源電壓之準位的設定/重設定電路。

本發明之另一目的在提供一種採用上述之設定/重設定電路的磁感測裝置

本發明之一實施例提出一種設定/重設定電路，係應用於一磁阻感測器，該設定/重設定電路包括有一線圈、一第一開關單元、一第二開關單元、第三開關單元、第四開關單元、一電容及一控制單元。其中所述的線圈具有一第一端與一第二端，所述的第一開關單元具有可變阻值，並電性耦接於電源電壓與該第一端之間，所述的第二開關單元具有可變阻值，電性耦接於電源電壓與該第一端之間，所述的第三開關單元具有可變阻值，並電性耦接該第二端與參考電位，所述的第四開關單元具有可變阻值，並電性耦接該第一端與該參考電位，所述的電容其一端係電性耦接於該電源電壓、該第一開關與該第二開關；另一端係電性偶接於該參考電位、該第三開關與該第四開關，所述的控制單元係電性耦接於該第一、第二、第三與第四開關單元，並接收一第一脈寬調變訊號及一第二脈寬調變訊號。

本發明之另一實施例提出一種磁感測裝置，其包括有一磁阻感測器以及一如前述之設定/重設定電路。

本發明係在設定/重設定電路中採用四個能提供具可變阻值之電性路徑的開關單元，並利用控制單元來切換上述四個開關單元，以改變線圈之電流方向，進而能重置磁感測裝置中之磁阻感測器的磁矩方向。此外，本發明還利用控制單元來控制上述四個開關單元改變其所提供之電性路徑的阻值大小，藉以調整線圈的電流大小。據此，本發明之設定/重設定電路僅需使用一個電容即可操作，同時又能利用此電容來穩定其電源電壓的準位。由於上述開關單元可各自採用體積遠小於電容之體積的多個電晶體來實現，而控制單元因其操作簡單而亦具有電路面積小的優勢，如此就能夠有效地縮小設定/重設定電路的整體面積。而由上述可知，採用上述設定/重設定電路的磁感測裝置亦能有效地減少其尺寸。

1‧‧‧磁阻感測器

2‧‧‧設定/重設定電路

21‧‧‧開關單元

22‧‧‧開關單元

23‧‧‧開關單元

24‧‧‧開關單元

25‧‧‧電容

26‧‧‧線圈

261‧‧‧第一端

262‧‧‧第二端

27‧‧‧控制單元

210、220、230、240‧‧‧閘極

211、221、231、241‧‧‧第一源/汲極

212、222、232、242‧‧‧第二源/汲極

a(1)~a(4)、b(1)~b(4)、a’(1)~a’(4)、b’(1)~b’(4)‧‧‧控制訊號

270‧‧‧電壓判斷單元

271、281‧‧‧反及閘組

272、282‧‧‧反閘組

273、283‧‧‧反及閘

274、284‧‧‧反閘

51、52‧‧‧開關

20‧‧‧脈寬調變訊號產生單元

240‧‧‧電阻元件

VCC‧‧‧電源電壓

VSS‧‧‧參考電位

PWM1、PWM2‧‧‧脈寬調變訊號

圖1是根據本案一實施例之設定/重設定電路的電路圖；圖2是圖1之磁感測裝置的磁阻感測器與線圈的示意圖；圖3是圖1之設定/重設定電路之控制單元的邏輯閘佈局示意圖；圖4是圖1之設定/重設定電路之控制單元的開關單元設有電阻元件的部分示意圖；及圖5是根據本案一實施例之一種磁感測裝置的方塊圖。

圖1係繪示依照本發明一實施例的設定/重設定電路。請參照圖1，此設定/重設定電路2主要包括有開關單元21、開關單元22、開關單元23、開關單元24、電容25、線圈26及控制單元27，其中線圈26具有第一端261與第二端262。在此例中，線圈26與磁阻感測器的配置關係可以是如圖2所示。圖2即繪示有線圈與磁阻感測器的其中一種配置關係。請參照圖2，線圈26可以是在一個平面上呈螺旋狀的線圈結構，而磁阻感測器1係與線圈26交錯設置，並朝線圈26的最外圈與最內圈的方向延伸，且其延伸方向垂直於(或實質上垂直於)線圈26之第一端261及第二端262的延伸方向。

請再參照圖1，電容25之一端係電性耦接於電源電壓VCC、開關單元21及開關單元22，而另一端则電性偶接於參考電位VSS。開關單元21係電性耦接於電源電壓VCC與第一端261之間，並用以在電源電壓VCC與第一端261之間提供具有第一可變阻值之第一電性路徑。開關單元22係電性耦接於電源電壓VCC與第二端262之間，並用以在電源電壓VCC與第二端262之間提供具有第二可變阻值之第二電性路徑。開關單元23係電性耦接於第二端262與參考電位VSS之間，並用以在第二端262與參考電位VSS之間提供具有第三可變阻值之第三電性路徑。開關單元24係電性耦接於第一端261與參考電位VSS之間，並用以在第一端261與參考電位VSS之間提供具有第四可變阻值之第四電性路徑。

至於控制單元27，其係電性耦接開關單元21~24，並用以依據脈寬調變訊號PWM1來控制開關單元21 與開關單元23分別提供第一電性路徑與第三電性路徑，以及用以依據脈寬調變訊號PWM2來控制開關單元22與開關單元24分別提供第二電性路徑與第四電性路徑，其中脈寬調變訊號PWM1與PWM2之脈衝致能期間(即脈寬調變訊號呈現高準位的期間)互不重疊。當控制單元27控制開關單元21與開關單元23分別提供第一電性路徑與第三電性路徑時，來自電源電壓VCC與電容25的電流便會依序透過第一電性路徑、線圈26與第三電性路徑而流向參考電位VSS。此時，線圈26因通電而產生的磁場便能用來重置磁阻感測器1之磁阻材料的磁矩排列方向。而這個操作可視為是設定操作或重設定操作的其中之一。

反之，當控制單元27控制開關單元22與開關單元24分別提供第二電性路徑與第四電性路徑時，來自電源電壓VCC與電容25的電流便會依序透過第二電性路徑、線圈26與第四電性路徑而流向參考電位VSS。此時，線圈26因通電而產生的磁場亦能用來重置磁阻感測器1之磁阻材料的磁矩排列方向，並使磁矩排列方向與開關單元21與開關單元23分別提供第一電性路徑與第三電性路徑時所重置的磁矩排列方向相差180度(或實質上等於180度)。而這個操作可視為是設定操作或重設定操作的其中另一。

此外，控制單元27還用以判斷電源電壓VCC的大小，且當電源電壓VCC的值越大，控制單元27便控制開關單元21~24來使該些可變阻值呈現出越大的值。這種操作機制主要是用來在設定/重設定電路2執行上述之設定操作或是重設定操作時，能夠限制其自電源電壓VCC與電容25所汲取之電荷的大小，以避免所汲取的電荷太大而超過了電容 25的穩壓能力，進而拉低了電源電壓VCC的準位。而電源電壓VCC的準位一旦被拉低，那麼與設定/重設定電路2共用此電源電壓VCC的其他電子元件(例如是I/O、微控器、記憶體、或其他控制元件)的操作就會受到很大的影響。

在本例中，前述的開關單元21~24皆包括有N個電晶體，例如皆包括有四個電晶體，其中N為正整數。開關單元21中之每一電晶體皆具有閘極(如標示210所示)、第一源/汲極(如標示211所示)與第二源/汲極(如標示212所示)。且開關單元21中之每一電晶體的第一源/汲極211皆電性耦接電源電壓VCC，開關單元21中之每一電晶體的第二源/汲極212皆電性耦接第一端261，而開關單元21中之每一電晶體的閘極210皆電性耦接控制單元27，以分別接收控制單元27所輸出的控制訊號a(1)~a(4)，並據以決定是否導通。開關單元22中之每一電晶體皆具有閘極(如標示220所示)、第一源/汲極(如標示221所示)與第二源/汲極(如標示222所示)。且開關單元22中之每一電晶體的第一源/汲極221皆電性耦接電源電壓VCC，開關單元22中之每一電晶體的第二源/汲極222皆電性耦接第二端262，而開關單元22中之每一電晶體的閘極220皆電性耦接控制單元27，以分別接收控制單元27所輸出的控制訊號b(1)~b(4)，並據以決定是否導通。

開關單元23中之每一電晶體皆具有閘極(如標示230所示)、第一源/汲極(如標示231所示)與第二源/汲極(如標示232所示)。且開關單元23中之每一電晶體的第一源/汲極231皆電性耦接第二端262，開關單元23中之每一電晶體的第二源/汲極232皆電性耦接參考電位VSS，而開關單元23中之每一電晶體的閘極230皆電性耦接控制單元27，以分別 接收控制單元27所輸出的控制訊號a’(1)~a’(4)，並據以決定是否導通。開關單元24中之每一電晶體皆具有閘極(如標示240所示)、第一源/汲極(如標示241所示)與第二源/汲極(如標示242所示)。且開關單元24中之每一電晶體的第一源/汲極241皆電性耦接第一端261，開關單元24中之每一電晶體的第二源/汲極242皆電性耦接參考電位VSS，而開關單元24中之每一電晶體的閘極240皆電性耦接控制單元27，以分別接收控制單元27所輸出的控制訊號b’(1)~b’(4)，並據以決定是否導通。

此外，在此例中，開關單元21與22中之每一電晶體都是以P型電晶體來實現，而開關單元23與24中之每一電晶體都是以N型電晶體來實現。在實務上開關單元21-24習知此技藝者皆可依本實施例之原理任選P型或N型電機體而達到相同之目的。

圖3繪有圖1之控制單元的其中一種實現方式。如圖3所示，控制單元27包括有電壓判斷單元270、反及閘組271與281、反閘組272與282。電壓判斷單元270用以接收電源電壓VCC，並用以判斷電源電壓VCC的大小，以依據電源電壓VCC的大小而對應產生N個輸出訊號(此例中之N為4)，且每一輸出訊號用以表示一位元。

反及閘組271包括有N個(此例中之N為4)反及閘(如標示273所示)，且反及閘組271中的每一反及閘273的其中一輸入端用以接收脈寬調變訊號PWM1，每一反及閘273的另一輸入端則用以接收電壓判斷單元270的其中一輸出訊號，而每一反及閘273的輸出端則用以輸出控制訊號a(1)~a(4)的其中之一。反閘組272包括有N個(此例中之N為4)反閘(如 標示274所示)，且反閘組272中的每一反閘274的輸入端係電性耦接反及閘組271之其中一反及閘273的輸出端，並電性耦接開關單元21中之其中一電晶體的閘極210，而每一反閘274的輸出端用以輸出控制訊號a’(1)~a’(4)的其中之一，並電性耦接開關單元23中之其中一電晶體的閘極230。

反及閘組281包括有N個(此例中之N為4)反及閘(如標示283所示)，且反及閘組281中的每一反及閘283的其中一輸入端用以接收脈寬調變訊號PWM2，每一反及閘283的另一輸入端則用以接收電壓判斷單元270的其中一輸出訊號，而每一反及閘283的輸出端則用以輸出控制訊號b(1)~b(4)的其中之一。反閘組282包括有N個(此例中之N為4)反閘(如標示284所示)，且反閘組282中的每一反閘284的輸入端係電性耦接反及閘組281之其中一反及閘283的輸出端，並電性耦接開關單元22中之其中一電晶體的閘極220，而每一反閘284的輸出端用以輸出控制訊號b’(1)~b’(4)的其中之一，並電性耦接開關單元24中之其中一電晶體的閘極240。

線圈線圈請再參照圖1，開關單元21~24中的這些電晶體的尺寸可以是相同的。因此，當電源電壓VCC的值越大，那麼每一開關單元中被控制單元27所導通之電晶體的數目就越少。藉此，當電源電壓VCC的值越大，便可藉由上述操作來提高每一開關單元中由導通之電晶體所形成之電性路徑的阻值，進而減少自電源電壓VCC與電容25流入設定/重設定電路2的電流。當然，每一開關單元中的這些電晶體也可以是具有不同的尺寸。因此，當電源電壓VCC的值越大，每一開關單元中被控制單元27所導通之電晶體的總尺寸就越小(阻值變高)。藉此，當電源電壓VCC的值越大，便可藉由 上述操作來提高每一開關單元中由導通之電晶體所形成之電性路徑的阻值，進而減少自電源電壓VCC與電容25流入設定/重設定電路2的電流。而藉由上述之教示可知，上述之設定/重設定電路2僅需使用一個電容(即電容25)即可提供該設定/重設定電路操作所需之電量，同時又能利用此電容來穩定其電源電壓之準位。

此外，設定/重設定電路2更可以包括有開關51與52。開關51係電性耦接於第一端261與參考電位VSS之間，而開關52係電性耦接於第二端262與參考電位VSS之間，且開關51與52用以在開關單元21~24提供該些電性路徑以外的時間導通，以將設定/重設定電路2於執行設定操作與重設定操作時所造成的電流擾動導入至參考電位VSS。另外，設定/重設定電路2更可以包括有脈寬調變訊號產生單元20。此脈寬調變訊號產生單元20用以產生脈寬調變訊號PWM1與PWM2，並用以調整脈寬調變訊號PWM1與PWM2之責任週期。當電源電壓VCC的值越大，脈寬調變訊號產生單元20便將脈寬調變訊號PWM1與PWM2之責任週期調小。如此，當設定/重設定電路2於執行設定操作與重設定操作時，每一開關單元中之電晶體的導通時間就會變少，進而減少自電源電壓VCC與電容25流入設定/重設定電路2的電荷，而達到穩壓的作用。

藉由上述實施例之教示，本領域之通常知識者應知即使將開關單元21中的電晶體皆改為N型電晶體，並將開關單元23中的電晶體皆改為P型電晶體，則只要將這二個開關單元中之電晶體所接收的控制訊號亦予以對調，亦可實施本發明。同理，即使將開關單元22中的電晶體皆改為N型電 晶體，並將開關單元24中的電晶體皆改為P型電晶體，則只要將這二個開關單元中之電晶體所接收的控制訊號亦予以對調，亦可實施本發明。

當然，本領域之通常知識者亦應知，若是開關單元21~24中之電晶體皆為P型電晶體時，那麼圖3所示的控制單元27便不需採用反閘組272與282。且只要將圖3之反及閘組271的每一反及閘273的輸出端電性耦接開關單元21之其中一電晶體的閘極與開關單元23之其中一電晶體的閘極，並將圖3之反及閘組281的每一反及閘283的輸出端電性耦接開關單元22之其中一電晶體的閘極與開關單元24之其中一電晶體的閘極，便可實現本發明。

此外，若是開關單元21~24中之電晶體皆為N型電晶體時，那麼圖3所示的控制單元27便不需輸出控制訊號a(1)~a(4)與b(1)~b(4)。且只要將圖3之反閘組272的每一反閘274的輸出端電性耦接開關單元21之其中一電晶體的閘極與開關單元23之其中一電晶體的閘極，並將圖3之反閘組282的每一反閘284的輸出端電性耦接開關單元22之其中一電晶體的閘極與開關單元24之其中一電晶體的閘極，便可實現本發明。

一併參考圖1及圖4所示，本例之開關單元21~24更包括多個電阻元件240，且每一電阻元件240分別以導接方式設置至各電晶體的導電迴路上，其導接位置可以是每個開關單元21~24與線圈26之間，亦可以是開關單元21、22與電源電壓VCC之間，以及開關單元23、24與參考電位VSS之間，又或者可是部分設置在導接線圈26的位置，其餘則設置在導接電源電壓VCC或參考電位VSS的位置。

而前述的電阻元件240可例示為具有相同的電阻值，且當電源電壓VCC的值越大，每一開關單元21~24中被控制單元27所導通之電晶體的數目就越少，以提高每一開關單元中由導通之電晶體對應的電阻元件240所形成之電性路徑的阻值，進而減少自電源電壓VCC與電容25流入設定/重設定電路2的電流。當然，每一開關單元中的這些電阻元件240也可以是具有不同的電阻值，因此，當電源電壓VCC的值越大，控制單元27便選擇導通其每一開關單元之電晶體中，所導接的電阻元件的電阻值為最大者，同樣可達到減少自電源電壓VCC與電容25流入設定/重設定電路2的電流之目的。

圖5係繪示依照本發明一實施例之一種磁感測裝置。請參照圖4，此磁感測裝置包括有磁阻感測器1及前述之任何一種設定/重設定電路2，其中磁阻感測器1與設定/重設定電路2的配置關係亦可與圖2所示的配置關係相同。

綜上所述，本發明係在設定/重設定電路中採用N個能提供具可變阻值之電性路徑的開關單元，並利用控制單元來切換上述N個開關單元，以改變線圈之電流方向，進而能重置磁感測裝置中之磁阻感測器的磁矩方向。此外，本發明還利用控制單元來控制上述N個開關單元改變其所提供之電性路徑的阻值大小，藉以調整線圈的電流大小。據此，本發明之設定/重設定電路僅需使用一個電容即可操作，同時又能利用此電容來穩定其電源電壓的準位。由於上述開關單元可各自採用體積遠小於電容之體積的多個電晶體來實現，而控制單元因其操作簡單而亦具有電路面積小的優勢，如此就能夠有效地縮小設定/重設定電路的整體面積。而由上述可 知，採用上述設定/重設定電路的磁感測裝置亦能有效地減少其尺寸。

2‧‧‧設定/重設定電路

21‧‧‧開關單元

22‧‧‧開關單元

23‧‧‧開關單元

24‧‧‧開關單元

25‧‧‧電容

26‧‧‧線圈

261‧‧‧第一端

262‧‧‧第二端

27‧‧‧控制單元

210、220、230、240‧‧‧閘極

211、221、231、241‧‧‧第一源/汲極

212、222、232、242‧‧‧第二源/汲極

a(1)~a(4)、b(1)~b(4)、a’(1)~a’(4)、b’(1)~b’(4)‧‧‧控制訊號

51、52‧‧‧開關

20‧‧‧脈寬調變訊號產生單元

VCC‧‧‧電源電壓

VSS‧‧‧參考電位

PWM1、PWM2‧‧‧脈寬調變訊號

Claims (18)

1. 一種設定/重設定電路，係應用於一磁阻感測器，該設定/重設定電路包括：一線圈，具有一第一端與一第二端；一具有可變阻值之第一開關單元，係電性耦接於電源電壓與該第一端之間；一具有可變阻值之第二開關單元，係電性耦接於該電源電壓與該第二端之間；一具有可變阻值之第三開關單元，係電性耦接該第二端與參考電位；一具有可變阻值之第四開關單元，係電性耦接該第一端與該參考電位；一電容，其一端係電性耦接於該電源電壓、該第一開關單元與該第二開關單元，另一端係電性偶接於該參考電位；以及一控制單元，電性耦接於該第一、第二、第三與第四開關單元，並接收一第一脈寬調變訊號及一第二脈寬調變訊號。
2. 如申請專利範圍第1項所述之設定/重設定電路，其中每一開關單元皆具有N個電晶體，該些電晶體的開啟與關閉係受該控制單元控制，以調變每一開關單元之可變阻值。
3. 如申請專利範圍第2項所述之設定/重設定電路，其中每一開關單元更包括多個電阻元件，其中該些電阻元件係 分別對應及導接至各該電晶體的導電迴路上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之設定/重設定電路，其中該電源電壓的值越大，每一開關單元中被該控制單元所導通之電阻就越大。
5. 如申請專利範圍第1項所述之設定/重設定電路，其更包括一第一開關與一第二開關，該第一開關電性耦接於該第一端與該參考電位之間，而該第二開關電性耦接於該第二端與該參考電位之間，且該第一開關與該第二開關用以在該些開關單元提供該些電性路徑以外的時間導通。
6. 如申請專利範圍第1項所述之設定/重設定電路，其更包括一脈寬調變訊號產生單元，該脈寬調變訊號產生單元用以產生該第一脈寬調變訊號與該第二脈寬調變訊號，並用以調整該第一脈寬調變訊號與該第二脈寬調變訊號之責任週期。
7. 如申請專利範圍第6項所述之設定/重設定電路，其中當該電源電壓的值越大，該脈寬調變訊號產生單元便將該第一脈寬調變訊號與該第二脈寬調變訊號之責任週期調小。
8. 如申請專利範圍第1項所述之設定/重設定電路，其中該第一、第二、第三與第四開關單元係受該控制單元控制，並依據該第一第、二脈寬調變單元之訊號調變該第一、第二、第三與第四開關單元的可變阻值及導通時間兩者至少其一。
9. 如申請專利範圍第1項所述之設定/重設定電路，其中該電容係同時提供該設定/重設定電路操作所需之電量又能同時穩定其電源電壓。
10. 一種磁感測裝置，其包括：一磁阻感測器；以及一設定/重設定電路，其包括：一線圈，具有一第一端與一第二端；一具有可變阻值之第一開關單元，係電性耦接於電源電壓與該第一端之間；一具有可變阻值之第二開關單元，係電性耦接於該電源電壓與該第二端之間；一具有可變阻值之第三開關單元，係電性耦接該第二端與參考電位；一具有可變阻值之第四開關單元，係電性耦接該第一端與該參考電位；一電容，其一端係電性耦接於該電源電壓、該第一開關單元與該第二開關單元，另一端係電性偶接於該參考電位；以及一控制單元，電性耦接於該第一、第二、第三與第四開關單元，並接收一第一脈寬調變訊號及一第二脈寬調變訊號。
11. 如申請專利範圍第10項所述之設定/重設定電路，其中每一開關單元皆具有N個電晶體，該些電晶體的開啟與 關閉係受該控制單元控制，以調變每一開關單元之可變阻值。
12. 如申請專利範圍第11項所述之設定/重設定電路，其中每一開關單元更包括多個電阻元件，其中該些電阻元件係分別對應及導接至各該電晶體的導電迴路上。
13. 如申請專利範圍第10項所述之設定/重設定電路，其中該電源電壓的值越大，每一開關單元中被該控制單元所導通之電阻就越大。
14. 如申請專利範圍第10項所述之設定/重設定電路，其更包括一第一開關與一第二開關，該第一開關電性耦接於該第一端與該參考電位之間，而該第二開關電性耦接於該第二端與該參考電位之間，且該第一開關與該第二開關用以在該些開關單元提供該些電性路徑以外的時間導通。
15. 如申請專利範圍第10項所述之設定/重設定電路，其更包括一脈寬調變訊號產生單元，該脈寬調變訊號產生單元用以產生該第一脈寬調變訊號與該第二脈寬調變訊號，並用以調整該第一脈寬調變訊號與該第二脈寬調變訊號之責任週期。
16. 如申請專利範圍第15項所述之設定/重設定電路，其中當該電源電壓的值越大，該脈寬調變訊號產生單元便將該第一脈寬調變訊號與該第二脈寬調變訊號之責任週期調小。
17. 如申請專利範圍第10項所述之設定/重設定電路，其中該第一、第二、第三與第四開關單元係受該控制單元控制，並依據該第一第、二脈寬調變單元之訊號調變該第一、第二、第三與第四開關單元的可變阻值及導通時間兩者至少其一。
18. 如申請專利範圍第10項所述之設定/重設定電路，其中該電容係同時提供該設定/重設定電路操作所需之電量又能同時穩定其電源電壓。